TW201303882A - 記憶體 - Google Patents

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TW201303882A
TW201303882A TW100125306A TW100125306A TW201303882A TW 201303882 A TW201303882 A TW 201303882A TW 100125306 A TW100125306 A TW 100125306A TW 100125306 A TW100125306 A TW 100125306A TW 201303882 A TW201303882 A TW 201303882A
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pins
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Qi-Yan Luo
Peng Chen
song-lin Tong
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Hon Hai Prec Ind Co Ltd
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    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/02—Disposition of storage elements, e.g. in the form of a matrix array
    • G11C5/04—Supports for storage elements, e.g. memory modules; Mounting or fixing of storage elements on such supports
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/06—Arrangements for interconnecting storage elements electrically, e.g. by wiring
    • G11C5/063—Voltage and signal distribution in integrated semi-conductor memory access lines, e.g. word-line, bit-line, cross-over resistance, propagation delay

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  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)
  • Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)

Abstract

一種記憶體，包括一電路板、複數記憶體晶片及金手指，該等記憶體晶片設置於電路板上，該金手指設置於電路板的一端且包括複數接地引腳、電源引腳及訊號引腳，該接地引腳、電源引腳及訊號引腳的上端平齊，該接地引腳的長度大於電源引腳及訊號引腳的長度。

Description

記憶體
本發明涉及一種記憶體。
習知的DDR3記憶體與DDR2記憶體是不支持熱插拔的，實在不便。
鑒於以上內容，有必要提供一種可熱插拔的記憶體。
一種記憶體，包括一電路板、複數記憶體晶片及金手指，該等記憶體晶片設置於電路板上，該金手指設置於電路板的一端且包括複數接地引腳、電源引腳及訊號引腳，該接地引腳、電源引腳及訊號引腳的上端平齊，該接地引腳的長度大於電源引腳及訊號引腳的長度。
上述記憶體將其接地引腳設置為最長，當熱插入的時候，接地引腳最長，接地引腳就會最先接入，這樣電源引腳和訊號引腳均不會在接地引腳沒有與記憶體插槽接觸的情況下與記憶體插槽相接觸，從而造成電源引腳與訊號引腳的電氣懸空。當熱拔出的時候，接地引腳最長，因此接地引腳也就會最後被拔出，如此電源引腳和訊號引腳也不會在接地引腳已與記憶體插槽相分離的情況下仍與記憶體插槽相接觸，從而造成電源引腳與訊號引腳的電氣懸空，這樣的話記憶體在熱插拔時就不會出現浪湧電流與浪湧電壓等不良現象。
請參閱圖1，本發明記憶體1的較佳實施方式包括一電路板10、複數記憶體晶片20及金手指30。
該記憶體晶片20設置於電路板10上，該金手指30設置於電路板10的一端，且該金手指30透過設置於電路板10上的跡線與複數記憶體晶片20電性連接。當該記憶體1插接於主機板上的記憶體插槽時，該金手指30與記憶體插槽內的引腳相連，從而傳輸記憶體晶片20與主機板之間的資料。
該金手指30包括複數引腳，該等引腳的上端平齊。根據DDR2或DDR3的定義，記憶體1的金手指30包括三組引腳，其中第一組引腳為接地引腳，第二組引腳為電源引腳，第三組引腳為訊號引腳。假設本實施方式中，該記憶體1的規格為DDR2 SDRAM （Double Data Rate II Synchronous Dynamic Random Access Memory，雙倍速率同步動態隨機記憶體）DIMM（Dual-Inline-Memory-Modules，雙列直插式存儲模組）240 pin，其包括64個接地引腳（第一組引腳）、24個電源引腳（第二組引腳）、141個訊號引腳（第三組引腳）以及11個閒置或預留引腳。
請參考圖2，為了便於理解，本實施方式中只取金手指中的四個引腳為例進行描述，其中從左至右第一引腳300為接地引腳，第二引腳302為電源引腳，第三引腳305為接地引腳，第四引腳306為訊號引腳。從圖2可以看出，該第一至第四引腳的上端平齊，且該第一引腳300及第三引腳305（即接地引腳）的長度最長，第二引腳302（即電源引腳）的長度次之，第四引腳306（即訊號引腳）的長度最短。也就是說，第一引腳300及第三引腳305的底端與電路板10的底端之間的距離最短，第二引腳302的底端與電路板10的底端之間的距離次之，第四引腳306的底端與電路板10的底端之間的距離最長。
基於這種結構，當熱插入的時候，接地引腳（即第一及第三引腳300、305）的長度最長，接地引腳就會最先接入，電源引腳和訊號引腳都不會在接地引腳沒有與記憶體插槽接觸的情況下與記憶體插槽相接觸，從而避免造成電源引腳與訊號引腳的電氣懸空。當熱拔出的時候，接地引腳的長度最長，因此接地引腳也就會最後被拔出，電源引腳和訊號引腳也不會在接地引腳已與記憶體插槽相分離的情況下仍與記憶體插槽相接觸，從而避免造成電源引腳與訊號引腳的電氣懸空，這樣的話記憶體1在熱插拔時就不會出現浪湧電流與浪湧電壓等不良現象。本較佳實施方式中，第二引腳302的長度設置為比第一引腳300及第三引腳305短0.2mm，第四引腳306的長度設置為比第二引腳302短0.2mm。
根據上面的描述可知，記憶體1上設置的其他引腳即按照其所屬的組別設置其長度，如64個接地引腳的長度均設置為最長，24個電源引腳的長度則設置為比接地引腳短0.2mm，141個訊號引腳的長度則設置為比電源引腳短0.2mm。11個閒置引腳的長度則沒有限制。另，該電源引腳的長度亦可與訊號引腳的長度設置為一致，即只需將接地引腳的長度設置為最長即可，如此同樣可以保證在記憶體1插接至記憶體插槽時，該接地引腳最先被接入；在記憶體1被拔出記憶體插槽時，該接地引腳最後被拔出。
綜上所述，本發明符合發明專利要件，爰依法提出專利申請。惟，以上所述者僅為本發明之較佳實施例，舉凡熟悉本案技藝之人士，在爰依本發明精神所作之等效修飾或變化，皆應涵蓋於以下之申請專利範圍內。
1．．．記憶體
10．．．電路板
20．．．記憶體晶片
30．．．金手指
300．．．第一引腳
302．．．第二引腳
305．．．第三引腳
306．．．第四引腳
圖1是本發明記憶體的較佳實施方式的示意圖。
圖2是圖1中的II部分的放大圖。
300．．．第一引腳
302．．．第二引腳
305．．．第三引腳
306．．．第四引腳

Claims (10)

  1. 一種記憶體，包括一電路板、複數記憶體晶片及金手指，該等記憶體晶片設置於電路板上，該金手指設置於電路板的一端且包括複數接地引腳、電源引腳及訊號引腳，該接地引腳、電源引腳及訊號引腳的上端平齊，其改良在於：該接地引腳的長度大於電源引腳及訊號引腳的長度。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之記憶體，其中該接地引腳的長度大於電源引腳的長度0.2mm。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之記憶體，其中該電源引腳的長度大於訊號引腳的長度。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之記憶體，其中該電源引腳的長度大於訊號引腳的長度0.2mm。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之記憶體，其中該電源引腳的長度等於訊號引腳的長度。
  6. 一種記憶體，包括一電路板、複數記憶體晶片及金手指，該等記憶體晶片設置於電路板上，該金手指設置於電路板的一端且包括複數接地引腳、電源引腳及訊號引腳，其改良在於：該接地引腳的底端與電路板的底端之間的距離小於電源引腳的底端與電路板的底端之間的距離以及訊號引腳的底端與電路板的底端之間的距離。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之記憶體，其中該接地引腳的底端與電路板的底端之間的距離比電源引腳的底端與電路板的底端之間的距離小0.2mm。
  8. 如申請專利範圍第6項所述之記憶體，其中該電源引腳的底端與電路板的底端之間的距離小於訊號引腳的底端與電路板的底端之間的距離。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之記憶體，其中該電源引腳的底端與電路板的底端之間的距離比訊號引腳的底端與電路板的底端之間的距離小0.2mm。
  10. 如申請專利範圍第6項所述之記憶體，其中該等接地引腳、電源引腳及訊號引腳的頂端與電路板的底端之間的距離相等。
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