KR101117957B1 - 인너팩의 보호회로모듈 - Google Patents

Abstract

인너팩 보호회로모듈에 있어서, 통신단과 접지 전원출력단 사이에 개재되어 시큐리티 ID를 저장하는 메모리; 통신단과 접지 전원출력단 사이에 메모리와 병렬로 연결되는 배리스터를 포함하는 인너팩 보호회로모듈이 제공된다.

이동 통신 단말기, 배터리, PCM, 정전기, ESD, 배리스터, 레지스터

Description

인너팩의 보호회로모듈{Protection Circuit module of innerpack}

도 1은 종래의 보호회로모듈의 구성을 개략적으로 나타낸 블록 회로도이다.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 보호회로모듈의 구성을 개략적으로 나타낸 블록 회로도이다.

본 발명은 배터리의 인너팩 보호회로모듈에 관한 것이다.

일반적으로 이동 통신 단말기의 배터리에는 과충전, 과방전, 과전류 또는 쇼트 등으로부터 배터리를 보호하기 위한 보호회로모듈(Protection Circuit Module; PCM)이 설치된다.

도 1은 인너팩 보호회로모듈의 구성을 개략적으로 나타낸 블록 회로도이다.

보호회로모듈(10)은 컨트롤 IC(11)와, 컨트롤 IC(11)의 기능 동작 및 각 입력단자와 출력단자로 인입되는 정전기 방전(ESD)에 대해 보호를 하도록 제 1 및 제 2 MOSFET(12, 13)와, 제 1 및 제 2 저항(R1, R2) 및 제 1 내지 제 3 콘덴서(C1~C3)로 이루어진다.

컨트롤 IC(11)는 복수의 입출력단자를 구비하며, 배터리의 각 동작을 제어한다.

비동기 직렬 통신단(Tx)은 하나의 라인으로 호스트와 양방향으로 데이터를 주고받을 수 있고, 접지 전원 출력단(V-) 사이에 시큐리티 ID가 저장된 메모리(20), 예를 들어, EPROM과 제너 다이오드 Zd가 연결된다. 또한, 배터리 전원단(B+, B-)은 배터리의 전원을 공급하고, 전원 출력단(V+, V-)은 전원을 출력한다.

따라서, 배터리가 휴대폰 본체에 장착되면, 직렬 통신단(Tx)을 통하여 휴대폰 본체와 통신하면서 메모리(20)에 저장된 시큐리티 ID가 독취되어 정품인지의 여부가 인증된다. 제너 다이오드 Zd는 메모리(20)를 정전기(ESD)로부터 보호하거나 서지를 막기 위하여 장착된다.

그러나, 이와 같은 종래의 구성에 따르면, 시큐리티 ID를 저장한 메모리를 보호하기 위하여 적용되는 제너 다이오드 Zd에 역전압이 인가되는 경우 쇼트된다는 문제점이 있다.

즉, 충전단에서의 역접촉시 통신단(Tx)와 전원출력단(V-) 사이에 역전압이 걸리게 되고, 역전압이 4V 이상 인가될 때 제너 다이오드 Zd를 통해 전류가 흐르면서 정격 이상의 파워가 걸려 파괴됨으로써 쇼트가 된다.

따라서, 셀 전압이나 충전단 인가전압의 이상으로 발생할 수 있는 과전압으로부터 보호하기 위하여 내압 20V 이상의 MOSFET를 사용하지만 상기한 문제점으로 인하여 신뢰성을 보증할 수 없다는 문제가 발생한다.

따라서, 본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 충전단의 정접촉에 의한 과전압 뿐만 아니라 역접촉에 의한 과전압으로부터 보호하여 신뢰성을 보증함과 동시에 역접촉에 의한 시큐리티 ID를 저장한 메모리의 파괴로부터 보호할 수 있는 인너팩 보호회로모듈을 제공하는 것이다.

삭제

본 발명의 일 측면에 따르면, 인너팩 보호회로모듈에 있어서, 통신단과 접지 전원출력단 사이에 개재되어 시큐리티 ID를 저장하는 메모리; 통신단과 접지 전원출력단 사이에 메모리와 병렬로 연결되는 배리스터를 포함하는 인너팩 보호회로모듈이 제공된다.

이 구성에 따르면, 과전압이 인가되는 경우 접지 전원 출력단으로 전류를 흘려보냄으로서 충전단의 정접촉에 의한 과전압뿐만 아니라 역접촉에 의한 과전압에 대응하도록 할 수 있다.

또한, 메모리와 직렬로 연결되는 저항을 더 포함할 수 있다.

이 구성에 의하면, 다이오드가 내장되어 있는 메모리에 걸리는 전압을 저항에 걸리게 함으로서 저장된 시큐리티 ID를 보호할 수 있다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 보호회로모듈을 보다 상세하게 설명한다.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 보호회로모듈의 구성을 개략적으로 나타낸 블록 회로도이다.

도 1과 같이, 보호회로모듈(10)은 컨트롤 IC(11)와, 컨트롤 IC(11)의 기능 동작 및 각 입력단자와 출력단자로 인입되는 정전기 방전(ESD)에 대해 보호를 하도록 제 1 및 제 2 MOSFET(12, 13)와, 제 1 및 제 2 저항(R1, R2) 및 제 1 내지 제 3 콘덴서(C1 ~ C3)로 이루어진다.

또한, 컨트롤 IC(11)는 복수의 입출력단자를 구비하며, 배터리의 각 동작을 제어한다. 여기에서 컨트롤 IC(11)로는 MAXIM사의 DS276x Battery Monitoring IC를 사용할 수 있다.

비동기 직렬 통신단(Tx)은 하나의 라인으로 휴대폰 본체와 양방향으로 데이터를 주고받을 수 있으며, 본 발명에서는 메모리로부터 독취된 시큐리티 ID를 휴대폰 본체에 전송한다.

본 발명에 따르면, 접지 전원 출력단(V-) 사이에 저항 R3과 시큐리티 ID가 저장된 메모리(20)가 개재되고, 이들과 병렬로 배리스터 Zv가 연결된다.

이러한 구성에 따르면, 배리스터 Zv를 이용하여 충전단의 정접촉에 의한 과전압 뿐만 아니라 역접촉에 의한 과전압에 대응하도록 할 수 있다.

즉, 배리스터 Zv의 특성상 특정 전압이 되면 전류를 흘려버리기 때문에 정전기 등의 과전압이 인가되는 경우 접지 전원 출력단(V-)으로 전류를 흘려보낸다.

또한, 다이오드가 내장되어 있는 메모리(20), 예를 들어, EPROM에 걸리는 전압을 저항 R3에 걸리게 함으로서 저장된 시큐리티 ID를 보호할 수 있다.

이상에서는 본 발명의 일 실시예를 들어 설명하였지만, 당업자의 수준에서 다양한 변경과 변형을 가할 수 있음은 물론이다. 따라서, 본 발명의 권리범위는 상기한 실시에에 한정되어 해석되어서는 안되고 이하에 기재되는 특허청구범위에 근거하여 해석되어야 한다.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면 충전단의 정접촉에 의한 과전압 뿐만 아니라 역접촉에 의한 과전압으로부터 보호하여 신뢰성을 보증함과 동시에 역접촉에 의한 과전압으로 시큐리티 ID를 저장한 메모리가 파괴되는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다.

Claims (2)

1. 인너팩 보호회로모듈에 있어서,

   통신단과 접지 전원출력단 사이에 개재되어 시큐리티 ID를 저장하는 메모리;

   상기 통신단과 접지 전원출력단 사이에 상기 메모리와 병렬로 연결되는 배리스터를 포함하는 인너팩 보호회로모듈.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 메모리와 직렬로 연결되는 저항을 포함하는 인너팩 보호회로모듈.

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