JPH07271937A - 情報カード - Google Patents
情報カードInfo
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- JPH07271937A JPH07271937A JP6059114A JP5911494A JPH07271937A JP H07271937 A JPH07271937 A JP H07271937A JP 6059114 A JP6059114 A JP 6059114A JP 5911494 A JP5911494 A JP 5911494A JP H07271937 A JPH07271937 A JP H07271937A
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- JP
- Japan
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- gate
- field effect
- antenna
- information card
- effect transistor
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Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【構成】 非接触で情報を送出する情報カード50にお
いて、情報を送出するアンテナ10と接続されて、この
アンテナ10の特性インピーダンスを変化させるととも
に、ゲートとソースとの間に保護ダイオードを備えるF
ET16に対し、同じくFET17のゲートとソース間
に設けられている保護ダイオードを、アンテナ10の駆
動用のFET16のゲートとドレインとの間の保護手段
として利用する。 【効果】 電磁ノイズからの保護が可能であると共に、
高周波特性を維持でき、さらに安価に構成できる。
いて、情報を送出するアンテナ10と接続されて、この
アンテナ10の特性インピーダンスを変化させるととも
に、ゲートとソースとの間に保護ダイオードを備えるF
ET16に対し、同じくFET17のゲートとソース間
に設けられている保護ダイオードを、アンテナ10の駆
動用のFET16のゲートとドレインとの間の保護手段
として利用する。 【効果】 電磁ノイズからの保護が可能であると共に、
高周波特性を維持でき、さらに安価に構成できる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ICメモリ内に情報を
記憶し、特に非接触でその情報が外部の装置に読み取ら
れるような情報カードに関する。
記憶し、特に非接触でその情報が外部の装置に読み取ら
れるような情報カードに関する。
【0002】
【従来の技術】従来の薄型のカード形式の表面に磁性膜
からなる磁気ストライプ領域を設け、この磁気ストライ
プの領域にデータを記録するようにした磁気カードに対
して、近年は、カードの内部にIC(集積回路)メモリ
を内蔵し、このICメモリ内に多量の情報が書き込まれ
るようにしたICカードが登場している。
からなる磁気ストライプ領域を設け、この磁気ストライ
プの領域にデータを記録するようにした磁気カードに対
して、近年は、カードの内部にIC(集積回路)メモリ
を内蔵し、このICメモリ内に多量の情報が書き込まれ
るようにしたICカードが登場している。
【0003】このようなICメモリを内蔵したICカー
ドは、例えば、銀行口座から金銭を引き出すカード、個
人を識別するカード、品物に取り付けて品物の内容や送
り先などを指定するカード(以下、これらをまとめて情
報カードと呼ぶ)として使用されるものであり、通常、
半導体メモリに記憶されているデータを出力するため
に、少なくともデータを出力する端子、又は電源端子等
が設けられている。
ドは、例えば、銀行口座から金銭を引き出すカード、個
人を識別するカード、品物に取り付けて品物の内容や送
り先などを指定するカード(以下、これらをまとめて情
報カードと呼ぶ)として使用されるものであり、通常、
半導体メモリに記憶されているデータを出力するため
に、少なくともデータを出力する端子、又は電源端子等
が設けられている。
【0004】しかしながら、当該情報カードの表面にそ
のような複数個の接触型端子を設けるようにすると、カ
ードの取り扱いが種々の面で制限されるようになると共
に、例えば静電気や電磁ノイズ等によって当該情報カー
ド内のICメモリが破壊されてしまうようなことが発生
するおそれがある。
のような複数個の接触型端子を設けるようにすると、カ
ードの取り扱いが種々の面で制限されるようになると共
に、例えば静電気や電磁ノイズ等によって当該情報カー
ド内のICメモリが破壊されてしまうようなことが発生
するおそれがある。
【0005】このため、最近は、情報カード内部に超小
型の電池を収納し、当該情報カード内のICメモリに対
する情報の送受を、発光素子や受光素子を用いた光通信
によって非接触で行うようにしたカード(特開昭57−
502080号,特開昭58−212949号公報)
や、無線通信装置をカードに内蔵し、当該無線通信によ
ってカードの記憶データの送受を行わせるようにしたカ
ード(特開昭62−26591号公報)等が開示されて
いる。
型の電池を収納し、当該情報カード内のICメモリに対
する情報の送受を、発光素子や受光素子を用いた光通信
によって非接触で行うようにしたカード(特開昭57−
502080号,特開昭58−212949号公報)
や、無線通信装置をカードに内蔵し、当該無線通信によ
ってカードの記憶データの送受を行わせるようにしたカ
ード(特開昭62−26591号公報)等が開示されて
いる。
【0006】このような非接触型の情報カードは、外部
装置と情報カード間におけるデータの送信及び受信を上
述のように非接触の状態で行えるようになっているが、
情報カード本体側から光又は電磁波を外部装置に対して
送出する必要があるため、当該情報カード内に内蔵する
電池の消耗が激しくなり、したがって、電池の交換頻度
が多くなるという問題がある。
装置と情報カード間におけるデータの送信及び受信を上
述のように非接触の状態で行えるようになっているが、
情報カード本体側から光又は電磁波を外部装置に対して
送出する必要があるため、当該情報カード内に内蔵する
電池の消耗が激しくなり、したがって、電池の交換頻度
が多くなるという問題がある。
【0007】また、容量の大きい電池を使用する場合
は、特に情報カードの厚みが当該電池の大きさによって
制限され、薄型化を図ることができないという問題もあ
る。
は、特に情報カードの厚みが当該電池の大きさによって
制限され、薄型化を図ることができないという問題もあ
る。
【0008】そこで、上述のような問題の無い情報カー
ドとして、本件出願人は、特開平2−19989号公報
の情報カードを、また、特開平2−79185号公報の
情報カード及び情報カード装置等を開示している。な
お、特開平2−19989号公報の情報カードは、IC
メモリが内蔵されている情報カード内に、特定の周波数
で共振するダイポールアンテナと、当該ダイポールアン
テナの終端に接続されてその特性インピーダンスを変化
させる可変インピーダンス素子と、この可変インピーダ
ンス素子を前記ICメモリの記憶データによって変調す
る回路手段とを収納したことを特徴としている。また、
上記特開平2−79185号公報の情報カードは、非接
触で所定の識別データを送出するようになされた情報カ
ードであり、入力手段を有し、当該入力手段の操作に応
動して上記識別データに加えて付加データを送出するよ
うにしている。さらに、上記特開平2−79185号公
報の情報カード装置は、入力手段を有し、当該入力手段
の操作に応動して識別データに加えて付加データを送出
する情報カードと、上記情報カードから送出された上記
識別データ及び上記付加データを、非接触で受信する受
信部とを備えることを特徴としている。
ドとして、本件出願人は、特開平2−19989号公報
の情報カードを、また、特開平2−79185号公報の
情報カード及び情報カード装置等を開示している。な
お、特開平2−19989号公報の情報カードは、IC
メモリが内蔵されている情報カード内に、特定の周波数
で共振するダイポールアンテナと、当該ダイポールアン
テナの終端に接続されてその特性インピーダンスを変化
させる可変インピーダンス素子と、この可変インピーダ
ンス素子を前記ICメモリの記憶データによって変調す
る回路手段とを収納したことを特徴としている。また、
上記特開平2−79185号公報の情報カードは、非接
触で所定の識別データを送出するようになされた情報カ
ードであり、入力手段を有し、当該入力手段の操作に応
動して上記識別データに加えて付加データを送出するよ
うにしている。さらに、上記特開平2−79185号公
報の情報カード装置は、入力手段を有し、当該入力手段
の操作に応動して識別データに加えて付加データを送出
する情報カードと、上記情報カードから送出された上記
識別データ及び上記付加データを、非接触で受信する受
信部とを備えることを特徴としている。
【0009】なお、当該情報カードを人体或いは物体な
どの移動体に取り付けて当該移動体の識別を行う用途に
使用する場合には、当該情報カードは移動体識別用媒体
と考えることもできる。
どの移動体に取り付けて当該移動体の識別を行う用途に
使用する場合には、当該情報カードは移動体識別用媒体
と考えることもできる。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したよ
うなアンテナのインピーダンスを切り換えて所望のデー
タを非接触で送出するような情報カードに内蔵されるア
ンテナ駆動回路の基本構成は、例えば図10に示すよう
になる。
うなアンテナのインピーダンスを切り換えて所望のデー
タを非接触で送出するような情報カードに内蔵されるア
ンテナ駆動回路の基本構成は、例えば図10に示すよう
になる。
【0011】この図10において、ダイポールアンテナ
1は、可変インピーダンス素子としての電界効果トラン
ジスタ(EFT)2のドレイン(D)とソース(S)に
接続されている。また、上記FET2のゲート(G)
は、ICメモリ内のデータに応じたクロック(データに
応じてFET2をスイッチングさせるためのクロック)
を発生させるための発振器3と接続されている。なお、
当該図10の構成を有する情報カードと当該情報カード
内の情報を読み取る読み取り装置との間の情報伝達に使
用される周波数は、準マイクロ波帯の2.45ギガヘル
ツの電波が使用されている。
1は、可変インピーダンス素子としての電界効果トラン
ジスタ(EFT)2のドレイン(D)とソース(S)に
接続されている。また、上記FET2のゲート(G)
は、ICメモリ内のデータに応じたクロック(データに
応じてFET2をスイッチングさせるためのクロック)
を発生させるための発振器3と接続されている。なお、
当該図10の構成を有する情報カードと当該情報カード
内の情報を読み取る読み取り装置との間の情報伝達に使
用される周波数は、準マイクロ波帯の2.45ギガヘル
ツの電波が使用されている。
【0012】ところが、上記情報カードのアンテナは、
もともと情報の伝達のために必要なものであるが、時と
して、使用される雰囲気の電磁ノイズ、例えば静電気や
強力な磁力線を拾うことがある。その結果、上記情報カ
ードでは、アンテナ駆動部の上記FET2が故障してし
まうという不具合が生ずることがある。
もともと情報の伝達のために必要なものであるが、時と
して、使用される雰囲気の電磁ノイズ、例えば静電気や
強力な磁力線を拾うことがある。その結果、上記情報カ
ードでは、アンテナ駆動部の上記FET2が故障してし
まうという不具合が生ずることがある。
【0013】すなわち、一般に、FETは、回路図上に
シンボルとして記載されるときには例えばダイオード等
の保護素子が内蔵されている又はいないにかかわらず、
図10のFET2のように表示される。ところが、製品
としてのEFTには、内部に保護素子が有るものと無い
ものとの両方があり、一般的には保護素子が有るものの
方が多い。その理由は、バイポーラ素子に比較して上記
FETのようなモノポーラ素子は静電気等のサージに弱
いからである。
シンボルとして記載されるときには例えばダイオード等
の保護素子が内蔵されている又はいないにかかわらず、
図10のFET2のように表示される。ところが、製品
としてのEFTには、内部に保護素子が有るものと無い
ものとの両方があり、一般的には保護素子が有るものの
方が多い。その理由は、バイポーラ素子に比較して上記
FETのようなモノポーラ素子は静電気等のサージに弱
いからである。
【0014】そのため、通常は、保護素子を内蔵したF
ETが使用される。当該保護素子として例えばダイオー
ドを内蔵したFETの詳細のシンボルの一例を図11に
示す。すなわち、この図11では、ソース(S)とゲー
ト(G)との間に、保護ダイオード7が設けられる。
ETが使用される。当該保護素子として例えばダイオー
ドを内蔵したFETの詳細のシンボルの一例を図11に
示す。すなわち、この図11では、ソース(S)とゲー
ト(G)との間に、保護ダイオード7が設けられる。
【0015】しかしながら、上述のような保護素子を内
蔵したFETを使用していても、当該情報カードを例え
ば移動体識別用媒体として使用する場合、例えば電磁ノ
イズで突発的に破壊に至ることがままある。そのときの
FETの破壊箇所は、ほとんど保護素子の無いゲート−
ドレイン間のリーク(インピーダンスの著しい減少又は
低下)である。
蔵したFETを使用していても、当該情報カードを例え
ば移動体識別用媒体として使用する場合、例えば電磁ノ
イズで突発的に破壊に至ることがままある。そのときの
FETの破壊箇所は、ほとんど保護素子の無いゲート−
ドレイン間のリーク(インピーダンスの著しい減少又は
低下)である。
【0016】それを防止するために、従来の技術では、
FET等の半導体素子の破壊防止の方法として、保護す
べき素子に外付けのダイオード等を付加するという方法
が知られている。この方法を上記図10の回路に適用し
た例を図12に示す。図12の(a)の例ではゲートと
ドレイン間にツェナーダイオード8を接続し、図12の
(b)の例ではゲートとドレイン間にダイオード9をい
わゆるバック・ツー・バックで接続した状態を示してい
る。
FET等の半導体素子の破壊防止の方法として、保護す
べき素子に外付けのダイオード等を付加するという方法
が知られている。この方法を上記図10の回路に適用し
た例を図12に示す。図12の(a)の例ではゲートと
ドレイン間にツェナーダイオード8を接続し、図12の
(b)の例ではゲートとドレイン間にダイオード9をい
わゆるバック・ツー・バックで接続した状態を示してい
る。
【0017】しかし、この図12の例の欠点として、図
12の(a)の場合は保護素子として用いられるツェナ
ーダイオードの高周波特性が良好でないことが挙げら
れ、また、図12の(b)の場合のように高周波特性は
良好でも、ブレークダウン特性がFETの特性に合わ
ず、破壊に対する防止効果が得られないなどのことが挙
げられる。
12の(a)の場合は保護素子として用いられるツェナ
ーダイオードの高周波特性が良好でないことが挙げら
れ、また、図12の(b)の場合のように高周波特性は
良好でも、ブレークダウン特性がFETの特性に合わ
ず、破壊に対する防止効果が得られないなどのことが挙
げられる。
【0018】以上のことより、従来の技術では、電磁ノ
イズに比較的強いと言われるFETを、何の保護対策も
せずにそのまま使用し、ある程度の故障を許容して高周
波特性を優先させる場合や、或いは、高周波特性を犠牲
にして、図12の(a)のような対策をとり、故障を防
止することを優先される場合のどちらかであった。
イズに比較的強いと言われるFETを、何の保護対策も
せずにそのまま使用し、ある程度の故障を許容して高周
波特性を優先させる場合や、或いは、高周波特性を犠牲
にして、図12の(a)のような対策をとり、故障を防
止することを優先される場合のどちらかであった。
【0019】そこで、本発明はこの様な実情に鑑みてな
されたものであり、高周波特性が良好で、かつ電磁ノイ
ズに強く、さらに安価でもある情報カードを提供するこ
とを目的とするものである。
されたものであり、高周波特性が良好で、かつ電磁ノイ
ズに強く、さらに安価でもある情報カードを提供するこ
とを目的とするものである。
【0020】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述の目的を
達成するために提案されたものであり、非接触で情報を
送出する情報カードにおいて、ゲートとソースとの間に
保護ダイオードを備えてなると共に情報を送出する所定
のアンテナと接続されて当該アンテナの特性インピーダ
ンスを変化させる電界効果トランジスタを有し、上記電
界効果トランジスタのゲートとドレインとの間に保護手
段を設けてなるものである。
達成するために提案されたものであり、非接触で情報を
送出する情報カードにおいて、ゲートとソースとの間に
保護ダイオードを備えてなると共に情報を送出する所定
のアンテナと接続されて当該アンテナの特性インピーダ
ンスを変化させる電界効果トランジスタを有し、上記電
界効果トランジスタのゲートとドレインとの間に保護手
段を設けてなるものである。
【0021】ここで、本発明の情報カードは、ゲートと
ソースとの間に保護ダイオードを備えた電界効果トラン
ジスタを新たに設け、当該新たに設けた電界効果トラン
ジスタの保護ダイオードを、上記アンテナの特性インピ
ーダンスを変化させる電界効果トランジスタのゲートと
ドレインとの間の保護手段として用いるようにしてい
る。
ソースとの間に保護ダイオードを備えた電界効果トラン
ジスタを新たに設け、当該新たに設けた電界効果トラン
ジスタの保護ダイオードを、上記アンテナの特性インピ
ーダンスを変化させる電界効果トランジスタのゲートと
ドレインとの間の保護手段として用いるようにしてい
る。
【0022】また、上記電界効果トランジスタは第1ゲ
ート及び第2ゲートの2つのゲートを備えたデュアルゲ
ートGaAs電界効果トランジスタであり、本発明の情
報カードでは、さらに第1ゲートとソースとの間及び第
2ゲートとソースとの間に保護ダイオードを備えたデュ
アルゲートGaAs電界効果トランジスタを新たに設
け、当該新たに設けたデュアルゲートGaAs電界効果
トランジスタの保護ダイオードを、上記アンテナの特性
インピーダンスを変化させる上記電界効果トランジスタ
のゲートとドレインとの間の保護手段として用いるよう
にもしている。
ート及び第2ゲートの2つのゲートを備えたデュアルゲ
ートGaAs電界効果トランジスタであり、本発明の情
報カードでは、さらに第1ゲートとソースとの間及び第
2ゲートとソースとの間に保護ダイオードを備えたデュ
アルゲートGaAs電界効果トランジスタを新たに設
け、当該新たに設けたデュアルゲートGaAs電界効果
トランジスタの保護ダイオードを、上記アンテナの特性
インピーダンスを変化させる上記電界効果トランジスタ
のゲートとドレインとの間の保護手段として用いるよう
にもしている。
【0023】或いは、本発明の情報カードにおいては、
2つの電界効果トランジスタの第1ゲート同士を接続す
ると共に各電界効果トランジスタのソースを上記アンテ
ナに接続することによって当該2つの電界効果トランジ
スタで上記アンテナの特性インピーダンスを変化させる
可変インピーダンス素子を構成し、上記2つの電界効果
トランジスタの第2ゲートとドレインとをたすき掛け状
に順方向接続することによって上記保護手段としての動
作を実現することも可能である。また、本発明の情報カ
ードにおいては、上記たすき掛け状の接続の代わりに、
上記2つの電界効果トランジスタの第2ゲート同士及び
ドレイン同士を接続すると共に当該接続した第2ゲート
とドレインとをも接続することによって上記保護手段と
しての動作を実現するようなことも可能である。
2つの電界効果トランジスタの第1ゲート同士を接続す
ると共に各電界効果トランジスタのソースを上記アンテ
ナに接続することによって当該2つの電界効果トランジ
スタで上記アンテナの特性インピーダンスを変化させる
可変インピーダンス素子を構成し、上記2つの電界効果
トランジスタの第2ゲートとドレインとをたすき掛け状
に順方向接続することによって上記保護手段としての動
作を実現することも可能である。また、本発明の情報カ
ードにおいては、上記たすき掛け状の接続の代わりに、
上記2つの電界効果トランジスタの第2ゲート同士及び
ドレイン同士を接続すると共に当該接続した第2ゲート
とドレインとをも接続することによって上記保護手段と
しての動作を実現するようなことも可能である。
【0024】一方、本発明は、情報を送出する所定のア
ンテナと、上記アンテナに接続され当該アンテナの特性
インピーダンスを変化させるための可変インピーダンス
素子と、上記情報を発生すると共に上記可変インピーダ
ンス素子を制御する制御用半導体集積回路とを有する情
報カードでもあり、このとき、ゲートとソースとの間に
保護ダイオードを備えた電界効果トランジスタを設け、
上記電界効果トランジスタのゲートを接地すると共にソ
ースを上記制御用集積回路に接続することで制御用集積
回路の保護を実現することも可能である。なお、この場
合の電界効果トランジスタもデュアルゲートGaAs電
界効果トランジスタを用いることができる。
ンテナと、上記アンテナに接続され当該アンテナの特性
インピーダンスを変化させるための可変インピーダンス
素子と、上記情報を発生すると共に上記可変インピーダ
ンス素子を制御する制御用半導体集積回路とを有する情
報カードでもあり、このとき、ゲートとソースとの間に
保護ダイオードを備えた電界効果トランジスタを設け、
上記電界効果トランジスタのゲートを接地すると共にソ
ースを上記制御用集積回路に接続することで制御用集積
回路の保護を実現することも可能である。なお、この場
合の電界効果トランジスタもデュアルゲートGaAs電
界効果トランジスタを用いることができる。
【0025】
【作用】本発明の情報カードによれば、アンテナの特性
インピーダンスを変化させるための電界効果トランジス
タはゲートとソース間には通常保護ダイオードが設けら
れているが、ゲートとドレインとの間には設けられてい
ないのでこれらの間に保護手段を設けるようにしてい
る。
インピーダンスを変化させるための電界効果トランジス
タはゲートとソース間には通常保護ダイオードが設けら
れているが、ゲートとドレインとの間には設けられてい
ないのでこれらの間に保護手段を設けるようにしてい
る。
【0026】ここで、本発明の情報カードによれば、保
護手段として、新たに設けた電界効果トランジスタのゲ
ートとソースとの間にある保護ダイオードを流用するこ
とで、高周波特性の維持と保護との両立を図っている。
護手段として、新たに設けた電界効果トランジスタのゲ
ートとソースとの間にある保護ダイオードを流用するこ
とで、高周波特性の維持と保護との両立を図っている。
【0027】また、電界効果トランジスタとしては、安
価かつ容易に入手可能なデュアルゲートGaAs電界効
果トランジスタを用いるようにもしており、このときも
アンテナの特性インピーダンスの可変用に使用するデュ
アルゲートGaAs電界効果トランジスタのゲートとド
レイン間の保護用に、別のデュアルゲートGaAs電界
効果トランジスタのゲートとソース間の保護ダイオード
を流用できる。
価かつ容易に入手可能なデュアルゲートGaAs電界効
果トランジスタを用いるようにもしており、このときも
アンテナの特性インピーダンスの可変用に使用するデュ
アルゲートGaAs電界効果トランジスタのゲートとド
レイン間の保護用に、別のデュアルゲートGaAs電界
効果トランジスタのゲートとソース間の保護ダイオード
を流用できる。
【0028】或いは、1つのデュアルゲートGaAs電
界効果トランジスタを用いてアンテナの特性インピーダ
ンスを可変するのではなく、2つのデュアルゲートGa
As電界効果トランジスタの接続仕方によってこの2つ
のデュアルゲートGaAs電界効果トランジスタでアン
テナの特性インピーダンスを可変することもでき、また
このときのゲートとドレイン間の保護は、2つのデュア
ルゲートGaAs電界効果トランジスタの第2ゲートの
ドレイン間をたすき掛け状に順方向接続したり第2ゲー
トとドレイン間をそれぞれ全て接続することで実現でき
る。
界効果トランジスタを用いてアンテナの特性インピーダ
ンスを可変するのではなく、2つのデュアルゲートGa
As電界効果トランジスタの接続仕方によってこの2つ
のデュアルゲートGaAs電界効果トランジスタでアン
テナの特性インピーダンスを可変することもでき、また
このときのゲートとドレイン間の保護は、2つのデュア
ルゲートGaAs電界効果トランジスタの第2ゲートの
ドレイン間をたすき掛け状に順方向接続したり第2ゲー
トとドレイン間をそれぞれ全て接続することで実現でき
る。
【0029】さらに、本発明の情報カードによれば、ア
ンテナの特性インピーダンスを変更する電界効果トラン
ジスタのみならず、送信する情報を発生したりアンテナ
の特性インピーダンスの変更制御を行う制御用半導体集
積回路の保護の際にも、電界効果トランジスタのゲート
とソース間の保護ダイオードを流用している。
ンテナの特性インピーダンスを変更する電界効果トラン
ジスタのみならず、送信する情報を発生したりアンテナ
の特性インピーダンスの変更制御を行う制御用半導体集
積回路の保護の際にも、電界効果トランジスタのゲート
とソース間の保護ダイオードを流用している。
【0030】
【実施例】以下、本発明の一実施例について図面を参照
しながら説明する。
しながら説明する。
【0031】図1には本発明実施例の情報カードとその
読み取り装置からなるシステムの構成を示す。
読み取り装置からなるシステムの構成を示す。
【0032】先ず、図1に示すシステムの全体の動作に
ついて説明する。本実施例の情報カード50は、内部に
例えばいわゆるボタン型若しくはコイン型の電池11
と、メモリ回路12などを備えている制御用半導体集積
回路であるICチップ15と、SHF帯の周波数(2.
45ギガヘルツ)で共振するダイポールアンテナ10
と、アンテナ10の特性インピーダンスを変化させる可
変インピーダンス素子としての電界効果トランジスタ
(FET)16と、当該FET16の保護用に設けた後
述するFET17とを有してなるものである。
ついて説明する。本実施例の情報カード50は、内部に
例えばいわゆるボタン型若しくはコイン型の電池11
と、メモリ回路12などを備えている制御用半導体集積
回路であるICチップ15と、SHF帯の周波数(2.
45ギガヘルツ)で共振するダイポールアンテナ10
と、アンテナ10の特性インピーダンスを変化させる可
変インピーダンス素子としての電界効果トランジスタ
(FET)16と、当該FET16の保護用に設けた後
述するFET17とを有してなるものである。
【0033】上記ダイポールアンテナ10は、基板面に
導電パターンとして形成され、外部から照射される電波
の例えば半波長の電流分布が生ずるような形状に設定さ
れている。
導電パターンとして形成され、外部から照射される電波
の例えば半波長の電流分布が生ずるような形状に設定さ
れている。
【0034】ICチップ15内には、当該情報カード5
0の特有のデータが記憶されているメモリ回路12と、
クロックを発生する発振回路13と、当該発振回路13
の発振制御及び上記メモリ回路12内のデータの読み出
し等の制御を行う制御回路14とが内蔵され、これらが
ワンチップ化されて形成されている。
0の特有のデータが記憶されているメモリ回路12と、
クロックを発生する発振回路13と、当該発振回路13
の発振制御及び上記メモリ回路12内のデータの読み出
し等の制御を行う制御回路14とが内蔵され、これらが
ワンチップ化されて形成されている。
【0035】上記メモリ回路12から読み出されたデー
タすなわち2値信号(0,1)は、スイッチング素子と
して動作する上記FET16に送られる。当該FET1
6は、上記2値信号に応じてダイポールアンテナ10の
終端を開閉することによって、当該アンテナを短絡する
か又は当該アンテナの特性インピーダンスを所定値
((Z)にする。
タすなわち2値信号(0,1)は、スイッチング素子と
して動作する上記FET16に送られる。当該FET1
6は、上記2値信号に応じてダイポールアンテナ10の
終端を開閉することによって、当該アンテナを短絡する
か又は当該アンテナの特性インピーダンスを所定値
((Z)にする。
【0036】また、図1の読み取り装置側のアンテナユ
ニット60には、2.45ギガヘルツのSHF信号を発
生する発振器61と、上記SHF信号を増幅する高周波
出力アンプ62と、この高周波出力アンプ62の出力を
電波として送信する送信アンテナ63とが設けられ、こ
の送信アンテナ63から上記情報カード50のダイポー
ルアンテナ10に対して電磁波を照射するようにしてい
る。
ニット60には、2.45ギガヘルツのSHF信号を発
生する発振器61と、上記SHF信号を増幅する高周波
出力アンプ62と、この高周波出力アンプ62の出力を
電波として送信する送信アンテナ63とが設けられ、こ
の送信アンテナ63から上記情報カード50のダイポー
ルアンテナ10に対して電磁波を照射するようにしてい
る。
【0037】ここで、本実施例の情報カード50は、例
えば、人物や物体等の移動体識別用媒体として使用され
るものである。例えば人物の識別用に使用される場合に
は当該人物の名前や所属等の情報がデータとしてメモリ
回路12に格納され、物体の識別用として例えばタグカ
ードに使用される場合には当該物体の種類や送り先、そ
の他の情報がデータとしてメモリ回路12内に格納され
ることになる。このメモリ回路12内のデータが、内蔵
されている電池11を駆動源として動作している制御回
路14からの制御信号に基づいて繰り返し読み出される
ようになっている。
えば、人物や物体等の移動体識別用媒体として使用され
るものである。例えば人物の識別用に使用される場合に
は当該人物の名前や所属等の情報がデータとしてメモリ
回路12に格納され、物体の識別用として例えばタグカ
ードに使用される場合には当該物体の種類や送り先、そ
の他の情報がデータとしてメモリ回路12内に格納され
ることになる。このメモリ回路12内のデータが、内蔵
されている電池11を駆動源として動作している制御回
路14からの制御信号に基づいて繰り返し読み出される
ようになっている。
【0038】上記可変インピーダンス素子としてのFE
T16は、上記メモリ回路12から読み出されたデータ
の(1),(0)の2値情報によって、上記ダイポール
アンテナ10の終端抵抗を0Ω(オーム)又は上記ZΩ
(例えば75Ω)に変化させる。
T16は、上記メモリ回路12から読み出されたデータ
の(1),(0)の2値情報によって、上記ダイポール
アンテナ10の終端抵抗を0Ω(オーム)又は上記ZΩ
(例えば75Ω)に変化させる。
【0039】例えば、上記ダイポールアンテナ10の放
射インピーダンスをZr、負荷インピーダンスをZlと
すると、Zl=Zrのときに最大の受信電力が得られる
ことになるが、Zl=0であれば、アンテナ端子に出力
される受信電圧は0になり、アンテナ自身に流れる電流
の定在波比が増大して再放射電力Prが増加する。
射インピーダンスをZr、負荷インピーダンスをZlと
すると、Zl=Zrのときに最大の受信電力が得られる
ことになるが、Zl=0であれば、アンテナ端子に出力
される受信電圧は0になり、アンテナ自身に流れる電流
の定在波比が増大して再放射電力Prが増加する。
【0040】すなわち、上記ダイポールアンテナ10は
反射器として動作することになり、この結果、上記アン
テナユニット60の受信アンテナ64はこの反射波を受
信することになる。
反射器として動作することになり、この結果、上記アン
テナユニット60の受信アンテナ64はこの反射波を受
信することになる。
【0041】上記受信アンテナ64に受信された上記情
報カード50のダイポールアンテナ10からの反射電波
は、検波器65によって低周波の検波信号となされた
後、アンプ66に送られる。当該アンプ66で増幅され
た信号には、情報カード50のダイポールアンプ10の
インピーダンス変化に応じて変調された信号すなわちメ
モリ回路12に格納されていたデータが含まれているこ
とになる。
報カード50のダイポールアンテナ10からの反射電波
は、検波器65によって低周波の検波信号となされた
後、アンプ66に送られる。当該アンプ66で増幅され
た信号には、情報カード50のダイポールアンプ10の
インピーダンス変化に応じて変調された信号すなわちメ
モリ回路12に格納されていたデータが含まれているこ
とになる。
【0042】上記アンプ66の出力が供給される読み取
り装置のデータ処理部70では、当該アンプ66の出力
信号をアナログ/ディジタル(A/D)変換器71によ
ってディジタル化し、これを例えばランダム・アクセス
・メモリ(RAM)からなるメモリ72に取り込むよう
にする。
り装置のデータ処理部70では、当該アンプ66の出力
信号をアナログ/ディジタル(A/D)変換器71によ
ってディジタル化し、これを例えばランダム・アクセス
・メモリ(RAM)からなるメモリ72に取り込むよう
にする。
【0043】上記メモリ72に取り込まれたデータは、
CPU(中央処理装置)からなる制御部73において解
読され、その解読データすなわち上記情報カード50の
データが例えば表示器74に表示される。
CPU(中央処理装置)からなる制御部73において解
読され、その解読データすなわち上記情報カード50の
データが例えば表示器74に表示される。
【0044】また、この解読されたデータは、上記制御
部73から外部出力端子を介してコマンド信号Dout と
して外部に送出され、上記情報カード50の所有者の識
別、又は当該情報カード50が付加されている物体の移
送などに用いる信号となされる。
部73から外部出力端子を介してコマンド信号Dout と
して外部に送出され、上記情報カード50の所有者の識
別、又は当該情報カード50が付加されている物体の移
送などに用いる信号となされる。
【0045】このように、本実施例の情報カード50
は、アンテナユニット60の送信アンテナ63から出力
されている連続した電波の受信エリア内にあるときは、
常に自己の記憶データをダイポールアンテナ10を介し
て外部に送出できることになる。また、このときのダイ
ポールアンテナ10は、送信電力を必要としないため、
情報カードの電力消費はICチップ15が常に動作状態
であるときでも、例えば、このICチップ15としてM
OS型のIC回路を使用することによって極めて少ない
ものとなっている。
は、アンテナユニット60の送信アンテナ63から出力
されている連続した電波の受信エリア内にあるときは、
常に自己の記憶データをダイポールアンテナ10を介し
て外部に送出できることになる。また、このときのダイ
ポールアンテナ10は、送信電力を必要としないため、
情報カードの電力消費はICチップ15が常に動作状態
であるときでも、例えば、このICチップ15としてM
OS型のIC回路を使用することによって極めて少ない
ものとなっている。
【0046】なお、上記情報カード50は、ダイポール
アンテナ10の給電端インピーダンスが前記Zのときに
受信される電力を、例えばダイオード等(図示は省略し
ている)で検波し、この検波出力によって一定時間IC
チップ15及びFETが動作状態となるようにしてもよ
い。さらに、情報カード50の電池11を2次電池とし
たときは、当該ダイオードからの検波信号を電池の充電
電圧として使用することも可能である。そして、さらに
アンテナユニット60からの特定の信号が供給されたと
きは、上記メモリ回路12の内容が書き換えられるよう
にしてもよい。
アンテナ10の給電端インピーダンスが前記Zのときに
受信される電力を、例えばダイオード等(図示は省略し
ている)で検波し、この検波出力によって一定時間IC
チップ15及びFETが動作状態となるようにしてもよ
い。さらに、情報カード50の電池11を2次電池とし
たときは、当該ダイオードからの検波信号を電池の充電
電圧として使用することも可能である。そして、さらに
アンテナユニット60からの特定の信号が供給されたと
きは、上記メモリ回路12の内容が書き換えられるよう
にしてもよい。
【0047】ところで、本発明実施例の情報カード50
のFET16は、前述したように、使用される雰囲気の
電磁ノイズ、例えば静電気や強力な磁力線を前記ダイポ
ールアンテナ10が拾うことによって、故障してしまう
という不具合が生ずるおそれがある。
のFET16は、前述したように、使用される雰囲気の
電磁ノイズ、例えば静電気や強力な磁力線を前記ダイポ
ールアンテナ10が拾うことによって、故障してしまう
という不具合が生ずるおそれがある。
【0048】ここで、上記電磁ノイズ等によるFETの
破壊についてより詳細に考察する。前述したように、F
ETの破壊箇所はほとんど保護素子の無いゲート−ドレ
イン間のリーク(インピーダンスの著しい減少又は低
下)である。その原因は明らかで、その箇所に保護素子
が入っていないからである。このように、FETにおい
て、何故その箇所に保護素子を入れないのかということ
について説明する。
破壊についてより詳細に考察する。前述したように、F
ETの破壊箇所はほとんど保護素子の無いゲート−ドレ
イン間のリーク(インピーダンスの著しい減少又は低
下)である。その原因は明らかで、その箇所に保護素子
が入っていないからである。このように、FETにおい
て、何故その箇所に保護素子を入れないのかということ
について説明する。
【0049】一般に、バック・ツー・バックに接続され
たダイオードは、図2に示される電圧−電流特性を示
す。すなわちこの図2において、バック・ツー・バック
に接続されたダイオードでは、電圧を上げていくと急激
に電流が流れ始める所がある。このときの電圧を一般に
降伏電圧と言う。ダイオードがバック・ツー・バックに
接続されると、常に片方は順方向となり、もう片方は常
に逆方向のバイアスがかかることになり、降伏電圧と
は、この逆方向にバイアスがかかっているダイオードの
最大絶縁耐圧のことである。このダイオードに対して、
上記降伏電圧を越えた電圧を長い時間かけ続けると、当
該ダイオードは破壊されるようになる。
たダイオードは、図2に示される電圧−電流特性を示
す。すなわちこの図2において、バック・ツー・バック
に接続されたダイオードでは、電圧を上げていくと急激
に電流が流れ始める所がある。このときの電圧を一般に
降伏電圧と言う。ダイオードがバック・ツー・バックに
接続されると、常に片方は順方向となり、もう片方は常
に逆方向のバイアスがかかることになり、降伏電圧と
は、この逆方向にバイアスがかかっているダイオードの
最大絶縁耐圧のことである。このダイオードに対して、
上記降伏電圧を越えた電圧を長い時間かけ続けると、当
該ダイオードは破壊されるようになる。
【0050】上記降伏電圧VB はFETのゲート−ソー
ス間を保護するためには小さいほど有利であるが、増幅
素子としてのFETのバイアス条件から、この降伏電圧
VBは通常数V(ボルト)から数十V(ボルト)に選ば
れる。また、降伏電圧VB の値は、あまり大きくすると
本来保護すべき端子間の絶対最大定格電圧と差がなくな
り、保護素子としての機能を果たさないことになる。そ
れゆえ、この値は、各FETの特性を考慮して慎重に決
定されている。
ス間を保護するためには小さいほど有利であるが、増幅
素子としてのFETのバイアス条件から、この降伏電圧
VBは通常数V(ボルト)から数十V(ボルト)に選ば
れる。また、降伏電圧VB の値は、あまり大きくすると
本来保護すべき端子間の絶対最大定格電圧と差がなくな
り、保護素子としての機能を果たさないことになる。そ
れゆえ、この値は、各FETの特性を考慮して慎重に決
定されている。
【0051】本来、FETは、ゲートから見て、ドレイ
ンもソースも類似の構造になっているため、ゲート−ソ
ース間とゲート−ドレイン間の絶対最大定格電圧も大体
等しい。そのため、ゲート−ドレイン間に保護ダイオー
ドを入れようとすると、ゲート−ソース間に入れるもの
と同じものとなるはずである。仮に、ここでゲート−ド
レイン間に保護ダイオードを入れたFETがあったとす
ると、当該FETは増幅素子として有用で無くなる。す
なわち、そもそもFETは、元来、増幅素子であるか
ら、ドレインには通常十数Vから数十Vの電圧を与える
のが常である。このとき、当該FETに対して増幅素子
としてのバイアスをかけようとすると、上記保護用に入
れたダイオードが導通してしまうようになり、最悪の場
合には、この保護ダイオードに過大電流が流れ続けて破
壊に至ることになり、不都合となるため、上記ゲート−
ドレイン間に保護ダイオードを入れないようにしてい
る。
ンもソースも類似の構造になっているため、ゲート−ソ
ース間とゲート−ドレイン間の絶対最大定格電圧も大体
等しい。そのため、ゲート−ドレイン間に保護ダイオー
ドを入れようとすると、ゲート−ソース間に入れるもの
と同じものとなるはずである。仮に、ここでゲート−ド
レイン間に保護ダイオードを入れたFETがあったとす
ると、当該FETは増幅素子として有用で無くなる。す
なわち、そもそもFETは、元来、増幅素子であるか
ら、ドレインには通常十数Vから数十Vの電圧を与える
のが常である。このとき、当該FETに対して増幅素子
としてのバイアスをかけようとすると、上記保護用に入
れたダイオードが導通してしまうようになり、最悪の場
合には、この保護ダイオードに過大電流が流れ続けて破
壊に至ることになり、不都合となるため、上記ゲート−
ドレイン間に保護ダイオードを入れないようにしてい
る。
【0052】ここで、前述した従来の情報カードのFE
Tは、アンテナのインピーダンスを変化させることを目
的として設けられたものであり、したがって、この目的
のために使用される当該FETは増幅素子としての機能
を要求されない。寧ろ、ゲート−ソース間とゲート−ド
レイン間に保護素子の内蔵されたものが相応しいのであ
るが、今まではこのような用途のFETが必要とされな
かったため、現在の時点ではこの種のFETは存在して
いない。したがって、そのようなゲート−ソース間とゲ
ート−ドレイン間に保護素子の内蔵されたFETを作成
すればよいのであるが、新たにそのようなFETを作成
することは多大な労力と資金が必要となる。
Tは、アンテナのインピーダンスを変化させることを目
的として設けられたものであり、したがって、この目的
のために使用される当該FETは増幅素子としての機能
を要求されない。寧ろ、ゲート−ソース間とゲート−ド
レイン間に保護素子の内蔵されたものが相応しいのであ
るが、今まではこのような用途のFETが必要とされな
かったため、現在の時点ではこの種のFETは存在して
いない。したがって、そのようなゲート−ソース間とゲ
ート−ドレイン間に保護素子の内蔵されたFETを作成
すればよいのであるが、新たにそのようなFETを作成
することは多大な労力と資金が必要となる。
【0053】したがって、本発明実施例の情報カード5
0では、上記アンテナのインピーダンスを変化させるこ
とを目的として設けられた前記FET16に対して、電
磁ノイズから当該FET16を保護するために用いるF
ET17を追加接続するようにしている。なお、本実施
例の情報カード50のアンテナ駆動部と前述した従来の
図10のアンテナ駆動回路との相違は、アンテナを駆動
するFETに対して、当該FETを電磁ノイズから保護
する目的で類似の性能及び構造を有するFETを追加し
てあることである。
0では、上記アンテナのインピーダンスを変化させるこ
とを目的として設けられた前記FET16に対して、電
磁ノイズから当該FET16を保護するために用いるF
ET17を追加接続するようにしている。なお、本実施
例の情報カード50のアンテナ駆動部と前述した従来の
図10のアンテナ駆動回路との相違は、アンテナを駆動
するFETに対して、当該FETを電磁ノイズから保護
する目的で類似の性能及び構造を有するFETを追加し
てあることである。
【0054】本実施例において使用するFET16,1
7は、前述した図11に示されたものと同じ構成のFE
Tであり、図1に示すように、シングルゲートFET1
6のドレイン(D)と同じくシングルゲートFET17
のソース(S)を接続し、それがさらにダイポールアン
テナ10に接続されている。また、シングルゲートFE
T16のゲート(G)とシングルゲートFET17のゲ
ート(G)同士も接続され、それがICチップ15のメ
モリ回路12に接続されている。
7は、前述した図11に示されたものと同じ構成のFE
Tであり、図1に示すように、シングルゲートFET1
6のドレイン(D)と同じくシングルゲートFET17
のソース(S)を接続し、それがさらにダイポールアン
テナ10に接続されている。また、シングルゲートFE
T16のゲート(G)とシングルゲートFET17のゲ
ート(G)同士も接続され、それがICチップ15のメ
モリ回路12に接続されている。
【0055】すなわち、上記シングルゲートFET16
のドレイン(D)と同じくシングルゲートFET17の
ソース(S)を接続するのは、当該シングルゲートFE
T16の内部保護ダイオードの入っていないドレイン−
ゲート間を、上記シングルゲートFET17のソース−
ゲート間に設けられている当該FET17の内部保護ダ
イオード1を用いて保護するためである。
のドレイン(D)と同じくシングルゲートFET17の
ソース(S)を接続するのは、当該シングルゲートFE
T16の内部保護ダイオードの入っていないドレイン−
ゲート間を、上記シングルゲートFET17のソース−
ゲート間に設けられている当該FET17の内部保護ダ
イオード1を用いて保護するためである。
【0056】ここで、上記シングルゲートFET17の
ドレイン(D)は、アンテナ10には接続せずオープン
とする。このようにすることにより、シングルゲートF
ET17のドレイン(D)には、大幅に軽減された電磁
ノイズしかかからないので破壊に対する強度は十分にと
れることになる。
ドレイン(D)は、アンテナ10には接続せずオープン
とする。このようにすることにより、シングルゲートF
ET17のドレイン(D)には、大幅に軽減された電磁
ノイズしかかからないので破壊に対する強度は十分にと
れることになる。
【0057】上述したように、本発明実施例の情報カー
ド50では、保護されるFET16に対して、同様の性
能を持つFET17を上記FET16の保護用に使用す
るため、当該情報カード50にて要求されるアンテナの
インピーダンスをデータにより変化させるという特性
(一般的な言葉で言い換えると高周波特性)が、損なわ
れることが非常に少ない。言い換えれば、FET17に
内蔵される保護ダイオードは当該FET17のソース−
ゲート間を保護するように作られているものであるた
め、このFET17の保護ダイオードを用いてFET1
6のドレイン−ゲート間を保護することは、前述した図
12のような個別のダイオードを用いてFETを保護す
るようにした場合のような欠点を改善することが可能と
なる。すなわち、前記図12の(a)のように高周波特
性が良好でないツェナーダイオード8を用いずに済み、
また、図12の(b)の場合のように高周波特性は良好
であってもブレークダウン特性がFETの特性に合わな
いため破壊に対する防止効果が得られないようなダイオ
ード9を使用しなくても済むようになる。
ド50では、保護されるFET16に対して、同様の性
能を持つFET17を上記FET16の保護用に使用す
るため、当該情報カード50にて要求されるアンテナの
インピーダンスをデータにより変化させるという特性
(一般的な言葉で言い換えると高周波特性)が、損なわ
れることが非常に少ない。言い換えれば、FET17に
内蔵される保護ダイオードは当該FET17のソース−
ゲート間を保護するように作られているものであるた
め、このFET17の保護ダイオードを用いてFET1
6のドレイン−ゲート間を保護することは、前述した図
12のような個別のダイオードを用いてFETを保護す
るようにした場合のような欠点を改善することが可能と
なる。すなわち、前記図12の(a)のように高周波特
性が良好でないツェナーダイオード8を用いずに済み、
また、図12の(b)の場合のように高周波特性は良好
であってもブレークダウン特性がFETの特性に合わな
いため破壊に対する防止効果が得られないようなダイオ
ード9を使用しなくても済むようになる。
【0058】なお、本発明は、以上述べてきたように、
電磁ノイズに対してFETの強度が弱いという先入観を
排して、FETの保護に同様のFETを用いるというい
わば従来技術の盲点をついたものであると言える。
電磁ノイズに対してFETの強度が弱いという先入観を
排して、FETの保護に同様のFETを用いるというい
わば従来技術の盲点をついたものであると言える。
【0059】次に、本発明の他の実施例について説明す
る。
る。
【0060】図3〜図5に本発明の他の実施例の情報カ
ードのアンテナ駆動部の構成を示す。他の構成要素につ
いては、図1の情報カード50と同様であるため図示は
省略している。この図3〜図5は、図1の情報カード5
0のアンテナ駆動部に用いる2つのFET(図1のシン
グルゲートFET16及び17)をデュアルゲートGa
As(ガリューム砒素)FET(図3ではFET26,
27、図4及び図5ではFET28,29)に置き換え
たものである。このデュアルゲートFETは、いわゆる
テレビジョンチューナ等に大量に使用されており、入手
も容易でかつ安価に提供されているものである。また、
これらFETは、GaAs FETであるため、高周波
特性が良く、もちろん移動体識別用の周波数である前記
2.45ギガヘルツ帯域での使用が可能である。なお、
図3〜図5の端子18は前記電池11に、端子19は前
記ICチップ15に接続される。
ードのアンテナ駆動部の構成を示す。他の構成要素につ
いては、図1の情報カード50と同様であるため図示は
省略している。この図3〜図5は、図1の情報カード5
0のアンテナ駆動部に用いる2つのFET(図1のシン
グルゲートFET16及び17)をデュアルゲートGa
As(ガリューム砒素)FET(図3ではFET26,
27、図4及び図5ではFET28,29)に置き換え
たものである。このデュアルゲートFETは、いわゆる
テレビジョンチューナ等に大量に使用されており、入手
も容易でかつ安価に提供されているものである。また、
これらFETは、GaAs FETであるため、高周波
特性が良く、もちろん移動体識別用の周波数である前記
2.45ギガヘルツ帯域での使用が可能である。なお、
図3〜図5の端子18は前記電池11に、端子19は前
記ICチップ15に接続される。
【0061】ここで、テレビジョンチューナ等で使用さ
れているデュアルゲートGaAsFETは、図6に示さ
れるように、第1ゲート(G1)とソース(S)との
間、及び第2ゲート(G2)とソース(S)との間に、
それぞれバック・ツー・バックに接続されたダイオード
31と32が、保護素子として入っている。この種のF
ETの特徴としては、第1ゲート−ソース間、第2ゲー
ト−ドレイン間はショットキ構造を持ち、この端子間の
みに着目すると、あたかもショットキダイオードとして
見ることもできることである。
れているデュアルゲートGaAsFETは、図6に示さ
れるように、第1ゲート(G1)とソース(S)との
間、及び第2ゲート(G2)とソース(S)との間に、
それぞれバック・ツー・バックに接続されたダイオード
31と32が、保護素子として入っている。この種のF
ETの特徴としては、第1ゲート−ソース間、第2ゲー
ト−ドレイン間はショットキ構造を持ち、この端子間の
みに着目すると、あたかもショットキダイオードとして
見ることもできることである。
【0062】図3は、図1の情報カード50のアンテナ
駆動部のシングルゲートFET16,17をそのままデ
ュアルゲートGaAs FET26,27に置き換えた
例を示している。すなわちこの図3の例は、デュアルゲ
ートGaAs FET26がアンテナ駆動用のFETと
なされ、当該FET26の保護ダイオードの入っていな
い第2ゲート−ドレイン間に、デュアルゲートGaAs
FET27の保護ダイオードの入っている第1ゲート
−ソース間を接続することより、電磁ノイズから当該デ
ュアルゲートGaAs FET26を保護するようにし
たものである。このときのデュアルゲートGaAs F
ET27の第2ゲート−ドレイン間は、オープンのまま
でもよいが、図3のように短絡することにより、さらに
電磁ノイズのダメージを軽減することができる。なお、
このFET27の第2ゲート−ドレイン間の短絡を行う
場合の配線パターンは最短距離を取るものとすること
で、電磁ノイズの影響をより少なくすることができる。
駆動部のシングルゲートFET16,17をそのままデ
ュアルゲートGaAs FET26,27に置き換えた
例を示している。すなわちこの図3の例は、デュアルゲ
ートGaAs FET26がアンテナ駆動用のFETと
なされ、当該FET26の保護ダイオードの入っていな
い第2ゲート−ドレイン間に、デュアルゲートGaAs
FET27の保護ダイオードの入っている第1ゲート
−ソース間を接続することより、電磁ノイズから当該デ
ュアルゲートGaAs FET26を保護するようにし
たものである。このときのデュアルゲートGaAs F
ET27の第2ゲート−ドレイン間は、オープンのまま
でもよいが、図3のように短絡することにより、さらに
電磁ノイズのダメージを軽減することができる。なお、
このFET27の第2ゲート−ドレイン間の短絡を行う
場合の配線パターンは最短距離を取るものとすること
で、電磁ノイズの影響をより少なくすることができる。
【0063】これに対して、図4と図5には、デュアル
ゲートGaAs FET28,29をFETとしてでは
なく、ショットキダイオードとして使用する例を示して
いる。
ゲートGaAs FET28,29をFETとしてでは
なく、ショットキダイオードとして使用する例を示して
いる。
【0064】図4は、2個のFET28,29の第2ゲ
ート−ドレイン間を、互いにたすき掛け状(交差状)に
接続した例を示している。この図4の例において、アン
テナ10の駆動は、それぞれのFET28,29の第1
ゲート−ソース間がショットキダイオード構造を持つた
め、この部分が受け持つことになる。また、この図4の
例において、2個のFET28,29の第2ゲート−ド
レイン間をたすき掛け状に接続したことにより、それぞ
れの第2ゲート−ドレインのショットキダイオードは、
保護ダイオードが内蔵されていないにもかかわらず、お
互いが順方向で接続されることになり、電磁ノイズの影
響を極めて受け難くなって(電磁ノイズの影響が極めて
小さくなる)、破壊に対して強くなる。
ート−ドレイン間を、互いにたすき掛け状(交差状)に
接続した例を示している。この図4の例において、アン
テナ10の駆動は、それぞれのFET28,29の第1
ゲート−ソース間がショットキダイオード構造を持つた
め、この部分が受け持つことになる。また、この図4の
例において、2個のFET28,29の第2ゲート−ド
レイン間をたすき掛け状に接続したことにより、それぞ
れの第2ゲート−ドレインのショットキダイオードは、
保護ダイオードが内蔵されていないにもかかわらず、お
互いが順方向で接続されることになり、電磁ノイズの影
響を極めて受け難くなって(電磁ノイズの影響が極めて
小さくなる)、破壊に対して強くなる。
【0065】図5は、図4の2個のFET28,29間
の上記たすき掛け部分を、第2ゲート同士又はドレイン
同士を接続し、さらに第2ゲートとドレインを短絡する
という具合に変更したものであり、電流に対して強い例
を示している。この図5の例のように第2ゲートとドレ
インを短絡するのは、図3のデュアルゲートGaAsF
ET27の第2ゲートとドレイン間を接続するのと同様
の理由による。
の上記たすき掛け部分を、第2ゲート同士又はドレイン
同士を接続し、さらに第2ゲートとドレインを短絡する
という具合に変更したものであり、電流に対して強い例
を示している。この図5の例のように第2ゲートとドレ
インを短絡するのは、図3のデュアルゲートGaAsF
ET27の第2ゲートとドレイン間を接続するのと同様
の理由による。
【0066】上述した本発明の他の実施例を示す図3〜
図5のようなアンテナ駆動部の性能は、同等で全て有用
な接続方法である。
図5のようなアンテナ駆動部の性能は、同等で全て有用
な接続方法である。
【0067】ところで、上記ダイポールアンテナは、そ
の性質上、電力パターンがアンテナに直交する磁界面内
で全方向性を示すようになるが、実際の情報カードのよ
うな移動体識別用媒体としての使用状況を考えると、前
方向及び上方向の感度が重要である。
の性質上、電力パターンがアンテナに直交する磁界面内
で全方向性を示すようになるが、実際の情報カードのよ
うな移動体識別用媒体としての使用状況を考えると、前
方向及び上方向の感度が重要である。
【0068】そこで、情報カードのアンテナには、例え
ば図7に示すように、V字型のダイポールアンテナ(V
字型放射器)82を採用することが好ましい。さらに、
このダイポールアンテナ82の採用と共に、導波パター
ン(導波器)81を付加することで、前方向及び上方向
の感度を向上させることも可能となる。また、図7のよ
うに、V字型のダイポールアンテナ82を採用すること
で、面積の限られる基板上に長いアンテナを形成するこ
とも可能となっている。なお、この図7には、前述した
図3のアンテナ駆動部を有する情報カードに対して上記
V字型のダイポールアンテナ82を採用した場合の例を
示しているが、上述した本発明の各実施例全てに対応で
きることは言うまでもない。
ば図7に示すように、V字型のダイポールアンテナ(V
字型放射器)82を採用することが好ましい。さらに、
このダイポールアンテナ82の採用と共に、導波パター
ン(導波器)81を付加することで、前方向及び上方向
の感度を向上させることも可能となる。また、図7のよ
うに、V字型のダイポールアンテナ82を採用すること
で、面積の限られる基板上に長いアンテナを形成するこ
とも可能となっている。なお、この図7には、前述した
図3のアンテナ駆動部を有する情報カードに対して上記
V字型のダイポールアンテナ82を採用した場合の例を
示しているが、上述した本発明の各実施例全てに対応で
きることは言うまでもない。
【0069】また、図7には、上記情報カード80の基
板90上に設けられる配線パターンをも同時に示してい
る。この図7の基板90の配線パターン上に実装される
各素子の配置は図8に示すようになる。さらに、図7及
び図8の配線パターン及び各素子の配置に対応する回路
図は、図9に示すようになる。なお、図7及び図8並び
に図9において、同一の指示符号が付された各素子はそ
れぞれ対応する素子であり、さらに前記図1及び図3と
同じ各指示符号で示す各素子もそれぞれ対応する素子で
ある。
板90上に設けられる配線パターンをも同時に示してい
る。この図7の基板90の配線パターン上に実装される
各素子の配置は図8に示すようになる。さらに、図7及
び図8の配線パターン及び各素子の配置に対応する回路
図は、図9に示すようになる。なお、図7及び図8並び
に図9において、同一の指示符号が付された各素子はそ
れぞれ対応する素子であり、さらに前記図1及び図3と
同じ各指示符号で示す各素子もそれぞれ対応する素子で
ある。
【0070】さらに、上記情報カード80の例では、上
記ICチップ15における電磁ノイズ等に対する保護用
として、図7及び図8並びに図9に示すように、FET
41,42をも設けるようにしている。ここで、FET
41,42は、それぞれデュアルゲートGaAs FE
Tであり、前述した図6に示されるように、低消費電力
であると共に、第1ゲート−ソース間と第2ゲート−ソ
ース間のみに、それぞれバック・ツー・バックに接続さ
れたダイオードが保護素子として入っているものであ
る。すなわち、当該情報カード80では、このデュアル
ゲートGaAsFET41,42の例えば第1ゲート−
ソース間に接続されたダイオードを、上記ICチップ1
5の保護ダイオードとして利用するようにしている。よ
り具体的に接続状態を説明すると、当該情報カード80
においては、デュアルゲートGaAs FET41,4
2のそれぞれの第2ゲート(G2)とドレイン(D)間
が短絡され、それぞれの第1ゲート(G1)が端子83
によってグランド(GND)に接続され、各々のソース
(S)が水晶発振器43と共に上記ICチップ15に接
続されている。
記ICチップ15における電磁ノイズ等に対する保護用
として、図7及び図8並びに図9に示すように、FET
41,42をも設けるようにしている。ここで、FET
41,42は、それぞれデュアルゲートGaAs FE
Tであり、前述した図6に示されるように、低消費電力
であると共に、第1ゲート−ソース間と第2ゲート−ソ
ース間のみに、それぞれバック・ツー・バックに接続さ
れたダイオードが保護素子として入っているものであ
る。すなわち、当該情報カード80では、このデュアル
ゲートGaAsFET41,42の例えば第1ゲート−
ソース間に接続されたダイオードを、上記ICチップ1
5の保護ダイオードとして利用するようにしている。よ
り具体的に接続状態を説明すると、当該情報カード80
においては、デュアルゲートGaAs FET41,4
2のそれぞれの第2ゲート(G2)とドレイン(D)間
が短絡され、それぞれの第1ゲート(G1)が端子83
によってグランド(GND)に接続され、各々のソース
(S)が水晶発振器43と共に上記ICチップ15に接
続されている。
【0071】また、この情報カード80においては、端
子88,89が上記ダイポールアンテナ82と接続さ
れ、外部からのデータ入力用端子である端子86,87
はICチップ15のデータ入力端子に接続されている。
さらに、グランドと電源電圧VDDとの間にはタンタル
コンデンサ44とセラミックコンデンサ40が挿入接続
されている。水晶発振器43は、ICチップ15のクロ
ック入力用端子と接続されている。
子88,89が上記ダイポールアンテナ82と接続さ
れ、外部からのデータ入力用端子である端子86,87
はICチップ15のデータ入力端子に接続されている。
さらに、グランドと電源電圧VDDとの間にはタンタル
コンデンサ44とセラミックコンデンサ40が挿入接続
されている。水晶発振器43は、ICチップ15のクロ
ック入力用端子と接続されている。
【0072】さらに、上述したような本発明の各実施例
の情報カード50や80の基板及び電池は、例えばモー
ルドケース内に配されることになる。このとき、当該ケ
ースは、例えば、ケース本体部に基板や電池等が配さ
れ、ケース蓋部を上から被せて上記ケース本体部と結合
させるようになるが、当該ケース自体の大型化を避ける
ために例えば当該ケース本体部とケース蓋部との間の結
合部をゴムパンキン等で密閉しないような場合には、当
該結合部の隙間から内部に電磁ノイズ(例えば20キロ
ボルト以上の静電気など)が進入するおそれがある。
の情報カード50や80の基板及び電池は、例えばモー
ルドケース内に配されることになる。このとき、当該ケ
ースは、例えば、ケース本体部に基板や電池等が配さ
れ、ケース蓋部を上から被せて上記ケース本体部と結合
させるようになるが、当該ケース自体の大型化を避ける
ために例えば当該ケース本体部とケース蓋部との間の結
合部をゴムパンキン等で密閉しないような場合には、当
該結合部の隙間から内部に電磁ノイズ(例えば20キロ
ボルト以上の静電気など)が進入するおそれがある。
【0073】このため、本発明実施例の情報カード5
0,80においては、ケースの結合部の隙間から進入す
る電磁ノイズから基板上の各素子を保護するため、基板
全面を覆うように静電気遮断用のシールを被せてから、
上記ケース本体部とケース蓋部とを結合するようにもし
ている。
0,80においては、ケースの結合部の隙間から進入す
る電磁ノイズから基板上の各素子を保護するため、基板
全面を覆うように静電気遮断用のシールを被せてから、
上記ケース本体部とケース蓋部とを結合するようにもし
ている。
【0074】上述したように、本発明実施例の情報カー
ド50,80においては、アンテナを駆動するFET1
6,26に対して、これらEFTと同一又は類似の構造
をもつFET17,27の保護用ダイオードを流用する
ように接続を行うことで、又は、FET28と29の2
つでアンテナの可変インピーダンス素子を構成すると共
にそれぞれの第2ゲートとドレインの接続を前述のよう
に行うことで、高周波特性を犠牲にすることが無く、電
磁ノイズからアンテナ駆動用のFETを保護可能してい
る。すなわち、本実施例では、アンテナ駆動用のEFT
の保護用に特殊な保護用半導体素子を必要とせず、容易
に電磁ノイズに対して耐性を上げることができ、しかも
高周波特性を損なうこともない情報カード50,80を
実現している。
ド50,80においては、アンテナを駆動するFET1
6,26に対して、これらEFTと同一又は類似の構造
をもつFET17,27の保護用ダイオードを流用する
ように接続を行うことで、又は、FET28と29の2
つでアンテナの可変インピーダンス素子を構成すると共
にそれぞれの第2ゲートとドレインの接続を前述のよう
に行うことで、高周波特性を犠牲にすることが無く、電
磁ノイズからアンテナ駆動用のFETを保護可能してい
る。すなわち、本実施例では、アンテナ駆動用のEFT
の保護用に特殊な保護用半導体素子を必要とせず、容易
に電磁ノイズに対して耐性を上げることができ、しかも
高周波特性を損なうこともない情報カード50,80を
実現している。
【0075】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の情報カードにおいては、アンテナの特性インピーダ
ンスを変化させるための電界効果トランジスタのゲート
とドレインとの間に保護手段を設けることで、電磁ノイ
ズに対する耐性を増加させることができ、さらに保護手
段として新たに設けた電界効果トランジスタのゲートと
ソースとの間にある保護ダイオードを流用することで、
高周波特性の維持をも可能としている。また、電界効果
トランジスタとして、デュアルゲートGaAs電界効果
トランジスタを用いるようにしているので、容易に入手
可能であると共に、安価に情報カードを構成できる。
明の情報カードにおいては、アンテナの特性インピーダ
ンスを変化させるための電界効果トランジスタのゲート
とドレインとの間に保護手段を設けることで、電磁ノイ
ズに対する耐性を増加させることができ、さらに保護手
段として新たに設けた電界効果トランジスタのゲートと
ソースとの間にある保護ダイオードを流用することで、
高周波特性の維持をも可能としている。また、電界効果
トランジスタとして、デュアルゲートGaAs電界効果
トランジスタを用いるようにしているので、容易に入手
可能であると共に、安価に情報カードを構成できる。
【0076】さらに、本発明の情報カードにおいては、
1つのデュアルゲートGaAs電界効果トランジスタを
用いてアンテナの特性インピーダンスを可変するのでは
なく、2つのデュアルゲートGaAs電界効果トランジ
スタの接続仕方によってこの2つのデュアルゲートGa
As電界効果トランジスタでアンテナの特性インピーダ
ンスを可変することもでき、このときのゲートとドレイ
ン間の保護には、2つのデュアルゲートGaAs電界効
果トランジスタの第2ゲートのドレイン間をたすき掛け
状に順方向接続したり第2ゲートとドレイン間をそれぞ
れ全てが接続されるように接続することで実現できる。
このときも、本発明の情報カードにおいては、高周波特
性の維持と安価かつ電磁ノイズに対する保護が可能であ
る。
1つのデュアルゲートGaAs電界効果トランジスタを
用いてアンテナの特性インピーダンスを可変するのでは
なく、2つのデュアルゲートGaAs電界効果トランジ
スタの接続仕方によってこの2つのデュアルゲートGa
As電界効果トランジスタでアンテナの特性インピーダ
ンスを可変することもでき、このときのゲートとドレイ
ン間の保護には、2つのデュアルゲートGaAs電界効
果トランジスタの第2ゲートのドレイン間をたすき掛け
状に順方向接続したり第2ゲートとドレイン間をそれぞ
れ全てが接続されるように接続することで実現できる。
このときも、本発明の情報カードにおいては、高周波特
性の維持と安価かつ電磁ノイズに対する保護が可能であ
る。
【0077】また、本発明の情報カードによれば、アン
テナの特性インピーダンスを変更する電界効果トランジ
スタのみならず、送信する情報を発生したりアンテナの
特性インピーダンスの変更制御を行う制御用半導体集積
回路にも、電界効果トランジスタのゲートとソース間の
保護ダイオードを用いるようにしているため、制御用半
導体の電磁ノイズに対する保護が可能である。
テナの特性インピーダンスを変更する電界効果トランジ
スタのみならず、送信する情報を発生したりアンテナの
特性インピーダンスの変更制御を行う制御用半導体集積
回路にも、電界効果トランジスタのゲートとソース間の
保護ダイオードを用いるようにしているため、制御用半
導体の電磁ノイズに対する保護が可能である。
【図1】本発明実施例の情報カード及び読み取り装置か
らなるシステムの構成を示すブロック回路図である。
らなるシステムの構成を示すブロック回路図である。
【図2】バック・ツー・バック接続された保護ダイオー
ドの電流−電圧特性を示す特性図である。
ドの電流−電圧特性を示す特性図である。
【図3】デュアルゲートGaAs FETを使用し、他
方のFETの保護用ダイオードをアンテナ駆動用FET
に流用した例を示す図である。
方のFETの保護用ダイオードをアンテナ駆動用FET
に流用した例を示す図である。
【図4】2つのデュアルゲートGaAs FETをショ
ットキダイオードとして使用し、電磁ノイズ保護のため
にたすき掛け状の接続を施した例を示す図である。
ットキダイオードとして使用し、電磁ノイズ保護のため
にたすき掛け状の接続を施した例を示す図である。
【図5】2つのデュアルゲートGaAs FETをショ
ットキダイオードとして使用し、電磁ノイズ保護のため
に第2ゲート同士及びドレイン同士を接続すると共に第
2ゲートとドレイン間をも接続した例を示す図である。
ットキダイオードとして使用し、電磁ノイズ保護のため
に第2ゲート同士及びドレイン同士を接続すると共に第
2ゲートとドレイン間をも接続した例を示す図である。
【図6】保護ダイオードを内蔵したデュアルゲートGa
As FETのシンボルを示す図である。
As FETのシンボルを示す図である。
【図7】本実施例のV字型のダイポールアンテナのパタ
ーンと基板上の配線パターンが形成された基板の正面図
である。
ーンと基板上の配線パターンが形成された基板の正面図
である。
【図8】基板上に配される各構成素子の配置を示す図で
ある。
ある。
【図9】実施例の情報カードの一例を示す回路図であ
る。
る。
【図10】従来の情報カードのアンテナ駆動回路の概略
的な回路図である。
的な回路図である。
【図11】保護ダイオードを内蔵したFETのシンボル
を示す図である。
を示す図である。
【図12】従来のFETの保護回路の例を示す回路図で
ある。
ある。
10,82 ダイポールアンテナ 11 電池 12 メモリ回路 13 発振回路 14 制御回路 15 ICチップ 16,17 FET 50 情報カード 81 導波パターン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐藤 敏男 東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 鈴木 保 東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソニ ー株式会社内
Claims (8)
- 【請求項1】 非接触で情報を送出する情報カードにお
いて、 ゲートとソースとの間に保護ダイオードを備え、情報を
送出する所定のアンテナと接続されて当該アンテナの特
性インピーダンスを変化させる電界効果トランジスタを
有し、 上記電界効果トランジスタのゲートとドレインとの間に
保護手段を設けてなることを特徴とする情報カード。 - 【請求項2】 ゲートとソースとの間に保護ダイオード
を備えた電界効果トランジスタを新たに設け、 当該新たに設けた電界効果トランジスタの保護ダイオー
ドを、上記アンテナの特性インピーダンスを変化させる
電界効果トランジスタのゲートとドレインとの間の保護
手段として用いることを特徴とする請求項1記載の情報
カード。 - 【請求項3】 上記電界効果トランジスタは第1ゲート
及び第2ゲートの2つのゲートを備えたデュアルゲート
GaAs電界効果トランジスタであることを特徴とする
請求項1記載の情報カード。 - 【請求項4】 第1ゲートとソースとの間及び第2ゲー
トとソースとの間に保護ダイオードを備えたデュアルゲ
ートGaAs電界効果トランジスタを新たに設け、 当該新たに設けたデュアルゲートGaAs電界効果トラ
ンジスタの保護ダイオードを、上記アンテナの特性イン
ピーダンスを変化させる上記電界効果トランジスタのゲ
ートとドレインとの間の保護手段として用いることを特
徴とする請求項3記載の情報カード。 - 【請求項5】 第1ゲートとソースとの間及び第2ゲー
トとソースとの間に保護ダイオードを備えたデュアルゲ
ートGaAs電界効果トランジスタを新たに設け、 2つの電界効果トランジスタの第1ゲート同士を接続す
ると共に各電界効果トランジスタのソースを上記アンテ
ナに接続することによって当該2つの電界効果トランジ
スタで上記アンテナの特性インピーダンスを変化させる
可変インピーダンス素子を構成し、上記2つの電界効果
トランジスタの第2ゲートとドレインとをたすき掛け状
に順方向接続することによって上記保護手段とすること
を特徴とする請求項3記載の情報カード。 - 【請求項6】 第1ゲートとソースとの間及び第2ゲー
トとソースとの間に保護ダイオードを備えたデュアルゲ
ートGaAs電界効果トランジスタを新たに設け、 2つの電界効果トランジスタの第1ゲート同士を接続す
ると共に各電界効果トランジスタのソースを上記アンテ
ナに接続することによって当該2つの電界効果トランジ
スタで上記アンテナの特性インピーダンスを変化させる
可変インピーダンス素子を構成し、上記2つの電界効果
トランジスタの第2ゲート同士及びドレイン同士を接続
すると共に当該接続した第2ゲートとドレインとをも接
続することによって上記保護手段とすることを特徴とす
る請求項3記載の情報カード。 - 【請求項7】 情報を送出する所定のアンテナと、上
記アンテナに接続され当該アンテナの特性インピーダン
スを変化させるための可変インピーダンス素子と、上記
情報を発生すると共に上記可変インピーダンス素子を制
御する制御用半導体集積回路とを有する情報カードにお
いて、 ゲートとソースとの間に保護ダイオードを備えた電界効
果トランジスタを設け、 上記電界効果トランジスタのゲートを接地すると共にソ
ースを上記制御用集積回路に接続してなることを特徴と
する情報カード。 - 【請求項8】 上記電界効果トランジスタは第1ゲート
とソースとの間及び第2ゲートとソースとの間に保護ダ
イオードを備えたデュアルゲートGaAs電界効果トラ
ンジスタであることを特徴とする請求項7記載の情報カ
ード。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6059114A JPH07271937A (ja) | 1994-03-29 | 1994-03-29 | 情報カード |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6059114A JPH07271937A (ja) | 1994-03-29 | 1994-03-29 | 情報カード |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07271937A true JPH07271937A (ja) | 1995-10-20 |
Family
ID=13103971
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6059114A Pending JPH07271937A (ja) | 1994-03-29 | 1994-03-29 | 情報カード |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07271937A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6431456B2 (en) | 1999-12-03 | 2002-08-13 | Hitachi, Ltd. | IC card |
JP2008092048A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Saxa Inc | アンテナ基板の取付構造 |
-
1994
- 1994-03-29 JP JP6059114A patent/JPH07271937A/ja active Pending
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6431456B2 (en) | 1999-12-03 | 2002-08-13 | Hitachi, Ltd. | IC card |
US6573567B1 (en) | 1999-12-03 | 2003-06-03 | Hitachi, Ltd. | IC card |
US7224052B2 (en) | 1999-12-03 | 2007-05-29 | Renesas Technology Corp. | IC card with controller and memory chips |
KR100749398B1 (ko) * | 1999-12-03 | 2007-08-14 | 가부시끼가이샤 르네사스 테크놀로지 | Ic 카드 |
KR100845065B1 (ko) * | 1999-12-03 | 2008-07-09 | 가부시끼가이샤 르네사스 테크놀로지 | Ic 카드 |
US7538418B2 (en) | 1999-12-03 | 2009-05-26 | Renesas Technology Corp. | IC card |
US7547961B2 (en) | 1999-12-03 | 2009-06-16 | Renesas Technology Corp. | IC card with bonding wire connections of different lengths |
US7768110B2 (en) | 1999-12-03 | 2010-08-03 | Renesas Technology Corp. | Nonvolatile memory apparatus |
US8018038B2 (en) | 1999-12-03 | 2011-09-13 | Renesas Electronics Corporation | IC card with terminals for direct access to internal components |
JP2008092048A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Saxa Inc | アンテナ基板の取付構造 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030805 |