KR102440366B1

KR102440366B1 - 메모리 카드 및 이를 포함하는 전자 장치

Info

Publication number: KR102440366B1
Application number: KR1020180001384A
Authority: KR
Inventors: 고승완; 이석헌; 한석재
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2018-01-04
Filing date: 2018-01-04
Publication date: 2022-09-05
Also published as: US10374342B2; US20190207334A1; CN110009083A; US20190305453A1; US10903592B2; KR20190083569A

Abstract

본 발명의 기술적 사상에 따른 메모리 카드는, 제1 방향 및 제1 방향과 수직하는 제2 방향으로 각각 대향하는 2쌍의 가장자리들을 갖는 기판, 기판의 삽입측 가장자리에 인접하여 배열되고 제1 전원 단자를 포함하는 제1 열 단자들, 및 제1 열 단자들보다 삽입측 가장자리로부터 이격되어 배열되고 제2 전원 단자를 포함하는 제2 열 단자들을 포함하고, 제1 및 제2 열 단자들을 구성하는 단자들은 노출된 표면의 적어도 일부에 리세스 영역을 가지는 단자를 적어도 하나 포함한다.

Description

메모리 카드 및 이를 포함하는 전자 장치{MEMORY CARD AND ELECTRONIC APPARATUS INCLUDING THE SAME}

본 발명의 기술적 사상은 메모리 카드 및 이를 포함하는 전자 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 면적의 활용을 극대화하고 전기적으로도 안정적인 전원 공급이 가능한 메모리 카드 및 이를 포함하는 전자 장치에 관한 것이다.

메모리 카드는 고용량의 정보를 간단히 저장시키고 휴대할 수 있기 때문에 휴대전화, 노트북 컴퓨터 등과 같은 전자 장치에 폭넓게 이용될 수 있다. 필요에 따라 메모리 카드는 다양한 크기를 가지며, 고속화, 소형화, 및 고용량화의 요구에 따라 크기는 더 작으면서 저장 속도가 더 빠르고 저장 용량은 더 큰 메모리 카드들이 개발 및 출시되고 있다. 한편, 저장 속도가 더 빠른 메모리 규격이 요구됨에 따라 콤팩트한 사이즈를 유지하면서 전원 공급을 보다 안정적으로 할 수 있고 고속으로 동작할 수 있는 방안이 다각적으로 검토될 필요가 있다.

본 발명의 기술적 사상이 해결하고자 하는 과제는, 면적의 활용을 극대화하고 전기적으로도 안정적인 전원 공급이 가능한 메모리 카드를 제공하는 것이다.

본 발명의 기술적 사상이 해결하고자 하는 과제는, 면적의 활용을 극대화하고 전기적으로도 안정적인 전원 공급이 가능한 메모리 카드를 포함하는 전자 장치를 제공하는 것이다.

본 발명의 기술적 사상이 해결하고자 하는 과제는, 이상에서 언급한 과제에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

본 발명의 기술적 사상의 실시예에 따른 메모리 카드는, 제1 방향 및 상기 제1 방향과 수직하는 제2 방향으로 각각 대향하는 2쌍의 가장자리들을 갖는 기판; 상기 기판의 삽입측 가장자리에 인접하여 배열되고 제1 전원 단자를 포함하는 제1 열 단자들; 및 상기 제1 열 단자들보다 상기 삽입측 가장자리로부터 이격되어 배열되고 제2 전원 단자를 포함하는 제2 열 단자들;을 포함하고, 상기 제1 및 제2 열 단자들을 구성하는 단자들은 노출된 표면의 적어도 일부에 리세스 영역을 가지는 단자를 적어도 하나 포함한다.

본 발명의 기술적 사상의 실시예에 따른 메모리 카드는, 제1 방향 및 상기 제1 방향과 수직하는 제2 방향으로 각각 대향하는 2쌍의 가장자리들을 갖는 기판; 상기 기판의 삽입측 가장자리에 인접하여 배열되고 제1 전원 단자를 포함하는 제1 열 단자들; 상기 제1 열 단자들보다 상기 삽입측 가장자리로부터 이격되어 배열되고 제2 전원 단자 및 제1 데이터 단자를 포함하는 제2 열 단자들; 및 상기 제2 열 단자들보다 상기 삽입측 가장자리로부터 이격되어 배열되고 제2 데이터 단자를 포함하는 제3 열 단자들;을 포함하고, 상기 제1, 제2, 및 제3 열 단자들을 구성하는 단자들은 노출된 표면의 적어도 일부에 리세스 영역을 가지는 단자를 적어도 하나 포함한다.

본 발명의 기술적 사상의 실시예에 따른 전자 장치는, 소켓; 상기 소켓에 탈착 가능하고 수용 공간을 가지는 트레이; 상기 수용 공간에 안착되는 메모리 카드; 및 상기 메모리 카드와 전기적으로 연결되는 소켓 핀들;을 포함하되, 상기 메모리 카드는 제1 방향 및 상기 제1 방향과 수직하는 제2 방향으로 각각 대향하는 2쌍의 가장자리들을 갖는 기판; 상기 기판의 삽입측 가장자리에 인접하여 배열되고 제1 전원 단자를 포함하는 제1 열 단자들; 및 상기 제1 열 단자들보다 상기 삽입측 가장자리로부터 이격되어 배열되고 제2 전원 단자를 포함하는 제2 열 단자들;을 포함하고, 상기 제1 및 제2 열 단자들을 구성하는 단자들은 노출된 표면의 적어도 일부에 리세스 영역을 가지는 단자를 적어도 하나 포함하고, 상기 소켓 핀들은 상기 제1 및 제2 열 단자들과 전기적으로 접촉하며 상기 리세스 영역에 삽입되는 헤드부;를 포함한다.

본 발명의 기술적 사상의 실시예에 따른 메모리 카드는 노출된 표면의 적어도 일부에 리세스 영역을 포함하는 단자들을 통해, 메모리 카드를 전자 장치에 전기적으로 연결하는 소켓 핀들의 정렬을 도와, 메모리 카드의 면적 활용을 극대화하고 전기적으로도 안정적인 전원 공급이 가능하게 할 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 메모리 카드를 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1의 메모리 카드 단자의 사시도, 단면도, 및 소켓 핀과 결합된 상태도를 각각 나타낸다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 메모리 카드를 나타내는 평면도이다.
도 4는 도 3의 메모리 카드 단자의 사시도, 단면도, 및 소켓 핀과 결합된 상태도를 각각 나타낸다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 메모리 카드를 나타내는 평면도이다.
도 6은 도 5의 메모리 카드 단자의 사시도, 단면도, 및 소켓 핀과 결합된 상태도를 각각 나타낸다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 메모리 카드를 나타내는 평면도이다.
도 8은 도 7의 메모리 카드 단자의 사시도, 단면도, 및 소켓 핀과 결합된 상태도를 각각 나타낸다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 메모리 카드를 나타내는 평면도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 메모리 카드와 소켓의 결합 과정을 나타내는 개략도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 메모리 카드와 소켓의 결합 형태를 나타내는 단면도들이다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 메모리 카드를 이용한 시스템을 나타내는 개략도이다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 메모리 카드의 구성을 나타내는 개략도이다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 메모리 카드를 포함하는 전자 시스템을 나타내는 블록도이다.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 기술적 사상의 실시예에 대해 상세히 설명하기로 한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 메모리 카드를 나타내는 평면도이다.

도 1을 참조하면, 메모리 카드(100A)는 2쌍의 대향하는 가장자리들을 가질 수 있다. 상기 2쌍의 가장자리들은 상기 메모리 카드(100A)가 소켓(도 10의 200)에 삽입되는 방향 쪽의 삽입측 가장자리(121) 및 상기 삽입측 가장자리(121)와 이웃하는 제1 가장자리(123) 및 제2 가장자리(125)를 가질 수 있다. 또한, 상기 삽입측 가장자리(121)와 대향하는 제3 가장자리(127)를 가질 수 있다. 상기 삽입측 가장자리(121)와 상기 제3 가장자리(127)는 서로 평행할 수 있다.

상기 제2 가장자리(125)는 상기 삽입측 가장자리(121)가 연장되는 방향과 수직인 방향으로 연장될 수 있다. 또한, 상기 제2 가장자리(125)는 단일한 방향으로만 연장될 수 있다. 또한, 상기 제1 가장자리(123)는 상기 제2 가장자리(125)와 평행한 부분과 평행하지 않은 부분이 공존할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 가장자리(123)는 상어 지느러미(shark’s fin)를 닮은 측방향 돌출부를 포함할 수 있다.

상기 삽입측 가장자리(121) 및 상기 제3 가장자리(127)가 연장되는 방향을 제1 방향(X 방향)으로 지칭하고, 상기 제1 가장자리(123) 및 제2 가장자리(125)가 연장되는 방향을 상기 제1 방향(X 방향)과 수직하는 제2 방향(Y 방향)으로 지칭할 수 있다.

상기 각 가장자리들(121, 123, 125, 127) 사이에는 소정의 곡률 반경을 지닌 모서리들이 있을 수 있다. 상기 모서리들은 서로 동일할 수도 있고, 서로 상이할 수도 있다.

상기 삽입측 가장자리(121)는 상기 메모리 카드(100A)가 소켓(도 10의 200)으로 삽입되는 쪽의 가장자리로서, 상기 메모리 카드(100A)가 소켓(도 10의 200) 내로 삽입될 때 각 가장자리들(121, 123, 125, 127) 중 가장 먼저 소켓(도 10의 200)으로 진입되고, 상기 메모리 카드(100A)가 소켓(도 10의 200)으로부터 인출될 때 각 가장자리들(121, 123, 125, 127) 중 가장 나중에 소켓(도 10의 200)으로부터 벗어난다. 상기 메모리 카드(100A)가 상기 소켓(도 10의 200) 내부로 원활하게 진입하기 위하여 상기 삽입측 가장자리(121)의 폭은 소정의 여유 간격을 고려하여 결정될 수 있다.

상기 삽입측 가장자리(121)에 인접하여, 상기 메모리 카드(100A) 내의 반도체 소자들과 호스트(도 12의 1400)를 전기적으로 연결하기 위한 단자들이 배열될 수 있다. 상기 호스트(도 12의 1400)는, 예를 들어, 휴대전화, 데스크탑 컴퓨터, 노트북 컴퓨터, 태블릿 PC, 게임기, 내비게이션 장치, 디지털 카메라 등과 같은 전자 장치일 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 상기 메모리 카드(100A)와 상기 호스트(도 12의 1400) 사이에는 인터페이싱을 위한 메모리 카드 제어기(도 12의 1300)가 개재될 수 있다.

기판(110) 상에 제1 열 단자들(130) 및 제2 열 단자들(140)이 도시된 바와 같이 2개의 열을 이루며 배치될 수 있다. 즉, 기판(110)의 상기 삽입측 가장자리(121)에 인접하여, 제1 열 단자들(130) 및 제2 열 단자들(140)이 차례로 배열될 수 있다.

상기 제1 열 단자들(130)은 제1 전압의 전원 단자(131)를 포함할 수 있으며, 상기 제1 전압은, 예를 들어, 약 3.0V 내지 약 3.5V 사이의 값을 가질 수 있다. 상기 제1 전압은 상기 메모리 카드(100A) 내의 반도체 소자들 중 저속 동작을 하는 반도체 소자들에 공급될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 전압은 상기 메모리 카드(100A) 내의 비휘발성 메모리 소자(도 13의 1101)에 공급될 수 있다.

상기 제2 열 단자들(140)은 제2 전압의 전원 단자(141)를 포함할 수 있으며, 상기 제2 전압은, 예를 들어, 약 1.5V 내지 약 2.2V 사이의 값을 가질 수 있다. 상기 제2 전압은 상기 메모리 카드(100A) 내의 반도체 소자들 중 고속 동작을 하는 반도체 소자들에 공급될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 전압은 상기 메모리 카드(100A) 내의 메모리 제어기(도 13의 1102)에 공급될 수 있다.

도시하지는 않았지만, 통상의 기술자는 상기 비휘발성 메모리 소자(도 13의 1101)와 제1 전압의 전원 단자(131) 사이의 연결 배선, 및 상기 메모리 제어기(도 13의 1102)와 제2 전압의 전원 단자(141) 사이의 연결 배선에 대하여 이해할 것이다. 상기 비휘발성 메모리 소자(도 13의 1101) 및 상기 메모리 제어기(도 13의 1102)는 그 외의 다른 구성 요소들과도 다양한 방식으로 배선을 통해 연결될 수 있다.

본 실시예에서는 상기 제1 열 단자들(130)이 상기 제2 열 단자들(140)보다 상기 삽입측 가장자리(121)에 더 가깝게 위치하기 때문에, 상기 제2 열 단자들(140)보다 상기 제1 열 단자들(130)에 먼저 전원이 공급될 수 있다. 다시 말해, 상기 메모리 카드(100A)가 삽입됨에 따라 상기 제1 열 단자들(130)에 포함된 제1 전압의 전원 단자(131)를 통하여 제1 전압의 전원이 비휘발성 메모리 소자(도 13의 1101)에 미리 공급될 수 있다. 또한, 접지 단자(134) 역시 미리 호스트(도 12의 1400)와 연결됨으로써, 상기 메모리 제어기(도 13의 1102)에 전원이 공급되기 전에 상기 메모리 카드(100A) 전체를 동작시킬 수 있는 전원 및 접지 회로가 형성되어 전반적인 동작의 준비를 갖추게 된다.

상기 각각의 단자들(130, 140)은 제1 열 단자들(130)이 2개, 제2 열 단자들(140)이 10개인 것으로 도시되었지만, 단자들의 개수, 위치, 형상, 크기는 여기에 한정되지 않고 필요에 따라 달라질 수 있다. 또한, 상기 각각의 단자들(130, 140) 중 일부 단자들은 SR층(solder resist layer)에 의하여 피복됨으로써 외부로 노출되지 않을 수 있다. 노출되지 않은 상기 일부 단자들은, 예를 들어, 테스트 단자일 수 있다.

상기 제1 열 단자들(130)과 상기 제2 열 단자들(140)은 각각 하나 또는 그 이상의 접지 단자를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 열 단자들(130)은 접지 단자(134)를 가질 수 있고, 상기 제2 열 단자들(140)은 접지 단자들(144)을 가질 수 있다.

또한, 상기 제2 열 단자들(140)은 한 쌍의 데이터 입력 단자들(145in) 및 한 쌍의 데이터 출력 단자들(145out)을 가질 수 있다. 한 쌍의 데이터 입력 단자들(145in)이 한 쌍의 데이터 출력 단자들(145out)보다 메모리 카드(100A)의 중심 쪽에 위치하는 것으로 도시되었지만, 이들의 위치는 바뀔 수 있다.

상기 데이터 입력 단자들(145in)은 한 쌍의 접지 단자들(144a, 144b)에 의하여 전기적으로 쉴드(shield)될 수 있다. 또한, 상기 데이터 출력 단자들(145out)은 한 쌍의 접지 단자들(144b, 144c)에 의하여 전기적으로 쉴드될 수 있다. 상기 쉴드에 의하여 보다 안정적으로 데이터를 입출력할 수 있게 된다.

또한, 상기 데이터 입력 단자들(145in)을 쉴드하기 위한 한 쌍의 접지 단자들(144a, 144b)과 상기 데이터 출력 단자들(145out)을 쉴드하기 위한 한 쌍의 접지 단자들(144b, 144c)은 하나의 접지 단자(144b)를 공유할 수 있다. 이와 달리, 데이터 입력 단자들(145in)을 쉴드하기 위한 한 쌍의 접지 단자들과 상기 데이터 출력 단자들(145out)을 쉴드하기 위한 한 쌍의 접지 단자들은 서로 공유되는 접지 단자를 갖지 않을 수 있다.

한 쌍의 상기 데이터 입력 단자들(145in)은 서로 동일한 치수를 가질 수 있다. 또한, 한 쌍의 상기 데이터 출력 단자들(145out)은 서로 동일한 치수를 가질 수 있다. 또한, 상기 데이터 입력 단자들(145in)과 상기 데이터 출력 단자들(145out)은 서로 동일한 치수를 가질 수 있다.

상기 삽입측 가장자리(121)에 수직인 방향인 제2 방향(Y 방향)에 있어서, 한 쌍의 상기 데이터 입력 단자들(145in)은 접지 단자들(144a, 144b)의 밖으로 벗어나지 않을 수 있다. 또한, 상기 제2 방향(Y 방향)에 있어서, 한 쌍의 상기 데이터 출력 단자들(145out)은 접지 단자들(144b, 144c)의 밖으로 벗어나지 않을 수 있다.

상기 데이터 입력 단자들(145in)의 상기 제2 방향(Y 방향)의 길이는 상기 접지 단자들(144a, 144b)의 제2 방향(Y 방향)의 길이보다 짧을 수 있다. 특히, 상기 접지 단자들(144a, 144b)의 삽입측 가장자리(121) 쪽 선단(front end)은 상기 데이터 입력 단자들(145in)의 삽입측 가장자리(121) 쪽 선단보다 상기 삽입측 가장자리(121)에 더 가까울 수 있다.

상기 데이터 출력 단자들(145out)의 상기 제2 방향(Y 방향)의 길이는 상기 접지 단자들(144b, 144c)의 제2 방향(Y 방향)의 길이보다 짧을 수 있다. 특히, 상기 접지 단자들(144b, 144c)의 삽입측 가장자리(121) 쪽 선단은 상기 데이터 출력 단자들(145out)의 삽입측 가장자리(121) 쪽 선단보다 상기 삽입측 가장자리(121)에 더 가까울 수 있다.

상기 접지 단자들(144a, 144b, 144c)의 상기 선단에 대향하는 후단(rear end)들은 상기 데이터 입력 단자들(145in) 및 상기 데이터 출력 단자들(145out)의 후단들과 비교하여 상기 삽입측 가장자리(121)와의 거리가 더 크거나 같을 수 있다.

상기 제2 전압의 전원 단자(141)의 측방향에는 카드 디텍션 단자(143)가 배치될 수 있다. 상기 카드 디텍션 단자(143)는 호스트(도 12의 1400)로 하여금 상기 메모리 카드(100A)의 종류를 판단할 수 있도록 하기 위한 단자이다. 특히, 상기 카드 디텍션 단자(143)는 상기 메모리 카드(100A)의 접지선에 전기적으로 연결될 수 있다.

상기 카드 디텍션 단자(143)로서 데이터 입출력 단자 대신 접지된 단자를 활용하고, 호스트(도 12의 1400)로 하여금 카드 디텍션 단자(143) 위치의 소켓 핀(도 10의 240)으로부터 접지 신호를 받아 카드의 종류를 판단하도록 함으로써, 카드 종류의 인식에 있어 정확도가 현저히 높아 인식 오류가 줄어들 뿐만 아니라, 카드의 종류를 인식하기 위한 데이터 입출력 과정도 생략될 수 있어 인식의 속도도 빠르게 될 수 있다.

카드 디텍션 단자(143)가 제2 열 단자들(140) 중 제1 가장자리(123) 쪽에 가장 가까이 배치되고, 그 측방향에 제2 전압의 전원 단자(141)가 배치되는 것으로 도시하였지만, 상기 카드 디텍션 단자(143)와 상기 제2 전압의 전원 단자(141)는 서로 바뀔 수도 있다.

또한, 상기 제1 열 단자들(130) 및 상기 제2 열 단자들(140)을 구성하는 단자들(130, 140)은 노출된 표면의 적어도 일부에 리세스 영역(RA)을 가지는 단자를 적어도 하나 포함할 수 있다. 상기 리세스 영역(RA)은 상기 각각의 단자들(130, 140)의 중심부에 오목 홈 형상들로 형성될 수 있다. 또한, 각각의 단자들(130, 140)에 형성된 상기 리세스 영역(RA)은 동일한 형상으로 형성될 수 있다. 상기 리세스 영역(RA)의 형태에 대해서는 뒤에서 보다 상세하게 설명한다.

기판의 면적은 갈수록 줄어들고, 단자의 수는 갈수록 늘어나는 메모리 카드에서, 단자와 소켓 핀 간의 오픈(open) 또는 쇼트(short)와 같은 전기적 접촉 불량이 발생할 여지가 있다. 또한, 메모리 카드가 전자 장치의 소켓에 트레이에 안착된 형태로 삽입되는 구조에서는, 트레이와 소켓 사이의 공차 및 메모리 카드와 트레이 사이의 공차로 인하여 전기적 접촉 불량이 발생할 여지가 더욱 크다.

이에 따라, 본 발명의 기술적 사상에 따른 메모리 카드(100A)는, 노출된 단자 표면의 적어도 일부에 리세스 영역(RA)을 가지는 단자를 적어도 하나 포함하도록 형성하여, 각각의 단자들(130, 140)과 전기적으로 접촉하는 소켓 핀(도 10의 230, 240)의 오정렬 및 이탈을 최소화하여 전기적 접촉 불량을 미연에 방지할 수 있다는 장점을 가진다.

도 2는 도 1의 메모리 카드 단자의 사시도, 단면도, 및 소켓 핀과 결합된 상태도를 각각 나타낸다.

도 2를 참조하면, 도 2의 (a)는 제2 열 단자들(도 1의 140)을 구성하는 각각의 단자들 중 하나인 카드 디텍션 단자(143)의 사시도이고, 도 2의 (b)는 카드 디텍션 단자(143)의 제1 방향(도 1의 X 방향)을 따라 절단한 단면도이며, 도 2의 (c)는 카드 디텍션 단자(143)와 소켓 핀(240)이 전기적으로 접촉되어 결합된 모습을 나타내는 상태도이다.

설명의 편의를 위하여 카드 디텍션 단자(143)를 예로 들어 설명하나, 제1 열 단자들(도 1의 130) 및 제2 열 단자들(도 1의 140)을 구성하는 단자들(도 1의 130, 140)에 동일한 내용이 적용될 수 있음은 물론이다.

카드 디텍션 단자(143)는 노출된 표면의 적어도 일부에 리세스 영역(RA)을 포함할 수 있다. 상기 리세스 영역(RA)은 상기 카드 디텍션 단자(143)의 중심부에 오목 홈 형상으로 형성될 수 있다. 즉, 카드 디텍션 단자(143)의 노출된 표면은 평탄면으로 형성되지 않고, 상면의 레벨을 달리하는 일정한 영역을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 상기 리세스 영역(RA)의 측면은 테이퍼진 형태를 가질 수 있다. 상기 리세스 영역(RA)은 하부로 갈수록 좁아지는 형태로 형성될 수 있으며, 상기 리세스 영역(RA)은 원뿔 형상일 수 있다.

앞서 살펴본 바와 같이, 상기 제2 열 단자들(도 1의 140)을 구성하는 각각의 단자들 중 적어도 하나는 상기 제2 방향(도 1의 Y 방향)으로의 길이가 다를 수 있으나, 상기 리세스 영역(RA)의 중심 위치는 상기 제1 방향(도 1의 X 방향)으로 서로 평행하게 위치하도록 정렬될 수 있다. 상기 리세스 영역(RA)은 상기 제2 열 단자들(도 1의 140)과 직접적으로 접촉하는 상기 소켓 핀(240)의 헤드부(242)가 안착되는 영역이다. 그러므로 상기 소켓 핀(240)은 상기 제2 열 단자들(도 1의 140)의 수와 동일하게 복수로 존재할 수 있고, 상기 소켓 핀(240)의 헤드부(242)의 위치는 서로 평행하게 정렬될 수 있으므로, 이에 맞추어 상기 리세스 영역(RA)도 서로 평행하게 위치하도록 제1 방향(도 1의 X 방향)을 따라 정렬될 수 있다.

도 2의 (c)에서와 같이, 상기 소켓 핀(240)의 헤드부(242)는 상기 리세스 영역(RA)에 안착되도록 결합될 수 있다. 즉, 상기 소켓 핀(240)은 탄성을 가지는 재질로 형성될 수 있으며, 상기 소켓 핀(240)의 헤드부(242)가 상기 리세스 영역(RA)에 안착되도록 결합하여 소켓 핀(240)이 카드 디텍션 단자(143)로부터 오정렬 및 이탈을 최소화하여 전기적 접촉 불량을 미연에 방지할 수 있다.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 메모리 카드를 나타내는 평면도이고, 도 4는 도 3의 메모리 카드 단자의 사시도, 단면도, 및 소켓 핀과 결합된 상태도를 각각 나타낸다.

메모리 카드(100B)는 리세스 영역(RB)의 형상을 제외하고는, 도 1에 도시된 메모리 카드(100A)와 실질적으로 동일하다. 따라서, 여기서는 설명의 간략화를 위하여 이미 설명한 내용은 생략한다.

도 3 및 도 4를 같이 참조하면, 도 4의 (a)는 제2 열 단자들(140)을 구성하는 각각의 단자들 중 하나인 카드 디텍션 단자(143)의 사시도이고, 도 4의 (b)는 카드 디텍션 단자(143)의 제1 방향(X 방향)을 따라 절단한 단면도이며, 도 4의 (c)는 카드 디텍션 단자(143)와 소켓 핀(240)이 전기적으로 접촉되어 결합된 모습을 나타내는 상태도이다.

설명의 편의를 위하여 카드 디텍션 단자(143)를 예로 들어 설명하나, 제1 열 단자들(130) 및 제2 열 단자들(140)을 구성하는 단자들(130, 140)에 동일한 내용이 적용될 수 있음은 물론이다.

카드 디텍션 단자(143)는 노출된 표면의 적어도 일부에 리세스 영역(RB)을 포함할 수 있다. 상기 리세스 영역(RB)은 상기 카드 디텍션 단자(143)의 중심부에 오목 홈 형상으로 형성될 수 있다. 즉, 카드 디텍션 단자(143)의 노출된 표면은 평탄면으로 형성되지 않고, 상면의 레벨을 달리하는 일정한 영역을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 상기 리세스 영역(RB)의 측면은 테이퍼진 형태를 가질 수 있다. 상기 리세스 영역(RB)은 하부로 갈수록 좁아지는 형태로 형성될 수 있으며, 상기 리세스 영역(RB)은 원뿔대 형상일 수 있다.

상기 리세스 영역(RB)의 노출된 바닥면(143B)의 표면 거칠기(surface roughness)는 상기 카드 디텍션 단자(143)의 노출된 상부면(143T)의 표면 거칠기보다 클 수 있다. 즉, 상기 카드 디텍션 단자(143)를 형성한 후, 상기 리세스 영역(RB)을 형성하기 위하여, 추가적인 식각 공정이 진행될 수 있다. 이 경우, 물리적 식각 장비가 사용될 수 있으며, 상기 리세스 영역(RB)의 노출된 바닥면(143B)은 식각 공정에 의하여 표면 거칠기가 커질 수 있다.

도 4의 (c)에서와 같이, 상기 소켓 핀(240)의 헤드부(242)는 상기 리세스 영역(RB)에 안착되도록 결합될 수 있다. 즉, 상기 소켓 핀(240)은 탄성을 가지는 재질로 형성될 수 있으며, 상기 소켓 핀(240)의 헤드부(242)가 상기 리세스 영역(RB)에 안착되도록 결합하여 소켓 핀(240)이 카드 디텍션 단자(143)로부터 오정렬 및 이탈을 최소화하여 전기적 접촉 불량을 미연에 방지할 수 있다.

또한, 상기 리세스 영역(RB)의 바닥면(143B)에 상기 소켓 핀(240)의 헤드부(242)가 안착되면, 표면 거칠기의 차이로 인하여 마찰 계수가 크므로 더욱 안정되게 결합될 수 있다.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 메모리 카드를 나타내는 평면도이고, 도 6은 도 5의 메모리 카드 단자의 사시도, 단면도, 및 소켓 핀과 결합된 상태도를 각각 나타낸다.

메모리 카드(100C)는 리세스 영역(RC)의 형상을 제외하고는, 도 1에 도시된 메모리 카드(100A)와 실질적으로 동일하다. 따라서, 여기서는 설명의 간략화를 위하여 이미 설명한 내용은 생략한다.

도 5 및 도 6을 같이 참조하면, 도 6의 (a)는 제2 열 단자들(140)을 구성하는 각각의 단자들 중 하나인 카드 디텍션 단자(143)의 사시도이고, 도 6의 (b)는 카드 디텍션 단자(143)의 제1 방향(X 방향)을 따라 절단한 단면도이며, 도 6의 (c)는 카드 디텍션 단자(143)와 소켓 핀(240)이 전기적으로 접촉되어 결합된 모습을 나타내는 상태도이다.

카드 디텍션 단자(143)는 노출된 표면의 적어도 일부에 리세스 영역(RC)을 포함할 수 있다. 상기 리세스 영역(RC)은 상기 카드 디텍션 단자(143)의 중심부에 레일 홈 형상으로 형성될 수 있다. 즉, 카드 디텍션 단자(143)의 노출된 표면은 평탄면으로 형성되지 않고, 상면의 레벨을 달리하는 일정한 영역을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 상기 리세스 영역(RC)은 상기 제2 방향(Y 방향)을 따라 상기 카드 디텍션 단자(143)의 중심부를 지나는 레일 홈 형상으로 형성될 수 있다. 상기 리세스 영역(RC)은 적어도 하나의 단차를 가지는 계단 형태의 측면을 가질 수 있다. 상기 리세스 영역(RC)의 단차가 2단으로 이루어진 것으로 도시하였으나, 단차는 1단 또는 3단 이상으로 구성될 수 있다.

도 6의 (c)에서와 같이, 상기 소켓 핀(240)의 헤드부(242)는 상기 리세스 영역(RC)에 안착되도록 결합될 수 있다. 즉, 상기 소켓 핀(240)은 탄성을 가지는 재질로 형성될 수 있으며, 상기 소켓 핀(240)의 헤드부(242)가 상기 리세스 영역(RC)에 안착되도록 결합하여 소켓 핀(240)이 카드 디텍션 단자(143)로부터 오정렬 및 이탈을 최소화하여 전기적 접촉 불량을 미연에 방지할 수 있다.

또한, 상기 메모리 카드(100C)가 트레이(도 10의 300)를 통하여 소켓(도 10의 200)으로 삽입될 때, 상기 소켓 핀(240)의 헤드부(242)가 상기 레일 홈 형상의 리세스 영역(RC)을 따라 제2 방향(Y 방향)으로 정렬되어 이동하므로, 상기 리세스 영역(RC)은 상기 소켓 핀(240)의 이동 경로의 가이드 역할을 수행할 수 있다. 즉, 메모리 카드(100C)의 삽입 단계에서부터 상기 소켓 핀(240)이 전기적으로 접촉해야 할 카드 디텍션 단자(143)로부터의 오정렬 및 이탈을 최소화하여 전기적 접촉 불량을 미연에 방지할 수 있다.

도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 메모리 카드를 나타내는 평면도이고, 도 8은 도 7의 메모리 카드 단자의 사시도, 단면도, 및 소켓 핀과 결합된 상태도를 각각 나타낸다.

메모리 카드(100D)는 리세스 영역(RD)의 형상을 제외하고는, 도 1에 도시된 메모리 카드(100A)와 실질적으로 동일하다. 따라서, 여기서는 설명의 간략화를 위하여 이미 설명한 내용은 생략한다.

도 7 및 도 8을 같이 참조하면, 도 8의 (a)는 제2 열 단자들(140)을 구성하는 각각의 단자들 중 하나인 카드 디텍션 단자(143)의 사시도이고, 도 8의 (b)는 카드 디텍션 단자(143)의 제1 방향(X 방향)을 따라 절단한 단면도이며, 도 8의 (c)는 카드 디텍션 단자(143)와 소켓 핀(240)이 전기적으로 접촉되어 결합된 모습을 나타내는 상태도이다.

카드 디텍션 단자(143)는 노출된 표면의 적어도 일부에 리세스 영역(RD)을 포함할 수 있다. 상기 리세스 영역(RD)은 상기 카드 디텍션 단자(143)의 일부에 쐐기 홈 형상으로 형성될 수 있다. 즉, 카드 디텍션 단자(143)의 노출된 표면은 평탄면으로 형성되지 않고, 상면의 레벨을 달리하는 일정한 영역을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 상기 리세스 영역(RD)은 상기 카드 디텍션 단자(143)의 상기 제2 방향(Y 방향)을 따라갈수록 상기 제1 방향(X 방향)의 폭이 좁아지는 쐐기 홈 형상으로 형성될 수 있다.

즉, 삽입측 가장자리(121)와 가까운 영역에서는 상기 리세스 영역(RD)의 제1 방향(X 방향)의 폭이 커지고, 삽입측 가장자리(121)에서 멀어질수록 상기 리세스 영역(RD)의 제1 방향(X 방향)의 폭이 작아진다.

도 8의 (c)에서와 같이, 상기 소켓 핀(240)의 헤드부(242)는 상기 리세스 영역(RD)에 안착되도록 결합될 수 있다. 즉, 상기 소켓 핀(240)은 탄성을 가지는 재질로 형성될 수 있으며, 상기 소켓 핀(240)의 헤드부(242)가 상기 리세스 영역(RD)에 안착되도록 결합하여 소켓 핀(240)이 카드 디텍션 단자(143)로부터 오정렬 및 이탈을 최소화하여 전기적 접촉 불량을 미연에 방지할 수 있다.

또한, 상기 메모리 카드(100D)가 트레이(도 10의 300)를 통하여 소켓(도 10의 200)으로 삽입될 때, 상기 소켓 핀(240)의 헤드부(242)가 상기 쐐기 홈 형상의 리세스 영역(RD)을 따라 제2 방향(Y 방향)으로 정렬되어 이동하므로, 상기 리세스 영역(RD)은 상기 소켓 핀(240)의 이동 경로의 가이드 역할을 수행할 수 있다. 즉, 메모리 카드(100D)의 삽입 단계에서부터 상기 소켓 핀(240)이 전기적으로 접촉해야 할 카드 디텍션 단자(143)로부터의 오정렬 및 이탈을 최소화하여 전기적 접촉 불량을 미연에 방지할 수 있다.

도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 메모리 카드를 나타내는 평면도이다.

도 9를 참조하면, 기판(110)은 삽입측 가장자리(121)에 인접하여 배열되는 제1 열 단자들(130), 상기 제1 열 단자들(130)보다 삽입측 가장자리(121)로부터 더 이격되어 배열되는 제2 열 단자들(140), 및 상기 제2 열 단자들(140)보다 삽입측 가장자리(121)로부터 더 이격되어 배열되는 제3 열 단자들(150)을 포함할 수 있다.

제1 열 단자들(130) 및 제2 열 단자들(140)에 대한 내용은 도 1에 도시된 메모리 카드(100A)와 실질적으로 동일하다. 따라서, 여기서는 설명의 간략화를 위하여 이미 설명한 내용은 생략한다.

제3 열 단자들(150)은 접지 단자들(154)을 가질 수 있다. 또한, 상기 제3 열 단자들(150)은 한 쌍의 제2 데이터 입력 단자들(155in) 및 한 쌍의 제2 데이터 출력 단자들(155out)을 가질 수 있다. 한 쌍의 제2 데이터 입력 단자들(155in)이 한 쌍의 제2 데이터 출력 단자들(155out)보다 메모리 카드(100E)의 중심 쪽에 위치하는 것으로 도시되었지만, 이들의 위치는 바뀔 수 있다.

상기 제2 데이터 입력 단자들(155in)은 한 쌍의 접지 단자들(154a, 154b)에 의하여 전기적으로 쉴드될 수 있다. 또한, 상기 제2 데이터 출력 단자들(155out)은 한 쌍의 접지 단자들(154b, 154c)에 의하여 전기적으로 쉴드될 수 있다. 상기 쉴드에 의하여 보다 안정적으로 데이터를 입출력할 수 있게 된다.

또한, 상기 제2 데이터 입력 단자들(155in)을 쉴드하기 위한 한 쌍의 접지 단자들(154a, 154b)과 상기 제2 데이터 출력 단자들(155out)을 쉴드하기 위한 한 쌍의 접지 단자들(154b, 154c)은 하나의 접지 단자(154b)를 공유할 수 있다. 이와 달리, 제2 데이터 입력 단자들(155in)을 쉴드하기 위한 한 쌍의 접지 단자들과 상기 제2 데이터 출력 단자들(155out)을 쉴드하기 위한 한 쌍의 접지 단자들은 서로 공유되는 접지 단자를 갖지 않을 수 있다.

한 쌍의 상기 제2 데이터 입력 단자들(155in)은 서로 동일한 치수를 가질 수 있다. 또한, 한 쌍의 상기 제2 데이터 출력 단자들(155out)은 서로 동일한 치수를 가질 수 있다. 또한, 상기 제2 데이터 입력 단자들(155in)과 상기 제2 데이터 출력 단자들(155out)은 서로 동일한 치수를 가질 수 있다.

상기 삽입측 가장자리(121)에 수직인 방향인 제2 방향(Y 방향)에 있어서, 한 쌍의 상기 제2 데이터 입력 단자들(155in)은 접지 단자들(154a, 154b)의 밖으로 벗어나지 않을 수 있다. 또한, 상기 제2 방향(Y 방향)에 있어서, 한 쌍의 상기 제2 데이터 출력 단자들(155out)은 접지 단자들(154b, 154c)의 밖으로 벗어나지 않을 수 있다.

상기 제2 데이터 입력 단자들(155in)의 상기 제2 방향(Y 방향)의 길이는 상기 접지 단자들(154a, 154b)의 제2 방향(Y 방향)의 길이보다 짧을 수 있다. 특히, 상기 접지 단자들(154a, 154b)의 삽입측 가장자리(121) 쪽 선단은 상기 제2 데이터 입력 단자들(155in)의 삽입측 가장자리(121) 쪽 선단보다 상기 삽입측 가장자리(121)에 더 가까울 수 있다.

상기 제2 데이터 출력 단자들(155out)의 상기 제2 방향(Y 방향)의 길이는 상기 접지 단자들(154b, 154c)의 제2 방향(Y 방향)의 길이보다 짧을 수 있다. 특히, 상기 접지 단자들(154b, 154c)의 삽입측 가장자리(121) 쪽 선단은 상기 제2 데이터 출력 단자들(155out)의 삽입측 가장자리(121) 쪽 선단보다 상기 삽입측 가장자리(121)에 더 가까울 수 있다.

상기 접지 단자들(154a, 154b, 154c)의 상기 선단에 대향하는 후단들은 상기 제2 데이터 입력 단자들(155in) 및 상기 제2 데이터 출력 단자들(155out)의 후단들과 비교하여 상기 삽입측 가장자리(121)와의 거리가 더 크거나 같을 수 있다.

또한, 상기 제1 열 단자들(130), 상기 제2 열 단자들(140), 및 상기 제3 열 단자들(150)을 구성하는 단자들(130, 140, 150)은 노출된 표면의 적어도 일부에 리세스 영역(RE)을 가지는 단자를 적어도 하나 포함할 수 있다. 상기 리세스 영역(RE)은 상기 각각의 단자들(130, 140, 150)의 중심부에 원뿔 형상, 원뿔대 형상, 레일 홈 형상, 및 쐐기 홈 형상 중 어느 하나로 형성될 수 있다. 또한, 각각의 단자들(130, 140, 150)에 형성된 상기 리세스 영역(RE)은 동일한 형상으로 형성될 수 있다. 상기 리세스 영역(RE)의 형태는 앞서 설명한 바와 동일하므로, 여기서는 설명의 간략화를 위하여 자세한 설명은 생략한다.

도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 메모리 카드와 소켓의 결합 과정을 나타내는 개략도이다.

도 10을 참조하면, 본 발명의 기술적 사상에 따른 전자 장치(10)는 메모리 카드(100), 트레이(300), 및 소켓(200)을 포함할 수 있다. 상기 메모리 카드(100)는 앞서 설명한 본 발명의 기술적 사상에 따른 메모리 카드들(100A, 100B, 100C, 100D, 100E) 중 어느 하나를 포함할 수 있다.

트레이(300)는 소켓(200)의 입구(220)에 슬라이딩 삽입되는 삽입부(320)와, 트레이(300)의 삽입부(320)가 소켓(200)의 입구(220)에 삽입될 때 전자 장치(10)의 외측에 구비되도록 삽입부(320)와 대향하여 형성되는 노출부(340)를 포함한다. 또한, 트레이(300)에는 메모리 카드(100)를 포함하여 각종 카드가 수용될 수 있도록 수용부(310)가 구비된다. 복수의 카드가 수용될 수 있도록 서로 다른 형상을 가진 복수의 수용부(310)로 구성될 수 있다.

상기 소켓(200)은 상기 메모리 카드(100)의 제1 열 단자들(130)에 대응되는 제1 열 대응 소켓 핀들(230), 상기 메모리 카드(100)의 제2 열 단자들(140)에 대응되는 제2 열 대응 소켓 핀들(240), 및 상기 제1 열 대응 소켓 핀들(230) 및 제2 열 대응 소켓 핀들(240)을 수용할 수 있는 하우징(210)을 포함할 수 있다.

상기 메모리 카드(100)는 상기 하우징(210) 내로 삽입되어 상기 제1 열 대응 소켓 핀들(230) 및 제2 열 대응 소켓 핀들(240)과 접촉함으로써 동작될 수 있다.

일부 실시예들에서, 제1 열 단자(130)는 2개로 도시되었지만, 상기 제1 열 대응 소켓 핀들(230)은 여러 가지 형태의 메모리 카드를 인식하여 사용 가능하도록 2개보다 많은 수로 구비될 수 있다.

일부 실시예들에서, 또한, 제2 열 단자(140)는 10개로 도시되었지만, 상기 제2 열 대응 소켓 핀들(240)은 여러 가지 형태의 메모리 카드를 인식하여 사용 가능하도록 10개보다 많은 수로 구비될 수 있다. 통상의 기술자는 본 발명의 기술적 사상에 따른 소켓(200)에 포함되는 소켓 핀들(230, 240)의 개수에 제한되지 않음을 이해할 것이다.

일부 실시예들에서, 메모리 카드(100)가 제3 열 단자(미도시)를 포함하는 경우, 상기 소켓(200)은 제3 열 대응 소켓 핀들(미도시)을 더 포함할 수 있다.

도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 메모리 카드와 소켓의 결합 형태를 나타내는 단면도들이다.

도 11의 (a)는 제2 열 대응 소켓 핀들(240)의 헤드부(242)가 정렬된 제1 방향(도 1의 X 방향)을 따라 절단한 단면도이고, 도 11의 (b)는 제1 열 대응 소켓 핀들(230) 및 제2 열 대응 소켓 핀들(240)이 정렬된 제2 방향(도 1의 Y 방향)을 따라 절단한 단면도이다.

도 11의 (a) 및 (b)를 참조하면, 소켓(200), 상기 소켓(200)에 탈착 가능하고 수용부를 가지는 트레이(300), 상기 수용부에 안착되는 메모리 카드(100), 및 상기 메모리 카드(100)와 전기적으로 연결되는 소켓 핀들(230, 240)을 포함한다. 상기 메모리 카드(100)는 앞서 설명한 본 발명의 기술적 사상에 따른 메모리 카드들(100A, 100B, 100C, 100D, 100E) 중 어느 하나를 포함할 수 있다.

상기 트레이(300)가 상기 소켓(200)에 수납되는 과정에서, 상기 소켓 핀들(230, 240)의 헤드부(232, 242)는 상기 메모리 카드(100)의 각각의 단자들(130, 140)의 리세스 영역(RR)들에 삽입되도록 이동하고, 상기 메모리 카드(100)의 상기 리세스 영역(RR)은 원뿔 형상, 원뿔대 형상, 레일 홈 형상, 및, 쐐기 홈 형상 중 어느 하나로 구성될 수 있다. 즉, 상기 리세스 영역(RR)은 앞서 설명한 리세스 영역(RA, RB, RC, RD) 중 어느 하나를 포함할 수 있다.

상기 소켓 핀(240)의 헤드부(242)는 상기 리세스 영역(RR)에 안착될 수 있다. 즉, 상기 소켓 핀(240)은 탄성을 가지는 재질로 형성될 수 있으며, 상기 소켓 핀(240)의 헤드부(242)가 상기 리세스 영역(RR)에 안착하여 소켓 핀(240)이 각각의 단자들(130, 140)로부터 오정렬 및 이탈을 최소화하여 전기적 접촉 불량을 미연에 방지할 수 있다.

특히, 상기 리세스 영역(RR)이 레일 홈 형상 또는 쐐기 홈 형상인 경우, 상기 트레이(300)가 상기 소켓(200)에 수납되는 과정에서, 상기 소켓 핀(240)의 헤드부(242)는 상기 메모리 카드(100)의 리세스 영역(RR)을 따라 이동한다. 즉, 상기 메모리 카드(100)가 트레이(300)를 통하여 소켓(200)으로 삽입될 때, 상기 소켓 핀(240)의 헤드부(242)가 상기 리세스 영역(RR)을 따라 이동하므로, 상기 리세스 영역(RR)은 상기 소켓 핀(240)의 이동 경로의 가이드 역할을 수행할 수 있다. 즉, 메모리 카드(100)의 삽입 단계에서부터 상기 소켓 핀(240)이 전기적으로 접촉해야 할 각각의 단자들(130, 140)로부터의 오정렬 및 이탈을 최소화하여 전기적 접촉 불량을 미연에 방지할 수 있다.

도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 메모리 카드를 이용한 시스템을 나타내는 개략도이다.

도 12를 참조하면, 상기 시스템(1000)은 메모리 카드(1100), 소켓(1200), 메모리 카드 제어기(1300), 및 호스트(1400)를 포함할 수 있다. 상기 메모리 카드(1100)는 앞서 설명한 본 발명의 기술적 사상에 따른 메모리 카드들(100A, 100B, 100C, 100D, 100E) 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 상기 소켓(1200)은 메모리 카드(1100)의 삽입이 가능하고, 메모리 카드(1100)의 제1 열 단자들(1110) 및 제2 열 단자들(1120)에 전기적으로 연결되는 소켓 핀(미도시)을 포함하여 구성될 수 있다. 상기 메모리 카드 제어기(1300)는 소켓(1200)을 통해서 메모리 카드(1100)와의 데이터 교환을 제어할 수 있다. 메모리 카드 제어기(1300)는 또한 메모리 카드(1100) 내에 데이터를 저장하기 위해서 이용될 수 있다. 상기 호스트(1400)는 메모리 카드 제어기(1300)를 제어할 수 있다. 상기 호스트(1400)는, 예를 들어, 휴대전화, 데스크탑 컴퓨터, 노트북 컴퓨터, 태블릿 PC, 게임기, 내비게이션 장치, 디지털 카메라 등과 같은 전자 장치일 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.

도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 메모리 카드의 구성을 나타내는 개략도이다.

도 13을 참조하면, 메모리 카드(1100) 내에서 메모리 소자(1101) 및 메모리 제어기(1102)는 전기적인 신호를 교환하도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 메모리 제어기(1102)에서 명령을 내리면, 메모리 소자(1101)는 데이터를 전송할 수 있다. 메모리 소자(1101)는 메모리 어레이 또는 메모리 어레이 뱅크(미도시)를 포함할 수 있다. 상기 메모리 카드(1100)는 앞서 설명한 본 발명의 기술적 사상에 따른 메모리 카드들(100A, 100B, 100C, 100D, 100E) 중 어느 하나를 포함할 수 있다.

도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 메모리 카드를 포함하는 전자 시스템을 나타내는 블록도이다.

도 14를 참조하면, 상기 전자 시스템(2000)은 시스템 제어기(2100), 입출력 장치(2200), 메모리 장치(2300), 인터페이스(2400), 및 버스(2500)를 포함할 수 있다. 상기 시스템 제어기(2100), 입출력 장치(2200), 메모리 장치(2300), 및/또는 인터페이스(2400)는 상기 버스(2500)를 통하여 서로 전기적으로 결합될 수 있다. 상기 버스(2500)는 데이터들이 이동되는 통로에 해당한다.

상기 시스템 제어기(2100)는 마이크로프로세서, 디지털 신호 프로세스, 마이크로 컨트롤러, 및 이들과 유사한 기능을 수행할 수 있는 논리 소자들 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 입출력 장치(2200)는 키패드, 키보드, 터치패드, 터치스크린, 및 디스플레이 장치 등을 포함할 수 있다. 상기 메모리 장치(2300)는 데이터 및/또는 커맨드 등을 저장할 수 있다. 상기 메모리 장치(2300)는 앞서 설명한 본 발명의 기술적 사상에 따른 메모리 카드들(100A, 100B, 100C, 100D, 100E) 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 메모리 장치(2300)는 다른 형태의 메모리 소자를 더 포함할 수 있다. 상기 인터페이스(2400)는 통신 네트워크로 데이터를 전송하거나 통신 네트워크로부터 데이터를 수신하는 기능을 수행할 수 있다. 상기 인터페이스(2400)는 유선 또는 무선 형태일 수 있다. 예를 들어, 상기 인터페이스(2400)는 안테나 또는 유무선 트랜시버 등을 포함할 수 있다. 상기 전자 시스템(2000)은 상기 시스템 제어기(2100)의 동작을 향상시키기 위한 동작 메모리 소자(미도시)를 더 포함할 수도 있다.

상기 전자 시스템(2000)은 휴대전화, 데스크탑 컴퓨터, 노트북 컴퓨터, 태블릿 PC, 게임기, 내비게이션 장치, 디지털 카메라, 또는 정보를 유무선 환경에서 송신 및/또는 수신할 수 있는 모든 전자 장치에 적용될 수 있다.

이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.

10: 전자 장치
100, 100A, 100B, 100C, 100D, 100E: 메모리 카드
130, 140, 150: 단자
RA, RB, RC, RD, RE, RR: 리세스 영역
200: 소켓
230, 240: 소켓 핀
300: 트레이
1000: 시스템
2000: 전자 시스템

Claims

제1 방향 및 상기 제1 방향과 수직하는 제2 방향으로 각각 대향하는 2쌍의 가장자리들을 갖는 기판;
상기 기판의 삽입측 가장자리에 인접하여 배열되고 제1 전원 단자를 포함하는 제1 열 단자들; 및
상기 제1 열 단자들보다 상기 삽입측 가장자리로부터 이격되어 배열되고 제2 전원 단자를 포함하는 제2 열 단자들;을 포함하고,
상기 제1 및 제2 열 단자들을 구성하는 단자들은 노출된 표면의 적어도 일부에 리세스 영역을 가지는 단자를 적어도 하나 포함하는 메모리 카드.
제1항에 있어서,
상기 리세스 영역은 상기 단자들의 중심부에 오목 홈 형상들로 형성되는 것을 특징으로 하는 메모리 카드.
제2항에 있어서,
상기 오목 홈 형상들의 측면은 테이퍼진 것을 특징으로 하는 메모리 카드.
제3항에 있어서,
상기 오목 홈 형상들은 원뿔인 것을 특징으로 하는 메모리 카드.
제3항에 있어서,
상기 오목 홈 형상들은 하부로 갈수록 좁아지는 원뿔대인 것을 특징으로 하는 메모리 카드.
제5항에 있어서,
상기 오목 홈 형상들의 노출된 바닥면의 표면 거칠기(surface roughness)는 상기 단자들의 노출된 상부면의 표면 거칠기보다 큰 것을 특징으로 하는 메모리 카드.
제2항에 있어서,
상기 제2 열 단자들을 구성하는 단자들 중 적어도 하나는 상기 제2 방향으로 길이가 다르고,
상기 오목 홈 형상들의 중심 위치는 상기 제1 방향으로 서로 평행한 것을 특징으로 하는 메모리 카드.
제1항에 있어서,
상기 리세스 영역은 상기 제2 방향을 따라 상기 단자들의 중심부를 지나는 레일 홈 형상들인 것을 특징으로 하는 메모리 카드.
제8항에 있어서,
상기 레일 홈 형상들은 적어도 하나의 단차를 가지는 계단 형태의 측면을 가지는 것을 특징으로 하는 메모리 카드.
제1항에 있어서,
상기 리세스 영역은 상기 단자들의 상기 제2 방향을 따라갈수록 상기 제1 방향의 폭이 좁아지는 쐐기 홈 형상들로 형성되는 것을 특징으로 하는 메모리 카드.
소켓;
상기 소켓에 탈착 가능하고 수용 공간을 가지는 트레이;
상기 수용 공간에 안착되는 메모리 카드; 및
상기 메모리 카드와 전기적으로 연결되는 소켓 핀들;을 포함하되,
상기 메모리 카드는
제1 방향 및 상기 제1 방향과 수직하는 제2 방향으로 각각 대향하는 2쌍의 가장자리들을 갖는 기판;
상기 기판의 삽입측 가장자리에 인접하여 배열되고 제1 전원 단자를 포함하는 제1 열 단자들; 및
상기 제1 열 단자들보다 상기 삽입측 가장자리로부터 이격되어 배열되고 제2 전원 단자를 포함하는 제2 열 단자들;을 포함하고,
상기 제1 및 제2 열 단자들을 구성하는 단자들은 노출된 표면의 적어도 일부에 리세스 영역을 가지는 단자를 적어도 하나 포함하고,
상기 소켓 핀들은
상기 제1 및 제2 열 단자들과 전기적으로 접촉하며 상기 리세스 영역에 삽입되는 헤드부;를 포함하는 전자 장치.
제11항에 있어서,
상기 메모리 카드의 상기 리세스 영역은 상기 단자들의 중심부에 오목 홈 형상들로 형성되는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
제12항에 있어서,
상기 오목 홈 형상들의 노출된 바닥면의 표면 거칠기(surface roughness)는 상기 단자들의 노출된 표면의 표면 거칠기보다 큰 것을 특징으로 하는 전자 장치.
제12항에 있어서,
상기 트레이가 상기 소켓에 수납되는 과정에서,
상기 소켓 핀들의 상기 헤드부는 상기 메모리 카드의 상기 오목 홈 형상들에 삽입되도록 이동하는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
제11항에 있어서,
상기 메모리 카드의 상기 리세스 영역은 상기 제2 방향을 따라 상기 단자들의 중심부를 지나는 레일 홈 형상들인 것을 특징으로 하는 전자 장치.
제15항에 있어서,
상기 트레이가 상기 소켓에 수납되는 과정에서,
상기 소켓 핀들의 상기 헤드부는 상기 메모리 카드의 레일 홈 형상들을 따라 이동하는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
제11항에 있어서,
상기 리세스 영역은 상기 단자들의 상기 제2 방향을 따라 중심부까지 갈수록 상기 제1 방향의 폭이 좁아지는 쐐기 홈 형상들로 형성되는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
제17항에 있어서,
상기 트레이가 상기 소켓에 수납되는 과정에서,
상기 소켓 핀들의 상기 헤드부는 상기 메모리 카드의 쐐기 홈 형상들을 따라 이동하는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
제11항에 있어서,
상기 메모리 카드는
상기 제2 열 단자들보다 상기 삽입측 가장자리로부터 이격되어 배열되는 제3 열 단자들;을 더 포함하고,
상기 제3 열 단자들을 구성하는 단자들은 노출된 표면의 적어도 일부에 리세스 영역을 가지는 단자를 적어도 하나 포함하는 전자 장치.
제19항에 있어서,
상기 소켓 핀들은
상기 제3 열 단자들과 전기적으로 접촉하며 상기 리세스 영역에 삽입되는 헤드부;를 더 포함하는 전자 장치.