KR102284655B1 - 메모리 카드 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 메모리 카드 및 이를 포함하는 전자 시스템에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는 2 쌍의 대향하는 가장자리들을 갖는 기판; 상기 기판의 삽입측 가장자리(edge)에 인접하여 배열되고 제 1 전압의 전원 단자를 포함하는 복수의 제 1 열 단자들; 및 상기 제 1 열 단자들보다 상기 삽입측 가장자리로부터 이격되어 배열되고 제 2 전압의 전원 단자를 포함하는 복수의 제 2 열 단자들을 갖는 메모리 카드가 제공된다. 본 발명은 면적의 활용을 극대화하고 전기적으로도 안정적인 전원 공급이 가능한 메모리 카드를 제공할 수 있다.

Description

메모리 카드 {Memory card}
본 발명은 메모리 카드 및 이를 포함하는 전자 시스템에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는 면적의 활용을 극대화하고 전기적으로도 안정적인 전원 공급이 가능한 메모리 카드 및 이를 포함하는 전자 시스템에 관한 것이다.
메모리 카드는 고용량의 정보를 간단히 저장시키고 휴대할 수 있기 때문에 휴대전화, 노트북 컴퓨터 등에 폭넓게 이용될 수 있다. 필요에 따라 메모리 카드는 다양한 크기를 가지며, 고속화, 소형화 및 고용량화의 요구에 따라 크기는 더 작으면서 저장 속도가 더 빠르고 저장 용량은 더 큰 메모리 카드들이 개발 및 출시되고 있다. 한편 저장 속도가 더 빠른 메모리 규격이 요구됨에 따라 컴팩트한 사이즈를 유지하면서 전원 공급을 보다 안정적으로 할 수 있고 고속으로 동작할 수 있는 방안이 다각적으로 검토될 필요가 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 면적의 활용을 극대화하고 전기적으로도 안정적인 전원 공급이 가능한 메모리 카드를 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 디자인적으로 미려하면서도 소켓에 안정적으로 착탈될 수 있는 메모리 카드를 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 메모리 카드의 삽입과 탈착시 메모리 카드에 가해지는 응력을 최소화하여 메모리 카드의 안정성에 기여할 수 있는 전자 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 태양은 상기 기술적 과제를 이루기 위하여, 2 쌍의 대향하는 가장자리들을 갖는 기판; 상기 기판의 삽입측 가장자리(edge)에 인접하여 배열되고 제 1 전압의 전원 단자를 포함하는 복수의 제 1 열 단자들; 및 상기 제 1 열 단자들보다 상기 삽입측 가장자리로부터 이격되어 배열되고 제 2 전압의 전원 단자를 포함하는 복수의 제 2 열 단자들을 포함하는 메모리 카드를 제공한다. 여기서 상기 기판의 삽입측 가장자리와 이웃하는 양 쪽 가장자리 중 제 1 가장자리는 상기 삽입측 가장자리에 실질적으로 수직 방향으로 연장되고, 상기 제 1 가장자리와 대향하는 제 2 가장자리는 내부에 수동 소자가 제공된 원호 부분을 갖고, 상기 수동 소자의 일단은 상기 제 2 전압의 전원 단자와 전기적으로 연결될 수 있다.
특히, 상기 복수의 제 2 열 단자들은 카드 디텍션 단자를 포함하고, 상기 카드 디텍션 단자는 상기 수동 소자의 타단과 전기적으로 연결될 수 있다. 또, 상기 카드 디텍션 단자는 상기 원호 부분과 인접하고, 상기 제 2 전압의 전원 단자는 상기 카드 디텍션 단자와 인접할 수 있다. 특히, 상기 카드 디텍션 단자는 접지된 단자일 수 있다. 또한, 상기 수동 소자는 커패시터일 수 있다.
또한, 복수의 상기 제 2 열 단자들은, 제 1 방향인 상기 삽입측 가장자리에 수직인 방향을 기준으로, 복수의 상기 제 1 열 단자들보다 상기 메모리 카드의 중심에 더 가까울 수 있다.
또, 상기 제 1 전압보다 상기 제 2 전압이 더 낮을 수 있다. 이 때, 상기 메모리 카드는 메모리 컨트롤러 및 비휘발성 메모리 소자를 더 포함할 수 있다. 이 때, 상기 제 1 전압의 전원 단자는 상기 비휘발성 메모리 소자에 전원을 공급하도록 구성되고, 상기 제 2 전압의 전원 단자는 상기 메모리 컨트롤러에 전원을 공급하도록 구성될 수 있다.
본 발명의 다른 태양은 2 쌍의 대향하는 가장자리들을 갖는 기판; 상기 기판의 삽입측 가장자리(edge)에 인접하여 배열되고 제 1 전압의 전원 단자를 포함하는 복수의 제 1 열 단자들; 및 상기 제 1 열 단자들보다 상기 삽입측 가장자리로부터 이격되어 배열되고 제 2 전압의 전원 단자를 포함하는 복수의 제 2 열 단자들을 포함하는 메모리 카드를 제공한다. 여기서, 제 1 방향인 상기 삽입측 가장자리에 수직인 방향의 상기 제 2 열 단자들의 중심과 상기 메모리 카드의 중심 사이의 거리는 상기 메모리 카드의 상기 제 1 방향의 길이의 20% 이내일 수 있다.
이 때, 상기 제 2 열 단자들은 한 쌍의 데이터 입력 단자들과 한 쌍의 데이터 출력 단자들을 갖고, 상기 한 쌍의 데이터 입력 단자들은 한 쌍의 제 1 접지 단자들에 의하여 쉴드될 수 있다. 또한, 상기 한 쌍의 데이터 출력 단자들은 한 쌍의 제 2 접지 단자들에 의하여 쉴드될 수 있다. 또한, 상기 제 1 접지 단자들과 상기 제 2 접지 단자들은 하나의 접지 단자를 공유할 수 있다.
나아가, 상기 제 2 열 단자들은 레퍼런스 클락 단자를 더 가질 수 있으며, 상기 레퍼런스 클락 단자는 상기 제 1 접지 단자를 사이에 두고 상기 데이터 입력 단자들과 이격되거나, 또는 상기 제 2 접지 단자를 사이에 두고 상기 데이터 출력 단자들과 이격될 수 있다. 이 때, 상기 제 2 열 단자들은 상기 제 2 전압의 전원 단자를 사이에 두고 상기 레퍼런스 클락 단자의 측방에 위치하는 카드 디텍션 단자를 더 포함할 수 있다. 또, 상기 카드 디텍션 단자는 접지된 단자일 수 있다. 또, 상기 메모리 카드는 수동 소자를 더 포함할 수 있다. 상기 수동 소자의 일단은 상기 카드 디텍션 단자와 연결되고, 상기 수동 소자의 타단은 상기 제 2 전압의 전원 단자와 연결될 수 있다. 또한, 상기 제 2 전압의 전원 단자의 상기 삽입측 가장자리 쪽의 선단이 상기 카드 디텍션 단자의 상기 삽입측 가장자리 쪽의 선단보다 상기 삽입측 가장자리에 더 가깝게 배치될 수 있다.
또, 상기 데이터 입력 단자들의 제 1 방향의 길이는 상기 제 1 접지 단자들의 제 1 방향의 길이보다 짧을 수 있다. 또, 상기 제 1 접지 단자들의 상기 삽입측 가장자리 쪽 선단(front end)은 상기 데이터 입력 단자들의 상기 삽입측 가장자리 쪽 선단보다 상기 삽입측 가장자리에 더 가까울 수 있다.
또, 상기 데이터 출력 단자들의 제 1 방향의 길이는 상기 제 2 접지 단자들의 제 1 방향의 길이보다 짧을 수 있다. 이 때, 상기 제 2 접지 단자들의 상기 삽입측 가장자리 쪽 선단은 상기 데이터 출력 단자들의 상기 삽입측 가장자리 쪽 선단보다 상기 삽입측 가장자리에 더 가까울 수 있다.
본 발명의 다른 태양은 2 쌍의 대향하는 가장자리들을 갖는 기판; 상기 기판의 삽입측 가장자리(edge)에 인접하여 배열되고 제 1 전압의 전원 단자를 포함하는 복수의 제 1 열 단자들; 및 상기 제 1 열 단자들보다 상기 삽입측 가장자리로부터 이격되어 배열되고 제 2 전압의 전원 단자를 포함하는 복수의 제 2 열 단자들을 포함하는 메모리 카드를 제공한다. 여기서, 상기 기판의 삽입측 가장자리와 이웃하는 제 1 가장자리 및 제 2 가장자리가 제공되고, 상기 제 2 열 단자들은 상기 제 1 가장자리로부터 상기 제 2 가장자리를 향하여 카드 디텍션 단자, 상기 제 2 전압의 전원 단자, 레퍼런스 클락 단자, 제 1 접지 단자, 한 쌍의 제 1 데이터 단자들, 제 2 접지 단자, 한 쌍의 제 2 데이터 단자들, 및 제 3 접지 단자를 순차로 포함될 수 있다.
이 때, 상기 한 쌍의 제 1 데이터 단자들 및 상기 한 쌍의 제 2 데이터 단자들 중 한 쌍은 한 쌍의 데이터 입력 단자들이고 다른 한 쌍은 데이터 출력 단자들일 수 있다. 특히, 제 1 방향인 상기 삽입측 가장자리에 수직인 방향의 상기 카드 디텍션 단자의 길이는 상기 제 2 전압의 전원 단자의 길이와 동일할 수 있다. 또, 상기 삽입측 가장자리와 상기 카드 디텍션 단자의 선단부 사이의 거리는 상기 삽입측 가장자리와 상기 제 2 전압의 전원 단자의 선단부 사이의 거리와 동일할 수 있다.
선택적으로, 제 1 방향인 상기 삽입측 가장자리에 수직인 방향의 상기 카드 디텍션 단자의 길이는 상기 제 1 방향의 상기 제 2 전압의 전원 단자의 길이보다 더 길고, 상기 삽입측 가장자리와 상기 카드 디텍션 단자의 선단부 사이의 거리는 상기 삽입측 가장자리와 상기 제 2 전압의 전원 단자의 선단부 사이의 거리와 동일할 수 있다.
선택적으로, 제 1 방향인 상기 삽입측 가장자리에 수직인 방향의 상기 카드 디텍션 단자의 길이는 상기 제 1 방향의 상기 제 2 전압의 전원 단자의 길이보다 더 길고, 상기 삽입측 가장자리와 상기 카드 디텍션 단자의 선단부 사이의 거리는 상기 삽입측 가장자리와 상기 제 2 전압의 전원 단자의 선단부 사이의 거리보다 더 짧을 수 있다. 이 때, 상기 삽입측 가장자리와 상기 카드 디텍션 단자의 후단부 (rear end) 사이의 거리는 상기 삽입측 가장자리와 상기 제 2 전압의 전원 단자의 후단부 사이의 거리보다 더 길 수 있다.
선택적으로, 제 1 방향인 상기 삽입측 가장자리에 수직인 방향의 상기 카드 디텍션 단자의 길이는 상기 제 1 방향의 상기 제 2 전압의 전원 단자의 길이보다 더 짧고, 상기 삽입측 가장자리와 상기 카드 디텍션 단자의 선단부 사이의 거리는 상기 삽입측 가장자리와 상기 제 2 전압의 전원 단자의 선단부 사이의 거리와 동일할 수 있다.
선택적으로, 제 1 방향인 상기 삽입측 가장자리에 수직인 방향의 상기 카드 디텍션 단자의 길이는 상기 제 1 방향의 상기 제 2 전압의 전원 단자의 길이보다 더 길고, 상기 삽입측 가장자리와 상기 카드 디텍션 단자의 선단부 사이의 거리는 상기 삽입측 가장자리와 상기 제 2 전압의 전원 단자의 선단부 사이의 거리보다 더 짧을 수 있다. 이 때, 상기 삽입측 가장자리와 상기 카드 디텍션 단자의 후단부 (rear end) 사이의 거리는 상기 삽입측 가장자리와 상기 제 2 전압의 전원 단자의 후단부 사이의 거리와 동일할 수 있다.
본 발명의 다른 태양은, 제어부; 데이터를 입력 또는 출력할 수 있는 입출력부; 데이터를 저장할 수 있는 메모리부; 외부 장치와 데이터를 전송할 수 있는 인터페이스부; 및 상기 제어부, 입출력부, 메모리부 및 인터페이스부를 서로 통신 가능하도록 연결하는 버스를 포함하는 전자 시스템을 제공한다. 여기서, 상기 메모리부는 본 발명의 실시예들에 따른 메모리 카드를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 태양은, 2 쌍의 대향하는 가장자리들을 갖는 기판; 상기 기판의 삽입측 가장자리(edge)에 인접하여 배열되는 복수의 제 1 열 단자들; 및 상기 제 1 열 단자들보다 상기 삽입측 가장자리로부터 이격되어 배열되는 복수의 제 2 열 단자들을 포함하는 메모리 카드를 제공한다. 상기 메모리 카드는 상기 기판의 삽입측 가장자리와 이웃하는 제 1 가장자리 및 제 2 가장자리를 갖고, 상기 제 2 가장자리는 상기 삽입측 가장자리와 수직인 방향으로 연장되고, 상기 제 1 가장자리는 곡률 반경 r1의 제 1 원호부 및 곡률 반경 r2의 제 2 원호부를 갖고, r1이 r2보다 더 클 수 있다.
이 때 상기 메모리 카드는 곡률 반경 r3의 제 3 원호부를 더 포함할 수 있고, r3는 r1 및 r2보다 더 클 수 있다. 특히, 상기 제 2 원호부의 곡률 중심은 상기 제 1 가장자리에 대하여 상기 제 1 원호부의 곡률 중심의 반대쪽에 위치할 수 있다. 또, 상기 제 3 원호부의 곡률 중심은 상기 제 1 가장자리에 대하여 상기 제 1 원호부의 곡률 중심과 동일한 쪽에 위치할 수 있다. 특히, 상기 제 1 원호부의 곡률 중심과 상기 제 3 원호부의 곡률 중심이 모두 상기 기판 위에 존재할 수 있다. 선택적으로, 상기 제 1 원호부의 곡률 중심은 상기 기판 위에 존재하고, 상기 제 3 원호부의 곡률 중심은 상기 기판 밖에 존재할 수 있다.
또, 상기 복수의 제 2 열 단자들은 상기 제 1 원호부의 측방향에 위치할 수 있다. 상기 제 1 가장자리는 그와 대향하는 상기 제 2 가장자리와 실질적으로 평행한 제 1 부분을 포함하고, 상기 제 1 부분과 상기 제 1 원호부 사이에 오목부를 포함할 수 있다.
상기 제 1 가장자리는 상기 삽입측 가장자리로부터 상기 삽입측 가장자리에 대향하는 제 3 가장자리를 향하여 상기 제 1 원호부, 제 2 원호부 및 제 3 원호부를 순차 포함할 수 있다. 이 때 상기 제 1 가장자리는 상기 제 2 원호부와 상기 제 3 원호부 사이에 직선 세그먼트를 더 포함할 수 있다. 또, 상기 제 1 가장자리는 상기 제 1 원호부와 상기 제 2 원호부 사이에 곡선 세그먼트를 더 포함할 수 있다.
또, 상기 제 2 원호부는 제 1 노치(notch)의 적어도 일부를 이룰 수 있다. 이 때, 상기 메모리 카드는 상기 제 3 원호부와 상기 제 3 가장자리 사이에 제 2 노치를 더 포함할 수 있다.
또, 상기 메모리 카드는 제 3 가장자리에 인접하여 상기 기판의 표면으로부터 돌출된 인출 보조부를 더 포함할 수 있다. 이 때, 상기 제 3 가장자리의 가운데에서 상기 인출 보조부의 폭이 가장 좁을 수 있다. 상기 삽입측 가장자리는 챔퍼되어(chamfered) 있을 수 있다.
본 발명의 다른 태양은 2 쌍의 대향하는 가장자리들을 갖는 기판; 상기 기판의 표면에 제공된 복수의 제 1 열 단자들 및 복수의 제 2 열 단자들을 포함하는 메모리 카드를 제공한다. 여기서, 상기 2 쌍의 대향하는 가장자리는 삽입측 가장자리 및 그와 인접하는 제 1 가장자리와 제 2 가장자리, 상기 삽입측 가장자리와 평행하게 대향하는 제 3 가장자리를 포함할 수 있다. 또, 상기 제 2 가장자리는 상기 삽입측 가장자리에 수직하게 연장될 수 있다. 또, 상기 제 1 가장자리는, 상기 제 2 가장자리에 평행하게 연장되는 제 1 부분; 상기 제 1 부분에 인접하는 제 1 오목부; 상기 제 1 오목부에 인접하는 제 1 볼록부; 상기 제 1 볼록부에 인접하는 제 2 오목부; 및 상기 제 2 오목부에 인접하는 제 2 볼록부를 포함할 수 있다.
특히, 상기 제 1 볼록부의 외연의 길이는 제 1 가장자리 전체의 외연의 길이의 약 10% 내지 약 30%일 수 있다. 또, 상기 제 2 오목부의 외연의 길이는 제 1 가장자리 전체의 외연의 길이의 약 3% 내지 약 10%일 수 있다. 또, 상기 제 2 볼록부의 외연의 길이는 제 1 가장자리 전체의 외연의 길이의 약 20% 내지 약 50%일 수 있다. 또, 상기 메모리 카드는 상기 제 2 오목부와 상기 제 2 볼록부 사이에 직선부를 더 포함할 수 있다.
또, 상기 제 1 볼록부는 적어도 하나의 원호부를 가질 수 있다. 그리고, 상기 제 1 볼록부의 상기 적어도 하나의 원호부의 곡률 반경은 상기 삽입측 가장자리와 상기 제 3 가장자리 사이의 거리의 약 10% 내지 약 30%일 수 있다.
이 때, 상기 제 2 볼록부는 적어도 하나의 원호부를 갖고, 상기 제 2 볼록부의 상기 적어도 하나의 원호부의 곡률 반경은 상기 삽입측 가장자리와 상기 제 3 가장자리 사이의 거리의 약 70% 내지 약 200%일 수 있다. 나아가, 상기 제 2 오목부의 상기 적어도 하나의 원호부의 곡률 반경은 상기 삽입측 가장자리와 상기 제 3 가장자리 사이의 거리의 약 2% 내지 약 15%일 수 있다.
또, 상기 복수의 제 2 열 단자들은 상기 제 1 볼록부의 측방향에 배치될 수 있다. 특히, 상기 제 1 볼록부 내에 수동 소자가 제공되고, 상기 수동 소자는 상기 복수의 제 2 열 단자들 중의 적어도 하나와 전기적으로 연결될 수 있다.
또, 상기 복수의 제 2 열 단자들은 적어도 하나의 카드 디텍션 단자 및 적어도 하나의 전원 단자를 포함할 수 있으며, 상기 적어도 하나의 카드 디텍션 단자와 상기 적어도 하나의 전원 단자는 상기 수동 소자를 개재하여 회로적으로 연결되어 있을 수 있다.
본 발명의 다른 태양은 삽입측 가장자리와 상기 삽입측 가장자리에 각각 인접하는 제 1 가장자리 및 제 2 가장자리를 갖는 메모리 카드; 및 상기 메모리 카드가 삽입되어 상기 메모리 카드와 전기적으로 연결될 수 있는 소켓을 포함하는 전자 장치를 제공한다. 상기 메모리 카드는 상기 제 1 가장자리에 상기 소켓과 메이팅될 수 있는 제 1 노치부(notch)를 갖고, 상기 제 1 노치부는 상기 메모리 카드의 삽입 방향에 대하여 수직이 아닌 둘 이상의 면을 가질 수 있다.
여기서, 상기 소켓은 상기 제 1 노치부와 메이팅될 수 있는 탄성체를 포함하고, 상기 탄성체는 상기 제 1 노치부에 삽입될 수 있는 제 1 돌출부를 포함할 수 있다. 또, 상기 제 1 돌출부는 상기 메모리 카드의 삽입에 따라 상기 둘 이상의 면인 제 1 면 및 제 2 면과 순차적으로 접촉하도록 구성될 수 있다.
이 때, 상기 제 1 면 및 상기 제 2 면은 상기 메모리 카드의 삽입 방향에 대하여 상이한 각도를 가질 수 있다. 또, 상기 메모리 카드는 상기 소켓에 삽입됨에 따라 상기 제 1 돌출부가 제 1 면과 먼저 접촉하고 그 후 상기 제 1 돌출부가 제 2 면과 접촉하도록 구성될 수 있다. 이 때, 상기 제 1 면과 상기 메모리 카드의 삽입 방향이 이루는 제 1 각도는 상기 제 2 면과 상기 메모리 카드의 삽입 방향이 이루는 제 2 각도보다 더 클 수 있다. 상기 제 1 각도와 상기 제 2 각도의 어느 것도 90도가 아닐 수 있다. 또, 상기 제 1 면 및 상기 제 2 면은 곡면의 일부일 수 있다.
또한, 상기 메모리 카드는 삽입측 가장자리에 대향하여 평행하게 연장되는 제 3 가장자리를 더 가질 수 있다. 또, 상기 메모리 카드에는 상기 제 3 가장자리를 따라 인출 보조부가 구비될 수 있다. 특히, 상기 인출 보조부는 상기 메모리 카드의 주면에 대하여 돌출된 부분일 수 있다. 상기 인출 보조부는, 상기 메모리 카드의 폭 방향으로 연장되는 수평 연장부; 및 상기 수평 연장부의 양 쪽에서 상기 메모리 카드의 삽입 방향과 평행하게 연장되는 수직 연장부들을 포함할수 있다.
특히, 상기 소켓은 상기 수평 연장부 및 상기 수직 연장부에 대응하여 상기 인출 보조부를 수납할 수 있는 홈이 구비될 수 있다. 이 때, 상기 인출 보조부는 상기 메모리 카드의 삽입에 의하여 상기 홈에 수납되고, 상기 홈에 의하여 상기 수직 연장부들의 측방향 움직임이 실질적으로 스토핑(stopping)될 수 있다.
상기 메모리 카드는, 상기 기판의 삽입측 가장자리(edge)에 인접하여 배열되는 복수의 제 1 열 단자들; 및 상기 제 1 열 단자들보다 상기 삽입측 가장자리로부터 이격되어 배열되는 복수의 제 2 열 단자들을 포함할 수 있다. 여기서 상기 소켓은 상기 복수의 제 1 열 단자들과 접촉할 수 있는 제 1 소켓 단자들 및 상기 복수의 제 2 열 단자들과 접촉할 수 있는 제 2 소켓 단자들을 포함할 수 있다.
또, 상기 메모리 카드는 메모리 컨트롤러와 비휘발성 메모리 소자를 포함하고, 상기 제 1 소켓 단자들은 상기 비휘발성 메모리 소자에 제 1 전압의 전원을 공급할 수 있도록 구성되고, 상기 제 2 소켓 단자들은 상기 메모리 컨트롤러에 상기 제 1 전압보다 낮은 제 2 전압의 전원을 공급할 수 있도록 구성될 수 있다. 상기 메모리 카드는 상기 메모리 카드가 삽입됨에 따라 상기 제 2 전압의 전원보다 상기 제 1 전압의 전원이 먼저 공급될 수 있도록 구성될 수 있다.
상기 메모리 카드는 상기 삽입측 가장자리에 대향하는 제 3 가장자리를 더 포함하고, 상기 제 3 가장자리의 일측에 제 2 노치부를 더 포함할 수 있다. 여기서, 상기 소켓은 상기 제 1 노치부 및 상기 제 2 노치부와 메이팅될 수 있는 하나 이상의 탄성체를 포함할 수 있다. 이 때, 상기 탄성체는 단일 탄성체로서 상기 제 1 노치부에 삽입될 수 있는 제 1 돌출부 및 상기 제 2 노치부에 삽입될 수 있는 제 2 돌출부를 포함할 수 있다. 상기 제 1 돌출부는 상기 메모리 카드의 삽입에 따라 상기 둘 이상의 면인 제 1 면 및 제 2 면과 순차적으로 접촉하도록 구성될 수 있다.
또, 상기 탄성체는 상기 제 1 노치부에 삽입될 수 있는 돌출부를 갖는 제 1 탄성체 및 상기 제 2 노치부에 삽입될 수 있는 돌출부를 갖는 제 2 탄성체를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 태양은 메모리 카드가 삽입될 수 있는 소켓을 제공한다. 상기 소켓은 소켓 하우징; 상기 메모리 카드의 소켓 하우징 내로의 삽입에 따라 상기 메모리 카드의 단자들과 접촉할 수 있는 제 1 소켓 단자들 및 제 2 소켓 단자들; 및 상기 소켓 하우징의 일 측부에 제공되며 상기 하우징 내로 삽입되는 메모리 카드를 고정할 수 있는 탄성체를 포함한다. 이 때, 상기 탄성체는 상기 소켓 하우징의 삽입 깊이의 중앙부에 제공되는 제 1 돌출부 및 상기 소켓 하우징의 입구에 제공되는 제 2 돌출부를 포함할 수 있다. 또, 상기 탄성체는 단일 탄성체일 수 있다. 또, 상기 탄성체는 상기 제 1 돌출부를 갖는 제 1 탄성체 및 제 2 돌출부를 갖는 제 2 탄성체를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 태양은 제어부; 데이터를 입력 또는 출력할 수 있는 입출력부; 데이터를 저장할 수 있는 메모리부; 외부 장치와 데이터를 전송할 수 있는 인터페이스부; 및 상기 제어부, 입출력부, 메모리부 및 인터페이스부를 서로 통신 가능하도록 연결하는 버스를 포함하는 전자 시스템을 제공한다. 상기 메모리부는, 삽입측 가장자리와 상기 삽입측 가장자리에 각각 인접하는 제 1 가장자리 및 제 2 가장자리를 갖는 메모리 카드; 및 상기 메모리 카드가 삽입되어 상기 메모리 카드와 전기적으로 연결될 수 있는 상기 소켓을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 메모리 카드는 디자인적으로도 미려할 뿐만 아니라 카드 디텍션 단자와 전원 단자 및 이들에 연결되는 수동 소자의 효율적 배치를 통해 메모리 카드의 면적의 활용을 극대화하고 전기적으로도 안정적인 전원 공급이 가능하게 할 수 있다.
또한, 소켓과 결합되는 노치의 형태를 매끄럽게 함으로써 메모리 카드의 삽입/탈착시 메모리 카드에 가해지는 응력을 최소화하여 메모리 카드의 안정성을 크게 개선하는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 메모리 카드를 나타낸 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 메모리 카드(100)를 내부의 일부 부품들과 함께 나타낸 부분 투시도이다.
도 3은 상기 수동 소자, 카드 디텍션 단자 및 상기 제 2 전압의 전원 단자의 연결 관계를 나타낸 등가 회로도이다.
도 4a 내지 도 4e는 본 발명의 실시예들에 따른 메모리 카드들을 나타낸 개략도들이다.
도 5a 내지 도 5c는 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 메모리 카드의 정면도, 좌측면도, 및 배면도이다.
도 6a 내지 도 6c는 상기 메모리 카드의 구성을 보다 상세하게 설명하기 위한 보조 도면들이다.
도 7은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 메모리 카드를 이용한 시스템을 보여주는 개략도이다.
도 8은 도 7의 소켓을 보다 상세하게 나타낸 개략도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 메모리 카드와 소켓의 결합 방식을 나타낸 모식도이다.
도 10은 도 9의 메모리 카드의 제 1 노치부를 보다 상세하게 나타낸 부분 확대도이다.
도 11은 본 발명의 기술적 사상에 의한 메모리 카드의 구성을 나타낸 개략도이다.
도 12는 본 발명의 기술적 사상에 따른 메모리 카드를 포함하는 메모리 장치의 일 예를 도시한 블록도이다.
도 13은 본 발명의 기술적 사상에 따른 메모리 카드를 포함하는 전자 시스템의 일 예를 도시한 블록도이다.
도 14는 본 발명의 실시예에 따른 전자 장치를 포함하는 서버 시스템에 대한 네트워크 구현 예를 나타내는 블록도이다.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명 개념의 바람직한 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명 개념의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명 개념의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 발명 개념의 실시예들은 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명 개념을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것으로 해석되는 것이 바람직하다. 동일한 부호는 시종 동일한 요소를 의미한다. 나아가, 도면에서의 다양한 요소와 영역은 개략적으로 그려진 것이다. 따라서, 본 발명 개념은 첨부한 도면에 그려진 상대적인 크기나 간격에 의해 제한되어지지 않는다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는 데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명 개념의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제 1 구성 요소는 제 2 구성 요소로 명명될 수 있고, 반대로 제 2 구성 요소는 제 1 구성 요소로 명명될 수 있다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예들을 설명하기 위해 사용된 것으로서, 본 발명 개념을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, “포함한다” 또는 “갖는다” 등의 표현은 명세서에 기재된 특징, 개수, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 개수, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
달리 정의되지 않는 한, 여기에 사용되는 모든 용어들은 기술 용어와 과학 용어를 포함하여 본 발명 개념이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 공통적으로 이해하고 있는 바와 동일한 의미를 지닌다. 또한, 통상적으로 사용되는, 사전에 정의된 바와 같은 용어들은 관련되는 기술의 맥락에서 이들이 의미하는 바와 일관되는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하며, 여기에 명시적으로 정의하지 않는 한 과도하게 형식적인 의미로 해석되어서는 아니 될 것임은 이해될 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 메모리 카드(100)를 나타낸 평면도이다.
도 1을 참조하면, 상기 메모리 카드(100)는 2 쌍의 대향하는 가장자리들을 가질 수 있다. 상기 2 쌍의 가장자리들은 상기 메모리 카드(100)가 소켓에 삽입되는 방향 쪽의 삽입측 가장자리(121) 및 상기 삽입측 가장자리(121)와 이웃하는 제 1 가장자리(123) 및 제 2 가장자리(125)를 가질 수 있다. 또한 상기 삽입측 가장자리(121)와 대향하는 제 3 가장자리(127)를 갖는다. 이 때, 상기 삽입측 가장자리(121)와 제 3 가장자리(127)는 서로 평행할 수 있다.
상기 제 2 가장자리(125)는 상기 삽입측 가장자리(121)가 연장되는 방향과 수직인 방향으로 연장될 수 있다. 또한 상기 제 2 가장자리(125)는 단일한 방향으로만 연장될 수 있다. 또한 상기 제 1 가장자리(123)는 상기 제 2 가장자리(125)와 평행한 부분과 평행하지 않은 부분이 공존할 수 있다.
상기 각 가장자리들(121, 123, 125, 127) 사이에는 소정의 곡률 반경을 지닌 모서리들이 있을 수 있다. 상기 모서리들은 서로 동일할 수도 있고 서로 상이할 수도 있다.
상기 삽입측 가장자리(121)는 상기 메모리 카드(100)가 소켓으로 삽입되는 쪽의 가장자리(edge)로서, 상기 메모리 카드(100)가 소켓 내로 삽입될 때 각 가장자리들(121, 123, 125, 127) 중 가장 먼저 소켓으로 진입되고, 상기 메모리 카드(100)가 소켓으로부터 인출될 때 각 가장자리들(121, 123, 125, 127) 중 가장 나중에 소켓으로부터 벗어난다. 상기 메모리 카드(100)가 상기 소켓 내부로 원활하게 진입하기 위하여 상기 삽입측 가장자리(121)의 폭은 소정의 여유 간격을 고려하여 결정될 수 있다.
상기 삽입측 가장자리(121)에 인접하여, 상기 메모리 카드(100) 내의 반도체 장치들과 호스트를 전기적으로 연결하기 위한 단자들이 배열될 수 있다. 상기 호스트는, 예를 들면, 휴대전화, 데스크탑 컴퓨터, 노트북 컴퓨터, 태블릿 PC, 게임기, 네비게이션 장치, 디지털 카메라 등일 수 있지만 본 발명이 이들에 한정되는 것은 아니다. 또한, 상기 메모리 카드(100)와 상기 호스트 사이에는 인터페이싱을 위한 어댑터가 개재될 수 있다.
[핀 배열 (pin arrangements)]
상기 단자들은 도 1에 도시된 바와 같이 2개의 열들로 배열될 수 있다. 즉, 기판(110)의 상기 삽입측 가장자리(121)에 인접하여 복수의 제 1 열 단자들(130) 및 복수의 제 2 열 단자들(140)이 배열될 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 메모리 카드(100)를 내부의 일부 부품들과 함께 나타낸 부분 투시도이다. 도 2에서는 하나의 비휘발성 메모리 소자(194)를 도시하였지만, 통상의 기술자는 둘 이상의 비휘발성 메모리 소자들이 실장될 수 있음을 이해할 것이다.
도 2를 참조하면, 상기 제 1 열 단자들(130)은 제 1 전압의 전원 단자(131)를 포함할 수 있으며, 상기 제 1 전압은, 예를 들면, 약 3.0 V 내지 약 3.5 V 사이의 값을 가질 수 있다. 상기 제 1 전압은 상기 메모리 카드(100) 내의 반도체 장치들 중 저속 동작을 하는 반도체 장치들에 공급될 수 있다. 예를 들면, 상기 제 1 전압은 상기 메모리 카드(100) 내의 비휘발성 메모리 소자들(194)에 공급될 수 있다.
상기 제 2 열 단자들(140)은 제 2 전압의 전원 단자(141)를 포함할 수 있으며, 상기 제 2 전압은, 예를 들면, 약 1.5 V 내지 약 2.2 V 사이의 값을 가질 수 있다. 상기 제 2 전압은 상기 메모리 카드(100) 내의 반도체 장치들 중 고속 동작을 하는 반도체 장치들에 공급될 수 있다. 예를 들면, 상기 제 2 전압은 상기 메모리 카드(100) 내의 메모리 컨트롤러(192)에 공급될 수 있다.
도 2에서는 상기 메모리 컨트롤러(192)와 제 2 전압의 전원 단자(141) 사이의 연결 배선 및 상기 비휘발성 메모리 소자(194)와 제 1 전압의 전원 단자(131) 사이의 연결 배선이 도시되었지만, 통상의 기술자는 각 구성 요소들 사이의 배선이 여기에 한정되지 않음을 이해할 것이다. 상기 메모리 컨트롤러(192)와 상기 비휘발성 메모리 소자(194)는 그 외의 다른 구성 요소들과도 다양한 방식으로 배선을 통해 연결될 수 있다.
본 실시예에서는 상기 제 1 열 단자들(130)이 상기 제 2 열 단자들(140)보다 상기 삽입측 가장자리(121)에 더 가까이 위치하기 때문에, 상기 제 2 열 단자들(140)보다 상기 제 1 열 단자들(130)에 먼저 전원이 공급될 수 있다. 다시 말해, 상기 메모리 카드(100)가 삽입됨에 따라 상기 제 1 열 단자들(130)에 포함된 제 1 전압의 전원 단자(131)를 통하여 제 1 전압의 전원이 비휘발성 메모리 소자들(194)에 미리 공급될 수 있다. 또, 접지 단자(133) 역시 미리 호스트 측과 연결됨으로써, 상기 메모리 컨트롤러(192)에 전원이 공급되기 전에 상기 메모리 카드(100) 전체를 동작시킬 수 있는 전원 및 접지 회로가 형성되어 전반적인 동작의 준비를 갖추게 된다.
또한, 상기 메모리 컨트롤러(192)는 고속으로 동작하기 때문에 상당한 열이 발생할 수 있고, 이러한 경우 열 방출이 문제될 수 있다. 도 2에 나타낸 실시예에서와 같이 메모리 컨트롤러(192)가 상기 제 2 전압의 전원 단자(141)에 근접하여 배치되는 경우, 상기 메모리 컨트롤러(192)에서 발생한 열이 상기 제 2 전압의 전원 단자(141) 및 상기 카드 디텍션 단자(143)를 통하여 신속하게 방출될 수 있다.
도 1을 다시 참조하면, 제 1 열 단자들(130)은 제 2 열 단자들(140)에 비하여 상대적으로 상기 삽입측 가장자리(121)에 더 가깝게 배열될 수 있다. 즉, 상기 제 2 열 단자들(140)은 상기 제 1 열 단자들(130)보다 상기 삽입측 가장자리(121)로부터 더 이격되어 배열될 수 있다.
도 1에서는 제 1 열 단자들(130)이 2개, 그리고 제 2 열 단자들이 10개인 것으로 도시되었지만, 단자들의 개수, 위치, 형상, 크기는 여기에 한정되지 않고 필요에 따라 달라질 수 있다. 또한 상기 단자들(130, 140) 중 일부 단자들은 SR층(solder resist layer)에 의하여 피복됨으로써 외부로 노출되지 않을 수 있다. 노출되지 않은 상기 일부 단자들은, 예를 들면, 테스트 단자들일 수 있다.
상기 제 1 열 단자들(130)과 상기 제 2 열 단자들(140)은 각각 하나 또는 그 이상의 그라운드 단자들을 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 제 1 열 단자들(130)은 접지 단자(133)를 가질 수 있다.
또한, 상기 제 2 열 단자들(140)은 접지 단자들(144)을 가질 수 있다. 또한 상기 제 2 열 단자들(140)은 한 쌍의 데이터 입력 단자들(145in) 및 한 쌍의 데이터 출력 단자들(145out)을 가질 수 있다. 도 1에서는 데이터 입력 단자들(145in)이 한 쌍의 데이터 출력 단자들(145out)보다 메모리 카드(100)의 중심 쪽에 위치하는 것으로 도시되었지만, 이들의 위치는 바뀔 수 있다.
상기 데이터 입력 단자들(145in)은 한 쌍의 접지 단자들(144a, 144b)에 의하여 전기적으로 쉴드(shield)될 수 있다. 또한 상기 데이터 출력 단자들(145out)은 한 쌍의 접지 단자들(144b, 144c)에 의하여 전기적으로 쉴드될 수 있다. 상기 쉴드에 의하여 보다 안정적으로 데이터를 입출력할 수 있게 된다.
또한 도 1에서 보는 바와 같이 상기 데이터 입력 단자들(145in)을 쉴드하기 위한 한 쌍의 접지 단자들(144a, 144b)과 상기 데이터 출력 단자들(145out)을 쉴드하기 위한 한 쌍의 접지 단자들(144b, 144c)은 하나의 접지 단자(144b)를 공유할 수 있다. 선택적으로, 데이터 입력 단자들(145in)을 쉴드하기 위한 한 쌍의 접지 단자들과 상기 데이터 출력 단자들(145out)을 쉴드하기 위한 한 쌍의 접지 단자들은 서로 공유되는 접지 단자를 갖지 않을 수 있다.
한 쌍의 상기 데이터 입력 단자들(145in)은 서로 동일한 치수를 가질 수 있다. 또, 한 쌍의 상기 데이터 출력 단자들(145out)은 서로 동일한 치수를 가질 수 있다. 또, 상기 데이터 입력 단자들(145in)과 상기 데이터 출력 단자들(145out)은 서로 동일한 치수를 가질 수 있다.
상기 삽입측 가장자리(121)에 수직인 방향(이하 ‘제 1 방향’이라 한다)에 있어서, 한 쌍의 상기 데이터 입력 단자들(145in)은 접지 단자들(144a, 144b)의 밖으로 벗어나지 않을 수 있다. 또, 상기 제 1 방향에 있어서, 한 쌍의 상기 데이터 출력 단자들(145out)은 접지 단자들(144b, 144c)의 밖으로 벗어나지 않을 수 있다.
상기 데이터 입력 단자들(145in)의 상기 제 1 방향의 길이는 상기 접지 단자들(144a, 144b)의 제 1 방향의 길이보다 짧을 수 있다. 특히, 상기 접지 단자들(144a, 144b)의 삽입측 가장자리(121) 쪽 선단(front end)은 상기 데이터 입력 단자들(145in)의 삽입측 가장자리(121) 쪽 선단보다 상기 삽입측 가장자리(121)에 더 가까울 수 있다.
상기 데이터 출력 단자들(145out)의 상기 제 1 방향의 길이는 상기 접지 단자들(144b, 144c)의 제 1 방향의 길이보다 짧을 수 있다. 특히, 상기 접지 단자들(144b, 144c)의 삽입측 가장자리(121) 쪽 선단은 상기 데이터 출력 단자들(145out)의 삽입측 가장자리(121) 쪽 선단보다 상기 삽입측 가장자리(121)에 더 가까울 수 있다.
상기 접지 단자들(144a, 144b, 144c)의 상기 선단에 대향하는 후단(rear end)들은 상기 데이터 입력 단자들(145in) 및 상기 데이터 출력 단자들(145out)의 후단들과 비교하여 상기 삽입측 가장자리(121)와의 거리가 더 크거나 같을 수 있다.
상기 제 2 열 단자들(140)은 상기 메모리 카드(100)의 중심부 또는 그 근방에 배치될 수 있다. 이와 같이 배치함으로써, 메모리 컨트롤러(192)와의 거리 및 비휘발성 메모리 소자(194)와의 거리가 단축되고, 또한 라우팅(routing)도 단순화될 수 있어 고속 동작 및 회로 설계의 편리성을 기할 수 있게 된다.
특히, 상기 제 2 전압의 전원 단자(141)가 상기 메모리 카드(100)의 중심부 또는 그 근방에 배치됨으로써, 메모리 컨트롤러가 메모리 카드(100)의 어디에 배치되든 비교적 가까운 거리를 유지할 수 있게 되어 전원의 공급 경로를 단축시킬 수 있다.
예를 들면, 상기 제 1 방향에 있어서, 상기 제 2 열 단자들(140)의 중심과 상기 메모리 카드(100)의 중심(M) 사이의 거리(d)는 상기 메모리 카드(100)의 제 1 방향의 길이(L)의 20% 이내일 수 있다. 여기서, 상기 제 2 열 단자들(140)은 제 1 방향으로 다양한 길이를 가질 수 있을 뿐만 아니라 선단(front end)과 후단(rear end)의 위치가 일정하지 않을 수 있으며, 상기 제 2 열 단자들(140)의 중심은 상기 데이터 입력 단자들(145in) 및 데이터 출력 단자들(145out) 중 상기 삽입측 가장자리(121)에 가장 가까운 단자의 중심으로 정의한다.
이와 같이 구성함으로써, 상기 메모리 컨트롤러(192) 및 비휘발성 메모리 소자들(194)이 어디에 배치되든 상기 데이터 입력 단자들(145in) 및 데이터 출력 단자들(145out)과의 거리가 최소화될 수 있어, 고속 동작이 가능하게 될 뿐만 아니라 설계의 자유도도 확보될 수 있다.
또한, 상기 제 1 방향에 있어서, 상기 제 2 열 단자들(140)은 상기 제 1 열 단자들(130)보다 상기 메모리 카드(100)의 중심(M)에 더 가까이 있을 수 있다. 상기 제 1 열 단자들(130)은 상기 제 2 열 단자들(140)보다 상기 삽입측 가장자리(121)에 더 가까이 위치될 수 있다.
상기 제 2 열 단자들(140)은 레퍼런스 클락 단자(145) 갖는다. 상기 레퍼런스 클락 단자(145)에는, 예를 들면, 약 26MHz의 주파수를 갖는 클락 시그널이 제공될 수 있다.
또한 상기 레퍼런스 클락 단자(145)의 일측에 상기 제 2 전압의 전원 단자(141)가 제공될 수 있다. 이와 같이 구성함으로써 상기 레퍼런스 클락 단자(145)는 접지 단자(144a) 및 상기 제 2 전압의 전원 단자(141)에 의하여 인접하는 단자, 예를 들면, 데이터 입출력 단자(145in, 145out)의 시그널 입출력으로부터 전기적으로 쉴딩될 수 있어 보다 안정적인 동작이 가능하게 된다.
또한, 상기 레퍼런스 클락 단자(145)는 고속 동작을 위하여 상기 메모리 컨트롤러(192)로부터의 거리가 최소화될 수 있다. 상기 메모리 컨트롤러(192)의 위치는 메모리 카드(100)의 설계에 따라 변경될 수 있기 때문에 상기 레퍼런스 클락 단자(145)는 가급적 상기 메모리 카드(100)의 중심 쪽에 위치하는 것이 유리할 수 있다. 이러한 견지에서 상기 레퍼런스 클락 단자(145)는 후술되는 카드 디텍션 단자(143)나 제 2 전압의 전원 단자(141)보다 상기 메모리 카드(100)의 중심 쪽에 배치될 수 있다.
상기 제 2 전압의 전원 단자(141)의 측방향에는 카드 디텍션 단자(143)가 배치될 수 있다. 상기 카드 디텍션 단자(143)는 호스트로 하여금 상기 메모리 카드(100)의 종류를 판단할 수 있도록 하기 위한 단자이다. 특히, 상기 카드 디텍션 단자(143)는 상기 메모리 카드(100)의 접지선에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 카드 디텍션 단자(143)로서 데이터 입출력 단자 대신 접지된 단자를 활용하고, 호스트로 하여금 카드 디텍션 단자(143) 위치의 소켓 단자로부터 접지 신호를 받아 카드의 종류를 판단하도록 함으로써, 카드 종류의 인식에 있어 정확도가 현저히 높아 인식 오류가 줄어들 뿐만 아니라, 카드의 종류를 인식하기 위한 데이터 입출력 과정도 생략될 수 있어 인식의 속도도 빠르게 될 수 있다.
도 1에서는 카드 디텍션 단자(143)가 제 2 열 단자들(140) 중 제 1 가장자리(123) 쪽에 가장 가까이 배치되고, 그 측방향에 제 2 전압의 전원 단자(141)가 배치되는 것으로 도시하였지만, 상기 카드 디텍션 단자(143)와 상기 제 2 전압의 전원 단자(141)는 서로 바뀔 수도 있다.
상기 제 2 열 단자들(140)의 측방향에는 상어 지느러미(shark’s fin)를 닮은 측방향 돌출부가 제공될 수 있다. 상기 측방향 돌출부의 형태에 대해서는 뒤에서 보다 상세하게 설명한다.
상기 측방향 돌출부 내에는 수동 소자(170)가 제공될 수 있다. 상기 수동 소자(170)는, 예를 들면, 저항(resistor), 커패시터(capacitor), 인덕터(inductor), 써미스터(thermistor), 오실레이터(oscillator), 페라이트 비드(ferrite bead), 안테나(antenna), 배리스터(varistor), 및 크리스탈(crystal) 중에서 선택되는 하나 이상일 수 있다. 그러나, 여기에 한정되는 것은 아니며 다른 임의의 수동 소자도 될 수 있다.
보다 우수한 품질의 전원을 공급하기 위하여 전원의 입력단은 커패시터를 통하여 병렬적으로 접지될 수 있다. 따라서, 상기 수동 소자(170)는, 특히 커패시터일 수 있으며, 상기 수동 소자(170)의 일단은 상기 카드 디텍션 단자(143)과 연결되고, 또한 상기 수동 소자(170)의 타단은 상기 제 2 전압의 전원 단자(141)와 연결될 수 있다.
도 3은 상기 수동 소자(170), 카드 디텍션 단자(143) 및 상기 제 2 전압의 전원 단자(141)의 연결 관계를 나타낸 등가 회로도이다.
도 3을 참조하면, 상기 제 2 전압의 전원 단자(141)는 내부 회로에 연결되어 제 2 전압의 전원을 공급할 수 있으며, 병렬적으로 커패시터인 수동 소자(170)와 연결될 수 있다. 또한 상기 수동 소자(170)의 타단은 접지될 수 있다.
상기 접지를 위하여 카드 디텍션에 활용되는 접지 단자인 카드 디텍션 단자(143)가 활용될 수 있다. 상기 접지를 위하여 별도의 접지단으로 라우팅할 필요가 없기 때문에 전체적인 라우팅이 단순화될 수 있다.
나아가, 커패시터와 같은 수동 소자(170)를 상기 측방향 돌출부 내에 수용함으로써 메모리 카드(100)의 전체 면적을 효율적으로 사용할 수 있다. 또한, 수동 소자(170)의 일단에 접지 단자로서 접속되는 카드 디텍션 단자(143)와 수동 소자(170)의 타단에 접속되는 제 2 전압의 전원 단자(141)가 상기 수동 소자(170)에 인접하여 제공됨으로써 라우팅이 쉬워질 뿐만 아니라 가까운 거리에 배열되기 때문에 안정적이면서 보다 우수한 품질의 전원 공급이 가능하게 된다.
다시 도 1을 참조하면, 상기 제 2 전압의 전원 단자(141)는 상기 카드 디텍션 단자(143)와 크기, 모양 및 위치가 상이할 수 있다.
특히, 상기 제 2 전압의 전원 단자(141)의 삽입측 가장자리 쪽의 선단의 위치와 상기 카드 디텍션 단자(143)의 삽입측 가장자리 쪽의 선단의 위치가 상이할 수 있다. 도 1에서 보는 바와 같이 상기 제 2 전압의 전원 단자(141)의 삽입측 가장자리 쪽의 선단의 위치가 상기 카드 디텍션 단자(143)의 삽입측 가장자리 쪽의 선단의 위치보다 상기 삽입측 가장자리(121)에 더 가까울 수 있다.
만일, 상기 복수의 제 2 열 단자들(140)과 접속되는, 호스트 쪽의 소켓 단자들이 수평 방향으로 평행하게 배열된다면, 상기 메모리 카드(100)의 삽입시 선단이 상기 삽입측 가장자리(121)에 더 가까운 상기 제 2 전압의 전원 단자(141)가 상기 카드 디텍션 단자(143)보다 소켓 단자와 먼저 접촉하게 된다.
그 결과 메모리 컨트롤러(192, 도 2 참조)에 미리 전원이 공급되고, 호스트 측의 메모리 카드의 종류 인식에 앞서 미리 메모리 카드를 부팅할 수 있게 되므로, 신속한 동작이 가능할 수 있다.
또한, 도 2에 나타낸 바와 같이 상기 제 2 전압의 전원 단자(141)의 제 1 방향에 어떠한 단자도 형성되어 있지 않다. 다시 말해, 상기 제 1 열 단자들(130) 중의 어느 것도 같이 상기 제 2 전압의 전원 단자(141)의 제 1 방향에는 배치되지 않는다. 그렇기 때문에, 상기 메모리 카드(100)가 삽입될 때 상기 제 2 전압의 전원 단자(141)에 대응되는 소켓 단자가 메모리 카드(100)의 다른 단자와 불필요하게 접촉하지 않게 되므로 시그널 패드에 불필요한 노이즈가 발생하는 것이 방지될 수 있다.
도 4a 내지 도 4e는 본 발명의 실시예들에 따른 메모리 카드들(100a, 100b, 100c, 100d, 100e)을 나타낸 개략도이다.
도 4a를 참조하면, 제 2 전압의 전원 단자(141)와 카드 디텍션 단자(143a)의 제 1 방향의 길이들이 서로 동일하다. 또한, 상기 제 2 전압의 전원 단자(141)와 카드 디텍션 단자(143a)의 삽입측 가장자리(121) 쪽의 선단의 위치가 동일하다. 바꾸어 말하면, 상기 삽입측 가장자리(121)와 상기 카드 디텍션 단자(143a)의 선단부 사이의 거리는 상기 삽입측 가장자리(121)와 상기 제 2 전압의 전원 단자(141)의 선단부 사이의 거리와 동일하다.
상기 제 2 전압의 전원 단자(141)와 카드 디텍션 단자(143a)를 도 4a와 같이 구성하는 경우, 제 2 전압의 전원단자(141)와 카드 디텍션 단자(143a)가 소켓 단자들과 동시에 접촉될 수 있고, 또한 접지 단자인 카드 디텍션 단자(143a)와 다른 접지 단자들(144)이 소켓 단자들과 동시에 접촉될 수 있기 때문에 노이즈에 의한 단자간 상호 간섭이 최소화될 수 있다. 나아가, 상기 카드 디텍션 단자(143a)의 후단(rear end)의 위치가 상기 제 2 전압의 전원 단자(141)의 후단의 위치로 후퇴하기 때문에 상기 카드 디텍션 단자(143a)가 그에 대응되는 소켓 단자를 벗어나는 초과 이동(overtravel)이 최소화될 수 있다.
도 4b를 참조하면, 제 2 전압의 전원 단자(141)의 제 1 방향의 길이보다 상기 카드 디텍션 단자(143b)의 제 1 방향의 길이가 더 크다. 또한, 상기 삽입측 가장자리(121)와 상기 카드 디텍션 단자(143b)의 선단부 사이의 거리는 상기 삽입측 가장자리(121)와 상기 제 2 전압의 전원 단자(141)의 선단부 사이의 거리와 동일하다.
상기 제 2 전압의 전원 단자(141)와 카드 디텍션 단자(143b)를 도 4b와 같이 구성하는 경우, 제 2 전압의 전원단자(141)와 카드 디텍션 단자(143b)가 소켓 단자들과 동시에 접촉될 수 있고, 또한 접지 단자인 카드 디텍션 단자(143b)와 다른 접지 단자들(144)이 소켓 단자들과 동시에 접촉될 수 있기 때문에 노이즈에 의한 단자간 상호 간섭이 최소화될 수 있다. 나아가, 상기 카드 디텍션 단자(143b)의 후단(rear end)의 위치가 상기 제 2 전압의 전원 단자(141)의 후단보다 더 뒤로 후퇴하기 때문에 상기 카드 디텍션 단자(143b)가 그에 대응되는 소켓 단자를 벗어나는 초과 이동(overtravel)이 더욱 최소화될 수 있다.
도 4c를 참조하면, 제 2 전압의 전원 단자(141)의 제 1 방향의 길이보다 상기 카드 디텍션 단자(143c)의 제 1 방향의 길이가 더 작다. 또한, 상기 삽입측 가장자리(121)와 상기 카드 디텍션 단자(143c)의 선단부 사이의 거리는 상기 삽입측 가장자리(121)와 상기 제 2 전압의 전원 단자(141)의 선단부 사이의 거리와 동일하다.
또, 상기 삽입측 가장자리(121)와 상기 카드 디텍션 단자(143c)의 후단부 사이의 거리는 상기 삽입측 가장자리(121)와 상기 제 2 전압의 전원 단자(141)의 후단부 사이의 거리보다 작다.
상기 제 2 전압의 전원 단자(141)와 카드 디텍션 단자(143c)를 도 4c와 같이 구성하는 경우, 제 2 전압의 전원단자(141)와 카드 디텍션 단자(143c)가 소켓 단자들과 동시에 접촉될 수 있고, 또한 접지 단자인 카드 디텍션 단자(143c)와 다른 접지 단자들(144)이 소켓 단자들과 동시에 접촉될 수 있기 때문에 노이즈에 의한 단자간 상호 간섭이 최소화될 수 있다.
도 4d를 참조하면, 제 2 전압의 전원 단자(141)의 제 1 방향의 길이보다 상기 카드 디텍션 단자(143d)의 제 1 방향의 길이가 더 크다. 또한, 상기 삽입측 가장자리(121)와 상기 카드 디텍션 단자(143d)의 선단부 사이의 거리는 상기 삽입측 가장자리(121)와 상기 제 2 전압의 전원 단자(141)의 선단부 사이의 거리보다 짧다.
또, 상기 삽입측 가장자리(121)와 상기 카드 디텍션 단자(143d)의 후단부 사이의 거리는 상기 삽입측 가장자리(121)와 상기 제 2 전압의 전원 단자(141)의 후단부 사이의 거리와 동일하다.
상기 제 2 전압의 전원 단자(141)와 카드 디텍션 단자(143d)를 도 4d와 같이 구성하는 경우, 카드 디텍션 단자(143d)가 우선적으로 소켓 단자들과 접촉함으로써 호스트가 카드 인식을 수행할 수 있기 때문에 호스트 측의 신속한 대응이 가능할 수 있다.
나아가, 상기 카드 디텍션 단자(143d)의 후단의 위치가 상기 제 2 전압의 전원 단자(141)의 후단의 위치로 후퇴하기 때문에 상기 카드 디텍션 단자(143d)가 그에 대응되는 소켓 단자를 벗어나는 초과 이동이 최소화될 수 있다.
도 4e를 참조하면, 제 2 전압의 전원 단자(141)의 제 1 방향의 길이보다 상기 카드 디텍션 단자(143e)의 제 1 방향의 길이가 더 크다. 또한, 상기 삽입측 가장자리(121)와 상기 카드 디텍션 단자(143e)의 선단부 사이의 거리는 상기 삽입측 가장자리(121)와 상기 제 2 전압의 전원 단자(141)의 선단부 사이의 거리보다 짧다.
또, 상기 삽입측 가장자리(121)와 상기 카드 디텍션 단자(143e)의 후단부 사이의 거리는 상기 삽입측 가장자리(121)와 상기 제 2 전압의 전원 단자(141)의 후단부 사이의 거리보다 크다.
상기 제 2 전압의 전원 단자(141)와 카드 디텍션 단자(143e)를 도 4e와 같이 구성하는 경우, 카드 디텍션 단자(143e)가 우선적으로 소켓 단자들과 접촉함으로써 호스트가 카드 인식을 수행할 수 있기 때문에 호스트 측의 신속한 대응이 가능할 수 있다.
나아가, 상기 카드 디텍션 단자(143e)의 후단(rear end)의 위치가 상기 제 2 전압의 전원 단자(141)의 후단보다 더 뒤로 후퇴하기 때문에 상기 카드 디텍션 단자(143e)가 그에 대응되는 소켓 단자를 벗어나는 초과 이동이 더욱 최소화될 수 있다.
이상에서 살펴본 바와 같이 각 단자들의 길이와 위치를 조정함으로써 메모리 카드(100, 100a, 100b, 100c, 100d, 100e)에 대하여 다양한 효과가 얻어질 수 있다. 통상의 기술자는 이상에서 설명한 내용에 기초하여 다른 효과들을 얻을 수 있도록 각 단자들의 길이, 위치, 모양 등을 조절할 수 있을 것이다.
[이중 샥스핀 (double shark’s fin) 구조]
도 5a 내지 도 5c는 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 메모리 카드(100)의 정면도, 좌측면도, 및 배면도이고, 도 6a 내지 도 6c는 상기 메모리 카드(100)의 구성을 보다 상세하게 설명하기 위한 보조 도면들이다. 도 5a 내지 도 5c의 실시예에 따른 메모리 카드(100)는 도 1의 실시예에 따른 메모리 카드(100)와 동일하며, 도 5a 내지 도 5c에 표시된 치수들의 명확성을 해치지 않기 위하여 참조번호는 도 1에 표시된 것을 참조한다.
도 1 및 도 5a 내지 도 5c를 참조하면, 상기 메모리 카드(100)는 2 쌍의 대향하는 가장자리들(121, 123, 125, 127)을 갖는다. 상기 메모리 카드(100)의 상기 2 쌍의 대향하는 가장자리들(121, 123, 125, 127)은 삽입측 가장자리(121)와 그에 이웃하는 제 1 가장자리(123) 및 제 2 가장자리(125), 그리고 상기 삽입측 가장자리(121)에 대향하여 평행하게 연장되는 제 3 가장자리(127)를 포함한다. 앞서 설명한 바와 같이 상기 제 2 가장자리(125)는 상기 삽입측 가장자리(121)와 수직인 방향으로 연장될 수 있다.
상기 제 1 가장자리(123)는 다양한 형태를 가질 수 있으며, 도 1, 도 5a 및 도 5c에 도시한 바와 같이 상어 지느러미(shark’s fin)에 유사한 돌출부를 2 개 포함할 수 있다.
상기 제 1 가장자리(123)는 상기 제 2 가장자리(125)와 평행하게 연장되는 제 1 부분(123a), 상기 제 1 부분에 인접하는 제 1 오목부(123b), 상기 제 1 오목부(123b)에 인접하는 제 1 볼록부(123c), 상기 제 1 볼록부(123c)에 인접하는 제 2 오목부(123d) 및 상기 제 2 오목부(123d)에 인접하는 제 2 볼록부(123e)를 포함할 수 있다.
여기서 각 부분들이 인접한다는 의미는 인접하는 두 부분이 직접 연결되어 있음은 물론, 인접하는 두 부분 사이에 다른 부분을 개재하여 연속되는 것도 포함하는 것으로 정의한다. 또한, 여기서 상기 제 1 가장자리(123)의 어느 세그먼트가 ‘오목’하다는 것은, 그 세그먼트 내의 임의의 두 점을 직선으로 이었을 때 그 직선이 메모리 카드 밖에 존재하면 오목한 것으로 정의한다. 반대로, 여기서 상기 제 1 가장자리(123)의 어느 세그먼트가 ‘볼록’하다는 것은, 그 세그먼트 내의 임의의 두 점을 직선으로 이었을 때 그 직선이 메모리 카드 위에 존재하면 볼록한 것으로 정의한다.
도 1과 도 5a를 참조하면, 제 1 오목부(123b) 및 제 2 오목부(123d)는 각각 상기 제 2 가장자리(123)의 메모리 카드(100) 반대쪽에 중심을 갖는 원호를 자신의 일부로서 포함할 수 있다.
또한 제 1 볼록부(123c) 및 제 2 볼록부(123e)는 각각 상기 제 2 가장자리(123)의 메모리 카드(100) 쪽에 중심을 갖는 원호를 자신의 일부로서 포함할 수 있다.
제 1 가장자리(123)의 각 부분을 보다 상세하게 살펴보기 위하여 도 6a를 참조하면, 상기 제 1 가장자리(123)는 제 2 가장자리(125)와 평행하게 연장되는 제 1 부분(123a)을 가질 수 있다. 상기 제 1 부분(123a)은 상기 메모리 카드(100)가 삽입되어 결합되는 래치 구조의 위치에 따라 그 길이가 결정될 수 있으며, 예를 들면, 상기 제 1 부분(123a)의 길이는 상기 메모리 카드(100)의 제 1 방향의 길이의 약 20% 내지 약 40%일 수 있다.
또한 상기 제 1 가장자리(123)는 상기 제 1 부분(123a)에 인접하여 제 1 오목부(123b)를 가질 수 있다. 상기 제 1 오목부(123b)는 그 위에서 선택된 임의의 두 점을 직선으로 이었을 때 그 두 점 사이의 직선이 상기 메모리 카드(100)의 외부에 존재한다.
상기 제 1 오목부(123b)는 원호를 자신의 일부로서 가질 수 있다. 선택적으로, 상기 제 1 오목부(123b)는 그 전체가 하나의 원호일 수 있다. 그러나, 상기 제 1 오목부(123b)가 반드시 하나의 원호일 필요는 없고, 하나의 원호와 다른 곡선부의 조합일 수도 있고, 둘 이상의 원호들의 조합일 수도 있다.
도 5a에서는 상기 제 1 오목부(123b)가 반지름 0.80의 원호를 자신의 일부로서 포함하는 것이 도시되어 있지만 여기에 한정되는 것은 아니다.
상기 제 1 가장자리(123)는 상기 제 1 오목부(123b)에 인접하여 제 1 볼록부(123c)를 가질 수 있다. 상기 제 1 볼록부(123c)는 그 위에서 선택된 임의의 두 점을 직선으로 이었을 때 그 두 점 사이의 직선이 상기 메모리 카드(100)의 위에 존재한다.
상기 제 1 볼록부(123c)는 원호를 자신의 일부로서 가질 수 있다. 선택적으로, 상기 제 1 볼록부(123c)는 그 전체가 하나의 원호일 수 있다. 그러나, 상기 제 1 볼록부(123c)가 반드시 하나의 원호일 필요는 없고, 하나의 원호와 다른 곡선부의 조합일 수도 있고, 둘 이상의 원호들의 조합일 수도 있다.
도 5a에서는 상기 제 1 볼록부(123c)가 반지름 3.20의 원호를 자신의 일부로서 포함하는 것이 도시되어 있지만 여기에 한정되는 것은 아니다.
또, 도 6a에서는 상기 제 1 오목부(123b)와 상기 제 1 볼록부(123c)가 직접 연결되어 있는 것으로 도시되었지만, 그 사이에 직선부가 더 개재될 수도 있다.
상기 제 1 가장자리(123)는 상기 제 1 볼록부(123c)에 인접하여 제 2 오목부(123d)를 가질 수 있다. 상기 제 2 오목부(123d)도 그 위에서 선택된 임의의 두 점을 직선으로 이었을 때 그 두 점 사이의 직선이 상기 메모리 카드(100)의 외부에 존재한다.
상기 제 2 오목부(123d)는 원호를 자신의 일부로서 가질 수 있다. 선택적으로, 상기 제 2 오목부(123d)는 그 전체가 하나의 원호일 수 있다. 그러나, 상기 제 2 오목부(123d)가 반드시 하나의 원호일 필요는 없고, 하나의 원호와 다른 곡선부의 조합일 수도 있고, 둘 이상의 원호들의 조합일 수도 있다.
도 5a에서는 상기 제 2 오목부(123d)가 반지름 0.90 및 반지름 0.40의 원호들을 자신의 일부로서 포함하는 것이 도시되어 있지만 여기에 한정되는 것은 아니다.
상기 제 1 가장자리(123)는 상기 제 2 오목부(123d)에 인접하여 제 2 볼록부(123e)를 가질 수 있다. 상기 제 2 볼록부(123e)는 그 위에서 선택된 임의의 두 점을 직선으로 이었을 때 그 두 점 사이의 직선이 상기 메모리 카드(100)의 위에 존재한다.
상기 제 2 볼록부(123e)는 원호를 자신의 일부로서 가질 수 있다. 선택적으로, 상기 제 2 볼록부(123e)는 그 전체가 하나의 원호일 수 있다. 그러나, 상기 제 2 볼록부(123e)가 반드시 하나의 원호일 필요는 없고, 하나의 원호와 다른 곡선부의 조합일 수도 있고, 둘 이상의 원호들의 조합일 수도 있다.
도 5a에서는 상기 제 2 볼록부(123e)가 반지름 14.00의 원호를 자신의 일부로서 포함하는 것이 도시되어 있지만 여기에 한정되는 것은 아니다.
또, 상기 제 1 가장자리(123)는 도 6a에서 도시된 바와 같이 상기 제 2 오목부(123d)와 상기 제 2 볼록부(123e) 사이에 상기 제 2 가장자리(125)와 평행하게 연장되는 제 2 부분(123f)을 포함할 수 있다. 상기 제 2 부분(123f)는 직선으로 연장될 수 있다. 상기 제 2 부분(123f)의 길이는 상기 메모리 카드(100)의 제 1 방향의 길이의 약 0.1% 내지 약 10%일 수 있다.
도 6b와 도 6c는 각 볼록부 및 오목부에 포함된 원호들을 나타내기 위한 보조 도면들이다.
도 5a 및 도 6b를 참조하면, 제 1 가장자리(123)의 일부를 이루는 제 1 볼록부(123c), 제 2 오목부(123d) 및 제 2 볼록부(123e)는 각각 제 1 원호부(arc1), 제 2 원호부(arc2) 및 제 3 원호부(arc3)를 자신의 일부로서 포함할 수 있다.
상기 제 1 볼록부(123c)에 포함된 상기 제 1 원호부(arc1)의 곡률 반경 r1은 상기 제 2 오목부(123d)에 포함된 상기 제 2 원호부(arc2)의 곡률 반경 r2보다 더 클 수 있다. 상기 제 1 볼록부(123c)는 상이한 곡률 반경들을 갖는 둘 이상의 원호부들을 포함할 수 있다. 또, 상기 제 2 오목부(123d)는 상이한 곡률 반경들을 갖는 둘 이상의 원호부들을 포함할 수 있다.
상기 제 1 원호부(arc1)의 곡률 중심은 상기 메모리 카드(100)의 위에 존재할 수 있다. 즉, 상기 제 1 원호부(arc1)의 곡률 중심은 상기 제 1 가장자리(123)를 기준으로 상기 메모리 카드(100)와 같은 쪽에 위치할 수 있다
또한 상기 제 2 원호부(arc2)의 곡률 중심은 상기 메모리 카드(100)의 외부에 존재할 수 있다. 특히, 상기 제 2 원호부(arc2)의 곡률 중심은 상기 제 1 가장자리(123)를 기준으로 상기 메모리 카드(100)의 반대 쪽에 위치할 수 있다.
상기 제 1 원호부(arc1)의 곡률 반경은 상기 제 2 원호부(arc2)의 곡률 반경의 약 3 배 내지 약 10배일 수 있다. 또한, 상기 제 1 원호부(arc1)의 곡률 반경은 상기 메모리 카드(100)의 상기 제 1 방향의 길이의 약 10% 내지 약 30%일 수 있다. 또, 상기 제 제 2 원호부(arc2)의 곡률 반경은 상기 메모리 카드(100)의 상기 제 1 방향의 길이의 약 2% 내지 약 15%일 수 있다.
상기 제 2 볼록부(123e)에 포함된 상기 제 3 원호부(arc3)의 곡률 반경 r3은 상기 제 1 볼록부(123c)에 포함된 상기 제 1 원호부(arc1)의 곡률 반경 r1 및 상기 제 2 오목부(123d)에 포함된 상기 제 2 원호부(arc2)의 곡률 반경 r2보다 더 클 수 있다. 상기 제 2 볼록부(123e)는 상이한 곡률 반경들을 갖는 둘 이상의 원호부들을 포함할 수 있다.
도 5a 및 도 6b에 나타낸 바와 같이, 상기 제 3 원호부(arc3)의 곡률 중심은 상기 메모리 카드(100)의 외부에 존재할 수 있다. 선택적으로, 제 2 볼록부(123e’)의 제 3 원호부(arc3)의 곡률 중심은 도 6c에 나타낸 바와 같이 상기 메모리 카드(100)의 위에 존재할 수 있다. 또한, 상기 제 3 원호부(arc3)의 곡률 중심은 상기 제 1 가장자리(123)를 기준으로 상기 메모리 카드(100)와 같은 쪽에 위치할 수 있다
상기 제 3 원호부(arc3)의 곡률 반경은 상기 제 1 원호부(arc1)의 곡률 반경의 약 3배 내지 약 8배일 수 있다. 또한, 상기 제 3 원호부(arc3)의 곡률 반경은 상기 메모리 카드(100)의 상기 제 1 방향의 길이의 약 70% 내지 약 200%일 수 있다.
도 6a를 참조하면, 상기 제 1 볼록부(123c)의 외연의 길이는 상기 제 1 가장자리(123) 전체의 외연의 길이의 약 10% 내지 약 30%일 수 있다. 또, 상기 제 2 오목부(123d)의 외연의 길이는 상기 제 1 가장자리(123) 전체의 외연의 길이의 약 3% 내지 약 10%일 수 있다. 또, 상기 제 2 볼록부(123e)의 외연의 길이는 상기 제 1 가장자리(123) 전체의 외연의 길이의 약 20% 내지 약 50%일 수 있다.
도 6a에서는 제 1 가장자리(123) 전체의 외연의 길이는 상기 제 1 부분(123a), 제 1 오목부(123b), 제 1 볼록부(123c), 제 2 오목부(123d), 제 2 부분(123f), 및 제 2 볼록부(123e)의 길이의 합일 수 있다.
도 5a와 도 6a를 함께 참조하면, 상기 제 1 오목부(123b)는 제 4 원호부(arc4)를 자신의 일부로서 포함할 수 있다. 상기 제 1 오목부(123b)에 포함된 상기 제 4 원호부(arc4)의 곡률 반경 r4는 상기 제 1 볼록부(123c)에 포함된 상기 제 1 원호부(arc1)의 곡률 반경 r1보다 더 작을 수 있다. 상기 제 1 오목부(123b)는 상이한 곡률 반경들을 갖는 둘 이상의 원호부들을 포함할 수 있다.
또한 상기 제 4 원호부(arc4)의 곡률 중심은 상기 메모리 카드(100)의 외부에 존재할 수 있다. 특히, 상기 제 4 원호부(arc4)의 곡률 중심은 상기 제 1 가장자리(123)를 기준으로 상기 메모리 카드(100)의 반대 쪽에 위치할 수 있다.
상기 제 4 원호부(arc4)의 곡률 반경은 상기 제 1 원호부(arc1)의 곡률 반경의 약 0.1배 내지 약 0.5배일 수 있다. 또한, 상기 제 4 원호부(arc4)의 곡률 반경은 상기 메모리 카드(100)의 상기 제 1 방향의 길이의 약 2% 내지 약 5%일 수 있다.
또한, 상기 제 1 가장자리(123)는 상기 제 1 원호부(arc1)와 상기 제 2 원호부(arc2) 사이에 곡선인 세그먼트를 더 포함할 수 있다. 상기 곡선 세그먼트는 제 5 원호부(arc)를 자신의 일부로서 가질 수 있다. 상기 곡선 세그먼트는 그 전체가 하나의 원호일 수 있다. 그러나, 상기 곡선 세그먼트가 반드시 하나의 원호일 필요는 없고, 하나의 원호와 다른 곡선부의 조합일 수도 있고, 둘 이상의 원호들의 조합일 수도 있다.
상기 제 1 가장자리(123)는 상기 제 1 볼록부(123c)의 일부 및 상기 제 2 오목부(123d)에 의하여 형성되는 제 1 노치부(150)를 가질 수 있다. 상기 제 2 원호부(arc2)는 상기 제 1 노치부(150)의 일부를 이룰 수 있다. 상기 제 1 노치부(150)는 상기 메모리 카드(100)가 소켓 내에 삽입되었을 때 상기 메모리 카드(100)가 소켓에 고정될 수 있도록 작용할 수 있다.
또한, 상기 메모리 카드(100)는 상기 제 3 가장자리(127)의 어느 일 단에 제 2 노치부(152)를 포함할 수 있다. 도 2 및 도 5c에서는 상기 제 2 노치부(152)가 상기 제 1 가장자리(123)와 상기 제 3 가장자리(127) 사이에 제공된 것으로 도시되었지만, 상기 제 2 노치부(152)는 상기 제 2 가장자리(125)와 상기 제 3 가장자리(127) 사이에 제공될 수도 있다.
특히, 상기 제 2 노치부(152)는 상기 제 3 원호부(arc3)와 상기 제 3 가장자리(127) 사이에 제공될 수 있다. 상기 제 2 노치부(152)는 도 2 및 도 5c에 도시된 바와 같이 L자 형태로 리세스되어 있을 수 있다. 상기 제 2 노치부(152)는 제 6 원호부(arc6)를 포함할 수 있다.
도 5a 및 도 5b를 참조하면, 상기 메모리 카드(100)의 일 표면에 인출 보조부(160)가 형성되어 있을 수 있다. 상기 인출 보조부(160)는 메모리 카드(100)가 소켓에 삽입된 후 이를 소켓으로부터 인출하고자 할 때 용이하게 인출할 수 있도록 할 수 있다. 상기 인출 보조부(160)는 상기 메모리 카드(100)의 표면으로부터 돌출된 형태를 가질 수 있다. 또한 상기 인출 보조부(160)는 상기 제 3 가장자리(127)에 인접하여 형성될 수 있다.
이 때 상기 인출 보조부(160)의 측면들 중에서 상기 제 3 가장자리(127)의 반대쪽 측면은 그 수평방향의 중심부가 제 3 가장자리를 향하여 오목하도록 구성될 수 있다. 특히, 상기 인출 보조부(160)는 상기 제 3 가장자리(127)를 따라 상기 변화하는 폭을 가지면서 연장되는데, 상기 제 3 가장자리(127)의 가운데에서 상기 인출 보조부(160)의 폭이 가장 좁을 수 있다. 또한 상기 인출 보조부(160)의 폭은 상기 메모리 카드(100)의 양 쪽 끝에서 최대값을 가질 수 있다. 다시 말해, 상기 인출 보조부(160)의 폭은 상기 제 1 가장자리(123) 및 제 2 가장자리(125)와 인접하는 부분에서 최대의 폭을 가질 수 있다. 상기 인출 보조부(160)의 폭은 상기 제 3 가장자리(127)의 가운데로부터 상기 제 3 가장자리(127)의 양 쪽 단부로 가면서 점진적으로 커질 수 있다. 이와 같이 구성함으로써 메모리카드(100)를 인출할 때 손가락과의 접촉 정합성이 증대되어 보다 편리하게 인출하는 것이 가능하다.
또한 도 5a에서 보는 바와 같이 상기 인출 보조부(160)는 상기 제 2 열 단자들(140)이 형성된 면의 반대쪽 표면에 형성될 수 있다. 나아가, 상기 인출 보조부(160)의 내부에는 수동소자(170)가 제공될 수 있다. 상기 수동 소자(170)에 대해서는 위에서 상세히 설명하였으므로, 여기서는 추가적인 설명을 생략한다.
도 5b 및 도 5c를 참조하면, 상기 삽입측 가장자리(121)는 챔퍼(chamfer)되어 있을 수 있다. 상기 삽입측 가장자리(121)는 상기 메모리 카드(100)의 폭에 걸쳐서 챔퍼되어 있을 수 있다. 상기 챔퍼된 부분에 의하여 상기 메모리 카드(100)의 삽입이 보다 용이하게 이루어질 수 있다.
도 5c 및 도 6a에서 보는 바와 같이, 제 1 볼록부(123c)는 제 2 오목부(123d)와 함께 상기 제 1 가장자리(123)에 돌출부를 구성할 수 있다. 상기 제 1 볼록부(123c)의 측방향으로, 보다 구체적으로는 제 1 원호부(arc1)의 측방향으로 제 2 열 단자들(140)이 제공될 수 있다. 또한, 상기 돌출부 내에는 수동 소자가 제공될 수 있으며, 상기 수동 소자는 상기 제 2 열 단자들(140) 중의 적어도 하나와 전기적으로 연결될 수 있다.
또한, 위에서 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한 바와 같이, 상기 제 2 열 단자들(140)은 카드 디텍션 단자(143) 및 제 2 전압의 전원 단자(141)를 포함할 수 있다. 나아가, 상기 카드 디텍션 단자(143) 및 제 2 전압의 전원 단자(141)는 상기 수동 소자(170)를 개재하여 서로 회로적으로 연결될 수 있다.
[소켓 결합 구조]
도 7은 본 발명의 일부 실시예들에 따른 메모리 카드를 이용한 시스템(200)을 보여주는 개략도이다.
도 7을 참조하면, 상기 시스템(200)은 소켓(220), 전술한 실시예들을 참조하여 설명된 메모리 카드(100), 카드 인터페이스 제어기(230) 및 호스트 또는 외부 장치(240)를 포함한다. 소켓(220)은 삽입이 가능하고 메모리 카드(100)와 접촉되도록 제공될 수 있다. 소켓(220)은 예를 들어 도 1, 도 4a 내지 도 4e, idZ 도 5a 내지 도 5c에 도시된 메모리 카드(100, 100a, 100b, 100c, 100d, 100e)의 제 1 열 단자들(130) 및 제 2 열 단자들(140)에 전기적으로 연결되도록 구성될 수 있다. 카드 인터페이스 제어기(230)는 소켓(220)을 통해서 메모리 카드(100)와의 데이터 교환을 제어할 수 있다. 카드 인터페이스 제어기(230)는 또한 메모리 카드(100) 내에 데이터를 저장하기 위해서 이용될 수 있다. 호스트(240)는 카드 인터페이스 제어기(230)를 제어할 수 있다.
도 8은 메모리 카드(100)와의 전기적 연결을 고려하여 도 7의 소켓(220)을 보다 상세하게 나타낸 개략도이다.
도 8을 참조하면, 위에서 설명한 메모리 카드(100, 100a, 100b, 100c, 100d, 100e)가 삽입될 수 있는 소켓(220)이 제공된다.
상기 소켓(220)은 상기 메모리 카드(100, 100a, 100b, 100c, 100d, 100e)의 제 1 열 단자들(130)에 대응되는 제 1 열 대응 소켓 단자들(221), 상기 메모리 카드(100, 100a, 100b, 100c, 100d, 100e)의 제 2 열 단자들(140)에 대응되는 제 2 열 대응 소켓 단자들(222) 및 상기 제 1 열 대응 소켓 단자들(221) 및 제 2 열 대응 소켓 단자들(222)을 수용할 수 있는 하우징(223)을 포함할 수 있다.
상기 메모리 카드(100, 100a, 100b, 100c, 100d, 100e)는 상기 하우징(223) 내로 삽입되어 상기 제 1 열 대응 소켓 단자들(221) 및 제 2 열 대응 소켓 단자들(222)과 접촉함으로써 동작될 수 있다.
도 7을 참조하여 설명한 바와 같이 상기 소켓(220)은 제 1 열 대응 소켓 단자들(221) 및 제 2 열 대응 소켓 단자들(222)에 전원, 신호 및/또는 데이터를 입출력할 수 있는 카드 인터페이스 제어기(230)와 전기적으로 연결될 수 있다.
삽입된 메모리 카드(100, 100a, 100b, 100c, 100d, 100e)의 대응되는 특정 단자가 접지 단자이면 삽입된 메모리 카드(100, 100a, 100b, 100c, 100d, 100e)를 제 1 유형의 카드로 인식하고, 상기 특정 단자가 접지 단자가 아니면 삽입된 메모리 카드(100, 100a, 100b, 100c, 100d, 100e)를 제 2 유형의 카드로 인식하도록 구성된 소켓 단자가 상기 제 1 열 대응 소켓 단자들(221) 및 제 2 열 대응 소켓 단자들(222) 중에 존재할 수 있다.
실시예들에서 예시한 제 1 열 단자는 2개였지만, 상기 제 1 대응 소켓 단자들(221)이 제 2 유형의 카드로 인식하여 사용 가능하도록 3개보다 많은 수의 소켓 단자들이 구비될 수 있다. 제 2 대응 소켓 단자들(222)도 다른 유형의 카드를 인식하여 사용가능하도록 제 2 열 단자의 수보다 더 많은 수의 소켓 단자들을 구비할 수 있다. 통상의 기술자는 본 발명의 기술적 사상에 따른 소켓이 도 8에 도시된 소켓 단자들의 수에 제한되지 않음을 이해할 것이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 메모리 카드(100)와 소켓의 결합 방식을 나타낸 모식도이다. 도 10은 도 9의 메모리 카드(100)의 제 1 노치부(150)를 보다 상세하게 나타낸 부분 확대도이다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 상기 메모리 카드(100)는 화살표로 표시된 방향으로 소켓으로 삽입될 수 있다. 상기 제 1 노치부(150)는 상기 메모리 카드의 삽입 방향에 대하여 수직이 아닌 둘 이상의 면들(S1, S2)을 가질 수 있다.
상기 둘 이상의 면들(S1, S2)은 평면일 수도 있고, 곡면의 일부일 수도 있다. 상기 메모리 카드(100)가 삽입됨에 따라 상기 둘 이상의 면들(S1, S2)은 시간적으로 차이를 두면서 상기 메모리 카드(100)를 고정하기 위한 제 1 탄성체(225)와 접촉할 수 있다. 보다 구체적으로 상기 둘 이상의 면들(S1, S2)은 상기 제 1 탄성체(225)의 제 1 돌출부(225_p)와 접촉할 수 있다. 상기 접촉에 의하여 상기 메모리 카드(100)는 상기 소켓(220)에 메이팅될 수 있다.
도 10에서 보는 바와 같이, 상기 둘 이상의 면들(S1, S2)은 각각 상기 메모리 카드(100)의 삽입 방향과 제 1 각도(θ1) 및 제 2 각도(θ2)를 가질 수 있다.
상기 제 1 각도(θ1) 및 제 2 각도(θ2)는 상이할 수 있으며, 특히 상기 제 1 각도(θ1)는 상기 제 2 각도(θ2)보다 더 클 수 있다. 상기 둘 이상의 면들(S1, S2)이 곡면의 일부인 경우는 상기 둘 이상의 면들(S1, S2)에서의 접선과 상기 메모리 카드(100)의 삽입 방향 사이의 각도를 이용할 수 있다.
또, 상기 제 1 각도(θ1) 및 제 2 각도(θ2)의 어느 것도 상기 메모리 카드(100)의 삽입 방향과 90도를 이루지 않는다.
상기 제 1 돌출부(225_p)는 상기 제 1 노치부(150)에 적어도 일부가 삽입되어 상기 제 1 노치부(150)와 탄성적으로 접촉함으로써 상기 메모리 카드(100)를 소켓 하우징(223) 내에 고정할 수 있다.
상기 제 1 탄성체(225)는 상기 메모리 카드(100)의 삽입 방향으로 상기 소켓 하우징(223)의 중간 부분에 배치될 수 있다.
또한, 상기 제 2 노치부(152)는 상기 소켓(220)의 제 2 탄성체(227)와 결합될 수 있다. 특히, 상기 제 2 노치부(152)는 상기 제 2 탄성체(227)의 제 2 돌출부(227_p)와 결합될 수 있다. 상기 제 2 돌출부(227_p)는 상기 제 2 노치부(152)에 적어도 일부가 삽입되어 상기 제 2 노치부(152)와 탄성적으로 접촉함으로써 상기 메모리 카드(100)를 소켓 하우징(223) 내에 고정할 수 있다.
상기 제 2 탄성체(227)는 상기 소켓 하우징(223)의 입구 부분에 배치될 수 있다.
이와 같이 이중의 노치부-돌출부 메이팅이 이루어짐으로써 외부 충격에 의하여 메모리 카드(100)가 이탈하는 것이 방지될 수 있다. 나아가, 이중의 노치부-돌출부 메이팅에서는 각 돌출부가 일렬로 정렬되어 메모리 카드(100)를 가이드하기 때문에 잘못된 방향으로 메모리 카드(100)가 삽입되는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 따라서, 상기 메모리 카드(100)의 단자들이 소켓 단자들과 정합되어 접촉할 수 있도록 한다.
도 9에서는 상기 제 1 탄성체(225)와 상기 제 2 탄성체(227)를 별도로 도시하였지만, 이들은 하나의 탄성체로서 구성될 수도 있다.
위에서 도 5a 및 도 5b를 참조하여 설명한 바와 같이, 상기 제 3 가장자리(127)을 따라 인출 보조부(160)가 구비될 수 있다. 상기 인출 보조부(160)는 수평 연장부(160_h)와 수직 연장부들(160_v1, 160_v2)을 가질 수 있다. 상기 수평 연장부(160_h)는 상기 메모리 카드(100)의 폭 방향으로 연장되는 부분일 수 있으며, 반드시 상기 제 3 가장자리(127)와 평행하게 연장될 필요는 없다.
상기 수직 연장부들(160_v1, 160_v2)은 상기 수평 연장부(160_h)의 양단에서 상기 메모리 카드(100)의 삽입 방향으로 연장되는 부분일 수 있으며, 반드시 상기 제 2 가장자리(125)와 평행하게 연장될 필요는 없다.
한편, 상기 메모리 카드(100)를 수납하는 부분인 소켓 하우징(223)에는 상기 인출 보조부(160)를 수납할 수 있는 홈부(223_g)가 구비될 수 있다. 상기 홈부(223_g)는 상기 인출 보조부(160)에 대응되는 형태를 가질 수 있고, 상기 인출 보조부(160)가 소켓 하우징(223)에 삽입되었을 때 상기 홈부(223_g)는 상기 인출 보조부(160)의 수직 연장부들(160_v1, 160_v2)을 양쪽에서 잡아주도록 구성될 수 있다. 그에 의하여 상기 홈부(223_g)는 상기 수직 연장부들(160_v1, 160_v2)의 측방향 움직임을 스톱핑(stopping)하는 역할을 할 수 있다.
나아가, 상기 인출 보조부(160)가 소켓 하우징(223)에 삽입되었을 때 상기 홈부(223_g)는 상기 수평 연장부(160_h)의 추가적인 진입을 정지시키는 역할을 할 수도 있다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 소켓(220)에 상기 메모리 카드(100)를 이중으로 고정시킬 수 있도록 메모리 카드(100)에는 제 1 노치부(150)와 제 2 노치부(152)를 구비하고, 소켓(220)에는 제 1 탄성부(225)와 제 2 탄성부(227)를 구비함으로써 메모리 카드(100)가 소켓(220)에 보다 견고하면서도 안정적으로 삽입될 수 있다. 또한, 인출 보조부(160)를 고정할 수 있는 홈부(223_g)가 메모리 카드(100)의 측방향 움직임을 방지함으로써 메모리 카드(100)의 단자들과 소켓 단자들의 접속이 오류 없이 이루어지게 할 수 있다.
도 11은 본 발명의 기술적 사상에 의한 메모리 카드(2000)의 구성을 나타낸 개략도이다.
구체적으로, 메모리 카드(2000)는 제어기(2100)와 메모리(2200)가 전기적인 신호를 교환하도록 배치될 수 있다. 예를 들면, 제어기(2100)에서 명령을 내리면, 메모리(2200)는 데이터를 전송할 수 있다. 메모리 카드(2000)는 위에서 설명한 메모리 카드일 수 있다.
도 12는 본 발명의 기술적 사상에 따른 메모리 카드를 포함하는 메모리 장치(3200)의 일 예를 도시한 블록도이다.
도 12를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 메모리 장치(3200)는 메모리 카드(3210)를 포함한다. 상기 메모리 카드(3210)는 상술된 실시예들에 개시된 메모리 카드들 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 메모리 카드(3210)는 다른 형태의 반도체 기억 소자(예를 들면, 비휘발성 기억 장치 및/또는 에스램 장치등)를 더 포함할 수 있다. 상기 메모리 장치(3200)는 호스트(Host)와 상기 메모리 카드(3210) 간의 데이터 교환을 제어하는 메모리 컨트롤러(3220)를 포함할 수 있다.
상기 메모리 컨트롤러(3220)는 메모리 장치의 전반적인 동작을 제어하는 프로세싱 유닛(3222)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 메모리 컨트롤러(3220)는 상기 프로세싱 유닛(3222)의 동작 메모리로써 사용되는 에스램(3221, SRAM)을 포함할 수 있다. 이에 더하여, 상기 메모리 컨트롤러(3220)는 호스트 인터페이스(3223), 메모리 인터페이스(3225)를 더 포함할 수 있다. 상기 호스트 인터페이스(3223)는 메모리 장치(3200)와 호스트(Host)간의 데이터 교환 프로토콜을 구비할 수 있다. 상기 메모리 인터페이스(3225)는 상기 메모리 컨트롤러(3220)와 상기 메모리 카드(3210)를 접속시킬 수 있다. 더 나아가서, 상기 메모리 컨트롤러(3220)는 에러 정정 블록(3224, ECC)을 더 포함할 수 있다. 상기 에러 정정 블록(3224)은 상기 메모리 카드(3210)로부터 독출된 데이터의 에러를 검출 및 정정할 수 있다. 도시하지 않았지만, 상기 메모리 장치(3200)는 호스트(Host)와의 인터페이싱을 위한 코드 데이터를 저장하는 롬 장치(ROM device)를 더 포함할 수도 있다. 상기 메모리 장치(3200)는 컴퓨터 시스템의 하드디스크를 대체할 수 있는 솔리드 스테이트 드라이브(SSD, Solid State Drive)로도 구현될 수 있다.
도 13은 본 발명의 기술적 사상에 따른 메모리 카드를 포함하는 전자 시스템(4100)의 일 예를 도시한 블록도이다.
도 13을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 시스템(4100)은 컨트롤러(4110), 입출력 장치(4120, I/O), 메모리 장치(4130, memory device), 인터페이스(4140) 및 버스(4150, bus)를 포함할 수 있다. 상기 컨트롤러(4110), 입출력 장치(4120), 메모리 장치(4130) 및/또는 인터페이스(4140)는 상기 버스(4150)를 통하여 서로 결합될 수 있다. 상기 버스(4150)는 데이터들이 이동되는 통로(path)에 해당한다.
상기 컨트롤러(4110)는 마이크로프로세서, 디지털 신호 프로세스, 마이크로 컨트롤러, 및 이들과 유사한 기능을 수행할 수 있는 논리 소자들 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 입출력 장치(4120)는 키패드(keypad), 키보드 및 디스플레이 장치 등을 포함할 수 있다. 상기 메모리 장치(4130)는 데이터 및/또는 커맨드 등을 저장할 수 있다. 상기 메모리 장치(4130)는 상술된 실시예들에 개시된 메모리 카드들 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 메모리 장치(4130)는 다른 형태의 반도체 메모리 소자(예를 들면, 비휘발성 메모리 장치 및/또는 에스램 장치등)를 더 포함할 수 있다. 상기 인터페이스(4140)는 통신 네트워크로 데이터를 전송하거나 통신 네트워크로부터 데이터를 수신하는 기능을 수행할 수 있다. 상기 인터페이스(4140)는 유선 또는 무선 형태일 수 있다. 예컨대, 상기 인터페이스(4140)는 안테나 또는 유무선 트랜시버 등을 포함할 수 있다. 도시하지 않았지만, 상기 전자 시스템(4100)은 상기 컨트롤러(4110)의 동작을 향상시키기 위한 동작 메모리 소자로서, 고속의 디램 소자 및/또는 에스램 소자 등을 더 포함할 수도 있다.
상기 전자 시스템(4100)은 개인 휴대용 정보 단말기(PDA, personal digital assistant) 포터블 컴퓨터(portable computer), 웹 타블렛(web tablet), 무선 전화기(wireless phone), 모바일 폰(mobile phone), 디지털 뮤직 플레이어(digital music player), 또는 정보를 무선환경에서 송신 및/또는 수신할 수 있는 모든 전자 제품에 적용될 수 있다.
도 14는 본 발명의 실시예에 따른 전자 장치를 포함하는 서버 시스템에 대한 네트워크 구현 예를 나타내는 블록도이다.
도 14를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 네트워크 시스템(5000)은 네트워크(5200)를 통해 연결되는 서버 시스템(5100) 및 다수의 터미널(5300, 5400, 5500)들을 포함할 수 있다. 본 발명의 실시예에 따른 서버 시스템(5100)은 네트워크(5200)에 연결되는 다수의 터미널(5300, 5400, 5500)들로부터 수신되는 요청을 처리하는 서버(5110) 및 터미널(5300, 5400, 5500)들로부터 수신되는 요청에 대응되는 데이터를 저장하는 전자 장치(5120)를 포함할 수 있다. 이 때, 전자 장치(5120)는 예를 들면 도 1, 도 2, 도 4a 내지 도 4e, 도 5a 내지 도 5c 및 도 6a 내지 도 6c에 도시된 본 발명의 실시예들에 따른 메모리 카드들 중의 하나 이상을 포함할 수 있다. 전자 장치(5120)는 예를 들면, 솔리드 스테이트 디스크(SSD)일 수 있다.
한편, 상기에서 설명된 본 발명에 따른 전자 장치는 다양한 형태들의 패키지를 이용하여 실장 될 수 있다. 예를 들면, 본 발명에 따른 전자 장치는 PoP(Package on Package), Ball grid arrays(BGAs), Chip scale packages(CSPs), Plastic Leaded Chip Carrier(PLCC), Plastic Dual In-Line Package(PDIP), Die in Waffle Pack, Die in Wafer Form, Chip On Board(COB), Ceramic Dual In-Line Package(CERDIP), Plastic MetricQuad Flat Pack(MQFP), Thin Quad Flatpack(TQFP), Small Outline(SOIC), Shrink Small Outline Package(SSOP), Thin Small Outline(TSOP), Thin Quad Flatpack(TQFP), System In Package(SIP), Multi Chip Package(MCP), Wafer-level Fabricated Package(WFP), Wafer-Level Processed Stack Package(WSP) 등과 같은 패키지들을 이용하여 실장될 수 있다.
이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명의 실시예들에 대해 상세히 기술되었지만, 본 발명이 속하는 기술분야에 있어서 통상의 지식을 가진 사람이라면, 첨부된 청구 범위에 정의된 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 본 발명을 여러 가지로 변형하여 실시할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 앞으로의 실시예들의 변경은 본 발명의 기술을 벗어날 수 없을 것이다.
본 발명은 반도체 산업에 유용하게 응용될 수 있다.
100, 100a, 100b, 100c, 100d, 100e: 메모리 카드
121: 삽입측 가장자리 123: 제 1 가장자리
123a: 제 1 부분 123b: 제 1 오목부
123c: 제 1 볼록부 123d: 제 2 오목부
123e: 제 2 볼록부 123f: 제 2 부분
125: 제 2 가장자리 127: 제 3 가장자리
130: 제 1 열 단자 140: 제 2 열 단자
141: 제 2 전압의 전원 단자 143: 카드 디텍션 단자
144: 접지 단자 145in: 데이터 입력 단자
145out: 데이터 출력 단자 150, 152: 노치부
160: 인출 보조부 170: 수동 소자
220: 소켓 221: 제 1 열 대응 소켓 단자들
222: 제 2 열 대응 소켓 단자들 223: 소켓 하우징
230: 카드 인터페이스 제어기 240: 호스트

Claims (20)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 2 쌍의 대향하는 가장자리들을 갖는 기판;
    상기 기판의 삽입측 가장자리(edge)에 인접하여 배열되고 제 1 전압의 전원 단자를 포함하는 복수의 제 1 열 단자들; 및
    상기 제 1 열 단자들보다 상기 삽입측 가장자리로부터 이격되어 배열되고 제 2 전압의 전원 단자를 포함하는 복수의 제 2 열 단자들;
    을 포함하는 메모리 카드로서,
    제 1 방향인 상기 삽입측 가장자리에 수직인 방향의 상기 제 2 열 단자들의 중심과 상기 메모리 카드의 중심 사이의 거리는 상기 메모리 카드의 상기 제 1 방향의 길이의 20% 이내이고,
    상기 제 2 열 단자들은 한 쌍의 데이터 입력 단자들과 한 쌍의 데이터 출력 단자들을 갖고,
    상기 한 쌍의 데이터 입력 단자들은 한 쌍의 제 1 접지 단자들에 의하여 쉴드되고,
    상기 한 쌍의 데이터 출력 단자들은 한 쌍의 제 2 접지 단자들에 의하여 쉴드되는 메모리 카드.
  7. 삭제
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1 접지 단자들과 상기 제 2 접지 단자들은 하나의 접지 단자를 공유하는 것을 특징으로 하는 메모리 카드.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 2 열 단자들은 레퍼런스 클락 단자를 더 갖고,
    상기 레퍼런스 클락 단자는 상기 제 1 접지 단자를 사이에 두고 상기 데이터 입력 단자들과 이격되거나, 또는 상기 제 2 접지 단자를 사이에 두고 상기 데이터 출력 단자들과 이격되는 것을 특징으로 하는 메모리 카드.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 2 열 단자들은 상기 제 2 전압의 전원 단자를 사이에 두고 상기 레퍼런스 클락 단자의 측방에 위치하는 카드 디텍션 단자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 카드.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 카드 디텍션 단자는 접지된 단자인 것을 특징으로 하는 메모리 카드.
  12. 제 11 항에 있어서,
    수동 소자를 더 포함하고, 상기 수동 소자의 일단은 상기 카드 디텍션 단자와 연결되고, 상기 수동 소자의 타단은 상기 제 2 전압의 전원 단자와 연결된 것을 특징으로 하는 메모리 카드.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 제 2 전압의 전원 단자의 상기 삽입측 가장자리 쪽의 선단이 상기 카드 디텍션 단자의 상기 삽입측 가장자리 쪽의 선단보다 상기 삽입측 가장자리에 더 가까운 것을 특징으로 하는 메모리 카드.
  14. 제 6 항에 있어서,
    상기 데이터 입력 단자들의 제 1 방향의 길이는 상기 제 1 접지 단자들의 제 1 방향의 길이보다 짧은 것을 특징으로 하는 메모리 카드.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 제 1 접지 단자들의 상기 삽입측 가장자리 쪽 선단(front end)은 상기 데이터 입력 단자들의 상기 삽입측 가장자리 쪽 선단보다 상기 삽입측 가장자리에 더 가까운 것을 특징으로 하는 메모리 카드.
  16. 제 6 항에 있어서,
    상기 데이터 출력 단자들의 제 1 방향의 길이는 상기 제 2 접지 단자들의 제 1 방향의 길이보다 짧은 것을 특징으로 하는 메모리 카드.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 제 2 접지 단자들의 상기 삽입측 가장자리 쪽 선단은 상기 데이터 출력 단자들의 상기 삽입측 가장자리 쪽 선단보다 상기 삽입측 가장자리에 더 가까운 것을 특징으로 하는 메모리 카드.
  18. 삭제
  19. 삭제
  20. 삭제
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