JPS61193283A - Ｉｃカ−ド - Google Patents
Ｉｃカ−ドInfo
- Publication number
- JPS61193283A JPS61193283A JP60032094A JP3209485A JPS61193283A JP S61193283 A JPS61193283 A JP S61193283A JP 60032094 A JP60032094 A JP 60032094A JP 3209485 A JP3209485 A JP 3209485A JP S61193283 A JPS61193283 A JP S61193283A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- varistor
- card
- electrodes
- integrated
- distance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、データ処理や記憶回路などから成る集積回路
（ＩＣ，ＬＳＩ、超ＬＳＩ）を一枚のカード内に収納し
た、いわゆるＩＣカードの静電気からの保護に関するも
のである。
（ＩＣ，ＬＳＩ、超ＬＳＩ）を一枚のカード内に収納し
た、いわゆるＩＣカードの静電気からの保護に関するも
のである。
従来の技術
集積回路や磁気ストライプなどのメモリーを、一枚のカ
ード内に集積収納したカードは、身分証明書、クレジッ
トカード、銀行のキャッシュカードなどに広く利用され
つつある。このようなカードを総称して、ここでは、Ｉ
Ｃカードと称スる。
ード内に集積収納したカードは、身分証明書、クレジッ
トカード、銀行のキャッシュカードなどに広く利用され
つつある。このようなカードを総称して、ここでは、Ｉ
Ｃカードと称スる。
このようなＩＣカードは、電気信号を入出力したり、集
積回路を制御するための各種電気的入出力端子を有して
いる。そしてこれらの入出力端子は、集積回路の電気的
入出力端子に、直接電気的に接続されている。一方、こ
れらのＩＣカードはその性格上、人体に携帯されて使用
されることが多い。良く知られているように、人体は、
しばしば静電気を帯電する。人体の静電容量はおよそ１
００ｐＦｓ帯電した時の電圧は１０〜１６Ｋｖといわれ
ている。ＩＣは、通常６ｖ前後で動作するものであり、
１０〜１５ＫＶＯ高電圧が加わると、短時間であっても
容易に破壊する。
積回路を制御するための各種電気的入出力端子を有して
いる。そしてこれらの入出力端子は、集積回路の電気的
入出力端子に、直接電気的に接続されている。一方、こ
れらのＩＣカードはその性格上、人体に携帯されて使用
されることが多い。良く知られているように、人体は、
しばしば静電気を帯電する。人体の静電容量はおよそ１
００ｐＦｓ帯電した時の電圧は１０〜１６Ｋｖといわれ
ている。ＩＣは、通常６ｖ前後で動作するものであり、
１０〜１５ＫＶＯ高電圧が加わると、短時間であっても
容易に破壊する。
これら静電気からＩＣを保護する方法として、ＩＣカー
ドの電気的入出力端子に、抵抗素子を接続する方法（特
公開昭５９−２２３５４）が知られている。しかしこの
方法では、その保護性能は充分ではない。集積回路の電
気的入出力端子に接続するためには、抵抗値がある程度
以上大きくなければならない。抵抗値が低すぎると、漏
れ電流が増大し、回路が誤動作し易すくなるからである
。
ドの電気的入出力端子に、抵抗素子を接続する方法（特
公開昭５９−２２３５４）が知られている。しかしこの
方法では、その保護性能は充分ではない。集積回路の電
気的入出力端子に接続するためには、抵抗値がある程度
以上大きくなければならない。抵抗値が低すぎると、漏
れ電流が増大し、回路が誤動作し易すくなるからである
。
通常抵抗値として、ＩＫΩ以上が望ましい。しかし抵抗
値が高くなると、静電気からの操護としての性能が不十
分なものとなる。たとえば１にΩの抵抗を用いた場合、
人体の抵抗は約１ｏｏΩと考えられているので、１１Ｋ
ｖの静電気が加わった場合、１１ＫＶを１にΩと１００
Ωで分圧した電圧、すなわち、この場合には、１０ＫＶ
が集積回路入出力端子に加わることになる。集積回路は
、通常６ｖ前後で動作するものが多い。これらの集積回
路は、１０ＱｐＦ前後のコンデンサに充電した場合には
、およそ１Ｋｖ程度で破壊する。したがって、１にΩの
抵抗を用いた場合、高圧に帯電すると、集積回路を保護
しきれない。抵抗値の低いものを用いれば、保護性能は
向上するが、前述の如く回路の誤動作、電力損失の増大
を招き好ましくない。
値が高くなると、静電気からの操護としての性能が不十
分なものとなる。たとえば１にΩの抵抗を用いた場合、
人体の抵抗は約１ｏｏΩと考えられているので、１１Ｋ
ｖの静電気が加わった場合、１１ＫＶを１にΩと１００
Ωで分圧した電圧、すなわち、この場合には、１０ＫＶ
が集積回路入出力端子に加わることになる。集積回路は
、通常６ｖ前後で動作するものが多い。これらの集積回
路は、１０ＱｐＦ前後のコンデンサに充電した場合には
、およそ１Ｋｖ程度で破壊する。したがって、１にΩの
抵抗を用いた場合、高圧に帯電すると、集積回路を保護
しきれない。抵抗値の低いものを用いれば、保護性能は
向上するが、前述の如く回路の誤動作、電力損失の増大
を招き好ましくない。
発明が解決しようとする問題点
このような従来の抵抗素子接続による方法では、高圧に
帯電した時には、集積回路を保護しきれない。
帯電した時には、集積回路を保護しきれない。
本発明はかかる点に鑑みてなされたもので、簡単な構成
で、ｒｃカード内の集積回路を静電気から保護すること
を目的としている。
で、ｒｃカード内の集積回路を静電気から保護すること
を目的としている。
問題点を解決するための手段
本発明は、上記問題点を解決するため、電圧の上昇と共
に抵抗の低下する電圧非直線抵抗素子、いわゆるバリス
タをＩＣカードの電気的入出力端子に接続して、静電気
保護性能を向上させると共に、バリスタとして集積型の
構造のものを用いることによって、カード内に収納する
という実装上の困難を克服するようにしたものである。
に抵抗の低下する電圧非直線抵抗素子、いわゆるバリス
タをＩＣカードの電気的入出力端子に接続して、静電気
保護性能を向上させると共に、バリスタとして集積型の
構造のものを用いることによって、カード内に収納する
という実装上の困難を克服するようにしたものである。
作用
ノクリスタは、ある一定板上の電圧が加わると、急激に
抵抗が減少するという性償を有した抵抗素子の総称であ
る。このようなバリスタとして、酸化亜鉛（ＺｎＯ）に
酸化ビスマス（Ｂｉ２０．）、酸化コバルト（ｃｏ２０
３）＋酸化マシガ：ｙ（ＭｎＯ２）などを微量加えて、
高温で焼結した、いわゆるＺｎＯバリスタが知られてい
る。そのバリスタとしての作用は、焼結体を構成してい
る１０ミクロン前後のＺｎＯ粒子の粒界面で起こるもの
であり、したがって、電極間の長さによって任意に、バ
リスタ作用の起こり始める電圧、すなわち立上り電圧を
選ぶことができる。人体の帯電電圧を１５ＫＶ、人体の
抵抗を１０ｏΩとした時、静電気が放電した場合の最大
電流は１６０ムである。したがって、バリスタに１６Ｏ
Ａ流れた時にも、バリスタ両端の電圧が、集積回路の耐
圧である１ＫＶ以下に抑えるように立上り電圧を設定す
れば良い。通常のＺｎＯバリスタは、１５０ム流れた時
の端子電圧は立上り電圧の３倍以下である。したがって
、立上り電圧として、約３３０Ｖ以下の素子を用いれば
良いことになる。一方、漏れ電流が許容し得る量通常１
μ五以下となるのは、バリスタに立上り電圧のＡ以下の
電圧が加わった場合であり、したがって漏れ電流の増大
、それに伴う回路の誤動作を防止するためには、回路の
動作電圧、この場合６■の２倍以上、すなわち１０Ｖ以
上に設定すれば良い。以上の理由から、立上り電圧とし
て１ｏ〜３３ｏｖのバリスタを、集積回路の電気的入出
力端子に接続することにより、集積回路を静電気から完
全に保護することができる。ＩＣカードの電気的入出力
端子は、信号の入出力端子、クロック端子、電源端子、
リセット端子など、かなシの数になる。電気回路的には
、これらの端子にバリスタをそれぞれ接続すれば良い。
抵抗が減少するという性償を有した抵抗素子の総称であ
る。このようなバリスタとして、酸化亜鉛（ＺｎＯ）に
酸化ビスマス（Ｂｉ２０．）、酸化コバルト（ｃｏ２０
３）＋酸化マシガ：ｙ（ＭｎＯ２）などを微量加えて、
高温で焼結した、いわゆるＺｎＯバリスタが知られてい
る。そのバリスタとしての作用は、焼結体を構成してい
る１０ミクロン前後のＺｎＯ粒子の粒界面で起こるもの
であり、したがって、電極間の長さによって任意に、バ
リスタ作用の起こり始める電圧、すなわち立上り電圧を
選ぶことができる。人体の帯電電圧を１５ＫＶ、人体の
抵抗を１０ｏΩとした時、静電気が放電した場合の最大
電流は１６０ムである。したがって、バリスタに１６Ｏ
Ａ流れた時にも、バリスタ両端の電圧が、集積回路の耐
圧である１ＫＶ以下に抑えるように立上り電圧を設定す
れば良い。通常のＺｎＯバリスタは、１５０ム流れた時
の端子電圧は立上り電圧の３倍以下である。したがって
、立上り電圧として、約３３０Ｖ以下の素子を用いれば
良いことになる。一方、漏れ電流が許容し得る量通常１
μ五以下となるのは、バリスタに立上り電圧のＡ以下の
電圧が加わった場合であり、したがって漏れ電流の増大
、それに伴う回路の誤動作を防止するためには、回路の
動作電圧、この場合６■の２倍以上、すなわち１０Ｖ以
上に設定すれば良い。以上の理由から、立上り電圧とし
て１ｏ〜３３ｏｖのバリスタを、集積回路の電気的入出
力端子に接続することにより、集積回路を静電気から完
全に保護することができる。ＩＣカードの電気的入出力
端子は、信号の入出力端子、クロック端子、電源端子、
リセット端子など、かなシの数になる。電気回路的には
、これらの端子にバリスタをそれぞれ接続すれば良い。
ところが、一方、ＩＣカードには、カードとするための
厳しい寸法上の制約がある。とぐに厚みは４００μｍ以
下に抑えなければならない。したがって、これらの多数
の電気的入出力端子に、個別にバリスタを接続するので
は、場所も大きくとり、また実装上の困難さも増大する
。そこで、１ケの素体上に、複数対の電極を設けて構成
した集積型バリスタを用いることにより、これらの実装
上の困難さを克服するようにしている。
厳しい寸法上の制約がある。とぐに厚みは４００μｍ以
下に抑えなければならない。したがって、これらの多数
の電気的入出力端子に、個別にバリスタを接続するので
は、場所も大きくとり、また実装上の困難さも増大する
。そこで、１ケの素体上に、複数対の電極を設けて構成
した集積型バリスタを用いることにより、これらの実装
上の困難さを克服するようにしている。
実施例
第１図に、本発明の基本回路構成を示す。図において、
１〜４は各種電気端子、５は接地端子、６は集積回路、
ｖ１〜ｖ４はバリスタである。電気端子およびバリスタ
の数は、ここでは４個としたが、これに限定されるもの
ではなく、これより多くても少くてもかまわない。要は
各電気端子と接地端子間に、バリスタが接続されるよう
な構成とすれば良い。
１〜４は各種電気端子、５は接地端子、６は集積回路、
ｖ１〜ｖ４はバリスタである。電気端子およびバリスタ
の数は、ここでは４個としたが、これに限定されるもの
ではなく、これより多くても少くてもかまわない。要は
各電気端子と接地端子間に、バリスタが接続されるよう
な構成とすれば良い。
次に、これに用いるバリスタの実施例を以下に示す。
（実施例１）
第２図は、本発明に用いる集積型バリスタの構造の第１
の実施例を示したものである。図において、７１Ｌは焼
結型ＺｎＯバリスタ、１１〜４ａはバリスタ焼結体の一
方の面に、焼結体の厚み以上の間隔をおいて設けられた
電極、６２Ｌはバリスタ焼結体の他方の面に設けられた
電極で、１１Ｌ〜４ａの電極に対向して設けらｎている
。これよシ、１ａ〜４ａと５＆は、バリスタ焼結体の厚
みで決まる立上り電圧を有するバリスタとなり、それぞ
れ第１図のｖ１〜ｖ４に対応する。ＺｎＯバリスタの立
上り電圧としては、電極間隔１ｎあたシ、２０〜６ｏｏ
ｖのものが得られている。例えば１朋あたり３ＱｏｖＯ
ものを用いれば、バリスタ焼結体の厚みを３００μｍと
した時、立上シミ圧は１ｏＯｖとなり、充分な保護性能
を期待することができる。
の実施例を示したものである。図において、７１Ｌは焼
結型ＺｎＯバリスタ、１１〜４ａはバリスタ焼結体の一
方の面に、焼結体の厚み以上の間隔をおいて設けられた
電極、６２Ｌはバリスタ焼結体の他方の面に設けられた
電極で、１１Ｌ〜４ａの電極に対向して設けらｎている
。これよシ、１ａ〜４ａと５＆は、バリスタ焼結体の厚
みで決まる立上り電圧を有するバリスタとなり、それぞ
れ第１図のｖ１〜ｖ４に対応する。ＺｎＯバリスタの立
上り電圧としては、電極間隔１ｎあたシ、２０〜６ｏｏ
ｖのものが得られている。例えば１朋あたり３ＱｏｖＯ
ものを用いれば、バリスタ焼結体の厚みを３００μｍと
した時、立上シミ圧は１ｏＯｖとなり、充分な保護性能
を期待することができる。
（実施例２）
第３図は、本発明に用いるバリスタの構造の第２の実施
例を示したものである。７ｂは焼結型ＺｎＯバリスタ素
体、１ｂ〜４ｂはバリスタ素体の一方の面上に設けられ
た電極、ｓｂは１ｂ〜４ｂに電極に対してバリスタを形
成するように、バリスタ素体の同一面上に設けられた電
極である。
例を示したものである。７ｂは焼結型ＺｎＯバリスタ素
体、１ｂ〜４ｂはバリスタ素体の一方の面上に設けられ
た電極、ｓｂは１ｂ〜４ｂに電極に対してバリスタを形
成するように、バリスタ素体の同一面上に設けられた電
極である。
１ｂ〜４ｂの電極間隔は１ｂ〜４ｂと５ｂ間の間隔以上
にとっである。これによ！’％１ｂ〜４ｂと６ｂとの間
のバリスタ素体が第１図ｖ１〜ｖ４のバリスタに対応す
る。このような構造とすることにより、バリスタ素体の
一方の面だけで配線処理をすることができる。
にとっである。これによ！’％１ｂ〜４ｂと６ｂとの間
のバリスタ素体が第１図ｖ１〜ｖ４のバリスタに対応す
る。このような構造とすることにより、バリスタ素体の
一方の面だけで配線処理をすることができる。
（実施例３）
第４図は、本発明に用いるバリスタの構造の第３の実施
例を示したものである。第４図において７０は基板８Ｃ
上に印刷、焼付によって作られた膜状バリスタ、ｉｃ〜
４Ｃはその表面に設けられた電極、５０は１０〜４Ｃと
同一間隔で対向するように、同一表面上に設けられた電
極である。電極１Ｃ〜４Ｃの間隔は１０〜４Ｃと６Ｃの
間隔以上にとっである。このような構造とすることによ
り、１Ｃ〜４ｃと６０の間のバリスタ部が、第１図のｖ
１〜ｖ４に対応したバリスタとなる。膜状のバリスタは
、？、ｎ０ＫＢｉ２０３．Ｃｏ、、０５．ＭｎＯ２など
を加えて仮焼した粉体に、ガラス成分を加えて、アルミ
ナなどのセラミック基板上に印刷し、６００〜８００
’Ｃで焼付けることによって得られる。膜圧は数１０μ
ｍのものが得られる。基板に強度の強いものを用いれば
、３００μｍ以下の薄いものを用いることができ、バリ
スタ部と合わせた厚みを４００μｍ以下に抑えることは
、実施例１，２の場合よりも更に容易である。
例を示したものである。第４図において７０は基板８Ｃ
上に印刷、焼付によって作られた膜状バリスタ、ｉｃ〜
４Ｃはその表面に設けられた電極、５０は１０〜４Ｃと
同一間隔で対向するように、同一表面上に設けられた電
極である。電極１Ｃ〜４Ｃの間隔は１０〜４Ｃと６Ｃの
間隔以上にとっである。このような構造とすることによ
り、１Ｃ〜４ｃと６０の間のバリスタ部が、第１図のｖ
１〜ｖ４に対応したバリスタとなる。膜状のバリスタは
、？、ｎ０ＫＢｉ２０３．Ｃｏ、、０５．ＭｎＯ２など
を加えて仮焼した粉体に、ガラス成分を加えて、アルミ
ナなどのセラミック基板上に印刷し、６００〜８００
’Ｃで焼付けることによって得られる。膜圧は数１０μ
ｍのものが得られる。基板に強度の強いものを用いれば
、３００μｍ以下の薄いものを用いることができ、バリ
スタ部と合わせた厚みを４００μｍ以下に抑えることは
、実施例１，２の場合よりも更に容易である。
発明の効果
本発明は、ＩＣカードの電気的入出力端子に、バリスタ
を接続し、しかもそのバリスタとして、集積型のものを
用いることによって、カード内に実装できるようにした
もので、これにより１０カードの静電気からの保護を行
えるようにしたものである。
を接続し、しかもそのバリスタとして、集積型のものを
用いることによって、カード内に実装できるようにした
もので、これにより１０カードの静電気からの保護を行
えるようにしたものである。
第１図は本発明の回路構成の１実施例を示す図、第２図
〜第４図は本発明に用いる集積型バリスタの構造の実施
例を示す図である。 １〜４・・・・・・電気端子、６・−・・・・接地端子
、６・・・・・・集積回路、７ａ、７ｂ、７ｃ・・・・
・・バリスタ素体、Ｖｌ 、Ｖ２．Ｖ３．Ｖ４・・・・
・・バリスタ。 代理人の氏名 弁理士 中・尾 敏 男 ほか１名第１
図 ５−＃埒端子 ７山−−バー１Ｊスク１！１ト
〜第４図は本発明に用いる集積型バリスタの構造の実施
例を示す図である。 １〜４・・・・・・電気端子、６・−・・・・接地端子
、６・・・・・・集積回路、７ａ、７ｂ、７ｃ・・・・
・・バリスタ素体、Ｖｌ 、Ｖ２．Ｖ３．Ｖ４・・・・
・・バリスタ。 代理人の氏名 弁理士 中・尾 敏 男 ほか１名第１
図 ５−＃埒端子 ７山−−バー１Ｊスク１！１ト
Claims (4)
- （１） データ処理回路を有する集積回路の入力および
出力端子に、素体上に複数対の電極を設けることによっ
て形成した集積型バリスタの電極対を接続し、上記集積
回路と上記集積型バリスタを、一枚のカード状容器内に
収納したことを特徴とするＩＣカード。 - （２） 集積型バリスタとして、焼結体自身がバリスタ
作用を有するバリスタ素体の一方の面に、バリスタ素体
の厚み以上の距離を離して形成した複数の電極と、これ
らの電極に対向するように前記バリスタ素体の他方の面
に電極を設けたバリスタを用いることを特徴とした特許
請求の範囲第１項記載のＩＣカード。 - （３） 集積型バリスタとして、焼結体自身がバリスタ
作用を有するバリスタ素体の一方の面に、接地用電極と
、これに同一距離だけ離して、しかもお互いの距離を、
この距離よりも大きくとって、形成した複数の電極から
成るバリスタを用いることを特徴とした特許請求の範囲
第１項記載のＩＣカード。 - （４） 集積型バリスタとして、基板上に膜状に形成さ
れた、焼結体自身がバリスタ作用を有する膜状バリスタ
の表面に、接地用電極と、これに同一距離だけ離して、
しかもお互いの距離を、この距離よりも大きくとって、
形成した複数の電極から成るバリスタを用いることを特
徴とした特許請求の範囲第１項記載のＩＣカード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60032094A JPS61193283A (ja) | 1985-02-20 | 1985-02-20 | Ｉｃカ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60032094A JPS61193283A (ja) | 1985-02-20 | 1985-02-20 | Ｉｃカ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61193283A true JPS61193283A (ja) | 1986-08-27 |
Family
ID=12349297
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60032094A Pending JPS61193283A (ja) | 1985-02-20 | 1985-02-20 | Ｉｃカ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61193283A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61192878U (ja) * | 1985-05-24 | 1986-12-01 | ||
| US7224052B2 (en) | 1999-12-03 | 2007-05-29 | Renesas Technology Corp. | IC card with controller and memory chips |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6091489A (ja) * | 1983-10-24 | 1985-05-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 静電対策ｉｃカ−ド |
-
1985
- 1985-02-20 JP JP60032094A patent/JPS61193283A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6091489A (ja) * | 1983-10-24 | 1985-05-22 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 静電対策ｉｃカ−ド |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61192878U (ja) * | 1985-05-24 | 1986-12-01 | ||
| US7224052B2 (en) | 1999-12-03 | 2007-05-29 | Renesas Technology Corp. | IC card with controller and memory chips |
| KR100750944B1 (ko) * | 1999-12-03 | 2007-08-22 | 가부시끼가이샤 르네사스 테크놀로지 | Ｉｃ 카드 |
| KR100750945B1 (ko) * | 1999-12-03 | 2007-08-22 | 가부시끼가이샤 르네사스 테크놀로지 | Ｉｃ 카드 |
| US7538418B2 (en) | 1999-12-03 | 2009-05-26 | Renesas Technology Corp. | IC card |
| US7547961B2 (en) | 1999-12-03 | 2009-06-16 | Renesas Technology Corp. | IC card with bonding wire connections of different lengths |
| US7768110B2 (en) | 1999-12-03 | 2010-08-03 | Renesas Technology Corp. | Nonvolatile memory apparatus |
| US8018038B2 (en) | 1999-12-03 | 2011-09-13 | Renesas Electronics Corporation | IC card with terminals for direct access to internal components |
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