KR20100096162A - 아조메틴-금속 착물을 포함하는 유기 전계발광 소자 - Google Patents

아조메틴-금속 착물을 포함하는 유기 전계발광 소자 Download PDF

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Abstract

본 발명은 발광층의 매트릭스 재료로서, 하기 화학식 (I)의 금속 착물을 포함하는 인광 유기 전계발광 소자에 관한 것이다:

Description

아조메틴-금속 착물을 포함하는 유기 전계발광 소자 {ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICES COMPRISING AZOMETHINE-METAL COMPLEXES}
유기 반도체가 기능성 재료로서 사용되는 유기 전계발광 소자 (OLEDs)의 구조는 예를 들어, US 4539507, US 5151629, EP 0676461 및 WO 98/27136 에 기재되어 있다. 최근에, 형광 대신 인광을 나타내는 유기금속 착물이 점점 더 사용되고 있다 (M. A. Baldo 등, Appl. Phys. Left. 1999, 75, 4-6). 양자 역학적 이유로, 에너지 및 전력 효율에서의 4배 이하의 증가는 인광 발광체로서 유기금속 화합물을 사용하여 가능하다. 일반적으로, 삼중선 발광을 나타내는 OLEDs 에서의 상당한 문제가 여전히 존재한다. 예를 들어, 인광 OLEDs 의 물리적 특성은 고품질 및 수명이 긴 유기전계 소자에서의 삼중선 발광체의 사용에서 효율, 작동 전압 및 수명에 대해 여전히 만족스럽지 않다.
선행 기술에 따라, 4,4'-비스(N-카르바졸릴)비페닐 (CBP)이 인광 OLEDs 에서의 매트릭스 재료로서 자주 사용된다. 단점은 이로 인해 제조된 소자의 짧은 수명 및 높은 작동 전압이고, 이로써 낮은 전력 효율이 야기된다. 또한, CBP 는 부적당하게 높은 유리 전이 온도를 가진다. CBP 의 모든 단점에도 불구하고, 이는 삼중선 매트릭스 재료로서 계속 사용되는데, 그 이유는 상기 기재된 문제가 또한 대안의 매트릭스 재료를 사용하여 아직 만족스럽게 해결되지 않았기 때문이다.
알루미늄 착물, 특히 B-Alq 는 더욱이 삼중선 매트릭스 재료로서 공지되어 있다 (예를 들어 Chem. Phys. Lett. 2005, 404, 121-125).
US 2006/040139 에는 광활성 재료에 대한 호스트 재료로서 Schiff 염기 기재의 리간드와의 금속 착물의 용도가 기재되어 있다. 그러나, 오직 3가 금속과의 착물, 특히 5배위 또는 6배위인 알루미늄 착물이 개시되어 있다.
본 발명의 목적은 충분히 높은 유리 전이 온도 및 매우 양호한 열적 안정성을 가지고, 가수분해에 안정하고, 선행 기술에 비해 유기 전계발광 소자에서의 효율, 수명 및 작동 전압의 향상을 야기하는 삼중선 매트릭스 재료를 제공하는 것이다.
놀랍게도, 이제 2가 금속 이온과의 특정 킬레이트 착물 (여기서, 리간드는 2개의 이민 질소 원자를 통해 금속에 배위됨)이 특히 수명, 효율, 온도 응력에 대한 안정성, 유리 전이 온도 및 가수분해 안정성에 관하여, 상당한 개선을 나타냄이 밝혀졌다. 이량체의 형태일 수도 있는 상기 착물은 평면 사각형, 사면체 또는 유사사면체(pseudo-tetrahedral) 배위로 산화수 +2 의 4배위 금속 이온을 함유한다. 따라서 본 발명은 발광층에서 매트릭스 재료로서 상기 착물을 함유하는 인광 전계발광 소자에 관한 것이다.
따라서 본 발명은 하나 이상의 인광 화합물 및 하나 이상의 하기 화학식 (I)의 화합물을 발광층에 포함하는 유기 전계발광 소자에 관한 것이다:
[화학식 (I)]
Figure pct00001
[식 중, 사용된 기호 및 부호에 대해 하기가 적용된다:
M 은 각각의 경우에, 동일하거나 또는 상이하게, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Fe, Ru, Os, Co, Ni, Pd, Cu, Zn, Cd, Hg, Sn 및 Pb 로부터 선택되는 산화수 +2 의 금속 이온이고;
X 는 각각의 경우에, 동일하거나 또는 상이하게, 0, S 또는 CO-O 이고;
Ar1 은 5 내지 60개의 방향족 고리 원자를 가진 방향족 또는 헤테로방향족 고리계이고, 이는 하나 이상의 라디칼 R 로 치환될 수 있고, 여기서 개개의 방향족 기는 1 내지 10개의 C 원자를 가진 알킬렌 기에 의해 서로 결합될 수 있고, 여기서, 또한 하나 이상의 비인접 C 원자가 O 또는 S 로 대체될 수 있고;
Ar2 는 각각의 경우에, 동일하거나 또는 상이하게, 5 내지 60개의 방향족 고리 원자를 가진 방향족 또는 헤테로방향족 고리계이고, 이는 하나 이상의 라디칼 R 로 치환될 수 있고;
Y 는 각각의 경우에, 동일하거나 또는 상이하게, 단일 결합 또는 1 내지 10 개의 C 원자를 가진 알킬렌 기 (여기서, 또한 질소에 결합되지 않는 하나 이상의 비인접 C 원자는 0 로 대체될 수 있음)이고, 이는 하나 이상의 라디칼 R 로 치환될 수 있고;
R 은 각각의 경우에, 동일하거나 또는 상이하게, H, F, Cl, Br, I, N(R2)2, CN, NO2, Si(R2)3, B(0R2)2, C(=O)R2, P(=0)(R2)2, S(=O)R2, S(=O)2R2, 0S02R2, 1 내지 40개의 C 원자를 가진 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알킬기 또는 3 내지 40개의 C 원자를 가진 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알킬기이고, 이의 각각은 하나 이상의 라디칼 R2 로 치환될 수 있고, 하나 이상의 비인접 CH2 기는 R2C=CR2, C≡C, Si(R2)2, Ge(R2)2, Sn(R2)2, C=0, C=S, C=Se, C=NR2, P(=O)(R2), SO, S02, NR2, 0, S 또는 CONR2 로 대체될 수 있고, 하나 이상의 H 원자는 F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수 있고, 또는 5 내지 60개의 방향족 고리 원자를 가진 방향족 또는 헤테로방향족 고리계이고, 이의 각각은 하나 이상의 라디칼 R2로 치환될 수 있고, 또는 5 내지 60개의 방향족 고리 원자를 가진 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시기이고, 이는 하나 이상의 라디칼 R2 로 치환될 수 있고, 또는 상기 계의 조합이고; 2개 이상의 치환기 R 은 여기서 또한 서로 단환형 또는 다환형 지방족 또는 방향족 고리계를 형성할 수 있고;
R1 은 각각의 경우에, 동일하거나 또는 상이하게, H, F, CF3, 1 내지 40개의 C 원자를 가진 직쇄 알킬기 또는 3 내지 40개의 C 원자를 가진 분지형 또는 환형 알킬기이고, 이의 각각은 하나 이상의 라디칼 R2 로 치환될 수 있고, 여기서, 하나 이상의 비인접 CH2 기는 R2C=CR2, C≡C, Si(R2)2, Ge(R2)2, Sn(R2)2 로 대체될 수 있고, 하나 이상의 H 원자는 F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수 있고, 또는 5 내지 60개의 방향족 고리 원자를 가진 방향족 또는 헤테로방향족 고리계이고, 이의 각각은 하나 이상의 라디칼 R2 로 치환될 수 있고, 또는 상기 계의 조합이고; R1 은 여기서 또한 하나 이상의 치환기 R 을 가진 단환형 또는 다환형 지방족 또는 방향족 고리계를 형성할 수 있고;
R2 는 각각의 경우에, 동일하거나 또는 상이하게, H, F 또는 1 내지 20개의 C 원자를 가진 지방족, 방향족 또는 헤테로방향족 탄화수소 라디칼이고, 여기서, 또한 하나 이상의 H 원자는 F 로 대체될 수 있고; 2개 이상의 치환기 R2 는 여기서 또한 서로 단환형 또는 다환형 지방족 또는 방향족 고리계를 형성할 수 있고;
n 은 각각의 경우에, 동일하거나 또는 상이하게, 0, 1 또는 2 임].
화학식 (I)의 화합물은 바람직하게 100℃ 초과, 특히 바람직하게 120℃ 초과의 유리 전이 온도 Tg 를 가진다.
본 발명의 목적을 위해, 인광 화합물은 더 높은 스핀 다중도, 즉 스핀 상태> 1 을 가진 여기된 상태, 특히 여기된 삼중선 상태로부터 발광되는 화합물을 의미한다. 여기서 발광은 순수한 삼중선 상태 또는 삼중선 상태가 참여된 혼합 상태로부터 일어날 수 있다. 본 발명의 목적을 위해, 이리듐 또는 백금 착물로부터의 임의 발광은 인광을 의미한다.
본 발명의 목적을 위해, 아릴기는 6 내지 40개의 C 원자를 함유하고; 본 발명의 목적을 위해, 헤테로아릴기는 2 내지 40개의 C 원자 및 하나 이상의 헤테로원자를 함유하는데, 단, C 원자 및 헤테로원자의 총합은 5 이상이다. 헤테로원자는 바람직하게 N, 0 및 S 로부터 선택된다. 여기서, 아릴기 또는 헤테로아릴기는 간단한 방향족 고리, 즉 벤젠, 또는 간단한 헤테로방향족 고리, 예를 들어 피리딘, 피리미딘, 티오펜, 또는 축합 아릴 또는 헤테로아릴기, 예를 들어 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 퀴놀린, 이소퀴놀린을 의미한다.
본 발명의 목적을 위해, 방향족 고리계는 고리계에서 6 내지 40개의 C 원자를 함유한다. 본 발명의 목적을 위해, 헤테로방향족 고리계는 고리계에서 2 내지 40개의 C 원자 및 하나 이상의 헤테로원자를 함유하고, 단, C 원자 및 헤테로원자의 합계는 5 이상이다. 헤테로원자는 바람직하게 N, 0 및 S 로부터 선택된다. 본 발명의 목적을 위해, 방향족 또는 헤테로방향족 고리계는 반드시 단지 아릴 또는 헤테로아릴기만을 함유하는 것은 아닌 계를 의미하지만, 대신 여기서 복수의 아릴 또는 헤테로아릴기는 또한 예를 들어, sp3-혼성의 C, N 또는 0 원자와 같은 비방향족 단위 (바람직하게 10% 미만의, H 이외의 원자)에 의해 방해될 수 있다. 따라서, 예를 들어, 9,9'-스피로비플루오렌, 9,9-디아릴플루오렌, 트리아릴아민, 디아릴 에테르, 스틸벤과 같은 계는 본 발명의 목적을 위해 또한 방향족 고리계, 및 또한 2개 이상의 아릴기가 예를 들어, 선형 또는 환형 알킬기 또는 실릴기에 의해 방해되는 계로서 간주된다.
본 발명의 목적을 위해, 또한 개개의 H 원자 또는 CH2 기가 상기 언급한 기로 치환될 수 있는 C1- 내지 C40-알킬기는 바람직하게 라디칼 메틸, 에틸, n-프로필, i-프로필, n-부틸, i-부틸, s-부틸, t-부틸, 2-메틸-부틸, n-펜틸, s-펜틸, 시클로펜틸, n-헥실, 시클로헥실, n-헵틸, 시클로헵틸, n-옥틸, 시클로옥틸, 2-에틸헥실, 트리플루오로메틸, 펜타플루오로에틸, 2,2,2-트리플루오로에틸, 에테닐, 프로페닐, 부테닐, 펜테닐, 시클로펜테닐, 헥세닐, 시클로헥세닐, 헵테닐, 시클로헵테닐, 옥테닐, 시클로옥테닐, 에티닐, 프로피닐, 부티닐, 펜티닐, 헥시닐, 헵티닐 또는 옥티닐을 의미한다. C1- 내지 C40-알콕시 기는 바람직하게 메톡시, 트리플루오로메톡시, 에톡시, n-프로폭시, i-프로폭시, n-부톡시, i-부톡시, s-부톡시, t-부톡시 또는 2-메틸부톡시를 의미한다. 또한 각각의 경우에 상기 언급한 라디칼 R 로 치환될 수 있고, 임의 원하는 위치를 통해 방향족 또는 헤테로방향족 고리계에 결합될 수 있는, 5 내지 40개의 방향족 고리 원자를 가지는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계는 특히, 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 피렌, 크리센, 벤즈안트라센, 퍼릴렌, 플루오란텐, 벤조플루오란텐, 나프타센, 펜타센, 벤조피렌, 디벤즈안트라센, 비페닐, 비페닐렌, 터페닐, 터페닐렌, 플루오렌, 스피로비플루오렌, 디히드로페난트렌, 디히드로피렌, 테트라히드로피렌, 시스- 또는 트랜스-인데노플루오렌, 시스- 또는 트랜스-모노벤조인데노플루오렌, 시스- 또는 트랜스-디벤조인데노플루오렌, 트룩센, 이소트룩센, 스피로트룩센, 스피로이소트룩센, 푸란, 벤조푸란, 이소벤조푸란, 디벤조푸란, 티오펜, 벤조티오펜, 이소벤조티오펜, 디벤조티오펜, 피롤, 인돌, 이소인돌, 카르바졸, 피리딘, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 아크리딘, 페난트리딘, 벤조-5,6-퀴놀린, 벤조-6,7-퀴놀린, 벤조-7,8-퀴놀린, 페노티아진, 페녹사진, 피라졸, 인다졸, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 나프티미다졸, 페난트리미다졸, 피리디미다졸, 피라진이미다졸, 퀴녹살린이미다졸, 옥사졸, 벤족사졸, 나프톡사졸, 안트록사졸, 페난트록사졸, 이속사졸, 1,2-티아졸, 1,3-티아졸, 벤조티아졸, 피리다진, 벤조피리다진, 피리미딘, 벤조피리미딘, 퀴녹살린, 1,5-디아자안트라센, 2,7-디아자피렌, 2,3-디아자피렌, 1,6-디아자피렌, 1,8-디아자피렌, 4,5-디아자피렌, 4,5,9,10-테트라아자퍼릴렌, 피라진, 페나진, 페녹사진, 페노티아진, 플루오루빈, 나프티리딘, 아자카르바졸, 벤조카르볼린, 페난트롤린, 1,2,3-트리아졸, 1,2,4-트리아졸, 벤조트리아졸, 1,2,3-옥사디아졸, 1,2,4-옥사디아졸, 1,2,5-옥사디아졸, 1,3,4-옥사디아졸, 1,2,3-티아디아졸, 1,2,4-티아디아졸, 1,2,5-티아디아졸, 1,3,4-티아디아졸, 1,3,5-트리아진, 1,2,4-트리아진, 1,2,3-트리아진, 테트라졸, 1,2,4,5-테트라진, 1,2,3,4-테트라진, 1,2,3,5-테트라진, 퓨린, 프테리딘, 인돌리진 및 벤조티아디아졸 유래의 기를 의미한다.
본 발명의 바람직한 구현예에서, 금속 M 은 Be, Mg, Pd, Zn 또는 Cd 으로부터 선택된다. 금속 M 은 특히 바람직하게 Zn 이다.
부호 n 은 또한 바람직하게 = 0 또는 1 이다. 부호 n 은 특히 바람직하게 0 이다.
기호 Y 은, 동일하거나 또는 상이하게 각각의 경우에, 또한 바람직하게 단일 결합 또는 C(R)2 기, 특히 바람직하게 단일 결합을 나타낸다.
기호 X 는, 동일하거나 또는 상이하게 각각의 경우에, 또한 바람직하게 O 또는 S, 특히 바람직하게 O 을 나타낸다.
상기 언급한 바람직한 것들을 동시에 가지는 화학식 (I)의 화합물, 즉 금속 M 은 Be, Mg, Pd, Zn 또는 Cd 으로부터 선택되고, 부호 n = 0 또는 1 이고, 기호 Y 는, 동일하거나 또는 상이하게 각각의 경우에, 단일 결합 또는 C(R)2 기를 나타내고, 기호 X 는, 동일하거나 또는 상이하게 각각의 경우에, 0 또는 S 를 나타내는 화합물이 특히 바람직하다. 금속 M 은 Zn 이고, 부호 n = 0 이고, 기호 Y 는 단일 결합을 나타내고, 기호 X 는 O 를 나타내는 화학식 (I)의 화합물이 매우 특히 바람직하다.
기호 Ar1 은 또한 바람직하게 n = 0 인 경우, 5 내지 24개의 방향족 고리 원자를 가지는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계를 나타내고, 이의 각각은 하나 이상의 라디칼 R 로 치환될 수 있다. Y-Ar1-Y 기는 특히 바람직하게 n = 0 인 경우, 하기 화학식 (II) 내지 (XV)의 기를 나타낸다:
Figure pct00002
기호 Ar1 은 또한 바람직하게 n = 1 인 경우, 5 내지 24개의 방향족 고리 원자, 특히 6 내지 12개의 방향족 고리 원자를 가지는 방향족 또는 헤테로방향족 고리계를 나타내고, 이의 각각은 하나 이상의 라디칼 R 로 치환될 수 있다. 상기 기호 Ar1 은 특히 바람직하게 n = 1 인 경우, 하기 화학식 (XVI) 내지 (XXI)의 기를 나타낸다:
Figure pct00003
Figure pct00004
화학식 (II) 내지 (XXI)에서의 점선은 각각의 경우에 이민 질소에 대한 결합을 나타낸다. 화학식 (XIX)의 부호 m 은 1 내지 10 이다.
M, n, Y 및 X 에 대하여 상기 언급한 바람직한 것들 및 상기 제시한 화학식 (II) 내지 (XXI)로부터 선택된 Ar1 기를 동시에 가지는 화학식 (I)의 화합물이 특히 바람직하다.
기호 Ar2는, 동일하거나 또는 상이하게 각각의 경우에, 또한 바람직하게 5 내지 16개의 방향족 고리 원자를 가지는 아릴 또는 헤테로아릴기를 나타내고, 이는 하나 이상의 라디칼 R 로 치환될 수 있다. 기호 Ar2는, 동일하거나 또는 상이하게 각각의 경우에, 특히 바람직하게 페닐, 1- 또는 2-나프틸, 4-비페닐, 1- 또는 2-안트릴, 2- 또는 3-티에닐, 2- 또는 3-피롤릴, 2- 또는 3-푸라닐, 2-, 3- 또는 4-피리디닐, 3- 또는 4-피리다지닐, 4- 또는 5-피리미디닐, 피라지닐, 2-, 3-, 4-, 5-, 6-, 7- 또는 8-퀴놀리닐 또는 3-, 4-, 5-, 6-, 7- 또는 8-이소퀴놀리닐로부터 선택되는 아릴 또는 헤테로아릴기를 나타내고, 이의 각각은 하나 이상의 라디칼 R 로 치환될 수 있다. 각각 하나 이상의 라디칼 R 로 치환될 수 있는 페닐, 1-나프틸, 2-나프틸 및 4-비페닐, 특히 페닐이 매우 특히 바람직하다.
상기 언급한 바람직한 Ar2 기 및 상기 제시한 화학식 (II) 내지 (XXI)로부터 선택되는 Ar1 기를 동시에 가지는 화학식 (I)의 화합물이 특히 바람직하다. M, n, Y, X 및 Ar2 에 대해 상기 언급한 특히 바람직한 것들 및 상기 제시한 화학식 (II) 내지 (XV)로부터 선택된 Ar1 기를 동시에 가지는 화학식 (I)의 화합물이 매우 특히 바람직하다.
기호 R 은, 동일하거나 또는 상이하게 각각의 경우에, 또한 바람직하게 H, F, N(R2)2, Si(R2)3, C(=0)R2, P(=0)(R2)2, 1 내지 10개의 C 원자를 가지는 직쇄 알킬기 또는 3 내지 10개의 C 원자를 가지는 분지형 또는 환형 알킬기를 나타내고, 이의 각각은 하나 이상의 라디칼 R2 로 치환될 수 있고, 여기서, 하나 이상의 비인접 CH2 기는 R2C=CR2, 0 또는 S 로 대체될 수 있고, 하나 이상의 H 원자는 F 로 대체될 수 있고, 또는 5 내지 16개의 방향족 고리 원자를 가지는 아릴 또는 헤테로아릴기를 나타내고, 이의 각각은 하나 이상의 라디칼 R2 로 치환될 수 있고, 또는 상기 계의 조합을 나타내고; 2개 이상의 치환기 R 은 여기서 또한 서로 단환형 또는 다환형 지방족 또는 방향족 고리계를 형성할 수 있다. 기호 R 은, 동일하거나 또는 상이하게 각각의 경우에, 특히 바람직하게 H, F, 1 내지 4개의 C 원자를 가지는 직쇄 알킬기 또는 3 또는 4개의 C 원자를 가지는 분지형 알킬기를 나타내고, 이의 각각은 하나 이상의 라디칼 R2 로 치환될 수 있고, 여기서, 하나 이상의 H 원자는 F 로 대체될 수 있고, 또는 6 내지 10개의 방향족 고리리 원자를 가지는 아릴기를 나타내고, 이는 각각의 경우에 하나 이상의 라디칼 R2 로 치환될 수 있고; 2개 이상의 치환기 R 은 여기서 또한 서로 단환형 또는 다환형 지방족 또는 방향족 고리계를 형성할 수 있다.
기호 R1 은, 동일하거나 또는 상이하게 각각의 경우에, 또한 바람직하게 H, 1 내지 6개의 C 원자를 가지는 직쇄 알킬기 또는 3 내지 6개의 C 원자를 가지는 분지형 또는 환형 알킬기를 나타내고, 여기서 각각의 경우에 하나 이상의 H 원자는 또한 F 로 대체될 수 있고, 또는 5 내지 16개의 방향족 고리 원자를 가지는 아릴 또는 헤테로아릴기를 나타내고, 이의 각각은 하나 이상의 라디칼 R2 로 치환될 수 있다. 기호 R1 은, 동일하거나 또는 상이하게 각각의 경우에, 특히 바람직하게 H, 메틸기 또는 페닐 또는 나프틸기를 나타내고, 이의 각각은 하나 이상의 라디칼 R2 로 치환될 수 있다.
화학식 (I)의 화합물은 임의로 고체 상태에서 이량체 또는 올리고머 형태일 수 있고, 화학식 (I)의 간단한 형태로 제시된 바와 같이, 반드시 간단한 착물의 형태인 것은 아니다. 따라서 이량체 또는 올리고머 형태의 화학식 (I)의 화합물을 함유하는 유기 전계발광 소자는 화학식 (I)의 화합물을 간단한 착물로서 함유하는 전계발광 소자의 방식과 동일한 방식으로 본 발명에 의해 자연스럽게 포함된다.
또한 대칭 화합물, 즉 모든 기호 Ar2 가 동일하고, 모든 기호 X 가 동일하고, 모든 기호 R1 이 동일하고, 모든 기호 Y 가 동일하고, 동일하게 치환되는 화합물이 바람직하다.
화학식 (I)의 구조적 요소를 함유하는 바람직한 화합물의 예는 하기 제시된 화합물 (1) 내지 (180)이다:
Figure pct00005
Figure pct00006
Figure pct00007
Figure pct00008
Figure pct00009
Figure pct00010
Figure pct00011
Figure pct00012
Figure pct00013
Figure pct00014
Figure pct00015
Figure pct00016
Figure pct00017
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Figure pct00019
Figure pct00020
Figure pct00021
Figure pct00023
Figure pct00024
Figure pct00025
Figure pct00026
Figure pct00027
화학식 (I)의 화합물은 유기 화학의 표준 방법에 의해 합성될 수 있다. 특히, 2개의 합성 가능성이 여기서 적합하다. 따라서, 우선 Schiff 염기의 형성과 함께 상응하는 디아민과 알데히드 또는 케톤으로부터 리간드를 합성한 후, 이를 추가의 단계에서 적합한 금속 염과 반응시켜 상응하는 금속 착물을 수득할 수 있다. 또한 디아민과 알데히드 또는 케톤을 반응시키고, 서로 적합한 금속염을 동시에 반응시킴으로써 하나의 단계로 리간드 합성 및 착화 반응 (주형합성법)을 실시할 수 있다 (Eur. J. Inorg. Chem. 2004, 4561-65).
화학식 (I)의 화합물은 유기 전계발광 소자의 발광층에서 사용되는 인광 발광체를 위한 매트릭스 재료로서 역할을 한다.
따라서 본 발명은 또한 유기 전계발광 소자에서 인광 화합물을 위한 매트릭스 재료로서의 화학식 (I)의 화합물의 용도에 관한 것이다.
유기 전계발광 소자는 캐소드 (Cathode), 애노드 (anode) 및 하나 이상의 발광층을 포함한다. 상기 층에 더하여, 이는 또한 추가의 층, 예를 들어 각각의 경우에 하나 이상의 정공주입층, 정공수송층, 전자차단층, 정공차단층, 전자수송층, 전자주입층, 전하생성층 (IDMC 2003, Taiwan; Session 21 OLED (5), T. Matsumoto, T. Nakada, J. Endo, K. Mori, N. Kawamura, A. Yokoi, J. Kido, Multiphoton Organic EL Device Having Charge Generation Layer) 및/또는 유기 또는 무기 p/n 접합을 포함할 수 있다. 또한 예를 들어, 엑시톤(exciton)-차단 기능을 갖는 중간층이 2개의 발광층 사이에 도입되는 것이 가능하다. 그러나, 각각의 상기 층이 반드시 존재해야 하는 것은 아님을 주의해야 한다.
본 발명의 바람직한 구현예에서, 화학식 (I)의 화합물 및 인광 발광체를 포함하는 발광층은 적색-, 녹색- 또는 청색-발광층이다.
본 발명의 추가 바람직한 구현예에서, 유기 전계발광 소자는 복수의 발광층을 포함하고, 여기서, 하나 이상의 층은 하나 이상의 화학식 (I)의 화합물 및 하나 이상의 인광 화합물을 포함한다. 발광층은 특히 바람직하게 전체적으로 백색 발광을 야기하는, 380 nm 내지 750 nm 사이에 전체적으로 복수의 최대 발광을 가지고, 즉 형광 또는 인광을 발할 수 있는 다양한 발광 화합물이 발광층에서 사용된다. 3개의 층이 청색, 녹색 및 오렌지색 또는 적색 발광을 나타내는 3-층 시스템 (기본적인 구조에 대해서 예를 들어, WO 05/011013 참조)이 특히 바람직하다.
인광 화합물 (= 삼중선 발광체)은 적합한 여기 시, 바람직하게 가시광선 영역에서 발광하고, 또한 원자 번호가 20 초과, 바람직하게 38 초과 및 84 미만, 특히 바람직하게 56 초과 및 80 미만인 하나 이상의 원자를 함유하는 하나 이상의 화합물을 포함한다. 사용된 인광 발광체는 바람직하게 구리, 몰리브덴, 텅스텐, 레늄, 루테늄, 오스뮴, 로듐, 이리듐, 팔라듐, 백금, 은, 금 또는 유러퓸을 함유하는 화합물, 특히 이리듐 또는 백금을 함유하는 화합물이다.
특히 바람직한 유기 전계발광 소자는 인광 발광체로서, 하나 이상의 하기 화학식 (XXII) 내지 화학식 (XXV)의 화합물을 함유한다:
Figure pct00028
[식 중, R 은 화학식 (I)에 대해 상기 기재된 바와 동일한 의미를 가지고, 사용된 다른 기호에 대해 하기가 적용됨:
DCy 는 동일하거나 또는 상이하게 각각의 경우에, 하나 이상의 공여체 원자, 바람직하게 질소, 카르벤 형태의 탄소 또는 인 (이들을 통해 환형 기가 금속에 결합됨)을 함유하는 환형 기이고, 이는 결과적으로 하나 이상의 치환기 R 을 가질 수 있고; DCy 및 CCy 기는 공유 결합에 의해 서로 결합되고;
CCy 는 동일하거나 또는 상이하게 각각의 경우에, 탄소 원자 (이를 통해 환형 기가 금속에 결합됨)를 함유하는 환형 기이고, 이는 결과적으로 하나 이상의 치환기 R 을 가질 수 있고;
A 는 동일하거나 또는 상이하게 각각의 경우에, 단일음이온성, 두자리 킬레이트 리간드, 바람직하게 디케토네이트 리간드임].
복수의 라디칼 R 사이에 고리계를 형성함으로써 또한 DCy 및 CCy 기 사이의 가교를 생성할 수 있다.
상기 기재된 발광체의 예는 출원 WO 00/70655, WO 01/41512, WO 02/02714, WO 02/15645, EP 1191613, EP 1191612, EP 1191614 및 WO 05/033244 에 의해 나타내어진다. 일반적으로, 적합한 인광 착물은 인광 OLED 에 대한 선행 기술에 따라 사용되는 바와 같고 유기 전계발광 분야의 당업자에게 공지된 바와 같은 모든 것이다.
하나 이상의 화학식 (I)의 화합물 및 하나 이상의 인광 발광체의 혼합물은 발광체 및 매트릭스 재료의 전체 혼합물을 기준으로, 1 내지 99중량%, 바람직하게 2 내지 90중량%, 특히 바람직하게 3 내지 40중량%, 특히 5 내지 15중량%의 하나 이상의 인광 발광체를 포함한다. 상응하여, 혼합물은 발광체 및 매트릭스 재료의 전체 혼합물을 기준으로, 99 내지 1중량%, 바람직하게 98 내지 10중량%, 특히 바람직하게 97 내지 60중량%, 특히 95 내지 85중량%의 하나 이상의 화학식 (I)의 매트릭스 재료를 포함한다. 화학식 (I)의 매트릭스 재료 외에, 전체 혼합물은 또한 추가의 매트릭스 재료를 포함할 수 있다.
또한 하나 이상의 층이 승화 방법에 의해 적용되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자가 바람직하고, 여기서 재료는 10-5 mbar 미만, 바람직하게 10-6 mbar 미만의 압력에서 진공 승화 단위에서 증착된다.
또한 하나 이상의 층이 OVPD (유기 기상 증착) 방법에 의해 또는 담체 기체 승화에 의해 적용되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자가 바람직하고, 여기서, 재료는 10-5 mbar 내지 1 bar 사이의 압력에서 적용된다. 상기 방법의 특별한 경우는 OVJP (유기 증기 제트 인쇄) 방법이고, 여기서 재료는 노즐을 통해 직접 적용되어 구조화된다 (예를 들어 M. S. Arnold 등, Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 053301).
또한 하나 이상의 층이 예를 들어, 스핀 코팅, 또는 임의 원하는 인쇄 방법, 예컨대 스크린 인쇄, 플렉소그래픽 인쇄 또는 오프셋 인쇄 (offset printing), 특히 바람직하게 LITI (광유도 열 이미지처리(light induced thermal imaging), 열전사 인쇄) 또는 잉크-젯 인쇄에 의해 용액으로부터 제조되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자가 바람직하다. 가용성 화합물은 상기 목적을 위해 필요하다.
상기 방법은 일반적으로 당업자에게 공지되어 있고, 당업자에 의해 문제 없이 화학식 (I)의 화합물 및 삼중선 발광체를 포함하는 본 발명에 따른 계에 적용될 수 있다.
화학식 (I)의 화합물은 유기 전계발광 소자에서 사용시 선행 기술에 비해 하기 놀라운 이점을 가진다:
1. 작동 전압은 B-Alq 및 다른 알루미늄 착물에 비해 화학식 (I)의 화합물의 이용시 상당히 감소되고, 이는 상당히 더 높은 전력 효율을 야기한다.
2. 소자의 수명은 또한 화학식 (I)의 화합물을 삼중선 매트릭스 재료로서 이용시 개선된다.
3. 또한, 소자의 효율은 화학식 (I)의 화합물을 삼중선 매트릭스 재료로서 이용시 개선된다.
4. 화학식 (I)의 화합물은 CBP 보다 상당히 높은 유리 전이 온도를 가지고, 이는 삼중선 매트릭스 재료로서 선행 기술에 따라 종종 사용된다.
상기 언급한 이점은 다른 전자적 특성의 감손을 동반하지 않는다.
본 발명은 하기 실시예에 의해 더욱 상세하게 설명되지만, 이로 인해 본 발명을 제한하기 위한 것은 아니다.
실시예 :
하기 합성은 달리 언급하지 않는 한 건조한 용매에서 보호 기체 분위기 하에 실시한다. 출발 재료는 ALDRICH 로부터 구입할 수 있거나 또는 문헌에 공지된 방법으로 제조한다. 2,2'-디니트로비페닐로부터 2,2'-디아미노비페닐의 합성은 [Chem. Commun. 2005, 46, 5799-5801]에 기재된 방법에 따라 실시한다. 4,4'-디브로모-2,2'-디니트로비페닐의 합성은 [J Am. Chem. Soc. 2006, 128, 9034-9035]에 기재되어 있다. 2-머캅토벤즈알데히드의 합성은 [Synlett 2001, 1956-1958]에 기재되어 있다.
실시예 1: 3',2"- 디아미노 -p- 쿼터페닐의 합성
a) 3',2"- 디니트로 -p- 쿼터페닐의 제조
Figure pct00029
2.4 g (2.1 mmol)의 Pd(PPh3)4 를 300 ml 의 물과 300 ml 의 THF 의 혼합물 중 18.8 g (154.5 mmol)의 페닐보론산, 30 g (74.6 mmol)의 2,5-디브로모니트로벤젠 및 53 g (212.7 mmol)의 탄산 칼륨의 잘 교반되고, 탈기된 현탁액에 첨가하고, 혼합물을 20 시간 동안 환류 하에 가열한다. 냉각 후, 유기 상을 분리해내고, 200 ml 의 물로 3 회 그리고 200 ml 의 포화 염화나트륨 용액으로 1 회 세정하고, 황산 마그네슘으로 건조하고, 회전식 증발기에서 증발시켜 진공 건조한다. 회색의 잔류물을 헥산에서 재결정한다. 침전된 결정을 흡입하여 여과 제거하고, 약간의 MeOH 로 세정하고, 진공 건조한다; 수율: 23 g, 이론치의 80%; 순도: HPLC 에 따르면 99.2%.
b) 3',2"- 디아미노 -p- 쿼터페닐의 제조
Figure pct00030
16.6 g (42 mmol)의 3',2"-디니트로-p-쿼터페닐 및 1.99 g 의 Pd/C (10%)를 200 ml 의 메탄올에 현탁시키고, 8.4 g (222 mmol)의 나트륨 보로하이드라이드를 0℃에서 교반하면서 나누어 첨가한다. 2 시간 동안 교반한 후, 맑은 용액을 묽은 HCl으로 중성화한다. 이어서 용매를 제거하고, 잔류물을 물로 강력하게 세정하고, 디옥산으로부터 재결정한다. 침전물을 여과하고, 진공 건조하여, 11 g (35.6 mmol)의 결정성 고체를 수득한다. 전체 수율은 78% 이다.
실시예 2: 금속 착물에 대한 일반적 합성 절차
착물의 제조를 위한 2개의 일반적 방법이 있다:
A) 방향족 아민과, 금속 염 및 o-히드록시알데히드 또는 o-히드록시케톤의 반응;
B) 방향족 아민과, 금속 염과의 Schiff 염기 반응.
방법 A 는 부산물 (H20)이 제조되는 착물을 파괴하지 않는 경우 사용될 수 있다. 상기 착물이 수분에 민감하거나 또는 이민 형성이 정량적이지 않은 경우 방법 B 가 적합하다.
방법 A: 일반적 합성 절차
Figure pct00031
260 mmol 의 o-히드록시알데히드 또는 o-히드록시케톤을 1000 ml 의 건조한 메탄올 및 100 ml 의 트리에틸아민 중 121 mmol 의 방향족 디아민 용액에 첨가한다. 127 mmol 의 금속 염, 예를 들어 아연 아세테이트를 이어서 혼합물에 첨가하고, 이를 실온에서 24 시간 동안 교반한 후, 여과하고, 저온의 메탄올로 세정한다. 생성물을 재결정에 의해 정제한다.
방법 B: 일반적 합성 절차
Figure pct00032
i) 리간드 합성
리간드 합성을 형성된 물을 제거하기 위해 공비 증류를 이용하여 실시한다. 300 ml 의 건조한 톨루엔을 3-구 플라스크, 교반기, 내부 온도계 및 드로핑 펀넬(dropping funnel)을 갖춘 증류 장치에서 가열하여 비등시킨다. 50 ml 의 건조한 톨루엔 중 60 mmol 의 방향족 아민의 용액 및 50 ml 의 톨루엔 중 120 mmol 의 알데히드 또는 케톤의 용액을 이어서 천천히 적가한다. p-톨루엔술폰산의 촉매량을 혼합물에 첨가한다. 맑고, 농축된 톨루엔이 나타날 때까지 증류를 실시한다. 용매의 잔류물을 오일-펌프 진공 (130 Pa) 내에 제거한다. 아조메틴을 황색 고체로서 단리하고, 톨루엔으로부터 재결정하고, MeOH 로 세정한다.
ii ) 착물 합성
100 ml 의 메탄올 중 상응하는 이민 리간드 (17 mmol)의 용액을 100 ml 의 메탄올 중 19 mmol 의 적합한 금속 염, 예를 들어 3.4 g 의 아연 아세테이트 디하이드레이트의 용액에 첨가하고, 혼합물을 실온에서 3 일 동안 교반한다. 여과 후, 고체를 진공 건조한 다음, 보호 기체 하에 재결정한다.
실시예 3: Zn 착물 (1)의 합성
Figure pct00033
[[2,2'-[[1,1'-비페닐]-2,2'-디일비스(니트릴로메틸리딘)] 비스[페놀레이토]](2-)-N,N',O,O']아연의 합성을 [Journal of the Chemical Society, Dalton Transactions: Inorganic Chemistiy 1996, 2835-2838]의 방법 (B)에 의해 처음으로 기재하였다. 상기 방법에 의해 수득된 착물은 자유 리간드를 부산물로서 함유하고, 이는 착물을 99% 초과의 순도로 제조하는 것을 더욱 어렵게 만든다. 400 ml 의 순 MeOH 중 8.9 g (48 mmol)의 2,2'-디아미노비페닐, 17 g (140 mmol)의 2-히드록시벤즈알데히드, 8.8 g (48 mmol)의 아연 아세테이트 디하이드레이트 및 40 ml 의 트리에틸아민으로부터 출발하는, 상기 기재된 방법 (A)는 매우 높은 수율 및 99.9% 초과의 순도로 착물을 생성한다. 24 시간 후에, 침전된 고체를 저온 메탄올로 세정하고, 진공 중 건조한 다음, 보호 기체 하에 순 EtOH 로부터 재결정하여, 21.5 g (47 mmol)의 결정성 고체를 수득한다. 전체 수율은 98%이다 (Tg = 152.0℃, Tm = 280.0℃).
실시예 4: Zn 착물 (22)의 합성
Figure pct00034
상기 착물을 400 ml 의 순 MeOH 중 8.9 g (48 mmol)의 2,2'-디아미노비페닐, 24.3 g (140 mmol)의 3,4-디-tert-부틸-2-히드록시-벤즈알데히드, 8.8 g (48 mmol)의 아연 아세테이트 디하이드레이트 및 40 ml 의 트리에틸아민으로부터 출발하는 방법 (A)에 의해 합성한다. 24 시간 후에, 침전된 고체를 저온 메탄올로 세정하고, 진공 중 건조한 다음, 보호 기체 하에 순 EtOH 로부터 재결정하여, 29 g (42 mmol)의 결정성 고체를 수득한다. 전체 수율은 96%이다 (Tg = 170.5℃, Tm = 314.2℃).
실시예 5: Zn 착물 (16)의 합성
Figure pct00035
상기 착물을 400 ml 의 순 MeOH 중 16 g (48 mmol)의 3',2"-디아미노-p-쿼터페닐, 24.3 g (140 mmol)의 2-히드록시벤즈알데히드, 8.8 g (48 mmol)의 아연 아세테이트 디하이드레이트 및 40 ml 의 트리에틸아민으로부터 출발하는 방법 (A)에 의해 합성한다. 24 시간 후에, 침전된 고체를 저온 메탄올로 세정하고, 진공 중 건조한 다음, 보호 기체 하에 순 MeOH 에서 재결정하여, 27 g (44 mmol)의 결정성 고체를 수득한다. 전체 수율은 96%이다 (Tg = 252.7℃, Tm = 367.6℃).
실시예 6: Zn 착물 (2)의 합성
Figure pct00036
상기 착물을 방법 (B)로 합성한다.
a) 리간드 합성
상기 합성을 400 ml 의 톨루엔 중 11.16 g (60.59 mmol)의 2,2'-디아미노-비페닐, 16.3 g (120 mmol)의 2-히드록시아세토페논 및 0.2 g (1.1 mmol)의 p-톨루엔술폰산에서 실시한다. 24 시간 후에, 침전된 고체를 저온 메탄올로 세정하여, 20 g (47 mmol)의 결정성 고체를 수득한다. 전체 수율은 76%이다.
b) 착물 합성
상기 합성을 200 ml 의 메탄올 중 3.4 g (19 mmol)의 아연 아세테이트 디하이드레이트 및 6 g (17 mmol)의 리간드에서 실시한다. 24 시간 후에, 침전된 고체를 저온 메탄올로 세정하고, 진공 중 건조한 다음, 보호 기체 하에 순 MeOH 로부터 재결정하여, 6g (13.1 mmol)의 결정성 고체를 수득한다. 전체 수율은 86%이다 (Tg = 143.4℃, Tm = 261.0℃).
실시예 7: Zn 착물 (15)의 합성
Figure pct00037
상기 착물을 방법 (B)로 합성한다.
a) 리간드 합성
상기 합성을 400 ml 의 톨루엔 중 11.16 g (60.59 mmol)의 2,2'-디아미노-비페닐, 23 g (120 mmol)의 2-히드록시벤조페논 및 0.2 g (1.1 mmol)의 p-톨루엔술폰산에서 실시한다. 24 시간 후에, 침전된 고체를 저온 메탄올로 세정하여, 22.5 g (41 mmol)의 결정성 고체를 수득한다. 전체 수율은 70%이다.
b) 착물 합성
상기 합성을 200 ml 의 메탄올 중 3.4 g (19 mmol)의 아연 아세테이트 디하이드레이트 및 9.2 g (17 mmol)의 리간드에서 실시하였다. 24 시간 후, 침전된 고체를 저온 메탄올로 세정하고, 진공 중 건조한 다음, 보호 기체 하에 순 MeOH 로부터 재결정하여, 7.5 g (11 mmol)의 결정성 고체를 수득한다. 전체 수율은 73%이다 (Tg = 232.8℃, Tm = 354.5℃).
실시예 8: Zn 착물 (134)의 합성
Figure pct00038
상기 착물을 400 ml 의 순 MeOH 중 8.9 g (48 mmol)의 2,2'-디아미노비페닐, 19.3 g (140 mmol)의 2-머캅토벤즈알데히드, 8.8 g (48 mmol)의 아연 아세테이트 디하이드레이트 및 40 ml 의 트리에틸아민으로부터 출발하는 방법 (A)로 합성한다. 24 시간 후에, 침전된 고체를 저온 메탄올로 세정하고, 진공 중 건조한 다음, 보호 기체 하에 순 EtOH 에서 재결정하여, 22 g (45 mmol)의 결정성 고체를 수득한다. 전체 수율은 94%이다 (Tg = 165.5℃, Tm = 290.0℃).
실시예 9 내지 11: 화학식 (I)의 화합물을 함유하는 유기 전계발광 소자의 제조 및 특징
본 발명에 따른 전계발광 소자는 예를 들어, WO 05/003253 에서 기재된 바와 같이 제조될 수 있다. 다양한 OLED 에 대한 결과는 여기서 비교된다. 기본적 구조, 사용된 재료, 도핑(doping) 정도 및 이의 층 두께는 더 나은 비교를 위해 동일하게 한다. 발광층 내의 호스트만을 변경한다. 제 1 소자의 예는 선행 기술에 따른 비교의 표준을 기재하고, 여기서 발광층은 호스트 재료 B-Alq 및 게스트 재료 (도펀트) Ir(piq)3 로 이루어진다. 또한, 호스트 재료 Zn 착물 (1) 및 게스트 재료 (도펀트) Ir(piq)3 로 이루어진 발광체 층을 가지는 OLED 가 기재되어 있다. 하기 구조를 가지는 OLED 는 상기 언급한 일반적 방법과 유사하게 제조된다:
정공주입층 (HIL) 10 nm 의 2,2',7,7'-테트라키스(디-파라-톨릴-아미노)스 피로-9,9'-비플루오렌
정공수송층 (HTL) 30 nm 의 NPB (N-나프틸-N-페닐-4,4'-디아미노비페닐)
발광층 (EML) 호스트: B-Alq (증착시킴; E-Ray 로부터 구입함 및 추가 정제하고, 2회 승화시킴; 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀레이토 -N1,O8)-(1,1'-비페닐-4-올레이토)알루미늄 또는 CBP (비 스(카르바졸-9-일)비페닐) (비교로서) 또는 Zn 착물 (1).
도펀트: Ir(piq)3 (10% 도핑, 증착시킴; WO 03/0068526) 에 따라 합성함.
전자 도체 (ETL) 20 nm 의 AlQ3 (E-Ray 로부터 구입함, 트리스(퀴놀리네이 토)알루미늄(III))
캐소드 1 nm 의 LiF, 150 nm 의 Al (상부).
Ir(piq)3 의 구조를 명확하게 하기 위해 하기 제시한다:
Figure pct00039
이러한 아직 최적화되지 않은 OLED 는 표준 방법으로 특징짓는다; 이를 위해, 전류/전압/발광도 특성 라인 (IUL 특성 라인)으로부터 계산된 전계발광 스펙트럼, 발광성 기능으로서의 효율 (cd/A 로 측정됨) 및 수명을 측정한다.
비교 실험으로서 호스트 CBP 로 제조된 OLED 에서, CIE 의 색 좌표: x = 0.68, y = 0.32를 가진 약 6.5 cd/A 의 최대 효율을 상기 기재된 조건 하에 전형적으로 수득한다. 1000 cd/m2 의 참고 발광 밀도를 위해, 6.8 V 의 전압이 요구된다. 수명은 1000 cd/m2 의 초기 발광 밀도에서 약 6000 시간이다 (표 1 참조).
추가 비교 실험으로서 호스트 B-Alq 로 제조된 OLED 에서, CIE 의 색 좌표: x = 0.68, y = 0.32 를 가진 약 8.0 cd/A 의 최대 효율을 상기 기재된 조건 하에 전형적으로 수득한다. 1000 cd/m2 의 참고 발광 밀도를 위해, 7.5 V 의 전압이 요구된다. 수명은 1000 cd/m2 의 초기 발광 밀도에서 약 7000 시간이다 (표 1 참조).
대조적으로, 호스트 Zn 착물 (1)로 제조된 본 발명에 따른 OLED 는 다른 방면에서는 동일한 구조로 CIE 의 색 좌표: x = 0.68, y = 0.32 를 가진 8.5 cd/A 의 최대 효율을 나타내고, 여기서 1000 cd/m2 의 참고 발광 밀도를 위해 요구되는 전압은 5.0 V 이다 (표 1 참조). 참고 재료 CBP 및 B-Alq 의 경우보다 1000 cd/m2 의 초기 발광 밀도에서의 수명은 9000 시간으로 상당히 더 길고, 전압은 5.0 V 로 그들보다 상당히 더 짧다 (표 1 참조).
Figure pct00040

Claims (15)

  1. 하나 이상의 인광 화합물 및 하나 이상의 하기 화학식 (I)의 화합물을 발광층에 포함하는 유기 전계발광 소자:
    [화학식 (I)]
    Figure pct00041

    [식 중, 사용된 기호 및 부호에 대해 하기가 적용된다:
    M 은 각각의 경우에, 동일하거나 또는 상이하게, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Fe, Ru, Os, Co, Ni, Pd, Cu, Zn, Cd, Hg, Sn 및 Pb 로부터 선택되는 산화수 +2 의 금속 이온이고;
    X 는 각각의 경우에, 동일하거나 또는 상이하게, 0, S 또는 CO-O 이고;
    Ar1 은 5 내지 60개의 방향족 고리 원자를 가진 방향족 또는 헤테로방향족 고리계이고, 이는 하나 이상의 라디칼 R 로 치환될 수 있고, 여기서 개개의 방향족 기는 1 내지 10개의 C 원자를 가진 알킬렌 기에 의해 서로 결합될 수 있고, 여기서, 또한 하나 이상의 비인접 C 원자는 O 또는 S 로 대체될 수 있고;
    Ar2 는 각각의 경우에, 동일하거나 또는 상이하게, 5 내지 60개의 방향족 고리 원자를 가진 방향족 또는 헤테로방향족 고리계이고, 이는 하나 이상의 라디칼 R 로 치환될 수 있고;
    Y 는 각각의 경우에, 동일하거나 또는 상이하게, 단일 결합 또는 1 내지 10 개의 C 원자를 가진 알킬렌 기 (여기서, 또한 질소에 결합되지 않는 하나 이상의 비인접 C 원자는 0 로 대체될 수 있음)이고, 이는 하나 이상의 라디칼 R 로 치환될 수 있고;
    R 은 각각의 경우에, 동일하거나 또는 상이하게, H, F, Cl, Br, I, N(R2)2, CN, NO2, Si(R2)3, B(0R2)2, C(=0)R2, P(=0)(R2)2, S(=O)R2, S(=O)2R2, 0S02R2, 1 내지 40개의 C 원자를 가진 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알킬기 또는 3 내지 40개의 C 원자를 가진 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알킬기이고, 이의 각각은 하나 이상의 라디칼 R2 로 치환될 수 있고, 여기서, 하나 이상의 비인접 CH2 기는 R2C=CR2, C≡C, Si(R2)2, Ge(R2)2, Sn(R2)2, C=0, C=S, C=Se, C=NR2, P(=O)(R2), SO, S02, NR2, 0, S 또는 CONR2 로 대체될 수 있고, 하나 이상의 H 원자는 F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수 있고, 또는 5 내지 60개의 방향족 고리 원자를 가진 방향족 또는 헤테로방향족 고리계이고, 이의 각각은 하나 이상의 라디칼 R2로 치환될 수 있고, 또는 5 내지 60개의 방향족 고리 원자를 가진 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시기이고, 이는 하나 이상의 라디칼 R2 로 치환될 수 있고, 또는 상기 계의 조합이고; 2개 이상의 치환기 R 은 여기서 또한 서로 단환형 또는 다환형 지방족 또는 방향족 고리계를 형성할 수 있고;
    R1 은 각각의 경우에, 동일하거나 또는 상이하게, H, F, CF3, 1 내지 40개의 C 원자를 가진 직쇄 알킬기 또는 3 내지 40개의 C 원자를 가진 분지형 또는 환형 알킬기이고, 이의 각각은 하나 이상의 라디칼 R2 로 치환될 수 있고, 여기서, 하나 이상의 비인접 CH2 기는 R2C=CR2, C≡C, Si(R2)2, Ge(R2)2, Sn(R2)2 로 대체될 수 있고, 하나 이상의 H 원자는 F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수 있고, 또는 5 내지 60개의 방향족 고리 원자를 가진 방향족 또는 헤테로방향족 고리계이고, 이의 각각은 하나 이상의 라디칼 R2 로 치환될 수 있고, 또는 상기 계의 조합이고; R1 은 여기서 또한 하나 이상의 치환기 R 을 가진 단환형 또는 다환형 지방족 또는 방향족 고리계를 형성할 수 있고;
    R2 는 각각의 경우에, 동일하거나 또는 상이하게, H, F 또는 1 내지 20개의 C 원자를 가진 지방족, 방향족 또는 헤테로방향족 탄화수소 라디칼이고, 여기서, 또한 하나 이상의 H 원자는 F 로 대체될 수 있고; 2개 이상의 치환기 R2 는 여기서 또한 서로 단환형 또는 다환형 지방족 또는 방향족 고리계를 형성할 수 있고;
    n 은 각각의 경우에, 동일하거나 또는 상이하게, 0, 1 또는 2 임].
  2. 제 1 항에 있어서, 기호 Y 가 동일하거나 또는 상이하게 각각의 경우에 단일 결합 또는 C(R)2 기를 나타내는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, Y-Ar1-Y 기가 n = 0 인 경우 하기 화학식 (II) 내지 (XV)의 기를 나타내고, 여기서 점선이 이민 질소로의 결합을 나타내는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자:
    Figure pct00042

    Figure pct00043
    .
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 기호 Ar1 이 n = 1 인 경우 하기 화학식 (XVI) 내지 (XXI)의 기를 나타내고, 여기서 점선이 이민 질소로의 결합을 나타내는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자:
    Figure pct00044
    .
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 기호 Ar2가 동일하거나 또는 상이하게 각각의 경우에, 하나 이상의 라디칼 R 로 치환될 수 있는 5 내지 16개의 방향족 고리 원자를 가진 아릴 또는 헤테로아릴기를 나타내고, 특히 페닐, 1- 또는 2-나프틸, 4-비페닐, 1- 또는 2-안트릴, 2- 또는 3-티에닐, 2- 또는 3-피롤릴, 2- 또는 3-푸라닐, 2-, 3- 또는 4-피리디닐, 3- 또는 4-피리다지닐, 4- 또는 5-피리미디닐, 피라지닐, 2-, 3-, 4-, 5-, 6-, 7- 또는 8-퀴놀리닐 또는 3-, 4-, 5-, 6-, 7- 또는 8-이소퀴놀리닐로부터 선택되고, 이의 각각은 하나 이상의 라디칼 R 로 치환될 수 있는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 기호 R 이 동일하거나 또는 상이하게 각각의 경우에, F, N(R2)2, Si(R2)3, C(=O)R2, P(=O)(R2)2, 1 내지 10개의 C 원자를 가진 직쇄 알킬기 또는 3 내지 10개의 C 원자를 가진 분지형 또는 환형 알킬기를 나타내고, 이의 각각은 하나 이상의 라디칼 R2 로 치환될 수 있고, 여기서, 하나 이상의 비인접 CH2 기는 R2C=CR2, 0 또는 S 로 대체될 수 있고, 하나 이상의 H 원자는 F 로 대체될 수 있고, 또는 5 내지 16개의 방향족 고리 원자를 가진 아릴 또는 헤테로아릴기를 나타내고, 이의 각각은 하나 이상의 라디칼 R2 로 치환될 수 있고, 또는 상기 계의 조합을 나타내고; 2개 이상의 치환기 R 은 여기서 또한 서로 단환형 또는 다환형 지방족 또는 방향족 고리계를 형성할 수 있는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 기호 R1 이, 동일하거나 또는 상이하게 각각의 경우에, H, 1 내지 6개의 C 원자를 가진 직쇄 알킬기 또는 3 내지 6개의 C 원자를 가진 분지형 또는 환형 알킬기를 나타내고, 여기서 각각의 경우에 하나 이상의 H 원자는 또한 F 로 대체될 수 있고, 또는 5 내지 16개의 방향족 고리 원자를 가진 아릴 또는 헤테로아릴기를 나타내고, 이의 각각은 하나 이상의 라디칼 R2 로 치환될 수 있는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서, 화학식 (I)의 화합물이 간단한 착물의 형태 또는 고체 상태에서의 이량체 또는 올리고머 형태인 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서, 화학식 (I)의 화합물에서, 모든 기호 Ar2 가 동일하고, 모든 기호 X 가 동일하고, 모든 기호 R1 이 동일하고, 모든 기호 Y 가 동일하고, 화합물이 동일하게 치환되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서, 캐소드 (cathode), 애노드 (anode) 및 하나 이상의 발광층을 포함하고, 임의로 정공주입층, 정공수송층, 전자차단층, 정공차단층, 전자수송층, 전자주입층, 전하생성층 및 유기 또는 무기 p/n 접합으로부터 선택되는 추가의 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서, 유기 전계발광 소자가 다수의 발광층을 포함하고, 여기서, 하나 이상의 층이 하나 이상의 화학식 (I)의 화합물 및 하나 이상의 인광 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자.
  12. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서, 인광 화합물이 구리, 몰리브데넘, 텅스텐, 레늄, 루테늄, 오스뮴, 로듐, 이리듐, 팔라듐, 백금, 은, 금 또는 유러퓸을 함유하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자.
  13. 제 12 항에 있어서, 인광 화합물이 하나 이상의 하기 화학식 (XXII) 내지 (XXV) 의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 소자:
    Figure pct00045

    [식 중, R 은 제 1 항에서 정의된 바와 동일한 의미를 가지고, 사용된 다른 기호에 대해 하기가 적용됨:
    DCy 는 동일하거나 또는 상이하게 각각의 경우에, 하나 이상의 공여체 원자, 바람직하게 질소 또는 인 (이들을 통해 환형기가 금속에 결합됨)을 함유하는 환형기이고, 이는 결과적으로 하나 이상의 치환기 R 을 가질 수 있고; DCy 및 CCy 기는 공유 결합에 의해 서로 결합되고;
    CCy 는 동일하거나 또는 상이하게 각각의 경우에, 탄소 원자 (이를 통해 환형기가 금속에 결합됨)를 함유하는 환형기이고, 이는 결과적으로 하나 이상의 치환기 R 을 가질 수 있고;
    A 는 동일하거나 또는 상이하게 각각의 경우에, 단일음이온성, 두자리 킬레이트 리간드, 바람직하게 디케토네이트 리간드임].
  14. 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 따른 유기 전계발광 소자의 제조 방법으로서, 하나 이상의 층이 승화 방법 또는 OVPD (유기 기상 증착) 방법 또는 OVJP (유기 증기 제트 인쇄) 방법에 의해 또는 담체 기체 승화에 의해 적용되거나 또는 스핀 코팅 또는 인쇄 방법에 의해 용액으로부터 제조되는 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 유기 전계발광 소자에서 인광 화합물을 위한 매트릭스 재료로서, 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 따른 화학식 (I)의 화합물의 용도.
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