KR101877582B1 - 유기 전계발광 디바이스 - Google Patents

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필립 슈퇴쎌
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주잔네 호인
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Abstract

본 발명은, 방출층 내에 적어도 하나의 인광 방출체 및 매트릭스 재료를 포함하는 인광 유기 전계발광 디바이스들에 관한 것이며, 여기서 삼중항 에너지 그리고 HOMO 및 LUMO 의 포지션들에 대해 특정 조건들이 만족되어야 한다.

Description

유기 전계발광 디바이스{ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE}
본 발명은, 방출층 내의 재료들의 특정 상대적인 에너지 레벨들을 관찰함으로써, 보다 장파장으로 시프트되는 방출을 발현하거나 또는 보다 장파장으로 시프트되는 방출과 인광 방출체의 방출을 포함하는 혼합된 방출을 발현하는, 인광 유기 전계발광 디바이스들에 관한 것이다.
유기 반도체들이 기능적 재료들로서 채용되는 유기 전계발광 디바이스들 (OLEDs) 의 구조는, 예를 들면, US　4539507, US　5151629, EP　0676461 및 WO 98/27136 에 기재되어 있다. 유기 전계발광 디바이스들의 분야에서의 개발은 인광 OLED들이다. 이들은 보다 높은 달성가능한 효율 때문에 형광 OLED들에 비해 상당한 이점을 가진다.
본 발명이 기초로 하는 기술적 목표는, 발광 대역의 폭 및 발광 컬러가 특정적으로 변경 또는 조정될 수 있는 인광 유기 전계발광 디바이스를 제공하는데에 있다.
종래 기술에 따르면, 전자 전도 재료들, 그 중에서도 케톤들 (예를 들면 WO 2004/093207 또는 WO 2010/006680 에 따른 것) 또는 트리아진 유도체들 (예를 들면 WO 2010/015306 에 따른 것), 또는 정공 전도 재료들, 그 중에서도 트리아릴아민들 또는 카르바졸 유도체들이 인광 방출체들에 대한 매트릭스 재료들로서 사용된다.
종래 기술에 따르면, 인광 방출체들로는 또한, 특히 이리듐 및 백금 착물들이 사용되며, 이들은 통상 탄소 원자 및 질소 원자를 통해 금속에 배위되는 두자리 리간드들을 갖는다. 이러한 인광 방출체들의 예는 트리스(페닐피리딜)이리듐(III) 이다.
또한, 종래 기술 (예를 들면 WO 2010/086089 또는 미공개된 출원 EP 10006208.2 에 따른 것) 에는 이미다조이소퀴놀린 및 유도체들을 리간드들로서 갖는 금속 착물들이 개시되어 있다. 또, 종래 기술 (WO 2007/095118) 에는 이미다조페난트리딘 또는 디이미다조퀴나졸린 및 유도체들을 리간드들로서 갖는 금속 착물들이 개시되어 있다. 수많은 이들 금속 착물들은 청색 또는 청록색 광을 방출한다.
놀랍게도, 인광 방출체 및 매트릭스 재료의 선택에 대해 특정 물리적 파라미터들을 관찰하는 경우에, 유기 전계발광 디바이스의 방출 컬러가 넓은 범위에 걸쳐 선택적으로 시프트될 수 있음을 발견하였다. 여기서 유기 전계발광 디바이스는 매우 양호한 효율 및 수명을 가진다. 마찬가지로 백색 방출의 발생을 위해 적합한 넓은 방출 대역들이 이러한 방식으로 액세스 가능하다.
WO 2003/059015 에는, 집합체들 (aggregates) 을 형성하는 방출체들의 사용을 통해 백색 방출 유기 전계발광 디바이스들이 액세스 가능함이 개시되어 있다. 여기서 2개의 방출체들이 방출층 내로 도핑되고, 여기서 방출체들 중 하나는 집합체들을 형성한다. 집합체들의 형성은 방출체들의 농도에 매우 의존적이며, 이는 방출체들 간의 집합체 형성을 제안한다. 여기서 집합체는 넓은 방출 대역을 가진다. 이러한 집합체 형성을 위해서는, 평면 화합물들, 예를 들면 백금 착물들의 사용이 적합하지만, 예를 들면 tert-부틸기들과 같은 벌키 치환기들을 가지는 착물들의 사용, 또는 팔면체 착물들의 사용은 적합하지 않다.
본 발명은, 애노드; 캐소드; 그리고 적어도 하나의 인광 화합물 A 및 적어도 하나의 화합물 B 를 포함하는 적어도 하나의 방출층을 포함하는 유기 전계발광 디바이스에 관한 것이며, 하기 관계 (1) 또는 하기 관계 (2) 가 상기 화합물들 A 및 B 에 적용되며:
Figure 112013017853002-pct00001
Figure 112013017853002-pct00002
하기 재료들은 화합물 B 로서 본 발명으로부터 제외되는 것을 특징으로 한다.
Figure 112013017853002-pct00003
본 발명의 의미에서의 인광 화합물은, 실온에서, 상대적으로 높은 스핀 다중도 (spin multiplicity), 즉 1 초과의 스핀 상태를 갖는 여기된 상태로부터, 특히 여기된 삼중항 상태로부터 발광을 발현하는 화합물이다. 본 발명의 목적을 위해, 모든 발광 전이 금속 및 란타나이드 착물들, 특히 모든 발광 이리듐, 백금 및 구리 화합물들은, 인광 화합물들로서 간주되어야 한다.
여기서 화합물 B 는 인광 화합물에 대한 매트릭스 재료이다. 본 발명의 의미에서의 매트릭스 재료는 방출층 내에 상대적으로 큰 비율로 존재하는 재료이며, 즉 정확하게 하나의 방출체와 정확하게 하나의 매트릭스 재료의 혼합물의 경우에서 50% 초과의 비율로 존재하는 재료이다. 여기서 매트릭스 재료는 또한 층으로부터의 방출에 첨여하는 것이 배제되지 않는다.
상기 언급된 관계에 사용된 파라미터들은 하기 의미를 가진다:
T1(A) 는 인광 화합물 A 의 최저 삼중항 에너지 (eV 단위) 이다. T1(B) 는 화합물 B 의 최저 삼중항 에너지이다. 실시예 부분에서 일반적으로 상세하게 기재된 바와 같이, T1(B) 는 양자 화학 계산에 의해 결정되고, T1(A) 는 용액에서의 광발광 스펙트럼으로부터 결정된다.
HOMO(A) 는 인광 화합물 A 의 진공에 대한 HOMO (최고준위 점유 분자궤도, eV 단위) 의 에너지 레벨이다. HOMO(B) 는 대응적으로 화합물 B 의 HOMO 의 에너지 레벨이다. 실시예 부분에서 일반적으로 상세하게 기재된 바와 같이, 이들 파라미터들은 양자 화학 계산에 의해 결정된다.
LUMO(A) 는 인광 화합물 A 의 진공에 대한 LUMO (최저준위 점유 분자궤도, eV 단위) 의 에너지 레벨이다. LUMO(B) 는 대응적으로 화합물 B 의 LUMO 의 에너지 레벨이다. 실시예 부분에서 일반적으로 상세하게 기재된 바와 같이, 이들 파라미터들은 양자 화학 계산에 의해 결정된다.
HOMO 및 LUMO 의 값들은 여기서 음의 수치 값들이다. 따라서, 상기 언급된 관계에 대해, HOMO 의 절대값 또는 LUMO 의 절대값이 사용된다. 이것은 수직선에 의해 분명해진다. 그리하여, 화합물 A 에 대해 양자 화학적으로 결정된 HOMO 가, 예를 들면 -5.2 eV 인 경우, ｜HOMO(A)｜는 이 값의 절대값, 즉 5.2 eV 를 의미한다.
상기 기재된 바와 같이, 본 발명에 따른 유기 전계발광 디바이스는, 애노드, 캐소드, 그리고 애노드와 캐소드 사이에 배열되는 적어도 하나의 방출층을 포함한다. 여기서 방출층은 적어도 하나의 인광 화합물 A 및 추가로 적어도 하나의 화합물 B 를 포함하고, 여기서 상기 언급된 조건이 화합물들 A 및 B 에 적용된다. 유기 전계발광 디바이스는 반드시 유기 또는 유기금속성 재료들로부터 구축되는 층들만을 포함할 필요는 없다. 그리하여, 애노드, 캐소드 및/또는 하나 이상의 층들이 무기 재료들을 포함하거나 또는 무기 재료들로부터 전적으로 구축될 가능성도 있다.
또한, 방출층은, 재료 B 이외에도, 인광 화합물 A 에 대한 매트릭스 재료들이기도 한 임의의 원하는 수의 추가적인 재료들 C 을 포함한다. 하기 사항이 이들 재료들 C 각각에 적용된다:
Figure 112013017853002-pct00004
여기서 T1(C), HOMO(C) 및 LUMO(C) 는 재료들 A 및 B 와 유사하게 정의된다.
재료 B 는 70 ℃ 초과의 유리 전이 온도 TG 를 가지는 것이 바람직하고, 특히 바람직하게는 90 ℃ 초과이고, 매우 특히 바람직하게는 110 ℃ 초과이다.
재료들 C 가 존재하는 경우, 이들 재료들 C 는 또한 70 ℃ 초과의 유리 전이 온도 TG 를 가지는 것이 바람직하고, 특히 바람직하게는 90 ℃ 초과이고, 매우 특히 바람직하게는 110 ℃ 초과이다.
방출층에서의 인광 화합물 A 의 비율은 바람직하게는 0.1 내지 50 체적% 이며, 특히 바람직하게는 1 내지 30 체적% 이며, 매우 특히 바람직하게는 3 내지 25 체적% 이며, 특별하게는 5 내지 20 체적% 이다.
대응적으로, 방출층에서의 매트릭스 재료 B 의 비율은, 정확하게 하나의 매트릭스 재료가 사용되는 경우에, 바람직하게는 50 내지 99.9 체적% 이며, 특히 바람직하게는 70 내지 99 체적% 이며, 매우 특히 바람직하게는 75 내지 97 체적% 이며, 특별하게는 80 내지 95 체적% 이다.
추가적인 매트릭스 재료들 C 가 사용되는 경우, 매트릭스 재료 B 의 비율은 일반적으로 대응적으로 감소된다. 모든 추가적인 매트릭스 재료들 C 의 전체 비율은 바람직하게는 0 내지 50 체적% 이고, 특히 바람직하게는 0 내지 30 체적% 이고, 매우 특히 바람직하게는 0 내지 20 체적% 이다.
본 발명의 바람직한 실시형태에 있어서, 방출층은 화합물 A 및 B 만으로 이루어진다.
상기 언급된 관계 (1) a) 내지 d) 및 관계 (2) a) 내지 d) 에 대해, 하기 사항이 바람직하게 적용된다:
ΔE 는 1.90 eV 초과인 것이 바람직하며, 특히 바람직하게는 2.05 eV 초과이고, 매우 특히 바람직하게는 2.15 eV 초과이고,
T1(A) 는 2.3 eV 초과인 것이 바람직하며, 특히 바람직하게는 2.5 eV 초과이다.
상기 언급된 관계 (1) 이 만족되는 경우, ｜HOMO(B)｜는 ｜HOMO(A)｜보다 적어도 0.05 eV 더 큰 것이 바람직하며, 특히 바람직하게는 적어도 0.1 eV 더 크며, 매우 특히 바람직하게는 적어도 0.2 eV 더 크다.
상기 언급된 관계 (2) 가 만족되는 경우, ｜LUMO(A)｜는 ｜LUMO(B)｜보다 적어도 0.05 eV 더 큰 것이 바람직하며, 특히 바람직하게는 적어도 0.1 eV 더 크며, 매우 특히 바람직하게는 적어도 0.2 eV 더 크다.
본 발명에 따른 방출층에 존재하는 인광 화합물 A 및 화합물 B 의 바람직한 실시형태들를 이하에 나타낸다.
상기 언급된 관계 (1) 이 만족되는 경우, 화합물 B 가 약간의 전자 수송 화합물이다.
적합한 전자 수송 화합물 B 는, 방향족 케톤들, 방향족 포스핀 산화물들, 방향족 술폭시드들, 방향족 술폰들, 트리아진 유도체들, 피리미딘 유도체들, 피리딘 유도체들, 아연 착물들, 예를 들면 WO 2009/062578 에 따른 것, 알루미늄 착물들, 디아자포스폴들, 예를 들면 WO 2010/054730 에 따른 것, 아자보롤들 또는 보로닉 에스테르들, 예를 들면 WO 2006/117052 에 따른 것, 보란들, 예를 들면 WO 2002/052661 에 따른 것, 또는 트리페닐렌 유도체들로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 것이 바람직하다.
본 발명의 의미에서의 방향족 케톤은, 2개의 방향족 또는 헤테로방향족 기들 또는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템들이 직접 결합되어 있는 카르보닐기를 의미하도록 취해진다. 방향족 술폰들 및 술폭시드들이 대응적으로 정의된다. 본 발명의 의미에서의 방향족 포스핀 산화물은, 3개의 방향족 또는 헤테로방향족 기들 또는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템들이 직접 결합되어 있는 포스핀 산화물기를 의미하도록 취해진다.
본 발명의 바람직한 실시형태에 있어서, 방향족 케톤은 하기 식 (1a) 의 화합물이고, 방향족 포스핀 산화물은 하기 식 (1b) 의 화합물이며,
Figure 112013017853002-pct00005
여기서 하기 사항이 사용된 심볼들에 적용되며:
Ar 은 각각의 존재시에, 동일하게 또는 상이하게, 각각의 경우에 하나 이상의 기들 R1 에 의해 치환될 수도 있는, 5 내지 60개의 방향족 고리 원자들을 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이며;
R1 은 각각의 존재시에, 동일하게 또는 상이하게, H, D, F, Cl, Br, I, CHO, C(=O)Ar1, P(=O)(Ar1)2, S(=O)Ar1, S(=O)2Ar1, CR2=CR2Ar1, N(R2)2, N(Ar1)2, CN, NO2, Si(R2)3, B(OR2)2, B(R2)2, B(N(R2)2)2, OSO2R2, 각각이 하나 이상의 라디칼들 R2 에 의해 치환될 수도 있는, 1 내지 40개의 C 원자들을 갖는 직사슬형 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기 또는 2 내지 40개의 C 원자들을 갖는 직사슬형 알케닐 또는 알키닐기 또는 3 내지 40개의 C 원자들을 갖는 분지형 또는 고리형 알킬, 알케닐, 알키닐, 알콕시 또는 티오알콕시기 (여기서 하나 이상의 비인접 CH2 기들은 R2C=CR2, C≡C , Si(R2)2, C=O, C=S, C=NR2, P(=O)(R2), SO, SO2, NR2, O, S 또는 CONR2 에 의해 대체될 수도 있고 그리고 여기서 하나 이상의 H 원자들은 F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 에 의해 대체될 수도 있고), 또는 각각의 경우에 하나 이상의 라디칼들 R2 에 의해 치환될 수도 있는, 5 내지 60개의 방향족 고리 원자들을 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 또는 하나 이상의 라디칼들 R2 에 의해 치환될 수도 있는, 5 내지 60개의 방향족 고리 원자들을 갖는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시기, 또는 이들 시스템들의 조합이며; 여기서 2개 이상의 인접 치환기들 R1 은 또한 서로 모노시클릭 또는 폴리시클릭의, 지방족 또는 방향족 고리 시스템을 형성할 수도 있고;
Ar1 은 각각의 존재시에, 동일하게 또는 상이하게, 하나 이상의 라디칼들 R2 에 의해 치환될 수도 있는, 5 내지 40개의 방향족 고리 원자들을 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고;
R2 는 각각의 존재시에, 동일하게 또는 상이하게, H, D, CN 또는 1 내지 20개의 C 원자들을 갖는 지방족, 방향족 및/또는 헤테로방향족 탄화수소 라디칼이고, 여기서 또한 H 원자들은 F 에 의해 대체될 수도 있고; 여기서 2개 이상의 인접 치환기들 R2 는 또한 서로 모노시클릭 또는 폴리시클릭의, 지방족 또는 방향족 고리 시스템을 형성할 수도 있다.
본 발명의 의미에서의 아릴기는 적어도 6개의 C 원자들을 함유하고; 본 발명의 의미에서의 헤테로아릴기는 적어도 2개의 C 원자들 및 적어도 하나의 헤테로원자를 함유하고, 다만 C 원자들과 헤테로원자들의 합이 적어도 5 이다. 헤테로원자들은 N, O 및/또는 S 로부터 선택되는 것이 바람직하다. 여기서 아릴기 또는 헤테로아릴기는, 간단한 방향족 고리, 즉 벤젠, 또는 간단한 헤테로방향족 고리, 예를 들면 피리딘, 피리미딘, 티오펜 등, 또는 축합된 아릴 또는 헤테로아릴기, 예를 들면 나프탈렌, 안트라센, 피렌, 퀴놀린, 이소퀴놀린 등을 의미하도록 취해진다.
본 발명의 의미에서의 방향족 고리 시스템은 고리 시스템 내에 적어도 6개의 C 원자들을 함유한다. 본 발명의 의미에서의 헤테로방향족 고리 시스템은 고리 시스템 내에 적어도 2개의 C 원자들 및 적어도 하나의 헤테로원자를 함유하고, 다만 C 원자들과 헤테로원자들의 합이 적어도 5 이다. 헤테로원자들은 N, O 및/또는 S 로부터 선택되는 것이 바람직하다. 본 발명의 목적을 위해, 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템은, 반드시 아릴 또는 헤테로아릴기들만을 함유할 필요는 없으며, 그 대신에, 또한 복수의 아릴 또는 헤테로아릴기들이 짧은 비방향족 유닛 (바람직하게는 H 이외의 원자들의 10% 미만), 예를 들면, C, N 또는 O 원자 또는 카르보닐기에 의해 연결될 수도 있는, 시스템을 의미하도록 의도된다. 그리하여, 예를 들면, 9,9'-스피로비플루오렌, 9,9-디아릴플루오렌, 트리아릴-아민, 디아릴 에테르, 스틸벤, 벤조페논 등과 같은 시스템들이 또한 본 발명의 의미에서의 방향족 고리 시스템들이라고 의도된다. 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템은 마찬가지로, 복수의 아릴 또는 헤테로아릴기들이 단일 결합들, 예를 들면 비페닐, 터페닐 또는 비피리딘에 의해 서로 링크되어 있는 시스템들을 의미하도록 취해진다.
도 1 은 톨루엔 중의 10-5　몰 용액으로 사용된 방출체들 TEB-1, TEB-2, TEB-3 및 TEG-1 의 표준화된 광발광 스펙트럼을 나타낸다. 이들 스펙트럼은 삼중항 레벨을 결정하기 위해 사용된다.
도 2 는 실시예 1 및 실시예 2 에 대한 표준화된 전계발광 스펙트럼을 나타낸다. 실시예들 둘다에 있어서, 매트릭스 M1 중의 방출체 TEB-2 또는 TEB-3 의 농도는 10% 이다. TEB-3 은 그것의 tert-부틸 치환기로 인해 상당히 많이 입체적으로 방해받으며 그에 상응하여 집합을 향한 더 낮은 경향을 가지기 때문에, 방출체들 둘다에 대해 대략 동일 레벨로 넓은 대역의 효과가 발생한다는 사실은, 서로에 대해 방출체 분자들의 집합체들이 관련이 없다는 결론을 가능하게 한다.
도 3 은 실시예 3 내지 실시예 5 에 대한 표준화된 전계발광 스펙트럼을 나타낸다. 여기서 TEB-2 의 방출체 농도는 각각의 경우에 일정하게 유지되며, 매트릭스들 M12 및 M2 는 그 외에는 동일한 디바이스 구조를 가진채 실시예 3 및 실시예 4 에서 사용된다. 첫번째 언급된 조합 (실시예 3) 은 조건 (1) 또는 (2) 를 만족하지 않으며, 반면에 M2 (실시예 4) 에서의 TEB-2 의 EML 은 만족한다. 따라서, 이 스펙트럼은 본 발명에 따른 효과를 발현한다. 증착에 의해 EBM1 에 적용되는 동일 EML 은 사실상 동일 스펙트럼 및 매우 유사한 효율을 발현하고, 이것은 넓은 대역의 원인으로서 인터페이스 효과가 또한 배제될 수 있는 것을 나타낸다.
도 4 는 실시예 1, 실시예 5 및 실시예 6 에 대한 표준화된 전계발광 스펙트럼을 나타낸다. 여기서 방출체 TEB-2 의 농도는 10% 로 일정하게 유지되지만, 상이한 LUMO 레벨을 갖는 매트릭스들이 사용된다. LUMO 의 절대값을 증가시킴에 따라, 방출의 폭 및 그 효율 (EQE) 이 증가한다. 방출체의 순수 삼중항 방출에 의해 최저 효율이 나타나고, 이것은 놀라운 결과이다.
도 5 는 실시예 7 및 실시예 8 에 대한 표준화된 전계발광 스펙트럼을 나타낸다. 여기서, 각각의 경우에 TEG-1 의 10% 가 방출체로서 사용된다. 매트릭스 M4 에서, 방출체는 통상 녹색 EL 스펙트럼을 발현하고 (실시예 7), 매트릭스 M5 에서는 넓어진 EL 스펙트럼 (실시예 8), 또는 보다 장파의 스펙트럼 영역에서의 증가된 강도를 갖는 EL 스펙트럼을 발현한다. 이러한 예는 그 효과가 청색 방출체들에 한정되지 않으며 따라서 다른 혼합된 컬러를 갖는 디바이스들의 제조를 위해서도 또한 사용될 수 있음을 나타낸다.
도 6 은 매트릭스 M4 에서의 TEG-1 의 CIEx 및 CIEy 에서부터, 매트릭스들 M4 내지 M9 에서의 TEG-1 의 전계발광 스펙트럼으로부터의 CIEx 및 CIEy 의 차이를 나타낸다 (실시예 7 내지 실시예 12). 이 차이는 각각의 경우에 매트릭스들의 LUMO 값들에 대해 플롯된다. 대략 -2.87 eV 초과의 LUMO 값에 대해 그 차이가 0이 됨을 알 수 있다. 더 작은 LUMO 값들에 대해, 0 보다 큰 차이가 발견되고, 이것은 스펙트럼이 넓어진다는 것을 의미한다. 방출체 TEG-1 의 HOMO 로부터의 이러한 제한 값의 차이가 관계 (1) 에 따라 계산되는 경우, 2.35 eV 의 ΔE 가 획득되며, 이는 2.37 eV 의 톨루엔에서의 방출 최대의 ΔE 보다 더 작다.
도 7 은 실시예 17 에 대한 표준화된 전계발광 스펙트럼을 나타낸다. 여기서 매트릭스 M1 에서의 방출체 TEB-1 (실시예 17) 은 사실상 실제 삼중항 방출을 갖지 않는 넓은 대역을 배제하고 발현한다. 비교를 위해, 용액에서의 방출체의 PL 스펙트럼이 EL 스펙트럼으로 참조로서 복사되었다.
도 8 은 실시예 18 및 실시예 19 에 대한 표준화된 전계발광 스펙트럼을 나타낸다. 여기서, 2개의 매트릭스들 M1 및 M3 은 층 내에서 서로 혼합되고 (실시예 18) 또는 각각이 2개의 매트릭스들 중 하나를 포함하는 2개의 방출층들이 OLED 에 연속적으로 도입된다 (실시예 19). 이것은 2개의 전계발광 스펙트럼이 전체적으로 발생되는 것을 가능하게 하고, 이는 백색 방출을 야기한다.
실시예 13 내지 실시예 16 은 다양한 매트릭스들 내에 추가의 방출체들 (TEB-4 내지 TEB-7) 을 포함하는 OLED들을 나타내고, 표 2 에서의 OLED 데이터에 의해 나타내는 바와 같이, 이것은 마찬가지로 넓어진 방출 또는 넓은 대역을 발현한다.
본 발명의 목적을 위해, 개별적인 H 원자들 또는 CH2 기들이 상기 언급된 기들에 의해 치환될 수도 있는 C1- 내지 C40-알킬기는, 특히 바람직하게는, 라디칼들 메틸, 에틸, n-프로필, i-프로필, n-부틸, i-부틸, s-부틸, t-부틸, 2-메틸부틸, n-펜틸, s-펜틸, t-펜틸, 2-펜틸, 네오펜틸, 시클로펜틸, n-헥실, s-헥실, t-헥실, 2-헥실, 3-헥실, 네오헥실, 시클로헥실, 2-메틸펜틸, n-헵틸, 2-헵틸, 3-헵틸, 4-헵틸, 시클로헵틸, 1-메틸시클로헥실, n-옥틸, 2-에틸헥실, 시클로옥틸, 1-비시클로[2.2.2]옥틸, 2-비시클로[2.2.2]옥틸, 2-(2,6-디메틸)옥틸, 3-(3,7-디메틸)옥틸, 트리플루오로메틸, 펜타플루오로에틸 및 2,2,2-트리플루오로에틸을 의미하도록 취해진다. C2- 내지 C40-알케닐기는, 바람직하게는, 에테닐, 프로페닐, 부테닐, 펜테닐, 시클로펜테닐, 헥세닐, 시클로헥세닐, 헵테닐, 시클로헵테닐, 옥테닐 또는 시클로옥테닐을 의미하도록 취해진다. C2- 내지 C40-알키닐기는, 바람직하게는, 에티닐, 프로피닐, 부티닐, 펜티닐, 헥시닐, 헵티닐 또는 옥티닐을 의미하도록 취해진다. C1- 내지 C40-알콕시기는, 바람직하게는, 메톡시, 트리플루오로메톡시, 에톡시, n-프로폭시, i-프로폭시, n-부톡시, i-부톡시, s-부톡시, t-부톡시 또는 2-메틸부톡시를 의미하도록 취해진다. 또한 각각의 경우에 상기 언급된 라디칼들 R 에 의해 치환될 수도 있고 그리고 임의의 원하는 포지션들을 통해 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템에 링크될 수도 있는, 5 내지 60개의 방향족 고리 원자들을 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템은, 특히, 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 벤즈안트라센, 벤조페난트렌, 피렌, 크리센, 페릴렌, 플루오란텐, 벤조플루오란텐, 나프타센, 펜타센, 벤조피렌, 비페닐, 비페닐렌, 터페닐, 터페닐렌, 플루오렌, 벤조플루오렌, 디벤조플루오렌, 스피로비플루오렌, 디히드로페난트렌, 디히드로피렌, 테트라히드로피렌, cis- 또는 trans-인데노플루오렌, cis- 또는 trans-모노벤조인데노플루오렌, cis- 또는 trans-디벤조인데노플루오렌, 트루센, 이소트루센, 스피로트루센, 스피로이소트루센, 푸란, 벤조푸란, 이소벤조푸란, 디벤조푸란, 티오펜, 벤조티오펜, 이소벤조티오펜, 디벤조티오펜, 피롤, 인돌, 이소인돌, 카르바졸, 피리딘, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 아크리딘, 페난트리딘, 벤조-5,6-퀴놀린, 벤조-6,7-퀴놀린, 벤조-7,8-퀴놀린, 페노티아진, 페녹사진, 피라졸, 인다졸, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 나프트이미다졸, 페난트리미다졸, 피리디미다졸, 피라진이미다졸, 퀴녹살린이미다졸, 옥사졸, 벤즈옥사졸, 나프트옥사졸, 안트록사졸, 페난트록사졸, 이소옥사졸, 1,2-티아졸, 1,3-티아졸, 벤조-티아졸, 피리다진, 벤조-피리다진, 피리미딘, 벤조피리미딘, 퀴녹살린, 1,5-디아자안트라센, 2,7-디아자피렌, 2,3-디아자피렌, 1,6-디아자피렌, 1,8-디아자피렌, 4,5-디아자피렌, 4,5,9,10-테트라아자페릴렌, 피라진, 페나진, 페녹사진, 페노티아진, 플루오루빈, 나프티리딘, 아자카르바졸, 벤조카르볼린, 페난트롤린, 1,2,3-트리아졸, 1,2,4-트리아졸, 벤조트리아졸, 1,2,3-옥사디아졸, 1,2,4-옥사디아졸, 1,2,5-옥사디아졸, 1,3,4-옥사디아졸, 1,2,3-티아디아졸, 1,2,4-티아디아졸, 1,2,5-티아디아졸, 1,3,4-티아디아졸, 1,3,5-트리아진, 1,2,4-트리아진, 1,2,3-트리아진, 테트라졸, 1,2,4,5-테트라진, 1,2,3,4-테트라진, 1,2,3,5-테트라진, 푸린, 프테리딘, 인돌리진 및 벤조티아디아졸로부터 유도된 기들을 의미하도록 취해진다.
식 (1a) 의 적합한 화합물들은, 특히 WO　2004/093207 및 WO 2010/006680 에 개시된 케톤들이고, 식 (1b) 의 적합한 화합물들은, WO 2005/003253 에 개시된 포스핀 산화물들이다. 이들은 참조로서 본 발명에 통합된다.
식 (1a) 및 식 (1b) 의 화합물들의 정의로부터, 식 (1a) 및 식 (1b) 의 화합물들이 단지 하나의 카르보닐 또는 포스핀 산화물기를 함유해야 하는 것은 아니며, 그 대신에 복수의 이들 기들을 또한 함유할 수도 있다는 것이 명백하다.
식 (1a) 및 식 (1b) 의 화합물들에서의 기 Ar 은 바람직하게는 6 내지 40개의 방향족 C 원자들을 갖는 방향족 고리 시스템이고, 즉, 기 Ar 은 어떠한 헤테로아릴기들도 함유하지 않는다. 상기 정의된 바와 같이, 방향족 고리 시스템은, 반드시 방향족기들만을 함유해야 하는 것은 아니며, 그 대신에 2개의 아릴기들이 비방향족기에 의해, 예를 들면, 추가적인 카르보닐기 또는 포스핀 산화물기에 의해 또한 링크될 수도 있다.
본 발명의 추가적인 바람직한 실시형태에 있어서, 기 Ar 은 2개 이하의 축합된 고리들을 함유한다. 따라서, 페닐 및/또는 나프틸기들로부터만 구축되는 것이 바람직하며, 특히 바람직하게는 페닐기들로부터만 구축되며, 하지만 임의의 더 큰 축합된 방향족기들, 예를 들면, 안트라센과 같은 것을 함유하지 않는다.
카르보닐기에 결합되는 바람직한 기들 Ar 은, 페닐, 2-, 3- 또는 4-톨릴, 3- 또는 4-o-크실릴, 2- 또는 4-m-크실릴, 2-p-크실릴, o-, m- 또는 p-tert-부틸페닐, o-, m- 또는 p-플루오로페닐, 벤조페논, 1-, 2- 또는 3-페닐-메타논, 2-, 3- 또는 4-비페닐, 2-, 3- 또는 4-o-터페닐, 2-, 3- 또는 4-m-터페닐, 2-, 3- 또는 4-p-터페닐, 2'-p-터페닐, 2'-, 4'- 또는 5'-m-터페닐, 3'- 또는 4'-o-터페닐, p,p-, m,p-, o,p-, m,m-, o,m- 또는 o,o-쿼터페닐, 퀸퀴페닐, 섹시페닐, 1-, 2-, 3- 또는 4-플루오레닐, 2-, 3- 또는 4-스피로-9,9'-비플루오레닐, 1-, 2-, 3- 또는 4-(9,10-디히드로)페난트레닐, 1- 또는 2-나프틸, 2-, 3-, 4-, 5-, 6-, 7- 또는 8-퀴놀리닐, 1-, 3-, 4-, 5-, 6-, 7- 또는 8-이소퀴놀리닐, 1- 또는 2-(4-메틸-나프틸), 1- 또는 2-(4-페닐나프틸), 1- 또는 2-(4-나프틸-나프틸), 1-, 2- 또는 3-(4-나프틸페닐), 2-, 3- 또는 4-피리딜, 2-, 4- 또는 5-피리미디닐, 2- 또는 3-피라지닐, 3- 또는 4-피리다지닐, 2-(1,3,5-트리아진)일, 2-, 3- 또는 4-(페닐-피리딜), 3-, 4-, 5- 또는 6-(2,2'-비피리딜), 2-, 4-, 5- 또는 6-(3,3'-비피리딜), 2- 또는 3-(4,4'-비피리딜), 및 이들 라디칼들 중 하나 이상의 조합들이다.
상기 기재된 바와 같이, 기들 Ar 은 하나 이상의 라디칼들 R1 에 의해 치환될 수도 있다. 이들 라디칼들 R1 은, 각각의 존재시에 동일하게 또는 상이하게, H, F, CN, C(=O)Ar1, P(=O)(Ar1)2, S(=O)Ar1, S(=O)2Ar1, 각각이 하나 이상의 라디칼들 R2 에 의해 치환될 수도 있는, 1 내지 4개의 C 원자들을 갖는 직사슬형 알킬기 또는 3 내지 5개의 C 원자들을 갖는 분지형 또는 고리형 알킬기 (여기서 하나 이상의 H 원자들은 F 에 의해 대체될 수도 있고), 또는 하나 이상의 라디칼들 R2 에 의해 치환될 수도 있는, 6 내지 24개의 방향족 고리 원자들을 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 또는 이들 시스템들의 조합으로부터 선택되는 것이 바람직하며; 여기서 2개 이상의 인접 치환기들 R1 은 또한 서로 모노시클릭 또는 폴리시클릭의, 지방족 또는 방향족 고리 시스템을 형성할 수도 있다. 유기 전계발광 디바이스가 용액으로부터 공급되는 경우, 10개까지의 C 원자들을 갖는 직사슬형, 분지형 또는 고리형 알킬기는 또한 치환기들 R1 으로서 바람직하다. 라디칼들 R1 은, 각각의 존재시에 동일하게 또는 상이하게, H, C(=O)Ar1, 또는 하나 이상의 라디칼들 R2 에 의해 치환될 수도 있지만 바람직하게는 치환되지 않은, 6 내지 24개의 방향족 고리 원자들을 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로부터 선택되는 것이 특히 바람직하다.
본 발명의 더욱 바람직한 실시형태에 있어서, 기 Ar1 은, 각각의 존재시에 동일하게 또는 상이하게, 하나 이상의 라디칼들 R2 에 의해 치환될 수도 있는, 6 내지 24개의 방향족 고리 원자들을 갖는 방향족 고리 시스템이다. Ar1 은 6 내지 12개의 방향족 고리 원자들을 갖는 방향족 고리 시스템인 것이 특히 바람직하다.
특히 바람직한 방향족 케톤들은, 5 내지 30개의 방향족 고리 원자들을 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템에 의해 3,3',5,5'-포지션들 각각에 치환되고, 차례로 상기 정의된 바와 같이 하나 이상의 라디칼들 R1 에 의해 치환될 수도 있는 벤조페논 유도체들이다. 또한 적어도 하나의 스피로비플루오렌기에 의해 치환되는 케톤들 및 포스핀 산화물들이 바람직하다.
따라서, 바람직한 방향족 케톤들은 하기 식 (2) 내지 식 (5) 의 화합물들이고,
Figure 112013017853002-pct00006
여기서 Ar 및 R1 은 상기 정의된 바와 동일한 의미를 가지며, 게다가:
Z 는 각각의 존재시에 동일하게 또는 상이하게 CR1 또는 N 이고;
n 은 각각의 존재시에 동일하게 또는 상이하게 0 또는 1 이다.
상기 언급된 식 (2), 식 (4) 및 식 (5) 에서의 Ar 은, 하나 이상의 라디칼들 R1 에 의해 치환될 수도 있는, 1 내지 30개의 방향족 고리 원자들을 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 나타내는 것이 바람직하다. 상기 언급된 기들 Ar 이 특히 바람직하다.
식 (1a) 내지 식 (5) 의 적합한 화합물들의 예들은 이하에 나타낸 화합물 (1) 내지 화합물 (62) 이다.
Figure 112013017853002-pct00007
Figure 112013017853002-pct00008
Figure 112013017853002-pct00009
Figure 112013017853002-pct00010
Figure 112013017853002-pct00011
Figure 112013017853002-pct00012
Figure 112013017853002-pct00013
적합한 방향족 포스핀 산화물 유도체들의 예들은 이하에 나타낸 화합물 (1) 내지 화합물 (18) 이다.
Figure 112013017853002-pct00014
Figure 112013017853002-pct00015
매트릭스 재료 B 로서 사용될 수 있는 적합한 트리아진 유도체들은, 특히, 적어도 하나의 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템들에 의해, 바람직하게는 적어도 2개의 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템들에 의해, 특히 바람직하게는 3개의 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템들에 의해 치환되는 1,3,5-트리아진들이다. 따라서, 하기 식 (6) 또는 식 (7) 의 화합물들이 특히 바람직하고,
Figure 112013017853002-pct00016
여기서 R1 은 상기 주어진 의미를 가지며, 하기 사항이 사용된 다른 심볼들에 적용되고:
Ar2 는 각각의 존재시에 동일하게 또는 상이하게, 각각의 경우에 하나 이상의 라디칼들 R1 에 의해 치환될 수도 있는, 5 내지 60개의 방향족 고리 원자들을 갖는 1가의 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이며;
Ar3 은, 하나 이상의 라디칼들 R1 에 의해 치환될 수도 있는, 5 내지 60개의 방향족 고리 원자들을 갖는 2가의 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이다.
식 (6) 및 식 (7) 의 화합물들에 있어서, 적어도 하나의 기 Ar2 가 하기 식 (8) 내지 식 (16) 의 기들로부터 선택되고 다른 기들 Ar2 가 상기 나타낸 의미를 가지는 것이 바람직하다.
Figure 112013017853002-pct00017
Figure 112013017853002-pct00018
여기서 R1 은 상기 기재된 바와 동일한 의미를 가지며, 파선으로 된 결합은 트리아진 유닛에 대한 링크를 나타내고, 게다가:
X 는 각각의 존재시에 동일하게 또는 상이하게, B(R1), C(R1)2, Si(R1)2, C=O, C=NR1, C=C(R1)2, O, S, S=O, SO2, N(R1), P(R1) 및 P(=O)R1 로부터 선택된 2가의 브리지 (bridge) 이고;
m 은 각각의 존재시에, 동일하게 또는 상이하게, 0, 1, 2 또는 3 이고;
o 는 각각의 존재시에, 동일하게 또는 상이하게, 0, 1, 2, 3 또는 4 이고;
특히 바람직한 기들 Ar2 는 하기 식 (8a) 내지 식 (16a) 의 기들로부터 선택되고,
Figure 112013017853002-pct00019
Figure 112013017853002-pct00020
여기서 사용된 심볼들 및 인덱스들은 상기 기재된 바와 동일한 의미를 가진다. 여기서 X 는 동일하게 또는 상이하게, C(R1)2, N(R1), O 및 S 로부터 선택되는 것이 바람직하고, 특히 바람직하게는 C(R1)2 이다.
식 (7) 의 화합물들에서의 바람직한 기들 Ar3 은, 하기 식 (17) 내지 식 (24) 의 기들로부터 선택되며,
Figure 112013017853002-pct00021
Figure 112013017853002-pct00022
여기서 사용된 심볼들 및 인덱스들은 상기 기재된 바와 동일한 의미를 가지며, 파선으로 된 결합은 2개의 트리아진 유닛들에 대한 링크를 나타낸다.
특히 바람직한 기들 Ar3 은 하기 식 (17a) 내지 식 (24a) 의 기들로부터 선택되며,
Figure 112013017853002-pct00023
Figure 112013017853002-pct00024
여기서 사용된 심볼들 및 인덱스들은 상기 기재된 바와 동일한 의미를 가진다. 여기서 X 는 동일하게 또는 상이하게, C(R1)2, N(R1), O 및 S 로부터 선택되는 것이 바람직하고, 특히 바람직하게는 C(R1)2 이다.
또한 상기 주어진 식 (7) 의 화합물들에 대해, 기 Ar3 이 상기 주어진 식 (17) 내지 식 (24) 로부터 선택되고, Ar2 가 각각의 존재시에 동일하게 또는 상이하게, 상기 주어진 식 (8) 내지 식 (16) 또는 페닐, 1- 또는 2-나프틸, 오르토-, 메타- 또는 파라-비페닐로부터 선택되는 것이 바람직하고, 각각은 하나 이상의 라디칼들 R1 에 의해 치환될 수도 있지만 치환되지 않는 것이 바람직하다.
화합물 B 가 피리미딘 유도체인 경우, 이것은 하기 식 (25), 식 (26) 또는 식 (27) 의 피리미딘 유도체인 것이 바람직하고,
Figure 112013017853002-pct00025
여기서 사용된 심볼들 및 인덱스들은 상기 주어진 의미를 가진다.
본 발명의 바람직한 실시형태에 있어서, 적어도 하나의 Ar2 는 식 (8) 내지 식 (16) 및 식 (8a) 내지 식 (16a) 의 상기 언급된 기들로부터 선택된다.
상기 언급된 관계 (2) 가 만족되는 경우, 화합물 B 는 더욱이 정공 수송 화합물이다.
적합한 정공 수송 화합물들 B 는, 카르바졸 유도체들, 예를 들면 WO 2005/039246, US　2005/0069729, JP　2004/288381, EP 1205527 또는 WO 2008/086851 에 개시된 CBP (N,N-비스카르바졸릴비페닐) 또는 카르바졸 유도체들, 트리아릴아민 유도체들, 브리지된 카르바졸 유도체들, 예를 들면 미공개된 출원 DE 102010005697.9 에 따른 것, 인돌로-카르바졸 유도체들, 예를 들면, WO 2007/063754 또는 WO 2008/056746 에 따른 것, 인데노카르바졸 유도체들, 예를 들면 WO 2010/136109 에 따른 것, 아자카르바졸 유도체들, 예를 들면 EP 1617710, EP　1617711, EP 1731584, JP　2005/347160 에 따른 것, 디벤조푸란 및 디벤조티오펜 유도체들, 예를 들면 WO 2009/148015 에 따른 것, 그리고 디아자실롤 또는 테트라아자실롤 유도체들, 특히 방향족 치환기들을 갖는 디아자실롤 또는 테트라아자실롤 유도체들, 예를 들면 WO 2010/054729 에 따른 것으로부터 선택되는 것이 바람직하다.
바람직한 방향족 아민들은 하기 식 (28) 내지 식 (33) 의 화합물들이고,
Figure 112013017853002-pct00026
여기서 R1 은 상기 언급된 의미를 가지며, 하기 사항이 사용된 다른 심볼들에 적용되며:
Ar4 는 각각의 존재시에, 동일하게 또는 상이하게, 하나 이상의 라디칼들 R1 에 의해 치환될 수도 있는, 5 내지 60개의 방향족 고리 원자들을 갖는 2가, 3가 또는 4가의 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이며;
Ar5 는 각각의 존재시에, 동일하게 또는 상이하게, 하나 이상의 라디칼들 R1 에 의해 치환될 수도 있는, 5 내지 60개의 방향족 고리 원자들을 갖는 1가의 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이며, 여기서 동일한 질소 원자에 결합된 2개의 기들 Ar5, 또는 동일한 질소 원자에 결합된 하나의 기 Ar4 와 하나의 기 Ar5 는, B(R1), C(R1)2, Si(R1)2, C=O, C=NR1, C=C(R1)2, O, S, S=O, SO2, N(R1), P(R1) 및 P(=O)R1 로 이루어진 그룹으로부터 선택된 브리지 또는 단일 결합에 의해 서로 링크될 수도 있다.
각각이 동일한 질소 원자에 결합된 2개의 기들 Ar5 또는 하나의 기 Ar4 와 하나의 기 Ar5 가 단일 결합에 의해 서로 링크되어 있는 경우, 그리하여 카르바졸이 형성된다.
식 (28), (29), (30) 및 (33) 의 화합물들에서의 Ar4 가 2가의 기이고, 식 (31) 의 화합물들에서의 Ar4 가 3가의 기이고, 식 (32) 의 화합물들에서의 Ar4 가 4가의 기이고, 여기서 상기 기재된 바와 같이 Ar4 는 또한 각각의 경우에 추가적으로 하나 이상의 라디칼들 R1 에 의해 치환될 수도 있다.
여기서 Ar4 및 Ar5 는 10개 초과의 방향족 고리 원자들을 갖는 축합된 아릴 또는 헤테로아릴기들을 함유하지 않는 것이 바람직하다. Ar4 및 Ar5 는 축합된 아릴 또는 헤테로아릴기들을 전혀 함유하지 않는 것이 특히 바람직하다.
바람직한 기들 Ar4 의 예들은 이하에 나타낸 식 (34) 내지 식 (41) 의 기들이다:
Figure 112013017853002-pct00027
여기서 이들 구조들은 또한 하나 이상의 라디칼들 R1 에 의해 치환될 수도 있고, R1 은 상기 언급된 의미를 가진다. 이때 동일한 C 원자에 결합된 2개의 라디칼들 R1 이 또한 서로 고리를 형성할 수도 있다는 것이 명시적으로 다시 주목되어야 한다. 그리하여, 예를 들면, 식 (39) 에서의 2개의 라디칼들 R1 이 알킬기들을 나타내는 경우, 그들은 그들이 결합된 C 원자와 함께 시클로펜틸 또는 시클로헥실기를 형성할 수도 있다. 마찬가지로, 스피로 시스템, 예를 들면 스피로비플루오렌이 식 (36) 으로부터 구축될 수 있다.
또한, 적합한 정공 전도 매트릭스 재료들은, 바람직하게는 하기 식 (42) 의 구조를 갖는, 브리지된 카르바졸 유도체들이다.
Figure 112013017853002-pct00028
여기서 X 는 상기 기재된 바와 동일한 의미를 가지며, 이 구조는 또한 하나 이상의 라디칼들 R1 에 의해 치환될 수도 있다. 바람직하게는, 여기서 치환기들 R1 중 적어도 하나는 치환 또는 미치환의 디아릴- 또는 -헤테로아릴아미노기, 치환 또는 미치환의 트리아릴- 또는 -헤테로아릴아미노기, 치환 또는 미치환의 트리아진기, 또는 치환 또는 미치환의 피리미딘기이다. 또한, X 는 C(R1)2 를 나타내는 것이 바람직하다.
적합한 정공 전도 매트릭스 재료들 B 의 예들은 하기 표에 나타낸 구조 (1) 내지 구조 (55) 이다.
Figure 112013017853002-pct00029
Figure 112013017853002-pct00030
Figure 112013017853002-pct00031
Figure 112013017853002-pct00032
Figure 112013017853002-pct00033
Figure 112013017853002-pct00034
Figure 112013017853002-pct00035
화합물 B 이외에, 추가적인 화합물 C 가 방출층에 존재하는 경우, 이것은 화합물들 B 에 대해 바람직하다고 이미 상기 언급되었는 화합물이 바람직하며, 다만, 화합물 C 에 대해 상기 언급된 관계가 만족된다. 또한, 화합물 C 는, 큰 대역 분리를 가지며 그리고 층에서의 방출시에 또는 전하 수송시에 관련되지 않거나 또는 필수적으로 관련되지는 않는 재료인 것이 바람직할 수 있다. 이들은 순수 탄화수소들인 것이 바람직하지만, 디아자보롤 유도체들도 바람직하다. 적합한 화합물들 C 의 예들은 이하에 나타낸 화합물 (1) 내지 화합물 (19) 이다.
Figure 112013017853002-pct00036
Figure 112013017853002-pct00037
방출층들이 용액으로부터 제조되는 경우, 폴리스티렌, 폴리카보네이트, 폴리비닐부티랄, 폴리메틸 메타크릴레이트와 같은, 소위 중합성 "바인더들" 이 또한 재료 C 로서 바람직하다.
또한, WO 2010/136111 및 WO 2010/136110 에 기재된 바와 같이, 공액 단속적 폴리머들이 재료들 C 로서 채용될 수 있다.
특히, 적합한 여기시에 광을 방출하고, 바람직하게는 가시 영역에서의 광을 방출하고, 또한 20 보다 큰 원자 번호를 갖는 적어도 하나의 원자를 함유하는 화합물이, 인광 화합물 A 로서 적합하다. 사용되는 인광 방출체들은 구리, 몰리브덴, 텅스텐, 레늄, 루테늄, 오스뮴, 로듐, 이리듐, 팔라듐, 백금, 은, 금 또는 유로퓸을 함유하는 화합물들이 바람직하고, 이리듐, 백금 또는 구리를 함유하는 화합물들이 특히 바람직하다.
특히 바람직한 유기 전계발광 디바이스들은, 인광 화합물로서, 식 (43) 내지 식 (46) 의 적어도 하나의 화합물을 포함한다:
Figure 112013017853002-pct00038
여기서 R1 은 식 (1) 에 대해 상기 기재된 바와 동일한 의미를 가지며, 하기 사항이 사용된 다른 심볼들에 적용된다:
DCy 는 각각의 존재시에 동일하게 또는 상이하게, 적어도 하나의 도너 원자, 바람직하게는 질소, 카르벤 형태의 탄소, 또는 인을 함유하는 고리형 기이고, 상기 도너 원자를 통해 상기 고리형 기가 금속에 결합되고, 상기 고리형 기는 차례로 하나 이상의 치환기들 R1 을 가질 수도 있고; 기들 DCy 와 CCy 는 공유 결합을 통해 서로 연결되고;
CCy 는 각각의 존재시에 동일하게 또는 상이하게, 탄소 원자를 함유하는 고리형 기이고, 상기 탄소 원자를 통해 상기 고리형 기가 금속에 결합되고, 상기 고리형 기는 차례로 하나 이상의 치환기들 R1 을 가질 수도 있고;
A 는 각각의 존재시에 동일하게 또는 상이하게, 단일 음이온의, 두자리 킬레이트 리간드이고, 바람직하게는 디케토네이트 리간드 또는 피콜리네이트이다.
적합하고 바람직한 기들 DCy 는, 예를 들면, 피리딘, 피리다진, 피리미딘, 피라진, 트리아진, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 이미다졸, 피라졸 또는 트리아졸이고, 각각은 하나 이상의 라디칼들 R1 에 의해 치환될 수도 있다. 이들 기들은 질소 원자를 통해 금속에 배위한다.
적합하고 바람직한 기들 CCy 는, 예를 들면, 페닐, 피리딘, 티오펜, 푸란, 피롤 또는 나프탈렌이고, 각각은 하나 이상의 라디칼들 R1 에 의해 치환될 수도 있다. 이들 기들은 탄소 원자를 통해 금속에 배위한다.
복수의 라디칼들 R1 간의 고리 시스템들의 형성을 통해, 기들 DCy 와 CCy 사이에 브리지가 또한 존재할 수도 있다. 또한, 복수의 라디칼들 R1 간의 고리 시스템들의 형성으로 인해, 2개 또는 3개의 리간드들 CCy-DCy 사이에 또는 하나 또는 2개의 리간드들 CCy-DCy 와 리간드 A 사이에 브리지가 또한 존재할 수도 있어, 여러자리 또는 폴리포달 리간드 시스템을 제공한다.
상기 기재된 방출체들의 예들은, 출원들 WO　2001/41512, WO　2002/02714, WO　2002/15645, EP 1191613, EP 1191612, EP 1191614, WO 2004/081017, WO 2005/033244, WO 2005/042550, WO 2005/113563, WO 2006/008069, WO 2006/061182, WO　2006/081973, WO 2009/118087 및 WO 2009/146770 에 의해 나타나 있다. 일반적으로, 인광 OLED들에 대한 종래 기술에 따라 사용되고 그리고 유기 전계발광의 분야에서 당업자에게 공지된 모든 인광 착물들은 적합하며, 당업자는 독창적인 단계 없이 추가적인 인광 화합물들을 사용할 수 있을 것이다.
또한, WO 2010/086089 그리고 미공개된 출원들 EP 10006208.2 및 DE 102010027317.1 의 금속 착물들이 특히 바람직하다.
식 (48) 또는 식 (49) 의 모이어티 M(L)p 를 함유하는, 하기 식 (47) 의 금속 착물들이 특히 적합하다:
M(L)p(L')q 식 (47)
Figure 112013017853002-pct00039
여기서 하기 사항이 사용된 심볼들 및 인덱스들에 적용되며:
M 은 금속이고, 특히 Ir 또는 Pt 이고;
Y 는 각각의 존재시에, 동일하게 또는 상이하게, C 및 N 으로 이루어진 그룹으로부터 선택되고; 여기서 모든 Y 는 함께 14 π 전자 시스템을 나타내고;
R3 은 각각의 존재시에, 동일하게 또는 상이하게, H, D, F, Cl, Br, I, N(R4)2, CN, NO2, Si(R4)3, B(OR4)2, C(=O)R4, P(=O)(R4)2, S(=O)R4, S(=O)2R4, OSO2R4, 1 내지 40개의 C 원자들을 갖는 직사슬형 알킬, 알콕시, 티오알콕시기 또는 이민기 또는 2 내지 40개의 C 원자들을 갖는 알케닐 또는 알키닐기 또는 3 내지 40개의 C 원자들을 갖는 분지형 또는 고리형 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기 (여기서 상기 언급된 알킬, 알콕시, 티오알콕시, 이민, 알케닐 또는 알키닐기는 각각 하나 이상의 라디칼들 R4 에 의해 치환될 수도 있고) (여기서 하나 이상의 비인접 CH2 기들은 R4C=CR4, C≡C , Si(R4)2, C=O, C=S, C=NR4, P(=O)(R4), SO, SO2, NR4, O, S 또는 CONR4 에 의해 대체될 수도 있고 그리고 여기서 하나 이상의 H 원자들은 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 에 의해 대체될 수도 있고), 또는 각각의 경우에 하나 이상의 라디칼들 R4 에 의해 치환될 수도 있는, 5 내지 60개의 방향족 고리 원자들을 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 또는 하나 이상의 라디칼들 R4 에 의해 치환될 수도 있는, 5 내지 60개의 방향족 고리 원자들을 갖는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시기, 또는 하나 이상의 라디칼들 R4 에 의해 치환될 수도 있는, 5 내지 60개의 방향족 고리 원자들을 갖는 아랄킬 또는 헤테로아랄킬기, 또는 하나 이상의 라디칼들 R4 에 의해 치환될 수도 있는, 10 내지 40개의 방향족 고리 원자들을 갖는 디아릴아미노기, 디헤테로아릴아미노기 또는 아릴헤테로아릴아미노기이고; 여기서 2개 이상의 인접 라디칼들 R3 은 또한 서로 모노시클릭 또는 폴리시클릭의, 지방족, 방향족 및/또는 벤조융합된 (benzo-fused) 고리 시스템을 형성할 수도 있고;
다만, 이 라디칼 R3 이 결합되는 기 Y 가 포화 원자가를 갖는 질소 원자인 경우에 R3 은 자유 전자쌍을 나타내고;
R4 는 각각의 존재시에, 동일하게 또는 상이하게, H, D, F, Cl, Br, I, N(R2)2, CN, NO2, Si(R2)3, B(OR2)2, C(=O)R2, P(=O)(R2)2, S(=O)R2, S(=O)2R2, OSO2R2, 각각이 하나 이상의 라디칼들 R2 에 의해 치환될 수도 있는, 1 내지 40개의 C 원자들을 갖는 직사슬형 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기 또는 2 내지 40개의 C 원자들을 갖는 알케닐 또는 알키닐기 또는 3 내지 40개의 C 원자들을 갖는 분지형 또는 고리형 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기 (여기서 하나 이상의 비인접 CH2 기들은 R2C=CR2, C≡C , Si(R2)2, C=O, C=S, C=NR2, P(=O)(R2), SO, SO2, NR2, O, S 또는 CONR2 에 의해 대체될 수도 있고 그리고 여기서 하나 이상의 H 원자들은 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 에 의해 대체될 수도 있고), 또는 각각의 경우에 하나 이상의 라디칼들 R2 에 의해 치환될 수도 있는, 5 내지 60개의 방향족 고리 원자들을 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 또는 하나 이상의 라디칼들 R2 에 의해 치환될 수도 있는, 5 내지 60개의 방향족 고리 원자들을 갖는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시기, 또는 하나 이상의 라디칼들 R2 에 의해 치환될 수도 있는, 5 내지 60개의 방향족 고리 원자들을 갖는 아랄킬 또는 헤테로아랄킬기, 또는 하나 이상의 라디칼들 R2 에 의해 치환될 수도 있는, 10 내지 40개의 방향족 고리 원자들을 갖는 디아릴아미노기, 디헤테로아릴아미노기 또는 아릴헤테로아릴아미노기이고; 여기서 2개 이상의 인접 라디칼들 R4 는 또한 서로 모노시클릭 또는 폴리시클릭의, 지방족 또는 방향족 고리 시스템을 형성할 수도 있고; 여기서 R2 는 상기 주어진 의미를 가지며;
L' 는 각각의 존재시에 동일하게 또는 상이하게, 코리간드 (co-ligand) 이고;
p 는 1, 2 또는 3 이고;
q 는 0, 1, 2, 3 또는 4 이고;
여기서 복수의 리간드들 L 이 또한 서로 링크될 수도 있고, 또는 L 이 임의의 바람직한 브리지 V 를 통해 L' 에 링크되어서 세자리, 네자리, 다섯자리 또는 여섯자리의 리간드 시스템을 형성할 수도 있다.
모든 원자들 Y 는 함께 14 π-전자 시스템을 형성한다. 여기서 각각의 탄소 원자는 전반적 전자 시스템에 1개의 π-전자를 공여하고, 여기서 카르벤 탄소 원자는 전체적으로 전자 시스템에 π-전자를 공여하지 않는다. 6-원자 고리에만 결합된 각각의 질소 원자는 마찬가지로 전반적 전자 시스템에 1개의 π-전자를 공여한다. 5-원자 고리 및 6-원자 고리에 동시에 결합된 각각의 질소 원자는 전반적 전자 시스템에 2개의 π-전자를 공여한다. 5-원자 고리에만 결합된 각각의 질소 원자는 전반적 전자 시스템에 1개 또는 2개의 π-전자를 공여한다. 이 질소 원자가 전반적 전자 시스템에 1개의 π-전자를 공여하는지 또는 2개의 π-전자를 공여하는지의 여부는 5-원소 고리에서의 질소의 결합에 좌우된다. 유기 화학물질에서의 방향족 또는 헤테로방향족 구조들의 표현에 대해 통상 사용되는 바와 같이, 식 (2) 및 식 (3) 에서의 고리에서의 써클은 6 π-전자 시스템을 나타낸다. 하기 구조들은, 질소가 전반적 π-전자 시스템에 1개 또는 2개의 (스킴에서 전자들로서만 나타낸) π-전자를 공여하는 경우를 한번 더 설명한다.
Figure 112013017853002-pct00040
Figure 112013017853002-pct00041
본 발명의 의미에서 포화 원자가를 갖는 질소 원자는, 방향족 골격 내에 하나의 단일 결합과 하나의 이중 결합을 형식적으로 형성하거나 또는 3개의 단일 결합들을 형식적으로 형성하는 질소 원자를 의미하도록 취해진다. 이 경우에, 이 질소 원자에 결합된 라디칼 R3 은 자유 전자쌍을 나타낸다. 본 발명의 목적을 위해, 불포화 원자가를 갖는 질소 원자는, 대조적으로, 방향족 골격 내에 2개의 단일 결합들만을 형식적으로 형성하는 질소 원자를 의미하도록 취해진다. 이 경우에, 이 질소 원자에 결합된 R3 으로부터의 라디칼은 상기 정의된 바와 같은 라디칼을 나타내며, 자유 전자쌍을 나타내지 않는다. 하기 구조들은, 포화 원자가를 갖는 질소 원자가 무엇을 의미하는지를 한번 더 설명한다:
Figure 112013017853002-pct00042
식 (48) 및 식 (49) 의 모이어티들의 특히 바람직한 실시형태는 하기 식 (50) 내지 식 (118) 의 구조들이다.
Figure 112013017853002-pct00043
Figure 112013017853002-pct00044
Figure 112013017853002-pct00045
Figure 112013017853002-pct00046
Figure 112013017853002-pct00047
Figure 112013017853002-pct00048
여기서 사용된 심볼들 및 인덱스들은 상기 나타낸 의미를 가진다.
라디칼들 R3 이 서로 고리 시스템을 형성하는 바람직한 실시형태들은 하기 식 (119) 내지 식 (127) 의 구조들이다.
Figure 112013017853002-pct00049
여기서 사용된 심볼들 및 인덱스들은 상기 주어진 의미를 가진다.
식 (119) 내지 식 (127) 의 구조들에 있어서, 하나의 6-원자 고리에만 결합된 질소에 인접하는 치환기들 R3 또는 R4 중 적어도 하나가, 바람직하게는 정확하게 하나가, H 또는 D 이외의 치환기인 것이 바람직하다.
적합한 인광 화합물들 A 의 예들은 하기 표에 나타낸 구조 (1) 내지 구조 (192) 이다.
Figure 112013017853002-pct00050
Figure 112013017853002-pct00051
Figure 112013017853002-pct00052
Figure 112013017853002-pct00053
Figure 112013017853002-pct00054
Figure 112013017853002-pct00055
Figure 112013017853002-pct00056
Figure 112013017853002-pct00057
Figure 112013017853002-pct00058
Figure 112013017853002-pct00059
Figure 112013017853002-pct00060
Figure 112013017853002-pct00061
Figure 112013017853002-pct00062
Figure 112013017853002-pct00063
상기 기재된 캐소드, 애노드 및 적어도 하나의 방출층 이외에, 유기 전계발광 디바이스는 또한 추가적인 층들을 포함할 수도 있다. 이들은, 예를 들면, 각각의 경우에 하나 이상의 정공 주입 층들, 정공 수송 층들, 정공 블로킹 층들, 전자 수송 층들, 전자 주입 층들, 전자 블로킹 층들, 여기자 블로킹 층들, 전하 발생 층들 및/또는 유기 또는 무기 p/n 접합들로부터 선택된다. 또한, 예를 들면, 디바이스에서의 전하 밸런스를 제어하는 중간층들이 존재할 수도 있다. 특히, 이러한 중간층들은 2개의 방출층들 사이의 매개 층으로서, 특히 형광층과 인광층 사이의 매개 층으로서 적절할 수도 있다. 또한, 층들, 특히 전하 수송 층들은 또한 도핑될 수도 있다. 층들의 도핑은 향상된 전하 수송에 대해 유리할 수도 있다. 그러나, 상기 언급된 층들 각각이 반드시 존재해야 하는 것은 아니며 층들의 선택이 항상 사용되는 화합물들에 의존한다는 점에 주목해야 한다. 이러한 유형의 층들의 사용은 당업자에게 공지되어 있고, 당업자는 독창적인 단계 없이, 이러한 유형의 층들에 대해 공지된 종래 기술에 따른 모든 재료들을 이 목적을 위해 사용할 수 있을 것이다.
또한 2개 이상의 방출층, 예를 들면 2개 또는 3개의 방출층들을 사용하는 것이 가능하고, 여기서 이들은 상이한 방출 컬러들을 가지는 것이 바람직하다. 본 발명의 바람직한 실시형태는 백색 방출 유기 전계발광 디바이스에 관한 것이다. 이것은 0.28/0.29 내지 0.45/0.48 의 범위의 CIE 컬러 좌표를 갖는 광을 방출하는 것을 특징으로 한다. 이 유형의 백색 방출 전계발광 디바이스의 일반적 구조는, 예를 들면 WO 2005/011013 에 개시되어 있다.
본 발명에 따른 구조에 의하면, 본 발명에 따른 유기 전계발광 디바이스는 용액에서의 순수 방출체의 방출에 비교해서 보다 장파장으로의 방출 대역의 컬러 시프트를 야기하고, 게다가 보다 넓은 방출 대역들을 야기하기 때문에 (여기서 이러한 방출은 매우 고 효율을 가짐), 백색 방출 유기 전계발광 디바이스들은 특히 잘 액세스 가능하다. 마찬가지로, 사용된 매트릭스 재료에 따라, 순수 방출체의 방출과 또한 동시에 보다 장파 방출 둘다를 획득하는 것이 가능하다.
그리하여, 예를 들면 백색 방출의 발생을 위해, 상기 언급된 조건 (1) 또는 (2) 중 어느 것도 만족하지 않는 화합물로 층에서의 청색- 또는 청록색-인광 방출체 A 를 도핑하고, 그리고 상기 언급된 조건 (1) 또는 상기 언급된 조건 (2) 를 만족하는 화합물 B 로, 추가적인 층에서의, 예를 들면, 제 1 층에 인접한 추가적인 층에서의 동일 방출체 A 를 도핑하는 것이 가능하다. 그 후, 제 1 층은 방출체 A 의 청색 또는 청록색 방출을 발현하고, 제 2 층은 넓은 방출 대역을 갖는 보다 장파 방출을 발현하여, 전반적으로 양호한 컬러 좌표들 및 고 효율을 갖는 백색 방출을 야기한다.
마찬가지로, 백색 방출의 발생을 위해, 상기 언급된 조건 (1) 또는 (2) 중 어느 것도 만족하지 않는 화합물로 층에서의 청색- 또는 청록색-형광 방출체를 도핑하고, 그리고 상기 언급된 조건 (1) 또는 상기 언급된 조건 (2) 를 만족하는 화합물 B 로, 추가적인 층에서의, 예를 들면, 제 1 층에 인접한 추가적인 층에서의 다른 방출체 A 를 도핑하는 것이 가능하다. 그 후, 제 1 층은 방출체 A 의 청색 또는 청록색 방출을 발현하고, 제 2 층은 넓은 방출 대역을 갖는 보다 장파 방출, 예를 들면 황색 방출을 발현하여, 전반적으로 양호한 컬러 좌표들 및 고 효율을 갖는 백색 방출을 야기한다.
또한, 백색 방출의 발생을 위해, 2개 이상의 상이한 화합물들의 혼합물로 층에서의 청색- 또는 청록색-인광 방출체 A 를 도핑하는 것이 가능하고, 여기서 상기 화합물들 중 적어도 하나에 대해서는 상기 언급된 조건 (1) 또는 (2) 중 어느 것도 만족되지 않고 그리고 적어도 하나의 추가적인 화합물 B 에 대해서는 상기 언급된 조건 (1) 또는 상기 언급된 조건 (2) 이 만족된다. 그 후, 이 층은, 방출체 A 의 청색 또는 청록색 방출 및 또한 넓은 방출 대역을 갖는 보다 장파 방출 둘다를 발현하여, 전반적으로 양호한 컬러 좌표들을 갖는 백색 방출을 야기한다. 이것은 하나의 방출층만을 갖는 유기 전계발광 디바이스이기 때문에, 이러한 유형의 디바이스 구조는 또한 용액으로부터의 전계발광 디바이스의 제조에 특히 적합하다.
따라서, 백색 방출의 발생을 위해 본 발명에 따른 유기 전계발광 디바이스 구조를 사용하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 전계발광 디바이스의 캐소드는, 낮은 일함수를 갖는 금속들, 금속 합금들, 또는 예를 들면, 알칼리 토금속들, 알칼리 금속들, 주족 금속들 또는 란타나이드들과 같은, 상이한 금속들을 포함하는 다층 구조들을 포함하는 것이 바람직하다 (예를 들면 Ca, Ba, Mg, Al, In, Mg, Yb, Sm 등). 다층 구조의 경우에, 상기 금속들에 대해 부가적으로, 상대적으로 높은 일함수를 갖는 추가적인 금속들, 예를 들면 Ag 와 같은 것이 또한 사용될 수도 있고, 이 경우에 금속들의 조합들, 예를 들면, Mg/Ag, Ca/Ag 또는 Ba/Ag 가 일반적으로 사용된다. 마찬가지로, 금속 합금들, 특히 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 및 은을 포함하는 합금들이 바람직하고, 특히 바람직하게는 Mg 와 Ag 의 합금이다. 또한 금속성 캐소드와 유기 반도체 사이에 높은 유전율을 갖는 재료의 얇은 중간층을 도입하는 것이 바람직할 수도 있다. 이 목적을 위해, 예를 들면 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 불화물들이 적합하고, 또한 대응 산화물들 또는 탄산염들 (예를 들면 LiF, Li2O, CsF, Cs2CO3, BaF2, MgO, NaF 등) 도 적합하다. 유기 알칼리 금속 착물들, 예를 들면 리튬 퀴놀리네이트가 또한 여기서 적합하다. 이 층의 층 두께는 0.5 와 5 nm 사이가 바람직하다.
본 발명에 따른 전계발광 디바이스의 애노드는 높은 일함수를 갖는 재료들을 포함하는 것이 바람직하다. 애노드는 진공에 대해 4.5 eV 초과의 일함수를 갖는 것이 바람직하다. 한편, 이 목적을 위해 높은 산화환원 전위 (redox potential) 를 갖는 금속들, 예를 들면, Ag, Pt 또는 Au 와 같은 것이 적합하다. 다른 한편, 금속/금속 산화물 전극들 (예를 들면 Al/Ni/NiOx, Al/PtOx) 이 또한 바람직할 수도 있다. 여기서 전극들 중 적어도 하나는 광의 커플링-아웃 (coupling-out) 을 촉진하기 위해 투명하거나 또는 부분적으로 투명해야 한다. 여기서 바람직한 애노드 재료들은 전도성 혼합 금속 산화물들이다. 인듐 주석 산화물 (ITO) 또는 인듐 아연 산화물 (IZO) 이 특히 바람직하다. 또한 전도성, 도핑된 유기 재료들이 바람직하며, 특히 전도성 도핑된 폴리머들이 바람직하다.
이 유형의 디바이스들의 수명은 물 및/또는 공기의 존재시에 대폭적으로 단축되기 때문에, 디바이스는, 콘택트들을 구비하여 (용도에 따라) 대응적으로 구조화되고 최종적으로 기밀하게 밀봉된다.
일반적으로, 본 발명에 따른 방출층과 조합하여, 유기 전계발광 디바이스들에 있어서의 종래 기술에 따라 채용된 모든 추가적인 재료들을 채용하는 것이 가능하다. 당업자는 이들 층들 또는 기능들에 대해 어떤 재료들을 채용할 수 있을지를 인지하고, 당업자는 본 발명에 따른 유기 전계발광 디바이스의 디바이스 구조에 독창적인 단계 없이 이들 재료들을 채용할 것이다.
또한, 하나 이상의 층들이 승화 프로세스에 의해 코팅되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 디바이스가 바람직하고, 여기서 재료들은 초기 압력 10-5　mbar 미만, 바람직하게는 10-6　mbar 미만에서 진공 승화 유닛들에서 진공 증착된다. 그러나, 초기 압력은 또한 휠씬 더 낮을 수도 있고, 예를 들면 10-7　mbar 미만일 수도 있음에 유의해야 한다.
마찬가지로, 하나 이상의 층들이 OVPD (유기 기상 증착; organic vapour phase deposition) 프로세스에 의해 또는 캐리어 가스 승화의 도움으로 코팅되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 디바이스가 바람직하고, 여기서 재료들은 압력 10-5　mbar 와 1　bar 사이에서 공급된다. 이 프로세스의 특별한 경우는 OVJP (유기 증기 젯 프린팅; organic vapour jet printing) 프로세스이고, 여기서 재료들은 노즐을 통해 직접 공급되고 이와 같이 구조화된다 (예를 들면 M. S. Arnold et al., Appl . Phys . Lett . 2008, 92, 053301).
게다가, 하나 이상의 층들이 용액으로부터 제조되고, 예를 들면, 스핀 코팅에 의해, 또는 예를 들면, 스크린 프린팅, 플렉소그래픽 프린팅, 오프셋 프린팅, LITI (광 유도 열적 이미징; light induced thermal imaging, 열 전사 프린팅), 잉크젯 프린팅 또는 노즐 프린팅과 같은 임의의 원하는 프린팅 프로세스에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 디바이스가 바람직하다. 이 목적을 위해 용해성 화합물들이 필요하다. 높은 용해도는 화합물들의 적합한 치환을 통해 달성될 수 있다. 여기서 개별적인 재료들의 용액들뿐만 아니라, 복수의 화합물들을 포함하는 용액들, 예를 들면 인광 화합물 A, 화합물 B 및 선택적으로 추가의 화합물들 C 를 포함하는 용액들도 역시 공급되는 것이 가능하다.
유기 전계발광 디바이스는 또한, 용액으로부터 하나 이상의 층들을 공급하고 증착에 의해 하나 이상의 추가의 층들을 공급하는 것에 의한 하이브리드 시스템으로서 제조될 수 있다.
따라서, 본 발명은 또한, 적어도 하나의 층이 승화 프로세스를 이용하여 공급되고 및/또는 적어도 하나의 층이 OVPD 프로세스를 이용하여 공급되고 및/또는 적어도 하나의 층이 용액으로부터 또는 임의의 원하는 프린팅 프로세스에 의해 공급되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 디바이스의 제조 프로세스에 관한 것이다.
용액으로부터의 프로세싱을 위해, 대응 화합물들의 용액들 또는 제제 (formulation) 들이 필요하다. 따라서, 본 발명은 또한, 적어도 하나의 인광 화합물 A 및 적어도 하나의 추가적인 화합물 B 를 포함하는, 제제, 바람직하게는 용액, 현탁액 또는 미니에멀션에 관한 것이며, 여기서 상기 언급된 관계가 화합물들 A 및 B 에 적용된다.
이들 프로세스들은 당업자에게 일반적으로 공지되어 있고, 본 발명에 따른 유기 전계발광 디바이스들에 독창적인 단계 없이 당업자에 의해 적용될 수 있다.
유기 전계발광 디바이스는, 다양한 용도들에 대해, 특히 디스플레이 용도들에 대해 또는 광원으로서, 예를 들면 조명 용도에 대해 또는 의학적 또는 미용적 용도들에 대해 사용될 수 있다.
본 발명에 따른 유기 전계발광 디바이스들은 종래 기술에 비해 다음과 같은 놀라운 이점들을 가진다.
1. 본 발명에 따른 유기 전계발광 디바이스는, 용액에서의 방출체의 방출에 비교해서 방출 컬러가 보다 장파장으로 시프트된 방출을 발현한다. 따라서, 매트릭스 재료의 특정 선택은, 유기 전계발광 디바이스의 방출 대역의 폭 및 방출의 컬러 위치를 조정할 수 있게 한다.
2. 본 발명에 따른 유기 전계발광 디바이스는 매우 고 효율을 가진다. 이것은, 분자간 상호작용들에 기인하는 상태들로부터의 방출이 일반적으로 매우 낮은 전사 가능성만을 가지며 따라서 저 효율만을 가지기 때문에, 놀라운 일이다.
3. 본 발명에 따른 디바이스 구조에 의하면, 백색 방출 전계발광 디바이스들은 동일 층에서 또는 상이한 층들에서 상이한 매트릭스 재료들을 사용함으로써 단일 방출체만을 사용하여 액세스 가능하다. 이것은 더 적은 상이한 재료들이 필요하기 때문에, 전계발광 디바이스의 제조시에 공업적 이점을 나타낸다.
본 발명은 하기 실시예들에 의해 더욱 상세하게 설명되는데 하기 실시예들에 의해 본 발명을 제한하기를 원하지는 않는다. 당업자는 독창적인 단계 없이 본 발명에 따른 추가의 유기 전계발광 디바이스들을 제조할 수 있을 것이다.
실시예들 :
HOMO / LUMO 포지션들 및 삼중항 레벨의 결정
화합물들 A 및 B 의 HOMO 및 LUMO 포지션들 그리고 화합물 B 의 삼중항 레벨 T1 은 양자 화학 계산을 통해 결정된다. 이것을 위해, "Gaussian03W" 소프트웨어 패키지 (Gaussian Inc.) 가 사용된다. 금속들을 갖지 않는 유기 물질들의 계산을 위해 (표 4 에서 "org." 방법이라고 함), 먼저 "Ground State/Semi-empirical/ Default Spin/AM1" 방법 (전하 0/스핀 단일항) 을 이용하여 기하학적 최적화가 실시된다. 그후 이 최적화된 기하학에 기초하여 에너지 계산이 실시된다. 여기서 "6-31G(d)" 베이스 세트를 이용한 "TD-SCF/DFT/Default Spin/B3PW91" 방법 (전하 0/스핀 단일항) 이 이용된다. 유기금속성 화합물들에 대해 (표 4 에서 "M-org." 방법이라고 함), "Ground State/Hartree-Fock/Default Spin/ LanL2MB" 방법 (전하 0/스핀 단일항) 을 통해 기하학이 최적화된다. 에너지 계산은 상기 기재된 유기 물질들과 유사하게 실시되는데, 차이점은 금속 원자에 대해 "LanL2DZ" 베이스 세트 (pseudo=LanL2) 가 사용되고 리간드들에 대해 "6-31G(d)" 베이스 세트가 사용된다는 점이다. 에너지 계산은 하트리 (hartree) 단위의 HOMO HEh 또는 LUMO LEh 를 제공한다. 그것으로부터 전자 볼트 단위의 HOMO 및 LUMO 값들이 다음과 같이 결정되며, 이들 관계는 사이클릭 볼타메트리 측정법을 참조한 캘리브레이션에서 발생한다:
HOMO(eV) = ((HEh*27.212)-0.9899)/1.1206 eV
LUMO(eV) = ((LEh*27.212)-2.0041)/1.385 eV
이 애플리케이션의 목적을 위해, 이들 값들은 재료들의 HOMO 레벨 또는 LUMO 레벨의 에너지 포지션으로서 간주되어야 한다. 예로서, 물질 HTM 에 대한 계산으로부터 -0.17519 하트리의 HOMO 및 -0.04192 하트리의 LUMO 가 획득되고, 이는 -5.14　eV 의 교정된 HOMO 및 -2.27 eV 의 교정된 LUMO 에 대응한다.
화합물 B 및, 적절한 경우에 화합물 C 의 삼중항 레벨 T1 은 최저 에너지를 갖는 삼중항 상태의 에너지로서 정의되며, 양자 화학 계산으로부터 획득된다.
인광 화합물 A 의 삼중항 레벨 T1 은 실온에서 톨루엔 중의 대응 화합물 (10-5 몰 용액) 의 광발광 최대의 측정으로부터 획득된다.
표 4 는 다양한 재료들의 HOMO 및 LUMO 값들 그리고 삼중항 레벨 T1 을 나타낸다. 유기금속성 화합물들의 경우에, 표 4 의 삼중항 레벨은 실온에서 톨루엔 중의 대응 화합물 (10-5 몰 용액) 의 광발광 최대의 측정으로부터 결정된다. 유기 화합물들의 경우에, 삼중항 레벨은 일반적으로 실온에서 광발광의 측정에 의해 가능하지 않으며, 따라서 상기 기재된 바와 같이 이 목적을 위해 양자 화학 계산이 이용된다.
OLED 들의 제조
본 발명에 따른 OLED들 및 종래 기술에 따른 OLED들은, 여기에 기재된 환경 (층 두께 변화, 사용되는 재료들) 으로 각색된, WO　2004/058911 에 따른 일반적 프로세스에 의해 제조된다.
이하 실시예 1 내지 실시예 19 에 다양한 비최적화 OLED들의 구조가 존재한다 (표 1 참조). 두께 150 nm 의 구조화된 ITO (주석 인듐 산화물) 를 갖는 유리 플레이트들이, 향상된 프로세싱을 위해 20 nm 의 PEDOT [폴리-(3,4-에틸렌디옥시-2,5-티오펜), 물로부터 스핀 코팅에 의해 공급됨; H. C. Starck, Goslar, Germany 로부터 구입] 로 코팅된다. 이들 코팅된 유리 플레이트들은 OLED들이 공급되는 기판들을 형성한다. OLED들은 기본적으로 다음과 같은 층 구조를 가진다: 기판/선택적 정공 주입 층 (HIL) / 정공 수송 층 (HTL) / 전자 블로킹 층 (EBL)　/ 방출층 (EML) / 선택적 정공 블로킹 층 (HBL) / 전자 수송 층 (ETL) / 선택적 전자 주입 층 (EIL) 및 최종적으로 캐소드. 캐소드는 두께 100 nm 로 알루미늄 층에 의해 형성된다.
진공 프로세싱된 OLED들을 제조하기 위해, 모든 재료들은 진공 챔버 내의 열 증착에 의해 적용된다. 여기서 방출층은 항상 적어도 하나의 매트릭스 재료 (호스트 재료) 및 방출 도펀트 (방출체) 로 이루어지며, 이 방출 도펀트는 공증착에 의해 체적에 의한 특정 비율로 매트릭스 재료 또는 매트릭스 재료들과 혼화된다. 여기서 M3:M2:TEB-1 (55%:35%:10%) 와 같은 표현은, 재료 M3 이 55% 의 체적 비율로 층에 존재하고, M2 가 35% 의 비율로 층에 존재하고, TEB-1 이 10% 의 비율로 층에 존재한다는 것을 의미한다. 유사하게, 전하 수송 층들은 또한 2개 이상의 재료들의 혼합물로 이루어질 수도 있다. 표 1 은 예로서 2개의 재료들을 포함하는 전자 수송 층들을 갖는 구성요소들을 나타낸다 (실시예 7 내지 실시예 13). OLED들의 정확한 구조를 표 1 에 나타낸다. OLED들의 제조에 사용되는 재료들을 표 3 에 나타낸다.
OLED들은 표준 방법에 의해 특징지워진다. 이 목적을 위해, 전류/전압/발광 밀도 특성 라인들 (IUL 특성 라인들) 로부터 전류 효율 (cd/A 단위로 측정됨), 외부 양자 효율 (EQE, % 단위의 수치) 및 전압 (V 단위로 측정됨) 이 결정된다. 또한, 전계발광 스펙트럼 (EL 스펙트럼) 이 측정된다. 모든 수치들은 발광 밀도 1000 cd/㎡ 에서의 대응 값들에 관련된다. 표 2 는 실시예 1 내지 실시예 19 에 대해 획득된 데이터를 포함한다.
Figure 112013017853002-pct00064
Figure 112013017853002-pct00065
Figure 112013017853002-pct00066
Figure 112013017853002-pct00067
Figure 112013017853002-pct00068
Figure 112013017853002-pct00069
Figure 112013017853002-pct00070

Claims (15)

  1. 애노드;
    캐소드; 그리고
    적어도 하나의 인광 화합물 A 및 적어도 하나의 화합물 B 를 포함하는 적어도 하나의 방출층을 포함하는 유기 전계발광 디바이스로서,
    하기 관계 (1) 또는 하기 관계 (2) 가 상기 화합물들 A 및 B 에 적용되며:
    Figure 112018003238818-pct00071

    또는
    Figure 112018003238818-pct00072

    여기서 T1(A) 또는 T1(B) 는 각각 화합물 A 또는 B 의 최저 삼중항 에너지 (eV) 를 나타내고, T1(A) 는 용액에서의 광발광 스펙트럼으로부터 결정되며, T1(B) 는 "Gaussian03W" 소프트웨어 패키지 (Gaussian Inc.) 를 사용하는 양자 화학 계산에 의해 결정되고;
    여기서 HOMO(A) 또는 HOMO(B) 는 각각 화합물 A 또는 B 의 진공에 대한 HOMO (eV) 의 에너지 레벨을 나타내고, HOMO(A) 및 HOMO(B) 는 "Gaussian03W" 소프트웨어 패키지 (Gaussian Inc.) 를 사용하는 양자 화학 계산에 의해 결정되고;
    여기서 LUMO(A) 또는 LUMO(B) 는 각각 화합물 A 또는 B 의 진공에 대한 LUMO (eV) 의 에너지 레벨을 나타내고, LUMO(A) 및 LUMO(B) 는 "Gaussian03W" 소프트웨어 패키지 (Gaussian Inc.) 를 사용하는 양자 화학 계산에 의해 결정되고;
    하기 재료들은 화합물 B 로서 본 발명으로부터 제외되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 디바이스.
    Figure 112018003238818-pct00073
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 방출층이 상기 화합물들 A 및 B 만으로 이루어지거나, 또는 상기 방출층이 하나 이상의 추가적인 재료들 C 를 포함하고, 여기서 하기 사항이 이들 재료들 C 각각에 적용되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 디바이스.
    Figure 112013017853002-pct00074
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 화합물 B 및, 존재하는 경우의 화합물 C 는, 70℃ 초과의 유리 전이 온도 TG 를 갖는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 디바이스.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 방출층에서의 상기 인광 화합물 A 의 비율은 0.1 내지 50 체적% 인 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 디바이스.
  5. 제 1 항에 있어서,
    ΔE 는 1.90 eV 초과인 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 디바이스.
  6. 제 1 항에 있어서,
    T1(A) 는 2.3 eV 초과인 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 디바이스.
  7. 제 1 항에 있어서,
    제 1 항에 기재된 상기 관계 (1) 이 만족되는 경우, ｜HOMO(B)｜는 ｜HOMO(A)｜보다 적어도 0.05 eV 더 크며,
    제 1 항에 기재된 상기 관계 (2) 가 만족되는 경우, ｜LUMO(A)｜는 ｜LUMO(B)｜보다 적어도 0.05 eV 더 큰 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 디바이스.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 관계 (1) 이 만족되는 경우, 상기 화합물 B 는, 방향족 케톤들, 방향족 포스핀 산화물들, 방향족 술폭시드들, 방향족 술폰들, 트리아진 유도체들, 피리미딘 유도체들, 피리딘 유도체들, 아연 착물들, 알루미늄 착물들, 디아자포스폴들, 아자보롤들, 보로닉 에스테르들, 보란들 또는 트리페닐렌 유도체들로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 디바이스.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 방향족 케톤이 하기 식 (1a) 의 화합물이며 상기 방향족 포스핀 산화물이 하기 식 (1b) 의 화합물이며,
    Figure 112018003238818-pct00075

    여기서 하기 사항이 사용된 심볼들에 적용되며:
    Ar 은 각각의 존재시에, 동일하게 또는 상이하게, 각각의 경우에 하나 이상의 기들 R1 에 의해 치환될 수도 있는, 5 내지 60개의 방향족 고리 원자들을 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이며;
    R1 은 각각의 존재시에, 동일하게 또는 상이하게, H, D, F, Cl, Br, I, CHO, C(=O)Ar1, P(=O)(Ar1)2, S(=O)Ar1, S(=O)2Ar1, CR2=CR2Ar1, N(R2)2, N(Ar1)2, CN, NO2, Si(R2)3, B(OR2)2, B(R2)2, B(N(R2)2)2, OSO2R2, 각각이 하나 이상의 라디칼들 R2 에 의해 치환될 수도 있는, 1 내지 40개의 C 원자들을 갖는 직사슬형 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기 또는 2 내지 40개의 C 원자들을 갖는 직사슬형 알케닐 또는 알키닐기 또는 3 내지 40개의 C 원자들을 갖는 분지형 또는 고리형 알킬, 알케닐, 알키닐, 알콕시 또는 티오알콕시기 (여기서 하나 이상의 비인접 CH2 기들은 R2C=CR2, C≡C , Si(R2)2, C=O, C=S, C=NR2, P(=O)(R2), SO, SO2, NR2, O, S 또는 CONR2 에 의해 대체될 수도 있고 그리고 여기서 하나 이상의 H 원자들은 F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 에 의해 대체될 수도 있고), 또는 각각의 경우에 하나 이상의 라디칼들 R2 에 의해 치환될 수도 있는, 5 내지 60개의 방향족 고리 원자들을 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 또는 하나 이상의 라디칼들 R2 에 의해 치환될 수도 있는, 5 내지 60개의 방향족 고리 원자들을 갖는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시기, 또는 이들 시스템들의 조합이며; 여기서 2개 이상의 인접 치환기들 R1 은 또한 서로 모노시클릭 또는 폴리시클릭의, 지방족 또는 방향족 고리 시스템을 형성할 수도 있고;
    Ar1 은 각각의 존재시에, 동일하게 또는 상이하게, 하나 이상의 라디칼들 R2 에 의해 치환될 수도 있는, 5 내지 40개의 방향족 고리 원자들을 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고;
    R2 는 각각의 존재시에, 동일하게 또는 상이하게, H, D, CN, 또는 1 내지 20개의 C 원자들을 갖는 지방족, 방향족 또는 헤테로방향족 탄화수소 라디칼이고, 여기서 또한 H 원자들은 F 에 의해 대체될 수도 있고; 여기서 2개 이상의 인접 치환기들 R2 는 또한 서로 모노시클릭 또는 폴리시클릭의, 지방족 또는 방향족 고리 시스템을 형성할 수도 있고;
    상기 트리아진 유도체는 하기 식 (6) 또는 식 (7) 의 화합물이고,
    Figure 112018003238818-pct00076

    여기서 R1 은 상기에서 주어진 의미를 가지며, 하기 사항이 사용된 다른 심볼들에 적용되며:
    Ar2 는 각각의 존재시에 동일하게 또는 상이하게, 각각의 경우에 하나 이상의 라디칼들 R1 에 의해 치환될 수도 있는, 5 내지 60개의 방향족 고리 원자들을 갖는 1가의 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이며;
    Ar3 은, 하나 이상의 라디칼들 R1 에 의해 치환될 수도 있는, 5 내지 60개의 방향족 고리 원자들을 갖는 2가의 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이며;
    상기 피리미딘 유도체는 하기 식 (25), 식 (26) 또는 식 (27) 의 화합물이고,
    Figure 112018003238818-pct00077

    여기서 사용된 심볼들은 상기에서 주어진 의미를 가지는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 디바이스.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 관계 (2) 가 만족되는 경우, 상기 화합물 B 는, 카르바졸 유도체들, 트리아릴-아민 유도체들, 브리지된 (bridged) 카르바졸 유도체들, 인돌로카르바졸 유도체들, 인데노카르바졸 유도체들, 아자카르바졸 유도체들, 디벤조푸란 및 디벤조티오펜 유도체들 그리고 디아자실롤 또는 테트라아자실롤 유도체들로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 디바이스.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 트리아릴-아민 유도체들 및 카르바졸 유도체들은 하기 식 (28), 식 (29), 식 (30), 식 (31), 식 (32) 또는 식 (33) 의 화합물들이고,
    Figure 112018003238818-pct00078

    여기서 R1 은 제 9 항에서 주어진 의미를 가지며, 하기 사항이 사용된 다른 심볼들에 적용되며;
    Ar4 는 각각의 존재시에, 동일하게 또는 상이하게, 하나 이상의 라디칼들 R1 에 의해 치환될 수도 있는, 5 내지 60개의 방향족 고리 원자들을 갖는 2가, 3가 또는 4가의 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이며;
    Ar5 는 각각의 존재시에, 동일하게 또는 상이하게, 하나 이상의 라디칼들 R1 에 의해 치환될 수도 있는, 5 내지 60개의 방향족 고리 원자들을 갖는 1가의 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이며, 여기서 동일한 질소 원자에 결합된 2개의 기들 Ar5, 또는 동일한 질소 원자에 결합된 하나의 기 Ar4 와 하나의 기 Ar5 는, B(R1), C(R1)2, Si(R1)2, C=O, C=NR1, C=C(R1)2, O, S, S=O, SO2, N(R1), P(R1) 및 P(=O)R1 로 이루어진 그룹으로부터 선택된 브리지 (bridge) 또는 단일 결합에 의해 서로 링크될 수도 있는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 디바이스.
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 인광 화합물 A 는 식 (43), 식(44), 식(45) 또는 식 (46) 의 화합물이고,
    Figure 112018003238818-pct00079

    여기서 R1 은 제 9 항에서 정의된 바와 동일한 의미를 가지며, 하기 사항이 사용된 다른 심볼들에 적용되며:
    DCy 는 각각의 존재시에 동일하게 또는 상이하게, 질소, 카르벤 형태의 탄소, 또는 인에서 선택되는 적어도 하나의 도너 원자를 함유하는 고리형 기이고, 상기 도너 원자를 통해 상기 고리형 기가 금속에 결합되고, 상기 고리형 기는 차례로 하나 이상의 치환기들 R1 을 가질 수도 있고; 기들 DCy 와 CCy 는 공유 결합을 통해 서로 연결되고;
    CCy 는 각각의 존재시에 동일하게 또는 상이하게, 탄소 원자를 함유하는 고리형 기이고, 상기 탄소 원자를 통해 상기 고리형 기가 금속에 결합되고, 상기 고리형 기는 차례로 하나 이상의 치환기들 R1 을 가질 수도 있고;
    A 는 각각의 존재시에 동일하게 또는 상이하게, 단일 음이온의, 두자리 킬레이트 리간드이고;
    또는 상기 인광 화합물 A 는 식 (48) 또는 식 (49) 의 모이어티 M(L)p 를 함유하는, 식 (47) 의 화합물이고,
    M(L)p(L')q 식 (47)
    Figure 112018003238818-pct00080

    여기서 하기 사항이 사용된 심볼들 및 인덱스들에 적용되며:
    M 은 금속이고;
    Y 는 각각의 존재시에, 동일하게 또는 상이하게, C 및 N 으로 이루어진 그룹으로부터 선택되고; 여기서 모든 Y 는 함께 14 π 전자 시스템을 나타내고;
    R3 은 각각의 존재시에, 동일하게 또는 상이하게, H, D, F, Cl, Br, I, N(R4)2, CN, NO2, Si(R4)3, B(OR4)2, C(=O)R4, P(=O)(R4)2, S(=O)R4, S(=O)2R4, OSO2R4, 1 내지 40개의 C 원자들을 갖는 직사슬형 알킬, 알콕시, 티오알콕시기 또는 이민기 또는 2 내지 40개의 C 원자들을 갖는 알케닐 또는 알키닐기 또는 3 내지 40개의 C 원자들을 갖는 분지형 또는 고리형 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기 (여기서 상기 언급된 알킬, 알콕시, 티오알콕시, 이민, 알케닐 또는 알키닐기는 각각 하나 이상의 라디칼들 R4 에 의해 치환될 수도 있고) (여기서 하나 이상의 비인접 CH2 기들은 R4C=CR4, C≡C , Si(R4)2, C=O, C=S, C=NR4, P(=O)(R4), SO, SO2, NR4, O, S 또는 CONR4 에 의해 대체될 수도 있고 그리고 여기서 하나 이상의 H 원자들은 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 에 의해 대체될 수도 있고), 또는 각각의 경우에 하나 이상의 라디칼들 R4 에 의해 치환될 수도 있는, 5 내지 60개의 방향족 고리 원자들을 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 또는 하나 이상의 라디칼들 R4 에 의해 치환될 수도 있는, 5 내지 60개의 방향족 고리 원자들을 갖는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시기, 또는 하나 이상의 라디칼들 R4 에 의해 치환될 수도 있는, 5 내지 60개의 방향족 고리 원자들을 갖는 아랄킬 또는 헤테로아랄킬기, 또는 하나 이상의 라디칼들 R4 에 의해 치환될 수도 있는, 10 내지 40개의 방향족 고리 원자들을 갖는 디아릴아미노기, 디헤테로아릴아미노기 또는 아릴헤테로아릴아미노기이고; 여기서 2개 이상의 인접 라디칼들 R3 은 또한 서로 모노시클릭 또는 폴리시클릭의, 지방족, 방향족 및/또는 벤조융합된 (benzo-fused) 고리 시스템을 형성할 수도 있고;
    다만, 이 라디칼 R3 이 결합되는 기 Y 가 포화 원자가를 갖는 질소 원자인 경우에 R3 은 자유 전자쌍을 나타내고;
    R4 는 각각의 존재시에, 동일하게 또는 상이하게, H, D, F, Cl, Br, I, N(R2)2, CN, NO2, Si(R2)3, B(OR2)2, C(=O)R2, P(=O)(R2)2, S(=O)R2, S(=O)2R2, OSO2R2, 각각이 하나 이상의 라디칼들 R2 에 의해 치환될 수도 있는, 1 내지 40개의 C 원자들을 갖는 직사슬형 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기 또는 2 내지 40개의 C 원자들을 갖는 알케닐 또는 알키닐기 또는 3 내지 40개의 C 원자들을 갖는 분지형 또는 고리형 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기 (여기서 하나 이상의 비인접 CH2 기들은 R2C=CR2, C≡C , Si(R2)2, C=O, C=S, C=NR2, P(=O)(R2), SO, SO2, NR2, O, S 또는 CONR2 에 의해 대체될 수도 있고 그리고 여기서 하나 이상의 H 원자들은 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 에 의해 대체될 수도 있고), 또는 각각의 경우에 하나 이상의 라디칼들 R2 에 의해 치환될 수도 있는, 5 내지 60개의 방향족 고리 원자들을 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 또는 하나 이상의 라디칼들 R2 에 의해 치환될 수도 있는, 5 내지 60개의 방향족 고리 원자들을 갖는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시기, 또는 하나 이상의 라디칼들 R2 에 의해 치환될 수도 있는, 5 내지 60개의 방향족 고리 원자들을 갖는 아랄킬 또는 헤테로아랄킬기, 또는 하나 이상의 라디칼들 R2 에 의해 치환될 수도 있는, 10 내지 40개의 방향족 고리 원자들을 갖는 디아릴아미노기, 디헤테로아릴아미노기 또는 아릴헤테로아릴아미노기이고; 여기서 2개 이상의 인접 라디칼들 R4 는 서로 모노시클릭 또는 폴리시클릭의, 지방족 또는 방향족 고리 시스템을 형성할 수도 있고; 여기서 R2 는 상기에서 주어진 의미를 가지며;
    L' 는 각각의 존재시에 동일하게 또는 상이하게, 코리간드 (co-ligand) 이고;
    p 는 1, 2 또는 3 이고;
    q 는 0, 1, 2, 3 또는 4 이고;
    여기서 복수의 리간드들 L 이 또한 서로 링크될 수도 있고, 또는 L 이 임의의 브리지 V 를 통해 L' 에 링크되어서 세자리, 네자리, 다섯자리 또는 여섯자리의 리간드 시스템을 형성할 수도 있는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 디바이스.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 유기 전계발광 디바이스가 백색 광을 방출하는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 디바이스.
  14. 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 기재된 유기 전계발광 디바이스의 제조 방법으로서,
    적어도 하나의 층이 승화 방법을 이용하여 공급되고 및/또는
    적어도 하나의 층이 OVPD 방법을 이용하여 공급되고 및/또는
    적어도 하나의 층이 용액으로부터 또는 프린팅 프로세스에 의해 공급되는 것을 특징으로 하는 유기 전계발광 디바이스의 제조 방법.
  15. 적어도 하나의 인광 화합물 A 및 적어도 하나의 화합물 B 를 포함하는 제제 (formulation) 로서,
    제 1 항에 기재된 관계들이 화합물들 A 및 B 에 적용되는 것을 특징으로 하는 제제.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10658594B2 (en) 2017-12-06 2020-05-19 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device and novel compound

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101978165B1 (ko) 2011-03-14 2019-05-14 도레이 카부시키가이샤 발광 소자 재료 및 발광 소자
US9391288B2 (en) 2011-05-12 2016-07-12 Toray Industries, Inc. Light emitting device material and light emitting device
US9118022B2 (en) * 2011-06-03 2015-08-25 Merck Patent Gmbh Organic electroluminescent device
KR101887003B1 (ko) * 2011-07-21 2018-08-13 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 채용하고 있는 유기 전계 발광 소자
KR101380335B1 (ko) * 2011-10-10 2014-04-10 삼성디스플레이 주식회사 헤테로시클릭 화합물, 이를 포함하는 유기 발광 소자 및 평판 표시 장치
KR101402526B1 (ko) 2011-12-26 2014-06-09 삼성디스플레이 주식회사 수명이 향상된 유기발광소자 및 그 제조방법
JP6009817B2 (ja) * 2012-05-22 2016-10-19 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 電荷輸送材料、有機電界発光素子、発光装置、表示装置および照明装置
US8921549B2 (en) * 2012-06-01 2014-12-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organometallic complex, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
KR102095764B1 (ko) 2012-07-25 2020-04-02 도레이 카부시키가이샤 발광 소자 재료 및 발광 소자
JP2014045101A (ja) * 2012-08-28 2014-03-13 Konica Minolta Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置および表示装置
KR20200133011A (ko) 2013-04-08 2020-11-25 메르크 파텐트 게엠베하 열 활성화 지연 형광 재료를 갖는 유기 전계발광 디바이스
JP2016179943A (ja) 2013-07-11 2016-10-13 出光興産株式会社 化合物、及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
EP2860782B1 (en) * 2013-10-09 2019-04-17 Novaled GmbH Semiconducting material comprising a phosphine oxide matrix and metal salt
KR102273047B1 (ko) * 2014-06-30 2021-07-06 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR102244081B1 (ko) 2014-08-13 2021-04-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
JP2016056169A (ja) * 2014-09-05 2016-04-21 株式会社半導体エネルギー研究所 有機化合物、発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置
CN115838341A (zh) * 2014-12-12 2023-03-24 默克专利有限公司 具有可溶性基团的有机化合物
WO2016116530A1 (de) * 2015-01-20 2016-07-28 Cynora Gmbh Zusammensetzungen, insbesondere zur verwendung in optoelektronischen bauelementen
EP3254317B1 (de) * 2015-02-03 2019-07-31 Merck Patent GmbH Metallkomplexe
KR102399570B1 (ko) 2015-11-26 2022-05-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
US11910707B2 (en) 2015-12-23 2024-02-20 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting device
US10096658B2 (en) * 2016-04-22 2018-10-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device
KR20170127101A (ko) * 2016-05-10 2017-11-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
EP3541890B1 (en) * 2016-11-17 2020-10-28 Merck Patent GmbH Materials for organic electroluminescent devices

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007302630A (ja) * 2006-05-12 2007-11-22 Chemiprokasei Kaisha Ltd ジ−、トリ−またはテトラ−フェニルシラン骨格を有するフルオレン化合物、それを用いた発光層ホスト材料、ホールブロック材料および有機ｅｌ素子
WO2010069442A1 (de) * 2008-12-17 2010-06-24 Merck Patent Gmbh Organische elektrolumineszenzvorrichtung
JP2017007559A (ja) * 2015-06-24 2017-01-12 トヨタ自動車株式会社 ハイブリッド自動車

Family Cites Families (78)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4539507A (en) 1983-03-25 1985-09-03 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent devices having improved power conversion efficiencies
US5151629A (en) 1991-08-01 1992-09-29 Eastman Kodak Company Blue emitting internal junction organic electroluminescent device (I)
EP0676461B1 (de) 1994-04-07 2002-08-14 Covion Organic Semiconductors GmbH Spiroverbindungen und ihre Verwendung als Elektrolumineszenzmaterialien
DE19652261A1 (de) 1996-12-16 1998-06-18 Hoechst Ag Arylsubstituierte Poly(p-arylenvinylene), Verfahren zur Herstellung und deren Verwendung in Elektroluminszenzbauelementen
US6310360B1 (en) * 1999-07-21 2001-10-30 The Trustees Of Princeton University Intersystem crossing agents for efficient utilization of excitons in organic light emitting devices
KR100937470B1 (ko) 1999-12-01 2010-01-19 더 트러스티즈 오브 프린스턴 유니버시티 유기 ｌｅｄ용 인광성 도펀트로서 ｌ2ｍｘ 형태의 화합물
TW532048B (en) 2000-03-27 2003-05-11 Idemitsu Kosan Co Organic electroluminescence element
US20020121638A1 (en) 2000-06-30 2002-09-05 Vladimir Grushin Electroluminescent iridium compounds with fluorinated phenylpyridines, phenylpyrimidines, and phenylquinolines and devices made with such compounds
CN102041001B (zh) 2000-08-11 2014-10-22 普林斯顿大学理事会 有机金属化合物和发射转换有机电致磷光
JP4154138B2 (ja) 2000-09-26 2008-09-24 キヤノン株式会社 発光素子、表示装置及び金属配位化合物
JP4154139B2 (ja) 2000-09-26 2008-09-24 キヤノン株式会社 発光素子
JP4154140B2 (ja) 2000-09-26 2008-09-24 キヤノン株式会社 金属配位化合物
EP1217668A1 (de) 2000-12-22 2002-06-26 Covion Organic Semiconductors GmbH Verwendung von Bor- und Aluminium-Verbindungen in Elektronik-Bauteilen
US6863997B2 (en) 2001-12-28 2005-03-08 The Trustees Of Princeton University White light emitting OLEDs from combined monomer and aggregate emission
JP3933591B2 (ja) * 2002-03-26 2007-06-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
CN1656628A (zh) * 2002-05-31 2005-08-17 皇家飞利浦电子股份有限公司 电致发光器件
EP1578885A2 (de) 2002-12-23 2005-09-28 Covion Organic Semiconductors GmbH Organisches elektrolumineszenzelement
DE10310887A1 (de) 2003-03-11 2004-09-30 Covion Organic Semiconductors Gmbh Matallkomplexe
JP4411851B2 (ja) 2003-03-19 2010-02-10 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US7345301B2 (en) 2003-04-15 2008-03-18 Merck Patent Gmbh Mixtures of matrix materials and organic semiconductors capable of emission, use of the same and electronic components containing said mixtures
US7326475B2 (en) 2003-04-23 2008-02-05 Konica Minolta Holdings, Inc. Material for organic electroluminescent device, organic electroluminescent device, illuminating device and display
JP2005005149A (ja) * 2003-06-12 2005-01-06 Tohoku Pioneer Corp 有機ｅｌ素子及びその製造方法
US8592614B2 (en) 2003-07-07 2013-11-26 Merck Patent Gmbh Mixtures of organic emissive semiconductors and matrix materials, their use and electronic components comprising said materials
DE10333232A1 (de) 2003-07-21 2007-10-11 Merck Patent Gmbh Organisches Elektrolumineszenzelement
DE10343910A1 (de) 2003-09-19 2005-05-12 Covion Organic Semiconductors Organisches Elektrolumineszenzelement
ATE426922T1 (de) 2003-09-19 2009-04-15 Merck Patent Gmbh Organisches elektrolumineszenzelement
DE10345572A1 (de) 2003-09-29 2005-05-19 Covion Organic Semiconductors Gmbh Metallkomplexe
US7795801B2 (en) 2003-09-30 2010-09-14 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent element, illuminator, display and compound
DE10350722A1 (de) 2003-10-30 2005-05-25 Covion Organic Semiconductors Gmbh Metallkomplexe
KR100773523B1 (ko) * 2003-11-06 2007-11-07 삼성에스디아이 주식회사 유기 금속 착물 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자
US7880379B2 (en) 2003-11-25 2011-02-01 Merck Patent Gmbh Phosphorescent organic electroluminescent device having no hole transporting layer
US7267892B2 (en) * 2004-02-25 2007-09-11 Eastman Kodak Company Electroluminescent devices having pendant naphthylanthracene-based polymers
US7790890B2 (en) 2004-03-31 2010-09-07 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescence element material, organic electroluminescence element, display device and illumination device
ATE473230T1 (de) 2004-05-19 2010-07-15 Merck Patent Gmbh Metallkomplexe
JP4862248B2 (ja) 2004-06-04 2012-01-25 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置
US20060008671A1 (en) * 2004-07-07 2006-01-12 Raymond Kwong Electroluminescent efficiency
DE102004034517A1 (de) 2004-07-16 2006-02-16 Covion Organic Semiconductors Gmbh Metallkomplexe
EP2271183B1 (en) * 2004-07-23 2015-03-18 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent element, display and illuminator
US9040170B2 (en) * 2004-09-20 2015-05-26 Global Oled Technology Llc Electroluminescent device with quinazoline complex emitter
KR100668305B1 (ko) * 2004-10-01 2007-01-12 삼성에스디아이 주식회사 시클로메탈화 전이금속 착물 및 이를 이용한 유기 전계발광 소자
JP4999322B2 (ja) 2004-11-30 2012-08-15 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、及び該発光素子を有する発光装置
TW200634020A (en) 2004-12-09 2006-10-01 Merck Patent Gmbh Metal complexes
JP4496948B2 (ja) 2004-12-13 2010-07-07 株式会社豊田自動織機 有機ｅｌ素子
GB2436996B8 (en) * 2004-12-29 2013-12-11 Cambridge Display Tech Ltd Rigid amines
KR20070100965A (ko) 2005-02-03 2007-10-15 메르크 파텐트 게엠베하 금속 착물
US7683536B2 (en) * 2005-03-31 2010-03-23 The Trustees Of Princeton University OLEDs utilizing direct injection to the triplet state
JPWO2006112265A1 (ja) * 2005-04-14 2008-12-11 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
KR100611885B1 (ko) * 2005-04-21 2006-08-11 삼성에스디아이 주식회사 호스트용 화합물과 도판트용 화합물이 연결된 유기 금속화합물, 이를 이용한 유기 전계 발광 소자 및 그의제조방법
CN103204996B (zh) 2005-05-03 2015-12-09 默克专利有限公司 有机电致发光器件
US20070252516A1 (en) 2006-04-27 2007-11-01 Eastman Kodak Company Electroluminescent devices including organic EIL layer
CN101321755B (zh) 2005-12-01 2012-04-18 新日铁化学株式会社 有机电致发光元件用化合物及有机电致发光元件
KR20160030330A (ko) 2006-02-10 2016-03-16 유니버셜 디스플레이 코포레이션 시클로금속화 이미다조[1,2-ｆ]페난트리딘 및 디이미다조[1,2-ａ:1'',2''-ｃ]퀴나졸린 리간드, 및 이의 등전자성 및 벤즈고리화된 유사체의 금속 착체
US8273467B2 (en) * 2006-02-28 2012-09-25 Fujifilm Corporation Organic electroluminescent device
US20070207345A1 (en) * 2006-03-01 2007-09-06 Eastman Kodak Company Electroluminescent device including gallium complexes
US20090091253A1 (en) 2006-03-17 2009-04-09 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent element, display device and lighting device
JP5683784B2 (ja) * 2006-03-23 2015-03-11 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
US7733009B2 (en) * 2006-04-27 2010-06-08 Global Oled Technology Llc Electroluminescent device including an anthracene derivative
GB0617167D0 (en) 2006-08-31 2006-10-11 Cdt Oxford Ltd Compounds for use in opto-electrical devices
US8062769B2 (en) 2006-11-09 2011-11-22 Nippon Steel Chemical Co., Ltd. Indolocarbazole compound for use in organic electroluminescent device and organic electroluminescent device
DE102007002714A1 (de) 2007-01-18 2008-07-31 Merck Patent Gmbh Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
WO2009008277A1 (ja) * 2007-07-11 2009-01-15 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料及び有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5255794B2 (ja) 2007-07-27 2013-08-07 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 有機電界発光素子
JP5130001B2 (ja) 2007-07-27 2013-01-30 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子
DE102007053771A1 (de) 2007-11-12 2009-05-14 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
JP4798128B2 (ja) 2007-12-21 2011-10-19 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置
DE102008015526B4 (de) 2008-03-25 2021-11-11 Merck Patent Gmbh Metallkomplexe
CN102056911B (zh) 2008-06-05 2015-07-22 出光兴产株式会社 卤素化合物、多环系化合物及使用其的有机电致发光元件
DE102008027005A1 (de) 2008-06-05 2009-12-10 Merck Patent Gmbh Organische elektronische Vorrichtung enthaltend Metallkomplexe
DE102008033943A1 (de) 2008-07-18 2010-01-21 Merck Patent Gmbh Neue Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
DE102008036982A1 (de) 2008-08-08 2010-02-11 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtung
JP5701766B2 (ja) 2008-11-11 2015-04-15 メルク パテント ゲーエムベーハー 有機エレクトロルミネセント素子
DE102008056688A1 (de) 2008-11-11 2010-05-12 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
US9461253B2 (en) * 2008-12-10 2016-10-04 Udc Ireland Limited Organic electroluminescence device and luminescence apparatus
DE102009007038A1 (de) 2009-02-02 2010-08-05 Merck Patent Gmbh Metallkomplexe
DE102009023154A1 (de) 2009-05-29 2011-06-16 Merck Patent Gmbh Zusammensetzung, enthaltend mindestens eine Emitterverbindung und mindestens ein Polymer mit konjugationsunterbrechenden Einheiten
DE102009023155A1 (de) 2009-05-29 2010-12-02 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
DE102009023156A1 (de) 2009-05-29 2010-12-02 Merck Patent Gmbh Polymere, die substituierte Indenofluorenderivate als Struktureinheit enthalten, Verfahren zu deren Herstellung sowie deren Verwendung
DE102010005697A1 (de) 2010-01-25 2011-07-28 Merck Patent GmbH, 64293 Verbindungen für elektronische Vorrichtungen

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007302630A (ja) * 2006-05-12 2007-11-22 Chemiprokasei Kaisha Ltd ジ−、トリ−またはテトラ−フェニルシラン骨格を有するフルオレン化合物、それを用いた発光層ホスト材料、ホールブロック材料および有機ｅｌ素子
WO2010069442A1 (de) * 2008-12-17 2010-06-24 Merck Patent Gmbh Organische elektrolumineszenzvorrichtung
JP2017007559A (ja) * 2015-06-24 2017-01-12 トヨタ自動車株式会社 ハイブリッド自動車

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10658594B2 (en) 2017-12-06 2020-05-19 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device and novel compound
US10672989B2 (en) 2017-12-06 2020-06-02 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device and novel compound

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