KR101276946B1 - 기판처리장치 - Google Patents

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KR101276946B1
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츠요시 미츠하시
요시테루 후쿠토미
켄야 모리니시
야스오 카와마츠
히로미치 나가시마
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가부시키가이샤 소쿠도
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Abstract

기판(Ｗ)에 처리를 행하는 기판처리장치에서, 기판을 거의 수평방향으로 반송하면서 기판에 복수 종류의 처리를 행하는 것이 가능한 기판처리열을 상하방향으로 복수 설치함과 아울러, 기판에 행하는 처리 공정을 기판처리열마다 변경하는 제어부를 구비하고 있다. 기판에 행하는 처리 공정을 기판처리열마다 변경함으로써, 기판에 행하는 처리 공정을 기판마다 적합하게 변경할 수 있다. 따라서, 기판마다, 기판처리열 수(數)에 상당하는 복수의 다른 공정 처리를 병행하여 진행시킬 수 있다.

Description

기판처리장치{A SUBSTRATE TREATING APPARATUS}
본 발명은, 반도체기판, 액정표시장치용 글라스기판, 포토마스크용 글라스기판, 광디스크용 기판 등(이하, 단지 「기판」이라 한다)에 대해 일련의 처리를 행하는 기판처리장치에 관한 것이다.
종래, 이 종류의 장치로서, 기판에 레지스트막을 형성함과 아울러, 별체(別體)의 노광기에서 노광된 기판을 현상하는 기판처리장치가 있다. 이 장치는, 레지스트막 형성처리를 행하는 도포처리블록과 현상처리를 행하는 현상처리블록 등이 나란히 구성되어 있는 처리부를 구비하고 있다. 각(各) 처리블록은, 단일 주(主)반송기구와, 각종 처리유닛을 구비하고 있다. 각 처리블록의 주반송기구는 그 처리블록에 설치되는 처리유닛에 기판을 반송하면서, 인접하는 다른 처리블록의 주반송기구와의 사이에서 기판의 주고받기를 행한다. 이에 의해, 복수의 기판은 각종 처리유닛에 순차 반송되어, 일련의 처리를 기판에 행한다. 일련의 처리로서는, 기판에 레지스트막을 형성하기 위한, 및, 기판을 현상하기 위한 공정이 예시된다. 이 공정은, 종류가 다른 복수의 처리를 포함함과 아울러, 외부의 노광기에서 노광하는 처리를 포함한다. 각(各) 주반송기구는 복수의 기판을 병행해서 반송하여, 각(各) 기판에 행하는 처리 공정을 순차 진행시킨다(예를 들면, 일본국 특허공개 2003-324139호 공보에 개시된다).
그렇지만, 이와 같은 구성을 가지는 종래예의 경우에는, 다음과 같은 문제가 있다.
예를 들면, 일부 처리유닛에서 시운전을 행하면서, 그 외 처리유닛에서는 기판에 일련의 처리를 행하도록 장치를 가동하고 싶은 경우가 있다. 혹은, 일부 기판에 대해서는 레지스트막을 형성하기 위한, 및, 기판을 현상하기 위한 공정을 행하면서, 다른 기판에 대해서는 레지스트막을 형성하기 위한 공정을 행하도록 가동하고 싶은 경우가 있다. 여기서, 「공정(工程)」은, 종류가 다른 복수의 처리로 구성되어도 좋고, 단일 처리로 구성되어도 좋다.
그렇지만, 기판 사이에서 공정이 다르면, 각종 처리유닛에 대한 기판반송 경로가 변한다. 이 때문에, 주반송기구는 기판을 효율적으로 반송할 수 없다. 따라서, 종래 장치에서는, 기판에 행하는 처리 공정을 기판마다 변경하는 것이 곤란하다. 바꿔 말하면, 종래 장치에서는, 복수의 공정을 병행해서 진행시키는 것은 곤란하다.
본 발명은, 이와 같은 사정을 감안하여 이루어진 것으로서, 기판에 행하는 처리 공정을 기판마다 변경해서, 둘 이상의 다른 공정 처리를 병행해서 진행시킬 수 있는 기판처리장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 이와 같은 목적을 달성하기 위해, 다음과 같은 구성을 채용한다.
즉, 본 발명은, 기판에 처리를 행하는 기판처리장치로서, 상기 장치는,
기판을 거의 수평방향으로 반송하면서 기판에 복수 종류의 처리를 행하는 것이 가능한 복수의 기판처리열(基板處理列);
기판에 행하는 처리 공정을 기판처리열마다 변경하는 제어부; 를 포함한다.
본 발명에 의하면, 복수의 기판처리열과 제어부를 구비해서, 기판에 행하는 처리 공정을 기판처리열마다 변경할 수 있다. 따라서, 반송하는 기판처리열에 대응해서, 기판에 행하는 처리 공정을 기판마다 적합하게 변경할 수 있다. 따라서, 기판처리열 수(數)에 상당하는 종류의 공정을 기판에 대해 병행해서 진행시킬 수 있다.
상술한 발명에서, 상기 복수의 기판처리열은 상하방향으로 나란히 설치되어 있는 것이 바람직하다. 복수의 기판처리열이 상하방향으로 겹치도록 배치되어 있음으로써, 풋 프린트가 증대하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 상술한 발명에서, 상기 제어부는, 각 기판처리열에서의 공정을 각 기판처리열 사이에서 다르게 하는 것이 가능하고, 또, 각 기판처리열에서의 공정을 모든 기판처리열에서 동일하게 하는 것이 가능한 것이 바람직하다. 기판에 행하는 처리 공정을 각 기판처리열 사이에서 동일하게 함으로써, 동일한 공정으로 처리를 행한 기판을, 모든 기판처리열로부터 얻을 수 있다. 또한, 기판에 행하는 처리 공정을 기판처리열 사이에서 다르게 함으로써, 다른 공정으로 처리를 행한 각종 기판을 각 기판처리열로부터 얻을 수 있다.
또한, 상술한 발명에서, 상기 제어부는, 모든 기판처리열에서의 공정을, 기판에 레지스트막을 형성하기 위한, 및, 기판을 현상하기 위한 공정으로 하는 것이 가능한 것이 바람직하다. 각 기판처리열에서 기판에 레지스트막을 형성하고, 기판을 현상하는 일련의 처리를 적합하게 행할 수 있다. 따라서, 모든 기판처리열로부터 레지스트막을 형성하고, 현상한 기판을 얻을 수 있다.
또한, 상술한 발명에서, 상기 제어부는, 일부 기판처리열에서는 통상운전시(通常運轉時)에서의 공정으로 기판에 처리를 행하면서, 다른 기판처리열에서는 시운전시(試運轉時)에서의 공정으로 기판에 처리를 행하는 것이 바람직하다. 통상운전시에서의 공정으로 기판에 처리를 행하는 통상운전과, 시운전시에서의 공정으로 기판에 처리를 행하는 시운전을 기판처리열마다 병행해서 행할 수 있다. 이에 의해, 시운전을 행하는 경우이어도, 본 장치의 가동율이 저하하는 것을 억제할 수 있다.
또한, 상술한 발명에서, 상기 제어부는, 일부 기판처리열에서의 공정을 기판에 레지스트막을 형성하기 위한, 및, 기판을 현상하기 위한 공정의 전부로 하면서, 다른 기판처리열에서의 공정을 기판에 레지스트막을 형성하기 위한, 및, 기판을 현상하기 위한 공정의 일부로 하는 것이 가능한 것이 바람직하다. 일부 기판처리열로부터 레지스트막을 형성하고, 현상한 기판을 얻을 수 있으며, 다른 기판처리열로부터 레지스트막을 형성하고, 현상하는 일련의 처리의 일부를 행한 기판을 얻을 수 있다.
또한, 상술한 발명에서, 상기 다른 기판처리열에서의 공정은, 기판에 레지스트막을 형성하기 위한 공정, 또는, 기판을 현상하기 위한 공정 중 어느 한쪽인 것이 바람직하다. 다른 기판처리열로부터 레지스트막을 형성한 기판, 또는, 현상한 기판을 얻을 수 있다.
또한, 상술한 발명에서, 상기 제어부는, 일부 기판처리열에서는 종류가 다른 복수의 처리로 이루어지는 공정으로 하면서, 다른 기판처리열에서는 단일 처리로 이루어지는 공정으로 하는 것이 가능한 것이 바람직하다. 일부 기판처리열로부터 복수 종류의 처리를 행한 기판을 얻을 수 있고, 다른 기판처리열로부터 단일 처리를 행한 기판을 얻을 수 있다.
또한, 상술한 발명에서, 상기 단일 처리로 이루어지는 공정은, 기판에 레지스트막 재료를 도포하는 레지스트막 재료 도포처리, 기판에 현상액을 공급하는 현상처리, 및, 기판을 가열 또는 냉각하는 열처리 중 어느 하나의 처리로 이루어지는 공정인 것이 바람직하다. 다른 기판처리열로부터, 레지스트막 재료 도포처리, 현상처리, 혹은, 열처리만을 행한 기판을 얻을 수 있다.
또한, 상술한 발명에서, 상기 제어부는, 일부 기판처리열에서는, 종류가 다른 복수의 처리로 이루어지는 제1공정으로 하면서, 다른 기판처리열에서는 종류가 다른 복수의 처리로 이루어지고, 또, 제1공정과 다른 제2공정으로 하는 것이 가능한 것이 바람직하다. 일부 기판처리열, 및, 다른 기판처리열에서, 서로 다른 복수 종류의 처리를 기판에 행할 수 있다.
또한, 상술한 발명에서, 상기 제1공정 및 상기 제2공정 중 적어도 한쪽은, 기판에 레지스트막 재료를 도포하는 레지스트막 재료 도포처리, 기판에 현상액을 공급하는 현상처리, 및, 기판을 가열 또는 냉각하는 열처리 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것이 바람직하다. 적어도 어느 하나의 기판처리열에서, 레지스트막 재료 도포처리에 관련되는 공정, 현상처리에 관련되는 공정, 혹은, 열처리에 관련되는 공정을 행할 수 있다.
또한, 본 발명은, 기판에 처리를 행하는 기판처리장치로서, 상기 장치는,
상하방향의 계층(階層)마다 설치되어, 기판에 처리를 행하는 처리유닛과, 각(各) 계층에 설치되어, 해당 계층의 처리유닛에 대해 기판을 반송하는 주반송기구를 가지며, 횡방향으로 나란히 되는 복수의 처리블록으로서, 인접하는 해당 처리블록의 동일한 계층의 주반송기구끼리 기판을 주고 받아서, 각 계층에서 기판에 일련의 처리를 행할 수 있는 복수의 처리블록:
각 주반송기구를 제어해서, 각 계층의 처리유닛에 대한 기판의 반송경로를 계층마다 변경하는 제어부: 를 포함한다.
본 발명에 의하면, 복수의 계층이 설치된 복수의 처리블록과, 기판의 반송경로를 계층마다 변경하는 제어부를 구비해서, 기판에 행하는 처리를 계층마다 변경할 수 있다. 따라서, 처리블록의 계층 수에 상당하는 종류의 처리를 병행해서 진행시킬 수 있다.
또한, 상술한 발명에서, 상기 제어부는, 각 계층에서 각각, 일련의 처리의 전부 또는 일련의 처리의 일부를 기판에 행하는 것이 가능한 것이 바람직하다. 각 계층에서 각각 일련의 처리의 전부를 기판에 행할 수 있다. 또한, 각 계층에서 각각 일련의 처리의 일부를 기판에 행할 수 있다. 제어부는, 각 계층의 처리를 계층 사이에서 서로 독립해서 제어한다. 이에 의해, 각 계층에서는 각각 기판에 소망의 처리를 행할 수 있다.
또한, 상술한 발명에서, 상기 제어부는, 시운전을 행하는 처리유닛이 있는 계층에서는, 해당 시운전을 행하는 처리유닛에만 기판을 반송시키는 것이 바람직하다. 해당 시운전을 행하는 처리유닛에만 기판을 반송시킴으로써, 해당 처리유닛이 기판에 행하는 처리 품질을 적합하게 시험, 검증, 확인할 수 있다.
또한, 상술한 발명에서, 기판의 반송경로를 각 계층마다 설정하기 위한 정보를 입력하는 입력부를 구비하고, 상기 제어부는 상기 입력부에 입력된 정보에 의거해서, 각 계층의 반송경로를 변경하는 것이 바람직하다. 입력부를 구비함으로써, 제어부는 계층마다 처리유닛에 대한 기판의 반송경로를 변경한다. 이에 의해, 각 계층에서 기판에 행하는 처리 내용을 간이하게 변경할 수 있다.
또한, 상술한 발명에서, 상기 입력부에 입력되는 정보는, 각 계층에서 기판에 행하는 처리 종류와 그 순번에 관한 정보인 것이 바람직하다. 각 계층에서 기판에 행하는 처리 종류와 그 순번에 관한 정보에 의하면, 제어부는, 계층마다 처리유닛에 대한 기판반송 경로를 정확하게 변경할 수 있다.
또한, 상술한 발명에서, 상기 입력부에 입력되는 정보는, 시운전을 행하는 처리유닛을 특정하는 정보인 것이 바람직하다. 시운전을 행하는 처리유닛을 특정하는 정보에 의하면, 제어부는, 해당 처리유닛이 설치되는 계층의 반송경로를 적합하게 변경할 수 있다. 예를 들면, 제어부는, 해당 처리유닛에만 기판을 반송시키는 것이 바람직하다. 해당 처리유닛의 시운전을 행할 수 있기 때문이다.
또한, 상술한 발명에서, 상기 처리블록은, 도포처리블록과 현상처리블록을 포함하며, 상기 도포처리블록은, 상기 처리유닛으로서 기판에 처리액을 도포하는 도포처리유닛을 구비하고, 상기 현상처리블록은, 상기 처리유닛으로서 기판에 현상액을 공급하는 현상처리유닛을 구비하고 있는 것이 바람직하다. 처리부의 각 계층에서, 기판에 처리액을 도포하는 도포처리와, 기판에 현상액을 공급하는 현상처리를 행할 수 있다.
또한, 상술한 발명에서, 상기 제어부는, 상기 도포처리블록의 모든 계층에서 반입된 기판을 상기 도포처리유닛에서 처리시키고 나서 해당 도포처리블록의 외부로 꺼내는 것이 가능하며, 또, 상기 도포처리블록의 일부 계층에서는 반입된 기판을 상기 도포처리유닛에서 처리시키고 나서 해당 도포처리블록의 외부로 꺼내면서, 상기 도포처리블록의 다른 계층에서는 반입된 기판을 상기 도포처리유닛에 반송시키지 않고 해당 도포처리블록의 외부로 꺼내는 것이 가능한 것이 바람직하다. 도포처리블록의 모든 계층에서, 도포처리를 행할 수 있다. 또한, 도포처리블록의 일부 계층에서 도포처리를 행하면서, 도포처리블록의 다른 계층에서 도포처리를 행하지 않도록 할 수 있다.
또한, 상술한 발명에서, 상기 제어부는, 상기 현상처리블록의 모든 계층에서 반입된 기판을 상기 현상처리유닛에서 처리시키고 나서 해당 현상처리블록의 외부로 꺼내는 것이 가능하고, 또, 상기 현상처리블록의 일부 계층에서는 반입된 기판을 상기 현상처리유닛에서 처리시키고 나서 해당 현상처리블록의 외부로 꺼내면서, 상기 현상처리블록의 다른 계층에서는 반입된 기판을 상기 현상처리유닛에 반송시키지 않고 해당 현상처리블록의 외부로 꺼내는 것이 가능한 것이 바람직하다. 현상처리블록의 모든 계층에서, 기판에 현상처리를 행할 수 있다. 또한, 현상처리블록의 일부 계층에서 기판에 현상처리를 행하고, 현상처리블록의 다른 계층에서 현상처리를 행하지 않도록 할 수 있다.
한편, 본 명세서는 다음과 같은 기판처리장치에 관한 발명도 개시하고 있다.
(1) 제1항에 기재된 장치에서, 각 기판처리열은 각각, 복수의 처리유닛과, 이들 처리유닛에 기판을 반송하는 주반송기구를 구비하고 있다. 기판처리열마다 별개의 처리유닛 및 주반송기구가 설치되어 있으므로, 제어부는, 처리유닛에 대한 기판반송 경로를 기판처리열마다 적합하게 변화시킬 수 있다.
(2) 제6항에 기재된 장치에서, 상기 다른 기판처리열의 공정은, 단일 처리로 이루어지는 공정이다. 다른 기판처리열로부터 단일 처리를 행한 기판을 얻을 수 있다.
(3) 제8항에 기재된 장치에서, 상기 종류가 다른 복수의 처리로 이루어지는 공정은, 기판에 레지스트막 재료를 도포하는 레지스트막 재료 도포처리, 기판에 현상액을 공급하는 현상처리, 및, 기판을 가열 또는 냉각하는 열처리 중 적어도 어느 하나를 포함한다. 종류가 다른 복수의 처리로 이루어지는 공정을 행하는 일부 기판처리열에서, 레지스트막 재료 도포처리에 관련되는 공정, 현상처리에 관련되는 공정, 혹은, 열처리에 관련되는 공정을 진행시킬 수 있다.
(4) 제8항에 기재된 장치에서, 상기 종류가 다른 복수의 처리로 이루어지는 공정은, 기판에 레지스트막을 형성하기 위한 공정, 및, 기판을 현상하기 위한 공정 중 적어도 어느 하나이다. 종류가 다른 복수의 처리로 이루어지는 공정을 행하는 일부 기판처리열에서, 레지스트막을 형성한 기판, 또는, 현상한 기판을 얻을 수 있다.
(5) 제10항에 기재된 장치에서, 상기 제1공정, 및, 상기 제2공정은 각각, 기판에 레지스트막 재료를 도포하는 레지스트막 재료 도포처리, 기판에 현상액을 공급하는 현상처리, 및, 기판을 가열 또는 냉각하는 열처리 중 적어도 어느 하나를 포함한다. 일부 기판처리열, 및, 다른 기판처리열에서, 레지스트막 재료 도포처리에 관련되는 공정, 현상처리에 관련되는 공정, 혹은, 열처리에 관련되는 공정을 행할 수 있다.
(6) 제10항에 기재된 장치에서, 상기 제1공정은, 기판에 레지스트막을 형성하기 위한, 및, 기판을 현상하기 위한 공정이며, 상기 제2공정은, 기판에 레지스트막을 형성하기 위한 공정, 또는, 기판을 현상하기 위한 공정 중 어느 한쪽이다. 일부 기판처리열로부터 레지스트막을 형성하고, 현상한 기판을 얻을 수 있고, 다른 기판처리열로부터 레지스트막을 형성한 기판, 또는, 현상한 기판을 얻을 수 있다.
(7) 제10항에 기재된 장치에서, 상기 제1공정, 및, 상기 제2공정 중 한쪽은, 기판에 레지스트막을 형성하기 위한 공정이며, 상기 제1공정, 및, 상기 제2공정 중 다른쪽은, 기판을 현상하기 위한 공정이다. 일부 기판처리열로부터 레지스트막을 형성한 기판을 얻을 수 있고, 다른 기판처리열로부터 현상한 기판을 얻을 수 있다.
(8) 제1항에 기재된 장치에서, 상기 제어부는, 모든 기판처리열에서, 기판에 레지스트막 재료를 도포하는 레지스트막 재료 도포처리, 기판에 현상액을 공급하는 현상처리, 및, 기판을 가열 또는 냉각하는 열처리를 포함해서 기판에 레지스트막을 형성하고, 또한, 기판을 현상하기 위한 공정으로 하는 것이 가능하며, 또, 일부 기판처리열에서는, 상기 레지스트막 재료 도포처리와 상기 현상처리와 상기 열처리를 포함해서 기판에 레지스트막을 형성하고, 또한, 기판을 현상하기 위한 공정으로 하면서, 다른 기판처리열에서는, 상기 레지스트막 재료 도포처리와 상기 열처리를 포함해서 레지스트막을 형성하기 위한 공정, 또는, 상기 현상처리와 상기 열처리를 포함해서 기판을 현상하기 위한 공정 중 어느 한쪽으로 하는 것이 가능하다. 모든 기판처리열로부터 레지스트막을 형성하고, 현상한 기판을 얻을 수 있다. 또한, 일부 기판처리열로부터 레지스트막을 형성하고, 현상한 기판을 얻음과 아울러, 다른 기판처리열로부터 레지스트막을 형성한 기판, 또는, 현상한 기판을 얻을 수 있다.
(9) 제18항에 기재된 장치에서, 상기 도포처리유닛은, 기판에 레지스트막 재료를 도포하는 레지스트막용 도포처리유닛이다. 도포처리블록에서 기판에 레지스트막을 적합하게 형성할 수 있다.
(10) 제18항에 기재된 장치에서, 상기 도포처리블록은, 상기 처리유닛으로서, 기판에 열처리를 행하는 열처리유닛을 더 구비하며, 상기 현상처리블록은, 상기 처리유닛으로서, 기판에 열처리를 행하는 열처리유닛을 더 구비하고 있다. 도포처리블록에서는, 도포처리유닛 및 열처리유닛에서의 각(各) 처리를 포함하는 공정을 적합하게 진행시킬 수 있다. 또한, 현상처리블록에서는, 현상처리유닛 및 열처리유닛에서의 각 처리를 포함하는 공정을 적합하게 진행시킬 수 있다.
(11) 제18항에 기재된 장치에서, 상기 도포처리블록과 상기 현상처리블록은 인접해 있다. 도포처리유닛 및 현상처리유닛에서의 각 처리를 포함하는 공정을 원활하게 진행시킬 수 있다.
(12) 상기 (11)에 기재된 장치에서, 상기 도포처리블록에 인접해서 설치되어, 복수 매(枚)의 기판을 수납하는 카세트에 대해 기판을 반송함과 아울러, 상기 도포처리블록의 각 주반송기구와 기판의 주고받기를 행하는 인덱서부를 구비하고 있다. 도포처리블록은 인덱서부와 기판을 주고받기 가능하므로, 각 계층에서 처리 내용을 유연하게 변경할 수 있다.
(13) 상기 (11)에 기재된 장치에서, 상기 현상처리블록에 인접해서 설치되어, 본 장치와는 별체의 노광기에 대해 기판을 반송함과 아울러, 상기 현상처리블록의 각 주반송기구와 기판의 주고받기를 행하는 인터페이스부를 구비하고 있다. 현상처리블록은 인터페이스부와 기판을 주고받기 가능하므로, 각 계층에서 처리 내용을 유연하게 변경할 수 있다.
(14) 기판에 처리를 행하는 기판처리장치로서, 상기 장치는,
기판을 거의 수평방향으로 반송하면서 기판에 일련의 처리를 행하는 것이 가능한, 상하방향으로 복수(複數) 설치되는 기판처리열;
기판에 대해 행하는 처리를, 기판처리열마다 상기 일련의 처리의 전부로 하는 것이 가능하고, 또, 상기 일련의 처리의 일부만으로 하는 것이 가능한 제어부; 를 포함한다.
상기 (14)에 기재된 장치에 의하면, 복수의 기판처리열과 제어부를 구비해서, 기판처리열마다 기판에 행하는 처리를 일련의 처리의 전부와 일련의 처리의 일부로 변경할 수 있다. 따라서, 기판처리열 수에 상당하는 종류의 처리를 병행해서 진행시킬 수 있다.
(15) 상기 (14)에 기재된 장치에서, 상기 제어부는, 모든 기판처리열에서 상기 일련의 처리의 전부를 기판에 행하는 것이 가능하고, 또, 일부 기판처리열에서는 상기 일련의 처리의 전부를 기판에 행하면서, 다른 기판처리열에서는 상기 일련의 처리의 일부를 기판에 행하는 것이 가능하다. 모든 기판처리열에서 일련의 처리의 전부를 기판에 행할 수 있다. 또한, 일부 기판처리열에서는 일련의 처리의 전부를 기판에 행하면서, 다른 기판처리열에서는 일련의 처리의 일부를 기판에 행할 수 있다.
(16) 상기 (14)에 기재된 장치에서, 상기 제어부는, 일부 기판처리열에서는 상기 일련의 처리의 전부를 기판에 행하는 통상운전을 시키면서, 다른 기판처리열에서는 상기 일련의 처리의 일부를 기판에 행하는 시운전을 시키는 것이 가능하다. 다른 기판처리열에서는 시운전을 해서, 다른 기판처리열을 복구시키면서, 일부 기판처리열에서는 통상운전을 할 수 있다.
본 발명에 의하면, 기판에 행하는 처리 공정을 기판마다 변경해서, 둘 이상의 다른 공정 처리를 병행해서 진행시킬 수 있는 기판처리장치가 제공된다.
도 1은 실시예에 따른 기판처리장치의 개략 구성을 나타내는 모식도.
도 2는 실시예에 따른 기판처리장치의 개략 구성을 나타내는 모식도.
도 3은 실시예에 따른 기판처리장치의 개략 구성을 나타내는 평면도.
도 4는 기판처리장치가 가지는 처리유닛의 배치를 나타내는 개략 측면도.
도 5는 기판처리장치가 가지는 처리유닛의 배치를 나타내는 개략 측면도.
도 6은 도 3에서의 a-a화살표 방향에서 본 각(各) 수직단면도.
도 7은 도 3에서의 b-b화살표 방향에서 본 각 수직단면도.
도 8은 도 3에서의 c-c화살표 방향에서 본 각 수직단면도.
도 9는 도 3에서의 d-d화살표 방향에서 본 각 수직단면도.
도 10a은 도포처리유닛의 평면도.
도 10b은 도포처리유닛의 단면도.
도 11은 주반송기구의 사시도.
도 12는 실시예에 따른 기판처리장치의 제어블록도.
도 13은 기판에 행하는 일련의 처리를 나타내는 플로우 차트.
도 14는 각 반송기구가 각각 반복하여 행하는 동작을 모식적으로 나타내는 도면.
도 15는 기판에 행하는 일련의 처리를 나타내는 플로우 차트.
도 16은 각 반송기구가 각각 반복하여 행하는 동작을 모식적으로 나타내는 도면.
도 17은 변형예에 따른 기판처리장치의 개략 구성을 나타내는 모식도.
도 18은 비교예에 따른 기판처리장치의 개략 구성을 나타내는 모식도.
발명을 설명하기 위해 현재 적합하다고 생각되는 몇 가지 형태가 도시되어 있지만, 발명이 도시된 바와 같은 구성 및 방책에 한정되는 것은 아니라는 점을 이해해야 한다.
이하, 본 발명의 적합한 실시예를 도면에 의거하여 상세하게 설명한다.
먼저, 본 실시예의 개요를 설명한다. 도 1, 도 2는 실시예에 따른 기판처리장치의 개략 구성을 나타내는 모식도이다. 도 1은 모든 기판처리열에서 동일한 공정으로 기판에 처리를 행하는 예를 나타내고 있으며, 도 2는 각 기판처리열에서 서로 다른 공정으로 기판에 처리를 행하는 예를 나타내고 있다.
실시예는, 기판(예를 들면, 반도체 웨이퍼)(Ｗ)에 레지스트막을 형성함과 아울러 노광된 기판(Ｗ)을 현상하는 기판처리장치(10)이다. 이하에서는, 기판처리장치(10)를 장치(10)로 적당히 줄여서 기재한다. 본 장치(10)는, 기판(Ｗ)을 거의 수평방향으로 반송하면서 기판(Ｗ)에 복수 종류의 처리를 행하는 것이 가능한 2개의 기판처리열(Ｌｕ, Ｌｄ)을 구비하고 있다. 기판처리열(Ｌｕ, Ｌｄ)은 상하방향으로 설치되어 있다. 기판처리열(Ｌｕ, Ｌｄ)은 처리부(3)를 구성한다. 이하에서는, 기판처리열(Ｌｕ, Ｌｄ)을 특별히 구별하지 않는 경우에는, 단지 기판처리열(Ｌ)로 기재한다. 본 장치(10)에는, 후술하는 인터페이스부를 개재시켜서, 본 장치(10)와는 별체의 노광기(ＥＸＰ)가 인접되어 있다. 노광기(ＥＸＰ)는 기판(Ｗ)을 노광한다.
각 기판처리열(Ｌ)에서 행하는 것이 가능한 처리로서는, 크게 도포처리, 열처리, 에지노광(露光), 및, 현상처리로 나누어진다. 도포처리는, 반사방지막 재료 도포처리와 레지스트막 재료 도포처리가 있다. 열처리는, 냉각처리, 가열처리, 가열/냉각처리, 및, ＰＥＢ(ＰＥＢ: Post Exposure Bake)처리가 있다. 한편, ＰＥＢ처리는 노광후 가열처리라고 말해지는 처리이지만, 본 명세서에서는 「ＰＥＢ처리」로 기재한다.
도 1은 각 기판처리열(Ｌｕ, Ｌｄ)에서 기판(Ｗ)에 행하는 처리 공정이 서로 동일한 경우이다. 기판처리열(Ｌｕ, Ｌｄ)의 양쪽에서의 공정은, 종류가 다른 복수의 처리로 이루어진다. 각 기판처리열(Ｌ)에서의 공정은, 구체적으로는, 냉각처리(Ｔ１), 반사방지막 재료 도포처리(Ｔ２), 가열/냉각처리(Ｔ３), 냉각처리(Ｔ４), 레지스트막 재료 도포처리(Ｔ５), 가열/냉각처리(Ｔ６), 냉각처리(Ｔ７), 에지노광(Ｔ８), ＰＥＢ처리(Ｔ１０), 냉각처리(Ｔ１１), 현상처리(Ｔ１２), 가열처리(Ｔ１３), 냉각처리(Ｔ１４)를, 이 순번으로 진행시키는 것이다. 각종 처리(Ｔ１-Ｔ８, Ｔ１０-Ｔ１４)에 부호 「ｕ」를 붙일 때는 기판처리열(Ｌｕ)에서 행해진 처리이며, 부호 「ｄ」를 붙일 때는 기판처리열(Ｌｄ)에서 행해진 처리이다. 한편, 에지노광(Ｔ８) 후(後)로서 ＰＥＢ처리(Ｔ１０) 전(前)에는, 노광기(ＥＸＰ)에 의해 행해지는 노광(Ｔ９)을 포함한다.
냉각처리(Ｔ１ｕ)로부터 에지노광(Ｔ８ｕ)까지, 및, ＰＥＢ처리(Ｔ１０ｕ)로부터 냉각처리(Ｔ１４ｕ)까지의 일련의 처리는, 본 발명에서의 「기판(Ｗ)에 레지스트막을 형성하기 위한, 및, 기판을 현상하기 위한 공정」에 상당한다. 마찬가지로, 냉각처리(Ｔ１ｄ)로부터 에지노광(Ｔ８ｄ)까지, 및, ＰＥＢ처리(Ｔ１０ｄ)로부터 냉각처리(Ｔ１４ｄ)까지의 일련의 처리도, 본 발명에서의 「기판(Ｗ)에 레지스트막을 형성하기 위한, 및, 기판을 현상하기 위한 공정」에 상당한다. 이하에서는, 「기판(Ｗ)에 레지스트막을 형성하기 위한, 및, 기판을 현상하기 위한 공정」을 적당히 「도포현상공정」이라 한다.
기판처리열(Ｌｕ, Ｌｄ)에서 병행해서 도포현상공정이 진행됨으로써, 각 기판처리열(Ｌｕ, Ｌｄ)로부터, 레지스트막이 형성되고, 현상된 기판(Ｗ)을 얻을 수 있다. 도 1에서는, 도포현상공정에서 처리가 끝난 기판(Ｗ)에, 부호 「Ｗａ」를 붙이고 있다.
또한, 상술한 기판처리열(Ｌｕ, Ｌｄ)에서의 각 공정이 기판처리를 목적으로 하는 것인 경우는, 각각 통상운전시에서의 공정이 된다. 또한, 기판처리열(Ｌｕ, Ｌｄ)에서의 공정이 처리품질의 확인과 시험, 또는, 처리유닛의 시운전 등을 목적으로 하는 것인 경우는, 시운전시에서의 공정이 된다.
도 2는, 기판처리열(Ｌｕ, Ｌｄ)에서의 각 공정이 다른 경우이다. 기판처리열(Ｌｕ)에서의 공정은, 도포현상공정이다. 기판처리열(Ｌｄ)에서의 공정은, 단일 처리(레지스트막 재료 도포처리(Ｔ２１ｄ))로 이루어진다. 따라서, 기판처리열(Ｌｕ)로부터는, 레지스트막이 형성되고, 현상된 기판(Ｗ)을 얻으면서, 기판처리열(Ｌｄ)로부터는 레지스트막 재료 도포처리가 된 기판(Ｗ)을 얻을 수 있다. 도 2에서는, 도포현상공정에서 처리가 끝난 기판(Ｗ)에, 부호 「Ｗａ」를 붙이고, 레지스트막 재료 도포처리가 끝난 기판(Ｗ)에, 부호 「Ｗｂ」를 붙이고 있다.
도 2에 나타내는 경우에 있어서도, 기판처리열(Ｌｕ, Ｌｄ)에서의 각 공정이 시운전 등을 목적으로 하는 경우는 시운전시에서의 공정이 되고, 기판처리를 목적으로 하는 경우는 통상시의 공정이 된다.
이 외 본 장치에서의 동작예는 도시를 생략하지만, 기판처리열(Ｌｕ, Ｌｄ)에서의 각 공정은 임의로 변경 가능하다. 또한, 기판처리열(Ｌｕ)에서의 공정의 변경과, 기판처리열(Ｌｄ)에서의 공정의 변경은, 서로 독립해서 행할 수 있다.
예를 들면, 기판처리열(Ｌｕ, Ｌｄ)에서의 각 공정을 각각, 도포현상공정의 전부 또는 일부로 하는 것이 가능하다. 도포현상공정의 일부로서는, 예를 들면, 기판(Ｗ)에 레지스트막을 형성하기 위한 공정(이하, 적당히 「레지스트공정(工程)」이라 한다)과, 기판을 현상하기 위한 공정(이하, 적당히 「현상공정」이라 한다) 등이 예시된다. 레지스트공정으로서는, 냉각처리(Ｔ１)로부터 에지노광(Ｔ８)까지의 일련의 처리가 예시된다. 현상공정으로서는, ＰＥＢ처리(Ｔ１０)로부터 냉각처리(Ｔ１４)까지의 일련의 처리가 예시된다. 이 외, 도포현상공정의 일부로서는, 예를 들면, 레지스트막 재료 도포처리(Ｔ５)를 포함하여, 이에 관련되는 공정이나, 현상처리(Ｔ１２)를 포함하여, 이에 관련되는 공정이나, 열처리를 포함하여, 이에 관련되는 공정으로 해도 좋다. 혹은, 냉각처리(Ｔ４)로부터 가열/냉각처리(Ｔ６)까지의 공정이나, 에지노광(Ｔ８)만으로 이루어지는 공정 등을 임의로 선택할 수 있다.
또한, 다른 관점으로부터, 기판처리열(Ｌｕ, Ｌｄ)에서의 각 공정을 각각, 단일 처리로 이루어지는 공정, 또는, 다른 종류의 복수의 처리로 이루어지는 공정 중 어느 하나로 해도 좋다. 단일 처리로 이루어지는 공정은, 각종 처리(Ｔ１-Ｔ８, Ｔ１０-Ｔ１４)까지 중 어느 하나의 처리만으로 이루어진다. 다른 종류의 복수의 처리로 이루어지는 공정은, 각종 처리(Ｔ１-Ｔ８, Ｔ１０-Ｔ１４) 중, 적어도 2 이상의 처리로 이루어진다. 다른 종류의 복수의 처리로 이루어지는 공정으로서는, 냉각처리(Ｔ１４), 가열/냉각처리(Ｔ３), 현상처리(Ｔ１２)로 이루어지는 공정 등이 예시된다. 한편, 다른 종류의 복수의 처리로 이루어지는 공정에 포함되는 처리수(處理數)는, 도포현상공정에 포함되는 처리수보다 많아도 적어도 좋다. 또한, 다른 종류의 복수의 처리로 이루어지는 공정에서의 처리 순서는, 도포현상공정의 처리 순서와 동일해도 달라도 좋다.
또한, 기판처리열(Ｌｕ, Ｌｄ)에서의 공정은 각각, 통상운전시에서의 공정 또는 시운전시에서의 공정 중 어느 하나이어도 좋다. 따라서, 기판처리열(Ｌｕ, Ｌｄ)의 양쪽에서 시운전시에서의 공정을 진행시켜도 좋다.
여기서, 본 실시예를 비교예와 비교한다. 도 18은, 비교예에 따른 기판처리장치의 개략 구성을 나타내는 모식도이다. 도 18에 나타내는 기판처리장치는, 단일 기판처리열(Ｌｓ)을 구비하고 있다. 이 기판처리열(Ｌｓ)에서, 도포현상공정과 레지스트막 재료 도포처리만으로 이루어지는 공정을 병행해서 행하는 경우, 도 18에 실선으로 나타내는 경로로 기판(Ｗ)을 반송하면서(도포현상공정), 점선으로 나타내는 경로에도 기판(Ｗ)을 반송한다(레지스트막 재료 도포처리만으로 이루어지는 공정). 이와 같이, 단일 기판처리열(Ｌｓ) 내에서, 기판(Ｗ)을 2개의 반송경로로 번갈아 반송시키면, 기판(Ｗ)의 반송효율은 전체적으로 저하하며, 기판(Ｗ)을 반송시키는 제어도 매우 복잡해진다. 이에 대해, 도 1, 도 2에 나타낸 바와 같이, 본 장치(10) 쪽이 기판(Ｗ)의 반송효율이 높고, 기판(Ｗ)의 반송제어가 간략, 용이한 것이 분명하다.
이와 같이, 본 장치(10)에 의하면, 2개의 기판처리열(Ｌｕ, Ｌｄ)을 구비하고 있으므로, 각 기판처리열(Ｌｕ, Ｌｄ)에서 동일한 공정으로 기판(Ｗ)에 병행해서 처리를 행하는 것, 및, 각 기판처리열(Ｌｕ, Ｌｄ)에서 서로 다른 공정으로 기판(Ｗ)에 병행해서 처리를 행하는 것을 적합하게 실현할 수 있다. 전자의 경우에는, 각 기판처리열(Ｌｕ, Ｌｄ)로부터 동일한 공정으로 처리된 기판(Ｗ)을 얻을 수 있고, 후자의 경우에는, 기판처리열(Ｌｕ, Ｌｄ)로부터 각각, 다른 공정으로 처리된 기판(Ｗ)을 동시에 얻을 수 있다. 또한, 기판처리열(Ｌｕ, Ｌｄ) 중 어느 하나를 선택해서 기판(Ｗ)을 반송함으로써, 기판(Ｗ)에 행하는 처리 공정을 기판(Ｗ)마다 적합하게 변경할 수 있다.
이하에서는, 본 실시예를 더 상세하게 설명한다. 도 3은, 실시예에 따른 기판처리장치의 개략 구성을 나타내는 평면도이고, 도 4와 도 5는 기판처리장치가 가지는 처리유닛의 배치를 나타내는 개략 측면도이며, 도 6 내지 도 9는, 도 3에서의 a -a화살표 방향, b-b화살표 방향, c-c화살표 방향 및 d-d화살표 방향에서 본 각(各) 수직단면도이다.
본 장치(10)는, 상술한 처리부(3) 외에, 인덱서부(이하, 「ＩＤ부」로 기재한다)(1)와 인터페이스부(이하, 「ＩＦ부」로 기재한다)(5)를 구비하고 있다. 처리부(3)의 일측 쪽에는 ＩＤ부(1)가 인접해서 설치되고, 처리부(3)의 타측 쪽에는 ＩＦ부(5)가 인접해서 설치되어 있다. ＩＦ부(5)에는 본 장치(10)와는 별체의 외부장치인 노광기(ＥＸＰ)가 인접해서 더 설치된다. ＩＤ부(1)는 외부로부터 장치(10)에 반송되는 기판(Ｗ)을 처리부(3)에 건네 준다. ＩＦ부(5)는 처리부(3)와 노광기(ＥＸＰ) 사이에서 기판(Ｗ)을 주고받는다. 이하, ＩＤ부(1), 처리부(3), ＩＦ부(5) 등에 관해 각각 설명한다.
[ＩＤ부(1)]
ＩＤ부(1)는 복수 매의 기판(Ｗ)을 수용하는 카세트(Ｃ)로부터 기판(Ｗ)을 꺼냄과 아울러, 카세트(Ｃ)에 기판(Ｗ)을 수납한다. 이 ＩＤ부(1)는 카세트(Ｃ)를 재치하는 카세트재치대(9)를 구비한다. 카세트재치대(9)는 4개의 카세트(Ｃ)를 1열로 나란히 재치 가능하게 구성된다. ＩＤ부(1)는 ＩＤ용 반송기구(ＴＩＤ)를 구비하고 있다. ＩＤ용 반송기구(ＴＩＤ)는, 각(各) 카세트(Ｃ)에 대해 기판(Ｗ)을 반송함과 아울러, 후술하는 재치부(ＰＡＳＳ１) 및 재치부(ＰＡＳＳ３)에 기판(Ｗ)을 반송한다. 도 6에 나타내는 바와 같이, ＩＤ용 반송기구(ＴＩＤ)는, 카세트재치대(9)의 옆쪽을 카세트(Ｃ)의 나란한 방향으로 수평이동하는 가동대(可動台)(21)와, 가동대(21)에 대해 연직방향으로 신축하는 승강축(23)과, 이 승강축(23)에 대해 선회함과 아울러 선회 반지름 방향으로 진퇴해서 기판(Ｗ)을 지지하는 지지아암(25)을 구비하고 있다.
[처리부(3)]
처리부(3)의 각 기판처리열(Ｌ)은, ＩＤ부(1)와 ＩＦ부(5)를 잇는 거의 수평방향으로 기판(Ｗ)을 반송 가능하게 구성되어 있다. 각 기판처리열(Ｌ)은, 기판(Ｗ)을 반송하는 주반송기구(Ｔ)를 각각 구비하고 있다. 본 실시예에서는, 각 기판처리열(Ｌ)은 각각 복수(각 기판처리열(Ｌ)에 2기(基), 합계 4기)의 주반송기구(Ｔ)를 가진다. 각 기판처리열(Ｌ)의 복수의 주반송기구(Ｔ)는 기판(Ｗ)이 반송되는 방향으로 나란히, 반송방향으로 인접하는 주반송기구(Ｔ)끼리 기판(Ｗ)을 주고받기 가능하다. 각 주반송기구(Ｔ)는, 후술하는 각종 처리유닛에 대해 기판(Ｗ)을 반송하면서, 인접하는 다른 주반송기구(Ｔ)에 기판(Ｗ)의 주고받기를 행한다.
구체적으로는, 기판처리열(Ｌｕ)에는, 주반송기구(Ｔ１)와 주반송기구(Ｔ２)가 1열로 나란히 되어 있다. 주반송기구(Ｔ１)는 ＩＤ부(1)측에 배치되며, 주반송기구(Ｔ２)는 ＩＦ부(5)측에 배치되어 있다. 마찬가지로, 기판처리열(Ｌｄ)에는, 주반송기구(Ｔ３)와 주반송기구(Ｔ４)가 1열로 나란히 되어 있으며, 주반송기구(Ｔ３)는 ＩＤ부(1)측에 배치되고, 주반송기구(Ｔ４)는 ＩＦ부(5)측에 배치되어 있다.
본 실시예에서는, 상술한 기판처리열(Ｌ)을 가지는 처리부(3)는, 복수(2대)의 처리블록(Ｂａ, Ｂｂ)을 횡방향(반송방향과 거의 동일)으로 나란히 구성되어 있다. ＩＤ부(1)에는 처리블록(Ｂａ)이 인접해 있고, ＩＦ부(5)에는 처리블록(Ｂｂ)이 인접해 있다. 각 처리블록(Ｂａ, Ｂｂ)은, 각각 상하방향으로 복수(2개)의 계층(Ｋ)으로 나누어져 있다. 처리블록(Ｂａ)의 상측 계층(Ｋ１)에는 상술한 주반송기구(Ｔ１)가 설치되며, 하측 계층(Ｋ３)에는 주반송기구(Ｔ３)가 설치되어 있다. 마찬가지로, 처리블록(Ｂｂ)의 상측 계층(Ｋ２)에는 주반송기구(Ｔ２)가 설치되어 있고, 하측 계층(Ｋ４)에는 주반송기구(Ｔ４)가 설치되어 있다.
인접하는 처리블록(Ｂａ, Ｂｂ)의 동일한 계층(Ｋ１, Ｋ２)의 주반송기구(Ｔ１, Ｔ２)끼리는 기판(Ｗ)을 주고받기 가능하며, 계층(Ｋ１, Ｋ２)이 기판처리열(Ｌｕ)을 구성한다. 마찬가지로, 주반송기구(Ｔ３, Ｔ４)끼리는 기판(Ｗ)을 주고받기 가능하며, 계층(Ｋ３, Ｋ４)이 기판처리열(Ｌｄ)을 구성한다.
[처리부(3)∼처리블록(Ｂａ)]
ＩＤ부(1)와 처리블록(Ｂａ)의 각 계층(Ｋ１, Ｋ３) 사이에는, 기판(Ｗ)을 재치하는 재치부(ＰＡＳＳ１, ＰＡＳＳ３)가 설치되어 있다. 재치부(ＰＡＳＳ１)에는, ＩＤ용 반송기구(ＴＩＤ)와 주반송기구(Ｔ１) 사이에서 주고받기 되는 기판(Ｗ)이 일시적으로 재치된다. 마찬가지로, 재치부(ＰＡＳＳ３)에는, ＩＤ용 반송기구(ＴＩＤ)와 주반송기구(Ｔ３) 사이에서 주고받기 되는 기판(Ｗ)이 일시적으로 재치된다. 단면(斷面)에서 보아, 재치부(ＰＡＳＳ１)는 상측 계층(Ｋ１)의 하부 부근의 높이위치에 배치되며, 재치부(ＰＡＳＳ３)는 하측 계층(Ｋ３)의 상부 부근의 높이에 배치되어 있다. 이와 같이 재치부(ＰＡＳＳ１)와 재치부(ＰＡＳＳ３)의 위치가 비교적 가까우므로, ＩＤ용 반송기구(ＴＩＤ)는 적은 승강량으로 재치부(ＰＡＳＳ１)와 재치부(ＰＡＳＳ３) 사이를 이동할 수 있다.
처리블록(Ｂａ, Ｂｂ) 사이에도, 기판(Ｗ)을 재치하는 재치부(ＰＡＳＳ２, ＰＡＳＳ４)가 설치되어 있다. 재치부(ＰＡＳＳ２)는 계층(Ｋ１)과 계층(Ｋ２) 사이에, 재치부(ＰＡＳＳ４)는 계층(Ｋ３)과 계층(Ｋ４) 사이에 각각 배치되어 있다. 그리고, 주반송기구(Ｔ１)와 주반송기구(Ｔ２)는 재치부(ＰＡＳＳ２)를 개재시켜서 기판(Ｗ)을 주고받으며, 주반송기구(Ｔ３)와 주반송기구(Ｔ４)는 재치부(ＰＡＳＳ４)를 개재시켜서 기판(Ｗ)을 주고받는다.
재치부(ＰＡＳＳ１)는 복수(본 실시예에서는 2대)이며, 이들 복수의 재치부(ＰＡＳＳ１)는 서로 상하방향으로 근접해서 배치되어 있다. 2개의 재치부(ＰＡＳＳ１) 중, 한쪽 재치부(ＰＡＳＳ１Ａ)에는, ＩＤ용 반송기구(ＴＩＤ)로부터 주반송기구(Ｔ１)에 건네 주는 기판(Ｗ)이 재치되며, 다른쪽 재치부(ＰＡＳＳ１Ｂ)에는 주반송기구(Ｔ１)로부터 ＩＤ용 반송기구(ＴＩＤ)에 건네 주는 기판(Ｗ)이 재치된다. 재치부(ＰＡＳＳ２∼ＰＡＳＳ４) 및 후술하는 재치부(ＰＡＳＳ５, ＰＡＳＳ６)도 각각 복수(2대)이며, 기판(Ｗ)이 주고받기 되는 방향에 대응해서 어느 하나의 재치부(ＰＡＳＳ)가 선택된다. 또한, 재치부(ＰＡＳＳ１Ａ, ＰＡＳＳ１Ｂ)에는 기판(Ｗ)의 유무를 검지하는 센서(도시생략)가 각각 부설되어 있으며, 각 센서의 검출신호에 의거해서, ＩＤ용 반송기구(ＴＩＤ) 및 주반송기구(Ｔ１)에 의한 기판(Ｗ)의 주고받기를 제어한다. 동일한 센서는 재치부(ＰＡＳＳ２∼ＰＡＳＳ６)에도 각각 부설되어 있다.
계층(Ｋ１)에 관해 설명한다. 주반송기구(Ｔ１)는, 평면에서 보아 계층(Ｋ１)의 거의 중앙을 통해 반송방향과 평행한 반송스페이스(Ａ１)를 이동 가능하게 설치되어 있다. 계층(Ｋ１)에는, 기판(Ｗ)에 처리액을 도포하는 도포처리유닛(31)과, 기판(Ｗ)에 열처리를 행하는 열처리유닛(41)이 설치되어 있다. 도포처리유닛(31)은 반송스페이스(Ａ１)의 한쪽 측에 배치되어 있으며, 다른쪽 측에는 열처리유닛(41)이 배치되어 있다.
도포처리유닛(31)은, 각각 반송스페이스(Ａ１)를 향해 종횡으로 복수 개 나란히 설치되어 있다. 본 실시예에서는, 기판(Ｗ)의 반송로를 따라 2열(列) 2단(段)으로 합계 4개의 도포처리유닛(31)이 배치되어 있다.
도포처리유닛(31)은, 기판(Ｗ)에 반사방지막용 재료를 도포하는 반사방지막용 도포처리유닛(ＢＡＲＣ)과, 기판(Ｗ)에 레지스트막 재료를 도포하는 레지스트막용 도포처리유닛(ＲＥＳＩＳＴ)을 포함한다. 본 명세서에서는, 반사방지막용 도포처리유닛(ＢＡＲＣ)에서 행해지는 처리를 반사방지막 재료 도포처리로 기재하고, 레지스트막용 도포처리유닛(ＲＥＳＩＳＴ)에서 행해지는 처리를 레지스트막 재료 도포처리로 기재한다.
반사방지막용 도포처리유닛(ＢＡＲＣ)은 복수(2대)이며, 하단(下段)에 거의 동일한 높이위치가 되도록 나란히 배치되어 있다. 레지스트막용 도포처리유닛(ＲＥＳＩＳＴ)도 복수이며, 상단(上段)에 거의 동일한 높이위치가 되도록 나란히 배치되어 있다. 각 반사방지막용 도포처리유닛(ＢＡＲＣ) 사이에는 격벽 또는 칸막이벽 등은 없다. 즉, 모든 반사방지막용 도포처리유닛(ＢＡＲＣ)을 공통(共通) 챔버에 수용할 뿐이므로, 각(各) 반사방지막용 도포처리유닛(ＢＡＲＣ)의 주위 분위기는 서로 차단되어 있지 않다(연통해 있다). 마찬가지로, 각(各) 레지스트막용 도포처리유닛(ＲＥＳＩＳＴ)의 주위 분위기도 서로 차단되어 있지 않다.
도 10a, 도 10b을 참조한다. 도 10a은 도포처리유닛의 평면도이고, 도 10b은 도포처리유닛의 단면도이다. 각 도포처리유닛(31)은, 기판(Ｗ)을 회전 가능하게 지지하는 회전지지부(32)와, 기판(Ｗ) 주위에 설치되는 컵(33)과, 기판(Ｗ)에 처리액을 공급하는 공급부(34) 등을 구비하고 있다.
공급부(34)는, 복수 개의 노즐(35)과, 하나의 노즐(35)을 파지하는 파지부(36)와, 파지부(36)를 이동시켜서 하나의 노즐(35)을 기판(Ｗ) 상방의 처리위치와 기판(Ｗ) 상방으로부터 벗어난 대기위치 사이에서 이동시키는 노즐이동기구(37)를 구비하고 있다. 각(各) 노즐(35)에는 각각 처리액배관(38)의 일단(一端)이 연통접속되어 있다. 처리액배관(38)은, 대기위치와 처리위치 사이에서의 노즐(35)의 이동을 허용하도록 움직일 수 있게(가요(可撓)) 설치되어 있다. 각 처리액배관(38)의 타단측은 처리액공급원(도시생략)에 접속되어 있다. 구체적으로는, 반사방지막용 도포처리유닛(ＢＡＲＣ)의 경우에는, 처리액공급원은 종류가 다른 반사방지막용 처리액을 각 노즐(35)에 대해 공급한다. 레지스트막용 도포처리유닛(ＲＥＳＩＳＴ)의 경우에는, 처리액공급원은 종류가 다른 레지스트막 재료를 각 노즐(35)에 대해 공급한다.
노즐이동기구(37)는, 제1가이드레일(37a)과 제2가이드레일(37b)을 가진다. 제1가이드레일(37a)은 횡으로 나란히 놓인 2개의 컵(33)을 사이에 두고 서로 평행하게 배치되어 있다. 제2가이드레일(37b)은 2개의 제1가이드레일(37a)에 슬라이딩 가능하게 지지되어서, 2개의 컵(33) 상에 가설(架設)되어 있다. 파지부(36)는 제2가이드레일(37b)에 슬라이딩 가능하게 지지된다. 여기서, 제1가이드레일(37a) 및 제2가이드레일(37b)이 안내하는 각(各) 방향은 둘 다 거의 수평방향이며, 서로 거의 직교한다. 노즐이동기구(37)는, 제2가이드레일(37b)을 슬라이딩 이동시키고, 파지부(36)를 슬라이딩 이동시키는 도시생략된 구동부를 더 구비하고 있다. 그리고, 구동부가 구동함으로써, 파지부(36)에 의해 파지된 노즐(35)을 처리위치에 상당하는 2개의 회전지지부(32)의 상방위치로 이동시킨다.
열처리유닛(41)은 복수이며, 각각 반송스페이스(Ａ１)에 면하도록 종횡으로 복수 개 나란히 있다. 본 실시예에서는 횡방향으로 3개의 열처리유닛(41)을 배치 가능하며, 종방향으로 5개의 열처리유닛(41)을 적층 가능하다. 열처리유닛(41)은 각각 기판(Ｗ)을 재치하는 플레이트(43) 등을 구비하고 있다. 열처리유닛(41)은 기판(Ｗ)을 냉각처리하는 냉각유닛(ＣＰ), 가열처리와 냉각처리를 연달아서 행하는 가열냉각유닛(ＰＨＰ) 및 기판(Ｗ)과 피막의 밀착성을 향상시키기 위해 헥사메틸디시라잔(HMDS)의 증기(蒸氣) 분위기에서 열처리하는 어드히전처리유닛(ＡＨＬ)을 포함한다. 한편, 가열냉각유닛(ＰＨＰ)은 플레이트(43)를 2개 가짐과 아울러, 2개의 플레이트(43) 사이에서 기판(Ｗ)을 이동시키는 도시생략된 로컬반송기구를 구비하고 있다. 각종 열처리유닛(ＣＰ, ＰＨＰ, ＡＨＬ)은 각각 복수 개이며, 적당한 위치에 배치되어 있다. 한편, 본 명세서에서는, 가열냉각유닛(ＰＨＰ)에서 행해지는 처리를 적당히 가열/냉각처리로 기재한다.
주반송기구(Ｔ１)를 구체적으로 설명한다. 도 11을 참조한다. 도 11은, 주반송기구의 사시도이다. 주반송기구(Ｔ１)는, 상하방향으로 안내하는 2개의 제3가이드레일(51)과 횡방향으로 안내하는 제4가이드레일(52)을 가지고 있다. 제3가이드레일(51)은 반송스페이스(Ａ１)의 일측 쪽에 대향해서 고정되어 있다. 본 실시예에서는, 도포처리유닛(31) 측에 배치되어 있다. 제4가이드레일(52)은 제3가이드레일(51)에 슬라이딩 가능하게 설치되어 있다. 제4가이드레일(52)에는, 베이스부(53)가 슬라이딩 가능하게 설치되어 있다. 베이스부(53)는 반송스페이스(Ａ１)의 거의 중앙까지 횡방향으로 튀어나와 있다. 주반송기구(Ｔ１)는, 제4가이드레일(52)을 상하방향으로 이동시키고, 베이스부(53)를 횡방향으로 이동시키는 도시생략된 구동부를 더 구비하고 있다. 이 구동부가 구동함으로써, 종횡으로 나란한 도포처리유닛(31) 및 열처리유닛(41)의 각(各) 위치로 베이스부(53)를 이동시킨다.
베이스부(53)에는 종축심(縱軸心)(Q) 둘레로 회전 가능하게 회전대(55)가 설치되어 있다. 회전대(55)에는 기판(Ｗ)을 지지하는 2개의 지지아암(57a, 57b)이 각각 수평방향으로 이동 가능하게 설치되어 있다. 2개의 지지아암(57a, 57b)은 서로 상하로 근접한 위치에 배치되어 있다. 회전대(55)를 회전시키고, 각 지지아암(57a, 57b)을 이동시키는 도시생략된 구동부를 더 구비하고 있다. 이 구동부가 구동함으로써, 각 도포처리유닛(31), 각 열처리유닛(41) 및 재치부(ＰＡＳＳ１, ＰＡＳＳ２)에 대향하는 위치에 회전대(55)를 대향시켜, 이들 도포처리유닛(31) 등에 대해 지지아암(57a, 57b)을 진퇴시킨다.
계층(Ｋ３)에 관해 설명한다. 한편, 계층(Ｋ１)과 동일한 구성에 대해서는 동일한 부호를 붙임으로써 상세한 설명을 생략한다. 계층(Ｋ３)의 주반송기구(Ｔ３) 및 처리유닛의 평면에서 본 레이아웃(배치)은 계층(Ｋ１)의 그것들과 거의 동일하다. 이 때문에, 주반송기구(Ｔ３)로부터 본 계층(Ｋ３)의 각종 처리유닛의 배치는, 주반송기구(Ｔ１)로부터 본 계층(Ｋ１)의 각종 처리유닛의 배치와 거의 동일하다. 계층(Ｋ３)의 도포처리유닛(31)과 열처리유닛(41)은, 각각 계층(Ｋ１)의 도포처리유닛(31)과 열처리유닛(41)의 하측에 각각 적층되어 있다.
이하에서, 계층(Ｋ１, Ｋ３)에 설치되어 있는 레지스트막용 도포처리유닛(ＲＥＳＩＳＴ) 등을 구별할 때는, 각각 하첨자 부호 「１」 또는 「３」을 붙인다(예를 들면, 계층(Ｋ１)에 설치되는 레지스트막용 도포처리유닛(ＲＥＳＩＳＴ)을 「레지스트막용 도포처리유닛(ＲＥＳＩＳＴ１)」으로 기재한다).
처리블록(Ｂａ)의 그 외 구성에 관해 설명한다. 도 6, 도 7에 나타내는 바와 같이, 반송스페이스(Ａ１, Ａ３)에는, 청정한 기체를 취출하는 제1취출유닛(61)과 기체를 흡인하는 배출유닛(62)이 각각 설치되어 있다. 제1취출유닛(61)과 배출유닛(62)은, 각각 평면에서 보아 반송스페이스(Ａ１)와 거의 동일한 넓이를 가지는 편평한 상자 모양의 물건이다. 제1취출유닛(61)과 배출유닛(62)의 한쪽 면에는 각각 제1취출구(61a)와 배출구(62a)가 형성되어 있다. 본 실시예에서는 다수의 작은 구멍(f)(도 11 참조)으로 제1취출구(61a) 및 배출구(62a)가 구성되어 있다. 제1취출유닛(61)은 제1취출구(61a)를 아래를 향한 자세로 반송스페이스(Ａ１, Ａ３)의 상부에 배치되어 있다. 또한, 배출유닛(62)은 배출구(62a)를 위를 향한 자세로 반송스페이스(Ａ１, Ａ３)의 하부에 배치되어 있다. 반송스페이스(Ａ１)의 분위기와 반송스페이스(Ａ３)의 분위기는, 반송스페이스(Ａ１)의 배출유닛(62)과 반송스페이스(Ａ３)의 제1취출유닛(61)에 의해 차단되어 있다. 따라서, 각 계층(Ｋ１, Ｋ３)은 서로 분위기가 차단되어 있다.
반송스페이스(Ａ１, Ａ３)의 각(各) 제1취출유닛(61)은 동일한 제1기체공급관(63)에 연통접속되어 있다. 제1기체공급관(63)은 재치부(ＰＡＳＳ２, ＰＡＳＳ４)의 측방위치에, 반송스페이스(Ａ１)의 상부로부터 반송스페이스(Ａ３)의 하부에 걸쳐서 설치되어 있음과 아울러, 반송스페이스(Ａ２)의 하방에서 수평방향으로 구부러져 있다. 제1기체공급관(63)의 타단측은 도시생략된 기체공급원에 연통접속되어 있다. 마찬가지로, 반송스페이스(Ａ１, Ａ３)의 배출유닛(62)은 동일한 제1기체배출관(64)에 연통접속되어 있다. 제1기체배출관(64)은 반송스페이스(Ａ１)의 하부로부터 반송스페이스(Ａ３)의 하부에 걸쳐서, 재치부(ＰＡＳＳ２, ＰＡＳＳ４)의 측방위치에 설치되어 있음과 아울러, 반송스페이스(Ａ２)의 하방에서 수평방향으로 구부러져 있다. 그리고, 반송스페이스(Ａ１, Ａ３)의 각 제1취출구(61a)로부터 기체를 취출함과 아울러 각 배출구(62a)로부터 기체를 흡인/배출시킴으로써, 반송스페이스(Ａ１, Ａ３)에는 상부로부터 하부로 흐르는 기류가 형성되어서, 각 반송스페이스(Ａ１, Ａ３)는 개별적으로 청정한 상태로 유지된다.
도 3, 도 8 및 도 10a에 나타내는 바와 같이, 계층(Ｋ１, Ｋ３)의 각 도포처리유닛(31)에는, 종방향으로 가로지르는 세로구멍부(ＰＳ)가 형성되어 있다. 이 세로구멍부(ＰＳ)에는 청정한 기체를 공급하기 위한 제2기체공급관(65)과, 기체를 배기하기 위한 제2기체배출관(66)이 상하방향으로 설치되어 있다. 제2기체공급관(65)과 제2기체배출관(66)은 각각 각(各) 도포처리유닛(31)의 소정 높이위치에서 분기해서 세로구멍부(ＰＳ)로부터 거의 수평방향으로 끌려 나와 있다. 분기된 복수의 제2기체공급관(65)은, 기체를 하방으로 취출하는 제2취출유닛(67)에 연통접속해 있다. 또한, 분기된 복수의 제2기체배출관(66)은 각(各) 컵(33)의 저부(底部)에 각각 연통접속해 있다. 제2기체공급관(65)의 타단은, 계층(Ｋ３)의 하방에서 제1기체공급관(63)에 연통접속되어 있다. 제2기체배출관(66)의 타단은, 계층(Ｋ３)의 하방에서 제1기체배출관(64)에 연통접속되어 있다. 그리고, 제2취출유닛(67)으로부터 기체를 취출함과 동시에, 제2기체배출관(66)을 통해서 기체를 배출시킴으로써, 각(各) 컵(33) 내의 분위기는 항상 청정하게 유지되어, 회전지지부(32)에 지지된 기판(Ｗ)을 적합하게 처리할 수 있다.
세로구멍부(ＰＳ)에는 처리액을 통과시키는 배관과 전기배선 등(모두 도시생략)이 더 설치되어 있다. 이와 같이, 세로구멍부(ＰＳ)에 계층(Ｋ１, Ｋ３)의 도포처리유닛(31)에 부설되는 배관과 배선 등을 수용할 수 있으므로, 배관과 배선 등의 길이를 짧게 할 수 있다.
처리블록(Ｂａ)은, 상술한 주반송기구(Ｔ１, Ｔ３)와 도포처리유닛(31)과 열처리유닛(41)을 수용하는 하나의 케이스(75)를 구비하고 있다. 후술하는 처리블록(Ｂｂ)도 주반송기구(Ｔ２, Ｔ４)와 처리블록(Ｂｂ)이 가지는 각 처리유닛을 수용하는 케이스(75)를 구비하고 있다. 처리블록(Ｂａ)의 케이스(75)와 처리블록(Ｂｂ)의 케이스(75)는 별체이다. 이와 같이 처리블록(Ｂａ, Ｂｂ)마다 주반송기구(Ｔ)와 각 처리유닛을 모아서 수용하는 케이스(75)를 구비하고 있으므로, 처리블록(Ｂａ, Ｂｂ)을 나란히 하여 처리부(3)를 간이하게 제조하여, 조립할 수 있다. 처리블록(Ｂａ)은, 본 발명에서의 도포처리블록에 상당한다.
[처리부(3)∼처리블록(Ｂｂ)]
계층(Ｋ２)에 관해 설명한다. 계층(Ｋ１)과 동일한 구성에 관해서는 동일한 부호를 붙임으로써 상세한 설명을 생략한다. 계층(Ｋ２)의 반송스페이스(Ａ２)는 반송스페이스(Ａ１)의 연장상(延長上)이 되도록 형성되어 있다.
계층(Ｋ２)에는, 기판(Ｗ)에 현상액을 공급하는 현상처리유닛(ＤＥＶ)과, 기판(Ｗ)에 열처리를 행하는 열처리유닛(42)과, 기판(Ｗ)의 주연부를 노광하는 에지노광유닛(ＥＥＷ)이 설치되어 있다. 현상처리유닛(ＤＥＶ)은 반송스페이스(Ａ２)의 한쪽 측에 배치되며, 열처리유닛(42) 및 에지노광유닛(ＥＥＷ)은 반송스페이스(Ａ２)의 다른쪽 측에 배치되어 있다. 여기서, 현상처리유닛(ＤＥＶ)은 도포처리유닛(31)과 동일한 측에 배치되는 것이 바람직하다. 또한, 열처리유닛(42) 및 에지노광유닛(ＥＥＷ)은 열처리유닛(41)과 같이 나란히 되는 것이 바람직하다. 한편, 본 명세서에서는, 현상처리유닛(ＤＥＶ)에서 행해지는 처리를 적당히 현상처리로 기재하며, 에지노광유닛(ＥＥＷ)에서 행해지는 처리를 적당히 에지노광으로 기재한다.
현상처리유닛(ＤＥＶ)은 4개이며, 반송스페이스(Ａ２)를 따른 횡방향으로 2개 나란한 것이 상하 2단으로 적층되어 있다. 도 3, 도 8에 나타내는 바와 같이, 각 현상처리유닛(ＤＥＶ)은 기판(Ｗ)을 회전 가능하게 지지하는 회전지지부(77)와, 기판(Ｗ) 주위에 설치되는 컵(79)을 구비하고 있다. 1단에 병설(竝設)되는 2개의 현상처리유닛(ＤＥＶ)은 칸막이벽 등으로 칸막이 되는 일이 없게 설치되어 있다. 또한, 2개의 현상처리유닛(ＤＥＶ)에 대해, 현상액을 공급하는 공급부(81)가 설치되어 있다. 공급부(81)는, 현상액을 토출하기 위한 슬릿 또는 작은 구멍열을 가지는 2개의 슬릿노즐(81a)을 가진다. 슬릿 또는 작은 구멍열의 길이방향의 길이는 기판(Ｗ)의 지름에 상당하는 것이 바람직하다. 또한, 2개의 슬릿노즐(81a)은 서로 다른 종류 또는 농도의 현상액을 토출하도록 구성하는 것이 바람직하다. 공급부(81)는, 각(各) 슬릿노즐(81a)을 이동시키는 이동기구(81b)를 더 구비하고 있다. 이에 의해, 각 슬릿노즐(81a)은 각각, 횡방향으로 나란한 2개의 회전지지부(77)의 상방으로 이동 가능하다.
열처리유닛(42)은 복수이며, 반송스페이스(Ａ２)를 따른 횡방향으로 복수 나란함과 아울러, 종방향으로 복수 적층되어 있다. 열처리유닛(42)은, 기판(Ｗ)을 가열처리하는 가열유닛(ＨＰ)과, 기판(Ｗ)을 냉각처리하는 냉각유닛(ＣＰ)과, 가열/냉각처리를 행하는 가열냉각유닛(ＰＨＰ)을 포함한다.
가열냉각유닛(ＰＨＰ)은 복수이다. 각(各) 가열냉각유닛(ＰＨＰ)은, 무엇보다 ＩＦ부(5)측의 열에 상하방향으로 적층되어서, 각각의 일측부가 ＩＦ부(5)측에 면하고 있다. 계층(Ｋ２)에 설치되는 가열냉각유닛(ＰＨＰ)에 관해서는, 그 측부에 기판(Ｗ)의 반송구를 형성하고 있다. 그리고, 가열냉각유닛(ＰＨＰ)에 대해서는, 후술하는 ＩＦ용 반송기구(ＴＩＦ)가 상기 반송구를 통해서 기판(Ｗ)을 반송한다. 그리고, 이들 계층(Ｋ２)에 배치되는 가열냉각유닛(ＰＨＰ)에서는 노광후 가열(ＰＥＢ)처리를 행한다. 따라서, 계층(Ｋ２)에 설치되는 가열냉각유닛(ＰＨＰ)에서 행해지는 가열/냉각처리를, 특별히 ＰＥＢ처리로 기재한다. 마찬가지로 계층(Ｋ４)에 설치되는 가열냉각유닛(ＰＨＰ)에서 행해지는 가열/냉각처리를, 특별히 ＰＥＢ처리로 기재한다.
에지노광유닛(ＥＥＷ)은 단일이며, 소정 위치에 설치되어 있다. 에지노광유닛(ＥＥＷ)은, 기판(Ｗ)을 회전 가능하게 지지하는 회전지지부(도시생략)와, 이 회전지지부에 지지된 기판(Ｗ)의 주연(周緣)을 노광하는 광조사부(도시생략)를 구비하고 있다.
또한, 가열냉각유닛(ＰＨＰ)의 상측에는, 재치부(ＰＡＳＳ５)가 적층되어 있다. 주반송기구(Ｔ２)와 후술하는 ＩＦ용 반송기구(ＴＩＦ)는, 재치부(ＰＡＳＳ５)를 개재시켜서 기판(Ｗ)을 주고받는다.
주반송기구(Ｔ２)는 평면에서 보아 반송스페이스(Ａ２)의 거의 중앙에 설치되어 있다. 주반송기구(Ｔ２)는 주반송기구(Ｔ１)와 마찬가지로 구성되어 있다. 그리고, 재치부(ＰＡＳＳ２)와 각종 열처리유닛(42)과 에지노광유닛(ＥＥＷ)과 재치부(ＰＡＳＳ５) 사이에서 주반송기구(Ｔ２)가 기판(Ｗ)을 반송한다.
계층(Ｋ４)에 관해 간략하게 설명한다. 계층(Ｋ２)과 계층(Ｋ４)의 각 구성의 관계는, 계층(Ｋ１, Ｋ３) 사이의 관계와 마찬가지이다. 계층(Ｋ４)의 처리유닛은, 현상처리유닛(ＤＥＶ)과 열처리유닛(42)과 에지노광유닛(ＥＥＷ)이다. 계층(Ｋ４)의 열처리유닛(42)은 가열유닛(ＨＰ)과 냉각유닛(ＣＰ)과 가열냉각유닛(ＰＨＰ)을 포함한다. 계층(Ｋ４)의 가열냉각유닛(ＰＨＰ)의 상측에는, 재치부(ＰＡＳＳ６)가 적층되어 있다. 주반송기구(Ｔ４)와 후술하는 ＩＦ용 반송기구(ＴＩＦ)는, 재치부(ＰＡＳＳ６)를 개재시켜서 기판(Ｗ)을 주고받는다. 계층(Ｋ４)에 설치되는 가열냉각유닛(ＰＨＰ)도, 노광후의 기판(Ｗ)에 노광후 가열(ＰＥＢ: Post Exposure Bake)처리를 행한다.
이하에서, 계층(Ｋ２, Ｋ４)에 설치되어 있는 현상처리유닛(ＤＥＶ)과 에지노광유닛(ＥＥＷ) 등을 구별할 때는, 각각 하첨자 부호 「２」 또는 「４」를 붙인다(예를 들면, 계층(Ｋ２)에 설치되는 가열유닛(ＨＰ)을 「가열유닛(ＨＰ２)」으로 기재한다).
계층(Ｋ２, Ｋ４)의 반송스페이스(Ａ２, Ａ４)에도, 제1취출유닛(61)과 배출유닛(62) 등에 상당하는 구성이 각각 설치되어 있다. 또한, 계층(Ｋ２, Ｋ４)의 현상처리유닛(ＤＥＶ)에는, 제2취출유닛(67)과 제2기체배출관(66) 등에 상당하는 구성이 각각 설치되어 있다. 처리블록(Ｂｂ)은, 본 발명에서의 현상처리블록에 상당한다.
[ＩＦ부(5)]
ＩＦ부(5)는 처리부(3)의 각 기판처리열(Ｌｕ, Ｌｄ)(계층(Ｋ２, Ｋ４)과 노광기(ＥＸＰ) 사이에서 기판(Ｗ)을 주고받는다. ＩＦ부(5)는 기판(Ｗ)을 반송하는 ＩＦ용 반송기구(ＴＩＦ)를 구비하고 있다. ＩＦ용 반송기구(ＴＩＦ)는, 서로 기판(Ｗ)을 주고받기 가능한 제1반송기구(ＴＩＦＡ)와 제2반송기구(ＴＩＦＢ)를 가진다. 제1반송기구(ＴＩＦＡ)는, 각 기판처리열(Ｌｕ, Ｌｄ)에 대해 기판(Ｗ)을 반송한다. 상술한 바와 같이, 본 실시예에서는 제1반송기구(ＴＩＦＡ)는, 계층(Ｋ２, Ｋ４)의 재치부(ＰＡＳＳ５, ＰＡＳＳ６)와, 각 계층(Ｋ３, Ｋ４)의 가열냉각유닛(ＰＨＰ)에 대해 기판(Ｗ)을 반송한다. 제2반송기구(ＴＩＦＢ)는, 노광기(ＥＸＰ)에 대해 기판(Ｗ)을 반송한다.
도 3에 나타내는 바와 같이, 제1반송기구(ＴＩＦＡ)와 제2반송기구(ＴＩＦＢ)는, 기판처리열(Ｌ)의 반송방향과 거의 직교한 횡방향에 나란히 설치되어 있다. 제1반송기구(ＴＩＦＡ)는 계층(Ｋ２, Ｋ４)의 열처리유닛(42) 등이 위치하는 측에 배치되어 있다. 제2반송기구(ＴＩＦＢ)는 계층(Ｋ２, Ｋ４)의 현상처리유닛(ＤＥＶ)이 위치하는 측에 배치되어 있다. 또한, 제1, 제2반송기구(ＴＩＦＡ, ＴＩＦＢ) 사이에는 기판(Ｗ)을 재치해서 냉각하는 재치부(ＰＡＳＳ-ＣＰ)와, 기판(Ｗ)을 재치하는 재치부(ＰＡＳＳ７)와, 기판(Ｗ)을 일시적으로 수용하는 버퍼(ＢＦ)가 다단(多段)으로 적층되어 있다. 제1, 제2반송기구(ＴＩＦＡ, ＴＩＦＢ)는, 재치부(ＰＡＳＳ-ＣＰ) 및 재치부(ＰＡＳＳ７)를 개재시켜서 기판(Ｗ)을 주고받는다. 버퍼(ＢＦ)에는, 오로지 제1반송기구(ＴＩＦＡ)만이 액세스한다.
도 9에 나타내는 바와 같이, 제1반송기구(ＴＩＦＡ)는, 고정적으로 설치되는 기대(基台)(83)와, 기대(83)에 대해 연직상방으로 신축하는 승강축(85)과, 이 승강 축(85)에 대해 선회 가능함과 아울러 선회 반지름방향으로 진퇴하여 기판(Ｗ)을 지지하는 지지아암(87)을 구비하고 있다. 제2반송기구(ＴＩＦＢ)도 기대(83)와 승강축(85)과 지지아암(87)을 구비하고 있다.
다음으로, 본 장치(10)의 제어계(制御系)에 관해 설명한다. 본 장치(10)는, 제어부(90)와 입력부(101)를 더 구비하고 있다. 도 11은, 실시예에 따른 기판처리장치의 제어블록도이다.
입력부(101)는, 기판의 반송경로를 각 기판처리열(Ｌｕ, Ｌｄ)마다 설정하기 위한 정보를 입력할 수 있다. 이 입력부(101)에 입력된 정보는, 메인 컨트롤러(91)에 출력된다. 기판의 반송경로를 각 계층마다 설정하기 위한 정보로서는, 예를 들면, 각 계층에서 기판을 반송하는 처리유닛의 종류와 그 순번이다. 혹은, 시운전을 행하는 처리유닛 또는 처리 내용을 식별하는 정보이다. 한편, 기판처리열(Ｌｕ)의 반송경로를 설정하기 위한 정보는, 계층(Ｋ１, Ｋ２)의 각 반송경로에 나누어져 있어도 좋다. 기판처리열(Ｌｄ)에 관해서도 마찬가지이다.
입력부(101)는, 마우스나 키보드나 조이스틱이나 트랙볼이나 터치패널 등으로 대표되는 포인팅 디바이스로 구성되어 있다.
제어부(90)는, 도 12에 나타내는 바와 같이, 메인 컨트롤러(91)와 제1 내지 제7컨트롤러(93, 94, 95, 96, 97, 98, 99)를 구비하고 있다. 메인 컨트롤러(91)는, 제1 내지 제7컨트롤러(93∼99)를 통괄적으로 제어한다. 또한, 미리 설정되어 있는 처리 레시피, 또는/및, 입력부(101)에 입력된 정보에 의거해서, 제1 내지 제7컨트롤러(93∼99)를 개재시켜서 각(各) 주반송기구(Ｔ)를 제어해 각 계층(Ｋ)의 반송경로를 변경한다.
예를 들면, 메인 컨트롤러(91)는, 반송하는 처리유닛의 종류와 그 순번에 관한 정보에 의거해서, 각 기판(Ｗ)을 반송시키는 처리유닛과 그 순번을 결정하고, 또한, 그들을 잇는 반송경로를 결정한다. 혹은, 시운전을 행하는 처리유닛을 특정하는 정보에 의거해서, 특정된 처리유닛에만 반송하는 반송경로를 결정한다.
제1컨트롤러(93)는 ＩＤ용 반송기구(ＴＩＤ)에 의한 기판반송을 제어한다. 제2컨트롤러(94)는 주반송기구(Ｔ１)에 의한 기판반송과, 레지스트막용 도포처리유닛(ＲＥＳＩＳＴ１)과 반사방지막용 도포처리유닛(ＢＡＲＣ１)과 냉각유닛(ＣＰ１)과 가열냉각유닛(ＰＨＰ１)과 어드히전처리유닛(ＡＨＬ１)에서의 기판처리를 제어한다. 제3컨트롤러(95)는 주반송기구(Ｔ２)에 의한 기판반송과, 에지노광유닛(ＥＥＷ２)과 현상처리유닛(ＤＥＶ２)과 가열유닛(ＨＰ２)과 냉각유닛(ＣＰ２)에서의 기판처리를 제어한다. 제4, 제5컨트롤러(96, 97)의 제어는 각각 제2, 제3컨트롤러(94, 95)의 제어와 대응한다. 제6컨트롤러(98)는, 제1반송기구(ＴＩＦＡ)에 의한 기판반송과, 가열냉각유닛(ＰＨＰ２, ＰＨＰ４)에서의 기판처리를 제어한다. 제7컨트롤러(99)는, 제2반송기구(ＴＩＦＢ)에 의한 기판반송을 제어한다. 상술한 제1∼제7컨트롤러(93∼99)는 각각 서로 독립해서 제어를 행한다.
메인 컨트롤러(91) 및 제1∼제7컨트롤러(93∼99)는 각각, 각종 처리를 실행하는 중앙연산처리장치(CPU)와, 연산처리의 작업영역이 되는 ＲＡＭ(Random-Access Memory)과, 미리 설정되어 있는 처리 레시피(처리 프로그램) 등 각종정보를 기억하는 고정 디스크 등의 기억 매체 등에 의해 실현되어 있다.
다음으로, 실시예에 따른 기판처리장치의 동작에 관해, 기판(Ｗ)에 행하는 처리 공정을 각 기판처리열(Ｌｕ, Ｌｄ)에서 동일하게 하는 경우와, 기판(Ｗ)에 행하는 처리 공정을 각 기판처리열(Ｌｕ, Ｌｄ) 사이에서 다르게 하는 경우로 나누어서 설명한다. 한편, 각(各) 동작예에서 기판(Ｗ)의 반송경로는, 오퍼레이터에 의해 미리 입력부(101)에 입력된 정보에 의거한다.
[ 동작예 1∼기판(Ｗ)에 행하는 처리 공정을 각 기판처리열(Ｌｕ, Ｌｄ)에서 동일하게 하는 경우]
도 13은 기판(Ｗ)에 일련의 처리를 행할 때의 플로우 차트이며, 기판(Ｗ)의 반송경로, 즉, 기판(Ｗ)이 순차 반송되는 처리유닛과 재치부 등을 나타내는 것이다. 도 13에 나타내는 플로우 차트는, 도 1에 나타낸 공정과 대응하고 있다. 편의상, 도 1에서 나타낸 각종 처리를, 도 13에 괄호 내에 기재함으로써, 도 1에 나타낸 각종 처리와 도 13에 나타내는 각(各) 처리유닛의 대응관계를 명시한다. 또한, 도 14는, 각(各) 반송기구가 각각 반복하여 행하는 동작을 모식적으로 나타내는 도면이며, 반송기구가 액세스하는 처리유닛, 재치부 또는 카세트 등의 순서를 명시하는 것이다.
제어부(90)는, 미리 설정되어 있는 처리 레시피, 또는/및, 입력부(101)에 입력된 정보에 의거하여, 각 반송기구(Ｔ)를 동작시킨다. 이하에서는, 반송기구마다 나누어서 설명한다.
[ＩＤ용 반송기구(Ｔ ＩＤ )]
ＩＤ용 반송기구(ＴＩＤ)는 하나의 카세트(Ｃ)에 대향하는 위치로 이동하여, 카세트(Ｃ)에 수용되는 1매의 미처리된 기판(Ｗ)을 지지아암(25)에 지지해서 카세트(Ｃ)로부터 반출한다. ＩＤ용 반송기구(ＴＩＤ)는 지지아암(25)을 선회하여 승강 축(23)을 승강시켜서 재치부(ＰＡＳＳ１)에 대향하는 위치로 이동해, 지지하고 있는 기판(Ｗ)을 재치부(ＰＡＳＳ１Ａ)에 재치한다(도 13에서의 스텝 Ｓ１ａ에 대응한다. 이하, 스텝의 기호만 부기한다). 이때, 재치부(ＰＡＳＳ１Ｂ)에는 통상, 기판(Ｗ)이 재치되어 있으며, 이 기판(Ｗ)을 받아들여서 카세트(Ｃ)에 수납한다(스텝 Ｓ２３). 한편, 재치부(ＰＡＳＳ１Ｂ)에 기판(Ｗ)이 없는 경우는 스텝 Ｓ２３을 생략한다. 계속해서, ＩＤ용 반송기구(ＴＩＤ)는 카세트(Ｃ)에 액세스해서, 카세트(Ｃ)에 수용되는 기판(Ｗ)을 재치부(ＰＡＳＳ３Ａ)에 반송한다(스텝 Ｓ１ｂ). 여기서도, 재치부(ＰＡＳＳ３Ｂ)에 기판(Ｗ)이 재치되어 있으면, 이 기판(Ｗ)을 카세트(Ｃ)에 수납한다(스텝 Ｓ２３). ＩＤ용 반송기구(ＴＩＤ)는 상술한 동작을 반복하여 행한다.
이와 같은 ＩＤ용 반송기구(ＴＩＤ)의 동작은, 제1컨트롤러(93)에 의해 제어되고 있다. 이에 의해, 카세트(Ｃ)의 기판(Ｗ)을 계층(Ｋ１)에 보냄과 아울러, 계층(Ｋ１)으로부터 꺼내진 기판(Ｗ)을 카세트(Ｃ)에 수용한다. 마찬가지로, 카세트(Ｃ)의 기판(Ｗ)을 계층(Ｋ３)에 보냄과 아울러, 계층(Ｋ３)으로부터 꺼내진 기판(Ｗ)을 카세트(Ｃ)에 수용한다.
[주반송기구(Ｔ １ , Ｔ ３ )]
주반송기구(Ｔ３)의 동작은 주반송기구(Ｔ１)의 동작과 거의 동일하므로, 주반송기구(Ｔ１)에 관해서만 설명한다. 주반송기구(Ｔ１)는 재치부(ＰＡＳＳ１)에 대향하는 위치로 이동한다. 이때, 주반송기구(Ｔ１)는 직전에 재치부(ＰＡＳＳ２Ｂ)로부터 받아들인 기판(Ｗ)을 한쪽 지지아암(57)(예를 들면 57b)에 지지하고 있다. 주반송기구(Ｔ１)는 지지하고 있는 기판(Ｗ)을 재치부(ＰＡＳＳ１Ｂ)에 재치함과 아울러(스텝 Ｓ２２), 다른쪽 지지아암(57)(예를 들면 57a)으로 재치부(ＰＡＳＳ１Ａ)에 재치되어 있는 기판(Ｗ)을 지지한다.
주반송기구(Ｔ１)는 냉각유닛(ＣＰ１)에 액세스한다. 냉각유닛(ＣＰ１)에는 이미 냉각처리가 종료한 다른 기판(Ｗ)이 있다. 주반송기구(Ｔ１)는 빈(기판(Ｗ)을 지지하고 있지 않음) 지지아암(57)으로 다른 기판(Ｗ)을 지지해서 냉각유닛(ＣＰ１)으로부터 반출함과 아울러, 재치부(ＰＡＳＳ１Ａ)로부터 받아들인 기판(Ｗ)을 냉각유닛(ＣＰ１)에 반입한다. 그리고, 주반송기구(Ｔ１)는 냉각된 기판(Ｗ)을 지지해서 반사방지막용 도포처리유닛(ＢＡＲＣ１)으로 이동한다. 냉각유닛(ＣＰ１)은 반입된 기판(Ｗ)에 대해 냉각처리를 개시한다(스텝 Ｓ２, 본 스텝 Ｓ２에서 냉각처리유닛(ＣＰ１)에 의한 처리는, 도 1에서의 냉각처리(Ｔ１ｕ)에 해당한다. 이하, 도 1에 나타낸 처리만을 적당히 부기한다). 이 열처리(냉각)는, 해당 냉각처리유닛(ＣＰ１)에 주반송기구(Ｔ１)가 다음에 액세스할 때는 이미 종료되어 있다. 이하의 설명에서는, 그 외 각종 열처리유닛(41)과 도포처리유닛(31)에서도, 주반송기구(Ｔ１)가 액세스할 때, 각각 소정 처리를 끝낸 기판(Ｗ)이 이미 있는 것으로 한다.
반사방지막용 도포처리유닛(ＢＡＲＣ１)에 액세스하면, 주반송기구(Ｔ１)는 반사방지막용 도포처리유닛(ＢＡＲＣ１)으로부터 반사방지막이 형성된 기판(Ｗ)을 반출함과 아울러, 냉각된 기판(Ｗ)을 반사방지막용 도포처리유닛(ＢＡＲＣ１)의 회전지지부(32)에 둔다. 그 후, 주반송기구(Ｔ１)는 반사방지막이 형성된 기판(Ｗ)을 지지해서 가열냉각유닛(ＰＨＰ１)으로 이동한다. 반사방지막용 도포처리유닛(ＢＡＲＣ１)은 회전지지부(32)에 재치된 기판(Ｗ)에 대해 반사방지막 재료 도포처리를 개시한다(스텝 Ｓ３ａ-반사방지막 재료 도포처리(Ｔ２ｕ)).
구체적으로는, 회전지지부(32)가 기판(Ｗ)을 수평자세로 회전시킴과 아울러, 파지부(36)로 하나의 노즐(35)을 파지하여, 노즐이동기구(37)의 구동에 의해 파지한 노즐(35)을 기판(Ｗ)의 상방으로 이동시켜, 노즐(35)로부터 반사방지막용 처리액을 기판(Ｗ)에 공급한다. 공급된 처리액은 기판(Ｗ)의 전면(全面)에 퍼져, 기판(Ｗ)으로부터 버려진다. 컵(33)은 버려진 처리액을 회수한다. 이와 같이 하여, 기판(Ｗ)에 반사방지막을 도포형성하는 처리가 행해진다.
주반송기구(Ｔ１)는 가열냉각유닛(ＰＨＰ１)에 액세스하면, 가열냉각유닛(ＰＨＰ１)으로부터 열처리가 끝난 기판(Ｗ)을 반출함과 아울러, 반사방지막이 형성된 기판(Ｗ)을 가열냉각유닛(ＰＨＰ１)에 투입한다. 그 후, 주반송기구(Ｔ１)는 가열냉각유닛(ＰＨＰ１)으로부터 반출한 기판(Ｗ)을 지지해서 냉각유닛(ＣＰ１)으로 이동한다. 가열냉각유닛(ＰＨＰ１)에서는 2개의 플레이트(43) 상에 순차, 기판(Ｗ)을 재치해서, 하나의 플레이트(43) 상에서 기판(Ｗ)을 가열한 후에 다른 플레이트(43) 상에서 기판(Ｗ)을 냉각한다(스텝 Ｓ４ａ-가열/냉각처리(Ｔ３ｕ)).
주반송기구(Ｔ１)는 냉각유닛(ＣＰ１)으로 이동하면, 냉각유닛(ＣＰ１) 내의 기판(Ｗ)을 반출함과 아울러, 지지하고 있는 기판(Ｗ)을 냉각유닛(ＣＰ１)에 반입한다. 냉각유닛(ＣＰ１)은 반입된 기판(Ｗ)을 냉각한다(스텝 Ｓ５ａ-냉각처리(Ｔ４ｕ)).
계속해서, 주반송기구(Ｔ１)는 레지스트막용 도포처리유닛(ＲＥＳＩＳＴ１)으로 이동한다. 그리고, 레지스트막용 도포처리유닛(ＲＥＳＩＳＴ１)으로부터 레지스트막이 형성된 기판(Ｗ)을 반출함과 아울러, 지지하고 있는 기판(Ｗ)을 레지스트막용 도포처리유닛(ＲＥＳＩＳＴ１)에 반입한다. 레지스트막용 도포처리유닛(ＲＥＳＩＳＴ１)은 반입된 기판(Ｗ)을 회전시키면서 레지스트막 재료를 도포한다(스텝 Ｓ６ａ-레지스트막 재료 도포처리(Ｔ５ｕ)).
주반송기구(Ｔ１)는 또한 가열냉각유닛(ＰＨＰ１)과 냉각유닛(ＣＰ１)으로 이동한다. 그리고, 레지스트막이 형성된 기판(Ｗ)을 가열냉각유닛(ＰＨＰ１)에 반입하고, 가열냉각유닛(ＰＨＰ１)에서 처리가 끝난 기판(Ｗ)을 냉각유닛(ＣＰ１)에 옮김과 아울러, 이 냉각유닛(ＣＰ１)에서 처리가 끝난 기판(Ｗ)을 받아들인다. 가열냉각유닛(ＰＨＰ１)과 냉각유닛(ＣＰ１)은 각각 미처리된 기판(Ｗ)에 소정 처리를 행한다(스텝 Ｓ７ａ-가열/냉각처리(Ｔ６ｕ), 스텝 Ｓ８ａ-냉각처리(Ｔ７ｕ)).
주반송기구(Ｔ１)는 재치부(ＰＡＳＳ２)로 이동해서, 지지하고 있는 기판(Ｗ)을 재치부(ＰＡＳＳ２Ａ)에 재치하고(스텝 Ｓ９ａ), 재치부(ＰＡＳＳ２Ｂ)에 재치되어 있는 기판(Ｗ)을 받아들인다(스텝 Ｓ２１ａ).
그 후, 주반송기구(Ｔ１)는 다시 재치부(ＰＡＳＳ１)에 액세스해서 상술한 동작을 반복하여 행한다. 이 동작은 제2컨트롤러(94)에 의해 제어되고 있다. 이에 의해, 카세트(Ｃ)로부터 재치부(ＰＡＳＳ１)에 반송된 기판(Ｗ)은 모두, 계층(Ｋ１)에서 각종 처리유닛 사이를 상술한 반송경로로 반송되고, 반송된 각 처리유닛에서 소정 처리가 순차 행해진다.
또한, 주반송기구(Ｔ１)는, 재치부(ＰＡＳＳ１)에 반송된 기판(Ｗ)을 소정의 처리유닛(본 실시예에서는 냉각유닛(ＣＰ１))에 반송함과 아울러, 해당 처리유닛으로부터 처리완료된 기판(Ｗ)을 꺼낸다. 계속해서, 꺼낸 기판(Ｗ)을 다음 처리유닛(본 실시예에서 반사방지막용 도포처리유닛(ＢＡＲＣ１))에 반송함과 아울러 이 처리유닛으로부터 처리완료된 기판(Ｗ)을 꺼낸다. 이와 같이, 각 처리유닛에서 처리가 끝난 기판(Ｗ)을 각각 새로운 처리유닛에 옮김으로써, 복수의 기판(Ｗ)에 관해 병행해서 처리를 진행시킨다. 그리고, 먼저 재치부(ＰＡＳＳ１)에 재치된 기판(Ｗ)부터 순서대로 재치부(ＰＡＳＳ２)에 재치해서, 계층(Ｋ２)으로 꺼낸다. 마찬가지로, 먼저 재치부(ＰＡＳＳ２)에 재치된 기판(Ｗ)부터 순서대로 재치부(ＰＡＳＳ１)에 재치해서, ＩＤ부(1)로 꺼낸다.
[주반송기구(Ｔ ２ , Ｔ ４ )]
주반송기구(Ｔ４)의 동작은 주반송기구(Ｔ２)의 동작과 거의 동일하므로, 주반송기구(Ｔ２)에 관해서만 설명한다. 주반송기구(Ｔ２)는 재치부(ＰＡＳＳ２)에 대향하는 위치로 이동한다. 이때, 주반송기구(Ｔ２)는 직전에 액세스한 냉각유닛(ＣＰ２)으로부터 받아들인 기판(Ｗ)을 지지하고 있다. 주반송기구(Ｔ２)는 지지하고 있는 기판(Ｗ)을 재치부(ＰＡＳＳ２Ｂ)에 재치함과 아울러(스텝 Ｓ２１ａ), 재치부(ＰＡＳＳ２Ａ)에 재치되어 있는 기판(Ｗ)을 지지한다(스텝 Ｓ９ａ).
주반송기구(Ｔ２)는 에지노광유닛(ＥＥＷ２)에 액세스한다. 그리고, 에지노광유닛(ＥＥＷ２)에서 소정 처리가 행해진 기판(Ｗ)을 받아들임과 아울러, 냉각된 기판(Ｗ)을 에지노광유닛(ＥＥＷ２)에 반입한다. 에지노광유닛(ＥＥＷ２)은 반입된 기판(Ｗ)을 회전시키면서, 도시 생략된 광조사부로부터 기판(Ｗ)의 주연부(周緣部)에 광(光)을 조사한다. 이에 의해 기판(Ｗ)의 주변을 노광한다(스텝 Ｓ１０ａ-에지노광(Ｔ８ｕ)).
주반송기구(Ｔ２)는 에지노광유닛(ＥＥＷ２)으로부터 받아들인 기판(Ｗ)을 지지해서 재치부(ＰＡＳＳ５)에 액세스한다. 그리고, 지지하고 있는 기판(Ｗ)을 재치부(ＰＡＳＳ５Ａ)에 재치하고(스텝 Ｓ１１ａ), 재치부(ＰＡＳＳ５Ｂ)에 재치되어 있는 기판(Ｗ)을 지지한다(스텝 Ｓ１６ａ).
주반송기구(Ｔ２)는 냉각유닛(ＣＰ２)으로 이동해서, 지지하고 있는 기판(Ｗ)을 냉각유닛(ＣＰ２) 내의 기판(Ｗ)과 바꿔 넣는다. 주반송기구(Ｔ２)는 냉각처리가 끝난 기판(Ｗ)을 지지해서 현상처리유닛(ＤＥＶ２)에 액세스한다. 냉각유닛(ＣＰ２)은 새로 반입된 기판(Ｗ)에 대해 처리를 개시한다(스텝 Ｓ１７ａ-냉각처리(Ｔ１１ｕ)).
주반송기구(Ｔ２)는 현상처리유닛(ＤＥＶ２)으로부터 현상된 기판(Ｗ)을 반출함과 아울러, 냉각된 기판(Ｗ)을 현상처리유닛(ＤＥＶ２)의 회전지지부(77)에 둔다. 현상처리유닛(ＤＥＶ２)은 회전지지부(77)에 두어진 기판(Ｗ)을 현상한다(스텝 Ｓ１８ａ-현상처리(Ｔ１２ｕ)). 구체적으로는, 회전지지부(77)가 기판(Ｗ)을 수평자세로 회전시키면서, 어느 하나의 슬릿노즐(81a)로부터 기판(Ｗ)에 현상액을 공급해서 기판(Ｗ)을 현상한다.
주반송기구(Ｔ２)는 현상된 기판(Ｗ)을 지지해서 가열유닛(ＨＰ２)에 액세스한다. 그리고, 가열유닛(ＨＰ２)으로부터 기판(Ｗ)을 반출함과 아울러, 지지하는 기판(Ｗ)을 가열유닛(ＨＰ２)에 투입한다. 계속해서, 주반송기구(Ｔ２)는 가열유닛(ＨＰ２)으로부터 반출한 기판(Ｗ)을 냉각유닛(ＣＰ２)에 반송함과 아울러, 이 냉각유닛(ＣＰ２)에서 이미 처리가 끝난 기판(Ｗ)을 꺼낸다. 가열유닛(ＨＰ２)과 냉각유닛(ＣＰ２)은 각각 미처리된 기판(Ｗ)에 소정 처리를 행한다(스텝 Ｓ１９ａ-가열처리(Ｔ１３ｕ), 스텝 Ｓ２０ａ-냉각처리(Ｔ１４ｕ)).
그 후, 주반송기구(Ｔ２)는 다시 재치부(ＰＡＳＳ２)에 액세스해서 상술한 동작을 반복하여 행한다. 한편, 이 동작은 제3컨트롤러(95)에 의해 제어되고 있다. 이에 의해, 재치부(ＰＡＳＳ２Ａ)에 재치된 순번대로 기판(Ｗ)이 재치부(ＰＡＳＳ５Ａ)에서 꺼내진다. 마찬가지로, 또한, 기판(Ｗ)을 재치부(ＰＡＳＳ５Ｂ)에 재치된 순번대로 기판(Ｗ)이 재치부(ＰＡＳＳ２Ｂ)에서 꺼내진다.
[ＩＦ용 반송기구(Ｔ ＩＦ )∼제1반송기구(Ｔ ＩＦＡ )]
제1반송기구(ＴＩＦＡ)는 재치부(ＰＡＳＳ５)에 액세스하여, 재치부(ＰＡＳＳ５Ａ)에 재치되는 기판(Ｗ)을 받아들인다(스텝 Ｓ１１ａ). 제1반송기구(ＴＩＦＡ)는 받아들인 기판(Ｗ)을 지지해서 재치부(ＰＡＳＳ-ＣＰ)로 이동하여, 재치부(ＰＡＳＳ-ＣＰ) 내에 반입한다(스텝 Ｓ１２).
다음으로, 제1반송기구(ＴＩＦＡ)는 재치부(ＰＡＳＳ７)로부터 기판(Ｗ)을 받아들여(스텝 Ｓ１４), 가열냉각유닛(ＰＨＰ２)에 대향하는 위치로 이동한다. 그리고, 제1반송기구(ＴＩＦＡ)는 가열냉각유닛(ＰＨＰ２)으로부터 이미 ＰＥＢ처리가 끝난 기판(Ｗ)을 꺼내, 재치부(ＰＡＳＳ７)로부터 받아들인 기판(Ｗ)을 가열냉각유닛(ＰＨＰ２)에 반입한다. 가열냉각유닛(ＰＨＰ２)은 미처리된 기판(Ｗ)을 열처리한다(스텝 Ｓ１５ａ-ＰＥＢ처리(Ｔ１０ｕ)).
제1반송기구(ＴＩＦＡ)는 가열냉각유닛(ＰＨＰ２)으로부터 꺼낸 기판(Ｗ)을 재치부(ＰＡＳＳ５Ｂ)에 반송한다(스텝 Ｓ１６ａ). 계속해서, 제1반송기구(ＴＩＦＡ)는 재치부(ＰＡＳＳ６Ａ)에 재치되는 기판(Ｗ)을 재치부(ＰＡＳＳ-ＣＰ)에 반송한다(스텝 Ｓ１１ｂ, Ｓ１２). 다음으로, 제1반송기구(ＴＩＦＡ)는 재치부(ＰＡＳＳ７)로부터 가열냉각유닛(ＰＨＰ４)으로 반송한다. 이때, 이미 가열냉각유닛(ＰＨＰ４)에서의 ＰＥＢ처리가 끝난 기판(Ｗ)을 꺼내서 재치부(ＰＡＳＳ６Ｂ)에 재치한다(스텝 Ｓ１４, 스텝 Ｓ１５ｂ-ＰＥＢ처리(Ｔ１０ｄ), 스텝 Ｓ１６ｂ).
그 후, 제1반송기구(ＴＩＦＡ)는 다시 재치부(ＰＡＳＳ５)에 액세스해서 상술한 동작을 반복하여 행한다. 한편, 이 동작은 제6컨트롤러(98)에 의해 제어되고 있다.
[ＩＦ용 반송기구(Ｔ ＩＦ )∼제2반송기구(Ｔ ＩＦＢ )]
제2반송기구(ＴＩＦＢ)는 재치부(ＰＡＳＳ-ＣＰ)로부터 기판(Ｗ)을 꺼내서, 노광기(ＥＸＰ)에 반송한다. 노광기(ＥＸＰ)에서는 기판(Ｗ)을 노광한다(스텝 Ｓ１３-노광(Ｔ９)). 그리고, 노광기(ＥＸＰ)로부터 꺼내어진 노광완료된 기판(Ｗ)을 받아들이면, 재치부(ＰＡＳＳ７)에 반송한다.
그 후, 제2반송기구(ＴＩＦＢ)는 다시 재치부(ＰＡＳＳ-ＣＰ)에 액세스해서 상술한 동작을 반복하여 행한다.
[ 동작예 2∼기판(Ｗ)에 행하는 처리 공정을 각 기판처리열 (Ｌｕ, Ｌｄ) 사이에서 다르게 하는 경우]
다음으로, 동작예 2를 설명한다. 도 15는 기판(Ｗ)에 일련의 처리를 행할 때의 플로우 차트이며, 기판(Ｗ)의 반송경로, 즉, 기판(Ｗ)이 순차 반송되는 처리유닛 또는 재치부 등을 나타내는 것이다. 도 15에 나타내는 플로우 차트는, 도 2에 나타낸 공정과 대응하고 있다. 편의상, 도 2에서 나타낸 각종 처리를, 도 15에 괄호 쓰기 함으로써, 도 2에 나타낸 각종 처리와 도 15에 나타내는 처리유닛의 대응관계를 명시한다. 또한, 도 16은, 각 반송기구가 각각 반복하여 행하는 동작을 모식적으로 나타내는 도면이며, 반송기구가 액세스하는 처리유닛, 재치부 또는 카세트 등의 순서를 명시하는 것이다.
제어부(90)는, 미리 설정되어 있는 처리 레시피, 또는/및, 입력부(101)에 입력된 정보에 의거해서 각 반송기구(Ｔ)를 동작시킨다.
이하에서는, 반송기구마다 나누어서 설명한다. 다만, 동작예 1과 마찬가지인 동작을 하는 반송기구 등에는, 적당히 간략하게 설명한다.
[ＩＤ용 반송기구(Ｔ ＩＤ )]
ＩＤ용 반송기구(ＴＩＤ)의 동작은, 동작예 1에서 설명한 ＩＤ용 반송기구(ＴＩＤ)의 동작과 마찬가지이다. 이 때문에, 설명을 생략한다.
[주반송기구(Ｔ １ , Ｔ ３ )]
주반송기구(Ｔ１)의 동작은, 동작예 1에서 설명한 주반송기구(Ｔ１)의 동작과 마찬가지이다. 따라서, 주반송기구(Ｔ１)의 동작 설명은 생략하고, 주반송기구(Ｔ３)에 관해 설명한다.
주반송기구(Ｔ３)는 재치부(ＰＡＳＳ３)에 대향하는 위치로 이동한다. 이때, 주반송기구(Ｔ３)는 직전에 재치부(ＰＡＳＳ４Ｂ)로부터 받아들인 기판(Ｗ)을 한쪽 지지아암(57)(예를 들면 57b)으로 지지하고 있다. 주반송기구(Ｔ３)는 지지하고 있는 기판(Ｗ)을 재치부(ＰＡＳＳ３Ｂ)에 재치함과 아울러(스텝 Ｓ２２ｂ), 다른쪽 지지아암(57)(예를 들면 57a)으로 재치부(ＰＡＳＳ３Ａ)에 재치되어 있는 기판(Ｗ)을 지지한다(스텝 １ｂ).
주반송기구(Ｔ３)는 레지스트막용 도포처리유닛(ＲＥＳＩＳＴ３)에 액세스한다. 그리고, 레지스트막용 도포처리유닛(ＲＥＳＩＳＴ３)으로부터 레지스트막이 형성된 기판(Ｗ)을 반출함과 아울러, 지지하고 있는 기판(Ｗ)을 레지스트막용 도포처리유닛(ＲＥＳＩＳＴ３)에 반입한다. 레지스트막용 도포처리유닛(ＲＥＳＩＳＴ３)은 반입된 기판(Ｗ)을 회전시키면서 레지스트막 재료를 도포한다(스텝 Ｓ６ｂ-레지스트막 재료 도포처리(Ｔ２１ｄ)).
그 후, 주반송기구(Ｔ１)는 다시 재치부(ＰＡＳＳ３)에 액세스해서 상술한 동작을 반복하여 행한다. 이 동작은 제4컨트롤러(96)에 의해 제어되고 있다. 이에 의해, 카세트(Ｃ)로부터 재치부(ＰＡＳＳ３)에 반송된 기판(Ｗ)은 모두, 계층(Ｋ２)에서 레지스트막용 도포처리유닛(ＲＥＳＩＳＴ３)에만 반송하는 반송경로로 반송된다. 그리고, 반송된 레지스트막용 도포처리유닛(ＲＥＳＩＳＴ３)에서 레지스트막 재료 도포처리만이 행해진다.
[주반송기구(Ｔ ２ , Ｔ ４ )]
주반송기구(Ｔ２)의 동작은, 동작예 1에서 설명한 주반송기구(Ｔ２)의 동작과 마찬가지이다. 따라서, 주반송기구(Ｔ２)의 동작 설명은 생략한다. 주반송기구(Ｔ４)는, 기판(Ｗ)을 반송하는 동작을 일체 행하지 않는다. 예를 들면, 제5컨트롤러(97)는, 주반송기구(Ｔ４)를 정지시킨 상태로 하게 한다.
[ＩＦ용 반송기구(Ｔ ＩＦ )∼제1반송기구(Ｔ ＩＦＡ )]
제1반송기구(ＴＩＦＡ)는 재치부(ＰＡＳＳ５)에 액세스하여, 재치부(ＰＡＳＳ５Ａ)에 재치되는 기판(Ｗ)을 받아들인다(스텝 Ｓ１１ａ). 제1반송기구(ＴＩＦＡ)는 받아들인 기판(Ｗ)을 지지해서 재치부(ＰＡＳＳ-ＣＰ)로 이동하여, 재치부(ＰＡＳＳ-ＣＰ) 내에 반입한다(스텝 Ｓ１２).
다음으로, 제1반송기구(ＴＩＦＡ)는 재치부(ＰＡＳＳ７)로부터 기판(Ｗ)을 받아들여(스텝 Ｓ１４), 가열냉각유닛(ＰＨＰ２)에 대향하는 위치로 이동한다. 그리고, 제1반송기구(ＴＩＦＡ)는 가열냉각유닛(ＰＨＰ２)으로부터 이미 노광후 가열(ＰＥＢ)처리가 끝난 기판(Ｗ)을 꺼내, 재치부(ＰＡＳＳ７)로부터 받아들인 기판(Ｗ)을 가열냉각유닛(ＰＨＰ２)에 반입한다. 가열냉각유닛(ＰＨＰ２)은 미처리된 기판(Ｗ)을 열처리한다(스텝 Ｓ１５-ＰＥＢ처리(Ｔ１０ｕ)). 제1반송기구(ＴＩＦＡ)는 가열냉각유닛(ＰＨＰ２)으로부터 꺼낸 기판(Ｗ)을 재치부(ＰＡＳＳ５Ｂ)에 반송한다(스텝 Ｓ１６ａ).
그 후, 제1반송기구(ＴＩＦＡ)는 다시 재치부(ＰＡＳＳ５)에 액세스해서 상술한 동작을 반복하여 행한다.
[ＩＦ용 반송기구(Ｔ ＩＦ )∼제2반송기구(Ｔ ＩＦＢ )]
제2반송기구(ＴＩＦＢ)의 동작은, 동작예 1에서 설명한 제2반송기구(ＴＩＦＢ)의 동작과 마찬가지이다. 따라서, 제2반송기구(ＴＩＦＢ)의 동작 설명은 생략한다.
이상이, 동작예 2이다. 그렇지만, 기판처리열(Ｌｕ, Ｌｄ)에서의 각 공정은 동작예 1, 2에 한정되지 않는다. 본 실시예의 개요 설명에서 상술한 바와 같이, 기판처리열(Ｌｕ, Ｌｄ)에서의 각 공정은 극히 유연하게 변경할 수 있다. 이와 같이, 실시예에 따른 기판처리장치에 의하면, 기판처리열(Ｌｕ, Ｌｄ)에서의 처리 공정을 변경하는 제어부(90)를 구비하고 있으므로, 동작예 2에서 설명한 바와 같이, 기판처리열(Ｌｕ, Ｌｄ)에서는 서로 다른 처리를 기판(Ｗ)에 병행해서 행할 수 있다. 따라서, 기판(Ｗ)을 기판처리열(Ｌｕ, Ｌｄ) 중 어느 하나로 선택적으로 반송함으로써, 기판(Ｗ)에 행하는 처리 공정을 기판(Ｗ)마다 바꿀 수 있다. 또한, 동작예 1에서 설명한 바와 같이, 기판(Ｗ)에 행하는 처리 공정을 기판처리열(Ｌｕ, Ｌｄ) 사이에서 동일하게 할 수 있다. 이에 의해, 본 장치(10)의 기판처리능력을 높일 수 있다.
구체적으로는, 동작예 1에서는, 모든 기판처리열(Ｌ)에서, 기판(Ｗ)에 도포현상공정을 진행시킨다. 본 실시예에서는, 레지스트막 재료 도포처리와 현상처리 외에, 열처리도 포함한다. 이 때문에, 기판(Ｗ)에 레지스트막을 적합하게 형성할 수 있고, 또, 기판(Ｗ)을 적합하게 현상할 수 있다.
또한, 동작예 2에서는, 기판처리열(Ｌｕ)에서 기판(Ｗ)에 도포현상공정을 행하면서, 기판처리열(Ｌｄ)에서 레지스트막 재료 도포처리만으로 이루어지는 공정을 행한다. 레지스트막 재료 도포처리는 단일 처리이며, 레지스트막용 도포처리유닛(ＲＥＳＩＳＴ)에서 행해진다. 이 때문에, 레지스트막 재료 도포처리의 처리품질을 검사, 검증한다든지, 레지스트막용 도포처리유닛(ＲＥＳＩＳＴ)의 시운전을 행하는 경우에는, 동작예 2에서 설명한 바와 같이 동작시킴으로써, 본 장치의 가동율이 대폭으로 저하하는 것을 억제할 수 있다.
또한, 처리부(3)는 처리블록(Ｂａ, Ｂｂ)을 나란히 놓아 구성되며, 상술하는 기판처리열(Ｌｕ)은 각 처리블록(Ｂａ, Ｂｂ)의 동일한 계층(Ｋ１-Ｋ２)에 구성됨과 아울러, 기판처리열(Ｌｄ)도 각 처리블록(Ｂａ, Ｂｂ)의 동일한 계층(Ｋ３-Ｋ４)에 구성되어 있다. 그리고, 제어부(90)가 각 계층(Ｋ１-Ｋ４)의 주반송기구(Ｔ１-Ｔ４)를 각각 제어해서 각 계층(Ｋ１-Ｋ４)에서의 기판(Ｗ)의 반송경로를 변경함으로써, 기판처리열(Ｌｕ, Ｌｄ)에서의 각 공정을 별개 독립적으로 변경할 수 있다. 바꿔 말하면, 각 처리블록(Ｂａ, Ｂｂ)의 동일한 계층(Ｋ１-Ｋ２)에서의 일련의 처리, 및, 동일한 계층(Ｋ３-Ｋ４)에서의 일련의 처리를 각각 변경할 수 있다.
또한, 입력부(101)를 구비하고, 제어부(90)가 이 입력부(101)에 입력된 정보에 의거해서 제어함으로써, 입력부(101)를 조작하는 오퍼레이터가 반송경로의 변경을 적합하게 지시할 수 있다.
또한, 입력부(101)에 입력되는 정보는, 각 기판처리열(Ｌｕ, Ｌｄ)에서 기판(Ｗ)에 행하는 처리 종류와 그 순번에 관한 정보와, 시운전을 행하는 처리유닛/처리 내용을 식별하는 정보이므로, 제어부(90)는 적합하게 반송경로를 결정할 수 있다.
또한, 처리블록(Ｂａ)의 양측 쪽에 처리블록(Ｂｂ)과 ＩＤ부(1)를 인접시키고 있으므로, 도포처리유닛(31)에서 처리한 기판(Ｗ)을, 처리블록(Ｂａ)으로부터 처리블록(Ｂｂ)에 반송시킴으로써, 기판(Ｗ)에 처리액을 도포하는 처리와, 기판(Ｗ)에 현상액을 공급하는 처리를 포함하는 일련의 처리를 원활하게 행할 수 있다. 또한, 도포처리유닛(31)에서 처리한 기판(Ｗ)을, 처리블록(Ｂａ)으로부터 ＩＤ부(1)에 기판(Ｗ)을 반송시킴으로써, 기판(Ｗ)에 처리액을 도포하는 처리만을 행하여, 신속하게 카세트(Ｃ)에 되돌릴 수 있다.
또한, 처리블록(Ｂｂ)에 ＩＦ부(5)를 인접시키고 있으므로, 처리블록(Ｂｂ)으로부터 ＩＦ부(5)를 경유하여 노광기(ＥＸＰ)에 기판(Ｗ)을 반송시켜서, 노광기(ＥＸＰ)에서 노광된 기판(Ｗ)을 현상처리유닛(ＤＥＶ)에서 현상시킬 수 있다. 또한, 처리블록(Ｂｂ)으로부터 노광기(ＥＸＰ)에 기판(Ｗ)을 반송시킴이 없이, 처리블록(Ｂｂ)의 현상처리유닛(ＤＥＶ)에서 노광되어 있지 않은 기판(Ｗ)을 현상시킬 수도 있다.
본 발명은, 상기 실시형태에 한정됨이 없이, 하기와 같이 변형 실시할 수 있다.
(1) 상술한 실시예에서는, 동작예 1, 2를 설명했지만, 이에 한정되지 않는다.
도 17을 참조한다. 변형예에 따른 기판처리장치의 개략 구성을 나타내는 모식도이다. 도시하는 변형예에서는, 기판처리열(Ｌｕ, Ｌｄ) 사이에서, 기판(Ｗ)에 행하는 처리 공정은 다르다. 기판처리열(Ｌｕ)의 공정은, 도포현상공정이다. 기판처리열(Ｌｄ)의 공정은 종류가 다른 복수의 처리로 구성되며, 최초 3개의 처리(냉각처리(Ｔ１ｕ), 반사방지막 재료 도포처리(Ｔ２ｕ) 및 가열/냉각처리(Ｔ３ｕ))를 행하지 않는 이외는, 도포현상공정과 동일하다. 도포현상공정의 최초 3개의 처리는, 반사방지막용 재료 도포처리(Ｔ２)와 이에 관련된 열처리(Ｔ１, Ｔ３)이며, 기판(Ｗ)에 반사방지막을 형성하기 위한 공정이라고 할 수 있다.
이 변형예에서, ＩＤ부(1)(ＩＤ용 반송기구(ＴＩＤ))는, 카세트(Ｃ)로부터 꺼낸 기판(Ｗ)을 기판처리열(Ｌｕ, Ｌｄ) 중 어느 하나에 반송하고, 기판처리열(Ｌｕ, Ｌｄ)로부터 꺼내진 기판(Ｗ)을 카세트(Ｃ)에 되돌려준다. 이와 같은 ＩＤ부(1)(ＩＤ용 반송기구(ＴＩＤ))의 기판반송에 의해, 기판(Ｗ)을 기판처리열(Ｌｕ, Ｌｄ) 중 어느 하나에서의 공정으로 처리할 수 있다.
또한, 이 변형예에서, ＩＤ부(1)(ＩＤ용 반송기구(ＴＩＤ))는, 카세트(Ｃ)로부터 꺼낸 기판(Ｗ)을 모두 기판처리열(Ｌｕ)에 반송하고, 기판처리열(Ｌｕ)로부터 꺼내진 기판(Ｗ)을 기판처리열(Ｌｄ)에 반송하며, 기판처리열(Ｌｄ)로부터 꺼내진 기판(Ｗ)을 카세트(Ｃ)에 되돌려준다. 이와 같은 ＩＤ부(1)(ＩＤ용 반송기구(ＴＩＤ))의 기판반송에 의해, 모든 기판(Ｗ)을 기판처리열(Ｌｕ)에서의 공정에 이어 기판처리열(Ｌｄ)에서의 공정으로 처리할 수 있다. 이와 같은 동작예에 의하면, 기판(Ｗ) 상의 동일한 산화막에 2회 이상, 패턴을 형성하는 2번 노광을 적합하게 행할 수 있다.
(2) 상술한 실시예에서는, 도포현상공정으로서, 도 1, 도 2에 나타내는 바와 같이, 각종 처리(Ｔ１-Ｔ８, Ｔ１０-Ｔ１４)를 이 순번으로 행하는 공정을 예시했지만, 이에 한정됨이 없이, 적합하게 변경할 수 있다.
(3) 상술한 실시예에서는, 별체의 노광기(ＥＸＰ)가 본 장치(10)에 인접해 있는 경우로 설명했지만, 이에 한정되지 않는다. 본 장치(10)는 노광기(ＥＸＰ)와 인접하지 않는 경우라도 좋다.
(4) 상술한 실시예에서는, 기판처리열(Ｌ)을 2개 구비하는 구성이었지만, 이에 한정되지 않는다. 셋 이상의 기판처리열(Ｌ)을 구성해서 상하방향으로 다단으로 설치하도록 변경해도 좋다. 이 경우, 각 기판처리열(Ｌ)에서의 공정을 일률적으로 동일하게 하는 것이 가능하며, 또, 각 기판처리열(Ｌ)에서의 공정을 적어도 2종 이상으로 하는 것이 가능하도록 구성된다. 한편, 각 기판처리열(Ｌ)의 공정을 모두 다르도록 함이 가능하게 구성되어 있어도 좋다.
(5) 상술한 실시예에서는, 기판처리열(Ｌ)은 상하방향으로 나란히 설치되어 있지만, 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 횡방향 또는 수평방향으로 나란히 설치되어 있는 복수의 기판처리열(Ｌ)을 구비하도록 변경해도 좋다. 혹은, 복수의 기판처리열(Ｌ)을 횡방향 및 상하방향으로 각각 나란하도록 배치해도 좋다.
(6) 상술한 실시예에서는, 처리부(3)를 복수의 처리블록(Ｂａ, Ｂｂ)을 나란히 구성했지만, 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 처리부(3)를 1개의 상하방향으로 나누어진 계층을 가지는 단일 처리블록으로 구성해도 좋다. 기판처리열(Ｌｕ)을 구성하는 단일 처리블록과, 기판처리열(Ｌｄ)을 구성하는 단일 처리블록을 상하에 적층해도 좋다.
(7) 상술한 실시예에서는, 기판처리열(Ｌ)은 도포현상공정의 전부 또는 일부 등을 행하는 것이었지만, 이에 한정되지 않는다. 기판처리열(Ｌ)에서 세정처리 등 그 외 처리를 기판(Ｗ)에 행하도록 변경해도 좋다. 이에 의해, 각 처리유닛의 종류, 개수 등은 적합하게 선택, 설계된다. 또한, ＩＦ부(5)를 생략해서 기판처리장치를 구성해도 좋다.
본 발명은, 그 사상 또는 본질로부터 일탈하지 않고 다른 구체적인 형태로 실시할 수 있고, 따라서, 발명의 범위를 나타내는 것으로서, 이상의 설명이 아니라, 첨부된 청구범위를 참조해야 한다.

Claims (43)

  1. 기판에 처리를 행하는 기판처리장치로서,
    처리블록을 구비하고,
    상기 처리블록은 복수의 계층을 갖고,
    각 계층은 각각,
    기판에 처리를 행하는 처리유닛과,
    반송스페이스에 설치되고, 상기 처리유닛에 기판을 반송하는 단일의 주반송기구
    를 구비하고,
    상기 처리유닛은, 기판에 액처리를 행하는 액처리유닛과, 기판에 열처리를 행하는 열처리유닛을 포함하고,
    상기 액처리유닛은 상기 반송스페이스의 일측방에 배치되고,
    상기 열처리유닛은 상기 반송스페이스의 타측방에 배치되고,
    상기 주반송기구 및 상기 처리유닛의 평면에서 볼 때의 레이아웃은 각 계층 사이에서 동일하고,
    액처리유닛의 측면에서 볼 때의 레이아웃은 각 계층 사이에서 동일하고,
    열처리유닛의 측면에서 볼 때의 레이아웃은 각 계층 사이에서 동일하고,
    각 계층의 각각에 있어서, 기판에 행하는 처리는 동일하고,
    상기 처리블록은, 평면에서 볼 때 구형(矩形)인, 기판처리장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 액처리유닛은 기판에 레지스트막을 형성하는 레지스트막용 도포처리유닛, 반사방지막용 처리액을 기판에 도포하는 반사방지막용 도포처리유닛, 및 기판을 현상하는 현상처리유닛 중 적어도 어느 하나를 포함하는, 기판처리장치.
  3. 청구항 1에 있어서,
    각 계층에 설치되는 주반송기구로부터 본 처리유닛의 배치는 동일한, 기판처리장치.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 반송스페이스는 수평한 일방향으로 연장되는, 기판처리장치.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 일방향을 따라 복수의 액처리유닛이 늘어서 있는, 기판처리장치.
  6. 청구항 4에 있어서,
    상기 일방향을 따라 복수의 열처리유닛이 늘어서 있는, 기판처리장치.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 반송스페이스, 액처리유닛 및 열처리유닛은 각각, 처리블록을 폭방향으로 3분할한 영역에 배치되어 있는, 기판처리장치.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 처리블록은, 도포처리블록과 현상처리블록을 포함하고,
    상기 도포처리블록에 설치되는 액처리유닛은, 기판에 처리액을 도포하는 도포처리유닛이고,
    상기 현상처리블록에 설치되는 액처리유닛은, 기판에 현상액을 공급하는 현상처리유닛이며,
    상기 도포처리블록의 각 계층에 있어서는, 주반송기구가 설치되는 반송스페이스의 일방측에 상기 도포처리유닛이 배치되고, 반송스페이스의 타방측에 상기 열처리유닛이 배치되며,
    현상처리블록의 각 계층에 있어서는, 주반송기구가 설치되는 반송스페이스의 일방측에 상기 현상처리유닛이 배치되고, 반송스페이스의 타방측에 상기 열처리유닛이 배치되고,
    상기 현상처리유닛은, 상기 도포처리유닛과 동일한 측에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  9. 청구항 1에 있어서,
    각 계층의 반송스페이스에 청정한 기체를 공급하기 위한 제1기체공급관을 구비하고 있는, 기판처리장치.
  10. 청구항 9에 있어서,
    상기 제1기체공급관은, 상측의 계층의 반송스페이스의 상부로부터 하측의 계층의 반송스페이스의 하부에 걸쳐 설치되어 있는, 기판처리장치.
  11. 청구항 9에 있어서,
    각 계층에는, 주반송기구가 설치되는 반송스페이스에 청정한 기체를 공급하는 취출유닛이 설치되어 있고,
    각 계층의 취출유닛에는, 동일한 제1기체공급관이 연통접속되어 있는, 기판처리장치.
  12. 청구항 1에 있어서,
    상기 액처리유닛에 청정한 기체를 공급하기 위한 제2기체공급관을 구비하고 있는, 기판처리장치.
  13. 청구항 12에 있어서,
    각 계층의 액처리유닛의 측방의 위치에는, 종방향으로 관통하는 세로구멍부가 형성되고,
    상기 세로구멍부에는, 상기 제2기체공급관이 상하방향으로 연장되도록 설치되어 있는, 기판처리장치.
  14. 청구항 13에 있어서,
    상기 제2기체공급관은 각 계층에서 분기되고, 상기 세로구멍부로부터 수평방향으로 인출되어 있으며,
    분기된 복수의 제2기체공급관은 각각, 기체를 하방으로 취출하는 제2취출유닛에 연통접속되어 있는, 기판처리장치.
  15. 청구항 12에 있어서,
    각 계층의 반송스페이스에 청정한 기체를 공급하기 위한 제1기체공급관을 구비하고,
    상기 제2기체공급관의 타단은, 상기 제1기체공급관에 연통접속되어 있는, 기판처리장치.
  16. 청구항 13에 있어서,
    상기 세로구멍부에는, 처리액을 통하게 하는 배관 및 전기배선 중 적어도 어느 하나가 설치되어 있는, 기판처리장치.
  17. 청구항 1에 있어서,
    각 계층의 반송스페이스로부터 기체를 배출하는 제1기체배출관을 구비하고 있는, 기판처리장치.
  18. 청구항 17에 있어서,
    상기 제1기체배출관은, 상측의 계층의 반송스페이스의 하부로부터, 하측의 계층의 반송스페이스의 하부에 걸쳐 설치되어 있는, 기판처리장치.
  19. 청구항 17에 있어서,
    각 계층에는, 주반송기구가 설치되는 반송스페이스로부터 기체를 배출하는 배출유닛이 설치되어 있고,
    각 계층의 배출유닛에는, 동일한 제1기체배출관이 연통접속되어 있는, 기판처리장치.
  20. 청구항 1에 있어서, 상기 액처리유닛으로부터 기체를 배출하기 위한 제2기체배출관을 구비하고 있는, 기판처리장치.
  21. 청구항 20에 있어서,
    각 계층의 액처리유닛의 측방의 위치에는, 종방향으로 관통하는 세로구멍부가 형성되고,
    상기 세로구멍부에는, 상기 제2기체배출관이 상하방향으로 연장되도록 설치되어 있는, 기판처리장치.
  22. 청구항 21에 있어서,
    상기 제2기체배출관은 각 계층에서 분기되고, 상기 세로구멍부로부터 수평방향으로 인출되어 있으며,
    분기된 복수의 제2기체배출관은 각각, 액처리유닛이 갖는 컵의 저부에 연통접속되어 있는, 기판처리장치.
  23. 청구항 20에 있어서,
    각 계층의 반송스페이스로부터 기체를 배출하는 제1기체배출관을 구비하고,
    상기 제2기체배출관의 타단은, 상기 제1기체배출관에 연통접속되어 있는, 기판처리장치.
  24. 청구항 21에 있어서,
    상기 세로구멍부에는, 처리액을 통하게 하는 배관 및 전기배선 중 적어도 어느 하나가 설치되어 있는, 기판처리장치.
  25. 청구항 1에 있어서,
    상기 주반송기구는,
    제3가이드레일과,
    제4가이드레일과,
    베이스부와,
    회전대와,
    2개의 지지아암을 구비하고,
    상기 제3가이드레일은, 상기 제4가이드레일을 상하방향으로 안내하고,
    상기 제4가이드레일은, 상기 베이스부를 횡방향으로 안내하며,
    상기 회전대는, 종축심 둘레로 회전가능하게 상기 베이스부에 설치되고,
    상기 2개의 지지아암은 각각, 수평방향으로 이동가능하게 상기 회전대에 설치되고, 또한, 기판(W)을 지지하는, 기판처리장치.
  26. 청구항 25에 있어서,
    상기 제3가이드레일은 반송스페이스의 일측방에 대향하여 고정되어 있는, 기판처리장치.
  27. 청구항 25에 있어서,
    상기 제3가이드레일은 액처리유닛 측에 배치되어 있는, 기판처리장치.
  28. 청구항 25에 있어서,
    상기 제4가이드레일은 제3가이드레일에 슬라이딩 가능하게 부착되어 있는, 기판처리장치.
  29. 청구항 25에 있어서,
    상기 제4가이드레일에는, 상기 베이스부가 슬라이딩 가능하게 설치되어 있는, 기판처리장치.
  30. 청구항 25에 있어서,
    상기 베이스부는 반송스페이스의 중앙까지 횡방향으로 튀어나와 있는, 기판처리장치.
  31. 청구항 25에 있어서,
    상기 주반송기구는, 또한 상기 제4가이드레일을 상하방향으로 이동시키고, 상기 베이스부를 횡방향으로 이동시키는 구동부를 구비하고,
    이 구동부가 구동하는 것에 의해, 액처리유닛 및 열처리유닛의 각 위치에 상기 베이스부를 이동시키는, 기판처리장치.
  32. 청구항 25에 있어서,
    상기 2개의 지지아암은 서로 상하로 근접한 위치에 배치되어 있는, 기판처리장치.
  33. 청구항 25에 있어서,
    상기 주반송기구는, 상기 회전대를 회전시키고, 각 지지아암을 이동시키는 구동부를 구비하고,
    이 구동부가 구동하는 것에 의해, 각 액처리유닛 및 각 열처리유닛 중 어느 하나에 대향하는 위치에 상기 회전대를 대향시키고, 이들 각 액처리유닛 및 각 열처리유닛 중 어느 하나에 대해 지지아암을 진퇴시키는, 기판처리장치.
  34. 청구항 1에 있어서,
    상기 기판처리장치는 단일의 처리블록에 의해 구성되어 있는, 기판처리장치.
  35. 청구항 34에 있어서,
    상기 단일의 처리블록은,
    기판에 도포처리를 행하는 액처리유닛과, 열처리유닛과, 액처리유닛과 열처리유닛에 기판을 반송하는 단일의 주반송기구를 구비한 복수의 계층과,
    기판에 현상처리를 행하는 액처리유닛과, 열처리유닛과, 액처리유닛과 열처리유닛에 기판을 반송하는 단일의 주반송기구를 구비한 복수의 계층으로 이루어진 처리부가 상하로 나누어진 계층으로서 구성되어 있는, 기판처리장치.
  36. 청구항 1에 있어서,
    상기 처리블록에 인접하는 인덱서부와,
    상기 처리블록에 인접하는 인터페이스부를 구비하는, 기판처리장치.
  37. 청구항 36에 있어서,
    상기 인덱서부는, 상기 처리블록의 각 계층에 교대로 기판을 반송하는, 기판처리장치.
  38. 청구항 36에 있어서,
    상기 인덱서부는, 복수 매의 기판을 수납하는 카세트에 대해 기판을 반송하는 인덱서용 반송기구를 구비하고,
    상기 인터페이스부는, 본 장치와는 별체의 노광기에 대해 기판을 반송하는 인터페이스용 반송기구를 구비하며,
    상기 인덱서용 반송기구는, 카세트로부터 반출한 기판을 처리블록의 각 계층의 주반송기구에 전달하고,
    상기 처리블록의 각 계층의 주반송기구는, 상기 인덱서용 반송기구로부터 수취한 기판을 당해 계층의 액처리유닛 및 열처리유닛에 반송하며, 또한, 기판을 상기 인터페이스부의 인터페이스용 반송기구에 전달하고,
    상기 인터페이스용 반송기구는 상기 처리블록의 주반송기구로부터 수취한 기판을 노광기에 전달하며, 또한, 노광처리되어 다시 상기 인터페이스부로 돌아온 기판을 상기 처리블록의 각 계층의 주반송기구에 전달하고,
    상기 처리블록의 각 계층의 주반송기구는, 상기 인터페이스용 반송기구로부터 수취한 기판을 당해 계층의 액처리유닛 및 열처리유닛에 반송하며, 또한, 기판을 상기 인덱서부의 인덱서용 반송기구에 전달하는, 기판처리장치.
  39. 청구항 38에 있어서,
    상기 인덱서부의 인덱서용 반송기구는, 처리블록의 주반송기구로부터 수취한 기판을 카세트에 반입하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  40. 청구항 38에 있어서,
    상기 인덱서부의 인덱서용 반송기구는, 처리블록의 주반송기구로부터 수취한 기판을, 또한, 처리블록의 각 계층의 주반송기구에 전달하고,
    이에 의해, 한 계층에 의해 구성되는 기판처리열에서 소정의 공정으로 처리를 행한 기판을, 다른 계층에 의해 구성되는 기판처리열에서의 공정으로 처리시키는, 기판처리장치.
  41. 청구항 1에 있어서,
    복수 매의 기판을 수납하는 카세트에 대해 기판을 반송하는 인덱서용 반송기구를 구비한 인덱서부와,
    본 장치와는 별체의 노광기에 대해 기판을 반송하는 인터페이스용 반송기구를 구비한 인터페이스부를 구비하고,
    상기 처리블록은, 도포처리블록과 현상처리블록이며,
    도포처리블록은, 상기 인덱서부에 인접하고,
    현상처리블록은, 상기 도포처리블록에 인접하며,
    상기 인터페이스부는 상기 현상처리블록에 인접하고,
    도포처리블록의 각 계층에 설치되는 액처리유닛은, 기판에 레지스트막을 형성하기 위한 도포처리유닛이며,
    현상처리블록의 각 계층에 설치되는 액처리유닛은, 기판을 현상하기 위한 현상처리유닛이고,
    상기 인덱서용 반송기구는, 카세트로부터 반출한 기판을 상기 도포처리블록의 각 계층의 주반송기구에 전달하고,
    상기 도포처리블록의 각 계층의 주반송기구는, 상기 인덱서용 반송기구로부터 수취한 기판을 당해 계층의 상기 도포처리유닛 및 상기 열처리유닛에 반송하며, 또한, 레지스트막이 형성된 기판을 상기 현상처리블록의 동일한 계층의 주반송기구에 전달하고,
    상기 현상처리블록의 각 계층의 주반송기구는, 상기 도포처리블록의 주반송기구로부터 수취한 기판을 상기 인터페이스부의 인터페이스용 반송기구에 전달하며,
    상기 인터페이스용 반송기구는 상기 현상처리블록의 주반송기구로부터 수취한 기판을 노광기에 전달하고, 또한, 노광처리되어 다시 상기 인터페이스부로 돌아온 기판을 상기 현상처리블록의 각 계층의 주반송기구에 전달하며,
    상기 현상처리블록의 각 계층의 주반송기구는, 상기 인터페이스용 반송기구로부터 수취한 기판을 당해 계층의 상기 현상처리유닛 및 상기 열처리유닛에 반송하고, 또한, 현상처리된 기판을 상기 도포처리블록의 동일한 계층의 주반송기구에 전달하며,
    상기 도포처리블록의 각 계층의 주반송기구는, 상기 현상처리블록의 주반송기구로부터 수취한 기판을 상기 인덱서부의 인덱서용 반송기구에 전달하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  42. 청구항 41에 있어서,
    상기 인덱서부의 인덱서용 반송기구는, 도포처리블록의 주반송기구로부터 수취한 기판을 카세트에 반입하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  43. 청구항 41에 있어서,
    상기 인덱서부의 인덱서용 반송기구는, 도포처리블록의 주반송기구로부터 수취한 기판을, 또한, 처리블록의 각 계층의 주반송기구에 전달하고,
    이에 의해, 한 계층에 의해 구성되는 기판처리열에서 소정의 공정으로 처리를 행한 기판을, 다른 계층에 의해 구성되는 기판처리열에서의 공정으로 처리시키는, 기판처리장치.
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