CN101512682B - 自发光显示装置、透明导电性薄膜及其制造方法、电致发光元件、透明电极 - Google Patents

自发光显示装置、透明导电性薄膜及其制造方法、电致发光元件、透明电极 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种自发光显示装置、透明导电性薄膜及其制造方法、电致发光元件、透明电极。本发明的自发光显示装置(20)具备：支撑体(12)、第1电极部(22)和显示部(24)，所述第1电极部(22)设置在该支撑体(12)上且具有由导电性金属形成的细线结构部(14)和透光性的导电膜(16)；所述显示部(24)层叠在该第1电极部(22)上且具有发光层(26)。第1电极部(22)的细线结构部(14)的体积电阻为10-4欧姆·cm以下及/或表面电阻为100欧姆/sq以下，导电膜(16)的体积电阻为0.05欧姆·cm以上及/或表面电阻为100欧姆/sq以上，在将进行弯曲试验前的第1电极部(22)的表面电阻设定为R1、将进行了弯曲试验后的第1电极部(22)的表面电阻设定为R2时，满足R2/R1＜18。

Description

自发光显示装置、透明导电性薄膜及其制造方法、电致发光元件、透明电极
技术领域
本发明涉及具有透光性高且表面电阻率低而且可挠性优良的电极部的自发光显示装置及其制造方法、透光性高且表面电阻率低而且可挠性优良的透明导电性薄膜、和采用了该透明导电性薄膜的电致发光元件、太阳能电池用透明电极及电子纸用透明电极。再有，自发光显示装置也包括照明用途的发光装置。 
背景技术
近来，在液晶显示器或有机、无机的电致发光元件、电子纸等中，作为取出光的一侧的电极，采用具有透明导电性层的薄膜或玻璃基板(例如参照专利文献1～4)。 
这些透明导电性层一般是采用铟及锡的氧化物或锌的氧化物、锡的氧化物等而形成的，但为了得到低电阻，必须形成厚而均匀的膜，其结果是，存在光透射率下降、高成本化、形成工序中需要进行高温处理等问题，特别是在薄膜上的低电阻化中存在界限。 
作为其改进对策，提出了在透明电极层中附加金属线等导电性成分的提案(专利文献2)、或在透明电极层(透明阳极基板)中设置导电性金属的总线的方法(专利文献1及3)、或者在透明电极层(上部电极)上设置网格模样的金属线结构的方法(专利文献5)。 
通过蒸镀或溅射ITO(Indium Tin Oxide)膜等导电性金属、透明电极层来赋予导电性(例如参照专利文献1及2)的方法，在生产性低这点上还要求改进。此外，设置总线的方法因其本身的工序增加而使成本上升。 
除此以外，在专利文献5中通过蒸镀ITO膜提高了导电性，但其缺陷是：作为材料的ITO膜因担心资源枯竭而要求替代品，并且在蒸镀工序中损耗大。 
另外，在专利文献6中公开了一种方法，该方法是在支撑体上制造实质上透明的传导层，该传导层含有本征传导性聚合体及不均匀地分布在其中的传导性金属，且本身形成传导体；通过照相处理来制造该不均匀地分布的传导性金属。但是，对于以低成本、大批量制造能兼顾高的光透射率和低的表面电阻的透明导电性薄膜的目的来说，还不充分。 
再者，在利用近年来积极开发的有机EL或电子纸技术等的柔性显示器中，必须采用具有可挠性的透明导电性薄膜，在上述透明导电膜中因弯曲而形成的微细裂纹所导致的导电性下降是不可避免的。近年来，作为具有可挠性的导电性材料的PEDOT/PSS等透明导电性树脂、或应用了纳米技术的碳纳米管或金属纳米丝及纳米棒等的开发十分活跃，但如果就其单体而言，还不能产生与ITO膜同等以上的低电阻。 
专利文献1：日本特开平8-180974号公报 
专利文献2：日本特开平9-147639号公报 
专利文献3：日本特开平10-162961号公报 
专利文献4：日本特开平11-224782号公报 
专利文献5：日本特开2005-302508号公报 
专利文献6：日本特表2006-501604号公报 
发明内容
本发明是鉴于上述情况而做出的，其课题在于解决上述以往的问题，实现以下的目的。 
也就是说，提供一种具有透光性高且表面电阻率低而且可挠性优良的电极部的自发光显示装置及其制造方法。 
此外，提供一种透光性高且表面电阻率低而且可挠性优良的透明导电性薄膜、和采用了该透明导电性薄膜的电致发光元件、太阳能电池用透明电极及电子纸用透明电极。 
本发明的课题是通过限定本发明的下述事项及其优选的方式来实现的。 
第1发明是自发光显示装置，其特征在于，具备：支撑体；电极部，其被设置在该支撑体上，且具有由导电性金属形成的细线结构部和透光性的导电膜；和显示部，其被层叠在所述电极部上且具有发光层。而且所述 电极部的所述细线结构部的体积电阻为10-4欧姆·cm以下及/或表面电阻在100欧姆/sq以下，所述导电膜的体积电阻为0.05欧姆·cm以上及/或表面电阻在100欧姆/sq以上，在将进行下述弯曲试验前的所述电极部的表面电阻设定为R1、将进行了下述弯曲试验后的所述电极部的表面电阻设定为R2时，满足R2/R1＜18。 
此处，弯曲试验是通过重复进行以下工序使所述电极部弯曲100次，所述工序是：将所述电极部挂在相对于基座旋转自如地安装的直径为4mm的辊上，对所述电极部的一个端部按每米宽施加28.6(kg)的张力进行拉伸，同时使所述辊旋转，从而使所述电极部弯曲的工序；和对所述电极部的另一个端部按每米宽施加28.6(kg)的张力进行拉伸，同时使所述辊旋转，从而使所述电极部弯曲的工序。 
根据[1]的自发光显示装置，其特征在于：所述电极部的所述导电膜含有导电性材料。 
根据[2]的自发光显示装置，其特征在于：所述导电性材料含有透明导电性有机聚合物、或导电性微粒。 
根据[3]的自发光显示装置，其特征在于：所述导电性微粒是导电性金属氧化物、导电性金属微粒或碳纳米管。 
根据[1]的自发光显示装置，其特征在于：所述电极部的所述细线结构部的厚度(高度)在10μm以下。 
根据[1]的自发光显示装置，其特征在于：所述电极部的所述细线结构部的厚度(高度)在5μm以下。 
根据[1]的自发光显示装置，其特征在于：所述细线结构部的厚度(高度)与所述导电膜实质上相同。 
根据[1]的自发光显示装置，其特征在于：所述导电膜被设置在所述细线结构部的上表面或下表面。 
根据[1]的自发光显示装置，其特征在于：所述电极部的光的透射率相对于550nm的光在70％以上。 
根据[1]的自发光显示装置，其特征在于：所述电极部的所述细线结构部由导电性金属银形成，该导电性金属银是通过对在所述支撑体上至少具有含感光性银盐的层的感光层进行曝光、显影处理而形成的。 
根据[10]的自发光显示装置，其特征在于：所述电极部的所述细线结构部是通过对在所述支撑体上具有含感光性银盐的层的感光材料进行曝光、显影从而形成导电性金属银部和透光部而成的。 
根据[11]的自发光显示装置，其特征在于：所述电极部具有所述导电膜、所述细线结构部和透光部，所述细线结构部和所述透光部是通过对设置在所述支撑体上的感光材料进行曝光及显影而形成的，该感光材料是至少包含含感光性卤化银的层的照相构成层且其中的至少1层为含有导电性材料的层。 
根据[10]的自发光显示装置，其特征在于：所述电极部的所述细线结构部含有银，且Ag/粘合剂的体积比为1/4以上。 
根据[10]的自发光显示装置，其特征在于：所述电极部的所述细线结构部可通过在对所述支撑体上具有含感光性银盐的层的感光材料进行了曝光、显影及定影后，至少进行1次压实处理来得到。 
根据[14]的自发光显示装置，其特征在于：所述压实处理是在对曝光过的感光层进行了显影、水洗、干燥、定影、水洗、干燥后进行的。 
根据[14]的自发光显示装置，其特征在于：所述压实处理是通过砑光辊装置来进行的。 
根据[14]的自发光显示装置，其特征在于：在1980N/cm(200kgf/cm)以上的线压力下进行所述压实处理。 
根据[14]的自发光显示装置，其特征在于：在2960N/cm(300kgf/cm)以上的线压力下进行所述压实处理。 
根据[14]的自发光显示装置，其特征在于：在6860N/cm(700kgf/cm)以下的线压力下进行所述压实处理。 
根据[14]的自发光显示装置，其特征在于：所述电极部的所述细线结构部可通过在所述显影和干燥之间进行物理显影、电解镀覆及非电解镀覆中的至少一种来得到。 
根据[1]的自发光显示装置，其特征在于：在形成了所述细线结构部后，通过贴合所述细线结构部和所述导电膜而形成所述电极部。 
根据[1]的自发光显示装置，其特征在于：所述支撑体的膜厚为8～200μm。 
根据[1]的自发光显示装置，其特征在于：所述支撑体是下述树脂薄膜，所述树脂是聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、及聚萘二甲酸乙二酯等聚酯类；聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚苯乙烯、EVA等聚烯烃类；聚氯乙烯、聚偏氯乙烯等乙烯基系树脂；此外，是聚醚醚酮(PEEK)、聚砜(PSF)、聚醚砜(PES)、聚碳酸酯(PC)、聚酰胺、聚酰亚胺、丙烯酸树脂、三醋酸纤维素(TAC)等树脂。 
第2发明的自发光显示装置的制造方法，其特征在于：通过对支撑体上具有至少包含含感光性卤化银的层的照相构成层的感光材料进行曝光、显影，在所述支撑体上形成由导电性金属形成的细线结构部，并将该细线结构部与透明性的导电膜组合。 
根据[24]的自发光显示装置的制造方法，其特征在于：具有对所述细线结构部进行压实处理的压实处理工序。 
根据[25]的自发光显示装置的制造方法，其特征在于：在所述压实处理工序的前段还具有在还原剂水溶液中进行浸渍的工序。 
根据[25]的自发光显示装置的制造方法，其特征在于：在所述压实处理工序的后段还具有用黑化处理液对所述金属银部的表面进行黑化处理的黑化处理工序。 
根据[27]的自发光显示装置的制造方法，其特征在于：所述黑化处理液包含镍、锌、锡中的任一种。 
第3发明的自发光显示装置的制造方法，其特征在于，具有以下工序：在支撑体上设置至少包含含感光性卤化银的层的照相构成层的工序；和通过对所述照相构成层中的至少1层为含有导电性材料的层的感光材料进行曝光、显影来制作电极部的工序，该电极部被设置在所述支撑体上、且具有由导电性金属形成的细线结构部和透光性的导电膜。 
第4发明的透明导电性薄膜，其具有支撑体、设置在该支撑体上且由导电性金属形成的细线结构部、和透光性的导电膜，其特征在于：所述细线结构部的体积电阻为10-4欧姆·cm以下及/或表面电阻为100欧姆/sq以下，所述导电膜的体积电阻为0.05欧姆·cm以上及/或表面电阻为100欧姆/sq以上；在将进行下述弯曲试验前的所述透明导电性薄膜的表面电阻设定为R1、将进行了下述弯曲试验后的所述透明导电性薄膜的表面电 阻设定为R2时，满足R2/R1＜18。 
这里，弯曲试验是通过重复进行以下工序使所述透明导电性薄膜弯曲100次，所述工序是：将所述透明导电性薄膜挂在相对于基座旋转自如地安装的直径为4mm的辊上，对所述透明导电性薄膜的一个端部按每米宽施加28.6(kg)的张力进行拉伸，同时使所述辊旋转，从而使所述透明导电性薄膜弯曲的工序；和对所述透明导电性薄膜的另一个端部按每米宽施加28.6(kg)的张力进行拉伸，同时使所述辊旋转，从而使所述透明导电性薄膜弯曲的工序。 
根据[30]的透明导电性薄膜，其特征在于：所述细线结构部含有密度为8.0g/cm3～10.5g/cm3的银。 
根据[30]的透明导电性薄膜，其特征在于：所述细线结构部的厚度为0.5μm～10μm。 
根据[30]的透明导电性薄膜，其特征在于：所述细线结构部为细线图案，其线宽为0.1μm～25μm。 
第5发明的透明导电性薄膜的制造方法，其特征在于：通过对支撑体上具有至少包含含感光性卤化银的层的照相构成层的感光材料进行曝光、显影，从而在所述支撑体上形成由导电性金属形成的细线结构部，并将该细线结构部与透明性的导电膜组合。 
根据[34]的透明导电性薄膜的制造方法，其特征在于：所述电极部的所述细线结构部含有银，且Ag/粘合剂的体积比为1/4以上。 
根据[34]的透明导电性薄膜的制造方法，其特征在于：具有对所述细线结构部进行压实处理的压实处理工序。 
根据[36]的透明导电性薄膜的制造方法，其特征在于：所述压实处理通过砑光辊装置来进行。 
根据[36]的透明导电性薄膜的制造方法，其特征在于：在1980N/cm(200kgf/cm)以上的线压力下进行所述压实处理。 
根据[36]的透明导电性薄膜的制造方法，其特征在于：在2960N/cm(300kgf/cm)以上的线压力下进行所述压实处理。 
根据[36]的透明导电性薄膜的制造方法，其特征在于：在6860N/cm(700kgf/cm)以下的线压力下进行所述压实处理。 
第6发明的电致发光元件，其特征在于：具有上述的透明导电性薄膜。 
第7发明的太阳能电池用透明电极，其特征在于：具有上述的透明导电性薄膜。 
第8发明的电子纸用透明电极，其特征在于：具有上述的透明导电性薄膜。 
如上所述，根据本发明的自发光显示装置，由于具有透光性高、且表面电阻率低、可挠性优良的电极部，因此很容易在利用无机EL、有机EL、电子纸等的柔性显示器中应用，可促进这些无机EL、有机EL、电子纸等的批量生产。 
此外，根据本发明的透明导电性薄膜，由于透光性高、且表面电阻率低、可挠性优良，因此可优选用于大面积的电致发光元件的低电压化、高耐用化、面内亮度均匀化、或太阳能电池等的电力取出效率的改进、以及电子纸等柔性显示器的低电压化及低耗电化。 
此外，以具有经压实处理过的具有导电性金属部的细线结构部、和透明性的导电膜为特征的本发明，可提供能兼顾高的透射率和低的表面电阻率的透明导电性薄膜。而且，能够低成本、大批量地制造具有如此的效果的透明导电性薄膜。在本发明中，通过采用透明导电性材料等作为导电膜，能够实现透明导电性薄膜的批量生产化。 
ITO膜的表面电阻值虽然不是十分低，但本发明的透明导电性薄膜通过导电膜和细线结构部的联合作用使表面电阻降低，而且涂膜也廉价，因而能够在无机EL、太阳能电池等中应用。 
此外，在用于EL元件时，细线结构部与ITO膜的情况相比，由于表面电阻降低，因此具有在形成大尺寸元件时亮度不降低等特征。另一特征是：采用ITO膜时必需的电极的母线(总线)也不需要。 
此外，也能够作为低电阻的电极用于电子纸等柔性显示器，在此种情况下，能够有助于低电压化、低耗电化。在用于所有制品的情况下，由于本发明的透明导电性薄膜的可挠性优良，可以用辊对辊(roll to roll)的方式生产，因而能够大幅度降低这些制品的生产工艺成本。 
附图说明
图1是部分省略地表示本实施方式的透明导电性薄膜的构成的剖视图。 
图2是部分省略地表示本实施方式的透明导电性薄膜的第1变形例的剖视图。 
图3是部分省略地表示本实施方式的透明导电性薄膜的第2变形例的剖视图。 
图4是部分省略地表示本实施方式的透明导电性薄膜的第3变形例的剖视图。 
图5是部分省略地表示本实施方式的透明导电性薄膜的第4变形例的剖视图。 
图6是部分省略地表示本实施方式的透明导电性薄膜的第5变形例的剖视图。 
图7是部分省略地表示本实施方式的透明导电性薄膜的第6变形例的剖视图。 
图8是部分省略地表示本实施方式的自发光显示装置的构成的剖视图。 
图9A～图9E是表示在支撑体上形成细线结构部的制造方法的工序图。 
图10是表示显影后的砑光处理及定影后的砑光处理中的线压力与表面电阻率的关系的特性图。 
图11是用于说明弯曲试验的图示。 
图12A是表示只有细线结构部的细线附近发光的状态的图示，图12B是表示整面发光的图示。 
图13是表示用于测定根据与取出电极的距离而发生的亮度变化的实验例的说明图。 
图14是表示在实施例23、比较例21、24及25中测定根据与取出电极的距离而发生的亮度变化的测定结果的特性图。 
图15是表示试样1～6的表面电阻的上升率的图示。 
具体实施方式
以下记述本发明的优选实施方式进行说明。 
首先，如图1所示，本实施方式的透明导电性薄膜10具有透明性的支 撑体12、和设在该支撑体12上且由导电性金属形成的细线结构部14及透光性的导电膜16。 
在图1的例子中，表示细线结构部14的厚度(高度)大于导电膜的厚度(高度)，但此外，如图2及图3所示，细线结构部14的厚度(高度)与导电膜16的厚度(高度)也可以大致相同。在此种情况下，如图2所示，也可以使细线结构部14的上表面露出，或如图3所示也可以用导电膜16覆盖细线结构部14的上表面。 
或者，如图4所示，也可以在支撑体12上的整面上形成导电膜16，在该导电膜16上形成细线图案状的细线结构部14。在此种情况下，如图5所示，也可以形成厚度(高度)比细线结构部14的厚度(高度)大的保护层18或其它的导电膜。 
此外，如图6所示，在支撑体12上形成高电阻的第1导电膜16a和细线图案状的细线结构部14，也可以在包含这些第1导电膜16a和细线结构部14的整面上形成低电阻的第2导电膜16b或保护层。 
另外，如图7所示，也可以在支撑体12上形成以条纹状形成的多个导电膜16，在各导电膜16的上表面中，在宽度方向端部的附近沿着长度方向分别形成细线结构部14。如图7所示，可以在各导电膜16的例如左侧端部(或右侧端部)形成细线结构部14，也可以在宽度方向两端形成细线结构部14。 
作为细线结构部14的细线图案，可以形成例如如图12A及图12B所示的网格状，或者也可以列举出多个六角形状排列而成的形状、多个三角形状排列而成的形状、多个多角形状排列而成的形状、条纹状(格子状)等。当然，也可以将各细线形成直线状以外的波线状(正弦曲线等)。 
而且，在利用该透明导电性薄膜10构成自发光显示装置20的情况下，例如如图8所示，能够通过采用上述本实施方式的透明导电性薄膜10作为例如第1电极部22(例如阳极)、在该第1电极部22上配置显示部24来构成。作为显示部24，具有：层叠在第1电极部22的上表面(包含细线结构部14的上表面)上的例如发光层26(硫化锌等无机物或二胺类等有机物)、和配置在该发光层26上的第2电极部28(例如阴极)。本实施方式中的自发光显示装置除了显示图像的用途以外，当然也能用于照明用途。 
对于本发明中所用的细线结构部的导电材料和赋予开口部的透明导电材料来说，为了能进行有效的发光，存在电阻的最佳的范围。关于细线结构部，为了充分发挥高导电性，优选利用体积电阻为10-4欧姆·cm以下的材料。此外，关于开口部中所用的透明导电材料，为了抑制由该材料造成的光损失，作为单独的表面电阻，优选为1000欧姆/sq以上。通过上述范围中的方式，可以实现低电阻、电力损耗小且透明性高的透明导电性薄膜。 
特别是，在本实施方式中，构成第1电极部22的细线结构部14的体积电阻为10-4欧姆·cm以下，同样地构成第1电极部22的导电膜16的体积电阻为0.05欧姆·cm以上。 
此外，构成第1电极部22的细线结构部14的表面电阻为100欧姆/sq以下，同样地构成第1电极部22的导电膜16的表面电阻为1000欧姆/sq以上。细线结构部14及导电膜16的表面电阻是按照JIS K6911中记载的测定方法而测定的值。 
另外，在将进行后述弯曲试验前的第1电极部22的表面电阻设定为R1、将进行了弯曲试验后的第1电极部22的表面电阻设定为R2时，满足R2/R1＜18。 
这里，例如如图11所示，弯曲试验是通过重复进行以下工序使试样34弯曲100次，所述工序是：将长尺寸的试样34(第1电极部22)挂在相对于基座30旋转自如地安装的直径φ＝4mm的辊32上，对试样34的一个端部34a施加28.6(kg/m)的张力进行拉伸，同时使辊32旋转，从而使试样34弯曲的工序；和同样对试样34的另一个端部34b施加28.6(kg/m)的张力进行拉伸，同时使辊32旋转，从而使试样34弯曲的工序。 
通过满足上述条件，本实施方式中的自发光显示装置20由于可以具有透光性高、且表面电阻低、而且可挠性优良的第1电极部22，所以能够容易将其应用于利用了无机EL、有机EL、电子纸等的柔性显示器中，能够促进这些无机EL、有机EL、电子纸等的批量生产化。 
此外，根据本发明的透明导电性薄膜10，由于透光性高、且表面电阻低、而且可挠性优良，因此能够优选用于大面积的电致发光元件的低电压化、高耐用化、面内亮度均匀化、或太阳能电池等的电力取出效率的改进、以及电子纸等柔性显示器的低电压及低耗电化。 
特别是，通过对后述的细线结构部14进行压实处理，可提供能兼顾高的透射率和低的表面电阻率的透明导电性薄膜10。而且，能够以低成本大批量地制造具有如此的效果的透明导电性薄膜10。在本发明中，通过采用透明导电性薄膜等作为导电膜，能够实现透明导电性薄膜的批量生产化。 
虽然ITO膜的表面电阻值也不是十分低，但本发明的透明导电性薄膜通过导电膜和细线结构部的联合作用使表面电阻降低，而且涂膜也廉价，因而能够用于无机EL、太阳能电池等中。 
此外，在用于EL元件时，细线结构部14与ITO膜时相比，由于表面电阻降低，因此具有在形成大尺寸元件时亮度不降低等特征。另一特征是：在采用ITO膜时必需的电极的母线(busbar)也不需要， 
此外，也能够作为低电阻的电极用于电子纸等柔性显示器中，在此种情况下，能够有助于低电压化、低耗电化。即使在用于所有的制品的情况下，由于本发明的透明导电性薄膜10的可挠性优良，因而能够以辊对辊的方式生产，能够大幅度降低这些制品的生产工艺成本。 
作为另一优选的实施方式，如下所述。 
首先，优选本实施方式中的透明导电性薄膜10(第1电极部22)的导电膜16含有导电性材料。在此种情况下，优选导电性材料是透明导电性有机聚合物或导电性微粒。优选导电性微粒是导电性金属氧化物、导电性金属微粒或碳纳米管。 
在本实施方式中，细线结构部14也可以由导电性金属银形成，该导电性金属银是通过对支撑体12上至少具有含感光性银盐的层的感光层进行曝光、显影处理而形成的。在此种情况下，作为细线结构部14，通过对在支撑体12上的具有含感光性银盐的层的感光材料进行曝光、显影，也可以形成导电性金属银部和透光部。再有，透光部也可以实质上没有物理显影核。此外，优选细线结构部14含有银，且Ag/粘合剂的体积比为1/4以上。作为上述Ag/粘合剂的体积比，优选Ag∶粘合剂＝10∶1～0.1∶1，更优选4∶1～0.25∶1，进一步优选4∶1～0.7∶1，进一步优选Ag∶粘合剂＝3.50∶1～1∶1。 
这里，参照图9A～图9E对在支撑体12上形成细线结构部14的制造方法进行说明。 
首先，如图9A所示，将卤化银粒子40(例如溴化银粒子、氯溴化银粒子或碘溴化银粒子)混合在明胶42中形成银盐感光层44，然后将该银盐感光层44涂布在支撑体12上。再有，在图9A～图9C中，以“颗粒”的形式标记卤化银40，但说到底是为了有助于理解本发明而夸张地表示卤化银40，不是表示其尺寸及浓度等。 
然后，如图9B所示，对银盐感光层44进行细线结构部14的形成中所必须的曝光。卤化银40接受光能而感光，生成被称为“潜影”的肉眼观察不到的微小的银核。 
然后，为了将潜影增幅到能够用肉眼观察的可视化的图像，如图9C所示，进行显影处理。具体地讲，用显影液(碱性溶液和酸性溶液中的哪一种都有，但通常碱性溶液较多)对形成了潜影的银盐感光层44进行显影处理。所谓该显影处理，是卤化银粒子乃至从显影液供给的银离子通过显影液中的被称为显影主剂的还原剂，以潜影银核为催化剂核被还原成金属银，其结果是潜影银核被增幅而形成可视化的银图像(显影银46)。 
在显影处理结束后，由于在银盐感光层44中残留可对光感光的卤化银40，因此为了将其除去，如图9D所示，利用定影处理液(碱性溶液和酸性溶液中的哪一种都有，但通常碱性溶液较多)进行定影。 
通过进行该定影处理，可在被曝光的部位上形成金属银部48，在没有被曝光的部位上只残留明胶42，成为透光部。 
采用溴化银作为卤化银40、用硫代硫酸盐进行定影处理时的定影处理的反应式如以下所示。 
AgBr(固体)+2个S2O3离子→Ag(S2O3)2
(易水溶性络合物) 
也就是说，2个硫代硫酸根S2O3与明胶42中的银离子(来自AgBr的银离子)生成硫代硫酸银络合物。硫代硫酸银络合物因水溶性高而从明胶42中溶出。其结果是，显影银46作为金属银部48被定影而残留。 
因此，显影工序是相对于潜影使还原剂反应从而析出显影银46的工序，定影工序是使未成为显影银46的卤化银40向水中溶出的工序。详细情况请参照T.H.James，The Theory Of the Photographic Process，4th ed.，Macmillian Publishing Co.，Inc，NY，Chapter 15，438-442页，1977。 
再有，优选在显影处理后、进入到定影处理工序之前，用醋酸(醋)溶液等终止液对银盐感光层44进行中和或酸性化。 
然后，如图9E所示，例如通过在进行热处理除去了残存的明胶后，例如进行镀覆处理(可单独或组合进行非电解镀覆或电镀)而只在金属银部48的表面上担载金属层50，从而可在支撑体12上由金属银部48、和担载于该金属银部48上的金属层50来形成细线结构部14。 
这里，对采用上述的银盐感光层44的方法(银盐照相技术)和采用光致抗蚀剂的方法(抗蚀剂技术)的区别进行说明。 
在抗蚀剂技术中，通过曝光处理，光聚合引发剂吸收光而引发反应，光致抗蚀剂膜(树脂)本身产生聚合反应，使相对于显影液的溶解性增大或减小，通过显影处理将曝光部分或未曝光部分的树脂除去。再有，在抗蚀剂技术中，被称为显影液的溶液不含还原剂，是能将未反应的树脂成分溶解的例如碱性溶液。另一方面，在本发明的银盐照相技术的曝光处理中，如上述所记载，由在接受光的部位上的卤化银40内发生的光电子和银离子形成被称为所谓“潜影”的微小银核，该潜影银核通过显影处理(此时的显影液一定要含有被称为显影主剂的还原剂)而被增幅，成为可视化的银图像。这样，在抗蚀剂技术和银盐照相技术中，从曝光处理到显影处理的反应完全不同。 
在抗蚀剂技术的显影处理中，将曝光部分或未曝光部分的没有发生聚合反应的树脂部分除去。另一方面，在银盐照相技术的显影处理中，以潜影为催化剂核，通过含在显影液中的被称为显影主剂的还原剂发生还原反应，使显影银46生长到肉眼能够看到的尺寸，不对未曝光部分的明胶42进行除去。这样，在抗蚀剂技术和银盐照相技术中，显影处理中的反应也完全不同。 
再有，含在未曝光部分的明胶42中的卤化银40通过其后的定影处理被溶出，而不对明胶42本身进行除去(参照图9D)。 
这样，在银盐照相技术中，反应(感光)主体是卤化银，而在抗蚀剂技术中是光聚合引发剂。此外，在显影处理中，在银盐照相技术中，粘合剂(明胶42)残存(参照图9D)，但在抗蚀剂技术中，粘合剂消失。在这点上，银盐照相技术和抗蚀剂技术区别较大。 
另外，关于细线结构部14，优选通过在对支撑体12上的具有含感光性银盐的层的感光材料进行了曝光、显影后、在定影前进行至少1次压实处理，在定影结束后再进行至少1次压实处理来得到。在此种情况下，压实处理在对曝光后的感光层进行了显影、水洗及干燥后进行，进一步优选在定影、水洗及干燥后进行。压实处理可通过砑光辊装置来进行。 
再者，关于细线结构部14，优选通过在显影和干燥之间进行物理显影、电解镀覆及非电解镀覆中的至少1种来得到。 
而且，透明导电性薄膜10(第1电极部22)也可以在形成了细线结构部14后，通过贴合细线结构部14和导电膜16来构成。 
接着，对本实施方式中的透明导电性薄膜10(第1电极部22)的具体的构成例进行说明。 
再有，在本说明书中“～”以表示包含其前后所记载的数值作为下限值及上限值的意思而使用。 
[支撑体12] 
支撑体12只要具有透光性就不特别限定，但希望透光性高。此外，只要具有透光性，也可以在不妨碍发明的目的的范围内进行着色。在本实施方式中，支撑体12的总可见光透射率优选为70～100％，更优选为85～100％，特别优选为90～100％。 
因此，作为支撑体12，能够采用塑料薄膜。 
作为上述塑料薄膜的原料，例如能够采用聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、及聚萘二甲酸乙二酯等聚酯类；聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚苯乙烯、EVA等聚烯烃类；聚氯乙烯、聚偏氯乙烯等乙烯基系树脂；此外，能够采用聚醚醚酮(PEEK)、聚砜(PSF)、聚醚砜(PES)、聚碳酸酯(PC)、聚酰胺、聚酰亚胺、丙烯酸树脂、三醋酸纤维素(TAC)等。 
在本实施方式中，从透明性、耐热性、处理容易及价格等方面考虑，优选上述塑料薄膜为聚对苯二甲酸乙二酯(PET)或聚萘二甲酸乙二酯(PEN)。 
关于透明导电性薄膜10，由于要求透明性，所以希望支撑体12的透明性高。这种情况下的塑料薄膜的总可见光透射率优选为70～100％、更优选为85～100％、特别优选为90～100％。此外，在本实施方式中，作为所述 塑料薄膜，也可以采用在不妨碍发明的目的的范围内进行了着色的塑料薄膜。 
本实施方式中的塑料薄膜能以单层使用，也能够以组合2层以上而成的多层薄膜使用。 
此外，也可以采用为了提高耐光性而混合了紫外线吸收剂的底膜、或附加了阻挡层、或者附加了反射防止层或硬质涂层的塑料薄膜。 
在作为本实施方式中的支撑体12采用玻璃板的情况下，对其种类不特别限定，但在作为显示器用导电性薄膜的用途使用时，优选采用表面设有强化层的强化玻璃。强化玻璃与未进行强化处理的玻璃相比，防破损的可能性高。而且，用风冷法得到的强化玻璃即使万一破损，其碎片也小，且端面也不锋利，因此在安全上是优选的。 
[细线结构部14] 
本实施方式中，除了透明性的导电膜16以外，配置同样的网格状、梳齿型或格子型等的金属及/或合金的细线结构部14，制成经过压实处理的导电性面，以改善通电性。 
作为金属或合金的细线(记述为金属细线)的材料，优选采用铜或银、铝，但也可以根据目的采用上述的透明导电性材料。优选是导电性和导热性高的材料。此外，也可以通过对这些金属实施镀覆处理形成镀覆金属。金属细线的宽度是任意的，但优选为0.1μm左右至30μm之间。优选按20μm～300μm间隔的间距来配置金属细线。因配置金属及/或合金的细线结构部使光的透射率降低，但重要的是尽量使降低减小，而且重要的是在不使金属细线的间隔过窄、或者不使金属细线的宽度或高度过大的情况下，优选确保70％以上的光透射率。在本实施方式中，透明导电性薄膜10的光透射率相对于550nm的光优选为70％以上、更优选为80％、进一步优选为90％以上。 
在将本实施方式的透明导电性薄膜10用于EL元件的情况下，为了提高亮度，此外为了实现白色发光，优选波长为420nm～650nm的区域的光透过70％以上，更优选透过80％以上。进而为了实现白色发光，更优选波长为380nm～680nm的区域的光透过80％以上。最优选透过90％以上。透明导电性薄膜10的光透射率可用分光光度计进行测定。 
金属及/或合金的细线结构部14的高度(厚度)优选为0.1μm以上10μm以下，更优选为0.1μm以上2μm以下、进一步优选为0.1μm以上1μm以下。金属及/或合金的细线结构部14和导电膜16中的哪个在表面突出都可以，但作为结果的细线结构部14的突起部与开口部的高低差优选在5μm以下，进而最优选为实质上没有高低差。 
这里，导电性面的高度表示采用三维表面粗糙度计(例如东京精密公司制，SURFCOM575A-3DF)测定5mm四方时的凹凸部的平均振幅。对于表面粗糙度计的分解能力达不到的部位，采用STM或电子显微镜进行测定而求出高度。 
优选细线结构部14是至少一部分被实施了黑化处理的。通过黑化处理形成的黑化层除了防锈效果以外，还能够赋予防反射性。通过利用黑化处理对细线结构部14赋予防反射性，能够抑制将反射率高的金属进行细线图案化而成的细线结构部14中的光的反射。 
关于黑化处理，例如已在特开2003-188576号公报中公开，一般能够通过使用导电性金属化合物、例如镍(Ni)、锌(Zn)、铜(Cu)等的化合物或合金的电解镀覆处理、提供黑色系被膜的镀覆法、或使用电沉积涂覆材料等电沉积性离子性高分子材料的方法来实施。例如，通过Co-Cu合金镀覆而形成的黑化层能够防止金属表面的反射，另外通过实施铬酸盐处理还能够赋予防锈性。铬酸盐处理是浸渍在以铬酸或重铬酸盐为主成分的溶液中，干燥后形成防锈被膜的处理。 
在本实施方式中，作为上述黑化处理时所用的电解液的镀液(黑色镀覆液)能够使用以硫酸镍盐为主成分的黑色镀覆液，另外也能同样地使用市售的黑色镀覆液，具体地讲，例如，能够使用株式会社Shimizu制的黑色镀覆液(商品名：ノ一ブロイSNC，Sn-Ni合金系)、日本化学产业株式会社制的黑色镀覆液(商品名：ニツカブラツク，Sn-Ni合金系)、株式会社金属化学工业制的黑色镀覆液(商品名エボニ一クロム85シリ-85系列，Cr系)等。此外，在本实施方式中，作为上述的黑色镀覆液，能够使用Zn系、Cu系、其它等多种黑色镀覆液。此外，作为金属的黑化处理剂，采用硫化物系化合物能够易于制造，再者，市售品也有多种处理剂，例如，能够使用商品名：コパ-ブラツクCuO、コパ-ブラツクCuS、硒系的コパ -ブラツクNo.65等(ISOLATE化学研究所制)、商品名：エボノ一ルCスペシヤル(メルテツクス株式会社制)等。 
对于细线结构部14的制造方法不特别限定，但优选用银盐照相法使卤化银粒子化学显影成所希望的细线图案的方法。利用银盐照相法得到的金属被称为显影银，是通过化学显影得到的灯丝状的金属银的集合体、或是灯丝状的金属银相互结合及熔合而成的金属银的集合体。 
作为得到显影银的方法，能够利用一般熟知的银盐照相的原理及方法。例如，能够利用在特开2004-221564号公报中记载的方法等。 
此外，由于显影银可形成为足够用作电解镀覆的阴极的导电性，因此可对显影银进行电解镀覆。此外，也可利用显影银作为非电解镀覆催化剂，也可以对显影银实施非电解镀覆。因此，通过利用其它金属例如导电性高的铜等实施镀覆处理，也可以形成由显影银和镀覆金属(包括不可避免的杂质)形成的构成。此外，由于可按上述对显影银进行镀覆处理，因而能够容易实施黑化处理。 
对于细线结构部14的细线图案的形状不特别限定，能够根据目的而选择各种图案，可如上所述地形成网格状，或者列举出多个六角形状排列而成的形状、多个三角形状排列而成的形状、多个多角形状排列而成的形状、条纹状(格子状)等。当然，也可以将各细线形成直线状以外的波线状(正弦曲线等)。 
金属细线的厚度可根据用途适宜变更，但为了得到高的导电性，优选具有0.2μm以上的厚度。关于上限，如上所述，优选为10μm以下、更优选为2μm以下、进一步优选为1μm以下。 
细线图案的线宽也能根据用途适宜变更，但为了得到高的导电性，优选具有1μm以上的线宽，如果线宽过大，在与上述同样地目视的情况下能够发现，对于透射光的材料来说会成为问题，因此优选是线宽为1μm以上30μm以下的细线图案，更优选为2μm以上20μm以下，进一步优选为4μm以上18μm以下。 
[导电膜16] 
另一方面，作为导电膜16，可通过在聚对苯二甲酸乙二酯、及聚萘二甲酸乙二酯基底等透明薄膜上，将PEDOT/PSS·聚苯胺·聚吡咯·聚噻 吩·聚异硫茚等透明导电性有机聚合物、金属氧化物、金属微粒、金属纳米棒及纳米丝等导电性金属、碳纳米管等的导电性无机微粒、或有机水溶性盐中的任何一种用涂布、印刷等方法同样地附着、成膜来得到。关于这些涂布液，为了提高涂布适宜性及调整膜物性，也可以混合其它非导电性聚合物或胶乳等来使用。另外，也可以使用将银薄膜用高折射率层夹持而成的多层结构。关于这些透明导电性材料，在東レ研究中心发行的“电磁波屏蔽材料的现状和将来”、和特开平9-147639号公报等中有记载。作为涂布及印刷的方法，可采用滑板涂布机、缝口模头涂布机、幕式涂布机、辊式涂布机、棒涂机、照相凹版涂布机等涂布机或丝网印刷等。 
在本实施方式中，除了如此的导电膜16以外，配置一样的网格状、条纹状、梳齿型或格子型等的金属及/或合金的细线结构部14，制成导电性面，改善通电性。 
通过分别地形成网格状的金属及/或合金的细线结构部14、和形成有导电膜16的透明薄膜并重合，能够制作本实施方式的透明导电性薄膜10。 
除了贴合细线结构部14和导电膜16以外，通过在形成于透明薄膜上的网格状的金属及/或合金的细线结构部14上，通过用蒸镀、涂布、印刷等方法相同地对透明导电性材料的分散物进行附着、成膜，也可以制作透明导电性薄膜10。通过用透明导电性材料的分散物来缓和网格状的金属及/或合金的细线结构部14的凸凹，可得到整体凹凸少的光滑的结构。此外，也可以在透明薄膜上形成透明导电性材料，然后在其上设置细线结构部14。 
在任何情况下，为了使金属及/或合金的细线结构部14与透明薄膜的密合性、或导电膜16与透明薄膜的密合性等提高，可以优选采用由有机高分子材料形成的中间层、或者进行表面处理。 
由于不使金属及/或合金的细线结构部14直接与其它层接触，并且将透明导电性薄膜10的表面的凹凸抑制在低水平，因此，例如容易得到形成于其上的电场发光层或电流注入层的均匀的接合，并且容易确保自发光显示装置20的稳定性。 
此外，在支撑体12上具有至少包含含感光性氯化银的层的照相构成层，通过对该照相构成层中的至少1层为含有导电性材料的层的感光材料进行曝光、显影，也可以形成具有金属银部和透光部的细线结构部14、和含有 导电性材料的导电膜16。 
导电膜16也可形成为将含有导电性聚合物的第1膜和以绝缘性聚合物为主成分的第2膜层叠而成的构成。也可以将导电膜16形成为含有导电性聚合物和绝缘性聚合物的混合物的构成。通过上述构成，能够削减高价的导电性聚合物的使用量，能够实现低价格化。这里，在含有导电性聚合物和绝缘性聚合物的混合物的情况下，例如，可考虑按导电性聚合物为10％、其它粘合剂为90％混合使用的方式等。导电性聚合物的含量优选为50质量％以上，更优选为70质量％以上，进一步优选为80质量％以上。 
在导电膜16含有导电性聚合物和绝缘性聚合物的混合物的情况下，导电性聚合物可以均匀地分布，也可以在空间上不均匀地分布，但在分布不均匀的情况下，优选越接近导电膜16的表面，导电性聚合物的含有率越高。再有，在上述的第1膜(以导电性聚合物为主成分)和第2膜(以绝缘性聚合物为主成分)的层叠结构的情况下，为了形成价格更低的构成，优选为第2膜的层厚大于第1膜的层厚的构成。 
作为导电性聚合物，优选透光性及导电性高的，优选聚噻吩类、聚吡咯类、聚苯胺类等电子传导性导电性聚合物。 
作为电子传导性导电性聚合物，是该技术领域已知的聚合物，例如聚乙炔、聚吡咯、聚苯胺、聚噻吩等。其详细情况可参见“Advances in SyntheticMetals”，ed.P.Bernier，S.Lefrant，and G.Bidan，Elsevier，1999；“IntrinsicallyConducting Polymers：An Emerging Technology”，Kluwer(1993)；“ConductingPolymer Fundamentals and Applications，A Practical Approach”，P.Chandrasekhar，Kluwer，1999；及“Handbook of Organic ConductingMolecules and Polymers”，Ed.Walwa，Vol.1-4，Marcel Dekker Inc.(1997)这些教科书。今后开发的新型的电子传导性聚合物，只要是电子传导性聚合物，同样能够采用，这对于该行业人士是容易想到的。此外，这些电子传导性聚合物可以单独使用，也可以如聚合物混合物一样混合使用多种聚合物。 
作为绝缘性聚合物，可列举出：丙烯酸树脂、脂胶树脂、聚氨酯树脂、乙烯基树脂、聚乙烯醇、聚乙烯基吡咯烷酮、明胶等，其中优选为丙烯酸树脂及聚氨酯树脂，特别优选为丙烯酸树脂。 
此外，导电膜16也可以含有导电性金属氧化物粒子或粘合剂等。作为导电性金属氧化物，可采用氧化锡、掺杂锑的SnO2、铟和锡的氧化物(ITO)、氧化锌、掺杂氟的氧化锡、掺杂镓的氧化锌等。 
作为粘合剂可列举出：丙烯酸树脂、脂胶树脂、聚氨酯树脂、乙烯基树脂、聚乙烯醇、聚乙烯基吡咯烷酮、明胶等，其中优选为丙烯酸树脂及聚氨酯树脂，特别优选为丙烯酸树脂。 
为了提高耐水性或耐溶剂性等，优选对导电膜16进行交联，在导电性聚合物本身不具有交联反应性的情况下，优选粘合剂具有交联反应性，优选具有相对于交联剂可以进行交联反应的官能团。关于交联剂，如后所述。 
作为丙烯酸树脂，可列举出：丙烯酸、丙烯酸烷基酯等丙烯酸酯类；丙烯酰胺、丙烯腈、甲基丙烯酸、甲基丙烯酸烷基酯等甲基丙烯酸酯类；甲基丙烯酰胺及甲基丙烯腈中的任何一种的单体的均聚物或通过这些单体的2种以上的聚合得到的共聚物。在这些树脂中，优选为丙烯酸烷基酯等丙烯酸酯类、及甲基丙烯酸烷基酯等甲基丙烯酸酯类中的任何一种的单体的均聚物或通过这些单体的2种以上的聚合得到的共聚物。例如，可列举出：具有碳原子数为1～6的烷基的丙烯酸酯类及甲基丙烯酸酯类中的任何一种单体的均聚物或通过这些单体的2种以上的聚合得到的共聚物。上述丙烯酸树脂优选以上述组成为主成分，具有能与后述的交联剂反应的官能团。在使用碳化二亚胺化合物作为交联剂的情况下，例如，优选是通过部分使用具有羟甲基、羟基、羧基及氨基中的任何一种基团的单体而得到的聚合物。在以下的粘合剂的例子中，能与交联剂反应的形态的例示表示的是采用碳化二亚胺化合物作为交联剂的情况，但在采用其它的交联剂时，优选具有与交联剂的种类相适应的官能团。 
作为乙烯基树脂，可列举出：聚乙烯醇、酸改性聚乙烯醇、聚乙烯醇缩甲醛、聚乙烯醇缩丁醛、聚乙烯基甲醚、聚烯烃、乙烯/丁二烯共聚物、聚醋酸乙烯酯、氯乙烯/醋酸乙烯酯共聚物、氯乙烯/(甲基)丙烯酸酯共聚物及乙烯/醋酸乙烯酯系共聚物(优选为乙烯/醋酸乙烯酯/(甲基)丙烯酸酯共聚物)。在这些树脂中，优选为聚乙烯醇、酸改性聚乙烯醇、聚乙烯醇缩甲醛、聚烯烃、乙烯/丁二烯共聚物及乙烯/醋酸乙烯酯系共聚物(优选为乙烯/醋酸乙烯酯/丙烯酸酯共聚物)。上述乙烯基树脂，为了 能与碳化二亚胺化合物进行交联反应，优选在聚乙烯醇、酸改性聚乙烯醇、聚乙烯醇缩甲醛、聚乙烯醇缩丁醛、聚乙烯基甲醚及聚醋酸乙烯酯中，通过例如在聚合物中残留乙烯醇单元来形成具有羟基的聚合物，关于其它聚合物，例如优选通过部分使用具有羟甲基、羟基、羧基及氨基中的任何一基团的单体来形成可交联的聚合物。 
作为聚氨酯树脂，能够列举出：多羟基化合物(例如，乙二醇、丙二醇、丙三醇、三羟甲基丙烷)、通过多羟基化合物和多元酸的反应而得到的脂肪族聚酯系多元醇、聚醚多元醇(例如，聚氧丙烯醚多元醇、聚氧乙烯-丙烯醚多元醇)、聚碳酸酯系多元醇、及聚对苯二甲酸乙二酯多元醇中的任何一种、或它们的混合物与聚异氰酸酯衍生而得到的聚氨酯。在上述聚氨酯树脂中，例如，能够采用在多元醇和聚异氰酸酯的反应后作为未反应物而残存的羟基作为可以与碳化二亚胺化合物发生交联反应的官能团。 
作为脂胶树脂(ester resin)，一般可使用通过多羟基化合物(例如，乙二醇、丙二醇、丙三醇、三羟甲基丙烷)与多元酸的反应而得到的聚合物。在上述脂胶树脂中，例如，能够利用在多元醇和多元酸的反应结束后作为未反应物而残存的羟基及羧基作为可以与碳化二亚胺化合物发生交联反应的官能团。当然，也可以添加具有羟基等官能团的第三成分。 
如上所述，优选导电膜16进行了交联。在此种情况下，导电膜16可以利用交联剂进行交联，也可以通过不影响感光性的手段，不添加交联剂，而只利用通过光照射而诱发的光化学反应进行交联。作为交联剂，可列举出：乙烯基砜类(例如1，3-双乙烯基砜丙烷)、醛类(例如乙二醛)、氯化嘧啶类(例如2，4，6-三氯嘧啶)、氯化三嗪类(例如氰尿酰氯)、环氧化合物、碳化二亚胺化合物等。 
作为环氧化合物，优选为1，4-双(2’，3’-环氧丙氧基)丁烷、1，3，5-三缩水甘油异氰脲酸酯、1，3-二缩水甘油-5-(γ-乙酸基-β-氧丙基)异氰脲酸酯、山梨糖醇聚缩水甘油醚类、聚甘油聚缩水甘油醚类、季戊四醇聚缩水甘油醚类、二甘油聚缩水甘油醚、1，3，5-三缩水甘油(2-羟乙基)异氰脲酸酯、甘油聚甘油醚类及三羟甲基丙烷聚缩水甘油醚类等环氧化合物，作为其具体的市售品，可列举例如Denacol EX-521或EX-614B(Nagase化成工业株式会社制)等，但也不限定于这些。 
此外，也能够在不影响感光特性的添加量范围内与其它交联性化合物并用，例如可列举出在C.E.K.Meers及T.H.James著“The Theory of thePhotographic Process”第3版(1966年)中、及在美国专利第3316095号、第3232764号、第3288775号、第2732303号、第3635718号、第3232763号、第2732316号、第2586168号、第3103437号、第3017280号、第2983611号、第2725294号、第2725295号、第3100704号、第3091537号、第3321313号、第3543292号及第3125449号、以及英国专利第994869号及第1167207号的各说明书等中记载的固化剂等。 
作为这些固化剂的代表例，可列举出：含有2个以上(优选3个以上)羟甲基及烷氧基甲基中的至少一个的三聚氰胺化合物或它们的缩聚物即三聚氰胺树脂或三聚氰胺/尿素树脂、以及粘氯酸、粘溴酸、粘苯氧基氯酸、粘苯氧基溴酸、甲醛、乙二醛、单甲基乙二醛、2，3-二羟基-1，4-二氧杂环己烷、2，3-二羟基-5-甲基-1，4-二氧杂环己烷丁二醛、2，5-二甲氧基四氢呋喃及戊二醛等醛系化合物及其衍生物；二乙烯基砜-N，N’-亚乙基双(乙烯基砜乙酰胺)、1，3-双(乙烯基砜)-2-丙醇、亚甲基双马来酰亚胺、5-乙酰-1，3-二丙烯酰基-六氢-s-三嗪、1，3，5-三丙烯酰基-六氢-s-三嗪及1，3，5-三乙烯基砜-六氢-s-三嗪等活性乙烯基系化合物；2，4-二氯-6-羟基-s-三嗪钠盐、2，4-二氯-6-(4-磺基苯胺基)-s-三嗪钠盐、2，4-二氯-6-(2-磺基乙胺基)-s-三嗪及N，N’-双(2-氯乙基氨基甲酰基)哌嗪等活性卤系化合物；双(2，3-环氧丙基)甲基丙基铵·p-甲苯磺酸盐、2，4，6-三亚乙基-s-三嗪、1，6-六亚甲基-N，N’-双亚乙基尿素及双-β-亚乙基氨基乙硫醚等亚乙基亚胺系化合物；1，2-二(甲磺酰氧)乙烷、1，4-二(甲磺酰氧)丁烷及1，5-二(甲磺酰氧)戊烷等甲磺酸酯系化合物；双环己基碳化二亚胺及1-双环己基-3-(3-三甲基氨丙基)碳化二亚胺盐酸盐等碳化二亚胺化合物；2，5-二甲基异噁唑基等异噁唑系化合物；铬矾及醋酸铬等无机系化合物；N-羰乙氧基-2-异丙氧基-1，2-二氢喹啉及N-(1-吗啡啉羧基)-4-甲基吡啶鎓氯化物等脱水缩合型缩氨酸试剂；N，N’-己二酰基二氧琥珀酰亚胺及N，N’-对苯二酰基二氧琥珀酰亚胺等活性酯系化合物；甲苯-2，4-二异氰酸酯及1，6-六亚甲基二异氰酸酯等异氰酸酯类；及聚酰胺-多元胺-环氧氯丙烷反应物等环氧氯丙烷系化合物，但也不限定于这些。 
作为碳化二亚胺化合物，优选使用在分子内具有多个碳化二亚胺结构的化合物。 
聚碳化二亚胺通常通过有机二异氰酸酯的缩合反应而合成。这里，对于分子内具有多个碳化二亚胺结构的化合物的合成中所用的有机二异氰酸酯的有机基不特别限定，可以使用芳香族系、脂肪族系中的任何一种、或它们的混合系，但从反应性的观点考虑，更优选脂肪族系。 
作为合成原料，可使用有机异氰酸酯、有机二异氰酸酯及有机三异氰酸酯等。作为有机异氰酸酯的例子，可使用芳香族异氰酸酯、脂肪族异氰酸酯、及它们的混合物。 
具体地讲，可采用4，4’-二苯基甲烷二异氰酸酯、4，4’-二苯基二甲基甲烷二异氰酸酯、1，4-苯撑二异氰酸酯、2，4-甲苯二异氰酸酯、2，6-甲苯二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、环己烷二异氰酸酯、二甲苯二异氰酸酯、2，2，4-三甲基六亚甲基二异氰酸酯、4，4’-二环己基甲烷二异氰酸酯、1，3-苯撑二异氰酸酯等。此外，作为有机单异氰酸酯，可使用异佛尔酮异氰酸酯、苯基异氰酸酯、环己基异氰酸酯、丁基异氰酸酯、萘基异氰酸酯等。 
此外，作为碳化二亚胺系化合物的具体的市售品，例如，可得到カルボジライトV-02-L2(商品名：日清纺公司制)等。 
在采用碳化二亚胺系化合物作为交联剂的情况下，优选相对于粘合剂按1～200质量％的范围添加，更优选按5～100质量％的范围添加。 
作为导电膜16的形成方法，能够利用溅射等各种物理方法、一般熟知的涂布方法，例如浸渍涂覆法、气刀涂覆法、幕涂法、绕线棒涂覆法、照相凹版涂覆法、挤出涂覆法等各种涂布法等。 
在利用这些方法来形成导电膜16的情况下，优选采用以下的方法：(A)调节导电膜16的设置量，以使得细线图案的凹部被埋没，细线结构部14的表面和导电膜16的表面形成例如平滑的表面的方法；(B)通过研磨进行调节，以使细线结构部14的表面和导电膜16的表面形成平滑的表面的方法；(C)在细线结构部14的表面上实施了用于防止附着导电膜16的材料的表面处理后来形成导电膜16的方法。 
在(C)的方法中，由于导电膜16的材料的涂布液一般是高极性的，或是亲水性的，因此优选细线结构部14的表面是低极性的或是疏水性的， 具体优选采用以烷基硫醇类为代表的疏水性金属表面处理剂对细线结构部14的表面实施表面处理，进一步优选通过后处理将该处理剂除去。 
导电膜16也可以根据需要另外设置具有功能性的功能层。该功能层能够根据每种用途形成多种样式。例如能够设置：调整了折射率或膜厚的赋予了防反射功能的防反射层、或无眩光层或防眩光层(都具有防止晃眼的功能)、由吸收近红外线的化合物或金属构成的近红外线吸收层、具有吸收特定的波长区的可见光的色调调节功能的层、具有容易除去指纹等污垢的功能的防污层、不易损伤的硬质涂层、具有吸收冲击功能的层、具有防止玻璃破损时的玻璃飞溅的功能的层等。这些功能层可以设在导电膜16的表面，也可以设在支撑体12的背面。 
接着，对通过对在支撑体12上具有含感光性银盐的层的感光材料进行曝光及显影来形成导电性金属银部和透光部、从而构成细线结构部14的情况进行说明。 
[乳剂层(含银盐感光层)] 
本实施方式的制造方法中所用的感光材料具有在支撑体12上含有作为光传感器的银盐的乳剂层(含银盐感光层)。含银盐感光层除了银盐和粘合剂以外，还能够含有溶剂或染料等添加剂。 
此外，优选将乳剂层实质上配置在最上层。这里，所谓“乳剂层实质上是最上层”，不仅表示将乳剂层实际上配置在最上层的情况，而且也表示设在乳剂层上的层即保护层的总膜厚在0.5μm以下。设在乳剂层上的层的总膜厚优选为0.2μm以下。 
以下，对乳剂层中含有的各成分进行说明。 
<染料> 
在感光材料中，也可以至少在乳剂层含有染料。该染料作为滤光染料或以防止辐照等其它各种目的而含在乳剂层中。作为上述染料，也可以含有固体分散染料。作为本发明中优选采用的染料，可列举出日本特开平9-179243号公报中记载的用通式(FA)、通式(FA1)、通式(FA2)、通式(FA3)表示的染料，具体优选该公报中所记载的化合物F1～F34。此外，还优选采用日本特开平7-152112号公报中记载的(II-2)～(II-24)、特开平7-152112号公报中记载的(III-5)～(III-18)、及特开平7-152112号公 报中记载的(IV-2)～(IV-7)等。 
除此以外，作为在本实施方式中能够使用的染料，作为在显影或定影的处理时被脱色的固体微粒分散状的染料，可列举出日本特开平3-138640号公报中记载的花青染料、吡喃鎓染料及胺鎓染料。此外，作为处理时不脱色的染料，可列举日本特开平9-96891号公报中记载的具有羧基的花青染料、特开平8-245902号公报中记载的不含酸性基的花青染料、及特开平8-333519号公报中记载的色淀型花青染料、特开平1-266536号公报中记载的花青染料、特开平3-136038号公报中记载的全极型(holopolar)花青染料、特开昭62-299959号公报中记载的吡喃鎓染料、特开平7-253639号公报中记载的聚合物型花青染料、特开平2-282244号公报中记载的氧杂菁(oxonol)染料的固体微粒分散物、特开昭63-131135号公报中记载的光散射粒子、特开平9-5913号公报中记载的Yb3+化合物及特开平7-113072号公报中记载的ITO粉末等。此外，也可以采用特开平9-179243号公报中记载的用通式(F1)、通式(F2)表示的染料，具体可采用该公报中记载的化合物F35～F112。 
此外，作为上述染料，能够含有水溶性染料。作为如此的水溶性染料，可列举出：氧杂菁染料、苄叉染料、部花青染料、花青染料及偶氮染料。其中，在本发明中，氧杂菁染料、半氧杂菁(ヘミオキソノ一ル)染料及苄叉染料是有用的。作为本发明中可用的水溶性染料的具体例子，可列举出以下文献中记载的水溶性染料，所述文献是：英国专利第584609号说明书、英国专利第1177429号说明书、日本特开昭48-85130号公报、特开昭49-99620号公报、特开昭49-114420号公报、特开昭52-20822号公报、特开昭59-154439号公报、特开昭59-208548号公报、美国专利第2274782号说明书、第2533472号说明书、第2956879号说明书、第3148187号说明书、第3177078号说明书、第3247127号说明书、第3540887号说明书、第3575704号说明书、第3653905号说明书、第3718427号说明书。 
关于上述乳剂层中的染料的含量，从防止辐照等的效果、及由添加量增加带来的感度下降的观点出发，相对于总固体成分优选为0.01～10质量％、更优选为0.1～5质量％。 
<银盐> 
作为在本实施方式中所用的银盐，可列举出卤化银等无机银盐及醋酸银等有机银盐。在本实施方式中，优选采用作为光传感器的特性优良的卤化银。 
对在本实施方式中优选采用的卤化银进行说明。 
在本实施方式中，优选采用作为光传感器的特性优良的卤化银，也能够将有关卤化银的银盐照相薄膜或照相纸、印刷制版用薄膜、光掩模用乳胶掩模等中采用的技术用于本发明中。 
含在上述卤化银中的卤素元素可以是氯、溴、碘及氟中的任何一种，也可以是它们的组合。例如，优选采用以氯化银、溴化银、碘化银为主体的卤化银，更优选采用以溴化银或氯化银为主体的卤化银。此外还优选采用氯溴化银、碘氯溴化银、碘溴化银，更优选采用氯溴化银、溴化银、碘氯溴化银、碘溴化银，最优选采用含有50摩尔％以上的氯化银的氯溴化银、碘氯溴化银、及含有50摩尔％以上的溴化银的卤化银。 
再有，这里，所谓“以溴化银为主体的卤化银”，指的是在卤化银组成中所占的溴化物离子的摩尔分率在50％以上的卤化银。以该溴化银为主体的卤化银粒子中，除溴化物离子以外，也可以含有碘化物离子、氯化物离子。 
再有，卤化银乳剂中的碘化银含有率优选为每摩尔卤化银乳剂中不超过1.5摩尔％的范围。通过将碘化银含有率规定为不超过1.5摩尔％的范围，能够防止灰雾，改善压力性。更优选的碘化银含有率是在每摩尔卤化银乳剂中为1摩尔％以下。 
卤化银为固体粒子状，从曝光、显影处理后形成的图案状金属银层的图像质量的观点出发，卤化银的平均粒子尺寸以当量球直径计优选为0.1～1000nm(1μm)。上述下限值更优选为1nm，进一步优选为10nm。上述上限值更优选为800nm，进一步优选为500nm，更进一步优选为100nm，特别优选为50nm。 
再有，所谓卤化银粒子的当量球直径，是粒子形状为球形的具有相同体积的粒子的直径。 
对于卤化银粒子的形状不特别限定，例如能够是球状、立方体状、平板状(六角平板状、三角形平板状、四角形平板状等)、八面体状、14面体状等多种形状，优选为立方体、14面体。 
卤化银粒子的内部和表层可以由均匀的相形成，也可以由不同的相形成。此外，也可以在粒子内部或表面具有卤素组成不同的局部存在层。 
关于本实施方式中使用的乳剂层用涂布液即卤化银乳剂，可采用以下文献等中记载的方法进行调制，所述文献是：P.Glafkides著ChimieetPhysique Photographique(Paul Montel公司刊，1967年)、G.F.Dufin著Photographic Emulsion Chemistry(The Forcal Press刊，1966年)、和V.L.Zelikman等著Making and Coating Photographic Emulsion(The ForcalPress刊，1964年)。 
也就是说，作为上述卤化银乳剂的调制方法，可以是酸性法、中性法等中的任何一种，此外，作为使可溶性银盐和可溶性卤盐反应的方法，可以采用单侧混合法、同时混合法、它们的组合等中的任何一种方法。 
此外，作为银粒子的形成方法，也能够采用在银离子过剩的情况下形成粒子的方法(所谓逆混合法)。另外，也能够采用作为同时混合法的一种形式的将生成卤化银的液相中的pAg保持恒定的方法，即所谓的控制双注(Controlled Double-Jet)法。 
此外，还优选使用氨、硫醚、四取代硫脲等所谓卤化银溶剂来形成粒子。在这些方法中，更优选四取代硫脲化合物，其在特开昭53-82408号公报、特开昭55-77737号公报中有记载。作为优选的硫脲化合物，可列举出四甲基硫脲、1，3-二甲基-2-亚乙基硫脲。卤化银溶剂的添加量因所使用的化合物的种类及作为目标的粒子尺寸、卤素组成而异，但优选为相对于每摩尔卤化银为10-5～10-2摩尔。 
在上述的可控双注法及使用了卤化银溶剂的粒子形成方法中，容易制作结晶型为规则的、且粒子尺寸分布窄的卤化银乳剂，因而在本发明中能够优选采用。 
此外，为了使粒子尺寸均匀，优选采用如英国专利第1535016号公报、日本特公昭48-36890号公报、特公昭52-16364号公报中记载那样的，根据粒子生长速度使硝酸银或卤化碱金属的添加速度变化的方法，或优选采用如英国专利第4242445号公报、日本特开昭55-158124号公报中记载那样的， 使水溶液的浓度变化的方法，在不超过临界饱和度的范围内使银快速地生长。 
作为本实施方式中的乳剂层的形成中所用的卤化银乳剂，优选为单分散乳剂，以{(粒子尺寸的标准偏差)/(平均粒子尺寸)}×100表示的变动系数在20％以下，更优选为15％以下，最优选为10％以下。 
本实施方式中所用的卤化银乳剂中，也可以混合粒子尺寸不同的多种卤化银乳剂。 
本实施方式中所用的卤化银乳剂也可以含有属于VIII族、VIIB族的金属。特别是为了实现高对比及低灰雾，优选含有铑化合物、铱化合物、钌化合物、铁化合物及锇化合物等。这些化合物可以是具有各种配位基的化合物，作为配位基，例如可列举出：氰化物离子或卤离子、硫氰基离子、亚硝酰离子、水、氢氧化物粒子等，或除了这样的拟卤素、氨以外，胺类(甲胺、乙二胺等)、杂环化合物(咪唑、噻唑、5-甲基噻唑、巯基咪唑等)、尿素、硫脲等有机分子。 
此外，为了高感度化，进行K4[Fe(CN)6]或K4[Ru(CN)6]、K4[Cr(CN)6]这样的六氰化金属络合物的掺杂是有利的。 
作为上述铑化合物，能够采用水溶性铑化合物。作为水溶性铑化合物，例如可列举出：卤化铑(III)化合物、六氯铑(III)络盐、五氯水合铑络盐、四氯二水合铑络盐、六溴铑(III)络盐、六胺合铑(III)络盐、三草酸根合(trioxalato)铑(III)络盐、K3Rh2Br9等。 
这些铑化合物可溶解在水或适当的溶剂中来使用，可采用为了使铑化合物的溶液稳定化而一般常用的方法，也就是说能够采用添加卤化氢水溶液(例如盐酸、溴酸、氟酸等)、或卤化碱金属(例如KCl、NaCl、KBr、NaBr等)的方法。也可以替代采用水溶性铑而在卤化银调制时预先添加掺杂了铑的其它卤化银粒子并使其溶解。 
作为上述铱化合物，可列举出：K2IrCl6、K3IrCl6等六氯铱络盐、六溴铱络盐、六氨络铱络盐、五氯亚硝基铱络盐等。 
作为上述钌化合物，可列举出：六氯钌、五氯亚硝基钌、K4[RuCN]6等。 
作为上述铁化合物，可列举出：六氰基铁(II)酸钾、硫代氰酸亚铁。 
上述钌、锇能以在特开昭63-2042号公报、特开平1-285941号公报、特开平2-20852号公报、特开平2-20855号公报等中记载的水溶性络盐的形态添加，作为特别优选的，可列举出用下式表示的六配位络合物。 
[ML6]-n
这里，M表示Ru或Os，n表示0、1、2、3或4。 
在此种情况下，抗衡粒子不具有重要性，例如，可采用铵或碱金属离子。此外，作为优选的配位基，可列举出：卤化物配位基、氰化物配位基、氰酸化物配位基、亚硝基配位基、硫代亚硝基配位基等。以下示出本发明中所用的络合物的具体例子，但本发明并不限定于此。 
[RuCl6]-3、[RuCl4(H2O)2]-1、[RuCl5(NO)]-2、[RuBr5(NS)]-2、[Ru(CO)3Cl3] -2、[Ru(CO)Cl5]-2、[Ru(CO)Br5]-2、[OsCl6]-3、[OsCl5(NO)]-2、[Os(NO)(CN)5] -2、[Os(NS)Br5]-2、[Os(CN)6]-4、[Os(O)2(CN)5]-4。 
关于这些化合物的添加量，相对于每摩尔卤化银优选为10-10～10-2摩尔/摩尔Ag，更优选为10-9～10-3摩尔/摩尔Ag。 
另外，在本实施方式中，也能够优选采用含有Pd(II)离子及/或Pd金属的卤化银。Pd也能在卤化银粒子内均匀分布，但优选使其含在卤化银粒子的表层附近。这里，所谓Pd“含在卤化银粒子的表层附近”，意思是从卤化银粒子的表面在深度方向到50nm以内具有钯含有率比其它层高的层。 
这样的卤化银粒子能够通过在形成卤化银粒子的途中添加Pd来制作，优选在按总添加量的50％以上分别添加了银离子和卤离子后添加Pd。此外还优选采用在后期熟化时添加Pd(II)离子的等方法使其存在于卤化银表层。 
该含有Pd的卤化银粒子有助于提高物理显影或非电解镀覆的速度，提高所希望的电磁波屏蔽材料的生产效率，并降低生产成本。已知广泛采用Pd作为非电解镀覆催化剂，但在本发明中，由于可使Pd集中存在于卤化银粒子的表层，因此能够节约价格非常高的Pd。 
在本实施方式中，含在卤化银中的Pd离子及/或Pd金属的含有率，相对于卤化银中的银的摩尔数优选为10-4～0.5摩尔/摩尔Ag，更优选为0.01～0.3摩尔/摩尔Ag。 
作为所使用的Pd化合物的例子，可列举出PdCl4或Na2PdCl4等。 
在本实施方式中，能与普通的卤化银照相感光材料同样地实施化学增敏，也可以不实施。作为化学增敏的方法，例如可通过将化学增敏剂添加到卤化银乳剂中来进行，该化学增敏剂已在特开2000-275770号公报的段落[0078]以后的内容中引用，且包含具有照相感光材料的感度增敏作用的硫属元素化合物或贵金属化合物。作为本实施方式的感光材料中所用的银盐乳剂，能够优选采用不进行上述化学增敏的乳剂、即未化学增敏的乳剂。在本实施方式中作为优选的未化学增敏的乳剂的调制方法，优选将包含硫属元素化合物或贵金属化合物的化学增敏剂的添加量限制于通过添加这些化学增敏剂而形成的感度上升在0.1以内的量以下。对于硫属元素化合物或贵金属化合物的添加量的具体的量无限制，但作为本实施方式中的未化学增敏的乳剂的优选调制方法，优选将这些化学增敏化合物的总添加量规定在相对于每摩尔卤化银为5×10-7摩尔以下。 
在本实施方式中，为了进一步提高作为光传感器的感度，还能实施用照相乳剂进行的化学增敏。作为化学增敏的方法，能够采用硫增敏、硒增敏、碲增敏等硫属元素增敏、金增敏等贵金属增敏、还原增敏等。这些方法可以单独或组合使用。在组合使用上述化学增敏的方法的情况下，例如，优选硫增敏法和金增敏法、硫增敏法和硒增敏法和金增敏法、硫增敏法和碲增敏法和金增敏法等的组合。 
上述硫增敏通常通过添加硫增敏剂、在40℃以上的高温下对乳剂搅拌一定时间来进行。作为上述硫增敏剂，能够使用公知的化合物，例如，除了含在明胶中的硫化合物以外，还能够采用多种硫化合物，例如硫代硫酸盐、硫脲类、噻唑类、劳丹碱类等。优选的硫化合物是硫代硫酸盐、硫脲化合物。硫增敏剂的添加量根据化学熟成时的pH、温度、卤化银粒子的大小等多种条件而变化，优选相对于每摩尔卤化银为10-7～10-2摩尔，更优选为10-5～10-3摩尔。 
作为在上述硒增敏中所用的硒增敏剂，能够采用公知的硒化合物。也就是说，上述硒增敏通常通过添加不稳定型及/或非不稳定型硒化合物、在40℃以上的高温下对乳剂搅拌一定时间来进行。作为上述不稳定型硒化合物，能够采用在特公昭44-15748号公报、特公昭43-13489号公报、特开平4-109240号公报、特开平4-324855号公报等中记载的化合物。尤其优选 特开平4-324855号公报中的用通式(VIII)及(IX)表示的化合物。 
上述碲增敏剂中所用的碲增敏剂是在卤化银粒子表面或内部使碲化银生成的化合物，推断该碲化银成为增敏核。关于卤化银乳剂中的碲化银生成速度，可采用在特开平5-313284号公报中记载的方法进行试验。具体是，可采用美国专利US第1623499号公报、美国专利US第3320069号公报、美国专利US第3772031号公报、英国专利第235211号公报、英国专利第1121496号公报、英国专利第1295462号公报、英国专利第1396696号公报、加拿大专利第800958号公报、日本特开平4-204640号公报、特开平4-271341号公报、特开平4-333043号公报、特开平5-303157号公报、化学学会化学通讯杂志(J.Chem.Soc.Chem.Commun.)635页(1980)、该刊1102页(1979)、该刊645页(1979)，化学学会佩金学报(J.Chem.Soc.Perkin.Trans.1卷，2191页(1980)，S.Patai编著，有机硒和有机碲化合物的化学(The Chemistry ofOrganic Selenium and Tellunium Compounds)，1卷(1986)、该刊2卷(1987)等中记载的化合物。尤其优选特开平5-313284号公报中的用通式(II)、(III)、(IV)表示的化合物。 
在本实施方式中能够使用的硒增敏剂及碲增敏剂的使用量，根据所使用的卤化银粒子、化学熟成条件等而变化，但通常相对于每摩尔卤化银使用10-8～10-2摩尔，优选为10-7～10-3摩尔左右。作为本发明中的化学增敏的条件，不特别限定，但作为pH适宜为5～8，作为pAg适宜为6～11、优选为7～10，作为温度适宜为40～95℃、优选为45～85℃。 
此外，作为上述贵金属增敏剂，可列举出金、铂、钯、铱等，尤其优选金增敏。作为金增敏中所用的金增敏剂，具体地讲，可列举出：氯金酸、氯金酸钾、金硫氰酸钾(potassium aurithiocyanate)、硫化金、硫葡糖金(I)、硫甘露糖金(I)等，相对于每摩尔卤化银能够采用10-7～10-2摩尔左右。在本发明中所用的卤化银乳剂中，在卤化银粒子的形成或物理熟成的过程中，也可以使镉盐、亚硫酸盐、铅盐、铊盐等共存。 
此外，在本实施方式中还能够采用还原增敏。作为还原增敏剂，能够采用亚锡盐、胺类、甲眯亚磺酸、硅烷化合物等。上述卤化银乳剂也可以利用欧洲公开专利(EP)293917号公法中所示的方法来添加硫代磺酸化合物。本发明中所用的感光材料的制作中采用的卤化银乳剂可以是1种、也 可以2种以上(例如平均粒子尺寸不同的、卤素成分不同的、晶体惯态不同的、化学增敏条件不同的、感度不同的)并用。其中，为了得到高对比度，如特开平6-324426号公报中记载那样，优选的是越接近支撑体涂布感度越高的乳剂。 
<水溶性粘合剂> 
在乳剂层，为了均匀地分散银盐粒子，且辅助乳剂层和支撑体的密合，可以采用粘合剂。在本实施方式中，作为上述粘合剂，可以采用水溶性粘合剂，该水溶性粘合剂可通过在后述的温水中浸渍或与蒸汽接触的处理加以除去。作为这样的水溶性粘合剂，优选采用水溶性聚合物。 
作为上述粘合剂，例如，可列举出：明胶、角叉菜胶、聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯基吡咯烷酮(PVP)、淀粉等多糖类、纤维素及其衍生物、聚氧化乙烯、多糖类、聚乙烯胺、脱乙酰壳多糖、聚赖氨酸、聚丙烯酸、聚藻酸、多透明质酸、羧基纤维素、阿拉伯树胶、藻酸钠等。它们根据官能团的离子性而具有中性、阴离子性、阳离子性的性质。 
此外，作为明胶，除了石灰处理明胶以外，也可以采用酸处理明胶，能够使用明胶的水解物、明胶酵母分解物、修饰了其它氨基、羧基的明胶(邻苯二甲酰化明胶、乙酰化明胶)。 
对于含在乳剂层中的粘合剂的含量不特别限定，可在能发挥分散性和密合性的范围内适宜确定。关于乳剂层中的粘合剂的含量，优选Ag/粘合剂的体积比率在1/4以上，更优选在1/1以上。 
<溶剂> 
对于上述乳剂层的形成中所用的溶剂不特别限定，例如可列举出：水、有机溶剂(例如甲醇等醇类、丙酮等酮类、甲酰胺等酰胺类、二甲亚砜等亚砜类、醋酸乙酯等酯类、醚类等)离子性液体、及它们的混合溶剂。 
本实施方式的乳剂层中所用的溶剂的含量相对于上述乳剂层中含有的银盐、粘合剂等的合计质量适宜为30～90质量％的范围，优选为50～80质量％的范围。 
<防静电剂> 
优选本实施方式中的感光材料含有防静电剂，最好将其涂覆在与乳剂层相反一侧的支撑体表面上。 
作为防静电层，优选采用表面电阻率在25℃、25％RH的气氛下为1012欧姆/sq以下的含导电性物质的层。作为在本实施方式中优选的防静电剂，能够优选采用下述的导电性物质。 
能够采用例如从日本特开平2-18542号公报的第2页左下栏第13行到该公报第3页右上栏第7行中记载的导电性物质。具体地讲，能够采用该公报第2页右下栏第2行到该页右下栏第10行中记载的金属氧化物、及该公报中记载的化合物P-1～P-7的导电性高分子化合物、以及在美国专利第5575957号说明书、特开平10-142738号公报的段落[0043]～[0045]、日本特开平11-223901号公报的段落[0013]～[0019]中记载的针状的金属氧化物等。 
作为本实施方式中所用的导电性金属氧化物粒子，可列举出：ZnO、TiO2、SnO2、Al2O3、In2O3、MgO、BaO及MoO3以及它们的复合氧化物、以及在这些金属氧化物中另外含有异种原子的金属氧化物的粒子。作为金属氧化物，优选SnO2、ZnO、Al2O3、TiO2、In2O3及MgO，更优选SnO2、ZnO、In2O3及TiO2，特别优选SnO2。作为少量含有异种原子的例子，可列举出：按0.01～30摩尔％(优选0.1～10摩尔％)的掺杂比例相对于ZnO掺杂了Al或In、相对于TiO2掺杂了Nb或Ta、相对于In2O3掺杂了Sn、及相对于SnO2掺杂了Sb、Nb或卤素元素等异种元素的金属氧化物粒子。在异种元素的添加量低于0.01摩尔％时，难以向氧化物或复合氧化物赋予充分的导电性，如果超过30摩尔％，则粒子的黑化度增加，防静电层发黑，因此不适合。所以，在本实施方式中，作为导电性金属氧化物粒子的材料，优选相对于金属氧化物或复合金属氧化物含有少量异种元素的材料。此外还优选在结晶结构中含有氧缺陷的材料。 
作为少量含有上述异种原子的导电性金属氧化物微粒，优选为掺杂了锑的SnO2粒子，特别优选为掺杂了0.2～2.0摩尔％的锑的SnO2粒子。 
对于本实施方式中所用的导电性金属氧化物的形状不特别限制，可列举出粒状、针状等。此外，关于其尺寸，按球换算直径表示的平均粒径为0.5～25μm。 
此外，为了得到导电性，例如，还能够使用可溶性盐(例如氯化物、硝酸盐等)、蒸镀金属层、美国专利第2861056号说明书及美国专利第 3206312号说明书中记载的离子性聚合物或美国专利第3428451号说明书中记载的不溶性无机盐。 
含有这样的导电性金属氧化物粒子的防静电层优选作为背面的下涂层、乳剂层的下涂层等而设置。优选其添加量按两面合计为0.01～1.0g/m2。 
此外，优选感光材料的体积电阻率在25℃、25％RH的气氛下为1.0×107～1.0×1012欧姆·cm。 
在本实施方式中，除了上述导电性物质之外，通过并用从特开平2-18542号公报第4页右上栏第2行到第4页右下栏第3行、及从特开平3-39948号公报第12页左下栏第6行到该公报中第13页右下栏第5行中记载的含氟表面活性剂，能够得到更好的防静电性。 
<其它添加剂> 
关于本发明中的感光材料中所用的各种添加剂不特别限制，例如能够优选采用下记公报等中记载的添加剂。但是，在本实施方式中最好不使用硬膜剂。因为在使用硬膜剂的情况下，如果进行后述的使其浸渍在温水中或与蒸汽接触的处理，则电阻升高，导电率下降。 
(1)造核促进剂 
作为上述造核促进剂，可列举出：在特开平6-82943号公报中记载的通式(I)、(II)、(III)、(IV)、(V)、(VI)的化合物、或从特开平2-103536号公报第9页右上栏第13行到该公报第16页左上栏第10行的通式(II-m)～(II-p)及化合物例II-1～II-22、以及特开平1-179939号公报中记载的化合物。 
(2)分光增敏色素 
作为上述分光增敏色素，可列举出：从特开平2-12236号公报第8页左上栏第13行到该页右下栏第4行、特开平2-103536号公报第16页右下栏第3行到该公报第17页左下栏第20行、以及特开平1-112235号公报、特开平2-124560号公报、特开平3-7928号公报、及特开平5-11389号公报中记载的分光增敏色素。 
(3)表面活性剂 
作为上述表面活性剂，可列举出：在从特开平2-12236号公报第9页右 上栏第7行到该页右下栏第7行、及从特开平2-18524号公报第2页左下栏第13行到该公报第4页右下栏第18行中记载的表面活性剂。 
(4)灰雾防止剂 
作为上述灰雾防止剂，可列举出：在从特开平2-103536号公报第17页右下栏第19行到该公报第18页右上栏第4行及从该页右下栏第1行到第5行、另外在特开平1-237538号公报中记载的硫代亚磺酸化合物。 
(5)聚合物胶乳 
作为上述聚合物胶乳，可列举出：在从特开平2-103536号公报第18页左下栏第12行到该页第20行中记载的聚合物胶乳。 
(6)具有酸基的化合物 
作为上述具有酸基的化合物，可列举出：在从特开平2-103536号公报第18页右下栏第6行到该公报第19页左上栏第1行中记载的化合物。 
(7)硬膜剂 
作为上述硬膜剂，可列举出：在从特开平2-103536号公报第18页右上栏第5行到该页第17行中记载的化合物。 
(8)黑斑防止剂 
所谓上述黑斑防止剂是一种化合物，其可抑制在未曝光部产生点状显影银，例如，可列举出：美国专利第4956257号说明书及日本特开平1-118832号公报中记载的化合物。 
(9)氧化还原化合物 
作为氧化还原化合物，可列举出：特开平2-301743号公报中的用通式(I)表示的化合物(尤其是化合物例1至50)；特开平3-174143号公报第3页至第20页中记载的通式(R-1)、(R-2)、(R-3)、化合物例1至75；及特开平5-257239号公报、特开平4-278939号公报中记载的化合物。 
(10)一甲碱类化合物 
作为上述一甲碱类化合物，可列举出：特开平2-287532号公报的通式(II)的化合物(尤其是化合物例II-1至II-26)。 
(11)二羟基苯类 
可列举出：从特开平3-39948号公报第11页左上栏到第12页左下栏记载的化合物、及欧洲专利申请公开第452772A号说明书中记载的化合物。 
[其它的层构成] 
也可以在乳剂层上设置保护层。在本实施方式中所谓“保护层”，指的是由明胶或高分子聚合物等粘合剂形成的层，为了实现防擦伤或改进力学特性的效果，被形成在具有感光性的乳剂层上。其厚度优选为0.2μm以下。对于上述保护层的涂布方法及形成方法不特别限定，能够适宜采用公知的涂布方法， 
(细线结构部的形成方法) 
下面对采用上述感光材料形成细线结构部的方法进行说明。再有，通过本实施方式得到的透明导电性薄膜10不仅是通过图案曝光在支撑体12上形成了细线结构部14的透明导电性薄膜，而且也可以是通过面曝光形成了金属的透明导电性薄膜。此外，在采用透明导电性薄膜10例如作为印刷基板的情况下，也可以形成金属银部和绝缘性部。 
关于本实施方式中的细线结构部14的形成方法，根据感光材料和显影处理的方式，包括以下3种方式。 
(1)通过对不含物理显影核的感光性卤化银黑白感光材料进行化学显影或热显影，使金属银部形成在该感光材料上的方式。 
(2)通过对在卤化银乳剂层中含有物理显影核的感光性卤化银黑白感光材料进行溶解物理显影，使金属银部形成在该感光材料上的方式。 
(3)通过将不含物理显影核的感光性卤化银黑白感光材料与具有含物理显影核的非感光性层的显像胶片重合，并扩散转印显影，使金属银部形成在非感光性显像胶片上的方式。 
上述(1)的方式是一体型黑白显影类型，在感光材料上形成透光性导电性膜。所得到的显影银是化学显影银或热显影银，是高比表面的丝状，基于此点，在后续的镀覆或物理显影过程中，活性高。 
上述(2)的方式是在曝光部中，通过将物理显影核边缘的卤化银粒子溶解，使其沉积在显影核上，由此在感光材料上形成透光性电磁波屏蔽膜或光透射性导电膜等透光性导电性膜。其也是一体型黑白显影类型。显影作用由于是向物理显影核上析出，因而活性高，但显影银是比表面积小的球形。 
上述(3)的方式通过在未曝光部中溶解卤化银粒子并使其扩散，沉积 在显像胶片上的显影核上，由此在显像胶片上形成透光性电磁波屏蔽膜或光透射性导电膜等透光性导电性膜。其是所谓的分离类型，是将显像胶片从感光材料上剥离而使用的方式。 
所有方式都能选择负型显影处理及反转显影处理中的任何一种显影(在是扩散转印方式时，通过采用自动正型感光材料作为感光材料可进行负型显影处理)。关于显影，更优选为负型。 
这里所说的化学显影、热显影、溶解物理显影及扩散转印显影是如该行业中常用的用语的意思，在照片化学的一般教科书、例如菊地真一著“照片化学”(共立出版社出版发行)、C.E.K.Mees编“The Theory ofPhotographic Process，4th ed.”(Mcmillan公司，1977年出版发行)中进行了解说。此外，例如，也可参照特开2004-184693号公报、特开2004-334077号公报、特开2005-010752号公报、特愿2004-244080号说明书、特愿2004-085655号说明书等中记载的技术。 
[曝光] 
在本实施方式的制造方法中，对设在支撑体12上的含银盐感光层进行曝光。能够采用电磁波进行曝光。作为电磁波，例如可列举出：可见光线、紫外线等光、X射线等放射线等。另外，也可以利用在曝光中具有波长分布的光源，也可以采用特定的波长的光源。 
作为上述光源，例如可列举出采用了阴极射线(CRT)的扫描曝光。阴极射线管曝光装置与采用激光的装置相比，简便且紧凑，可降低成本。此外，也容易调节光轴或颜色。作为图像曝光中所用的阴极射线管，可根据需要采用在频谱区域显示发光的各种发光体。作为发光体，例如，可采用红色发光体、绿色发光体、蓝色发光体中的任何一种或混合使用2种以上。频谱区域不局限于上述的红色、绿色及蓝色，也能采用在黄色、橙色、紫色或红外区域发光的荧光体。尤其可经常采用通过混合这些发光体而发白色光的阴极射线管。此外，优选采用紫外线灯，但也能利用水银灯的g射线、水银灯的i射线等。 
此外，在本实施方式的制造方法中，能够采用多种激光束进行曝光。例如，作为本发明中的曝光，能够优选采用扫描曝光方式，该扫描曝光方式采用了气体激光器、发光二极管、半导体激光器、将半导体激光器或以 半导体激光器用作激发光源的固体激光器与非线形光学晶体组合而成的二次谐波发光光源(SHG)等的单色高密度光，而且本发明中的曝光也能够采用KrF准分子激光器、ArF准分子激光器、F2激光器等。为了使装置紧凑并且廉价，优选采用半导体激光器、半导体激光器或固体激光器与非线形光学晶体组合而成的二次谐波发光光源(SHG)进行曝光。尤其是为了设计紧凑、廉价、且寿命长、稳定性高的装置，优选采用半导体激光器进行曝光。 
作为激光光源，具体地讲，优选采用以下半导体激光器：波长为430～460nm的蓝色半导体激光器(2001年3月，第48届应用物理学相关联合讲演会，日亚化学发表)、通过利用具有波导路状的反转畴结构的LiNbO3的SHG晶体对半导体激光器(振荡波长大约1060nm)进行波长变换而取出的大约530nm的绿色激光器、波长大约为685nm的红色半导体激光器(日立型号No.HL6738MG)、波长大约为650nm的红色半导体激光器(日立型号No.HL6501MG)等。 
关于将含银盐的层曝光成图案状的方法，可以通过利用光掩模的面曝光来进行，也可以通过利用激光束的扫描曝光来进行。此时，可以是采用透镜的折射式曝光，也可以是采用反光镜的反射式曝光，能采用接触曝光、接近曝光、缩小投影曝光、反射投影曝光等曝光方式。 
在本实施方式的制造方法中，在将含银盐的层曝光后再实施显影处理。作为上述显影处理，能够采用银盐照相薄膜或照相纸、印刷制版用薄膜、光掩模用乳化掩模等中所用的通常的显影处理技术。关于显影液不特别限定，但可采用PQ显影液、MQ显影液、MAA显影液等。作为市售品，例如，能够采用富士胶片公司制的CN-16、CR-56、CP45X、FD-3、ND-1、FT-803R、HS-1、HS-5、パピト-ル、コピナ-ル、フアインド-ル、ミクロフアイン或KODAK公司制的C-41、E-6、RA-4、Dsd-19、D-72等显影液、或含在其套件(kit)中的显影液(所有都是商品名)。此外，也能够采用里斯(リズ)显影液。作为里斯显影液，能够采用KODAK公司制的D85(商品名)等。 
在本实施方式的透明导电性薄膜的制造方法中，通过进行上述曝光及显影处理，在曝光部形成图案状的金属银部，而且在未曝光部形成后述的 透光部。再有，在本实施方式中，优选在显影温度、定影温度及水洗温度为35℃以下的条件下进行。 
本实施方式的制造方法中的显影处理能够包括为除去未曝光部分的银盐使之稳定化而进行的定影处理。在本实施方式的制造方法中，定影处理能够采用银盐照相薄膜或照相纸、印刷制版用薄膜、光掩模用乳化掩模等中所用的显影处理技术。 
为了提高图像质量，可在显影处理中所用的显影液中含有画质改善剂。作为上述画质改善剂，例如，可列举出苯并三唑等含氮杂环化合物。此外，在利用里斯显影液的情况下，特别优选使用聚乙二醇。 
关于显影处理后的曝光部中含有的金属银的质量，相对于曝光前的曝光部中含有的银的质量优选为50质量％以上的含有率，更优选为80质量％以上。只要曝光部中含有的银的质量相对于曝光前的曝光部中含有的银的质量在50质量％以上，就容易得到高的导电性，因此是优选的。 
对于本实施方式中的显影处理后的灰度不特别限定，但优选超过4.0。如果显影处理后的灰度超过4.0，则能够较高地确保透光部的透明性，同时能够提高导电性金属部的导电性。作为使灰度在4.0以上的方法，例如，可列举出前述的铑离子、铱离子的掺杂。 
[氧化处理] 
在本实施方式的制造方法中，优选对显影处理后的金属银部进行氧化处理。通过进行氧化处理，例如，在金属稍微沉积在透光部的情况下，能够除去该金属，使透光部的透过性达到大致100％。 
作为上述氧化处理，例如，可列举出Fe(III)离子处理等采用各种氧化剂的公知的方法。可在含银盐的层的曝光及显影处理后进行氧化处理。 
在本实施方式中，还能够用含Pd的溶液进一步对曝光及显影处理后的金属银部进行处理。Pd可以是2价的钯离子也可以是金属钯。通过该处理能够抑制金属银部的黑色的时效变化。 
[还原处理] 
通过在显影处理后浸渍在还原水溶液中，能够得到优选的导电性高的薄膜。 
作为还原水溶液，可适宜采用亚硫酸钠水溶液、对苯二酚水溶液、对苯二胺水溶液、草酸水溶液等，更优选将水溶液的pH设定在10以上。 
[压实处理] 
在本实施方式的制造方法中，优选对显影处理过的细线结构部14进行压实(平滑化)处理。由此可显著增加细线结构部14的导电性。而且，通过适宜地设计细线结构部14的金属银部和透光部的面积，可得到同时具有高的导电性和高的透光性的透明导电性薄膜10。 
此外，优选的是使形成有细线结构部14的支撑体12在浸渍在温水中之前或使其与水蒸汽接触之前进行压实处理。 
关于压实处理，例如可通过砑光辊来进行。砑光辊通常由一对辊构成。以下将采用砑光辊的压实处理表述为砑光处理。 
作为砑光处理中所用的辊，可采用环氧、聚酰亚胺、聚酰胺、聚酰亚胺酰胺等塑料辊或金属辊。特别是在两面具有乳剂层的情况下，优选在金属辊相互间进行处理。在一面具有乳剂层的情况下，从防止皱褶的观点出发，也能够规定为金属辊和塑料辊的组合。关于线压力的下限值，优选为1960N/cm(200kgf/cm)、更优选为2940N/cm(300kgf/cm)。关于线压力的上限值，优选为6860N/cm(700kgf/cm)。这里，所谓线压力，指的是对要压实处理的薄膜试样的每1cm所施加的力。 
以砑光辊为代表的平滑化处理的适用温度优选为10℃(无调温)～100℃，更优选的温度因金属网状图案或金属布线图案的布线密度或形状、粘合剂种类而异，但大致在10℃(无调温)～50℃的范围。 
如上所述，根据本实施方式的制造方法，能够简便且低成本地制造具有高的导电性的透明导电性薄膜10。在本实施方式中，在采用银盐(特别是卤化银)感光材料的透明导电性薄膜10的制造方法中，优选在线压力为1960N/cm(200kgf/cm)以上的高线压下进行平滑化处理，由此能够充分降低透明导电性薄膜10的表面电阻。在以如此高的线压进行平滑化处理的情况下，如果金属银部形成细线状(特别是线宽为25μm以下)，可以认为该金属银部的线宽被扩宽，难以形成所希望的图案。可是，在平滑化处理的对象是银盐(特别是卤化银)感光材料的情况下，线宽的扩展小，能够形成所希望图案的金属银部。也就是说，由于能够按所希望的图案形成形状均匀的金属银部，因此能够抑制次品的发生，能够更加提高透明导电性薄膜10的生产性。在按上述线压力进行平滑化处理的情况下，优选用砑光辊进行所述平滑化处理，用一对金属辊、或金属辊和树脂辊的组合进行所述平滑化处理。此时，优选将辊间的表面压力设定在600kgf/cm2以上，更优选设定在800kgf/cm2以上，进一步优选设定在900kgf/cm2以上。而且优选将此时的上限值设定在2000kgf/cm2以下。 
[镀覆处理] 
在本实施方式中，只要进行上述平滑化处理就可以，但也可以对金属银部进行镀覆处理。通过镀覆处理能够更加降低表面电阻，提高导电性。既可以在镀覆处理的前段也可以在后段进行平滑化处理，但如果在镀覆处理的前段进行，则能够使镀覆处理效率化，并可形成均匀的镀层。作为镀覆处理，可以使电解镀覆也可以是非电解镀覆。此外，作为镀层的构成材料，优选为具有充分导电性的金属，优选为铜。 
再有，能够在不脱离本发明的宗旨的范围内，将本发明与下述公报中公开的技术组合在一起使用。 
特开2004-221564号公报、特开2004-221565号公报、特开2006-012935号公报、特开2006-010795号公报、特开2006-228469号公报、特开2006-228473号公报、特开2006-228478号公报、特开2006-228480号公报、特开2006-228836号公报、特开2006-267627号公报、特开2006-269795号公报、特开2006-267635号公报、特开2006-286410号公报、特开2006-283133号公报、特开2006-283137号公报。 
(浸渍在温水中或与蒸汽接触的处理) 
在本实施方式的制造方法中，在将细线结构部14形成在支撑体12上后，使形成有该细线结构部14的支撑体12浸渍在40℃以上的温水中或使其与水蒸汽接触。由此能够在短时间内简便地提高导电性及透明性。如上所述，关于透明导电性薄膜10的导电性被提高的理由还不确定，但在本实施方式中，认为是通过至少除去一部分水溶性粘合剂使金属(导电性物质)彼此的结合部位增加的缘故。 
浸渍支撑体12的温水的温度优选为40℃以上100℃以下，更优选为60℃～100℃，特别优选为大约80℃～100℃，这样可显著提高导电性。此外，与支撑体12接触的水蒸汽的温度优选在1个大气压下为100℃以上140℃以下。优选温水的pH为2～13，更优选为2～9，进一步优选为2～5。在40℃以上的温水中或该温度以上的热水中的浸渍时间或与蒸气接触的时间因使用的水溶性粘合剂的种类而异，但在支撑体12的尺寸为60cm×1m时，优选大约为10秒～大约5分钟的范围，更优选为大约1分钟～大约5分钟。 
在本实施方式的制造方法中，通过曝光及显影处理直接在支撑体12上形成特定了线宽、开口率、Ag含量的网状的金属银部，因而具有充分的表面电阻，所以不需要再通过对金属银部实施物理显影及/或镀覆处理来预先赋予导电性。因此，能够用简易的工序制造透明导电性薄膜10。 
根据本实施方式的方法制造的透明导电性薄膜10由于电阻低、透光性高，因而能够广泛地应用于液晶显示器、等离子显示面板、有机EL、无机EL、太阳能电池、接触面板、印刷电路基板等。 
<电压和频率> 
通常，分散型电致发光元件用交流电来驱动。典型地，采用100V、50Hz至400Hz的交流电源来驱动。在面积小的情况下，亮度与外加电压以及频率大致成正比地增加。但是，在是0.25m2以上的大面积元件的情况下，元件的电容成分增大，元件和电源的阻抗匹配不吻合，或向元件中蓄积电荷所需的时间常数增加，因此即使高电压化或尤其是高频化也容易形成不能充分供给电力的状态。特别是在0.25m2以上的元件中，相对于500Hz以上的交流驱动，经常发生相对于驱动频率的增大而使外加电压下降，经常引起低亮度化。 
对此，采用了本实施方式的第1电极部22的电致发光元件即使在0.25m2以上的大尺寸的情况下，也能进行高频率的驱动，能够进行高亮度化。在此种情况下，优选为500Hz以上5KHz以下的驱动，更优选800Hz以上3KHz以下的驱动。 
以下，通过列举实施例对本发明进行更具体的说明。再有，以下的实施例中所示的材料、使用量、比例、处理内容、处理顺序等可以在不脱离本发明的宗旨的范围内适宜变更。因此，不应理解为本发明的范围受以下所示的具体例的限定。 
[第1实施例] 
首先，对形成于支撑体12上的细线结构部14的特性(表面电阻、膜强度等)进行了评价的第1实施例如以下所示。 
<实施例1～14及比较例1～7> 
(乳剂A的调制) 
·1液： 
水                            750ml 
明胶(邻苯二甲酰化处理明胶)    20g 
氯化钠                        3g 
1，3-二甲基-2-亚乙基硫脲      20mg 
苯硫代磺酸钠                  10mg 
柠檬酸                        0.7g 
·2液： 
水                            300ml 
硝酸银                        150g 
·3液： 
水                            300ml 
氯化钠                        38g 
溴化钾                        32g 
六氯铱(III)酸钾 
(0.005％KCl 20％水溶液)       5ml 
六氯铑酸铵 
(0.001％NaCl 20％水溶液)      7ml 
3液中所用的六氯铱(III)酸钾(0.005％KCl 20％水溶液)及六氯铑酸铵(0.001％NaCl 20％水溶液)是通过将各自的络合物粉末分别溶解于KCl的20％水溶液、NaCl的20％水溶液中，在40℃下加热120分钟而调制成的。 
在保持在38℃、pH4.5的1液中一边搅拌一边用20分钟同时加入相当于2液和3液的各90％的量，形成0.16μm的核粒子。接着用8分钟加入下记4液、5液，再用2分钟加入2液和3液的剩余的10％的量，使其生长到0.21μm。然后，加入碘化钾0.15g，熟化5分钟，结束粒子形成。 
·4液： 
水            100ml 
硝酸银        50g 
·5液： 
水            100ml 
氯化钠        13g 
溴化钾        11g 
亚铁氰化钾    5mg 
然后，按照常规方法，用絮状沉淀法进行水洗。具体是，将温度降到35℃，采用硫酸使pH降低到卤化银沉降的程度(为pH3.6±0.2的范围)。 
接着，将上清液除去大约3升(第1水洗)。再加入3升蒸馏水，然后加入硫酸直到卤化银沉降。再次，将上清液除去大约3升(第2水洗)。再重复一次与第2水洗相同的操作(第3水洗)，然后结束水洗及脱盐过程。 
将水洗及脱盐后的乳剂调整到pH6.4、pAg7.5，加入苯硫代磺酸钠10mg、苯硫代亚磺酸钠3mg、硫代硫酸钠15mg和氯金酸10mg，在55℃下实施化学增敏以得到最佳的感度，作为稳定剂，加入1，3，3a，7-四氮茚100mg，作为防腐剂，加入プロキセル(商品名，ICI Co.，Ltd.制)100mg。最终得到含有氯化银70摩尔％、碘化银0.08摩尔％的平均粒径为0.22μm、变动系数为9％的碘氯溴化银立方体粒子乳剂。最终的乳剂为：pH＝6.4、pAg＝7.5、导电率＝40μS/m、密度＝1.2×103kg/m3、粘度＝60mPa·s。 
(乳剂B的调制) 
除了在乳剂A的调制中将1液的明胶量规定为8g之外，按相同的条件调制乳剂，将其作为乳剂B。 
(涂布试样的制作) 
在上述乳剂A、B中加入增敏色素(sd-1)5.7×10-4摩尔/摩尔Ag，实施分光增敏。再加入KBr 3.4×10-4摩尔/摩尔Ag、化合物(Cpd-3)8.0×10-4摩尔/摩尔Ag，充分混合。 
接着，添加1，3，3a，7-四氮茚1.2×10-4摩尔/摩尔Ag、对苯二酚1.2×10-2摩尔/摩尔Ag、柠檬酸3.0×10-4摩尔/摩尔Ag、按90mg/m2添加2，4-二氯-6-羟基-1，3，5-三嗪钠盐，相对于明胶添加15wt％的粒径为10μm的胶体二氧化硅、按50mg/m2添加水性胶乳(aqL-6)，按100mg/m2添加 聚丙烯酸乙酯胶乳，按100mg/m2添加甲基丙烯酸酯与2-丙烯酰胺-2-甲基丙烷磺酸钠盐与甲基丙烯酸2-乙酰氧基乙酯的胶乳共聚物(重量比为88∶5∶7)，按100mg/m2添加芯壳型胶乳，芯∶苯乙烯/丁二烯共聚物(重量比为37/63)，壳∶苯乙烯/丙烯酸2-乙酰氧基乙酯(重量比为84/16、芯/壳比＝50/50)，相对于明胶添加4wt％的化合物(Cpd-7)，采用柠檬酸将涂布液的pH调整到5.6。 
采用乳剂A，将按如上所述调制的乳剂层涂布液涂布在聚对苯二甲酸乙二酯(PET)上，使得Ag为10.5g/m2，明胶为0.94g/m2，然后进行干燥，将其作为涂布试样A。 
此外，采用乳剂B，将按如上所述调制的乳剂层涂布液涂布在聚对苯二甲酸乙二酯(PET)上，使得Ag为10.5g/m2，明胶为0.33g/m2，然后进行干燥，将其作为涂布试样B。 
作为PET，采用预先进行了表面亲水化处理的PET。 
Figure G200780033191XD00451
Figure G200780033191XD00461
关于得到的涂布试样A，其乳剂层的Ag/粘合剂体积比率(银/GEL比(vol))为1/0.7，符合本发明的导电膜形成用感光材料中优选采用的Ag/粘合剂比率为1/1以上(参照实施例1、2、比较例1及2)。 
关于涂布试样B，其乳剂层的Ag/粘合剂体积比率(银/GEL比(vol))为4/1，符合本发明的导电膜形成用感光材料中更优选采用的Ag/粘合剂比率为2/1以上(参照实施例3、4、比较例3)。而且，制成了明胶量变化的试样，制成了实施例5～11。 
(曝光及显影处理) 
接着，采用以高压水银灯为光源的平行光，经由光掩模对干燥了的涂布膜进行曝光，该光掩模的格子状的光掩模线/间隙＝195μm/5μm(间距200μm)，且间隙为格子状，可提供线/间隙＝5μm/195μm的显影银像。用下述显影液显影，进而在采用定影液(商品名：CN16X用N3X-R，富士照相胶片公司制)进行了显影处理后，用纯水冲洗，得到线宽及开口率不同的试样a及b。 
关于涂布试样A，将制成的试样作为A-a(参照比较例1及实施例1)、A-b(参照比较例2及实施例2)，关于涂布试样B，将制成的试样作为B-a(参照比较例3、实施例3及4)、B-b(实施例5)。此外，还制作了整面曝光的试样(参照比较例7、实施例13及14)。 
[显影液的组成] 
在1升的显影液中，含有以下的化合物。 
对苯二酚            0.037mol/L 
N-甲基氨基苯酚         0.016mol/L 
偏硼酸钠               0.140mol/L 
氢氧化钠               0.360mol/L 
溴化钠                 0.031mol/L 
偏亚硫酸氢钠           0.187mol/L 
(砑光处理) 
对按如上所述显影处理过的试样进行了砑光处理。砑光辊由金属辊(铁心+镀硬铬，辊直径为250mm)形成，施加从1960N/cm(200kgf/cm，如果换算成表面压力，则为700kgf/cm2)到7840N/cm(800kgf/cm，如果换算成表面压力，则为1850kgf/cm2)的线压力，使试样通过辊间，测定了处理前后的表面电阻率(欧姆/sq)。在本实施例的情况下，如果将线压力100kgf/cm换算成表面压力，则为417kgf/cm2，如果将线压力200kgf/cm换算成表面压力，则为700kgf/cm2，如果将线压力300kgf/cm换算成表面压力，则为936kgf/cm2，如果将线压力600kgf/cm换算成表面压力，则为1519kgf/cm2。 
将试样A-a的砑光处理前作为A-a-1(比较例1)，将处理后作为A-a-2(实施例1)，将试样A-b的砑光处理前作为A-b-1(比较例2)，将处理后作为A-b-2(实施例2)。 
将试样B的砑光处理前作为B-a-1(比较例3)，将处理后作为B-a-2(实施例3)。 
关于得到的试样B-a-2(实施例3)，其金属银部的Ag/非导电性高分子的体积比为3.1/1，此外，密度为8.5g/cm3，厚度为1.2μm，符合本发明的导电膜中优选采用的金属银部的Ag/非导电性高分子的体积比为3/1以上、厚度为0.5μm～5μm。 
(黑化处理) 
接着，对形成有网状的银图像的透明薄膜，在具有以下组成的黑化镀液中，以碳为阳极电极进行电镀。 
黑化镀覆处理中的镀覆处理液如下。 
[黑化液组成] 
硫酸镍六水合盐    120g 
硫代氰酸铵        17g 
硫酸锌七水合盐    28g 
硫酸钠            16g 
加入纯水          1L 
pH为5.0，用硫酸和氢氧化钠(调整pH) 
[镀覆条件] 
液温：大约30℃ 
时间：20秒 
阴极电流密度：0.1～0.2A/dm2
相对于阴极(35mm×12cm)整体，电流为0.03A 
将试样B-a-2(实施例3)的上述黑化处理试样作为B-a-3(实施例4)。 
(比较例4～6) 
为了与以往所知中的导电性最高、且透光性高的技术相比较，作为上述以往技术部分的“利用照相术的刻蚀加工铜网”的代表，制作了特开平10-41682号公报中记载的金属网，作为比较例4的试样。 
通过进行与特开平10-41682号公报中的实施例相同的实验，制成了该试样(比较例4)。 
再有，为了使其网形状线宽、间距与本发明的试样一致，采用了与上述相同的间距为200μm的光掩模。 
此外，作为上述以往技术部分的“印刷了银浆料的网”的代表，制作了特开2000-13088号公报记载的金属网，制作了开口率不同的比较例5及6的试样。 
[评价] 
对如此得到的具有导电性金属部和透光部的本发明的试样及比较例的试样的导电性金属部的线宽进行了测定，求出了开口率，而且测定了表面电阻率(欧姆/sq)。再有，在各测定中，采用了光学显微镜、扫描式电子显微镜及低电阻率计。 
此外，目视评价了网的金属部的颜色，将黑色的表示为“○”，将褐色至灰色的表示为“×”。另外，关于制造方法中的工序数，将具有工序数在5以下的评价为“○”，将需要工序数超过5的评价为“×”。 
此外，按以下方法进行了膜强度的评价。 
采用直径为0.1mmφ的蓝宝石针，以1cm/秒的速度在形成有网金属部的一面侧进行划痕。使蓝宝石针的负荷在0～100g的范围内变化，而且将划伤达到基板时的负荷作为膜强度的尺度。 
◎：开始产生划伤的负荷在80g以上 
○：开始产生划伤的负荷在50g以上且低于80g 
×：开始产生划伤的负荷在20g以上且低于50g 
评价结果与各试样的数据一同示于表1。 
Figure DEST_PATH_G51477657150138000D000071
由表1得知，比较例4的刻蚀铜网的网颜色为褐色，工序数也为多工序。另外，比较例5的印刷了银浆料的网因其线宽粗而使开口率低。在此种情况下，如比较例6所示，虽然能够扩大间距而提高开口率，但出现了表面电阻率增大的新问题。 
相对于此，实施例1及2没有出现上述比较例中见到的问题，线宽细，几乎没有从原来的线宽扩展，开口率高，而且表面电阻率低，电磁波屏蔽能力高。 
更优选的方式的实施例4由于网的金属部是黑色，因而可避免对显示器的图像的不良影响、对比度下降。此外，制造时的工序数少，是短工序。 
而且，可知实施例1～4的膜强度高，在处理时也不易产生网部的缺陷、剥离，在质量上可靠性高。 
关于变化了明胶量的实施例5～8，线宽比实施例1～4稍大。可是，由于即使扩大间距而提高开口率，表面电阻率也低，因此能够使开口率比实施例1～4大。此外，膜强度大，可靠性高。 
整面曝光的比较例7的表面电阻率低而比较优良，但膜强度低，在可靠性上存在问题。另一方面，整面曝光的实施例13及14与比较例7相比，表面电阻率低，而且膜强度高，在可靠性上也充分。 
再有，关于实施例9～11，表面电阻率高于2.5(欧姆/sq)，在导电性上不太充分，但膜强度高，在可靠性上比较充分。 
[第2实施例] 
上述表1所示的实施例1～14中，在显影后进行砑光处理、进而在定影后进行砑光处理的实施例14的表面电阻率为0.08(欧姆/sq)，表示出最低的值。 
因而，对显影后的砑光处理及定影后的砑光处理中的线压力与表面电阻率的关系进行了研究。其结果见图10所示。 
关于试样，与上述的试样B-a-2(参照实施例3)相同，在与上述同样地进行了曝光、显影后，用纯水冲洗1分钟，然后进行40℃的干燥处理。接着，进行显影后的砑光处理，其后采用定影液(商品名：CN16X用N3X-R，富士照相胶片公司制)进行定影处理，接着用纯水冲洗2分钟，然后进行干燥处理，进行定影后的砑光处理。 
作为砑光处理中所用的砑光辊，准备两种，1种是由表面进行了压花加工的金属辊和进行了镜面加工的金属辊组合而成的第1砑光辊，另一种是由表面进行了镜面加工的金属辊与树脂制的辊组合而成的第2砑光辊。 
通过第1砑光辊改变线压力地进行砑光处理(显影后及定影后)时的表面电阻率的变化用菱形的标绘点表示，通过第2砑光辊改变线压力地进行砑光处理(显影后及定影后)时的表面电阻率的变化用四角形的标绘点表示。 
从图10得知，当在显影后及定影后分别进行砑光处理时，几乎不依赖砑光辊的种类，作为线压力只要在200(kgf/cm)以上，就能得到1.8(欧姆/sq)以下的表面电阻率。此外，由于线压力在700(kgf/cm)以下时，表面电阻率出现微小的上升，因此优选将700(kgf/cm)以下作为上限。 
[第3实施例] 
接着，在第3实施例中对透明导电性薄膜10的特性(透射率、体积电阻、表面电阻、可挠性等)进行了评价。该第3实施例如以下所示。 
1.担载有细线结构部14的支撑体12的制作 
(乳剂的调制) 
由于与第1实施例的乳剂A相同，因此这里省略其重复说明。 
(涂布试样的制作) 
由于与在第1实施例中说明的事项相同，与采用了乳剂A的涂布试样A相同，因此这里省略其重复说明。 
所得到的涂布试样的乳剂层的Ag/粘合剂体积比率为1/0.7，符合本发明中优选采用的Ag/粘合剂体积比率为1/4以上。 
(曝光及显影处理) 
接着，采用以高压水银灯为光源的平行光，经由光掩模对干燥了的涂布膜进行曝光，该光掩模可提供线/间隙＝10μm/300μm的显影银像，且间隙为格子状，用下述显影液显影。进而在采用定影液(商品名：CN16X用N3X-R，富士照相胶片公司制)进行了显影处理后，用纯水冲洗。 
采用上述处理剂对曝光、显影完的感光材料进行25℃下20秒的显影、25℃下20秒的定影、流水(5L/min)20秒的水洗处理，且按照显影、水洗、干燥、压实处理、定影、水洗、干燥、压实处理的顺序进行。采用装备有金属辊的砑光辊装置，施加3920N/cm(400kgf/cm)的线压，使试样通过辊之间，如此进行压实处理。
2.导电膜16的涂覆 
在按如上所述形成的细线结构部14上，通过棒涂机，改变涂布量地如表2所示涂布由下述导电性聚合物形成的透明性导电膜16，制作了透明导电性薄膜(实施例21～23)。进而，在没有细线结构部14的PET基板上进行相同厚度的涂布，达到与实施例21～23相同的膜厚，制成比较例21～23。作为导电性聚合物，采用TA Chemical株式会社的导电性聚合物BaytronPEDOT(聚乙烯二氧噻吩)。干燥在室温下通过自然干燥来进行。 
同样，将只形成有细线结构部14的试样作为比较例24，将采用了ITO薄膜的试样作为比较例25。 
3.电致发光元件的制作 
将按以上制作的透明导电性薄膜(实施例21～23、比较例21～25)按以下方式组装在无机分散型EL(电发光)元件中，进行了发光试验。 
在成为背面电极的铝薄板上涂布含有平均粒子尺寸为0.03μm的颜料的反射绝缘层和荧光体粒子为50～60μm的发光层，采用温风干燥机在110℃下干燥1小时。 
然后，将透明导电性薄膜10重合、热压接在荧光体层及内面电极的电介质层表面上，制成EL元件。用2块由尼龙6形成的吸水性薄片和2片防潮薄膜夹着EL元件进行热压接。EL元件的尺寸为3cm×5cm或A4尺寸。 
4.评价 
(试样的表面电阻/透射率) 
对实施例21～23、比较例21～25的表面电阻、及相对于波长为550nm的光的透射率进行了测定。 
(试样的亮度) 
采用3cm×5cm的试样，对进行峰值电压为100V、频率为1kHz的驱动时的初期亮度进行了评价。 
(可挠性的评价) 
求出了上述弯曲试验中的试样(实施例21～23、比较例21～25)的表面电阻的上升率K。表面电阻的上升率K在将进行弯曲试验前的试样的表面电阻设为R1、将进行了弯曲试验后的试样的表面电阻设为R2时，按K＝R2/R1求出。 
弯曲试验是如图11所示，通过重复进行以下工序使试样34弯曲100次，所述工序是：将试样34(实施例21～23、比较例21～25)挂在相对于基座30旋转自如地安装的直径为4mm的辊32上，对试样34的一个端部34a按每米宽施加28.6(kg)的张力进行拉伸，同时使辊32旋转，从而使试样34弯曲的工序；和对试样34的另一个端部34b按每米宽施加28.6(kg)的张力进行拉伸，同时使辊32旋转，从而使试样34弯曲的工序。 
关于评价，在表面电阻的上升率K为1.2以下时表示为○，为1.2～10时表示为△，为10以上时表示为×。 
(结果1) 
实施例21～23、比较例21～25的透射率、细线结构部14的表面电阻、导电膜16的表面电阻、强度及可挠性的评价结果如表2所示。 
表2 
该评价结果表明，比较例24(只有细线结构部)的表面电阻比比较例25(只有ITO膜)低。但如图12A所示，只在细线的附近发光，开口部不发光，因此亮度显著降低。相对于此，如实施例21～23那样，当在细线结构部14上附加导电膜16的情况下，如图12B所示，确认了整面发光。此外，在采用了表面电阻为105欧姆/sq的导电膜16时，确认了在比较例23中不发光，但在实施例23中整面发光。 
[第4实施例] 
在按上述所示制作的试样中，对A4尺寸的试样(实施例23、比较例21、24、25)按峰值电压50V、频率1.4kHz进行驱动，如图13所示，在由Ag浆料形成的母线上设置取出电极，通过变化与取出电极的距离进行了亮度的测定，求出了以取出电极附近(基准点)的亮度为基准(＝1)时的亮度比。基准点离母线的最短距离为10mm，测定点离母线的最短距离为50mm、100mm、150mm、200mm、250mm。 
图14示出了测定结果。该结果表明，只有导电膜的比较例21随着离取出电极的距离加大，亮度减小。比较例24(只有细线结构部)几乎没有离取出电极的距离所造成的亮度的下降，亮度大致稳定，但如上所述，在比较例24中，如图12A所示，存在不能面发光的问题。在采用ITO膜的比较例25中，直到200mm的测定点都几乎没有亮度的减少，但在250mm的测定点，亮度急剧下降。与此相对照，在实施例23中，几乎没有离取出电极的距离所造成的亮度的下降，亮度大致稳定。而且如图12B所示，实现了整面发光。 
[第5实施例] 
接着，对以下所示的试样1～6进行了上述的弯曲试验，按与上述相同的评价标准(表面电阻的上升率K)评价了可挠性。 
试样1是通过溅射形成ITO膜，表面电阻为300欧姆/sq的ITO薄膜。 
试样2是采用由PEDOT形成的导电膜16制作透明导电性薄膜，试样3是只有细线结构部14的透明导电性薄膜，该细线结构部14是通过对支撑体12上具有含感光性银盐的层的感光材料进行曝光及显影而形成的。 
试样4是具有细线结构部14和导电膜16的透明导电性薄膜，其在制造过程中进行了砑光处理，而且在温水中进行了浸渍处理。试样5是在支撑体12的上表面整面上具有导电膜16的透明导电性薄膜，其在制造过程中进行了砑光处理，而且在温水中进行了浸渍处理。试样6是在支撑体12的上表面整面上具有导电膜16的透明导电性薄膜，其在制造过程中进行了砑光处理，但没有在温水中进行浸渍处理。 
表3及图15示出了评价结果。 
表3 
Figure G200780033191XD00561
采用了ITO膜的试样1显示出上升率为18480.33的非常高的上升率。与此相对照，在试样2～6中，上升率在2以下。再有，试样2中没有电阻值的上升，相反，尽管程度微小，却有电阻的下降。 
如此得知，如试样1所明示的，使用了ITO膜的透明导电性薄膜的可挠性不充分。 
再有，本发明中的自发光显示装置、自发光显示装置的制造方法、透明导电性薄膜、电致发光元件、太阳能电池用透明电极及电子纸用透明电极并不局限于上述的实施方式，当然能够在不脱离本发明的宗旨的条件下采取多种构成。 

Claims (32)

1.一种自发光显示装置，其特征在于，具备：
支持体(12)，
电极部(22)，其设置在该支持体(12)上，且具有由导电性金属形成的细线结构部(14)和透光性的导电膜(16)，
和显示部(24)，其层叠在所述电极部(22)上且具有发光层(26)；
所述电极部(22)的所述细线结构部(14)的体积电阻为10-4欧姆·cm以下，所述导电膜(16)的体积电阻为0.05欧姆·cm以上；
在将进行下述弯曲试验前的所述电极部(22)的表面电阻设定为R1、将进行了下述弯曲试验后的所述电极部(22)的表面电阻设定为R2时，满足R2/R1＜18；
弯曲试验是通过重复进行以下工序使所述电极部(22)弯曲100次，所述工序是：将所述电极部(22)挂在相对于基座(30)旋转自如地安装的直径为4mm的辊(32)上，对所述电极部(22)的一个端部(34a)按每米宽施加28.6kg的张力进行拉伸，同时使所述辊(32)旋转，从而使所述电极部(22)弯曲的工序；和对所述电极部(22)的另一个端部(34b)按每米宽施加28.6kg的张力进行拉伸，同时使所述辊(32)旋转，从而使所述电极部(22)弯曲的工序。
2.根据权利要求1所述的自发光显示装置，其特征在于：
所述电极部(22)的所述细线结构部(14)的体积电阻为5×10-5欧姆·cm以下，所述导电膜(16)的体积电阻为0.5欧姆·cm以上。
3.根据权利要求1所述的自发光显示装置，其特征在于：
所述电极部(22)的所述细线结构部(14)的体积电阻为2×10-5欧姆·cm以下，所述导电膜(16)的体积电阻为1欧姆·cm以上。
4.一种自发光显示装置，其特征在于，具备：
支持体(12)， 
电极部(22)，其设置在该支持体(12)上，且具有由导电性金属形成的细线结构部(14)和透光性的导电膜(16)，
和显示部(24)，其层叠在所述电极部(22)上且具有发光层(26)；
所述电极部(22)的所述细线结构部(14)的表面电阻为100欧姆/sq以下，所述导电膜(16)的表面电阻为100欧姆/sq以上；
在将进行下述弯曲试验前的所述电极部(22)的表面电阻设定为R1、将进行了下述弯曲试验后的所述电极部(22)的表面电阻设定为R2时，满足R2/R1＜18；
弯曲试验是通过重复进行以下工序使所述电极部(22)弯曲100次，所述工序是：将所述电极部(22)挂在相对于基座(30)旋转自如地安装的直径为4mm的辊(32)上，对所述电极部(22)的一个端部(34a)按每米宽施加28.6kg的张力进行拉伸，同时使所述辊(32)旋转，从而使所述电极部(22)弯曲的工序；和对所述电极部(22)的另一个端部(34b)按每米宽施加28.6kg的张力进行拉伸，同时使所述辊(32)旋转，从而使所述电极部(22)弯曲的工序。
5.根据权利要求4所述的自发光显示装置，其特征在于：
所述电极部(22)的所述细线结构部(14)的表面电阻为50欧姆/sq以下，所述导电膜(16)的表面电阻为1000欧姆/sq以上。
6.根据权利要求4所述的自发光显示装置，其特征在于：
所述电极部(22)的所述细线结构部(14)的表面电阻为10欧姆/sq以下，所述导电膜(16)的表面电阻为10000欧姆/sq以上。
7.根据权利要求1或4所述的自发光显示装置，其特征在于：所述电极部(22)的所述导电膜(16)含有导电性材料。
8.根据权利要求7所述的自发光显示装置，其特征在于：所述导电性材料含有透明导电性有机聚合物、或导电性微粒。 
9.根据权利要求8所述的自发光显示装置，其特征在于：所述导电性微粒是导电性金属氧化物、导电性金属微粒或碳纳米管。
10.根据权利要求1或4所述的自发光显示装置，其特征在于：所述电极部(22)的所述细线结构部(14)的厚度即高度为10μm以下。
11.根据权利要求1或4所述的自发光显示装置，其特征在于：所述细线结构部(14)的厚度即高度与所述导电膜(16)相同。
12.根据权利要求1或4所述的自发光显示装置，其特征在于：所述导电膜(16)被设置在所述细线结构部(14)的上表面或下表面。
13.根据权利要求1或4所述的自发光显示装置，其特征在于：所述电极部(22)的光的透射率相对于550nm的光为70％以上。
14.根据权利要求1或4所述的自发光显示装置，其特征在于：
所述电极部(22)的所述细线结构部(14)由导电性金属银形成，该导电性金属银是通过对在所述支持体(12)上至少具有含感光性银盐的层(44)的感光层进行曝光、显影处理而形成的。
15.根据权利要求14所述的自发光显示装置，其特征在于：所述电极部(22)的所述细线结构部(14)含有银，且Ag/粘合剂的体积比为1/4以上。
16.根据权利要求14所述的自发光显示装置，其特征在于：
所述电极部(22)的所述细线结构部(14)是通过对导电性金属银进行压实处理来得到的，该导电性金属银是通过对在所述支持体(12)上具有含感光性银盐的层(44)的感光材料进行曝光、显影处理而形成的。
17.根据权利要求16所述的自发光显示装置，其特征在于：所述压实处理通过砑光辊装置来进行。
18.一种透明导电性薄膜，其具有支持体(12)、设置在该支持体(12)上且由导电性金属形成的细线结构部(14)、和设置在该支持体(12)上且透光性的导电膜(16)，其特征在于：
所述细线结构部(14)的体积电阻为10-4欧姆·cm以下，所述导电膜(16)的体积电阻为0.05欧姆·cm以上；
在将进行下述弯曲试验前的所述透明导电性薄膜的表面电阻设定为R1、将进行了下述弯曲试验后的所述透明导电性薄膜的表面电阻设定为R2时，满足R2/R1＜18；
弯曲试验是通过重复进行以下工序使所述透明导电性薄膜弯曲100次，所述工序是：将所述透明导电性薄膜挂在相对于基座(30)旋转自如地安装的直径为4mm的辊(32)上，对所述透明导电性薄膜的一个端部(34a)按每米宽施加28.6kg的张力进行拉伸，同时使所述辊(32)旋转，从而使所述透明导电性薄膜弯曲的工序；和对所述透明导电性薄膜的另一个端部(34b)按每米宽施加28.6kg的张力进行拉伸，同时使所述辊(32)旋转，从而使所述透明导电性薄膜弯曲的工序。
19.一种透明导电性薄膜，其具有支持体(12)、设置在该支持体(12)上且由导电性金属形成的细线结构部(14)、和设置在该支持体(12)上且透光性的导电膜(16)，其特征在于：
所述细线结构部(14)的表面电阻为100欧姆/sq以下，所述导电膜(16)的表面电阻为100欧姆/sq以上；
在将进行下述弯曲试验前的所述透明导电性薄膜的表面电阻设定为R1、将进行了下述弯曲试验后的所述透明导电性薄膜的表面电阻设定为R2时，满足R2/R1＜18；
弯曲试验是通过重复进行以下工序使所述透明导电性薄膜弯曲100次，所述工序是：将所述透明导电性薄膜挂在相对于基座(30)旋转自如地安装的直径为4mm的辊(32)上，对所述透明导电性薄膜的一个端部(34a)按每米宽施加28.6kg的张力进行拉伸，同时使所述辊(32)旋转，从而使所述透明导电性薄膜弯曲的工序；和对所述透明导电性薄膜的另一个端部(34b)按每米宽施加28.6kg的张力进行拉伸，同时使所述辊(32)旋转，从而使所述透明导电性薄膜弯曲的工序。
20.根据权利要求18或19所述的透明导电性薄膜，其特征在于：所述细线结构部(14)含有密度为8.0g/cm3～10.5g/cm3的银。
21.根据权利要求18或19所述的透明导电性薄膜，其特征在于：所述细线结构部(14)的厚度为0.5μm～10μm。
22.根据权利要求18或19所述的透明导电性薄膜，其特征在于：所述细线结构部(14)为细线图案，其线宽为0.1μm～25μm。
23.权利要求18或19所述的透明导电性薄膜的制造方法，其特征在于：
通过对支持体上具有至少包含含感光性卤化银的层的照相构成层的感光材料进行曝光、显影处理，在所述支持体上形成由导电性金属形成的细线结构部，并将该细线结构部和透光性的导电膜组合。
24.根据权利要求23所述的透明导电性薄膜的制造方法，其特征在于：所述细线结构部含有银，且Ag/粘合剂的体积比为1/4以上。
25.根据权利要求23所述的透明导电性薄膜的制造方法，其特征在于：具有对所述细线结构部进行压实处理的压实处理工序。
26.根据权利要求25所述的透明导电性薄膜的制造方法，其特征在于：所述压实处理通过砑光辊装置来进行。
27.根据权利要求25所述的透明导电性薄膜的制造方法，其特征在于：在1980N/cm即200kgf/cm以上的线压力下进行所述压实处理。 
28.根据权利要求25所述的透明导电性薄膜的制造方法，其特征在于：在2960N/cm即300kgf/cm以上的线压力下进行所述压实处理。
29.根据权利要求25所述的透明导电性薄膜的制造方法，其特征在于：在6860N/cm即700kgf/cm以下的线压力下进行所述压实处理。
30.一种电致发光元件，其特征在于：具有权利要求18或19所述的透明导电性薄膜。
31.一种太阳能电池用透明电极，其特征在于：具有权利要求18或19所述的透明导电性薄膜。
32.一种电子纸用透明电极，其特征在于：具有权利要求18或19所述的透明导电性薄膜。 
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