JP5363953B2 - 長尺電極基板およびその製造方法 - Google Patents
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Description
(1)本発明の長尺電極基板は、長尺基板と、長尺基板の表面に形成された透明導電膜と、透明導電膜の縁部に形成された帯状電極と、透明導電膜と帯状電極との段差を解消するように、透明導電膜と帯状電極との表面を覆うように形成された導電性ポリマー層とを備え、透明導電膜がインジウム錫酸化物(ITO)またはインジウム亜鉛酸化物(IZO)からなり、導電性ポリマー層が、前記帯状電極と、前記導電性ポリマー層上に形成された電極との短絡を防止する。
(2)本発明の長尺電極基板は、長尺電極基板が矩形であって、その長さL1が、幅W1の10倍以上である。
(3)本発明の長尺電極基板は、長尺基板が長尺高分子フィルムからなる。
(4)本発明の長尺電極基板は、帯状電極が銅、クロム、ニッケル、アルミニウム、金、銀、またはそれらの合金からなる。
(5)本発明の長尺電極基板は、導電性ポリマー層がポリエチレンジオキシチオフェン、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリイソチアナフテン、ポリフェニリン、ポリフェニレンビニレン、ポリフルオレン、またはそれらの誘導体からなる。
(6)本発明の長尺電極基板の製造方法は、上記に記載の長尺電極基板の製造方法であって、長尺高分子フィルムからなる長尺基板の表面に、スパッタ法により透明導電膜を形成する工程Aと、透明導電膜の表面に帯状電極を形成する工程Bと、透明導電膜と帯状電極との表面に、透明導電膜と帯状電極との段差を解消するように導電性ポリマーを塗布して、導電性ポリマー層を形成する工程Cとを含む。
図1に本発明の長尺電極基板10の一例の模式図を示す。図1に示すように、本発明の長尺電極基板10は、長尺基板11と、長尺基板11の片側表面のほぼ全面に形成された透明導電膜12と、透明導電膜12の両長辺縁部に形成された帯状電極13と、透明導電膜12および帯状電極13の表面を覆う導電性ポリマー層14とを備える。
本発明に用いられる長尺基板11は、透明導電膜12の支持体として用いられる。長尺基板11の厚みは、自己支持性があれば特に制限はないが、好ましくは25μm〜200μmである。
本発明に用いられる透明導電膜12は、可視光領域(波長380nm〜780nm)で光の透過率が高く、さらに電気伝導度が高い(抵抗率が低い)薄膜をいう。
本発明に用いられる帯状電極13は、長尺基板11上の透明導電膜12の縁部に形成される。好ましくは、帯状電極13は、透明導電膜12の両長辺の縁部に形成される。
本発明に用いられる導電性ポリマー層14は、透明導電膜12と帯状電極13との段差を解消し、透明導電膜12および帯状電極13の表面を覆うように形成される。
本発明の長尺電極基板10は、有機エレクトロルミネッセンス素子20の陽極として、好適に用いられる。
[厚み]
エポキシ樹脂に包埋した長尺電極基板10の小片を切削処理し、得られた断面をイオンポリッシング処理して、サンプルとした。このサンプルを導電性粘着テープで固定し、サンプル断面にオスミウムコーティングを施した。断面をFE−SEM(日本電子社製)で観察し、各層の厚みを求めた。
透明導電膜12の抵抗率は、導電性プラスチックの4深針法による抵抗率試験方法(JIS K 7194)に準拠した抵抗率計(三菱アナリテック社製)を用いて測定した。
導電性ポリマー層14の導電率は、導電性プラスチックの4深針法による抵抗率試験方法(JIS K 7194)に準拠した抵抗率計(三菱アナリテック社製)を用いて測定した。この抵抗率計は、抵抗率と導電率の測定ができる。
11 長尺基板
12 透明導電膜
13 帯状電極
14 導電性ポリマー層
20 有機エレクトロルミネッセンス素子
21 有機エレクトロルミネッセンス層
22 金属電極
30 電極基板
31 ガラス基板
32 透明導電膜
33 網目状電極
34 給電部
40 有機エレクトロルミネッセンス素子
41 有機エレクトロルミネッセンス層
42 金属電極
Claims (6)
- 長尺基板と、
前記長尺基板の表面に形成された透明導電膜と、
前記透明導電膜の縁部に形成された帯状電極と、
前記透明導電膜と前記帯状電極との段差を解消するように、前記透明導電膜と前記帯状電極との表面に形成された導電性ポリマー層とを備えた長尺電極基板であって、
前記透明導電膜がインジウム錫酸化物(ITO)またはインジウム亜鉛酸化物(IZO)からなり、
前記導電性ポリマー層が、前記帯状電極と、前記導電性ポリマー層上に形成された電極との短絡を防止する長尺電極基板。 - 前記長尺電極基板が矩形であって、その長さL1が、幅W1の10倍以上である、請求項1に記載の長尺電極基板。
- 前記長尺基板が長尺高分子フィルムからなる、請求項1または2に記載の長尺電極基板。
- 前記帯状電極が銅、クロム、ニッケル、アルミニウム、金、銀、またはそれらの合金からなる、請求項1〜3のいずれかに記載の長尺電極基板。
- 前記導電性ポリマー層がポリエチレンジオキシチオフェン、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリイソチアナフテン、ポリフェニリン、ポリフェニレンビニレン、ポリフルオレン、またはそれらの誘導体からなる、請求項1〜4のいずれかに記載の長尺電極基板。
- 請求項1〜5のいずれかに記載の長尺電極基板の製造方法であって、
長尺高分子フィルムからなる長尺基板の表面に、スパッタ法により透明導電膜を形成する工程Aと、
前記透明導電膜の表面に帯状電極を形成する工程Bと、
前記透明導電膜と前記帯状電極との表面に、前記透明導電膜と前記帯状電極との段差を解消するように導電性ポリマーを塗布して、導電性ポリマー層を形成する工程Cとを含む、長尺電極基板の製造方法。
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