WO2012169072A1 - 有機発光素子及びその製造方法 - Google Patents

有機発光素子及びその製造方法 Download PDF

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organic
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transparent conductive
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崇人 小山田
拓也 畠山
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パイオニア株式会社
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing

Definitions

  • the present invention relates to an organic light emitting device having an organic multilayer structure including an organic light emitting layer and a method for manufacturing the same.
  • the bank is generally formed as an insulating film having almost no translucency. Therefore, since the light generated by driving the organic light emitting element is absorbed by the bank, there is a problem that the area of the region that guides the generated light to the outside is limited and power is consumed wastefully. That is, since the opening formed by the bank becomes a region that emits light to the outside as it is, the aperture ratio is lowered, and as a result, there is a problem that power consumption increases to obtain a desired light amount.
  • the problem to be solved by the present invention is to provide the organic light emitting device capable of reducing the power consumption by increasing the aperture ratio by taking the above drawback as an example, and a method for manufacturing the same. Is the purpose.
  • An organic light-emitting device includes a transparent substrate, a transparent conductive film formed on the substrate, a bus line pair made of a metal material juxtaposed on the transparent conductive film, and the bus By applying an insulating oxide film formed by oxidizing the surface of the line pair, and a solution containing an organic material on the bus line of the bus line pair after the formation of the insulating oxide film and in a region extending between the bus lines And a formed organic material layer.
  • the method for manufacturing an organic light emitting device includes a step of forming a transparent conductive film on a transparent substrate, and a bus line forming step of juxtaposing bus line pairs made of a metal material on the transparent conductive film. And forming an insulating oxide film by oxidizing the surface of the bus line pair, and an organic material for the bus line of the bus line pair after the formation of the insulating oxide film and a region extending between the bus lines. And a step of forming an organic material layer by applying a solution.
  • the bus line pairs are juxtaposed on the substrate via the transparent conductive film, and the surface of the bus line pair Is formed by forming an organic material layer by applying an organic material on the bus line of the bus line pair and the transparent conductive film between the bus lines after the insulating oxide film is formed. Since the emitted light is diffused at the contact surface on the anode side of the bus line of the metal material, the aperture ratio of the organic light emitting element can be improved as compared with the conventional element. In addition, since the generated light can be emitted more efficiently, the power consumption can be reduced than that of a conventional element in order to obtain a desired light amount.
  • FIG. 1 shows a method of manufacturing an organic light emitting device (organic EL device) to which the present invention is applied.
  • the manufacturing method of FIG. 1 shows a method for manufacturing one organic light emitting element in a light emitting panel having a plurality of organic light emitting elements.
  • this manufacturing method includes (a) an anode forming step, (b) a bus line forming step, (c) an oxide film forming step, and (d) a hole injection / transport layer forming step. Forming step, (e) coating light emitting layer forming step, and (f) vapor deposition layer forming step.
  • Anode formation step For example, a transparent film is deposited and formed on a transparent (including translucent) substrate 11 made of a glass plate having a thickness of 0.7 mm using IZO (indium zinc oxide) as a material by sputtering. Then, a resist is applied onto the IZO film by a photolithography technique, exposure and development are sequentially performed to transfer the mask pattern to the resist, and further, the IZO film other than a portion to be left as an anode is removed by etching. When the resist is removed on the substrate 11, the remaining IZO film is obtained as a transparent anode 12 (transparent conductive film) as shown in FIG.
  • IZO indium zinc oxide
  • the anode 12 is formed on the substrate 11 as a long flat film.
  • the thickness of the anode 12 is, for example, 180 nm, and the width in the direction orthogonal to the longitudinal direction is, for example, 400 ⁇ m.
  • FIG. 1A only one anode 12 is shown on the substrate 11 for one organic light emitting device, but actually, a plurality of anodes 12 are formed on the substrate 11 in parallel with each other.
  • the distance between the anodes 12 of adjacent light emitting elements is 50 ⁇ m.
  • FIGS. 1B to 1F shows a cross section in a direction orthogonal to the longitudinal direction of the anode 12, and this is the same in FIGS. 1B to 1F.
  • Bus line formation process A film is formed on the anode 12 by sputtering using AlNd (aluminum-neodymium alloy) as a material, and then a resist is applied onto the AlNd film by photolithography, and a mask pattern is formed on the resist. In order to transfer the film, exposure and development are sequentially performed, and further, the AlNd film other than the portion to be left as a bus line is removed by etching. When the resist is removed on the substrate 11, the remaining AlNd film is obtained as a pair of bus lines 13 as shown in FIG.
  • the bus line 13 has conductivity and is a power supply line to the anode 12.
  • Each bus line 13 has the same shape and is arranged in parallel with each other, and a pair of bus lines 13 form a recess therebetween.
  • Each bus line 13 has a thickness of, for example, 150 nm and a width of, for example, 50 ⁇ m.
  • FIG. 2 shows a plan view of the substrate 11 in which a plurality of anodes 12 and a pair of bus lines 13 for each anode 12 are formed in a stripe shape on the substrate 11.
  • a method for forming the oxide film in addition to UV / O 3 irradiation, a method of patterning using a resist and oxidizing the surface of the bus line 13 with pure water may be used.
  • an ink jet method is used in which an organic material solution is sequentially ejected and supplied in minute quantities via a nozzle.
  • an ink (solution) 15 having a fixed concentration of 1 wt% using PEDOT (a polymer of 3,4-ethylenedioxythiophene) as a host and PSS (a polymer of styrene sulfonic acid) as a dopant is illustrated in an inkjet apparatus. As shown in the left figure of 1 (d), it is applied by dropping into the recesses between the bus lines 13.
  • the ink 15 is in a state where the center is raised by the surface tension between the outer corners of the oxide film 14 formed on both the bus lines 12, and the so-called wet pinning effect prevents the ink 15 from leaking out from the corners.
  • the wetting pinning effect works more effectively, and the ink 15 leaks outside the corner of the oxide film 14. You can prevent it from coming out.
  • both side surfaces in the juxtaposition direction of the bus lines 13 are inclined so as to narrow toward the anode 12, but at least the non-opposing side surfaces in the juxtaposition direction of the bus lines 13 face the substrate 11. It just needs to be inclined.
  • the ink 15 is vacuum-dried at a gas pressure of 0.1 to 50 Pa for 2 minutes using a vacuum drying apparatus (not shown), and baked by heat treatment at 230 ° C. for 1 hour. .
  • a hole injection / transport layer 16 in which the solvent of the ink 15 is evaporated and hardened is obtained (organic material layer).
  • the thickness of the hole injection / transport layer 16 is, for example, 30 nm.
  • Ink (6 wt% -Hex-Ir (phq) 3 : fixed weight concentration of 2 wt% using Balq as a host and 6 wt% -Hex-Ir (phq) 3 as a dopant in an inkjet apparatus: Balq) 17 is applied by dropping onto the recesses between the bus lines 13 as shown in the left diagram of FIG.
  • the ink 17 is in a state where the center rises due to surface tension between one end and the other end on the hole injection / transport layer 16 and does not leak out from the end due to the wetting pinning effect. To be done.
  • the ink 17 is vacuum-dried for 2 minutes at a gas pressure of 0.1 to 50 Pa using a vacuum drying apparatus (not shown), and baked by heat treatment at 130 ° C. for 10 minutes.
  • a vacuum drying apparatus not shown
  • the thickness of the RG coating mixed layer 18 is 40 nm, for example.
  • the host PAND and the dopant DPAVBi are vacuum-deposited together on the RG coating mixed layer 18 by a vacuum deposition method so that the dopant is 6 wt%, and thereby the blue light emitting layer 19 is formed with, for example, 15 nm Formed with thickness.
  • Alq 3 tris (8-hydroxyquinolino) aluminum
  • the electron transport layer 20 is formed with a thickness of, for example, 30 nm.
  • FIG. 1 (f) shows a blue light emitting layer 19, an electron transport layer 20, an electron injection layer 21, and a cathode 22 formed in this vapor deposition layer forming step.
  • anode formation step (b) bus line formation step, (c) oxide film formation step, (d) hole injection / transport layer formation step formation step, (e) coating light emitting layer formation step, and (f)
  • the organic light emitting device is manufactured by sequentially performing the vapor deposition layer forming step.
  • a metal material such as AlNd is used as the pair of bus lines 13 juxtaposed on the anode 12 of the transparent conductive film, and the light generated in the organic light emitting layer is the bus line on the anode 13 side. Since the light is diffused on the 13th surface and emitted through the anode 12 and the substrate 11, the aperture ratio of the organic light emitting device can be increased.
  • an insulating bank material is used, and the bank material generally has a material that absorbs in the visible region, such as a polyimide material, and thus has a metal color of the cathode. Deteriorates appearance with respect to hue.
  • the emitted light may be lost in the bank.
  • a metal such as AlNd is used as the bus line 13
  • the appearance is the same as the Al metal color of the cathode 22, and the appearance is not impaired.
  • the generated light is diffused on the surface of the bus line 13 on the anode 13 side, it is emitted from the organic light emitting element without being lost, so that a higher aperture ratio than that of the conventional element can be obtained.
  • the electrical resistivity of the material of the bus line 13 is smaller than that of the material of the anode 12, and since the anode 12 is in direct contact with the bus line 13, it is possible to efficiently supply power to the organic light emitting device. Since the surface other than the contact surface with the anode 12 is covered with the insulating oxide film 14, efficient power feeding can be performed. Furthermore, as described above, light emitted for increasing the aperture ratio can be emitted more efficiently, so that power consumption can be reduced compared to conventional devices in order to obtain a desired amount of light.
  • the bus lines 13 having low electrical resistivity do not face each other between adjacent light emitting elements in the light emitting panel, and the insulating oxide films 14 face each other. Even if the length is shortened, it is possible to ensure good insulation characteristics between elements.
  • coating layers such as the hole injection / transport layer 16 and the RG coating mixed layer 18 can be formed by dropping ink into the recesses between the bus lines 13 without providing a bank on the substrate. .
  • the hole injection / transport layer 16 and the RG coating mixed layer 18 are formed in the recesses between the bus lines 13, but the present invention utilizes the wet pinning effect in this way. It is not limited to the formation of two layers, but only one layer, or three or more layers may be formed using the wet pinning effect.
  • the first light-emitting element A of the light-emitting panel includes (a) a bus line forming step, (b) an anode forming step, and (c) a hole injection / transport layer forming step as in the above-described embodiment. , (D) a coating light emitting layer forming step, and (e) a vapor deposition layer forming step.
  • the second light emitting element B adjacent to the first light emitting element A is formed by (a) a bus line forming step, (b) an anode forming step, (c) a hole injection / transport layer forming step, and (e) a vapor deposition layer forming step. It is manufactured.
  • the vapor deposition layer forming process is a process common to the first light emitting element A and the second light emitting element B, and each vapor deposition layer is continuously formed over the first light emitting element A and the second light emitting element B. .
  • the layer formed by utilizing the wetting pinning effect is only the hole injection / transport layer 16, and (e) only blue light is emitted by the blue light emitting layer 19 formed by vapor deposition in the vapor deposition layer forming process. Obtained as a color.
  • the uneven state of the surface of the RG coating mixed layer 18 applied and formed in the recesses between the bus lines 13 of the first light emitting element A, and the bus line 13 of the second light emitting element B is absorbed by the formation of the blue light emitting layer 19, and the surface of the blue light emitting layer 19 is flattened.
  • An electron transport layer 20, an electron injection layer 21, and a cathode 22 are formed flat without unevenness for each element.
  • the blue light emitting layer 19, the electron transport layer 20, the electron injection layer 21, and the cathode 22 are uneven without absorbing the above uneven state in each of the first light emitting element A and the second light emitting element B. It may be formed in a shape.
  • the substrate 11 may be a transparent (including translucent) plastic substrate.
  • metals such as Al, Ag, Mo, Ti, Pt, Au, or alloys thereof can be used, and those having a particularly high light reflectance are suitable.
  • other metal oxides such as ITO can be used.
  • the material of the hole injection / transport layer 16 other metal oxides such as Ag, Mo, Cr, and Ir that can drop ink can be used.
  • the material of the light emitting layer such as the RG coating mixed layer 18 and the blue light emitting layer 19 may be any material that has a function of emitting light by generating an excited state by injecting and recombining holes and electrons. In the case of forming a light emitting layer by dropping, it is necessary to be a material capable of dropping ink.
  • the material of the electron injection layer 21 is preferably formed of barium, phthalocyanine, lithium fluoride, or a combination thereof.
  • a metal oxide such as ITO or IZO may be used.
  • bus lines 13 are formed as a pair, but the pair of bus lines need not have the same cross-sectional shape as each other, and do not have to have the same length in the line extending direction.
  • the bus line 13 is shown as a power supply line in contact with the anode 12, but may be formed as a power supply line in contact with the cathode.
  • the organic light emitting device and the manufacturing method thereof of the present invention can be applied to a light emitting device of an organic EL display or an organic EL lighting device.

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Abstract

　透明基板上に形成された透明導電性膜と、透明導電性膜上に並置された金属材料からなるバスライン対と、バスライン対の表面を酸化させて形成された絶縁酸化膜と、絶縁酸化膜の形成後のバスライン対のバスライン上及びバスライン間に亘る領域への有機材料を含む溶液の塗布によって形成された有機材料層と、を含む有機発光素子。

Description

有機発光素子及びその製造方法
　本発明は、有機発光層を含む有機多層構造の有機発光素子及びその製造方法に関する。
　有機多層構造を含む有機ＥＬ素子等の有機発光素子を製造するために基板上にバンクを形成することはよく知られている（特許文献１及び２参照）。例えば、有機ＥＬ素子をマトリックス状に配置した有機ＥＬ表示パネルにおける各有機ＥＬ素子においては、基板上に陽極が形成されており、その陽極上には１対のバンクによって凹形状の開口部が形成される。バンクとしてはポリイミド等の絶縁性の材料が用いられており、バンクの表面は撥液性を有している。バンク間の開口部には例えば、インクジェット法を用いた有機材料の塗布によって有機材料層が形成される。そして、開口部の有機材料層に接触するように陰極が形成される。
特許第４５６７０９２号公報 特表２０１０－５０４６０８号公報
　しかしながら、上記したようなバンク構造の有機発光素子においては、バンクが一般に透光性がほとんどない絶縁膜として形成されている。よって、有機発光素子の駆動によって生成された光がバンクで吸収されるので、生成された光を外部に導く領域の面積が制限され、無駄に電力が消費されるという問題があった。すなわち、バンクによって形成された上記の開口部がそのまま光を外部に放出する領域となるので、開口率が低下し、結果として所望の光量を得るために消費電力が増加するという問題があった。そこで、本発明が解決しようとする課題は、上記の欠点が一例として挙げられ、開口率を増加させて消費電力を低減させることができる有機発光素子及びその製造方法を提供することが本発明の目的である。
　請求項１に係る発明の有機発光素子は、透明基板と、前記基板上に形成された透明導電性膜と、前記透明導電性膜上に並置された金属材料からなるバスライン対と、前記バスライン対の表面を酸化させて形成された絶縁酸化膜と、前記絶縁酸化膜の形成後の前記バスライン対のバスライン上及び前記バスライン間に亘る領域への有機材料を含む溶液の塗布によって形成された有機材料層と、を含むことを特徴としている。
　請求項８に係る発明の有機発光素子の製造方法は、透明基板上に透明導電性膜を形成する工程と、前記透明導電性膜上に金属材料からなるバスライン対を並置させるバスライン形成工程と、前記バスライン対の表面を酸化させて絶縁酸化膜を形成する工程と、前記絶縁酸化膜の形成後の前記バスライン対のバスライン及び前記バスライン間に亘る領域への有機材料を含む溶液の塗布によって有機材料層を形成する工程と、を含むことを特徴としている。
　請求項１に係る発明の有機発光素子及び請求項８に係る発明の有機発光素子の製造方法によれば、基板上に透明導電性膜を介してバスライン対が並置され、バスライン対の表面を酸化させて絶縁酸化膜が形成され、絶縁酸化膜の形成後のバスライン対のバスライン上及びバスライン間の透明導電性膜上への有機材料の塗布によって有機材料層が形成され、生成された光が金属材料のバスラインの陽極側の接触面で拡散されるので、有機発光素子の開口率を従来の素子より向上させることができる。また、生成された光を効率より放出させることができるので、所望の光量を得るために従来の素子より消費電力を低減させることができる。
本発明の実施例として有機発光素子の製造方法の各工程を示す断面図である。 複数対のバスラインと共に陽極が基板上に形成された状態を示す平面図である。 バスラインの側面を逆テーパ状にした例を示す断面図である。 隣接する第１発光素子及び第２発光素子を示す断面図である。 本発明の他の実施例として隣接する第１発光素子及び第２発光素子を示す断面図である。 濡れピン止め効果を説明するための図である。
　以下、本発明の実施例を、図面を参照しつつ詳細に説明する。
　図１は本発明が適用された有機発光素子（有機ＥＬ素子）の製造方法を示している。図１の製造方法では複数の有機発光素子を有する発光パネルにおける１つの有機発光素子の製造方法が示されている。この製造方法は図１(a)～(f)に示すように(a)陽極形成工程、(b)バスライン形成工程、(c)酸化膜形成工程、(d)ホール注入・輸送層形成工程形成工程、(e)塗布発光層形成工程、及び(f)蒸着層形成工程を有する。
(a)陽極形成工程
　例えば、厚さ０．７ｍｍのガラス板からなる透明（半透明を含む）な基板１１上にスパッタ法によりＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）を材料として透明膜が付着形成され、その後、フォトリソグラフィ技術によりＩＺＯ膜上にレジストが塗布され、そのレジストにマスクパターンを転写するために露光及び現像が順に行われ、更に、エッチングで陽極として残すべき部分以外のＩＺＯ膜が除去される。そして、基板１１上においてレジストが除去されると、図１(a)に示すように、残ったＩＺＯ膜が透明の陽極１２（透明導電性膜）として得られる。
　陽極１２は基板１１上に長手の平坦膜として形成され、陽極１２の厚さは例えば、１８０ｎｍであり、長手方向に直交する方向の幅は例えば、４００μｍである。
　なお、図１(a)には１つの有機発光素子のために基板１１上に１つの陽極１２だけを示しているが、実際には基板１１上には複数の陽極１２が互いに並列に形成される。その場合の隣接する発光素子の陽極１２間の距離は５０μｍである。
　また、図１(a)においては、陽極１２の長手方向に直交する方向の断面を示しており、このことは図１(b)～(f)においても同様である。
(b)バスライン形成工程
　陽極１２上にスパッタ法によりＡｌＮｄ（アルミニウム－ネオジウム合金）を材料として膜が付着形成され、その後、フォトリソグラフィ技術によりＡｌＮｄ膜上にレジストが塗布され、そのレジストにマスクパターンを転写するために露光及び現像が順に行われ、更に、エッチングでバスラインとして残すべき部分以外のＡｌＮｄ膜が除去される。そして、基板１１上においてレジストが除去されると、図１(b)に示すように、残ったＡｌＮｄ膜が１対のバスライン１３として得られる。バスライン１３は導電性を有しており、陽極１２への給電ラインである。各バスライン１３は同一形状であり、互いに平行に配置されており、１対のバスライン１３によってその間に凹部が形成される。各バスライン１３の厚さは例えば、１５０ｎｍであり、その幅は例えば、５０μｍである。
　図２は複数の陽極１２と共に陽極１２毎に１対のバスライン１３が基板１１上にストライプ状に形成された状態を基板１１の平面図として示している。
(c)酸化膜形成工程
　エキシマ光照射装置（図示せず）を用いてバスライン１３に対してＵＶ／Ｏ３（紫外線／オゾン）が照射される。これによりバスライン１３の表面が酸化処理され、絶縁性を有する酸化膜（絶縁酸化膜）１４が図１(c)に示すように形成される。
　なお、酸化膜形成方法としてはＵＶ／Ｏ３照射の他に、レジストを使用したパターニングを行って純水によってバスライン１３の表面を酸化させる方法を用いても良い。
(d)ホール注入・輸送層形成工程
　この工程と次の(e)塗布発光層形成工程ではノズルを介して有機材料の溶液を微小量毎に順次射出して供給するインクジェット法が用いられる。具体的にはインクジェット装置にてホストとしてＰＥＤＯＴ（3,4-エチレンジオキシチオフェンのポリマー）、ドーパントとしてＰＳＳ（スチレンスルホン酸のポリマー）を用いた固定分濃度１ｗｔ％のインク（溶液）１５が図１(d)の左図に示すようにバスライン１３間の凹部への滴下により塗布される。インク１５はバスライン１２双方に形成された酸化膜１４の外側角部間で表面張力により中央が高く盛り上がった状態となり、いわゆる濡れピン止め効果によりその角部から外側に漏れこぼれないようにされる。例えば、図３に示すように、バスライン１３の断面形状を陽極１２に向かって狭くなるようにすると、濡れピン止め効果がより有効に作用してインク１５が酸化膜１４の角部外側に漏れ出ないようにすることができる。なお、図３ではバスライン１３の並置方向の両方の側面が陽極１２に向かって狭くなるように斜面にされているが、バスライン１３の並置方向の少なくとも非対向側面が基板１１を臨むように傾斜していれば良い。
　次に、真空乾燥装置（図示せず）を用いてインク１５は気体圧力０．１～５０Ｐａにて２分間に亘り真空乾燥され、そして、１時間に亘る２３０℃での加熱処理により焼成される。この結果、図１(d)の右図に示すようにインク１５の溶媒が蒸発して硬化したホール注入・輸送層１６が得られる（有機材料層）。ホール注入・輸送層１６の厚さは例えば、３０ｎｍである。
(e)塗布発光層形成工程
　インクジェット装置にてホストとしてＢａｌｑ、ドーパントとして６ｗｔ％－Ｈｅｘ－Ｉｒ(ｐｈｑ)3を用いた固定分濃度２ｗｔ％のインク(6wt%-Hex-Ir(phq)3:Balq)１７が図１(e)の左図に示すようにバスライン１３間の凹部への滴下により塗布される。インク１７はホール注入・輸送層１６上でその一方の端部と他方の端部との間で表面張力により中央が高く盛り上がった状態となり、濡れピン止め効果によりその端部から外側に漏れこぼれないようにされる。
　次に、真空乾燥装置（図示せず）を用いてインク１７は気体圧力０．１～５０Ｐａにて２分間に亘って真空乾燥され、そして、１０分間に亘る１３０℃での加熱処理により焼成される。この結果、図１(e)の右図に示すようにインク１７の溶媒が蒸発して硬化した赤緑塗布発光層としてＲＧ塗布混合層１８（有機材料層）が得られる。ＲＧ塗布混合層１８の厚さは例えば、４０ｎｍである。
(f)蒸着層形成工程
　先ず、ＲＧ塗布混合層１８上に真空蒸着法にてホストＰＡＮＤとドーパントＤＰＡＶＢｉがドーパント６ｗｔ％となるように共に真空蒸着され、これにより青発光層１９が例えば、１５ｎｍの厚さで形成される。次に、青発光層１９上に真空蒸着法にてＡｌｑ３（トリス(8-ヒドロキシキノリノ)アルミニウム）が真空蒸着され、これにより電子輸送層２０が例えば、３０ｎｍの厚さで形成される。次いで、電子輸送層２０上に真空蒸着法にてＬｉＦ（フッ化リチウム）が真空蒸着され、これにより電子注入層２１が例えば、１ｎｍの厚さで形成される。最後に、電子注入層２１上に真空蒸着法にてＡｌ（アルミニウム）が真空蒸着され、これにより陰極２２が例えば、８０ｎｍの厚さで形成される。図１(f)にはこの蒸着層形成工程で形成される青発光層１９、電子輸送層２０、電子注入層２１及び陰極２２が示されている。
　このように、(a)陽極形成工程、(b)バスライン形成工程、(c)酸化膜形成工程、(d)ホール注入・輸送層形成工程形成工程、(e)塗布発光層形成工程、及び(f)蒸着層形成工程が順に実行されることによって有機発光素子が製造される。
　上記した実施例においては、透明導電性膜の陽極１２上に並置された１対のバスライン１３としてＡｌＮｄ等の金属材料が用いられ、有機発光層で生成された光が陽極１３側のバスライン１３面で拡散されて陽極１２及び基板１１を介して放出されるので、有機発光素子の開口率を増加させることができる。例えば、特許文献２に開示された有機ＬＥＤでは絶縁性のバンク材が用いられており、そのバンク材は一般的にポリイミド材質など可視域に吸収がある材料が多いため、陰極の金属色である色合いに対して外観を損ねる。また、可視域に吸収材料があるため、発光した光がバンクで損失する可能性がある。これに対し、上記した実施例においてはバスライン１３としてＡｌＮｄ等の金属が用いられているので、陰極２２のＡｌの金属色と同等で外観を損ねることがない。また、生成された光が陽極１３側のバスライン１３面で拡散しても損失することなく、有機発光素子から放出されるので従来の素子よりも高開口率を得ることができる。更に、バスライン１３の材料の電気抵抗率は陽極１２の材料のそれより小さく、またバスライン１３に陽極１２が直接接触するので、有機発光素子に効率よく給電することができ、バスライン１３は陽極１２との接触面以外の表面は絶縁性を有する酸化膜１４で覆われているので、効率良い給電を行うことができる。更に、上記したように開口率の増加のために発光した光を効率より放出させることができるので、所望の光量を得るために従来の素子より消費電力を低減させることができる。
　また、上記した実施例においては、発光パネルにおいて隣接する発光素子間では電気抵抗率が低いバスライン１３が互いに対向せず、絶縁性を有する酸化膜１４が互いに対向するので、発光素子間の距離を短くしても素子間の絶縁特性を良好に確保することができる。
　更に、上記した実施例においては、基板上にバンクを設けることなくバスライン１３間の凹部へのインク滴下によってホール注入・輸送層１６やＲＧ塗布混合層１８等の塗布層を形成することができる。
　なお、上記した実施例においては、バスライン１３間の凹部にホール注入・輸送層１６とＲＧ塗布混合層１８とが形成されているが、本発明はこのように濡れピン止め効果を利用して２層が形成されることに限定されず、濡れピン止め効果を利用して１層だけ、或いは３層以上が形成されても良い。
　例えば、図４に示すように、発光パネルの第１発光素子Ａは上記した実施例のように(a)バスライン形成工程、(b)陽極形成工程、(c)ホール注入・輸送層形成工程、(d)塗布発光層形成工程、及び(e)蒸着層形成工程によって製造されている。この第１発光素子Ａに隣接する第２発光素子Ｂは(a)バスライン形成工程、(b)陽極形成工程、(c)ホール注入・輸送層形成工程、及び(e)蒸着層形成工程によって製造されている。(e)蒸着層形成工程は第１発光素子Ａ及び第２発光素子Ｂの共通の工程であり、各蒸着層が第１発光素子Ａ及び第２発光素子Ｂに亘って連続的に形成される。第２発光素子Ｂでは、濡れピン止め効果を利用して形成した層はホール注入・輸送層１６だけであり、(e)蒸着層形成工程で蒸着形成された青発光層１９により青色だけが発光色として得られる。
　また、図４に示した発光パネルにおいては、第１発光素子Ａのバスライン１３間の凹部に塗布形成されたＲＧ塗布混合層１８の表面の凹凸状態、また第２発光素子Ｂのバスライン１３間の凹部に塗布形成されたホール注入・輸送層１６の表面の凹凸状態が青発光層１９の形成によって吸収されて青発光層１９の表面は平坦にされ、青発光層１９以外の蒸着層である電子輸送層２０、電子注入層２１及び陰極２２が素子毎に凹凸なく平坦に形成されている。ただし、図５に示すように、第１発光素子Ａ及び第２発光素子Ｂ各々において上記の凹凸状態を吸収することなく青発光層１９、電子輸送層２０、電子注入層２１及び陰極２２が凹凸状に形成されても良い。
　なお、上記した実施例における基板１１、陽極１２、バスライン１３、ホール注入・輸送層１６、ＲＧ塗布混合層１８、青発光層１９、電子輸送層２０、電子注入層２１及び陰極２２の各材料は上記したものに限定されない。基板１１としては透明（半透明を含む）なプラスチック基板でも良い。バスライン１３の材料としてはＡｌ,Ａｇ,Ｍｏ,Ｔｉ,Ｐｔ,Ａｕ等の金属又はそれらの合金を用いることができ、特に光反射率が高いものが好適である。陽極１２の材料としてはＩＴＯ等の他の酸化金属を用いることができる。また、ホール注入・輸送層１６の材料としてインク滴下可能なＡｇ,Ｍｏ,Ｃｒ,Ｉｒ等の他の金属酸化物を用いることができる。ＲＧ塗布混合層１８及び青発光層１９等の発光層の材料としてはホールと電子とが注入され再結合されることにより励起状態が生成され発光する機能を有する材料であれば良く、また、インク滴下して発光層を形成する場合にはインク滴下可能な材料である必要がある。電子注入層２１の材料としては例えば、バリウム、フタロシアニン、フッ化リチウム、或いはこれらの組み合わせで形成されることが好ましい。陰極２２の材料としては、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ等の酸化金属を用いても良い。
　また、上記した実施例において示した各工程での各膜の形成方法、各膜の幅及び厚さ、加熱温度、加熱時間等の条件は一例に過ぎず、本発明はこれに限定されない。
　更に、バスライン１３は対として形成されているが、対のバスラインが互いに同一断面形状である必要はなく、またライン伸張方向において同一の長さである必要はない。また、バスライン１３は、陽極１２に接触した給電ラインとして示されているが、陰極に接触した給電ラインとして形成されても良い。
　また、上記した濡れピン止め効果について説明すると、図６(a)に示すように、屈曲角αの角部を有する部材３１の表面に滴下された溶液３２の平衡接触角をθとした場合に、図６(b)に示すように、接触角がθ＋αになるまでは溶液３２はその角部を通過することができない。それは図６(c)に示すように溶液３２が角部を通過した先の斜面では接触角はθより小さくなるからである。すなわち、溶液３２の接触角はθ～θ＋αの範囲となり、屈曲角αが大なるほど撥液性が高くなることが濡れピン止め効果である。
　本発明の有機発光素子及びその製造方法は有機ＥＬディスプレイや有機ＥＬ照明装置の発光素子に適用することができる。
１１　基板
１２　陽極
１３　バスライン
１４　酸化膜
１６　ホール注入・輸送層
１８　ＲＧ塗布混合層
１９　青発光層
２０　電子輸送層
２１　電子注入層
２２　陰極

Claims (8)

  1. 　透明基板と、
    　前記基板上に形成された透明導電性膜と、
    　前記透明導電性膜上に並置された金属材料からなるバスライン対と、
    　前記バスライン対の表面を酸化させて形成された絶縁酸化膜と、
    　前記絶縁酸化膜の形成後の前記バスライン対のバスライン上及び前記バスライン間に亘る領域への有機材料を含む溶液の塗布によって形成された有機材料層と、を含むことを特徴とする有機発光素子。
  2. 　前記透明導電性膜は少なくとも１つの長手状膜であることを特徴とする請求項１記載の有機発光素子。
  3. 　前記有機材料層は陽極としての前記透明導電性膜上に形成されたホール注入・輸送層を含むことを特徴とする請求項１又は２記載の有機発光素子。
  4. 　前記有機材料層は前記ホール注入・輸送層と、前記ホール注入・輸送層上に形成された発光層とを含むことを特徴とする請求項３記載の有機発光素子。
  5. 　前記有機材料を含む溶液はインクジェット法を用いて前記透明導電性膜上へ塗布されることを特徴とする請求項１～４のいずれか１記載の有機発光素子。
  6. 　前記バスライン対の並置方向の少なくとも非対向側面が前記基板を臨むように傾斜していることを特徴とする請求項１記載の有機発光素子。
  7. 　前記有機材料層上に電子輸送層、電子注入層及び陰極が順に蒸着により積層されることを特徴とする請求項１～４のいずれか１記載の有機発光素子。
  8. 　透明基板上に透明導電性膜を形成する工程と、
    　前記透明導電性膜上に金属材料からなるバスライン対を並置させるバスライン形成工程と、
    　前記バスライン対の表面を酸化させて絶縁酸化膜を形成する工程と、
    　前記絶縁酸化膜の形成後の前記バスライン対のバスライン及び前記バスライン間に亘る領域への有機材料を含む溶液の塗布によって有機材料層を形成する工程と、を含むことを特徴とする有機発光素子の製造方法。
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