TWI557963B - 沉積源設備以及包含其之有機層沉積設備 - Google Patents

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金茂顯
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Description

沉積源設備以及包含其之有機層沉積設備
本發明之實施例的態樣關於一種沉積源設備和一種有機層沉積設備，並且更特別地關於一種沉積源設備和一種有機層沉積設備，其可被簡單地應用於大規模地生產大尺寸顯示設備並且其可在沉積製程中避免或實質上避免沉積源噴嘴被阻塞。
有機發光顯示設備相較於其他顯示設備而具有較大的視角、較佳的對比特性以及較快的反應速率，因此已被注目為下世代的顯示設備。
有機發光顯示設備通常具有堆疊結構，其包含陽極、陰極以及介置於該陽極和陰極之間的發光層。當電洞和電子分別從陽極和陰極注入且在發光層中複合而發光時，該等設備顯示彩色影像。
以該等結構是很難達到高發光效率，因此包含電子注入層、電子傳輸層、電洞傳輸層、電洞注入層或是相似物之中間層係可選地額外介置於發光層和每一個電極之間。
此外，在如發光層和中間層之有機薄膜中形成為結構是幾乎很困難的，並且紅、綠、藍發光效率隨著該有機薄膜而變化。基於此原因，在大型 基板上，如具有5G或更大尺寸的母玻璃上藉由傳統有機層沉積設備不易形成有機薄膜圖案，因此製造具有滿意的驅動電壓、電流密度、亮度、色純度、發光效率以及壽命特性的大型有機發光顯示器設備為困難的。故對於相關的提升是有需求的。
本文以引用的方式宣告2011年1月12日在韓國智慧財產局所提申之韓國專利申請案第10-2011-0003155號的優勢，並將其之揭露內容完整併入於此中。
根據本發明之實施例的態樣，沉積源和有機層沉積設備可被容易的製造、可被簡單地應用於大規模地製造大尺寸顯示設備以及在沉積製程中可避免或實質上避免沉積源噴嘴被阻塞。
根據本發明之實施例，沉積源包含沿著第一方向而安置的第一沉積源和第二沉積源；第一沉積源噴嘴單元，其位於第一沉積源之一側，並且其包含複數個安置在第一方向上的第一沉積源噴嘴；第二沉積源噴嘴單元，其位於第二沉積源之一側，並且其包含複數個安置在該第一方向上的第二沉積源噴嘴；一對第一突出反射物，其安置在該等複數個第一沉積源噴嘴的相對側，其中該等複數個第一沉積源噴嘴係在該等第一突出反射物之間；以及一對第二突出反射物，其安置在該等複數個第二沉積源噴嘴的相對側，其中該等複數個第二沉積源噴嘴係在該等第二突出反射物之間，其中該等複數個第一沉積源噴嘴和該等複數個第二沉積源噴嘴係傾斜朝向彼此。
主要的材料可自該第一沉積源排出並且摻雜的材料係自該第二沉積源排出。
該沉積源可進一步包含第三突出反射物，其連接該些第一突出反射物之一者的一端以及該些第一突出反射物之另一者的一端。
該些第一突出反射物之一者的一端以及該些第一突出反射物之另一者的一端可鄰近於該第二沉積源。
沉積源可進一步包含第四突出反射物，其連接該些第二突出反射物之一者的一端以及該些第二突出反射物之另一者的一端。
該第二突出反射物之一者的一端以及該第二突出反射物之另一者的一端可鄰近於該第一沉積源。
該第二突出反射物的高度可大於或等於該第二沉積源噴嘴的高度。
在一實施例中，在該等複數個第一沉積源噴嘴中最接近該第二沉積源的一沉積源噴嘴係為虛擬噴嘴並且在其中不具有孔隙，如此則容納於第一沉積源中之沉積材料無法透過該虛擬噴嘴排出。
在一實施例中，在該等複數個第二沉積源噴嘴中最接近該第一沉積源的一沉積源噴嘴係為虛擬噴嘴並且在其中不具有孔隙，如此則容納於第二沉積源中之沉積材料無法透過該虛擬噴嘴排出。
根據本發明之另一實施例，一種用於形成薄膜於基板上之有機層沉積設備，該設備包含：沉積源，用於排出沉積材料；在該沉積源之一側的沉積源噴嘴單元，並且其包含複數個安置在第一方向上之沉積源噴嘴；以及圖案化的狹縫薄板，其在沉積源噴嘴單元對面並且具有複數個圖案化的狹縫被安置在 第二方向上，該第二方向垂直於該第一方向。該基板可相對於該有機層沉積設備在第一方向上移動以用於執行沉積。該沉積源包含第一沉積源和第二沉積源用於排出不同材料。該沉積源噴嘴單元包含：在第一沉積源之一側的第一沉積源噴嘴單元，並且其包含安置在第一方向上的複數個第一沉積源噴嘴；以及在第二沉積源之一側的第二沉積源噴嘴單元，並且其包含安置在第一方向上的複數個第二沉積源噴嘴。該等複數個第一沉積源噴嘴和該等複數個第二沉積源噴嘴係傾斜預定角度。
主要的材料可自該第一沉積源排出，並且摻雜材料可自該第二沉積源排出。
該等第一和第二沉積源可沿著第一方向安置。
該第一沉積源噴嘴單元可進一步包括安置在該等複數個第一沉積源噴嘴之對面側的第一突出反射物和第二突出反射物，其中該等複數個第一沉積源噴嘴在該等第一和第二突出反射物之間。
該有機層沉積設備可進一步包含第三突出反射物，其連接該第一突出反射物的一端以及該第二突出反射物的一端。
該第一突出反射物的一端和該第二突出反射物的一端可鄰近於該第二沉積源。
該等第一和第二突出反射物之高度可大於或等於第一沉積源噴嘴的高度。
在一實施例中，在該等複數個第一沉積源噴嘴中最接近該第二沉積源的一沉積源噴嘴係為虛擬噴嘴並且在其中不具有孔隙，如此則容納於第一沉積源中之沉積材料無法透過該虛擬噴嘴排出。
該第二沉積源噴嘴單元可進一步包含安置在該等複數個第二沉積源噴嘴的對面側之第四突出反射物和第五突出反射物，其中該等複數個第二沉積源噴嘴係在該等第四和第五突出反射物之間。
該有機層沉積設備可進一步包含第六突出反射物，其連接該第四突出反射物的一端以及該第五突出反射物的一端。
該第四突出反射物的一端和該第五突出反射物的一端可鄰近於該第一沉積源。
該等第四和第五突出反射物之高度可大於或等於第二沉積源噴嘴的高度。
在一實施例中，在該等複數個第二沉積源噴嘴中最接近該第一沉積源的一沉積源噴嘴係為虛擬噴嘴並且在其中不具有孔隙，如此則容納於第二沉積源中之沉積材料無法透過該虛擬噴嘴排出。
該沉積源、該沉積源噴嘴單元以及該圖案化的狹縫薄板可形成為一體，如此以藉由連結組件而彼此連接。
該設備可進一步包含至少一個連結組件，其連接於該沉積源噴嘴單元和該圖案化的狹縫薄板之間，該至少一個的連結組件被建構以導引該沉積材料之移動。
該至少一個的連結組件可被形成以密封在該沉積源、該沉積源噴嘴單元和該圖案化的狹縫薄板之間的空間
該有機層沉積設備可與該基板分離間隔一距離。
該沉積材料可連續地沉積於該基板上，同時該基板相對於該設備在第一方向上移動。
該圖案化的狹縫薄板可小於該基板。
自第一沉積源所排出之主要的材料的至少一部分可與自第二沉積源所排出之摻雜材料的至少一部分混合。
該等第一和第二沉積源可被安置於第一方向上以彼此互相平行。
該等複數個第一沉積源噴嘴和該等複數個第二沉積源噴嘴可傾斜以彼此面對面。
該等複數個第一沉積源噴嘴和該等複數個第二沉積源噴嘴可為傾斜，以此方式則自第一沉積源所排出之主要的材料與自第二沉積源所排出之摻雜材料之混合比例係在整個基板維持常數。
該第一和第二沉積源可為線性沉積源。
該等複數個第一沉積源噴嘴或該等複數個第二沉積源噴嘴之至少一者的沉積源噴嘴之下端部分可具有彎曲的表面。
10‧‧‧沉積源
20‧‧‧沉積源
50‧‧‧基板
51‧‧‧緩衝層
52‧‧‧主動層
52a‧‧‧通道區域
52b‧‧‧源極區域
52c‧‧‧汲極區域
52c‧‧‧汲極區域
53‧‧‧閘極絕緣層
54‧‧‧閘極電極
55‧‧‧層間絕緣層
56‧‧‧源極電極
57‧‧‧汲極電極
58‧‧‧鈍化層
59‧‧‧平坦層
60‧‧‧像素定義層
61‧‧‧像素電極
62‧‧‧有機層
63‧‧‧輔助電極
100‧‧‧有機層沉積設備
110‧‧‧第一沉積源
111‧‧‧坩堝
112‧‧‧加熱器
113‧‧‧第一沉積噴嘴
113a‧‧‧第一虛設噴嘴
114、114a-c‧‧‧反射物
116‧‧‧冷卻平板
117a‧‧‧第一沉積材料
117b‧‧‧第二沉積材料
120‧‧‧第二沉積源
121‧‧‧坩堝
122‧‧‧加熱器
123‧‧‧第二沉積噴嘴
123a‧‧‧第二虛設噴嘴
123'‧‧‧第二沉積噴嘴
123'a‧‧‧彎曲的表面
123'b‧‧‧內部側表面
123'c‧‧‧外部側表面
124、124a-c‧‧‧反射物
126‧‧‧冷卻平板
130‧‧‧第一沉積噴嘴單元
135‧‧‧第一連接組件
140‧‧‧第二沉積噴嘴單元
150‧‧‧圖案化的狹縫薄板
151‧‧‧圖案化的狹縫
155‧‧‧框架
230‧‧‧第一沉積源噴嘴單元
240‧‧‧第二沉積源噴嘴單元
400‧‧‧基板
藉由詳細的方式描述參照所附圖式之特定的實施例，對於所述技術領域中具有通常知識者而言，上述及其他特徵及優點將變得更明顯，其中：圖1為根據本發明之實施例的沉積源之透視示意圖；圖2A為圖1之沉積源沿著線I-I之橫切面圖；圖2B為圖1之沉積源圖1沿著線II-II之橫切面圖；圖2C為圖1之沉積源的修改範例的橫切面圖式；圖3為根據本發明之另一實施例的沉積源之透視示意圖；圖4為根據本發明之實施例的有機層沉積設備之透視示意圖； 圖5為圖4之有機層沉積設備的側橫切示意圖；圖6為圖4之有機層沉積設備的前橫切示意圖；以及圖7為為藉由使用根據本發明之實施例的有機層沉積設備所製造之主動矩陣有機發光顯示器設備的橫切面示圖。
本發明之某些範例性實施例將參照隨附圖式而被更詳細的描述於下文中；然而，本發明之實施例可以不同形式而被實施並且不應被該些說明以及闡述於此之範例性實施例所限制。更確切的說，該些範例性實施例係提供為用以了解本發明之範例並且用以傳達本發明之範疇給所述技術領域中具有通常知識者。如該領域中具有通常知識者將了解到的，該等所述的實施例可以各種方式修改，而該些修改為不違背本發明之精神或範疇。
有機發光顯示設備包含中間層，該中間層包含介置於第一電極和第二電極之間的發光層，該等第一電極和第二電極係被安置為彼此相對。該等電極和該等中間層可藉有使用各種方法形成，其中一種為沉積法。當有機發光顯示設備係藉由使用沉積方法所製造時，使用具有相同圖案的精細金屬光罩(FMM)作為被形成的薄膜，其係被沉積以緊密地接觸基板，並且薄膜材料係被沉積於FMM上以形成具有期望圖案的薄膜。
圖1為根據本發明之實施例的沉積源10之透視示意圖。圖2A為沿著圖1之線I-I所示之橫切面。圖2B為沿著圖1之線II-II所示之橫切面。
參照圖1至2B，根據一實施例之沉積源10可包含第一沉積源110和第二沉積源120。藉由蒸發分別在第一沉積源110和第二沉積源120中之第一沉積 材料117a和第二沉積材料117b以形成薄膜於沉積目標上(例如，基板400，如圖4中所示)。該等第一和第二沉積源110和120可為線性沉積源。
具體而言，第一沉積源110可容納主要的材料作為第一沉積材料117a，而第二沉積源120可容納摻雜材料作為第二沉積材料117b。或者是，第一沉積源110可容納摻雜材料作為第一沉積材料117a，而第二沉積源120可容納主要的材料作為第二沉積材料117b。由於該主要的材料和該摻雜材料係被蒸發於不同溫度，則該等第一和第二沉積源110和120以及第一和第二沉積源噴嘴單元130和140係提供以同時沉積該主要的材料和該摻雜材料。
具體而言，第一沉積源110包含填滿第一沉積材料117a的坩堝111以及加熱器112，該加熱器112加熱坩堝111以蒸發第一沉積材料117a朝坩堝111之一側，尤其是朝向基板400。第二沉積源120包含填滿第二沉積材料117b的坩堝121以及加熱器122，該加熱器122加熱坩堝121以蒸發第二沉積材料117b朝坩堝121之一側，尤其是朝向基板400。
該主要的材料的範例可包含參(8-羥基-喹啉酸基)鋁(Alq3)、9,10-二(萘-2-基)蔥(AND)、3-第三丁基-9,10-二(萘-2-基)蔥(TBADN)、4,4'-雙(2,2-二苯基-乙烯-1-基)-4,4'-二甲基苯基(DPVBi)、4,4'-雙(2,2-二苯基-乙烯-1-基)-4,4'-二甲基苯基(p-DMDPVBi)，第三(9,9-二芳基茀)(TDAF)、2-(9,9'-螺聯茀-2-基)-9,9'-螺聯茀(BSDF)、2,7-雙(9,9'-螺聯茀-2-基)-9,9'-螺聯茀(TSDF),雙(9,9-二芳基茀)(BDAF)、4,4'-雙(2,2-二苯基-乙烯-1-基)-4,4'-二-(第三丁基)苯基(p-TDPVBi)、1,3-雙(咔唑-9-基)苯(mCP)、1,3,5-參(咔唑-9-基)苯(tCP)、4,4',4"-參(咔唑-9-基)三苯胺(TcTa)、4,4'-雙(咔唑-9-基)聯苯(CBP)、4,4'-雙(9-咔唑基)-2,2'-二甲基-聯苯(CBDP)、4,4'-雙(咔唑-9-基)-9,9-二甲基-茀(DMFL-CBP)、4,4'-雙(咔唑-9-基)-9,9- 雙(9-苯基-9H-咔唑)茀(FL-4CBP)、4,4'-雙(咔唑-9-基)-9,9-二甲苯基-茀(DPFL-CBP)、9,9-雙(9-苯基-9H-咔唑)茀(FL-2CBP)以及相似物。
該摻雜材料的範例可包含4,4'-雙[4-(二-對甲苯基胺基)-苯乙烯基]聯苯(DPAVBi)、9,10-二(萘-2-基)蔥(ADN),3-第三丁基-9,10-二(萘-2-基)蔥(TBADN)以及相似物。
該等第一和第二沉積源噴嘴單元130和140係分別置於第一沉積源110之一側和第二沉積源120之一側，尤其是位在第一沉積源110和第二沉積源120面對基板400的一側。複數個第一沉積源噴嘴113被形成於第一沉積源噴嘴單元130中並且複數個第二沉積源噴嘴123被形成於第二沉積源噴嘴單元140中，在移動方向(掃描方向)A中，其中基板400係被移動。該等複數個第一和第二沉積源噴嘴113和123可被等距地安置。第一沉積材料117a和第二沉積材料117b，該些在第一和第二沉積源110和120中被蒸發，分別穿過第一沉積源噴嘴單元130和第二沉積源噴嘴單元140，接著朝基板400移動。
由於該等複數個第一和第二沉積源噴嘴113和123係被安置在掃描方向A上，即使該等複數個第一和第二沉積源噴嘴113和123之間的通量有差異時，該差異可被補償並且沉積均勻性可維持常數。
形成在第一和第二沉積噴嘴單元130和140中的該等複數個第一和第二沉積源噴嘴單元113和123可被傾斜一預定角度。在一實施例中，該等複數個第一沉積源噴嘴113和該等複數個第二沉積源噴嘴123可被傾斜而彼此面對面。
然而，所容納的第二沉積材料117b之數量可隨著薄膜所形成的材料而做改變，所容納的第二沉積材料117b可為薄膜所形成的材料(主要的和摻雜 的材料117a和117b的所有重量)之重量中的100份中佔約3至20份。如果第二沉積材料117b含量超過上述範圍時，有機發光顯示設備之發光特性可能降低。如果第一和第二沉積源噴嘴113和123並未傾斜並且係被安置為平行基板400時，則第二沉積材料117b在沉積製程中之初始階段被沉積於基板400上，第二沉積材料117b和第一沉積材料117a在該沉積製程的中間階段中係被交替地沉積於基板400上，而第一沉積材料117a在沉積製程中之最後階段被沉積於基板400上。也就是說，第一沉積材料117a和第二沉積材料117b的混和比例可能會隨著基板400之區域而改變。
因此，在一實施例中，該等複數個第一和第二沉積源噴嘴113和123係傾斜一預定角度。第一沉積源噴嘴單元130之第一沉積源噴嘴113以及第二沉積源噴嘴單元140之第二沉積源噴嘴123可傾斜以彼此面對面。也就是說，第一沉積源噴嘴單元130之第一沉積源噴嘴113可傾斜以面對第二沉積源120，並且第二沉積源噴嘴單元140之第二沉積源噴嘴123可傾斜以面對第一沉積源110。
在上文所述之結構中，第一沉積材料117a和第二沉積材料117b的混和比例在整個基板400中可被維持常數。如果使用混和物形成薄膜，在該混和物中第一沉積材料117a和第二沉積材料117b係以固定混和比例被混和，則該薄膜可在色度座標、光學效率、驅動電壓以及壽命上展現提升的特性。
第一沉積源噴嘴單元130可包含反射物114、114a、114b和114c以及冷卻平板116，而第二沉積源噴嘴單元140可包含反射物124、124a、124b和124c以及冷卻平板126。
具體而言，第一沉積源噴嘴單元130可包含上反射物114、第一突出反射物114a、第二突出反射物114b、第三突出反射物114c以及冷卻平板116。 上反射物114可被安置於第一沉積源110和加熱器112上。上反射物114可避免或實質上避免由加熱器112所產生的熱散發到外部。在一實施例中，第一和第二突出反射物114a和114b由上反射物114之末端延伸並且朝向圖案化的狹縫薄板150。在一實施例中，第一和第二突出反射物114a和114b係被安置為彼此分開一預定距離以與該等複數個第一沉積源噴嘴113平行。該等複數個第一沉積源噴嘴113係安置於第一和第二突出反射物114a和114b之間。在一實施例中，第三突出反射物114c自第一突出反射物114a之一端以及第二突出反射物114b之一端延伸以接觸第一和第二突出反射物114a和114b。在一實施例中，第三突出反射物114c係形成以接觸第一突出反射物114a之一端以及第二突出反射物114b之一端，其係鄰近於第二沉積源120。第一至第三突出反射物114a、114b和114c之高度可等於或大於該等複數個第一沉積源噴嘴113之高度。
自該等複數個第一沉積源噴嘴113所排出之某些第一沉積材料117a可流至冷卻平板116。流至冷卻平板116之第一沉積材料117a係變硬，並且隨著沉積製程越長，越多第一沉積材料117a會變硬於冷卻平板116上，則可能阻塞該等複數個第一沉積源噴嘴113。根據本發明之實施例，該等複數個第一沉積源噴嘴113傾斜朝向該等複數個第二沉積源噴嘴123。然而，在本發明之一實施例中，由於第一至第三突出反射物114a至114c圍繞該等複數個第一沉積源噴嘴113，則該等複數個第一沉積源噴嘴113係避免或實質上避免由第一沉積材料117a之硬化以及成長於冷卻平板116的阻塞。
第二沉積源噴嘴單元140可包含上反射物124、第四突出反射物124a、第五突出反射物124b、第六突出反射物124c和冷卻平板126。上反射物124係安置於第二沉積源120和加熱器122上。上反射物124可避免或實質上避免由加 熱器122所產生的熱散發到外部。在一實施例中，該等第四和第五突出反射物124a和124b由上反射物124之一端延伸並且朝向圖案化的狹縫薄板150。在一實施例中，該等第四和第五突出反射物124a和124b係被安置為彼此分開一預定距離以與該等複數個第二沉積源噴嘴123平行。該等複數個第二沉積源噴嘴123係安置於第四和第五突出反射物124a和124b之間。在一實施例中，第六突出反射物124c自第四突出反射物124a之一端以及第五突出反射物124b之一端延伸以接觸第四和第五突出反射物124a和124b。特別是，第六突出反射物124c係被形成以接觸第四突出反射物124a之一端和第五突出反射物124b之一端，其係鄰近於第一沉積源110。第四至第六突出反射物124a、124b和124c之高度可等於或大於該等複數個第二沉積源噴嘴123之高度。
自該等複數個第二沉積源噴嘴123所排出之某些第二沉積材料117b可流至冷卻平板126。流至冷卻平板126之第二沉積材料117b係變硬，並且隨著沉積製程越長，越多第二沉積材料117b會變硬於冷卻平板116上，則可能阻塞該等複數個第二沉積源噴嘴123。根據本發明之實施例，該等複數個第二沉積源噴嘴123傾斜朝向該等複數個第一沉積源噴嘴113。然而，在本發明之一實施例中，由於第四至第六突出反射物124a至124c圍繞該等複數個第二沉積源噴嘴123，則該等複數個第二沉積源噴嘴123係避免或實質上避免由第二沉積材料117b之硬化以及成長於冷卻平板126的阻塞。
圖2C為圖1之沉積源的修改範例的橫切面圖式。
參照圖2C，每個第二沉積源噴嘴123'之下端部分具有彎曲的表面123'a。換句話說，在第二沉積源噴嘴123'中，每個由外部側表面123'c和內部側表面123'b所形成之下端部分具有彎曲的表面123'a，其係不同於如圖2B中所示之 第二沉積源噴嘴123。再者，雖然未顯示，每一個第一沉積源噴嘴之下端部分可具有彎曲的表面。
相反的，假如第二沉積源噴嘴之下端部分具有一角，不同於具有彎曲的表面123'a之下端部分的第二沉積源噴嘴123'，當沉積材料透過第二沉積源噴嘴被排出時，沉積材料係被連續地沉積在第二沉積源噴嘴之具有該等角之下端部分處，且第二沉積源噴嘴之下端部分可能被沉積材料所阻塞。
圖3為根據本發明之實施例的沉積源20之透視示意圖。圖3之沉積源20係相同於圖1之沉積源10，其中第一突出反射物114a和第二突出反射物114b係被安置在第一沉積源噴嘴單元230之第一沉積源噴嘴113的兩側，並且第四突出反射物124a和第五突出反射物124b係被安置在第二沉積源噴嘴單元240之第二沉積源噴嘴123的兩側，但是其不同於沉積源10在於第一虛設噴嘴113a和第二虛設噴嘴123a係分別被形成於第一和第二沉積源噴嘴單元230和240中，以取代包含在沉積源10中之第三和第六突出反射物114c和124c。
在一實施例中，第一和第二突出反射物114a和114b係被安置為彼此分開一預定距離以與該等複數個第一沉積源噴嘴113平行。該等複數個第一沉積源噴嘴113係被安置於第一和第二突出反射物114a和114b之間。該等第一和第二突出反射物114a和114b之高度可等於或大於該等複數個第一沉積源噴嘴113之高度。
在一實施例中，第一虛設噴嘴113a為在該該等複數個第一沉積源噴嘴113中最接近該第二沉積源120的噴嘴，並且在其中不具有孔隙。由於第一虛設噴嘴113不具有孔隙，則容納於第一沉積源110中之沉積材料不會透過第一虛設噴嘴113a排出。在圖1之沉積源10的該等複數個第一沉積源噴嘴113中之第 一沉積源噴嘴是最可能被沉積材料所阻塞，然而在圖3的沉積源20中，該等複數個第一沉積源噴嘴113中之第一沉積源噴嘴係為第一虛設噴嘴113a，因此不會被沉積材料所阻塞。
在一實施例中，該等第四和第五突出反射物124a和124b係被安置為彼此分開一預定距離以與該等複數個第二沉積源噴嘴123平行。該等複數個第二沉積源噴嘴123係被安置於該等第四和第五突出反射物124a和124b之間。該等第四和第五突出反射物124a和124b之高度可等於或大於該等複數個第二沉積源噴嘴123之高度。
在一實施例中，第二虛設噴嘴123a為在該等複數個第二沉積源噴嘴123中最接近該第一沉積源110的噴嘴，並且在其中不具有孔隙。由於第二虛設噴嘴123a不具有孔隙，則容納於第二沉積源120中之沉積材料不會透過第二虛設噴嘴123a排出。在圖1之沉積源10的該等複數個第二沉積源噴嘴123中之第二沉積源噴嘴是最可能被沉積材料所阻塞，然而在圖3的沉積源20中，該等複數個第二沉積源噴嘴123中之第二沉積源噴嘴係為第二虛設噴嘴123a，因此不會被沉積材料所阻塞。
圖4為根據本發明之實施例的有機層沉積設備100之透視示意圖。圖5為圖4之有機層沉積設備100的側橫切示意圖。圖6為圖4之有機層沉積設備100的前橫切示意圖。
參照圖4至6，根據實施例之有機層沉積設備100包含第一沉積源110、第二沉積源120、第一沉積源噴嘴單元130、第二沉積源噴嘴單元140和圖案化的狹縫薄板150。
雖然腔室為了清楚起見並未圖示於圖4至圖6中，有機層沉積設備100的所有構件可被置於一腔室中，該腔室係維持一適當程度的真空。該腔室可被維持於一適當的真空以允許該等第一和第二沉積材料117a和117b以在有機層沉積設備100中實質上直線地移動。
特別是，為了沉積自第一和第二沉積源110和120所發射並且透過第一和第二沉積源噴嘴單元130和140以及圖案化的狹縫薄板150所排出的第一和第二沉積材料117a和117b於基板400上而具有期望的圖案，需要在使用精細金屬光罩(FMM)之沉積方法中維持腔室於一高真空狀態。此外，圖案化的狹縫薄板150之溫度應為相當的低於第一和第二沉積源110和120之溫度。在一實施例中，圖案化的狹縫薄板150之溫度為約100℃或是更低。圖案化的狹縫薄板150之溫度應充分地低以至於減少圖案化的狹縫薄板150之熱膨脹。
基板400為沉積目標基板，其被安置在該腔室中。基板400可為用於平面顯示器的基板。如母玻璃之用於製造複數個平面顯示器的大型基板基板可被使用作為基板400。其他形式的基板亦可被使用。
在一實施例中，當基板400相對於有機層沉積設備100移動時，執行沉積。
尤其是，在傳統使用FMM的沉積方法中，FMM的尺寸必須等於基板的尺寸。因此，當基板變大時，FMM的尺寸必須跟著變大，並且製造大型的FMM或是延伸FMM以精確的對準圖案並非簡單的。
為了克服此問題，在根據本發明之實施例之有機層沉積設備100中，可在當有機層沉積設備100或基板400相對於彼此移動時來執行沉積。換句話說，當被安置以面對有機層沉積設備100之基板400移動(例如Y-軸方向)時，沉 積可被連續地執行。換句話說，當機板400被移動時(例如圖4中之箭頭A之方向)，沉積可以掃描的方式被執行。再者，雖然在圖4中顯示當沉積執行時，基板400係在Y軸方向上移動，然而本發明之實施例並不限於此。舉例來說，在另一實施例中，當有機沉積設備100被移動(如在Y軸方向上)時，執行沉積，而基板400係被固定。
在根據本發明之實施例之有機層沉積設備100中，圖案化的狹縫薄板150可為明顯地小於使用於傳統沉積方法中之FMM。換句話說，在根據實施例之有機層沉積設備100中，沉積係連續地執行，即以掃描的方式，同時基板400係在Y軸方向上移動。因此，圖案化的狹縫薄板150在X軸以及Y軸方向上之長度可為明顯的小於基板400在X軸以及Y軸方向上之長度。如上文中所述，由於圖案化的狹縫薄板150可被形成為明顯地小於用於傳統沉積方法中之FMM，則製造圖案化的狹縫薄板150為相對的簡單。換句話說，在所有製程中使用小於用於傳統沉積方法中之FMM的圖案化的狹縫薄板150相較於使用大型FMM的傳統沉積方法係更為方便，該些製成包含蝕刻或是其他一連串的製程，例如精確的延伸、打線、移動以及清洗製程。此方法對於製造相對大型的顯示設備更為有利。
如上述，當有機層沉積設備100或基板400係相對於其他者移動時，為了執行沉積，有機層沉積設備100和基板400可被彼此分隔開一預定距離。此者將被詳細地描述於下文中。
分別容納並加熱第一和第二沉積材料117a和117b之第一和第二沉積源110和120係被安置於腔室之一對面側以面對放置基板400的一側。當容納於第一和第二沉積源110和120中之第一和第二沉積材料117a和117b被蒸發時，第一和第二沉積材料117a和117b係被沉積於基板400上。
特別是，第一沉積源110可容納作為第一沉積材料117a之主要的材料，且第二沉積源120可容納作為第二沉積材料117b之摻雜材料。也就是，由於該主要的材料和該摻雜材料係蒸發於不同溫度，而第一和第二沉積源110和120以及第一和第二沉積源噴嘴單元130和140係被提供以同時沉積該主要的材料和該摻雜材料。
特別是，分別容納並加熱該主要的材料和該摻雜材料的第一和第二沉積源110和120係被安置於腔室之一對面側以面對放置基板400的一側。當容納於第一和第二沉積源110和120中之該主要的材料和該摻雜材料被蒸發時，該主要的材料和該摻雜材料係被沉積於基板400上。特別是，第一沉積源l10包含被填滿該主要的材料之坩堝111以及加熱器112，該加熱器112加熱坩堝111以蒸發容納於坩堝111之主要的材料朝向坩堝111之一側，特別是朝向第一沉積源噴嘴單元130。第二沉積源120包含被填滿該摻雜材料之坩堝121，以及加熱器122,該加熱器122加熱坩堝121以蒸發容納於坩堝121之該摻雜材料朝向坩堝121之一側，特別是朝向第二沉積噴嘴單元140。
該主要的材料的範例可包含參(8-羥基-喹啉酸基)鋁(Alq3)、9,10-二(萘-2-基)蔥(AND)、3-第三丁基-9,10-二(萘-2-基)蔥(TBADN)、4,4'-雙(2,2-二苯基-乙烯-1-基)-4,4'-二甲基苯基(DPVBi)、4,4'-雙(2,2-二苯基-乙烯-1-基)-4,4'-二甲基苯基(p-DMDPVBi),第三(9,9-二芳基茀)(TDAF)、2-(9,9'-螺聯茀-2-基)-9,9'-螺聯茀(BSDF)、2,7-雙(9,9'-螺聯茀-2-基)-9,9'-螺聯茀(TSDF),雙(9,9-二芳基茀)(BDAF)、4,4'-雙(2,2-二苯基-乙烯-1-基)-4,4'-二-(第三丁基)苯基(p-TDPVBi)、l,3-雙(咔唑-9-基)苯(mCP)、l,3,5-參(咔唑-9-基)苯(tCP)、4,4',4''-參(咔唑-9-基)三苯胺(TcTa)、4,4'-雙(咔唑-9-基)聯苯(CBP)、4,4'-雙(9-咔唑基)-2,2'-二甲基-聯苯 (CBDP)、4,4'-雙(咔唑-9-基)-9,9-二甲基-茀(DMFL-CBP)、4,4'-雙(咔唑-9-基)-9,9-雙(9-苯基-9H-咔唑)茀(FL-4CBP)、4,4'-雙(咔唑-9-基)-9,9-二甲苯基-茀(DPFL-CBP)、9,9-雙(9-苯基-9H-咔唑)茀(FL-2CBP)以及相似物。
該摻雜材料的範例可包含4,4'-雙[4-(二-對甲苯基胺基)-苯乙烯基]聯苯(DPAVBi)、9,10-二(萘-2-基)蔥(ADN),3-第三丁基-9,10-二(萘-2-基)蔥(TBADN)以及相似物。
如上文所述，根據實施例之有機層沉積設備100之特徵在於容納主要的材料之第一沉積源110和容納摻雜材料之第二沉積源120係提供以使得該主要的材料和該摻雜材料可被同時地沉積於基板400上。由於該主要的材料和該摻雜材料可被同時地沉積於基板400上，則該沉積製程可被簡化且加速地執行，並且元件效率可被提升。
第一和第二沉積源噴嘴單元130和140係被分別安置在第一沉積源110之一側和第二沉積源120之一側，特別是在面對基板400的第一沉積源110之一側以及第二沉積源120之一側。在一實施例中，該等複數個第一沉積源噴嘴113以Y軸方向被形成於第一沉積源噴嘴單元130中，並且該等複數個第二沉積源噴嘴123以Y軸方向被形成於第二沉積源噴嘴單元140中，Y軸方向即基板400之掃描方向。該等複數個第一和第二沉積源噴嘴113和123可被安置為等距。被分別在第一和第二沉積源110和120中所蒸發之該主要的材料和該摻雜材料分別穿透通過第一沉積源噴嘴單元130和第二沉積源噴嘴單元140，並且接著移動朝向基板400。如上所述，根據一實施例，當該等複數個第一沉積源噴嘴113以Y軸方向形成於第一沉積源噴嘴單元130中且該等複數個第二沉積源噴嘴123以Y軸方向形成於第二沉積源噴嘴單元140中時，Y軸方向即為基板400之掃描方向，則透過每個圖案化的狹縫薄板150之複數個圖案化的狹縫151所排出而形成的圖案化之主要的材料或摻雜材料之尺寸係被第一和第二沉積源噴嘴113和123(由於在X軸方向上只有一排的第一和第二沉積源噴嘴113和123)之一者的尺寸所影響。因此，無陰影區可被形成於基板400上。由於該等複數個第一和第二沉積源噴嘴113和123係被安置在掃描方向上，即使該等複數個第一和第二沉積源噴嘴113和123之間有流量的差異，該差異可被補償並且沉積均勻性可維持常數。
形成於第一和第二沉積源噴嘴單元130和140中之該等複數個第一和第二沉積源噴嘴單元113和123可被傾斜預定角度。也就是說，該等複數個第一和第二沉積源噴嘴113和123可在Y-Z平面上被傾斜一預定角度。
雖然所容納的第二沉積材料117b可隨著用於形成的薄膜之材料而改變，然而在一實施例中，所容納的第二沉積材料117b可為薄膜所形成的材 料(主要的和摻雜的材料117a和117b的所有重量)之重量中的100份中佔約3至20份。如果第二沉積材料117b含量超過上述範圍時，有機發光顯示設備之發光特性可能降低。如果第一和第二沉積源噴嘴113和123並未傾斜並且係被安置為平行Z軸時，則第二沉積材料117b在沉積製程中之初始階段被沉積於基板400上，第二沉積材料117b和第一沉積材料117a在該沉積製程的中間階段中係被交替地沉積於基板400上，而第一沉積材料117a在沉積製程中之最後階段被沉積於基板400上。也就是說，第一沉積材料117a和第二沉積材料117b的混和比例可能會隨著基板400之區域而改變。
因此，在一實施例中，該等複數個第一和第二沉積源噴嘴113和123係傾斜一預定角度。第一沉積源噴嘴單元130之該等複數個第一沉積源噴嘴113和第二沉積源噴嘴單元140之該等複數個第二沉積源噴嘴123可傾斜以彼此面對面。也就是說，在一實施例中，第一沉積源噴嘴單元130之第一沉積源噴嘴113係傾斜以面對第二沉積源120，並且第二沉積源噴嘴單元140之沉積源噴嘴123可傾斜以面對第一沉積源110。
在上文所述之結構中，第一沉積材料117a和第二沉積材料117b的混和比例在整個基板400中可被維持常數。如果使用混和物形成薄膜，在該混和物中第一沉積材料117a和第二沉積材料117b係以固定混和比例被混和，則該薄膜可在色度座標、光學效率、驅動電壓以及壽命上展現提升的特性。
第一沉積源噴嘴單元130可包含反射物114、114a、114b和114c以及冷卻平板116，而第二沉積源噴嘴單元140可包含反射物124、124a、124b和124c以及冷卻平板126。
在一實施例中，第一沉積源噴嘴單元130包含上反射物114、第一突出反射物114a、第二突出反射物114b、第三突出反射物114c以及冷卻平板116。上反射物114係被安置於第一沉積源110和加熱器112上。上反射物114可避免或實質上避免由加熱器112所產生的熱散發到外部。在一實施例中，第一和第二突出反射物114a和114b由上反射物114之末端延伸並且朝向圖案化的狹縫薄板150。在一實施例中，第一和第二突出反射物114a和114b係被安置為彼此分開一預定距離以與該等複數個第一沉積源噴嘴113平行。該等複數個第一沉積源噴嘴113係安置於第一和第二突出反射物114a和114b之間。在一實施例中，第三突出反射物114c自第一突出反射物114a之一端以及第二突出反射物114b之一端延伸以接觸第一和第二突出反射物114a和114b。在一實施例中，第三突出反射物114c係形成以接觸第一突出反射物114a之一端以及第二突出反射物114b之一端，其係鄰近於第二沉積源120。第一至第三突出反射物114a、114b和114c之高度可等於或大於該等複數個第一沉積源噴嘴113之高度。
自該等複數個第一沉積源噴嘴113所排出之某些第一沉積材料117a可流至冷卻平板116。流至冷卻平板116之第一沉積材料117a係變硬，並且隨著沉積製程越長，越多第一沉積材料117a會變硬於冷卻平板116上，則可能阻塞該等複數個第一沉積源噴嘴113。根據本發明之實施例，該等複數個第一沉積源噴嘴113傾斜朝向該等複數個第二沉積源噴嘴123。然而，在本發明之一實施例中，由於第一至第三突出反射物114a至114c圍繞該等複數個第一沉積源噴嘴113，則該等複數個第一沉積源噴嘴113係避免或實質上避免由第一沉積材料117a之硬化以及成長於冷卻平板116的阻塞。
在一實施例中，第二沉積源噴嘴單元140可包含上反射物124、第四突出反射物124a、第五突出反射物124b、第六突出反射物124c和冷卻平板126。上反射物124係安置於第二沉積源120和加熱器122上。上反射物124可避免或實質上避免由加熱器122所產生的熱散發到外部。該等第四和第五突出反射物124a和124b由上反射物124之一端延伸並且朝向圖案化的狹縫薄板150。在一實施例中，該等第四和第五突出反射物124a和124b係被安置為彼此分開一預定距離以與該等複數個第二沉積源噴嘴123平行。該等複數個第二沉積源噴嘴123係安置於第四和第五突出反射物124a和124b之間。第六突出反射物124自第四突出反射物124a之一端以及第五突出反射物124b之一端延伸以接觸第四和第五突出反射物124a和124b。在一實施例中，第六突出反射物124c係被形成以接觸第四突出反射物124a之一端和第五突出反射物124b之一端，其係鄰近於第一沉積源110。第四至第六突出反射物124a、124b和124c之高度可等於或大於該等複數個第二沉積源噴嘴123之高度。
自該等複數個第二沉積源噴嘴123所排出之某些第二沉積材料117b可流至冷卻平板126。流至冷卻平板126之第二沉積材料117b係變硬，並且隨著沉積製程越長，越多第二沉積材料117b會變硬於冷卻平板116上，從而阻塞該等複數個第二沉積源噴嘴123。根據本發明之實施例，該等複數個第二沉積源噴嘴123傾斜朝向該等複數個第一沉積源噴嘴113。然而，在本發明之一實施例中，由於第四至第六突出反射物124a至124c圍繞該等複數個第二沉積源噴嘴123，則該等複數個第二沉積源噴嘴123係避免或實質上避免由第二沉積材料117b之硬化於冷卻平板126上之阻塞。
圖案化的狹縫薄板150和框架155係被置於第一和第二沉積源110和120以及基板400之間。框架155的形狀可相似於窗框架的形狀。圖案化的狹縫薄板150可被結合於框架155內部。圖案化的狹縫薄板150包含安置在X方向上之該等複數個圖案化的狹縫151。於第一和第二沉積源110和120中被蒸發的第一沉積材料117a和第二沉積材料117b穿透通過第一沉積源噴嘴單元130、第二沉積源噴嘴單元140以及圖案化的狹縫薄板150，並且接著移動朝向基板400。圖案化的狹縫薄板150可藉由蝕刻而被製造，其相同於製造FMM之傳統方法，特別是剝除的FMM。圖案化的狹縫151A之所有數量可大於該等複數個第一和第二沉積源噴嘴113和123之所有數量。
第一和第二沉積源110和120以及分別耦合至第一和第二沉積源110和120之第一和第二沉積源噴嘴單元130和140可被安置以與圖案化的狹縫薄板150分隔開一預定距離，並且可藉由第一連接組件135被連接至圖案化的狹縫薄板150。也就是，第一和第二沉積源110和120、第一和第二沉積源噴嘴單元130和140以及圖案化的狹縫薄板150可透過第一連接組件135而比使連接形成為一體。連接組件135可導引透過該等複數個第一和第二沉積源噴嘴113和123所排出之第一和第二沉積材料117a和117b以垂直移動且不流於X軸方向上。在圖4中，連接組件135被形成於第一和第二沉積源110和120、第一和第二沉積源噴嘴單元130和140以及圖案化的狹縫薄板150之左側和右側以導引沉積材料117a和117b不流於X軸方向上；然而，本發明之實施例並不限於此。在另一實施例中，舉例來說，連接組件135可被形成為密封盒子的形式以導引沉積材料117a和117b之流動於X軸和Y軸兩方向上。
如上文所述，根據本發明之實施例的有機層沉積設備100執行沉積時同時相對於基板400移動。為了相對於基板400移動有機層沉積設備100，圖案化的狹縫薄板150係與基板400分隔一預定距離。
在使用FMM之傳統沉積方法中，沉積係執行以FMM接近接觸基板以避免形成陰影區於基板上。然而，當FMM被用以接近接觸基板時，缺陷可能發生。此外，在傳統沉積方法中，光罩之尺寸必須與基板之尺寸相同由於該光罩不可相對該基板而移動。因此，隨著顯示設備變大則光罩之尺寸必須增加。然而，製作如此大型之光罩並非容易的。
相較之下，在根據本發明之實施例的有機層沉積設備100中，圖案化的狹縫薄板150係被安置與基板400分隔一預定距離。
如上文所述，根據本發明之實施例，圖案化的狹縫薄板係被形成小於基板，並且當圖案化的狹縫薄板相對於該基板移動時，執行沉積。因此，該圖案化的狹縫薄板可被容易地製造。此外，在傳統沉積方法中由於基板和FMM之間接觸所產生之缺陷，在跟繼本發明之實施例的設備中可被避免或實質上避免。再者，由於在根據本發明之沉積製程中，將光罩安置於接近接觸基板為不必要的，則製作時間可被減少。
圖7為藉由使用根據本發明之實施例的有機層沉積設備所製造之主動矩陣有機發光顯示器設備的橫切面示圖。
參照圖7，在一實施例中，緩衝層51係被形成於由玻璃或是塑膠所形成之基板50上。TFT和OLED係被形成於緩衝層51上。
具有預定圖案的主動層52係被形成於緩衝層51上。閘極絕緣層53係被形成於主動層52上，且閘極電極54係被形成於閘極絕緣層53之預定區域 中。閘極電極54係被連接至施加TFT ON/OFF訊號之閘極線(未顯示)。層間絕緣層55係被形成於閘極電極54上。源極/汲極電極56和57係被形成以透過接觸孔洞分別接觸主動層52之源極/汲極區域52b和52c。鈍化層58係由SiO2、SiNx或是相似物所形成，其係於源極/汲極電極56和57上。平坦層59係由有機材料，如壓克力、亞醯胺(polyimide)、苯環丁烯(benzocyclobutene，BCB)或相似物形成於鈍化層58上。像素電極61，其係作為OLED之陽極，且被形成於平坦層59，而由有機料所形成之像素定義層60係被形成以覆蓋像素電極61。一開口係被形成於像素定義層60中，且有機層62係被形成於像素定義層60之表面以及像素電極61之透過該開口所曝露之表面上。有機層62包含發光層。然而，該有機發光顯示器設備之結構並不局限於上述，並且有機發光顯示器設備之任何各種結構可被使用。
OLED藉由發射紅、綠、藍光作為電流而顯示預定影像訊息。OLED包含像素電極61，其被連接至TFT之汲極電極56，並且一正功率電壓被施加於其；輔助電極63，其係被形成以覆蓋每一個像素，並且一負功率電壓被施加於其；以及有機層62，其係被安置於像素電極61和輔助電極63之間以發射光。
像素電極61和輔助電極63係藉由有機層62而彼此絕緣，並且分別地施加相反極性的電壓至有機層62以促使在有機層62中之光發射。
有機層62可包含低分子量之有機層或高分子量之有機層。當使用低分子量之有機層作為有機層62時，有機層62可具有包含選自由電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、發光層(EML)、電子傳輸層(ETL)以及電子注入層(EIL)所組成之群組中之至少一者的單一或多層結構。可用的有機材料之範例包含銅酞花青(CuPc)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-聯苯胺(NPB)、參(8-羥基-喹啉酸基)鋁(Alq3)以及相似物。該低分子量之有機層可藉由真空沉積所形成。
當使用高分子量之有機層作為有機層62時，有機層62可大部分具有包含HTL和EML之結構。在此情況中，HTL可由聚二氧乙基塞吩(PEDOT)所形成，而EML可由聚苯烴乙烯(PPVs)或聚茀(polyfluorenes)所形成。該等HTL和EML可藉由網印、噴墨或相似之方法形成。
然而，有機層62並不局限於上述之該些有機層，並且可以各種方式實施。
在一實施例中，像素電極61作為陽極，且輔助電極63作為陰極。或者是，像素電極61可作為陰極，而輔助電極63可作為陽極。
像素電極61可被形成作為透明電極或反射電極。該等透明電極可由氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)或氧化銦(In2O3)所形成。該等反射電極可藉由形成由銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)或該些之合成物之反射層並且形成ITO、IZO、ZnO或In2O3層於該反射層上。
輔助電極63可被形成為透明電極或反射電極。當輔助電極63係被形成作為透明電極時，輔助電極63作為陰極。為此，該等透明電極可藉由沉積具有低功函數之金屬，例如鋰(Li)、鈣(Ca)、氟化鋰/鈣(LiF/Ca)、氟化鋰/鋁(LiF/Al)、鋁(Al)、銀(Ag)、鎂(Mg)或該些之化合物，而形成於有機層62之表面上，並且藉由穿透電極所形成之材料，例如ITO、IZO、ZnO、In2O3或相似物，而形成輔助電極層或匯流排電極線於其上。當輔助電極63被形成作為反射電極時，反射層可由沉積Li、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或是該些之合成物於有機層62而形成。
在如上文中所述之有機發光顯示設備中，包含發光層之有機層62可藉由使用如上文中所描述之有機層沉積設備100(見圖1)而製成。該等根據本發明之上述實施例的有機層沉積設備可被應用以形成有機TFT之有機或無機層，並且以各種材料形成數層。
如上文所述，根據本發明之態樣的有機層沉積設備可被容易地製造、簡單地應用於大量生產的大尺寸顯示設備之製造以及避免或實質上避免沉積源噴嘴被沉積材料所阻塞，從而提升製造良率以及沉積效率。
當本發明已參照本文中之一些範例性實施例而被詳細地顯示且描述時，所屬技術領域中具有通常知識者將了解的是在不違背由隨後的申請專利範圍所定義之本發明的精神及範疇之下，可在形式及細節上做各種改變。
100‧‧‧有機層沉積設備
110‧‧‧第一沉積源
113‧‧‧第一沉積噴嘴
114a-c‧‧‧反射物
116‧‧‧冷卻平板
120‧‧‧第二沉積源
123‧‧‧第二沉積噴嘴
124a-c‧‧‧反射物
130‧‧‧第一沉積噴嘴單元
135‧‧‧第一連接組件
140‧‧‧第二沉積噴嘴單元
150‧‧‧圖案化的狹縫薄板
151‧‧‧圖案化的狹縫
155‧‧‧框架
400‧‧‧基板

Claims (35)

  1. 一種沉積源設備，其包含：沿著第一方向而安置的第一沉積源和第二沉積源；第一沉積源噴嘴單元，其位於第一沉積源之一側，並且其包含複數個安置在第一方向上的第一沉積源噴嘴；第二沉積源噴嘴單元，其位於第二沉積源之一側，並且其包含複數個安置在該第一方向上的第二沉積源噴嘴；一對第一突出反射物，其安置在該等第一沉積源噴嘴的相對側，其中該等第一沉積源噴嘴係在該等第一突出反射物之間；以及一對第二突出反射物，其安置在該等第二沉積源噴嘴的相對側，其中該等第二沉積源噴嘴係在該等第二突出反射物之間，其中該等第一沉積源噴嘴和該等第二沉積源噴嘴係傾斜朝向彼此，且該等第一沉積源噴嘴及該等第二沉積源噴嘴係在該第一方向上依一虛擬線排列。
  2. 如申請專利範圍第1項之沉積源設備，其中主要的材料係自該第一沉積源排出並且摻雜的材料係自該第二沉積源排出。
  3. 如申請專利範圍第1項之沉積源設備，其進一步包含第三突出反射物，其連接該些第一突出反射物之一者的一端以及該些第一突出反射物之另一者的一端。
  4. 如申請專利範圍第3項之沉積源設備，其中該些第一突出反射物之一者的一端以及該些第一突出反射物之另一者的一端係鄰近於該第二沉積源。
  5. 如申請專利範圍第1項之沉積源設備，其進一步包含第四突出反射物，其連接該些第二突出反射物之一者的一端以及該些第二突出反射物之另一者的一端。
  6. 如申請專利範圍第5項之沉積源設備，其中該些第二突出反射物之一者的一端以及該些第二突出反射物之另一者的一端係鄰近於該第一沉積源。
  7. 如申請專利範圍第1項之沉積源設備，其中該第一突出反射物的高度係大於或等於該第一沉積源噴嘴的高度。
  8. 一種沉積源設備，其包含：沿著第一方向而安置的第一沉積源和第二沉積源；第一沉積源噴嘴單元，其位於第一沉積源之一側，並且其包含複數個安置在第一方向上的第一沉積源噴嘴；第二沉積源噴嘴單元，其位於第二沉積源之一側，並且其包含複數個安置在該第一方向上的第二沉積源噴嘴；一對第一突出反射物，其安置在該等第一沉積源噴嘴的相對側，其中該等第一沉積源噴嘴係在該等第一突出反射物之間；以及一對第二突出反射物，其安置在該等第二沉積源噴嘴的相對側，其中該等第二沉積源噴嘴係在該等第二突出反射物之間，其中該等第一沉積源噴嘴和該等第二沉積源噴嘴係傾斜朝向彼此；其中該第二突出反射物的高度係大於或等於該第二沉積源噴嘴的高度。
  9. 一種沉積源設備，其包含：沿著第一方向而安置的第一沉積源和第二沉積源；第一沉積源噴嘴單元，其位於第一沉積源之一側，並且其包含複數個安置在第一方向上的第一沉積源噴嘴；第二沉積源噴嘴單元，其位於第二沉積源之一側，並且其包含複數個安置在該第一方向上的第二沉積源噴嘴；一對第一突出反射物，其安置在該等第一沉積源噴嘴的相對側，其中該等第一沉積源噴嘴係在該等第一突出反射物之間；以及一對第二突出反射物，其安置在該等第二沉積源噴嘴的相對側，其中該等第二沉積源噴嘴係在該等第二突出反射物之間，其中該等第一沉積源噴嘴和該等第二沉積源噴嘴係傾斜朝向彼此；其中在該等第一沉積源噴嘴中最接近該第二沉積源的一沉積源噴嘴係為虛擬噴嘴並且在其中不具有孔隙，如此則容納於第一沉積源中之沉積材料無法透過該虛擬噴嘴排出。
  10. 一種沉積源設備，其包含：沿著第一方向而安置的第一沉積源和第二沉積源；第一沉積源噴嘴單元，其位於第一沉積源之一側，並且其包含複數個安置在第一方向上的第一沉積源噴嘴；第二沉積源噴嘴單元，其位於第二沉積源之一側，並且其包含複數個安置在該第一方向上的第二沉積源噴嘴： 一對第一突出反射物，其安置在該等第一沉積源噴嘴的相對側，其中該等第一沉積源噴嘴係在該等第一突出反射物之間；以及一對第二突出反射物，其安置在該等第二沉積源噴嘴的相對側，其中該等第二沉積源噴嘴係在該等第二突出反射物之間，其中該等第一沉積源噴嘴和該等第二沉積源噴嘴係傾斜朝向彼此；其中在該等第二沉積源噴嘴中最接近該第一沉積源的一沉積源噴嘴係為虛擬噴嘴並且在其中不具有孔隙，如此則容納於第二沉積源中之沉積材料無法透過該虛擬噴嘴排出。
  11. 一種用於形成薄膜於基板上之有機層沉積設備，該設備包含：沉積源，包含用於排出不同沉積材料的第一沉積源和第二沉積源；在該沉積源之一側的沉積源噴嘴單元，該沉積源噴嘴單元包含在第一沉積源之一側的第一沉積源噴嘴單元及在第二沉積源之一側的第二沉積源噴嘴單元，該第一沉積源噴嘴單元包含複數個安置在第一方向上之第一沉積源噴嘴，該第二沉積源噴嘴單元包含複數個安置在第一方向上之第二沉積源噴嘴，該等第一沉積源噴嘴和該等第二沉積源噴嘴係傾斜預定角度，該等第一沉積源噴嘴及該等第二沉積源噴嘴係在該第一方向上依一虛擬線排列；以及圖案化的狹縫薄板，其在沉積源噴嘴單元對面並且具有複數個圖案化的狹縫被安置在第二方向上，該第二方向垂直於該第一方向， 其中該基板可相對於該有機層沉積設備在第一方向上移動以用於執行沉積。
  12. 如申請專利範圍第11項之有機層沉積設備，其中係自主要的材料係自該第一沉積源排出，並且摻雜材料係自該第二沉積源排出。
  13. 如申請專利範圍第11項之有機層沉積設備，其中該等第一和第二沉積源係沿著第一方向安置。
  14. 如申請專利範圍第11項之有機層沉積設備，其中該第一沉積源噴嘴單元進一步包括安置在該等第一沉積源噴嘴之對面側的第一突出反射物和第二突出反射物，其中該等第一沉積源噴嘴在該等第一和第二突出反射物之間。
  15. 如申請專利範圍第14項之有機層沉積設備，其進一步包含第三突出反射物，其連接該第一突出反射物的一端以及該第二突出反射物的一端。
  16. 如申請專利範圍第15項之有機層沉積設備，其中該第一突出反射物的一端和該第二突出反射物的一端係鄰近於該第二沉積源。
  17. 如申請專利範圍第14項之有機層沉積設備，其中該等第一和第二突出反射物之高度係大於或等於第一沉積源噴嘴的高度。
  18. 一種用於形成薄膜於基板上之有機層沉積設備，該設備包含：沉積源，其用於排出沉積材料；在該沉積源之一側的沉積源噴嘴單元，並且其包含複數個安置在第一方向上之沉積源噴嘴；以及 圖案化的狹縫薄板，其在沉積源噴嘴單元對面並且具有複數個圖案化的狹縫被安置在第二方向上，該第二方向垂直於該第一方向，其中該基板可相對於該有機層沉積設備在第一方向上移動以用於執行沉積，其中該沉積源包含用於排出不同材料的第一沉積源和第二沉積源，以及其中該沉積源噴嘴單元包含：在第一沉積源之一側的第一沉積源噴嘴單元並且其包含安置在第一方向上的複數個第一沉積源噴嘴；以及在第二沉積源之一側的第二沉積源噴嘴單元並且其包含安置在第一方向上的複數個第二沉積源噴嘴，其中該等第一沉積源噴嘴和該等第二沉積源噴嘴係傾斜預定角度；其中該第一沉積源噴嘴單元進一步包括安置在該等第一沉積源噴嘴之對面側的第一突出反射物和第二突出反射物，其中該等第一沉積源噴嘴在該等第一和第二突出反射物之間；其中在該等第一沉積源噴嘴中最接近該第二沉積源的一沉積源噴嘴係為虛擬噴嘴並且在其中不具有孔隙，如此則容納於第一沉積源中之沉積材料無法透過該虛擬噴嘴排出。
  19. 一種用於形成薄膜於基板上之有機層沉積設備，該設備包含：沉積源，其用於排出沉積材料； 在該沉積源之一側的沉積源噴嘴單元，並且其包含複數個安置在第一方向上之沉積源噴嘴；以及圖案化的狹縫薄板，其在沉積源噴嘴單元對面並且具有複數個圖案化的狹縫被安置在第二方向上，該第二方向垂直於該第一方向，其中該基板可相對於該有機層沉積設備在第一方向上移動以用於執行沉積，其中該沉積源包含用於排出不同材料的第一沉積源和第二沉積源，以及其中該沉積源噴嘴單元包含：在第一沉積源之一側的第一沉積源噴嘴單元並且其包含安置在第一方向上的複數個第一沉積源噴嘴；以及在第二沉積源之一側的第二沉積源噴嘴單元並且其包含安置在第一方向上的複數個第二沉積源噴嘴，其中該等第一沉積源噴嘴和該等第二沉積源噴嘴係傾斜預定角度；其中該第二沉積源噴嘴單元進一步包含安置在該等第二沉積源噴嘴的對面側之第四突出反射物和第五突出反射物，其中該等第二沉積源噴嘴係在該等第四和第五突出反射物之間。
  20. 如申請專利範圍第19項之有機層沉積設備，其進一步包含第六突出反射物，其連接該第四突出反射物的一端以及該第五突出反射物的一端。
  21. 如申請專利範圍第20項之有機層沉積設備，其中該第四突出反射物的一端和該第五突出反射物的一端係鄰近於該第一沉積源。
  22. 如申請專利範圍第19項之有機層沉積設備，其中該等第四和第五突出反射物之高度係大於或等於第二沉積源噴嘴的高度。
  23. 如申請專利範圍第19項之有機層沉積設備，其中在該等第二沉積源噴嘴中最接近該第一沉積源的一沉積源噴嘴係為虛擬噴嘴並且在其中不具有孔隙，如此則容納於第二沉積源中之沉積材料無法透過該虛擬噴嘴排出。
  24. 如申請專利範圍第11項之有機層沉積設備，其中該沉積源、該沉積源噴嘴單元以及該圖案化的狹縫薄板係形成為一體。
  25. 一種用於形成薄膜於基板上之有機層沉積設備，該設備包含：沉積源，其用於排出沉積材料；在該沉積源之一側的沉積源噴嘴單元，並且其包含複數個安置在第一方向上之沉積源噴嘴；圖案化的狹縫薄板，其在沉積源噴嘴單元對面並且具有複數個圖案化的狹縫被安置在第二方向上，該第二方向垂直於該第一方向；以及至少一個連結組件，其連接於該沉積源噴嘴單元和該圖案化的狹縫薄板之間，該至少一個連結組件被建構以導引該沉積材料之移動；其中該基板可相對於該有機層沉積設備在第一方向上移動以用於執行沉積， 其中該沉積源包含用於排出不同材料的第一沉積源和第二沉積源，以及其中該沉積源噴嘴單元包含：在第一沉積源之一側的第一沉積源噴嘴單元並且其包含安置在第一方向上的複數個第一沉積源噴嘴；以及在第二沉積源之一側的第二沉積源噴嘴單元並且其包含安置在第一方向上的複數個第二沉積源噴嘴，其中該等第一沉積源噴嘴和該等第二沉積源噴嘴係傾斜預定角度。
  26. 如申請專利範圍第25項之有機層沉積設備，其中該至少一個的連結組件係形成以密封在該沉積源、該沉積源噴嘴單元和該圖案化的狹縫薄板之間的空間。
  27. 如申請專利範圍第11項之有機層沉積設備，其中該設備係與該基板分離間隔一距離。
  28. 如申請專利範圍第11項之有機層沉積設備，其中該沉積材料係連續地沉積於該基板上，同時該基板相對於該設備在第一方向上移動。
  29. 如申請專利範圍第11項之有機層沉積設備，其中該圖案化的狹縫薄板係小於該基板。
  30. 如申請專利範圍第11項之有機層沉積設備，其中自第一沉積源所排出之主要的材料的至少一部分係與自第二沉積源所排出之摻雜材料的至少一部分混和。
  31. 如申請專利範圍第11項之有機層沉積設備，其中該等第一和 第二沉積源係被安置於第一方向上以彼此互相平行。
  32. 如申請專利範圍第11項之有機層沉積設備，其中該等第一沉積源噴嘴和該等第二沉積源噴嘴係傾斜以彼此面對面。
  33. 如申請專利範圍第11項之有機層沉積設備，其中該等第一沉積源噴嘴和該等第二沉積源噴嘴係傾斜，以此方式則自第一沉積源所排出之主要的材料與自第二沉積源所排出之摻雜材料之混合比例係在整個基板維持常數。
  34. 如申請專利範圍第11項之有機層沉積設備，其中該第一和第二沉積源係為線性沉積源。
  35. 一種用於形成薄膜於基板上之有機層沉積設備，該設備包含：沉積源，其用於排出沉積材料；在該沉積源之一側的沉積源噴嘴單元，並且其包含複數個安置在第一方向上之沉積源噴嘴；以及圖案化的狹縫薄板，其在沉積源噴嘴單元對面並且具有複數個圖案化的狹縫被安置在第二方向上，該第二方向垂直於該第一方向，其中該基板可相對於該有機層沉積設備在第一方向上移動以用於執行沉積，其中該沉積源包含用於排出不同材料的第一沉積源和第二沉積源，以及其中該沉積源噴嘴單元包含：在第一沉積源之一側的第一沉積源噴嘴單元並且其包含安置在第一方向上的複數個第一沉積源噴嘴；以及 在第二沉積源之一側的第二沉積源噴嘴單元並且其包含安置在第一方向上的複數個第二沉積源噴嘴，其中該等第一沉積源噴嘴和該等第二沉積源噴嘴係傾斜預定角度；其中該等第一沉積源噴嘴或該等第二沉積源噴嘴之至少一者的沉積源噴嘴之下端部分具有彎曲的表面。
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