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Sharp Kabushiki Kaisha |
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表示装置
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金属酸化物膜、半導体装置、及び表示装置
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2017-07-27 |
シャープ株式会社 |
液晶表示パネルおよびその製造方法
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2017-08-03 |
シャープ株式会社 |
半導体装置およびその製造方法
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2016-01-28 |
2017-08-03 |
シャープ株式会社 |
アクティブマトリクス基板およびその製造方法
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CN107408759B
(zh)
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2016-01-29 |
2018-11-09 |
夏普株式会社 |
扫描天线
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2016-01-29 |
2019-12-03 |
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US10546960B2
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(ko)
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2016-02-12 |
2025-04-16 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치 및 상기 반도체 장치를 포함하는 표시 장치
|
|
JP6970511B2
(ja)
|
2016-02-12 |
2021-11-24 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
トランジスタ
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JP6554224B2
(ja)
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2016-02-16 |
2019-07-31 |
シャープ株式会社 |
走査アンテナ
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US10985469B2
(en)
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2016-02-19 |
2021-04-20 |
Sharp Kabushiki Kaisha |
Scanning antenna and method for manufacturing same
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US10510781B2
(en)
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2016-02-22 |
2019-12-17 |
Sharp Kabushiki Kaisha |
Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
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US10629630B2
(en)
|
2016-03-02 |
2020-04-21 |
Sharp Kabushiki Kaisha |
Active matrix substrate, and liquid crystal display device provided with active matrix substrate
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アクティブマトリクス基板およびその製造方法
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アクティブマトリクス基板およびその製造方法
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Tft基板和具备tft基板的扫描天线
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有源矩阵基板和显示装置
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Active matrix substrate and display device
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アクティブマトリクス基板およびデマルチプレクサ回路
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2017-09-12 |
2019-03-28 |
シャープ株式会社 |
アクティブマトリクス基板およびデマルチプレクサ回路
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JP6578334B2
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2017-09-27 |
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シャープ株式会社 |
Ｔｆｔ基板およびｔｆｔ基板を備えた走査アンテナ
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(ja)
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2017-09-27 |
2019-04-18 |
シャープ株式会社 |
Ｔｆｔ基板、ｔｆｔ基板を備えた走査アンテナ、およびｔｆｔ基板の製造方法
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2017-09-28 |
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シャープ株式会社 |
液晶表示装置
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2017-09-28 |
2020-04-22 |
シャープ株式会社 |
アクティブマトリクス基板、液晶表示装置、有機ｅｌ表示装置およびアクティブマトリクス基板の製造方法
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(ja)
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シャープ株式会社 |
薄膜トランジスタの製造方法、及び、薄膜トランジスタ
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半導体装置
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(ja)
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2019-06-13 |
シャープ株式会社 |
半導体装置
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(ja)
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2017-11-16 |
2019-06-13 |
シャープ株式会社 |
Ｔｆｔ基板、ｔｆｔ基板を備えた走査アンテナ、およびｔｆｔ基板の製造方法
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(ja)
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2017-12-22 |
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株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置
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CN111602253A
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株式会社半导体能源研究所 |
半导体装置以及半导体装置的制造方法
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2018-01-19 |
2023-03-13 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置の作製方法
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JP2019134032A
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2018-01-30 |
2019-08-08 |
シャープ株式会社 |
Ｔｆｔ基板、ｔｆｔ基板を備えた走査アンテナ、およびｔｆｔ基板の製造方法
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2018-02-08 |
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株式会社半導体エネルギー研究所 |
表示装置
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치의 제작 방법
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JP2019153656A
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2018-03-02 |
2019-09-12 |
シャープ株式会社 |
アクティブマトリクス基板およびデマルチプレクサ回路
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WO2019166907A1
(ja)
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2018-03-02 |
2019-09-06 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置、及びその作製方法
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JP6706638B2
(ja)
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2018-03-07 |
2020-06-10 |
シャープ株式会社 |
半導体装置およびその製造方法
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KR20250053970A
(ko)
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2018-03-12 |
2025-04-22 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
금속 산화물 및 금속 산화물을 포함한 트랜지스터
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JP7242633B2
(ja)
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2018-03-16 |
2023-03-20 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置、および半導体装置の作製方法
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2018-03-20 |
2020-08-25 |
Sharp Kabushiki Kaisha |
Active matrix substrate having thin film transistors that each include copper gate electrode and oxide semiconductor layer
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2018-03-23 |
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株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置
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JP6757353B2
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2018-03-28 |
2020-09-16 |
シャープ株式会社 |
アクティブマトリクス基板および表示装置
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JP6757352B2
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2018-03-28 |
2020-09-16 |
シャープ株式会社 |
アクティブマトリクス基板および表示装置
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Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device
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シャープ株式会社 |
アクティブマトリクス基板、表示装置およびアクティブマトリクス基板の欠陥修正方法
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2018-04-20 |
2023-07-04 |
삼성전자 주식회사 |
반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
|
|
JP7247176B2
(ja)
|
2018-05-17 |
2023-03-28 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
表示装置、及び電子機器
|
|
CN112385021A
(zh)
|
2018-06-29 |
2021-02-19 |
株式会社半导体能源研究所 |
半导体装置的制造方法
|
|
DE102019004521B4
(de)
|
2018-07-02 |
2025-02-06 |
Sharp Kabushiki Kaisha |
Aktivmatrixsubstrat und verfahren zur herstellung eines aktivmatrixsubstrats
|
|
US11610998B2
(en)
|
2018-07-09 |
2023-03-21 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device
|
|
TWI897850B
(zh)
*
|
2018-07-12 |
2025-09-21 |
日商Ｆｌｏｓｆｉａ股份有限公司 |
半導體裝置和半導體系統
|
|
TW202032242A
(zh)
|
2018-08-03 |
2020-09-01 |
日商半導體能源研究所股份有限公司 |
半導體裝置
|
|
US11069796B2
(en)
|
2018-08-09 |
2021-07-20 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Manufacturing method of semiconductor device
|
|
JP6799123B2
(ja)
|
2018-09-19 |
2020-12-09 |
シャープ株式会社 |
アクティブマトリクス基板およびその製造方法
|
|
JP6868069B2
(ja)
|
2018-09-19 |
2021-05-12 |
シャープ株式会社 |
アクティブマトリクス基板およびアクティブマトリクス基板を用いたタッチセンサ付き液晶表示装置
|
|
JP6804603B2
(ja)
|
2018-09-19 |
2020-12-23 |
シャープ株式会社 |
アクティブマトリクス基板の製造方法、およびアクティブマトリクス基板を用いたタッチセンサ付き液晶表示装置の製造方法
|
|
JP2020053759A
(ja)
|
2018-09-25 |
2020-04-02 |
シャープ株式会社 |
走査アンテナおよびｔｆｔ基板
|
|
CN112805838B
(zh)
|
2018-10-10 |
2024-09-20 |
株式会社半导体能源研究所 |
半导体装置
|
|
KR20210083269A
(ko)
|
2018-11-02 |
2021-07-06 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치
|
|
US12100747B2
(en)
|
2018-11-02 |
2024-09-24 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device
|
|
JP7475282B2
(ja)
|
2018-11-02 |
2024-04-26 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置
|
|
WO2020115603A1
(ja)
|
2018-12-06 |
2020-06-11 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
表示装置、及び表示装置の作製方法
|
|
WO2020121877A1
(ja)
|
2018-12-12 |
2020-06-18 |
シャープ株式会社 |
走査アンテナおよび走査アンテナの製造方法
|
|
WO2020121876A1
(ja)
|
2018-12-12 |
2020-06-18 |
シャープ株式会社 |
走査アンテナおよび走査アンテナの製造方法
|
|
CN113196457B
(zh)
|
2018-12-12 |
2023-06-13 |
夏普株式会社 |
扫描天线和扫描天线的制造方法
|
|
US10921669B2
(en)
|
2019-01-18 |
2021-02-16 |
Sharp Kabushiki Kaisha |
Display device and active matrix substrate
|
|
CN109888019B
(zh)
*
|
2019-01-29 |
2021-04-02 |
中山大学 |
一种基于准调制掺杂效应的异质结构氧化物薄膜晶体管
|
|
KR20210127183A
(ko)
|
2019-02-15 |
2021-10-21 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치의 제작 방법
|
|
TWI844622B
(zh)
|
2019-02-22 |
2024-06-11 |
日商半導體能源研究所股份有限公司 |
金屬氧化物膜、半導體裝置及金屬氧化物膜的評價方法
|
|
JP7592579B2
(ja)
|
2019-03-01 |
2024-12-02 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置
|
|
US12136674B2
(en)
|
2019-03-01 |
2024-11-05 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device
|
|
JP7284613B2
(ja)
|
2019-03-29 |
2023-05-31 |
シャープ株式会社 |
アクティブマトリクス基板およびその製造方法
|
|
CN110112074A
(zh)
*
|
2019-05-08 |
2019-08-09 |
深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
氧化物薄膜晶体管器件及其制造方法
|
|
CN113785346A
(zh)
|
2019-05-10 |
2021-12-10 |
株式会社半导体能源研究所 |
显示装置
|
|
JP7472117B2
(ja)
|
2019-05-10 |
2024-04-22 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置、撮像装置、ヘッドマウントディスプレイ
|
|
US11431106B2
(en)
|
2019-06-04 |
2022-08-30 |
Sharp Kabushiki Kaisha |
TFT substrate, method for manufacturing TFT substrate, and scanned antenna
|
|
CN112054031B
(zh)
*
|
2019-06-06 |
2023-06-27 |
夏普株式会社 |
有源矩阵基板及其制造方法
|
|
US10976626B2
(en)
|
2019-06-14 |
2021-04-13 |
Sharp Kabushiki Kaisha |
Display device
|
|
US20220320339A1
(en)
*
|
2019-06-21 |
2022-10-06 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Metal oxide, formation method of metal oxide, semiconductor device, and manufacturing method of semiconductor device
|
|
CN114097083A
(zh)
|
2019-06-28 |
2022-02-25 |
株式会社半导体能源研究所 |
显示装置
|
|
US11314136B2
(en)
|
2019-06-28 |
2022-04-26 |
Sharp Kabushiki Kaisha |
Active matrix substrate and display device
|
|
US11211501B2
(en)
|
2019-07-19 |
2021-12-28 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device
|
|
CN112305819B
(zh)
|
2019-07-26 |
2024-04-02 |
夏普株式会社 |
液晶显示装置
|
|
US11476282B2
(en)
|
2019-08-09 |
2022-10-18 |
Sharp Kabushiki Kaisha |
Active matrix substrate and method for manufacturing same
|
|
KR20220044557A
(ko)
|
2019-08-09 |
2022-04-08 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
|
|
KR102837373B1
(ko)
*
|
2019-08-19 |
2025-07-23 |
삼성디스플레이 주식회사 |
표시 장치
|
|
KR20210035553A
(ko)
*
|
2019-09-24 |
2021-04-01 |
삼성전자주식회사 |
도메인 스위칭 소자 및 그 제조방법
|
|
US12200995B2
(en)
|
2019-10-11 |
2025-01-14 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Display device and electronic device
|
|
US11682681B2
(en)
|
2019-10-17 |
2023-06-20 |
Sharp Kabushiki Kaisha |
Active matrix substrate and method for manufacturing same
|
|
US11079636B2
(en)
|
2019-10-25 |
2021-08-03 |
Sharp Kabushiki Kaisha |
Active matrix substrate, liquid crystal display device with touch sensor using active matrix substrate, and method for manufacturing active matrix substrate
|
|
JP7393927B2
(ja)
|
2019-11-29 |
2023-12-07 |
シャープ株式会社 |
液晶表示パネル
|
|
CN112987382B
(zh)
|
2019-12-13 |
2023-11-07 |
夏普株式会社 |
液晶显示装置
|
|
JP7471075B2
(ja)
|
2019-12-17 |
2024-04-19 |
シャープ株式会社 |
アクティブマトリクス基板およびその製造方法
|
|
JPWO2021130585A1
(cg-RX-API-DMAC7.html)
|
2019-12-25 |
2021-07-01 |
|
|
|
JP7372832B2
(ja)
|
2019-12-26 |
2023-11-01 |
シャープ株式会社 |
液晶表示装置およびその製造方法
|
|
JP7299834B2
(ja)
|
2019-12-26 |
2023-06-28 |
シャープ株式会社 |
アクティブマトリクス基板、アクティブマトリクス基板を備えたインセルタッチパネル型液晶表示装置、およびアクティブマトリクス基板の製造方法
|
|
CN113257835B
(zh)
|
2020-02-07 |
2024-11-26 |
夏普株式会社 |
有源矩阵基板及其制造方法
|
|
US11557679B2
(en)
|
2020-03-02 |
2023-01-17 |
Sharp Kabushiki Kaisha |
Active matrix substrate and display device
|
|
TWI893073B
(zh)
|
2020-03-20 |
2025-08-11 |
日商半導體能源研究所股份有限公司 |
半導體裝置及半導體裝置的製造方法
|
|
US11502115B2
(en)
|
2020-04-21 |
2022-11-15 |
Sharp Kabushiki Kaisha |
Active matrix substrate and method for manufacturing same
|
|
US11631704B2
(en)
|
2020-04-21 |
2023-04-18 |
Sharp Kabushiki Kaisha |
Active matrix substrate and display device
|
|
JP2021192406A
(ja)
|
2020-06-05 |
2021-12-16 |
シャープ株式会社 |
アクティブマトリクス基板およびその製造方法
|
|
CN113838938A
(zh)
|
2020-06-24 |
2021-12-24 |
京东方科技集团股份有限公司 |
薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板以及电子装置
|
|
JP2022014107A
(ja)
|
2020-07-06 |
2022-01-19 |
シャープ株式会社 |
アクティブマトリクス基板およびその製造方法
|
|
JP2022014108A
(ja)
*
|
2020-07-06 |
2022-01-19 |
シャープ株式会社 |
アクティブマトリクス基板およびその製造方法
|
|
JP2022072419A
(ja)
|
2020-10-29 |
2022-05-17 |
シャープ株式会社 |
液晶表示装置
|
|
JP7502965B2
(ja)
|
2020-10-29 |
2024-06-19 |
シャープ株式会社 |
液晶表示装置
|
|
WO2022106953A1
(ja)
|
2020-11-17 |
2022-05-27 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置、及び半導体装置の作製方法
|
|
KR20220079442A
(ko)
|
2020-12-04 |
2022-06-13 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
표시 장치 및 표시 장치의 제작 방법
|
|
US12100711B2
(en)
|
2020-12-04 |
2024-09-24 |
Sharp Kabushiki Kaisha |
Active matrix substrate and method for manufacturing same
|
|
US12159573B2
(en)
|
2020-12-06 |
2024-12-03 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Display system and electronic device
|
|
WO2022130086A1
(ja)
|
2020-12-15 |
2022-06-23 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
半導体装置
|
|
US11581340B2
(en)
|
2020-12-15 |
2023-02-14 |
Sharp Kabushiki Kaisha |
Active matrix substrate
|
|
JP2022100714A
(ja)
|
2020-12-24 |
2022-07-06 |
シャープ株式会社 |
アクティブマトリクス基板およびその製造方法
|
|
JP7589050B2
(ja)
*
|
2021-01-15 |
2024-11-25 |
株式会社ジャパンディスプレイ |
半導体装置の製造方法
|
|
CN114883340A
(zh)
|
2021-02-05 |
2022-08-09 |
夏普株式会社 |
有源矩阵基板
|
|
JP2022158302A
(ja)
|
2021-04-01 |
2022-10-17 |
シャープ株式会社 |
液晶表示装置およびその製造方法
|
|
KR20230169179A
(ko)
|
2021-04-16 |
2023-12-15 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
|
|
JP2022167632A
(ja)
|
2021-04-23 |
2022-11-04 |
シャープディスプレイテクノロジー株式会社 |
アクティブマトリクス基板、アクティブマトリクス基板の製造方法、およびアクティブマトリクス基板を用いたタッチセンサ付き液晶表示装置
|
|
KR20240007175A
(ko)
|
2021-05-13 |
2024-01-16 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치, 표시 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법
|
|
JP2022178523A
(ja)
|
2021-05-20 |
2022-12-02 |
シャープディスプレイテクノロジー株式会社 |
アクティブマトリクス基板および液晶表示装置
|
|
JP2022191755A
(ja)
|
2021-06-16 |
2022-12-28 |
シャープディスプレイテクノロジー株式会社 |
半導体装置
|
|
JP2023007092A
(ja)
|
2021-07-01 |
2023-01-18 |
シャープディスプレイテクノロジー株式会社 |
アクティブマトリクス基板およびその製造方法
|
|
US11644715B2
(en)
|
2021-07-08 |
2023-05-09 |
Sharp Display Technology Corporation |
Liquid crystal display device comprising a plurality of pixels each having a reflective region with a reflective electrode and a transmissive region with a transparent electrode
|
|
JP2023038651A
(ja)
|
2021-09-07 |
2023-03-17 |
シャープディスプレイテクノロジー株式会社 |
アクティブマトリクス基板および液晶表示装置
|
|
CN113809163B
(zh)
*
|
2021-09-17 |
2023-11-24 |
武汉天马微电子有限公司 |
金属氧化物晶体管、显示面板及显示装置
|
|
JP2023076275A
(ja)
|
2021-11-22 |
2023-06-01 |
シャープディスプレイテクノロジー株式会社 |
アクティブマトリクス基板および液晶表示装置
|
|
WO2023090264A1
(ja)
|
2021-11-22 |
2023-05-25 |
シャープディスプレイテクノロジー株式会社 |
アクティブマトリクス基板および液晶表示装置
|
|
US12368222B2
(en)
*
|
2021-11-26 |
2025-07-22 |
Innolux Corporation |
Electronic device comprising first and second metal patterns arranged with first and second insulating patterns in a specified configuration
|
|
JP7488807B2
(ja)
|
2021-11-30 |
2024-05-22 |
シャープディスプレイテクノロジー株式会社 |
アクティブマトリクス基板、液晶表示装置およびアクティブマトリクス基板の製造方法
|
|
CN114420764B
(zh)
*
|
2022-01-14 |
2025-06-17 |
深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
金属氧化物薄膜晶体管、显示面板及其制备方法
|
|
US11830454B2
(en)
|
2022-02-07 |
2023-11-28 |
Sharp Display Technology Corporation |
Active matrix substrate and display device
|
|
US12040399B2
(en)
*
|
2022-03-17 |
2024-07-16 |
Renesas Electronics Corporation |
Semiconductor device
|
|
JP2023153641A
(ja)
|
2022-04-05 |
2023-10-18 |
シャープディスプレイテクノロジー株式会社 |
アクティブマトリクス基板およびその製造方法
|
|
US20230335605A1
(en)
|
2022-04-15 |
2023-10-19 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device
|
|
JP2023163521A
(ja)
|
2022-04-28 |
2023-11-10 |
シャープディスプレイテクノロジー株式会社 |
液晶表示装置
|
|
JP2023163682A
(ja)
|
2022-04-28 |
2023-11-10 |
シャープディスプレイテクノロジー株式会社 |
アクティブマトリクス基板および液晶表示装置
|
|
US20230378372A1
(en)
*
|
2022-05-19 |
2023-11-23 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. |
Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device
|
|
JP7461988B2
(ja)
|
2022-06-22 |
2024-04-04 |
シャープディスプレイテクノロジー株式会社 |
アクティブマトリクス基板および表示装置
|
|
DE112023003398T5
(de)
|
2022-08-10 |
2025-10-23 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Schieberegister
|
|
US12078903B2
(en)
|
2022-09-09 |
2024-09-03 |
Sharp Display Technology Corporation |
Active matrix substrate and liquid crystal display device
|
|
JP2024046379A
(ja)
|
2022-09-22 |
2024-04-03 |
シャープディスプレイテクノロジー株式会社 |
アクティブマトリクス基板および液晶表示装置
|
|
KR102524042B1
(ko)
|
2022-11-07 |
2023-04-21 |
(주)루슨트코리아 |
속도변경 및 그에 따른 효율구간 변경이 가능한 전동기 또는 발전기
|
|
JP2024074484A
(ja)
|
2022-11-21 |
2024-05-31 |
シャープディスプレイテクノロジー株式会社 |
液晶表示装置
|
|
JP2024074483A
(ja)
|
2022-11-21 |
2024-05-31 |
シャープディスプレイテクノロジー株式会社 |
液晶表示装置
|
|
US12117697B2
(en)
|
2022-11-29 |
2024-10-15 |
Sharp Display Technology Corporation |
Liquid crystal display device
|
|
CN120642593A
(zh)
|
2023-02-23 |
2025-09-12 |
株式会社半导体能源研究所 |
金属氧化物膜及半导体装置
|
|
CN120982228A
(zh)
*
|
2023-04-20 |
2025-11-18 |
株式会社半导体能源研究所 |
半导体装置及半导体装置的制造方法
|
|
JP2025015136A
(ja)
|
2023-07-20 |
2025-01-30 |
シャープディスプレイテクノロジー株式会社 |
液晶表示装置
|
|
JP2025025396A
(ja)
|
2023-08-09 |
2025-02-21 |
シャープディスプレイテクノロジー株式会社 |
半透過型液晶表示装置
|
|
JP2025039124A
(ja)
|
2023-09-08 |
2025-03-21 |
シャープディスプレイテクノロジー株式会社 |
液晶表示装置
|