JP7488807B2 - アクティブマトリクス基板、液晶表示装置およびアクティブマトリクス基板の製造方法 - Google Patents
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Description
行方向および列方向にマトリクス状に配列された複数の画素領域を含む表示領域と、前記表示領域の周辺に位置する非表示領域とを有するアクティブマトリクス基板であって、
基板と、
前記基板に支持され、前記複数の画素領域のそれぞれに対応して設けられた画素TFTであって、活性層として酸化物半導体層を有する画素TFTと、
前記画素TFTの少なくとも前記酸化物半導体層の上方に配置された有機絶縁層と、
前記有機絶縁層上に、前記有機絶縁層の上面に接して配置された無機絶縁層と、を備え、
前記有機絶縁層および前記無機絶縁層には、複数の2層孔構造部が設けられており、
各2層孔構造部は、
前記無機絶縁層に設けられた貫通孔と、
前記有機絶縁層に設けられ、かつ、前記貫通孔の下方に位置する有底孔と、を含み、
前記基板の法線方向から見たとき、前記貫通孔は、前記有底孔の外縁よりも内側に位置している、アクティブマトリクス基板。
[項目2]
前記有底孔の内表面は、前記無機絶縁層と直接接していない、項目1に記載のアクティブマトリクス基板。
[項目3]
前記アクティブマトリクス基板は、前記無機絶縁層上に配置された透明導電層をさらに備え、前記透明導電層は、前記各2層孔構造部上に開口部を有し、
前記各2層孔構造部において、前記有底孔の内表面の少なくとも一部は、前記透明導電層および前記無機絶縁層から露出している、項目1または2に記載のアクティブマトリクス基板。
[項目4]
前記アクティブマトリクス基板は、前記透明導電層と同層に形成された島状透明導電部をさらに備え、
前記各2層孔構造部において、
前記透明導電層は、前記無機絶縁層の上面の少なくとも一部と前記無機絶縁層の前記貫通孔の内側面の少なくとも一部とを覆っており、
前記島状透明導電部は、前記有機絶縁層の前記有底孔の内部に、前記透明導電層とは離隔して配置されており、
前記有底孔の前記内表面の一部は、前記島状透明導電部、前記透明導電層および前記無機絶縁層から露出している、項目3に記載のアクティブマトリクス基板。
[項目5]
前記基板の法線方向から見たとき、前記開口部は前記貫通孔の前記外縁よりも内側に位置している、項目4に記載のアクティブマトリクス基板。
[項目6]
前記各2層孔構造部において、前記透明導電層の前記開口部は、前記貫通孔の内側面および前記有底孔の前記内表面を露出し、
前記基板の法線方向から見たとき、前記開口部は前記有底孔の前記外縁よりも内側に位置している、項目3に記載のアクティブマトリクス基板。
[項目7]
前記有機絶縁層は、第1有機絶縁層と、前記第1有機絶縁層よりも上層に位置する第2有機絶縁層とを含み、
前記第1有機絶縁層および前記第2有機絶縁層のそれぞれは、前記各2層孔構造部の前記有底孔に露出した部分を含む、項目1から6のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板。
[項目8]
前記有機絶縁層は、第1有機絶縁層と、第2有機絶縁層とを含み、前記第2有機絶縁層は、前記第1有機絶縁層よりも上層に位置し、かつ、前記第1有機絶縁層に直接接する部分を含み、
前記第1有機絶縁層および前記第2有機絶縁層のうちのいずれか一方のみが、前記各2層孔構造部の前記有底孔に露出した部分を含む、項目1から6のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板。
[項目9]
前記アクティブマトリクス基板は、前記有機絶縁層上に、前記無機絶縁層を介して配置された他の有機絶縁層をさらに備え、
前記他の有機絶縁層は、前記各2層孔構造部における前記貫通孔および前記有底孔を埋めるように配置されている、項目1から6のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板。
[項目10]
前記複数の2層孔構造部は、前記表示領域に配置された複数の第1の2層孔構造部を含む、項目1から9のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板。
[項目11]
前記アクティブマトリクス基板は、それぞれが、前記複数の画素領域のそれぞれに配置され、かつ、対応する1つの画素TFTに電気的に接続された複数の画素電極をさらに備え、
前記各第1の2層孔構造部は、前記表示領域において、前記複数の画素電極に重ならない位置に配置されている、項目10に記載のアクティブマトリクス基板。
[項目12]
前記複数の第1の2層孔構造部は、3以上の画素領域に対して1つの第1の2層孔構造部が対応するように、前記表示領域に配置されている、項目10または11に記載のアクティブマトリクス基板。
[項目13]
前記アクティブマトリクス基板は、前記画素TFTの前記基板側に配置された複数の遮光層をさらに備え、
前記基板の法線方向から見たとき、前記各第1の2層孔構造部は、前記複数の遮光層のいずれかに重なっている、項目10から12のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板。
[項目14]
前記複数の2層孔構造部は、前記非表示領域に配置された複数の第2の2層孔構造部を含む、項目1から13のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板。
[項目15]
前記非表示領域は、前記基板に支持されたゲートドライバおよび/またはデマルチプレクサ回路をさらに備え、前記複数の第2の2層孔構造部は、前記基板の法線方向から見たとき、前記ゲートドライバおよび/または前記デマルチプレクサ回路と前記表示領域との間に位置している、項目14に記載のアクティブマトリクス基板。
[項目16]
前記アクティブマトリクス基板は、それぞれが、前記複数の画素領域のそれぞれに配置された複数の画素電極をさらに備え、
前記画素TFTは、透明導電材料から形成された接続電極によって、対応する1つの画素電極に電気的に接続されている、項目1から15のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板。
[項目17]
前記有底孔の深さは、前記有機絶縁層の厚さの1/4以上3/4以下である、項目1から16のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板。
[項目18]
前記酸化物半導体層は、In-Ga-Zn-O系半導体を含む、項目1から17のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板。
[項目19]
前記In-Ga-Zn-O系半導体は結晶質部分を含む項目18に記載のアクティブマトリクス基板。
[項目20]
項目1から19のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板と、
前記アクティブマトリクス基板に対向するように設けられた対向基板と、
前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板との間に設けられた液晶層と、
を備えた液晶表示装置。
[項目21]
前記液晶表示装置は、前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板との間に位置する複数の柱状スペーサをさらに備え、
前記アクティブマトリクス基板は、前記画素TFTよりも前記基板側に、前記複数の柱状スペーサに対応付けて配置された複数の遮光層をさらに備え、
前記基板の法線方向から見たとき、各遮光層は、前記複数の2層孔構造部の1つおよび前記複数の柱状スペーサの1つに重なるように配置されている、項目20に記載の液晶表示装置。
[項目22]
項目1から18のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板の製造方法であって、
前記有機絶縁層上に前記無機絶縁層を形成する工程(A)と、
同じエッチングマスクを用いて、前記無機絶縁層および前記有機絶縁層のエッチングを行う工程(B)とを包含し、
前記工程(B)の前記エッチングは、前記無機絶縁層に前記貫通孔を形成するとともに、前記有機絶縁層のうち、前記貫通孔で露出された部分と、前記基板の法線方向から見たときに前記貫通孔よりも外側に位置する部分とを除去することにより、前記有機絶縁層に前記有底孔を形成するような条件で行われる、アクティブマトリクス基板の製造方法。
[項目23]
前記工程(B)の後に、前記無機絶縁層上および前記各2層孔構造部上に透明導電膜を形成する工程であって、前記無機絶縁層の上面と前記有底孔との段差を利用して、前記透明導電膜のうち前記無機絶縁層の前記上面に位置する部分と、前記有底孔の内部に位置する部分とを互いに離隔させる工程をさらに包含する、項目22に記載のアクティブマトリクス基板の製造方法。
[項目24]
項目1から18のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板の製造方法であって、
前記有機絶縁層および前記無機絶縁層および透明導電膜をこの順で形成する工程(a)と、
前記透明導電膜のパターニングを行い、前記各2層孔構造部となる領域に開口部を形成する工程(b)と、
前記開口部が形成された前記透明導電膜をマスクとして、前記無機絶縁層および前記有機絶縁層のエッチングを行う工程(c)と、を包含し、
前記工程(c)の前記エッチングは、前記無機絶縁層に前記貫通孔を形成するとともに、前記有機絶縁層のうち、前記貫通孔で露出された部分と、前記基板の法線方向から見たときに前記貫通孔よりも外側に位置する部分とを除去することにより、前記有機絶縁層に前記有底孔を形成するような条件で行われる、アクティブマトリクス基板の製造方法。
本開示の一実施形態によると、水分等の不純物に起因する酸化物半導体TFTの特性の変動を抑制し得るアクティブマトリクス基板を提供することができる。
図1を参照しながら、本開示の実施形態におけるアクティブマトリクス基板100を説明する。図1は、アクティブマトリクス基板100の平面構造の一例を示す概略図である。
図1には示していないが、本実施形態では、アクティブマトリクス基板100の表示領域DRおよび/または非表示領域FRの複数箇所に、有機絶縁層からの不純物を放出するための領域(不純物除去領域)が設けられている。各不純物除去領域は、有機絶縁層に形成された有底孔と、その上層である無機絶縁層に形成された貫通孔とから構成される孔構造部を含む。本明細書では、このように有機絶縁層および無機絶縁層に亘って形成された孔構造部を「2層孔構造部」と呼ぶ。
図2Aおよび図2Bは、それぞれ、2層孔構造部を含む不純物除去領域の一例を模式的に示す平面図および断面図である。ここでは、単一の不純物除去領域を示すが、典型的には複数の不純物除去領域が互いに離隔して設けられる。
図3Aおよび図3Bは、それぞれ、不純物除去領域の他の例を模式的に示す平面図および断面図である。
図4Aおよび図4Bは、それぞれ、不純物除去領域のさらに他の例を模式的に示す平面図および断面図である。
本実施形態のアクティブマトリクス基板のより具体的な構造を説明する。以下では、表示領域DRに不純物除去領域ER(つまり第1不純物除去領域ERd)が設けられたアクティブマトリクス基板100Aを例に説明する。
本実施形態におけるアクティブマトリクス基板100Aは、表示領域DR内に複数の第1不純物除去領域ERdを備えているので、製造プロセス中に有機絶縁層RLに侵入した水分などの不純物を、第1不純物除去領域ERdを介して、アクティブマトリクス基板100Aの外部に効率的に放出させることができる。従って、不純物が有機絶縁層RLから画素TFT20の酸化物半導体層4に入り込むことに起因する画素TFT20の特性変動を抑制できる。また、第1不純物除去領域ERdは、表示領域DRのうち表示に寄与せず、かつ、遮光された領域であるソース-ゲート交差部に配置されるので、第1不純物除去領域ERdによる表示特性の低下を抑制できる。
アクティブマトリクス基板100Aは、非表示領域FRに、ゲートドライバGD、デマルチプレクサ回路DMXなどの周辺回路をさらに備えてもよい。これらの周辺回路は、複数の回路TFTを含む。各回路TFTは、画素TFT20の酸化物半導体層4と同層の酸化物半導体層を活性層とする酸化物半導体TFTでもよい。回路TFTは、トップゲート構造、ボトムゲート構造またはダブルゲート構造を有する酸化物半導体TFTであってもよい。あるいは、結晶質シリコン半導体層または非晶質シリコン層を活性層とするシリコン半導体TFTであってもよい。
図9は、変形例1のアクティブマトリクス基板100Bにおける第2不純物除去領域ERfの配置を示す模式的な平面図である。変形例1のアクティブマトリクス基板は、非表示領域FRに第2不純物除去領域ERfが設けられている点で、前述したアクティブマトリクス基板100Aと異なる。
図12は、変形例2のアクティブマトリクス基板100Cにおける不純物除去領域ERの配置を示す模式的な平面図である。変形例2のアクティブマトリクス基板は、表示領域DRおよび非表示領域FRの両方に不純物除去領域ERが配置されている点で、前述のアクティブマトリクス基板100A、100Bと異なる。
図13Aは、変形例3のアクティブマトリクス基板100Dにおける1つの画素領域PIXを例示する平面図である。図13Bおよび図13Cは、それぞれ、図13Aに示すXIIIb-XIIIb線およびXIIIc-XIIIc線に沿った断面図である。アクティブマトリクス基板100Dは、表示領域DRに、複数の第1不純物除去領域ERdを有する。アクティブマトリクス基板100Dにおける第1不純物除去領域ERdの配置は、例えば図5と同様である。図13Aは、図5に示す領域Raに対応する。
図15Aは、変形例4のアクティブマトリクス基板100Fにおける行方向に隣接する2つの画素領域PIXを例示する平面図である。図15Bおよび図15Cは、それぞれ、図15Aに示すXVb-XVb線およびXVc-XVc線に沿った断面図である。アクティブマトリクス基板100Fは、表示領域DRに、複数の第1不純物除去領域ERdを有する。アクティブマトリクス基板100Fにおける第1不純物除去領域ERdの配置は、例えば図5と同様である。
本発明の実施形態によるアクティブマトリクス基板100A~100Fは、液晶表示装置に好適に用いることができる。
以下、図面を参照しながら、本実施形態のアクティブマトリクス基板の製造方法の例を説明する。図19A~図19Iおよび図20A~図20Iは、アクティブマトリクス基板100Aの表示領域DRの一部を示す工程断面図である。これらの図面は、いずれも、図15Aに示すXVc-XVc線に沿った断面構造を示している。
第1不純物除去領域ERdまたは第2不純物除去領域ERfとして、第2構造を有する不純物除去領域ER2(図3Aおよび図3B)を形成してもよい。不純物除去領域ER2は、例えば、透明導電膜のパターニングにより透明導電層TL(ここでは共通電極CE)を形成した後で、2層孔構造部HSを形成するためのエッチングを行うことによって形成できる。以下、第2構造を有する第1不純物除去領域ERdを形成する工程を説明する。
酸化物半導体層4に含まれる酸化物半導体は、アモルファス酸化物半導体であってもよいし、結晶質部分を有する結晶質酸化物半導体であってもよい。結晶質酸化物半導体としては、多結晶酸化物半導体、微結晶酸化物半導体、c軸が層面に概ね垂直に配向した結晶質酸化物半導体などが挙げられる。
2 第1下部絶縁層
3 第2下部絶縁層
4 酸化物半導体層
4c チャネル領域
4s ソースコンタクト領域
4d ドレインコンタクト領域
5 下部ゲート絶縁層
7 上部ゲート絶縁層
9 第1層間絶縁層
10 第2層間絶縁層
11 第1有機絶縁層
12、12f 第2有機絶縁層
17 誘電体層
20 画素TFT
30 回路TFT
31 遮光層
33 結晶質シリコン半導体層
33c チャネル領域
35 ゲート電極
36 ソースおよびドレイン電極
100、100A~100F アクティブマトリクス基板
190、290 配向膜
200 対向基板
201 基板
210 カラーフィルタ層
220 ブラックマトリクス
230 オーバーコート層
300 液晶層
310 柱状スペーサ
500 液晶表示装置
DR 表示領域
FR 非表示領域
FR1 第1非表示領域
FR2 第2非表示領域
PIX 画素領域
ER、ER1~ER3 不純物除去領域
ERd 第1不純物除去領域
ERf、ERf1、ERf2 第2不純物除去領域
IL 無機絶縁層
RL 有機絶縁層
TL 透明導電層
Ta 島状透明導電部
h1 貫通孔
h2 有底孔
ht 開口部
s1 貫通孔の内側面
s2 有底孔の内表面
PE 画素電極
CE 共通電極
CL 共通配線
SE ソース電極
SL ソース配線
GE1 下部ゲート電極
GE2 上部ゲート電極
GL ゲート配線
GL1 下部ゲート配線
GL2 上部ゲート配線
SL ソース配線
LS 遮光層
GD ゲートドライバ
SD ソースドライバ
DMX デマルチプレクサ回路
CHp1 第1画素コンタクトホール
CHp2 第2画素コンタクトホール
CHS ソースコンタクトホール
Claims (22)
- 行方向および列方向にマトリクス状に配列された複数の画素領域を含む表示領域と、前記表示領域の周辺に位置する非表示領域とを有するアクティブマトリクス基板であって、
基板と、
前記基板に支持され、前記複数の画素領域のそれぞれに対応して設けられた画素TFTであって、活性層として酸化物半導体層を有する画素TFTと、
前記画素TFTの少なくとも前記酸化物半導体層の上方に配置された有機絶縁層と、
前記有機絶縁層上に、前記有機絶縁層の上面に接して配置された無機絶縁層と、を備え、
前記有機絶縁層および前記無機絶縁層には、複数の2層孔構造部が設けられており、
各2層孔構造部は、
前記無機絶縁層に設けられた貫通孔と、
前記有機絶縁層に設けられ、かつ、前記貫通孔の下方に位置する有底孔と、を含み、
前記基板の法線方向から見たとき、前記貫通孔は、前記有底孔の外縁よりも内側に位置しており、
前記アクティブマトリクス基板は、前記無機絶縁層上に前記無機絶縁層に接して配置された透明導電層をさらに備え、前記透明導電層は、前記各2層孔構造部上に開口部を有し、
前記各2層孔構造部において、前記有底孔の内表面の少なくとも一部は、前記透明導電層および前記無機絶縁層から露出している、アクティブマトリクス基板。 - 前記アクティブマトリクス基板は、前記透明導電層と同層に形成された島状透明導電部をさらに備え、
前記各2層孔構造部において、
前記透明導電層は、前記無機絶縁層の上面の少なくとも一部と前記無機絶縁層の前記貫通孔の内側面の少なくとも一部とを覆っており、
前記島状透明導電部は、前記有機絶縁層の前記有底孔の内部に、前記透明導電層とは離隔して配置されており、
前記有底孔の前記内表面の一部は、前記島状透明導電部、前記透明導電層および前記無機絶縁層から露出している、請求項1に記載のアクティブマトリクス基板。 - 前記基板の法線方向から見たとき、前記開口部は前記貫通孔の前記外縁よりも内側に位置している、請求項2に記載のアクティブマトリクス基板。
- 前記各2層孔構造部において、前記透明導電層の前記開口部は、前記貫通孔の内側面および前記有底孔の前記内表面を露出し、
前記基板の法線方向から見たとき、前記開口部は前記有底孔の前記外縁よりも内側に位置している、請求項1に記載のアクティブマトリクス基板。 - 前記アクティブマトリクス基板は、前記有機絶縁層上に、前記無機絶縁層を介して配置された他の有機絶縁層をさらに備え、
前記他の有機絶縁層は、前記各2層孔構造部における前記貫通孔および前記有底孔を埋めるように配置されている、請求項1から4のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板。 - 行方向および列方向にマトリクス状に配列された複数の画素領域を含む表示領域と、前記表示領域の周辺に位置する非表示領域とを有するアクティブマトリクス基板であって、
基板と、
前記基板に支持され、前記複数の画素領域のそれぞれに対応して設けられた画素TFTであって、活性層として酸化物半導体層を有する画素TFTと、
前記画素TFTの少なくとも前記酸化物半導体層の上方に配置された有機絶縁層と、
前記有機絶縁層上に、前記有機絶縁層の上面に接して配置された無機絶縁層と、を備え、
前記有機絶縁層および前記無機絶縁層には、複数の2層孔構造部が設けられており、
各2層孔構造部は、
前記無機絶縁層に設けられた貫通孔と、
前記有機絶縁層に設けられ、かつ、前記貫通孔の下方に位置する有底孔と、を含み、
前記基板の法線方向から見たとき、前記貫通孔は、前記有底孔の外縁よりも内側に位置しており、
前記有機絶縁層は、第1有機絶縁層と、前記第1有機絶縁層よりも上層に位置する第2有機絶縁層とを含み、
前記第1有機絶縁層および前記第2有機絶縁層のそれぞれは、前記各2層孔構造部の前記有底孔に露出した部分を含む、アクティブマトリクス基板。 - 行方向および列方向にマトリクス状に配列された複数の画素領域を含む表示領域と、前記表示領域の周辺に位置する非表示領域とを有するアクティブマトリクス基板であって、
基板と、
前記基板に支持され、前記複数の画素領域のそれぞれに対応して設けられた画素TFTであって、活性層として酸化物半導体層を有する画素TFTと、
前記画素TFTの少なくとも前記酸化物半導体層の上方に配置された有機絶縁層と、
前記有機絶縁層上に、前記有機絶縁層の上面に接して配置された無機絶縁層と、を備え、
前記有機絶縁層および前記無機絶縁層には、複数の2層孔構造部が設けられており、
各2層孔構造部は、
前記無機絶縁層に設けられた貫通孔と、
前記有機絶縁層に設けられ、かつ、前記貫通孔の下方に位置する有底孔と、を含み、
前記基板の法線方向から見たとき、前記貫通孔は、前記有底孔の外縁よりも内側に位置しており、
前記有機絶縁層は、第1有機絶縁層と、第2有機絶縁層とを含み、前記第2有機絶縁層は、前記第1有機絶縁層よりも上層に位置し、かつ、前記第1有機絶縁層に直接接する部分を含み、
前記第1有機絶縁層および前記第2有機絶縁層のうちのいずれか一方のみが、前記各2層孔構造部の前記有底孔に露出した部分を含む、アクティブマトリクス基板。 - 前記有底孔の内表面は、前記無機絶縁層と直接接していない、請求項1から7のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板。
- 前記複数の2層孔構造部は、前記表示領域に配置された複数の第1の2層孔構造部を含む、請求項1から8のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板。
- 前記アクティブマトリクス基板は、それぞれが、前記複数の画素領域のそれぞれに配置され、かつ、対応する1つの画素TFTに電気的に接続された複数の画素電極をさらに備え、
前記各第1の2層孔構造部は、前記表示領域において、前記複数の画素電極に重ならない位置に配置されている、請求項9に記載のアクティブマトリクス基板。 - 前記複数の第1の2層孔構造部は、3以上の画素領域に対して1つの第1の2層孔構造部が対応するように、前記表示領域に配置されている、請求項9または10に記載のアクティブマトリクス基板。
- 前記アクティブマトリクス基板は、前記画素TFTの前記基板側に配置された複数の遮光層をさらに備え、
前記基板の法線方向から見たとき、前記各第1の2層孔構造部は、前記複数の遮光層のいずれかに重なっている、請求項9から11のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板。 - 前記複数の2層孔構造部は、前記非表示領域に配置された複数の第2の2層孔構造部を含む、請求項1から12のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板。
- 前記非表示領域は、前記基板に支持されたゲートドライバおよび/またはデマルチプレクサ回路をさらに備え、前記複数の第2の2層孔構造部は、前記基板の法線方向から見たとき、前記ゲートドライバおよび/または前記デマルチプレクサ回路と前記表示領域との間に位置している、請求項13に記載のアクティブマトリクス基板。
- 前記アクティブマトリクス基板は、それぞれが、前記複数の画素領域のそれぞれに配置された複数の画素電極をさらに備え、
前記画素TFTは、透明導電材料から形成された接続電極によって、対応する1つの画素電極に電気的に接続されている、請求項1から14のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板。 - 前記有底孔の深さは、前記有機絶縁層の厚さの1/4以上3/4以下である、請求項1から15のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板。
- 前記酸化物半導体層は、In-Ga-Zn-O系半導体を含む、請求項1から16のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板。
- 前記In-Ga-Zn-O系半導体は結晶質部分を含む請求項17に記載のアクティブマトリクス基板。
- 請求項1から18のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板と、
前記アクティブマトリクス基板に対向するように設けられた対向基板と、
前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板との間に設けられた液晶層と、
を備えた液晶表示装置。 - 前記液晶表示装置は、前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板との間に位置する複数の柱状スペーサをさらに備え、
前記アクティブマトリクス基板は、前記画素TFTよりも前記基板側に、前記複数の柱状スペーサに対応付けて配置された複数の遮光層をさらに備え、
前記基板の法線方向から見たとき、各遮光層は、前記複数の2層孔構造部の1つおよび前記複数の柱状スペーサの1つに重なるように配置されている、請求項19に記載の液晶表示装置。 - 行方向および列方向にマトリクス状に配列された複数の画素領域を含む表示領域と、前記表示領域の周辺に位置する非表示領域とを有するアクティブマトリクス基板であって、
基板と、
前記基板に支持され、前記複数の画素領域のそれぞれに対応して設けられた画素TFTであって、活性層として酸化物半導体層を有する画素TFTと、
前記画素TFTの少なくとも前記酸化物半導体層の上方に配置された有機絶縁層と、
前記有機絶縁層上に、前記有機絶縁層の上面に接して配置された無機絶縁層と、を備え、
前記有機絶縁層および前記無機絶縁層には、複数の2層孔構造部が設けられており、
各2層孔構造部は、
前記無機絶縁層に設けられた貫通孔と、
前記有機絶縁層に設けられ、かつ、前記貫通孔の下方に位置する有底孔と、を含み、
前記基板の法線方向から見たとき、前記貫通孔は、前記有底孔の外縁よりも内側に位置している、アクティブマトリクス基板の製造方法であって、
前記有機絶縁層上に前記無機絶縁層を形成する工程(A)と、
同じエッチングマスクを用いて、前記無機絶縁層および前記有機絶縁層のエッチングを行う工程(B)とを包含し、
前記工程(B)の前記エッチングは、前記無機絶縁層に前記貫通孔を形成するとともに、前記有機絶縁層のうち、前記貫通孔で露出された部分と、前記基板の法線方向から見たときに前記貫通孔よりも外側に位置する部分とを除去することにより、前記有機絶縁層に前記有底孔を形成するような条件で行われ、
前記工程(B)の後に、前記無機絶縁層上および前記各2層孔構造部上に透明導電膜を形成する工程であって、前記無機絶縁層の上面と前記有底孔との段差を利用して、前記透明導電膜のうち前記無機絶縁層の前記上面に位置する部分と、前記有底孔の内部に位置する部分とを互いに離隔させる工程をさらに包含する、アクティブマトリクス基板の製造方法。 - 行方向および列方向にマトリクス状に配列された複数の画素領域を含む表示領域と、前記表示領域の周辺に位置する非表示領域とを有するアクティブマトリクス基板であって、
基板と、
前記基板に支持され、前記複数の画素領域のそれぞれに対応して設けられた画素TFTであって、活性層として酸化物半導体層を有する画素TFTと、
前記画素TFTの少なくとも前記酸化物半導体層の上方に配置された有機絶縁層と、
前記有機絶縁層上に、前記有機絶縁層の上面に接して配置された無機絶縁層と、を備え、
前記有機絶縁層および前記無機絶縁層には、複数の2層孔構造部が設けられており、
各2層孔構造部は、
前記無機絶縁層に設けられた貫通孔と、
前記有機絶縁層に設けられ、かつ、前記貫通孔の下方に位置する有底孔と、を含み、
前記基板の法線方向から見たとき、前記貫通孔は、前記有底孔の外縁よりも内側に位置している、アクティブマトリクス基板の製造方法であって、
前記有機絶縁層および前記無機絶縁層および透明導電膜をこの順で形成する工程(a)と、
前記透明導電膜のパターニングを行い、前記各2層孔構造部となる領域に開口部を形成する工程(b)と、
前記開口部が形成された前記透明導電膜をマスクとして、前記無機絶縁層および前記有機絶縁層のエッチングを行う工程(c)と、を包含し、
前記工程(c)の前記エッチングは、前記無機絶縁層に前記貫通孔を形成するとともに、前記有機絶縁層のうち、前記貫通孔で露出された部分と、前記基板の法線方向から見たときに前記貫通孔よりも外側に位置する部分とを除去することにより、前記有機絶縁層に前記有底孔を形成するような条件で行われる、アクティブマトリクス基板の製造方法。
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