JP2008046655A5 - - Google Patents

Claims (6)

1. Ａ） 第一基板、第二基板と、
   Ｂ） 上記第一基板と第二基板間に挟まれた液晶層と、
   Ｃ） 上記第一基板上に設けられ、複数のゲートアドレス線及びドレインアドレス線を接続させた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のアレイと、
   Ｄ） 上記第一基板上に設けられかつ実質的に透明なピクセル電極のアレイであって、該ピクセル電極のアレイ中の複数の該ピクセル電極がゲートアドレス線及びドレインアドレス線の少なくとも1つと重なるピクセル電極のアレイと、
   Ｅ） 前記各ピクセル電極を有する各ピクセルに対応する補助記憶コンデンサと、
   Ｆ） 上記ＴＦＴのソース電極と重複する領域および隣接する領域において、上記ゲートアドレス線及びドレインアドレス線の少なくとも１つと上記ピクセル電極との間の上記第一基板上に設けたフォトイメージ形成型絶縁層であって、
   前記フォトイメージ型絶縁層はフォトイメージ形成により前記絶縁層内に同時に形成されたコンタクトバイアスの第一グループと第二グループとを有し、上記ピクセル電極は上記絶縁層に形成された上記第一グループのコンタクトバイアスを介して対応のＴＦＴソース電極と電気的に接続し、
   前記ピクセル電極の各々は前記コンタクトバイアスの前記第二グループの１つのバイアスを介して対応の補助記憶コンデンサの電極と電気的に接続したものから構成し、
   前記第一基板の周辺のリード部分は、前記フォトイメージ形成型絶縁層が除去されることを特徴とする液晶ディスプレイ。
2. 上記絶縁層の厚さは、上記重複領域で約１．５μｍから２．５μｍであることを特徴とする、請求項１に記載の液晶ディスプレイ。
3. 上記液晶ディスプレイは少なくとも約６５％のピクセル口径比と約４０から５００μｍのピクセル間隔を有することを特徴とする、請求項２に記載の液晶ディスプレイ。
4. 上記絶縁層はベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）を含み、約２．７以下の誘電率εを有することを特徴とする、請求項１に記載の液晶ディスプレイ。
5. 上記ＢＣＢ層は非フォトイメージ形成型であることを特徴とする、上記請求項４に記載の液晶ディスプレイ。
6. 正反射率を減少させ、周囲光のＴＦＴチャネルへの入射を防ぐために、第二基板上に設けられた少なくとも１つのブラックマトリックスをさらに備えたことを特徴とする、請求項１ないし５のいずれかに記載の液晶ディスプレイ。