JP3696055B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置の製造方法に関し、より詳細には、デュアルダマシン構造配線を備える半導体装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、半導体装置の微細化に伴って配線も微細化しており、その結果、配線抵抗や配線間容量が増大し、RCで表わされる配線遅延がLSIの動作速度に対して無視できなくなってきている。また、配線の微細化とともに配線の電流密度も増加し、エレクトロマイグレーションによる配線の信頼性低下及び配線容量増大による消費電力の増大も深刻な問題である。
【0003】
そこで、配線材料としてアルミニウムより低抵抗でエレクトロマイグレーション耐性が高い銅が用いられるようになってきている。
しかし、銅は従来のドライエッチング技術による加工が難しいため、CMP技術を用いたダマシン法が採用され、特に最近では、配線溝及び接続孔への埋め込みを同時に形成するデュアルダマシン(dual damascene)法が開発されている。
以下に、一般的なデュアルダマシン法を説明する。
【0004】
まず、図2(a)に示したように、トランジスタ(図示せず)が形成された半導体基板21上に、BPSG(ボロン・リン・ケイ酸ガラス)による層間絶縁膜22を形成し、この層間絶縁膜22に接続孔を形成する。得られた層間絶縁膜22上にタングステン膜を形成し、CMP法を用いてタングステン膜の表面を研磨することにより、接続孔内にタングステンプラグ23を埋め込む。
【0005】
次いで、図2(b)に示したように、エッチングストップ膜24を堆積し、その上に誘電率3.0の非フッ素化有機ポリマー膜25を形成する。この非フッ素化有機ポリマー膜25にダマシン配線構造用の溝を形成した後、ダマシン配線溝内に銅を埋め込むことで、一層目銅配線26を形成する。
続いて、図2(c)に示したように、プラズマCVD法により銅拡散防止膜27を形成し、その上に非フッ素化有機ポリマー膜28、銅拡散防止膜29、非フッ素化有機ポリマー膜30及びエッチングストップ膜31を形成する。その後、所定形状のレジストマスク32を用いて、ドライエッチングにより一層目銅配線26と二層目配線間とを接続するための接続孔33を開口する。
【0006】
さらに、図2(d)に示したように、所定形状のレジストマスク34を用いて、接続孔33を含むようにドライエッチングにより配線溝35を形成し、図2(e)に示したように、接続孔33及び配線溝35内に銅を埋め込んで、銅デュアルダマシン配線36を形成する。
【0007】
このようなデュアルダマシン法では、層間絶縁膜に形成する溝深さが直接配線抵抗値に反映されることから、配線溝を層間絶縁膜に形成するドライエッチングにおいて溝深さを制御するために、エッチングストップ膜が必要となる。また、銅は、低温熱処理でも容易に層間絶縁膜中に拡散することから、配線形成後に層間絶縁膜中に銅が拡散しないように、銅拡散防止膜も必要となる。
一般に、エッチングストップ絶縁膜としては、二酸化ケイ素(SiO2)膜やフッ素添加二酸化ケイ素(FSG)膜等の絶縁膜に対して、ドライエッチングでの選択性が得られやすいことから、SiN膜が用いられている。また、SiN膜は、銅の拡散を防止する機能をも備えているため、銅拡散防止膜としても使用されている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記の方法で一般に使用されているSiN膜は、誘電率が7以上と高いため、多層配線構造における層間絶縁膜として低誘電材料による膜(例えば、誘電率が3.0以下の膜)と組み合わせて用いても、配線層間容量及び同一層配線間容量を有効に低減することが困難である。
一方、配線層間容量を低減するために、デュアルダマシン構造配線の形成時にエッチングストップ膜として使用しているSiN膜を用いないことも可能であるが、この場合には、配線溝深さの制御が困難となり、また、接続孔の形状がドライエッチングの面内均一性に依存して、ばらつくことがあり、デュアルダマシン配線構造の抵抗値が不安定になるという別の問題が生じる。
【0009】
また、窒化ホウ素(BN)膜をエッチングストップ膜として使用することが、例えば、特開平7−283312号公報に記載されているが、通常のBN膜の成膜方法、例えば、プラズマCVD法により、B2H6及びN2をソースとして用いて、350℃の温度で、300Wのプラズマ雰囲気中で成膜する方法では、誘電率が比較的高い4程度しか得られていないため、依然として配線層間容量及び同一層配線間容量の十分な低減には至っていない。
しかも、上記のようなBN膜の成膜方法では、9nm/分以下の成膜速度しか得られず、製造工程の長時間化、ひいては製造コストの増加を招くという問題がある。
【0010】
本発明は上記課題に鑑みなされたものであり、低誘電率の層間絶縁膜を形成することによって配線層間容量及び同一層配線間容量の低減を図り、簡便な方法により高速動作を実現することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、配線形成工程において、誘電率が3以下の窒化ホウ素膜からなる層間絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法が提供される。
【0012】
【発明の実施の形態】
本発明の半導体装置の製造方法において、層間絶縁膜は、通常、半導体基板上に形成される。ここで、半導体基板としては、通常、半導体装置に使用されるものであれば特に限定されるものではなく、例えば、シリコン、ゲルマニウム等の元素半導体、GaAs、InGaAs、ZnSe等の化合物半導体が挙げられる。なかでもシリコン基板が好ましい。この半導体基板上には、素子分離領域、さらにトランジスタ、キャパシタ、抵抗等の素子、層間絶縁膜、これらによる回路、半導体装置等の1以上が、シングル又はマルチレイヤー構造で形成されていてもよいが、なかでも、半導体基板上に、トランジスタ、キャパシタ、抵抗等の素子、これらによる回路、半導体装置等の1以上が単層で形成された半導体基板が好ましい。
【0013】
本発明における配線形成工程とは、一般に、第n層目配線の上に層間絶縁膜を形成し、コンタクトホール又はスルーホール等及び/又は配線溝等を形成し、これらホール及び/又は溝を導電材料で埋め込み、第(n+1)層目配線を形成する一連の工程を意味する。
ここで、第n層目配線とは、例えば、不純物拡散層が形成された基板、基板上に形成された上記素子又は回路等の電極、2層目又は2層目より上に形成される配線等が挙げられる。不純物拡散層が形成された基板とは、P型又はN型の不純物が比較的高濃度で拡散された上記基板が挙げられる。また、電極及び配線等の材料、膜厚等は、通常、電極や配線等として用いられるものであれば、特に限定されるものではなく、導電性材料、具体的には、アモルファス、単結晶又は多結晶のN型又はP型の元素半導体(例えば、シリコン、ゲルマニウム等)又は化合物半導体(例えば、GaAs、InP、ZnSe、CsS等);金、白金、銀、銅、アルミニウム等の金属又は合金;チタン、タンタル、タングステン等の高融点金属;高融点金属とのシリサイド、ポリサイド等の単層膜又は積層膜が挙げられる。
【0014】
層間絶縁膜は、配線間の電気的な分離が確保されるものであればよく、誘電率が4未満のBN膜を含む膜で形成する限り、誘電率が4未満のBN膜の単層で形成してもよく、他の絶縁膜、例えば、SiO2膜、FSG膜、水素シルセスキオキサン樹脂膜、炭素を含有した低誘電率膜(例えば、CVD−SiOC膜等)等との積層膜として形成してもよい。なかでも、他の絶縁膜は、BN膜と同程度又はそれ以下の誘電率を有しているものが好ましい。また、BN膜の誘電率は、4未満、さらに約3.5以下、約3.0以下、約2.0以下がより好ましい。誘電率が4未満のBN膜の膜厚は、配線層の材料、得られた半導体装置の特性、印加電圧等により適宜調整することができる。単層の場合には、例えば、5〜30nm程度が挙げられる。積層膜の場合には、他の絶縁膜とともに絶縁性が確保できる程度の膜厚であればよいが、さらに、後述するように、配線材料として銅を用いたデュアルダマシン構造多層配線形成工程等における銅等の金属の拡散防止膜及び/又は溝配線形成用ドライエッチングストップ膜として機能しうる膜厚であることが好ましい。具体的には、他の絶縁膜の膜厚が300〜500nm程度の場合には、BN膜は、5〜20nm程度が挙げられる。なお、金属の拡散防止膜及び/又は溝配線形成用ドライエッチングストップ膜として用いる場合には、BN膜を、層間絶縁膜の最下層に配置させることが好ましい。
誘電率が4未満のBN膜は、化学気相成長法、例えば、常圧CVD法、減圧CVD法、熱(高、常、低)CVD法、プラズマCVD法、光CVD法、ECRプラズマCVD法等の種々の方法により形成することができる。なかでも、プラズマCVD法、低温熱CVD法が好ましい。
【0015】
具体的には、プラズマCVD法においては、B2H6とNH3とを原料として用いることが好ましく、これらのガスのほかにキャリアガスとして、例えば、ヘリウム、ネオン、アルゴン等の不活性ガスを用いてもよい。B2H6とNH3とは、例えば、1:10〜50程度、さらに1:40程度、1:30程度、1:20程度の体積比で用いることが好ましい。プラズマCVD法を行う際の条件は、所望の誘電率を得ることができ、成膜が順調に進行し(例えば、成膜速度が10nm/分程度以上、好ましくは15nm/分程度以上等)、下層の配線材料の溶融化による原子移動を発生させず、下層の配線又は基板等にダメージを発生させない条件を選択することが必要である。具体的には、装置内の圧力は、0.5〜3torr程度、雰囲気温度450℃程度以下、好ましくは250〜350℃程度、パワー40〜200W程度等の条件が挙げられる。
【0016】
また、低温熱CVD法においては、TEAB(triethylamine bane complex)とNH3とを原料として用いることが好ましく、これらのガスのほかにキャリアガスを用いてもよい。TEABとNH3とは、例えば、1:10〜50程度、さらに1:40程度、1:30程度、1:20程度の体積比で用いることが好ましい。低温熱CVD法を行う際の条件は、上記と同様に、所望の誘電率を得ることができ、成膜が順調に進行し、下層の配線材料の溶融化による原子移動を発生させず、下層の配線又は基板等にダメージを発生させない条件を選択することが必要である。具体的には、装置内の圧力は、1〜3torr程度、雰囲気温度450℃程度以下、好ましくは350〜400℃程度、パワー40〜200W程度等の条件が挙げられる。
【0017】
コンタクトホール又はスルーホール等及び/又は配線溝等は、公知の方法、例えば、フォトリソグラフィ及びエッチング工程により形成することができる。なお、エッチングは、層間絶縁膜の材料又は膜厚等に応じて、ふっ酸、熱リン酸、硝酸、硫酸等の酸又はアルカリ溶液を用いたウェットエッチング法;スパッタリング等の物理的エッチング及びRIE法等の化学的エッチング等のドライエッチング法等種々の方法により行うことができる。また、エッチングは、上記BN膜をエッチングストップ膜として用いる場合には、その上に形成されている絶縁膜とBN膜との選択比が大きくなる条件を選択することが好ましい。
【0018】
ホール又は溝の埋め込みは、例えば、層間絶縁膜上全面に、例えば、PVD法、スパッタリング法等の物理的又はCVD法等の化学的方法により、導電材料による膜を形成し、ホール及び溝の外の不要な導電材料を除去することにより行うことができる。導電材料としては、上記配線材料の中から適宜選択して使用することができる。なかでも、銅又はその合金が好ましい。膜厚は、特に限定されるものではないが、例えば、ホール及び溝の合計深さ以上の膜厚であることが好ましい。なお、導電材料を形成する前に、ホール及び/又は溝の表面に窒化チタン、タングステン窒化シリコン、ニオブ、タンタル等の金属又は合金の単層膜又は積層膜を形成してもよい。不要な導電材料を除去は、物理的又は化学的エッチング法により行うことができ、例えば、スパッタリング、CVD法、CMP法等の種々の方法により行うことができる。なかでもCMP法が好ましい。
【0019】
なお、本発明においては、配線工程は1回のみ行うものであってもよいし、複数回行うものであってもよいし、複数回行う内の少なくとも1回が上記配線工程を行うものであればよい。
【0020】
以下に、本発明の半導体装置の製造方法について図面に基づいて説明する。
図1(a)に示したように、トランジスタ等の素子(図示せず)が作りこまれたシリコン基板1の表面に、常圧CVD法によるBPSG膜からなる層間絶縁膜2を形成する。この層間絶縁膜2の所定の領域に、フォトリソグラフィ及びドライエッチング技術を用いて、シリコン基板1との接続孔を形成する。この接続孔を含む層間絶縁膜2上全面にスパッタ法及び化学気相成長法によりタングステン膜を埋め込んで、不要部分をCMP法によって除去することにより接続孔にコンタクトプラグ3を埋め込む。
【0021】
次に、図1(b)に示したように、溝エッチングストップ膜4として、プラズマCVD法により、B2H6及びNH3の50:1の混合ガスをソースとして用いて、450℃以下の温度、600W以下のプラズマ雰囲気で、膜厚50nmの窒化ホウ素(BN)膜を形成する。その上に、膜厚500nmの誘電率3の非フッ素化有機ポリマー膜5を、2000rpmの回転数でスピン塗布し、200℃の窒素雰囲気中で熱処理することにより形成する。この非フッ素化有機ポリマー膜5の所定の領域に、フォトリソグラフィ及びドライエッチング技術を用いて、配線溝を形成し、この配線溝を含む非フッ素化有機ポリマー膜5上全面にスパッタ法及びEP法を用いて、銅膜を埋め込んで、CMP法によって不要部分を除去することにより、一層目銅配線6を形成する。
【0022】
続いて、図1(c)に示したように、一層目銅配線6を含む非フッ素化有機ポリマー膜5上全面に、銅拡散防止膜として膜厚50nmのBN膜7を形成し、その上に、膜厚500nmの非フッ素化有機ポリマー膜8をスピン塗布し、熱処理方法で形成し、その上に、膜厚50nmのBN膜9、膜厚450nmの非フッ素化有機ポリマー膜10、膜厚50nmのBN膜11を順次形成する。さらにその上に、フォトリソグラフィ及びドライエッチング技術を用いて、所定形状のレジストマスク12を形成し、このレジストマスク12を用いて、一層目銅配線6との接続孔14を形成する。
【0023】
さらに、図1(d)に示したように、フォトリソグラフィ及びドライエッチング技術によって、所定形状のレジストマスク13を形成し、このレジストマスク13を用いて、ダマシン配線用の溝15を形成する。
その後、図1(e)に示したように、スパッタリング法及びEP法を用いて、接続孔14及びダマシン配線用の溝15を含むBN膜11上に銅膜を形成し、CMP法により不要部分を除去することで、2層目銅配線16を形成し、銅デュアルダマシン積層配線を形成する。
【0024】
上記と同様の製造工程により、層間絶縁膜として、誘電率3の非フッ素化有機ポリマー膜を用い、ダマシン溝加工エッチングストップ膜及び銅拡散防止膜として誘電率3のBN膜又は誘電率8のSiN膜を用いた場合の銅デュアルダマシン積層配線の同一層内配線間容量値及び配線間容量値を測定した。
その結果、ダマシン配線間を0.21μm、配線深さを0.45μmとし、BN膜を用いた場合には、SiN膜を用いた場合と比較して、同一層内配線間容量値の10%低下を実現することができた。
また、デュアルダマシンホール深さを0.5μmとし、BN膜を用いた場合には、SiN膜を用いた場合と比較して、配線間容量値の10%低下を実現することができた。
【0025】
さらに、層間絶縁膜として、誘電率2.7の非フッ素化有機ポリマー膜を用い、ダマシン溝加工エッチングストップ膜及び銅拡散防止膜として誘電率8のSiN膜、従来技術における誘電率4のBN膜及び上記と同様に形成した誘電率3及び2のBN膜をそれぞれ用いた場合の銅デュアルダマシン積層配線の同一層内配線間容量値及び配線間容量値を測定した。
その結果、誘電率8のSiN膜を100%とした場合、誘電率4のBN膜では、同一層内配線間容量値及び配線間容量値がそれぞれ92%及び95%、誘電率3のBN膜ではそれぞれ88%及び91%、誘電率2のBN膜ではそれぞれ85%及び87%であった。
すなわち、従来の誘電率4のBN膜を用いるよりも、誘電率3及び2のBN膜を用いることにより、約10%の動作速度の向上を図ることができることがわかった。また、誘電率が低いほど、容量値に対する層間絶縁膜の膜厚ばらつきの影響が小さいことがわかった。
【0026】
【発明の効果】
本発明によれば、配線形成工程において、誘電率が4未満の窒化ホウ素膜からなる層間絶縁膜を形成するため、配線遅延を引き起こす同一層配線間容量及び配線層間容量の増加を抑制するデバイスを形成することが可能となり、高速化を実現したデバイスを簡便な方法により製造することができる。
【0027】
特に、本発明における層間絶縁膜は、配線材料として銅を用いたデュアルダマシン構造多層配線形成工程において、銅拡散防止又は溝配線形成用ドライエッチングストップ機能を発揮するため、これらの性能を確保しながら、さらに、低誘電率の特性を有効に活用することが可能となる。よって、同一層配線間容量及び配線層間容量の低減を図ることができ、ひいてはデバイスの高速化を実現することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の半導体装置の製造方法の実施の形態を説明するための要部の概略断面工程図である。
【図2】従来の半導体装置の製造方法を説明するための要部の概略断面工程図である。
【符号の説明】
1 シリコン基板
2 層間絶縁膜
3 コンタクトプラグ
4 溝エッチングストップ膜
5、8、10 非フッ素化有機ポリマー膜
6 一層目銅配線
7、9、11 BN膜(層間絶縁膜)
12、13 レジストマスク
14 接続孔
15 ダマシン配線用の溝
16 2層目銅配線
Claims (4)
- 配線形成工程において、誘電率が3以下の窒化ホウ素膜からなる層間絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 窒化ホウ素膜を、配線材料として銅を用いたデュアルダマシン構造多層配線形成工程における銅拡散防止膜及び/又は溝配線形成用ドライエッチングストップ膜として使用する請求項1に記載の方法。
- 窒化ホウ素膜を、B2H6とNH3とを原料として用いたプラズマCVD法により形成する請求項1又は2に記載の方法。
- 窒化ホウ素膜を、TEABとNH3とを原料として用いた熱CVD法により形成する請求項1又は2に記載の方法。
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KR100731075B1 (ko) * | 2005-12-29 | 2007-06-22 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자 및 그 제조방법 |
KR100712398B1 (ko) * | 2006-02-28 | 2007-05-02 | 고창석 | 폐비닐 절단장치 |
US20070238309A1 (en) * | 2006-03-31 | 2007-10-11 | Jun He | Method of reducing interconnect line to line capacitance by using a low k spacer |
US7521358B2 (en) * | 2006-12-26 | 2009-04-21 | Lam Research Corporation | Process integration scheme to lower overall dielectric constant in BEoL interconnect structures |
DE102007004860B4 (de) * | 2007-01-31 | 2008-11-06 | Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale | Verfahren zur Herstellung einer Kupfer-basierten Metallisierungsschicht mit einer leitenden Deckschicht durch ein verbessertes Integrationsschema |
US20130193445A1 (en) * | 2012-01-26 | 2013-08-01 | International Business Machines Corporation | Soi structures including a buried boron nitride dielectric |
US9048292B2 (en) * | 2012-10-25 | 2015-06-02 | Micron Technology, Inc. | Patterning methods and methods of forming electrically conductive lines |
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Family Cites Families (7)
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US5739579A (en) * | 1992-06-29 | 1998-04-14 | Intel Corporation | Method for forming interconnections for semiconductor fabrication and semiconductor device having such interconnections |
US5272117A (en) * | 1992-12-07 | 1993-12-21 | Motorola, Inc. | Method for planarizing a layer of material |
JP3695771B2 (ja) | 1994-04-12 | 2005-09-14 | シャープ株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
US6372534B1 (en) | 1995-06-06 | 2002-04-16 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd | Method of making a TFT array with photo-imageable insulating layer over address lines |
US6069069A (en) * | 1996-12-16 | 2000-05-30 | Chartered Semiconductor Manufacturing, Ltd. | Method for planarizing a low dielectric constant spin-on polymer using nitride etch stop |
US6194321B1 (en) * | 1998-08-19 | 2001-02-27 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor processing methods utilizing boron and nitrogen, and semiconductor wafers comprising boron and nitrogen |
US6165891A (en) * | 1999-11-22 | 2000-12-26 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Damascene structure with reduced capacitance using a carbon nitride, boron nitride, or boron carbon nitride passivation layer, etch stop layer, and/or cap layer |
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