JPH05326636A - 実装用基板 - Google Patents
実装用基板Info
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- JPH05326636A JPH05326636A JP13074492A JP13074492A JPH05326636A JP H05326636 A JPH05326636 A JP H05326636A JP 13074492 A JP13074492 A JP 13074492A JP 13074492 A JP13074492 A JP 13074492A JP H05326636 A JPH05326636 A JP H05326636A
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- semiconductor chip
- mounting
- mounting substrate
- parallelism
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、半導体チップを実装する際の歩留
まりが高い実装用基板を提供することを目的とする。 【構成】 実装領域（１１）に形成された光反射用の平
坦領域（１２）に照射された光は、正しい角度で反射す
る。この反射光の反射角度から、半導体チップ（２０）
に対する実装用基板（１０）の相対的な傾きが測定でき
る。
まりが高い実装用基板を提供することを目的とする。 【構成】 実装領域（１１）に形成された光反射用の平
坦領域（１２）に照射された光は、正しい角度で反射す
る。この反射光の反射角度から、半導体チップ（２０）
に対する実装用基板（１０）の相対的な傾きが測定でき
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｓｉ−ＬＳＩ、ＧａＡ
ｓ−ＬＳＩ、および液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）等に用
いられる半導体チップが実装される実装用基板に関す
る。
ｓ−ＬＳＩ、および液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）等に用
いられる半導体チップが実装される実装用基板に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】フリップチップの実装方法は、半導体チ
ップに設けられた全てのバンプを実装用基板上のパッド
に接続して行う。このため、半導体チップと実装用基板
の平行度を保つ技術が極めて重要である。このように半
導体チップと実装用基板とを平行に保つための従来の技
術としては、例えば光学プローブ装置を用いる方法があ
る。この方法は、半導体チップおよび実装用基板にプロ
ーブ光を照射し、その反射光から半導体チップと実装用
基板との相対的な傾きを測定し、これらの測定値から両
者の平行度を調整するものである。
ップに設けられた全てのバンプを実装用基板上のパッド
に接続して行う。このため、半導体チップと実装用基板
の平行度を保つ技術が極めて重要である。このように半
導体チップと実装用基板とを平行に保つための従来の技
術としては、例えば光学プローブ装置を用いる方法があ
る。この方法は、半導体チップおよび実装用基板にプロ
ーブ光を照射し、その反射光から半導体チップと実装用
基板との相対的な傾きを測定し、これらの測定値から両
者の平行度を調整するものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ＧａＡｓ、
Ｓｉなどの鏡面仕上げウエハを基礎材料として用いる半
導体チップに比べて、Ａｌ2 Ｏ3 、ＡｌＮなどのセラミ
ック基板またはＣｕＷなどのポーラス状の金属などを基
礎材料とする実装用基板の表面には、微細な凹凸が数多
く存在する。このため、光学プローブ装置を用いて実装
用基板にプローブ光を照射しても、実装用基板表面の微
細な凹凸で光が錯乱するために、半導体チップに対する
実装用基板の相対的な傾きを測定することは困難であっ
た。
Ｓｉなどの鏡面仕上げウエハを基礎材料として用いる半
導体チップに比べて、Ａｌ2 Ｏ3 、ＡｌＮなどのセラミ
ック基板またはＣｕＷなどのポーラス状の金属などを基
礎材料とする実装用基板の表面には、微細な凹凸が数多
く存在する。このため、光学プローブ装置を用いて実装
用基板にプローブ光を照射しても、実装用基板表面の微
細な凹凸で光が錯乱するために、半導体チップに対する
実装用基板の相対的な傾きを測定することは困難であっ
た。
【０００４】本発明は、表面に微細な凹凸を有していて
も、照射されたプローブ光が錯乱することのない実装用
基板を提供することを目的とする。
も、照射されたプローブ光が錯乱することのない実装用
基板を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の実装用基板は、半導体チップを実装する実
装領域の中央に、あるいは実装面の重心に対して点対称
な位置に、または実装面の周縁に光反射用の平坦領域を
有する。
に、本発明の実装用基板は、半導体チップを実装する実
装領域の中央に、あるいは実装面の重心に対して点対称
な位置に、または実装面の周縁に光反射用の平坦領域を
有する。
【０００６】
【作用】本発明の実装用基板によれば、実装領域の中
央、あるいは実装面の重心に対して点対称な位置、また
は実装面の周縁に有する光反射用の平坦領域に照射され
た光は正確な角度で反射する。この反射光の反射角度か
ら、半導体チップに対する実装用基板の相対的な傾きが
測定できる。
央、あるいは実装面の重心に対して点対称な位置、また
は実装面の周縁に有する光反射用の平坦領域に照射され
た光は正確な角度で反射する。この反射光の反射角度か
ら、半導体チップに対する実装用基板の相対的な傾きが
測定できる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の一実施例について、添付図面
を参照しつつ説明する。図１は本実施例の実装用基板の
外観を示す斜視図である。実装用基板１０の上面部１０
ａには半導体チップ２０が実装される実装領域１１が備
えられ、実装領域１１内には複数のパッド１２が設けら
れている。これらのパッド１２に半導体チップ２０に設
けられたバンプ２１を接合して、半導体チップ２０を実
装する。実装用基板１０にはＡｌ2 Ｏ3 、ＡｌＮなどの
セラミック基板や、ＣｕＷなどのポーラス状の金属が用
いられる。
を参照しつつ説明する。図１は本実施例の実装用基板の
外観を示す斜視図である。実装用基板１０の上面部１０
ａには半導体チップ２０が実装される実装領域１１が備
えられ、実装領域１１内には複数のパッド１２が設けら
れている。これらのパッド１２に半導体チップ２０に設
けられたバンプ２１を接合して、半導体チップ２０を実
装する。実装用基板１０にはＡｌ2 Ｏ3 、ＡｌＮなどの
セラミック基板や、ＣｕＷなどのポーラス状の金属が用
いられる。
【０００８】実装用基板１０の上面部１０ａは、ＧａＡ
ｓやＳｉなどの鏡面仕上げウエハを基礎材料として用い
る半導体チップ２０の表面に比べて、凹凸が激しい。例
えばＡｌ2 Ｏ3 のセラミック基板では、表面を研磨しな
い場合はＲMAX ＝１０μｍ程度の凹凸がある。またＣｕ
Ｗを基礎材料とする基板では、表面を研磨してもＲMAX
＝５μｍ程度の凹凸がある。このような実装用基板１０
に半導体チップを実装する場合、お互いの平行度を調整
する技術が重要となる。本実施例の実装用基板１０は、
平行度の調整が正確に行えるよう工夫されている。具体
的には、実装用基板１０と半導体チップ２０との平行度
の測定は光学プローブ３０を用いて行うが、光学プロー
ブ３０からのプローブ光を反射する反射面として、実装
領域１１の中央に１０〜２００μｍ2 の面積の平坦領域
１３が設けられているのである。
ｓやＳｉなどの鏡面仕上げウエハを基礎材料として用い
る半導体チップ２０の表面に比べて、凹凸が激しい。例
えばＡｌ2 Ｏ3 のセラミック基板では、表面を研磨しな
い場合はＲMAX ＝１０μｍ程度の凹凸がある。またＣｕ
Ｗを基礎材料とする基板では、表面を研磨してもＲMAX
＝５μｍ程度の凹凸がある。このような実装用基板１０
に半導体チップを実装する場合、お互いの平行度を調整
する技術が重要となる。本実施例の実装用基板１０は、
平行度の調整が正確に行えるよう工夫されている。具体
的には、実装用基板１０と半導体チップ２０との平行度
の測定は光学プローブ３０を用いて行うが、光学プロー
ブ３０からのプローブ光を反射する反射面として、実装
領域１１の中央に１０〜２００μｍ2 の面積の平坦領域
１３が設けられているのである。
【０００９】平坦領域１３は基板表面そのままでもよい
が、図２に示すように、実装用基板１０上に絶縁膜１３
１と金属膜１３２と絶縁膜１３３とを順次積層させて加
工してもよい。絶縁膜１３１は、５μｍ以上の膜厚を持
ち、ＰＩ（ポリイミド）、ＢＣＢ（benzocyclobuten
e）、あるいはＳＯＧ（Spin on Glass ）のいずれかの
材料を用いた単層構造であってもよく、これらの材料を
組み合わせた多層構造であってもよい。金属膜１３２
は、Ａｕ、Ｃｕ、あるいはＡｌなどが用いられる。絶縁
膜１３３は、ＳｉＮ（ｎ＝１．９程度（ｎ：屈折
率））、ＳｉＯＮ（ｎ＝１．８５程度）または、ＳｉＯ
2 （ｎ＝１．４程度）などが用いられる。この絶縁膜１
３３は、プローブ光の波長をλとすると、λ／２×ｍ＝
ｎ×ｄ（ｍ：整数、ｄ：膜厚）の関係を満たす膜厚で堆
積させるとよい。この関係を満たす膜厚であれば、平坦
領域１３の金属層で反射するプローブ光の反射率は極大
となり、絶縁膜でのプローブ光の光量減少を防止できる
からである。
が、図２に示すように、実装用基板１０上に絶縁膜１３
１と金属膜１３２と絶縁膜１３３とを順次積層させて加
工してもよい。絶縁膜１３１は、５μｍ以上の膜厚を持
ち、ＰＩ（ポリイミド）、ＢＣＢ（benzocyclobuten
e）、あるいはＳＯＧ（Spin on Glass ）のいずれかの
材料を用いた単層構造であってもよく、これらの材料を
組み合わせた多層構造であってもよい。金属膜１３２
は、Ａｕ、Ｃｕ、あるいはＡｌなどが用いられる。絶縁
膜１３３は、ＳｉＮ（ｎ＝１．９程度（ｎ：屈折
率））、ＳｉＯＮ（ｎ＝１．８５程度）または、ＳｉＯ
2 （ｎ＝１．４程度）などが用いられる。この絶縁膜１
３３は、プローブ光の波長をλとすると、λ／２×ｍ＝
ｎ×ｄ（ｍ：整数、ｄ：膜厚）の関係を満たす膜厚で堆
積させるとよい。この関係を満たす膜厚であれば、平坦
領域１３の金属層で反射するプローブ光の反射率は極大
となり、絶縁膜でのプローブ光の光量減少を防止できる
からである。
【００１０】本実施例の応用例を図３、図４に示す。図
３（ａ）は、実装用基板１０の実装領域１１の重心１１
ａに点対称な１対の平坦領域４１、４２を設けた例であ
る。平坦領域４１、４２を用いて２か所で実装用基板１
０と半導体チップ２０との平行度を測定すれば、上面部
１０ａ全体に歪みや反りがあっても、正確に平行度を調
整することができる。図３（ｂ）は、実装用基板１０の
実装領域１１の重心１０ａに点対称な２対の平坦領域４
３、４４および平坦領域４５、４６を設けた例である。
この応用例は、４か所の平坦領域４３〜４６で実装用基
板１０と半導体チップ２０との平行度を測定するので、
上述した例に比べて、いっそう正確に平行度を調整する
ことができる。さらにこの例では、対となる平坦領域を
結ぶ直線がほぼ直交するように、平坦領域４３〜４６が
それぞれ配置されているので、上面部１０ａ全体に歪み
や反りがあっても正確に平行度を調整することができ
る。
３（ａ）は、実装用基板１０の実装領域１１の重心１１
ａに点対称な１対の平坦領域４１、４２を設けた例であ
る。平坦領域４１、４２を用いて２か所で実装用基板１
０と半導体チップ２０との平行度を測定すれば、上面部
１０ａ全体に歪みや反りがあっても、正確に平行度を調
整することができる。図３（ｂ）は、実装用基板１０の
実装領域１１の重心１０ａに点対称な２対の平坦領域４
３、４４および平坦領域４５、４６を設けた例である。
この応用例は、４か所の平坦領域４３〜４６で実装用基
板１０と半導体チップ２０との平行度を測定するので、
上述した例に比べて、いっそう正確に平行度を調整する
ことができる。さらにこの例では、対となる平坦領域を
結ぶ直線がほぼ直交するように、平坦領域４３〜４６が
それぞれ配置されているので、上面部１０ａ全体に歪み
や反りがあっても正確に平行度を調整することができ
る。
【００１１】図４（ａ）は、実装用基板１０の実装領域
１１の中央に十字型の平坦領域５１を設けた例である。
平坦領域５１の先端部５１ａ〜５１ｄの中から複数の測
定点を選択して、実装用基板１０と半導体チップ２０と
の平行度を測定することによって、上面部１０ａ全体に
歪みや反りがあっても正確に平行度を調整することがで
きる。図４（ｂ）は、実装用基板１０の実装領域１１の
周縁部に帯状の平坦領域５２を設けた例である。平坦領
域５２上の複数の測定点を選択して、実装用基板１０と
半導体チップ２０との平行度測定することによって、正
確に平行度を調整することができる。図４（ｃ）の例
は、図４（ｂ）の例の変形であり、実装用基板１０の実
装領域１１の周縁部に複数の平坦領域５３〜５６を設け
た例である。これらの平坦領域５３〜５６を用いても、
図４（ｂ）の例と同様、正確に平行度を調整することが
できる。
１１の中央に十字型の平坦領域５１を設けた例である。
平坦領域５１の先端部５１ａ〜５１ｄの中から複数の測
定点を選択して、実装用基板１０と半導体チップ２０と
の平行度を測定することによって、上面部１０ａ全体に
歪みや反りがあっても正確に平行度を調整することがで
きる。図４（ｂ）は、実装用基板１０の実装領域１１の
周縁部に帯状の平坦領域５２を設けた例である。平坦領
域５２上の複数の測定点を選択して、実装用基板１０と
半導体チップ２０との平行度測定することによって、正
確に平行度を調整することができる。図４（ｃ）の例
は、図４（ｂ）の例の変形であり、実装用基板１０の実
装領域１１の周縁部に複数の平坦領域５３〜５６を設け
た例である。これらの平坦領域５３〜５６を用いても、
図４（ｂ）の例と同様、正確に平行度を調整することが
できる。
【００１２】次に、本実施例の実装用基板１０に半導体
チップ２０を実装する実装装置について、図５を用いて
説明する。実装装置は、半導体チップ２０が真空吸着に
より下面に装着された半導体チップ装着部６１と、実装
用基板１０が真空吸着により上面に装着された基板装着
部６２とを備え、半導体チップ装着部６１は枠体６３の
上部に、基板装着部６２は枠体６３の下部に固定されて
いる。半導体チップ装着部６１と基板装着部６２の間に
は、実装用基板１０と半導体チップ２０の平行度を測定
する平行度測定装置６４とが備えられている。
チップ２０を実装する実装装置について、図５を用いて
説明する。実装装置は、半導体チップ２０が真空吸着に
より下面に装着された半導体チップ装着部６１と、実装
用基板１０が真空吸着により上面に装着された基板装着
部６２とを備え、半導体チップ装着部６１は枠体６３の
上部に、基板装着部６２は枠体６３の下部に固定されて
いる。半導体チップ装着部６１と基板装着部６２の間に
は、実装用基板１０と半導体チップ２０の平行度を測定
する平行度測定装置６４とが備えられている。
【００１３】平行度測定装置６４は、実装用基板１０お
よび半導体チップ２０にプローブ光を照射する光学プロ
ーブ６４ａと、実装用基板１０および半導体チップ２０
で反射したプローブ光の反射角度を測定する測定部６４
ｂと、光学プローブ６４ａおよび測定部６４ｂを支持す
る支持台６４ｃとを備えている。
よび半導体チップ２０にプローブ光を照射する光学プロ
ーブ６４ａと、実装用基板１０および半導体チップ２０
で反射したプローブ光の反射角度を測定する測定部６４
ｂと、光学プローブ６４ａおよび測定部６４ｂを支持す
る支持台６４ｃとを備えている。
【００１４】半導体チップ装着部６１は、半導体チップ
２０を吸着する吸着ブロック６１１と、この吸着ブロッ
ク６１１が固定され揺動自在の揺動ステージ６１２と、
この揺動ステージ６１２が固定され水平な２次元方向に
可動な水平移動ステージ６１３とを有している。この水
平移動ステージ６１３の側面部の直交する２つの面に
は、半導体チップ２０の上面と平行な方向の調整を行う
アクチュエータ６１ａ、６１ｂが設けられ、揺動ステー
ジ６１２の側面部の直交する２つの面には、半導体チッ
プ２０の傾きの調整を行うアクチュエータ６１ｃ、６１
ｄが設けられている。
２０を吸着する吸着ブロック６１１と、この吸着ブロッ
ク６１１が固定され揺動自在の揺動ステージ６１２と、
この揺動ステージ６１２が固定され水平な２次元方向に
可動な水平移動ステージ６１３とを有している。この水
平移動ステージ６１３の側面部の直交する２つの面に
は、半導体チップ２０の上面と平行な方向の調整を行う
アクチュエータ６１ａ、６１ｂが設けられ、揺動ステー
ジ６１２の側面部の直交する２つの面には、半導体チッ
プ２０の傾きの調整を行うアクチュエータ６１ｃ、６１
ｄが設けられている。
【００１５】基板装着部６２は実装用基板１０を吸着す
る吸着ブロック６２１と、この吸着ブロック６２１が固
定されてこれを上下動するボンディング機構部６２２
と、このボンディング機構部６２２が固定され揺動自在
の揺動ステージ６２３と、この揺動ステージ６２３が固
定され水平な２次元方向に可動な水平移動ステージ６２
４とを有している。水平移動ステージ６２４の側面部の
直交する２つの面には、実装用基板１０の上面と平行な
方向の調整を行うアクチュエータ６２ａ、６２ｂが設け
られ、揺動ステージ６２３の側面部の直交する２つの面
には、実装用基板１０の傾きの調整を行うアクチュエー
タ６２ｃ、６２ｄが設けられている。
る吸着ブロック６２１と、この吸着ブロック６２１が固
定されてこれを上下動するボンディング機構部６２２
と、このボンディング機構部６２２が固定され揺動自在
の揺動ステージ６２３と、この揺動ステージ６２３が固
定され水平な２次元方向に可動な水平移動ステージ６２
４とを有している。水平移動ステージ６２４の側面部の
直交する２つの面には、実装用基板１０の上面と平行な
方向の調整を行うアクチュエータ６２ａ、６２ｂが設け
られ、揺動ステージ６２３の側面部の直交する２つの面
には、実装用基板１０の傾きの調整を行うアクチュエー
タ６２ｃ、６２ｄが設けられている。
【００１６】さらに、実装装置には、実装用基板１０と
半導体チップ２０の平行度を調整するコントローラ６５
が備えられている。コントローラ６５は光学プローブ６
４ａからの測定結果のデータを入力し、このデータに基
づいて、アクチュエータ６１ａ〜６１ｄおよびアクチュ
エータ６２ａ〜６２ｄに対し必要な指令を出力してい
る。
半導体チップ２０の平行度を調整するコントローラ６５
が備えられている。コントローラ６５は光学プローブ６
４ａからの測定結果のデータを入力し、このデータに基
づいて、アクチュエータ６１ａ〜６１ｄおよびアクチュ
エータ６２ａ〜６２ｄに対し必要な指令を出力してい
る。
【００１７】次に、図６を用いて、光学プローブ６４ａ
の測定原理を説明する。同図より、光源から平行に入射
した入射光Ａ1 、Ｂ1 はライトガイド７１を通過して反
射鏡７２、７３で反射し、半導体チップ２０の下面と実
装用基板１０の上面に照射する。そして、これらの照射
光Ａ2 、Ｂ2 が半導体チップ２０の下面と実装用基板１
０の上面で反射して、反射鏡７２、７３を介して出射す
る。これらの出射光Ａ3 、Ｂ3 の出射位置を、例えば半
導体位置検出器を用いて測定することによって、半導体
チップ２０の下面と実装用基板１０の上面の角度のずれ
が判定できる。
の測定原理を説明する。同図より、光源から平行に入射
した入射光Ａ1 、Ｂ1 はライトガイド７１を通過して反
射鏡７２、７３で反射し、半導体チップ２０の下面と実
装用基板１０の上面に照射する。そして、これらの照射
光Ａ2 、Ｂ2 が半導体チップ２０の下面と実装用基板１
０の上面で反射して、反射鏡７２、７３を介して出射す
る。これらの出射光Ａ3 、Ｂ3 の出射位置を、例えば半
導体位置検出器を用いて測定することによって、半導体
チップ２０の下面と実装用基板１０の上面の角度のずれ
が判定できる。
【００１８】次に、実装装置を用いた実装方法につい
て、図５に戻って説明する。まず半導体チップ２０を半
導体チップ装着部６１の吸着ブロック６１１に吸引装着
させ、実装用基板１０を基板装着部６２の吸着ブロック
６２１に吸引装着させる。そして、平行度測定装置６４
を用いて、実装用基板１０と半導体チップ２０との平行
度を測定する。このとき、実装用基板１０へのプローブ
光は、実装用基板１０の平坦領域１３に照射されるの
で、プローブ光が平坦領域１３で反射した反射光を測定
すれば、実装用基板１０と半導体チップ２０との傾きが
正確に検出できる。
て、図５に戻って説明する。まず半導体チップ２０を半
導体チップ装着部６１の吸着ブロック６１１に吸引装着
させ、実装用基板１０を基板装着部６２の吸着ブロック
６２１に吸引装着させる。そして、平行度測定装置６４
を用いて、実装用基板１０と半導体チップ２０との平行
度を測定する。このとき、実装用基板１０へのプローブ
光は、実装用基板１０の平坦領域１３に照射されるの
で、プローブ光が平坦領域１３で反射した反射光を測定
すれば、実装用基板１０と半導体チップ２０との傾きが
正確に検出できる。
【００１９】平行度測定装置６４での測定結果は、コン
トローラ６５に与えられ、実装用基板１０と半導体チッ
プ２０との平行度が検討される。この検討の結果、実装
用基板１０の角度調整が必要であるとコントローラ６５
が判定した場合には、実装用基板装着部６２のアクチュ
エータ６２ｃ、６２ｄに指令が送られ、必要な角度調整
が行われる。また、半導体チップ２０の角度調整が必要
であるとコントローラ６５が判定した場合には、半導体
チップ装着部６１のアクチュエータ６１ｃ、６１ｄに指
令が送られ、必要な角度調整が行われる。
トローラ６５に与えられ、実装用基板１０と半導体チッ
プ２０との平行度が検討される。この検討の結果、実装
用基板１０の角度調整が必要であるとコントローラ６５
が判定した場合には、実装用基板装着部６２のアクチュ
エータ６２ｃ、６２ｄに指令が送られ、必要な角度調整
が行われる。また、半導体チップ２０の角度調整が必要
であるとコントローラ６５が判定した場合には、半導体
チップ装着部６１のアクチュエータ６１ｃ、６１ｄに指
令が送られ、必要な角度調整が行われる。
【００２０】以上の角度調整処理が終了した後に、平行
度測定装置６４を後退させる。そして、基板装着部６２
を持ち上げて、実装用基板１０上に半導体チップ２０を
実装する。前工程の角度調整処理で実装用基板１０と半
導体チップ２０との平行度が十分に保たれているので、
半導体チップ２０上の全てのバンプを実装用基板１０上
のパッドに接続することができる。したがって、高い実
装歩留りを確保することができる。
度測定装置６４を後退させる。そして、基板装着部６２
を持ち上げて、実装用基板１０上に半導体チップ２０を
実装する。前工程の角度調整処理で実装用基板１０と半
導体チップ２０との平行度が十分に保たれているので、
半導体チップ２０上の全てのバンプを実装用基板１０上
のパッドに接続することができる。したがって、高い実
装歩留りを確保することができる。
【００２１】なお、本実施例の実装用基板１０の表面１
０ａを研磨すれば、プローブ光の反射はより正確にな
る。
０ａを研磨すれば、プローブ光の反射はより正確にな
る。
【００２２】
【発明の効果】本発明の実装用基板であれば、光反射用
の平坦領域に照射された光は、正しい角度で反射する。
この反射光の反射角度を測定すれば、半導体チップに対
する実装用基板の相対的な傾きが測定できる。そして、
この測定値を用いれば、実装用基板と半導体チップとの
平行度を正確に調整することができる。
の平坦領域に照射された光は、正しい角度で反射する。
この反射光の反射角度を測定すれば、半導体チップに対
する実装用基板の相対的な傾きが測定できる。そして、
この測定値を用いれば、実装用基板と半導体チップとの
平行度を正確に調整することができる。
【図１】本実施例の実装用基板の外観を示す斜視図であ
る。
る。
【図２】平坦領域の構造を示す断面図である。
【図３】応用例の実装用基板を示す上面図である。
【図４】応用例の実装用基板を示す上面図である。
【図５】実装装置の構成を示す平面図である。
【図６】光学プローブの測定原理を示す斜視図である。
１０…実装用基板、１１…実装領域、１２…パッド、１
３…平坦領域、２０…半導体チップ、２１…バンプ、３
０…光学プローブ。
３…平坦領域、２０…半導体チップ、２１…バンプ、３
０…光学プローブ。
Claims (9)
- 【請求項１】 照射した光の反射角度から測定物の傾き
を測定する測定手段を用いて半導体チップとの平行度を
調整した後にこの半導体チップを実装する実装用基板に
おいて、 前記半導体チップを実装する実装領域の中央に光反射用
の平坦領域を有することを特徴とする実装用基板。 - 【請求項２】 照射した光の反射角度から測定物の傾き
を測定する測定手段を用いて半導体チップとの平行度を
調整した後にこの半導体チップを実装する実装用基板に
おいて、 前記半導体チップを実装する実装領域の重心に対して点
対称な少なくとも１対の光反射用の平坦領域を実装面に
有することを特徴とする実装用基板。 - 【請求項３】 照射した光の反射角度から測定物の傾き
を測定する測定手段を用いて半導体チップとの平行度を
調整した後にこの半導体チップを実装する実装用基板に
おいて、 前記半導体チップを実装する実装領域の重心に対して点
対称な２対の光反射用の平坦領域を実装面に有し、対応
する平坦領域の中心間を結ぶ２本の直線がほぼ直交する
ことを特徴とする実装用基板。 - 【請求項４】 照射した光の反射角度から測定物の傾き
を測定する測定手段を用いて半導体チップとの平行度を
調整した後にこの半導体チップを実装する実装用基板に
おいて、 前記半導体チップを実装する実装領域の中央に十字型の
光反射用の平坦領域を有することを特徴とする実装用基
板。 - 【請求項５】 照射した光の反射角度から測定物の傾き
を測定する測定手段を用いて半導体チップとの平行度を
調整した後にこの半導体チップを実装する実装用基板に
おいて、 実装面の周縁に帯状の光反射用の平坦領域を有すること
を特徴とする実装用基板。 - 【請求項６】 前記平坦領域は金属層上に第１の絶縁膜
を積層して形成したものであることを特徴とする請求項
１から請求項５のいずれかに記載の実装用基板。 - 【請求項７】 前記第１の絶縁膜の膜厚ｄは入射光の波
長をλとすると（λ／２）×ｍ＝ｎ×ｄ（ｍは整数、ｎ
は前記第１の絶縁膜の屈折率）の関係を有することを特
徴とする請求項６記載の実装用基板。 - 【請求項８】 前記金属層の下層に第２の絶縁膜が積層
されていることを特徴とする請求項６または請求項７に
記載の実装用基板。 - 【請求項９】 前記第２の絶縁膜は、ＰＩ（ポリイミ
ド）、ＢＣＢ（benzocyclobutene）、あるいはＳＯＧ
（Spin on Glass ）のいずれかの材料を用いた単層構
造、またはこれらの材料を組み合わせた多層構造であ
り、かつ前記第２の絶縁膜の膜厚は５μｍ以上であるこ
とを特徴とする請求項８記載の実装用基板。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13074492A JPH05326636A (ja) | 1992-05-22 | 1992-05-22 | 実装用基板 |
| CA002096551A CA2096551A1 (en) | 1992-05-22 | 1993-05-19 | Semiconductor device |
| AU38674/93A AU659002B2 (en) | 1992-05-22 | 1993-05-20 | Semiconductor device |
| US08/064,658 US5536974A (en) | 1992-05-22 | 1993-05-21 | Semiconductor device with light reflecting substrate area |
| EP93108270A EP0570971A1 (en) | 1992-05-22 | 1993-05-21 | Flip-clip-bonding alignment structure |
| TW082104030A TW214018B (en) | 1992-05-22 | 1993-05-21 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13074492A JPH05326636A (ja) | 1992-05-22 | 1992-05-22 | 実装用基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05326636A true JPH05326636A (ja) | 1993-12-10 |
Family
ID=15041598
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13074492A Pending JPH05326636A (ja) | 1992-05-22 | 1992-05-22 | 実装用基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05326636A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6707067B2 (en) | 1995-06-06 | 2004-03-16 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | High aperture LCD with insulating color filters overlapping bus lines on active substrate |
| US6870188B2 (en) | 1995-06-06 | 2005-03-22 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | LCD with increased pixel opening sizes |
-
1992
- 1992-05-22 JP JP13074492A patent/JPH05326636A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6707067B2 (en) | 1995-06-06 | 2004-03-16 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | High aperture LCD with insulating color filters overlapping bus lines on active substrate |
| US6870188B2 (en) | 1995-06-06 | 2005-03-22 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | LCD with increased pixel opening sizes |
| US7135705B2 (en) | 1995-06-06 | 2006-11-14 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | High aperture LCD with insulating color filters overlapping bus lines on active substrate |
| US7445948B2 (en) | 1995-06-06 | 2008-11-04 | Lg. Display Co., Ltd. | Method of making a TFT array with photo-imageable insulating layer over address lines |
| US7531838B2 (en) | 1995-06-06 | 2009-05-12 | Lg Display Co., Ltd. | LCD with increased pixel opening sizes |
| US7745830B2 (en) | 1995-06-06 | 2010-06-29 | Lg Display Co., Ltd. | LCD with increased pixel opening sizes |
| US8198110B2 (en) | 1995-06-06 | 2012-06-12 | Lg Display Co., Ltd. | Method of making a TFT array with photo-imageable insulating layer over address lines |
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