JPH05326641A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH05326641A JPH05326641A JP13074592A JP13074592A JPH05326641A JP H05326641 A JPH05326641 A JP H05326641A JP 13074592 A JP13074592 A JP 13074592A JP 13074592 A JP13074592 A JP 13074592A JP H05326641 A JPH05326641 A JP H05326641A
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- semiconductor chip
- mounting
- mounting substrate
- flat
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、実装時の歩留まりの高い半導体装
置を提供することを目的とする。 【構成】 半導体チップ（１０）の実装面に備えられた
第１平坦領域（１２〜１４）に照射された光は正確な角
度で反射する。また実装用基板（２０）に備えられた第
２平坦領域（２３〜２５）に照射された光も正確な角度
で反射する。これらの反射光の反射角度から、半導体チ
ップ（１０）と実装用基板（２０）との相対的な傾きが
測定できる。
置を提供することを目的とする。 【構成】 半導体チップ（１０）の実装面に備えられた
第１平坦領域（１２〜１４）に照射された光は正確な角
度で反射する。また実装用基板（２０）に備えられた第
２平坦領域（２３〜２５）に照射された光も正確な角度
で反射する。これらの反射光の反射角度から、半導体チ
ップ（１０）と実装用基板（２０）との相対的な傾きが
測定できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｓｉ−ＬＳＩ、ＧａＡ
ｓ−ＬＳＩ、および液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）等に用
いられる半導体装置に関する。
ｓ−ＬＳＩ、および液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）等に用
いられる半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】フリップチップの実装方法は、半導体チ
ップに設けられた全てのバンプを基板上のパッドに接続
して行う。このため、半導体チップと基板の平行度を保
つ技術が極めて重要である。このように半導体チップと
基板とを平行に保つための従来の技術としては、例えば
光学プローブ装置を用いる方法がある。この方法は、半
導体チップおよび基板にプローブ光を照射し、その反射
光から半導体チップと基板との相対的な傾きを測定し、
これらの測定値から両者の平行度を調整するものであ
る。
ップに設けられた全てのバンプを基板上のパッドに接続
して行う。このため、半導体チップと基板の平行度を保
つ技術が極めて重要である。このように半導体チップと
基板とを平行に保つための従来の技術としては、例えば
光学プローブ装置を用いる方法がある。この方法は、半
導体チップおよび基板にプローブ光を照射し、その反射
光から半導体チップと基板との相対的な傾きを測定し、
これらの測定値から両者の平行度を調整するものであ
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年の半導
体チップは高度に集積化されているので、半導体チップ
表面には微細な凹凸が数多く存在する。このため、光学
プローブ装置を用いて半導体チップにプローブ光を照射
しても、半導体チップ表面の微細な凹凸で光が錯乱する
ために、半導体チップの傾きを測定することは困難であ
った。
体チップは高度に集積化されているので、半導体チップ
表面には微細な凹凸が数多く存在する。このため、光学
プローブ装置を用いて半導体チップにプローブ光を照射
しても、半導体チップ表面の微細な凹凸で光が錯乱する
ために、半導体チップの傾きを測定することは困難であ
った。
【０００４】また、Ａｌ2 Ｏ3 、ＡｌＮなどのセラミッ
ク基板またはＣｕＷなどのポーラス状の金属などを基礎
材料とする実装用基板の表面には、微細な凹凸が数多く
存在する。このため、光学プローブ装置を用いて実装用
基板にプローブ光を照射しても、実装用基板表面の微細
な凹凸で光が錯乱するために、実装用基板の傾きを測定
することは困難であった。
ク基板またはＣｕＷなどのポーラス状の金属などを基礎
材料とする実装用基板の表面には、微細な凹凸が数多く
存在する。このため、光学プローブ装置を用いて実装用
基板にプローブ光を照射しても、実装用基板表面の微細
な凹凸で光が錯乱するために、実装用基板の傾きを測定
することは困難であった。
【０００５】本発明は、表面に微細な凹凸を有していて
も、照射されたプローブ光が錯乱することのない半導体
チップおよび実装用基板を備えた半導体装置を提供する
ことを目的とする。
も、照射されたプローブ光が錯乱することのない半導体
チップおよび実装用基板を備えた半導体装置を提供する
ことを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の半導体装置は、半導体チップと実装用基板
を備え、半導体チップには実装面の所定の位置に光照射
用の第１平坦領域が形成され、実装用基板には半導体チ
ップが実装された際に第１平坦領域と少なくとも一部分
が重畳する光照射用の第２平坦領域が形成されている。
に、本発明の半導体装置は、半導体チップと実装用基板
を備え、半導体チップには実装面の所定の位置に光照射
用の第１平坦領域が形成され、実装用基板には半導体チ
ップが実装された際に第１平坦領域と少なくとも一部分
が重畳する光照射用の第２平坦領域が形成されている。
【０００７】
【作用】本発明の半導体装置によれば、半導体チップの
実装面に備えられた第１平坦領域に照射された光は正確
な角度で反射する。また実装用基板に備えられた第２平
坦領域に照射された光も正確な角度で反射する。これら
の反射光の反射角度から、半導体チップと実装用基板と
の相対的な傾きが測定できる。
実装面に備えられた第１平坦領域に照射された光は正確
な角度で反射する。また実装用基板に備えられた第２平
坦領域に照射された光も正確な角度で反射する。これら
の反射光の反射角度から、半導体チップと実装用基板と
の相対的な傾きが測定できる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の一実施例について、添付図面
を参照しつつ説明する。図１は本実施例の半導体装置の
外観を示す斜視図である。半導体チップ１０の下面１０
ａには、複数のバンプ１１と平坦領域１２〜１４とが設
けられている。また、実装用基板２０の上面２０ａに
は、半導体チップ１０が実装される実装領域２１が備え
られ、この実装領域２１内にはバンプ１１に相対する複
数のパッド２２と平坦領域１２〜１４に相対する平坦領
域２３〜２５が設けられている。平坦領域１２〜１４と
平坦領域２３〜２５との位置関係は、半導体チップ１０
を実装用基板２０に実装した際に、それぞれの領域の少
なくとも一部分が重畳するように配置されている。した
がって、各領域の面積が同じである必要はなく、一方の
領域が相対する他方の領域に包含されていても良い。こ
のときの各領域の面積は、１０〜２００μｍ2 の範囲内
である。
を参照しつつ説明する。図１は本実施例の半導体装置の
外観を示す斜視図である。半導体チップ１０の下面１０
ａには、複数のバンプ１１と平坦領域１２〜１４とが設
けられている。また、実装用基板２０の上面２０ａに
は、半導体チップ１０が実装される実装領域２１が備え
られ、この実装領域２１内にはバンプ１１に相対する複
数のパッド２２と平坦領域１２〜１４に相対する平坦領
域２３〜２５が設けられている。平坦領域１２〜１４と
平坦領域２３〜２５との位置関係は、半導体チップ１０
を実装用基板２０に実装した際に、それぞれの領域の少
なくとも一部分が重畳するように配置されている。した
がって、各領域の面積が同じである必要はなく、一方の
領域が相対する他方の領域に包含されていても良い。こ
のときの各領域の面積は、１０〜２００μｍ2 の範囲内
である。
【０００９】図２に示すように、平坦領域１２〜１４、
２３〜２５は、半導体チップ１０と実装用基板２０との
平行度を測定するために照射される光学プローブ３０か
らのプローブ光の反射面として利用される。これらの平
坦領域１２〜１４、２３〜２５でプローブ光を反射させ
ることによって、反射角度から半導体チップ１０または
実装用基板２０の傾きを正確に測定できる。また、平坦
領域１２〜１４、２３〜２５での反射光の強度は乱反射
などの影響を受けることなく安定する。このため、この
ため、反射光の強度を測定することによって、プローブ
光が平坦領域１２〜１４、２３〜２５で反射したかが判
断でき、半導体チップ１０と実装用基板２０との大まか
な位置合せを行うことができる。
２３〜２５は、半導体チップ１０と実装用基板２０との
平行度を測定するために照射される光学プローブ３０か
らのプローブ光の反射面として利用される。これらの平
坦領域１２〜１４、２３〜２５でプローブ光を反射させ
ることによって、反射角度から半導体チップ１０または
実装用基板２０の傾きを正確に測定できる。また、平坦
領域１２〜１４、２３〜２５での反射光の強度は乱反射
などの影響を受けることなく安定する。このため、この
ため、反射光の強度を測定することによって、プローブ
光が平坦領域１２〜１４、２３〜２５で反射したかが判
断でき、半導体チップ１０と実装用基板２０との大まか
な位置合せを行うことができる。
【００１０】平坦領域１２〜１４、２３〜２５は基板表
面そのままでもよいが、図３に示すように、基板上に絶
縁膜１２１と金属膜１２２と絶縁膜１２３とを順次積層
させて加工してもよい。絶縁膜１２１は、５μｍ以上の
膜厚を持ち、ＰＩ（ポリイミド）、ＢＣＢ（benzocyclo
butene）、あるいはＳＯＧ（Spin on Glass ）のいずれ
かの材料を用いた単層構造であってもよく、これらの材
料を組み合わせた多層構造であってもよい。金属膜１２
２は、Ａｕ、Ｃｕ、あるいはＡｌなどが用いられる。絶
縁膜１２３は、ＳｉＮ（ｎ＝１．９程度（ｎ：屈折
率））、ＳｉＯＮ（ｎ＝１．８５程度）または、ＳｉＯ
2 （ｎ＝１．４程度）などが用いられる。この絶縁膜１
２３は、プローブ光の波長をλとすると、λ／２×ｍ＝
ｎ×ｄ（ｍ：整数、ｄ：膜厚）の関係を満たす膜厚で堆
積させるとよい。この関係を満たす膜厚であれば、平坦
領域１２〜１４、２３〜２５の金属層で反射するプロー
ブ光の反射率は極大となり、絶縁膜でのプローブ光の光
量減少を防止できるからである。
面そのままでもよいが、図３に示すように、基板上に絶
縁膜１２１と金属膜１２２と絶縁膜１２３とを順次積層
させて加工してもよい。絶縁膜１２１は、５μｍ以上の
膜厚を持ち、ＰＩ（ポリイミド）、ＢＣＢ（benzocyclo
butene）、あるいはＳＯＧ（Spin on Glass ）のいずれ
かの材料を用いた単層構造であってもよく、これらの材
料を組み合わせた多層構造であってもよい。金属膜１２
２は、Ａｕ、Ｃｕ、あるいはＡｌなどが用いられる。絶
縁膜１２３は、ＳｉＮ（ｎ＝１．９程度（ｎ：屈折
率））、ＳｉＯＮ（ｎ＝１．８５程度）または、ＳｉＯ
2 （ｎ＝１．４程度）などが用いられる。この絶縁膜１
２３は、プローブ光の波長をλとすると、λ／２×ｍ＝
ｎ×ｄ（ｍ：整数、ｄ：膜厚）の関係を満たす膜厚で堆
積させるとよい。この関係を満たす膜厚であれば、平坦
領域１２〜１４、２３〜２５の金属層で反射するプロー
ブ光の反射率は極大となり、絶縁膜でのプローブ光の光
量減少を防止できるからである。
【００１１】本実施例の応用例を図４、図５に示す。図
４（ａ）は、半導体チップ１０の下面１０ａの中央に平
坦領域４１を設けた例である。実装用基板２０の実装領
域２１の中央にも、同様に平坦領域を設けている。半導
体チップ１０および実装領域２１の中央でお互いの平行
度を測定するので、半導体チップ１０または実装用基板
２０の周辺部に反りや歪みがあっても、正確に平行度を
調整することができる。
４（ａ）は、半導体チップ１０の下面１０ａの中央に平
坦領域４１を設けた例である。実装用基板２０の実装領
域２１の中央にも、同様に平坦領域を設けている。半導
体チップ１０および実装領域２１の中央でお互いの平行
度を測定するので、半導体チップ１０または実装用基板
２０の周辺部に反りや歪みがあっても、正確に平行度を
調整することができる。
【００１２】図４（ｂ）は、半導体チップ１０の下面１
０ａの重心１０ｂに点対称な１対の平坦領域４２、４３
を設けた例である。実装用基板２０の実装領域２１の相
対する位置にも、同様に平坦領域を設けている。このよ
うに平坦領域４２、４３を用いて２か所で半導体チップ
１０と実装用基板２０との平行度を測定すれば、下面１
０ａ全体に歪みや反りがあっても、正確に平行度を調整
することができる。
０ａの重心１０ｂに点対称な１対の平坦領域４２、４３
を設けた例である。実装用基板２０の実装領域２１の相
対する位置にも、同様に平坦領域を設けている。このよ
うに平坦領域４２、４３を用いて２か所で半導体チップ
１０と実装用基板２０との平行度を測定すれば、下面１
０ａ全体に歪みや反りがあっても、正確に平行度を調整
することができる。
【００１３】図４（ｃ）は、半導体チップ１０の下面１
０ａの重心１０ｂに点対称な２対の平坦領域４４、４５
および平坦領域４６、４７を設けた例である。実装用基
板２０の実装領域２１の相対する位置にも、同様に平坦
領域を設けている。このように４か所の平坦領域４４〜
４７で半導体チップ１０と実装用基板２０との平行度を
測定するので、上述した例に比べて、いっそう正確に平
行度を調整することができる。さらにこの例では、対と
なる平坦領域を結ぶ直線がほぼ直交するように、平坦領
域４４〜４７がそれぞれ配置されているので、下面１０
ａ全体に歪みや反りがあっても正確に平行度を調整する
ことができる。
０ａの重心１０ｂに点対称な２対の平坦領域４４、４５
および平坦領域４６、４７を設けた例である。実装用基
板２０の実装領域２１の相対する位置にも、同様に平坦
領域を設けている。このように４か所の平坦領域４４〜
４７で半導体チップ１０と実装用基板２０との平行度を
測定するので、上述した例に比べて、いっそう正確に平
行度を調整することができる。さらにこの例では、対と
なる平坦領域を結ぶ直線がほぼ直交するように、平坦領
域４４〜４７がそれぞれ配置されているので、下面１０
ａ全体に歪みや反りがあっても正確に平行度を調整する
ことができる。
【００１４】図５（ａ）は、半導体チップ１０の下面１
０ａの中央に十字型の平坦領域５１を設けた例である。
実装用基板２０の実装領域２１の中央にも、同様に平坦
領域を設けている。この場合、実装領域２１の平坦領域
は特に十字型である必要はなく、少なくとも一部分が重
畳していればよい。この例では、平坦領域５１の先端部
５１ａ〜５１ｄの中から複数の測定点を選択して、半導
体チップ１０と実装用基板２０との平行度を測定するこ
とによって、下面１０ａ全体に歪みや反りがあっても正
確に平行度を調整することができる。
０ａの中央に十字型の平坦領域５１を設けた例である。
実装用基板２０の実装領域２１の中央にも、同様に平坦
領域を設けている。この場合、実装領域２１の平坦領域
は特に十字型である必要はなく、少なくとも一部分が重
畳していればよい。この例では、平坦領域５１の先端部
５１ａ〜５１ｄの中から複数の測定点を選択して、半導
体チップ１０と実装用基板２０との平行度を測定するこ
とによって、下面１０ａ全体に歪みや反りがあっても正
確に平行度を調整することができる。
【００１５】図５（ｂ）は、半導体チップ１０の下面１
０ａの周縁部に帯状の平坦領域５２を設けた例である。
実装用基板２０の実装領域２１の対応する部分にも、同
様に平坦領域を設けている。そして、平坦領域５２上の
複数の測定点を選択して、半導体チップ１０と実装用基
板２０との平行度測定することによって、正確に平行度
を調整することができる。
０ａの周縁部に帯状の平坦領域５２を設けた例である。
実装用基板２０の実装領域２１の対応する部分にも、同
様に平坦領域を設けている。そして、平坦領域５２上の
複数の測定点を選択して、半導体チップ１０と実装用基
板２０との平行度測定することによって、正確に平行度
を調整することができる。
【００１６】図５（ｃ）の例は、図５（ｂ）の例の変形
であり、半導体チップ１０の下面１０ａの周縁部に複数
の平坦領域５３〜５６を設けた例である。これらの平坦
領域５３〜５６を用いても、図５（ｂ）の例と同様、正
確に平行度を調整することができる。
であり、半導体チップ１０の下面１０ａの周縁部に複数
の平坦領域５３〜５６を設けた例である。これらの平坦
領域５３〜５６を用いても、図５（ｂ）の例と同様、正
確に平行度を調整することができる。
【００１７】次に、半導体チップ１０を実装用基板２０
に実装する実装装置について、図６を用いて説明する。
実装装置は、半導体チップ１０が真空吸着により下面に
装着された半導体チップ装着部６１と、実装用基板２０
が真空吸着により上面に装着された基板装着部６２とを
備え、半導体チップ装着部６１は枠体６３の上部に、基
板装着部６２は枠体６３の下部に固定されている。半導
体チップ装着部６１と基板装着部６２の間には、半導体
チップ１０と実装用基板２０の平行度を測定する平行度
測定装置６４とが備えられている。
に実装する実装装置について、図６を用いて説明する。
実装装置は、半導体チップ１０が真空吸着により下面に
装着された半導体チップ装着部６１と、実装用基板２０
が真空吸着により上面に装着された基板装着部６２とを
備え、半導体チップ装着部６１は枠体６３の上部に、基
板装着部６２は枠体６３の下部に固定されている。半導
体チップ装着部６１と基板装着部６２の間には、半導体
チップ１０と実装用基板２０の平行度を測定する平行度
測定装置６４とが備えられている。
【００１８】平行度測定装置６４は、半導体チップ１０
および実装用基板２０にプローブ光を照射する光学プロ
ーブ６４ａと、半導体チップ１０および実装用基板２０
で反射したプローブ光の反射角度を測定する測定部６４
ｂと、光学プローブ６４ａおよび測定部６４ｂを支持す
る支持台６４ｃとを備えている。
および実装用基板２０にプローブ光を照射する光学プロ
ーブ６４ａと、半導体チップ１０および実装用基板２０
で反射したプローブ光の反射角度を測定する測定部６４
ｂと、光学プローブ６４ａおよび測定部６４ｂを支持す
る支持台６４ｃとを備えている。
【００１９】半導体チップ装着部６１は、半導体チップ
１０を吸着する吸着ブロック６１１と、この吸着ブロッ
ク６１１が固定され揺動自在の揺動ステージ６１２と、
この揺動ステージ６１２が固定され水平な２次元方向に
可動な水平移動ステージ６１３とを有している。この水
平移動ステージ６１３の側面部の直交する２つの面に
は、半導体チップ１０の上面と平行な方向の調整を行う
アクチュエータ６１ａ、６１ｂが設けられ、揺動ステー
ジ６１２の側面部の直交する２つの面には、半導体チッ
プ１０の傾きの調整を行うアクチュエータ６１ｃ、６１
ｄが設けられている。
１０を吸着する吸着ブロック６１１と、この吸着ブロッ
ク６１１が固定され揺動自在の揺動ステージ６１２と、
この揺動ステージ６１２が固定され水平な２次元方向に
可動な水平移動ステージ６１３とを有している。この水
平移動ステージ６１３の側面部の直交する２つの面に
は、半導体チップ１０の上面と平行な方向の調整を行う
アクチュエータ６１ａ、６１ｂが設けられ、揺動ステー
ジ６１２の側面部の直交する２つの面には、半導体チッ
プ１０の傾きの調整を行うアクチュエータ６１ｃ、６１
ｄが設けられている。
【００２０】基板装着部６２は実装用基板２０を吸着す
る吸着ブロック６２１と、この吸着ブロック６２１が固
定されてこれを上下動するボンディング機構部６２２
と、このボンディング機構部６２２が固定され揺動自在
の揺動ステージ６２３と、この揺動ステージ６２３が固
定され水平な２次元方向に可動な水平移動ステージ６２
４とを有している。水平移動ステージ６２４の側面部の
直交する２つの面には、実装用基板２０の上面と平行な
方向の調整を行うアクチュエータ６２ａ、６２ｂが設け
られ、揺動ステージ６２３の側面部の直交する２つの面
には、実装用基板２０の傾きの調整を行うアクチュエー
タ６２ｃ、６２ｄが設けられている。
る吸着ブロック６２１と、この吸着ブロック６２１が固
定されてこれを上下動するボンディング機構部６２２
と、このボンディング機構部６２２が固定され揺動自在
の揺動ステージ６２３と、この揺動ステージ６２３が固
定され水平な２次元方向に可動な水平移動ステージ６２
４とを有している。水平移動ステージ６２４の側面部の
直交する２つの面には、実装用基板２０の上面と平行な
方向の調整を行うアクチュエータ６２ａ、６２ｂが設け
られ、揺動ステージ６２３の側面部の直交する２つの面
には、実装用基板２０の傾きの調整を行うアクチュエー
タ６２ｃ、６２ｄが設けられている。
【００２１】さらに、実装装置には、半導体チップ１０
と実装用基板２０の平行度を調整するコントローラ６５
が備えられている。コントローラ６５は光学プローブ６
４ａからの測定結果のデータを入力し、このデータに基
づいて、アクチュエータ６１ａ〜６１ｄおよびアクチュ
エータ６２ａ〜６２ｄに対し必要な指令を出力してい
る。
と実装用基板２０の平行度を調整するコントローラ６５
が備えられている。コントローラ６５は光学プローブ６
４ａからの測定結果のデータを入力し、このデータに基
づいて、アクチュエータ６１ａ〜６１ｄおよびアクチュ
エータ６２ａ〜６２ｄに対し必要な指令を出力してい
る。
【００２２】次に、図７を用いて、光学プローブ６４ａ
の測定原理を説明する。同図より、光源から平行に入射
した入射光Ａ1 、Ｂ1 はライトガイド７１を通過して反
射鏡７２、７３で反射し、半導体チップ１０の下面１０
ａと実装用基板２０の上面２０ａに照射する。これらの
照射光Ａ2 、Ｂ2 は半導体チップ１０の下面と実装用基
板２０の上面で反射して、反射鏡７２、７３を介して出
射する。出射光Ａ3 、Ｂ3 の出射位置を、例えば半導体
位置検出器を用いて測定することによって、半導体チッ
プ１０の下面と実装用基板２０の上面の角度のずれが判
定できる。
の測定原理を説明する。同図より、光源から平行に入射
した入射光Ａ1 、Ｂ1 はライトガイド７１を通過して反
射鏡７２、７３で反射し、半導体チップ１０の下面１０
ａと実装用基板２０の上面２０ａに照射する。これらの
照射光Ａ2 、Ｂ2 は半導体チップ１０の下面と実装用基
板２０の上面で反射して、反射鏡７２、７３を介して出
射する。出射光Ａ3 、Ｂ3 の出射位置を、例えば半導体
位置検出器を用いて測定することによって、半導体チッ
プ１０の下面と実装用基板２０の上面の角度のずれが判
定できる。
【００２３】次に、実装装置を用いた実装方法につい
て、図６に戻って説明する。まず半導体チップ１０を半
導体チップ装着部６１の吸着ブロック６１１に吸引装着
させ、実装用基板２０を基板装着部６２の吸着ブロック
６２１に吸引装着させる。そして、平行度測定装置６４
を用いて、半導体チップ１０と実装用基板２０との平行
度を測定する。半導体チップ１０に照射されたプローブ
光は平坦領域１２〜１４で正確に反射し、実装用基板２
０に照射されたプローブ光は平坦領域２３〜２５で正確
に反射する。したがって、これらの反射光を測定すれ
ば、半導体チップ１０と実装用基板２０との傾きが正確
に検出できる。
て、図６に戻って説明する。まず半導体チップ１０を半
導体チップ装着部６１の吸着ブロック６１１に吸引装着
させ、実装用基板２０を基板装着部６２の吸着ブロック
６２１に吸引装着させる。そして、平行度測定装置６４
を用いて、半導体チップ１０と実装用基板２０との平行
度を測定する。半導体チップ１０に照射されたプローブ
光は平坦領域１２〜１４で正確に反射し、実装用基板２
０に照射されたプローブ光は平坦領域２３〜２５で正確
に反射する。したがって、これらの反射光を測定すれ
ば、半導体チップ１０と実装用基板２０との傾きが正確
に検出できる。
【００２４】平行度測定装置６４での測定結果は、コン
トローラ６５に与えられ、半導体チップ１０と実装用基
板２０との平行度が検討される。この検討の結果、実装
用基板２０の角度調整が必要であるとコントローラ６５
が判定した場合には、実装用基板装着部６２のアクチュ
エータ６２ｃ、６２ｄに指令が送られ、必要な角度調整
が行われる。また、半導体チップ１０の角度調整が必要
であるとコントローラ６５が判定した場合には、半導体
チップ装着部６１のアクチュエータ６１ｃ、６１ｄに指
令が送られ、必要な角度調整が行われる。
トローラ６５に与えられ、半導体チップ１０と実装用基
板２０との平行度が検討される。この検討の結果、実装
用基板２０の角度調整が必要であるとコントローラ６５
が判定した場合には、実装用基板装着部６２のアクチュ
エータ６２ｃ、６２ｄに指令が送られ、必要な角度調整
が行われる。また、半導体チップ１０の角度調整が必要
であるとコントローラ６５が判定した場合には、半導体
チップ装着部６１のアクチュエータ６１ｃ、６１ｄに指
令が送られ、必要な角度調整が行われる。
【００２５】以上の角度調整処理が終了した後に、平行
度測定装置６４を後退させる。そして、基板装着部６２
を持ち上げて、実装用基板１０上に半導体チップ２０を
実装する。前工程の角度調整処理で実装用基板１０と半
導体チップ２０との平行度が十分に保たれているので、
半導体チップ１０上の全てのバンプを実装用基板２０上
のパッドに接続することができる。したがって、高い実
装歩留りを確保することができる。
度測定装置６４を後退させる。そして、基板装着部６２
を持ち上げて、実装用基板１０上に半導体チップ２０を
実装する。前工程の角度調整処理で実装用基板１０と半
導体チップ２０との平行度が十分に保たれているので、
半導体チップ１０上の全てのバンプを実装用基板２０上
のパッドに接続することができる。したがって、高い実
装歩留りを確保することができる。
【００２６】なお、半導体チップ１０の下面１０ａまた
は実装用基板２０の上面２０ａを研磨すれば、プローブ
光の反射はより正確になる。
は実装用基板２０の上面２０ａを研磨すれば、プローブ
光の反射はより正確になる。
【００２７】
【発明の効果】本発明の半導体装置であれば、半導体チ
ップの実装面に備えられた第１平坦領域に照射された光
は正確な角度で反射する。また実装用基板に備えられた
第２平坦領域に照射された光は正確な角度で反射する。
これらの反射光の反射角度から、半導体チップと実装用
基板との相対的な傾きが測定できる。そして、この測定
値を用いれば、基板と半導体チップとの平行度を正確に
調整することができる。
ップの実装面に備えられた第１平坦領域に照射された光
は正確な角度で反射する。また実装用基板に備えられた
第２平坦領域に照射された光は正確な角度で反射する。
これらの反射光の反射角度から、半導体チップと実装用
基板との相対的な傾きが測定できる。そして、この測定
値を用いれば、基板と半導体チップとの平行度を正確に
調整することができる。
【図１】本実施例の半導体装置の外観を示す斜視図であ
る。
る。
【図２】本実施例の半導体装置の外観を示す平面図であ
る
る
【図３】平坦領域の構造を示す断面図である。
【図４】応用例の半導体装置を示す上面図である。
【図５】応用例の半導体装置を示す上面図である。
【図６】実装装置の構成を示す平面図である。
【図７】光学プローブの測定原理を示す斜視図である。
１０…半導体チップ、１１…バンプ、１２〜１４、２２
〜２４…平坦領域、２０…実装用基板、２１…実装領
域、３０…光学プローブ。
〜２４…平坦領域、２０…実装用基板、２１…実装領
域、３０…光学プローブ。
Claims (1)
- 【請求項１】 照射した光の反射角度から測定物の傾き
を測定する測定手段を用いて相対的な平行度を調整した
後に実装する半導体チップと、この半導体チップが実装
される実装用基板とを備える半導体装置において、 前記半導体チップには実装面の所定の位置に光照射用の
第１平坦領域が形成され、 前記実装用基板には前記半導体チップが実装された際に
前記第１平坦領域と少なくとも一部分が重畳する光照射
用の第２平坦領域が形成されていることを特徴とする半
導体装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13074592A JPH05326641A (ja) | 1992-05-22 | 1992-05-22 | 半導体装置 |
| CA002096551A CA2096551A1 (en) | 1992-05-22 | 1993-05-19 | Semiconductor device |
| AU38674/93A AU659002B2 (en) | 1992-05-22 | 1993-05-20 | Semiconductor device |
| US08/064,658 US5536974A (en) | 1992-05-22 | 1993-05-21 | Semiconductor device with light reflecting substrate area |
| EP93108270A EP0570971A1 (en) | 1992-05-22 | 1993-05-21 | Flip-clip-bonding alignment structure |
| TW082104030A TW214018B (en) | 1992-05-22 | 1993-05-21 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13074592A JPH05326641A (ja) | 1992-05-22 | 1992-05-22 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05326641A true JPH05326641A (ja) | 1993-12-10 |
Family
ID=15041624
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13074592A Pending JPH05326641A (ja) | 1992-05-22 | 1992-05-22 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05326641A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6707067B2 (en) | 1995-06-06 | 2004-03-16 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | High aperture LCD with insulating color filters overlapping bus lines on active substrate |
| WO2003084038A3 (en) * | 2002-03-29 | 2004-03-25 | Intersil Inc | Multi-phase dc-dc converter with balanced current between modules and different input voltages |
| US6870188B2 (en) | 1995-06-06 | 2005-03-22 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | LCD with increased pixel opening sizes |
-
1992
- 1992-05-22 JP JP13074592A patent/JPH05326641A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6707067B2 (en) | 1995-06-06 | 2004-03-16 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | High aperture LCD with insulating color filters overlapping bus lines on active substrate |
| US6870188B2 (en) | 1995-06-06 | 2005-03-22 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | LCD with increased pixel opening sizes |
| US7135705B2 (en) | 1995-06-06 | 2006-11-14 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | High aperture LCD with insulating color filters overlapping bus lines on active substrate |
| US7445948B2 (en) | 1995-06-06 | 2008-11-04 | Lg. Display Co., Ltd. | Method of making a TFT array with photo-imageable insulating layer over address lines |
| US7531838B2 (en) | 1995-06-06 | 2009-05-12 | Lg Display Co., Ltd. | LCD with increased pixel opening sizes |
| US7745830B2 (en) | 1995-06-06 | 2010-06-29 | Lg Display Co., Ltd. | LCD with increased pixel opening sizes |
| US8198110B2 (en) | 1995-06-06 | 2012-06-12 | Lg Display Co., Ltd. | Method of making a TFT array with photo-imageable insulating layer over address lines |
| WO2003084038A3 (en) * | 2002-03-29 | 2004-03-25 | Intersil Inc | Multi-phase dc-dc converter with balanced current between modules and different input voltages |
| US6897636B2 (en) | 2002-03-29 | 2005-05-24 | Intersil Americas Inc. | Method and circuit for scaling and balancing input and output currents in a multi-phase DC-DC converter using different input voltages |
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