JPH05203936A - 液晶電気光学素子 - Google Patents

液晶電気光学素子

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JPH05203936A
JPH05203936A JP1426692A JP1426692A JPH05203936A JP H05203936 A JPH05203936 A JP H05203936A JP 1426692 A JP1426692 A JP 1426692A JP 1426692 A JP1426692 A JP 1426692A JP H05203936 A JPH05203936 A JP H05203936A
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JP
Japan
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insulating film
liquid crystal
film
unevenness
display
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Pending
Application number
JP1426692A
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English (en)
Inventor
Kokichi Ito
耕吉 伊藤
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Seiko Instruments Inc
Original Assignee
Seiko Instruments Inc
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 高重合度ＳｉＯ2 を有する絶縁膜を採用し
て、絶縁膜表面の凹凸を制御することで配向膜の密着性
を上げ、ラビングキズによる表示ムラを起こさない液晶
表示素子を可能にする。 【構成】 絶縁膜中に、粒径１００〜６００Å、配合比
１０〜６０％の高重合度ＳｉＯ2 を混合する。これによ
り表面の凹凸が大きくなった絶縁膜を透明導電膜を有す
るガラス基板に形成し、この上に配向膜を形成し、ラビ
ング処理の後外周シール剤を形成し、これを張り合わせ
た後間隙に液晶を封入した液晶表示素子。 【効果】 絶縁膜上の配向膜の密着性を向上させたこと
で、表示ムラの無い均一な表示状態を得る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、パーソナルコンピュ
ータ、ワードプロセッサの画像表示装置、計測機の表示
パネル、自動車のインストルパネルなどに使用される液
晶電気光学素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２はパーソナルコンピュータ、ワード
プロセッサなどの大型液晶表示素子における縦断面図で
ある。通常の液晶表示素子の構成は、液晶２９、 液晶の
配列を制御する配向膜２７、２６、 液晶に電圧を印加す
る透明導電膜２４、 ２３、 ガラス基板２１、 ２２などか
ら成る。
【０００３】しかし近年開発されたＳＴＮ、ＴＦＴ等の
大型液晶表示素子においては、ゴミ、異物による上下基
板間の短絡を防ぐことを目的として、少なくとも一方の
基板にＣＶＤ法、印刷法等の製法で、ＳｉＯ2 、 ＴｉＯ
2 、 ＺｒＯ2 、 またはこれらの混合物を絶縁膜２３とし
て形成することが多い。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のように
絶縁膜を形成した場合、この上に形成する配向膜との良
好な密着性が得られず、液晶分子を配列させる為に行な
う、ナイロン、綿等で配向膜表面を擦るラビング処理に
よって配向膜表面にキズが発生してこの部分に表示ムラ
が起こるという課題があった。
【０００５】また、従来デジタルウオッチ、電卓等に利
用されてきた表示容量が小さくコントラストの低いＴＮ
型液晶表示素子から、大容量表示実現に向けて開発され
た、高コントラストのＳＴＮ型液晶表示素子の量産化に
よって、従来見逃されていたような僅かなムラも認識さ
れるようになってきた。そこで、この発明の目的は、従
来のこのような課題を解決するため、配向膜が良好に密
着する表面を持った絶縁膜を得ることである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、この発明は絶縁膜を形成する材料において、１００
〜６００Åの粒径を持った高重合度シリカを１０〜６０
％混合することによって、絶縁膜表面の凹凸を大きくす
る。この凹凸により、この上に形成する配向膜の密着性
が向上し、ラビング処理におけるキズの発生による表示
ムラが発生しない、良好な表示を得られるようにした。
【０００７】
【作用】上記のように構成された液晶表示素子において
は、絶縁膜中の高重合度シリカが絶縁膜表面の凹凸を大
きくすることによって、絶縁膜上の配向膜の密着性を向
上させるように作用して、キズ等の表示ムラの無い良好
な液晶表示素子を得られることとなる。
【０００８】
【実施例】以下に、この発明の実施例を図に基づいて説
明する。図１に本発明の液晶表示素子の概略図を示す。
この図おいて、所定の位置に配置した透明導電膜１３を
持ったガラス基板１１の上に下記組成の絶縁膜１５を印
刷法によって１０００Åの厚さに形成した。
【０００９】 この基板と、透明導電膜１４を配置したガラス基板１２
にそれぞれ配向膜１６、１７を形成した後ラビング処理
を施し、さらに外周シール剤１８を形成した後に加熱、
圧着し、液晶１９を封入してＳＴＮ型液晶表示素子とし
た。
【００１０】この液晶表示素子においては、ラビング処
理によって配向膜表面にキズは発生せず、表示ムラの無
い均一で良好な表示状態が得られた。この時の高重合度
ＳｉＯ2 の粒径は４５０Åであり、１００〜６００Åの
粒径であった。また、高重合度シリカの配合比率を１０
〜６０％の配合比としても実施例と同様に、良好な表示
状態が得られ、また絶縁効果も十分であった。
【００１１】ここにおいて、高重合度ＳｉＯ2 の粒径６
００Å以上では、表面凹凸が大きすぎることによる表示
ムラ、配合比６０％以上では絶縁膜の硬度の劣化による
絶縁性不足となった。
【００１２】
【発明の効果】この発明は、以上説明したように、絶縁
膜中に高重合度シリカを混合するという構成としたので
絶縁膜表面の適度な凹凸によって配向膜の密着性が向上
し、ラビング処理で発生するキズによる表示ムラの改善
に効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の液晶表示素子の縦断面図である。
【図２】従来の液晶表示素子の縦断面図である。
【符号の説明】
１１、 １２、 ２１、 ２２ ガラス基板 １３、 １４、 ２３、 ２４ 透明導電膜 １５、 ２５ 絶縁膜 １６、 １７、 ２６、 ２７ 配向膜 １８、 ２８ 外周シール剤 １９、 ２９ 液晶

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 少なくとも一方の基板上に電極と絶縁膜
    と配向膜が積層形成された基板と、他方の基板とを一定
    の間隙を持って張り合わせた後、該間隙に液晶を充填し
    て成る液晶表示素子において、該絶縁膜に高重合度シリ
    カを混入させたことを特徴とする液晶電気光学素子。
  2. 【請求項２】 該絶縁膜に含まれる該高重合度シリカの
    粒径は１００〜６００Åであることを特徴とする請求項
    １記載の液晶電気光学素子。
  3. 【請求項３】 該絶縁膜に含まれる該高重合度シリカの
    比率は１０〜６０％であることを特徴とする請求項１記
    載の液晶電気光学素子。
JP1426692A 1992-01-29 1992-01-29 液晶電気光学素子 Pending JPH05203936A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6038008A (en) * 1996-11-29 2000-03-14 Lg Electronics Inc. Method of making LCD having roughened steps of the protection layer
US6372534B1 (en) 1995-06-06 2002-04-16 Lg. Philips Lcd Co., Ltd Method of making a TFT array with photo-imageable insulating layer over address lines

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US7445948B2 (en) 1995-06-06 2008-11-04 Lg. Display Co., Ltd. Method of making a TFT array with photo-imageable insulating layer over address lines
US7531838B2 (en) 1995-06-06 2009-05-12 Lg Display Co., Ltd. LCD with increased pixel opening sizes
US7745830B2 (en) 1995-06-06 2010-06-29 Lg Display Co., Ltd. LCD with increased pixel opening sizes
US8198110B2 (en) 1995-06-06 2012-06-12 Lg Display Co., Ltd. Method of making a TFT array with photo-imageable insulating layer over address lines
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