JP6305047B2

JP6305047B2 - 導電膜構造およびそれを用いた半導体装置、アクティブマトリックス基板、タッチパネル基板およびタッチパネル付表示装置、並びに配線または電極の形成方法

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Publication number: JP6305047B2
Application number: JP2013260100A
Authority: JP
Inventors: 有輔山縣; 井上　和式; 和式井上; 正美林; 賢一宮本; 展昭石賀; 津村　直樹; 直樹津村
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2013-12-17
Filing date: 2013-12-17
Publication date: 2018-04-04
Anticipated expiration: 2033-12-17
Also published as: JP2015118982A

Description

本発明は、半導体装置の配線または電極として用いられる導電膜構造に関し、特に、導電膜による光の反射を抑制する技術に関する。

電気光学表示装置（例えば、液晶表示装置、有機ＥＬ（Electro-Luminescence）表示装置、タッチパネルデバイス等）などの半導体装置の配線または電極を構成する導電膜としては、一般に、電気抵抗が低いＡｌ（アルミニウム）やＡｌを主成分とする合金（Ａｌ合金からなる膜（Ａｌ膜）が用いられている。Ａｌ膜を用いて形成された金属配線は、可視光領域の反射率が高い材料としても知られている。例えば、表示装置の配線が高い反射率を有している場合、外部から入射した光やバックライトから入射した光が、表示装置内の配線で反射し（以下、これを「内部反射」という）、表示品位の低下を引き起こすことが懸念される。

また、例えば金属配線は基板との密着性が良くないため、例えば静電容量方式のタッチパネル（タッチセンサ）において金属の検出配線（指などの指示体のタッチを検出するための配線）を用いる場合、検出配線のパターニング時に剥離しやすいという問題が生じる。さらに、Ａｌ膜等の金属配線は耐食性が低いため、例えば大気中放置や熱処理によって金属配線の表面が酸化して、反射率が変化したり高抵抗化したりする。このように、電気光学表示装置の配線に用いられる金属膜に関しては、応用面では多くの技術課題を有している。

例えば、アクティブマトリックス型の液晶表示装置において、各画素のスイッチング素子としての薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor；ＴＦＴ）が配設されたアクティブマトリックス基板（アレイ基板）には、画素間の領域に金属のソース配線およびゲート配線が延在する構成となる。アクティブマトリックス基板に対向配置されるカラーフィルター基板（対向基板）には、各画素からの光漏れを防止するブラックマトリックスが画素間の領域に設けられるが、このブラックマトリクスは、アクティブマトリックス基板のソース配線やゲート配線への光を遮って、液晶表示装置での内部反射を防止する働きも有している。ブラックマトリックスの幅は、アクティブマトリックス基板とカラーフィルター基板との位置合わせ精度を考慮して、ソース配線やゲート配線の幅よりも広く設計する必要があり、これが画素の開口率を下げる要因の一つとなっている。このことは、より高い表示品位を得るために精細度を高める場合に大きな問題となる。また、内部反射によりＴＦＴのチャネル部に光が到達すると、ＴＦＴの電気特性を悪化させることも知られている。

さらに、金属の検出配線を用いたタッチパネルを表示装置の前面に配置したタッチパネル付表示装置では、検出配線での光の反射により検出配線が視認されやすく、画面の視認性低下を招く要因となっている。以上のような背景から、配線の低反射率化が求められている。

また、タッチパネルは優れたインターフェースとして注目されている。特にＰＣＴ（Projected Capacitive Touchscreen）方式のタッチパネルは、数ｍｍの厚さがある保護板を介するタッチも検出可能であり、堅牢性に優れ、超寿命であるなどの利点を有している。ＰＣＴ方式のタッチパネルは、タッチによる静電容量の変化を検出するための検出配線として、平面視で横方向（行方向）に延在する複数の第１検出配線と、平面視で縦方向（列方向）に延在する複数の第２検出配線とが、絶縁膜を介して交差するように配設された構造を有している。検出配線の視認性の問題を防止するために、検出用配線としては、酸化インジウムなどの透明導電膜が材料として用いられることが多い。

その一方で、透明導電膜は抵抗が比較的高いことから、透明導電膜からなる検出配線を有するタッチパネルは大型化に限界があるため、検出配線を微細な金属配線とすることが検討されている。しかし、金属からなる検出配線は反射率が高いため、上記した検出配線の視認性の問題を解決することが課題となる。

Ａｌ等の金属配線の反射率を低下させるために、配線材料に新たな元素を添加することも考えられるが、金属配線の抵抗（比抵抗値）が増加する問題が生じる。そのため、低抵抗でかつ低反射率の配線が求められている。

例えば、下記の特許文献１には、Ａｌ合金の上層または下層あるいはその両方に、反射防止層として反射率の低い金属層を設けた多層構造の配線が提案されている。また、下記の特許文献２には、金属膜の上にカーボンブラックや染料、顔料を含有した樹脂（塗料を含む）を形成する技術も提案されている。また、特許文献３，４には、金属配線の上面および側面を覆うように反射防止膜を形成する技術が開示されている。

特開２０００−２０６５６２号公報特開２０１１−４３８３０号公報特開平５−２１８７号公報特許第３７９２２７７号

上記したように、Ａｌ等の金属配線の反射率を低下させるために、配線材料に新たな元素を添加する手法では、金属配線の抵抗が増加する問題が生じる。

また、特許文献１のように、Ａｌ合金の上層または下層あるいはその両方に、反射率の低い金属層を設けた多層構造の配線を用いる場合、多層構造の金属膜を形成するために複数回の成膜処理が必要となり製造工程が複雑化する問題がある。加えて、多層構造の金属膜をパターニングする際、各層の界面で庇形状やくびれ形状が生じてパターン精度が低下し、パターン不良を引き起こすことも懸念される。また、例えばスパッタ法により多層構造を形成する場合には、スパッタ条件に応じて各層の表面荒れや凹凸形状の違いにより反射散逸成分が影響を受けるため、均一な低反射膜を得るためには高い制御性が必要となる。

さらに、特許文献１では、配線の上面または下面に反射率の低い層が設けられるため、金属配線の上面または下面の低反射率化は可能であるが、側面の反射率は高いままである。そのため、タッチパネルや表示装置に斜め方向から入射した光（拡散光）に起因する内部反射までは抑制しきれない。

特許文献２のように、金属膜の上にカーボンブラックや染料、顔料を含有した樹脂（塗料を含む）を形成する場合、それらカーボンブラックや染料、顔料からの不純物、イオン性汚染が、製造されるデバイスやその製造設備へ影響を与えることが懸念される。

特許文献３，４のように、金属配線の上面および側面を覆うように反射防止膜を形成する場合、金属配線の上面だけでなく側面の反射率も低くできるが、金属配線のパターニングとは別の工程で、反射防止膜を金属配線に沿った形状にパターニングする必要があり、製造工程が複雑化する。また、反射防止膜を含めた配線幅が大きくなるため、例えばタッチパネルや透過型表示装置の開口率が低下し、かえって表示品位が低下することも懸念される。

本発明は以上のような課題を解決するためになされたものであり、不純物汚染の心配のない比較的簡単なプロセスで形成可能であり、上面および側面の反射率の低い導電膜構造、並びにそれを用いた配線または電極を備える半導体装置を提供することを目的とする。

本発明に係る導電膜構造は、基板上に形成された導電膜と、前記導電膜の上面および側面の表層部のみに形成され、前記導電膜よりも反射率の低い反射防止層とを備え、前記反射防止層は、前記導電膜にインジウムまたはインジウム酸化物が導入された層である。

本発明によれば、導電膜の上面と側面の表層部に、当該導電膜とインジウム化合物とが反応して形成された反射防止層が形成されているため、反射防止層よりも内部の導電膜における電気的特性を損なうことがない。また、本発明に係る反射防止層は、導電膜をパターニングしてからインジウム化合物を成膜し、アニールを行った後に未反応のインジウム化合物を除去することによって形成できるため、パターニング工程（写真製版工程）の増加による製造工程の複雑化は伴わない。さらに、反射防止層はカーボンブラック、染料、顔料を含まないため、製造されるデバイスやその製造設備へのイオン汚染の問題も伴わない。さらに、導電膜の表層部を反応させて反射防止層にしているために、配線幅の増加も伴わず、例えばタッチパネルや透過型表示装置の配線または電極に用いた場合でも、それらの開口率の低下は抑制される。

実施の形態１に係る導電膜構造を模式的に示す断面図である。実施の形態１に係る導電膜構造の反射率の波長依存性を示すグラフである。実施の形態２に係る液晶表示装置のアクティブマトリックス基板の構成を示す平面図である。実施の形態２に係る液晶表示装置のアクティブマトリックス基板の構成を示す断面図である。実施の形態２の液晶表示装置の製造方法を示す断面図である。実施の形態２の液晶表示装置の製造方法を示す断面図である。実施の形態２の液晶表示装置の製造方法を示す断面図である。実施の形態２の液晶表示装置の製造方法を示す断面図である。実施の形態２の液晶表示装置の製造方法を示す断面図である。実施の形態２の液晶表示装置の製造方法を示す断面図である。実施の形態２の液晶表示装置の製造方法を示す断面図である。実施の形態２の液晶表示装置の製造方法を示す断面図である。実施の形態３の液晶表示装置の構造を示す断面図である。実施の形態３の液晶表示装置の製造方法を示す断面図である。実施の形態３の液晶表示装置の製造方法を示す断面図である。実施の形態３の液晶表示装置の製造方法を示す断面図である。実施の形態３の液晶表示装置の製造方法を示す断面図である。実施の形態３の液晶表示装置の製造方法を示す断面図である。実施の形態４のタッチパネルの構成を示す平面図である。実施の形態４のタッチパネルの構成を示す断面図である。実施の形態４のタッチパネル基板の製造方法を示す断面図である。実施の形態４のタッチパネル基板の製造方法を示す断面図である。実施の形態４のタッチパネル基板の製造方法を示す断面図である。実施の形態４のタッチパネル基板の製造方法を示す断面図である。実施の形態４のタッチパネル基板の製造方法を示す断面図である。実施の形態４のタッチパネル基板の製造方法を示す断面図である。実施の形態４のタッチパネル基板の製造方法を示す断面図である。実施の形態４のタッチパネル基板の製造方法を示す断面図である。実施の形態４のタッチパネル基板の製造方法を示す断面図である。実施の形態４のタッチパネル基板の製造方法を示す断面図である。実施の形態４のタッチパネル基板の製造方法を示す断面図である。実施の形態４のタッチパネル基板の製造方法を示す断面図である。実施の形態４のタッチパネル基板の製造方法を示す断面図である。実施の形態５の半導体装置における導電膜構造を模式的に示す断面図である。実施の形態６の半導体装置における導電膜構造を模式的に示す断面図である。

＜実施の形態１＞
本発明者らは、ＡｌまたはＡｌ合金（以下、「Ａｌ合金」と総称する）等からなる導電膜上に、少なくともインジウム化合物（例えばインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）等）をスパッタ法で積層させ、２３０℃以上のアニール（焼成処理）を施して、導電膜とインジウム化合物を反応させた後、未反応のインジウム化合物をエッチングにより除去すると、導電膜の表層部に、インジウムまたはインジウム酸化物を含む低反射層を形成できることを見出した。

図１は、本発明の実施の形態１に係る導電膜構造を模式的に示す断面図である。この導電膜構造は、半導体装置の配線および電極に用いることができる。図１のように、実施の形態１に係る導電膜構造は、透明絶縁性基板１１０上に形成されたＡｌ合金等からなる導電膜１１１と、その導電膜１１１の上面および側面の表層部に形成された反射防止層１１１ａとから構成されている。

反射防止層１１１ａは、導電膜１１１上にインジウム化合物をスパッタ法で堆積し、２３０℃以上のアニールを施して導電膜１１１とインジウム化合物を界面反応させた後、未反応のインジウム化合物をエッチングで除去して得たものである。本実施の形態では、上記アニールは大気中で２３０℃、６０分の条件で行い、インジウム化合物のエッチングは、エッチング液（例えば、関東化学株式会社製の「ＩＴＯ−０７Ｎ」）を用いたウェットエッチングとした。

図２は、実施の形態１に係る導電膜構造の反射率（対標準白色板比）の波長依存性を示すグラフである。図２において、実施例１（反射率Ｌ１）は、従来の配線材料であるＡｌ合金からなる導電膜１１１に反射防止層１１１ａを設けた導電膜構造であり、実施例２（反射率Ｌ２）は、窒化Ａｌからなる導電膜１１１に反射防止層１１１ａを設けた導電膜構造である。また、比較例１（反射率Ｌ１１）は、反射防止層１１１ａを有しない従来のＡｌ合金からなる導電膜構造であり、比較例２（反射率Ｌ１２）は、反射防止層１１１ａを有しない窒化Ａｌ膜からなる導電膜構造である。なお、窒化Ａｌは、従来のＡｌ合金よりも反射率が低い（Ｌ１１＞Ｌ１２）。

図２のように、比較例１は、波長３００〜８００ｎｍの光に対する反射率が８５％以上と高いが、実施例１は、比較例１に比べて反射率が低減されており、特に、波長３００〜５００ｎｍの光に対する反射率（平均反射率）が５０％以下に低減されている。同様に、実施例２は、比較例２に比べて反射率が低減されており、特に、波長３００〜５００ｎｍの光に対する反射率が２０％以下に抑えられている。

また、実施例２では、実施例１よりもさらに反射率が低減されている。つまり、実施の形態１の導電膜構造では、導電膜１１１として反射率がより低い金属を用いれば、反射防止層１１１ａを設けた後の反射率をより低くできる。

このように、反射防止層１１１ａを有する本実施の形態に係る導電膜構造は、反射防止層１１１ａを有しない従来のものに比べて反射率が低い。よって、本実施の形態に係る導電膜構造を半導体装置の配線や電極に用いることによって、反射率の低い配線や電極を実現できる。また、反射防止層１１１ａは、導電膜構造の表層部のみに形成されているため、導電膜１１１の材料に新たな元素を添加する場合とは異なり配線構造全体の抵抗値が増大することはない。よって、導電膜１１１の材料は、デバイスに必要とされる電気特性に応じて選択することが可能である。

また、反射防止層１１１ａは、導電膜１１１を特定の形状（配線または電極の形状）にパターニングした後に、インジウム化合物の堆積とアニールを行うことで形成されるので、導電膜構造の上面と側面の両方に形成される。よって、導電膜構造の上面だけでなく側面の反射率を低減させることができる。

さらに、反射防止層１１１ａは、導電膜１１１とインジウム化合物との反応により、導電膜１１１の表層部に自己整合的に形成され、余剰な未反応のインジウム化合物はウェットエッチングによって選択的に除去できる。つまり、反射防止層１１１ａの形成にはパターニング工程（写真製版工程）は必要ない。そのため、製造工程の複雑化は抑えられており、生産能力を低下させることがない。また、反射防止層１１１ａにはカーボンブラック、染料、顔料などを含まないため、製造されるデバイスやその製造設備へのイオン汚染の問題も伴わない。

＜実施の形態２＞
実施の形態２では、実施の形態１の導電膜構造（図１）を用いて形成した配線および電極を、液晶表示装置に適用する。ここでは、ＴＮ（Twisted Nematic）モードの透過型液晶表示装置のアクティブマトリックス基板に適用する例を示す。

図３は、実施の形態２に係る液晶表示装置に用いられるアクティブマトリックス基板１００の構成を示す平面図である。また、図４は、アクティブマトリックス基板１００の断面図であり、右から順に、図３に示すＡ１−Ａ２線、Ｂ１−Ｂ２線およびＣ１−Ｃ２線に対応する各断面が示されている。

Ａ１−Ａ２線に沿った断面は、ＴＦＴ１０や透明画素電極１２が配設された「画素領域」に対応する。Ｂ１−Ｂ２線に沿った断面は、ゲート配線２１の端部に設けられるゲート端子２２の形成領域に対応する。Ｃ１−Ｃ２線に沿った断面は、ソース配線６１の端部に設けられるソース端子６２の形成領域に対応する。

図３のように、アクティブマトリックス基板１００には、平面視で横方向に延在する複数のゲート配線２１と、平面視で縦方向に延在する複数のソース配線６１とが、交差するように配設されている。隣り合う２本のゲート配線２１と、隣り合う２本のソース配線６１とによって規定される各領域が、画素領域となる。従って、アクティブマトリックス基板１００には、複数の画素がマトリックス状に並ぶことになる。複数の画素が配設された領域を「表示領域」という。

画素領域には、透明画素電極１２およびそれに接続したＴＦＴ１０が配設されている。透明画素電極１２は、画素領域の大半の部分を覆うように配置され、ＴＦＴ１０は、ゲート配線２１とソース配線６１との交点近傍に配置されている。

ＴＦＴ１０は、チャネルが形成される半導体能動膜４と、ゲート配線２１に接続したゲート電極２と、ゲート端子２２に接続したソース電極６と、透明画素電極１２に接続したドレイン電極７とを有している。図３に示すように、ゲート電極２は、ゲート配線２１の一部分によって構成されており、ソース電極６は、ソース配線６１から分岐した部分によって構成されている。また、ＴＦＴ１０のドレイン電極７は、コンタクトホール８１を介して透明画素電極１２と接続している。この構成により、ＴＦＴ１０は、ゲート配線２１に供給されるゲート信号（走査信号）に応じてオン／オフが切り替わり、ＴＦＴ１０がオンしたときにソース配線６１に供給されている表示信号に応じた電圧（表示電圧）が透明画素電極１２に与えられることになる。

また、アクティブマトリックス基板１００には、透明画素電極１２との間で表示電圧を保持する容量を形成する補助容量配線１３が配設されている。補助容量配線１３は、ゲート配線２１と平行に延在しているが、各画素領域内では透明画素電極１２の縁の部分と重複するように、平面視でΠ（パイ）字状に形成されている。

さらに、ゲート配線２１の端部には、ゲート端子２２が形成されており、その上にはコンタクトホール８２を介してゲート端子２２に接続したゲート端子パッド２３が設けられている。同様に、ソース配線６１の端部には、ソース端子６２が形成されており、その上にはコンタクトホール８３を介してソース端子６２に接続したソース端子パッド６３が設けられている。なお、ゲート端子２２およびソース端子６２は、アクティブマトリックス基板１００の表示領域から数ｍｍ〜数十ｍｍ程度離れた位置に形成されている。

図４のように、アクティブマトリックス基板１００は、ガラス等の透明絶縁性基板１を用いて形成されている。ゲート電極２、ゲート配線２１、ゲート端子２２および補助容量配線１３は、同じ第１導電膜を用いて、透明絶縁性基板１上に形成されている。ゲート電極２、ゲート配線２１、ゲート端子２２を覆うように、例えばＳｉＮｘ膜などからなる絶縁膜２（図３では不図示）が、透明絶縁性基板１の全面に形成されている。この絶縁膜３は、ＴＦＴ１０のゲート絶縁膜として機能するため、以下では「ゲート絶縁膜３」と称す。

ＴＦＴ１０の半導体能動膜４は、ゲート絶縁膜３の上に、ゲート電極２と重複するように形成されている。半導体能動膜４上には、ソース電極６およびドレイン電極７が形成されるが、半導体能動膜４におけるソース電極６との接続部分にはオーミック低抵抗膜４６が設けられ、ドレイン電極７との接続部分にはオーミック低抵抗膜４７が設けられている（図３では不図示）。半導体能動膜４は、例えば、不純物を含まないＳｉ（シリコン）膜であり、オーミック低抵抗膜４６，４７は、例えば、不純物を添加したＳｉ膜である。

ソース電極６、ドレイン電極７、ソース配線６１およびソース端子６２は、同じ第２導電膜を用いて、ゲート絶縁膜３上に形成されている。ソース電極６およびドレイン電極７は、一部が半導体能動膜４上に形成されており、ソース電極６はオーミック低抵抗膜４６を介して半導体能動膜４に接続し、ドレイン電極７はオーミック低抵抗膜４７を介してドレイン電極７に接続している。ソース電極６とドレイン電極７は離間しており、その間の半導体能動膜４の部分がバックチャネル部４１である。

実施の形態２では、これら第２導電膜を用いて形成された各要素に対して、実施の形態１の導電膜構造（図１）を適用している。すなわち、ソース電極６、ドレイン電極７、ソース配線６１およびソース端子６２の上面および側面の表層部には、それぞれインジウムまたはインジウム酸化物を含む反射防止層６ａ，７ａ，６１ａ，６２ａが形成されている。

ソース電極６、ドレイン電極７、ソース配線６１およびソース端子６２を覆うように、例えばＳｉＮｘ膜などからなる層間絶縁膜１１（図３では不図示）が、透明絶縁性基板１の全面に形成されている。層間絶縁膜１１には、ドレイン電極７に達するコンタクトホール８１（ドレイン電極コンタクトホール）、ゲート端子２２に達するコンタクトホール８２（ゲート端子コンタクトホール）、および、ソース端子６２に達するコンタクトホール８３（ソース端子コンタクトホール）が形成されている（コンタクトホール８２は、層間絶縁膜１１の下のゲート絶縁膜３も貫通している）。ドレイン電極７において、コンタクトホール８１に露出した部分の反射防止層７ａは除去されている。また、ソース端子６２において、コンタクトホール８３に露出した部分の反射防止層６２ａは除去されている。

透明画素電極１２、ゲート端子パッド２３およびソース端子パッド６３は、同じ透明導電膜を用いて、層間絶縁膜１１上に形成されている。透明画素電極１２は、コンタクトホール８１を介してドレイン電極７に接続している。ゲート端子パッド２３は、コンタクトホール８２を介してゲート端子２２に接続している。ソース端子パッド６３は、コンタクトホール８３を介してソース端子６２に接続している。

図示は省略するが、アクティブマトリックス基板１００は、対向電極やカラーフィルター等を備えた対向基板とスペーサを介して貼り合わせられる。アクティブマトリックス基板１００と対向基板との間の隙間に液晶が注入されて封止されることで液晶表示パネルが形成され、さらに液晶表示パネルの外側に偏光板、位相差板、バックライトユニット等を配設することによって液晶表示装置が完成する。

実施の形態２に係るアクティブマトリックス基板１００においては、ソース電極６、ドレイン電極７、ソース配線６１およびソース端子６２が、上面および側面の表層部に反射防止層６ａ，７ａ，６１ａ，６２ａを有しており、それらの光の反射率が低く抑えられている。また、反射防止層６ａ，７ａ，６１ａ，６２ａは、ソース電極６、ドレイン電極７、ソース配線６１およびソース端子６２の上面だけでなく側面にも形成されているため、斜め方向からの光の反射も抑制される。従って、液晶表示装置の内部反射を軽減できるという効果が得られる。

特に、ソース電極６、ドレイン電極７およびソース配線６１は表示領域に配設されるため、それらによる光の反射が抑制されることで、表示画面のコントラストの低下が防止される。また、ＴＦＴ１０のバックチャネル部４１へ光が入射すると、オフ電流が増加するため表示電圧が低下して画質の劣化を招くが、ソース電極６、ドレイン電極７およびソース配線６１による光の反射が抑制されることでこの問題の発生も防止される。

さらに、反射防止層６ａ，７ａ，６１ａ，６２ａは、染料および顔料、カーボンブラックを含まないため、液晶表示装置の信頼性を低下させることがない。また、ソース電極６、ドレイン電極７、ソース配線６１およびソース端子６２を、別の反射防止膜で覆うのとは異なり、実質的な配線幅の増加がないので、液晶表示装置の開口率の低下は伴わない。

なお、本実施の形態では、ＴＦＴ１０がボトムゲート型ＴＦＴである例を示したが、本発明に係る導電膜構造は、トップゲート型のＴＦＴを備えるアクティブマトリックス基板の配線および電極にも適用可能である。

以下、実施の形態２に係るアクティブマトリックス基板１００の製造方法を説明する。図５〜図１２は、その製造方法を示す断面図である。

まず、透明絶縁性基板１上に、ゲート電極２、補助容量配線１３等の材料としての第１導電膜（例えばＡｌ合金など）を成膜し、写真製版技術を用いてパターニングすることで、ゲート電極２、ゲート配線２１、ゲート端子２２、補助容量配線１３を形成する。続いて、それらを覆うように、例えばＳｉＮｘ膜などをＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法で成膜することで、ゲート絶縁膜３を形成する。

次に、ゲート絶縁膜３上に、不純物を含まないＳｉ膜と、不純物を添加したＳｉ膜とをこの順に成膜し、それらを写真製版技術を用いてパターニングすることで、半導体能動膜４のパターンを形成する。このとき、半導体能動膜４の上に、不純物を添加したＳｉ膜からなるオーミック低抵抗膜４５が形成された構成となるが、この時点では、オーミック低抵抗膜４５は、ソース電極６側とドレイン電極７側に分離されていない。

続いて、ソース電極６、ドレイン電極７等の材料としての第２導電膜９１をスパッタ法で成膜する（図５）。例えば、第２導電膜９１として、Ａｌ合金を２００ｎｍの厚さで成膜する。そして、写真製版技術を用いて第２導電膜９１をパターニングすることで、ソース電極６、ドレイン電極７、ソース配線６１およびソース端子６２を形成し、さらに、ドライエッチングにより、ソース電極６とドレイン電極７との間に露出したオーミック低抵抗膜４５を除去する。それにより、オーミック低抵抗膜４５がソース電極６側のオーミック低抵抗膜４６とドレイン電極７側のオーミック低抵抗膜４７とに分離されると共に、半導体能動膜４のバックチャネル部４１が露出する（図６）。その結果、透明絶縁性基板１上にＴＦＴ１０が形成される。

次に、ソース電極６、ドレイン電極７、ソース配線６１およびソース端子６２を覆うように、インジウム化合物９２をスパッタ法にて成膜する（図７）。このとき、ソース電極６、ドレイン電極７、ソース配線６１およびソース端子６２は、上面だけでなく側面もインジウム化合物９２によって覆われる。例えば、インジウム化合物９２として、ＩＺＯを８０ｎｍの厚さで成膜する。

そして、２３０℃以上のアニールによるベーク処理を行うことで、ソース電極６、ドレイン電極７、ソース配線６１およびソース端子６２とインジウム化合物９２とを界面反応させる。それにより、ソース電極６、ドレイン電極７、ソース配線６１およびソース端子６２の上面および側面の表層部に、反射防止層６ａ，７ａ，６１ａ，６２ａが形成される（図８）。このアニールによってインジウム化合物９２が結晶化すると、弱酸でのエッチングが困難となるため、アニールの温度は、インジウム化合物９２の結晶化温度以下であることが望ましい。本実施の形態では２３０℃とした。

その後、未反応のインジウム化合物９２をエッチングにより除去する（図９）。本実施の形態では、シュウ酸系のエッチング液であるＩＴＯ−０７Ｎ（関東化学株式会社製）に、透明絶縁性基板１を２５℃で１分間浸漬させることによって、インジウム化合物９２を除去した。

続いて、層間絶縁膜１１をＣＶＤ法で成膜する（図１０）。例えば、層間絶縁膜１１として、ＳｉＮｘ膜を４００ｎｍの厚さで成膜する。そして、写真製版技術を用いたドライエッチングにより、層間絶縁膜１１およびゲート絶縁膜３に、コンタクトホール８１〜８３を形成する（図１１）。このドライエッチングの際、コンタクトホール８１に露出したドレイン電極７の反射防止層７ａ、並びに、コンタクトホール８３に露出したソース端子６２の反射防止層６２ａは除去する。

その後、コンタクトホール８１〜８３内を含む層間絶縁膜１１上に、透明画素電極１２等の材料としての透明導電膜を成膜し、それを写真製版技術を用いてパターニングすることにより、透明画素電極１２、ゲート端子パッド２３およびソース端子パッド６３を形成する（図１２）。透明画素電極１２は、コンタクトホール８１を介してドレイン電極７に接続され、ゲート端子パッド２３はコンタクトホール８２を介してゲート端子２２に接続され、ソース端子パッド６３はコンタクトホール８３を介してソース端子６２に接続される。このとき、コンタクトホール８１〜８３の底部にはインジウムを含む反射防止層が形成されていないため、良好な電気的接続が得られる。

以上により、反射率の低いソース電極６、ドレイン電極７、ソース配線６１およびソース端子６２を備えた実施の形態２のアクティブマトリックス基板１００が完成する。

このように、実施の形態２のアクティブマトリックス基板１００の製造方法では、従来の（反射防止層を有しない）アクティブマトリックス基板の製造方法に対し、パターニング工程の回数を増やすことなく、ソース電極６、ドレイン電極７、ソース配線６１およびソース端子６２に反射防止層６ａ，７ａ，６１ａ，６２ａを設けることができる。よって、製造工程の複雑化およびそれに伴う製造コストの増加は抑制されている。

実施の形態２においては、ＴＮモードの液晶表示装置のアクティブマトリックス基板の例を示したが、本発明は、他の液晶駆動モード、例えばＩＰＳ（In-Plane Switching）モード（「ＩＰＳ」は登録商標）やＦＦＳ（Fringe Field Switching）方モード、ＶＡ（Vertical Alignment）モードのアクティブマトリックス基板に対しても適用可能である。すなわち、液晶の駆動モード（液晶分子の配向方向や駆動方法）に関係なく、本発明に係る導電膜構造を用いた配線を適用することができる。また、本発明に係る導電膜構造は、液晶表示装置だけでなく、例えば有機ＥＬディスプレイなどの他の表示装置の配線および電極に適用しても、同様に反射低減の効果が得られる。

＜実施の形態３＞
上記の実施の形態２では、実施の形態１に係る導電膜構造（図１）を、アクティブマトリックス基板１００のソース電極６、ドレイン電極７、ソース配線６１およびソース端子６２、つまり第２導電膜で形成する要素に適用した。実施の形態３では、さらに、第１導電膜で形成する要素、すなわちゲート電極２、ゲート配線２１およびゲート端子２２に適用する。

実施の形態３でも、ＴＮモードの透過型液晶表示装置のアクティブマトリックス基板１００を例として示す。実施の形態３のアクティブマトリックス基板１００の平面構造は図３と同様である。

図１３は、実施の形態３に係るアクティブマトリックス基板１００の構成を示す断面図であり、右から順に、図３に示すＡ１−Ａ２線、Ｂ１−Ｂ２線およびＣ１−Ｃ２線に対応する各断面が示されている。図１３においては、図３および図４に示したものと同様の要素には、同一符号を付してあるので、それらの説明は省略する。

図１３から分かるように、実施の形態３のアクティブマトリックス基板１００の構成は実施の形態２（図４）とほぼ同様であるが、第１導電膜からなるゲート電極２、補助容量配線１３、ゲート配線２１およびゲート端子２２の上面および側面の表層部に、インジウムまたはインジウム酸化物を含む反射防止層２ａ，１３ａ，２１ａ，２２ａがそれぞれ形成されている。ただし、ゲート端子２２におけるコンタクトホール８２に露出した部分の反射防止層２２ａは除去されている。それにより、ゲート端子２２とゲート端子パッド２３との間で、良好な電気的接続が得られる。

また、第２導電膜からなるソース電極６、ドレイン電極７、ソース配線６１およびソース端子６２には、実施の形態２と同様に、反射防止層６ａ，７ａ，６１ａ，６２ａがそれぞれ形成されている。

従って、実施の形態２と同様に、液晶表示装置の内部反射を軽減できるという効果が得られるが、ゲート電極２、補助容量配線１３、ゲート配線２１およびゲート端子２２にも反射防止層２ａ，１３ａ，２１ａ，２２ａが設けられているため、その効果は実施の形態２よりも向上される。

特に、ゲート電極２、ゲート配線２１および補助容量配線１３は表示領域に配設されるため、それらによる光の反射が抑制されることで、表示画面のコントラストの低下が防止される効果が向上する。また、ソース電極６およびドレイン電極７で反射したバックライトの光がさらにゲート電極２で反射して半導体能動膜４に入射するといった内部多重反射が抑制されるため、ＴＦＴ１０のバックチャネル部４１にさらに光が入射し難くなるという効果も得られる。

さらに、ゲート電極２、補助容量配線１３、ゲート配線２１およびゲート端子２２が有する反射防止層２ａ，１３ａ，２１ａ，２２ａも、染料および顔料、カーボンブラックを含まないため、液晶表示装置の信頼性を低下させることがない。また、ゲート電極２、補助容量配線１３、ゲート配線２１およびゲート端子２２を、別の反射防止膜で覆うのとは異なり、実質的な配線幅の増加がないので、液晶表示装置の開口率の低下は伴わない。

以下、実施の形態３に係るアクティブマトリックス基板１００の製造方法を説明する。図１４〜図１８は、その製造方法を示す断面図である。

まず、ゲート電極２、補助容量配線１３等の材料としての第１導電膜９３をスパッタ法にて成膜する（図１４）。例えば、第１導電膜９３として、Ａｌ合金を２００ｎｍの厚さで成膜する。次に、写真製版技術を用いて、第１導電膜９３をパターニングすることにより、ゲート電極２、ゲート配線２１、ゲート端子２２および補助容量配線１３を形成する（図１５）。

続いて、ゲート電極２、ゲート配線２１、ゲート端子２２および補助容量配線１３を覆うように、インジウム化合物９４をスパッタ法にて成膜する（図１６）。例えば、インジウム化合物９４として、ＩＺＯを８０ｎｍの厚さで成膜する。そして、２３０℃以上のアニールを行うことで、ゲート電極２、ゲート配線２１、ゲート端子２２および補助容量配線１３とインジウム化合物９４とを界面反応させる。それにより、ゲート電極２、ゲート配線２１、ゲート端子２２および補助容量配線１３の表層部に、反射防止層２ａ，１３ａ，２１ａ，２２ａが形成される（図１７）。このアニールによってインジウム化合物９４が結晶化すると、弱酸でのエッチングが困難となるため、アニールの温度は、インジウム化合物９４の結晶化温度以下であることが望ましい。本実施の形態では２３０℃とした。

その後、未反応のインジウム化合物９４をエッチングにより除去する（図１８）。本実施の形態では、ＩＴＯ−０７Ｎ（関東化学株式会社製）に、透明絶縁性基板１を２５℃で１分間浸漬させることによって、インジウム化合物９４を除去した。

以降は、実施の形態２のアクティブマトリックス基板１００の製造方法と同様である。すなわち、図５〜図６を用いて説明した工程と同様の手法により、半導体能動膜４、オーミック低抵抗膜４６，４７、ソース電極６、ドレイン電極７、ソース配線６１およびソース端子６２を形成し、図７〜図９を用いて説明した工程と同様の手法により、ソース電極６、ドレイン電極７、ソース配線６１およびソース端子６２の上面および側面の表層部に反射防止層６ａ，７ａ，６１ａ，６２ａを形成する。そして、図１０〜図１２を用いて説明した工程と同様の手法により、層間絶縁膜１１、コンタクトホール８１〜８３、透明画素電極１２、ゲート端子パッド２３およびソース端子パッド６３を形成する。その結果、図１３に示したアクティブマトリックス基板１００が完成する。

なお、実施の形態３もＴＮモード以外の液晶表示装置や、有機ＥＬディスプレイなどの他の表示装置に対しても適用可能である。

＜実施の形態４＞
実施の形態４においては、実施の形態１の導電膜構造（図１）を、ＰＣＴ方式のタッチパネルに適用する。具体的には、指などの指示体によるタッチを検出するための検出配線が配設されるタッチパネル基板に適用する。

図１９は、実施の形態４に係るタッチパネルのタッチパネル基板２００の構成を示す平面図である。図２０は、当該タッチパネル基板２００の断面図であり、右から順に、図１９に示すＤ１−Ｄ２線、Ｅ１−Ｅ２線およびＦ１−Ｆ２線に対応する各断面が示されている。

図１９に示すように、タッチパネル基板２００は、平面視で横方向（行方向）に延在する複数の第１検出配線２１０と、縦方向（列方向）に延在する複数の第２検出配線２２０とを備えており、第１検出配線２１０と第２検出配線２２０とが絶縁膜（図１９では不図示）を介して交差するように配設されている。

Ｄ１−Ｄ２線に沿った断面は、第１検出配線２１０および第２検出配線２２０が交差するように配設された「タッチ検出領域」に対応する。Ｅ１−Ｅ２線に沿った断面は、第２検出配線２２０の端部に設けられる第２検出配線端子２２１の形成領域に対応する。Ｆ１−Ｆ２線に沿った断面は、第１検出配線２１０の端部に設けられる第１検出配線端子２１１の形成領域に対応する。

第１検出配線端子２１１および第２検出配線端子２２１は、タッチ検出領域からある程度離れた位置に形成されている。また、タッチパネル基板２００を用いて構成されるタッチパネルが液晶表示装置等の表示装置に取り付けられる際、タッチ検出領域が表示装置の表示領域に重なるように位置合わせされる。

ここでは、直線状の第１検出配線２１０の上方に、直線状の第２検出配線２２０が配設され、それらが互いに直交する例を示しているが、第１検出配線２１０と第２検出配線２２０との上下関係は逆でもよいし、それらは斜めに交差してもよい。また、第１検出配線２１０および第２検出配線２２０の形状は直線状でなくてもよく、例えばジグザグな配線パターンであってもよい。

図２０のように、タッチパネル基板２００は、透明絶縁性基板２０１を用いて形成されており、第１検出配線２１０および第１検出配線端子２１１は、透明絶縁性基板２０１上に、同じ第１導電膜を用いて形成されている。第１検出配線２１０および第１検出配線端子２１１は、層間絶縁膜２０２で覆われている。第２検出配線２２０および第２検出配線端子２２１は、層間絶縁膜２０２上に、同じ第２導電膜を用いて形成されている。第２検出配線２２０および第２検出配線端子２２１は、保護絶縁膜２０３で覆われている。層間絶縁膜２０２および保護絶縁膜２０３には、第１検出配線端子２１１に達するコンタクトホール２０４と、第２検出配線端子２２１に達するコンタクトホール２０５が形成されており、それによって、第１検出配線端子２１１および第２検出配線端子２２１に対する信号の入出力が可能になっている。

実施の形態４では、実施の形態１の導電膜構造（図１）を、第１検出配線２１０、第１検出配線端子２１１、第２検出配線２２０および第２検出配線端子２２１に適用している。すなわち、第１検出配線２１０および第１検出配線端子２１１は、その上面および側面の表層部に、インジウムまたはインジウム酸化物を含む反射防止層２１０ａ，２２１ａを有している。同様に、第２検出配線２２０および第２検出配線端子２２１は、その上面および側面の表層部に、インジウムまたはインジウム酸化物を含む反射防止層２２０ａ，２２１ａを有している。

なお、第１検出配線端子２１１におけるコンタクトホール２０４に露出した部分では、反射防止層２１１ａは除去されており、第２検出配線端子２２１におけるコンタクトホール２０５に露出した部分では、反射防止層２２１ａは除去されている。それにより、第１検出配線端子２１１および第２検出配線端子２２１とそれに接続される外部配線（不図示）との間で、良好な電気的接触が得られる。

実施の形態４のタッチパネル基板２００によれば、反射防止層２１０ａ，２１１ａ，２２０ａ，２２１ａによって、第１検出配線２１０、第１検出配線端子２１１、第２検出配線２２０および第２検出配線端子２２１の反射光が低減される。特に、第１検出配線２１０および第２検出配線２２０は、表示装置の表示領域に重ねて配置されるタッチ領域に配設されているため、それらによる光の反射が抑制されることで、タッチパネル付表示装置のコントラストの低下が抑えられる。

特に、第１検出配線２１０および第２検出配線２２０として、Ａｌ合金等の低抵抗な金属を用いることで、タッチパネルの大型化を実現できる。また、検出配線として透明導電膜を用いる場合に比べ、透過率低下が少なく、タッチパネル付表示装置の表示品位を阻害しない。また、第１検出配線２１０および第２検出配線２２０の反射率が低いことで、それらの視認されることも防止でき、それによっても、タッチパネル付表示装置の表示品位を向上させることができる。

本実施の形態に係るタッチパネル基板２００を用いたタッチパネルと、実施の形態２または３に係るアクティブマトリックス基板１００を用いた表示装置とを組み合わせて、タッチパネル付表示装置を構成すれば、より効果的である。

以下、実施の形態４に係るタッチパネル基板２００の製造方法を説明する。図２１〜図３３は、その製造方法を示す断面図である。

まず、透明絶縁性基板２０１上に、第１検出配線２１０および第１検出配線端子２１１の材料としての第１導電膜２３１をスパッタ法にて成膜する（図２１）。例えば、第１導電膜２３１として、Ａｌ合金を３０ｎｍの厚さで成膜する。

次に、写真製版技術を用いて第１導電膜２３１をパターニングすることで、第１検出配線２１０および第１検出配線端子２１１を形成する（図２２）。続いて、第１検出配線２１０および第１検出配線端子２１１を覆うように、インジウム化合物２３２をスパッタ法にて成膜する（図２３）。例えば、インジウム化合物２３２としては、ＩＺＯを８０ｎｍの厚さで成膜する。

その後、２３０℃以上のアニールによるベーク処理を行い、第１検出配線２１０および第１検出配線端子２１１とインジウム化合物２３２とを界面反応させる。それにより、第１検出配線２１０、第１検出配線端子２１１および第２検出配線２２０の上面および側面の表層部に、反射防止層２１０ａ，２１１ａが形成される（図２４）。このアニールによってインジウム化合物２３２が結晶化すると、弱酸でのエッチングが困難となるため、アニールの温度は、インジウム化合物２３２の結晶化温度以下であることが望ましい。本実施の形態では２３０℃とした。

続いて、エッチング法を用いて、未反応のインジウム化合物２３２を除去する（図２５）。本実施の形態では、ＩＴＯ−０７Ｎ（関東化学株式会社製）に、透明絶縁性基板２０１を２５℃で１分間浸漬させることによって、インジウム化合物２３２を除去した。

その後、ＣＶＤ法を用いて、層間絶縁膜２０２を形成する（図２６）。例えば、層間絶縁膜２０２として、ＳｉＯｘ膜を４００ｎｍの厚さで成膜する。

次に、層間絶縁膜２０２上に第２検出配線２２０および第２検出配線端子２２１の材料としての第２導電膜２３３をスパッタ法にて成膜する（図２７）。例えば、第２導電膜２３３として、Ａｌ合金を４００ｎｍの厚さで形成する。

そして、写真製版技術を用いて第２導電膜２３３をパターニングすることで、第２検出配線２２０および第２検出配線端子２２１を形成する（図２８）。続いて、第２検出配線２２０および第２検出配線端子２２１を覆うように、インジウム化合物２３４をスパッタ法にて成膜する（図２９）。例えば、インジウム化合物２３４として、ＩＺＯを８０ｎｍの厚さで成膜する。

その後、２３０℃以上のベーク処理を行うことで、第２検出配線２２０および第２検出配線端子２２１とインジウム化合物２３４とを界面反応させる。それにより、第２検出配線２２０および第２検出配線端子２２１の上面および側面の表層部に、反射防止層２２０ａ，２２１ａが形成される（図３０）。このアニールによってインジウム化合物２３４が結晶化すると、弱酸でのエッチングが困難となるため、アニールの温度は、インジウム化合物２３４の結晶化温度以下であることが望ましい。本実施の形態では２３０℃とした。

続いて、エッチング法を用いて、未反応のインジウム化合物２３４を除去する（図３１）。本実施の形態では、ＩＴＯ−０７Ｎ（関東化学株式会社製）に、透明絶縁性基板２０１を２５℃で１分間浸漬させることによって、インジウム化合物２３４を除去した。

その後、ＣＶＤ法を用いて、保護絶縁膜２０３を形成する（図３２）。例えば、保護絶縁膜２０３として、ＳｉＯｘ膜を６００ｎｍの厚さで成膜する。そして、写真製版技術を用いて、保護絶縁膜２０３および層間絶縁膜２０２をドライエッチングすることにより、第１検出配線端子２１１に達するコンタクトホール２０４、および第２検出配線端子２２１に達するコンタクトホール２０５を形成する（図３３）。このドライエッチングの際、コンタクトホール２０４，２０５に露出した第１検出配線端子２１１および第２検出配線端子２２１の反射防止層２１１ａ，２２１ａは除去する。

本実施の形態では、層間絶縁膜と保護絶縁膜にＳｉＯｘ膜を用いたが、シシロキサン系ポリマーを用いてもよい。シロキサン系ポリマーは、耐熱性が高く、かつ平坦化性に優れている。

＜実施の形態５＞
実施の形態１では、単層構造の導電膜１１１の表層部にインジウムまたはインジウム酸化物を含む反射防止層１１１ａを形成した構造としたが、実施の形態５では、多層構造の導電膜に対して、インジウムまたはインジウム酸化物を含む反射防止膜を形成する。具体的には、Ａｌ合金等の金属の上層に、それよりも反射率の低い金属を積層してなる多層構造の導電膜に適用する。

図３４は、実施の形態５に係る導電膜構造を示す断面図である。図３４のように、実施の形態５に係る導電膜構造は、透明絶縁性基板１１０上に形成された、第１導電膜１２１および第２導電膜１２２からなる二層構造の導電膜と、その上面および側面に形成されたインジウムまたはインジウム酸化物を含む反射防止層とから構成されている。本実施の形態において、下層の第１導電膜１２１はＡｌ合金等の金属からなっており、上層の第２導電膜１２２は第１導電膜１２１よりも反射率が低い窒化Ａｌからなっている。よって、反射防止層は、第１導電膜１２１の側面の表層部に形成された第１反射防止層１２１ａと、第２導電膜１２２の上面および側面の表層部に形成された第２反射防止層１２２ａとから構成される。

第１反射防止層１２１ａおよび第２反射防止層１２２ａは、第１導電膜１２１および第２導電膜１２２からなる二層構造の導電膜上に、インジウム化合物（例えば、ＩＺＯ、インジウム亜鉛酸化物）をスパッタ法で堆積し、２３０℃以上のアニールを行って導電膜とインジウム化合物とを反応させた後、未反応のインジウム化合物を除去することによって形成できる。本実施の形態において、上記アニールは、大気中で２３０℃、６０分の条件で行い、インジウム化合物の除去は、ＩＴＯ−０７Ｎ（関東化学製）を用いたウェットエッチングにより行った。

なお、第１導電膜１２１および第２導電膜１２２からなる二層構造の導電膜は、それらの各材料を順次成膜し、写真製版技術を用いて特定の形状（配線または電極の形状）にパターニングすることによって形成される。本実施の形態では、第１導電膜１２１として、スパッタ法によりＡｌ合金を２００ｎｍの厚さに成膜し、その後、第２導電膜１２２として、窒素雰囲気化でのスパッタ法により窒化Ａｌを５０ｎｍの膜厚に成膜した。このように、第１導電膜１２１と第２導電膜１２２とを同じ金属（ここではＡｌ）を主成分とする膜にすることで、それらのパターニングを、途中でエッチング液を変更しない１回のエッチングで実施することができる。

実施の形態１で説明したように、本発明に係る導電膜構造では、導電膜として反射率がより低い金属を用いれば、それに反射防止層を設けた後の反射率はより低くなる。よって、実施の形態５に係る導電膜構造では、第１導電膜１２１（Ａｌ合金）の表層部の第１反射防止層１２１ａよりも、第２導電膜１２２（窒化Ａｌ）の表層部の第２反射防止層１２２ａの方が反射率が低くなり、導電膜構造の上面での反射を効果的に抑制することができる。また、窒化Ａｌは、窒素含有量が多くなると反射率は低下するが、その反面、電気抵抗は増大する。よって、導電膜の全体を窒化Ａｌとせずに、実施の形態５のように低抵抗なＡｌ合金との積層構造とすることで、抵抗値の増大を抑制しつつ、反射率の小さい導電膜構造を実現できる。

実施の形態５に係る導電膜構造は、上記の実施の形態２〜４のいずれにも適用可能である。また、ここでは本発明を二層構造の導電膜に適用した例示したが、最上層に反射率の低い層が配設されていれば、三層以上の多層構造からなる導電膜でも同様の効果が得られる。

＜実施の形態６＞
実施の形態６では、Ａｌ合金等の金属の上層と下層の両方に、その金属よりも反射率の低い金属が配設されてなる多層構造の導電膜に適用する。

図３５は、実施の形態６に係る導電膜構造を示す断面図である。図３５のように、実施の形態６に係る導電膜構造は、透明絶縁性基板１１０上に形成された、第１導電膜１２１、第２導電膜１２２および第３導電膜１２３からなる三層構造の導電膜と、その上面および側面に形成されたインジウムまたはインジウム酸化物を含む反射防止層とから構成されている。本実施の形態において、中層の第２導電膜１２２はＡｌ合金等の金属からなっており、下層の第１導電膜１２１と上層の第３導電膜１２３は、第２導電膜１２２よりも反射率が低い窒化Ａｌからなっている。よって、反射防止層は、第１導電膜１２１の側面の表層部に形成された第１反射防止層１２１ａと、第２導電膜１２２の側面の表層部に形成された第２反射防止層１２２ａと、第３導電膜１２３の上面および側面の表層部に形成された第３反射防止層１２３ａとから構成される。

第１反射防止層１２１ａ、第２反射防止層１２２ａおよび第３反射防止層１２３ａは、第１導電膜１２１、第２導電膜１２２および第３導電膜１２３からなる三層構造の導電膜上に、インジウム化合物（例えば、ＩＺＯ、インジウム亜鉛酸化物）をスパッタ法で堆積し、２３０℃以上のアニールを行って導電膜とインジウム化合物とを反応させた後、未反応のインジウム化合物を除去することによって形成できる。本実施の形態において、上記アニールは、大気中で２３０℃、６０分の条件で行い、インジウム化合物の除去は、ＩＴＯ−０７Ｎ（関東化学製）を用いたウェットエッチングにより行った。

なお、第１導電膜１２１、第２導電膜１２２および第３導電膜１２３からなる三層構造の導電膜は、それらの各材料を順次成膜し、写真製版技術を用いて特定の形状（配線または電極の形状）にパターニングすることによって形成される。本実施の形態では、第１導電膜１２１として、窒素雰囲気のスパッタ法により窒化Ａｌを５０ｎｍの厚さに成膜し、第２導電膜１２２として、スパッタ法によりＡｌ合金を２００ｎｍの厚さに成膜し、第３導電膜１２３として、窒素雰囲気化でのスパッタ法により窒化Ａｌを５０ｎｍの膜厚に成膜した。このように、第１導電膜１２１、第２導電膜１２２および第３導電膜１２３を同じ金属（ここではＡｌ）を主成分とする膜にすることで、それらのパターニングを、途中でエッチング液を変更しない１回のエッチングで実施することができる。

実施の形態６に係る導電膜構造では、実施の形態５と同様に導電膜構造の上面での反射を効果的に抑制できるという効果に加え、下面に反射率の低い窒化Ａｌの層が配設されているため、底面の反射率も小さくできるという効果が得られる。

実施の形態６に係る導電膜構造も、上記の実施の形態２〜４のいずれにも適用可能である。また、ここでは本発明を三層構造の導電膜に適用した例示したが、最上層および最下層に反射率の低い層が配設されていれば、四層以上の多層構造からなる導電膜でも同様の効果が得られる。

以上の説明では、導電膜と反応させるインジウム化合物としてＩＺＯを用いた例で説明したが、それに代えて、例えばＩＴＺＯ、ＩＧＺＯ、ＩＧＯなどのインジウム酸化物を用いてもよく、同様に導電膜の表層部に反射防止層を形成することができる。また、インジウム化合物（ＩＺＯ）を堆積させる厚さは８０ｎｍに限られず、反射防止層を設ける導電膜の表層部を十分に被覆できればよい。例えば、４０ｎｍでも同様の効果が得られることが確認されており、インジウム化合物の使用量を減らすことでコスト削減を図ることができる。

インジウム化合物は結晶化すると弱酸（シュウ酸）で除去できなくなるため、ＩＴＯ（結晶化温度２２０℃）を用いる場合は、２３０℃以上のアニールを行うとその除去が困難になる。アニールを行わない場合は、アニールを行った場合ほど反射率低減の効果は得られないが、金属膜の反射率を低減する一定の効果は得られた。また、インジウム化合物を導電膜の表層部に含ませる方法としては、上で示した方法の他、イオン注入法などでもよい。

また、上で示した各図では、導電膜構造（配線または電極）の側面が垂直（基板に対して９０度）となっているが、傾斜していてもよい（断面形状がテーパー状でもよい）。側面の傾斜角が小さい（傾斜が緩やか）場合、側面の面積が大きくなり、光が反射しやすくなるため、傾斜角は６０度以上であることが望ましい。

なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。

１１０透明絶縁性基板、１１１導電膜、１１１ａ反射防止層、１２１第１導電膜、１２１ａ第１反射防止層、１２２第２導電膜、１２２ａ第２反射防止層、１２３第３導電膜、１２３ａ第３反射防止層、１透明絶縁性基板、２ゲート電極、２１ゲート配線、２２ゲート端子、２３ゲート端子パッド、３ゲート絶縁膜、４半導体能動膜、４１バックチャネル部、４６，４７オーミック低抵抗膜、６ソース電極、６１ソース配線、６２ソース端子、６３ソース端子パッド、７ドレイン電極、１０ＴＦＴ、１１層間絶縁膜、１２透明画素電極、１３補助容量配線、８１〜８３，２０４，２０５コンタクトホール、２ａ，１３ａ，２１ａ，２２ａ，６ａ，７ａ，６１ａ，６２ａ，２１０ａ，２１１ａ，２２０ａ，２２１ａ反射防止層、１００アクティブマトリックス基板、２００タッチパネル基板、２０１透明絶縁性基板、２０２層間絶縁膜、２０３保護絶縁膜、２１０第１検出配線、２１１第１検出配線端子、２２０第２検出配線、２２１第２検出配線端子。

Claims

基板上に形成された導電膜と、
前記導電膜の上面および側面の表層部のみに形成され、前記導電膜よりも反射率の低い反射防止層とを備え、
前記反射防止層は、前記導電膜にインジウムまたはインジウム酸化物が導入された層である
ことを特徴とする導電膜構造。
前記反射防止層は、前記導電膜とインジウム化合物とが反応して形成された層である
請求項１記載の導電膜構造。
前記反射防止層は、前記導電膜にインジウムまたはインジウム酸化物をイオン注入して形成された層である
請求項１記載の導電膜構造。
前記導電膜は、最上層に他の層よりも反射率の低い導電膜を備える多層構造である
請求項１から請求項３のいずれか一項記載の導電膜構造。
前記導電膜は、最上層と最下層に他の層よりも反射率の低い導電膜を備える多層構造である
請求項１から請求項３のいずれか一項記載の導電膜構造。
前記反射率の低い導電膜は、窒素を含む導電膜である
請求項４または請求項５記載の導電膜構造。
請求項１から請求項６のいずれか一項記載の導電膜構造を用いて形成された配線または電極を備える半導体装置。
薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタのソース電極に接続したソース配線と、
前記薄膜トランジスタのドレイン電極に接続した画素電極とを備え、
前記薄膜トランジスタの前記ソース電極およびドレイン電極、並びに前記ソース配線が、請求項１から請求項６のいずれか一項記載の導電膜構造を用いて形成されている
ことを特徴とするアクティブマトリックス基板。
前記薄膜トランジスタのゲート電極に接続したゲート配線をさらに備え、
前記薄膜トランジスタの前記ゲート電極、並びに前記ゲート配線も、請求項１から請求項６のいずれか一項記載の導電膜構造を用いて形成されている
請求項８記載のアクティブマトリックス基板。
絶縁膜を介して交差する第１検出配線および第２検出配線を備えた静電容量方式のタッチパネル基板であって、
前記第１検出配線および前記第２検出配線が、請求項１から請求項６のいずれか一項記載の導電膜構造を用いて形成されている
ことを特徴とするタッチパネル基板。
請求項８または請求項９に記載のアクティブマトリックス基板を用いて構成された表示装置と、
請求項１０に記載のタッチパネル基板を用いて構成されたタッチパネルとを備える
ことを特徴とするタッチパネル付表示装置。
（ａ）基板上に導電膜を形成する工程と、
（ｂ）前記導電膜をパターニングして配線または電極を形成する工程と、
（ｃ）前記配線または電極上にインジウム化合物を形成する工程と
（ｄ）前記配線または電極と前記インジウム化合物とを反応させるアニールを行う工程と、
（ｅ）前記工程（ｄ）の後に、未反応のインジウム化合物を除去するエッチングを行う工程と、
を備える配線または電極の形成方法。
前記工程（ａ）で形成される前記導電膜は、最上層に他の層よりも反射率の低い導電膜を備える多層構造である
請求項１２記載の配線または電極の形成方法。
前記工程（ａ）で形成される前記導電膜は、最上層と最下層に他の層よりも反射率の低い導電膜を備える多層構造である
請求項１２記載の配線または電極の形成方法。
前記反射率の低い導電膜は、窒素を含む導電膜である
請求項１３または請求項１４記載の配線または電極の形成方法。