CN100412672C - 薄膜二极管液晶显示器面板 - Google Patents

Abstract

在薄膜二极管液晶显示器面板中控制液晶的主动元件是在基板上依次形成金属层，透明导电薄膜，以及半导体绝缘层，其中的金属层主要用来传递信号，而透明导电薄膜作为金属-绝缘层-金属(MIM)电容的下层金属层。然后将金属层，透明导电薄膜，以及半导体绝缘层定义出所需的图案。之后，在基板，金属层，透明导电薄膜，以及半导体绝缘层上形成一个介电层，并且经由光刻工艺定义出端子与金属-绝缘层-金属(MIM)电容的位置。最后，在介电层上形成另一透明导电层，并且经由光刻工艺定义像素电极以及金属-绝缘层-金属(MIM)电容的上层金属层。

Description

薄膜二极管液晶显示器面板

技术领域

本发明涉及一种薄膜二极管液晶显示器面板，特别涉及一种薄膜二极管液晶显示器的控制液晶显示器的主动元件及其制造方法。

背景技术

液晶显示器主要是将液晶注入两片基板之间，然后加上适当的电压而改变入射光线的偏转特性。通过对每个像素的控制可以让液晶显示器达到预期的图案。液晶显示器的应用已经相当的普遍。在我们的日常生活当中，需要显示信息的地方几乎都会看到液晶显示器。例如，在桌上型计算机或是笔记型计算机的监视器，个人数字助理的显示器，手持式移动通信产品的显示器，数字钟表的显示器，办公室电子产品或是家电产品的显示器，甚至是室内或是户外的动态布告栏也有许多采用液晶显示器。

液晶显示器的驱动方式有被动式与主动式。现在的液晶显示器主要都是使用主动式方式驱动液晶，因为具有反应速度快的优点。主动式液晶显示器一般使用薄膜晶体管来驱动液晶分子的方向。但是薄膜晶体管的工艺复杂，一般需要四到五个光刻工艺，而且为了减少光刻工艺的次数而使用极为复杂的半色阶(half-tone)光刻工艺或是其它的半曝光显影的工艺，连带的使液晶面板的工艺的优良率降低。

一种主动式的驱动方式是使用薄膜二极管作为驱动元件。薄膜二极管有构造简单，工艺简单，优良率较高等许多的优点。如现有技术美国专利号5926236，5879960，6040201，6271050，6734460，日本专利公开号08-220563(1996)，08-320495(1996)等。

图1A显示了一种在液晶显示器的像素中使用薄膜二极管作为驱动元件的部分结构俯视示意图，其具有扫描线12，以及主要用作像素电极的透明导电层16。透明导电层16与扫描线12重叠的区域为金属-绝缘层-金属结构。图1B显示了在图1A中沿AA’的横截面结构示意图。作为金属-绝缘层-金属结构的下层金属层的扫描线12位于基板10上，半导体绝缘层14覆盖在扫描线12上。由于作为金属-绝缘层-金属结构的下层金属层的扫描线12与半导体绝缘层14具有爬坡结构，透明导电层16在工艺上会有结构不良的地方，如图1B中缺陷18。在缺陷18处会产生击穿电压，造成像素的坏点。

一种解决的方式如美国专利5926236所示，可以避免爬坡结构，以及提高开口率。但是，并未提到端子部分的信号处理。另外，由于上下层的金属材料不同，电流-电压曲线并不对称。

为解决金属-绝缘层-金属结构的上下金属层为不同的材料所造成的电压-电流曲线不对称，一种方式是使用背对背式薄膜二极管来得到对称的电压-电流曲线；也就是使用两个金属-绝缘层-金属结构。如图2所示，像素电极26位于第一扫描线22与第二扫描线24之间，像素电极26经过两个相同的金属-绝缘层-金属薄膜二极管30、32-与第一扫描线22电耦合，而像素电极26经过另外两个金属-绝缘层-金属薄膜二极管34、36与第二扫描线24电耦合。上电极40与下电极50形成金属-绝缘层-金属薄膜二极管32，上电极42与下电极50形成金属-绝缘层-金属薄膜二极管30，上电极44与下电极52形成金属-绝缘层-金属薄膜二极管34，以及上电极46与下电极52形成金属-绝缘层-金属薄膜二极管36。

但是，这种方式会增加结构的复杂度以及较多的工艺。特别是会增加光刻工艺。另外，增加一个金属-绝缘层-金属结构会减少像素电极的面积，因而降低开口率。

另一种解决方式如日本专利公告号08-320495中所示，是利用阳极氧化的方式形成上下金属都为相同的材料。然而，这种工艺较为复杂，且材料限定于可以阳极氧化的钽金属。

鉴于上述许多方法的不足与缺失，因此急需另一种薄膜二极管液晶显示器结构以解决上述问题。

发明内容

鉴于上述的发明背景中，传统的薄膜二极管结构所产生的诸多问题与缺点，本发明主要的目的在于提供一种无爬坡结构的金属-绝缘层-金属薄膜二极管结构。

本发明的另一目的是可以使用相同材料的上下金属层，使得单一金属-绝缘层-金属结构就有对称的电流-电压曲线。

本发明的另一目的在于不增加光刻工艺数目即可制造出金属-绝缘层-金属薄膜二极管结构，因而提高工艺优良率以及产品的信赖度。

本发明的另一目的是金属-绝缘层-金属薄膜二极管结构的面积不受对位以及曝光精度影响，在不同的位置金属-绝缘层-金属薄膜二极管结构的面积均相等。

根据以上所述的目的，本发明提供了一种薄膜二极管液晶显示器面板，包含第一基板，第二基板，以及位于第一基板与第二基板之间的液晶分子。所述的第一基板，包含位于第一基板上的第一扫描线与第二扫描线，位于第一扫描线与第二扫描线正上方的第一透明导电层，位于第一透明导电层正上方的半导体绝缘层，位于第一基板与半导体绝缘层上的介电层，以及第二透明导电层。所述的第一扫描线与第二扫描线相互隔离，并且第一扫描线与第二扫描线是金属导电层。所述的介电层位于第一基板与半导体绝缘层上，并且位于第一扫描线上具有第一薄膜二极管开口及第一端子开口并且暴露半导体绝缘层，而位于第二扫描线上具有第二薄膜二极管开口及第二端子开口并且暴露半导体绝缘层。并且，介电层具有一个像素区域开口。所述的第二透明导电层位于第一薄膜二极管开口及第一端子开口，第二薄膜二极管开口及第二端子开口，与像素区域开口内，其中所述的第二透明导电层位于第一薄膜二极管开口及第一端子开口内与第一透明导电层以及半导体绝缘层之间形成第一薄膜二极管，而第二透明导电层位于第二薄膜二极管开口及第二端子开口内与第一透明导电层以及半导体绝缘层之间形成第二薄膜二极管。第二透明导电层在像素区域上形成第一像素电极，而第一像素电极与第一薄膜二极管以及第二薄膜二极管之间经由第二透明导电层电气的连接。所述的第二基板，包含位于第二基板上的第二像素电极，以及数据线。所述的数据线电连接到第二像素电极，与第一扫描线与第二扫描线基本上垂直。当第一基板与第二基板贴合时，第一像素电极与第二像素电极重叠。

本发明还提供了一种控制液晶显示器的主动元件，包含相互隔离并且为金属导电层的第一扫描线与第二扫描线，依次位于前述金属导电层上的第一透明导电层以及半导体绝缘层，位于所述半导体绝缘层上的介电层，以及第二透明导电层。所述的介电层位于所述第一扫描线上具有第一薄膜二极管开口及第一端子开口并且暴露所述半导体绝缘层，以及位于所述第二扫描线上第二薄膜二极管开口及第二端子开口并且暴露所述半导体绝缘层。所述的第二透明导电层位于所述第一薄膜二极管开口及第一端子开口与第二薄膜二极管开口及第二端子开口内，其中所述的第二透明导电层位于所述第一薄膜二极管开口及第一端子开口内与所述第一透明导电层以及半导体绝缘层之间形成第一薄膜二极管，所述第二透明导电层位于所述第二薄膜二极管开口及第二端子开口内与所述第一透明导电层以及半导体绝缘层之间形成第二薄膜二极管。所述第一薄膜二极管以及第二薄膜二极管分别与像素电极电连接。

本发明还提供了一种制造控制液晶显示器的主动元件的方法，其包含在基板上沉积金属导电层，第一透明导电层，以及半导体绝缘层。之后，定义所述金属导电层，第一透明导电层与半导体绝缘层成为第一扫描线与第二扫描线，其中所述的第一扫描线与第二扫描线相互隔离。接着，在所述基板与半导体绝缘层上沉积一个介电层。然后，定义所述介电层为第一薄膜二极管开口及第一端子开口与第二薄膜二极管开口及第二端子开口，其中的第一薄膜二极管开口及第一端子开口位于所述第一扫描线上并且暴露半导体绝缘层，其中的第二薄膜二极管开口及第二端子开口位于所述第二扫描线上并且暴露半导体绝缘层。另外，在所述基板上，介电层上，以及第一薄膜二极管开口及第一端子开口与第二薄膜二极管开口及第二端子开口内沉积第二透明导电层。之后，定义前述第二透明导电层成为第一顶层在所述第一薄膜二极管开口及第一端子开口内，第二顶层在所述第二薄膜二极管开口及第二端子开口内，其中的第一顶层与所述半导体绝缘层以及第一透明导电层成为第一薄膜二极管，而第二顶层与前述半导体绝缘层以及第一透明导电层成为第二薄膜二极管。所述第一薄膜二极管以及第二薄膜二极管分别与像素电极电连接。

附图说明

图1A与图1B显示传统的薄膜二极管与扫描线，像素电极的俯视结构示意图；

图2显示传统的背对背式薄膜二极管与扫描线，像素电极的俯视结构示意图；

图3A与图3B显示以本发明的方式形成的扫描线，金属-绝缘层-金属薄膜二极管的下电极与半导体绝缘层的截面与俯视结构示意图；

图4A与图4B显示以本发明的方式形成的金属-绝缘层-金属薄膜二极管的上电极开口以及端子开口的截面与俯视结构示意图；以及

图5A与图5B显示以本发明的方式形成的金属-绝缘层-金属薄膜二极管的上电极，端子，以及像素电极的截面与俯视结构示意图。

具体实施方式

本发明的一些实施例将会详细描述如下。然而，除了详细描述的实施例外，本发明还可以广泛地在其它的实施例中施行，并且本发明的范围不受限定，其以之后的权利要求书为准。

而且，为提供更清楚的描述及更易理解本发明，图示内各部分并没有依照其相对尺寸绘图，某些尺寸与其它相关尺度相比已经被夸张；不相关的细节部分也未完全绘出，以求图示的简洁。

本发明是有关一种使用金属-绝缘层-金属作为无爬坡结构薄膜二极管的液晶显示器面板，其中的薄膜二极管是用以作为控制液晶分子的主动元件。所述的薄膜二极管液晶显示器面板，包含第一基板，第二基板，以及位于第一基板与第二基板之间的液晶分子。

薄膜二极管位于所述的第一基板上，其中的第一基板包含第一扫描线与第二扫描线，位于第一扫描线与第二扫描线正上方的第一透明导电层，位于第一透明导电层正上方的半导体绝缘层，位于第一基板与半导体绝缘层上的介电层，以及第二透明导电层。

所述的第一扫描线与第二扫描线相互隔离，并且第一扫描线与第二扫描线为金属导电层。所述的介电层位于第一基板与半导体绝缘层上，并且位于第一扫描线上具有第一开口并且暴露半导体绝缘层，而位于第二扫描线上具有第二开口且暴露半导体绝缘层。并且，介电层具有像素区域开口。所述的介电层具有第一接触窗开口与第二接触窗开口，其中第一接触窗开口位于第一扫描线上，而第二接触窗开口位于第二扫描线上。

所述的第二透明导电层位于第一开口，第二开口，与像素区域开口内，其中所述的第二透明导电层位于第一开口内与第一透明导电层以及半导体绝缘层之间形成第一薄膜二极管，而第二透明导电层位于第二开口内与第一透明导电层以及半导体绝缘层之间形成第二薄膜二极管。第二透明导电层在像素区域上形成第一像素电极，而第一像素电极与第一薄膜二极管以及第二薄膜二极管之间经由第二透明导电层电连接。

所述的第二透明导电层位于第一接触窗开口成为第一扫描线的端子，以及位于第二接触窗开口内成为第二扫描线的端子。所述的第一透明导电层与第二透明导电层的材料可以是氧化铟锡或氧化锌锡。所述的半导体绝缘层的材料可以是氧化硅，氮氧化硅，氧化钽，或氮化碳合金。所述的金属导电层的材料可以是铝，铬，或钼。

所述的第二基板，包含位于第二基板上的第二像素电极，以及数据线。所述的数据线电连接到第二像素电极，与第一扫描线与第二扫描线基本上垂直。当第一基板与第二基板贴合时，第一像素电极与第二像素电极重叠。所述的第一像素电极位于第一扫描线与第二扫描线之间，并且第一扫描线与第二扫描线相互平行。

所述控制液晶显示器的主动元件的制造方法包含在基板上沉积一个金属导电层，一个第一透明导电层，以及一个半导体绝缘层。之后，定义所述金属导电层，第一透明导电层与半导体绝缘层成为第一扫描线与第二扫描线，其中所述的第一扫描线与第二扫描线相互隔离。

接着，在所述基板与半导体绝缘层上沉积一个介电层。然后，定义所述介电层为第一开口与第二开口，其中的第一开口位于所述第一扫描线上并且暴露半导体绝缘层，其中的第二开口位于所述第二扫描线上并且暴露半导体绝缘层。

然后，在所述基板上，介电层上，以及第一与第二开口内沉积一个第二透明导电层。之后，定义所述第二透明导电层成为第一顶层在所述第一开口内，第二顶层在所述第二开口内，其中的第一顶层与所述半导体绝缘层以及第一透明导电层成为第一薄膜二极管，而第二顶层与所述半导体绝缘层以及第一透明导电层成为第二薄膜二极管。所述第一薄膜二极管以及第二薄膜二极管分别与像素电极电连接。

接下来请参照图3A到图5，是显示本发明形成无爬坡结构的金属-绝缘层-金属薄膜二极管的实施例在各步骤的结构示意图。

图3A显示了形成第一扫描线112的步骤的剖面结构示意图。如图3A所示，在基板100上依次形成金属层110，第一透明导电层120，以及半导体绝缘层122。然后经由光刻工艺与蚀刻步骤将金属层110，第一透明导电层120，以及半导体绝缘层122定义成第一扫描线112与第二扫描线114(见图3B)的外型结构。金属层110主要作为第一扫描线112与第二扫描线114，用于传递信号。第一透明导电层120主要作为金属-绝缘层-金属薄膜二极管的下层电极。半导体绝缘层122作为金属-绝缘层-金属薄膜二极管的绝缘层。

基板100主要为透明材料，经常使用玻璃或是透明的高分子聚合物等透明材料。金属层110的材料可以是铝，铬，或钼等低电阻的金属，或是上述金属的合金，可用溅镀(sputtering)，物理气相沉积(Physical Vapor Deposition；PVD)，电镀(electroplating)，或是真空蒸镀等方式形成。在实施例中，以磁控直流溅镀(Magnetron DC Sputtering)方式沉积金属铝110在基板100上。

第一透明导电层120的材料可以是氧化铟锡或氧化锌锡，可用物理气相沉积，电镀，真空蒸镀法，或者是现在较为常用的溅镀法等方式形成。以溅镀氧化铟锡的方式为例，一种方式是先将铟与锡分别形成氧化物，然后再将氧化铟与氧化锡的粉末烧结成氧化铟锡的靶材。形成好氧化铟锡的靶材之后，在真空腔体(chamber)内由氩(Ar)气体产生弧光放电(Glow Discharge)使Ar⁺离子化并且冲击到阴极的氧化铟锡靶材上，使得氧化铟锡溅镀到阳极的玻璃基板上而堆积成膜。

半导体绝缘层122的材料可以是氧化硅，氮氧化硅，氧化钽，或氮化碳合金，可以使用化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition；CVD)法形成。一般会使用氮化硅，是因为氮化硅材料有较好的电流电压特性等。一种方式是以等离子增强化学气相沉积(Plasma Enhanced CVD；PECVD)法形成富含硅(Si-rich)的非晶硅含氢的氮化硅(αSiN_x:H)，反应气体为甲烷，氨，与氮。

光刻工艺包含光刻胶涂布，显影，烘烤，以及蚀刻完成后的去光刻胶等的步骤，其中光刻胶可以使用正光刻胶或是负光刻胶。蚀刻工艺可以使用湿法蚀刻或是干法蚀刻。由于需要移除半导体绝缘层122，第一透明导电层120，以及金属层110，需要使用不同的蚀刻剂针对不同的材料进行蚀刻。一般半导体绝缘层122会采用干法蚀刻而金属会采用湿法蚀刻。在实施例中，氮化硅的蚀刻剂可以是氢氟酸，氧化铟锡的蚀刻剂可以是氢氯酸，硝酸与氧化氢的混合溶剂，而金属铝的蚀刻剂可为硝酸，醋酸，磷酸与氧化氢的混合溶剂。

图3B是上视图，其中虚线BB’的截面显示在图3A中。由于图3A所显示的截面在图3B中并不是直线，所以在图3A中加上两条虚线，表示在图3B中沿虚线BB’所经过的两次转折。在图3B中，在第一扫描线112与第二扫描线114之间为像素区域。由于第一扫描线112与第二扫描线114被半导体绝缘层122所覆盖，因此在图3B中以阴影线表示。由于第二扫描线114的工艺与结构与第一扫描线112相近似，所以不需要在图3A中重复表示第二扫描线114的结构。

如图4A所示，在基板100以及半导体绝缘层122上形成介电层130。然后经由光刻工艺以及蚀刻步骤在半导体绝缘层122上形成第一薄膜二极管开口132以及第一端子开口136，并且在像素区域上的介电层130也被移除。

介电层130的材料为高分子绝缘层，例如聚酰亚胺(polyimide)或是聚酰胺(polyamide)，其形成方式可以使用涂布(coating)，旋涂(spin-on coating)，或是狭缝涂布(slit coating)。

如图4B所示，第一薄膜二极管开口132与第一端子开口136形成在第一扫描线112上。第二薄膜二极管开口134与第二端子开口138形成在第二扫描线114上。

如图5A所示，在基板100，介电层130，第一薄膜二极管开口132，以及第一端子开口136上形成第二透明导电层140。然后经由光刻工艺将第二透明导电层140在像素区域上形成像素电极142，在第一薄膜二极管开口132内形成第一上电极144，以及在第一端子开口136内形成第一端子148。第二透明导电层140的材料会与第一透明导电层120的材料相同。

如图5B所示，第一上电极144在第一扫描线112上，作为第一金属-绝缘层-金属薄膜二极管的上电极，与半导体绝缘层122以及第一透明导电层120形成第一薄膜二极管。第二上电极146在第二扫描线114上，作为第二金属-绝缘层-金属薄膜二极管的上电极，与半导体绝缘层122以及第一透明导电层120形成第二薄膜二极管。第一端子148位于第一扫描线112，而第二端子150位于第二扫描线114上。

在图5B中，上电极144与上电极开口132之间重叠的区域即为第一金属-绝缘层-金属薄膜二极管的区域。在这里的光刻工艺中，曝光的精度如有偏差，第一金属-绝缘层-金属薄膜二极管的区域面积不变。这表示本发明的结构中，可以容许有较大的曝光误差。

由于本发明的金属-绝缘层-金属薄膜二极管的上电极是形成在开口中，不会形成爬坡结构的金属-绝缘层-金属薄膜二极管结构。因此，不会有击穿电压以及因而产生的坏点发生在薄膜二极管的结构上。另外，金属-绝缘层-金属薄膜二极管的上下电极均采用相同材料的透明导电层，使得单一金属-绝缘层-金属结构就有对称的电流-电压曲线。因此，本发明的结构不需要使用复杂的背对背式薄膜二极管作为液晶显示器的主动元件。另外，不复杂的结构以及相同的光刻工艺数目表示工艺的优良率以及产品的信赖度都可以提高。而且，本发明的另一目的是金属-绝缘层-金属薄膜二极管结构的面积不受对位以及曝光精度影响，在不同的位置金属-绝缘层-金属薄膜二极管结构的面积均相等。

对于本领域的技术人员，虽然如上所述以一个优选实施例介绍了本发明，然其并非用来限定本发明的精神。在不脱离本发明的精神与范围内所作的修改与类似的安排，均应包含在下述的权利要求范围内，这样的范围应该与覆盖在所有修改与类似结构的最宽的解释一致。因此，如上所述的本发明的优选实施例，可用来鉴别不脱离本发明的精神与范围内所作的各种改变。

Claims (20)

1. 一种薄膜二极管液晶显示器面板，包含：

第一基板，包含：

第一扫描线与第二扫描线，位于该第一基板上并且相互隔离，该第一扫描线与该第二扫描线为金属导电层；

第一透明导电层，位于该第一扫描线与该第二扫描线正上方；

半导体绝缘层，位于该第一透明导电层正上方；

介电层，位于该第一基板与该半导体绝缘层上，该介电层具有第一薄膜二极管开口与第一端子开口，该第一薄膜二极管开口与第一端子开口位于该第一扫描线上并且暴露该半导体绝缘层，第二薄膜二极管开口与第二端子开口，该第二薄膜二极管开口与第二端子开口位于该第二扫描线上并且暴露该半导体绝缘层，以及像素区域开口；以及

第二透明导电层，位于该第一薄膜二极管开口与第一端子开口、该第二薄膜二极管开口与第二端子开口、与该像素区域开口内，其中所述的第二透明导电层位于该第一薄膜二极管开口与第一端子开口内与该第一透明导电层以及该半导体绝缘层之间形成第一薄膜二极管，该第二透明导电层位于该第二薄膜二极管开口与第二端子开口内与该第一透明导电层以及该半导体绝缘层之间形成第二薄膜二极管，该第二透明导电层在该像素区域上形成第一像素电极，该第一像素电极与该第一薄膜二极管以及该第二薄膜二极管之间通过该第二透明导电层电连接；

第二基板，与该第一基板贴合；以及

液晶分子，位于该第一基板与该第二基板之间。

2. 根据权利要求1所述的薄膜二极管液晶显示器面板，其中所述的介电层具有第一接触窗开口与第二接触窗开口，该第一接触窗开口位于该第一扫描线上，该第二接触窗开口位于该第二扫描线上。

3. 根据权利要求2所述的薄膜二极管液晶显示器面板，其中所述的第二透明导电层位于该第一接触窗开口成为该第一扫描线的端子，以及该第二接触窗开口内成为该第二扫描线的端子。

4. 根据权利要求3所述的薄膜二极管液晶显示器面板，其中所述的第一透明导电层与第二透明导电层的材料为氧化铟锡或氧化锌锡。

5. 根据权利要求3所述的薄膜二极管液晶显示器面板，其中所述的半导体绝缘层的材料为氧化硅、氮氧化硅、氧化钽、或氮化碳合金。

6. 根据权利要求3所述的薄膜二极管液晶显示器面板，其中所述的金属导电层的材料为铝、铬、或钼。

7. 根据权利要求3所述的薄膜二极管液晶显示器面板，其中所述的第一像素电极位于该第一扫描线与该第二扫描线之间。

8. 根据权利要求3所述的薄膜二极管液晶显示器面板，其中所述的第一扫描线与该第二扫描线相互平行。

9. 一种控制液晶显示器的主动元件，包含：

第一扫描线与第二扫描线，其相互隔离，该第一扫描线与该第二扫描线为金属导电层；

第一透明导电层以及半导体绝缘层，依次位于该第一扫描线与该第二扫描线上；

介电层，位于该半导体绝缘层上，该介电层具有第一薄膜二极管开口与第一端子开口，该第一薄膜二极管开口与第一端子开口位于该第一扫描线上并且暴露该半导体绝缘层，以及第二薄膜二极管开口与第二端子开口，该第二薄膜二极管开口与第二端子开口位于该第二扫描线上并且暴露该半导体绝缘层；以及

第二透明导电层，位于该第一薄膜二极管开口及第一端子开口与该第二薄膜二极管开口及第二端子开口内，其中所述的第二透明导电层位于该第一薄膜二极管开口与第一端子开口内与该第一透明导电层以及该半导体绝缘层之间形成第一薄膜二极管，该第二透明导电层位于该第二薄膜二极管开口与第二端子开口内与该第一透明导电层以及该半导体绝缘层之间形成第二薄膜二极管，该第一薄膜二极管以及该第二薄膜二极管分别与像素电极电连接。

10. 根据权利要求9所述的控制液晶显示器的主动元件，其中所述的第一透明导电层与第二透明导电层的材料为氧化铟锡或氧化锌锡。

11. 根据权利要求9所述的控制液晶显示器的主动元件，其中所述的半导体绝缘层的材料为氧化硅、氮氧化硅、氧化钽、或氮化碳合金。

12. 根据权利要求9所述的控制液晶显示器的主动元件，其中所述的金属导电层的材料为铝、铬、或钼。

13. 根据权利要求9所述的控制液晶显示器的主动元件，其中所述的像素电极位于该第一扫描线与该第二扫描线之间。

14. 根据权利要求9所述的控制液晶显示器的主动元件，其中所述的第一扫描线与该第二扫描线相互平行。

15. 一种制造控制液晶显示器的主动元件的方法，包含：

在基板上沉积金属导电层、第一透明导电层、以及半导体绝缘层；

定义该金属导电层，该第一透明导电层与该半导体绝缘层为第一扫描线与第二扫描线，其中所述的第一扫描线与该第二扫描线相互隔离；

在该基板、该半导体绝缘层上沉积介电层；

定义该介电层为第一薄膜二极管开口及第一端子开口与第二薄膜二极管开口及第二端子开口，该第一薄膜二极管开口及第一端子开口位于该第一扫描线上并且暴露该半导体绝缘层，该第二薄膜二极管开口及第二端子开口位于该第二扫描线上并且暴露该半导体绝缘层；

在该基板上、该介电层上、以及该第一薄膜二极管开口及第一端子开口与第二薄膜二极管开口及第二端子开口内沉积第二透明导电层；

定义该第二透明导电层为第一顶层在该第一薄膜二极管开口及第一端子开口内，第二顶层在该第二薄膜二极管开口及第二端子开口内，其中该第一顶层与该半导体绝缘层以及该第一透明导电层成为第一薄膜二极管，该第二顶层与该半导体绝缘层以及该第一透明导电层成为第二薄膜二极管，该第一薄膜二极管以及该第二薄膜二极管分别与像素电极电连接。

16. 根据权利要求15所述的制造控制液晶显示器的主动元件的方法，其中所述的第一透明导电层与第二透明导电层的材料为氧化铟锡或氧化锌锡。

17. 根据权利要求15所述的制造控制液晶显示器的主动元件的方法，其中所述的半导体绝缘层的材料为氧化硅、氮氧化硅、氧化钽、或氮化碳合金。

18. 根据权利要求15所述的制造控制液晶显示器的主动元件的方法，其中所述的金属导电层的材料为铝、铬、或钼。

19. 根据权利要求15所述的制造控制液晶显示器的主动元件的方法，其中所述的像素电极位于该第一扫描线与该第二扫描线之间。

20. 根据权利要求15所述的制造控制液晶显示器的主动元件的方法，其中所述的第一扫描线与该第二扫描线相互平行。

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