JP2023506716A - 安定性を増加させたタンタルキャパシタ - Google Patents
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Abstract
キャパシタ素子を含む固体電解キャパシタを提供する。キャパシタ素子は、タンタルを含む陽極体、陽極体の上に配されている誘電体;及び誘電体の上に配されている固体電解質を含む。固体電解質は、繰り返しチオフェン単位を含む固有導電性ポリマーを含む。更に、キャパシタは、約0.6ボルト/ナノメートル以上の誘電強度を示す。キャパシタはまた、3,000サイクルのサージ電圧にかけられた後の充放電キャパシタンス、及びサージ電圧にかけられる前の最初のキャパシタンスも示し、充放電キャパシタンスの、最初のキャパシタンスに対する比は約0.75~1である。【選択図】図1
Description
本出願は、2019年12月10日に出願された米国仮特許出願第62/945,913号、及び2019年12月12日に出願された米国仮特許出願第62/947,014号(その全体が参照により本明細書に組み込まれる)の優先権を主張する。
タンタルキャパシタは、通常は、タンタル粉末を金属リード線の周囲にプレスし、プレスした部品を焼結し、焼結した陽極を陽極酸化し、その後、固体電解質を施すことによって製造される。導電性ポリマーは、それらの有利な低い等価直列抵抗(ESR)及び「非燃焼/非発火」故障モードのために、固体電解質としてしばしば使用される。例えば、かかる電解質は、触媒及びドーパントの存在下における3,4-ジオキシチオフェンモノマー(EDOT)のin-situ化学重合によって形成することができる。しかしながら、in-situ重合されたポリマーを使用する従来のキャパシタは、比較的高いリーク電流(DCL)を有していて、高速スイッチング又は動作電流スパイク中に経験するような高い電圧において故障する傾向がある。これらの問題点を克服する試みにおいて、ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)とポリ(スチレンスルホネート)の複合体(PEDOT:PSS)から形成される分散液も使用されている。PEDOT:PSS分散液は改善されたリーク電流値をもたらすことができるが、それにもかかわらず他の問題が残る。例えば、ポリマースラリーベースのキャパシタに関する1つの問題は、繰り返し電圧充電サイクル(repeated voltage charge cycle)にかけられた時、それらが比較的不十分なキャパシタンス安定性を示す可能性があることである。
したがって、比較的安定した電気特性を示す改善された固体電解キャパシタに対する必要性が存在する。
本発明の一実施形態によれば、キャパシタ素子を含む固体電解キャパシタが開示される。キャパシタ素子は、タンタルを含む陽極体、陽極体の上に配されている誘電体;及び誘電体の上に配されている固体電解質を含む。固体電解質は、繰り返しチオフェン単位を含む固有導電性ポリマーを含む。更に、キャパシタは、約0.6ボルト/ナノメートル以上の誘電強度(dielectric strength)を示す。キャパシタはまた、3,000サイクルのサージ電圧にかけられた後の充放電キャパシタンス、及び当該サージ電圧にかけられる前の最初のキャパシタンスも示し、当該充放電キャパシタンスの、当該最初のキャパシタンスに対する比は約0.75~1である。
本発明の他の特徴及び態様を以下においてより詳細に示す。
当業者に向けられた、本発明のベストモードを含む本発明の完全且つ実施可能な開示を、添付の図面を参照しながら本明細書の残りでより詳しく示す。
本明細書及び図面における参照符号の繰り返しの使用は、本発明の同一又は類似の特徴又は構成要素を表すことを意図している。
本議論は代表的な態様のみの説明であり、本発明のより広い形態を限定することは意図しておらず、より広い形態は代表的な構成の中で具現化されることが当業者によって理解される。
一般的に言えば、本発明は、タンタルを含む陽極体、陽極体の上に配されている誘電体、及び誘電体の上に配されており、繰り返しチオフェン単位を含む導電性ポリマーを含む固体電解質を含む、キャパシタ素子を含む固体電解キャパシタに関する。キャパシタ素子及びキャパシタ素子が形成される材料の特定の性質を選択的に制御することによって、高い程度の誘電強度を有するキャパシタを形成することができ、それによってキャパシタンスの安定性を改善することができることを本発明者らは発見した。「誘電強度」は一般に、キャパシタの「ブレークダウン電圧」(キャパシタが故障する電圧、ボルト、「V」)の、誘電体の厚さ(ナノメートル、「nm」)に対する比を指す。キャパシタは通常は、約0.6V/nm以上、幾つかの実施形態においては約0.65V/nm以上、幾つかの実施形態においては約0.7V/nm以上、幾つかの実施形態においては約0.75~約1V/nm、幾つかの実施形態においては約0.8~約0.9V/nmの誘電強度を示す。本キャパシタは、例えば、リーク電流が1mAに達するまで印加電圧を3ボルトずつ増加させることによって求めて約55ボルト以上、幾つかの実施形態においては約65ボルト以上、幾つかの実施形態においては約85ボルト以上、幾つかの実施形態においては約90ボルト以上、幾つかの実施形態においては約95ボルト以上、幾つかの実施形態においては約100ボルト~約300ボルトのような、比較的高いブレークダウン電圧を示すことができる。その厚さは、陽極体の特定の場所に応じて一般に変動し得るが、誘電強度を求める目的のための「誘電体厚さ」は、一般に誘電体の最大厚さと考えられ、通常は約60nm以上、幾つかの実施形態においては約60~約500nm、幾つかの実施形態においては約80~約350nm、幾つかの実施形態においては約100~約300nmである。
得られるキャパシタは、広範囲の異なる条件下で安定な電気的特性(例えばキャパシタンス)を維持することができる。例えば、サージ電圧の繰り返しサイクルにかけられた後のキャパシタンス(充放電キャパシタンス)の、こうした試験前の最初のキャパシタンス値に対する比は、約0.75~1、幾つかの実施形態においては約0.8~1、幾つかの実施形態においては0.85~1、幾つかの実施形態においては約0.9~1、幾つかの実施形態においては0.91~0.99、幾つかの実施形態においては0.92~0.99であり得る。サージ電圧は、1,000~16,000サイクル(例えば、1,000、2,000、3,000、4,000、5,000、8,000、12,000、又は16,000サイクル)印加することができる。例えば、3,000サイクル後に、キャパシタは0.75~1、幾つかの実施形態においては約0.95~1、幾つかの実施形態においては約0.96~1、幾つかの実施形態においては約0.97~1の充放電キャパシタンスを示すことができる。
加えて、キャパシタンスはまた、約80℃以上、幾つかの実施形態においては約100℃~約150℃、幾つかの実施形態においては約105℃~約130℃(例えば、105℃又は125℃)のような高温に、約100時間以上、幾つかの実施形態においては約150時間~約3,000時間(例えば3,000時間)のような相当な時間暴露した後でも、安定したままであり得る。一実施形態においては、例えば、高温(例えば105℃)に3,000時間暴露した後のキャパシタンスの、最初のキャパシタンス値(例えば23℃)に対する比は、約0.7~1、幾つかの実施形態においては約0.8~1、幾つかの実施形態においては約0.9~1、幾つかの実施形態においては0.91~0.99である。実際のキャパシタンス値(乾燥)は、変動してよいが、通常は120Hzの周波数で測定して約1ミリファラド/平方センチメートル(mF/cm2)以上、幾つかの実施形態においては約2mF/cm2以上、幾つかの実施形態においては約5~約50mF/cm2、幾つかの実施形態においては約8~約20mF/cm2である。
上述のものに加えて、本キャパシタはまた、他の改良された電気的特性も示すことができる。例えば、約30分~約20時間、幾つかの実施形態においては約1時間~約18時間、幾つかの実施形態においては約4時間~約16時間の間、印加電圧(例えば120ボルト)にかけた後に、本キャパシタは、わずか100マイクロアンペア(μA)以下、幾つかの実施形態においては約70μA以下、幾つかの実施形態においては約1~約50μAの約のリーク電流(DCL)を示すことができる。特に、本キャパシタは、上記のような乾燥条件下であってもそのような低いDCL値を示し得る。本キャパシタはまた、100kHzの動作周波数及び23℃の温度で測定して、約200ミリオーム、幾つかの実施形態においては約150ミリオーム未満、幾つかの実施形態においては約0.01~約125ミリオーム、幾つかの実施形態においては約0.1~約100ミリオームのような比較的低い等価直列抵抗(ESR)も示し得る。本キャパシタはまた、約80℃以上、幾つかの実施形態においては約100℃~約150℃、幾つかの実施形態においては約105℃~約130℃(例えば、105℃又は125℃)の温度に、約100時間以上、幾つかの実施形態においては約150時間~約3,000時間(例えば3,000時間)のような相当な時間暴露した後でも、このようなESR値を示すこともできる。一実施形態においては、例えば、高温(例えば105℃)に3,000時間暴露した後のキャパシタのESRの、キャパシタの最初のESR値(例えば23℃)に対する比は、約2.0以下、幾つかの実施形態においては約1.5以下、幾つかの実施形態においては1.0~約1.3である。
また、キャパシタの誘電正接(dissipation factor)を比較的低いレベルに維持することができるとも考えられる。誘電正接は、一般にキャパシタ内で生じる損失を指し、通常は理想的なキャパシタ性能のパーセントとして表される。例えば、本キャパシタの誘電正接は、通常は、120Hzの周波数において求めて約250%以下、幾つかの実施形態においては約200%以下、幾つかの実施形態においては約1%~約180%である。
ここで、キャパシタの種々の実施形態をより詳細に説明する。
I.キャパシタ素子
A.陽極体
本キャパシタ素子は、陽極体の上に形成された誘電体を含む陽極を含む。陽極体は、シート、箔、メッシュ、ペレットなどの形態であり得る。その形態にかかわらず、陽極体は、通常はタンタルから形成される。一実施形態においては、例えば、陽極体は、タンタル粉末から形成されたペレットの形態であり得る。タンタル粉末は、タンタル塩(例えば、フルオロタンタル酸カリウム(K2TaF7)、フルオロタンタル酸ナトリウム(Na2TaF7)、五塩化タンタル(TaCl5)など)を還元剤と反応させる還元プロセスから形成することができる。還元剤は、液体、気体(例えば水素)、又は固体、例えば金属(例えばナトリウム)、金属合金、又は金属塩の形態で提供することができる。例えば一実施形態においては、タンタル塩(例えばTaCl5)を約900℃~約2,000℃、幾つかの実施形態においては約1,000℃~約1,800℃、幾つかの実施形態においては約1,100℃~約1,600℃の温度で加熱して蒸気を形成することができ、それを気体還元剤(例えば水素)の存在下で還元することができる。かかる還元反応の更なる詳細は、MaeshimaらのWO-2014/199480に記載されている。還元後、生成物を冷却、粉砕、及び洗浄して粉末を形成することができる。
A.陽極体
本キャパシタ素子は、陽極体の上に形成された誘電体を含む陽極を含む。陽極体は、シート、箔、メッシュ、ペレットなどの形態であり得る。その形態にかかわらず、陽極体は、通常はタンタルから形成される。一実施形態においては、例えば、陽極体は、タンタル粉末から形成されたペレットの形態であり得る。タンタル粉末は、タンタル塩(例えば、フルオロタンタル酸カリウム(K2TaF7)、フルオロタンタル酸ナトリウム(Na2TaF7)、五塩化タンタル(TaCl5)など)を還元剤と反応させる還元プロセスから形成することができる。還元剤は、液体、気体(例えば水素)、又は固体、例えば金属(例えばナトリウム)、金属合金、又は金属塩の形態で提供することができる。例えば一実施形態においては、タンタル塩(例えばTaCl5)を約900℃~約2,000℃、幾つかの実施形態においては約1,000℃~約1,800℃、幾つかの実施形態においては約1,100℃~約1,600℃の温度で加熱して蒸気を形成することができ、それを気体還元剤(例えば水素)の存在下で還元することができる。かかる還元反応の更なる詳細は、MaeshimaらのWO-2014/199480に記載されている。還元後、生成物を冷却、粉砕、及び洗浄して粉末を形成することができる。
使用する場合、粉末の比電荷は、通常は、所望の用途に応じて約2,000~約600,000マイクロファラド・ボルト/グラム(μF・V/g)で変動する。例えば幾つかの実施形態においては、約100,000~約600,000μF・V/g、幾つかの実施形態においては約120,000~約500,000μF・V/g、幾つかの実施形態においては約150,000~約400,000μF・V/gの比電荷を有する高電荷粉末を使用することができる。他の実施形態においては、約2,000~約100,000μF・V/g、幾つかの実施形態においては約5,000~約80,000μF・V/g、幾つかの実施形態においては約10,000~約70,000μF・V/gの比電荷を有する低電荷粉末を使用することができる。当該技術において公知なように、比電荷は、キャパシタンスに使用した陽極酸化電圧をかけ、次にこの積を陽極酸化電極体の重量で割ることによって求めることができる。粉末は、一次粒子を含む自由流動性の微細粉末であってよい。粉末の一次粒子は、一般的に、場合によっては粒子を70秒間の超音波振動にかけた後に、例えばBECKMAN COULTER Corporation製のレーザー粒径分布分析装置(例えばLS-230)を使用して求めて、約5~約500ナノメートル、幾つかの実施形態においては約10~約400ナノメートル、幾つかの実施形態においては約20~約250ナノメートルのメジアン径(D50)を有する。一次粒子は、通常は三次元の粒子形状(例えば球状又は角状)を有する。かかる粒子は、通常は比較的低い「アスペクト比」、すなわち粒子の平均直径又は幅を平均厚さで割った値(D/T)を有する。例えば、粒子のアスペクト比は、約4以下、幾つかの実施形態においては約3以下、幾つかの実施形態においては約1~約2であってよい。一次粒子に加えて、粉末は、一次粒子の凝集(又は凝塊化)によって形成される二次粒子のような他のタイプの粒子を含んでいてもよい。かかる二次粒子は、約1~約500マイクロメートル、幾つかの実施形態においては約10~約250マイクロメートルのメジアン径(D50)を有していてよい。
粒子の凝集は、粒子を加熱することによるか、及び/又はバインダーを使用することによって行うことができる。例えば、凝集は、約0℃~約40℃、幾つかの態様においては約5℃~約35℃、幾つかの態様においては約15℃~約30℃の温度で行うことができる。また好適なバインダーとしては、例えば、ポリ(ビニルブチラール);ポリ(酢酸ビニル);ポリ(ビニルアルコール);ポリ(ビニルピロリドン);セルロースポリマー、例えばカルボキシメチルセルロース、メチルセルロース、エチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、及びメチルヒドロキシエチルセルロース;アタクチックポリプロピレン、ポリエチレン;ポリエチレングリコール(例えば、Dow Chemical Co.製のCarbowax);ポリスチレン、ポリ(ブタジエン/スチレン);ポリアミド、ポリイミド、及びポリアクリルアミド、高分子量ポリエーテル;エチレンオキシドとプロピレンオキシドのコポリマー;フルオロポリマー、例えばポリテトラフルオロエチレン、ポリビニリデンフルオリド、及びフルオロオレフィンコポリマー;アクリルポリマー、例えばナトリウムポリアクリレート、ポリ(低級アルキルアクリレート)、ポリ(低級アルキルメタクリレート)、及び低級アルキルアクリレートとメタクリレートのコポリマー;並びに脂肪酸及びワックス、例えばステアリン酸及び他の石鹸脂肪酸、植物性ワックス、マイクロワックス(精製パラフィン)などを挙げることができる。
得られる粉末は、任意の従来の粉末プレス装置を使用して圧縮してペレットを形成することができる。例えば、ダイと1つ又は複数のパンチを含むシングルステーション式圧縮プレス機であるプレス成形機を使用することができる。或いは、ダイと単一の下方パンチのみを使用するアンビルタイプの圧縮プレス成形機を使用することができる。シングルステーション式圧縮プレス成形機は、シングルアクション、ダブルアクション、浮動ダイ、可動式プラテン、対向ラム、スクリュー、インパクト、ホットプレス、圧印加工、又はサイジングのような種々の能力を有するカムプレス、トグル/ナックルプレス、及び偏心/クランクプレスのような幾つかの基本的タイプで入手可能である。粉末は、ワイヤ、シートなどの形態であってよい陽極リードの周囲に圧縮することができる。リードは、陽極体から長手方向に伸長させることができ、タンタル、ニオブ、アルミニウム、ハフニウム、チタンなど、並びにそれらの導電性酸化物及び/又は窒化物のような任意の導電性材料から形成することができる。陽極体へのリードの接続はまた、他の公知の技術を使用して、例えば、リードを陽極体に溶接するか、或いは形成中(例えば圧縮及び/又は焼結の前)に陽極体内部にそれを埋め込むことによって達成することもできる。
バインダーは、プレス後にペレットを真空下で一定の温度(例えば約150℃~約500℃)において数分間加熱することによって除去することができる。或いは、バインダーは、ペレットを、Bishopらの米国特許第6,197,252号に記載されているような水溶液と接触させることによって除去することもできる。その後、ペレットを焼結して多孔質の一体部材を形成する。ペレットは、通常は約700℃~約1800℃、幾つかの実施形態においては約800℃~約1700℃、幾つかの実施形態においては約900℃~約1400℃の温度で、約5分~約100分、幾つかの実施形態においては約8分~約15分焼結する。これは1以上の工程で行うことができる。所望の場合には、焼結は、酸素原子の陽極体への移動を制限する雰囲気中で行うことができる。例えば、焼結は、真空中、不活性ガス中、水素中などの還元又は不活性雰囲気中で行うことができる。還元雰囲気は、約10Torr~約2000Torr、幾つかの実施形態においては約100Torr~約1000Torr、幾つかの実施形態においては約100Torr~約930Torrの圧力であってよい。水素と他の気体(例えばアルゴン又は窒素)の混合物を使用することもできる。
B.誘電体
また、陽極は誘電体で被覆されている。上記に示したように、誘電体は、誘電体層が陽極上及び/又は陽極内に形成されるように、陽極を陽極酸化することによって形成される。例えば、タンタル(Ta)陽極を五酸化タンタル(Ta2O5)に陽極酸化することができる。通常は、陽極酸化は、最初に電解質を陽極に適用することによって、例えば陽極を電解質中に浸漬することによって行われる。電解質は、一般に、溶液(例えば水性又は非水性)、分散液、溶融体のような液体の形態である。水(例えば脱イオン水);エーテル(例えば、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン);グリコール(例えば、エチレングリコール、プロピレングリコールなど);アルコール(例えば、メタノール、エタノール、n-プロパノール、イソプロパノール、及びブタノール);トリグリセリド;ケトン(例えば、アセトン、メチルエチルケトン、及びメチルイソブチルケトン);エステル(例えば、酢酸エチル、酢酸ブチル、ジエチレングリコールエーテルアセテート、及び酢酸メトキシプロピル);アミド(例えば、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルカプリル/カプリン脂肪酸アミド、及びN-アルキルピロリドン);ニトリル(例えば、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、及びベンゾニトリル);スルホキシド又はスルホン(例えば、ジメチルスルホキシド(DMSO)及びスルホラン)などのような溶媒が電解質において一般に使用される。1種類又は複数の溶媒は、電解質の約50重量%~約99.9重量%、幾つかの実施形態においては約75重量%~約99重量%、幾つかの実施形態においては約80重量%~約95重量%を構成し得る。必ずしも必須ではないが、水性溶媒(例えば水)の使用は、酸化物の形成を促進するためにしばしば望ましい。実際、水は、電解質において使用される1種類又は複数の溶媒の約1重量%以上、幾つかの実施形態においては10重量%以上、幾つかの実施形態においては約50重量%以上、幾つかの実施形態においては約70重量%以上、幾つかの実施形態においては約90%~約100重量%を構成し得る。
また、陽極は誘電体で被覆されている。上記に示したように、誘電体は、誘電体層が陽極上及び/又は陽極内に形成されるように、陽極を陽極酸化することによって形成される。例えば、タンタル(Ta)陽極を五酸化タンタル(Ta2O5)に陽極酸化することができる。通常は、陽極酸化は、最初に電解質を陽極に適用することによって、例えば陽極を電解質中に浸漬することによって行われる。電解質は、一般に、溶液(例えば水性又は非水性)、分散液、溶融体のような液体の形態である。水(例えば脱イオン水);エーテル(例えば、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン);グリコール(例えば、エチレングリコール、プロピレングリコールなど);アルコール(例えば、メタノール、エタノール、n-プロパノール、イソプロパノール、及びブタノール);トリグリセリド;ケトン(例えば、アセトン、メチルエチルケトン、及びメチルイソブチルケトン);エステル(例えば、酢酸エチル、酢酸ブチル、ジエチレングリコールエーテルアセテート、及び酢酸メトキシプロピル);アミド(例えば、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルカプリル/カプリン脂肪酸アミド、及びN-アルキルピロリドン);ニトリル(例えば、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、及びベンゾニトリル);スルホキシド又はスルホン(例えば、ジメチルスルホキシド(DMSO)及びスルホラン)などのような溶媒が電解質において一般に使用される。1種類又は複数の溶媒は、電解質の約50重量%~約99.9重量%、幾つかの実施形態においては約75重量%~約99重量%、幾つかの実施形態においては約80重量%~約95重量%を構成し得る。必ずしも必須ではないが、水性溶媒(例えば水)の使用は、酸化物の形成を促進するためにしばしば望ましい。実際、水は、電解質において使用される1種類又は複数の溶媒の約1重量%以上、幾つかの実施形態においては10重量%以上、幾つかの実施形態においては約50重量%以上、幾つかの実施形態においては約70重量%以上、幾つかの実施形態においては約90%~約100重量%を構成し得る。
電解質は導電性であり、25℃の温度で求めて1ミリシーメンス/センチメートル(mS/cm)以上、幾つかの実施形態においては30mS/cm以上、幾つかの実施形態においては約40mS/cm~約100mS/cmの導電率を有し得る。電解質の導電率を高めるために、溶媒中で解離してイオンを形成することができるイオン性化合物が一般に使用される。この目的のために好適なイオン性化合物としては、例えば、硝酸、硫酸、リン酸、ポリリン酸、ホウ酸、ボロン酸などのような酸;カルボン酸、例えばアクリル酸、メタクリル酸、マロン酸、コハク酸、サリチル酸、スルホサリチル酸、アジピン酸、マレイン酸、リンゴ酸、オレイン酸、没食子酸、酒石酸、クエン酸、ギ酸、酢酸、グリコール酸、シュウ酸、プロピオン酸、フタル酸、イソフタル酸、グルタル酸、グルコン酸、乳酸、アスパラギン酸、グルタミン酸、イタコン酸、トリフルオロ酢酸、バルビツール酸、桂皮酸、安息香酸、4-ヒドロキシ安息香酸、アミノ安息香酸などの有機酸;メタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、スチレンスルホン酸、ナフタレンジスルホン酸、ヒドロキシベンゼンスルホン酸、ドデシルスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸などのようなスルホン酸;ポリ(アクリル)又はポリ(メタクリル)酸及びそれらのコポリマー(例えば、マレイン-アクリル、スルホン-アクリル、及びスチレン-アクリルコポリマー)、カラギーン酸、カルボキシメチルセルロース、アルギン酸などのようなポリマー酸などを挙げることができる。イオン性化合物の濃度は、所望の導電率を達成するように選択される。例えば、酸(例えばリン酸)は、電解質の約0.01重量%~約5重量%、幾つかの実施形態においては約0.05重量%~約0.8重量%、幾つかの実施形態においては約0.1重量%~約0.5重量%を構成し得る。所望であれば、複数のイオン性化合物のブレンドを電解質において使用することもできる。
誘電体を形成するために、通常は電解質が陽極体と接触している間に電流を電解質に通す。化成電圧の値によって誘電体層の厚さが制御される。例えば、電源は、まず、必要な電圧に到達するまで定電流モードに設定することができる。その後、電源を定電位モードに切り替え、所望の誘電体厚さが陽極の表面全体上に確実に形成されるようにすることができる。勿論、パルス又はステップ定電位法などの他の公知の方法も使用することができる。陽極酸化を行う電圧は、通常は、約4~約250V、幾つかの実施形態においては約5~約200V、幾つかの実施形態においては約10~約150Vの範囲である。酸化中は、電解質は昇温温度、例えば約30℃以上、幾つかの態様においては約40℃~約200℃、幾つかの態様においては約50℃~約100℃に維持することができる。陽極酸化はまた周囲温度以下で実施することもできる。得られる誘電体層は陽極の表面上及びその細孔内に形成することができる。
必須ではないが、幾つかの実施形態においては、誘電体層は、陽極の外表面上に配される第1の部分と陽極の内表面上に配される第2の部分を有するという点において、陽極全体にわたって区別された厚さを有することができる。かかる実施形態においては、第1の部分は、その厚さが第2の部分の厚さよりも大きくなるように選択的に形成される。しかしながら、誘電体層の厚さは特定の領域内で均一である必要はないことを理解すべきである。外表面に隣接する誘電体層の幾つかの部分は、例えば、実際には内表面における層の幾つかの部分より薄い場合があり、その逆の場合もある。それでもなお、誘電体層は、外表面における層の少なくとも一部が内表面における少なくとも一部よりも大きな厚さを有するように形成することができる。これらの厚さにおける実際の差は特定の用途に応じて変化させることができるが、第2の部分の厚さに対する第1の部分の厚さの比は、通常は約1.2~約40、幾つかの実施形態においては約1.5~約25、幾つかの実施形態においては約2~約20である。
区別された厚さを有する誘電体層を形成するために、多段階法を使用することができる。このプロセスの各段階において、焼結した陽極を陽極酸化して誘電体層(例えば五酸化タンタル)を形成する。陽極酸化の第1段階中においては、通常は比較的小さい化成電圧、例えば、約1~約90ボルト、幾つかの実施形態においては約2~約50ボルト、幾つかの実施形態においては約5~約20ボルトの範囲の化成電圧を使用して、内部領域に関して所望の誘電体厚さが達成されるのを確実にする。その後、焼結体を次にプロセスの第2段階で陽極酸化して、誘電体の厚さを所望レベルに増加させることができる。これは、一般的には、電解質中において、第1段階中において使用された電圧より高い電圧、例えば約50~約350ボルト、幾つかの実施形態においては約60~約300ボルト、幾つかの実施形態においては約70~約200ボルトの範囲の化成電圧で陽極酸化することにより達成される。第1及び/又は第2段階中においては、電解質は、約15℃~約95℃、幾つかの実施形態においては約20℃~約90℃、幾つかの実施形態においては約25℃~約85℃の範囲内の温度に維持することができる。
陽極酸化プロセスの第1及び第2段階中において使用される電解質は同じでも又は異なっていてもよい。しかしながら、通常は、誘電体成長プロセスの少なくとも1つの段階中において使用される電解質は、上記で説明したイオン性化合物を含む。1つの特定の実施形態においては、相当量の酸化物皮膜が陽極の内表面上に形成されないようにするために、第2段階において使用される電解質が第1段階において使用される電解質よりも低いイオン伝導度を有することが望ましい可能性がある。この点に関し、第1段階中に使用される電解質には、硝酸、硫酸、リン酸、ポリリン酸、ホウ酸、ボロン酸等のような酸であるイオン性化合物を含ませることができる。かかる電解質は、25℃の温度で求めて、約0.1~約100mS/cm、幾つかの実施形態においては約0.2~約20mS/cm、幾つかの実施形態においては約1~約10mS/cmの導電率を有することができる。また、第2段階中に使用される電解質に弱酸の塩であるイオン性化合物を含ませて、ヒドロニウムイオン濃度が、細孔内での電荷通過の結果として細孔内で増大するようにすることができる。イオン輸送又はイオン拡散は、電荷のバランスを取るために必要に応じて、弱酸のアニオンが細孔中に移動するように起こる。その結果、主要導電種(ヒドロニウムイオン)の濃度は、ヒドロニウムイオン、酸アニオン、及び非解離酸の間の平衡が形成される際に減少して、導電不良種が形成される。導電種の濃度の低下は、電解質中での比較的高い電圧降下をもたらし、これにより内部の更なる陽極酸化が妨害され、一方で連続した高導電率の領域における高い化成電圧に対してはより厚い酸化物層が外側の上に蓄積する。好適な弱酸塩としては、例えば、ホウ酸、ボロン酸、酢酸、シュウ酸、乳酸、アジピン酸などのアンモニウム塩又はアルカリ金属塩(例えばナトリウム、カリウムなど)を挙げることができる。特に好適な塩としては、四ホウ酸ナトリウム及び五ホウ酸アンモニウムが挙げられる。かかる電解質は、通常は、25℃の温度で求めて約0.1~約20mS/cm、幾つかの実施形態においては約0.5~約10mS/cm、幾つかの実施形態においては約1~約5mS/cmの導電率を有する。
所望の場合には、所望の誘電体厚さを達成するために、陽極酸化の各段階を1以上のサイクル繰り返すことができる。更に、陽極は、第1及び/又は第2段階の後に、電解質を除去するために他の溶媒(例えば水)ですすぐか又は洗浄することもできる。
C.プレコート
所望の場合には、誘電体の上に配され、誘電体と固体電解質との間に配置されたプレコートを使用することができる。プレコートは、下記の一般式(V):
所望の場合には、誘電体の上に配され、誘電体と固体電解質との間に配置されたプレコートを使用することができる。プレコートは、下記の一般式(V):
(式中、
Zは、ケイ素、チタンなどの有機金属原子であり;
R1、R2、及びR3は、独立して、アルキル(例えば、メチル、エチル、プロピルなど)又はヒドロキシアルキル(例えば、ヒドロキシメチル、ヒドロキシエチル、ヒドロキシプロピルなど)であり、R1、R2、及びR3の少なくとも1つはヒドロキシアルキルであり;
nは、0~8、幾つかの実施形態においては1~6、幾つかの実施形態においては2~4の整数(例えば3)であり;
Xは、グリシジル、グリシジルオキシ、メルカプト、アミノ、ビニルなどのような有機又は無機の官能基である)
を有する化合物のような有機金属化合物を含むことができる。
Zは、ケイ素、チタンなどの有機金属原子であり;
R1、R2、及びR3は、独立して、アルキル(例えば、メチル、エチル、プロピルなど)又はヒドロキシアルキル(例えば、ヒドロキシメチル、ヒドロキシエチル、ヒドロキシプロピルなど)であり、R1、R2、及びR3の少なくとも1つはヒドロキシアルキルであり;
nは、0~8、幾つかの実施形態においては1~6、幾つかの実施形態においては2~4の整数(例えば3)であり;
Xは、グリシジル、グリシジルオキシ、メルカプト、アミノ、ビニルなどのような有機又は無機の官能基である)
を有する化合物のような有機金属化合物を含むことができる。
幾つかの実施形態においては、式(II)におけるR1、R2、及びR3の少なくとも1つは、ヒドロキシアルキル(例えばOCH3)であり得る。例えば、R1、R2、及びR3のそれぞれは、ヒドロキシアルキルであってよい。しかしながら、他の実施形態においては、R1はアルキル(例えばCH3)、R2及びR3はヒドロキシアルキル(例えばOCH3)であってよい。
幾つかの実施形態においては、Xはアミノ基であってよい。好適なアミノ官能性オルガノシラン化合物としては、例えば、下記の一般式(II):
(式中、
R1、R2、及びR3は、上記に定義した通りであり;
R4及びR5は、独立して、水素、アルキル、独立してアルキル、アルケニル、アリール、ヘテロアリール、シクロアルキル、ヘテロシクリル、ハロ、ハロアルキル、ヒドロキシアルキルであるか、或いはN、R4、及びR5は、1つ又は複数の追加の原子と一緒に環構造(例えば、ヘテロアリール又はヘテロシクリル)を形成し;
Zは、アルキル(例えば、エチル又はプロピル)、アリール(例えばフェニル)などのような、窒素原子をケイ素原子に連結する有機基である)
を有するモノアミン官能性シランを挙げることができる。
R1、R2、及びR3は、上記に定義した通りであり;
R4及びR5は、独立して、水素、アルキル、独立してアルキル、アルケニル、アリール、ヘテロアリール、シクロアルキル、ヘテロシクリル、ハロ、ハロアルキル、ヒドロキシアルキルであるか、或いはN、R4、及びR5は、1つ又は複数の追加の原子と一緒に環構造(例えば、ヘテロアリール又はヘテロシクリル)を形成し;
Zは、アルキル(例えば、エチル又はプロピル)、アリール(例えばフェニル)などのような、窒素原子をケイ素原子に連結する有機基である)
を有するモノアミン官能性シランを挙げることができる。
モノアミノ官能性オルガノシラン化合物の例としては、例えば、第一級アミン化合物(例えば、3-アミノプロピルトリエトキシシラン、3-アミノプロピルトリメトキシシラン、4-アミノブチルトリエトキシシラン、m-アミノフェニルトリメトキシシラン、p-アミノフェニルトリメトキシシラン、アミノフェニルトリメトキシシラン、3-アミノプロピルトリス(メトキシ-エトキシ)シラン、11-アミノウンデシルトリエトキシシラン、2(4-ピリジルエチル)トリエトキシシラン、2-(トリメトキシシリルエチル)ピリジン、N-(3-トリメトキシシリルプロピル)ピロール、3-(m-アミノフェノキシプロピルトリメトキシシラン、アミノプロピルシラントリオール、3-アミノプロピルメチルジエトキシシラン、3-アミノプロピルジイソプロピルエトキシシラン、3-アミノプロピルジメチルエトキシシランなど);第二級アミン化合物(例えば、N-ブチルアミノプロピルトリメトキシシラン、N-エチルアミノイソブチルトリメトキシシラン、n-メチルアミノプロピルトリメトキシシラン、N-フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、3-(N-アリルアミノ)プロピルトリメトキシシラン、シクロヘキシルアミノメチルトリエトキシシラン、N-シクロヘキシルアミノプロピルトリメトキシシラン、N-エチルアミノイソブチルメチルジエトキシシラン、(フェニルアミノエチル)メチル-ジエトキシシラン、N-フェニルアミノメチトリメトキシシラン(N-phenylaminomethytrimethoxysilane)、N-メチルアミノプロピルメチル-ジメトキシシランなど);第三級アミン化合物(例えば、ビス(2-ヒドロキシエチル)3-アミノプロピルトリエトキシシラン、ジエチルアミノメチルトリエトキシシラン、(N、N-ジエチル-3-アミノプロピル)トリメトキシシランなど);及びこれらの組合せを挙げることができる。更に、所望の場合には、追加の基を窒素原子に結合させて、化合物が第四級アミン官能性シラン化合物であるようにしてもよい。
下記の一般式(III):
(式中、
R1、R2、R3、R4、及びR5は、上記に定義した通りであり;
Z1は窒素原子をケイ素原子に連結する有機基であり、Z2は、窒素原子同士を連結する、アルキル(例えば、エチル又はプロピル)、アリール(例えばフェニル)などのような有機基である)
を有するような、ジアミノ官能性シラン化合物も使用してよい。かかるジアミノ官能性シラン化合物の例としては、例えば、N-(2-アミノエチル)-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-(2-アミノエチル)-3-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-(6-アミノヘキシル)アミノメチル-トリエトキシシラン、N-(6-アミノヘキシル)アミノ-プロピルトリメトキシシラン、N-(2-アミノエチル)-11-アミノウンデシルトリメトキシシラン、(アミノエチルアミノメチル)-フェネチルトリメトキシシラン、N-3-[(アミノ(ポリプロピレンオキシ)]-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-(2-アミノエチル)-3-アミノプロピルシラントリオール、N-(2-アミノエチル)-3-アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N-(2-アミノエチル)-3-アミノイソブチルメチルジメトキシシラン、(アミノエチルアミノ)-3-イソブチルジメチルメトキシシランなど、及びこれらの組合せを挙げることができる。(3-トリメトキシシリルプロピル)-ジエチレントリムアミン(diethylenetrimamine)のようなトリアミノ官能性化合物も使用することができる。
R1、R2、R3、R4、及びR5は、上記に定義した通りであり;
Z1は窒素原子をケイ素原子に連結する有機基であり、Z2は、窒素原子同士を連結する、アルキル(例えば、エチル又はプロピル)、アリール(例えばフェニル)などのような有機基である)
を有するような、ジアミノ官能性シラン化合物も使用してよい。かかるジアミノ官能性シラン化合物の例としては、例えば、N-(2-アミノエチル)-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-(2-アミノエチル)-3-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-(6-アミノヘキシル)アミノメチル-トリエトキシシラン、N-(6-アミノヘキシル)アミノ-プロピルトリメトキシシラン、N-(2-アミノエチル)-11-アミノウンデシルトリメトキシシラン、(アミノエチルアミノメチル)-フェネチルトリメトキシシラン、N-3-[(アミノ(ポリプロピレンオキシ)]-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-(2-アミノエチル)-3-アミノプロピルシラントリオール、N-(2-アミノエチル)-3-アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N-(2-アミノエチル)-3-アミノイソブチルメチルジメトキシシラン、(アミノエチルアミノ)-3-イソブチルジメチルメトキシシランなど、及びこれらの組合せを挙げることができる。(3-トリメトキシシリルプロピル)-ジエチレントリムアミン(diethylenetrimamine)のようなトリアミノ官能性化合物も使用することができる。
勿論、上記に示したように、他の官能基も使用することができる。例えば、幾つかの実施形態においては、3-メルカプトプロピルトリメトキシシラン、3-メルカプトプロピルトリエトキシシラン、2,2-ジメトキシ-1-チア-2-シラシクロペンタン、11-メルカプトウンデシルトリメトキシシラン、S-(オクタノイル)メルカプトプロピルトリエトキシシラン、2-(2-ピリジルエチル)チオプロピル-トリメトキシシラン、2-(4-ピリデチル)チオプロピルトリメトキシシラン、3-チオシアントプロピルトリメトキシシラン、2-(3-トリメトキシシリルプロピルチオ)-チオフェン、メルカプトメチルメチルジエトキシシラン、3-メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、ビス[3-(トリエトキシシリル)プロピル]テトラスルフィド、ビス[3-(トリエトキシシリル)プロピル]ジスルフィド、ビス[m-(2-トリエトキシシリルエチル)トリル]ポリスルフィド、ビス[3-(トリエトキシシリル)プロピル]チオウレアなど、及びこれらの組合せのような硫黄官能性シラン化合物を使用することができる。
プレコートをキャパシタ体に施す特定の方法は、所望に応じて変化してよい。1つの特定の実施形態においては、化合物を有機溶媒に溶解させ、スクリーン印刷、浸漬、電着塗装、噴霧などによって部品に溶液として施す。有機溶媒は変化してよいが、通常はメタノール、エタノールなどのようなアルコールである。有機金属化合物は、溶液の約0.1重量%~約10重量%、幾つかの実施形態においては約0.2重量%~約8重量%、幾つかの実施形態においては約0.5重量%~約5重量%を構成し得る。また、溶媒は、溶液の約90重量%~約99.9重量%、幾つかの実施形態においては約92重量%~約99.8重量%、幾つかの実施形態においては約95重量%~約99.5重量%を構成し得る。施したら、次に部品を乾燥させて溶媒をそこから除去し、有機金属化合物を含むプレコート層を形成することができる。
D.固体電解質
固体電解質が誘電体及び任意のプレコートの上に配されており、これは一般にキャパシタのための陰極として機能する。通常は固体電解質の全厚さは約1~約50μm、幾つかの実施形態においては約5~約20μmである。通常は、固体電解質は、ポリマーに共有結合しているアニオンによって少なくとも部分的に補償される主鎖上に配置される正電荷を有する、固有導電性ポリマーを含む。例えば、好適な固有導電性ポリマーの一例は、次式(I):
固体電解質が誘電体及び任意のプレコートの上に配されており、これは一般にキャパシタのための陰極として機能する。通常は固体電解質の全厚さは約1~約50μm、幾つかの実施形態においては約5~約20μmである。通常は、固体電解質は、ポリマーに共有結合しているアニオンによって少なくとも部分的に補償される主鎖上に配置される正電荷を有する、固有導電性ポリマーを含む。例えば、好適な固有導電性ポリマーの一例は、次式(I):
(式中、
Rは(CH2)a-O-(CH2)b-L(式中、Lは結合又はHC([CH2]cH)である)であり;
aは0~10、幾つかの実施形態においては0~6、幾つかの実施形態においては1~4(例えば1)であり;
bは1~18、幾つかの実施形態においては1~10、幾つかの実施形態においては2~6(例えば、2、3、4、又は5)であり;
cは0~10、幾つかの実施形態においては0~6、幾つかの実施形態においては1~4(例えば1)であり;
Mは、SO3、C(O)O、BF4、CF3SO3、SbF6、N(SO2CF3)2、C4H3O4、ClO4などのようなアニオンであり;
Xは、水素、アルカリ金属(例えば、リチウム、ナトリウム、ルビジウム、セシウム又はカリウム)、アンモニウムなどのようなカチオンである)
の繰り返しチオフェン単位を有することができる。
Rは(CH2)a-O-(CH2)b-L(式中、Lは結合又はHC([CH2]cH)である)であり;
aは0~10、幾つかの実施形態においては0~6、幾つかの実施形態においては1~4(例えば1)であり;
bは1~18、幾つかの実施形態においては1~10、幾つかの実施形態においては2~6(例えば、2、3、4、又は5)であり;
cは0~10、幾つかの実施形態においては0~6、幾つかの実施形態においては1~4(例えば1)であり;
Mは、SO3、C(O)O、BF4、CF3SO3、SbF6、N(SO2CF3)2、C4H3O4、ClO4などのようなアニオンであり;
Xは、水素、アルカリ金属(例えば、リチウム、ナトリウム、ルビジウム、セシウム又はカリウム)、アンモニウムなどのようなカチオンである)
の繰り返しチオフェン単位を有することができる。
1つの特定の実施形態においては、式(I)におけるMは、固有導電性ポリマーが次式(II):
(式中、R及びXは上記に定義した通りである)の繰り返し単位を含むような、スルホネートイオンである。式(I)又は(II)において、aは好ましくは1であり、bは好ましくは3又は4である。更に、Xは好ましくはナトリウム又はカリウムである。
所望の場合には、ポリマーは他のタイプの繰り返し単位を含むコポリマーであってよい。かかる実施形態においては、式(V)の繰り返し単位は、通常はコポリマー中の繰り返し単位の全量の約50モル%以上、幾つかの実施形態においては約75モル%~約99モル%、幾つかの実施形態においては約85モル%~約95モル%を構成する。勿論、ポリマーは、式(I)の繰り返し単位の100モル%を含む程度までホモポリマーであってよい。
別の実施形態においては、固有導電性ポリマーは、下記の一般式(III):
(式中、
a及びbは、上記に定義した通りであり;
R5は、場合によって置換されているC1~C6線状若しくは分岐のアルキル基(例えばメチル)又はハロゲン原子(例えばフッ素)であり;
Xは、水素原子、アルカリ金属(例えば、Li、Na、又はK)、NH(R1)3(式中、R1は、それぞれ独立して水素原子であるか、又は場合によって置換されているC1~C6アルキル基である)、又はHNC5H5である)
の繰り返しチオフェン単位を有する。
a及びbは、上記に定義した通りであり;
R5は、場合によって置換されているC1~C6線状若しくは分岐のアルキル基(例えばメチル)又はハロゲン原子(例えばフッ素)であり;
Xは、水素原子、アルカリ金属(例えば、Li、Na、又はK)、NH(R1)3(式中、R1は、それぞれ独立して水素原子であるか、又は場合によって置換されているC1~C6アルキル基である)、又はHNC5H5である)
の繰り返しチオフェン単位を有する。
このような繰り返しを形成するために使用されるチオフェン化合物の具体例は、米国特許第9,718,905号に記載されており、例えば、3-[(2,3-ジヒドロチエノ[3,4-b][1,4]ジオキシン-2-イル)メトキシ]-1-メチル-1-プロパンスルホン酸ナトリウム、3-[(2,3-ジヒドロチエノ[3,4-b]-[1,4]ジオキシン-2-イル)メトキシ]-1-エチル-1-プロパンスルホン酸ナトリウム、3-[(2,3-ジヒドロチエノ[3,4-b]-[1,4]ジオキシン-2-イル)メトキシ]-1-プロピル-1-プロパン-スルホン酸ナトリウム、3-[(2,3-ジヒドロチエノ[3,4-b]-[1,4]ジオキシン-2-イル)メトキシ]-1-ブチル-1-プロパンスルホン酸ナトリウム、3-[(2,3-ジヒドロチエノ[3,4-b]-[1,4]ジオキシン-2-イル)メトキシ]-1-ペンチル-1-プロパン-スルホン酸ナトリウム、3-[(2,3-ジヒドロチエノ[3,4-b]-[1,4]ジオキシン-2-イル)メトキシ]-1-ヘキシル-1-プロパンスルホン酸ナトリウム、3-[(2,3-ジヒドロチエノ[3,4-b]-[1,4]ジオキシン-2-イル)メトキシ]-1-イソプロピル-1-プロパンスルホン酸ナトリウム、3-[(2,3-ジヒドロチエノ[3,4-b]-[1,4]ジオキシン-2-イル)メトキシ]-1-イソブチル-1-プロパンスルホン酸ナトリウム、3-[(2,3-ジヒドロチエノ[3,4-b]-[1,4]ジオキシン-2-イル)メトキシ]-1-イソペンチル-1-プロパンスルホン酸ナトリウム、3-[(2,3-ジヒドロチエノ[3,4-b]-[1,4]ジオキシン-2-イル)メトキシ]-1-フルオロ-1-プロパンスルホン酸ナトリウム、3-[(2,3-ジヒドロチエノ[3,4-b]-[1,4]ジオキシン-2-イル)メトキシ]-1-メチル-1-プロパンスルホン酸カリウム、3-[(2,3-ジヒドロチエノ[3,4-b]-[1,4]ジオキシン-2-イル)メトキシ]-1-メチル-1-プロパンスルホン酸、3-[(2,3-ジヒドロチエノ[3,4-b]-[1,4]ジオキシン-2-イル)メトキシ]-1-メチル-1-プロパン-スルホン酸アンモニウム、3-[(2,3-ジヒドロチエノ[3,4-b]-[1,4]ジオキシン-2-イル)メトキシ]-1-メチル-1-プロパンスルホン酸トリエチルアンモニウムなど、及びこれらの組合せを挙げることができる。上記例示されたチオフェンモノマーのそれぞれは、チエノ[3,4-b]-1,4-ジオキシン-2-メタノール及び分岐スルトン化合物から、公知の方法(例えば、Journal of Electroanalytical Chemistry、443、217~226(1998))によって調製することができる。
固有導電性ポリマーは、当業者によって理解される種々の技術によって形成することができる。1つの特定の実施形態においては、例えば、一般式(I)を有するチオフェン化合物は、酸化触媒の存在下で重合することができる。これらのモノマーの誘導体、例えば、上記化合物の二量体又は三量体も使用することができる。誘導体は同一又は異なるモノマー単位で構成することができ、純粋な形態において、並びに互いと及び/又はモノマーとの混合物において使用することができる。これらの前駆体の酸化形態又は還元形態も使用することができる。この重合反応において使用される酸化触媒の量は、特に限定されることはないが、投入材料として使用されるチオフェン化合物のモル数に対して、1~50モル倍、より好ましくは1~20モル倍の範囲内であってよい。酸化触媒は、アンモニウム、ナトリウム、金、鉄(III)、銅(II)、クロム(VI)、セリウム(IV)、マンガン(IV)、マンガン(VII)、又はルテニウム(III)カチオンを含む無機酸又は有機酸の塩のような、遷移金属塩であり得る。特に好適な遷移金属塩としては、ハロゲン化物(例えば、FeCl3又はHAuCl4);他の無機酸の塩(例えば、Fe(ClO4)3、Fe2(SO4)3、(NH4)2S2O8、又はNa3Mo12PO40);並びに有機基を含む有機酸及び無機酸の塩が挙げられる。有機基を有する無機酸の塩の例としては、例えば、C1~C20アルカノールの硫酸モノエステルの鉄(III)塩(例えば、ラウリル硫酸の鉄(III)塩)が挙げられる。更に、有機酸の塩の例としては、例えば、C1~C20アルカンスルホン酸(例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、又はドデカンスルホン酸)の鉄(III)塩;脂肪族ペルフルオロスルホン酸(例えば、トリフルオロメタンスルホン酸、ペルフルオロブタンスルホン酸、又はペルフルオロオクタンスルホン酸)の鉄(III)塩;脂肪族C1~C20カルボン酸(例えば、2-エチルヘキシルカルボン酸)の鉄(III)塩;脂肪族ペルフルオロカルボン酸(例えば、トリフルオロ酢酸又はペルフルオロオクタン酸)の鉄(III)塩;場合によってC1~C20アルキル基によって置換されている芳香族スルホン酸(例えば、ベンゼンスルホン酸、o-トルエンスルホン酸、p-トルエンスルホン酸、又はドデシルベンゼンスルホン酸)の鉄(III)塩;シクロアルカンスルホン酸(例えばカンファースルホン酸)の鉄(III)塩;などが挙げられる。これら上述した塩の混合物も使用することができる。
酸化重合は、一般的に、1種類又は複数の溶媒の存在下で行う。好適な溶媒としては、例えば、水、グリコール(例えば、エチレングリコール、プロピレングリコール、ブチレングリコール、トリエチレングリコール、ヘキシレングリコール、ポリエチレングリコール、エトキシジグリコール、ジプロピレングリコールなど);グリコールエーテル(例えば、メチルグリコールエーテル、エチルグリコールエーテル、イソプロピルグリコールエーテルなど);アルコール(例えば、メタノール、エタノール、n-プロパノール、イソ-プロパノール、及びブタノール);ケトン(例えばアセトン、メチルエチルケトン、及びメチルイソブチルケトン);エステル(例えば、酢酸エチル、酢酸ブチル、ジエチレングリコールエーテルアセテート、メトキシプロピルアセテート、炭酸エチレン、プロピレンカーボネートなど);アミド(例えば、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルカプリル/カプリン脂肪酸アミド及びN-アルキルピロリドン);スルホキシド又はスルホン(例えば、ジメチルスルホキシド(DMSO)及びスルホラン);フェノール化合物(例えば、トルエン、キシレンなど)などを挙げることができる。水は、反応にとって特に好適な溶媒である。この重合反応において使用される溶媒の量は、特に限定されることはないが、しかしながら、材料として使用されるチオフェン化合物が溶媒中に溶解している限り、投入したチオフェン化合物の重量の好ましくは0.1~100倍、より好ましくは0.1~50倍である。反応が行われる温度は、通常は、約-20℃~約140℃、幾つかの実施形態においては約20℃~約100℃で変動する。反応が完了したら、溶媒による洗浄、再沈殿、遠心沈降、限外濾過、透析又はイオン交換樹脂処理など、及びこれらの組合せによるような公知の精製技術を使用して任意の塩不純物を除去することができる。
どのように形成されるかにかかわらず、ポリマーは、ポリマーに共有結合しているアニオンによって少なくとも部分的に補償される主鎖上に配置される正電荷を有する限りにおいて「固有」導電性であると考えられる。ポリマーは例えば、乾燥状態で、約1ジーメンス/センチメートル(S/cm)以上、幾つかの実施形態においては約10S/cm以上、幾つかの実施形態においては約25S/cm以上、幾つかの実施形態においては約40S/cm以上、幾つかの実施形態においては約50~約500S/cmの比較的高い比導電率を有し得る。その固有の導電性の結果として、固体電解質は、ポリスチレンスルホン酸のような従来のドーパントの添加を必要としない。実際、固体電解質はかかるドーパントを実質的に含まなくてよい。それにもかかわらず、本発明の特定の実施形態においてはドーパントを使用することができることを理解すべきである。しかしながら、利用する場合には、ドーパントは、通常は約5重量%以下、幾つかの実施形態においては約2重量%以下、幾つかの実施形態においては約1重量%以下の量で固形電解質中に存在する。
ポリマーはまた、一般に水中に高溶解性であり、これによりそれをより容易且つ効果的に陽極に施すことが可能である。可溶性ポリマーはまた、高比電荷粉末によって形成される小孔により容易に含浸させることもでき、その結果、得られる固形電解質は「フィルム状」の構造を有し、陽極の少なくとも一部を実質的に均一に被覆する。これは、得られる酸化物の品質並びにその表面被覆を改善し、それによってキャパシタアセンブリの電気的特性を向上させる。
i.内層
固体電解質は一般に、1つ又は複数の「内側」導電性ポリマー層から形成される。この文脈における「内側」という用語は、同じ材料から形成され、直接か又は別の層(例えば、プレコート)を介して誘電体の上に重なる1つ又は複数の層を指す。例えば、1つ又は複数の内層は、通常は上記のような固有導電性ポリマーを含む。1つの特定の実施形態においては、1つ又は複数の内層は概して外因性導電性ポリマーを含まず、したがって主として固有導電性ポリマーから形成される。より詳しくは、固有導電性ポリマーは、1つ又は複数の内層の約50重量%以上、幾つかの実施形態においては約70重量%以上、幾つかの実施形態においては約90重量%以上(例えば100重量%)を構成し得る。1つ又は複数の内層を使用することができる。例えば、固体電解質は、通常は2~30、幾つかの実施形態においては4~20、幾つかの実施形態においては約5~15の内層(例えば10の層)を含む。
固体電解質は一般に、1つ又は複数の「内側」導電性ポリマー層から形成される。この文脈における「内側」という用語は、同じ材料から形成され、直接か又は別の層(例えば、プレコート)を介して誘電体の上に重なる1つ又は複数の層を指す。例えば、1つ又は複数の内層は、通常は上記のような固有導電性ポリマーを含む。1つの特定の実施形態においては、1つ又は複数の内層は概して外因性導電性ポリマーを含まず、したがって主として固有導電性ポリマーから形成される。より詳しくは、固有導電性ポリマーは、1つ又は複数の内層の約50重量%以上、幾つかの実施形態においては約70重量%以上、幾つかの実施形態においては約90重量%以上(例えば100重量%)を構成し得る。1つ又は複数の内層を使用することができる。例えば、固体電解質は、通常は2~30、幾つかの実施形態においては4~20、幾つかの実施形態においては約5~15の内層(例えば10の層)を含む。
1つ又は複数の内層は、溶媒を含む溶液の形態で施すことができる。ポリアニリンの濃度は、所望の粘度、及び層を陽極に施す特定の様式に依存して変動し得る。しかしながら、通常は、ポリアニリンは、溶液の約0.1~約10重量%、幾つかの実施形態においては約0.4~約5重量%、幾つかの実施形態においては約0.5~約4重量%を構成する。また、1種類又は複数の溶媒は、溶液の約90重量%~約99.9重量%、幾つかの実施形態においては約95重量%~約99.6重量%、幾つかの実施形態においては約96重量%~約99.5重量%を構成する。使用する場合、溶液は、浸漬、キャスティング(例えば、カーテン被覆、スピン被覆など)、印刷(例えば、グラビア印刷、オフセット印刷、スクリーン印刷など)などのような任意の公知の技術を使用して陽極に施すことができる。得られる導電性ポリマー層は、陽極に施した後に乾燥及び/又は洗浄することができる。
ii.外層
固体電解質は「内層」のみを含んで、実質的に同じ材料、すなわち固有導電性ポリマーから形成されるようにすることができる。しかしながら、他の実施形態においては、固体電解質はまた、1つ又は複数の内層とは異なる材料から形成され、1つ又は複数の内層の上に配されている1以上の随意的な「外側」導電性ポリマー層を含み得る。例えば、1つ又は複数の外層は、外因性導電性ポリマーから形成することができる。1つの特定の実施形態においては、1つ又は複数の外層は、それらがそれぞれの外層の約50重量%以上、幾つかの実施形態においては約70重量%以上、幾つかの実施形態においては約90重量%以上(例えば100重量%)を構成するという点で、かかる外因性導電性ポリマーから主として形成される。1つ又は複数の外層を使用することができる。例えば、固形電解質は、2~30、幾つかの実施形態においては4~20、幾つかの実施形態においては約5~15の外層を含み得る。
固体電解質は「内層」のみを含んで、実質的に同じ材料、すなわち固有導電性ポリマーから形成されるようにすることができる。しかしながら、他の実施形態においては、固体電解質はまた、1つ又は複数の内層とは異なる材料から形成され、1つ又は複数の内層の上に配されている1以上の随意的な「外側」導電性ポリマー層を含み得る。例えば、1つ又は複数の外層は、外因性導電性ポリマーから形成することができる。1つの特定の実施形態においては、1つ又は複数の外層は、それらがそれぞれの外層の約50重量%以上、幾つかの実施形態においては約70重量%以上、幾つかの実施形態においては約90重量%以上(例えば100重量%)を構成するという点で、かかる外因性導電性ポリマーから主として形成される。1つ又は複数の外層を使用することができる。例えば、固形電解質は、2~30、幾つかの実施形態においては4~20、幾つかの実施形態においては約5~15の外層を含み得る。
使用する場合、外因性導電性ポリマーは、例えば、次式(IV):
(式中、
R7は、線状若しくは分岐のC1~C18アルキル基(例えば、メチル、エチル、n-又はイソ-プロピル、n-、イソ-、sec-又はtert-ブチル、n-ペンチル、1-メチルブチル、2-メチルブチル、3-メチルブチル、1-エチルプロピル、1,1-ジメチルプロピル、1,2-ジメチルプロピル、2,2-ジメチルプロピル、n-ヘキシル、n-ヘプチル、n-オクチル、2-エチルヘキシル、n-ノニル、n-デシル、n-ウンデシル、n-ドデシル、n-トリデシル、n-テトラデシル、n-ヘキサデシル、n-オクタデシルなど);C5~C12シクロアルキル基(例えば、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチル、シクロノニル、シクロデシルなど);C6~C14アリール基(例えば、フェニル、ナフチルなど);C7~C18アラルキル基(例えば、ベンジル、o-、m-、p-トリル、2,3-、2,4-、2,5-、2-6-、3-4-、3,5-キシリル、メシチルなど);C1~C4ヒドロキシアルキル基、又はヒドロキシル基であり;
qは、0~8、幾つかの実施形態においては0~2の整数、一実施形態においては0である)の繰り返し単位を有することができる。1つの特定の実施形態においては、「q」は0であり、ポリマーはポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)である。このようなポリマーを形成するのに好適なモノマーの1つの商業的に好適な例は3,4-エチレンジオキシチオフェンであり、これは、Clevios(商標)Mという名称でHeraeusから入手可能である。
R7は、線状若しくは分岐のC1~C18アルキル基(例えば、メチル、エチル、n-又はイソ-プロピル、n-、イソ-、sec-又はtert-ブチル、n-ペンチル、1-メチルブチル、2-メチルブチル、3-メチルブチル、1-エチルプロピル、1,1-ジメチルプロピル、1,2-ジメチルプロピル、2,2-ジメチルプロピル、n-ヘキシル、n-ヘプチル、n-オクチル、2-エチルヘキシル、n-ノニル、n-デシル、n-ウンデシル、n-ドデシル、n-トリデシル、n-テトラデシル、n-ヘキサデシル、n-オクタデシルなど);C5~C12シクロアルキル基(例えば、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチル、シクロノニル、シクロデシルなど);C6~C14アリール基(例えば、フェニル、ナフチルなど);C7~C18アラルキル基(例えば、ベンジル、o-、m-、p-トリル、2,3-、2,4-、2,5-、2-6-、3-4-、3,5-キシリル、メシチルなど);C1~C4ヒドロキシアルキル基、又はヒドロキシル基であり;
qは、0~8、幾つかの実施形態においては0~2の整数、一実施形態においては0である)の繰り返し単位を有することができる。1つの特定の実施形態においては、「q」は0であり、ポリマーはポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)である。このようなポリマーを形成するのに好適なモノマーの1つの商業的に好適な例は3,4-エチレンジオキシチオフェンであり、これは、Clevios(商標)Mという名称でHeraeusから入手可能である。
式(IV)のポリマーは、一般に、ポリマーに共有結合していない別の対イオンの存在を必要とする点で「外因性」導電性であるとみなされる。対イオンは、導電性ポリマーの電荷を中和するモノマー又はポリマーアニオンであってよい。ポリマーアニオンは、例えばポリマーカルボン酸(例えばポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリマレイン酸等);ポリマースルホン酸(例えばポリスチレンスルホン酸(PSS)、ポリビニルスルホン酸等);などのアニオンであってよい。酸はまた、ビニルカルボン酸及びビニルスルホン酸と、アクリル酸エステル及びスチレンのような他の重合性モノマーとのコポリマーのようなコポリマーであってもよい。更に、好適なモノマーアニオンとしては、例えば、C1~C20アルカンスルホン酸(例えばドデカンスルホン酸);脂肪族ペルフルオロスルホン酸(例えばトリフルオロメタンスルホン酸、ペルフルオロブタンスルホン酸、又はペルフルオロオクタンスルホン酸);脂肪族C1~C20カルボン酸(例えば2-エチルヘキシルカルボン酸);脂肪族ペルフルオロカルボン酸(例えばトリフルオロ酢酸又はペルフルオロオクタン酸);場合によってC1~C20アルキル基によって置換されている芳香族スルホン酸(例えばベンゼンスルホン酸、o-トルエンスルホン酸、p-トルエンスルホン酸、又はドデシルベンゼンスルホン酸);シクロアルカンスルホン酸(例えばカンファースルホン酸、又はテトラフルオロボレート、ヘキサフルオロホスフェート、ペルクロレート、ヘキサフルオロアンチモネート、ヘキサフルオロアルセネート、又はヘキサクロロアンチモネート);などのアニオンが挙げられる。特に好適な対アニオンは、ポリマーカルボン酸又はスルホン酸(例えばポリスチレンスルホン酸(PSS))のようなポリマーアニオンである。かかるポリマーアニオンの分子量は、通常は、約1,000~約2,000,000、幾つかの実施形態においては約2,000~約500,000の範囲である。
使用する場合、外因性導電性ポリマーは、予め重合された導電性粒子の分散液の形態で施すことが望ましい場合がある。このような粒子は、通常は約1~約100ナノメートル、幾つかの実施形態においては約2~約80ナノメートル、幾つかの実施形態においては約4~約50ナノメートルの平均寸法(例えば直径)を有する。粒子の直径は、超遠心分離、レーザー回折などのような公知の技術を使用して求めることができる。粒子の形状も変化し得る。1つの特定の実施形態においては、例えば粒子は球形である。しかしながら、プレート、ロッド、ディスク、バー、チューブ、不規則形状等のような他の形状も本発明によって意図されることを理解すべきである。分散液中の粒子の濃度は、分散液の所望の粘度、及び分散液をキャパシタ素子に施す特定の方法に応じて変化し得る。しかしながら、通常は、粒子は、分散液の約0.1~約10重量%、幾つかの実施形態においては約0.4~約5重量%、幾つかの実施形態においては約0.5~約4重量%を構成する。
分散液にはまた1種類以上のバインダーを含ませて、ポリマー層の接着性を更に高め、また分散液中における粒子の安定性も増加させることもできる。バインダーは、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルブチレート、ポリアクリル酸エステル、ポリアクリル酸アミド、ポリメタクリル酸エステル、ポリメタクリル酸アミド、ポリアクリロニトリル、スチレン/アクリル酸エステル、酢酸ビニル/アクリル酸エステル及びエチレン/酢酸ビニルコポリマー、ポリブタジエン、ポリイソプレン、ポリスチレン、ポリエーテル、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリウレタン、ポリアミド、ポリイミド、ポリスルホン、メラミンホルムアルデヒド樹脂、エポキシド樹脂、シリコーン樹脂又はセルロースのような有機的性質のものであってよい。また、バインダーの接着能力を増大させるために架橋剤を使用することもできる。かかる架橋剤としては、例えば、メラミン化合物、マスクドイソシアネート又は官能性シラン、例えば3-グリシドキシプロピルトリアルコキシシラン、テトラエトキシシラン、及びテトラエトキシシラン加水分解物、又は架橋性ポリマー、例えばポリウレタン、ポリアクリレート、又はポリオレフィンを挙げることができ、その後の架橋を含めることができる。
また、層を陽極に施す能力を促進させるために、分散剤を使用することもできる。好適な分散剤としては、脂肪族アルコール(例えば、メタノール、エタノール、i-プロパノール、及びブタノール)、脂肪族ケトン(例えば、アセトン及びメチルエチルケトン)、脂肪族カルボン酸エステル(例えば、酢酸エチル及び酢酸ブチル)、芳香族炭化水素(例えば、トルエン及びキシレン)、脂肪族炭化水素(例えば、ヘキサン、ヘプタン、及びシクロヘキサン)、塩素化炭化水素(例えば、ジクロロメタン及びジクロロエタン)、脂肪族ニトリル(例えばアセトニトリル)、脂肪族スルホキシド及びスルホン(例えば、ジメチルスルホキシド及びスルホラン)、脂肪族カルボン酸アミド(例えば、メチルアセトアミド、ジメチルアセトアミド及びジメチルホルムアミド)、脂肪族及び芳香脂肪族エーテル(例えば、ジエチルエーテル及びアニソール)、水、及び任意の上記の溶媒の混合物のような溶媒が挙げられる。特に好適な分散剤は水である。
上述したものに加えて、更に他の成分を分散液中で使用することもできる。例えば、約10ナノメートル~約100マイクロメートル、幾つかの実施形態においては約50ナノメートル~約50マイクロメートル、幾つかの実施形態においては約100ナノメートル~約30マイクロメートルの寸法を有する通常のフィラーを使用することができる。かかるフィラーの例としては、炭酸カルシウム、シリケート、シリカ、硫酸カルシウム又はバリウム、水酸化アルミニウム、ガラス繊維又はガラス球、木粉、セルロース粉末、カーボンブラック、導電性ポリマーなどが挙げられる。フィラーは、粉末形態で分散液中に導入することができるが、繊維のような他の形態で存在させることもできる。
イオン性又は非イオン性界面活性剤のような表面活性物質を分散液中で使用することもできる。更に、有機官能性シラン又はそれらの加水分解物、例えば、3-グリシドキシプロピルトリアルコキシシラン、3-アミノプロピルトリエトキシシラン、3-メルカプトプロピルトリメトキシシラン、3-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン又はオクチルトリエトキシシランのような接着剤を使用することができる。分散液にはまた、エーテル基含有化合物(例えばテトラヒドロフラン)、ラクトン基含有化合物(例えば、γ-ブチロラクトン又はγ-バレロラクトン)、アミド又はラクタム基含有化合物(例えば、カプロラクタム、N-メチルカプロラクタム、N,N-ジメチルアセトアミド、N-メチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミド(DMF)、N-メチルホルムアミド、N-メチルホルムアニリド、N-メチルピロリドン(NMP)、N-オクチルピロリドン、又はピロリドン)、スルホン及びスルホキシド(例えば、スルホラン(テトラメチレンスルホン)又はジメチルスルホキシド(DMSO))、糖又は糖誘導体(例えば、サッカロース、グルコース、フルクトース、又はラクトース)、糖アルコール(例えば、ソルビトール又はマンニトール)、フラン誘導体(例えば、2-フランカルボン酸又は3-フランカルボン酸)、アルコール(例えば、エチレングリコール、グリセロール、ジ-又はトリエチレングリコール)のような、導電率を増加させる添加剤を含ませることもできる。
分散液は、スピン被覆、含浸、流し込み、滴下適用、注入、噴霧、ドクターブレード塗布、ブラシ塗布、印刷(例えば、インクジェット、スクリーン、又はパッド印刷)、又は浸漬などによる種々の公知の技術を使用して施すことができる。分散液の粘度は、通常は、約0.1~約100,000mPa・秒(100秒-1の剪断速度で測定)、幾つかの実施形態においては約1~約10,000mPa・秒、幾つかの実施形態においては約10~約1,500mPa・秒、幾つかの実施形態においては約100~約1000mPa・秒である。
所望であれば、ヒドロキシル官能性非イオンポリマーを、固体電解質の1つ又は複数の外層において使用することもできる。「ヒドロキシ官能性」という用語は、一般的に、化合物が少なくとも1つのヒドロキシル官能基を含むか、又は溶媒の存在下でかかる官能基を有することができることを意味する。理論によって限定することは意図しないが、一定の分子量を有するヒドロキシ官能性ポリマーを使用することによって、高電圧での化学分解の可能性を最小にすることができると考えられる。例えば、ヒドロキシ官能性ポリマーの分子量は、約100~10,000グラム/モル、幾つかの実施形態においては約200~2,000グラム/モル、幾つかの実施形態においては約300~約1,200グラム/モル、幾つかの実施形態においては約400~約800グラム/モルであってよい。
一般的に、任意の種々のヒドロキシ官能性非イオン性ポリマーをこの目的のために使用することができる。例えば一態様においては、ヒドロキシ官能性ポリマーはポリアルキレンエーテルである。ポリアルキレンエーテルとしては、ポリアルキレングリコール(例えば、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリテトラメチレングリコール、ポリエピクロロヒドリン等)、ポリオキセタン、ポリフェニレンエーテル、ポリエーテルケトンなどを挙げることができる。ポリアルキレンエーテルは、通常は、末端ヒドロキシ基を有する主として線状の非イオン性ポリマーである。ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、及びポリテトラメチレングリコール(ポリテトラヒドロフラン)が特に好適であり、これらはエチレンオキシド、プロピレンオキシド、又はテトラヒドロフランの水への重付加によって製造される。ポリアルキレンエーテルは、ジオール又はポリオールから重縮合反応によって製造することができる。ジオール成分は、特に、5~36個の炭素原子を含む飽和又は不飽和で、分岐又は非分岐の脂肪族ジヒドロキシ化合物、又は芳香族ジヒドロキシ化合物、例えばペンタン-1,5-ジオール、ヘキサン-1,6-ジオール、ネオペンチルグリコール、ビス-(ヒドロキシメチル)-シクロヘキサン、ビスフェノールA、二量体ジオール、水素化二量体ジオール、又は更には上記のジオールの混合物から選択することができる。更に、例えば、グリセロール、ジ-及びポリグリセロール、トリメチロールプロパン、ペンタエリトリトール、又はソルビトールなどの多価アルコールも重合反応において使用することができる。
上述のものに加えて、他のヒドロキシ官能性非イオン性ポリマーも本発明において使用することができる。かかるポリマーの幾つかの例としては、例えば、エトキシル化アルキルフェノール;エトキシル化又はプロポキシル化C6~C24脂肪族アルコール;一般式:CH3-(CH2)10-16-(O-C2H4)1-25-OHを有するポリオキシエチレングリコールアルキルエーテル(例えば、オクタエチレングリコールモノドデシルエーテル及びペンタエチレングリコールモノドデシルエーテル);一般式:CH3-(CH2)10-16-(O-C3H6)1-25-OHを有するポリオキシプロピレングリコールアルキルエーテル;次の一般式:C8H17-(C6H4)-(O-C2H4)1-25-OHを有するポリオキシエチレングリコールオクチルフェノールエーテル(例えばTriton(商標)X-100);次の一般式:C9H19-(C6H4)-(O-C2H4)1-25-OHを有するポリオキシエチレングリコールアルキルフェノールエーテル(例えばノノキシノール-9);C8-C24脂肪酸のポリオキシエチレングリコールエステル、例えばポリオキシエチレングリコールソルビタンアルキルエステル(例えば、ポリオキシエチレン(20)ソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレン(20)ソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレン(20)ソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレン(20)ソルビタンモノオレエート、PEG-20メチルグルコースジステアレート、PEG-20メチルグルコースセスキステアレート、PEG-80ヒマシ油、及びPEG-20ヒマシ油、PEG-3ヒマシ油、PEG-600ジオレエート、及びPEG-400ジオレエート)、及びポリオキシエチレングリセロールアルキルエステル(例えば、ポリオキシエチレン-23グリセロールラウレート、及びポリオキシエチレン-20グリセロールステアレート);C8~C24脂肪酸のポリオキシエチレングリコールエーテル(例えば、ポリオキシエチレン-10セチルエーテル、ポリオキシエチレン-10ステアリルエーテル、ポリオキシエチレン-20セチルエーテル、ポリオキシエチレン-10オレイルエーテル、ポリオキシエチレン-20オレイルエーテル、ポリオキシエチレン-20イソヘキサデシルエーテル、ポリオキシエチレン-15トリデシルエーテル、及びポリオキシエチレン-6トリデシルエーテル);ポリエチレングリコールとポリプロピレングリコールのブロックコポリマー(例えばPoloxamers);など、並びにこれらの混合物が挙げられる。
ヒドロキシ官能性非イオン性ポリマーは、種々の異なる方法で外層中に導入することができる。例えば幾つかの実施形態においては、非イオン性ポリマーを単に外因性導電性ポリマーの分散液中に導入することができる。かかる実施形態においては、層中における非イオン性ポリマーの濃度は、約1重量%~約50重量%、幾つかの態様においては約5重量%~約40重量%、幾つかの態様においては約10重量%~約30重量%であってよい。しかしながら、他の実施形態においては非イオン性ポリマーは、1つ又は複数の当初の外層が形成された後に施すことができる。かかる実施形態においては、非イオン性ポリマーを施すために使用する技術は変化し得る。例えば、非イオン性ポリマーは、含浸、浸漬、流し込み、ドリッピング、注入、噴霧、展開、塗装、又は印刷、例えばインクジェット若しくはスクリーン印刷のような種々の方法を使用して、液体溶液の形態で施すことができる。水、アルコール、又はこれらの混合物のような当業者に公知の溶媒を溶液中で使用することができる。かかる溶液中における非イオン性ポリマーの濃度は、通常は、溶液の約5重量%~約95重量%、幾つかの態様においては約10重量%~約70重量%、幾つかの態様においては約15重量%~約50重量%の範囲である。所望の場合には、かかる溶液は導電性ポリマーを概して含んでいなくてよい。例えば、導電性ポリマーは、溶液の約2重量%以下、幾つかの態様においては約1重量%以下、幾つかの態様においては約0.5重量%以下を構成し得る。
E 外部ポリマー被覆
所望の場合には、固体電解質の上に配されている陽極に外部ポリマー被覆を施すこともできる。使用する場合、外部ポリマー被覆は、一般に、上記に記載のような導電性ポリマー粒子から形成される(例えば外因性導電性ポリマーから形成される)1以上の層を含む。外部被覆は、キャパシタ体のエッジ領域中に更に浸透して、誘電体に対する接着を増加させて、より機械的に堅牢な部品を与えることができ、これにより等価直列抵抗及びリーク電流を減少させることができる。一般に、陽極体の内部に含浸させるのではなく、エッジの被覆度を向上させることを意図しているので、外部被覆において使用される粒子は、通常は固体電解質において使用される随意的な粒子において(例えば1つ又は複数の外層において)使用されるものよりも大きな寸法を有する。例えば、固体電解質において使用される粒子の平均寸法に対する、外部ポリマー被覆において使用される粒子の平均寸法の比は、通常は約1.5~約30、幾つかの実施形態においては約2~約20、幾つかの実施形態においては約5~約15である。例えば、外部被覆において使用される粒子は、約50~約800ナノメートル、幾つかの実施形態においては約80~約600ナノメートル、幾つかの実施形態においては約100~約500ナノメートルの平均寸法を有していてよい。
所望の場合には、固体電解質の上に配されている陽極に外部ポリマー被覆を施すこともできる。使用する場合、外部ポリマー被覆は、一般に、上記に記載のような導電性ポリマー粒子から形成される(例えば外因性導電性ポリマーから形成される)1以上の層を含む。外部被覆は、キャパシタ体のエッジ領域中に更に浸透して、誘電体に対する接着を増加させて、より機械的に堅牢な部品を与えることができ、これにより等価直列抵抗及びリーク電流を減少させることができる。一般に、陽極体の内部に含浸させるのではなく、エッジの被覆度を向上させることを意図しているので、外部被覆において使用される粒子は、通常は固体電解質において使用される随意的な粒子において(例えば1つ又は複数の外層において)使用されるものよりも大きな寸法を有する。例えば、固体電解質において使用される粒子の平均寸法に対する、外部ポリマー被覆において使用される粒子の平均寸法の比は、通常は約1.5~約30、幾つかの実施形態においては約2~約20、幾つかの実施形態においては約5~約15である。例えば、外部被覆において使用される粒子は、約50~約800ナノメートル、幾つかの実施形態においては約80~約600ナノメートル、幾つかの実施形態においては約100~約500ナノメートルの平均寸法を有していてよい。
場合により外部ポリマー被覆において架橋剤を使用して、固体電解質に対する接着度を更に増大させることができる。通常は、架橋剤は、外部被覆において使用される分散液を施す前に施す。好適な架橋剤は、例えば、Merkerらの米国特許公開第2007/0064376号に記載されており、例えば、アミン(例えば、ジアミン、トリアミン、オリゴマーアミン、ポリアミンなど);多価金属カチオン、例えば、Mg、Al、Ca、Fe、Cr、Mn、Ba、Ti、Co、Ni、Cu、Ru、Ce、又はZnの塩又は化合物、ホスホニウム化合物、スルホニウム化合物などが挙げられる。特に好適な例としては、例えば、1,4-ジアミノシクロヘキサン、1,4-ビス(アミノメチル)シクロヘキサン、エチレンジアミン、1,6-ヘキサンジアミン、1,7-ヘプタンジアミン、1,8-オクタンジアミン、1,9-ノナンジアミン、1,10-デカンジアミン、1,12-ドデカンジアミン、N,N-ジメチルエチレンジアミン、N,N,N’,N’-テトラメチルエチレンジアミン、N,N,N’,N’-テトラメチル-1,4-ブタンジアミンなど、並びにこれらの混合物が挙げられる。
架橋剤は、通常は、そのpHが25℃において求めて1~10、幾つかの態様においては2~7、幾つかの態様においては3~6である溶液又は分散液から施される。酸性化合物を使用して所望のpHレベルの達成を助けることができる。架橋剤のための溶媒又は分散剤の例としては、水、又は有機溶媒、例えばアルコール、ケトン、カルボン酸エステルなどが挙げられる。架橋剤は、スピン被覆、含浸、流延、滴下適用、噴霧適用、蒸着、スパッタリング、昇華、ナイフ被覆、塗装又は印刷、例えばインクジェット、スクリーン、又はパッド印刷のような任意の公知のプロセスによってキャパシタ体に施すことができる。施したら、ポリマー分散液を施す前に架橋剤を乾燥することができる。次に、所望の厚さが達成されるまでこのプロセスを繰り返すことができる。例えば、架橋剤及び分散液の層を含む外部ポリマー被覆全体の全厚さは、約1~約50μm、幾つかの態様においては約2~約40μm、幾つかの態様においては約5~約20μmの範囲であってよい。
F.陰極被覆
所望の場合には、キャパシタ素子は、固体電解質及び外部ポリマー被覆の上に配される陰極被覆を使用することもできる。陰極被覆には、ポリマーマトリクス内に分散されている多数の導電性金属粒子を含む金属粒子層を含ませることができる。粒子は、通常は層の約50重量%~約99重量%、幾つかの実施形態においては約60重量%~約98重量%、幾つかの実施形態においては約70重量%~約95重量%を構成し、一方でポリマーマトリクスは、通常は層の約1重量%~約50重量%、幾つかの実施形態においては約2重量%~約40重量%、幾つかの実施形態においては約5重量%~約30重量%を構成する。
所望の場合には、キャパシタ素子は、固体電解質及び外部ポリマー被覆の上に配される陰極被覆を使用することもできる。陰極被覆には、ポリマーマトリクス内に分散されている多数の導電性金属粒子を含む金属粒子層を含ませることができる。粒子は、通常は層の約50重量%~約99重量%、幾つかの実施形態においては約60重量%~約98重量%、幾つかの実施形態においては約70重量%~約95重量%を構成し、一方でポリマーマトリクスは、通常は層の約1重量%~約50重量%、幾つかの実施形態においては約2重量%~約40重量%、幾つかの実施形態においては約5重量%~約30重量%を構成する。
導電性金属粒子は、銅、ニッケル、銀、ニッケル、亜鉛、スズ、鉛、銅、アルミニウム、モリブデン、チタン、鉄、ジルコニウム、マグネシウムなどのような種々の異なる金属、並びにこれらの合金から形成することができる。銀がかかる層において使用するのに特に好適な導電性金属である。金属粒子は、しばしば、約0.01~約50マイクロメートル、幾つかの実施形態においては約0.1~約40マイクロメートル、幾つかの実施形態においては約1~約30マイクロメートルの平均径のような比較的小さい寸法を有する。通常は1つのみの金属粒子層を使用するが、所望の場合には複数の層を使用することができることを理解すべきである。かかる1つ又は複数の層の合計厚さは、約1μm~約500μm、幾つかの実施形態においては約5μm~約200μm、幾つかの実施形態においては約10μm~約100μmの範囲内である。
ポリマーマトリクスは、通常は本質的に熱可塑性又は熱硬化性であってよいポリマーを含む。しかしながら、通常は、ポリマーは、銀イオンのエレクトロマイグレーションに対するバリヤとして作用することができ、また陰極被覆における水吸着の程度を最小にするように比較的少量の極性基を含むように選択される。この点に関し、本発明者らは、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマールなどのようなビニルアセタールポリマーがこの目的のために特に好適であることを見出した。例えば、ポリビニルブチラールは、ポリビニルアルコールをアルデヒド(例えばブチルアルデヒド)と反応させることによって形成することができる。この反応は通常は完全ではないので、ポリビニルブチラールは一般的に残留ヒドロキシル含量を有する。しかしながら、この含量を最小にすることによって、ポリマーはより低い程度の強極性基を有することができる(これを有していないと高い程度の湿分吸着が引き起こされ、且つ銀イオンの移動が引き起こされる)。例えば、ポリビニルアセタール中の残留ヒドロキシル含量は、約35モル%以下、幾つかの実施形態においては約30モル%以下、幾つかの実施形態においては約10モル%~約25モル%にすることができる。かかるポリマーの1つの商業的に入手できる例は、Sekisui Chemical Co.,Ltd.から「BH-S」(ポリビニルブチラール)の名称で入手できる。
陰極被覆を形成するためには、通常は、導電性ペーストをキャパシタに、固体電解質の上に重ねて施す。一般にペースト中で1種類以上の有機溶媒を使用する。一般に、グリコール(例えば、プロピレングリコール、ブチレングリコール、トリエチレングリコール、ヘキシレングリコール、ポリエチレングリコール、エトキシジグリコール、及びジプロピレングリコール);グリコールエーテル(例えば、メチルグリコールエーテル、エチルグリコールエーテル、及びイソプロピルグリコールエーテル);エーテル(例えば、ジエチルエーテル及びテトラヒドロフラン);アルコール(例えば、ベンジルアルコール、メタノール、エタノール、n-プロパノール、イソ-プロパノール、及びブタノール);トリグリセリド;ケトン(例えば、アセトン、メチルエチルケトン、及びメチルイソブチルケトン);エステル(例えば、酢酸エチル、酢酸ブチル、ジエチレングリコールエーテルアセテート、及びメトキシプロピルアセテート);アミド(例えば、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルカプリル/カプリン脂肪酸アミド及びN-アルキルピロリドン);ニトリル(例えば、アセトニトリル、プロピオンニトリル、ブチロニトリル、及びベンゾニトリル);スルホキシド又はスルホン(例えば、ジメチルスルホキシド(DMSO)及びスルホラン);など、並びにこれらの混合物のような種々の異なる有機溶媒を使用することができる。1種類又は複数の有機溶媒は、通常は、ペーストの約10重量%~約70重量%、幾つかの実施形態においては約20重量%~約65重量%、幾つかの実施形態においては約30重量%~約60重量%を構成する。通常は、金属粒子は、ペーストの約10重量%~約60重量%、幾つかの実施形態においては約20重量%~約45重量%、幾つかの実施形態においては約25重量%~約40重量%を構成し、樹脂状マトリクスは、ペーストの約0.1重量%~約20重量%、幾つかの実施形態においては約0.2重量%~約10重量%、幾つかの実施形態においては約0.5重量%~約8重量%を構成する。
ペーストは比較的低い粘度を有していてよく、これによりそれを容易に取り扱ってキャパシタ素子に施すことが可能になる。粘度は、例えば、Brookfield DV-1粘度計(コーンプレート)などを使用して10rpmの速度及び25℃の温度で運転して測定して、約50~約3,000センチポアズ、幾つかの実施形態においては100~約2,000センチポアズ、幾つかの実施形態においては約200~約1,000センチポアズの範囲であってよい。所望の場合には、ペースト中で増粘剤又は他の粘度調整剤を使用して粘度を増加又は減少させることができる。更に、施すペーストの厚さは比較的薄くてもよく、これでもなお所望の特性を達成することができる。例えば、ペーストの厚さは、約0.01~約50マイクロメートル、幾つかの実施形態においては約0.5~約30マイクロメートル、幾つかの実施形態においては約1~約25マイクロメートルであってよい。施したら、金属ペーストを場合によっては乾燥して、有機溶媒のような幾つかの成分を除去することができる。例えば、乾燥は、約20℃~約150℃、幾つかの実施形態においては約50℃~約140℃、幾つかの実施形態においては約80℃~約130℃の温度で行うことができる。
G.他の構成要素:
所望の場合には、当該技術において公知の他の層をキャパシタに含ませることもできる。例えば、幾つかの実施形態においては、炭素層(例えばグラファイト)を固体電解質と銀層との間に配置して、これによって銀層と固体電解質との接触を更に制限することを助けることができる。更に、誘電体の上に配され、有機金属化合物を含むプレコート層を使用することもできる。
所望の場合には、当該技術において公知の他の層をキャパシタに含ませることもできる。例えば、幾つかの実施形態においては、炭素層(例えばグラファイト)を固体電解質と銀層との間に配置して、これによって銀層と固体電解質との接触を更に制限することを助けることができる。更に、誘電体の上に配され、有機金属化合物を含むプレコート層を使用することもできる。
II.終端(termination):
形成されたら、特に表面実装用途において使用する場合にはキャパシタ素子に終端を与えることができる。例えば、それにキャパシタ素子の陽極リードが電気的に接続される陽極終端、及びそれにキャパシタ素子の陰極が電気的に接続される陰極終端をキャパシタに含ませることができる。導電性金属(例えば、銅、ニッケル、銀、ニッケル、亜鉛、スズ、パラジウム、鉛、銅、アルミニウム、モリブデン、チタン、鉄、ジルコニウム、マグネシウム、及びこれらの合金)のような任意の導電性材料を使用して終端を形成することができる。特に好適な導電性金属としては、例えば、銅、銅合金(例えば、銅-ジルコニウム、銅-マグネシウム、銅-亜鉛、又は銅-鉄)、ニッケル、及びニッケル合金(例えばニッケル-鉄)が挙げられる。終端の厚さは、一般的にキャパシタの厚さを最小にするように選択される。例えば、終端の厚さは、約0.05~約1ミリメートル、幾つかの態様においては約0.05~約0.5ミリメートル、及び約0.07~約0.2ミリメートルの範囲であってよい。1つの代表的な導電性材料は、Wieland(ドイツ)から入手できる銅-鉄合金の金属プレートである。所望の場合には、終端の表面は、当該技術において公知なように、最終部品を回路基板へ実装することができるのを確実にするために、ニッケル、銀、金、スズなどで電気めっきすることができる。1つの特定の態様においては、終端の両方の表面をそれぞれニッケル及び銀フラッシュでめっきし、一方で、実装面もスズはんだ層でめっきする。
形成されたら、特に表面実装用途において使用する場合にはキャパシタ素子に終端を与えることができる。例えば、それにキャパシタ素子の陽極リードが電気的に接続される陽極終端、及びそれにキャパシタ素子の陰極が電気的に接続される陰極終端をキャパシタに含ませることができる。導電性金属(例えば、銅、ニッケル、銀、ニッケル、亜鉛、スズ、パラジウム、鉛、銅、アルミニウム、モリブデン、チタン、鉄、ジルコニウム、マグネシウム、及びこれらの合金)のような任意の導電性材料を使用して終端を形成することができる。特に好適な導電性金属としては、例えば、銅、銅合金(例えば、銅-ジルコニウム、銅-マグネシウム、銅-亜鉛、又は銅-鉄)、ニッケル、及びニッケル合金(例えばニッケル-鉄)が挙げられる。終端の厚さは、一般的にキャパシタの厚さを最小にするように選択される。例えば、終端の厚さは、約0.05~約1ミリメートル、幾つかの態様においては約0.05~約0.5ミリメートル、及び約0.07~約0.2ミリメートルの範囲であってよい。1つの代表的な導電性材料は、Wieland(ドイツ)から入手できる銅-鉄合金の金属プレートである。所望の場合には、終端の表面は、当該技術において公知なように、最終部品を回路基板へ実装することができるのを確実にするために、ニッケル、銀、金、スズなどで電気めっきすることができる。1つの特定の態様においては、終端の両方の表面をそれぞれニッケル及び銀フラッシュでめっきし、一方で、実装面もスズはんだ層でめっきする。
終端は、当該技術において公知の任意の技術を使用してキャパシタ素子に接続することができる。例えば一実施形態においては、陰極終端と陽極終端を画定するリードフレームを与えることができる。電解キャパシタ素子をリードフレームに取り付けるためには、まず導電性接着剤を陰極終端の表面に施すことができる。導電性接着剤には、例えば、樹脂組成物に含まれる導電性金属粒子を含ませることができる。金属粒子は、銀、銅、金、白金、ニッケル、亜鉛、ビスマスなどであってよい。樹脂組成物には、熱硬化性樹脂(例えばエポキシ樹脂)、硬化剤(例えば酸無水物)、及びカップリング剤(例えばシランカップリング剤)を含ませることができる。好適な導電性接着剤は、Osakoらの米国特許出願公開第2006/0038304号に記載されている。任意の種々の技術を使用して、導電性接着剤を陰極終端に施すことができる。例えば、それらの実用上及びコスト節約上の利益のために印刷技術を使用することができる。陽極リードも、機械的溶接、レーザー溶接、導電性接着剤などのような当該技術において公知の任意の技術を使用して陽極終端に電気的に接続することができる。陽極リードを陽極終端に電気的に接続したら、次に導電性接着剤を硬化させ、電解キャパシタ素子が陰極終端へ適切に接着することを確実にすることができる。
III.ハウジング
キャパシタ素子は種々の方法でハウジング内に組み込むことができる。例えば幾つかの実施形態においては、キャパシタ素子をケース内に収容することができ、次にこれに、硬化させて硬化したハウジングを形成することができる熱硬化性樹脂(例えばエポキシ樹脂)のような樹脂材料を充填することができる。陽極及び陰極終端の少なくとも一部が回路基板上に実装するために露出されるように、樹脂材料でキャパシタ素子を包囲及び封入することができる。このようにして封入した場合には、キャパシタ素子と樹脂材料は一体のキャパシタを形成する。
キャパシタ素子は種々の方法でハウジング内に組み込むことができる。例えば幾つかの実施形態においては、キャパシタ素子をケース内に収容することができ、次にこれに、硬化させて硬化したハウジングを形成することができる熱硬化性樹脂(例えばエポキシ樹脂)のような樹脂材料を充填することができる。陽極及び陰極終端の少なくとも一部が回路基板上に実装するために露出されるように、樹脂材料でキャパシタ素子を包囲及び封入することができる。このようにして封入した場合には、キャパシタ素子と樹脂材料は一体のキャパシタを形成する。
勿論、別の実施形態においては、キャパシタ素子を離隔して別個の状態でハウジング内に収容することが望ましい可能性がある。このようにして、ハウジングの雰囲気を選択的に制御してそれが乾燥状態であるようにすることができ、これにより、キャパシタ素子に接触することができる湿分の程度が制限される。例えば、大気の水分含量(相対湿度で表される)は、約10%以下、幾つかの実施形態においては約5%以下、幾つかの実施形態においては約3%以下、幾つかの実施形態においては約0.001~約1%であってよい。例えば、雰囲気は気体状で、窒素、ヘリウム、アルゴン、キセノン、ネオン、クリプトン、ラドンなどのような少なくとも1種類の不活性ガス、並びにそれらの混合物を含み得る。通常は、不活性ガスは、ハウジング内の雰囲気の大部分、例えば、雰囲気の約50重量%~100重量%、幾つかの実施形態においては約75重量%~100重量%、幾つかの実施形態においては約90重量%~約99重量%を構成する。所望の場合には、二酸化炭素、酸素、水蒸気等のような比較的少量の非不活性ガスを使用することもできる。しかしながら、かかる場合においては、非不活性ガスは、通常はハウジング内の雰囲気の15重量%以下、幾つかの実施形態においては10重量%以下、幾つかの実施形態においては約5重量%以下、幾つかの実施形態においては約1重量%以下、幾つかの実施形態においては約0.01重量%~約1重量%を構成する。
金属、プラスチック、セラミックなどのような任意の種々の異なる材料を使用してハウジングを形成することができる。例えば一実施形態においては、ハウジングは、タンタル、ニオブ、アルミニウム、ニッケル、ハフニウム、チタン、銅、銀、鋼(例えばステンレス)、これらの合金(例えば導電性酸化物)、これらの複合材料(例えば導電性酸化物で被覆された金属)などのような金属の1以上の層を含む。他の実施形態においては、ハウジングに、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、ガラス等、並びにこれらの組合せのようなセラミック材料の1以上の層を含ませることができる。
ハウジングは、円筒形、D字形、長方形、三角形、角柱形等のような任意の所望の形状を有していてよい。例えば図1を参照すると、ハウジング122とキャパシタ素子120を含むキャパシタ100の一実施形態が示されている。この特定の実施形態においては、ハウジング122は概して長方形である。通常は、ハウジング及びキャパシタ素子は、キャパシタ素子を内部空洞内に容易に収容することができるように同じか又は類似の形状を有する。例えば示される実施形態においては、キャパシタ素子120及びハウジング122の両方とも概して長方形の形状を有している。
所望の場合には、本発明のキャパシタは、比較的高い体積効率を示すことができる。かかる高い効率を促進するために、キャパシタ素子は、通常は、ハウジングの内部空洞の容積の相当部分を占める。例えば、キャパシタ素子は、ハウジングの内部空洞の約30体積%以上、幾つかの実施形態においては約50体積%以上、幾つかの実施形態においては約60体積%以上、幾つかの実施形態においては約70体積%以上、幾つかの実施形態においては約80体積%~約98体積%、幾つかの実施形態においては約85体積%~約97体積%を占めることができる。この目的のために、キャパシタ素子の寸法と、ハウジングによって画定される内部空洞の寸法との間の差は通常は比較的小さい。
例えば図1を参照すると、キャパシタ素子120は、ハウジング122によって画定される内部空洞126の長さと比較的同等の長さ(陽極リード6の長さを除く)を有していてよい。例えば、内部空洞の長さに対する陽極の長さの比は、約0.40~1.00、幾つかの実施形態においては約0.50~約0.99、幾つかの実施形態においては約0.60~約0.99、幾つかの実施形態においては約0.70~約0.98の範囲である。キャパシタ素子120は約5~約10ミリメートルの長さを有していてよく、内部空洞126は約6~約15ミリメートルの長さを有していてよい。同様に、内部空洞126の高さに対するキャパシタ素子120の高さ(z方向における)の比は、約0.40~1.00、幾つかの実施形態においては約0.50~約0.99、幾つかの実施形態においては約0.60~約0.99、幾つかの実施形態においては約0.70~約0.98の範囲であってよい。内部空洞126の幅に対するキャパシタ素子120の幅(x方向における)の比も、約0.50~1.00、幾つかの実施形態においては約0.60~約0.99、幾つかの実施形態においては約0.70~約0.99、幾つかの実施形態においては約0.80~約0.98、幾つかの実施形態においては約0.85~約0.95の範囲であってよい。例えば、キャパシタ素子120の幅は約2~約7ミリメートルであってよく、内部空洞126の幅は約3~約10ミリメートルであってよく、キャパシタ素子120の高さは約0.5~約2ミリメートルであってよく、内部空洞126の幅は約0.7~約6ミリメートルであってよい。
決して必須ではないが、キャパシタ素子は、陽極終端と陰極終端がその後に回路中に組み込むためにハウジングの外部に形成されるように、ハウジングに取り付けることができる。終端の特定の構成は意図する用途に応じて定めることができる。例えば一実施形態においては、キャパシタは、表面実装可能であり、且つ更になお機械的に堅牢であるように形成することができる。例えば、陽極リードは、外側の表面実装可能な陽極及び陰極終端(例えば、パッド、シート、プレート、フレーム等)に電気的に接続することができる。かかる終端は、キャパシタと接続するためにハウジングを通って伸長させることができる。終端の厚さ又は高さは、一般的にキャパシタの厚さを最小にするように選択される。例えば、終端の厚さは、約0.05~約1ミリメートル、幾つかの実施形態においては約0.05~約0.5ミリメートル、及び約0.1~約0.2ミリメートルの範囲であってよい。所望の場合には、終端の表面は、当該技術において公知なように、ニッケル、銀、金、スズ等で電気めっきして、最終部品が回路基板に実装可能になることを確実にすることができる。1つの特定の実施形態において、1つ又は複数の終端にはそれぞれニッケル及び銀フラッシュを堆積させ、実装表面もスズはんだ層をめっきする。他の実施形態においては、1つ又は複数の終端において、ベース金属層(例えば銅合金)上に薄い外側金属層(例えば金)を堆積させて導電率を更に増加させる。
幾つかの実施形態においては、ハウジングの内部空洞内において接続部材を使用して、機械的に安定な形態の終端への接続を促進することができる。例えば、再び図1を参照すると、キャパシタ100に、第1の部分167と第2の部分165から形成されている接続部材162を含ませることができる。接続部材162は、外部終端と同様の導電性材料から形成することができる。第1の部分167と第2の部分165は、一体であってよく、或いは直接又は更なる導電部材(例えば金属)を介してのいずれかで接続されている別々の片であってよい。示されている実施形態においては、第2の部分165は、リード6が伸長する横方向(例えばy方向)に対して概して平行な面内に与えられる。第1の部分167は、リード6が伸長する横方向に対して概して垂直の面内に与えられるという意味で「直立」している。このように、第1の部分167は、リード6の水平方向の動きを制限して、使用中における表面接触及び機械的安定性を増大させることができる。所望の場合には、絶縁材料7(例えば、Teflon(商標)ワッシャー)をリード6の周囲で使用することができる。
第1の部分167は、陽極リード6に接続される実装領域(図示せず)を有していてよい。かかる領域は、リード6の表面接触及び機械的安定性を更に増大させるために「U字形」を有していてよい。かかる領域のリード6への接続は、溶接、レーザー溶接、導電性接着剤等のような任意の種々の公知の技術を使用して達成することができる。例えば1つの特定の実施形態においては、この領域は陽極リード6にレーザー溶接される。しかしながら、選択される技術に関係なく、第1の部分167によって陽極リード6を実質的に水平の配向で保持して、キャパシタ100の寸法安定性を更に増大させることができる。
再び図1を参照すると、接続部材162及びキャパシタ素子120が、陽極及び陰極終端(それぞれ127及び129)を通してハウジング122に接続されている本発明の一実施形態が示されている。より具体的には、この実施形態のハウジング122は、外壁123及び2つの対向する側壁124を含んでいて、その間にキャパシタ素子120を収容する空洞126が形成されている。外壁123及び側壁124は、上記のような金属、プラスチック、又はセラミック材料の1以上の層から形成することができる。この特定の実施形態において、陽極終端127は、ハウジング122内に配置され、接続部材162に電気的に接続されている第1の領域127aと、ハウジング122の外側に配置され、実装表面201を与える第2の領域127bを含む。更に、陰極終端129は、ハウジング122内に配置され、キャパシタ素子120の固体電解質に電気的に接続されている第1の領域129aと、ハウジング122の外側に配置され、実装表面203を与える第2の領域129bを含む。かかる領域の部分全体がハウジングの内部又は外側に配置される必要はないことを理解すべきである。
示されている実施形態においては、導電トレース127cがハウジングの外壁123内で伸長して、第1の領域127aと第2の領域127bを接続している。同様に、導電トレース129cがハウジングの外壁123内で伸長して、第1の領域127aと第2の領域127bを接続している。導電トレース及び/又は終端の領域は別々であっても一体であってもよい。ハウジングの外壁を通って伸長しているのに加えて、トレースは、外壁の外側のような他の場所に配置することもできる。勿論、本発明は、所望の終端を形成するために導電トレースを使用することに決して限定されない。
使用される特定の構成に関係なく、終端127及び129のキャパシタ素子120への接続は、溶接、レーザー溶接、導電性接着剤等のような任意の公知の技術を使用して行うことができる。例えば1つの特定の態様においては、導電性接着剤131を使用して、接続部材162の第2の部分165を陽極終端127に接続する。更に、導電性接着剤133を使用して、キャパシタ素子120の陰極を陰極終端129に接続する。
場合によっては、ポリマー拘束部材を、キャパシタ素子の1以上の表面、例えば、後面、前面、上面、下面、1つ又は複数の側面、或いはこれらの任意の組合せと接触させて配置することもできる。ポリマー拘束部材は、ハウジングからキャパシタ素子が剥離する可能性を減少させることができる。これに関し、ポリマー拘束部材は、それが振動力を受けた場合でもキャパシタ素子を比較的固定された位置に保持することを可能にするある程度の強度を有していてよいが、亀裂を生じるほど強靱ではない。例えば、拘束部材は、約25℃の温度で測定して、約1~約150メガパスカル(MPa)、幾つかの態様においては約2~約100MPa、幾つかの態様においては約10~約80MPa、幾つかの態様においては約20~約70MPaの引張強さを有していてよい。拘束部材は導電性でないことが通常は望ましい。例えば再び図1を参照すると、単一のポリマー拘束部材197がキャパシタ素子120の上面181及び後面177と接触して配置されている一態様が示されている。図1には単一の拘束部材が示されているが、別々の複数の拘束部材を使用して同じ機能を達成することができることを理解すべきである。実際、より一般的には、任意の数のポリマー拘束部材を使用して、キャパシタ素子の任意の所望の面と接触させることができる。複数の拘束部材を使用する場合には、それらは互いと接触していてよく、又は物理的に離隔した状態で保持することができる。例えば一態様においては、キャパシタ素子120の上面181及び前面179と接触する第2のポリマー拘束部材(図示せず)を使用することができる。第1のポリマー拘束部材197と第2のポリマー拘束部材(図示せず)は、互いと接触していてもいなくてもよい。更に他の態様において、ポリマー拘束部材は、他の面と共に又は他の面の代わりに、キャパシタ素子120の下面183及び/又は1つ又は複数の側面と接触させることもできる。
それをどのように施すかには関係なく、ポリマー拘束部材はまた、ハウジングの少なくとも1つの面と接触させて、可能性のある剥離に対してキャパシタ素子を更に機械的に安定化することを促進することが通常は望ましい。例えば、拘束部材は、1以上の側壁、外壁、蓋等の内表面と接触させることができる。例えば図1においては、ポリマー拘束部材197は、側壁124の内表面107及び外壁123の内表面109と接触している。ハウジングと接触しているが、ハウジングによって画定される空洞の少なくとも一部は、不活性ガスが空洞を通って流れて固体電解質と酸素との接触を制限することを可能にするように占有されていない状態のままであることが望ましい。例えば、空洞容積の少なくとも約5%、幾つかの態様においては空洞容積の約10%~約50%は、通常はキャパシタ素子及びポリマー拘束部材によって占有されていない状態のままである。
所望の形態で接続したら、得られるパッケージを上記に記載したように気密封止する。例えば再び図1を参照すると、ハウジング122には、キャパシタ素子120及びポリマー拘束部材197がハウジング122内に配置された後に側壁124の上面上に配置される蓋125を含ませることもできる。蓋125は、セラミック、金属(例えば、鉄、銅、ニッケル、コバルト等、並びにこれらの合金)、プラスチックなどから形成することができる。所望の場合には、封止部材187を蓋125と側壁124の間に配置して、良好な封止を与えることを促進することができる。例えば一態様においては、封止部材としては、ガラス-金属封止材、Kovar(登録商標)リング(Goodfellow Camridge,Ltd.)などを挙げることができる。側壁124の高さは、一般的に、キャパシタ素子が汚染されないように、蓋125がキャパシタ素子120のいずれの表面とも接触しないような高さである。ポリマー拘束部材197は蓋125と接触していてもしていなくてもよい。所望の位置に配置したら、蓋125を、溶接(例えば、抵抗溶接、レーザー溶接等)、はんだ付け等の公知の技術を使用して、側壁124に気密封止する。気密封止は、一般的に、得られるアセンブリが酸素又は水蒸気のような反応性ガスを実質的に含まないように、上記のような不活性ガスの存在下で行う。
記載された態様は単に例示であり、キャパシタ素子をハウジング内に気密封止するための種々の他の構成を本発明において使用することができることを理解すべきである。例えば図2を参照すると、外壁123及び蓋225を含み、その間にキャパシタ素子120及びポリマー拘束部材197を収容する空洞126が形成されているハウジング222を使用するキャパシタ200の他の態様が示されている。蓋225は、少なくとも1つの側壁224と一体の外壁223を含む。例えば示されている態様においては、2つの対向する側壁224が断面で示されている。外壁223及び123は、どちらも横方向(y方向)に伸長し、互いと概して平行、及び陽極リード6の横方向に対して概して平行である。側壁224は、外壁123に対して概して垂直である縦方向に、外壁223から伸長している。蓋225の遠位端500は外壁223によって画定されており、近位端501は側壁224のリップ部253によって画定されている。
リップ部253は、側壁224から横方向(外壁123の横方向に対して概して平行であってよい)に伸長している。側壁224とリップ部253との間の角度は変動してよいが、通常は約60°~約120°、幾つかの態様においては約70°~約110°、幾つかの態様においては約80°~約100°(例えば約90°)である。リップ部253は、リップ部253及び外壁123が伸長する横方向に対して概して垂直であってよい周縁端部251も画定している。周縁端部251は、側壁224の外周の先に位置し、外壁123の縁部151と概して同一平面上であってよい。リップ部253は、溶接(例えば抵抗又はレーザー)、はんだ付け、接着剤等の任意の公知の技術を使用して、外壁123に封止することができる。例えば、示されている態様においては、部品間に封止部材287(ガラス-金属封止材、Kovar(登録商標)リングなど)を使用して、それらの接合を促進している。いずれにせよ、上記のリップ部を使用することにより、部品間のより安定な接続を可能にし、キャパシタの封止及び機械的安定性を改良することができる。
更に他の可能なハウジング構造を本発明において使用することができる。例えば、図3は、端子ピン327bと329bがそれぞれ陽極及び陰極の外部終端として使用されている他は図2のものに類似したハウジング構造を有するキャパシタ300を示している。より詳しくは、端子ピン327aは、外壁323内に形成されているトレース327cを通って伸長して、公知の技術(例えば溶接)を使用して陽極リード6に接続されている。更なるセクション327aを使用してピン327bを固定することができる。更に、端子ピン329bは、外壁323内に形成されているトレース329cを通って伸長して、上記に記載した導電性接着剤133によって陰極に接続されている。
図1~3に示す態様は、ここでは単一のキャパシタ素子のみに関して議論している。しかしながら、複数のキャパシタ素子をハウジング内に気密封止することもできることも理解すべきである。複数のキャパシタ素子は、任意の種々の異なる技術を使用してハウジングに取り付けることができる。例えば図4を参照すると、2個のキャパシタ素子を含むキャパシタ400の1つの特定の態様が示されており、これに関してここでより詳細に記載する。より詳しくは、キャパシタ400は、第2のキャパシタ素子420bと電気的に連絡している第1のキャパシタ素子420aを含む。この態様においては、キャパシタ素子は、それらの主面が水平構成になるように配列されている。すなわち、その幅(x方向)及び長さ(y方向)によって画定されるキャパシタ素子420aの主面は、キャパシタ素子420bの対応する主面に隣接して配置されている。而して、これらの主面は概して同一平面上にある。或いは、キャパシタ素子は、それらの主面が同一平面上になく、z方向又はx方向のようなある方向において互いに対して垂直になるように配置することができる。勿論、キャパシタ素子は同じ方向に伸長する必要はない。
キャパシタ素子420a及び420bは、一緒になって空洞426を画定する外壁423並びに側壁424及び425を含むハウジング422内に配置されている。示されてはいないが、側壁424及び425の上面を覆い、アセンブリ400を上記に記載のように封止する蓋を使用することができる。場合によっては、ポリマー拘束部材を使用してキャパシタ素子の振動を制限するのを促進することもできる。例えば図4においては、別々のポリマー拘束部材497a及び497bが、それぞれキャパシタ素子420a及び420bに隣接及び接触して配置されている。ポリマー拘束部材497a及び497bは、種々の異なる位置に配置することができる。更に、拘束部材の1つを排除することができ、或いは更なる拘束部材を使用することができる。例えば幾つかの態様において、キャパシタ素子の間でポリマー拘束部材を使用して機械的安定性を更に向上させることが望ましい可能性がある。
キャパシタ素子に加えて、キャパシタはまた、それぞれのキャパシタ素子の陽極リードが電気的に接続されている陽極終端と、それぞれのキャパシタ素子の陰極が電気的に接続されている陰極終端も含む。例えば再び図4を参照すると、共通の陰極終端429に並列に接続されている複数のキャパシタ素子が示されている。この特定の態様においては、陰極終端429は、まずキャパシタ素子の底面に対して概して平行な面内に与えられ、導電トレース(図示せず)と電気的に接触させることができる。キャパシタ400は、キャパシタ素子420a及び420bの陽極リード(それぞれ407a及び407b)に接続されている接続部材427及び527も含む。より詳しくは、接続部材427は、直立部分465と、陽極終端(図示せず)に接続されている平面部分463を含む。更に、接続部材527は、直立部分565と、陽極終端(図示せず)に接続されている平面部分563を含む。勿論、広範囲の他のタイプの接続機構を使用することもできることを理解すべきである。
本発明は、以下の実施例を参照してより良く理解することができる。
試験手順
キャパシタンス
キャパシタンスは、2.2ボルトのDCバイアス及び0.5ボルトのピーク・ツー・ピーク正弦波信号を使用し、Kelvinリードを備えたKeithley 3330精密LCZ計を使用して測定した。動作周波数は120Hzであり、温度は23℃±2℃であり得る。
キャパシタンス
キャパシタンスは、2.2ボルトのDCバイアス及び0.5ボルトのピーク・ツー・ピーク正弦波信号を使用し、Kelvinリードを備えたKeithley 3330精密LCZ計を使用して測定した。動作周波数は120Hzであり、温度は23℃±2℃であり得る。
ブレークダウン電圧
ブレークダウン電圧は、Keithley 2400 SourceMeterを使用して、23℃±2℃の温度で測定した。個々のキャパシタは、式:
電流(A)=公称キャパシタンス(F)×dU/dt
(式中、dU/dtは電圧勾配を表し、通常は10V/sに設定される)によって求められる定電流で充電される。充電中に電圧を測定し、印加電圧が10%より多く減少した時、最大達成電圧値をブレークダウン電圧として記録する。
ブレークダウン電圧は、Keithley 2400 SourceMeterを使用して、23℃±2℃の温度で測定した。個々のキャパシタは、式:
電流(A)=公称キャパシタンス(F)×dU/dt
(式中、dU/dtは電圧勾配を表し、通常は10V/sに設定される)によって求められる定電流で充電される。充電中に電圧を測定し、印加電圧が10%より多く減少した時、最大達成電圧値をブレークダウン電圧として記録する。
等価直列抵抗(ESR)
等価直列抵抗は、Kelvinリードを備えたKeithley 3330精密LCZメーターを用い、2.2ボルトのDCバイアス及び0.5ボルトのピーク・ピーク正弦波信号を用いて測定することができる。動作周波数は100kHzであり、温度は23℃±2℃であった。
等価直列抵抗は、Kelvinリードを備えたKeithley 3330精密LCZメーターを用い、2.2ボルトのDCバイアス及び0.5ボルトのピーク・ピーク正弦波信号を用いて測定することができる。動作周波数は100kHzであり、温度は23℃±2℃であった。
誘電正接
誘電正接は、Kelvinリードを備えたKeithley 3330精密LCZメーターを用い、2.2ボルトのDCバイアス及び0.5ボルトのピーク・ピーク正弦波信号を用いて測定することができる。動作周波数は120Hzであってよく、温度は23℃±2℃であってよい
リーク電流
リーク電流は、最小で60秒後に、23℃±2℃の温度及び定格電圧においてリーク試験計を使用して測定することができる。
誘電正接は、Kelvinリードを備えたKeithley 3330精密LCZメーターを用い、2.2ボルトのDCバイアス及び0.5ボルトのピーク・ピーク正弦波信号を用いて測定することができる。動作周波数は120Hzであってよく、温度は23℃±2℃であってよい
リーク電流
リーク電流は、最小で60秒後に、23℃±2℃の温度及び定格電圧においてリーク試験計を使用して測定することができる。
サージ電圧試験
サージ電圧試験(10~25部品)は、85℃±3℃の温度及び定格電圧に1.3をかけた電圧(例えば45.5V)で行うことができる。試験回路において使用される抵抗は、33オームであり得る。各サイクルは、30秒のサージ電圧の印加と、それに続く30秒の放電期間からなる。試験試料は、試験の前に125℃で少なくとも12時間乾燥させる。キャパシタンスは、回復時間の後、3,000パルス又は5,000パルスまで1,000パルスサイクルごとに測定することができる。
サージ電圧試験(10~25部品)は、85℃±3℃の温度及び定格電圧に1.3をかけた電圧(例えば45.5V)で行うことができる。試験回路において使用される抵抗は、33オームであり得る。各サイクルは、30秒のサージ電圧の印加と、それに続く30秒の放電期間からなる。試験試料は、試験の前に125℃で少なくとも12時間乾燥させる。キャパシタンスは、回復時間の後、3,000パルス又は5,000パルスまで1,000パルスサイクルごとに測定することができる。
誘電体厚さ
誘電体厚さは、Zeiss Sigma FESEMを使用して、20,000×~50,000×の倍率で測定することができる。試料は、完成部品の最長寸法に垂直な平面で完成部品を切断することによって、調製することができる。厚さ測定は、誘電体層を垂直方向に切断した部位で実施することができる。
誘電体厚さは、Zeiss Sigma FESEMを使用して、20,000×~50,000×の倍率で測定することができる。試料は、完成部品の最長寸法に垂直な平面で完成部品を切断することによって、調製することができる。厚さ測定は、誘電体層を垂直方向に切断した部位で実施することができる。
実施例1
40,000μFV/gのタンタル粉末を使用して、陽極試料を形成した。それぞれの陽極試料にタンタル線を埋め込み、5.3g/cm3の密度にプレスして、1380℃で焼結した。得られたペレットは5.60×3.65×0.72mmの寸法を有していた。ペレットを、40℃の温度において8.6mSの導電率を有する水/リン酸電解質中で76.0ボルトに陽極酸化して、誘電体層を形成した。ペレットを、30℃の温度において2.0mSの導電率を有する水/ホウ酸/四ホウ酸二ナトリウム中で10秒間、再び130ボルトに陽極酸化して、外側の上に堆積しているより厚い酸化物層を形成した。陽極酸化したら、エタノール中に(3-アミノプロピル)トリメトキシシランの溶液(1.0%)を含む、有機金属化合物の4つのプレコート層を使用した。ポリ(4-(2,3-ジヒドロチエノ-[3,4-b][1,4]ジオキシン-2-イルメトキシ)-1-ブタン-スルホン酸の溶液中に陽極を浸漬することによって、導電性ポリマー被覆を形成した。被覆したら、部品を125℃で15分間乾燥させた。このプロセスを2回繰り返した。その後、部品を1.1%の固形分及び粘度20mPa・sを有する分散ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)(Clevios(商標)K、Heraeus)中に浸漬した。被覆したら、部品を125℃で15分間乾燥させた。このプロセスを8回繰り返した。その後、部品を2.0%の固形分及び粘度20mPa・sを有する分散ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)(Clevios(商標)K、Heraeus)中に浸漬した。被覆したら、部品を125℃で15分間乾燥させた。このプロセスを3回繰り返した。その後、2%の固形分及び粘度160mPa・s(Clevios(商標)K.Heraeus)を有する分散ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)中に部品を浸漬した。被覆したら、部品を125℃で15分間乾燥させた。このプロセスを14回繰り返した。次に、部品をグラファイト分散液中に浸漬し、乾燥させた。最後に、部品を銀分散液中に浸漬し、乾燥させた。このようにして47μF/35Vキャパシタの多数の部品(450)を作製し、シリカ樹脂中に封入した。
40,000μFV/gのタンタル粉末を使用して、陽極試料を形成した。それぞれの陽極試料にタンタル線を埋め込み、5.3g/cm3の密度にプレスして、1380℃で焼結した。得られたペレットは5.60×3.65×0.72mmの寸法を有していた。ペレットを、40℃の温度において8.6mSの導電率を有する水/リン酸電解質中で76.0ボルトに陽極酸化して、誘電体層を形成した。ペレットを、30℃の温度において2.0mSの導電率を有する水/ホウ酸/四ホウ酸二ナトリウム中で10秒間、再び130ボルトに陽極酸化して、外側の上に堆積しているより厚い酸化物層を形成した。陽極酸化したら、エタノール中に(3-アミノプロピル)トリメトキシシランの溶液(1.0%)を含む、有機金属化合物の4つのプレコート層を使用した。ポリ(4-(2,3-ジヒドロチエノ-[3,4-b][1,4]ジオキシン-2-イルメトキシ)-1-ブタン-スルホン酸の溶液中に陽極を浸漬することによって、導電性ポリマー被覆を形成した。被覆したら、部品を125℃で15分間乾燥させた。このプロセスを2回繰り返した。その後、部品を1.1%の固形分及び粘度20mPa・sを有する分散ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)(Clevios(商標)K、Heraeus)中に浸漬した。被覆したら、部品を125℃で15分間乾燥させた。このプロセスを8回繰り返した。その後、部品を2.0%の固形分及び粘度20mPa・sを有する分散ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)(Clevios(商標)K、Heraeus)中に浸漬した。被覆したら、部品を125℃で15分間乾燥させた。このプロセスを3回繰り返した。その後、2%の固形分及び粘度160mPa・s(Clevios(商標)K.Heraeus)を有する分散ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)中に部品を浸漬した。被覆したら、部品を125℃で15分間乾燥させた。このプロセスを14回繰り返した。次に、部品をグラファイト分散液中に浸漬し、乾燥させた。最後に、部品を銀分散液中に浸漬し、乾燥させた。このようにして47μF/35Vキャパシタの多数の部品(450)を作製し、シリカ樹脂中に封入した。
実施例2
異なる導電性ポリマー被覆を使用したことを除いて、実施例1に記載した方法でキャパシタを形成した。すなわち、ポリ(4-(2,3-ジヒドロチエノ-[3,4-b][1,4]ジオキシン-2-イルメトキシ)-1-ブタン-スルホン酸の溶液中に陽極を浸漬することによって、導電性ポリマー被覆を形成した。被覆したら、部品を125℃で15分間乾燥させた。このプロセスを8回繰り返した。その後、2.0%の固形分及び粘度20mPa・sを有する分散ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)(Clevios(商標)K、Heraeus)中に部品を浸漬した。被覆したら、部品を125℃で15分間乾燥させた。このプロセスを3回繰り返した。ドーパントを有するポリアニリンの有機溶液中に陽極を浸漬し、次に、150℃で30分間乾燥させることによって、導電性ポリマー被覆を形成した。その後、全組成物を、スルホン酸を含む溶液中に浸漬し、次に、150℃で30分間乾燥させた。このプロセスを3回繰り返した。その後、2%の固形分含量及び粘度160mPa・s(Clevios(商標)K.Heraeus)を有する分散ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)中に部品を浸漬した。被覆したら、部品を125℃で15分間乾燥させた。このプロセスを14回繰り返した。次に、部品をグラファイト分散液中に浸漬し、乾燥させた。最後に、部品を銀分散液中に浸漬し、乾燥させた。このようにして47μF/35Vキャパシタの多数の部品(450)を作製し、シリカ樹脂中に封入した。
異なる導電性ポリマー被覆を使用したことを除いて、実施例1に記載した方法でキャパシタを形成した。すなわち、ポリ(4-(2,3-ジヒドロチエノ-[3,4-b][1,4]ジオキシン-2-イルメトキシ)-1-ブタン-スルホン酸の溶液中に陽極を浸漬することによって、導電性ポリマー被覆を形成した。被覆したら、部品を125℃で15分間乾燥させた。このプロセスを8回繰り返した。その後、2.0%の固形分及び粘度20mPa・sを有する分散ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)(Clevios(商標)K、Heraeus)中に部品を浸漬した。被覆したら、部品を125℃で15分間乾燥させた。このプロセスを3回繰り返した。ドーパントを有するポリアニリンの有機溶液中に陽極を浸漬し、次に、150℃で30分間乾燥させることによって、導電性ポリマー被覆を形成した。その後、全組成物を、スルホン酸を含む溶液中に浸漬し、次に、150℃で30分間乾燥させた。このプロセスを3回繰り返した。その後、2%の固形分含量及び粘度160mPa・s(Clevios(商標)K.Heraeus)を有する分散ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)中に部品を浸漬した。被覆したら、部品を125℃で15分間乾燥させた。このプロセスを14回繰り返した。次に、部品をグラファイト分散液中に浸漬し、乾燥させた。最後に、部品を銀分散液中に浸漬し、乾燥させた。このようにして47μF/35Vキャパシタの多数の部品(450)を作製し、シリカ樹脂中に封入した。
実施例3
40,000μFV/gのタンタル粉末を使用して、陽極試料を形成した。それぞれの陽極試料にタンタル線を埋め込み、5.3g/cm3の密度にプレスし、1410℃で焼結した。得られたペレットは、5.60×3.65×0.80mmの寸法を有していた。ペレットを、40℃の温度において8.6mSの導電率を有する水/リン酸電解質中で76.0ボルトに陽極酸化して、誘電体層を形成した。ペレットを、30℃の温度において2.0mSの導電率を有する水/ホウ酸/四ホウ酸二ナトリウム中で5秒間、再び150ボルトに陽極酸化して、外側の上に堆積しているより厚い酸化物層を形成した。陽極酸化したら、エタノール中に(3-アミノプロピル)トリメトキシシランの溶液(1.0%)を含む、有機金属化合物の4つのプレコート層を使用した。ポリ(4-(2,3-ジヒドロチエノ-[3,4-b][1,4]ジオキシン-2-イルメトキシ)-2-ブタン-スルホン酸の溶液中に陽極を浸漬することによって、導電性ポリマー被覆を形成した。被覆したら、部品を125℃で15分間乾燥させた。このプロセスを2回繰り返した。その後、1.1%の固形分及び粘度20mPa・sを有する分散ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)(Clevios(商標)K、Heraeus)中に部品を浸漬した。被覆したら、部品を125℃で15分間乾燥させた。このプロセスを8回繰り返した。その後、2.0%の固形分及び粘度20mPa・sを有する分散ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)(Clevios(商標)K、Heraeus)中に部品を浸漬した。被覆したら、部品を125℃で15分間乾燥させた。このプロセスを3回繰り返した。その後、2%の固形分及び粘度160mPa・sを有する分散ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)(Clevios(商標)K、Heraeus)中に部品を浸漬した。被覆したら、部品を125℃で15分間乾燥させた。このプロセスを14回繰り返した。次に、部品をグラファイト分散液中に浸漬し、乾燥させた。最後に、部品を銀分散液中に浸漬し、乾燥させた。このようにして47μF/35Vキャパシタの多数の部品(450)を作製し、シリカ樹脂中に封入した。
40,000μFV/gのタンタル粉末を使用して、陽極試料を形成した。それぞれの陽極試料にタンタル線を埋め込み、5.3g/cm3の密度にプレスし、1410℃で焼結した。得られたペレットは、5.60×3.65×0.80mmの寸法を有していた。ペレットを、40℃の温度において8.6mSの導電率を有する水/リン酸電解質中で76.0ボルトに陽極酸化して、誘電体層を形成した。ペレットを、30℃の温度において2.0mSの導電率を有する水/ホウ酸/四ホウ酸二ナトリウム中で5秒間、再び150ボルトに陽極酸化して、外側の上に堆積しているより厚い酸化物層を形成した。陽極酸化したら、エタノール中に(3-アミノプロピル)トリメトキシシランの溶液(1.0%)を含む、有機金属化合物の4つのプレコート層を使用した。ポリ(4-(2,3-ジヒドロチエノ-[3,4-b][1,4]ジオキシン-2-イルメトキシ)-2-ブタン-スルホン酸の溶液中に陽極を浸漬することによって、導電性ポリマー被覆を形成した。被覆したら、部品を125℃で15分間乾燥させた。このプロセスを2回繰り返した。その後、1.1%の固形分及び粘度20mPa・sを有する分散ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)(Clevios(商標)K、Heraeus)中に部品を浸漬した。被覆したら、部品を125℃で15分間乾燥させた。このプロセスを8回繰り返した。その後、2.0%の固形分及び粘度20mPa・sを有する分散ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)(Clevios(商標)K、Heraeus)中に部品を浸漬した。被覆したら、部品を125℃で15分間乾燥させた。このプロセスを3回繰り返した。その後、2%の固形分及び粘度160mPa・sを有する分散ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)(Clevios(商標)K、Heraeus)中に部品を浸漬した。被覆したら、部品を125℃で15分間乾燥させた。このプロセスを14回繰り返した。次に、部品をグラファイト分散液中に浸漬し、乾燥させた。最後に、部品を銀分散液中に浸漬し、乾燥させた。このようにして47μF/35Vキャパシタの多数の部品(450)を作製し、シリカ樹脂中に封入した。
実施例4
異なる導電性ポリマー被覆を使用したことを除いて、実施例3に記載した方法でキャパシタを形成した。すなわち、ポリ(4-(2,3-ジヒドロチエノ-[3,4-b][1,4]ジオキシン-2-イルメトキシ)-2-ブタン-スルホン酸の溶液中に陽極を浸漬することによって、導電性ポリマー被覆を形成した。被覆したら、部品を125℃で15分間乾燥させた。このプロセスを6回繰り返した。その後、2.0%の固形分及び粘度20mPa・sを有する分散ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)(Clevios(商標)K、Heraeus)中に部品を浸漬した。被覆したら、部品を125℃で15分間乾燥させた。このプロセスを3回繰り返した。その後、2%の固形分及び粘度160mPa・sを有する分散ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)(Clevios(商標)K、Heraeus)中に部品を浸漬した。被覆したら、部品を125℃で15分間乾燥させた。このプロセスを14回繰り返した。次に、部品をグラファイト分散液中に浸漬し、乾燥させた。最後に、部品を銀分散液中に浸漬し、乾燥させた。このようにして47μF/35Vキャパシタの多数の部品(450)を作製し、シリカ樹脂中に封入した。
異なる導電性ポリマー被覆を使用したことを除いて、実施例3に記載した方法でキャパシタを形成した。すなわち、ポリ(4-(2,3-ジヒドロチエノ-[3,4-b][1,4]ジオキシン-2-イルメトキシ)-2-ブタン-スルホン酸の溶液中に陽極を浸漬することによって、導電性ポリマー被覆を形成した。被覆したら、部品を125℃で15分間乾燥させた。このプロセスを6回繰り返した。その後、2.0%の固形分及び粘度20mPa・sを有する分散ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)(Clevios(商標)K、Heraeus)中に部品を浸漬した。被覆したら、部品を125℃で15分間乾燥させた。このプロセスを3回繰り返した。その後、2%の固形分及び粘度160mPa・sを有する分散ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)(Clevios(商標)K、Heraeus)中に部品を浸漬した。被覆したら、部品を125℃で15分間乾燥させた。このプロセスを14回繰り返した。次に、部品をグラファイト分散液中に浸漬し、乾燥させた。最後に、部品を銀分散液中に浸漬し、乾燥させた。このようにして47μF/35Vキャパシタの多数の部品(450)を作製し、シリカ樹脂中に封入した。
最小、平均及び最大の測定BDV値、並びに平均誘電体厚さを下表1に示す。
Claims (27)
- タンタルを含む陽極体;
前記陽極体の上に配されている誘電体;及び
前記誘電体の上に配されている固体電解質
を含むキャパシタ素子を含む固体電解キャパシタであって、前記固体電解質は繰り返しチオフェン単位を含む固有導電性ポリマーを含み、前記キャパシタは約0.6ボルト/ナノメートル以上の誘電強度を示し、更に前記キャパシタは、3,000サイクルのサージ電圧にかけられた後の充放電キャパシタンス、及び当該サージ電圧にかけられる前の最初のキャパシタンスを示し、当該充放電キャパシタンスの、当該最初のキャパシタンスに対する比は約0.75~1である、前記固体電解キャパシタ。 - aが1であり、bが3又は4である、請求項3に記載の固体電解キャパシタ。
- R5がメチルである、請求項3に記載の固体電解キャパシタ。
- Xがアルカリ金属である、請求項3に記載の固体電解キャパシタ。
- 前記チオフェン繰り返し単位が、3-[(2,3-ジヒドロチエノ[3,4-b][1,4]ジオキシン-2-イル)メトキシ]-1-メチル-1-プロパンスルホン酸ナトリウム、3-[(2,3-ジヒドロチエノ[3,4-b]-[1,4]ジオキシン-2-イル)メトキシ]-1-エチル-1-プロパンスルホン酸ナトリウム、3-[(2,3-ジヒドロチエノ[3,4-b]-[1,4]ジオキシン-2-イル)メトキシ]-1-プロピル-1-プロパン-スルホン酸ナトリウム、3-[(2,3-ジヒドロチエノ[3,4-b]-[1,4]ジオキシン-2-イル)メトキシ]-1-ブチル-1-プロパンスルホン酸ナトリウム、3-[(2,3-ジヒドロチエノ[3,4-b]-[1,4]ジオキシン-2-イル)メトキシ]-1-ペンチル-1-プロパン-スルホン酸ナトリウム、3-[(2,3-ジヒドロチエノ[3,4-b]-[1,4]ジオキシン-2-イル)メトキシ]-1-ヘキシル-1-プロパンスルホン酸ナトリウム、3-[(2,3-ジヒドロチエノ[3,4-b]-[1,4]ジオキシン-2-イル)メトキシ]-1-イソプロピル-1-プロパンスルホン酸ナトリウム、3-[(2,3-ジヒドロチエノ[3,4-b]-[1,4]ジオキシン-2-イル)メトキシ]-1-イソブチル-1-プロパンスルホン酸ナトリウム、3-[(2,3-ジヒドロチエノ[3,4-b]-[1,4]ジオキシン-2-イル)メトキシ]-1-イソペンチル-1-プロパンスルホン酸ナトリウム、3-[(2,3-ジヒドロチエノ[3,4-b]-[1,4]ジオキシン-2-イル)メトキシ]-1-フルオロ-1-プロパンスルホン酸ナトリウム、3-[(2,3-ジヒドロチエノ[3,4-b]-[1,4]ジオキシン-2-イル)メトキシ]-1-メチル-1-プロパンスルホン酸カリウム、3-[(2,3-ジヒドロチエノ[3,4-b]-[1,4]ジオキシン-2-イル)メトキシ]-1-メチル-1-プロパンスルホン酸、3-[(2,3-ジヒドロチエノ[3,4-b]-[1,4]ジオキシン-2-イル)メトキシ]-1-メチル-1-プロパン-スルホン酸アンモニウム、3-[(2,3-ジヒドロチエノ[3,4-b]-[1,4]ジオキシン-2-イル)メトキシ]-1-メチル-1-プロパンスルホン酸トリエチルアンモニウム、又はこれらの組合せから形成された、請求項1に記載の固体電解キャパシタ。
- 前記ポリマーが、約20S/cm以上の比導電率を有する、請求項1に記載の固体電解キャパシタ。
- 前記固体電解質が、前記固有導電性ポリマーを含む少なくとも1つの内層を含む、請求項1に記載の固体電解キャパシタ。
- 前記内層が、概して外因性導電性ポリマーを含まない、請求項9に記載の固体電解キャパシタ。
- 前記固体電解質が少なくとも外層を含む、請求項1に記載の固体電解キャパシタ。
- 前記外層が、ポリマー対イオン及び外因性導電性ポリマーを含む粒子から形成された、請求項11に記載の固体電解キャパシタ。
- 前記陽極体の上に配されており、有機金属化合物から形成されたプレコートを更に含む、請求項1に記載の固体電解キャパシタ。
- 前記モノアミノ官能性シランが第一級アミンである、請求項14に記載の固体電解キャパシタ。
- 前記第一級アミンが、3-アミノプロピルトリエトキシシラン、3-アミノプロピルトリメトキシシラン、4-アミノブチルトリエトキシシラン、m-アミノフェニルトリメトキシシラン、p-アミノフェニルトリメトキシシラン、アミノフェニルトリメトキシシラン、3-アミノプロピルトリス(メトキシ-エトキシ)シラン、11-アミノウンデシルトリエトキシシラン、2(4-ピリジルエチル)トリエトキシシラン、2-(トリメトキシシリルエチル)ピリジン、N-(3-トリメトキシシリルプロピル)ピロール、3-(m-アミノフェノキシプロピルトリメトキシシラン、アミノプロピルシラントリオール、3-アミノプロピルメチルジエトキシシラン、3-アミノプロピルジイソプロピルエトキシシラン、3-アミノプロピルジメチルエトキシシラン、又はこれらの組合せである、請求項15に記載の固体電解キャパシタ。
- 前記モノアミノ官能性シランが第二級アミンである、請求項14に記載の固体電解キャパシタ。
- 前記第二級アミンが、N-ブチルアミノプロピルトリメトキシシラン、N-エチルアミノイソブチルトリメトキシシラン、n-メチルアミノプロピルトリメトキシシラン、N-フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、3-(N-アリルアミノ)プロピルトリメトキシシラン、シクロヘキシルアミノメチルトリエトキシシラン、N-シクロヘキシルアミノプロピルトリメトキシシラン、N-エチルアミノイソブチルメチルジエトキシシラン、(フェニルアミノエチル)メチル-ジエトキシシラン、N-フェニルアミノメチトリメトキシシラン(N-phenylaminomethytrimethoxysilane)、N-メチルアミノプロピルメチル-ジメトキシシラン、又はこれらの組合せである、請求項17に記載の固体電解キャパシタ。
- 前記ジアミノ官能性シランが、N-(2-アミノエチル)-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-(2-アミノエチル)-3-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-(6-アミノヘキシル)アミノメチルトリエトキシシラン、N-(6-アミノヘキシル)アミノプロピルトリメトキシシラン、N-(2-アミノエチル)-11-アミノウンデシルトリメトキシシラン、(アミノエチルアミノメチル)-フェネチルトリメトキシシラン、N-3-[(アミノ(ポリプロピレンオキシ)]-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-(2-アミノエチル)-3-アミノプロピルシラントリオール、N-(2-アミノエチル)-3-アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N-(2-アミノエチル)-3-アミノイソブチルメチルジメトキシシラン、(アミノエチルアミノ)-3-イソブチルジメチルメトキシシラン、又はこれらの組合せである、請求項19に記載の固体電解キャパシタ。
- 前記固体電解質の上に配されており、導電性ポリマー粒子を含む外部ポリマー被覆を更に含む、請求項1に記載の固体電解キャパシタ。
- 前記外部ポリマー被覆が架橋剤を更に含む、請求項21に記載の固体電解キャパシタ。
- 前記陽極体が焼結ペレットである、請求項1に記載の固体電解キャパシタ。
- 前記キャパシタ素子がその中に収容されるハウジングを更に含む、請求項1に記載の固体電解キャパシタ。
- 前記キャパシタ素子が前記固体電解質の上に配されている金属粒子層を含む陰極被膜を更に含み、前記金属粒子層が複数の導電性金属粒子を含む、請求項1に記載の固体電解キャパシタ。
- 約55ボルト以上のブレークダウン電圧を示す、請求項1に記載の固体電解キャパシタ。
- 前記誘電体が、約60ナノメートル以上の厚さを有する、請求項1に記載の固体電解キャパシタ。
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ATE289703T1 (de) | 1999-05-20 | 2005-03-15 | Bayer Ag | Verfahren zur herstellung von pi-konjugierten polymeren |
DE10004725A1 (de) | 2000-02-03 | 2001-08-09 | Bayer Ag | Verfahren zur Herstellung von wasserlöslichen pi-konjugierten Polymeren |
DE10016723A1 (de) | 2000-04-04 | 2001-10-11 | Bayer Ag | Verfahren zur Herstellung von Dialkoxythiophenen und Alkylendioxythiophenen |
DE10029075A1 (de) | 2000-06-13 | 2001-12-20 | Bayer Ag | Verfahren zur Herstellung von 3,4-Alkylendioxythiophen-2,5-dicarbonsäurederivaten |
US6449140B1 (en) | 2000-07-07 | 2002-09-10 | Showa Denko K.K. | Solid electrolytic capacitor element and method for producing the same |
ATE495208T1 (de) | 2000-11-22 | 2011-01-15 | Strack H C Clevios Gmbh | Dispergierbare polymerpulver |
DE10058116A1 (de) | 2000-11-22 | 2002-05-23 | Bayer Ag | Polythiophene |
DE10103416A1 (de) | 2001-01-26 | 2002-08-01 | Bayer Ag | Elektrolumineszierende Anordnungen |
DE10111790A1 (de) | 2001-03-12 | 2002-09-26 | Bayer Ag | Neue Polythiophen-Dispersionen |
US6674635B1 (en) | 2001-06-11 | 2004-01-06 | Avx Corporation | Protective coating for electrolytic capacitors |
FI115356B (fi) | 2001-06-29 | 2005-04-15 | Nokia Corp | Menetelmä audiovisuaalisen informaation käsittelemiseksi elektroniikkalaitteessa, järjestelmä ja elektroniikkalaite |
JP2003133183A (ja) | 2001-10-26 | 2003-05-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
DE10229218A1 (de) | 2002-06-28 | 2004-01-22 | H.C. Starck Gmbh | Alkylendioxythiophen-Dimere und Trimere |
JP4077675B2 (ja) | 2002-07-26 | 2008-04-16 | ナガセケムテックス株式会社 | ポリ(3,4−ジアルコキシチオフェン)とポリ陰イオンとの複合体の水分散体およびその製造方法 |
DE10237577A1 (de) | 2002-08-16 | 2004-02-26 | H.C. Starck Gmbh | Substituierte Poly(alkylendioxythiophene) als Feststoffelektrolyte in Elektrolytkondensatoren |
DE10248876B4 (de) | 2002-10-18 | 2006-07-06 | H.C. Starck Gmbh | Verfahren zur Herstellung linearer organischer Oligomere |
DE10257539A1 (de) | 2002-12-10 | 2004-07-01 | H.C. Starck Gmbh | Verfahren zur Herstellung von 2,2'-Di(3,4-ethylendioxythiophen)en |
DE10302086A1 (de) | 2003-01-21 | 2004-07-29 | Bayer Ag | Alkylendioxythiophene und Poly(alkylendioxythiophene) mit mesogenen Gruppen |
EP1614122A1 (de) | 2003-04-02 | 2006-01-11 | H.C. Starck GmbH & Co. KG | Spezielle oxidationsmittel zur herstellung leitfähiger polymere |
DE10331673A1 (de) | 2003-07-14 | 2005-02-10 | H.C. Starck Gmbh | Polythiophen mit Alkylenoxythiathiophen-Einheiten in Elektrolytkondensatoren |
DE10343873A1 (de) | 2003-09-23 | 2005-04-21 | Starck H C Gmbh | Verfahren zur Reinigung von Thiophenen |
PT1524678E (pt) | 2003-10-17 | 2009-10-19 | Starck H C Gmbh | Condensadores electrolíticos com camada exterior polimérica |
DE10353094A1 (de) | 2003-11-12 | 2005-06-09 | H.C. Starck Gmbh | Verfahren zur Herstellung linearer organischer Thiophen-Phenylen-Oligomere |
KR101143664B1 (ko) | 2003-11-28 | 2012-05-09 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 폴리아닐린 조성물, 그의 제조방법 및 그로부터 이루어지는 성형체 |
DE10357571A1 (de) | 2003-12-10 | 2005-07-28 | H.C. Starck Gmbh | Multifunktionelle 3,4-Alkylendioxythiophen-Derivate und diese enthaltende elektrisch leitfähige Polymere |
DE10359796A1 (de) | 2003-12-19 | 2005-07-28 | H.C. Starck Gmbh | 3,4-Dioxythiophen-Derivate |
US20050175861A1 (en) | 2004-02-10 | 2005-08-11 | H.C. Starck Gmbh | Polythiophene compositions for improving organic light-emitting diodes |
DE102004006583A1 (de) | 2004-02-10 | 2005-09-01 | H.C. Starck Gmbh | Polythiophenformulierungen zur Verbesserung von organischen Leuchtdioden |
US7342775B2 (en) | 2004-04-23 | 2008-03-11 | Kemet Electronics Corporation | Fluted anode with minimal density gradients and capacitor comprising same |
JP2006028214A (ja) | 2004-07-12 | 2006-02-02 | Nagase Chemtex Corp | ポリ(3,4−ジアルコキシチオフェン)とポリ陰イオンとの複合体の水分散体の製造方法 |
CN1737072B (zh) | 2004-08-18 | 2011-06-08 | 播磨化成株式会社 | 导电粘合剂及使用该导电粘合剂制造物件的方法 |
WO2006088033A1 (ja) | 2005-02-17 | 2006-08-24 | Kaneka Corporation | 金属表面コーティング用組成物、導電性高分子の製造方法、金属表面のコーティング方法、ならびに電解コンデンサおよびその製造方法 |
DE102005016727A1 (de) | 2005-04-11 | 2006-10-26 | H.C. Starck Gmbh | Elektrolytkondensatoren mit polymerer Außenschicht und Verfahren zu ihrer Herstellung |
KR101334472B1 (ko) | 2005-05-27 | 2013-11-29 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 도전성 고분자 적층체 |
DE102005031349A1 (de) | 2005-07-05 | 2007-01-11 | H.C. Starck Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Polyethylendioxythiophenen |
DE102005033839A1 (de) | 2005-07-20 | 2007-01-25 | H.C. Starck Gmbh | Elektrolytkondensatoren mit polymerer Außenschicht und Verfahren zur ihrer Herstellung |
JP2007073498A (ja) | 2005-08-09 | 2007-03-22 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 導電性積層体 |
DE102005043828A1 (de) | 2005-09-13 | 2007-03-22 | H.C. Starck Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren |
DE102005043829A1 (de) | 2005-09-13 | 2007-04-05 | H.C. Starck Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren mit hoher Nennspannung |
DE102005053646A1 (de) | 2005-11-10 | 2007-05-16 | Starck H C Gmbh Co Kg | Polymerbeschichtungen mit verbesserter Lösungsmittelbeständigkeit |
US7973180B2 (en) | 2005-11-17 | 2011-07-05 | H.C. Starck Gmbh | Process for producing aqueous dispersion of composite of poly(3,4-dialkoxythiophene) with polyanion |
CN101361147A (zh) | 2005-11-22 | 2009-02-04 | 昭和电工株式会社 | 固体电解电容器及其制造方法以及固体电解电容器用基材 |
DE102005060159A1 (de) | 2005-12-14 | 2007-06-21 | H. C. Starck Gmbh & Co. Kg | Transparente polymere Elektrode für elektro-optische Aufbauten |
DE102006020744A1 (de) | 2006-05-04 | 2007-11-08 | H. C. Starck Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur Stabilisierung von Thiophenderivaten |
US7154742B1 (en) | 2006-05-10 | 2006-12-26 | Kemet Electronics Corporation | Fluted anode with improved capacitance and capacitor comprising same |
JP5305569B2 (ja) | 2006-06-29 | 2013-10-02 | 三洋電機株式会社 | 電解コンデンサの製造方法および電解コンデンサ |
US7563290B2 (en) | 2006-07-06 | 2009-07-21 | Kemet Electronics Corporation | High voltage solid electrolytic capacitors using conductive polymer slurries |
JP2008066502A (ja) | 2006-09-07 | 2008-03-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電解コンデンサ |
US7649730B2 (en) | 2007-03-20 | 2010-01-19 | Avx Corporation | Wet electrolytic capacitor containing a plurality of thin powder-formed anodes |
US7515396B2 (en) | 2007-03-21 | 2009-04-07 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor containing a conductive polymer |
JP4911509B2 (ja) | 2007-04-03 | 2012-04-04 | 三洋電機株式会社 | 電解コンデンサおよびその製造方法 |
EP2159808B1 (en) | 2007-05-21 | 2019-08-07 | Showa Denko K.K. | Method and apparatus for manufacturing solid electrolytic capacitor |
JP4737775B2 (ja) | 2007-06-18 | 2011-08-03 | Necトーキン株式会社 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
JP4836887B2 (ja) | 2007-07-09 | 2011-12-14 | 三洋電機株式会社 | 電解コンデンサの製造方法及び電解コンデンサ |
DE102007041722A1 (de) | 2007-09-04 | 2009-03-05 | H.C. Starck Gmbh | Verfahren zur Herstellung von leitfähigen Polymeren |
DE102007048212A1 (de) | 2007-10-08 | 2009-04-09 | H.C. Starck Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren mit polymerer Zwischenschicht |
US20130273514A1 (en) | 2007-10-15 | 2013-10-17 | University Of Southern California | Optimal Strategies in Security Games |
US8195490B2 (en) | 2007-10-15 | 2012-06-05 | University Of Southern California | Agent security via approximate solvers |
US8224681B2 (en) | 2007-10-15 | 2012-07-17 | University Of Southern California | Optimizing a security patrolling strategy using decomposed optimal Bayesian Stackelberg solver |
JP4916416B2 (ja) | 2007-10-30 | 2012-04-11 | サン電子工業株式会社 | 電解コンデンサの製造方法及び電解コンデンサ |
FR2923020B1 (fr) | 2007-10-30 | 2009-11-13 | Mge Ups Systems | Procede et dispositif de prediction de defaillances de condensateur electrolytique, convertisseur et alimentation sans interruption equipes d'un tel dispositif |
DE102008005568A1 (de) | 2008-01-22 | 2009-07-23 | H.C. Starck Gmbh | Verfahren zur Herstellung von leitfähigen Polymeren |
WO2009128401A1 (ja) | 2008-04-16 | 2009-10-22 | Necトーキン株式会社 | 導電性高分子懸濁液、導電性高分子組成物、ならびに固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
WO2009131012A1 (ja) | 2008-04-21 | 2009-10-29 | テイカ株式会社 | 導電性組成物の分散液、導電性組成物および固体電解コンデンサ |
DE102008023008A1 (de) | 2008-05-09 | 2009-11-12 | H.C. Starck Gmbh | Neuartige Polythiophene-Polyanion-Komplexe in unpolaren organischen Lösungsmitteln |
DE102008024805A1 (de) | 2008-05-23 | 2009-12-03 | H.C. Starck Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren |
DE102008032578A1 (de) | 2008-07-11 | 2010-01-14 | H.C. Starck Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren |
JP2010129651A (ja) | 2008-11-26 | 2010-06-10 | Nichicon Corp | 固体電解コンデンサの製造方法 |
JP2010153625A (ja) | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Hitachi Chemical Electronics Co Ltd | チップ形固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
DE102009007594A1 (de) | 2009-02-05 | 2010-08-12 | H.C. Starck Clevios Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren mit polymerer Außenschicht. |
CN102224197B (zh) | 2009-02-17 | 2013-03-13 | 综研化学株式会社 | 复合导电性聚合物组合物及其制造方法、含有该组合物的溶液以及该组合物的用途 |
JP5738178B2 (ja) | 2009-02-17 | 2015-06-17 | 綜研化学株式会社 | 複合導電性高分子組成物、その製造方法、当該組成物を含有する溶液、および当該組成物の用途 |
JP5869880B2 (ja) | 2009-02-17 | 2016-02-24 | 綜研化学株式会社 | 複合導電性高分子溶液およびその製造方法 |
WO2010095652A1 (ja) | 2009-02-17 | 2010-08-26 | 綜研化学株式会社 | 複合導電性高分子組成物、その製法、当該組成物を含有する溶液、および当該組成物の用途 |
JP5435436B2 (ja) | 2009-02-17 | 2014-03-05 | 綜研化学株式会社 | 複合導電性ポリマー組成物、その製造方法、当該組成物を含有する溶液、および当該組成物の用途 |
DE102009012660A1 (de) | 2009-03-13 | 2010-09-16 | H.C. Starck Clevios Gmbh | Polymerbeschichtungen mit verbesserter Temperaturstabilität |
US8310815B2 (en) | 2009-04-20 | 2012-11-13 | Kemet Electronics Corporation | High voltage and high efficiency polymer electrolytic capacitors |
JP2011009569A (ja) | 2009-06-26 | 2011-01-13 | Kaneka Corp | 導電性高分子電解コンデンサの製造方法 |
JP2011009568A (ja) | 2009-06-26 | 2011-01-13 | Kaneka Corp | 導電性高分子コンデンサ用電解質の形成方法 |
JP2011009499A (ja) | 2009-06-26 | 2011-01-13 | Kaneka Corp | 導電性高分子コンデンサ用電解質の形成方法 |
US9296921B2 (en) | 2009-07-08 | 2016-03-29 | Soken Chemical & Engineering Co., Ltd. | Conductive polymer composition and process for preparing the same |
CN102482503B (zh) | 2009-09-07 | 2015-05-13 | 出光兴产株式会社 | 导电性组合物 |
EP2305686B1 (en) | 2009-09-30 | 2013-04-03 | Heraeus Precious Metals GmbH & Co. KG | Monomers of selected colour numbers and capacitors prepared therefrom |
JP5524795B2 (ja) | 2009-09-30 | 2014-06-18 | エイチ・シー・スタルク・クレビオス・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | 安定化されたチオフェン誘導体 |
US8194395B2 (en) | 2009-10-08 | 2012-06-05 | Avx Corporation | Hermetically sealed capacitor assembly |
US8125768B2 (en) | 2009-10-23 | 2012-02-28 | Avx Corporation | External coating for a solid electrolytic capacitor |
JP5371710B2 (ja) | 2009-11-20 | 2013-12-18 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
JP2011114208A (ja) | 2009-11-27 | 2011-06-09 | Kaneka Corp | 導電性高分子コンデンサの製造方法 |
JP5663871B2 (ja) | 2009-12-24 | 2015-02-04 | 東ソー株式会社 | チオフェン類の製造方法 |
JP2011135020A (ja) | 2009-12-25 | 2011-07-07 | Nec Tokin Corp | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
JP5810292B2 (ja) | 2010-02-15 | 2015-11-11 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 電解コンデンサ |
JP2011199086A (ja) | 2010-03-23 | 2011-10-06 | Nippon Chemicon Corp | 固体電解コンデンサ |
JP2011199088A (ja) | 2010-03-23 | 2011-10-06 | Nippon Chemicon Corp | 固体電解コンデンサ |
JP5514596B2 (ja) | 2010-03-23 | 2014-06-04 | 出光興産株式会社 | 導電性分散液 |
JP2011199087A (ja) | 2010-03-23 | 2011-10-06 | Nippon Chemicon Corp | 固体電解コンデンサ |
JP5491246B2 (ja) | 2010-03-25 | 2014-05-14 | Necトーキン株式会社 | 導電性高分子およびその製造方法、導電性高分子分散液、ならびに固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
JPWO2011121995A1 (ja) | 2010-03-31 | 2013-07-04 | 日本ケミコン株式会社 | 固体電解コンデンサ |
JP2011216752A (ja) | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Nippon Chemicon Corp | 固体電解コンデンサ |
JP2011253878A (ja) | 2010-06-01 | 2011-12-15 | Holy Stone Polytech Co Ltd | 固体電解コンデンサ |
JP5551529B2 (ja) | 2010-07-05 | 2014-07-16 | Necトーキン株式会社 | 固体電解コンデンサとその製造方法 |
WO2012014844A1 (ja) | 2010-07-26 | 2012-02-02 | 綜研化学株式会社 | ポリチオフェン重合用触媒およびポリ(置換チオフェン)の製造方法 |
JP2012025887A (ja) | 2010-07-26 | 2012-02-09 | Soken Chem & Eng Co Ltd | ポリ(3−置換チオフェン)の製造方法 |
KR101139040B1 (ko) | 2010-08-19 | 2012-04-30 | 데이카 가부시키가이샤 | 도전성 고분자 제조용 산화제겸 도판트 용액, 도전성 고분자와 고체 전해 콘덴서 |
JP5535831B2 (ja) | 2010-08-30 | 2014-07-02 | 三洋電機株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
US8808403B2 (en) | 2010-09-15 | 2014-08-19 | Kemet Electronics Corporation | Process for solid electrolytic capacitors using polymer slurries |
US8824121B2 (en) | 2010-09-16 | 2014-09-02 | Avx Corporation | Conductive polymer coating for wet electrolytic capacitor |
DE102010047086A1 (de) | 2010-10-01 | 2012-04-05 | Heraeus Clevios Gmbh | Schichtaufbauten mit verbesserten elektrischen Kenngrößen beinthaltend PEDOT/PSS sowie einen Stabilisator |
US9508491B2 (en) | 2010-10-01 | 2016-11-29 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Method for improving electrical parameters in capacitors comprising PEDOT/PSS as a solid electrolyte through a polyalkylene glycol |
DE102010048031A1 (de) | 2010-10-12 | 2012-04-12 | Heraeus Clevios Gmbh | Polythiophene beinhaltende Dispersionen mit definiertem Sulfat-Gehalt |
DE102010048032A1 (de) | 2010-10-12 | 2012-04-12 | Heraeus Clevios Gmbh | Polythiophene beinhaltende Dispersionen mit definiertem Gehalt an Thiophen-Monomer |
CN103189440B (zh) | 2010-11-03 | 2015-01-07 | 赫劳斯贵金属有限两和公司 | 处于有机溶剂中的pedot分散体 |
JP5807997B2 (ja) | 2010-12-07 | 2015-11-10 | テイカ株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
US8493713B2 (en) | 2010-12-14 | 2013-07-23 | Avx Corporation | Conductive coating for use in electrolytic capacitors |
US8576543B2 (en) | 2010-12-14 | 2013-11-05 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor containing a poly(3,4-ethylenedioxythiophene) quaternary onium salt |
CN103328541B (zh) | 2011-01-27 | 2018-01-02 | 出光兴产株式会社 | 聚苯胺复合物、其制造方法及组合物 |
JP5745881B2 (ja) | 2011-02-14 | 2015-07-08 | テイカ株式会社 | 固体電解コンデンサ |
WO2012112680A2 (en) | 2011-02-15 | 2012-08-23 | Kemet Electronics Corporation | Process for producing electrolytic capacitors and capacitors made thereby |
WO2012111319A1 (ja) | 2011-02-18 | 2012-08-23 | パナソニック株式会社 | 電解コンデンサ及びその製造方法 |
JP2012174948A (ja) | 2011-02-23 | 2012-09-10 | Nec Tokin Corp | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
JP5995262B2 (ja) | 2011-03-06 | 2016-09-21 | ヘレウス ドイチェラント ゲーエムベーハー ウント カンパニー カーゲー | Pedot/pssを固体電解質として含有するコンデンサにおける電気パラメータをポリグリセロールによって改善するための方法 |
JP2012188400A (ja) | 2011-03-11 | 2012-10-04 | Tosoh Corp | ジチエノベンゾジチオフェンの製造方法 |
US8451588B2 (en) | 2011-03-11 | 2013-05-28 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor containing a conductive coating formed from a colloidal dispersion |
JP2012191127A (ja) | 2011-03-14 | 2012-10-04 | San Denshi Kogyo Kk | 電解コンデンサの製造方法 |
JP2012199364A (ja) | 2011-03-22 | 2012-10-18 | Nec Tokin Corp | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
US9373448B2 (en) | 2011-03-25 | 2016-06-21 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Method of manufacturing electrolytic capacitor |
KR101775620B1 (ko) | 2011-04-06 | 2017-09-07 | 에스케이케미칼주식회사 | 코팅용 폴리에스테르 바인더 수지 및 이를 함유하는 코팅 조성물 |
WO2012140881A1 (ja) | 2011-04-13 | 2012-10-18 | パナソニック株式会社 | 導電性高分子分散溶液の製造方法及び電解コンデンサ |
TWI494959B (zh) | 2011-05-12 | 2015-08-01 | 帝化股份有限公司 | 固體電解電容器之製造方法 |
JP5441952B2 (ja) | 2011-05-17 | 2014-03-12 | Necトーキン株式会社 | 導電性高分子懸濁溶液およびその製造方法、導電性高分子材料、ならびに電解コンデンサおよびその製造方法 |
JP2012244077A (ja) | 2011-05-24 | 2012-12-10 | Japan Carlit Co Ltd:The | 固体電解コンデンサの製造方法 |
WO2012162544A2 (en) | 2011-05-24 | 2012-11-29 | Kemet Electronics Corporation | Conductive polymer dispersions for solid electrolytic capacitors |
JP2013006969A (ja) | 2011-06-24 | 2013-01-10 | Tosoh Corp | 表面処理剤、導電性モノマー含有組成物及びそれを用いた導電性高分子膜 |
JP5939454B2 (ja) | 2011-09-06 | 2016-06-22 | 日本ケミコン株式会社 | 固体電解コンデンサ用分散液の製造方法及び固体電解コンデンサの製造方法 |
JP2013074212A (ja) | 2011-09-28 | 2013-04-22 | Nippon Chemicon Corp | 固体電解コンデンサ用分散液の製造方法及び固体電解コンデンサ用分散液、この分散液を用いた固体電解コンデンサの製造方法及び固体電解コンデンサ |
CN103748164B (zh) | 2011-09-06 | 2016-09-14 | 帝化株式会社 | 导电性高分子分散液、导电性高分子及其用途 |
JP5892535B2 (ja) | 2011-10-06 | 2016-03-23 | テイカ株式会社 | 導電性高分子製造用酸化剤兼ドーパント、導電性高分子製造用酸化剤兼ドーパント溶液、導電性高分子および固体電解コンデンサ |
JP5998836B2 (ja) | 2011-10-19 | 2016-09-28 | 東ソー株式会社 | チオフェンスルホン酸エステル |
WO2013073259A1 (ja) | 2011-11-16 | 2013-05-23 | 東ソー有機化学株式会社 | 高純度パラスチレンスルホン酸(塩)、それを用いたポリスチレンスルホン酸(塩)、およびポリスチレンスルホン酸(塩)を用いた、分散剤、導電性ポリマードーパント、ナノカーボン材料水性分散体、導電性ポリマー水性分散体、ならびにポリスチレンスルホン酸(塩)の製造方法 |
JP2013116939A (ja) | 2011-12-01 | 2013-06-13 | Tosoh Corp | ポリチオフェン誘導体複合物及びその製造方法、並びにその用途 |
JP2013127045A (ja) | 2011-12-19 | 2013-06-27 | Tosoh Corp | 導電性高分子及びその製造方法 |
CN104040658B (zh) | 2011-12-19 | 2016-06-22 | 帝化株式会社 | 电解电容器及其制造方法 |
US9030806B2 (en) | 2012-01-25 | 2015-05-12 | Kemet Electronics Corporation | Polymerization method for preparing conductive polymer |
JP6024264B2 (ja) | 2012-02-02 | 2016-11-16 | 東ソー株式会社 | チオフェン誘導体、水溶性導電性ポリマー及びその水溶液、並びにそれらの製造方法 |
JP2013163793A (ja) | 2012-02-13 | 2013-08-22 | Tosoh Corp | 導電性モノマー用アミノ酸誘導体 |
US10879010B2 (en) | 2012-02-27 | 2020-12-29 | Kemet Electronics Corporation | Electrolytic capacitor having a higher cap recovery and lower ESR |
JP5769742B2 (ja) | 2012-02-27 | 2015-08-26 | ケメット エレクトロニクス コーポレーション | 層間架橋を用いた固体電解コンデンサ |
US9941055B2 (en) | 2012-02-27 | 2018-04-10 | Kemet Electronics Corporation | Solid electrolytic capacitor with interlayer crosslinking |
JP5152882B1 (ja) | 2012-03-07 | 2013-02-27 | Necトーキン株式会社 | 導電性高分子溶液、導電性高分子組成物、並びにそれを用いた固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
DE102012004692A1 (de) | 2012-03-12 | 2013-09-12 | Heraeus Precious Metals Gmbh & Co. Kg | Zusatz von Polymeren zu Thiophen-Monomeren bei der In Situ-Polymerisation |
US8971020B2 (en) | 2012-03-16 | 2015-03-03 | Avx Corporation | Wet capacitor cathode containing a conductive copolymer |
JP5911136B2 (ja) | 2012-04-10 | 2016-04-27 | テイカ株式会社 | 固体電解コンデンサの製造方法 |
JP2013251408A (ja) | 2012-05-31 | 2013-12-12 | Nippon Chemicon Corp | 固体電解コンデンサの製造方法 |
JP5892547B2 (ja) | 2012-05-31 | 2016-03-23 | カーリットホールディングス株式会社 | 固体電解コンデンサ製造用導電性高分子分散液及びそれを用いて作製した固体電解コンデンサ |
JP6233952B2 (ja) | 2012-05-31 | 2017-11-22 | カーリットホールディングス株式会社 | 固体電解コンデンサ製造用導電性高分子分散液及びそれを用いて作製した固体電解コンデンサ |
TWI450907B (zh) | 2012-06-26 | 2014-09-01 | Far Eastern New Century Corp | 製造導電聚合物分散液的方法、由其形成之導電聚合物材料及利用該導電聚合物材料之固態電容 |
JP6068021B2 (ja) | 2012-06-28 | 2017-01-25 | カーリットホールディングス株式会社 | 固体電解コンデンサ製造用導電性高分子分散液及びそれを用いて作製した固体電解コンデンサ |
JP2014011222A (ja) | 2012-06-28 | 2014-01-20 | Japan Carlit Co Ltd | 固体電解コンデンサ製造用導電性高分子分散液及びそれを用いて作製した固体電解コンデンサ |
US9718905B2 (en) | 2012-07-03 | 2017-08-01 | Tosoh Corporation | Polythiophene, water-soluble electrically conductive polymer using it, and method for producing it |
JP5637544B2 (ja) | 2012-07-13 | 2014-12-10 | テイカ株式会社 | 固体電解コンデンサ |
US9548163B2 (en) | 2012-07-19 | 2017-01-17 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor with improved performance at high voltages |
DE102013213723A1 (de) | 2012-07-19 | 2014-01-23 | Avx Corporation | Festelektrolytkondensator mit erhöhter Feucht-zu-Trocken-Kapazität |
JP2014024905A (ja) | 2012-07-25 | 2014-02-06 | Tosoh Corp | 導電性膜用高分子分散体 |
JP2014027040A (ja) | 2012-07-25 | 2014-02-06 | Japan Carlit Co Ltd | 固体電解コンデンサ製造用導電性高分子分散液及びそれを用いて作製した固体電解コンデンサ |
US9589734B2 (en) | 2012-07-31 | 2017-03-07 | Nippon Chemi-Con Corporation | Solid electrolytic capacitor and manufacturing method thereof |
CN102768903A (zh) | 2012-08-09 | 2012-11-07 | 中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司 | 高压导电聚合物电解质电容器的制作方法 |
JP2014041888A (ja) | 2012-08-22 | 2014-03-06 | Japan Carlit Co Ltd | 固体電解コンデンサ製造用導電性高分子分散液及びそれを用いて作製した固体電解コンデンサ |
JP2014043500A (ja) | 2012-08-24 | 2014-03-13 | Tosoh Corp | チオフェン芳香族スルホン酸エステル、それを含む共重合体、及びその共重合体からなる導電性被覆物 |
JP6015243B2 (ja) | 2012-08-24 | 2016-10-26 | 東ソー株式会社 | カルバモイルオキシチオフェン類、それを含む共重合体、及びその共重合体からなる導電性被覆物 |
JP6015244B2 (ja) | 2012-08-24 | 2016-10-26 | 東ソー株式会社 | フェノール誘導体を含有するポリチオフェン組成物、及びそれからなる導電性被覆物 |
JP2014060231A (ja) | 2012-09-17 | 2014-04-03 | Murata Mfg Co Ltd | 固体電解コンデンサの製造方法 |
DE102012018978A1 (de) | 2012-09-27 | 2014-03-27 | Heraeus Precious Metals Gmbh & Co. Kg | Verwendung von PEDOT/PSS-Dispersionen mit hohem PEDOT-Anteil zur Herstellung von Kondensatoren und Solarzellen |
DE102012018976A1 (de) | 2012-09-27 | 2014-03-27 | Heraeus Precious Metals Gmbh & Co. Kg | Verwendung von Mischungen aus selbstdotierten und fremddotierten leitfähigen Polymeren in einem Kondensator |
JP6180010B2 (ja) | 2012-10-18 | 2017-08-16 | テイカ株式会社 | 電解コンデンサの製造方法 |
JP5988824B2 (ja) | 2012-10-22 | 2016-09-07 | テイカ株式会社 | 電解コンデンサの製造方法 |
JP5988831B2 (ja) | 2012-10-31 | 2016-09-07 | テイカ株式会社 | 電解コンデンサの製造方法 |
JP2014093417A (ja) | 2012-11-02 | 2014-05-19 | Nichicon Corp | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
JP6285138B2 (ja) | 2012-11-08 | 2018-02-28 | ローム株式会社 | 固体電解コンデンサ |
JP2014123685A (ja) | 2012-12-21 | 2014-07-03 | Nippon Chemicon Corp | 電解コンデンサ及びその製造方法 |
JP5955786B2 (ja) | 2013-01-07 | 2016-07-20 | 出光興産株式会社 | 導電性高分子組成物 |
JP6405534B2 (ja) | 2013-01-31 | 2018-10-17 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 電解コンデンサ及びその製造方法 |
US9530568B2 (en) | 2013-03-29 | 2016-12-27 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Method of manufacturing conductive polymer microparticle dispersion and method of manufacturing electrolytic capacitor containing the conductive polymer microparticle dispersion |
WO2014155421A1 (ja) | 2013-03-29 | 2014-10-02 | パナソニック株式会社 | 導電性高分子微粒子分散体の製造方法およびその導電性高分子微粒子分散体を用いた電解コンデンサの製造方法 |
WO2014155420A1 (ja) | 2013-03-29 | 2014-10-02 | パナソニック株式会社 | 導電性高分子微粒子分散体とそれを用いた電解コンデンサ、およびそれらの製造方法 |
JP5978467B2 (ja) | 2013-03-29 | 2016-08-24 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 導電性高分子微粒子分散体の製造方法およびその導電性高分子微粒子分散体を用いた電解コンデンサの製造方法 |
JP6379523B2 (ja) | 2013-04-04 | 2018-08-29 | 東ソー株式会社 | 導電性高分子水溶液、及び導電性高分子膜 |
JP2014201545A (ja) | 2013-04-04 | 2014-10-27 | 東ソー株式会社 | 2−ヒドロキシメチル−2,3−ジヒドロ−チエノ[3,4−b][1,4]ジオキシン−5,7−ジカルボン酸ジアルキルエステルの製造方法 |
CN105051847B (zh) | 2013-04-05 | 2018-01-16 | 昭和电工株式会社 | 固体电解电容器的制造方法 |
US9343239B2 (en) | 2013-05-17 | 2016-05-17 | Kemet Electronics Corporation | Solid electrolytic capacitor and improved method for manufacturing a solid electrolytic capacitor |
US9761378B2 (en) | 2015-03-30 | 2017-09-12 | Kemet Electronics Corporation | Process to improve coverage and electrical performance of solid electrolytic capacitors |
US9761347B2 (en) | 2013-05-17 | 2017-09-12 | Kemet Electronics Corporation | Process to improve coverage and electrical performance of solid electrolytic capacitor |
JP6141318B2 (ja) | 2013-06-13 | 2017-06-07 | 石原ケミカル株式会社 | Ta粉末の製造方法およびTa造粒粉の製造方法 |
JP6256970B2 (ja) | 2013-06-17 | 2018-01-10 | テイカ株式会社 | 電解コンデンサおよびその製造方法 |
JP6183835B2 (ja) | 2013-07-22 | 2017-08-23 | 富山薬品工業株式会社 | 導電性ポリマー分散液の製造方法 |
US9928964B1 (en) | 2013-08-28 | 2018-03-27 | Kemet Electronics Corporation | Preparation of conjugated dimer and products formed therefrom |
JP5543001B2 (ja) | 2013-09-02 | 2014-07-09 | 三洋電機株式会社 | 電解コンデンサの製造方法 |
JP5725637B1 (ja) | 2013-09-11 | 2015-05-27 | テイカ株式会社 | 導電性高分子製造用モノマー液およびそれを用いる電解コンデンサの製造方法 |
JP6201595B2 (ja) | 2013-10-01 | 2017-09-27 | 東ソー株式会社 | 2−ヒドロキシメチル−2,3−ジヒドロ−チエノ[3,4−b][1,4]ジオキシンの製造方法 |
US9236193B2 (en) | 2013-10-02 | 2016-01-12 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor for use under high temperature and humidity conditions |
JP6384896B2 (ja) | 2013-11-14 | 2018-09-05 | ニチコン株式会社 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
JP2015105315A (ja) | 2013-11-29 | 2015-06-08 | 東ソー有機化学株式会社 | 有機溶剤への溶解性と耐熱性に優れたスチレンスルホン酸リチウム共重合体、ならびに当該スチレンスルホン酸リチウム共重合体を用いた帯電防止剤 |
JP6358646B2 (ja) | 2013-12-17 | 2018-07-18 | ニチコン株式会社 | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
JP6311355B2 (ja) | 2014-01-27 | 2018-04-18 | 東ソー株式会社 | 導電性高分子水溶液、及び導電性高分子膜 |
JP5948592B2 (ja) | 2014-01-31 | 2016-07-06 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 導電性高分子微粒子分散体の製造方法およびその導電性高分子微粒子分散体を用いた電解コンデンサの製造方法 |
JP6745580B2 (ja) | 2014-02-05 | 2020-08-26 | 日本ケミコン株式会社 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
JP6427887B2 (ja) | 2014-02-05 | 2018-11-28 | 東ソー株式会社 | 導電性高分子水溶液、及び導電性高分子膜 |
WO2015119047A1 (ja) | 2014-02-05 | 2015-08-13 | 日本ケミコン株式会社 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
JP5788127B1 (ja) | 2014-02-27 | 2015-09-30 | テイカ株式会社 | 導電性高分子製造用酸化剤兼ドーパント、その溶液、それらのいずれかを用いて製造した導電性高分子およびその導電性高分子を電解質として用いた電解コンデンサ |
JP6273917B2 (ja) | 2014-03-10 | 2018-02-07 | 東ソー株式会社 | チオフェン共重合体及びその水溶液、並びにチオフェンモノマー組成物及びその製造方法 |
CN103854868B (zh) | 2014-03-12 | 2016-06-29 | 中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司 | 适用于75v以上高额定电压固体电解电容器的制作方法 |
JP6515609B2 (ja) | 2014-04-23 | 2019-05-22 | 東ソー株式会社 | 導電性高分子水溶液、及び導電性高分子膜並びに該被覆物品 |
JP5895136B2 (ja) | 2014-04-28 | 2016-03-30 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 電解コンデンサの製造方法 |
EP2950316B1 (en) | 2014-05-30 | 2019-11-06 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Monofunctional amines as adhesion primers for conductive polymers |
EP2950317B1 (en) | 2014-05-30 | 2017-08-23 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Two or polyfunctional compounds as adhesion primers for conductive polymers |
JP6485074B2 (ja) | 2014-06-19 | 2019-03-20 | 東ソー株式会社 | 共重合体、その製造方法、その導電性ポリマー水溶液、及びその用途 |
JP2016009770A (ja) | 2014-06-25 | 2016-01-18 | カーリットホールディングス株式会社 | 電解コンデンサ及びその製造方法 |
US9277618B2 (en) | 2014-06-27 | 2016-03-01 | Bridgelux, Inc. | Monolithic LED chip in an integrated control module with active circuitry |
US10872709B2 (en) | 2014-07-11 | 2020-12-22 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Method for producing polyaniline complex composition and polyaniline complex composition |
JP6415146B2 (ja) | 2014-07-14 | 2018-10-31 | テイカ株式会社 | 電解コンデンサ製造用の導電性高分子の分散液およびそれを用いて製造した電解コンデンサ。 |
JP6462255B2 (ja) | 2014-07-14 | 2019-01-30 | テイカ株式会社 | 電解コンデンサおよびその製造方法 |
EP2977993A1 (en) | 2014-07-25 | 2016-01-27 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Formulations comprising metal nanowires and pedot |
JP6096727B2 (ja) | 2014-09-12 | 2017-03-15 | 東ソー有機化学株式会社 | 導電性ポリマー塗膜及びその製造方法 |
US10062519B2 (en) | 2014-09-15 | 2018-08-28 | Kemet Electronics Corporation | Tantalum capacitor with polymer cathode |
CN105405657A (zh) | 2014-09-16 | 2016-03-16 | 立隆电子工业股份有限公司 | 电解电容器的制造方法及其制品 |
CN104409213A (zh) | 2014-11-12 | 2015-03-11 | 深圳新宙邦科技股份有限公司 | 用于化成箔后处理的电解质胶液、电极箔和电容器 |
EP3037497A1 (en) | 2014-12-23 | 2016-06-29 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Process for producing functionalized polythiophenes |
CN107112139B (zh) | 2014-12-25 | 2019-07-26 | 松下知识产权经营株式会社 | 电解电容器的制造方法 |
TWI675033B (zh) | 2015-01-05 | 2019-10-21 | 日商綜研化學股份有限公司 | 含有雜環的化合物、使用該化合物的聚合物及其用途 |
CN104637687B (zh) | 2015-02-06 | 2017-07-14 | 肇庆绿宝石电子科技股份有限公司 | 一种高压固体电解质铝电解电容器的制造方法 |
EP3067948B1 (en) | 2015-03-09 | 2018-08-08 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Conductive polymer in organic solvent with fluorinated non-ionic compound |
EP3070765B1 (en) | 2015-03-16 | 2019-05-08 | Heraeus Battery Technology GmbH | Use of pedot/pss in a cathode of a lithium-sulfur electrochemical cell |
EP3275916B1 (en) | 2015-03-27 | 2021-12-15 | Soken Chemical & Engineering Co., Ltd. | Polymer, oxidized polymer, polymer composition, gel-type polymer composition, and use thereof |
JP2016188348A (ja) | 2015-03-30 | 2016-11-04 | 東ソー株式会社 | チオフェンポリマー、その組成物、及びその用途 |
US9672989B2 (en) | 2015-05-29 | 2017-06-06 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor assembly for use in a humid atmosphere |
US9767963B2 (en) | 2015-05-29 | 2017-09-19 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor with an ultrahigh capacitance |
US9972444B2 (en) | 2015-05-29 | 2018-05-15 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor element for use in dry conditions |
US9991055B2 (en) | 2015-05-29 | 2018-06-05 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor assembly for use at high temperatures |
US9905368B2 (en) | 2015-08-04 | 2018-02-27 | Avx Corporation | Multiple leadwires using carrier wire for low ESR electrolytic capacitors |
JP6639153B2 (ja) | 2015-08-27 | 2020-02-05 | テイカ株式会社 | 電解コンデンサ |
JP6580424B2 (ja) | 2015-09-01 | 2019-09-25 | テイカ株式会社 | 導電性高分子組成物、その分散液、その製造方法およびその用途 |
JP6580436B2 (ja) | 2015-09-16 | 2019-09-25 | テイカ株式会社 | 導電性高分子組成物およびその用途 |
JP6645138B2 (ja) | 2015-11-24 | 2020-02-12 | 東ソー株式会社 | 導電性高分子水溶液、及び導電性高分子膜並びに該被覆物品 |
JP6645141B2 (ja) | 2015-11-30 | 2020-02-12 | 東ソー株式会社 | 導電性高分子水溶液、及び導電性高分子膜並びに該被覆物品 |
CN105405661A (zh) | 2015-12-24 | 2016-03-16 | 丰宾电子(深圳)有限公司 | 一种固态电解电容的制作方法 |
US10186382B2 (en) | 2016-01-18 | 2019-01-22 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor with improved leakage current |
JP6686500B2 (ja) | 2016-02-12 | 2020-04-22 | 東ソー株式会社 | 導電性高分子水溶液、及び導電性高分子膜 |
JP7153557B2 (ja) | 2016-02-29 | 2022-10-14 | 出光興産株式会社 | 導電性高分子組成物、導電性高分子含有多孔質体及びその製造方法並びに固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
JP6753098B2 (ja) | 2016-03-23 | 2020-09-09 | 東ソー株式会社 | 自己ドープ型ポリチオフェンの製造方法 |
JP2017188640A (ja) | 2016-03-31 | 2017-10-12 | 出光興産株式会社 | 電解液並びにそれを用いた蓄電デバイス及び電界コンデンサ |
WO2017200936A1 (en) * | 2016-05-19 | 2017-11-23 | Kemet Electronics Corporation | Polyanion copolymers for use with conducting polymers in solid electrolytic capacitors |
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CN206040440U (zh) | 2016-07-30 | 2017-03-22 | 江苏泗阳欣宏电子科技有限公司 | 一种全密封的铝电解电容器结构 |
WO2018075330A2 (en) | 2016-10-18 | 2018-04-26 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor with improved leakage current |
CN109891536B (zh) | 2016-10-18 | 2022-07-12 | 京瓷Avx元器件公司 | 在高温度和电压下具有改进的性能的固体电解电容器 |
EP3318589A1 (en) | 2016-11-02 | 2018-05-09 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Pedot/pss with coarse particle size and high pedot-content |
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