JP5524795B2 - 安定化されたチオフェン誘導体 - Google Patents
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Description
いずれの場合も当該安定化された単量体の総重量に基づき少なくとも90重量%、好ましくは少なくとも95重量%、より好ましくは少なくとも97.5重量%、最も好ましくは少なくとも98.5重量%の、一般式(I)を有するチオフェン誘導体単量体
いずれの場合も当該安定化された単量体の総重量に基づき0.001〜10重量%、好ましくは0.01〜5重量%、より好ましくは0.05〜2.5重量%、最も好ましくは0.1〜1.5重量%の安定剤(これは、ラジカルスカベンジャー、アミンまたはUV/VIS吸収剤であることが好ましい)と
を含む安定化された単量体組成物に関する。
Aは、任意に置換されたC1〜C5−アルキレン残基またはC6〜C14−アリーレン残基を表し、好ましくは任意に置換されたC2〜C3−アルキレン残基を表し、
Rは、直鎖状もしくは分枝状の、任意に置換されたC1〜C18−アルキル残基、好ましくは直鎖状もしくは分枝状の、任意に置換されたC1〜C14−アルキル残基、任意に置換されたC5〜C12−シクロアルキル残基、任意に置換されたC6〜C14−アリール残基、任意に置換されたC7〜C18−アラルキル残基、任意に置換されたC1〜C4−ヒドロキシアルキル残基、好ましくは任意に置換されたC1〜C2−ヒドロキシアルキル残基、またはヒドロキシル残基を表し、
xは、整数0〜8を表し、好ましくは0〜6、特に好ましくは0または1を表し、
いくつかの残基RがAに結合されている場合は、それらは同じであってもよいし異なっていてもよい)
である。
R1は、水素原子、ヒドロキシル基、直鎖状もしくは分枝状のC1〜C18−アルキル残基または直鎖状もしくは分枝状のC1〜C18−アルコキシ残基を表し、水素原子、メチル基またはH17C8−O−基は残基R1としてとりわけ好ましく、
R2、R3およびR4は、互いに独立に、水素原子または有機残基を表す)
を有してもよい。
バルブ金属のアノードを形成する工程と、
このアノードおよび誘電体を含む前駆体を形成する工程と、
この前駆体の上に本質的に導電性のポリマーを加える工程であって、この本質的に導電性のポリマーは本発明に係る安定化された単量体組成物に基づく工程と、
を含む方法に関する。
上記前駆体を本発明に係る安定化された単量体組成物の溶液でコーティングする工程と、
この単量体を重合させて、その結果、本質的に導電性のポリマーが得られる工程と、
を含むことがさらに好ましい。
5gの純粋な3,4−エチレンジオキシチオフェン(「EDOT」;Clevios M V2;H.C.Starck Clevios GmbH)を、開放系のビーカーの中で23℃で撹拌することにより、1.0重量%(50mg)の様々な安定剤と混合した。ガラスビーカーの1mlの各混合物を、高圧Hgランプ(DESAGA HP−UVIS;Desaga GmbH、ドイツ、ヴィースロッホ(Wiesloch))によってUV光(波長λ=366nm)で6時間照射した。この開放系の試料はガラスキャップで覆わず、Hgランプとその試料の表面との間が10cmの距離のところに保持した。
純粋なEDOTの代わりに1490ppmのEDOT二量体を含有する予め劣化させたEDOT(数年間にわたる長期の保存後のもの)を使用した(1H−NMRからの算出、上記を参照)ことを除いて、実施例1〜15からの手順を繰り返した。以下の表は、様々な安定剤による、追加的な光化学的二量体形成の減少を実証する。
この実施例では、本発明に係る安定化された単量体組成物を使用してコンデンサを形成する。比較例Cとして、本発明に係って安定化しなかった単量体を使用した。
48,500μFV/gの比容量を有するタンタル粉末(VFI−50KD、H.C.Starck GmbH)をバインダーとしてのショウノウと混合し、次いで直径0.49mmのタンタルアノードワイヤと一緒に、5.5g/cm3の圧粉密度を有する4.4mm×3.1mm×1.0mmの寸法の多孔性電極体(アノードペレット)の中へと横プレスで圧縮した。このショウノウバインダーを190℃での90分の熱処理によって除去した。次いでこの電極ペレットを1315℃で20分間焼結した。このペレットを、4300μSのリン酸電解質中、85℃で30Vまでアノード酸化した。電流密度は、使用したタンタル粉末1gあたり150mAに設定した。アノード酸化後、このペレットを85℃で60分間洗浄し、次いで乾燥した。
2.1.
1重量部の実施例4の安定化された単量体組成物および20重量部の、p−トルエンスルホン酸鉄(III)(Clevios C−E、H.C.Starck Clevios GmbH)の40重量%エタノール溶液からなる溶液を調製した。比較例Cとして、比較例Aの純粋なEDOTを使用した。
この溶液を9個のアノードペレットをそれぞれ含浸するために使用した。このアノードペレットを、0.3mm/秒の速度で自動ディップコーターを用いてこの溶液の中に浸漬し、60秒の浸液時間の後に1mm/秒の速度でこの溶液から引き上げた。次いでこのアノードペレットを、25℃で15分間、95%の相対大気湿度に曝した。
次いでプロセスの工程2.1および2.2をこのアノードペレットに対して繰り返した。
この後、このアノードペレットを乾燥機の中、50℃で30分間熱処理した。次いでこのペレットを、p−トルエンスルホン酸の2%水溶液の中で60分間洗浄した。このアノードペレットを、4300μSのp−トルエンスルホン酸の水溶液の中で、25℃で、30Vで30分間改質し、次いで蒸留水でリンスし、乾燥した。
プロセスの工程2.1〜2.4を2回繰り返した。
868gの脱イオン水、330gの、70,000の平均分子量および3.8重量%の固形分含量を有するポリスチレン硫酸水溶液を、撹拌機および内部温度計を具える2リットルの3つ口フラスコの中に入れた。反応温度を20〜25℃に維持した。5.1gの3,4−エチレンジオキシチオフェンを、撹拌しながら加えた。この溶液を30分間撹拌した。次いで0.03gの硫酸鉄(III)および9.5gの過硫酸ナトリウムを加え、この溶液をさらに24時間撹拌した。ひとたびこの反応が完結すると、無機塩を除去するために100mlの強酸性のカチオン交換体および250mlの弱塩基性のアニオン交換体を加え、この溶液をさらに2時間撹拌した。これらのイオン交換体を濾別し、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)/ポリスチレンスルホン酸塩分散液を得た。
Claims (13)
- 安定化された単量体組成物中の保存中における二量体および三量体のチオフェンの形成を阻害するための、ラジカルスカベンジャー、アミンまたはUV/VIS吸収剤から選択される安定剤の使用であって、
前記安定化された単量体組成物が前記安定化された単量体の総重量に基づき、単量体として、少なくとも90重量%の3,4−エチレンジオキシチオフェンと、
前記安定化された単量体の総重量に基づき0.001〜10重量%の前記安定剤と
を含み、
ここで、前記安定剤が、分離した液相または残留する固体の塊の形成なしに単量体の中に完全に溶解し、前記安定化された単量体組成物が密閉容器の中に収容される、
使用。 - 前記安定剤はラジカルスカベンジャーである、請求項1に記載の使用。
- 前記ラジカルスカベンジャーはフェノール誘導体である、請求項3に記載の使用。
- 前記残基R5およびR7のうちの1つはヒドロキシル基である、請求項7に記載の使用。
- 前記安定剤はアミンである、請求項1に記載の使用。
- 前記安定剤はUV/VIS吸収剤である、請求項1に記載の使用。
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