JP2012188400A - ジチエノベンゾジチオフェンの製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 15
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 125000001544 thienyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 13
- 229910052977 alkali metal sulfide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 238000003402 intramolecular cyclocondensation reaction Methods 0.000 claims abstract description 6
- 150000001555 benzenes Chemical class 0.000 claims description 17
- -1 2,3-dihalogenated thiophene Grignard reagent Chemical class 0.000 claims description 7
- XPJOJJNFRXHUGW-UHFFFAOYSA-N 3-bromo-2-[4-(3-bromothiophen-2-yl)-2,5-difluorophenyl]thiophene Chemical group FC=1C=C(C2=C(C=CS2)Br)C(F)=CC=1C=1SC=CC=1Br XPJOJJNFRXHUGW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- OSKONKZHDCDRFT-UHFFFAOYSA-N BrC1=C(SC=C1)C1=C(C=C(C(=C1)Cl)C=1SC=CC=1Br)Cl Chemical compound BrC1=C(SC=C1)C1=C(C=C(C(=C1)Cl)C=1SC=CC=1Br)Cl OSKONKZHDCDRFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- DGJPEYHWCWGMFF-UHFFFAOYSA-N 1,4-dibromo-2,5-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC(Br)=C(Cl)C=C1Br DGJPEYHWCWGMFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000007818 Grignard reagent Substances 0.000 claims description 4
- YNHIGQDRGKUECZ-UHFFFAOYSA-L bis(triphenylphosphine)palladium(ii) dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Pd+2].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 YNHIGQDRGKUECZ-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 229940117389 dichlorobenzene Drugs 0.000 claims description 2
- 150000004677 hydrates Chemical class 0.000 claims description 2
- GLNWILHOFOBOFD-UHFFFAOYSA-N lithium sulfide Chemical compound [Li+].[Li+].[S-2] GLNWILHOFOBOFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- DPLVEEXVKBWGHE-UHFFFAOYSA-N potassium sulfide Chemical compound [S-2].[K+].[K+] DPLVEEXVKBWGHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- AHKSSQDILPRNLA-UHFFFAOYSA-N rubidium(1+);sulfide Chemical compound [S-2].[Rb+].[Rb+] AHKSSQDILPRNLA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052979 sodium sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GRVFOGOEDUUMBP-UHFFFAOYSA-N sodium sulfide (anhydrous) Chemical compound [Na+].[Na+].[S-2] GRVFOGOEDUUMBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 20
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 6
- 125000001997 phenyl group Chemical class [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 abstract description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L zinc dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Zn+2] JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 9
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 8
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 8
- 238000001819 mass spectrum Methods 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 7
- GLVMLJCMUBZVTJ-UHFFFAOYSA-N 1,4-dibromo-2,5-difluorobenzene Chemical compound FC1=CC(Br)=C(F)C=C1Br GLVMLJCMUBZVTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 239000011592 zinc chloride Substances 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- 235000005074 zinc chloride Nutrition 0.000 description 4
- MQYQMAWJBJEDHO-UHFFFAOYSA-N 1,4-dichloro-2,5-diiodobenzene Chemical compound ClC1=CC(I)=C(Cl)C=C1I MQYQMAWJBJEDHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- 238000004817 gas chromatography Methods 0.000 description 3
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 3
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 3
- CRUIOQJBPNKOJG-UHFFFAOYSA-N thieno[3,2-e][1]benzothiole Chemical compound C1=C2SC=CC2=C2C=CSC2=C1 CRUIOQJBPNKOJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZETUVEHHRFNQKW-UHFFFAOYSA-N 1,4-dichloro-2,5-difluorobenzene Chemical compound FC1=CC(Cl)=C(F)C=C1Cl ZETUVEHHRFNQKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 2
- KDDCXJHFVAAMOA-UHFFFAOYSA-N ClC1=C(SC=C1)C1=C(C=C(C(=C1)Br)C=1SC=CC=1Cl)Br Chemical compound ClC1=C(SC=C1)C1=C(C=C(C(=C1)Br)C=1SC=CC=1Cl)Br KDDCXJHFVAAMOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OEBDIJXWMAUEAA-UHFFFAOYSA-N FC1=C(SC=C1)C1=C(C=C(C(=C1)Br)C=1SC=CC1F)Br Chemical compound FC1=C(SC=C1)C1=C(C=C(C(=C1)Br)C=1SC=CC1F)Br OEBDIJXWMAUEAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 2
- 238000006880 cross-coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 150000004795 grignard reagents Chemical class 0.000 description 2
- LVKCSZQWLOVUGB-UHFFFAOYSA-M magnesium;propane;bromide Chemical compound [Mg+2].[Br-].C[CH-]C LVKCSZQWLOVUGB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000012074 organic phase Substances 0.000 description 2
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 2
- 238000000425 proton nuclear magnetic resonance spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- QCKHVNQHBOGZER-UHFFFAOYSA-N 1,2,4,5-tetrabromobenzene Chemical compound BrC1=CC(Br)=C(Br)C=C1Br QCKHVNQHBOGZER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHBKHLUZVFWLAG-UHFFFAOYSA-N 1,2,4,5-tetrachlorobenzene Chemical compound ClC1=CC(Cl)=C(Cl)C=C1Cl JHBKHLUZVFWLAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SDXUIOOHCIQXRP-UHFFFAOYSA-N 1,2,4,5-tetrafluorobenzene Chemical compound FC1=CC(F)=C(F)C=C1F SDXUIOOHCIQXRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QHODZFPKHGDLOS-UHFFFAOYSA-N 1,2,4,5-tetraiodobenzene Chemical compound IC1=CC(I)=C(I)C=C1I QHODZFPKHGDLOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IVKPEQAIHJWGGT-UHFFFAOYSA-N 1,4-dibromo-2,5-diiodobenzene Chemical compound BrC1=CC(I)=C(Br)C=C1I IVKPEQAIHJWGGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATRJNSFQBYKFSM-UHFFFAOYSA-N 2,3-dibromothiophene Chemical compound BrC=1C=CSC=1Br ATRJNSFQBYKFSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVFXJPBZGXLIPW-UHFFFAOYSA-N 3-bromo-2-[2,5-dibromo-4-(3-bromothiophen-2-yl)phenyl]thiophene Chemical compound C1=CSC(C=2C(=CC(=C(Br)C=2)C2=C(C=CS2)Br)Br)=C1Br YVFXJPBZGXLIPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MFHDIGBCDFMOBS-UHFFFAOYSA-N ClC1=C(SC=C1)C1=C(C=C(C(=C1)Cl)C=1SC=CC=1Cl)Cl Chemical compound ClC1=C(SC=C1)C1=C(C=C(C(=C1)Cl)C=1SC=CC=1Cl)Cl MFHDIGBCDFMOBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZWNQOKPRDEKIW-UHFFFAOYSA-N ClC1=C(SC=C1)C1=C(C=C(C(=C1)F)C=1SC=CC=1Cl)F Chemical compound ClC1=C(SC=C1)C1=C(C=C(C(=C1)F)C=1SC=CC=1Cl)F AZWNQOKPRDEKIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDASQQVEBREXLN-UHFFFAOYSA-N FC1=C(SC=C1)C1=C(C=C(C(=C1)Cl)C=1SC=CC1F)Cl Chemical compound FC1=C(SC=C1)C1=C(C=C(C(=C1)Cl)C=1SC=CC1F)Cl XDASQQVEBREXLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PRICSSKPRRZAGY-UHFFFAOYSA-N FC1=C(SC=C1)C1=C(C=C(C(=C1)F)C=1SC=CC1F)F Chemical compound FC1=C(SC=C1)C1=C(C=C(C(=C1)F)C=1SC=CC1F)F PRICSSKPRRZAGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZPHJQILVMGBKPD-UHFFFAOYSA-N FC1=C(SC=C1)C1=C(C=CC(=C1)Cl)Cl Chemical compound FC1=C(SC=C1)C1=C(C=CC(=C1)Cl)Cl ZPHJQILVMGBKPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DLTPEGAKXXIOCL-UHFFFAOYSA-N IC1=C(C=C(C(=C1)F)I)F.IC1=C(C=C(C(=C1)Br)I)Br Chemical compound IC1=C(C=C(C(=C1)F)I)F.IC1=C(C=C(C(=C1)Br)I)Br DLTPEGAKXXIOCL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZTMDEPHRSKQHT-UHFFFAOYSA-N IC1=C(SC=C1)C1=C(C=C(C(=C1)I)C=1SC=CC1I)I Chemical compound IC1=C(SC=C1)C1=C(C=C(C(=C1)I)C=1SC=CC1I)I VZTMDEPHRSKQHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical group C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 239000012267 brine Substances 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000012769 display material Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- IWCVDCOJSPWGRW-UHFFFAOYSA-M magnesium;benzene;chloride Chemical compound [Mg+2].[Cl-].C1=CC=[C-]C=C1 IWCVDCOJSPWGRW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- YCCXQARVHOPWFJ-UHFFFAOYSA-M magnesium;ethane;chloride Chemical compound [Mg+2].[Cl-].[CH2-]C YCCXQARVHOPWFJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000010898 silica gel chromatography Methods 0.000 description 1
- 229940079101 sodium sulfide Drugs 0.000 description 1
- ZGHLCBJZQLNUAZ-UHFFFAOYSA-N sodium sulfide nonahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.O.O.O.O.[Na+].[Na+].[S-2] ZGHLCBJZQLNUAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940048181 sodium sulfide nonahydrate Drugs 0.000 description 1
- HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M sodium;chloride;hydrate Chemical compound O.[Na+].[Cl-] HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- WMDLZMCDBSJMTM-UHFFFAOYSA-M sodium;sulfanide;nonahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.O.O.O.O.[Na+].[SH-] WMDLZMCDBSJMTM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004809 thin layer chromatography Methods 0.000 description 1
- 150000003577 thiophenes Chemical class 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
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- Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Oxygen Or Sulfur (AREA)
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Abstract
【解決手段】 少なくとも下記(A)〜(B)工程を経ることを特徴とするジチエノベンゾジチオフェンの製造方法。
(A)工程;パラジウム触媒の存在下、3−ハロゲン化チオフェン−2−亜鉛誘導体と1,2,4,5−テトラハロゲン化ベンゼンにより1,4−ジ(3−ハロゲン化チエニル)−2,5−ジハロゲン化ベンゼンを製造する工程。
(B)工程;硫化アルカリ金属塩の存在下、(A)工程により得られた1,4−ジ(3−ハロゲン化チエニル)−2,5−ジハロゲン化ベンゼンの分子内環化によりジチエノベンゾジチオフェンを製造する工程。
【選択図】 なし
Description
(B)工程;硫化アルカリ金属塩の存在下、(A)工程により得られた1,4−ジ(3−ハロゲン化チエニル)−2,5−ジハロゲン化ベンゼンの分子内環化によりジチエノベンゾジチオフェンを製造する工程。
装置;島津製作所製、(商品名)GC14B
カラム;J&Wサイエンティフィック社製、(商品名)DB−1,30m
ガスクロマトグラフィー−マススペクトル分析
装置;パーキンエルマー製、(商品名)オートシステムXL(MS部;ターボマスゴールド)
カラム;J&Wサイエンティフィック社製、(商品名)DB−1,30m
実施例1
(1,4−ジ(3−ブロモチエニル)−2,5−ジフルオロベンゼンの合成((A)工程))
窒素雰囲気下、100mlシュレンク反応容器にイソプロピルマグネシウムブロマイド(東京化成工業製、0.80M)のTHF溶液4.5ml(3.6mmol)及びTHF10mlを添加した。この混合物を−75℃に冷却し、2,3−ジブロモチオフェン(和光純薬工業製)873mg(3.61mmol)を滴下した。−75℃で30分間熟成後、塩化亜鉛(シグマ−アルドリッチ製、1.0M)のジエチルエーテル溶液3.6ml(3.6mmol)を滴下した。徐々に室温まで昇温した後、生成した白色スラリー液を減圧濃縮し、10mlの軽沸分を留去した。得られた白色スラリー液[3−ブロモチエニル−2−ジンククロライド]に、1,4−ジブロモ−2,5−ジフルオロベンゼン(和光純薬工業製)272mg(1.00mmol)、触媒としてテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(東京化成工業製)39.1mg(0.0338mmol、1,4−ジブロモ−2,5−ジフルオロベンゼンに対し3.38モル%)及びTHF10mlを添加した。60℃で8時間反応を実施した後、容器を水冷し3N塩酸3mlを添加することで反応を停止させた。トルエンで抽出し、有機相を食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。減圧濃縮し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し(ヘキサン→ヘキサン/ジクロロメタン=10/1)、さらにヘキサン/トルエン=6/4から再結晶精製し、1,4−ジ(3−ブロモチエニル)−2,5−ジフルオロベンゼンの薄黄色固体227mgを得た(収率52%)。
1H−NMR(CDCl3,21℃):δ=7.44(d,J=5.4Hz,2H),7.39(t,J=7.8Hz,2H),7.11(d,J=5.4Hz,2H)。
MS m/z: 436(M+,100%),276(M+−2Br,13)。
窒素雰囲気下、100mlシュレンク反応容器に合成例1で得た1,4−ジ(3−ブロモチエニル)−2,5−ジフルオロベンゼン200mg(0.458mmol)、NMP10ml、及び硫化ナトリウム・9水和物(和光純薬工業製)240mg(1.00mmol)を添加した。得られた混合物を170℃で6時間加熱し、得られた反応混合物を室温に冷却した。トルエンと水を添加後、分相し、有機相を2回水洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。減圧濃縮後、得られた残渣をヘキサンで洗浄を2回実施し、ジチエノベンゾジチオフェンの淡黄色固体95mgを得た(収率69%)。
1H−NMR(CDCl3,60℃):δ=8.28(s,2H),7.51(d,J=5.2Hz,2H),7.30(d,J=5.2Hz,2H)。
MS m/z: 302(M+,100%),270(M+−S,5),151(M+/2,10)。
(1,4−ジ(3−ブロモチエニル)−2,5−ジクロロベンゼンの合成((A)工程))
1,4−ジブロモ−2,5−ジフルオロベンゼンの代わりに、1,4−ジブロモ−2,5−ジクロロベンゼンを用いた以外は、実施例1と同様の方法により、1,4−ジ(3−ブロモチエニル)−2,5−ジクロロベンゼンの薄黄色固体を収率55%で得た。
1,4−ジ(3−ブロモチエニル)−2,5−ジフルオロベンゼンの代わりに、1,4−ジ(3−ブロモチエニル)−2,5−ジクロロベンゼンを用いた以外は、実施例1と同様の方法により、ジチエノベンゾジチオフェンの淡黄色固体を収率62%で得た。
Claims (4)
- (A)工程における、3−ハロゲン化チオフェン−2−亜鉛誘導体が2,3−ジハロゲン化チオフェンのグリニャール試薬から合成されるものであり、1,2,4,5−テトラハロゲン化ベンゼンが1,4−ジブロモ−2,5−ジフルオロベンゼン又は1,4−ジブロモ−2,5−ジクロロベンゼンであり、1,4−ジ(3−ハロゲン化チエニル)−2,5−ジハロゲン化ベンゼンが1,4−ジ(3−ブロモチエニル)−2,5−ジフルオロベンゼン又は1,4−ジ(3−ブロモチエニル)−2,5−ジクロロベンゼンであることを特徴とする請求項1に記載のジチエノベンゾジチオフェンの製造方法。
- (A)工程における、パラジウム触媒が、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム及び/又はビス(トリフェニルホスフィン)ジクロロパラジウムであることを特徴とする請求項1又は2に記載のジチエノベンゾジチオフェンの製造方法。
- (B)工程における、硫化アルカリ金属塩が硫化ナトリウム、硫化カリウム、硫化リチウム、硫化ルビジウム及びその水和物からなる群より選択される1種以上の硫化アルカリ金属塩であり、1,4−ジ(3−ハロゲン化チエニル)−2,5−ジハロゲン化ベンゼンが1,4−ジ(3−ブロモチエニル)−2,5−ジフルオロベンゼン又は1,4−ジ(3−ブロモチエニル)−2,5−ジクロロベンゼンであることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のジチエノベンゾチオフェンの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2011054302A JP2012188400A (ja) | 2011-03-11 | 2011-03-11 | ジチエノベンゾジチオフェンの製造方法 |
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---|---|---|---|
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012188400A true JP2012188400A (ja) | 2012-10-04 |
Family
ID=47081965
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011054302A Pending JP2012188400A (ja) | 2011-03-11 | 2011-03-11 | ジチエノベンゾジチオフェンの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2012188400A (ja) |
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