JP5129847B2 - Ｌｅｄパッケージ - Google Patents
Ｌｅｄパッケージ Download PDFInfo
- Publication number
- JP5129847B2 JP5129847B2 JP2010217869A JP2010217869A JP5129847B2 JP 5129847 B2 JP5129847 B2 JP 5129847B2 JP 2010217869 A JP2010217869 A JP 2010217869A JP 2010217869 A JP2010217869 A JP 2010217869A JP 5129847 B2 JP5129847 B2 JP 5129847B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- led package
- led
- package
- base
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 31
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 14
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 14
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 22
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000008642 heat stress Effects 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 238000004383 yellowing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/647—Heat extraction or cooling elements the elements conducting electric current to or from the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/642—Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Description
本発明は、発光ダイオードに関するものであって、より具体的には、優れた放熱効率が達成できる簡単な構成のＬＥＤパッケージ及びその製造方法に関する。
発光ダイオード、即ちＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）は、電流が与えられると様々な色相の光を発生させるための半導体装置である。ＬＥＤから発生する光の色相は、主にＬＥＤの半導体を構成する化学成分により決まる。このようなＬＥＤは、フィラメントに基づいた発光素子に比べて長い寿命、低い電源、優れた初期駆動特性、高い振動抵抗及び反復的な電源断続に対する高い公差などの様々な長所を有するため、その需要が増加し続けている。
最近ＬＥＤは、照明装置及び大型ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）用バックライト（Ｂａｃｋｌｉｇｈｔ）装置として採用されている。これらは大きい出力が要されるため、このようなＬＥＤには特に優れた放熱性能を有するパッケージ構造が求められる。
図１及び図２は、従来技術によるＬＥＤパッケージ及び該ＬＥＤパッケージが回路基板に装着された状態を示した図面である。
先ず、図１を参照すると、ＬＥＤパッケージ１は、ＬＥＤチップ２を安着させつつ熱案内手段の役割をする熱伝達部材（ｈｅａｔ ｓｌｕｇ）３を設けている。ＬＥＤチップ２は電源を供給する一対のワイヤ７及び一対の端子８を通じて外部電源（図示省略）から電気の供給を受ける。ＬＥＤチップ２を含み熱伝達部材３の上部は普通のシリコンからなる封止部５により密封され、この封止部５にはレンズ６が覆われる。ハウジング４が熱伝達部材３の周りに普通の成形により形成され熱伝達部材３及び端子８を支持する。
このような図１のＬＥＤパッケージ１は、図２に図示した通り、ヒートシンクである回路基板１０に装着されＬＥＤアセンブリーを構成する。この際、ソルダーのような熱伝導パッド９がＬＥＤパッケージ１の熱伝達部材３と回路基板１０の金属放熱基板（図示省略）との間に介在され、これら間の熱伝導を促進する。また、端子８もソルダー（図示省略）により回路基板の回路パターン（図示省略）と安定的に連結される。
このように、図１と図２に図示されたＬＥＤパッケージ１及びこれを回路基板１０に装着したＬＥＤアセンブリーは、熱を上手く放出すること、即ち放熱に焦点を合わせている。即ちＬＥＤパッケージ１は、ＬＥＤチップ２から発生した熱を吸収して外部へ放出するために、ヒートシンク、即ち熱伝達部材３が熱伝導パッド９を通じてまたは直接回路基板１０の放熱基板に連結される。このようになると、ＬＥＤチップ２から発生した熱は殆どが伝導により熱伝達部材３を経て回路基板１０から抜け出ることになり、少量の熱のみＬＥＤパッケージ１の表面、即ちハウジング４またはレンズ６などを通じて空気中に放出される。
ところが、このような従来技術の放熱構造は、複雑で多数の部品を必要とする。従って、ＬＥＤパッケージの製造は自動化が困難であると共に多くの部品を組み立てるべきであるため、生産時間及び生産原価が高いという短所を有している。
図３は、他の従来技術によるＬＥＤパッケージの断面を示した断面図である。
図３に図示したＬＥＤパッケージは、"ＳＥＭＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲ ＬＩＧＨＴ−ＥＭＩＴＴＩＮＧ ＤＥＶＩＣＥ"という名称の特許文献１から提案されたものである。上記のＬＥＤ装置またはＬＥＤパッケージは、表面に回路パターン１３、１６が形成された基板１１の一面にコップ部となる反射フレーム１２を設けた後、コップ部内にＬＥＤチップ１４を装着し、これを回路パターン１３と電気的に連結した構成である。一方、図面符号１５はワイヤ、１７は蛍光体、１８は拡散体で、１９は樹脂である。
図３に図示したＬＥＤパッケージは、"ＳＥＭＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲ ＬＩＧＨＴ−ＥＭＩＴＴＩＮＧ ＤＥＶＩＣＥ"という名称の特許文献１から提案されたものである。上記のＬＥＤ装置またはＬＥＤパッケージは、表面に回路パターン１３、１６が形成された基板１１の一面にコップ部となる反射フレーム１２を設けた後、コップ部内にＬＥＤチップ１４を装着し、これを回路パターン１３と電気的に連結した構成である。一方、図面符号１５はワイヤ、１７は蛍光体、１８は拡散体で、１９は樹脂である。
このような構成のＬＥＤパッケージは、図１のものと比べて少数の部品を必要とし、比較的単純な構成で製造できるという長所がある。ところが、ＬＥＤチップ１４から発生した熱が図示した熱放出経路Ｈに沿って下部の図示省略した回路基板（図２の１０参考）へ伝達されるため、放熱効率が衰えるという短所がある。
本発明は、前述の従来技術の問題を解決するために成されたものであって、本発明の目的は、優れた放熱効率が達成できる簡単な構成のＬＥＤパッケージを提供することである。
本発明の他の目的は、優れた放熱効率が達成できるＬＥＤパッケージを簡単に製造できる製造方法を提供することである。
前述の本発明の目的を達成すべく、本発明は、平らな基部と上記基部の両側方向及び上方向に延長された延長部を有する熱及び電気伝導体からなる第１リードフレームと、平らな基部及び上記基部の両側方向及び上方向に延長された延長部を有し、上記第１リードフレームより小さい幅で予め定められた間隔で配置された熱及び電気伝導体からなる第２リードフレームと、上記第１及び第２リードフレームの基部の底面を露出させつつ上記第１及び第２リードフレームの延長部の側部を囲んで上記第１及び第２リードフレームを固定する樹脂からなるパッケージ本体と、上記第１リードフレームの基部の上面に配置され上記第１及び第２リードフレームの基部と電気的に連結されたＬＥＤチップと、上記ＬＥＤチップを封止する透明封止部と、を含むＬＥＤパッケージを提供することを特徴とする。
本発明のＬＥＤパッケージにおいて、上記延長部の末端は、上記パッケージ本体の側面に位置したことを特徴とする。
本発明のＬＥＤパッケージにおいて、上記第１リードフレームの延長部は、上記パッケージ本体の外に延長され端子を形成することを特徴とする。
本発明のＬＥＤパッケージにおいて、上記パッケージ本体は、上記ＬＥＤチップの周りに凹部を形成する構成で、上記凹部の上端に予め定められた幅で突起が形成されたことを特徴とする。この場合、上記透明封止部は、一部が上記凹部を埋め他の一部が上記突起上に一定曲率で突出することが好ましい。
本発明のＬＥＤパッケージにおいて、上記第１及び第２リードフレームの基部及び上記パッケージ本体の底面は、同一平面を形成することを特徴とする。また、本発明のＬＥＤパッケージにおいて、上記第１及び第２リードフレームは、相互に並んで配置されたことを特徴とする。
本発明の他の態様において、長手方向および短手方向を有し、平らな面を有する基部と、長手方向において基部の両側から延長する第１の延長部とを有する熱及び電気伝導体からなる第１リードフレームと、長手方向および短手方向を有し、平らな面を有する基部と、長手方向において基部の両側から延長する第２の延長部とを有する熱及び電気伝導体からなる第２リードフレームと、第１及び第２リードフレームの基部の底面および上面を露出させつつ、第１および第２の延長部の側部をそれぞれ囲んで、第１及び第２リードフレームを固定する樹脂からなるパッケージ本体と、パッケージ本体から露出した第１リードフレームの基部の上面に配置され、パッケージ本体から露出した第１及び第２リードフレームの基部の上面と電気的に連結されたＬＥＤチップと、ＬＥＤチップを封止する透明封止部とを備え、第１および第２リードフレームの基部およびパッケージ本体の底面は、同一平面を形成し、第１および第２の延長部は、長手方向において、パッケージ本体から外側に突出し、第１リードフレームおよび第２リードフレームは長手方向に並列に配置され、第１リードフレームの基部の短手方向の長さは、第２リードフレームの基部の短手方向の長さよりも長いＬＥＤパッケージが提供される。
また、前述の本発明の目的を達成すべく、本発明は、
予め定められた厚さの熱及び電気伝導体からなる板を加工して、平らな基部と上記基部の両側方向へ延長された延長部を有する第１リードフレーム部、及び上記第１リードフレーム部より小さい幅で予め定められた間隔を置いて形成された第２リードフレーム部を有するフレーム構造体を形成する段階と、
上記第１リードフレーム部の基部が上記第１リードフレームの延長部より下に位置するよう上記第１リードフレーム部の延長部を折り曲げ、上記第２リードフレーム部を上記第１リードフレーム部と対応する形態に折り曲げて下に位置した基部と両側へ上方向に延長された延長部を形成する折り曲げ段階と、
上記第１及び第２リードフレームに樹脂を射出成形してパッケージ本体を形成するが、上記第１及び第２リードフレーム部の基部の上面の少なくとも一部と底面とを露出させつつ、上記第１及び第２リードフレーム部の延長部の上記基部から遠い方の領域が上記パッケージ本体の側部の外に延長されるよう上記基部に隣接した領域の側部を囲んで上記第１及び第２リードフレームを固定するパッケージ本体形成段階と、
上記第１リードフレーム部の基部の上面の露出された領域にＬＥＤチップを置いて上記第１及び第２リードフレームと電気的に連結する段階と、
上記ＬＥＤチップを透明封止体により封止する段階と、
上記延長部を切断して上記フレーム構造体から分離されたＬＥＤパッケージを得る段階と、を含むＬＥＤパッケージの製造方法を提供することを特徴とする。
予め定められた厚さの熱及び電気伝導体からなる板を加工して、平らな基部と上記基部の両側方向へ延長された延長部を有する第１リードフレーム部、及び上記第１リードフレーム部より小さい幅で予め定められた間隔を置いて形成された第２リードフレーム部を有するフレーム構造体を形成する段階と、
上記第１リードフレーム部の基部が上記第１リードフレームの延長部より下に位置するよう上記第１リードフレーム部の延長部を折り曲げ、上記第２リードフレーム部を上記第１リードフレーム部と対応する形態に折り曲げて下に位置した基部と両側へ上方向に延長された延長部を形成する折り曲げ段階と、
上記第１及び第２リードフレームに樹脂を射出成形してパッケージ本体を形成するが、上記第１及び第２リードフレーム部の基部の上面の少なくとも一部と底面とを露出させつつ、上記第１及び第２リードフレーム部の延長部の上記基部から遠い方の領域が上記パッケージ本体の側部の外に延長されるよう上記基部に隣接した領域の側部を囲んで上記第１及び第２リードフレームを固定するパッケージ本体形成段階と、
上記第１リードフレーム部の基部の上面の露出された領域にＬＥＤチップを置いて上記第１及び第２リードフレームと電気的に連結する段階と、
上記ＬＥＤチップを透明封止体により封止する段階と、
上記延長部を切断して上記フレーム構造体から分離されたＬＥＤパッケージを得る段階と、を含むＬＥＤパッケージの製造方法を提供することを特徴とする。
本発明のＬＥＤパッケージの製造方法において、上記パッケージ本体は、上記ＬＥＤチップの周りに凹部を形成する構成で、上記凹部の上端に予め定められた幅で突起が形成されたことを特徴とする。この場合、上記封止段階は、上記透明封止体の一部が上記凹部を埋め他の一部が上記突起上に一定曲率で突出するよう上記透明封止体を吐出すると好ましい。
本発明のＬＥＤパッケージの製造方法において、上記第１及び第２リードフレームの基部及び上記パッケージ本体の底面は、同一平面を形成することを特徴とする。
また、本発明のＬＥＤパッケージの製造方法において、上記第１及び第２リードフレームは相互に並んで配置されたことを特徴とする。
本発明によると、優れた放熱効率が達成できる簡単な構成のＬＥＤパッケージを提供することが出来る。また、本発明は優れた放熱効率が達成できるＬＥＤパッケージを簡単に製造することが出来る。
以下、本発明の好ましい実施例を添付の図面を参照に詳しく説明する。
本発明によるＬＥＤパッケージの第１実施例が図４乃至８に図示されている。
本発明によるＬＥＤパッケージの第１実施例が図４乃至８に図示されている。
本実施例のＬＥＤパッケージ１００は、一対の金属製リードフレーム１１０、１２０とこれらを囲う絶縁性パッケージ本体１３０とを含む。
第１リードフレーム１１０は、平らな基部１１２を含み、この基部１１２の両端から一対の延長部１１４が延長される。基部１１２は、後述するヒートシンクである回路基板（図１０参照）とより広い面積で接触できるよう出来るだけ大きい広さで提供されることが好ましい。延長部１１４は基部１１２より小さい幅で形成され、パッケージ本体１３０に囲まれリードフレーム１１０をパッケージ本体１３０に頑固に固定させる役割をする。勿論、延長部１１４を基部１１２と同一幅で形成することも出来るが、これは例えば、後述のパッケージ本体１３０の強度が充分である場合に好ましい。
第２リードフレーム１２０は、第１リードフレーム１１０と予め定められた間隔を置いて並んで形成され、基部１２２と一対の延長部１２４とを含む。上記基部１２２と延長部１２４は同一幅で形成されるが、これに限られない。
ここで、延長部１１４、１２４は、パッケージ本体１３０の外に突出して図示されたが、これに限られない。延長部１１４、１２４の末端は、パッケージ本体１３０の側面と同一または共通平面にすることが出来る。
第１及び第２リードフレーム１１０、１２０の形態は、図１６を参考するとさらに明確に理解できる。即ち本発明の第１及び第２リードフレーム１１０、１２０は、図１６のフレーム構造体１０２ｂから延長部１１４ｂ、１２４ｂを適切な長さに切断して得た形態である。
パッケージ本体１３０は、リードフレーム１１０、１２０の周りに射出成形され、これらリードフレーム１１０、１２０を囲う。この際、パッケージ本体１３０の上部中央には、リードフレーム１１０、１２０の基部１１２、１２２の中央部分を上方へ露出させる凹部またはコップ部１３２が形成され、このコップ部１３２はＬＥＤチップ１４０の装着空間となる。コップ部１３２の上部には輪状の突起１３４が形成され、この突起１３４は一定幅Ｗ以下に形成される。
パッケージ本体１３０は、第１及び第２リードフレーム１１０、１２０の基部１１２、１２２の底面を露出させるよう形成される。即ち図６のように基部１１２、１２２の底面がパッケージ本体１３０の底面を通じて露出されている。
ＬＥＤチップ１４０は、コップ部１３２内で第１リードフレーム１１０の基部１１２の上面に安着され、ワイヤ１４２により第２リードフレーム１２０の基部１２２に電気的に連結される。
図示したＬＥＤチップ１４０はいわゆる垂直構造ＬＥＤチップである。このようなＬＥＤチップは陽極と陰極が上面と底面に形成され、図面において上面が陽極であれば底面は陰極となり、下部の第１リードフレーム１１０の基部１１２と電気的に連結される。これとは異なって、両側電極が一面に形成されたいわゆる平面構造ＬＥＤチップの場合には、図示していない他のワイヤを用いてＬＥＤチップを第１リードフレームの基部１１２と電気的に連結することが出来る。
このように、ＬＥＤチップ１４０が基部１１２に安着され電気的に連結されると、基部１１２はＬＥＤチップ１４０から発生した熱を後述の回路基板（１６０、図１０と図１１参照）へ伝達する機能と共にＬＥＤチップ１４０に電気を供給する電気連結部の機能も有する。
本発明のＬＥＤパッケージ１００は、図９に図示した透明封止部１５０をさらに含む。封止部１５０は、コップ部１３２の中に樹脂を膨らんだ形態に注いで硬化させることによって得られる。即ち封止部１５０は、ＬＥＤチップ１４０とワイヤ１４２などを封止するだけでなく、ＬＥＤチップ１４０から発生した光が外部へ放出される際にこれを所望の指向角に案内するレンズの機能を行う。
この際、封止部１５０のレンズの機能をする部分の高さｈは、突起１３４の幅Ｗと封止部１５０を構成する樹脂の粘性及びその量によって定められる。例えば、突起１３４の幅Ｗと封止部１５０の粘性と量を調節すると、所望の高さｈを有する封止部１５０を一定曲率で形成することが出来る。
封止部１５０の樹脂は、好ましくは、ゲル形態の透明な弾性体、例えばシリコンからなる。シリコンは黄変のような短波長光による変化が非常に少なく屈折率も高いため、優れた光学的特性を有する。また、エポキシとは異なって硬化作業の後にもゲルや弾性体（ｅｌａｓｔｏｍｅｒ）状態を維持するため、熱によるストレス、振動及び外部衝撃などからＬＥＤチップ１４０をより安定的に保護することが出来る。透明封止部１５０は、弾性体内に分散された波長変換用の蛍光体及び／または拡散剤などを含むことが出来る。
次いで、図１０と図１１を参照して本発明によるＬＥＤパッケージ１００の放熱動作を説明する。
ＬＥＤパッケージ１００は、図１０と図１１に図示したような回路基板１６０に装着される。図示した回路基板１６０は、金属板１６２とその表面の絶縁膜１６４及び絶縁膜１６４表面の導電パターン１６６からなる。このような回路基板１６０に本発明のＬＥＤパッケージ１００を装着する際、第１及び第２リードフレーム１１０、１２０の基部１１２、１２２が導電パターン１６６と相接するようＬＥＤパッケージ１００を配置し、はんだづけ作業によりこれらを結合させる。このようになると、半田１７０が第１及び第２リードフレーム１１０、１２０の基部１１２、１２２と導電パターン１６６とを相互結合させ、表面実装ＬＥＤパッケージ１００が回路基板１６０に装着される。ここで、リードフレームの基部１１２、１２２は、導電パターン１６６を通じて（図示していない）外部電源と連結されることにより、ＬＥＤチップ１４０に電源を伝達することになる。
この状態で電圧が印加されＬＥＤチップ１４０が動作すると、光と共に熱が発生する。図１０を参照した際、発生した熱Ｈは、下部のリードフレームの基部１１２を通じて金属板１６２から放出される。このような熱放出経路は、図２と図３の従来技術と比べた際、その距離が短いため放熱効率が増加することが分かる。
一方、図１１を参照すると、ＬＥＤチップ１４０から発生した熱はリードフレームの基部１１２を通じて拡散及び放出される。先ず、一部熱Ｈ１は直下方へ流れ回路基板１６０に伝達され、一部熱Ｈ２は基部１１２に沿って広がった後に回路基板１６０へ伝達される。一方、また異なる熱Ｈ３は基部１１２に沿って広がりながら延長部１１４側へ伝達される。このように、基部１１２が広い面積で形成されるため、ＬＥＤチップ１４０に発生した熱は広い面積を通じて回路基板１６０へ伝達される。また、延長部１１４により、熱の拡散効率が増加することが分かる。
図１２に図示したＬＥＤパッケージ１００−１は、図１０と図１１の封止部１５０を封止部１５０−１及びレンズ１５４に代えたことを除いては図１０と図１１の構成と同一である。レンズ１５４は、様々な透明材料で構成され、ＬＥＤチップ１４０から発生した光が外部へ放出される時、これを所望の指向角に案内するよう構成される。図１２において、レンズ１５４は、別体で製造された後、接着層１５２により封止部１５０−１と突起１３４に取り付けられた。これとは異なって、転写成形（ｔｒａｎｓｆｅｒ ｍｏｌｄｉｎｇ）などにより封止部１５０−１と突起１３４の上面とにレンズを形成することも出来る。
図１３は、本発明によるＬＥＤパッケージの他の実施例を図７に該当する断面に示した図面である。本実施例のＬＥＤパッケージ１００−２は、第１及び第２リードフレーム１１０−２、１２０−２の基部１１２−２、１２２−２の底面の両側が面取りされ、斜面１１３、１２３を形成したことを除いては前述のＬＥＤパッケージ１００、１００−１と同一構成である。
このような斜面１１３、１２３は、外部の異物、水分がチップ１４０まで浸透する経路を長くて複雑にする。また、斜面１１３、１２３をパッケージ本体１３０の樹脂が覆うことにより、リードフレームの基部１１２−２、１２２−２とパッケージ本体１３０との間の結合力と機密性が改善される。
一方、斜面１１３、１２３は必要に応じて第１及び第２リードフレーム１１０−２、１２０−２の基部１１２−２、１２２−２の一側部分、例えばＬＥＤチップ１４０に隣接した側のみ形成することも出来る。
図１４は、本発明によるＬＥＤパッケージのまた異なる実施例を図７に該当する断面に示した図面である。本実施例のＬＥＤパッケージ１００−３は、第１及び第２リードフレーム１１０−３、１２０−３の基部１１２−３、１２２−３の底面両側に段差１１５、１２５が形成されたことを除いては前述のＬＥＤパッケージ１００、１００−１、１００−２と同一構成である。
このような段差１１５、１２５は、図１３の斜面１１３、１２３と同様に外部の異物、水分がチップ１４０まで浸透する経路を長くて複雑にする。また、段差１１５、１２５をパッケージ本体１３０の樹脂が覆うことにより、リードフレームの基部１１２−３、１２２−３とパッケージ本体１３０との間の結合力と機密性が改善される。
一方、段差１１５、１２５は必要に応じて第１及び第２リードフレーム１１０−３、１２０−３の基部１１２−３、１２２−３の一側部分、例えばＬＥＤチップ１４０に隣接した側のみ形成することも出来る。
以下、図１５乃至図１９を参照に本発明によるＬＥＤパッケージ１００の製造方法を段階的に説明する。
先ず、予め定められた厚さの金属板または板金を用意してこれをパンチングまたはブランキングを通じて、図１５に図示した形態のフレーム構造体１０２ａを得る。このフレーム構造体１０２ａは、周りの部分１０４とこの周りの部分１０４の内側に形成された第１リードフレーム部１１０ａ及び第２リードフレーム部１２０ａとを含む。後述の後続作業を行うと、第１リードフレーム部１１０ａは前述の第１リードフレーム１１０となり、第２リードフレーム部１２０ａは前述の第２リードフレーム１２０となる。
第１リードフレーム部１１０ａは、相対的に広い面積の基部１１２及びこの基部１１２の両端から、周りの部分１０４に連結された一対の延長部１１４ａからなる。第２リードフレーム部１２０ａは、第１リードフレーム部１１０ａと予め定められた間隔で形成され、狭いストリップ形態からなり両端が周りの部分１０４に連結されている。
また、フレーム構造体１０２ａの角には孔Ｈが形成されている。孔Ｈはフレーム構造体１０２ａを固定したり案内する役割をする。
このような図１５のフレーム構造体１０２ａをプレスなどを通じて折り曲げ成形し図１６に図示したようなフレーム構造体１０２ｂを得る。
その結果、第１リードフレーム部１１０ｂの延長部１１４ｂは、折り曲げられるが、これは図８に図示した形態と同一である。但し、図１６段階の延長部１１４ｂは依然としてフレーム構造体１０２ｂに連結されている反面、図８の延長部１１４はそれから分離された形態である。
また、第２リードフレーム部１２０ｂは、両端部が折り曲げられ中間の基部１２２とその両側の延長部１２４ｂとを形成することになる。
次いで、図１７に図示したようにフレーム構造体１０２ｂを金型Ｍに装着し、金型Ｍの中に樹脂を射出して、図１８に図示した形態のパッケージ本体１３０を形成する。このパッケージ本体１３０の形態は、図４乃至図８に図示したものと同一である。
続いて、パッケージ本体１３０の凹部１３２の中の第１リードフレーム部１１０ｂの基部１１２にＬＥＤチップ１４０を載せて電気的に連結し、第２リードフレーム部１２０ｂの基部１２２とはワイヤ１４２で電気的に連結する。ＬＥＤチップ１４０は、垂直構造で図示したが平面構造であることも出来る。この場合、ＬＥＤチップはワイヤにより第１リードフレーム部１１０ｂの基部１１２に電気的に連結される。
その後、凹部１３２に樹脂を膨らんだ形態に注いで硬化させ、例えば図９に図示した封止部１５０を得た後、延長部１１４ｂ、１２４ｂを切断線ＬＴに沿って切断してＬＥＤパッケージ１００を完成する。勿論、切断作業を先に行った後に封止部１５０形成作業を行うことも出来る。
このように図１５乃至１９を参照に説明したＬＥＤパッケージの製造方法は、図９に図示したＬＥＤパッケージ１００を得るためである。ところが、これを少し変形するだけで図１２のＬＥＤパッケージ１００−１を得ることが出来る。即ち、凹部１３２に樹脂を平らに注いで硬化させ、平らな封止部１５０−１を形成した後、その上にレンズ１５４を結合させることにより、図１２のＬＥＤパッケージ１００−１を得ることが出来る。
また、フレーム構造体１０２ｂの形態を少し変形するだけで、図１３または図１４に図示したパッケージフレーム１００−２、１００−３を得ることが出来る。
例えば図２０に図示したように、フレーム構造体１０２ｂを用意する際に、基部１２２−２の底面の両側に長さ方向に斜面１２３を形成し、このフレーム構造体１０２ｂで前述の図１７乃至図１９の作業を行うと、図１３に図示したパッケージフレーム１００−２を得ることが出来る。図２０において、便宜上基部１２２−２の底面両側の斜面は図示省略し、その斜面の形態は図１３のものと同一である。
また、斜面１２３の代わりに図１４に図示した形態の段差１１５、１２５を形成することにより、図１４のパッケージフレーム１００−３を得ることが出来る。
前述のＬＥＤパッケージの製造方法は、図２１に図示したフレームアレイシート１００２を使用すると、多数のＬＥＤパッケージを同時に製造することが出来る。
このフレームアレイシート１００２は、一定厚さの金属板または板金をパンチングまたはブランキングして得る。フレームアレイシート１００２には複数のフレーム構造体領域１１０２が形成され、このフレーム構造体領域１１０２は、図１５のフレーム構造体１０２ａに該当する形態である。従って、フレームアレイシート１００２は、図１５のフレーム構造体１０２ａを多数個形成したものと同様である。
フレーム構造体領域１１０２は、フレームアレイシート１００２の周り部１００４と中間部１１０４により区分され、中間部１１０４は省略することも出来る。また、周り部１００４と中間部１１０４には、孔Ｈが形成されフレームアレイシート１００２を固定させたり案内することに使用される。
このようなフレームアレイシート１００２を使用すると、多数のＬＥＤパッケージ１００を同時に製造することが出来るという長所がある。
以下、図２２を参照して本発明によるまた異なるＬＥＤパッケージ１００−４について説明する。
本実施例のＬＥＤパッケージ１００−４は、延長部１１４−４がパッケージ本体１３０の外に延長され、図２に図示した従来技術の端子８で形成されることが出来る。この場合、第１リードフレームの基部１１２は、熱伝達機能のみを行ったり、端子である延長部１１４−４と共に電気連結機能を行うことも出来る。一方、延長部１１４−４は両側ともパッケージ本体１３０の外に延長され端子となることも出来る。
このような形態のＬＥＤパッケージ１００−４も図１５乃至図１９の製造方法により容易に製造することが出来る。
尚、図示してはいないが、図４乃至図８のＬＥＤパッケージ１００において、延長部１２４も上記の形態でパッケージ本体１３０の外に延長させ端子として具現することが出来る。
上記では本発明の好ましい実施例を参照して説明したが、該当技術分野において通常の知識を有している者であれば、添付の特許請求の範囲に記載された本発明の思想及び領域から外れない範囲内で本発明を多様に修正及び変更できることが分かる。
１、１００ ＬＥＤパッケージ、
２、１４ ＬＥＤチップ、
３ 熱伝達部材、
４ ハウジング、
５ 封止部、
６ レンズ、
７、１５ ワイヤ、
８ 端子、
９ 熱伝導パッド、
１０ 回路基板、
１１ 基板、
１２ 反射フレーム、
１３、１６ 回路パターン、
１７ 蛍光体、
１８ 拡散体、
１９ 樹脂、１１０、１２０ リードフレーム
１１２、１２２ 基部
１１４、１２４ 延長部
１３０ パッケージ本体
１３２ 凹部
１３４ 突起
１４０ ＬＥＤチップ
１４２ ワイヤ
１５０ 封止部
１６０ 回路基板
２、１４ ＬＥＤチップ、
３ 熱伝達部材、
４ ハウジング、
５ 封止部、
６ レンズ、
７、１５ ワイヤ、
８ 端子、
９ 熱伝導パッド、
１０ 回路基板、
１１ 基板、
１２ 反射フレーム、
１３、１６ 回路パターン、
１７ 蛍光体、
１８ 拡散体、
１９ 樹脂、１１０、１２０ リードフレーム
１１２、１２２ 基部
１１４、１２４ 延長部
１３０ パッケージ本体
１３２ 凹部
１３４ 突起
１４０ ＬＥＤチップ
１４２ ワイヤ
１５０ 封止部
１６０ 回路基板
Claims (3)
- 長手方向および短手方向を有し、平らな面を有する基部と、前記長手方向において前記基部の両側から延長する第１の延長部とを有する熱及び電気伝導体からなる第１リードフレームと、
長手方向および短手方向を有し、平らな面を有する基部と、前記長手方向において前記基部の両側から延長する第２の延長部とを有する熱及び電気伝導体からなる第２リードフレームと、
前記第１及び第２リードフレームの基部の底面および上面を露出させつつ、前記第１および第２の延長部の側部をそれぞれ囲んで、前記第１及び第２リードフレームを固定する樹脂からなるパッケージ本体と、
前記パッケージ本体から露出した前記第１リードフレームの前記基部の上面に配置され、前記パッケージ本体から露出した前記第１及び第２リードフレームの前記基部の上面と電気的に連結されたＬＥＤチップと、
前記ＬＥＤチップを封止する透明封止部と、
を備え、
前記第１および第２リードフレームの前記基部および前記パッケージ本体の底面は、同一平面を形成し、
前記第１および第２の延長部は、前記長手方向において、前記パッケージ本体から外側に突出し、
前記第１リードフレームおよび前記第２リードフレームは前記長手方向に並列に配置され、
前記第１リードフレームの前記基部の短手方向の長さは、前記第２リードフレームの前記基部の短手方向の長さよりも長い、
ＬＥＤパッケージ。 - 前記第１の延長部の短手方向の長さは、前記第１リードフレームの前記基部の短手方向の長さよりも短い、
請求項１に記載のＬＥＤパッケージ。 - 前記第１および第２リードフレームの長手方向において、前記パッケージ本体の対向する二辺から、前記第１および第２の延長部のそれぞれの端部までの距離は、前記対向する二辺のうちの第１リードフレームに近接する一辺から短方向に沿った前記第１の延長部の端部までの距離の方が、他の一辺から短方向に沿った前記第２の延長部の端部までの距離より長い、請求項１または２に記載のＬＥＤパッケージ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020060034706A KR100735325B1 (ko) | 2006-04-17 | 2006-04-17 | 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법 |
| KR10-2006-0034706 | 2006-04-17 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007107666A Division JP4902411B2 (ja) | 2006-04-17 | 2007-04-17 | Ｌｅｄパッケージ、ｌｅｄパッケージの製造方法、照明装置、ｌｃｄ用バックライトおよび液晶ディスプレイ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2011003935A JP2011003935A (ja) | 2011-01-06 |
| JP5129847B2 true JP5129847B2 (ja) | 2013-01-30 |
Family
ID=38503150
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007107666A Active JP4902411B2 (ja) | 2006-04-17 | 2007-04-17 | Ｌｅｄパッケージ、ｌｅｄパッケージの製造方法、照明装置、ｌｃｄ用バックライトおよび液晶ディスプレイ |
| JP2010217869A Active JP5129847B2 (ja) | 2006-04-17 | 2010-09-28 | Ｌｅｄパッケージ |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007107666A Active JP4902411B2 (ja) | 2006-04-17 | 2007-04-17 | Ｌｅｄパッケージ、ｌｅｄパッケージの製造方法、照明装置、ｌｃｄ用バックライトおよび液晶ディスプレイ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US20070241362A1 (ja) |
| JP (2) | JP4902411B2 (ja) |
| KR (1) | KR100735325B1 (ja) |
| CN (1) | CN101060157A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104467711B (zh) * | 2013-09-24 | 2018-08-28 | 索尼公司 | 放大电路 |
Families Citing this family (438)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100499129B1 (ko) | 2002-09-02 | 2005-07-04 | 삼성전기주식회사 | 발광 다이오드 및 그 제조방법 |
| KR100587020B1 (ko) | 2004-09-01 | 2006-06-08 | 삼성전기주식회사 | 고출력 발광 다이오드용 패키지 |
| KR100764386B1 (ko) | 2006-03-20 | 2007-10-08 | 삼성전기주식회사 | 고온공정에 적합한 절연구조체 및 그 제조방법 |
| US7909482B2 (en) | 2006-08-21 | 2011-03-22 | Innotec Corporation | Electrical device having boardless electrical component mounting arrangement |
| JP4228012B2 (ja) | 2006-12-20 | 2009-02-25 | Ｎｅｃライティング株式会社 | 赤色発光窒化物蛍光体およびそれを用いた白色発光素子 |
| JP4205135B2 (ja) | 2007-03-13 | 2009-01-07 | シャープ株式会社 | 半導体発光装置、半導体発光装置用多連リードフレーム |
| US7712933B2 (en) | 2007-03-19 | 2010-05-11 | Interlum, Llc | Light for vehicles |
| US8408773B2 (en) | 2007-03-19 | 2013-04-02 | Innotec Corporation | Light for vehicles |
| JP4795293B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2011-10-19 | ローム株式会社 | 半導体発光装置 |
| KR101318969B1 (ko) * | 2007-03-30 | 2013-10-17 | 서울반도체 주식회사 | 발광 다이오드 |
| KR101365621B1 (ko) * | 2007-09-04 | 2014-02-24 | 서울반도체 주식회사 | 열 방출 슬러그들을 갖는 발광 다이오드 패키지 |
| JP2009065002A (ja) * | 2007-09-07 | 2009-03-26 | Nichia Corp | 発光装置 |
| KR100891761B1 (ko) | 2007-10-19 | 2009-04-07 | 삼성전기주식회사 | 반도체 발광소자, 그의 제조방법 및 이를 이용한 반도체발광소자 패키지 |
| JP5041595B2 (ja) | 2007-11-06 | 2012-10-03 | 東洋ゴム工業株式会社 | 空気入りタイヤ |
| KR101488448B1 (ko) * | 2007-12-06 | 2015-02-02 | 서울반도체 주식회사 | Ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법 |
| US8230575B2 (en) | 2007-12-12 | 2012-07-31 | Innotec Corporation | Overmolded circuit board and method |
| JP5266331B2 (ja) | 2007-12-21 | 2013-08-21 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 低プロファイルの可撓性ケーブル照明アセンブリ及びその製造方法 |
| DE102008003971A1 (de) * | 2008-01-11 | 2009-07-16 | Ledon Lighting Jennersdorf Gmbh | Leuchtdiodenanordnung mit Schutzrahmen |
| JP5416975B2 (ja) * | 2008-03-11 | 2014-02-12 | ローム株式会社 | 半導体発光装置 |
| DE102008024704A1 (de) * | 2008-04-17 | 2009-10-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils |
| KR100869376B1 (ko) * | 2008-05-20 | 2008-11-19 | 주식회사 정진넥스텍 | 발광다이오드 칩 실장용 리드 프레임 어셈블리와 그의 제조방법 |
| US9022632B2 (en) | 2008-07-03 | 2015-05-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | LED package and a backlight unit unit comprising said LED package |
| WO2010002221A2 (ko) | 2008-07-03 | 2010-01-07 | 삼성엘이디 주식회사 | 파장변환형 발광다이오드 칩 및 이를 구비한 발광장치 |
| CN101640240A (zh) * | 2008-07-28 | 2010-02-03 | 富准精密工业(深圳)有限公司 | 发光二极管制造方法 |
| JP5217800B2 (ja) | 2008-09-03 | 2013-06-19 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置、樹脂パッケージ、樹脂成形体並びにこれらの製造方法 |
| JP5440010B2 (ja) * | 2008-09-09 | 2014-03-12 | 日亜化学工業株式会社 | 光半導体装置及びその製造方法 |
| JP6007891B2 (ja) * | 2008-09-09 | 2016-10-19 | 日亜化学工業株式会社 | 光半導体装置及びその製造方法 |
| US8008683B2 (en) | 2008-10-22 | 2011-08-30 | Samsung Led Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
| KR101257581B1 (ko) | 2008-11-07 | 2013-04-23 | 도판 인사츠 가부시키가이샤 | 리드 프레임 및 그 제조 방법 및 그것을 이용한 반도체 발광 장치 |
| KR100888236B1 (ko) * | 2008-11-18 | 2009-03-12 | 서울반도체 주식회사 | 발광 장치 |
| JP2010129923A (ja) * | 2008-11-28 | 2010-06-10 | Showa Denko Kk | 発光部材、発光装置、照明装置、バックライト装置および発光部材の製造方法 |
| JP5428358B2 (ja) * | 2009-01-30 | 2014-02-26 | ソニー株式会社 | 光学素子パッケージの製造方法 |
| KR101055090B1 (ko) * | 2009-03-02 | 2011-08-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
| US8269248B2 (en) * | 2009-03-02 | 2012-09-18 | Thompson Joseph B | Light emitting assemblies and portions thereof |
| KR101072200B1 (ko) * | 2009-03-16 | 2011-10-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 그 제조방법 |
| US8120055B2 (en) * | 2009-04-20 | 2012-02-21 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Light source |
| JP5302117B2 (ja) | 2009-06-22 | 2013-10-02 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置の製造方法、発光装置および発光装置搭載用基板 |
| KR101650840B1 (ko) | 2009-08-26 | 2016-08-24 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 및 이의 제조방법 |
| JP5446843B2 (ja) * | 2009-12-24 | 2014-03-19 | 豊田合成株式会社 | Ｌｅｄ発光装置 |
| JP5471244B2 (ja) * | 2009-09-29 | 2014-04-16 | 豊田合成株式会社 | 照明装置 |
| CN102032485B (zh) * | 2009-09-29 | 2013-10-30 | 丰田合成株式会社 | 照明装置 |
| TW201128812A (en) | 2009-12-01 | 2011-08-16 | Lg Innotek Co Ltd | Light emitting device |
| JP5515693B2 (ja) * | 2009-12-02 | 2014-06-11 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| JP5010716B2 (ja) * | 2010-01-29 | 2012-08-29 | 株式会社東芝 | Ｌｅｄパッケージ |
| JP4951090B2 (ja) | 2010-01-29 | 2012-06-13 | 株式会社東芝 | Ｌｅｄパッケージ |
| JP2011176364A (ja) * | 2010-01-29 | 2011-09-08 | Toshiba Corp | Ｌｅｄパッケージ |
| JP5010693B2 (ja) * | 2010-01-29 | 2012-08-29 | 株式会社東芝 | Ｌｅｄパッケージ |
| JP5691681B2 (ja) * | 2010-03-15 | 2015-04-01 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| US8319247B2 (en) * | 2010-03-25 | 2012-11-27 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Carrier for a light emitting device |
| CN102201520A (zh) * | 2010-03-26 | 2011-09-28 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | Led封装结构及其制造方法 |
| CN106067511A (zh) * | 2010-03-30 | 2016-11-02 | 大日本印刷株式会社 | 带树脂引线框、半导体装置及其制造方法 |
| CN101901863A (zh) * | 2010-05-04 | 2010-12-01 | 高安市汉唐高晶光电有限公司 | 大功率低光衰高抗静电发光二极管及其制备方法 |
| JP2012028744A (ja) * | 2010-06-22 | 2012-02-09 | Panasonic Corp | 半導体装置用パッケージおよびその製造方法ならびに半導体装置 |
| US8269244B2 (en) * | 2010-06-28 | 2012-09-18 | Cree, Inc. | LED package with efficient, isolated thermal path |
| JP2012033884A (ja) * | 2010-06-29 | 2012-02-16 | Panasonic Corp | 半導体装置用パッケージおよびその製造方法ならびに半導体装置 |
| KR101252032B1 (ko) | 2010-07-08 | 2013-04-10 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 및 이의 제조방법 |
| KR101313262B1 (ko) | 2010-07-12 | 2013-09-30 | 삼성전자주식회사 | 화학 기상 증착 장치 및 이를 이용한 반도체 에피 박막의 제조 방법 |
| KR101692410B1 (ko) | 2010-07-26 | 2017-01-03 | 삼성전자 주식회사 | 발광소자 및 그 제조방법 |
| JPWO2012014382A1 (ja) * | 2010-07-27 | 2013-09-09 | パナソニック株式会社 | 半導体装置 |
| US9461207B2 (en) * | 2010-09-03 | 2016-10-04 | Nichia Corporation | Light emitting device, and package array for light emitting device |
| KR20120027987A (ko) | 2010-09-14 | 2012-03-22 | 삼성엘이디 주식회사 | 질화갈륨계 반도체소자 및 그 제조방법 |
| JPWO2012036281A1 (ja) * | 2010-09-17 | 2014-02-03 | ローム株式会社 | 半導体発光装置、その製造方法、および表示装置 |
| KR20120032329A (ko) | 2010-09-28 | 2012-04-05 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 |
| CN102456800B (zh) * | 2010-10-18 | 2014-08-27 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构及其封装方法 |
| KR20120042500A (ko) | 2010-10-25 | 2012-05-03 | 삼성엘이디 주식회사 | 반도체 발광 소자 및 그 제조방법 |
| US8933548B2 (en) | 2010-11-02 | 2015-01-13 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Lead frame for mounting LED elements, lead frame with resin, method for manufacturing semiconductor devices, and lead frame for mounting semiconductor elements |
| KR20120050282A (ko) | 2010-11-10 | 2012-05-18 | 삼성엘이디 주식회사 | 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법 |
| KR101182584B1 (ko) * | 2010-11-16 | 2012-09-18 | 삼성전자주식회사 | Ｌｅｄ 패키지의 제조 장치 및 제조 방법 |
| US10267506B2 (en) | 2010-11-22 | 2019-04-23 | Cree, Inc. | Solid state lighting apparatuses with non-uniformly spaced emitters for improved heat distribution, system having the same, and methods having the same |
| KR101591991B1 (ko) | 2010-12-02 | 2016-02-05 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 패키지 및 그 제조 방법 |
| US11101408B2 (en) * | 2011-02-07 | 2021-08-24 | Creeled, Inc. | Components and methods for light emitting diode (LED) lighting |
| KR20120067153A (ko) | 2010-12-15 | 2012-06-25 | 삼성엘이디 주식회사 | 발광소자, 발광소자 패키지, 발광소자의 제조방법, 및 발광소자의 패키징 방법 |
| JP2012142426A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-26 | Toshiba Corp | Ｌｅｄパッケージ及びその製造方法 |
| AU2014200021B2 (en) * | 2010-12-28 | 2015-07-09 | Nichia Corporation | Light emitting device |
| BR112013001195B1 (pt) * | 2010-12-28 | 2021-03-02 | Nichia Corporation | dispositivo emissor de luz e método para fabricar o mesmo |
| KR101748334B1 (ko) | 2011-01-17 | 2017-06-16 | 삼성전자 주식회사 | 백색 발광 소자의 제조 방법 및 제조 장치 |
| TW201251140A (en) | 2011-01-31 | 2012-12-16 | Cree Inc | High brightness light emitting diode (LED) packages, systems and methods with improved resin filling and high adhesion |
| WO2012108356A1 (ja) * | 2011-02-10 | 2012-08-16 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置、発光装置の製造方法、及びパッケージアレイ |
| JP5287899B2 (ja) * | 2011-02-23 | 2013-09-11 | 凸版印刷株式会社 | 半導体発光装置用リードフレーム及びその製造方法 |
| DE102011006329A1 (de) * | 2011-03-29 | 2012-10-04 | Robert Bosch Gmbh | Elektronikmodul sowie Verfahren zu dessen Herstellung |
| JP5781801B2 (ja) * | 2011-03-29 | 2015-09-24 | シチズン電子株式会社 | Ｌｅｄ発光装置 |
| CN102738373B (zh) * | 2011-04-11 | 2014-11-05 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构及其制造方法 |
| KR101798884B1 (ko) | 2011-05-18 | 2017-11-17 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 어셈블리 및 이를 포함하는 전조등 |
| CN102832295A (zh) * | 2011-06-14 | 2012-12-19 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构的制造方法 |
| JP5753446B2 (ja) * | 2011-06-17 | 2015-07-22 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置の製造方法 |
| US8878215B2 (en) * | 2011-06-22 | 2014-11-04 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device module |
| JP2013041950A (ja) * | 2011-08-12 | 2013-02-28 | Sharp Corp | 発光装置 |
| US9397274B2 (en) * | 2011-08-24 | 2016-07-19 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package |
| JP2013062393A (ja) * | 2011-09-14 | 2013-04-04 | Sharp Corp | 発光装置 |
| JP2013077813A (ja) * | 2011-09-15 | 2013-04-25 | Mitsubishi Chemicals Corp | パッケージ及び発光装置 |
| ITTO20111212A1 (it) * | 2011-12-23 | 2013-06-24 | Gs Plastics S A S Di Giovanni Gerv Asio & C | Led di potenza |
| KR101903361B1 (ko) | 2012-03-07 | 2018-10-04 | 삼성전자주식회사 | 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
| KR20130109319A (ko) | 2012-03-27 | 2013-10-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광장치, 발광모듈 및 조명장치 |
| KR101891257B1 (ko) | 2012-04-02 | 2018-08-24 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광장치 및 그 제조방법 |
| KR101907390B1 (ko) | 2012-04-23 | 2018-10-12 | 삼성전자주식회사 | 백색 발광 장치 및 이를 이용한 디스플레이 장치 |
| KR101887942B1 (ko) | 2012-05-07 | 2018-08-14 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 |
| JP2013239540A (ja) * | 2012-05-14 | 2013-11-28 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 光半導体装置用基板とその製造方法、及び光半導体装置とその製造方法 |
| JP2013239539A (ja) * | 2012-05-14 | 2013-11-28 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 光半導体装置用基板とその製造方法、及び光半導体装置とその製造方法 |
| CN103427006B (zh) * | 2012-05-14 | 2016-02-10 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管 |
| JP5039242B2 (ja) * | 2012-05-21 | 2012-10-03 | 株式会社東芝 | Ｌｅｄパッケージ |
| WO2013186653A1 (en) * | 2012-06-12 | 2013-12-19 | Koninklijke Philips N.V. | Lead frame light emitting arrangement |
| US9022631B2 (en) | 2012-06-13 | 2015-05-05 | Innotec Corp. | Flexible light pipe |
| KR101891777B1 (ko) | 2012-06-25 | 2018-08-24 | 삼성전자주식회사 | 유전체 리플렉터를 구비한 발광소자 및 그 제조방법 |
| KR101978968B1 (ko) | 2012-08-14 | 2019-05-16 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 및 발광장치 |
| CN103682028A (zh) * | 2012-08-30 | 2014-03-26 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构及其制造方法 |
| KR101898680B1 (ko) | 2012-11-05 | 2018-09-13 | 삼성전자주식회사 | 나노구조 발광 소자 |
| KR101898679B1 (ko) | 2012-12-14 | 2018-10-04 | 삼성전자주식회사 | 나노구조 발광소자 |
| KR101967836B1 (ko) | 2012-12-14 | 2019-04-10 | 삼성전자주식회사 | 3차원 발광 소자 및 그 제조방법 |
| KR102011101B1 (ko) | 2012-12-26 | 2019-08-14 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자 패키지 |
| KR102018615B1 (ko) | 2013-01-18 | 2019-09-05 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
| KR102099814B1 (ko) | 2013-01-25 | 2020-04-13 | 루미리즈 홀딩 비.브이. | 조명 조립체 및 조명 조립체를 제조하기 위한 방법 |
| US20140208689A1 (en) | 2013-01-25 | 2014-07-31 | Renee Joyal | Hypodermic syringe assist apparatus and method |
| KR101603207B1 (ko) | 2013-01-29 | 2016-03-14 | 삼성전자주식회사 | 나노구조 반도체 발광소자 제조방법 |
| KR102022266B1 (ko) | 2013-01-29 | 2019-09-18 | 삼성전자주식회사 | 나노구조 반도체 발광소자 제조방법 |
| KR101554032B1 (ko) | 2013-01-29 | 2015-09-18 | 삼성전자주식회사 | 나노구조 반도체 발광소자 |
| KR102036347B1 (ko) | 2013-02-12 | 2019-10-24 | 삼성전자 주식회사 | 발광소자 어레이부 및 이를 포함하는 발광소자 모듈 |
| KR101958418B1 (ko) | 2013-02-22 | 2019-03-14 | 삼성전자 주식회사 | 발광 소자 패키지 |
| US9676047B2 (en) | 2013-03-15 | 2017-06-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of forming metal bonding layer and method of manufacturing semiconductor light emitting device using the same |
| JP6476567B2 (ja) | 2013-03-29 | 2019-03-06 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| US9190270B2 (en) | 2013-06-04 | 2015-11-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Low-defect semiconductor device and method of manufacturing the same |
| JP6204088B2 (ja) * | 2013-07-02 | 2017-09-27 | エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 | 半導体装置 |
| CN104282819B (zh) | 2013-07-08 | 2018-08-28 | 光宝电子(广州)有限公司 | 倒装式发光二极管封装模块及其制造方法 |
| KR102074950B1 (ko) | 2013-08-13 | 2020-03-02 | 삼성전자 주식회사 | 조명 장치, 조명 제어 시스템 및 조명 장치의 제어 방법. |
| KR20150025264A (ko) | 2013-08-28 | 2015-03-10 | 삼성전자주식회사 | 정공주입층을 구비하는 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 |
| KR102094471B1 (ko) | 2013-10-07 | 2020-03-27 | 삼성전자주식회사 | 질화물 반도체층의 성장방법 및 이에 의하여 형성된 질화물 반도체 |
| KR102098250B1 (ko) | 2013-10-21 | 2020-04-08 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 버퍼 구조체, 이를 포함하는 반도체 소자 및 반도체 버퍼 구조체를 이용한 반도체 소자 제조방법 |
| KR20150046554A (ko) | 2013-10-22 | 2015-04-30 | 삼성전자주식회사 | Led 구동 장치, 조명 장치 및 led 구동 장치의 제어 회로 |
| KR102070089B1 (ko) | 2013-10-23 | 2020-01-29 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 패키지 및 이를 이용한 조명장치 |
| US9099573B2 (en) | 2013-10-31 | 2015-08-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nano-structure semiconductor light emitting device |
| KR102061696B1 (ko) | 2013-11-05 | 2020-01-03 | 삼성전자주식회사 | 반극성 질화물 반도체 구조체 및 이의 제조 방법 |
| KR102223034B1 (ko) | 2013-11-14 | 2021-03-04 | 삼성전자주식회사 | 조명 시스템 및 그를 위한 신호 변환 장치 |
| US9190563B2 (en) | 2013-11-25 | 2015-11-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nanostructure semiconductor light emitting device |
| KR101423455B1 (ko) | 2013-11-28 | 2014-07-29 | 서울반도체 주식회사 | Led 패키지 및 그 제조방법 |
| KR102132651B1 (ko) | 2013-12-03 | 2020-07-10 | 삼성전자주식회사 | 나노구조 반도체 발광소자 |
| KR102075984B1 (ko) | 2013-12-06 | 2020-02-11 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 및 이를 구비한 반도체 발광장치 |
| US9725648B2 (en) | 2013-12-10 | 2017-08-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Phosphor and light-emitting device including the same |
| US9196812B2 (en) | 2013-12-17 | 2015-11-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting apparatus having the same |
| KR102122363B1 (ko) | 2014-01-08 | 2020-06-12 | 삼성전자주식회사 | 발광장치 및 광원 구동장치 |
| KR101584201B1 (ko) | 2014-01-13 | 2016-01-13 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 및 이의 제조방법 |
| KR102070093B1 (ko) | 2014-01-14 | 2020-01-29 | 삼성전자주식회사 | 차량용 조명 시스템 |
| KR102198693B1 (ko) | 2014-01-15 | 2021-01-06 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 |
| KR102098591B1 (ko) | 2014-01-16 | 2020-04-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 |
| KR102122358B1 (ko) | 2014-01-20 | 2020-06-15 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광 소자 |
| KR102285786B1 (ko) | 2014-01-20 | 2021-08-04 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 발광 소자 |
| KR102188495B1 (ko) | 2014-01-21 | 2020-12-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자의 제조 방법 |
| DE102014101215A1 (de) | 2014-01-31 | 2015-08-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Oberflächenmontierbares Multichip-Bauelement |
| KR102075986B1 (ko) | 2014-02-03 | 2020-02-11 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 |
| KR102075987B1 (ko) | 2014-02-04 | 2020-02-12 | 삼성전자주식회사 | 질화물 반도체 발광소자 |
| KR102098245B1 (ko) | 2014-02-11 | 2020-04-07 | 삼성전자 주식회사 | 광원 패키지 및 그를 포함하는 표시 장치 |
| KR102145209B1 (ko) | 2014-02-12 | 2020-08-18 | 삼성전자주식회사 | 플래시 장치, 영상 촬영 장치, 및 방법 |
| KR102116986B1 (ko) | 2014-02-17 | 2020-05-29 | 삼성전자 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 |
| KR102140789B1 (ko) | 2014-02-17 | 2020-08-03 | 삼성전자주식회사 | 결정 품질 평가장치, 및 그것을 포함한 반도체 발광소자의 제조 장치 및 제조 방법 |
| KR102122362B1 (ko) | 2014-02-18 | 2020-06-12 | 삼성전자주식회사 | 나노구조 반도체 발광소자 |
| KR102075981B1 (ko) | 2014-02-21 | 2020-02-11 | 삼성전자주식회사 | 발광다이오드 패키지의 제조방법 |
| KR102204392B1 (ko) | 2014-03-06 | 2021-01-18 | 삼성전자주식회사 | Led 조명 구동장치, 조명장치 및 조명장치의 동작방법. |
| KR102075994B1 (ko) | 2014-03-25 | 2020-02-12 | 삼성전자주식회사 | 기판 분리 장치 및 기판 분리 시스템 |
| KR102161272B1 (ko) * | 2014-03-25 | 2020-09-29 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 |
| KR102188497B1 (ko) | 2014-03-27 | 2020-12-09 | 삼성전자주식회사 | 나노구조 반도체 발광소자 |
| KR102145207B1 (ko) | 2014-04-17 | 2020-08-19 | 삼성전자주식회사 | 발광장치, 백라이트 유닛 및 디스플레이 장치 |
| KR102145205B1 (ko) | 2014-04-25 | 2020-08-19 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 제조방법 및 증착 장치의 유지보수방법 |
| KR102188493B1 (ko) | 2014-04-25 | 2020-12-09 | 삼성전자주식회사 | 질화물 단결정 성장방법 및 질화물 반도체 소자 제조방법 |
| KR20150138479A (ko) | 2014-05-29 | 2015-12-10 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자 패키지의 제조 방법 |
| KR102277125B1 (ko) | 2014-06-09 | 2021-07-15 | 삼성전자주식회사 | 광원 모듈, 조명 장치 및 조명 시스템 |
| KR102192572B1 (ko) | 2014-06-09 | 2020-12-18 | 삼성전자주식회사 | 광원 모듈의 불량 검사방법, 광원 모듈의 제조 방법 및 광원 모듈 검사장치 |
| KR102145208B1 (ko) | 2014-06-10 | 2020-08-19 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 패키지 제조방법 |
| KR102171024B1 (ko) | 2014-06-16 | 2020-10-29 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 패키지의 제조 방법 |
| KR102277126B1 (ko) | 2014-06-24 | 2021-07-15 | 삼성전자주식회사 | Led 구동 장치 및 조명 장치 |
| JP6671117B2 (ja) * | 2014-07-08 | 2020-03-25 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | 発光素子パッケージ |
| KR102203461B1 (ko) | 2014-07-10 | 2021-01-18 | 삼성전자주식회사 | 나노 구조 반도체 발광 소자 |
| KR102188499B1 (ko) | 2014-07-11 | 2020-12-09 | 삼성전자주식회사 | 나노구조 반도체 발광소자 |
| KR102203460B1 (ko) | 2014-07-11 | 2021-01-18 | 삼성전자주식회사 | 나노구조 반도체 발광소자의 제조방법 |
| KR102198694B1 (ko) | 2014-07-11 | 2021-01-06 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 및 반도체 발광소자 제조방법 |
| KR102188494B1 (ko) | 2014-07-21 | 2020-12-09 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자, 반도체 발광소자 제조방법 및 반도체 발광소자 패키지 제조방법 |
| KR102188500B1 (ko) | 2014-07-28 | 2020-12-09 | 삼성전자주식회사 | 발광다이오드 패키지 및 이를 이용한 조명장치 |
| KR102379164B1 (ko) | 2014-07-29 | 2022-03-25 | 삼성전자주식회사 | 가스 내부누출 자동 검사 방법 및 led 칩 제조 방법 |
| KR20160015447A (ko) | 2014-07-30 | 2016-02-15 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 패키지용 렌즈, 광원 모듈, 조명 장치 및 조명 시스템 |
| KR102212561B1 (ko) | 2014-08-11 | 2021-02-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광 소자 및 반도체 발광 소자 패키지 |
| KR102223036B1 (ko) | 2014-08-18 | 2021-03-05 | 삼성전자주식회사 | 나노구조 반도체 발광소자 |
| KR102227772B1 (ko) | 2014-08-19 | 2021-03-16 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 |
| KR102212559B1 (ko) | 2014-08-20 | 2021-02-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 및 이를 이용한 반도체 발광소자 패키지 |
| KR20160024170A (ko) | 2014-08-25 | 2016-03-04 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광 소자 |
| KR102227771B1 (ko) | 2014-08-25 | 2021-03-16 | 삼성전자주식회사 | 나노구조 반도체 발광소자 |
| KR102164796B1 (ko) | 2014-08-28 | 2020-10-14 | 삼성전자주식회사 | 나노구조 반도체 발광소자 |
| KR102227770B1 (ko) | 2014-08-29 | 2021-03-16 | 삼성전자주식회사 | 나노구조 반도체 발광소자 |
| KR102282141B1 (ko) | 2014-09-02 | 2021-07-28 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 |
| KR20160028014A (ko) | 2014-09-02 | 2016-03-11 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 패키지 제조방법 |
| KR102198695B1 (ko) | 2014-09-03 | 2021-01-06 | 삼성전자주식회사 | 광원 모듈 및 이를 포함하는 백라이트 유닛 |
| KR102337405B1 (ko) | 2014-09-05 | 2021-12-13 | 삼성전자주식회사 | 나노구조 반도체 발광소자 |
| KR20160033815A (ko) | 2014-09-18 | 2016-03-29 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 |
| KR20160034534A (ko) | 2014-09-19 | 2016-03-30 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광 소자 |
| KR102244218B1 (ko) | 2014-10-01 | 2021-04-27 | 삼성전자주식회사 | 나노구조 반도체 발광소자 제조방법 |
| KR102223037B1 (ko) | 2014-10-01 | 2021-03-05 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 제조방법 |
| KR102224848B1 (ko) | 2014-10-06 | 2021-03-08 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자 패키지 제조 방법 |
| KR102244220B1 (ko) | 2014-10-15 | 2021-04-27 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광 소자 |
| KR102277127B1 (ko) | 2014-10-17 | 2021-07-15 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 패키지 |
| KR102227773B1 (ko) | 2014-10-21 | 2021-03-16 | 삼성전자주식회사 | 발광장치 |
| KR102227774B1 (ko) | 2014-10-23 | 2021-03-16 | 삼성전자주식회사 | 발광다이오드 패키지 제조방법 |
| KR102240023B1 (ko) | 2014-11-03 | 2021-04-15 | 삼성전자주식회사 | 자외선 발광장치 |
| KR102252993B1 (ko) | 2014-11-03 | 2021-05-20 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 및 반도체 발광소자의 제조방법 |
| KR102212557B1 (ko) | 2014-11-03 | 2021-02-08 | 삼성전자주식회사 | 나노구조 반도체 발광소자 |
| KR20160054073A (ko) | 2014-11-05 | 2016-05-16 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이 장치 및 디스플레이 패널 |
| KR102227769B1 (ko) | 2014-11-06 | 2021-03-16 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 및 이를 이용한 반도체 발광소자 패키지 |
| KR102307062B1 (ko) | 2014-11-10 | 2021-10-05 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자, 반도체 소자 패키지 및 조명 장치 |
| KR102369932B1 (ko) | 2014-11-10 | 2022-03-04 | 삼성전자주식회사 | 불화물계 형광체, 발광장치, 불화물계 형광체 제조방법 및 발광장치 제조방법 |
| KR20160056167A (ko) | 2014-11-11 | 2016-05-19 | 삼성전자주식회사 | 발광 장치의 제조 방법, 발광 모듈 검사 장비 및 발광 모듈의 양불 판단 방법 |
| FR3028596B1 (fr) * | 2014-11-13 | 2019-07-12 | Psa Automobiles Sa. | Dispositif d'eclairage de vehicule |
| KR102255214B1 (ko) | 2014-11-13 | 2021-05-24 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자 |
| KR102335105B1 (ko) | 2014-11-14 | 2021-12-06 | 삼성전자 주식회사 | 발광 소자 및 그의 제조 방법 |
| KR102282137B1 (ko) | 2014-11-25 | 2021-07-28 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 및 이를 구비한 반도체 발광장치 |
| KR102240022B1 (ko) | 2014-11-26 | 2021-04-15 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| KR102372893B1 (ko) | 2014-12-04 | 2022-03-10 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자 제조용 화학 기상 증착 장치 |
| KR102337406B1 (ko) | 2014-12-09 | 2021-12-13 | 삼성전자주식회사 | 불화물 형광체, 불화물 형광체 제조방법, 백색 발광장치, 디스플레이 장치 및 조명장치 |
| KR102252992B1 (ko) | 2014-12-12 | 2021-05-20 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 패키지의 제조 방법 |
| KR102357584B1 (ko) | 2014-12-17 | 2022-02-04 | 삼성전자주식회사 | 질화물 형광체, 백색 발광장치, 디스플레이 장치 및 조명장치 |
| KR102252994B1 (ko) | 2014-12-18 | 2021-05-20 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지용 파장 변환 필름 |
| KR20160074861A (ko) | 2014-12-18 | 2016-06-29 | 삼성전자주식회사 | 광 측정 시스템 |
| KR102353443B1 (ko) | 2014-12-22 | 2022-01-21 | 삼성전자주식회사 | 산질화물계 형광체 및 이를 포함하는 백색 발광 장치 |
| KR102355081B1 (ko) | 2014-12-26 | 2022-01-26 | 삼성전자주식회사 | 불화물 형광체 제조방법, 백색 발광장치, 디스플레이 장치 및 조명장치 |
| KR102300558B1 (ko) | 2014-12-26 | 2021-09-14 | 삼성전자주식회사 | 광원 모듈 |
| KR20160083408A (ko) | 2014-12-31 | 2016-07-12 | 삼성전자주식회사 | 퓨즈 패키지 및 이를 이용한 발광소자 모듈 |
| KR102345751B1 (ko) | 2015-01-05 | 2022-01-03 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 패키지 및 그 제조 방법 |
| KR102346798B1 (ko) | 2015-02-13 | 2022-01-05 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광장치 |
| KR102292640B1 (ko) | 2015-03-06 | 2021-08-23 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자 패키지 및 발광 소자를 포함하는 전자 장치 |
| KR102378822B1 (ko) | 2015-04-30 | 2022-03-30 | 삼성전자주식회사 | Led 구동 장치 |
| TWI563620B (en) * | 2015-05-12 | 2016-12-21 | Taiwan Green Point Entpr Co | Electronic device and method for making the same |
| KR102323250B1 (ko) | 2015-05-27 | 2021-11-09 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 제조방법 |
| US9666754B2 (en) | 2015-05-27 | 2017-05-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor substrate and substrate for semiconductor growth |
| US10217914B2 (en) | 2015-05-27 | 2019-02-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
| KR20160141301A (ko) | 2015-05-29 | 2016-12-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광 소자 패키지 |
| KR102380825B1 (ko) | 2015-05-29 | 2022-04-01 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광다이오드 칩 및 이를 구비한 발광장치 |
| KR102471271B1 (ko) | 2015-06-05 | 2022-11-29 | 삼성전자주식회사 | 광학 소자 및 이를 포함하는 광원 모듈 |
| KR102409965B1 (ko) | 2015-06-08 | 2022-06-16 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 패키지, 파장 변환 필름 및 그 제조 방법 |
| KR102306671B1 (ko) | 2015-06-16 | 2021-09-29 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자 패키지 |
| KR20160149363A (ko) | 2015-06-17 | 2016-12-28 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 |
| KR102335106B1 (ko) | 2015-06-19 | 2021-12-03 | 삼성전자 주식회사 | 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법 |
| KR102382440B1 (ko) | 2015-06-22 | 2022-04-05 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 |
| KR102374267B1 (ko) | 2015-06-26 | 2022-03-15 | 삼성전자주식회사 | Led 구동 장치 및 그를 포함하는 조명 장치 |
| KR102409961B1 (ko) | 2015-06-26 | 2022-06-16 | 삼성전자주식회사 | 광학소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지 |
| KR102300560B1 (ko) | 2015-06-26 | 2021-09-14 | 삼성전자주식회사 | Led 구동 장치 및 그를 포함하는 조명 장치 |
| KR102397910B1 (ko) | 2015-07-06 | 2022-05-16 | 삼성전자주식회사 | 불화물계 형광체, 불화물계 형광체 제조방법 및 발광장치 |
| KR102432859B1 (ko) | 2015-07-10 | 2022-08-16 | 삼성전자주식회사 | 발광 장치 및 이를 포함하는 발광 모듈 |
| KR102414187B1 (ko) | 2015-07-24 | 2022-06-28 | 삼성전자주식회사 | 발광 다이오드 모듈 |
| KR102422246B1 (ko) | 2015-07-30 | 2022-07-19 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자 패키지 |
| KR102369933B1 (ko) | 2015-08-03 | 2022-03-04 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조 방법 |
| KR102477353B1 (ko) | 2015-08-06 | 2022-12-16 | 삼성전자주식회사 | 적색 형광체, 백색 발광장치 및 조명 장치 |
| KR102397907B1 (ko) | 2015-08-12 | 2022-05-16 | 삼성전자주식회사 | 광원 모듈 및 이를 포함하는 조명 장치 |
| KR102342546B1 (ko) | 2015-08-12 | 2021-12-30 | 삼성전자주식회사 | Led 구동 장치, 조명 장치 및 전류 제어 회로 |
| KR102357585B1 (ko) | 2015-08-18 | 2022-02-04 | 삼성전자주식회사 | 반도체 자외선 발광소자 |
| KR102476138B1 (ko) | 2015-08-19 | 2022-12-14 | 삼성전자주식회사 | 커넥터, 광원모듈 및 이를 이용한 광원모듈 어레이 |
| KR102415331B1 (ko) | 2015-08-26 | 2022-06-30 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자 패키지, 및 이를 포함하는 장치 |
| KR102397909B1 (ko) | 2015-08-27 | 2022-05-16 | 삼성전자주식회사 | 기판 및 이를 포함하는 광원 모듈 |
| KR20170026801A (ko) | 2015-08-28 | 2017-03-09 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 패키지 및 이를 이용한 광원모듈 |
| KR102443035B1 (ko) | 2015-09-02 | 2022-09-16 | 삼성전자주식회사 | Led 구동 장치 및 그를 포함하는 조명 장치 |
| KR102374268B1 (ko) | 2015-09-04 | 2022-03-17 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 패키지 |
| KR102378823B1 (ko) | 2015-09-07 | 2022-03-28 | 삼성전자주식회사 | 반도체 기판 및 이를 이용한 반도체 발광소자의 제조 방법 |
| KR101666844B1 (ko) | 2015-09-10 | 2016-10-19 | 삼성전자주식회사 | 광학 소자 및 이를 포함하는 광원 모듈 |
| KR102460072B1 (ko) | 2015-09-10 | 2022-10-31 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광 소자 |
| KR102427641B1 (ko) | 2015-09-16 | 2022-08-02 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 |
| KR20170033947A (ko) | 2015-09-17 | 2017-03-28 | 삼성전자주식회사 | 광원 모듈 및 이를 포함하는 조명 장치 |
| KR102409966B1 (ko) | 2015-09-17 | 2022-06-16 | 삼성전자주식회사 | 광원 모듈의 제조방법 |
| KR102430499B1 (ko) | 2015-09-22 | 2022-08-11 | 삼성전자주식회사 | Led 조명의 검사 장치 및 검사 방법 |
| US10230021B2 (en) | 2015-09-30 | 2019-03-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light emitting device package |
| KR102374266B1 (ko) | 2015-10-02 | 2022-03-18 | 삼성전자주식회사 | 백색 발광 모듈 및 led 조명 장치 |
| KR102391513B1 (ko) | 2015-10-05 | 2022-04-27 | 삼성전자주식회사 | 물질막 적층체, 발광 소자, 발광 패키지, 및 발광 소자의 제조 방법 |
| KR102668526B1 (ko) * | 2015-10-07 | 2024-05-24 | 에이엠에스-오스람 아시아 퍼시픽 피티이. 리미티드 | 몰드 회로 기판 |
| KR102443033B1 (ko) | 2015-10-12 | 2022-09-16 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 조명 장치 |
| KR102419890B1 (ko) | 2015-11-05 | 2022-07-13 | 삼성전자주식회사 | 발광 장치 및 그 제조 방법 |
| KR102417181B1 (ko) | 2015-11-09 | 2022-07-05 | 삼성전자주식회사 | 발광 패키지, 반도체 발광 소자, 발광 모듈 및 발광 패키지의 제조 방법 |
| KR102481646B1 (ko) | 2015-11-12 | 2022-12-29 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 패키지 |
| KR102427644B1 (ko) | 2015-11-16 | 2022-08-02 | 삼성전자주식회사 | 광원 모듈, 광원 모듈의 제조방법 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 |
| KR20170058515A (ko) | 2015-11-18 | 2017-05-29 | 삼성전자주식회사 | 조명 제어 시스템 및 그 제어 방법 |
| KR102450574B1 (ko) | 2015-11-19 | 2022-10-11 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지용 본딩 와이어 및 이를 포함하는 반도체 패키지 |
| KR20170059068A (ko) | 2015-11-19 | 2017-05-30 | 삼성전자주식회사 | 광원 모듈, 디스플레이 패널 및 이를 구비한 디스플레이 장치 |
| US9793450B2 (en) | 2015-11-24 | 2017-10-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light emitting apparatus having one or more ridge structures defining at least one circle around a common center |
| KR102546307B1 (ko) | 2015-12-02 | 2023-06-21 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| KR102546654B1 (ko) | 2015-12-11 | 2023-06-23 | 삼성전자주식회사 | 조명 시스템, 조명 장치 및 그 제어 방법 |
| KR102601579B1 (ko) | 2015-12-16 | 2023-11-13 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 실장용 회로 기판 및 이를 이용한 반도체 발광소자 패키지 |
| KR20170075897A (ko) | 2015-12-23 | 2017-07-04 | 삼성전자주식회사 | 발광 다이오드 패키지 |
| CN106952990A (zh) * | 2016-01-07 | 2017-07-14 | 深圳市斯迈得半导体有限公司 | 一种芯片级led封装装置及其制作工艺 |
| KR102530756B1 (ko) | 2016-01-13 | 2023-05-10 | 삼성전자주식회사 | 불화물계 형광체, 불화물계 형광체 제조방법 및 발광장치 |
| KR102550413B1 (ko) | 2016-01-13 | 2023-07-05 | 삼성전자주식회사 | Led 구동 장치 및 조명 장치 |
| KR20170089053A (ko) | 2016-01-25 | 2017-08-03 | 삼성전자주식회사 | 수지 도포 장치 및 이를 사용한 발광소자 패키지 제조방법 |
| KR102408721B1 (ko) | 2016-01-27 | 2022-06-15 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 제조방법 |
| KR102524805B1 (ko) | 2016-02-12 | 2023-04-25 | 삼성전자주식회사 | 광원 모듈, 디스플레이 패널 및 이를 구비한 디스플레이 장치 |
| KR102527387B1 (ko) | 2016-02-24 | 2023-04-28 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법 |
| KR102476137B1 (ko) | 2016-02-25 | 2022-12-12 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 패키지의 제조 방법 |
| KR102263041B1 (ko) | 2016-02-26 | 2021-06-09 | 삼성전자주식회사 | 멀티 컬러를 구현할 수 있는 발광 소자 |
| US10106666B2 (en) | 2016-03-02 | 2018-10-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Curable silicone resin composition containing inorganic oxide and optical member using same |
| KR20170104031A (ko) | 2016-03-03 | 2017-09-14 | 삼성전자주식회사 | 패키지 기판 및 발광소자 패키지 |
| KR102435523B1 (ko) | 2016-03-10 | 2022-08-23 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자 및 이의 제조 방법 |
| KR102443694B1 (ko) | 2016-03-11 | 2022-09-15 | 삼성전자주식회사 | 전류 확산 특성 및 광 추출 효율을 향상시킬 수 있는 발광 소자 |
| KR102553628B1 (ko) | 2016-03-11 | 2023-07-11 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 패키지의 검사 장치 및 제조 장치 |
| KR20170106575A (ko) | 2016-03-11 | 2017-09-21 | 삼성전자주식회사 | 광원 모듈 및 이를 포함하는 조명 장치 |
| KR102365686B1 (ko) | 2016-03-16 | 2022-02-21 | 삼성전자주식회사 | Ｌｅｄ 구동 장치 및 발광 장치 |
| KR102503215B1 (ko) | 2016-03-28 | 2023-02-24 | 삼성전자 주식회사 | 발광 소자 패키지 |
| KR102517336B1 (ko) | 2016-03-29 | 2023-04-04 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이 패널 및 이를 구비한 멀티비전 장치 |
| KR102513080B1 (ko) | 2016-04-04 | 2023-03-24 | 삼성전자주식회사 | Led 광원 모듈 및 디스플레이 장치 |
| KR102518368B1 (ko) | 2016-04-06 | 2023-04-13 | 삼성전자주식회사 | 조명 장치 |
| KR102480220B1 (ko) | 2016-04-08 | 2022-12-26 | 삼성전자주식회사 | 발광 다이오드 모듈 및 이를 구비한 디스플레이 패널 |
| KR20170121777A (ko) | 2016-04-25 | 2017-11-03 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광장치 |
| KR102534245B1 (ko) | 2016-05-04 | 2023-05-18 | 삼성전자주식회사 | 칩 스케일 렌즈를 포함한 발광장치 |
| KR20170129983A (ko) | 2016-05-17 | 2017-11-28 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 패키지, 이를 이용한 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
| KR102608902B1 (ko) | 2016-06-14 | 2023-12-04 | 삼성전자주식회사 | 질화물 반도체 기판 제조방법 |
| KR102530759B1 (ko) | 2016-06-14 | 2023-05-11 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 패키지 및 그 제조방법 |
| KR102530758B1 (ko) | 2016-06-21 | 2023-05-11 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 패키지 |
| KR102519668B1 (ko) | 2016-06-21 | 2023-04-07 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 |
| KR102530760B1 (ko) | 2016-07-18 | 2023-05-11 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 |
| KR102528559B1 (ko) | 2016-07-26 | 2023-05-04 | 삼성전자주식회사 | 대면적 기판 제조 장치 |
| KR102476139B1 (ko) | 2016-08-03 | 2022-12-09 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 |
| KR20180015496A (ko) | 2016-08-03 | 2018-02-13 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 패키지의 검사 장치 및 제조 장치 |
| KR102553630B1 (ko) | 2016-08-11 | 2023-07-10 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 패키지 및 이를 이용한 디스플레이 장치 |
| KR102116988B1 (ko) | 2016-08-11 | 2020-06-01 | 삼성전자 주식회사 | 광원 모듈, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 백라이트 유닛 |
| KR102605585B1 (ko) | 2016-08-11 | 2023-11-24 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 패키지 제조방법 |
| KR20180021348A (ko) | 2016-08-19 | 2018-03-02 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 어레이 및 이를 이용한 광원장치 |
| KR102551353B1 (ko) | 2016-08-22 | 2023-07-04 | 삼성전자 주식회사 | 광원 모듈 및 이를 포함하는 백라이트 유닛 |
| KR102543179B1 (ko) | 2016-08-22 | 2023-06-14 | 삼성전자주식회사 | 발광다이오드 모듈 제조방법 |
| KR102623546B1 (ko) | 2016-09-23 | 2024-01-10 | 삼성전자주식회사 | 조명용 렌즈, 조명용 렌즈 어레이 및 이를 포함하는 조명 장치 |
| JP2017076806A (ja) * | 2016-11-28 | 2017-04-20 | 大日本印刷株式会社 | 樹脂付リードフレーム、リードフレーム、半導体装置および樹脂付リードフレームの製造方法 |
| KR20180065700A (ko) | 2016-12-08 | 2018-06-18 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자 |
| KR102611980B1 (ko) | 2016-12-14 | 2023-12-08 | 삼성전자주식회사 | 멀티 컬러를 구현할 수 있는 발광 소자 |
| US10121945B2 (en) | 2016-12-16 | 2018-11-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
| KR102652087B1 (ko) | 2016-12-16 | 2024-03-28 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 |
| US10164159B2 (en) | 2016-12-20 | 2018-12-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light-emitting diode package and method of manufacturing the same |
| KR20180076066A (ko) | 2016-12-27 | 2018-07-05 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 패키지 |
| KR102604739B1 (ko) | 2017-01-05 | 2023-11-22 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광 장치 |
| KR102600002B1 (ko) | 2017-01-11 | 2023-11-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광 소자 |
| KR102598043B1 (ko) | 2017-01-12 | 2023-11-06 | 삼성전자주식회사 | 플로팅 도전성 패턴을 포함하는 반도체 발광 소자 |
| KR20180089117A (ko) | 2017-01-31 | 2018-08-08 | 삼성전자주식회사 | Led장치 및 이를 이용한 led램프 |
| KR20180095397A (ko) | 2017-02-17 | 2018-08-27 | 삼성전자주식회사 | Led 구동 장치, 이를 포함하는 조명 장치 및 led 구동 방법 |
| KR20180098904A (ko) | 2017-02-27 | 2018-09-05 | 삼성전자주식회사 | 컴퓨팅 장치 및 컴퓨팅 장치에 포함된 복수의 코어들에 전력을 할당하는 방법 |
| KR102261288B1 (ko) | 2017-03-14 | 2021-06-04 | 현대자동차 주식회사 | 자동차 외장용 발광다이오드 패키지 |
| CN106876375A (zh) * | 2017-03-28 | 2017-06-20 | 山东晶泰星光电科技有限公司 | 一种集成式rgb‑led显示屏 |
| KR102385571B1 (ko) | 2017-03-31 | 2022-04-12 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광 소자 |
| US11677059B2 (en) | 2017-04-26 | 2023-06-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light-emitting device package including a lead frame |
| KR102335216B1 (ko) | 2017-04-26 | 2021-12-03 | 삼성전자 주식회사 | 발광소자 패키지 |
| KR102373817B1 (ko) | 2017-05-02 | 2022-03-14 | 삼성전자주식회사 | 백색 발광장치 및 조명 장치 |
| KR102430500B1 (ko) | 2017-05-30 | 2022-08-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 및 이를 이용한 led 모듈 |
| KR102389815B1 (ko) | 2017-06-05 | 2022-04-22 | 삼성전자주식회사 | 양자점 유리셀 및 이를 포함하는 발광소자 패키지 |
| KR102450579B1 (ko) | 2017-06-05 | 2022-10-07 | 삼성전자주식회사 | Led램프 |
| KR102369934B1 (ko) | 2017-06-23 | 2022-03-03 | 삼성전자주식회사 | 칩 실장장치 및 이를 이용한 칩 실장방법 |
| JP6680274B2 (ja) | 2017-06-27 | 2020-04-15 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び樹脂付リードフレーム |
| US10256218B2 (en) | 2017-07-11 | 2019-04-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light emitting device package |
| KR102549171B1 (ko) | 2017-07-12 | 2023-06-30 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 패키지 및 이를 이용한 디스플레이 장치 |
| KR102302593B1 (ko) | 2017-07-13 | 2021-09-15 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자, 이를 포함하는 패키지, 및 이의 제조 방법 |
| KR102302592B1 (ko) | 2017-07-18 | 2021-09-15 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광 소자 |
| US10892211B2 (en) * | 2017-08-09 | 2021-01-12 | Semtech Corporation | Side-solderable leadless package |
| KR102539962B1 (ko) | 2017-09-05 | 2023-06-05 | 삼성전자주식회사 | Led 구동 장치 및 조명 장치 |
| KR102476136B1 (ko) | 2017-09-05 | 2022-12-09 | 삼성전자주식회사 | Led를 이용한 디스플레이 장치 |
| US10123386B1 (en) | 2017-09-08 | 2018-11-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Lighting apparatus |
| US10362654B2 (en) | 2017-09-08 | 2019-07-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Lighting apparatus |
| KR102609560B1 (ko) | 2017-09-08 | 2023-12-04 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조 장치 |
| KR20190036856A (ko) * | 2017-09-28 | 2019-04-05 | (주)포인트엔지니어링 | 광디바이스용 단위기판 및 이를 구비한 광디바이스 패키지 |
| US10446722B2 (en) | 2017-09-29 | 2019-10-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | White light emitting device |
| KR102427637B1 (ko) | 2017-09-29 | 2022-08-01 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 |
| KR20190038976A (ko) | 2017-10-02 | 2019-04-10 | 삼성전자주식회사 | 임프린트 장치 |
| KR102611981B1 (ko) | 2017-10-19 | 2023-12-11 | 삼성전자주식회사 | 발광 장치 및 그 제조 방법 |
| KR102460074B1 (ko) | 2017-10-30 | 2022-10-28 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 분리 장치 |
| KR102476140B1 (ko) | 2017-11-20 | 2022-12-09 | 삼성전자주식회사 | 광학 소자 및 이를 포함하는 광원 모듈 |
| KR102430497B1 (ko) | 2017-12-07 | 2022-08-08 | 삼성전자주식회사 | 발광소자의 제조 방법 |
| KR102509639B1 (ko) | 2017-12-12 | 2023-03-15 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 패키지 제조방법 |
| KR102666539B1 (ko) | 2017-12-13 | 2024-05-17 | 삼성전자주식회사 | 자외선 반도체 발광소자 |
| KR102421729B1 (ko) | 2017-12-14 | 2022-07-15 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 패키지 및 이를 이용한 디스플레이 장치 |
| KR102582424B1 (ko) | 2017-12-14 | 2023-09-25 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 패키지 및 이를 이용한 디스플레이 장치 |
| KR102477357B1 (ko) | 2017-12-14 | 2022-12-15 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자 패키지 |
| KR102518369B1 (ko) | 2017-12-19 | 2023-04-05 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 |
| KR102427640B1 (ko) | 2017-12-19 | 2022-08-01 | 삼성전자주식회사 | 자외선 반도체 발광소자 |
| KR102513082B1 (ko) | 2017-12-19 | 2023-03-23 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 |
| KR102524809B1 (ko) | 2017-12-19 | 2023-04-24 | 삼성전자주식회사 | 자외선 반도체 발광소자 |
| KR102542426B1 (ko) | 2017-12-20 | 2023-06-12 | 삼성전자주식회사 | 파장변환 필름과, 이를 구비한 반도체 발광장치 |
| KR102601580B1 (ko) | 2017-12-20 | 2023-11-13 | 삼성전자주식회사 | Uwb 센서를 이용한 조명 시스템, 조명 장치 및 조명 제어 방법 |
| KR102427642B1 (ko) | 2018-01-25 | 2022-08-01 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 |
| KR102543183B1 (ko) | 2018-01-26 | 2023-06-14 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 |
| KR102481647B1 (ko) | 2018-01-31 | 2022-12-28 | 삼성전자주식회사 | Led 모듈 및 조명 장치 |
| KR102443027B1 (ko) | 2018-03-02 | 2022-09-14 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 |
| KR102450150B1 (ko) | 2018-03-02 | 2022-10-04 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 |
| US10862015B2 (en) | 2018-03-08 | 2020-12-08 | Samsung Electronics., Ltd. | Semiconductor light emitting device package |
| KR102527384B1 (ko) | 2018-03-09 | 2023-04-28 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법 |
| US10499471B2 (en) | 2018-04-13 | 2019-12-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light-emitting diode lighting module and lighting apparatus including the same |
| KR102551354B1 (ko) | 2018-04-20 | 2023-07-04 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 |
| US10964852B2 (en) | 2018-04-24 | 2021-03-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | LED module and LED lamp including the same |
| KR102573271B1 (ko) | 2018-04-27 | 2023-08-31 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 |
| KR102550415B1 (ko) | 2018-05-09 | 2023-07-05 | 삼성전자주식회사 | Led 장치 및 이를 이용한 led 램프 |
| KR102607596B1 (ko) | 2018-05-11 | 2023-11-29 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 및 이를 이용한 반도체 발광소자 패키지 |
| KR20190137458A (ko) | 2018-06-01 | 2019-12-11 | 삼성전자주식회사 | Led를 이용한 디스플레이 모듈 제조방법 |
| KR102613239B1 (ko) | 2018-06-04 | 2023-12-14 | 삼성전자주식회사 | 백색 led 모듈 및 조명 장치 |
| KR102551746B1 (ko) | 2018-06-05 | 2023-07-07 | 삼성전자주식회사 | 광원모듈 |
| KR102530068B1 (ko) | 2018-06-26 | 2023-05-08 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자 패키지, 이를 포함하는 디스플레이 장치, 및 그 제조 방법 |
| KR102619665B1 (ko) | 2018-06-29 | 2023-12-29 | 삼성전자주식회사 | 발광 장치 |
| KR102553265B1 (ko) | 2018-07-09 | 2023-07-07 | 삼성전자 주식회사 | 발광 소자 및 이를 포함하는 광원 모듈 |
| KR102534248B1 (ko) | 2018-07-17 | 2023-05-18 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자 패키지 |
| KR102653015B1 (ko) | 2018-07-18 | 2024-03-29 | 삼성전자주식회사 | 발광 장치, 운송 수단용 헤드램프, 및 그를 포함하는 운송 수단 |
| KR102593264B1 (ko) | 2018-08-14 | 2023-10-26 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이 드라이버 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치 |
| KR102617962B1 (ko) | 2018-10-02 | 2023-12-27 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 |
| KR102617089B1 (ko) | 2018-11-05 | 2023-12-27 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 패키지 및 이를 이용한 디스플레이 장치 |
| KR20200111323A (ko) | 2019-03-18 | 2020-09-29 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조 방법 |
| KR20200112369A (ko) | 2019-03-22 | 2020-10-05 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자 패키지 |
| KR20200118333A (ko) | 2019-04-05 | 2020-10-15 | 삼성전자주식회사 | 조명 시스템 및 조명 장치 |
| KR20200139307A (ko) | 2019-06-03 | 2020-12-14 | 삼성전자주식회사 | 발광장치, 백라이트 유닛 및 디스플레이 장치 |
| KR20210000351A (ko) | 2019-06-24 | 2021-01-05 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 및 디스플레이 장치 |
| KR20210006538A (ko) | 2019-07-08 | 2021-01-19 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 제조방법 |
| KR20210006567A (ko) | 2019-07-08 | 2021-01-19 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 패키지 및 이를 이용한 디스플레이 패널 |
| KR20210019335A (ko) | 2019-08-12 | 2021-02-22 | 삼성전자주식회사 | 유기 발광 소자 및 그 제조방법 |
| KR20210031085A (ko) | 2019-09-11 | 2021-03-19 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자 및 그 제조방법 |
| KR20210034726A (ko) | 2019-09-20 | 2021-03-31 | 삼성전자주식회사 | 메모리 모듈, 그것을 제어하는 메모리 제어기의 에러 정정 방법, 및 그것을포함하는 컴퓨팅 시스템 |
| KR20210048621A (ko) | 2019-10-23 | 2021-05-04 | 삼성전자주식회사 | 발광장치 및 식물생장용 조명장치 |
| KR20210052626A (ko) | 2019-10-29 | 2021-05-11 | 삼성전자주식회사 | Led 모듈 및 제조방법 |
| KR20210063518A (ko) | 2019-11-22 | 2021-06-02 | 삼성전자주식회사 | 발광다이오드 패키지 |
| KR20210064855A (ko) | 2019-11-26 | 2021-06-03 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광 소자 및 그의 제조 방법 |
| KR20210078200A (ko) | 2019-12-18 | 2021-06-28 | 삼성전자주식회사 | 색온도 가변 조명 장치 |
| KR20210097855A (ko) | 2020-01-30 | 2021-08-10 | 삼성전자주식회사 | 금속 베이스 배선 기판 및 전자소자 모듈 |
| KR20210099681A (ko) | 2020-02-04 | 2021-08-13 | 삼성전자주식회사 | 3차원 구조 반도체 발광소자 및 디스플레이 장치 |
| KR20210102741A (ko) | 2020-02-12 | 2021-08-20 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광 소자 및 이의 제조 방법 |
| KR20210116828A (ko) | 2020-03-17 | 2021-09-28 | 삼성전자주식회사 | 광원 모듈 및 이를 이용한 디스플레이 패널 |
| KR20210141036A (ko) | 2020-05-15 | 2021-11-23 | 삼성전자주식회사 | 광원 패키지 및 이를 포함하는 모바일 기기 |
| KR20210143452A (ko) | 2020-05-20 | 2021-11-29 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 및 이를 구비한 발광소자 패키지 |
| KR20210144483A (ko) | 2020-05-22 | 2021-11-30 | 삼성전자주식회사 | 발광 장치 및 운송 수단용 헤드램프 |
| KR20210144485A (ko) | 2020-05-22 | 2021-11-30 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 |
| KR20210145553A (ko) | 2020-05-25 | 2021-12-02 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자, 광원 모듈 및 발광 소자 제조 방법 |
| KR20210145587A (ko) | 2020-05-25 | 2021-12-02 | 삼성전자주식회사 | 버퍼 구조체를 포함하는 반도체 발광 소자 |
| KR20210145590A (ko) | 2020-05-25 | 2021-12-02 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자를 포함하는 광원 모듈 |
| KR20210158254A (ko) | 2020-06-23 | 2021-12-30 | 삼성전자주식회사 | Led 패키지 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 |
| KR20220034972A (ko) | 2020-09-11 | 2022-03-21 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광 소자 |
| KR20220036176A (ko) | 2020-09-15 | 2022-03-22 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 및 이를 구비한 발광소자 패키지 |
| KR20220045832A (ko) | 2020-10-06 | 2022-04-13 | 삼성전자주식회사 | LED(Light Emitting Diode) 패키지 및 이를 포함하는 전자 장치 |
| KR20220065153A (ko) | 2020-11-12 | 2022-05-20 | 삼성전자주식회사 | 광원 모듈 및 이를 포함하는 모바일 기기 |
| KR20220068558A (ko) | 2020-11-19 | 2022-05-26 | 삼성전자주식회사 | Led 조명 장치 및 그것의 동작 방법 |
| KR20220070757A (ko) | 2020-11-23 | 2022-05-31 | 삼성전자주식회사 | Led 장치 및 이를 포함하는 조명 장치 |
| KR20220073301A (ko) | 2020-11-26 | 2022-06-03 | 삼성전자주식회사 | Led 패키지 및 이를 포함하는 전자 장치 |
| KR20220094290A (ko) | 2020-12-28 | 2022-07-06 | 삼성전자주식회사 | 백색 발광장치 및 조명 장치 |
| KR20220094291A (ko) | 2020-12-28 | 2022-07-06 | 삼성전자주식회사 | Led 모듈 및 조명 장치 |
| KR20220094991A (ko) | 2020-12-29 | 2022-07-06 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자 및 운송 수단용 헤드 램프 |
| KR20220097816A (ko) | 2020-12-31 | 2022-07-08 | 삼성전자주식회사 | Led 조명 장치 |
| KR20220107485A (ko) | 2021-01-25 | 2022-08-02 | 삼성전자주식회사 | Led 제어 장치 및 이를 포함하는 조명 장치 |
| KR20220151076A (ko) | 2021-05-04 | 2022-11-14 | 삼성전자주식회사 | 발광장치 및 식물생장용 조명장치 |
| KR20220169286A (ko) | 2021-06-18 | 2022-12-27 | 삼성전자주식회사 | 셀 매트릭스를 포함하는 디스플레이 장치 |
| KR20230079869A (ko) | 2021-11-29 | 2023-06-07 | 삼성전자주식회사 | Led 구동 장치 및 이를 포함하는 조명 장치 |
| KR20230099316A (ko) | 2021-12-27 | 2023-07-04 | 삼성전자주식회사 | Led 제어 장치 및 이를 포함하는 조명 장치 |
| KR20230134363A (ko) | 2022-03-14 | 2023-09-21 | 삼성전자주식회사 | 발광 셀 어레이, 헤드램프 구동 장치, 및 헤드램프 제어 시스템 |
Family Cites Families (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58122457U (ja) * | 1982-02-12 | 1983-08-20 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置 |
| JP3472450B2 (ja) * | 1997-09-04 | 2003-12-02 | シャープ株式会社 | 発光装置 |
| KR100378917B1 (ko) * | 1998-05-20 | 2003-04-07 | 로무 가부시키가이샤 | 반도체장치 |
| JP3857435B2 (ja) * | 1998-08-31 | 2006-12-13 | ローム株式会社 | 光半導体素子、光半導体素子の実装構造、および光半導体素子群の包装構造 |
| JP2000261039A (ja) * | 1999-03-12 | 2000-09-22 | Mitsubishi Electric Corp | 光源装置 |
| JP3964590B2 (ja) * | 1999-12-27 | 2007-08-22 | 東芝電子エンジニアリング株式会社 | 光半導体パッケージ |
| JP4009097B2 (ja) * | 2001-12-07 | 2007-11-14 | 日立電線株式会社 | 発光装置及びその製造方法、ならびに発光装置の製造に用いるリードフレーム |
| TW546799B (en) * | 2002-06-26 | 2003-08-11 | Lingsen Precision Ind Ltd | Packaged formation method of LED and product structure |
| JP2004207678A (ja) | 2002-10-30 | 2004-07-22 | Kyocera Corp | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置 |
| JP4633333B2 (ja) * | 2003-01-23 | 2011-02-16 | 株式会社光波 | 発光装置 |
| JP4265225B2 (ja) | 2003-01-24 | 2009-05-20 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置とその製造方法 |
| CN102290409B (zh) * | 2003-04-01 | 2014-01-15 | 夏普株式会社 | 发光装置 |
| JP3966838B2 (ja) * | 2003-07-14 | 2007-08-29 | スタンレー電気株式会社 | 光半導体デバイス |
| JP2005033028A (ja) * | 2003-07-07 | 2005-02-03 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
| JP2005116937A (ja) | 2003-10-10 | 2005-04-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光装置およびその製造方法 |
| JP2005197369A (ja) * | 2004-01-05 | 2005-07-21 | Toshiba Corp | 光半導体装置 |
| JP2005311042A (ja) * | 2004-04-21 | 2005-11-04 | Lite-On Technology Corp | 光電気半導体素子 |
| JP2005317661A (ja) * | 2004-04-27 | 2005-11-10 | Sharp Corp | 半導体発光装置およびその製造方法 |
| KR20050117064A (ko) * | 2004-06-09 | 2005-12-14 | 주식회사 바른전자 | 광 반사면을 가진 발광다이오드 소자 |
| JP4359195B2 (ja) * | 2004-06-11 | 2009-11-04 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置及びその製造方法並びに半導体発光ユニット |
| KR100587020B1 (ko) * | 2004-09-01 | 2006-06-08 | 삼성전기주식회사 | 고출력 발광 다이오드용 패키지 |
| JP2006222271A (ja) * | 2005-02-10 | 2006-08-24 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 発光素子実装用基板 |
| TWI256737B (en) * | 2005-05-19 | 2006-06-11 | Pi-Fu Yang | One-block light-emitting device and manufacturing method thereof |
| JP5103841B2 (ja) * | 2005-11-18 | 2012-12-19 | パナソニック株式会社 | 発光モジュールとそれを用いたバックライト装置 |
| JP2007194526A (ja) * | 2006-01-23 | 2007-08-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光モジュールとその製造方法 |
-
2006
- 2006-04-17 KR KR1020060034706A patent/KR100735325B1/ko active IP Right Grant
-
2007
- 2007-04-05 US US11/730,965 patent/US20070241362A1/en not_active Abandoned
- 2007-04-16 CN CNA2007100969138A patent/CN101060157A/zh active Pending
- 2007-04-17 JP JP2007107666A patent/JP4902411B2/ja active Active
-
2009
- 2009-02-13 US US12/370,802 patent/US8168453B2/en active Active
-
2010
- 2010-09-28 JP JP2010217869A patent/JP5129847B2/ja active Active
- 2010-10-19 US US12/907,348 patent/US8735931B2/en active Active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104467711B (zh) * | 2013-09-24 | 2018-08-28 | 索尼公司 | 放大电路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100735325B1 (ko) | 2007-07-04 |
| CN101060157A (zh) | 2007-10-24 |
| JP2007288198A (ja) | 2007-11-01 |
| US20070241362A1 (en) | 2007-10-18 |
| US8735931B2 (en) | 2014-05-27 |
| JP2011003935A (ja) | 2011-01-06 |
| US20090197360A1 (en) | 2009-08-06 |
| US20110031526A1 (en) | 2011-02-10 |
| JP4902411B2 (ja) | 2012-03-21 |
| US8168453B2 (en) | 2012-05-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5129847B2 (ja) | Ｌｅｄパッケージ | |
| US10677417B2 (en) | Package for light emitting device and method for packaging the same | |
| KR101301187B1 (ko) | 반도체 광학장치 | |
| US8044424B2 (en) | Light-emitting device | |
| US7642704B2 (en) | Light-emitting diode with a base | |
| US6841931B2 (en) | LED lamp | |
| JP2004265986A (ja) | 高輝度発光素子及びそれを用いた発光装置及び高輝度発光素子の製造方法 | |
| JP5716623B2 (ja) | 線状光源装置および面状光源装置 | |
| WO2011136358A1 (ja) | Ｌｅｄモジュール | |
| KR20050092300A (ko) | 고출력 발광 다이오드 패키지 | |
| JP2011101053A (ja) | 熱伝達部に凹部が形成されたｌｅｄパッケージ及びｌｅｄパッケージの製造方法 | |
| JP4674487B2 (ja) | 表面実装型発光装置 | |
| JP3138795U (ja) | 半導体発光装置及び半導体発光装置を用いた面状発光源 | |
| JP2006278924A (ja) | 半導体発光装置及び半導体発光ユニット | |
| KR100735309B1 (ko) | 표면 실장 발광다이오드 패키지 | |
| KR100780236B1 (ko) | 발광다이오드 패키지 | |
| JP2009094213A (ja) | 発光装置 | |
| WO2010067701A1 (ja) | 発光装置、発光装置モジュールおよび発光装置の製造方法 | |
| KR100638881B1 (ko) | 금속 기판에 ｌｅｄ 패키지를 삽입한 ｌｅｄ 어셈블리 | |
| KR20100003332A (ko) | 방열 구조를 갖는 ｌｅｄ 패키지 | |
| KR20050101737A (ko) | 발광 다이오드 패키지 | |
| KR20080045942A (ko) | 고출력 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101027 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101027 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110921 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120515 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120516 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120802 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121009 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121102 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5129847 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151109 Year of fee payment: 3 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |