KR100780236B1 - 발광다이오드 패키지 - Google Patents

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KR100780236B1 KR1020060038019A KR20060038019A KR100780236B1 KR 100780236 B1 KR100780236 B1 KR 100780236B1 KR 1020060038019 A KR1020060038019 A KR 1020060038019A KR 20060038019 A KR20060038019 A KR 20060038019A KR 100780236 B1 KR100780236 B1 KR 100780236B1
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Abstract

리드프레임이 회로기판에 직접 접촉되며, 액상의 봉지재가 새어나오지 못하도록 구성되는 발광다이오드 패키지가 제공된다.
본 발명에 의한 발광다이오드 패키지는, 상호 이격되도록 배열되는 제1 리드프레임 및 제2 리드프레임; 상기 제1 리드프레임과 제2 리드프레임의 양단을 둘러싸 고정시키는 고정부와, 제1 리드프레임과 제2 리드프레임 사이를 채우며 상단과 하단이 제1 리드프레임과 제2 리드프레임 사이의 간격 폭방향으로 연장되도록 형성되는 이격부를 포함하는 패키지 본체; 및 상기 제1 리드프레임의 상면에 배치되며, 상기 제1 리드프레임 및 상기 제2 리드프레임과 전기적으로 연결되는 엘이디 칩을 포함하여 구성된다.
본 발명에 의한 발광다이오드 패키지는, 리드프레임과 회로기판이 직접 접촉되므로 엘이디 칩의 방열효율이 상승되고, 두 리드프레임 사이를 통해 패키지 본체 저면으로 액상의 투명 봉지재가 새어나오는 현상을 방지할 수 있으며, 보다 안정적으로 리드프레임을 고정시킬 수 있다는 장점이 있다.
발광다이오드, 패키지 본체, 리드프레임, 액상 봉지재, 수축, 압착

Description

발광다이오드 패키지{LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE}
도 1은 종래기술에 따른 발광다이오드 패키지의 단면도이다.
도 2는 다른 종래기술에 따른 리드프레임의 사시도이다.
도 3 및 도 4는 다른 종래기술에 따른 발광다이오드 패키지의 단면도이다.
도 5는 도 4에 도시된 다른 종래기술에 따른 발광다이오드 패키지가 냉각되었을 때의 단면도이다.
도 6은 본 발명에 의한 발광다이오드 패키지의 제1 실시예 사시도이다.
도 7은 본 발명에 의한 발광다이오드 패키지 제1 실시예를 도 6에 도시된 A-A선을 따라 절단한 단면도이다.
도 8은 본 발명에 의한 발광다이오드 패키지 제1 실시예를 도 6에 도시된 B-B선을 따라 절단한 단면도이다.
도 9는 본 발명에 의한 발광다이오드 패키지의 제2 실시예 단면도이다.
도 10은 본 발명에 의한 발광다이오드 패키지의 제3 실시예 단면도이다.
도 11은 본 발명에 의한 발광다이오드 패키지의 제4 실시예 단면도이다.
도 12는 본 발명에 의한 발광다이오드 패키지의 제5 실시예 사시도이다.
도 13은 본 발명에 의한 발광다이오드 패키지 제5 실시예를 도 12에 도시된 C-C선을 따라 절단한 단면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
110 : 제1 리드프레임 112 : 제1 기부
114 : 제1 연장부 120 : 제2 리드프레임
122 : 제2 기부 124 : 제2 연장부
130 : 패키지 본체 132 : 고정부
134 : 이격부
본 발명은 발광다이오드 패키지에 관한 것으로, 더 상세하게는 리드프레임이 회로기판에 직접 접촉되며 엘이디 보호를 위한 액상의 봉지재가 두 리드프레임 사이로 새어나오지 못하도록 구성되는 발광다이오드 패키지에 관한 것이다.
발광다이오드 즉 LED(Light Emitting Diode)는 전류가 가해지면 다양한 색상의 빛을 발생시키기 위한 반도체 장치이다. LED에서 발생되는 빛의 색상은 주로 LED의 반도체를 구성하는 화학 성분에 의해 정해진다. 이러한 LED는 필라멘트에 기초한 발광 소자에 비해 긴 수명, 낮은 전원, 우수한 초기 구동 특성, 높은 진동 저항 및 반복적인 전원 단속에 대한 높은 공차 등의 여러 장점을 갖기 때문에 그 수요가 지속적으로 증가하고 있다.
최근 LED는 조명 장치 및 대형 LCD(Liquid Crystal Display)용 백라이트(Backlight) 장치로 채용되고 있다. 이들은 큰 출력을 요하므로 이러한 LED에는 특히 우수한 방열 성능을 갖는 패키지 구조가 요구된다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 종래의 발광다이오드 패키지에 관하여 설명한다.
도 1은 종래기술에 따른 발광다이오드 패키지의 단면도이다.
도 1에 도시한 발광다이오드 패키지는 "SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE"라는 명칭의 미국특허출원공개 제2005/0057144호(2005년 5월 17일)에서 제안된 것이다. 상기 발광다이오드 패키지는 표면에 회로 패턴(3, 6)이 형성된 기판(1)의 일면에 컵부가 되는 반사 프레임(2)을 설치한 다음 컵부 내에 엘이디 칩(4)을 장착하고 이를 회로 패턴(3)과 전기적으로 연결한 구성이다. 한편, 도면부호 7은 형광체, 8은 확산체이고, 9는 수지이다.
이와 같은 구성의 발광다이오드 패키지는 비교적 단순한 구성으로 제조할 수 있다는 장점이 있다. 하지만, 엘이디 칩(4)에서 발생한 열이 도시한 열 방출 경로(H)를 따라 하부의 회로기판(미도시)으로 전달되기 때문에 방열 효율이 떨어진다는 단점이 있다.
이와 같은 문제점을 해결하기 위하여 리드프레임이 변형된 발광다이오드 패키지가 제안된 바 있다.
도 2는 다른 종래기술에 따른 리드프레임의 사시도이고, 도 3 및 도 4는 다른 종래기술에 따른 발광다이오드 패키지의 단면도이다.
도 2에 도시된 바와 같이 제1 및 제2 리드프레임(10, 20)은 프레임 어레이 시트(S)에서 연장부(14, 24)를 적절한 길이로 절단하여 얻어진다.
제1 리드프레임(10)은 평탄한 기부(12)를 포함하며, 이 기부(12)의 양단에서 한 쌍의 연장부(14)가 연장된다. 상기 기부(12)는 후술하는 히트 싱크인 회로기판과 더 넓은 면적으로 접촉할 수 있도록 가능한 큰 넓이로 형성되어 있다. 연장부(14)는 기부(12)보다 작은 폭으로 형성되고, 도 3에 도시된 바와 같이 패키지 본체(30)에 둘러싸여 리드프레임(10, 20)을 패키지 본체(30)에 단단히 고정시키는 역할을 한다.
제2 리드프레임(20)은 제1 리드프레임(10)에 미리 정해진 간격을 두고 나란히 형성되어, 기부(22)와 한 쌍의 연장부(24)를 포함한다.
상기와 같이 구성되는 제1 리드프레임(10)과 제2 리드프레임(20)은 저면이 패키지 본체(30)의 저면과 일치하고 두 리드프레임(10, 20) 사이에 격리몰드(32)가 형성되도록 패키지 본체(30)와 결합되고, 엘이디 칩(40)이 제1 리드프레임(10)의 상면에 안착된 후 투명 봉지재(50)에 의해 덮여진다.
이와 같이 구성되는 발광다이오드 패키지는 회로기판(60)에 안착되었을 때 제1 리드프레임(10)과 제2 리드프레임(20)이 기판(1)에 직접 접촉되므로, 엘이디 칩(40)에서 발산되는 열이 보다 효과적으로 회로기판(60)으로 전달된다는 효과가 있다.
도 5는 도 4에 도시된 다른 종래기술에 따른 발광다이오드 패키지가 냉각되었을 때의 단면도이다.
그러나 상기와 같은 구조로 구성되는 종래의 발광다이오드 패키지는 패키지 본체(30)가 냉각되었을 때 격리몰드(32)를 포함한 패키지 본체(30) 전체가 축소되므로, 도 5에 도시된 바와 같이 상기 격리몰드(32)는 제1 리드프레임(10) 및 제2 리드프레임(20)과 일정 간격 이격된다. 이와 같이 격리몰드(32)와 두 리드프레임(10, 20) 사이에 갭이 형성되면, 액상의 투명 봉지재(50)를 주입할 때 상기 투명 봉지재(50)가 격리몰드(32)와 두 리드프레임(10, 20) 사이로 새어나올 수 있게 된다.
이와 같이 액상의 투면 봉지재(50)가 리드프레임(10, 20)의 저면으로 새어나오면, 발광다이오드 패키지와 회로기판(60) 사이의 결합력이 약화되고, 리드프레임(10, 20)을 통한 방열효과가 현저히 저하된다는 문제점이 있다.
또한, 리드프레임(10, 20)의 외측 끝단은 패키지 본체(30)에 결합되므로 안정적으로 고정되지만, 리드프레임(10, 20)의 내측 끝단은 격리몰드(32)와 이격되므로 안정적으로 고정되지 못하게 된다는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로, 방열효율이 상승되도록 리드프레임과 회로기판이 직접 접촉되며, 두 리드프레임 사이로 액상의 투명 봉지재가 새어나오는 현상을 방지할 수 있으며, 리드프레임을 안정적으 로 고정할 수 있도록 구성되는 발광다이오드 패키지를 제공하는데 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 발광다이오드 패키지는,
상호 이격되도록 배열되는 제1 리드프레임 및 제2 리드프레임;
상기 제1 리드프레임과 제2 리드프레임의 양단을 둘러싸 고정시키는 고정부와, 제1 리드프레임과 제2 리드프레임 사이를 채우며 상단과 하단이 제1 리드프레임과 제2 리드프레임 사이의 간격 폭방향으로 연장되도록 형성되는 이격부를 포함하는 패키지 본체; 및
상기 제1 리드프레임의 상면에 배치되며, 상기 제1 리드프레임 및 상기 제2 리드프레임과 전기적으로 연결되는 엘이디 칩;
을 포함하여 구성된다.
상기 제1 리드프레임과 제2 리드프레임은,
서로 마주보는 면의 상단부와 하단부 중 적어도 한 부위가 서로 멀어지도록 형성된다.
상기 제1 리드프레임과 제2 리드프레임은,
서로 멀어지도록 형성되는 부위가 절곡된 형상으로 형성된다.
상기 제1 리드프레임과 제2 리드프레임은,
서로 멀어지도록 형성되는 부위가 경사지게 형성된다.
상기 제1 리드프레임과 제2 리드프레임은, 서로 마주보는 면의 하단부가 서로 멀어지도록 형성되며,
상기 이격부는, 상기 제1 리드프레임과 제2 리드프레임의 간격을 채우고, 상기 제1 리드프레임과 제2 리드프레임의 서로 마주보는 측단의 상면 전체 또는 일부를 덮도록 형성된다.
상기 제1 리드프레임은, 평탄하게 형성되는 제1 기부와, 상기 제1 기부의 길이방향 양단으로부터 상기 제1 기부보다 높은 위치를 갖도록 연장되는 제1 연장부를 갖도록 형성되고,
상기 제2 리드프레임은, 평탄하게 형성되는 제2 기부와, 상기 제2 기부의 길이방향 양단으로부터 상기 제2 기부보다 높은 위치를 갖도록 연장되는 제2 연장부를 갖도록 형성된다.
상기 제1 기부와 제2 기부는 저면이 상기 패키지 본체의 저면과 동일평면을 이루도록 형성된다.
상기 제1 연장부와 제2 연장부는 동일한 높이를 갖도록 형성된다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 의한 발광다이오드 패키지의 실시예를 상세히 설명한다.
도 6은 본 발명에 의한 발광다이오드 패키지의 제1 실시예 사시도이고, 도 7은 본 발명에 의한 발광다이오드 패키지 제1 실시예를 도 6에 도시된 A-A선을 따라 절단한 단면도이며, 도 8은 본 발명에 의한 발광다이오드 패키지 제1 실시예를 도 6에 도시된 B-B선을 따라 절단한 단면도이다.
본 발명에 의한 발광다이오드 패키지는 도 6 내지 도 8에 도시된 바와 같이, 전도성 재질로 일측으로 길게 형성되어 상호 이격되도록 폭방향으로 배열되는 제1 리드프레임(110) 및 제2 리드프레임(120); 제1 리드프레임(110)과 제2 리드프레임(120)의 길이방향 양단을 둘러싸도록 결합되어 상기 제1 리드프레임(110)과 제2 리드프레임(120)을 고정시키는 고정부(132)와, 제1 리드프레임(110)과 제2 리드프레임(120) 사이를 채워 상기 제1 리드프레임(110)과 제2 리드프레임(120)을 전기적으로 격리시는 이격부(134)를 포함하는 절연 재질의 패키지 본체(130); 및 상기 제1 리드프레임(110)의 상면에 배치되며, 상기 제1 리드프레임(110) 및 상기 제2 리드프레임(120)과 전기적으로 연결되는 엘이디 칩을 포함하여 구성된다.
패키지 본체(130)는 제1 리드프레임(110)과 제2 리드프레임(120) 둘레에 사출 성형되어 제1 리드프레임(110)과 제2 리드프레임(120)을 감싼다. 이때, 패키지 본체(130)의 상부 중앙에는 리드프레임(110, 120)의 기부(112, 122)의 중앙 부분을 위쪽으로 노출시키는 오목부가 형성되어 있고, 이 오목부는 엘이디 칩의 장착 공간이 된다. 엘이디 칩은 제1 리드프레임(110)의 제1 기부(112) 상면에 안착되어 와이 어에 의해 제2 리드프레임(120)의 제2 기부(122)에 전기적으로 연결된다.
본 실시예에 도시된 엘이디 칩은 이른바 수직 구조의 엘이디 칩으로서, 양극과 음극이 상면과 밑면에 형성되어 있다. 즉, 상면이 양극이면 밑면은 음극이 되어 하부의 제1 리드프레임(110)의 제1 기부(112)와 전기적으로 연결된다. 이와 달리, 양쪽 전극이 일면에 형성된 이른바 평면 구조 엘이디 칩인 경우에는, 별도의 와이어를 이용하여 엘이디 칩을 제1 리드프레임(110)의 제1 기부(112)에 전기적으로 연결할 수 있다.
도 8에 도시된 바와 같이, 상기 제1 리드프레임(110)은 평탄하게 형성되는 제1 기부(112)와 상기 제1 기부(112)의 길이방향 양단으로부터 상기 제1 기부(112)보다 높은 위치를 갖도록 연장되는 제1 연장부(114)를 갖도록 형성되고, 상기 제2 리드프레임(120)은 평탄하게 형성되는 제2 기부(122)와 상기 제2 기부(122)의 길이방향 양단으로부터 상기 제2 기부(122)보다 높은 위치를 갖도록 연장되는 제2 연장부(124)를 갖도록 형성된다.
상기 제1 리드프레임(110)과 제2 리드프레임(120)은, 상기 엘이디 칩으로 인가되는 전류를 전달하는 역할을 할 뿐만 아니라, 엘이디 칩에서 발생되는 열을 회로기판(60)으로 방출시키는 히트싱크 역할도 함께 한다. 따라서 상기 제1 리드프레임(110)의 제1 기부(112)는 저면이 패키지 본체(130)의 저면보다 높지 않게 형성되며, 바람직하게는 발광다이오드 패키지가 보다 안정적으로 회로기판(60)에 실장될 수 있도록 패키지 본체(130)의 저면과 동일 평면을 이루도록 형성된다. 이때 제2 리드프레임(120)의 제2 기부(122) 역시 저면이 패키지 본체(130)의 저면과 동일평면을 이루도록 형성됨이 바람직하다.
상기 제1 리드프레임(110)과 제2 리드프레임(120)은 패키지 본체(130)의 측단으로 노출되는 제1 연장부(114) 및 제2 연장부(124)를 통해 외부로부터 전류를 인가받도록 구성될 수도 있고, 제1 기부(112) 및 제2 기부(122)의 저면을 통해 외부로부터 전류를 인가받도록 구성될 수도 있다.
이와 같이 제1 연장부(114)와 제2 연장부(124)가 제1 기부(112) 및 제2 기부(122)보다 높게 형성되면, 패키지 본체(130) 제조를 위한 사출 공정 시 제1 리드프레임(110) 및 제2 리드프레임(120)의 고정을 위한 제1 연장부(114) 및 제2 연장부(124)의 거취가 보다 용이해진다는 장점이 있다.
또한, 제1 리드프레임(110)과 제2 리드프레임(120)은 제조공정의 편의를 위해 일반적으로 프레스 공정을 통해 기부(112, 122)와 연장부(114, 124)간에 단차가 형성되도록 제작되는데(도 2 참조), 이와 같은 경우 상기 제1 연장부(114)와 제2 연장부(124)는 프레임 어레이 시트(S)를 지지하는 역할을 하게 되므로 동일한 높이를 갖도록 형성됨이 바람직하다.
상기 이격부(134)는 도 7에 도시된 바와 같이, 상단부와 하단부가 제1 리드프레임(110)과 제2 리드프레임(120) 사이의 간격 폭방향으로 연장되도록 즉, 중단부가 잘록한 형상으로 형성된다. 따라서 상기 이격부(134)는 제1 리드프레임(110) 및 제2 리드프레임(120)과의 접촉면적이 증가되므로, 제1 리드프레임(110)과 제2 리드프레임(120) 사이의 간격을 통해 액상의 투명 봉지재가 새어나올 우려가 감소된다. 또한 이격부(134)의 상단부와 하단부가 연장되도록 형성되면 제1 리드프레임(110) 또는 제2 리드프레임(120) 저면으로 도달하기 위한 액상 투명 봉지재의 유로 길이가 길어지게 되므로, 이격부(134)와 제1 리드프레임(110) 사이 또는 이격부(134)와 제2 리드프레임(120) 사이로 액상의 투명 봉지재가 유입된다 하더라도 제1 리드프레임(110) 또는 제2 리드프레임(120)의 저면에 도달하기 이전에 경화되어 제1 리드프레임(110) 또는 제2 리드프레임(120)의 저면으로 새는 현상이 방지된다는 효과도 있다. 또한, 상기 이격부(134)가 도 7에 도시된 바와 같이 형성되면, 제1 리드프레임(110)과 제2 리드프레임(120)의 상면 및 하단부를 잡아주는 역할을 하게 되므로 제1 리드프레임(110)과 제2 리드프레임(120)의 내측 단부를 보다 안정적으로 고정시킬 수 있게 된다는 효과도 발생된다.
이때, 상기 제1 리드프레임(110)은 엘이디 칩에서 발생되는 열을 보다 효과적으로 방출시킬 수 있도록 회로기판(60)의 상면과 직접 접촉될 수 있도록 베이스프레임의 저면과 동일한 평면을 이루도록 형성되어야 하는바, 상기 이격부(134)의 상단부는 상기 제1 리드프레임(110)과 제2 리드프레임(120)의 상면 일부를 덮도록 형성될 수 있지만, 상기 이격부(134)의 하단부는 상기 제1 리드프레임(110)의 저면보다 하측으로 돌출되도록 형성되어서는 아니된다. 따라서 상기 제1 리드프레임(110)과 제2 리드프레임(120)은, 서로 마주보는 면의 하단부가 서로 멀어지도록 절곡된 형상으로 형성되고, 상기 이격부(134)는 상기 제1 리드프레임(110)과 제2 리드프레임(120)의 절곡된 부위를 모두 채우도록 형성됨이 바람직하다.
또한, 패키지 본체(130)는 통상적으로 사출 성형되므로 냉각과정을 거치는 동안 부피가 수축되는데, 이때 이격부(134) 역시 도 7의 확대도에 도시된 바와 같이 화살표 방향으로 수축이 발생되어 제1 리드프레임(110) 및 제2 리드프레임(120)과 약간의 갭이 형성된다. 이와 같이 본 발명에 적용되는 이격부(134)는 수축에 의해 비록 중단부가 제1 리드프레임(110) 및 제2 리드프레임(120)과 일정 간격 이격되기는 하지만, 수축이 진행됨에 따라 상단부의 저면이 제1 리드프레임(110)과 제2 리드프레임(120)의 상면에 점점 압착되고 하단부의 상면 역시 제1 리드프레임(110)과 제2 리드프레임(120)에 점점 압착되므로, 제1 리드프레임(110)과 제2 리드프레임(120) 사이의 간격으로 액상의 투명 봉지재가 새어나올 우려가 더욱 없어지게 된다.
도 9는 본 발명에 의한 발광다이오드 패키지의 제2 실시예 단면도이고, 도 10은 본 발명에 의한 발광다이오드 패키지의 제3 실시예 단면도이며, 도 11은 본 발명에 의한 발광다이오드 패키지의 제4 실시예 단면도이다.
본 발명에 적용되는 제1 리드프레임(110)과 제2 리드프레임(120)은, 도 7에 도시된 바와 같이 서로 마주보는 면의 하단부가 계단형으로 절곡된 형상으로 형성될 수도 있고, 도 9에 도시된 바와 같이 하측으로 갈수록 넓어지는 방향으로 경사지게 형성될 수도 있다. 즉, 제1 리드프레임(110)과 제2 리드프레임(120)의 하단부가 넓어지는 형상은 특정한 형상으로 한정되지 아니하고, 수축 시 이격부(134)가 제1 리드프레임(110)과 제2 리드프레임(120)에 압착될 수 있는 구조라면 어떠한 형 상으로도 변경될 수 있다.
또한 본 발명에 적용되는 제1 리드프레임(110)과 제2 리드프레임(120)은, 서로 마주보는 면의 하단부뿐만 아니라 상단부 역시 계단형으로 절곡된 형상으로 형성될 수도 있다. 이와 같이 상기 제1 리드프레임(110)과 제2 리드프레임(120)의 상단부까지 절곡된 형상으로 형성되면 제1 리드프레임(110) 및 제2 리드프레임(120)의 상면과 이격부(134)의 상면이 동일 평면을 이루게 되므로, 엘이디 칩 장착 및 와이어 연결이 보다 용이해지며 엘이디 칩에서 발광되는 빛이 이격부(134)에 간섭되지 아니하게 된다는 장점이 있다.
또한 도 10에 도시된 바와 같이 제1 리드프레임(110)과 제2 리드프레임(120)의 상호 마주보는 면 중 제1 리드프레임(110)측만 절곡된 형상으로 형성되고, 상기 이격부(134)는 상단부와 하단부가 제1 리드프레임(110)측으로만 연장되도록 형성될 수 있다. 반대로, 제1 리드프레임(110)과 제2 리드프레임(120)의 상호 마주보는 면 중 제2 리드프레임(120)측만 절곡된 형상으로 형성되고, 상기 이격부(134)는 상단부와 하단부가 제2 리드프레임(120)측으로만 연장되도록 형성될 수도 있다.
상기 이격부(134)가 도 10에 도시된 구조로 형성되면, 두 리드프레임(110, 120) 중 어느 하나의 리드프레임만을 절곡시키므로 리드프레임의 제조가 간편해지고, 이격부(134)의 형상이 보다 단순해지므로 사출공정이 용이해진다는 장점이 있다.
도 12는 본 발명에 의한 발광다이오드 패키지의 제5 실시예 사시도이고, 도 13은 본 발명에 의한 발광다이오드 패키지 제5 실시예를 도 12에 도시된 C-C선을 따라 절단한 단면도이다.
도 12 및 도 13에 도시된 바와 같이, 상기 이격부(134)는 제1 리드프레임(110)과 제2 리드프레임(120)이 서로 마주보는 측의 상면 중 일부 부위만을 덮도록 즉, 상단부의 일부 부위만이 폭방향으로 연장되도록 제작될 수도 있다. 이때 이격부(134)의 하단부는 도 7에 도시된 실시예와 같이 전체에 걸쳐 폭방향으로 연장되므로 액상의 투명 봉지재가 패키지 본체(130) 저면으로 새어나가지 아니하게 된다.
상기와 같이 이격부(134)의 상단부 중 일부 부위만이 폭방향으로 연장되도록 형성되면, 엘이디 칩 장착 및 와이어 연결 작업이 용이해지며, 엘이디 칩에서 발광되는 빛이 이격부(134)에 간섭됨으로써 발광효율이 저하되는 현상을 감소시킬 수 있다는 이점이 있다.
이상, 본 발명을 바람직한 실시 예를 사용하여 상세히 설명하였으나, 본 발명의 범위는 특정 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 첨부된 특허청구범위에 의하여 해석되어야 할 것이다. 또한, 이 기술분야에서 통상의 지식을 습득한 자라면, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않으면서도 많은 수정과 변형이 가능함을 이해하여야 할 것이다.
본 발명에 의한 발광다이오드 패키지는, 리드프레임과 회로기판(60)이 직접 접촉되므로 엘이디 칩의 방열효율이 상승되고, 두 리드프레임 사이를 통해 패키지 본체 저면으로 액상의 투명 봉지재가 새어나오는 현상을 방지할 수 있으며, 보다 안정적으로 리드프레임을 고정시킬 수 있다는 장점이 있다.

Claims (8)

  1. 상호 이격되도록 배열되는 제1 리드프레임(110) 및 제2 리드프레임(120);
    상기 제1 리드프레임(110)과 제2 리드프레임(120)의 양단을 둘러싸 고정시키는 고정부(132)와, 제1 리드프레임(110)과 제2 리드프레임(120) 사이를 채우며 상단과 하단이 제1 리드프레임(110)과 제2 리드프레임(120) 사이의 간격 폭방향으로 연장되도록 형성되는 이격부(134)를 포함하는 패키지 본체(130); 및
    상기 제1 리드프레임(110)의 상면에 배치되며, 상기 제1 리드프레임(110) 및 상기 제2 리드프레임(120)과 전기적으로 연결되는 엘이디 칩;
    을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 리드프레임(110)과 제2 리드프레임(120)은,
    서로 마주보는 면의 상단부와 하단부 중 적어도 한 부위가 서로 멀어지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 리드프레임(110)과 제2 리드프레임(120)은,
    서로 멀어지도록 형성되는 부위가 절곡된 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 제1 리드프레임(110)과 제2 리드프레임(120)은,
    서로 멀어지도록 형성되는 부위가 경사지게 형성되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 리드프레임(110)과 제2 리드프레임(120)은, 서로 마주보는 면의 하단부가 서로 멀어지도록 형성되며,
    상기 이격부는, 상기 제1 리드프레임(110)과 제2 리드프레임(120)의 간격을 채우고, 상기 제1 리드프레임(110)과 제2 리드프레임(120)의 서로 마주보는 측단의 상면 전체 또는 일부를 덮도록 형성되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 리드프레임(110)은, 평탄하게 형성되는 제1 기부(112)와, 상기 제1 기부(112)의 길이방향 양단으로부터 상기 제1 기부(112)보다 높은 위치를 갖도록 연장되는 제1 연장부(114)를 갖도록 형성되고,
    상기 제2 리드프레임(120)은, 평탄하게 형성되는 제2 기부(122)와, 상기 제2 기부(122)의 길이방향 양단으로부터 상기 제2 기부(122)보다 높은 위치를 갖도록 연장되는 제2 연장부(124)를 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1 기부(112)와 제2 기부(122)는 저면이 상기 패키지 본체(130)의 저면과 동일평면을 이루도록 형성되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 제1 연장부(114)와 제2 연장부(124)는 동일한 높이를 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR101711644B1 (ko) * 2010-11-15 2017-03-03 서울반도체 주식회사 발광다이오드 패키지
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KR102178707B1 (ko) * 2014-03-28 2020-11-13 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 패키지
KR102599333B1 (ko) * 2016-12-23 2023-11-06 엘지디스플레이 주식회사 광원 모듈 및 이를 포함하는 백라이트 유닛과 액정 표시 장치
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050111297A (ko) * 2004-05-21 2005-11-24 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 패키지의 반사체

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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