JP4196410B2 - 表示装置の製造方法 - Google Patents
表示装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4196410B2 JP4196410B2 JP2005286877A JP2005286877A JP4196410B2 JP 4196410 B2 JP4196410 B2 JP 4196410B2 JP 2005286877 A JP2005286877 A JP 2005286877A JP 2005286877 A JP2005286877 A JP 2005286877A JP 4196410 B2 JP4196410 B2 JP 4196410B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bank
- thin film
- layer
- film
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 50
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 296
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 231
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 225
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 210
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 126
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 90
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 87
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 86
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 67
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims description 55
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 53
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 49
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 39
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 38
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 27
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 21
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 20
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 15
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 11
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 5
- 230000006837 decompression Effects 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 303
- 239000000976 ink Substances 0.000 description 98
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 65
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 64
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 50
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 36
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 36
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 36
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 31
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 31
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 31
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 26
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 25
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 22
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 22
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 22
- 230000008569 process Effects 0.000 description 22
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 20
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 20
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 19
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 19
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 18
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 18
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 17
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 17
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 16
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 16
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 16
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 16
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 15
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 15
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 14
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 14
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 14
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 13
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000002715 modification method Methods 0.000 description 12
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 11
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 10
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 10
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 9
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 9
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 9
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 8
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 8
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 6
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 6
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 6
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- -1 poly (para-phenylene vinylene) Polymers 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 5
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 5
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 4
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 4
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 4
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 4
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 3
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 3
- GSNUFIFRDBKVIE-UHFFFAOYSA-N DMF Natural products CC1=CC=C(C)O1 GSNUFIFRDBKVIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- 239000001044 red dye Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000002918 Fraxinus excelsior Nutrition 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000003849 aromatic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000002956 ash Substances 0.000 description 1
- 239000001045 blue dye Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000003682 fluorination reaction Methods 0.000 description 1
- 150000002221 fluorine Chemical class 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 239000001046 green dye Substances 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920001709 polysilazane Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- MUSLHCJRTRQOSP-UHFFFAOYSA-N rhodamine 101 Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=CC=C1C(C1=CC=2CCCN3CCCC(C=23)=C1O1)=C2C1=C(CCC1)C3=[N+]1CCCC3=C2 MUSLHCJRTRQOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N rhodamine B Chemical compound [Cl-].C=12C=CC(=[N+](CC)CC)C=C2OC2=CC(N(CC)CC)=CC=C2C=1C1=CC=CC=C1C(O)=O PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/201—Filters in the form of arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
- H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Optical Filters (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
(1) バンクが、d/2<b<5dを満足するように基板上に形成されてなる。この特性範囲を満たすことによって、液体材料がバンクに乗り上げず、画素内の混色が防止される。さらに、次の特性の少なくとも一つがこの特性に付加される。
(2) a>d/4:bが小さい場合、a>d/4ならば、液体材料はバンクに乗り上げることがあるが、被塗布領域内の薄膜材料の混合が防止される。
(3) c>tO〔tO(μm)は薄膜層の膜厚〕
(4) c>d/(2b)
なお、ストライプまたは四角形の被塗布領域の場合、上記パラメータa,cは一定になるが、画素がサークルの場合、パラメータaは画素間最短距離であり、パラメータcは直径になる。
(1):第1の実施例(インタジェット法を用いる態様)
本発明の表示装置は、基板上に、所定の高さのバンク、及び該バンクにより区切られた基板表面にインクジェット法により形成される薄膜層を有する表示装置において、上記バンクの幅をa(μm)、その高さをc(μm)とし、上記バンクに区切られる被塗布領域の幅をb(μm)とし、かつ、薄膜層を形成する液体材料の液滴径をd(μm)とするとき、上記バンクが、a>d/4、d/2<b<5d、c>tO〔tO(μm)は薄膜層の膜厚〕、及びc>(l/2)×(d/b)の各々の式を満足するように基板上に形成されたものである。図1はインクジェット法により本発明の表示装置を形成する際の基板に設けられたバンクと液滴の関係を説明するための模式図である。
本発明の表示装置に用いた基板上に設けられたバンク(凸部または仕切り部材とも呼ばれる)は、例えばフルカラー有機EL素子を利用した表示装置の画素、或いは、カラーフィルタの画素領域を仕切るために設けられる仕切部材をいう。
バンクは基板上に形成される。基板としては、表示装置に使用する薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transistor)が形成された駆動基板であっても、カラーフィルタに使用する透明基板であってもよいが、その表面がバンクとの密着性の高い部材で形成されていることが好ましい。特に、無機材料で構成されていることが、後述の表面処理において好適な親和性を得る点で好ましい。このようなものとして、例えば、表示装置であれば透明電極であるITOなどが、カラーフィルタであればガラスや石英等でが挙げられる。
本発明の表示装置は、上記バンクにより区切られた基板表面、すなわち被塗布領域にインクジェット法により液体材料を用いて形成された薄膜層を有する。上記被塗布領域を形成する基板については上述の通りである。本発明においては、薄膜層を形成する液体材料のインクジェット液滴径をd(μm)とするとき、被塗布領域の幅b(μm)をd/2<b<5dの範囲の値とすることが必要である。bの値がd/2(μm)以下であるときは液滴が被塗布領域に溢れ、バンクを介して隣接する画素領域に流出してしまったり、たとえバンクに撥液性があったとしても、液滴がバンクの上に乗り上げてしまう等の問題が生じる。また、bの値が5d(μm)以上であるときは液滴は被塗布領域に広がるが膜厚が薄くなり、所望の膜厚を得るためには複数回の重ね打ちが必要となり不経済である。また場合によっては、均一に濡れ広がらないこともある。
本発明においては、バンク表面が被塗布領域に比べて液体材料に対する非親和性の程度がより高くなるように、バンク及び被塗布領域の基板材料に表面処理を施しておくことが好ましい。このような表面処理により液体材料のバンク表面に対する接触角を50度以上とし、また被塗布領域の基板材料に対する接触角を20度以下とすることが好ましい。このようにすることにより、薄膜層の厚さに比べて多量の液体材料を吐出しても、液体材料がバンクを乗り越え溢れでることもなく、所定の被塗布領域のみに充填される。
本発明においては、上記バンクで仕切られた被塗布領域に、インクジェット法により液体材料を塗布し薄膜層を形成する。インクジェット法を用いることにより、任意の被塗布領域に任意の量で液体材料を充填することができ、また、家庭用プリンタに使用されるような小型の装置で充填が可能となる。本発明においては、吐出される液滴の径d(μm)に対して、バンク及び該バンクに仕切られる被塗布領域の形状,大きさを最適化することにより、隣の画素との混色が起こらず、各画素毎の膜厚のばらつきのない薄膜層が得られるのである。
本発明者らは、基板上に、所定の高さのバンク、及び該バンクにより区切られ被塗布領域を設け、所望の表面処理を行い、ディップ法又はスピンコート法により形成される薄膜層を有する表示装置において、上記薄膜層が表面張力が30dyne/cmの液体材料を用いて形成されたことを特徴とする薄膜形成方法によっても、本発明の目的が達成されることを見出した。特に、上記表示装置は、インクジェット方式を用いた塗布の場合と異なり、バンクあるいは被塗布領域の形状あるいは大きさに何ら限定を加えることなく、バンク、基板の表面エネルギに加え、液体材料の表面エネルギを制御することにより、上記目的を達成し、上記インクジェット法に比較しても更に微細なパターニングを可能とするものである。特に、上記表面張力の範囲に制御することにより、金属配線等の微細パターニングに有効に用いられることとなり、数μm幅でのパターニングが可能となる。また、有機EL素子製造に用いられる正孔注入層がR,G,Bで共通の材料を用いる場合にも有効である。
本発明の表示装置の具体的構成について以下に説明する。
(構成)図3は本実施形態におけるアクティブマトリックス型表示装置の全体のレイアウトを模式的に示すブロック図である。図4は図3における画素の一つを示す平面図、図5A〜5Cはそれぞれ図4の切断面A−Aにおける断面図、切断面B−Bにおける断面図、切断面C−Cにおける断面図である。
次に、上記構成のアクティブマトリックス型表示装置の製造方法について説明する。
なお、本発明は上記実施態様に限定されることなく、本発明の範囲内において、種々変更して実施することができる。例えば、本発明はカラーフィルタに適用することができる。図6は本発明に適用したカラーフィルタの一例の断面図である。この場合、基板にガラスや石英からなる透明基板300を、バンクとして樹脂等の黒色材料で形成した仕切部材301を、液体材料として着色樹脂302を使用する。仕切部材301としては、黒色顔料・染料や酸化クロム、クロム金属膜等を適用してブラックマトリクスを形成してもよい。透明基板300上に仕切部材301を形成した後、インクジェット法により仕切部材301に囲まれた凹部被塗布領域303に着色樹脂302を充填する。その他、仕切り状の部材に囲まれた凹部に任意の流動体を充填して得られたもの、及びその製造方法であれば、本発明の適用は可能である。
バンク材料:ポリイミド(SiO2+ポリイミドの積層構造バンクでも良い。)
基板材料:ITOバンク表面接触角:60度(プラズマ処理)
被塗布領域接触角:10度(プラズマ処理)
液体材料:ポリパラフェニレンビニレン前駆体溶液(PPV前駆体をDMFを主成分とする溶液に溶かし、グリセリン、ジエチレングリコールを少量添加し、インク化したもの)
評価基準 ◎:バンク上に残渣が残ることなく液滴は完全に凹部に収まる(図7D)
R,G,Bの同時吐出が可能である。
○:液滴は凹部に収まるが、若干バンクに残渣が残る(図7C)
△:液滴がバンク上に乗り上げてしまう。(図7B)
乾燥後バンク上に材料が残る。R,G,Bの同時吐出は不可能である。
×:液体材料が隣接する凹部に溢れ出す(図7A)
ぬれが凹部に完全に広がらない(図7E)、ぬれが広がったとしても膜厚が薄いので数回の重ね打ちが必要となる。
(4):第4の実施例
本発明の第4の実施例は単一材料でバンクを形成した際の薄膜形成方法に関する。図8A〜8Dに本実施例の製造工程断面図を示す。本実施例はバンク形成面に任意の形状でバンクを設け、バンクで仕切られた領域に所定の流動体を充填するようなあらゆる用途に適用されるものである。例えば有機半導体薄膜素子を利用した表示素子で有機半導体材料を画素領域に充填する場合やカラーフィルタで着色樹脂を画素領域に充填する場合に適用可能である。
本発明の第5の実施例は二層構造でバンクを形成した際の薄膜形成方法に関する。特に無機材料で下層を有機材料で上層を形成する点に特徴がある。
本発明の第6の実施例は上記第5の実施例とは異なる方法で二層構造でバンクを形成するものである。図11A〜11Fおよび図12A〜12Cに本実施例の製造工程断面図を示す。本実施形態は上記第4の実施例と同様に、バンク形成面に任意の形状でバンクを設け、バンクで仕切られた領域に所定の流動体を充填するようなあらゆる用途に適用されるものである。例えば有機半導体薄膜素子を利用した表示素子で有機半導体材料を画素領域に充填する場合やカラーフィルタで着色樹脂を画素領域に充填する場合に適用可能である。バンク形成面、下層膜、バンク上層についての材料や厚みについては上記第4および第5の実施例と同様なので説明を省略する。
第7の実施例は、実際の表示装置に前述した第5の実施例を適用して製造された表示装置に関する。
(全体構成)
この表示装置は、アクティブマトリクス型表示装置で成り、その全体構成は、前述した図3で説明したのと同一である(このため、構成要素の符号は、図3と同一のものを用い、その重複部分の説明を省略する)。図13はそれに構成されている画素の1つを抜き出して示す平面図、図14A〜14Cはそれぞれ図13の切断面A−A'における断面図、切断面B−B'における断面図、および切断面C−C'における断面図である。
上記構成において、バンク層bankは有機半導体材料203をインクジェット方式により充填する前に、上記実施形態と同様にフッ素またはフッ素化合物を導入ガスとしたプラズマ処理がされる。このため画素電極41≧下層側絶縁層62>上層側絶縁層62という順番で有機半導体材料に対する親和性が形成される。このため有機半導体材料を含んだ薄膜材料液をバンク層bankで囲まれた画素領域一杯に充填しても、下層側絶縁層62の高さに有機半導体膜43が落ち着き、有機半導体膜43が凹字状に固化することを防止でき、平坦な有機半導体膜43を形成することができる。有機半導体膜43に膜厚の薄い部分があると、そこに薄膜発光素子40の駆動電流が集中し、薄膜発光素子40の信頼性が低下することになるが、そのような間題を排除することができる。
上記のように構成したアクティブマトリクス型表示装置1において、走査信号によって選択されて第1のTFT20がオン状態になると、データ線sigからの画像信号が第1のTFT20を介して第2のTFT30のゲート電極31に印加される。同時に画像信号が第1のTFT20を介して保持容量capに書き込まれる。その結果、第2のTFT30がオン状態になると、対向電極opおよび画素電極41をそれぞれ負極および正極として電圧が印加され、印加電圧がしきい値電圧を越えた領域で有機半導体膜43に流れる電流(駆動電流)が急激に増大する。従って発光素子40はエレクトロルミネッセンス素子あるいはLED素子として発光する。発光素子40の光は、対向電極opに反射されて透明な画素電極41および透明基板10を透過して射出される。このような発光を行うための駆動電流は、対向電極op、有機半導体膜43、画素電極41、第2のTFT30、および共通給電線comから構成される電流経路を流れるため、第2のTFT30がオフ状態になると流れなくなる。但し第2のTFT30のゲート電極は、第1のTFT20がオフ状態になっても、保持容量capによって画像信号に相当する電位に保持されるので、第2のTFT30はオン状態のままである。それ故、発光素子40には駆動電流が流れ続け、この画素は点灯状態のままである。この状態は、新たな画像データが保持容量capに書き込まれて、第2のTFT30がオフ状態になるまで維持される。
(表示装置の製造方法)
次に上記構成のアクティブマトリクス型表示装置の製造方法について図15A〜15C乃至図20A〜20Cを参照しながら説明する。本製造方法は表示装置に第5の実施例の製造方法を適用したものである。
なお、上記第4〜第7実施例に限定されることはなく、発明の趣旨の範囲で種々に変更して適用することが可能である。
(8):第8の実施例
本発明の実施の形態1に係わる表面改質法について図面を用いて説明する。
本発明の第9の実施例に係わる薄膜形成方法ならびに有機半導体薄膜を備えた有機EL素子の製造方法について図面を用いて説明する。図23A〜23Bは有機EL素子の製造方法を示す工程断面図である。
本発明の第10の実施例に係わる薄膜形成方法ならびに着色薄膜を備えたカラーフィルターの製造方法について図面を用いて説明する。
(11):第11の実施例
本発明の第11の実施例に係わる表面改質法ならびに薄膜形成法について図面を用いて説明する。
Claims (5)
- 無機材料の部分を有するバンク形成面に選択的に少なくとも有機材料を含むバンクを形成し、前記バンクで囲まれた領域に、薄膜材料液を充填して所定の厚さの薄膜層を形成する工程を含む表示装置の製造方法であって、
プラズマ処理を前記バンクおよび前記バンク形成面に対して施す表面処理工程と、
前記バンクで囲まれる領域に前記薄膜材料液を吐出する材料液吐出工程と、
前記薄膜材料液の溶媒成分を除去する乾燥工程と、を備え、
前記薄膜層が所定の厚さとなるように前記材料液吐出工程と溶媒成分除去工程とを繰り返すことを特徴とする表示装置の製造方法。 - 前記乾燥工程は、加熱処理または減圧処理の少なくとも一つを行うことを特徴とする請求項1に記載の表示装置の製造方法。
- 前記材料液吐出工程は、インクジェット方式によって行われることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の表示装置の製造方法。
- 前記薄膜層を形成する工程によってカラーフィルターが形成される請求項1乃至3のいずれか一項に記載の表示装置の製造方法。
- 第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極の間に設けられた有機半導体膜とを有し、バンクによって囲まれた領城に薄膜材料液を充填し前記有機半導体膜を形成する工程を含む薄膜発光素子の製造方法であって、
基板上に、前記第1電極を無機材料から形成する工程と、
前記第1電極を仕切るように、前記バンクを有機材料により形成する工程と、
前記バンクで囲まれる領域に前記薄膜材料液を吐出する材料液吐出工程と、
前記薄膜材料液の溶媒成分を除去する乾燥工程と、を備え、
前記薄膜層が所定の厚さとなるように前記材料液吐出工程と溶媒成分除去工程とを繰り返すことを特徴とする薄膜発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005286877A JP4196410B2 (ja) | 1998-03-17 | 2005-09-30 | 表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6750898 | 1998-03-17 | ||
JP3212399 | 1999-02-10 | ||
JP2005286877A JP4196410B2 (ja) | 1998-03-17 | 2005-09-30 | 表示装置の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002046904A Division JP3743630B2 (ja) | 1998-03-17 | 2002-02-22 | 薄膜発光素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006086128A JP2006086128A (ja) | 2006-03-30 |
JP4196410B2 true JP4196410B2 (ja) | 2008-12-17 |
Family
ID=26370648
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP54685899A Expired - Lifetime JP3328297B2 (ja) | 1998-03-17 | 1999-03-17 | 表示装置の製造方法 |
JP2000076979A Expired - Lifetime JP3692524B2 (ja) | 1998-03-17 | 2000-03-17 | 薄膜パターニング用基板 |
JP2005286877A Expired - Lifetime JP4196410B2 (ja) | 1998-03-17 | 2005-09-30 | 表示装置の製造方法 |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP54685899A Expired - Lifetime JP3328297B2 (ja) | 1998-03-17 | 1999-03-17 | 表示装置の製造方法 |
JP2000076979A Expired - Lifetime JP3692524B2 (ja) | 1998-03-17 | 2000-03-17 | 薄膜パターニング用基板 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (5) | US7015503B2 (ja) |
EP (2) | EP0989778B1 (ja) |
JP (3) | JP3328297B2 (ja) |
KR (4) | KR100660384B1 (ja) |
CN (5) | CN100550472C (ja) |
DE (1) | DE69939514D1 (ja) |
TW (1) | TW439389B (ja) |
WO (1) | WO1999048339A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11239294B2 (en) | 2018-11-28 | 2022-02-01 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
Families Citing this family (463)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100660384B1 (ko) | 1998-03-17 | 2006-12-21 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 표시장치의 제조방법 |
JP3646510B2 (ja) * | 1998-03-18 | 2005-05-11 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜形成方法、表示装置およびカラーフィルタ |
JP4200553B2 (ja) * | 1998-08-28 | 2008-12-24 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | インクジェット方式によるカラーフィルターの作製方法及びカラーフィルター |
BR0011888A (pt) | 1999-06-21 | 2004-03-09 | Univ Cambridge Tech | Processo para formar um dispositivo eletrônico, dispositivo eletrônico, circuito lógico, visor de matriz ativa, e, transistor de polímero |
JP2001085162A (ja) * | 1999-09-10 | 2001-03-30 | Sharp Corp | 有機発光素子及びその製造方法 |
TW480722B (en) | 1999-10-12 | 2002-03-21 | Semiconductor Energy Lab | Manufacturing method of electro-optical device |
JP4780826B2 (ja) * | 1999-10-12 | 2011-09-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電気光学装置の作製方法 |
TW471011B (en) | 1999-10-13 | 2002-01-01 | Semiconductor Energy Lab | Thin film forming apparatus |
JP2001126867A (ja) * | 1999-10-26 | 2001-05-11 | Seiko Epson Corp | 表示装置の製造方法 |
WO2001041229A1 (en) * | 1999-11-29 | 2001-06-07 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Organic electroluminescent device and a method of manufacturing thereof |
JP2001166301A (ja) * | 1999-12-06 | 2001-06-22 | Seiko Epson Corp | バックライト内蔵型液晶表示装置及びその製造方法 |
GB9930217D0 (en) * | 1999-12-21 | 2000-02-09 | Univ Cambridge Tech | Solutiion processed transistors |
EP1243034A1 (en) * | 1999-12-21 | 2002-09-25 | Plastic Logic Limited | Solution processed devices |
AU781789B2 (en) * | 1999-12-21 | 2005-06-16 | Flexenable Limited | Solution processing |
JP2001196644A (ja) * | 2000-01-11 | 2001-07-19 | Nichia Chem Ind Ltd | 光半導体装置及びその製造方法 |
TWI252592B (en) | 2000-01-17 | 2006-04-01 | Semiconductor Energy Lab | EL display device |
KR100344777B1 (ko) * | 2000-02-28 | 2002-07-20 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 박막트랜지스터를 포함하는 소자 제조방법 |
JP4601843B2 (ja) * | 2000-02-29 | 2010-12-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
JP4061810B2 (ja) * | 2000-03-24 | 2008-03-19 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | カラーフィルター用中間品の作製方法、カラーフィルターの作製方法 |
JP4078785B2 (ja) * | 2000-03-24 | 2008-04-23 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | カラーフィルター用中間品の作製方法、カラーフィルターの作製方法 |
JP2002237383A (ja) * | 2000-03-31 | 2002-08-23 | Seiko Epson Corp | 有機el素子の製造方法、有機el素子 |
TW490997B (en) | 2000-03-31 | 2002-06-11 | Seiko Epson Corp | Method of manufacturing organic EL element, and organic EL element |
JP4048687B2 (ja) * | 2000-04-07 | 2008-02-20 | セイコーエプソン株式会社 | 有機el素子および有機el素子の製造方法 |
TW493282B (en) * | 2000-04-17 | 2002-07-01 | Semiconductor Energy Lab | Self-luminous device and electric machine using the same |
ATE324603T1 (de) * | 2000-06-02 | 2006-05-15 | Canon Kk | Herstellungsverfahren für ein optisches element |
JP4677085B2 (ja) * | 2000-10-12 | 2011-04-27 | キヤノン株式会社 | 光学素子の製造方法 |
JP3854782B2 (ja) * | 2000-06-02 | 2006-12-06 | キヤノン株式会社 | 光学素子とその製造方法 |
US7339317B2 (en) | 2000-06-05 | 2008-03-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device having triplet and singlet compound in light-emitting layers |
JP4663068B2 (ja) * | 2000-07-13 | 2011-03-30 | キヤノン株式会社 | 光学素子の製造方法 |
JP4785236B2 (ja) * | 2000-10-20 | 2011-10-05 | キヤノン株式会社 | 液晶素子の製造方法 |
JP4127608B2 (ja) * | 2000-10-20 | 2008-07-30 | 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 | 自己発光表示パネル |
JP4632337B2 (ja) * | 2000-11-10 | 2011-02-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
TW522577B (en) | 2000-11-10 | 2003-03-01 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device |
JP2002148429A (ja) * | 2000-11-16 | 2002-05-22 | Canon Inc | 光学素子とその製造方法、該光学素子を用いた液晶素子 |
US6980272B1 (en) * | 2000-11-21 | 2005-12-27 | Sarnoff Corporation | Electrode structure which supports self alignment of liquid deposition of materials |
JP4612773B2 (ja) * | 2001-01-10 | 2011-01-12 | キヤノン株式会社 | 光学素子の製造方法 |
JP4011292B2 (ja) | 2001-01-15 | 2007-11-21 | 株式会社日立製作所 | 発光素子、及び表示装置 |
JP2004518298A (ja) * | 2001-01-24 | 2004-06-17 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 基板上に細条を設ける方法 |
JP2002231445A (ja) * | 2001-01-31 | 2002-08-16 | Dainippon Printing Co Ltd | El素子およびその製造方法 |
SG143946A1 (en) | 2001-02-19 | 2008-07-29 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of manufacturing the same |
JP2005135929A (ja) * | 2001-02-19 | 2005-05-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の作製方法 |
JP4223218B2 (ja) * | 2001-02-19 | 2009-02-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
GB2373095A (en) * | 2001-03-09 | 2002-09-11 | Seiko Epson Corp | Patterning substrates with evaporation residues |
DE10111790A1 (de) * | 2001-03-12 | 2002-09-26 | Bayer Ag | Neue Polythiophen-Dispersionen |
JP2002280172A (ja) * | 2001-03-15 | 2002-09-27 | Seiko Epson Corp | 有機el表示パネルおよびその製造方法 |
JP4096585B2 (ja) * | 2001-03-19 | 2008-06-04 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置の製造方法及び表示装置並びに電子機器 |
TWI264963B (en) | 2001-03-29 | 2006-10-21 | Hitachi Ltd | Organic EL display and production device of color filter |
JP2002373781A (ja) * | 2001-03-29 | 2002-12-26 | Hitachi Ltd | 有機el表示体、及びカラーフィルターの製造装置 |
DE10117663B4 (de) | 2001-04-09 | 2004-09-02 | Samsung SDI Co., Ltd., Suwon | Verfahren zur Herstellung von Matrixanordnungen auf Basis verschiedenartiger organischer leitfähiger Materialien |
DE10123115B4 (de) * | 2001-05-07 | 2006-05-24 | Samsung SDI Co., Ltd., Suwon | Löcherinjektionsschicht einer organischen Leuchtdiode und Verfahren zu deren Herstellung |
JP2002341128A (ja) * | 2001-05-15 | 2002-11-27 | Toray Ind Inc | カラーフィルターおよび液晶表示素子の製造方法 |
WO2002099477A1 (en) * | 2001-06-01 | 2002-12-12 | Seiko Epson Corporation | Color filter and electro-optical device |
JP2003084123A (ja) | 2001-06-29 | 2003-03-19 | Seiko Epson Corp | カラーフィルタ基板、カラーフィルタ基板の製造方法、液晶表示装置、電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器 |
US8415208B2 (en) * | 2001-07-16 | 2013-04-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and peeling off method and method of manufacturing semiconductor device |
JP4802422B2 (ja) * | 2001-08-31 | 2011-10-26 | 大日本印刷株式会社 | エレクトロルミネッセント素子の製造方法 |
JP2003076301A (ja) * | 2001-09-07 | 2003-03-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光素子、及びそれを用いた表示装置 |
GB2379412A (en) * | 2001-09-10 | 2003-03-12 | Seiko Epson Corp | Deposition of soluble materials |
JP3810725B2 (ja) | 2001-09-21 | 2006-08-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及び電子機器 |
CN1557020A (zh) | 2001-09-24 | 2004-12-22 | �ʼҷ����ֵ��ӹɷ�����˾ | 薄膜光学器件和有机电致发光显示器件的组件及其制造方法 |
JP2003124213A (ja) * | 2001-10-09 | 2003-04-25 | Seiko Epson Corp | パターン形成方法、半導体デバイス、電気回路、表示体モジュール、カラーフィルタおよび発光素子 |
JP4419373B2 (ja) * | 2001-10-10 | 2010-02-24 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜形成方法、電子デバイスの形成方法 |
JP2003124210A (ja) * | 2001-10-15 | 2003-04-25 | Seiko Epson Corp | 表面処理方法、半導体デバイス、電気回路、表示体モジュール、カラーフィルタおよび発光素子 |
US7456810B2 (en) * | 2001-10-26 | 2008-11-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and driving method thereof |
WO2003041452A1 (fr) * | 2001-11-07 | 2003-05-15 | Nec Corporation | Procede de production de corps luminescent a champ electrique, corps luminescent associe, procede de modelage et dispositif d'affichage emetteur de lumiere a champ electrique |
JP2003163084A (ja) * | 2001-11-26 | 2003-06-06 | Seiko Epson Corp | 有機el装置とその製造方法並びに電子機器 |
JP2003159786A (ja) * | 2001-11-28 | 2003-06-03 | Seiko Epson Corp | 吐出方法およびその装置、電気光学装置、その製造方法およびその製造装置、カラーフィルタ、その製造方法およびその製造装置、ならびに基材を有するデバイス、その製造方法およびその製造装置 |
JP3627739B2 (ja) * | 2001-12-11 | 2005-03-09 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置及び電子機器 |
CN1245703C (zh) | 2001-12-11 | 2006-03-15 | 精工爱普生株式会社 | 显示装置及其电子机器 |
JP3733947B2 (ja) * | 2001-12-11 | 2006-01-11 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置及び電子機器 |
JP3823916B2 (ja) | 2001-12-18 | 2006-09-20 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置及び電子機器並びに表示装置の製造方法 |
JP3705264B2 (ja) | 2001-12-18 | 2005-10-12 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置及び電子機器 |
GB0130485D0 (en) * | 2001-12-21 | 2002-02-06 | Plastic Logic Ltd | Self-aligned printing |
JP3698138B2 (ja) * | 2001-12-26 | 2005-09-21 | セイコーエプソン株式会社 | 撥水化処理の方法、薄膜形成方法及びこの方法を用いた有機el装置の製造方法、有機el装置、電子機器 |
US6810919B2 (en) | 2002-01-11 | 2004-11-02 | Seiko Epson Corporation | Manufacturing method for display device, display device, manufacturing method for electronic apparatus, and electronic apparatus |
US7109653B2 (en) * | 2002-01-15 | 2006-09-19 | Seiko Epson Corporation | Sealing structure with barrier membrane for electronic element, display device, electronic apparatus, and fabrication method for electronic element |
JP2003217843A (ja) * | 2002-01-24 | 2003-07-31 | Seiko Epson Corp | 表示装置の製造方法、電子機器の製造方法、表示装置および電子機器 |
US7098069B2 (en) | 2002-01-24 | 2006-08-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, method of preparing the same and device for fabricating the same |
WO2003065474A1 (en) * | 2002-02-01 | 2003-08-07 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Structured polmer substrate for ink-jet printing of an oled matrix |
JP2003257616A (ja) * | 2002-02-27 | 2003-09-12 | Ricoh Co Ltd | 機能性素子基板および該機能性素子基板を用いた画像表示装置 |
JP2003257648A (ja) * | 2002-03-05 | 2003-09-12 | Seiko Epson Corp | 表面処理装置、有機el装置の製造装置、有機el装置、電子機器 |
JP2003257647A (ja) * | 2002-03-05 | 2003-09-12 | Seiko Epson Corp | 有機el装置の製造装置、有機el装置、電子機器 |
JP3951750B2 (ja) * | 2002-03-07 | 2007-08-01 | セイコーエプソン株式会社 | 物質充填方法、膜形成方法、デバイスおよびデバイスの製造方法 |
JP2003264075A (ja) * | 2002-03-08 | 2003-09-19 | Pioneer Electronic Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
JP3838964B2 (ja) | 2002-03-13 | 2006-10-25 | 株式会社リコー | 機能性素子基板の製造装置 |
JP4100011B2 (ja) * | 2002-03-13 | 2008-06-11 | セイコーエプソン株式会社 | 表面処理装置、有機el装置の製造装置及び製造方法 |
JP4015045B2 (ja) * | 2002-03-20 | 2007-11-28 | セイコーエプソン株式会社 | 配線基板、電子装置及び電子機器 |
US7148508B2 (en) | 2002-03-20 | 2006-12-12 | Seiko Epson Corporation | Wiring substrate, electronic device, electro-optical device, and electronic apparatus |
GB0206930D0 (en) * | 2002-03-23 | 2002-05-08 | Univ Durham | Method and apparatus for the formation of hydrophobic surfaces |
JP2004006700A (ja) * | 2002-03-27 | 2004-01-08 | Seiko Epson Corp | 表面処理方法、表面処理基板、膜パターンの形成方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、及び電子機器 |
GB0207134D0 (en) | 2002-03-27 | 2002-05-08 | Cambridge Display Tech Ltd | Method of preparation of organic optoelectronic and electronic devices and devices thereby obtained |
KR100563675B1 (ko) | 2002-04-09 | 2006-03-28 | 캐논 가부시끼가이샤 | 유기 발광소자 및 유기 발광소자 패키지 |
KR100537611B1 (ko) * | 2002-04-10 | 2005-12-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광소자 및 그 제조방법 |
US6984476B2 (en) | 2002-04-15 | 2006-01-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Radiation-sensitive resin composition, forming process for forming patterned insulation film, active matrix board and flat-panel display device equipped with the same, and process for producing flat-panel display device |
JP2003318193A (ja) * | 2002-04-22 | 2003-11-07 | Seiko Epson Corp | デバイス、その製造方法及び電子装置 |
JP3965562B2 (ja) * | 2002-04-22 | 2007-08-29 | セイコーエプソン株式会社 | デバイスの製造方法、デバイス、電気光学装置及び電子機器 |
JP4042099B2 (ja) | 2002-04-22 | 2008-02-06 | セイコーエプソン株式会社 | デバイスの製造方法、デバイス及び電子機器 |
US7579771B2 (en) | 2002-04-23 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
US7786496B2 (en) | 2002-04-24 | 2010-08-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing same |
JP2003317971A (ja) | 2002-04-26 | 2003-11-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
JP4217868B2 (ja) | 2002-05-07 | 2009-02-04 | 大日本印刷株式会社 | エレクトロルミネッセント素子およびその製造方法 |
US7897979B2 (en) | 2002-06-07 | 2011-03-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
KR100864001B1 (ko) | 2002-06-14 | 2008-10-16 | 삼성전자주식회사 | 유기 전계발광장치 |
JP3800135B2 (ja) | 2002-06-18 | 2006-07-26 | セイコーエプソン株式会社 | 光通信モジュール、光通信モジュールの製造方法および電子機器 |
JP4223743B2 (ja) * | 2002-06-26 | 2009-02-12 | 光寶科技股▲分▼有限公司 | カラーセクションディスプレイユニットの製造方法 |
JP4216008B2 (ja) | 2002-06-27 | 2009-01-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置およびその作製方法、ならびに前記発光装置を有するビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、dvdプレーヤー、電子遊技機器、または携帯情報端末 |
JP2004055159A (ja) * | 2002-07-16 | 2004-02-19 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 有機el素子の製造方法および有機el表示装置 |
KR20050026494A (ko) * | 2002-07-23 | 2005-03-15 | 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 전계발광 디스플레이 및 이러한 디스플레이를 포함하는전자 디바이스 |
JP4136799B2 (ja) * | 2002-07-24 | 2008-08-20 | 富士フイルム株式会社 | El表示素子の形成方法 |
GB2391385A (en) * | 2002-07-26 | 2004-02-04 | Seiko Epson Corp | Patterning method by forming indent region to control spreading of liquid material deposited onto substrate |
JP4170700B2 (ja) * | 2002-07-31 | 2008-10-22 | 大日本印刷株式会社 | エレクトロルミネッセンス表示装置および製造方法 |
DE10236404B4 (de) * | 2002-08-02 | 2008-01-10 | Samsung SDI Co., Ltd., Suwon | Verfahren zur Herstellung eines Substrates |
JP4425531B2 (ja) * | 2002-08-21 | 2010-03-03 | 富士通株式会社 | 有機el装置及びその製造方法 |
TWI256732B (en) | 2002-08-30 | 2006-06-11 | Sharp Kk | Thin film transistor, liquid crystal display apparatus, manufacturing method of thin film transistor, and manufacturing method of liquid crystal display apparatus |
JP2004103334A (ja) * | 2002-09-06 | 2004-04-02 | Seiko Epson Corp | 有機el装置および電子機器 |
US7098060B2 (en) | 2002-09-06 | 2006-08-29 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Methods for producing full-color organic electroluminescent devices |
US7291970B2 (en) * | 2002-09-11 | 2007-11-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting apparatus with improved bank structure |
JP2004103496A (ja) * | 2002-09-12 | 2004-04-02 | Seiko Epson Corp | 成膜方法、成膜装置、光学素子、有機エレクトロルミネッセンス素子、半導体素子および電子機器 |
JP2004111166A (ja) * | 2002-09-18 | 2004-04-08 | Hitachi Ltd | 有機el素子用バンク付き基板 |
EP1559299A1 (en) * | 2002-10-07 | 2005-08-03 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method for manufacturing a light emitting display |
JP3584933B2 (ja) | 2002-10-08 | 2004-11-04 | セイコーエプソン株式会社 | 微細構造物の製造方法、光学素子、集積回路および電子機器 |
JP4517569B2 (ja) * | 2002-10-18 | 2010-08-04 | カシオ計算機株式会社 | 表示パネルの製造方法 |
KR100491146B1 (ko) * | 2002-11-04 | 2005-05-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
ITUD20020238A1 (it) * | 2002-11-11 | 2004-05-12 | New System Srl | Metodo per la stesura controllata a getto d'inchiostro di polimeri per isolamento e/o protezione di circuiti stampati |
US7119826B2 (en) | 2002-12-16 | 2006-10-10 | Seiko Epson Corporation | Oranic EL array exposure head, imaging system incorporating the same, and array-form exposure head fabrication process |
NL1022269C2 (nl) * | 2002-12-24 | 2004-06-25 | Otb Group Bv | Werkwijze voor het vervaardigen van een organic electroluminescent display device, substraat ten gebruike bij een dergelijke werkwijze, alsmede een organic electroluminescent display device verkregen met de werkwijze. |
US7452257B2 (en) * | 2002-12-27 | 2008-11-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a display device |
JP4373086B2 (ja) * | 2002-12-27 | 2009-11-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
KR100528910B1 (ko) * | 2003-01-22 | 2005-11-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 고분자 유기 전계 발광 소자 |
KR20050094882A (ko) | 2003-01-27 | 2005-09-28 | 도시바 마쯔시따 디스플레이 테크놀로지 컴퍼니, 리미티드 | 유기 el 디스플레이의 제조 방법 |
US6908045B2 (en) | 2003-01-28 | 2005-06-21 | Casio Computer Co., Ltd. | Solution spray apparatus and solution spray method |
JP2004230211A (ja) * | 2003-01-28 | 2004-08-19 | Casio Comput Co Ltd | 溶液噴出装置及び溶液噴出方法 |
JP2004230209A (ja) * | 2003-01-28 | 2004-08-19 | Casio Comput Co Ltd | 溶液噴出装置 |
CN100459060C (zh) * | 2003-02-05 | 2009-02-04 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置的制造方法 |
JP3791616B2 (ja) * | 2003-02-06 | 2006-06-28 | セイコーエプソン株式会社 | 配線基板、電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器 |
JP2004311958A (ja) * | 2003-03-26 | 2004-11-04 | Seiko Epson Corp | 表面処理方法、表面処理装置、表面処理基板及び電気光学装置並びに電子機器 |
JP2004296303A (ja) | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、その製造方法および電子機器 |
JP4123172B2 (ja) * | 2003-04-01 | 2008-07-23 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜パターンの形成方法及びデバイスの製造方法、電気光学装置及び電子機器 |
JP4517584B2 (ja) * | 2003-05-09 | 2010-08-04 | セイコーエプソン株式会社 | 線パターン形成方法およびデバイスの製造方法 |
JP4517583B2 (ja) * | 2003-05-09 | 2010-08-04 | セイコーエプソン株式会社 | 線パターン形成方法およびデバイスの製造方法 |
JP2004363560A (ja) * | 2003-05-09 | 2004-12-24 | Seiko Epson Corp | 基板、デバイス、デバイス製造方法、アクティブマトリクス基板の製造方法及び電気光学装置並びに電子機器 |
JP2005012179A (ja) | 2003-05-16 | 2005-01-13 | Seiko Epson Corp | 薄膜パターン形成方法、デバイスとその製造方法及び電気光学装置並びに電子機器、アクティブマトリクス基板の製造方法 |
JP4103830B2 (ja) * | 2003-05-16 | 2008-06-18 | セイコーエプソン株式会社 | パターンの形成方法及びパターン形成装置、デバイスの製造方法、アクティブマトリクス基板の製造方法 |
EP1629525B1 (en) * | 2003-05-20 | 2007-05-02 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | A structure for a semiconductor arrangement and a method of manufacturing a semiconductor arrangement |
JP2004351272A (ja) | 2003-05-27 | 2004-12-16 | Seiko Epson Corp | 薄膜パターンの形成方法及びデバイスの製造方法、電気光学装置及び電子機器 |
JP2005012173A (ja) | 2003-05-28 | 2005-01-13 | Seiko Epson Corp | 膜パターン形成方法、デバイス及びデバイスの製造方法、電気光学装置、並びに電子機器 |
JP3788467B2 (ja) * | 2003-05-28 | 2006-06-21 | セイコーエプソン株式会社 | パターン形成方法、デバイス及びデバイスの製造方法、電気光学装置、電子機器並びにアクティブマトリクス基板の製造方法 |
JP2005019955A (ja) | 2003-05-30 | 2005-01-20 | Seiko Epson Corp | 薄膜パターンの形成方法及びデバイスの製造方法、電気光学装置及び電子機器 |
JP2005013986A (ja) * | 2003-05-30 | 2005-01-20 | Seiko Epson Corp | デバイスとその製造方法、アクティブマトリクス基板の製造方法及び電気光学装置並びに電子機器 |
JP2005013985A (ja) * | 2003-05-30 | 2005-01-20 | Seiko Epson Corp | 膜パターン形成方法、デバイス及びその製造方法、電気光学装置、並びに電子機器、アクティブマトリクス基板の製造方法、アクティブマトリクス基板 |
JP4344270B2 (ja) * | 2003-05-30 | 2009-10-14 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
EP1651018A4 (en) * | 2003-06-04 | 2009-11-11 | Tadahiro Ohmi | SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME |
JP2008060600A (ja) * | 2003-07-15 | 2008-03-13 | Seiko Epson Corp | 層パターン製造方法、配線製造方法、電子機器の製造方法 |
JP4059175B2 (ja) * | 2003-09-10 | 2008-03-12 | セイコーエプソン株式会社 | カラーフィルタ基板及びその製造方法、電気光学装置、並びに電子機器 |
DE10343351B4 (de) * | 2003-09-12 | 2017-01-05 | Samsung Display Co., Ltd. | Substrat zum Tintenstrahldrucken und Verfahren zu dessen Herstellung |
US7833612B2 (en) | 2003-09-12 | 2010-11-16 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Substrate for inkjet printing and method of manufacturing the same |
JP2005093703A (ja) * | 2003-09-17 | 2005-04-07 | Seiko Epson Corp | タイル状素子用配線形成方法、タイル状素子用配線構造物及び電子機器 |
JP4632193B2 (ja) * | 2003-09-18 | 2011-02-16 | 大日本印刷株式会社 | パターニング用基板の製造方法 |
US7686978B2 (en) * | 2003-09-24 | 2010-03-30 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Method for the application of active materials onto active surfaces and devices made with such methods |
JP2005123083A (ja) * | 2003-10-17 | 2005-05-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 塗布組成物および有機el素子の製造方法 |
US7226819B2 (en) * | 2003-10-28 | 2007-06-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Methods for forming wiring and manufacturing thin film transistor and droplet discharging method |
JP4317113B2 (ja) | 2003-10-30 | 2009-08-19 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 平板表示装置の製造方法 |
JP3915806B2 (ja) | 2003-11-11 | 2007-05-16 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置および電子機器 |
KR100993826B1 (ko) * | 2003-11-19 | 2010-11-12 | 삼성전자주식회사 | 표시장치 및 이의 제조 방법 |
JP4815761B2 (ja) | 2003-11-27 | 2011-11-16 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器 |
KR101007717B1 (ko) * | 2003-11-28 | 2011-01-13 | 삼성전자주식회사 | 패턴 마스크, 이를 이용한 표시장치 및 이의 제조 방법 |
CN1899004A (zh) * | 2003-12-22 | 2007-01-17 | 佳能株式会社 | 布线形成方法、布线形成装置以及布线板 |
US20050153114A1 (en) * | 2004-01-14 | 2005-07-14 | Rahul Gupta | Printing of organic electronic devices |
US7041608B2 (en) * | 2004-02-06 | 2006-05-09 | Eastman Kodak Company | Providing fluorocarbon layers on conductive electrodes in making electronic devices such as OLED devices |
JP2005268202A (ja) * | 2004-02-16 | 2005-09-29 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、及び電子機器 |
JP3979395B2 (ja) * | 2004-02-24 | 2007-09-19 | セイコーエプソン株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置用基板、及び電子機器 |
JP3994998B2 (ja) | 2004-03-03 | 2007-10-24 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置、発光装置の製造方法及び電子機器 |
JP4419015B2 (ja) | 2004-03-04 | 2010-02-24 | リコープリンティングシステムズ株式会社 | インクジェット塗布方法及び装置 |
JP2005259848A (ja) * | 2004-03-10 | 2005-09-22 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2005268693A (ja) * | 2004-03-22 | 2005-09-29 | Seiko Epson Corp | パターン形成方法、回路基板および電子機器 |
JP2005277235A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-06 | Casio Comput Co Ltd | 多層薄膜、薄膜検査方法および薄膜形成方法 |
US7067841B2 (en) | 2004-04-22 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Organic electronic devices |
JP4239890B2 (ja) | 2004-04-26 | 2009-03-18 | セイコーエプソン株式会社 | 有機el装置、電子機器 |
KR101121617B1 (ko) | 2004-04-29 | 2012-02-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 일렉트로-루미네센스 표시장치 |
TWI262538B (en) | 2004-04-30 | 2006-09-21 | Sharp Kk | Component placement substrate and production method thereof |
KR20060047348A (ko) | 2004-05-11 | 2006-05-18 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 액적 토출 장치, 전기 광학 장치, 전자 기기 및 액적 토출방법 |
JP4055171B2 (ja) | 2004-05-19 | 2008-03-05 | セイコーエプソン株式会社 | カラーフィルタ基板の製造方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、電子機器 |
KR100755398B1 (ko) * | 2004-05-21 | 2007-09-04 | 엘지전자 주식회사 | 유기전계발광표시소자 및 그 제조방법 |
JP2005339827A (ja) * | 2004-05-24 | 2005-12-08 | Ricoh Co Ltd | 有機el発光素子基板ならびにその有機el発光素子基板を用いた画像表示装置およびその有機el発光素子基板製造装置 |
JP2005339809A (ja) * | 2004-05-24 | 2005-12-08 | Ricoh Co Ltd | 有機el発光素子基板、該基板を用いた画像表示装置、及び有機el発光素子基板の製造装置 |
JP4773691B2 (ja) * | 2004-05-24 | 2011-09-14 | 株式会社リコー | フレキシブル機能性素子基板及びその製造装置 |
JP2005339810A (ja) * | 2004-05-24 | 2005-12-08 | Ricoh Co Ltd | 有機el発光素子基板、該基板を用いた画像表示装置、及び有機el発光素子基板製造装置 |
JP4161956B2 (ja) | 2004-05-27 | 2008-10-08 | セイコーエプソン株式会社 | カラーフィルタ基板の製造方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、電子機器 |
JP4734508B2 (ja) * | 2004-06-21 | 2011-07-27 | 京セラ株式会社 | Elディスプレイおよびその製造方法 |
US20050282308A1 (en) * | 2004-06-22 | 2005-12-22 | Albrecht Uhlig | Organic electroluminescent display device and method of producing the same |
JP2006019630A (ja) * | 2004-07-05 | 2006-01-19 | Seiko Epson Corp | 配線形成方法 |
JP4853607B2 (ja) | 2004-07-09 | 2012-01-11 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
JP4926427B2 (ja) * | 2004-08-25 | 2012-05-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
JP2006065021A (ja) | 2004-08-27 | 2006-03-09 | Seiko Epson Corp | アクティブマトリクス基板の製造方法、アクティブマトリクス基板、電気光学装置並びに電子機器 |
JP2006078859A (ja) * | 2004-09-10 | 2006-03-23 | Future Vision:Kk | 表示装置用の基板およびこの基板を用いた表示装置 |
JP4606824B2 (ja) * | 2004-09-14 | 2011-01-05 | 共同印刷株式会社 | 有機elディスプレイの製造方法 |
US8350466B2 (en) | 2004-09-17 | 2013-01-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
US7753751B2 (en) | 2004-09-29 | 2010-07-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating the display device |
JP4158755B2 (ja) | 2004-09-30 | 2008-10-01 | セイコーエプソン株式会社 | 機能膜の製造方法、薄膜トランジスタの製造方法 |
US7910271B2 (en) | 2004-10-13 | 2011-03-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Functional substrate |
JP4954527B2 (ja) * | 2004-10-14 | 2012-06-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の作製方法 |
US8772783B2 (en) | 2004-10-14 | 2014-07-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
JP4618087B2 (ja) * | 2004-10-15 | 2011-01-26 | セイコーエプソン株式会社 | 仕切部材の形成方法、カラーフィルター用仕切部材の形成方法 |
KR101090250B1 (ko) * | 2004-10-15 | 2011-12-06 | 삼성전자주식회사 | 유기 반도체를 이용한 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조방법 |
JP3874003B2 (ja) | 2004-10-27 | 2007-01-31 | セイコーエプソン株式会社 | 配線パターン形成方法、及び膜パターン形成方法 |
JP4945893B2 (ja) | 2004-11-11 | 2012-06-06 | 大日本印刷株式会社 | パターン形成用基板 |
JP2006156426A (ja) * | 2004-11-25 | 2006-06-15 | Seiko Epson Corp | 導電性パターンの形成方法 |
JP2006154168A (ja) * | 2004-11-29 | 2006-06-15 | Seiko Epson Corp | アクティブマトリクス基板、電気光学装置、電子デバイス、及びアクティブマトリクス基板の製造方法 |
JP2006154354A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Seiko Epson Corp | カラーフィルタの形成方法 |
JP2006162754A (ja) * | 2004-12-03 | 2006-06-22 | Dainippon Printing Co Ltd | パターン形成体およびその製造方法 |
JP4312704B2 (ja) * | 2004-12-24 | 2009-08-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
US8063551B1 (en) * | 2004-12-29 | 2011-11-22 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Pixel intensity homogeneity in organic electronic devices |
WO2006072066A2 (en) | 2004-12-30 | 2006-07-06 | E.I. Dupont De Nemours And Company | Organic electronic devices and methods |
US7268006B2 (en) | 2004-12-30 | 2007-09-11 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Electronic device including a guest material within a layer and a process for forming the same |
JP2006194921A (ja) * | 2005-01-11 | 2006-07-27 | Seiko Epson Corp | パターン形成方法、カラーフィルタの製造方法、カラーフィルタ、電気光学装置の製造方法及び電気光学装置 |
JP2006216297A (ja) * | 2005-02-02 | 2006-08-17 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 有機el用基板およびその製造方法 |
JP2006245526A (ja) * | 2005-02-04 | 2006-09-14 | Seiko Epson Corp | 膜パターンの形成方法、デバイス及びその製造方法、電気光学装置、並びに電子機器 |
JP4337744B2 (ja) * | 2005-02-04 | 2009-09-30 | セイコーエプソン株式会社 | 膜パターンの形成方法、アクティブマトリクス基板の製造方法 |
JP4297106B2 (ja) * | 2005-02-23 | 2009-07-15 | セイコーエプソン株式会社 | 膜パターンの形成方法及びデバイスの製造方法、電気光学装置及び電子機器 |
JP2006252787A (ja) * | 2005-03-08 | 2006-09-21 | Toppan Printing Co Ltd | 有機el素子製造方法および有機el素子 |
TWI254594B (en) | 2005-03-17 | 2006-05-01 | Ind Tech Res Inst | Color organic light-emitting display and manufacturing process thereof |
JP2006269599A (ja) * | 2005-03-23 | 2006-10-05 | Sony Corp | パターン形成方法、有機電界効果型トランジスタの製造方法、及び、フレキシブルプリント回路板の製造方法 |
JP4752303B2 (ja) * | 2005-03-29 | 2011-08-17 | セイコーエプソン株式会社 | El装置の製造方法、el装置、電子機器 |
KR100552977B1 (ko) * | 2005-03-30 | 2006-02-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 블랙매트릭스를 구비한 평판표시장치 및 그 제조방법 |
GB0506899D0 (en) * | 2005-04-05 | 2005-05-11 | Plastic Logic Ltd | Multiple conductive layer TFT |
WO2006117909A1 (ja) | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | パターン薄膜、半導体素子及び回路基板の製造方法、並びに、レジスト材料、半導体素子及び回路基板 |
JP4682691B2 (ja) * | 2005-05-13 | 2011-05-11 | 凸版印刷株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
JP2008192311A (ja) * | 2005-05-16 | 2008-08-21 | Sharp Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
JP4626391B2 (ja) * | 2005-05-17 | 2011-02-09 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子を使用した装置 |
GB0510382D0 (en) | 2005-05-20 | 2005-06-29 | Cambridge Display Tech Ltd | Ink jet printing compositions in opto-electrical devices |
CN100434982C (zh) * | 2005-05-26 | 2008-11-19 | 东芝松下显示技术有限公司 | 液晶显示装置及其制造方法 |
US7884900B2 (en) | 2005-05-26 | 2011-02-08 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | Liquid crystal display device with partition walls made of color filter layers as a dam for the light shielding material |
JP4745062B2 (ja) | 2005-06-02 | 2011-08-10 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 平板表示装置及びその製造方法 |
EP1729358B1 (en) * | 2005-06-02 | 2016-03-02 | Samsung SDI Germany GmbH | Substrate for inkjet printing |
US20090134385A1 (en) * | 2005-06-16 | 2009-05-28 | Siemens Aktiengesellschaft | Organic Line Detector and Method for the Production Thereof |
JP4684029B2 (ja) * | 2005-07-06 | 2011-05-18 | パナソニック株式会社 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
JP4677937B2 (ja) * | 2005-07-20 | 2011-04-27 | セイコーエプソン株式会社 | 膜パターンの形成方法、デバイス、電気光学装置、電子機器、及びアクティブマトリクス基板の製造方法 |
JP2007053333A (ja) * | 2005-07-20 | 2007-03-01 | Seiko Epson Corp | 膜パターンの形成方法、デバイス、電気光学装置、電子機器、及びアクティブマトリクス基板の製造方法 |
JP2007027588A (ja) * | 2005-07-20 | 2007-02-01 | Seiko Epson Corp | 膜パターンの形成方法、デバイス、電気光学装置、及び電子機器 |
US8828651B2 (en) | 2005-07-25 | 2014-09-09 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Positive-type photosensitive resin composition and cured film manufactured therefrom |
GB0517195D0 (en) | 2005-08-23 | 2005-09-28 | Cambridge Display Tech Ltd | Molecular electronic device structures and fabrication methods |
WO2007023272A1 (en) | 2005-08-23 | 2007-03-01 | Cambridge Display Technology Limited | Organic electronic device structures and fabrication methods |
JP4692415B2 (ja) | 2005-09-15 | 2011-06-01 | カシオ計算機株式会社 | エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
JP4704168B2 (ja) * | 2005-09-20 | 2011-06-15 | シャープ株式会社 | 欠陥画素修復装置、欠陥画素修復システム及び欠陥画素修復方法 |
JP4797543B2 (ja) * | 2005-09-28 | 2011-10-19 | 凸版印刷株式会社 | 有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法及び有機エレクトロルミネセンス素子 |
JP4483757B2 (ja) * | 2005-09-30 | 2010-06-16 | セイコーエプソン株式会社 | 有機el装置及び光学装置 |
KR101197053B1 (ko) * | 2005-09-30 | 2012-11-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
JP4782529B2 (ja) * | 2005-10-06 | 2011-09-28 | エア・ウォーター株式会社 | 表示装置の製造方法 |
EP1775780A1 (en) * | 2005-10-14 | 2007-04-18 | STMicroelectronics S.r.l. | Organic electroluminescent device and process for manufacturing the device |
TWI517378B (zh) | 2005-10-17 | 2016-01-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
WO2007052396A1 (ja) * | 2005-10-31 | 2007-05-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | 多層配線基板及び多層配線基板の製造方法 |
GB2432256B (en) | 2005-11-14 | 2009-12-23 | Cambridge Display Tech Ltd | Organic optoelectrical device |
TWI267447B (en) * | 2005-11-25 | 2006-12-01 | Icf Technology Co Ltd | Method of manufacturing a thin film pattern layer |
KR20070059403A (ko) * | 2005-12-06 | 2007-06-12 | 삼성전자주식회사 | 표시 장치 및 그 구동 방법 |
JP4400558B2 (ja) * | 2005-12-19 | 2010-01-20 | セイコーエプソン株式会社 | カラーフィルタ基板、液晶表示装置および電子機器、カラーフィルタ基板の製造方法および液晶表示装置の製造方法 |
KR101212151B1 (ko) | 2005-12-29 | 2012-12-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 패턴 형성 방법을 이용한 액정표시소자 제조방법 |
TWI313395B (en) * | 2006-01-13 | 2009-08-11 | Icf Technology Co Ltd | Substrate structure and method of manufacturing thin film pattern layer using the same |
JP2007219482A (ja) * | 2006-01-23 | 2007-08-30 | Dainippon Printing Co Ltd | カラーフィルターの製造方法 |
JP4544168B2 (ja) * | 2006-02-01 | 2010-09-15 | セイコーエプソン株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
JP2007242592A (ja) | 2006-02-02 | 2007-09-20 | Seiko Epson Corp | 発光装置、発光装置の製造方法、露光装置、及び電子機器 |
US8138075B1 (en) | 2006-02-06 | 2012-03-20 | Eberlein Dietmar C | Systems and methods for the manufacture of flat panel devices |
KR100718152B1 (ko) * | 2006-02-11 | 2007-05-14 | 삼성전자주식회사 | 유기발광다이오드 및 그 제조방법 |
KR100718151B1 (ko) * | 2006-02-11 | 2007-05-14 | 삼성전자주식회사 | 유기 el 소자 및 그 제조방법 |
JP4929759B2 (ja) | 2006-03-02 | 2012-05-09 | 大日本印刷株式会社 | プラズマ処理方法 |
TWI272973B (en) * | 2006-03-03 | 2007-02-11 | Icf Technology Co Ltd | Substrate structure and method of manufacturing thin film pattern layer using the same |
JP2007272181A (ja) * | 2006-03-06 | 2007-10-18 | Dainippon Printing Co Ltd | カラーフィルターの製造方法 |
US7922553B2 (en) | 2006-04-05 | 2011-04-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Organic electroluminescent display device and production method thereof |
GB2437113B (en) | 2006-04-12 | 2008-11-26 | Cambridge Display Tech Ltd | Light-emissive display and method of manufacturing the same |
KR20070102251A (ko) * | 2006-04-14 | 2007-10-18 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 표시 장치용 컬러 필터 기판 및 그 제조 방법 |
KR101279296B1 (ko) * | 2006-04-17 | 2013-06-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 반도체 구조물, 이의 제조 방법, 이를 이용한 유기박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법 및 이를 이용한표시장치 |
JP4961162B2 (ja) * | 2006-05-01 | 2012-06-27 | 有限会社 エスアイジェイテクノロジ | 電気接続体及びカートリッジ |
KR100690930B1 (ko) * | 2006-05-03 | 2007-03-09 | 한국기계연구원 | 깊은 제거를 이용하여 원하는 패턴 두께 혹은 높은종횡비를 가지는 고해상도 패턴 형성 방법 |
JP4211804B2 (ja) * | 2006-05-19 | 2009-01-21 | セイコーエプソン株式会社 | デバイス、膜形成方法及びデバイスの製造方法 |
JP2007311236A (ja) * | 2006-05-19 | 2007-11-29 | Seiko Epson Corp | デバイス、膜形成方法及びデバイスの製造方法 |
CN101461047B (zh) | 2006-06-07 | 2011-06-15 | 松下电器产业株式会社 | 半导体元件及其制造方法以及电子器件及其制造方法 |
JP4325643B2 (ja) * | 2006-06-08 | 2009-09-02 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置の製造方法及び電気光学装置 |
KR101187205B1 (ko) * | 2006-06-09 | 2012-10-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
KR101079514B1 (ko) * | 2006-06-20 | 2011-11-03 | 도판 인사츠 가부시키가이샤 | 격벽 패턴 부착 기판 및 그 제조 방법 |
JP5292677B2 (ja) * | 2006-07-07 | 2013-09-18 | 凸版印刷株式会社 | 光学素子の製造方法、カラーフィルタの製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
JP2008015308A (ja) * | 2006-07-07 | 2008-01-24 | Toppan Printing Co Ltd | 光学素子の製造方法、カラーフィルタの製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 |
JP4983128B2 (ja) * | 2006-07-25 | 2012-07-25 | 凸版印刷株式会社 | 光学素子の製造方法、カラーフィルタの製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
WO2008015426A1 (en) | 2006-08-01 | 2008-02-07 | Cambridge Display Technology Limited | Opto-electrical devices and methods of manufacturing the same |
JP4218713B2 (ja) * | 2006-08-11 | 2009-02-04 | セイコーエプソン株式会社 | 液状体配置方法、カラーフィルタの製造方法、有機el表示装置の製造方法 |
JP5233099B2 (ja) * | 2006-08-31 | 2013-07-10 | 凸版印刷株式会社 | 光学素子の製造方法、カラーフィルタの製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
GB0618698D0 (en) | 2006-09-22 | 2006-11-01 | Cambridge Display Tech Ltd | Molecular electronic device fabrication methods and structures |
JP5181586B2 (ja) * | 2006-09-26 | 2013-04-10 | 大日本印刷株式会社 | 有機半導体素子、有機半導体素子の製造方法、有機トランジスタアレイ、およびディスプレイ |
JP2008109116A (ja) * | 2006-09-26 | 2008-05-08 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機半導体素子、有機半導体素子の製造方法、有機トランジスタアレイ、およびディスプレイ |
JP4605134B2 (ja) * | 2006-10-05 | 2011-01-05 | セイコーエプソン株式会社 | 液状体配置方法、カラーフィルタの製造方法、有機el表示装置の製造方法 |
JP4936863B2 (ja) * | 2006-11-22 | 2012-05-23 | 積水化学工業株式会社 | プラズマ撥水化処理方法 |
US7977866B2 (en) | 2006-11-22 | 2011-07-12 | Toppan Printing Co., Ltd | Organic electroluminescence element having partition wall covered by insulating layer |
WO2008075625A1 (ja) * | 2006-12-18 | 2008-06-26 | Panasonic Corporation | 半導体デバイス |
US20080151473A1 (en) * | 2006-12-20 | 2008-06-26 | Nokia Corporation | Electronic components and a method of manufacturing the same |
KR100835434B1 (ko) | 2006-12-28 | 2008-06-04 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 시모스 이미지 센서의 마이크로 렌즈의 제조방법 |
JP4285544B2 (ja) * | 2007-01-10 | 2009-06-24 | セイコーエプソン株式会社 | 描画方法、着色層の形成方法、電気光学装置の製造方法 |
JP5083568B2 (ja) | 2007-01-22 | 2012-11-28 | 日産化学工業株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物 |
US7768598B2 (en) | 2007-03-06 | 2010-08-03 | Toppan Printing Co., Ltd. | Substrate having pattern, color filter, liquid crystal display and method of manufacturing color filter |
JP5286826B2 (ja) * | 2007-03-28 | 2013-09-11 | 凸版印刷株式会社 | 薄膜トランジスタアレイ、薄膜トランジスタアレイの製造方法、およびアクティブマトリスクディスプレイ |
KR101415560B1 (ko) | 2007-03-30 | 2014-07-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
KR101427578B1 (ko) | 2007-08-31 | 2014-08-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 이의 제조 방법과 이 표시판을갖는 평판 표시 장치 |
JP5657379B2 (ja) * | 2007-04-25 | 2015-01-21 | メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングMerck Patent Gesellschaft mit beschraenkter Haftung | 電子装置の製造方法 |
JP4469872B2 (ja) * | 2007-04-27 | 2010-06-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布方法およびパターン形成方法 |
KR100838086B1 (ko) * | 2007-05-22 | 2008-06-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
KR100927296B1 (ko) * | 2007-05-28 | 2009-11-18 | 파나소닉 주식회사 | 유기 el 디바이스 및 표시장치 |
US8035296B2 (en) | 2007-06-12 | 2011-10-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic light-emitting apparatus with resin layer extending from light-emitting section over wiring lines |
JP2009021213A (ja) * | 2007-06-12 | 2009-01-29 | Canon Inc | 有機発光装置 |
JP2008311169A (ja) * | 2007-06-18 | 2008-12-25 | Toppan Printing Co Ltd | 有機elディスプレイ及びその製造方法 |
US8017422B2 (en) * | 2007-06-19 | 2011-09-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming pattern, method for manufacturing light emitting device, and light emitting device |
JP4506788B2 (ja) * | 2007-06-25 | 2010-07-21 | カシオ計算機株式会社 | Elパネルの製造方法 |
US7897306B2 (en) | 2007-08-24 | 2011-03-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Substrate provided with bank and substrate provided with color pattern |
US7599024B2 (en) | 2007-08-24 | 2009-10-06 | Toppan Printing Co., Ltd. | Substrate provided with bank and substrate provided with color pattern |
JP4715822B2 (ja) * | 2007-08-29 | 2011-07-06 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜パターン基板の製造方法 |
CN101682956B (zh) | 2007-08-31 | 2011-07-20 | 夏普株式会社 | 有机el显示装置及其制造方法 |
DE102007052133A1 (de) * | 2007-09-04 | 2009-03-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optisches Bauteil, Verfahren zur Herstellung des Bauteils und optoelektronisches Bauelement mit dem Bauteil |
US8120731B2 (en) | 2007-09-11 | 2012-02-21 | Toppan Printing Co., Ltd. | Color filter |
JP4957477B2 (ja) * | 2007-09-18 | 2012-06-20 | セイコーエプソン株式会社 | 有機el装置の製造方法 |
US8410476B2 (en) | 2007-09-28 | 2013-04-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Organic electroluminescent display device and production method thereof |
US8349392B2 (en) | 2007-10-09 | 2013-01-08 | Toppan Printing Co., Ltd. | Printed material and manufacturing method thereof |
US8083956B2 (en) | 2007-10-11 | 2011-12-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing display device |
JP5266737B2 (ja) * | 2007-12-05 | 2013-08-21 | セイコーエプソン株式会社 | 有機el装置および電子機器 |
GB2455747B (en) | 2007-12-19 | 2011-02-09 | Cambridge Display Tech Ltd | Electronic devices and methods of making the same using solution processing techniques |
US8197050B2 (en) * | 2007-12-20 | 2012-06-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Inkjet printing apparatus and inkjet printing method |
JP2009157012A (ja) * | 2007-12-26 | 2009-07-16 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置の製造方法、および液状物吐出装置 |
JP4439589B2 (ja) * | 2007-12-28 | 2010-03-24 | パナソニック株式会社 | 有機elデバイスおよび有機elディスプレイパネル、ならびにそれらの製造方法 |
WO2009090966A1 (ja) * | 2008-01-18 | 2009-07-23 | Nec Corporation | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
JP2009187898A (ja) * | 2008-02-08 | 2009-08-20 | Seiko Epson Corp | 有機el装置及びその製造方法 |
GB0803950D0 (en) | 2008-03-03 | 2008-04-09 | Cambridge Display Technology O | Solvent for printing composition |
JP5079722B2 (ja) | 2008-03-07 | 2012-11-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
JP2009244296A (ja) | 2008-03-28 | 2009-10-22 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 色変換フィルタ |
JP2009260134A (ja) * | 2008-04-18 | 2009-11-05 | Konica Minolta Holdings Inc | 光電変換デバイスおよびその製造方法、並びに、放射線画像検出装置 |
JP4466763B2 (ja) | 2008-05-14 | 2010-05-26 | ソニー株式会社 | パターン形成方法、半導体装置の製造方法、および表示装置の製造方法 |
JP5104538B2 (ja) * | 2008-05-16 | 2012-12-19 | 大日本印刷株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子用基板および有機エレクトロルミネッセンス素子ならびにそれらの製造方法 |
JP4845997B2 (ja) * | 2008-05-16 | 2011-12-28 | パナソニック株式会社 | 光学素子とその製造方法 |
KR100984574B1 (ko) | 2008-06-06 | 2010-09-30 | 파나소닉 주식회사 | 유기 el 디스플레이 패널 및 그 제조 방법 |
US11786036B2 (en) | 2008-06-27 | 2023-10-17 | Ssw Advanced Technologies, Llc | Spill containing refrigerator shelf assembly |
US8286561B2 (en) | 2008-06-27 | 2012-10-16 | Ssw Holding Company, Inc. | Spill containing refrigerator shelf assembly |
GB2462410B (en) | 2008-07-21 | 2011-04-27 | Cambridge Display Tech Ltd | Compositions and methods for manufacturing light-emissive devices |
JP5214360B2 (ja) | 2008-07-29 | 2013-06-19 | シャープ株式会社 | 色変換方式有機elディスプレイ |
JP2010033931A (ja) * | 2008-07-30 | 2010-02-12 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、発光装置および表示装置 |
GB0814971D0 (en) | 2008-08-15 | 2008-09-24 | Cambridge Display Tech Ltd | Opto-electrical devices and methods of manufacturing the same |
GB2462845B (en) * | 2008-08-21 | 2011-07-27 | Cambridge Display Tech Ltd | Organic electronic devices and methods of making the same using solution processing techniques |
GB2462688B (en) | 2008-08-22 | 2012-03-07 | Cambridge Display Tech Ltd | Opto-electrical devices and methods of manufacturing the same |
KR101570471B1 (ko) * | 2008-09-18 | 2015-11-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 및 이의 제조 방법 |
US8362473B2 (en) | 2008-09-30 | 2013-01-29 | Panasonic Corporation | Organic EL device and method for manufacturing same |
CA2739920C (en) | 2008-10-07 | 2017-12-12 | Ross Technology Corporation | Spill-resistant surfaces having hydrophobic and oleophobic borders |
JP5312909B2 (ja) | 2008-11-11 | 2013-10-09 | シャープ株式会社 | カラー有機elディスプレイ用色変換フィルタパネルおよびカラー有機elディスプレイ |
KR20100054630A (ko) * | 2008-11-14 | 2010-05-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 박막 트랜지스터와 이의 제조방법 그리고 이를 이용한표시장치 |
US8420465B2 (en) | 2008-11-19 | 2013-04-16 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Organic thin film transistor manufacturing method and organic thin film transistor |
JP5572942B2 (ja) * | 2008-11-28 | 2014-08-20 | 住友化学株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
KR100995066B1 (ko) * | 2009-01-07 | 2010-11-18 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
TWI607670B (zh) | 2009-01-08 | 2017-12-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 發光裝置及電子裝置 |
GB2466843A (en) | 2009-01-12 | 2010-07-14 | Cambridge Display Tech Ltd | Interlayer formulation for flat films |
GB2466842B (en) | 2009-01-12 | 2011-10-26 | Cambridge Display Tech Ltd | Interlayer formulation for flat films |
KR101069585B1 (ko) * | 2009-01-15 | 2011-10-05 | 포항공과대학교 산학협력단 | 표면처리된 잉크젯 프린트용 기판 |
KR101566429B1 (ko) | 2009-01-30 | 2015-11-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시판, 박막 트랜지스터 표시판 및 기판의 수리 방법 |
JP5228953B2 (ja) * | 2009-02-02 | 2013-07-03 | セイコーエプソン株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス装置、およびその製造方法 |
JP2010182582A (ja) | 2009-02-06 | 2010-08-19 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置、電子機器 |
US8520331B2 (en) | 2009-02-16 | 2013-08-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Color conversion filter manufacturing method |
WO2010104005A1 (ja) | 2009-03-13 | 2010-09-16 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法、及び薄膜トランジスタ |
JPWO2010110179A1 (ja) * | 2009-03-23 | 2012-09-27 | シャープ株式会社 | アクティブ素子基板とその製造方法、及びこの製造方法で製造したアクティブ素子基板を用いた表示装置 |
KR101107160B1 (ko) * | 2009-07-10 | 2012-01-25 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
JP2011023443A (ja) * | 2009-07-14 | 2011-02-03 | Seiko Epson Corp | 太陽電池、太陽電池の製造方法 |
JP2011034814A (ja) | 2009-07-31 | 2011-02-17 | Casio Computer Co Ltd | 発光装置、表示装置、及び、発光装置の製造方法 |
US8211782B2 (en) * | 2009-10-23 | 2012-07-03 | Palo Alto Research Center Incorporated | Printed material constrained by well structures |
WO2011056742A1 (en) | 2009-11-04 | 2011-05-12 | Ssw Holding Company, Inc. | Cooking appliance surfaces having spill containment pattern and methods of making the same |
JP5343815B2 (ja) * | 2009-11-11 | 2013-11-13 | セイコーエプソン株式会社 | 有機el素子、有機el素子の製造方法、有機el装置、電子機器 |
JP5689653B2 (ja) | 2009-12-03 | 2015-03-25 | 富士フイルム株式会社 | 電荷輸送膜、その製造方法及びこれを用いた発光素子並びに光電変換素子 |
GB0921707D0 (en) * | 2009-12-11 | 2010-01-27 | Cambridge Display Tech Ltd | Electronic devices |
CN102165592B (zh) * | 2009-12-22 | 2014-10-15 | 松下电器产业株式会社 | 显示装置及其制造方法 |
TWI505034B (zh) | 2010-02-02 | 2015-10-21 | Nissan Chemical Ind Ltd | 正型感光性樹脂組成物及撥液性被膜 |
WO2011101918A1 (ja) * | 2010-02-22 | 2011-08-25 | パナソニック株式会社 | 発光装置とその製造方法 |
JP5858441B2 (ja) | 2010-03-15 | 2016-02-10 | ロス テクノロジー コーポレーション.Ross Technology Corporation | プランジャーおよび疎水性表面を得るための方法 |
JP2011216250A (ja) | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 有機el素子用基板の製造方法 |
FR2958561B1 (fr) * | 2010-04-08 | 2012-05-04 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication de deux zones adjacentes en materiaux differents |
KR101077424B1 (ko) * | 2010-07-23 | 2011-10-26 | 삼성전기주식회사 | 터치패널 및 그 제조방법 |
JP5609430B2 (ja) * | 2010-08-25 | 2014-10-22 | ソニー株式会社 | 有機el表示装置および電子機器 |
TW201217508A (en) | 2010-09-08 | 2012-05-01 | Wako Pure Chem Ind Ltd | Composition for surface water-repellent treatment and water-repellent treating method for surface of semiconductor substrate using the same |
JP5197882B2 (ja) | 2010-10-15 | 2013-05-15 | パナソニック株式会社 | 有機発光パネルとその製造方法、および有機表示装置 |
WO2012049712A1 (ja) | 2010-10-15 | 2012-04-19 | パナソニック株式会社 | 有機発光パネルとその製造方法、および有機表示装置 |
CN102960066B (zh) | 2010-10-15 | 2015-09-30 | 株式会社日本有机雷特显示器 | 有机发光面板及其制造方法以及有机显示装置 |
KR101826069B1 (ko) | 2010-10-26 | 2018-03-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 그 제조방법 |
WO2012066754A1 (ja) * | 2010-11-15 | 2012-05-24 | シャープ株式会社 | カラーフィルタ基板及び表示パネル |
TWI424876B (zh) | 2010-11-26 | 2014-02-01 | Univ Nat Central | 改變流體親和度的表面結構 |
US9030619B2 (en) * | 2010-12-10 | 2015-05-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and liquid crystal display device |
WO2012085988A1 (ja) * | 2010-12-24 | 2012-06-28 | パナソニック株式会社 | 有機el素子およびその製造方法 |
JP2012155369A (ja) * | 2011-01-21 | 2012-08-16 | Japan Aviation Electronics Industry Ltd | 静電容量式タッチパネル |
KR101827849B1 (ko) | 2011-02-09 | 2018-02-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 블랙 매트릭스 레지스트 조성물, 블랙 매트릭스 레지스트 제조 방법, 컬러 필터 표시판 및 그 제조 방법 |
CN103476898A (zh) | 2011-02-21 | 2013-12-25 | 罗斯科技公司 | 具有低voc粘合剂体系的超疏水性和疏油性涂层 |
CN102960068B (zh) | 2011-04-22 | 2015-12-23 | 株式会社日本有机雷特显示器 | 有机电致发光显示面板及其制造方法 |
TWI494618B (zh) | 2011-08-12 | 2015-08-01 | Au Optronics Corp | 彩色濾光陣列及其製造方法 |
NL2007372C2 (en) | 2011-09-08 | 2013-03-11 | Univ Delft Tech | A process for the manufacture of a semiconductor device. |
US9062367B2 (en) * | 2011-09-08 | 2015-06-23 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Plasma processing of workpieces to form a coating |
JP2013068731A (ja) * | 2011-09-21 | 2013-04-18 | Dainippon Printing Co Ltd | カラーフィルタの製造方法、カラーフィルタおよび表示装置 |
JP5845765B2 (ja) * | 2011-09-21 | 2016-01-20 | 凸版印刷株式会社 | 透明導電性積層体及びその製造方法 |
DE102011085428A1 (de) | 2011-10-28 | 2013-05-02 | Schott Ag | Einlegeboden |
WO2013090939A1 (en) | 2011-12-15 | 2013-06-20 | Ross Technology Corporation | Composition and coating for superhydrophobic performance |
CN104126332B (zh) * | 2012-02-21 | 2016-12-07 | 株式会社日本有机雷特显示器 | 有机发光器件及其制造方法 |
KR101997073B1 (ko) * | 2012-06-11 | 2019-10-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
AU2013281220B2 (en) | 2012-06-25 | 2017-03-16 | Ross Technology Corporation | Elastomeric coatings having hydrophobic and/or oleophobic properties |
KR102105287B1 (ko) | 2012-08-01 | 2020-04-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
JP6076683B2 (ja) | 2012-10-17 | 2017-02-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
JP6204012B2 (ja) | 2012-10-17 | 2017-09-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
KR101968635B1 (ko) * | 2012-11-22 | 2019-04-12 | 삼성전자주식회사 | 잉크젯 프린팅을 이용한 배선 형성 방법 |
JP6155020B2 (ja) | 2012-12-21 | 2017-06-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及びその製造方法 |
NL2010199C2 (en) | 2013-01-29 | 2014-08-04 | Univ Delft Tech | Manufacturing a submicron structure using a liquid precursor. |
JP6216125B2 (ja) | 2013-02-12 | 2017-10-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
WO2014129519A1 (en) | 2013-02-20 | 2014-08-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Peeling method, semiconductor device, and peeling apparatus |
JP6104649B2 (ja) | 2013-03-08 | 2017-03-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
CN103241025B (zh) * | 2013-04-28 | 2015-02-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机薄膜的喷墨打印方法 |
CN103227190B (zh) | 2013-04-28 | 2015-06-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素界定层及制备方法、oled基板、显示装置 |
CN103346123B (zh) * | 2013-06-28 | 2015-07-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素界定层及其制作方法、显示基板及显示装置 |
JP6493900B2 (ja) * | 2013-08-09 | 2019-04-03 | デクセリアルズ株式会社 | 透明積層体、及びそれを用いた保護具 |
JP2015079889A (ja) * | 2013-10-17 | 2015-04-23 | 富士通株式会社 | 配線基板、及び、配線基板の製造方法 |
WO2015087192A1 (en) | 2013-12-12 | 2015-06-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Peeling method and peeling apparatus |
JP6476990B2 (ja) * | 2014-06-05 | 2019-03-06 | 大日本印刷株式会社 | 印刷版、印刷版の製造方法、機能性素子の製造方法および印刷装置 |
JP6558880B2 (ja) | 2014-07-11 | 2019-08-14 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機el表示装置の製造方法 |
CN104218190B (zh) | 2014-08-26 | 2017-02-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光器件及其制造方法、显示装置 |
CN104299968B (zh) | 2014-09-22 | 2017-04-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 电致发光器件及其制造方法、显示基板和显示装置 |
CN104409471B (zh) * | 2014-11-04 | 2018-07-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其使用方法、聚合物电致发光器件 |
CN104485347B (zh) * | 2014-12-23 | 2018-06-22 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种显示屏体的邦定方法 |
CN104638147B (zh) * | 2015-03-04 | 2017-01-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种像素界定层及oled器件 |
KR20160110597A (ko) * | 2015-03-09 | 2016-09-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 그 제조방법 |
CN104659287B (zh) * | 2015-03-12 | 2017-05-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素界定层及制备方法、显示基板及制备方法、显示装置 |
CN104698662A (zh) * | 2015-03-26 | 2015-06-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置及其制作方法 |
KR102378538B1 (ko) | 2015-08-11 | 2022-03-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치의 제조 방법 |
JP6928764B2 (ja) * | 2016-01-28 | 2021-09-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 金属酸化物のスピンオン堆積の方法 |
CN105489786B (zh) | 2016-02-29 | 2018-01-02 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 阵列基板的封装结构及封装方法、显示面板 |
CN105739210A (zh) * | 2016-03-29 | 2016-07-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、显示面板及其制备方法、显示装置 |
JP2017186604A (ja) * | 2016-04-05 | 2017-10-12 | 北川工業株式会社 | 親水性スパッタ膜付き部材の製造方法 |
TW201740524A (zh) * | 2016-05-10 | 2017-11-16 | Sony Corp | 導電性元件、輸入裝置及電子機器 |
US10497058B1 (en) | 2016-05-20 | 2019-12-03 | Wells Fargo Bank, N.A. | Customer facing risk ratio |
CN106784366B (zh) | 2016-11-30 | 2018-09-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及制备方法、显示装置 |
KR20180077439A (ko) | 2016-12-29 | 2018-07-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
CN106784409B (zh) * | 2017-02-04 | 2018-06-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素限定层及其制备方法、oled基板及其制备方法 |
TWI657271B (zh) * | 2017-03-27 | 2019-04-21 | 友達光電股份有限公司 | 彩色濾光元件的製造方法、主動元件基板的製造方法以及主動元件基板 |
WO2018194170A1 (ja) | 2017-04-21 | 2018-10-25 | 日産化学株式会社 | 感光性樹脂組成物 |
WO2018194169A1 (ja) | 2017-04-21 | 2018-10-25 | 日産化学株式会社 | 感光性樹脂組成物 |
KR102599867B1 (ko) | 2017-04-21 | 2023-11-09 | 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 | 감광성 수지 조성물 |
CN107230697B (zh) * | 2017-05-16 | 2020-09-08 | 纳晶科技股份有限公司 | 具有像素结构的基板、含其的光电器件和打印方法 |
KR102525822B1 (ko) | 2017-07-06 | 2023-04-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 소자 및 그 제조 방법 |
CN109698215A (zh) * | 2017-10-23 | 2019-04-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制备方法、显示装置 |
KR102577043B1 (ko) * | 2017-12-11 | 2023-09-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계발광 표시장치 |
KR102555143B1 (ko) | 2017-12-14 | 2023-07-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계 발광 표시장치 |
TWI656637B (zh) * | 2017-12-25 | 2019-04-11 | 友達光電股份有限公司 | 發光元件 |
KR102486552B1 (ko) | 2018-01-15 | 2023-01-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
JP7406181B2 (ja) | 2018-02-08 | 2023-12-27 | 日産化学株式会社 | 感光性樹脂組成物 |
US10319907B1 (en) | 2018-03-16 | 2019-06-11 | 4D-S, Ltd. | Resistive memory device having a template layer |
CN110165068B (zh) | 2018-05-11 | 2020-12-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机膜结构及制备方法、封装结构及制备方法和发光基板 |
US11264437B2 (en) | 2018-05-14 | 2022-03-01 | Samsung Display Co., Ltd. | Display devices |
CN112219451A (zh) | 2018-05-23 | 2021-01-12 | 中央硝子株式会社 | 带图案膜基板的制造方法及含氟共聚物 |
JP7076135B2 (ja) * | 2018-07-27 | 2022-05-27 | 株式会社Joled | 有機el表示パネルの製造方法 |
CN109148533B (zh) * | 2018-08-21 | 2020-09-01 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种有机发光二极管显示器 |
US20210359276A1 (en) * | 2018-09-06 | 2021-11-18 | Kaneka Corporation | Method for producing partition wall, image display device and method for producing same |
CN109786552B (zh) * | 2019-01-22 | 2020-10-16 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 有机薄膜及其制作方法、显示装置和光学器件 |
WO2020162463A1 (ja) * | 2019-02-06 | 2020-08-13 | 日本板硝子株式会社 | 光学素子及び光学素子の製造方法 |
KR102659865B1 (ko) * | 2019-03-29 | 2024-04-24 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이 모듈 및 디스플레이 모듈의 제조 방법 |
CN111844569B (zh) * | 2019-04-29 | 2022-04-01 | 科勒(中国)投资有限公司 | 形成图案的方法、卫浴产品及遮蔽膜 |
CN110299388B (zh) * | 2019-06-24 | 2021-07-06 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及其制备方法 |
CN110534552B (zh) | 2019-09-09 | 2022-06-21 | 合肥京东方卓印科技有限公司 | 一种显示基板及其制备方法、显示面板及掩模板 |
CN110993646B (zh) * | 2019-11-08 | 2022-07-12 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled背板的制备方法及oled背板 |
KR20210142031A (ko) | 2020-05-14 | 2021-11-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN112133734B (zh) * | 2020-09-29 | 2022-08-30 | 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 | 显示面板及显示装置 |
KR20220117746A (ko) | 2021-02-17 | 2022-08-24 | 삼성전자주식회사 | 광전 소자 및 이를 포함하는 이미지 센서 |
KR102647610B1 (ko) * | 2021-12-30 | 2024-03-14 | 주식회사 고산테크 | 잉크젯 프린팅을 이용한 전극형성방법과 전극형성장치 |
CN114446256B (zh) * | 2022-01-25 | 2023-07-18 | 厦门天马微电子有限公司 | 阵列基板和显示面板 |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61245106A (ja) | 1985-04-23 | 1986-10-31 | Seiko Epson Corp | カラ−フイルタ−の製造方法 |
JPS62109002A (ja) | 1985-11-07 | 1987-05-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示用カラ−フイルタの製造方法 |
JP2700316B2 (ja) * | 1987-06-10 | 1998-01-21 | 三菱電機株式会社 | 有機物質表面の改質方法 |
JPH04121702A (ja) | 1990-09-13 | 1992-04-22 | Mitsubishi Electric Corp | カラーフィルタの形成方法 |
JPH06109912A (ja) * | 1992-09-30 | 1994-04-22 | Fujitsu Ltd | カラーフィルタ基板 |
JPH06347637A (ja) * | 1993-06-14 | 1994-12-22 | Dainippon Ink & Chem Inc | 印刷方法 |
JP3463362B2 (ja) * | 1993-12-28 | 2003-11-05 | カシオ計算機株式会社 | 電界発光素子の製造方法および電界発光素子 |
JP3311468B2 (ja) * | 1994-02-22 | 2002-08-05 | 大日本印刷株式会社 | ブラックマトリックス基板およびその製造方法 |
JP3190219B2 (ja) * | 1994-12-15 | 2001-07-23 | キヤノン株式会社 | 液晶用カラーフィルターの製造方法及び液晶用カラーフィルター及び該カラーフィルターを具備する液晶パネル |
JPH0915412A (ja) | 1995-06-27 | 1997-01-17 | Toray Ind Inc | カラーフィルタの製造方法 |
JP3234748B2 (ja) * | 1995-07-14 | 2001-12-04 | キヤノン株式会社 | 基板の選択的撥水処理方法、遮光部材形成基板及びこの遮光部材形成基板を用いたカラ−フィルタ−基板の製造方法 |
JPH09203803A (ja) | 1996-01-25 | 1997-08-05 | Asahi Glass Co Ltd | カラーフィルタの製造方法及びそれを用いた液晶表示素子 |
JP3644118B2 (ja) | 1996-02-23 | 2005-04-27 | 旭硝子株式会社 | カラーフィルタの製造方法及びそれを用いた液晶表示素子 |
JPH09230129A (ja) * | 1996-02-26 | 1997-09-05 | Asahi Glass Co Ltd | カラーフィルタの製造方法及びそれを用いた液晶表示素子 |
JP3115819B2 (ja) * | 1996-03-22 | 2000-12-11 | シャープ株式会社 | カラーフィルター基板及びその製造方法並びにそれを用いた液晶表示装置 |
US5691011A (en) * | 1996-06-14 | 1997-11-25 | The Dow Chemical Company | Dispersion-preventing pattern for liquid crystal display device |
JP3036436B2 (ja) * | 1996-06-19 | 2000-04-24 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリックス型有機el表示体の製造方法 |
CN1882206A (zh) * | 1996-09-19 | 2006-12-20 | 精工爱普生株式会社 | 矩阵式显示元件及其制造方法 |
JP3899566B2 (ja) * | 1996-11-25 | 2007-03-28 | セイコーエプソン株式会社 | 有機el表示装置の製造方法 |
US6013982A (en) * | 1996-12-23 | 2000-01-11 | The Trustees Of Princeton University | Multicolor display devices |
TW477907B (en) * | 1997-03-07 | 2002-03-01 | Toshiba Corp | Array substrate, liquid crystal display device and their manufacturing method |
JP3570857B2 (ja) * | 1997-05-20 | 2004-09-29 | パイオニア株式会社 | 有機elディスプレイパネルとその製造方法 |
US5948577A (en) * | 1997-06-02 | 1999-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Color filter substrate, liquid crystal display device using the same and method of manufacturing color filter substrate |
JP3846819B2 (ja) * | 1997-07-18 | 2006-11-15 | カシオ計算機株式会社 | 発光素子 |
KR100660384B1 (ko) | 1998-03-17 | 2006-12-21 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 표시장치의 제조방법 |
JP3743630B2 (ja) * | 1998-03-17 | 2006-02-08 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜発光素子の製造方法 |
JP3646510B2 (ja) * | 1998-03-18 | 2005-05-11 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜形成方法、表示装置およびカラーフィルタ |
-
1999
- 1999-03-17 KR KR1020057021672A patent/KR100660384B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1999-03-17 EP EP99909206A patent/EP0989778B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-03-17 DE DE69939514T patent/DE69939514D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-03-17 JP JP54685899A patent/JP3328297B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1999-03-17 CN CNB2006101446316A patent/CN100550472C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1999-03-17 KR KR1020057021675A patent/KR100660383B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1999-03-17 KR KR1019997010647A patent/KR100577903B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1999-03-17 KR KR1020057021676A patent/KR100608543B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1999-03-17 EP EP07075008.8A patent/EP1793650B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-03-17 CN CNB2006101446301A patent/CN100530760C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1999-03-17 CN CNB99800314XA patent/CN1293784C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1999-03-17 WO PCT/JP1999/001327 patent/WO1999048339A1/ja active IP Right Grant
- 1999-03-17 CN CNB2006101446284A patent/CN100530758C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1999-03-17 CN CNB2006101446299A patent/CN100530759C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1999-06-22 TW TW088104195A patent/TW439389B/zh not_active IP Right Cessation
-
2000
- 2000-03-17 JP JP2000076979A patent/JP3692524B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-10-17 US US10/686,634 patent/US7015503B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-03-31 US US11/094,692 patent/US7273801B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2005-03-31 US US11/094,767 patent/US7214959B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2005-03-31 US US11/094,569 patent/US7442955B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-09-30 JP JP2005286877A patent/JP4196410B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2008
- 2008-09-17 US US12/232,421 patent/US7932518B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11239294B2 (en) | 2018-11-28 | 2022-02-01 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4196410B2 (ja) | 表示装置の製造方法 | |
JP3743630B2 (ja) | 薄膜発光素子の製造方法 | |
JP3646510B2 (ja) | 薄膜形成方法、表示装置およびカラーフィルタ | |
JP3601716B2 (ja) | 有機el装置の製造方法 | |
JP4314557B2 (ja) | 成膜方法、光学素子、半導体素子および電子機器、電気光学装置の製造方法、カラーフィルターの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080908 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080921 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111010 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121010 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121010 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131010 Year of fee payment: 5 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |