JP4684029B2 - 固体撮像素子及びその製造方法 - Google Patents

固体撮像素子及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4684029B2
JP4684029B2 JP2005197975A JP2005197975A JP4684029B2 JP 4684029 B2 JP4684029 B2 JP 4684029B2 JP 2005197975 A JP2005197975 A JP 2005197975A JP 2005197975 A JP2005197975 A JP 2005197975A JP 4684029 B2 JP4684029 B2 JP 4684029B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
colored
solid
resin
color
state imaging
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2005197975A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2007019189A (ja
Inventor
泰郎 竹内
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Corp
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Panasonic Corp
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Corp, Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Panasonic Corp
Priority to JP2005197975A priority Critical patent/JP4684029B2/ja
Priority to US11/480,048 priority patent/US7576314B2/en
Priority to CNA2006101054517A priority patent/CN1893100A/zh
Publication of JP2007019189A publication Critical patent/JP2007019189A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4684029B2 publication Critical patent/JP4684029B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462Coatings
    • H01L27/14621Colour filter arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462Coatings
    • H01L27/14623Optical shielding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14643Photodiode arrays; MOS imagers
    • H01L27/14645Colour imagers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14683Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14685Process for coatings or optical elements
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/10Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof for transforming different wavelengths into image signals
    • H04N25/11Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics
    • H04N25/13Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements
    • H04N25/134Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements based on three different wavelength filter elements
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/10Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof for transforming different wavelengths into image signals
    • H04N25/11Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics
    • H04N25/13Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements
    • H04N25/135Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements based on four or more different wavelength filter elements
    • H04N25/136Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements based on four or more different wavelength filter elements using complementary colours
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/148Charge coupled imagers
    • H01L27/14868CCD or CID colour imagers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Optical Filters (AREA)

Description

本発明は、固体撮像素子及びその製造方法に関する。
近年、固体撮像素子は、デジタルスチルカメラやデジタルビデオカメラの撮像素子として、又ファクシミリ、スキャナー、コピー機の画像読み取り素子として、利用されており、その需要は拡大している。主な固体撮像装置としては、MOS固体撮像素子や、CCD(coupled charged device)固体撮像素子が知られている。また、近年においては、多くの場合、これらの固体撮像素子は、カラー画像を取り込むため、カラーフィルタを備えている。
図5は、従来の固体撮像素子の構成を示す部分断面図である。図5に示す固体撮像素子は、CCD固体撮像素子である。図5に示すように、固体撮像素子は、半導体基板1にマトリクス状に配置された複数のフォトダイオード22を備えている。また、フォトダイオード22の垂直方向の列毎に、垂直転送部23が設けられている。
図5の例では、半導体基板21はp型のシリコン基板であり、フォトダイオード22はn型の半導体領域である。垂直転送部23は、フォトダイオード22の垂直方向の列に沿って形成されたチャネル領域23bと、チャネル領域23bの上に設けられた転送電極23aとを備えている。転送電極23aは絶縁膜24によって被覆されている。
また、各フォトダイオード22の上層には、第1の平坦化膜25を介して、層内マイクロレンズ26が形成されている。更に、層内マイクロレンズ26の上層には、第2の平坦化膜27を介して、カラーフィルタ28a〜28cが形成されている。カラーフィルタ28a〜28cは、フォトダイオード22毎に、マトリクス状に形成されており、カラーフィルタアレイを構成している。
図5の例では、カラーフィルタ28aはグリーン(G)のカラーフィルタ、カラーフィルタ28bはブルー(B)のカラーフィルタ、カラーフィルタ28cはレッド(R)のカラーフィルタである。また、一つのカラーフィルタが、一つのフォトダイオード22の受光面に対応しており、各フォトダイオード22には、赤色光、青色光及び緑色光のいずれかのみが入射する。
なお、このような原色カラーフィルタが用いられる代わりに、シアン(C)、マゼンタ(MG)、イエロー(Y)、グリーン(G)の組み合わせで構成される補色カラーフィルタが用いられる場合もある。また、カラーフィルタ28a〜28cの形成方法としては、染色法、フォトレジスト法等が挙げられる。更に、後者のフォトレジスト法で使用されるレジストとしては、顔料分散レジスト、染料分散レジスト等が挙げられる。
また、カラーフィルタ28a〜28cの上層には、第3の平坦化膜29を介して、層内マイクロレンズ26よりも大口径のマイクロレンズ30が形成されている。マイクロレンズ10も、フォトダイオード2毎に、マトリクス状に形成されている。図1に示す固体撮像素子では、外部の光は、マイクロレンズ30と層内マイクロレンズ26との二つのレンズによって、二段階で集光された後、各フォトダイオード22に入射する。このため、図5に示す固体撮像素子では、斜めの方向から入射する光に対しての感度の向上が図られている。
ところで、固体撮像素子の分野においては、解像度を高めるため、画素数は年々増加する傾向にある。また、画素数の増加によって固体撮像素子が大型化すると、固体撮像素子を搭載した製品の小型化が困難となるため、画素の小型化が求められている。このような傾向は、今後、より進展すると予想される。
図6は、図5に示した例に比べて多画素化及び画素の小型化が図られた固体撮像素子の構成を示す部分断面図である。図6に示す固体撮像素子の構成は、画素数が増加している点及び画素サイズが小型化されている点以外は、図5に示した固体撮像装置の構成と同様である。図6に示す例では、画素の小型化が図られているため、フォトダイオード22の一辺の長さH2は、図5に示したフォトダイオードの一辺の長さH1に比べて短くなっている(H2<H1)。
しかし、各平坦化膜やカラーフィルタの薄膜化には限界があるため、図6の例におけるフォトダイオード22とマイクロレンズ30との間の距離L2は、図5の例におけるフォトダイオード22とマイクロレンズ30との間の距離L1に略等しくなる(L2≒L1)。このため、図6に示すフォトダイオード22においては、図5に示したフォトダイオードに比べて、マイクロレンズ30のF値が小さくなり、斜め方向から入射する光に対する感度が低下してしまう。
このような問題を解決するため、ドライ成膜法を用いて、カラーフィルタを形成することが提案されている(例えば、特許文献1参照。)。ドライ成膜法の一例としては、カラーフィルタの形成領域に、顔料粒子や染料粒子といった着色粒子を蒸着によって堆積させる蒸着法が知られている。ドライ成膜法によれば、カラーフィルタは従来よりも薄膜化され、フォトダイオード22とレンズ10との間の距離は短くなるため、上記の問題が解決される。
特開2002−314058号公報(第5頁、第3図−第5図)
しかしながら、ドライ成膜法を用いた場合は、カラーフィルタの内部に隙間が形成され、それにより、固体撮像素子の感度やS/N比が低下するという問題が発生する。この問題について図7を用いて説明する。
図7は、ドライ成膜法によって形成された従来のカラーフィルタを示す部分断面図であり、図7(a)〜(c)それぞれは着色粒子の堆積状態が異なる例を示している。また、図7(a)〜(c)においては断面に現れた線のみを図示している。
図7(a)〜(c)に示すように、カラーフィルタ28a〜28cは多数の着色粒子31の集合体であり、ドライ成膜法を用いた場合は、堆積した着色粒子31と着色粒子31との間に隙間32が発生してしまう。このため、カラーフィルタ28a〜28cに入射した光は、隙間32で散乱してしまう。この結果、上述したように、固体撮像素子の感度やS/N比は低下してしまう。
本発明の目的は、上記問題を解消し、感度やS/N比の低下を抑制し得る固体撮像素子、及びその製造方法を提供することにある。
上記目的を達成するために本発明における固体撮像素子は、半導体基板上にマトリクス状に形成された複数の受光素子と、前記複数の受光素子それぞれに対応する複数のカラーフィルタとを備える固体撮像素子であって、前記カラーフィルタは、前記複数の受光素子
の上層に着色粒子を堆積して形成された着色膜と、前記着色粒子の間の隙間に充填された着色されている樹脂とを有し、且つ、前記カラーフィルタが、当該固体撮像素子の有効画素領域の内側及び外側に形成されており、前記有効画素領域の外側に位置する前記カラーフィルタにおいて、前記樹脂が、前記着色粒子の色に対して補色又は対照色となる色で着色されていることを特徴とする。
また、上記目的を達成するため本発明における固体撮像素子の製造方法は、半導体基板上にマトリクス状に形成された複数の受光素子と、前記複数の受光素子それぞれに対応する複数のカラーフィルタとを備える固体撮像素子の製造方法であって、(a)前記複数のカラーフィルタそれぞれの形成領域に着色粒子を堆積させて着色膜を形成する工程と、(b)前記着色粒子の間の隙間に、樹脂を充填する工程とを少なくとも有し、前記(a)の工程において、蒸着、スパッタリング、及びイオンプレーティングのいずれかによって、前記着色粒子を前記形成領域に堆積させることを特徴とする。
以上の特徴により、本発明によれば、カラーフィルタ中の空洞は樹脂によって埋められ、カラーフィルタに入射した光の散乱は抑制される。このため、従来に比べて、感度やS/N比が高い固体撮像素子を得ることができる。
本発明における固体撮像素子は、半導体基板上にマトリクス状に形成された複数の受光素子と、前記複数の受光素子それぞれに対応する複数のカラーフィルタとを備える固体撮像素子であって、前記カラーフィルタは、前記複数の受光素子の上層に着色粒子を堆積して形成された着色膜と、前記着色粒子の間の隙間に充填された樹脂とを有していることを特徴とする。
上記本発明における固体撮像素子において、前記着色粒子としては、顔料粒子及び染料粒子のうち少なくとも一種を含んだものを用いることができる。また、上記本発明における固体撮像素子において、前記着色粒子の間の隙間に充填される樹脂は、透明であっても良いし、着色されていても良い。本発明における固体撮像素子においては、顔料粒子の間に充填される樹脂の色を調整することによって、カラーフィルタの分光特性を調整することができる。
また、上記本発明における固体撮像素子においては、前記カラーフィルタが、当該固体撮像素子の有効画素領域の内側及び外側に形成されており、前記有効画素領域の外側に位置するカラーフィルタにおいて、前記着色粒子の間の隙間に充填された樹脂が、前記着色粒子の色に対して補色又は対照色となる色で着色されている態様とするのが好ましい。この態様によれば、有効画素領域の外側に位置するカラーフィルタは遮光領域として機能するため、フレアの発生を抑制できる。
更に、上記本発明における固体撮像素子においては、前記複数のカラーフィルタが、マトリクス状に配置されて、カラーフィルタアレイを形成しており、前記カラーフィルタアレイは、隣り合う前記カラーフィルタ間の境界に沿って形成された格子状の遮光領域を有し、前記遮光領域は、隣り合う前記カラーフィルタ間に着色粒子を堆積して形成された着色膜と、前記着色粒子の間の隙間に充填され、且つ、前記着色粒子の色に対して補色又は対照色となる色で着色された樹脂とを有している態様とするのも好ましい。この態様とした場合は、格子状の遮光領域を簡単に形成することができるようになる。また、この格子状の遮光領域により、隣接する画素からの迷光によって混色が発生するのを抑制できるため、画素サイズの小型化を促進できる。
また、本発明における固体撮像素子の製造方法は、半導体基板上にマトリクス状に形成された複数の受光素子と、前記複数の受光素子それぞれに対応する複数のカラーフィルタとを備える固体撮像素子の製造方法であって、(a)前記複数のカラーフィルタそれぞれの形成領域に着色粒子を堆積させて着色膜を形成する工程と、(b)前記着色粒子の間の隙間に、樹脂を充填する工程とを少なくとも有することを特徴とする。
上記本発明における固体撮像素子の製造方法においても、前記着色粒子としては、顔料粒子及び染料粒子のうち少なくとも一種を含んだものを用いることができる。また、上記本発明における固体撮像素子の製造方法においては、前記(a)の工程において、蒸着、スパッタリング、及びイオンプレーティングのいずれかによって、前記着色粒子を前記形成領域に堆積させることができる。この場合、着色膜の厚みが大きくなるのを抑制できる。
また、上記本発明における固体撮像素子の製造方法においては、前記(b)の工程において、前記着色膜の上に前記樹脂を塗布し、毛細管現象を利用して、塗布された樹脂を前記着色粒子の間の隙間に充填することができる。更に、前記(b)の工程において、前記着色膜の上に前記樹脂を塗布し、前記着色膜の内部と外部との間に圧力差を生じさせて、塗布された前記樹脂を前記着色粒子の間の隙間に充填することもできる。
(実施の形態)
以下、本発明の実施の形態における固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法について、図1及び図2を参照しながら説明する。最初に、本実施の形態における固体撮像素子の構成について図1を用いて説明する。図1は、本発明の実施の形態における固体撮像素子の構成の一部を示す部分断面図である。なお、図1においては断面に現れた線のみを図示している。
図1に示すように、本実施の形態においても、背景技術において図5及び図6に示した従来例と同様に、カラーフィルタ10は、受光素子として機能するフォトダイオード(図2参照)の上層に形成されている。また、カラーフィルタ10は、フォトダイオード毎に、複数のフォトダイオードそれぞれに対応するように形成されている。
但し、本実施の形態においては、カラーフィルタ10の構成が、背景技術において図7に示した従来例と異なっている。図1に示すように、カラーフィルタ10は、着色膜8と、着色粒子12間の隙間に充填された樹脂9とを有している。着色膜8は、着色粒子12をドライ成膜法によって堆積することによって、形成されている。
このように、本実施の形態における固体撮像装置においては、カラーフィルタ10中の空洞(着色粒子12の隙間)は樹脂9によって埋められる。このため、カラーフィルタ10に入射した光の散乱は抑制される。この結果、本実施の形態における固体撮像素子によれば、従来に比べて、感度やS/N比の向上を図ることができる。
なお、本実施の形態における固体撮像素子は、カラーフィルタ10の構成以外の点では、図5及び図6に示した従来の固体撮像素子と同様に形成されている。図1においては、カラーフィルタ10の上層については図示を省略している。また、7は、層内レンズ(図2参照)を被覆する第2の平坦化膜(図2参照)である。
次に、本発明における固体撮像素子の製造方法について図2を用いて説明する。図2は、本発明の実施の形態における固体撮像素子の製造方法を示す断面図であり、図2(a)〜(d)は一連の主な工程をそれぞれ示している。図2に示す各工程を実施することにより、図1に示した本実施の形態における固体撮像素子を得ることができる。
先ず、図2(a)に示すように、半導体基板1に、マトリクス状に配置されたフォトダイオード2、及びフォトダイオード2の垂直方向の列に沿って配置されたチャネル領域3bを形成する。本実施の形態において、半導体基板1はp型のシリコン基板であり、フォトダイオード2及びチャネル領域3bはn型の半導体領域である。
次に、半導体基板1上のチャネル領域3bの上に、転送電極3a、それを被覆する絶縁膜4を形成する。これにより、フォトダイオード2に蓄積された電荷を垂直方向に転送する垂直転送部3が完成する。次に、フォトダイオード2及び垂直転送部3が被覆されるように絶縁膜を形成し、これを平坦化して、第1の平坦化膜5を形成する。更に、第1の平坦化膜5の上に、層内マイクロレンズ6、及び第2の平坦化膜7を順に形成する。
次に、第2の平坦化膜7の上に、着色粒子(図1参照)を堆積させ、これにより着色膜8を形成する。本実施の形態においては、着色粒子としては顔料粒子が用いられている。但し、本実施の形態において、着色粒子は、顔料粒子に限定されるものではない。着色粒子は、染料粒子であっても良いし、顔料粒子と染料粒子との両方を含むものであっても良い。
また、着色粒子の堆積は、例えば、蒸着法、スパッタリング法、及びイオンプレーティング法のいずれかによって行うことができる。このうち、本実施の形態では、上述したように着色粒子として顔料粒子を用いるため、蒸着法を用いるのが好ましい。蒸着法は、顔料を加熱し、これを昇華させるため、蒸着法によれば、顔料の構造を破壊することなく、顔料粒子の堆積を行なうことができるからである。
また、本実施の形態においては、着色膜8は、それぞれ色彩の異なる3種類の着色膜8a、8b及び8cで構成されている。具体的には、着色膜8aは、緑色(グリーン)の着色粒子によって形成されている。着色膜8bは、青色(ブルー)の着色粒子によって形成されている。また、着色膜8cは、赤色(レッド)の着色粒子によって形成されている。
なお、着色膜8の種類は、3種類に限定されず、それ以上であっても良い。また、着色膜8の色彩は、グリーン、ブルー及びレッド以外であっても良い。例えば、着色膜は、シアン(C)、マゼンタ(MG)、イエロー(Y)、グリーン(G)の各着色膜で構成されていても良い。
本実施形態において着色粒子として顔料粒子を用いる場合、顔料粒子としては、例えばアントラキノン、ジケトピロロピロール、フタロシアニン、ジメチルキナクリドン等の有機顔料を用いることができる。このうち、特に、レッド(R)の着色膜8cの形成には、アントラキノンや、ジケトピロロピロール等の有機顔料を用いるのが好ましい。また、ブルー(B)の着色膜8bの形成には、フタロシアニン等の有機顔料を用いるのが好ましい。更に、マゼンタ(MG)の着色膜の形成には、ジメチルキナクリドン等の有機顔料を用いるのが好ましい。
更に、本実施形態において、着色粒子として染料粒子を用いる場合は、染料粒子としては、例えばスチルベン系染料を用いることができる。特に、スチルベン系染料は、イエロー(Y)の着色膜の形成に用いるのがより好ましい。
次に、図2(b)に示すように、着色膜8(着色膜8a〜8c)の上に、樹脂9を塗布する。樹脂9の塗布方法としては、例えば、各種の印刷法、ダイコート法、スピンコート法等が挙げられる。樹脂9としては、例えば、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂等が挙げられる。このうち、透明であって、且つ、紫外線照射や加熱による成形が容易な点から、アクリル系樹脂を用いるのが好ましい。
また、樹脂9は、有機溶剤に溶解しないで塗布するのが好ましい。これは、樹脂9を有機溶剤に溶解した場合は、塗布、乾燥後に溶剤成分が蒸発するため、塗布された樹脂9の体積が隙間全体の体積と同程度であると、乾燥後に隙間が完全に埋まらない可能性があるからである。また、溶剤成分の抜けた部分が気泡(ボイド)として残る可能性もあるからである。但し、溶剤成分の蒸発後の薄膜化を考慮し、樹脂9の塗布膜厚をその分厚くしておくのであれば、樹脂9は、塗布方法に応じて、有機溶剤に溶解した状態で塗布することもできる。
また、図2(b)の例では、樹脂9としては、透明な樹脂が用いられているが、着色された樹脂を用いることもできる。樹脂9として着色された樹脂を用いた場合は、カラーフィルタの分光特性を調整することができる。例えば、赤色の着色膜8cや緑色の着色膜8aに浸透させる樹脂9としては、黄色に着色された樹脂を用いることができる。青色の着色膜8bに浸透させる樹脂9としては、紫色に着色された樹脂を用いることができる。
次に、図2(c)に示すように、塗布された樹脂9を着色膜8に浸透させ、着色膜8中にできた着色粒子の隙間(図1参照)を樹脂9で充填する。具体的には、樹脂9の塗布後、暫く静置する。塗布された樹脂9は、毛細管現象により、着色粒子の隙間に浸透する。この時、樹脂9が硬化しない程度、例えば100℃程度に半導体基板1を加熱するのが好ましい。加熱により、塗布した樹脂9の粘度が下がり、樹脂9の流動性が良くなるため、加熱しない場合よりも、樹脂9は着色粒子の隙間に浸透し易くなる。
また、図2(c)に示す工程においては、塗布された樹脂9の着色膜8中への充填率を高めたるため、着色膜8の内部と外部との間に圧力差を生じさせるのが好ましい。具体的には、いわゆる真空含浸法を用いて、半導体基板1の雰囲気を大気圧以下に設定する。このようにすると、着色粒子間の隙間に溜まったガスが抜け易くなり、より小さな隙間にも樹脂9を浸透させることができる。
その後、図2(d)に示すように、加熱や紫外線照射を行って、着色膜8及び樹脂9を効果させると、カラーフィルタ10が得られる。図2(d)の例では、カラーフィルタ10は、グリーン(G)のカラーフィルタ10a、ブルー(B)のカラーフィルタ10b、レッド(R)のカラーフィルタ10cで構成されている。また、カラーフィルタ10a〜10cそれぞれは、フォトダイオードに対応してマトリクス状に配置されており、一つのカラーフィルタアレイが形成されている。
カラーフィルタ10の完成後は、背景技術において図5及び図6に示したように、第3の平坦化膜やマイクロレンズ等が形成される。これにより、固体撮像素子が完成する。このように、本実施の形態によれば、簡単に着色膜中の着色粒子間の隙間を樹脂で埋めることができ、実施の形態における固体撮像素子を低コストで得ることができる。
また、本実施の形態における固体撮像素子の製造方法によれば、簡単に固体撮像素子に遮光領域を形成することができる。図1を用いて説明すると、着色粒子12の間の隙間に充填される樹脂9として、着色粒子12の色に対して補色又は対照色となる色で着色された樹脂を用いれば、この樹脂が充填された領域は黒っぽい色となり、遮光領域として機能する。
例えば、着色粒子12の色が赤色の場合は、緑系の色に着色された樹脂9を用いれば良い。また、着色粒子12の色が緑色の場合は、赤系の色に着色された樹脂9を用い、着色粒子12の色が青色の場合は、橙系の色に着色された樹脂9を用いれば良い。
ここで、図3及び図4を用いて遮光領域を形成した例について更に具体的に説明する。図3は、本発明の実施の形態における遮光膜を備えた固体撮像素子の一例を示す平面図である。図3においては、カラーフィルタアレイ11よりも上層については図示を省略している。
図3に示すように、本例では、カラーフィルタアレイ11は、固体撮像素子の有効画素領域13の外側にまで広がっている。つまり、カラーフィルタは、固体撮像素子の有効画素領域13の内側だけでなく、外側にも形成されている。図3において、14は、有効画素領域13の外側に形成されたカラーフィルタを示している。
また、本例では、有効画素領域13の外側に形成されたカラーフィルタ14において、着色粒子の間の隙間に充填された樹脂は、着色粒子の色に対して補色又は対照色となる色で着色されている。よって、カラーフィルタ14は、有効画素領域13の外側において遮光領域として機能する。
このため、図3の例によれば、入射光が有効画素領域の周辺に形成された多数の金属配線で反射されるのを抑制できる。よって、この金属配線で反射された光が、固体撮像装置のパッケージのガラス部分やパッケージ内に組み込まれたレンズで再度反射されて、有効画素領域内に入射するのを抑制でき、フレアの発生を抑制できる。
また、カラーフィルタ14は、有効画素領域13の内側及び外側に着色膜を形成した後、リフトオフ法を用いて形成することができる。具体的には、先ず、着色膜の上に、カラーフィルタ14の形成領域が開口したレジストパターンを形成する。次に、レジストパターンの開口部分に樹脂を塗布し(図2(b)参照)、更にこの樹脂を着色膜中に浸透させる(図2(c)参照)。その後、樹脂を硬化させる(図2(d)参照)。
図4は、本発明の実施の形態における遮光領域を備えた固体撮像素子の他の例を示す平面図である。図4においては、有効画素領域内の一部分が拡大して示されている。また、図4においても、図3と同様に、カラーフィルタアレイ11よりも上層については図示を省略している。
図4に示すように、本例では、隣り合うカラーフィルタ間の境界に沿って格子状の遮光領域15が形成されている。また、本例における遮光領域15も、図3に示した遮光領域と同様にカラーフィルタである。つまり、遮光領域15は、隣り合うカラーフィルタ間に形成された着色膜と、この着色膜の着色粒子の間の隙間に充填された樹脂とを有している。また、この樹脂は、着色粒子の色に対して補色又は対照色となる色で着色されている。
図4の例では、遮光領域15は以下の工程によって形成される。先ず、有効画素領域内に、各フォトダイオードに対応するようにマトリクス状に配置された複数の着色膜を形成する(図2(a)参照)。次に、隣り合う着色膜間の境界に沿って、格子状のレジストパターンを形成した後、レジストパターンの開口に樹脂を塗布し(図2(b)参照)、これを着色膜中に浸透させる(図2(c)参照)。更に、浸透した樹脂を硬化させるとカラーフィルタ10a〜10cが形成される(図2(d)参照)。
その後、カラーフィルタ10a〜10cを被覆するレジストパターンを形成し、レジストパターンが開口した部分に、着色粒子の色に対して補色又は対照色となる色で着色された樹脂を塗布し、これを着色膜中に浸透させる。更に、浸透した樹脂を硬化させると遮光領域15が得られる。なお、遮光領域15の形成後に、カラーフィルタ10a〜10cの形成を行なう態様であっても良い。
このように、本例では、隣り合うカラーフィルタ10a〜10cを分離するように遮光領域15が形成される。このため、本例によれば、隣接する画素からの迷光によって生じる混色の発生を抑制することができる。また、混色は、画素サイズが小さくなるほど発生し易くなることから、図4に示す態様は、多画素化によって画素サイズが小さくなる場合に有効である。
以上、本実施の形態においては、固体撮像素子がCCD固体撮像素子である場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。本発明においては、固体撮像素子は、MOS型固体撮像素子であっても良い。本発明は、カラーフィルタを備える固体撮像素子であれば、例外なく適用できる。また、本発明の固体撮像素子がCCD固体撮像素子である場合であっても、本発明は、図1〜図4に示した例に限定されない。本発明においては、層内マイクロレンズが設けられていない態様であっても良い。
本発明の固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法は、デジタルスチルカメラ及びデジタルビデオカメラの撮像素子や、ファクシミリ、スキャナー、コピー機等の画像読み取り素子に適用できる。よって、本発明の固体撮像素子及び固体撮像素子の製造方法は産業上の利用可能性を備えている。
本発明の実施の形態における固体撮像素子の構成の一部を示す部分断面図である。 本発明の実施の形態における固体撮像素子の製造方法を示す断面図であり、図2(a)〜(d)は一連の主な工程をそれぞれ示している。 本発明の実施の形態における遮光膜を備えた固体撮像素子の一例を示す平面図である。 本発明の実施の形態における遮光領域を備えた固体撮像素子の他の例を示す平面図である。 従来の固体撮像素子の構成を示す部分断面図である。 図5に示した例に比べて多画素化及び画素の小型化が図られた固体撮像素子の構成を示す部分断面図である。 ドライ成膜法によって形成された従来のカラーフィルタを示す部分断面図であり、図7(a)〜(c)それぞれは着色粒子の堆積状態が異なる例を示している。
符号の説明
1 半導体基板
2 フォトダイオード
3 転送電極
4 絶縁膜
5 第1の平坦膜
6 層内マイクロレンズ
7 第2の平坦膜
8 着色膜
8a 着色粒子が緑色の着色膜
8b 着色粒子が青色の着色膜
8c 着色粒子が赤色の着色膜
9 隙間に充填される樹脂
10 カラーフィルタ
10a カラーフィルタ(G)
10b カラーフィルタ(B)
10c カラーフィルタ(R)
11 カラーフィルタアレイ
12 着色粒子
13 有効画素領域
14 有効画素領域の外側に形成された遮光領域
15 有効画素領域内に格子状に形成された遮光領域

Claims (7)

  1. 半導体基板上にマトリクス状に形成された複数の受光素子と、前記複数の受光素子それぞれに対応する複数のカラーフィルタとを備える固体撮像素子であって、
    前記カラーフィルタは、前記複数の受光素子の上層に着色粒子を堆積して形成された着色膜と、前記着色粒子の間の隙間に充填された着色されている樹脂とを有し、且つ、
    前記カラーフィルタが、当該固体撮像素子の有効画素領域の内側及び外側に形成されており、前記有効画素領域の外側に位置する前記カラーフィルタにおいて、前記樹脂が、前記着色粒子の色に対して補色又は対照色となる色で着色されていることを特徴とする固体撮像素子。
  2. 半導体基板上にマトリクス状に形成された複数の受光素子と、前記複数の受光素子それぞれに対応する複数のカラーフィルタとを備える固体撮像素子であって、
    前記カラーフィルタは、前記複数の受光素子の上層に着色粒子を堆積して形成された着色膜と、前記着色粒子の間の隙間に充填された樹脂とを有し
    前記複数のカラーフィルタが、マトリクス状に配置されて、カラーフィルタアレイを形成しており、
    前記カラーフィルタアレイは、隣り合う前記カラーフィルタ間の境界に沿って形成された格子状の遮光領域を有し、
    前記遮光領域は、隣り合う前記カラーフィルタ間に着色粒子を堆積して形成された着色膜と、前記着色粒子の間の隙間に充填され、且つ、前記着色粒子の色に対して補色又は対照色となる色で着色された樹脂とを有していることを特徴とする固体撮像素子。
  3. 前記着色粒子が、顔料粒子及び染料粒子のうち少なくとも一種を含んでいる請求項1または2に記載の固体撮像素子。
  4. 半導体基板上にマトリクス状に形成された複数の受光素子と、前記複数の受光素子それぞれに対応する複数のカラーフィルタとを備える固体撮像素子の製造方法であって、
    (a)前記複数のカラーフィルタそれぞれの形成領域に着色粒子を堆積させて着色膜を形成する工程と、
    (b)前記着色粒子の間の隙間に、樹脂を充填する工程とを少なくとも有し、
    前記(a)の工程において、蒸着、スパッタリング、及びイオンプレーティングのいずれかによって、前記着色粒子を前記形成領域に堆積させることを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
  5. 前記着色粒子が、顔料粒子及び染料粒子のうち少なくとも一種を含んでいる請求項に記載の固体撮像素子の製造方法。
  6. 前記(b)の工程において、前記着色膜の上に前記樹脂を塗布し、毛細管現象を利用して、塗布された樹脂を前記着色粒子の間の隙間に充填する請求項4または5に記載の固体撮像素子の製造方法。
  7. 前記(b)の工程において、前記着色膜の上に前記樹脂を塗布し、前記着色膜の内部と外部との間に圧力差を生じさせて、塗布された前記樹脂を前記着色粒子の間の隙間に充填する請求項4または5に記載の固体撮像素子の製造方法。
JP2005197975A 2005-07-06 2005-07-06 固体撮像素子及びその製造方法 Expired - Fee Related JP4684029B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005197975A JP4684029B2 (ja) 2005-07-06 2005-07-06 固体撮像素子及びその製造方法
US11/480,048 US7576314B2 (en) 2005-07-06 2006-06-30 Solid-state imaging device and method for manufacturing the same
CNA2006101054517A CN1893100A (zh) 2005-07-06 2006-07-05 固体摄像元件及其制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005197975A JP4684029B2 (ja) 2005-07-06 2005-07-06 固体撮像素子及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007019189A JP2007019189A (ja) 2007-01-25
JP4684029B2 true JP4684029B2 (ja) 2011-05-18

Family

ID=37597749

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005197975A Expired - Fee Related JP4684029B2 (ja) 2005-07-06 2005-07-06 固体撮像素子及びその製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7576314B2 (ja)
JP (1) JP4684029B2 (ja)
CN (1) CN1893100A (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7955764B2 (en) * 2006-04-07 2011-06-07 Micron Technology, Inc. Methods to make sidewall light shields for color filter array
US8023017B2 (en) * 2007-01-08 2011-09-20 United Microelectronics Corp. Pattern of color filter array
US7718533B2 (en) 2007-05-08 2010-05-18 Micron Technology, Inc. Inverted variable resistance memory cell and method of making the same
JP5027081B2 (ja) * 2008-08-29 2012-09-19 パナソニック株式会社 カラー撮像デバイスおよびカラー撮像デバイスの製造方法
JP2011054911A (ja) * 2009-09-04 2011-03-17 Sony Corp 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器
US10983339B2 (en) * 2016-08-09 2021-04-20 Sony Corporation Solid-state imaging element, pupil correction method for solid-state imaging element, imaging device, and information processing device

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001271036A (ja) * 2000-03-23 2001-10-02 Eastman Kodak Co カラーフィルターアレイの製造方法
JP2002314058A (ja) * 2001-04-17 2002-10-25 Sony Corp 固体撮像素子およびその製造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5522763A (en) * 1978-08-08 1980-02-18 Dainippon Printing Co Ltd Image recording material
US4786148A (en) * 1986-12-10 1988-11-22 Canon Kabushiki Kaisha Color filter having different primary color pigment densities, inter alia
JPH02105571A (ja) * 1988-10-14 1990-04-18 Nec Corp 固体撮像素子
JP2707787B2 (ja) * 1990-03-20 1998-02-04 セイコーエプソン株式会社 薄膜の形成方法および液晶装置用カラーフィルターの製造方法
JPH04342207A (ja) * 1991-05-20 1992-11-27 Seiko Epson Corp カラーフィルター及びその製造方法
JPH09230131A (ja) * 1996-02-21 1997-09-05 Kansai Shin Gijutsu Kenkyusho:Kk カラーフィルタ及びその製造方法
US7070106B2 (en) * 1998-03-24 2006-07-04 Metrologic Instruments, Inc. Internet-based remote monitoring, configuration and service (RMCS) system capable of monitoring, configuring and servicing a planar laser illumination and imaging (PLIIM) based network
CN100530758C (zh) * 1998-03-17 2009-08-19 精工爱普生株式会社 薄膜构图的衬底及其表面处理
US6064528A (en) * 1998-11-20 2000-05-16 Eastman Kodak Company Multiple laser array sources combined for use in a laser printer
US7176446B1 (en) * 1999-09-15 2007-02-13 Zoran Corporation Method and apparatus for distributing light onto electronic image sensors
JP2003332547A (ja) * 2002-05-16 2003-11-21 Fuji Film Microdevices Co Ltd 固体撮像素子及びその製造方法
US20070153392A1 (en) * 2005-01-21 2007-07-05 Meritt Reynolds Apparatus and method for illumination of light valves

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001271036A (ja) * 2000-03-23 2001-10-02 Eastman Kodak Co カラーフィルターアレイの製造方法
JP2002314058A (ja) * 2001-04-17 2002-10-25 Sony Corp 固体撮像素子およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2007019189A (ja) 2007-01-25
CN1893100A (zh) 2007-01-10
US7576314B2 (en) 2009-08-18
US20070007443A1 (en) 2007-01-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7683302B2 (en) Solid-state imaging device having on-chip color filter layers and solid-state imaging device manufacturing method of the solid-state imaging device
JP4576412B2 (ja) 着色マイクロレンズアレイの製造方法、カラー固体撮像素子およびその製造方法、カラー表示装置の製造方法、電子情報機器の製造方法
US7531782B2 (en) Solid-state image sensor having micro-lenses arranged to collect light of which the incidence angle has been moderated by a transparent film disposed thereon
US7791659B2 (en) Solid state imaging device and method for producing the same
US7955764B2 (en) Methods to make sidewall light shields for color filter array
US7535043B2 (en) Solid-state image sensor, method of manufacturing the same, and camera
JP4684029B2 (ja) 固体撮像素子及びその製造方法
JP2006295125A (ja) 固体撮像装置及びその製造方法並びにカメラ
JP2013115335A (ja) 固体撮像素子およびその製造方法、電子機器、並びに固体撮像素子用組成物
KR100832710B1 (ko) 이미지 센서 및 이의 제조 방법
EP3376542A1 (en) Solid-state imaging element and method for manufacturing same
US8395699B2 (en) Solid-state imaging device, camera, electronic apparatus, and method for manufacturing solid-state imaging device
US20050045805A1 (en) Solid-state image sensor and a manufacturing method thereof
JP4905760B2 (ja) カラーフィルタの製造方法、カラーフィルタ、固体撮像素子の製造方法およびこれを用いた固体撮像素子
CN100459139C (zh) 固体摄像装置和其制造方法
JP2000174246A (ja) 固体撮像素子及びその製造方法
JP5027081B2 (ja) カラー撮像デバイスおよびカラー撮像デバイスの製造方法
JP4997907B2 (ja) 固体撮像装置及びその製造方法並びにカメラ
JP4547894B2 (ja) 固体撮像素子の製造方法
JP5029640B2 (ja) 固体撮像装置、電子機器、固体撮像装置の製造方法
JP2007199386A (ja) カラーフィルタ、その製造方法、これを用いた固体撮像素子、およびその製造方法
JP2006339376A (ja) 固体撮像装置、その製造方法およびカメラ
JP2006073731A (ja) 固体撮像装置
JP2008193008A (ja) 固体撮像装置およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20071228

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20101020

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20101026

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20101222

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110203

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110208

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140218

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees