CN109786552B - 有机薄膜及其制作方法、显示装置和光学器件 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种有机薄膜及其制作方法、显示装置和光学器件,其中,所述方法包括:提供一衬底基板;在所述衬底基板上形成异构发生层,所述异构发生层包括第一区域和第二区域;在所述异构发生层背离所述衬底基板的一面上添加前驱体溶液,并使得所述第二区域的表面能大于所述第一区域的表面能,以利用所述前驱体溶液形成有机薄膜,所述前驱体溶液至少部分位于所述第二区域内。本发明提供的有机薄膜及其制作方法、显示装置和光学器件,能够提高有机薄膜的生产良率。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种有机薄膜及其制作方法、显示装置和光学器件。
背景技术
喷墨打印技术可以在衬底基板上精确控制喷射的溶液的体积,进而再打印出不同图案化的功能薄膜,并应用在电子器件上。由于喷墨打印技术具有高效、低成本、非接触式及柔性的加工过程等特点,已逐渐应用在有机发光二极管、有机薄膜晶体管、微透镜等器件的加工。
现有技术中,由于喷墨打印的墨水在衬底材料上的铺展及其接触线的钉扎行为都具有一定的随机性,导致制作出的有机薄膜的形态各不相同,有机薄膜的生产良率较低。
发明内容
本发明实施例提供一种有机薄膜及其制作方法、显示装置和光学器件,以解决现有技术中有机薄膜的生产良率较低的问题。
为了解决上述技术问题,本发明提供技术方案如下:
第一方面,本发明实施例提供一种有机薄膜的制作方法,所述方法包括:
提供一衬底基板;
在所述衬底基板上形成异构发生层,所述异构发生层包括第一区域和第二区域;
在所述异构发生层背离所述衬底基板的一面上添加前驱体溶液,并使得所述第二区域的表面能大于所述第一区域的表面能,以利用所述前驱体溶液形成有机薄膜,所述前驱体溶液至少部分位于所述第二区域内。
进一步地,所述有机薄膜的第一部分位于所述第一区域且第二部分位于所述第二区域。
进一步地,所述异构发生层为异构反应可逆的光敏层;
所述在所述异构发生层背离所述衬底基板的一面上添加前驱体溶液,并使得所述第二区域的表面能大于所述第一区域的表面能,以利用所述前驱体溶液形成有机薄膜的步骤,包括:
在所述光敏层背离所述衬底基板的一面上通过喷墨打印前驱体溶液;
通过与所述光敏层对应的预设波长范围的光照射在设有所述前驱体溶液的所述第二区域,使得所述第二区域的表面能大于所述第一区域的表面能,以利用所述前驱体溶液形成自所述第一部分向所述第二部分方向取向的有机薄膜。
进一步地,所述异构发生层为异构反应不可逆的光敏层;
所述在所述异构发生层背离所述衬底基板的一面上通过喷墨打印前驱体溶液,并使得所述第二区域的表面能大于所述第一区域的表面能,以利用所述前驱体溶液形成有机薄膜的步骤,包括:
通过与所述光敏层对应的预设波长范围的光照射在所述第二区域,使得所述第二区域的表面能大于所述第一区域的表面能;
在经过光照后的所述光敏层背离所述衬底基板的一面上通过喷墨打印前驱体溶液,以利用所述前驱体溶液形成自所述第一部分向所述第二部分方向取向的有机薄膜。
进一步地,所述有机薄膜位于所述第二区域内。
进一步地,所述异构发生层为异构反应可逆的光敏层,所述第二区域为预设形状;
所述在所述异构发生层背离所述衬底基板的一面上通过喷墨打印添加前驱体溶液,并使得所述第二区域的表面能大于所述第一区域的表面能,以利用所述前驱体溶液形成有机薄膜的步骤,包括:
在所述第二区域背离所述衬底基板的一面上通过喷墨打印前驱体溶液;
通过与所述光敏层对应的预设波长范围的光照射在设有所述前驱体溶液的所述第二区域,使得所述第二区域的表面能大于所述第一区域的表面能,以利用所述前驱体溶液形成所述预设形状的有机薄膜。
进一步地,所述异构发生层为异构反应不可逆的光敏层,所述第二区域为预设形状;
所述在所述异构发生层背离所述衬底基板的一面上通过喷墨打印添加前驱体溶液,并使得所述第二区域的表面能大于所述第一区域的表面能,以利用所述前驱体溶液形成有机薄膜的步骤,包括:
通过与所述光敏层对应的预设波长范围的光照射在所述第二区域,使得所述第二区域的表面能大于所述第一区域的表面能;
在经过光照后的所述第二区域背离所述衬底基板的一面上通过喷墨打印前驱体溶液,以利用所述前驱体溶液形成所述预设形状的有机薄膜。
进一步地,所述第二区域为圆形;
所述形成覆盖所述第二区域的有机薄膜的步骤,包括:
形成所述预设形状的弧面有机薄膜,所述有机薄膜的弧面的曲率与所述第二区域的直径成反比。
第二方面,本发明实施例还提供一种有机薄膜,由上述的有机薄膜的制作方法制作得到。
第三方面,本发明实施例还提供一种显示装置,包括如上所述的有机薄膜。
第四方面,本发明实施例还提供一种光学器件,包括如上所述的有机薄膜。
本发明提供的技术方案中,通过异构发生层中的第二区域发生异构反应,使得第二区域的表面能大于第一区域的表面能,利用前驱体溶液更易于与表面能大的第二区域进行钉扎的特性,能够确保制作得到的有机薄膜的形态符合生产要求,提高有机薄膜的生产良率。因此,本发明提供的技术方案能够提高有机薄膜的生产良率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对本发明实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明一实施例提供的有机薄膜的制作方法的流程示意图;
图2a为本发明一实施例提供的有机薄膜的制作方法中添加前驱体溶液的结构示意图;
图2b为本发明一实施例提供的有机薄膜的制作方法中发生异构反应后前驱体溶液的结构示意图;
图2c为本发明一实施例提供的有机薄膜的制作方法中形成取向的有机薄膜的结构示意图;
图3a为本发明一实施例提供的有机薄膜的制作方法中触发第二区域发生异构反应的结构示意图;
图3b为本发明一实施例提供的有机薄膜的制作方法中添加前驱体溶液的结构示意图;
图3c为本发明一实施例提供的有机薄膜的制作方法中形成取向的有机薄膜的结构示意图;
图4为本发明一实施例提供的有机薄膜的制作方法中同一异构发生层上形成多种取向方向的有机薄膜的结构示意图;
图5为本发明一实施例提供的有机薄膜的制作方法中前驱体溶液在异构反应前和异构反应后在异构发生层上的最大宽度的示意图;
图6a为本发明一实施例提供的有机薄膜的制作方法中掩膜板的结构示意图;
图6b为本发明一实施例提供的有机薄膜的制作方法中触发第二区域发生异构反应的结构示意图;
图6c为本发明一实施例提供的有机薄膜的制作方法中形成取向的有机薄膜的结构示意图;
图7a为本发明一实施例提供的有机薄膜的制作方法中直径为A时弧面的曲率示意图;
图7b为本发明一实施例提供的有机薄膜的制作方法中直径为B时弧面的曲率示意图;
图8a为本发明一实施例提供的有机薄膜的制作方法中掩膜板的结构示意图;
图8b为本发明一实施例提供的有机薄膜的制作方法中触发第二区域发生异构反应的结构示意图;
图8c为本发明一实施例提供的有机薄膜的制作方法中形成取向的弧面有机薄膜的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供一种有机薄膜及其制作方法、显示装置和光学器件,能够解决现有技术中有机薄膜生产良率低的问题。
本发明实施例提供一种有机薄膜的制作方法,如图1所示,包括:
步骤101:提供一衬底基板;
步骤102:在所述衬底基板上形成异构发生层,所述异构发生层包括第一区域和第二区域;
步骤103:在所述异构发生层背离所述衬底基板的一面上添加前驱体溶液,并使得所述第二区域的表面能大于所述第一区域的表面能,以利用所述前驱体溶液形成有机薄膜,所述前驱体溶液至少部分位于所述第二区域内。
本发明实施例中,通过异构发生层中的第二区域发生异构反应,使得第二区域的表面能大于第一区域的表面能,利用前驱体溶液更易于与表面能大的第二区域进行钉扎的特性,能够确保制作得到的有机薄膜的形态符合生产要求,提高有机薄膜的生产良率。因此,本发明提供的技术方案能够提高有机薄膜的生产良率。
上述衬底基板可以是柔性衬底,比如聚酰亚胺薄膜;也可以是刚性衬底基板,比如石英基板或玻璃基板。
异构发生层可以是通过沉积的方式形成于衬底基板上,具体采用物理沉积或者化学沉积,本发明实施例对此不作限定。异构发生层能够发生异构反应,用于在触发条件下增加表面能。
前驱体溶液添加至异构发生层的方式可以是沉积、打印、涂覆等等,本发明实施例并不限定具体添加前驱体溶液的方式。
前驱体溶液是形成有机薄膜前的存在形式,制作不同的有机薄膜时,前驱体溶液的成分、比例和大小可以不同,前驱体溶液可以根据实际需求而定。本发明实施例中的前驱体溶液能够覆盖异构发生层的局部区域,异构发生层上的多个区域均可以添加前驱体溶液,从而形成多个有机薄膜。
本发明实施例中,异构反应的发生时间与前驱体溶液的添加时间的先后顺序与异构发生层的异构反应是否可逆有关,在异构反应可逆的情况下,可以是先添加前驱体溶液后发生异构反应;在异构反应不可逆的情况下,是先异构反应后添加前驱体溶液。
本发明实施例中,异构发生层中可以是仅有第二区域发生异构反应,从而第二区域的表面能大于第一区域的表面能;也可以是第一区域和第二区域均发生异构反应,但是第二区域的异构反应的程度更大,从而第二区域的表面能大于第一区域的表面能;还可以是在第一区域和第二区域均发生相同程度的异构反应后,但是第一区域可逆的降低了表面能,从而第二区域的表面能大于第一区域的表面能。
前驱体溶液会更易于在表面能大的区域进行钉扎,在前驱体溶液全部位于第二区域时,前驱体溶液会在表面能大的第二区域内进行钉扎,而不会在第一区域钉扎,从而确保前驱体溶液只会在第二区域而不会流到第一区域,确保形成的有机薄膜的位置;在前驱体溶液一部分位于第一区域且另一部分位于第二区域时,在第二区域的前驱体溶液由于钉扎较多与第二区域的接触角会小于前驱体溶液与第一区域的接触角,使得位于第一区域内的溶液向第二区域移动,进而形成固定取向的有机薄膜。
在一些可选的实施例中,所述有机薄膜的第一部分位于所述第一区域且第二部分位于所述第二区域。
现有技术中,喷墨打印的墨水在衬底材料上的铺展及其接触线的钉扎行为都具有一定的随机性,使得喷墨打印的有机半导体薄膜晶畴之间具有不同的晶格取向或分子取向,这样制备出的有机薄膜的结晶形态各不相同,导致各有机薄膜具有参差不齐的性能,制作有机薄膜的性能稳定性较低。
本实施例中,是通过添加前驱体溶液时将部分前驱体溶液添加至第一区域,另一部分前驱体溶液添加至第二区域,使得最终形成的有机薄膜的第一部分位于第一区域,第二部分位于第二区域。
在前驱体溶液形成有机薄膜的过程中,由于前驱体溶液更易于与第二区域钉扎,从而导致前驱体溶液在第二区域的接触角小于在第一区域的接触角,接触角较大的一侧的前驱体溶液向接触角较小的一侧移动,随着移动过程中前驱体溶液的蒸发和沉积,从而形成自第一部分向第二部分取向的有机薄膜。因此,通过设计异构发生层中第二区域的形状和位置,即可制备出预设取向的有机薄膜,从而确保制作出的有机薄膜的取向和结晶形态相同,使得有机薄膜均具有相同的性能,提高制作出的有机薄膜的性能的稳定性。
进一步地,所述异构发生层为异构反应可逆的光敏层;
所述在所述异构发生层背离所述衬底基板的一面上添加前驱体溶液,并使得所述第二区域的表面能大于所述第一区域的表面能,以利用所述前驱体溶液形成有机薄膜的步骤,包括:
在所述光敏层背离所述衬底基板的一面上通过喷墨打印前驱体溶液;
通过与所述光敏层对应的预设波长范围的光照射在设有所述前驱体溶液的所述第二区域,使得所述第二区域的表面能大于所述第一区域的表面能,以利用所述前驱体溶液形成自所述第一部分向所述第二部分方向取向的有机薄膜。
本实施例中,异构发生层为光敏层,光敏层由具有光响应的含有疏水性侧链基团的光敏材料制成,光敏层发生异构反应的触发条件为受到与光敏层对应的预设波长范围的光的照射。不同的光敏层触发条件中的光的波长范围不同。例如:光敏层为含氟偶氮苯聚合物材料时,对应发生异构反应的光为一定范围内的紫外光。
首先,在光敏层背离衬底基板的一面通过喷墨打印前驱体溶液,如图2a所示,此时异构发生层还未发生异构反应,前驱体溶液与异构发生层的接触角均为θ1。
之后,通过与光敏层对应的预设波长范围的光的照射在第二区域,如图2b所示,此时第二区域的光敏材料因光照而发生异构反应,侧链的疏水性基团收缩,第二区域的表面能增加,前驱体溶液更易于在第二区域钉扎,导致前驱体溶液在第二区域的接触角减小为θ2。
最后,接触角较大的一侧的前驱体溶液向接触角较小的一侧移动,随着移动过程中前驱体溶液的蒸发和沉积,从而形成具有取向结晶的有机薄膜,取向结晶的取向方向为自第一部分向第二部分的方向,如图2c所示,图中虚线为形成有机薄膜前前驱体溶液的轮廓线,实线为形成有机薄膜后有机薄膜的轮廓线。
这样,能够得到第一部分向第二部分取向的有机薄膜,在每个有机薄膜的制作过程中通过确保光照射的第二区域的位置可以使得制作得到的有机薄膜均具有相同的取向性,使得有机薄膜均具有相同的性能,提高制作出的有机薄膜的性能的稳定性。
进一步地,所述异构发生层为异构反应不可逆的光敏层;
所述在所述异构发生层背离所述衬底基板的一面上通过喷墨打印前驱体溶液,并使得所述第二区域的表面能大于所述第一区域的表面能,以利用所述前驱体溶液形成有机薄膜的步骤,包括:
通过与所述光敏层对应的预设波长范围的光照射在所述第二区域,使得所述第二区域的表面能大于所述第一区域的表面能;
在经过光照后的所述光敏层背离所述衬底基板的一面上通过喷墨打印前驱体溶液,以利用所述前驱体溶液形成自所述第一部分向所述第二部分方向取向的有机薄膜。
本实施例中的光敏材料可以为含氟偶氮苯三硫代碳酸酯类材料。
先通过预设波长范围的光照射在第二区域,使得第二区域发生异构反应,即使得第二区域的表面能大于第一区域的表面能。具体的照射方式可以是通过准直光源对准第二区域进行照射,也可以是通过掩膜板遮盖第一区域露出第二区域后,再通过光源对异构发生层整体进行照射(如图3a所示)。
光照结束后,第二区域的表面能增大且不可恢复,再在异构发生层添加分别位于第一区域和第二区域的前驱体溶液,与异构发生层接触的前驱体溶液更易于在第二区域钉扎,导致前驱体溶液在第二区域的接触角θ2小于前驱体溶液在第一区域的接触角θ1,如图3b所示。
最后,接触角较大的一侧的前驱体溶液向接触角较小的一侧移动,随着移动过程中前驱体溶液的蒸发和沉积,从而形成具有取向结晶的有机薄膜,取向结晶的取向方向为自第一部分向第二部分的方向,如图3c所示,图中虚线为形成有机薄膜前前驱体溶液的轮廓线,实线为形成有机薄膜后有机薄膜的轮廓线。
这样,能够得到第一部分向第二部分取向的有机薄膜,在每个有机薄膜的制作过程中通过确保光照射的第二区域的位置可以使得制作得到的有机薄膜均具有相同的取向性,使得有机薄膜均具有相同的性能,提高制作出的有机薄膜的性能的稳定性。
需要说明的是,经过前驱体溶液的设置位置与第二区域的设置位置之间的配合,可以在同一层异构发生层上制作不同取向方向的有机薄膜,如图4所示。
在前驱体溶液为6,13-双(三异丙基甲硅烷基乙炔基)并五苯等有机半导体溶液时,能够制作得到有机半导体薄膜,而具有同一结晶取向的有机半导体薄膜能够达到各器件性能一致性高的特点,可应用于大尺寸液晶显示及有机电激光显示驱动领域以及超敏阵列传感器等领域。
具体的,由于有源层的方向与偏振光的方向存在视角对应关系,光场感应器由不同方向的有源层制备的薄膜晶体管组合而成的,所以利用上述方法制备对应结晶取向有机半导体薄膜阵列可以通过调节有机薄膜晶体管阵列对应的沟道方向,进而满足2D和3D光场感应器对空间各方向上偏振光的适配需求,结晶取向可以根据实际需求进行设计。另外,也可实现根据电路布局需求,仅调整有源层方向就可以实现显示区域及非显示区域TFT阵列的差异化排布,如实现不同功能的移位寄存器及其驱动电路。
在另一些可选的实施例中,所述有机薄膜位于所述第二区域内。
现有技术中,喷墨打印的墨水在衬底材料上的铺展及其接触线的钉扎行为都具有一定的随机性,使得喷墨打印的前驱体溶液会流动,这样制备出的有机薄膜的形状、位置各不相同,有的可能达不到生产要求,降低了有机薄膜的生产良率。
本实施例中,是通过将前驱体溶液全部添加至第二区域,从而在第二区域内形成有机薄膜。由于有机薄膜形成过程中第二区域的表面能大于第一区域,使得前驱体溶液全部在第二区域钉扎不会流向第一区域,能够限定有机薄膜的形成位置和形状,提高有机薄膜的生产良率。
进一步地,所述异构发生层为异构反应可逆的光敏层,所述第二区域为预设形状;
所述在所述异构发生层背离所述衬底基板的一面上通过喷墨打印添加前驱体溶液,并使得所述第二区域的表面能大于所述第一区域的表面能,以利用所述前驱体溶液形成有机薄膜的步骤,包括:
在所述第二区域背离所述衬底基板的一面上通过喷墨打印前驱体溶液;
通过与所述光敏层对应的预设波长范围的光照射在设有所述前驱体溶液的所述第二区域,使得所述第二区域的表面能大于所述第一区域的表面能,以利用所述前驱体溶液形成所述预设形状的有机薄膜。
本实施例中,异构发生层为光敏层,光敏层发生异构反应的触发条件为受到与光敏层对应的预设波长范围的光的照射。不同的光敏层触发条件中的光的波长范围不同。例如:光敏层为含氟偶氮苯聚合物材料时,对应的光为一定范围内的紫外光。
首先,在光敏层背离衬底基板的一面的第二区域上通过喷墨打印前驱体溶液,前驱体溶液覆盖第二区域。
之后,通过与光敏层对应的预设波长范围的光的照射在第二区域,此时第二区域发生异构反应,第二区域的表面能增加,前驱体溶液更易于在第二区域钉扎,导致前驱体溶液在形成有机薄膜过程中不会移动到第一区域。需要说明的是,第二区域的形状可以是十字形、三角形、圆形、椭圆形等等任意形状,可以根据有机薄膜的用途进行设计。
最后,第二区域内的前驱体溶液形成与第二区域形状相同且具有一定厚度的有机薄膜。
这样,想制作什么形状的薄膜可以通过设计同样形状的第二区域,使前驱体溶液在发生异构反应后的第二区域内进行钉扎,能够得到与第二区域的形状相同的有机薄膜。在有机薄膜应用于薄膜晶体管领域时,其有机薄膜的形状可根据产品的需求差异化设计,从而可在有限的基底空间最大化的集成更多的薄膜晶体管,具备大规模、高集成度电路设计的优势。另外,在有机薄膜为荧光材料时,可以适配OLED像素的P(Pentile)排列或者其他不同像素大小搭配方式的排列,提高显示装置的显示效果。
进一步地,所述异构发生层为异构反应不可逆的光敏层,所述第二区域为预设形状;
所述在所述异构发生层背离所述衬底基板的一面上通过喷墨打印添加前驱体溶液,并使得所述第二区域的表面能大于所述第一区域的表面能,以利用所述前驱体溶液形成有机薄膜的步骤,包括:
通过与所述光敏层对应的预设波长范围的光照射在所述第二区域,使得所述第二区域的表面能大于所述第一区域的表面能;
在经过光照后的所述第二区域背离所述衬底基板的一面上通过喷墨打印前驱体溶液,以利用所述前驱体溶液形成所述预设形状的有机薄膜。
预先确定前驱体溶液在异构反应前的薄膜最大宽度为D1,在异构反应后的薄膜最大宽度为D2,D2>D1,如图5所示。预设形状的轮廓上两点的最大距离D应当大于D1且小于D2。
先通过预设波长范围的光照射在第二区域,使得第二区域发生异构反应,即使得第二区域的表面能大于第一区域的表面能。具体的照射方式可以是通过准直光源对准第二区域进行照射;也可以是预先在掩膜板上设计有贯穿掩膜板的预设形状的通孔(如图6a所示,通过设计不同形状的通孔得到对应形状的第二区域,最后得到对应形状的有机薄膜),再将掩膜板覆盖异构发生层,在通孔处露出第二区域,再通过光源对异构发生层整体进行照射(如图6b所示)。
在异构反应结束后,在异构发生层添加前驱体溶液并完全覆盖第二区域,与异构发生层接触的前驱体溶液更易于在第二区域钉扎,导致前驱体溶液在形成有机薄膜过程中不会移动到第一区域。
最后,第二区域内的前驱体溶液形成与第二区域形状相同且具有一定厚度的有机薄膜,如图6c所示,可以看出在同一层异构发生层上可以形成多种形状的有机薄膜。
这样,想制作什么形状的薄膜可以通过设计同样形状的第二区域,使前驱体溶液在发生异构反应后的第二区域内进行钉扎,能够得到与第二区域的形状相同的有机薄膜。在有机薄膜应用于薄膜晶体管领域时,其有机薄膜的形状可根据产品的需求差异化设计,从而可在有限的基底空间最大化的集成更多的薄膜晶体管,具备大规模、高集成度电路设计的优势。另外,在有机薄膜为荧光材料时,可以适配OLED像素的P(Pentile)排列或者其他不同像素大小搭配方式的排列,提高显示装置的显示效果。
进一步地,所述第二区域为圆形;
所述形成所述预设图形的有机薄膜的步骤,包括:
形成覆盖所述第二区域的弧面有机薄膜,所述有机薄膜的弧面的曲率与所述第二区域的直径成反比。
前驱体溶液均位于第二区域内,由于前驱体溶液的体积一定,因此底面积越小时前驱体溶液的高度越高,导致弧面的曲率越大,如图7a和7b所示,图7a为第二区域的直径为A时前驱体溶液的剖视图,图7b为第二区域的直径为B时前驱体溶液的剖视图,其中,A小于B。可以看出,图7b中有机薄膜的弧面的曲率大于图7a中有机薄膜弧面的曲率。若底面直径为D1时弧面曲率为r1,底面直径为D2是弧面曲率为r2,则可以制作出弧面曲率为r的弧面有机薄膜,其中r1≤r≤r2。
以异构发生层为异构反应不可逆的光敏层为例,对形成有机薄膜的过程进行说明:
预先确定前驱体溶液在异构反应前的薄膜最大宽度为D1,在异构反应后的薄膜最大宽度为D2,D2>D1,如图5所示。预设形状的轮廓上两点的最大距离D应当大于D1且小于D2。
先通过预设波长范围的光照射在第二区域,使得第二区域发生异构反应,即使得第二区域的表面能大于第一区域的表面能。具体的照射方式可以是通过准直光源对准第二区域进行照射;也可以是预先在掩膜板上设计有贯穿掩膜板的预设形状的通孔(如图8a所示,通过设计不同形状的通孔得到对应形状的第二区域,最后得到对应形状的有机薄膜),再将掩膜板覆盖异构发生层,在通孔处露出第二区域,再通过光源对异构发生层整体进行照射(如图8b所示)。
在异构反应结束后,在异构发生层添加前驱体溶液并完全覆盖第二区域,与异构发生层接触的前驱体溶液更易于在第二区域钉扎,导致前驱体溶液在形成有机薄膜过程中不会移动到第一区域。
最后,第二区域内的前驱体溶液形成与第二区域形状相同且具有一定曲率的弧面有机薄膜,如图8c所示,可以看出在同一层异构发生层上可以形成多种曲率的弧面有机薄膜。
这样,通过制作弧面有机薄膜,可以利用有机薄膜作为微透镜使用,此时有机薄膜为微透镜胶质溶液,例如:透明材质或荧光材质,从而制作得到不同曲率的透镜。
本发明实施例还提供一种有机薄膜,有机薄膜可以通过上述有机薄膜的制作方法制作得到。
本发明实施例中的有机薄膜,通过异构发生层中的第二区域发生异构反应,使得第二区域的表面能大于第一区域的表面能,利用前驱体溶液更易于与表面能大的第二区域进行钉扎的特性,能够确保制作得到的有机薄膜具有稳定的性能。
本发明实施例还提供一种显示装置,包括如上所述的有机薄膜。
显示装置可以是显示器、手机、平板电脑、电视机、可穿戴电子设备、导航显示设备等。
本发明实施例还提供一种光学器件,包括如上所述的有机薄膜。
有机薄膜可以光学器件内的光学透镜影响光的传播,进而达到光学器件的光学效果。
除非另外定义,本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接,而是可以包括电性的连接,不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系,当被描述对象的绝对位置改变后,则该相对位置关系也可能相应地改变。
可以理解,当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时,该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”,或者可以存在中间元件。
上面结合附图对本发明的实施例进行了描述,但是本发明并不局限于上述的具体实施方式,上述的具体实施方式仅仅是示意性的,而不是限制性的,本领域的普通技术人员在本发明的启示下,在不脱离本发明宗旨和权利要求所保护的范围情况下,还可做出很多形式,均属于本发明的保护之内。
Claims (11)
1.一种有机薄膜的制作方法,其特征在于,所述方法包括:
提供一衬底基板;
在所述衬底基板上形成异构发生层,所述异构发生层包括第一区域和第二区域;
在所述异构发生层背离所述衬底基板的一面上添加前驱体溶液,并使得所述第二区域的表面能大于所述第一区域的表面能,以利用所述前驱体溶液形成有机薄膜,所述前驱体溶液至少部分位于所述第二区域内。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述有机薄膜的第一部分位于所述第一区域且第二部分位于所述第二区域。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述异构发生层为异构反应可逆的光敏层;
所述在所述异构发生层背离所述衬底基板的一面上添加前驱体溶液,并使得所述第二区域的表面能大于所述第一区域的表面能,以利用所述前驱体溶液形成有机薄膜的步骤,包括:
在所述光敏层背离所述衬底基板的一面上通过喷墨打印前驱体溶液;
通过与所述光敏层对应的预设波长范围的光照射在设有所述前驱体溶液的所述第二区域,使得所述第二区域的表面能大于所述第一区域的表面能,以利用所述前驱体溶液形成自所述第一部分向所述第二部分方向取向的有机薄膜。
4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述异构发生层为异构反应不可逆的光敏层;
所述在所述异构发生层背离所述衬底基板的一面上通过喷墨打印前驱体溶液,并使得所述第二区域的表面能大于所述第一区域的表面能,以利用所述前驱体溶液形成有机薄膜的步骤,包括:
通过与所述光敏层对应的预设波长范围的光照射在所述第二区域,使得所述第二区域的表面能大于所述第一区域的表面能;
在经过光照后的所述光敏层背离所述衬底基板的一面上通过喷墨打印前驱体溶液,以利用所述前驱体溶液形成自所述第一部分向所述第二部分方向取向的有机薄膜。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述有机薄膜位于所述第二区域内。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述异构发生层为异构反应可逆的光敏层,所述第二区域为预设形状;
所述在所述异构发生层背离所述衬底基板的一面上通过喷墨打印添加前驱体溶液,并使得所述第二区域的表面能大于所述第一区域的表面能,以利用所述前驱体溶液形成有机薄膜的步骤,包括:
在所述第二区域背离所述衬底基板的一面上通过喷墨打印前驱体溶液;
通过与所述光敏层对应的预设波长范围的光照射在设有所述前驱体溶液的所述第二区域,使得所述第二区域的表面能大于所述第一区域的表面能,以利用所述前驱体溶液形成所述预设形状的有机薄膜。
7.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述异构发生层为异构反应不可逆的光敏层,所述第二区域为预设形状;
所述在所述异构发生层背离所述衬底基板的一面上通过喷墨打印添加前驱体溶液,并使得所述第二区域的表面能大于所述第一区域的表面能,以利用所述前驱体溶液形成有机薄膜的步骤,包括:
通过与所述光敏层对应的预设波长范围的光照射在所述第二区域,使得所述第二区域的表面能大于所述第一区域的表面能;
在经过光照后的所述第二区域背离所述衬底基板的一面上通过喷墨打印前驱体溶液,以利用所述前驱体溶液形成所述预设形状的有机薄膜。
8.根据权利要求6或7所述的方法,其特征在于,所述第二区域为圆形;
所述形成所述预设形状的有机薄膜的步骤,包括:
形成覆盖所述第二区域的弧面有机薄膜,所述有机薄膜的弧面的曲率与所述第二区域的直径成反比。
9.一种有机薄膜,其特征在于,由权利要求1-8中任一项所述的方法制作得到。
10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求9所述的有机薄膜。
11.一种光学器件,其特征在于,包括如权利要求9所述的有机薄膜。
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US6326640B1 (en) * | 1996-01-29 | 2001-12-04 | Motorola, Inc. | Organic thin film transistor with enhanced carrier mobility |
JP3328297B2 (ja) * | 1998-03-17 | 2002-09-24 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置の製造方法 |
US7183423B1 (en) * | 1998-12-11 | 2007-02-27 | Daicel Chemical Industries, Ltd. | Process for the preparation of organic compounds with imide catalysts |
WO2003067675A1 (fr) | 2002-02-08 | 2003-08-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dispositif electronique organique et son procede de fabrication |
GB0207134D0 (en) * | 2002-03-27 | 2002-05-08 | Cambridge Display Tech Ltd | Method of preparation of organic optoelectronic and electronic devices and devices thereby obtained |
GB2437328A (en) * | 2006-04-10 | 2007-10-24 | Cambridge Display Tech Ltd | Electric devices and methods of manufacture |
JP4415971B2 (ja) * | 2006-05-10 | 2010-02-17 | カシオ計算機株式会社 | 表示装置及びその製造方法 |
TWI350389B (en) * | 2007-03-30 | 2011-10-11 | Au Optronics Corp | Color filter and liquid crystal display panel using the same |
TWI398904B (zh) * | 2007-04-20 | 2013-06-11 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 薄膜圖案層製造方法及紫外光源裝置 |
TWI410753B (zh) * | 2007-07-06 | 2013-10-01 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 薄膜圖案層製造方法 |
KR101581475B1 (ko) * | 2007-07-31 | 2015-12-30 | 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 | 유기 전계발광 소자 및 그의 제조 방법 |
TWI366677B (en) * | 2007-12-28 | 2012-06-21 | Ind Tech Res Inst | Electrowetting display devices and fabrication methods thereof |
WO2010115027A1 (en) * | 2009-04-01 | 2010-10-07 | Nano Terra Inc. | Methods of patterning substrates using microcontact printed polymer resists and articles prepared therefrom |
KR101213491B1 (ko) * | 2009-11-27 | 2012-12-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치용 표면 처리 장치 |
KR101643009B1 (ko) * | 2009-12-22 | 2016-07-27 | 가부시키가이샤 제이올레드 | 표시 장치와 그 제조 방법 |
JP5574114B2 (ja) * | 2009-12-22 | 2014-08-20 | パナソニック株式会社 | 表示装置とその製造方法 |
JP5574113B2 (ja) * | 2009-12-22 | 2014-08-20 | パナソニック株式会社 | 表示装置とその製造方法 |
KR101218133B1 (ko) * | 2010-04-27 | 2013-01-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 마이크로 렌즈의 제조방법 및 마이크로 렌즈를 구비한 태양전지 |
WO2012017499A1 (ja) * | 2010-08-06 | 2012-02-09 | パナソニック株式会社 | 有機el素子 |
WO2012017502A1 (ja) * | 2010-08-06 | 2012-02-09 | パナソニック株式会社 | 有機el素子およびその製造方法 |
JP5588007B2 (ja) * | 2010-08-25 | 2014-09-10 | パナソニック株式会社 | 有機発光素子とその製造方法、および有機表示パネルと有機表示装置 |
WO2012025961A1 (ja) * | 2010-08-25 | 2012-03-01 | パナソニック株式会社 | 有機発光素子とその製造方法、および有機表示パネルと有機表示装置 |
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KR20130073012A (ko) * | 2010-10-15 | 2013-07-02 | 파나소닉 주식회사 | 유기 발광 패널과 그 제조 방법, 및 유기 표시 장치 |
JP5551200B2 (ja) | 2012-03-22 | 2014-07-16 | 株式会社東芝 | 有機電界発光素子、照明装置及び有機電界発光素子の製造方法 |
CN103332031B (zh) * | 2013-05-30 | 2016-02-10 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 印刷版的制作方法、散射膜层及其制作方法、显示装置 |
CN104744648B (zh) * | 2015-01-18 | 2017-04-12 | 北京化工大学 | 一种通过二次光聚合制备双重刺激响应性表面的方法 |
US11282906B2 (en) * | 2016-08-17 | 2022-03-22 | Merck Patent Gmbh | Electronic device with bank structures |
CN106356453B (zh) * | 2016-09-29 | 2018-12-21 | 合肥工业大学 | 一种基于非对称结构的有机半导体薄膜取向制备方法和表征方法 |
CN107629379B (zh) * | 2017-10-13 | 2019-10-01 | 济南大学 | 一种可逆光控疏水性的复合膜及其制备方法 |
CN107887423B (zh) * | 2017-11-14 | 2019-08-13 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 一种显示面板、其制备方法及显示装置 |
WO2019106719A1 (ja) * | 2017-11-28 | 2019-06-06 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 有機el発光素子及びその製造方法 |
CN108091580B (zh) * | 2017-12-11 | 2019-12-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、像素隔离墙及其制备方法 |
US10720478B2 (en) * | 2017-12-15 | 2020-07-21 | Joled Inc. | Organic EL display panel, organic EL display device, and organic EL display panel manufacturing method |
CN108484825B (zh) * | 2018-05-08 | 2020-05-26 | 济南大学 | 可逆光控疏水性偶氮苯类含氟共聚物及其膜制备方法 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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