CN108091580B - 显示面板、像素隔离墙及其制备方法 - Google Patents
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- 238000002955 isolation Methods 0.000 title claims abstract description 100
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 69
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 103
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 40
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 28
- 239000004005 microsphere Substances 0.000 claims description 11
- SZVJSHCCFOBDDC-UHFFFAOYSA-N ferrosoferric oxide Chemical compound O=[Fe]O[Fe]O[Fe]=O SZVJSHCCFOBDDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 152
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 abstract description 44
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 16
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 13
- 230000009194 climbing Effects 0.000 description 10
- -1 fluoroalkyl acrylates Chemical class 0.000 description 8
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 8
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 7
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 6
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 5
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NOWKCMXCCJGMRR-UHFFFAOYSA-N Aziridine Chemical compound C1CN1 NOWKCMXCCJGMRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 description 2
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 2
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 description 2
- JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N melamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000005673 monoalkenes Chemical class 0.000 description 2
- 229920002401 polyacrylamide Polymers 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- BQCIDUSAKPWEOX-UHFFFAOYSA-N 1,1-Difluoroethene Chemical compound FC(F)=C BQCIDUSAKPWEOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000219 Ethylene vinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 1
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 125000003709 fluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- XUCNUKMRBVNAPB-UHFFFAOYSA-N fluoroethene Chemical compound FC=C XUCNUKMRBVNAPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000003032 molecular docking Methods 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 229920000962 poly(amidoamine) Polymers 0.000 description 1
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920001692 polycarbonate urethane Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
- H10K59/173—Passive-matrix OLED displays comprising banks or shadow masks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明公开了一种显示面板、像素隔离墙及其制备方法，涉及平板显示技术领域，主要目的是用于提高像素隔离墙之间的有机功能层的成膜质量。本发明的主要技术方案为：一种像素隔离墙，包括：亲液层，用于设置在电极基板上；第一疏液层，设置于所述亲液层远离所述电极基板的一侧，其中，所述第一疏液层的材料为磁性疏液材料；隔离层，设置于所述第一疏液层远离所述亲液层的一侧。本发明主要用于隔离亚像素单元。
Description
技术领域
本发明涉及平板显示技术领域，尤其涉及一种显示面板、像素隔离墙及其制备方法。
背景技术
OLED显示技术相对于LCD显示技术而言，具有自发光、反应快、视角广、亮度高、色彩艳等优点，是显示技术的重要发展方向之一。
在OLED器件的制备过程中，OLED的成膜方式主要有蒸镀制程和溶液制程两种，其中，溶液制程中的喷墨打印技术由于其利用率较高、可实现大尺寸化，而被广泛的应用，具体的，喷墨打印技术主要是将墨滴准确的滴入到指定的亚像素凹槽内，使其在亚像素凹槽内形成用于发光的有机功能层，而围成亚像素凹槽的像素隔离墙主要是由亲液材质制成，在墨液的干燥过程中，墨液形成的有机功能层会沿像素隔离墙的侧壁攀爬一定的高度，严重影响成膜质量，其中，攀爬的高度越高，其成膜质量越差。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例提供一种显示面板、像素隔离墙及其制备方法，主要目的是用于提高像素隔离墙之间的有机功能层的成膜质量。
为达到上述目的，本发明主要提供如下技术方案：
一方面，本发明实施例提供了一种像素隔离墙，包括：
亲液层，用于设置在电极基板上；
第一疏液层，设置于所述亲液层远离所述电极基板的一侧，其中，所述第一疏液层的材料为磁性疏液材料；
隔离层，设置于所述第一疏液层远离所述亲液层的一侧。
可选地，所述第一疏液层的材料为接枝有四氧化三铁微球的氟树脂。
可选地，所述隔离层的材料为亲液材料。
可选地，所述的像素隔离墙，还包括：
第二疏液层，所述第二疏液层设置于所述隔离层远离所述第一疏液层的一侧。
另一方面，本发明实施例还提供了一种显示面板，包括：
像素隔离层，所述像素隔离层包括多个所述的像素隔离墙。
另一方面，本发明实施例还提供了一种像素隔离墙的制备方法，用于含有亲液材料和磁性疏液材料的光刻胶，包括：
将所述光刻胶在电极基板的一侧形成光刻胶层；
通过磁场将所述光刻胶中的磁性疏液材料调节至所述光刻胶层的预设厚度位置处；
对调节后的所述光刻胶层进行曝光、显影工艺，形成像素隔离墙。
可选地，所述通过磁场将所述光刻胶中的磁性疏液材料调节至所述光刻胶层的预设厚度位置处，还包括：
在所述光刻胶层进行前烘的过程中，通过磁场将所述光刻胶中的磁性疏液材料调节至所述光刻胶层的预设厚度位置处。
可选地，所述通过磁场将所述光刻胶中的磁性疏液材料调节至所述光刻胶层的预设厚度位置处，还包括：
通过磁场将所述光刻胶层预设图案区域内光刻胶中的磁性疏液材料调节至所述光刻胶层的预设厚度位置处。
可选地，所述磁场由电磁磁板形成。
可选地，所述光刻胶层的高度为1um-5um。
本发明实施例提供了一种像素隔离墙，用于提高像素隔离墙之间的有机功能层的成膜质量，而现有技术中，像素隔离挡墙的侧壁均是由亲液材质制成，采用喷墨打印形成有机功能层时，有机功能层会沿像素隔离墙的侧壁攀升一定的高度，严重影响成膜质量，与现有技术相比，本申请文件提供的像素隔离墙，包括：亲液层、第一疏液层和隔离层，亲液层用于设置在电极基板上，第一疏液层设置于亲液层远离电极基板的一侧，其中，第一疏液层的材料为磁性疏液材料；隔离层设置于疏液层远离亲液层的一侧。当像素凹槽内的墨液进行干燥时，由于像素隔离墙中的第一疏液层具有疏液性，当有机功能层的边缘攀爬到第一疏液层位置处时，第一疏液层就可以抑制有机功能层的边缘攀升现象，进而可以减小攀爬高度，提高有机功能层的成膜质量。
附图说明
图1为本发明一种实施例提供的像素隔离墙的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的像素隔离墙的制备方法中步骤101时的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的像素隔离墙的制备方法中步骤102时的结构示意图；
图4为本发明另一种实施例提供的像素隔离墙的结构示意图；
图5为本发明实施例提供的像素隔离墙的制备方法的流程图；
图6为本发明一种实施例提供的四氧化三铁微球形成的反应示意图；
图7为本发明另一种实施例提供的四氧化三铁微球形成的反应示意图；
图8为本发明实施例提供的磁性疏液材料的结构式示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的像素隔离墙其具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。
如图1所示，本发明实施例提供了一种像素隔离墙，包括：
亲液层1，用于设置在电极基板11上；
第一疏液层2，设置于亲液层1远离电极基板11的一侧，其中，第一疏液层2的材料为磁性疏液材料；
隔离层3，设置于第一疏液层2远离亲液层1的一侧。
其中，在相邻两个像素隔离墙之间的像素凹槽12中可以形成有机功能层13，用于进行发光，而有机功能层13通过可以采用喷墨打印的方式形成，在喷墨打印工艺中，首先，向像素隔离墙之间的像素凹槽12内滴入墨液，可以使墨滴充满像素凹槽12，然后，对墨液进行干燥处理后形成有机功能层13，其中，干燥后的有机功能层13的厚度可以低于像素隔离墙的亲液层1，有机功能层13能够与像素隔离墙中亲液层1所对应的侧壁相互接触。
其中，上述的像素隔离墙是将光刻胶经过光刻工艺形成在电极基板上的一种隔离结构，而光刻胶一般为多种聚合物的混合物，不同的聚合物具有不同的性质，例如：亲水性、疏水性、磁性等，在经过光刻工艺形成了像素隔离墙后，由于表面能的大小不同，多种聚合物在像素隔离墙中可以形成不同的分层，其中，具有亲液性的材料聚集在像素隔离墙的底部，形成亲液层1，而有具有磁性和疏液性的材料可以在磁场的作用下聚集在亲液层1的上侧，形成第一疏液层2，另外，在第一疏液层的上侧还可以形成隔离层3，通过隔离层3可以增加像素隔离墙的高度，使像素隔离墙围成的像素凹槽12可以容纳更多的墨液，以提高有机功能层13的厚度。
其中，第一疏液层2的材料为磁性疏液材料，该磁性疏液材料可以为含有磁性单元的第一聚合物，第一聚合物的主链可以接枝有多个功能单元，如图8所示，多个功能单元中可以包括磁性单元和具有疏液性的含氟单元，其中，第一聚合物的主链可以为聚酯、聚酯型聚氨酯、聚碳酸酯、聚碳酸酯型聚氨酯、聚丙烯酸类、丙烯酸型聚氨酯、聚醚、聚醚型聚氨酯、乙烯乙烯醇共聚物、乙烯乙烯醇共聚物型聚氨酯、聚酰胺、聚酰胺型聚氨酯、聚酰胺型脲、聚丙烯酰胺和聚丙烯酰胺型聚氨酯中的至少一种；而第一聚合物上的官能团可以为羧酸、磺酸、氮丙啶、酸酐、胺、异氰酸酯、三聚氰胺、环氧和羟基中的至少一种。
其中，可选地，磁性单元可以为官能团化的四氧化三铁微球；可选地，含氟单元可以为氟乙烯的均聚物或共聚物、偏二氟乙烯的均聚物或共聚物、氟烷基丙烯酸酯，氟烷基甲基丙烯酸酯，全氟烷基丙烯酸酯，全氟烷基甲基丙烯酸酯，氟化及全氟化烯烃，氟化烷基顺丁烯二酸酯，全氟化烷基顺丁烯二酸酯，氟烷基芳基氨基甲酸乙酯低聚物，氟烷基烯丙基氨基甲酸乙酯低聚物，氟烷基氨基甲酸酯丙烯酸酯低聚物中的一种或多种相组合，另外，含氟单元上的官能团可以为羧酸、磺酸、氮丙啶、酸酐、胺、异氰酸酯、三聚氰胺、环氧、羟基中的一种或多种组合，含氟单元能够通过上述官能团与聚合物主链反应对接。
以下通过本实施例中像素隔离墙的制备过程和原理具体说明本实施例中的像素隔离墙：
首先，如图2所示，将光刻胶在电极基板11的一侧形成光刻胶层21，其中，光刻胶中的磁性疏液材料22能够汇聚在光刻胶层21的上表面；
然后，如图3所示，对光刻胶层进行真空干燥以及前烘工艺，在前烘工艺的过程中，通过磁场将光刻胶中的磁性疏液材料22调节至光刻胶层21的预设厚度位置处；
最后，如图1所示，对调节后的光刻胶层21进行曝光、显影工艺，形成像素隔离墙。
本发明实施例提供了一种像素隔离墙，用于提高像素隔离墙之间的有机功能层的成膜质量，而现有技术中，像素隔离挡墙的侧壁均是有亲液材质制成，采用喷墨打印形成有机功能层时，有机功能层会沿像素隔离墙的侧壁攀升一定的高度，严重影响成膜质量，与现有技术相比，本申请文件提供的像素隔离墙，包括：亲液层、第一疏液层和隔离层，亲液层用于设置在电极基板上，第一疏液层设置于亲液层远离电极基板的一侧，其中，第一疏液层的材料为磁性疏液材料；隔离层设置于疏液层远离亲液层的一侧。当像素凹槽内的墨液进行干燥时，由于像素隔离墙中的第一疏液层具有疏液性，当有机功能层的边缘攀爬到第一疏液层位置处时，第一疏液层就可以抑制有机功能层的边缘攀升现象，进而可以减小攀爬高度，提高有机功能层的成膜质量。
上述疏液层的材料可以有多种，可选地，第一疏液层的材料为接枝有四氧化三铁微球的氟树脂。本实施例中，接枝有四氧化三铁微球的氟树脂同时具有磁性和疏液性，如图6、图7所示，四氧化三铁微球的官能团化的形成过程可以为：首先，将四氧化三铁与正硅酸乙酯(TEOS)反应，得到羟基化的四氧化三铁微球，再与3-氨基丙基三乙氧基硅烷(APTES)反应，得到氨基化的四氧化三铁微球；氨基化的四氧化三铁微球与氟树脂主链上的官能团反应，使其与氟树脂的主链接枝。
上述隔离层的材料可以有多种，可选地，隔离层的材料为亲液材料。本实施例中，隔离层的材质与亲液层的材料可以相同，均是由亲液材料形成的，亲液材料的种类有很多，可选地，该亲液材料可以为接枝有多个烯烃单元的第二聚合物，其中，烯烃单元中含有单烯烃，而单烯烃的结构通式可以为：CH2＝CH-(CH2)n-H，其中，n＝0-10。在像素隔离墙的形成过程中，第二聚合物能够沉积在像素隔离墙的底部形成亲液层，当采用喷墨打印的方式在像素隔离墙之间形成有机功能层时，由于像素隔离墙底部的亲液层具有亲液性，对墨滴没有排斥作用，所以墨液能够在像素凹槽内形成表面平坦的有机功能层，以提高成膜质量。
进一步的，如图4所示，上述像素隔离墙还包括：第二疏液层4，第二疏液层4设置于隔离层3远离第一疏液层2的一侧。本实施例中，在喷墨打印的过程中，首先需要向像素隔离墙之间的像素凹槽12内滴入墨液，使墨液充满像素凹槽12，而置于像素隔离挡墙上表面的第二疏液层4由于其具有疏液性，所以可以抑制像素凹槽12内的墨液流出像素凹槽12，提高了滴墨的准确性，另外，第二疏液层4的材料可以为疏液材料，但是第二疏液层4与第一疏液层2的疏液材料不同，其中，第二疏液层4的材料不具有磁性，可选地，第二疏液层4的材料可以为主链接枝有含氟单元的第三聚合物。
另一方面，本发明实施例还提供了一种显示面板，包括：
像素隔离层，像素隔离层包括多个上述的像素隔离墙。
本发明实施例提供了一种显示面板，用于提高像素隔离墙之间的有机功能层的成膜质量，而现有技术中，像素隔离挡墙的侧壁均是由亲液材质制成，通过喷墨打印形成有机功能层时，有机功能层会沿像素隔离墙的侧壁攀升一定的高度，严重影响成膜质量，与现有技术相比，本申请文件提供的显示面板包括像素隔离层，而像素隔离层包括多个像素隔离墙，每个像素隔离墙包括：亲液层、第一疏液层和隔离层，亲液层用于设置在电极基板上，第一疏液层设置于亲液层远离电极基板的一侧，其中，第一疏液层的材料为磁性疏液材料；隔离层设置于疏液层远离亲液层的一侧。当像素凹槽内的墨液进行干燥时，由于像素隔离墙中的第一疏液层具有疏液性，当有机功能层的边缘攀爬到第一疏液层位置处时，第一疏液层就可以抑制有机功能层的边缘攀升现象，进而可以减小攀爬高度，提高有机功能层的成膜质量。
另一方面，如图5所示，本发明实施例还提供了一种像素隔离墙的制备方法，用于含有亲液材料和磁性疏液材料的光刻胶，包括：
步骤101、如2所示，将上述光刻胶在电极基板11的一侧形成光刻胶层21；
其中，光刻胶可以采用涂抹的方式形成在电极基板的一侧，在此步骤中，形成的光刻胶层处于熔融状态，由于光刻胶中的磁性疏液材料的表面能较小，磁性疏液材料形成在光刻胶层的上表面，而亲液材料则形成在光刻胶层的上表面以下。
步骤102、如图3所示，通过磁场将光刻胶中的磁性疏液材料22调节至光刻胶层21的预设厚度位置处；
其中，由于光刻胶中的磁性疏液材料具有磁性，所以通过磁场可以驱动磁性疏液材料在光刻胶层中活动，在实际的应用过程中，光刻胶上表面的磁性疏液材料可以在磁场的作用下，向下活动至预设的厚度位置处，形成第一疏液层，其中，第一疏液层在光刻胶层中的厚度位置可以根据磁场的大小进行可调，这样第一疏液层就从光刻胶层的上表面活动至光刻胶层中的任意厚度位置处，而第一疏液层的上侧和下侧也均可以是由亲液材料形成，其中，第一疏液层距离光刻胶层底部的距离可以大于像素凹槽之间的有机功能层厚度，这样第一疏液层就不会影响有机功能层成膜的平坦度，而且还可以抑制有机功能层的边缘攀升现象，提高了成膜质量。
步骤103、如图1所示，对调节后的光刻胶层21进行曝光、显影工艺，形成像素隔离墙。
本发明实施例提供了一种像素隔离墙的制备方法，用于提高像素隔离墙之间的有机功能层的成膜质量，而现有技术中，像素隔离挡墙的侧壁均是有亲液材质制成，通过喷墨打印形成有机功能层时，有机功能层会沿像素隔离墙的侧壁攀升一定的高度，严重影响成膜质量，与现有技术相比，本申请文件提供的像素隔离墙的制备方法，包括：首先，将光刻胶在电极基板的一侧形成光刻胶层；然后，通过磁场将光刻胶中的磁性疏液材料调节至光刻胶层的预设厚度位置处；最后，对调节后的光刻胶层进行曝光、显影工艺，形成像素隔离墙。在本申请方案中，在上述像素隔离墙形成的像素凹槽中进行喷墨打印时，像素凹槽内的墨液进行干燥的过程中，墨液形成的有机功能层的厚度可以小于疏液层的厚度位置，又由于疏液层具有疏液性，进而可以抑制有机功能层边缘的攀升现象，提高了成膜质量。
进一步的，上述通过磁场将光刻胶中的磁性疏液材料调节至光刻胶层的预设厚度位置处，还包括：在光刻胶层进行前烘的过程中，通过磁场将光刻胶中的磁性疏液材料调节至光刻胶层的预设厚度位置处。本实施例中，在涂抹光刻胶形成光刻胶层时，由于光刻胶始终处于动态，所以光刻胶中的多种聚合物处于均匀混合状态，在涂抹完光刻胶进行前烘工艺时，此时光刻胶处于静态，又由于光刻胶中的多种聚合物的表面能的大小不同，所以光刻胶中的多种聚合开始分层，其中含氟的聚合物由于表面能较小，含氟的聚合物会逐步的活动至光刻胶层的上表面处，而含有烯烃单元的聚合物则会活动至光刻胶层上表面以下，本实施例中，在光刻胶前烘工艺过程中，光刻胶开始逐步的凝固，通过磁场驱动磁性疏液材料从上表面向下活动至预设位置处，待前烘工艺结束后，该磁性疏液材料就可以固定在光刻胶层中的预设位置处，此时去除磁场也不会再发生偏移。
进一步的，上述通过磁场将光刻胶中的磁性疏液材料调节至光刻胶层的预设厚度位置处，还包括：通过磁场将光刻胶层预设图案区域内光刻胶中的磁性疏液材料调节至光刻胶层的预设厚度位置处。本实施例中，在光刻工艺中，光刻胶层中除了预设图案区域外的其它区域，在经过曝光和显影工艺后将会被消除掉，而预设图案区域内的光刻胶层则能够形成像素隔离墙，由于预设图案区域以外的其它区域将会被去除掉，所以只需要调节预设图案区域对应的磁性疏液材料的位置即可。
上述实施例中，磁性疏液材料的位置是通过磁场进行调节的，而磁场的形成方式可以有多种，可选地，磁场由电磁磁板形成，本实施例中，电磁磁板的形状可以与像素隔离墙的形成图案相对应，这样就可以通过电磁磁板产生的磁场将光刻胶层预设图案区域内光刻胶中的磁性疏液材料调节至光刻胶层的预设厚度位置处，另外，电磁磁板可以通过电压来控制磁场的大小，进而可以方便控制磁性疏液材料在光刻胶层中的厚度位置。
可选地，光刻胶层的高度为1um-5um。本实施例中，光刻胶层的高度越高，形成的像素隔离腔的高度越高，这样在通过喷墨打印法形成有机功能层时，储存在像素凹槽的墨水溶液也就越大，进而可以保证有机功能层的厚度，提高有机功能层的发光效果。
本发明实施例提供了一种像素隔离墙的制备方法，用于提高像素隔离墙之间的有机功能层的成膜质量，而现有技术中，像素隔离挡墙的侧壁均是有亲液材质制成，通过喷墨打印形成有机功能层时，有机功能层会沿像素隔离墙的侧壁攀升一定的高度，严重影响成膜质量，与现有技术相比，本申请文件提供的像素隔离墙的制备方法，包括：首先，将光刻胶在电极基板的一侧形成光刻胶层；然后，通过磁场将光刻胶中的磁性疏液材料调节至光刻胶层的预设厚度位置处；最后，对调节后的光刻胶层进行曝光、显影工艺，形成像素隔离墙。在本申请方案中，在上述像素隔离墙形成的像素凹槽中进行喷墨打印时，像素凹槽内的墨液进行干燥的过程中，墨液形成的有机功能层的厚度可以小于疏液层的厚度位置，又由于疏液层具有疏液性，进而可以抑制有机功能层边缘的攀升现象，提高了成膜质量。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (10)
1.一种像素隔离墙，由光刻胶经过光刻工艺形成在电极基板上， 其特征在于，包括：
亲液层，用于设置在电极基板上；
第一疏液层，设置于所述亲液层远离所述电极基板的一侧，其中，所述第一疏液层的材料为磁性疏液材料；
隔离层，设置于所述第一疏液层远离所述亲液层的一侧。
2.根据权利要求1所述的像素隔离墙，其特征在于，
所述第一疏液层的材料为接枝有四氧化三铁微球的氟树脂。
3.根据权利要求2所述的像素隔离墙，其特征在于，
所述隔离层的材料为亲液材料。
4.根据权利要求1所述的像素隔离墙，其特征在于，还包括：
第二疏液层，所述第二疏液层设置于所述隔离层远离所述第一疏液层的一侧。
5.一种显示面板，其特征在于，包括：
像素隔离层，所述像素隔离层包括多个如权利要求1至4中任一项所述的像素隔离墙。
6.一种像素隔离墙的制备方法，用于含有亲液材料和磁性疏液材料的光刻胶，其特征在于，包括：
将所述光刻胶在电极基板的一侧形成光刻胶层；
通过磁场将所述光刻胶中的磁性疏液材料调节至所述光刻胶层的预设厚度位置处；
对调节后的所述光刻胶层进行曝光、显影工艺，形成像素隔离墙。
7.根据权利要求6所述的像素隔离墙的制备方法，其特征在于，
所述通过磁场将所述光刻胶中的磁性疏液材料调节至所述光刻胶层的预设厚度位置处，还包括：
在所述光刻胶层进行前烘的过程中，通过磁场将所述光刻胶中的磁性疏液材料调节至所述光刻胶层的预设厚度位置处。
8.根据权利要求6所述的像素隔离墙的制备方法，其特征在于，
所述通过磁场将所述光刻胶中的磁性疏液材料调节至所述光刻胶层的预设厚度位置处，还包括：
通过磁场将所述光刻胶层预设图案区域内光刻胶中的磁性疏液材料调节至所述光刻胶层的预设厚度位置处。
9.根据权利要求6所述的像素隔离墙的制备方法，其特征在于，
所述磁场由电磁磁板形成。
10.根据权利要求6所述的像素隔离墙的制备方法，其特征在于，
所述光刻胶层的高度为1um-5um。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711311091.0A CN108091580B (zh) | 2017-12-11 | 2017-12-11 | 显示面板、像素隔离墙及其制备方法 |
| US15/992,756 US10541285B2 (en) | 2017-12-11 | 2018-05-30 | Pixel isolation bank and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711311091.0A CN108091580B (zh) | 2017-12-11 | 2017-12-11 | 显示面板、像素隔离墙及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108091580A CN108091580A (zh) | 2018-05-29 |
| CN108091580B true CN108091580B (zh) | 2019-12-13 |
Family
ID=62174706
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201711311091.0A Active CN108091580B (zh) | 2017-12-11 | 2017-12-11 | 显示面板、像素隔离墙及其制备方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10541285B2 (zh) |
| CN (1) | CN108091580B (zh) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109698215B (zh) * | 2017-10-23 | 2024-06-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制备方法、显示装置 |
| CN110231755B (zh) * | 2018-04-26 | 2020-06-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 光阻组合物、像素界定层、其制备方法及应用 |
| CN108987449B (zh) * | 2018-07-27 | 2021-01-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素界定层及其制造方法、显示基板 |
| CN109103221B (zh) * | 2018-08-17 | 2020-08-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素界定层及其制备原料和制备方法、显示基板 |
| CN109728056B (zh) * | 2019-01-03 | 2021-04-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素界定层材料、像素界定层制造方法、显示基板和装置 |
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| CN109817098B (zh) * | 2019-02-11 | 2021-03-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、显示面板的制备方法、显示装置 |
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| CN110034170B (zh) | 2019-04-24 | 2022-07-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素界定层及其制作方法、阵列基板、显示面板和装置 |
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| CN105932037B (zh) * | 2016-05-12 | 2018-10-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机电致发光显示基板及其制备方法、显示装置 |
| CN106206675B (zh) * | 2016-09-30 | 2019-03-08 | 昆山国显光电有限公司 | Oled显示屏及其制造方法 |
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| CN106941112B (zh) * | 2017-05-05 | 2019-12-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素界定层及其制造方法、显示基板 |
-
2017
- 2017-12-11 CN CN201711311091.0A patent/CN108091580B/zh active Active
-
2018
- 2018-05-30 US US15/992,756 patent/US10541285B2/en active Active
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US10541285B2 (en) | 2020-01-21 |
| CN108091580A (zh) | 2018-05-29 |
| US20190181195A1 (en) | 2019-06-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |