CN109658820B - 一种阵列基板、其制作方法及显示面板 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种阵列基板、其制作方法及显示面板，该阵列基板包括：衬底基板，位于衬底基板上呈阵列排布的多个子像素区域，以及与子像素区域对应设置的第一电极；每个子像素区域均包括依次位于衬底基板上的功能层和透明阻挡层；功能层包括多个呈阵列排布的开口，透明阻挡层包括与开口一一对应设置的过孔；在上述阵列基板的结构中每个子像素区域包括多个均匀分布的开口，量子点溶液填充该开口，因此量子点溶液可以均匀分布在对应的子像素区域内，有效的避免了因量子点溶液分布不均导致的光利用率低的问题，并且上述阵列基板的结构可以采用涂覆的方式进行量子点溶液的填充，可以避免相关技术中的工艺阻塞喷头的现象出现。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、其制作方法及显示面板。
背景技术
量子点材料具有使用寿命长，色域广等优点，应用于显示面板中有利于提高显示面板的性能。
相关技术中，为例提高量子点的光转化效率，会在量子点中增加散射粒子，以达到增加光程的目的，但是由于散射粒子的增加，会对工艺造成一定的难度，主要是散射粒子会团聚，会堵塞喷头，同时，由于散射粒子分布是随机的，对光的利用不够充分。
因此，如何提高量子点显示面板对光的利用率是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明提供了一种阵列基板、其制作方法及显示面板，用以解决相关技术中量子点显示面板对光的利用率不充分的技术问题。
第一方面，本发明实施例提供了一种阵列基板，包括：衬底基板，位于所述衬底基板上呈阵列排布的多个子像素区域，以及与所述子像素区域对应设置的第一电极；
每个所述子像素区域均包括依次位于所述衬底基板上的功能层和透明阻挡层；
所述功能层包括多个呈阵列排布的开口，所述透明阻挡层包括与所述开口一一对应设置的过孔；
所述过孔满足，在所述第一电极不施加电压时，阻挡位于所述透明阻挡层上的量子点溶液进入所述开口，在所述第一电极施加的电压与位于所述透明阻挡层上的所述量子点溶液极性相反，允许所述量子点溶液进入所述开口。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述开口的直径大于所述过孔的直径。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述功能层包括层叠设置的多个子功能层，且在所述衬底基板指向所述透明阻挡层的方向上各所述子功能层的疏液性依次增加。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述第一电极为多个条状电极，且各所述条状电极位于任一列所述开口的两侧。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，还包括：位于相邻所述子像素区域之间，且沿列方向排列的第二条状电极。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，所述第一电极与所述第二条状电极同层设置。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，在相邻所述子像素区域之间，所述透明阻挡层具有沿行方向排列的多个导流槽。
在一种可能的实现方式中，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，还包括：位于所述功能层与所述衬底基板之间缓冲层，其中，所述缓冲层具有亲液性。
第二方面，本发明实施例提供了一种阵列基板的制作方法，包括：
提供一衬底基板，并在所述衬底基板上形成功能层、第一电极和透明阻挡层；
通过一次构图工艺在所述透明阻挡层上形成过孔，在所述功能层上形成开口；
在所述透明阻挡层上涂覆与一种颜色的子像素区域对应的带电量子点溶液，并向该颜色子像素区域内的所述第一电极施加与所述量子点溶液极性相反的电压，向其他颜色子像素区域内的所述第一电极施加与所述量子点溶液极性相同的电压。
第三方面，本发明实施例还提供了一种显示面板，包括第一方面任一实施例所述的阵列基板。
本发明有益效果如下：
本发明实施例提供了一种阵列基板、其制作方法及显示面板，该阵列基板包括：衬底基板，位于所述衬底基板上呈阵列排布的多个子像素区域，以及与所述子像素区域对应设置的第一电极；每个所述子像素区域均包括依次位于所述衬底基板上的功能层和透明阻挡层；所述功能层包括多个呈阵列排布的开口，所述透明阻挡层包括与所述开口一一对应设置的过孔；所述过孔满足，在所述第一电极不施加电压时，阻挡所述透明阻挡层上的量子点溶液进入所述开口，在所述第一电极施加的电压与位于所述透明阻挡层上的所述量子点溶液极性相反，允许所述量子点溶液进入所述开口。在上述阵列基板的结构中每个子像素区域包括多个均匀分布的开口，量子点溶液填充该开口，因此量子点溶液可以均匀分布在对应的子像素区域内，有效的避免了因量子点溶液分布不均导致的光利用率低的问题，并且上述阵列基板的结构可以采用涂覆的方式进行量子点溶液的填充，可以避免相关技术中的工艺阻塞喷头的现象出现。
附图说明
图1为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的阵列基板的具体结构示意图；
图3为图1沿A-A1方向上的阵列基板的截面结构示意图；
图4为图3中D区域的局部放大结构示意图；
图5为本发明实施例提供的量子点溶液填充过程的原理图；
图6为本发明实施例提供的封装后的阵列基板的结构示意图；
图7为本发明实施例提供的阵列基板的制作方法的方法流程图。
具体实施方式
针对相关技术中的量子点显示面板，由于量子点溶液团聚现象严重导致对光的利用率较低的问题，本发明实施例提供了一种阵列基板、其制作方法及显示面板。为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
附图中各部件的形状和大小不反应真实比例，目的只是示意说明本发明内容。
本发明实施例提供了一种阵列基板，如图1至图3所示，该阵列基板包括：衬底基板1，位于衬底基板1上呈阵列排布的多个子像素区域2，以及与子像素区域2对应设置的第一电极3；
每个子像素区域2均包括依次位于衬底基板1上的功能层4和透明阻挡层5；
该功能层4包括多个呈阵列排布的开口41，该透明阻挡层5包括与开口41一一对应设置的过孔51；
该过孔51满足，在第一电极3不施加电压时，阻挡位于透明阻挡层5上的量子点溶液进入开口41，在第一电极3施加的电压与位于透明阻挡层5上的量子点溶液极性相反，允许量子点溶液进入开口41。
具体地，在本发明实施例提供的阵列基板中，上述阵列基板的结构主要是利用液体存在表面张力，当液面的表面张力能够抵抗其重力作用时，液体在遇到孔和洞的情况下就不会流进去，而被托在了孔外。利用该原理首先将带电量子点溶液进行整面涂覆，然后对不需要流入量子点溶液的开口对应的第一电极施加与量子点溶液极性相同的电压，这样在表面张力和电力的双重作用下，液体被托在孔外。对需要流入量子点溶液的开口对应的第一电极施加与量子点溶液极性相反的电压，在电场力的作用下量子点溶液会流动到对应的开口上方，当电场力大于表面张力后，量子点溶液就可以流入到开口内。其中，该量子点溶液的溶质材料为InP，外层有壳，或者是含镉的材料，溶剂部分主要为合成树脂，亚克力，氧化钛(散射粒子)，乙酸丁酯，表面整理调节剂等。
需要说明的是，在本发明实施例提供的阵列基板中，该过孔的设计原则为在较小的量子点溶液形变量下承受量子点溶液的重力，并确保表面不被破坏。例如，该量子点溶液的表面张力通常为3*10-8N/μm，设计过孔为10um时能够承受的力为40*3*10-8N/μm，每个孔对应的量子点溶液为5pl(皮升)，对应的重力为5*3*10-8N/μm，形变量为2％～5％，计算后是平衡的，即可以将该过孔的直径设置为在第一电极不施加任何电压时，所有量子点溶液均位于透明阻挡层背离衬底基板的一侧，而不进入开口内。其中，该过孔的直径范围为8μm～15μm。
具体地，在本发明实施例提供的阵列基板中，在上述阵列基板的结构中每个子像素区域包括多个均匀分布的开口，量子点溶液填充该开口，因此量子点溶液可以均匀分布在对应的子像素区域内，有效的避免了因量子点溶液分布不均导致的光利用率低的问题，并且上述阵列基板的结构可以采用涂覆的方式进行量子点溶液的填充，可以避免相关技术中的工艺阻塞喷头的现象出现。
具体地，在本发明实施例提供的阵列基板中，该阵列基板包括第一电极，用于在量子点溶液进行涂覆和填充的过程中，控制量子点溶液的移动方向，从而使得对应的量子点溶液填充到对应开口内，其中，图3是以第一电极为条状电极，且位于任一列开口两侧进行说明的，该第一电极也可以为位于衬底基板与功能层之间，且与该子像素区域对应位置的面状电极，根据实际使用情况进行选择，在此不作具体限定。
需要说明的是，在本发明实施例提供的阵列基板中，如图1所示，在相邻两行子像素区域之间还包括行间阻挡结构53，该行间阻挡结构53将阵列基板分割成均匀的区域，在涂覆量子点溶液时容易控制各区域内量子点溶液的用量，避免相邻区域的量子点溶液产生串扰。较佳地，该行间阻挡结构53可以与透明阻挡层5同层设置，在制作透明阻挡层5时，使该行间阻挡结构53所在区域的厚度大于其他区域的厚度，从而起到阻挡的作用。
可选地，在本发明实施例提供的阵列基板中，如图3所示，功能层4具有的开口41的直径b大于透明阻挡层5具有的过孔51的直径a。
具体地，在本发明实施例提供的阵列基板中，如图4所示，功能层4内的开口41与透明阻挡层5和衬底基板1形成了量子点容纳腔，使开口41的直径大于过孔51的直径可以增大容纳腔内容纳的量子点溶液的量，从而提高显示面板的发光效率和使用寿命。其中，各子像素区域内包括的开口的数量根据该子像素区域的大小进行设置，具体地，相邻开口之间的间距为3μm～5μm。
需要说明的是，在本发明实施例提供的阵列基板中，可以通过一次构图工艺制作透明阻挡层上的过孔和功能层上的开口，具体需要使透明阻挡层的材料与功能层的材料之间具有较大的刻蚀选择比，即在相同的刻蚀条件下，需要功能层的刻蚀速率大于透明阻挡层的刻蚀速率，其中，当透明阻挡层的材料与功能层的材料的刻蚀选择比为1:20时，则可以使开口的直径大于过孔的直径。
其中，该透明阻挡层为疏液性材料，可以为含氟的亚克力体系材质，具体材料可以为乙基-(L)-乳酸，聚合有机硅化合物，2-羟基-2-甲基-1-苯基-1-丙酮，厚度约在600～1000nm；功能层的材料的主要成分可以为聚醯亚胺及铜化合物，厚度约在5～7um。
可选地，在本发明实施例提供的阵列基板中，功能层可以包括层叠设置的多个子功能层，且在衬底基板指向透明阻挡层的方向上各子功能层的疏液性依次增加。
具体地，在本发明实施例提供的阵列基板中，在衬底基板指向透明阻挡层的方向上各子功能层的疏液性依次增加，可以进一步保持量子点溶液可以不通过透明阻挡层的过孔进入到开口内。
可选地，在本发明实施例提供的阵列基板中，如图2和图3所示，第一电极3为多个条状电极，且各条状电极位于任一列开口41的两侧。
具体地，在本发明实施例提供的阵列基板中，当第一电极位于任一列开口两侧时，该第一电极可以位于各子功能层之间，也可以位于衬底基板与功能层之间，还可以位于功能层与透明阻挡层之间，根据实际的使用情况进行选择，在此不做具体限定。
可选地，在本发明实施例提供的阵列基板中，如图2和图3所示，还包括：位于相邻子像素区域2之间，且沿列方向排列的第二条状电极6。
具体地，在本发明实施例提供的阵列基板中，在量子点溶液填充开口的过程中，第二条状电极上施加与量子点溶液电性相反的电压，以将量子点溶液驱动至对应的子像素区域内。
可选地，在本发明实施例提供的阵列基板中，如图2和图3所示，第一电极3与第二条状电极6同层设置。
具体地，在本发明实施例提供的阵列基板中，将第一电极与第二条状电极同层设置，可以通过一次构图工艺制作第一电极和第二条状电极，减少了制作工艺流程，节约生产成本。
可选地，在本发明实施例提供的阵列基板中，如图2所示，在相邻子像素区域2之间，透明阻挡层具有沿行方向排列的多个导流槽52。
具体地，在本发明实施例提供的阵列基板中，在量子点溶液被各电极驱动至对应的子像素区域时，该导流槽的设置可以更有利于量子点溶液的流动。
可选地，在本发明实施例提供的阵列基板中，如图3所示，还包括：位于功能层4与衬底基板1之间缓冲层7，其中，该缓冲层7具有亲液性。
具体地，在本发明实施例提供的阵列基板中，该具有亲液性的缓冲层的设置，可以将量子点溶液限定在该开口内，其中，该缓冲层的厚度为200nm左右。
具体地，在本发明实施例提供的阵列基板中，量子点溶液填充对应的开口的原理，如图5所示，首先在透明阻挡层5背离衬底基板1一侧的涂覆量子点溶液8，由于该过孔51的直径能够保持量子点溶液8不能通过透明阻挡层5上的过孔51进入开口41内；如该量子点溶液8为红色子像素区域R对应的量子点溶液(如带负电)，则向红色子像素区域R内的第一电极3施加正电压，向其他子像素区域施加负电压，由于量子点溶液8带负电荷，在蓝色子像素区域B和绿色子像素区域G内的第一电极3的负电压的作用下，蓝色子像素区域B和绿色子像素区域G内的量子点溶液8受到排斥力，从而驱动该处的量子点溶液8向红色子像素区域R运动，而红色子像素区域R内的第一电极3施加的为正电压，因此该红色子像素区域R内的量子点溶液8受到吸引了，随着红色子像素区域R内的第一电极3施加正电压的增加，该区域内的量子点溶液8在重力和电力的共同作用下，大于量子点溶液8的表面张力，使该量子点溶液8进入该红色子像素区域R内的开口，完成红色子像素区域R的量子点溶液的填充；其他颜色的子像素区域内量子点溶液的填充过程与上述原理相同，在此不再赘述。
填充后的阵列基板的结构如图6所示，在量子点溶液填充完之后，还包括在透明阻挡层5背离衬底基板1的一侧形成封装层9。
基于同一发明构思，如图7所示，本发明实施例还提供了一种阵列基板的制作方法，包括：
S701、提供一衬底基板，并在衬底基板上形成功能层、第一电极和透明阻挡层；
S702、通过一次构图工艺在透明阻挡层上形成过孔，在功能层上形成开口；具体可以一次光刻工艺形成过孔和开口。光刻工艺是指包括成膜、曝光、显影等工艺过程的利用光刻胶、掩模板、曝光机等形成图形的工艺。
S703、在透明阻挡层上涂覆与一种颜色的子像素区域对应的带电量子点溶液，并向该颜色子像素区域内的第一电极施加与量子点溶液极性相反的电压，向其他颜色子像素区域内的第一电极施加与量子点溶液极性相同的电压。
上述阵列基板的制作方法已经在阵列基板实施例中进行了详细的描述，所形成的结构，及所能达到的有益效果均与上述阵列基板的相同，在此不再赘述。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示面板，包括上述实施例的阵列基板。由于该显示面板解决问题的原理与前述一种阵列基板相似，因此该显示面板的实施可以参见前述阵列基板的实施，重复之处不再赘述。
本发明实施例提供了一种阵列基板、其制作方法及显示面板，该阵列基板包括：衬底基板，位于所述衬底基板上呈阵列排布的多个子像素区域，以及与所述子像素区域对应设置的第一电极；每个所述子像素区域均包括依次位于所述衬底基板上的功能层和透明阻挡层；所述功能层包括多个呈阵列排布的开口，所述透明阻挡层包括与所述开口一一对应设置的过孔；所述过孔满足，在所述第一电极不施加电压时，阻挡所述透明阻挡层上的量子点溶液进入所述开口，在所述第一电极施加的电压与位于所述透明阻挡层上的所述量子点溶液极性相反，允许所述量子点溶液进入所述开口。在上述阵列基板的结构中每个子像素区域包括多个均匀分布的开口，量子点溶液填充该开口，因此量子点溶液可以均匀分布在对应的子像素区域内，有效的避免了因量子点溶液分布不均导致的光利用率低的问题，并且上述阵列基板的结构可以采用涂覆的方式进行量子点溶液的填充，可以避免相关技术中的工艺阻塞喷头的现象出现。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (10)
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板，位于所述衬底基板上呈阵列排布的多个子像素区域，以及与所述子像素区域对应设置的第一电极；
每个所述子像素区域均包括依次位于所述衬底基板上的功能层和透明阻挡层；
所述功能层包括多个呈阵列排布的开口，所述透明阻挡层包括与所述开口一一对应设置的过孔；
所述过孔满足，在所述第一电极不施加电压时，阻挡位于所述透明阻挡层上的量子点溶液进入所述开口，在所述第一电极施加的电压与位于所述透明阻挡层上的所述量子点溶液极性相反，允许所述量子点溶液进入所述开口。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述开口的直径大于所述过孔的直径。
3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述功能层包括层叠设置的多个子功能层，且在所述衬底基板指向所述透明阻挡层的方向上各所述子功能层的疏液性依次增加。
4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极为多个条状电极，且各所述条状电极位于任一列所述开口的两侧。
5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，还包括：位于相邻所述子像素区域之间，且沿列方向排列的第二条状电极。
6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极与所述第二条状电极同层设置。
7.如权利要求1-6任一项所述的阵列基板，其特征在于，在相邻所述子像素区域之间，所述透明阻挡层具有沿行方向排列的多个导流槽。
8.如权利要求1-6任一项所述的阵列基板，其特征在于，还包括：位于所述功能层与所述衬底基板之间缓冲层，其中，所述缓冲层具有亲液性。
9.一种如权利要求1-8任一项所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
提供一衬底基板，并在所述衬底基板上形成功能层、第一电极和透明阻挡层；
通过一次构图工艺在所述透明阻挡层上形成过孔，在所述功能层上形成开口；
在所述透明阻挡层上涂覆与一种颜色的子像素区域对应的带电量子点溶液，并向该颜色子像素区域内的所述第一电极施加与所述量子点溶液极性相反的电压，向其他颜色子像素区域内的所述第一电极施加与所述量子点溶液极性相同的电压。
10.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-8任一项所述的阵列基板。
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