CN110114884B - 显示基板、显示设备和制造显示基板的方法 - Google Patents
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Abstract
提供了一种具有多个子像素的显示基板。显示基板包括：基底基板；以及像素限定层，其限定多个子像素孔。像素限定层包括智能材料子层，智能材料子层包括智能绝缘材料。显示基板在所述多个子像素中的对应一个中包括位于多个子像素孔中的对应一个中的有机发光层。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术，更具体地，涉及显示基板、显示设备和制造显示基板的方法。
背景技术
有机发光二极管(OLED)显示设备是自发光装置。与传统液晶显示(LCD)设备相比，OLED显示设备还提供更鲜艳的色彩和更大的色域，并且无需背光。此外，OLED显示设备可以制作得比典型的LCD设备更易弯曲、更薄且更轻。
发明内容
在一方面，本发明提供了一种具有多个子像素的显示基板，该显示基板包括：基底基板；以及像素限定层，其限定多个子像素孔；其中，像素限定层包括智能材料子层，智能材料子层包括智能绝缘材料；并且，显示基板在所述多个子像素中的对应一个中包括位于所述多个子像素孔中的对应一个中的有机发光层。
可选地，显示基板在所述多个子像素中的所述对应一个中还包括：第一电极，其位于有机发光层的靠近基底基板的一侧；以及有机功能层，其位于第一电极的远离基底基板的一侧并且位于第一电极与有机发光层之间；其中，所述多个子像素孔中的所述对应一个中的有机功能层与所述多个子像素孔中的相邻子像素孔中的对应有机功能层间隔开并且断开。
可选地，第一电极是阳极；并且有机功能层包括空穴注入层和空穴传输层中的一者或组合。
可选地，第一电极是阴极；并且有机功能层包括电子注入层和电子传输层中的一者或组合。
可选地，显示基板还包括：残留有机层，其位于智能材料子层的远离基底基板的一侧；其中，残留有机层与所述多个子像素孔中的所述对应一个中的有机功能层间隔开并且断开；残留有机层在基底基板上的正投影与智能材料子层在基底基板上的正投影至少部分地重叠；并且，残留有机层和有机功能层位于同一层并且包括相同材料。
可选地，智能材料子层具有：第一侧，其靠近基底基板；第二侧，其与第一侧相对并且远离基底基板；以及横侧，其连接第一侧和第二侧；并且，横侧的至少一部分不存在残留有机层和有机功能层，从而使得残留有机层与有机功能层断开，并且使得所述多个子像素孔中的对应一个中的有机功能层与所述多个子像素孔中的相邻子像素孔中的对应有机功能层断开。
可选地，像素限定层还包括位于智能材料子层的靠近基底基板的一侧的第二子层，第二子层和智能材料子层由不同材料制成。
可选地，显示基板还包括：第二残留有机层，其位于智能材料子层的横侧；其中，第二残留有机层与所述多个子像素孔中的所述对应一个中的有机功能层间隔开并且断开。
可选地，智能材料子层由光响应材料制成。
可选地，光响应材料包括光致伸缩材料，该光致伸缩材料包括选自由以下各项构成的组中的有机聚合物材料：光致伸缩聚合物网络，其包括作为交联的金属-有机笼；光致伸缩液晶聚合物网络；光致伸缩聚酰胺，其在主链中具有偶氮苯发色团；聚-(4,4'-二氨基偶氮苯基苯甲酰亚胺)；以及聚(丙烯酸乙酯)网络，其具有偶氮-芳族交联。
另一方面，本发明提供了一种显示设备，其包括本文所述的或通过本文所述的方法制造的显示基板以及与显示基板连接的一个或多个集成电路。
另一方面，本发明提供了一种制造具有多个子像素的显示基板的方法，包括：在基底基板上形成像素限定层以限定多个子像素孔；以及，在所述多个子像素中的对应一个中的所述多个子像素孔中的对应一个中形成有机发光层；其中，形成像素限定层包括：使用包括智能绝缘材料的材料形成智能材料子层。
可选地，所述方法还包括：在形成有机发光层之前，在所述多个子像素中的所述对应一个中形成位于基底基板上的第一电极；以及，在形成有机发光层之前和在形成第一电极之后，在第一电极的远离基底基板的一侧形成有机功能层；其中，所述多个子像素孔中的所述对应一个中的有机功能层形成为与所述多个子像素孔中的相邻子像素孔中的对应有机功能层间隔开并且断开。
可选地，形成有机功能层包括：在第一电极的远离基底基板的一侧沉积有机功能材料层，有机功能材料层沉积为至少部分地覆盖智能材料子层；以及，对智能材料子层施加非机械外部刺激以诱导智能材料子层经历变形，从而使有机功能材料层分离成多个块，所述多个块中的对应一个位于所述多个子像素孔中的所述对应一个中，所述多个块中的所述对应一个与所述多个子像素孔中的相邻子像素孔中的对应块间隔开并且断开，从而形成有机功能层。
可选地，所述变形使得有机功能材料层分离成分别位于所述多个子像素孔中的所述多个块、以及位于智能材料子层的远离基底基板的一侧的残留有机层；残留有机层与所述多个子像素孔中的所述对应一个中的有机功能层间隔开并且断开；并且，残留有机层在基底基板上的正投影与智能材料子层在基底基板上的正投影至少部分地重叠。
可选地，智能材料子层形成为具有：第一侧，其靠近基底基板；第二侧，其与第一侧相对并且远离基底基板；以及横侧，其连接第一侧和第二侧；并且，所述变形导致横侧的至少一部分不存在残留有机层和有机功能层，从而使得残留有机层与有机功能层断开，并且使得所述多个子像素孔中的对应一个中的有机功能层与所述多个子像素孔中的相邻子像素孔中的对应有机功能层断开。
可选地，形成像素限定层还包括：在形成智能材料子层之前，使用与智能材料子层的材料不同的材料形成第二子层。
可选地，第一电极形成为阳极；并且形成有机功能层包括：在形成有机发光层之前，形成空穴注入层和空穴传输层中的一者或组合。
可选地，第一电极形成为阴极；并且形成有机功能层包括：在形成有机发光层之前，形成电子注入层和电子传输层中的一者或组合。
可选地，智能材料子层由光响应材料制成。
可选地，智能材料子层由光响应材料制成；并且对智能材料子层施加非机械外部刺激包括：将光照射在智能材料子层上。
附图说明
以下附图仅为根据所公开的各种实施例的用于示意性目的的示例，而不旨在限制本发明的范围。
图1是示出根据本公开的一些实施例中的显示基板的结构的示意图。
图2是示出根据本公开的一些实施例中的显示基板的结构的示意图。
图3是图2的显示基板的局部放大视图。
图4A是示出根据本公开的一些实施例中的显示基板的结构的示意图。
图4B是示出根据本公开的一些实施例中的显示基板的结构的示意图。
图5A至图5E示出了根据本公开的一些实施例中的制造显示基板的方法。
图6A至图6E示出了根据本公开的一些实施例中的制造显示基板的方法。
图7示出了根据本公开的一些实施例中的显示基板中出现的串子像素干扰。
具体实施方式
现在将参照以下实施例更具体地描述本公开。需注意，以下对一些实施例的描述仅针对示意和描述的目的而呈现于此。其不旨在是穷尽性的或者受限为所公开的确切形式。
本公开特别提供了显示基板、显示设备和制造显示基板的方法，其实质上消除了由于相关技术的限制和缺陷而导致的问题中的一个或多个。在一方面，本公开提供了一种具有多个子像素的显示基板。在一些实施例中，显示基板包括：基底基板；以及像素限定层，其限定多个子像素孔。像素限定层包括智能材料子层，智能材料子层包括智能绝缘材料。显示基板在所述多个子像素中的对应一个中包括位于所述多个子像素孔中的对应一个中的有机发光层。
如本文所用，在本公开上下文中的术语“智能材料”指的是这样的材料：当将一个或多个外部非机械刺激施加至该材料时，该材料能够经历机械特性(比如，体积、直径、高度)的改变。在本公开上下文中，术语“智能绝缘材料”指的是这样的绝缘材料：当将一个或多个外部刺激施加至该材料时，该材料能够经历体积的改变。在一些实施例中，智能材料或智能绝缘材料是这样的材料或绝缘材料：其可以通过照射(例如，光)、热、电压、磁场或它们的任意组合的施加而导致膨胀或收缩。在一些实施例中，智能材料或智能绝缘材料是固态的材料，其呈现耦合的机械-非机械特性，该特性可用于通过不同于机械负载的方式产生智能材料或智能绝缘材料的应变。可选地，在施加照射、热、电压、磁场、或它们的任意组合时，与初始体积相比，智能材料或智能绝缘材料经历至少4％(例如，至少6％、至少8％、至少10％、至少12％、至少14％、至少16％、至少18％、至少20％、至少22％、至少24％、至少26％、至少28％、或至少30％)的体积的改变。可选地，在施加照射、热、电压、磁场、或它们的任意组合时，与初始横向尺寸相比，智能材料或智能绝缘材料经历至少4％(例如，至少6％、至少8％、至少10％、至少12％、至少14％、至少16％、至少18％、至少20％、至少22％、至少24％、至少26％、至少28％、或至少30％)的横向尺寸的改变。智能材料的示例包括：压电复合材料、电活性聚合物、形状记忆合金、以及碳纳米管复合材料。
可选地，智能材料是光响应材料。如本文所用，术语“光响应材料”指的是当施加照射(例如，光)时，能够经历机械特性(例如，体积、直径、高度)的改变的材料。可选地，光响应材料是光致伸缩材料。如本文所用，术语“光致伸缩材料”指的是当施加照射(例如，光)时，能够收缩的材料。可选地，光响应材料是光致膨胀材料。如本文所用，术语“光致膨胀材料”指的是当施加照射(例如，光)时，能够膨胀的材料。光响应材料的示例包括选自由以下各项构成的组中的有机聚合物材料：光致伸缩聚合物网络(Nature 560,65-69,2018)，其包括作为交联的金属-有机笼；光致伸缩液晶聚合物网络(Materials 2013,6(1),116-142；JMater.Chem.C,2,3047 2014)；光致伸缩聚酰胺(Bull.Chem.Soc Jan 81(8),917,2008)，其在主链中具有偶氮苯发色团；聚-(4,4'-二氨基偶氮苯基苯甲酰亚胺)((Nature 230,70,1971))；以及聚(丙烯酸乙酯)网络(Polymer21(10),1175 1980)，其具有偶氮-芳族交联。
可选地，智能材料是热响应材料。如本文所用，术语“热响应材料”指的是当施加温度变化(例如，加热)时，能够经历机械特性(例如，体积、直径、高度)的改变的材料。可选地，热响应材料是热致伸缩材料。如本文所用，术语“热致伸缩材料”指的是当施加温度变化(例如，加热)时，能够收缩的材料。可选地，热响应材料是热致膨胀材料。如本文所用，术语“热致膨胀材料”指的是当施加温度变化(例如，加热)时，能够膨胀的材料。
可选地，智能材料是电活性材料。如本文所用，术语“电活性材料”指的是当施加电压变化时，能够经历机械特性(例如，体积、直径、高度)的改变的材料。可选地，电活性材料是电致伸缩材料。如本文所用，术语“电致伸缩材料”指的是当施加电压变化时，能够收缩的材料。可选地，电活性材料是电致膨胀材料。如本文所用，术语“电致膨胀材料”指的是当施加电压变化时，能够膨胀的材料。
可选地，智能材料是磁活性材料。如本文所用，术语“磁活性材料”指的是当施加磁场变化时，能够经历机械特性(例如，体积、直径、高度)的改变的材料。可选地，磁活性材料是磁致伸缩材料。如本文所用，术语“磁致伸缩材料”指的是当施加磁场变化时，能够收缩的材料。可选地，磁活性材料是磁致膨胀材料。如本文所用，术语“磁致膨胀材料”指的是当施加磁场变化时，能够膨胀的材料。
图1是示出根据本公开的一些实施例中的显示基板的结构的示意图。参照图1，在一些实施例中，显示基板具有多个子像素Sp。显示基板包括：基底基板10；以及像素限定层20，其限定多个子像素孔Spa。像素限定层20包括智能材料子层21，智能材料子层21具有智能绝缘材料。显示基板在所述多个子像素Sp中的对应一个中包括位于所述多个子像素孔Spa中的对应一个中的有机发光层50。
在所述多个子像素Sp中的对应一个中，显示基板包括有机发光二极管OLED。有机发光二极管OLED包括：第一电极30，其位于基底基板10上；有机功能层40，其位于第一电极30的远离基底基板10的一侧；有机发光层50，其位于有机功能层40的远离基底基板10的一侧；以及第二电极70，其位于有机发光层50的远离基底基板10的一侧。有机功能层40位于第一电极30与有机发光层50之间。可选地，有机发光二极管OLED还包括：第二有机功能层60，其位于有机发光层50的远离基底基板10的一侧，并且位于有机发光层50与第二电极70之间。可选地，第二电极70形成为跨越多个子像素Sp(例如，实质上遍及显示基板的所有子像素)的连续整体层。在图1中，第二有机功能层60示出为构成分别位于所述多个子像素孔Spa中的多个块。可选地，第二有机功能层60形成为跨越多个子像素Sp(例如，实质上遍及显示基板的所有子像素)的连续整体层。可以使用开放掩膜沉积工艺来形成第二电极70和第二有机功能层60以降低制造成本，从而避免了使用精细金属掩膜的构图工艺。
在一些实施例中，第一电极30是阳极，并且第二电极70是阴极。可选地，有机功能层40包括空穴注入层和空穴传输层中的一者或组合。在一个示例中，有机功能层40包括空穴注入层和空穴传输层。可选地，第二有机功能层60包括电子注入层和电子传输层中的一者或组合。在一个示例中，第二有机功能层60包括电子注入层和电子传输层。
在一些实施例中，第一电极30是阴极，并且第二电极70是阳极。可选地，有机功能层40包括电子注入层和电子传输层中的一者或组合。在一个示例中，有机功能层40包括电子注入层和电子传输层。可选地，第二有机功能层60包括空穴注入层和空穴传输层中的一者或组合。在一个示例中，第二有机功能层60包括空穴注入层和空穴传输层。
参照图1，在一些实施例中，所述多个子像素孔Spa中的所述对应一个中的有机功能层40与所述多个子像素孔Spa中的相邻子像素孔中的对应有机功能层间隔开并且断开。在一些实施例中，使用开放掩膜沉积工艺将一种或多种有机功能材料在基底基板10上沉积为例如跨越多个子像素Sp(例如，实质上遍及显示基板的全部子像素)的连续整体层，来形成有机功能层40。随后，将非机械外部刺激(例如，照射(比如光)、电压、温度变化(比如加热)、磁场施加至智能材料子层21以诱导智能材料子层21经历变形，从而使有机功能材料层分离成多个块，所述多个块中的对应一个位于所述多个子像素孔Spa中的所述对应一个中。结果，所述多个块中的所述对应一个与所述多个子像素孔Spa中的相邻子像素孔中的对应块间隔开并且断开，从而形成有机功能层40。因此，虽然有机功能层40在涉及开放掩膜沉积工艺的处理中形成以节约成本，但是由于智能材料子层21的存在，导致有机功能层40形成为使得所述多个子像素孔Spa中的对应一个中的有机功能层40与所述多个子像素孔Spa中的相邻子像素孔中的对应有机功能层间隔开并且断开。下面将结合对制造方法的讨论来更详细地讨论制造处理。
图2是示出根据本公开的一些实施例中的显示基板的结构的示意图。参照图2，在一些实施例中，使用开放掩膜沉积工艺来形成有机功能层40。结果，显示基板还包括：残留有机层41，其位于智能材料子层21的远离基底基板10的一侧。如所讨论的，在开放掩膜沉积工艺中，将一种或多种有机功能材料在基底基板10上沉积为例如跨越多个子像素Sp(例如，实质上遍及显示基板的全部子像素)的连续整体层。将非机械外部刺激施加至智能材料子层21以诱导智能材料子层21经历变形，从而使有机功能材料层分离成多个块以及残留有机层41，该残留有机层41与所述多个子像素孔Spa中的所述对应一个中的有机功能层40间隔开并且断开。下面将结合对制造方法的讨论来更详细地讨论制造处理。
可选地，残留有机层41在基底基板10上的正投影与智能材料子层21在基底基板10上的正投影至少部分地重叠。可选地，残留有机层41在基底基板10上的正投影与有机功能层40在基底基板10上的正投影实质上不重叠。可选地，残留有机层41在基底基板10上的正投影与有机功能层40在基底基板10上的正投影彼此部分地重叠。
图3是图2的显示基板的局部放大视图。参照图3，智能材料子层21具有：第一侧S2，其靠近基底基板10；第二侧S1，其与第一侧S2相对并且远离基底基板10；以及横侧LS，其连接第一侧S2和第二侧S1。可选地，横侧LS的至少一部分LSP不存在残留有机层41和有机功能层40，从而使得残留有机层41与有机功能层40断开，并且使得所述多个子像素孔中的对应一个中的有机功能层40与所述多个子像素孔中的相邻子像素孔中的对应有机功能层断开。可选地，所述至少一部分LSP被有机发光层50和第二有机功能层60中的一者或组合覆盖。可选地，如图3所示，所述至少一部分LSP被有机发光层50部分地覆盖并且被第二有机功能层60部分地覆盖。
如图2和图3所示，使用开放掩膜沉积工艺来形成第二电极70和第二有机功能层60以降低制造成本，从而避免了使用精细金属掩膜的构图工艺。
可选地，残留有机层41和有机功能层40位于同一层并且包括相同材料。如本文所用，术语“同一层”指的是在相同步骤中同时形成的各层之间的关系。在一个示例中，当残留有机层41和有机功能层40作为在同一材料层中执行的同一工艺的一个或多个步骤的结果而形成时，它们位于同一层。例如，作为沉积一种或多种有机功能材料并且将非机械刺激施加至智能材料子层的结果，形成了残留有机层41和有机功能层40。在另一个示例中，可以通过同时执行形成残留有机层41的步骤和形成有机功能层40的步骤而将残留有机层41和有机功能层40形成在同一层。术语“同一层”不总是意味着层的厚度或层的高度在截面图中是相同的。
在一些实施例中，第一电极30是阳极，并且第二电极70是阴极。可选地，有机功能层40包括空穴注入层和空穴传输层中的一者或组合。在一个示例中，有机功能层40包括空穴注入层和空穴传输层。可选地，第二有机功能层60包括电子注入层和电子传输层中的一者或组合。在一个示例中，第二有机功能层60包括电子注入层和电子传输层。可选地，残留有机层41包括空穴注入材料层和空穴传输材料层中的一者或组合。在一个示例中，残留有机层41包括空穴注入材料层和空穴传输材料层。
在一些实施例中，第一电极30是阴极，并且第二电极70是阳极。可选地，有机功能层40包括电子注入层和电子传输层中的一者或组合。在一个示例中，有机功能层40包括电子注入层和电子传输层。可选地，第二有机功能层60包括空穴注入层和空穴传输层中的一者或组合。在一个示例中，第二有机功能层60包括空穴注入层和空穴传输层。可选地，残留有机层41包括电子注入材料层和电子传输材料层中的一者或组合。在一个示例中，残留有机层41包括电子注入材料层和电子传输材料层。
图4A是示出根据本公开的一些实施例中的显示基板的结构的示意图。参照图4A，在一些实施例中，像素限定层20还包括第二子层22。可选地，第二子层22位于智能材料子层21的靠近基底基板10的一侧。可选地，第二子层22和智能材料子层21由不同材料制成。可选地，第二子层22由非智能绝缘材料(例如，树脂)制成。
图4B是示出根据本公开的一些实施例中的显示基板的结构的示意图。可选地，显示基板还包括：第二残留有机层42，其位于智能材料子层21的横侧。第二残留有机层42与所述多个子像素孔Spa中的所述对应一个中的有机功能层40间隔开并且断开。
另一方面，本公开提供了一种显示面板，其具有本文描述的或通过本文描述的方法制造的显示基板和面对显示基板的对置基板。可选地，所述显示面板为液晶显示面板。可选地，显示面板为有机发光二极管显示面板。
另一方面，本公开提供了一种显示设备，其具有本文所述的或通过本文所述的方法制造的显示基板以及与显示基板连接的一个或多个集成电路。可选地，所述显示设备为液晶显示设备。可选地，所述显示设备为有机发光二极管显示设备。适当显示设备的示例包括但不限于：电子纸、移动电话、平板计算机、电视、监视器、笔记本计算机、数字相框、GPS等。
另一方面，本公开提供了一种制造具有多个子像素的显示基板的方法。在一些实施例中，所述方法包括：在基底基板上形成像素限定层以限定多个子像素孔；以及，在所述多个子像素中的对应一个中的所述多个子像素孔中的对应一个中形成有机发光层。可选地，形成像素限定层的步骤包括：使用包括智能绝缘材料的材料形成智能材料子层。
具体地，在一些实施例中，所述方法包括在所述多个子像素中的对应一个中形成有机发光二极管。可选地，形成有机发光二极管的步骤包括：在基底基板上形成第一电极；在第一电极的远离基底基板的一侧形成有机功能层；在有机功能层的远离基底基板的一侧形成有机发光层；以及在有机发光层的远离基底基板的一侧形成第二电极。有机功能层形成在第一电极与有机发光层之间。可选地，形成有机发光二极管的步骤还包括：在有机发光层的远离基底基板的一侧并且在有机发光层与第二电极之间形成第二有机功能层的步骤。可选地，第二电极形成为跨越多个子像素(例如，实质上遍及显示基板的所有子像素)的连续整体层。可选地，第二有机功能层形成为构成分别位于所述多个子像素孔中的多个块。可选地，第二有机功能层形成为跨越多个子像素(例如，实质上遍及显示基板的所有子像素)的连续整体层。可以使用开放掩膜沉积工艺来形成第二电极和第二有机功能层以降低制造成本，从而避免了使用精细金属掩膜的构图工艺。
在一些实施例中，所述方法还包括：在形成有机发光层之前，在所述多个子像素中的所述对应一个中形成位于基底基板上的第一电极；以及，在形成有机发光层之前和在形成第一电极之后，在第一电极的远离基底基板的一侧形成有机功能层。所述多个子像素孔中的所述对应一个中的有机功能层形成为与所述多个子像素孔中的相邻子像素孔中的对应有机功能层间隔开并且断开。
在一些实施例中，形成有机功能层的步骤包括：在第一电极的远离基底基板的一侧沉积有机功能材料层，有机功能材料层沉积为至少部分地覆盖智能材料子层；以及，对智能材料子层施加非机械外部刺激以诱导智能材料子层经历变形，从而使有机功能材料层分离成多个块，所述多个块中的对应一个位于所述多个子像素孔中的所述对应一个中，所述多个块中的所述对应一个与所述多个子像素孔中的相邻子像素孔中的对应块间隔开并且断开，从而形成有机功能层。
非机械外部刺激的示例包括：照射(例如，光)、温度变化(例如，加热或冷却)、电压、磁场、或它们的任意组合。可选地，在施加照射、热、电压、磁场、或它们的任意组合时，与初始体积相比，智能材料或智能绝缘材料经历至少4％(例如，至少6％、至少8％、至少10％、至少12％、至少14％、至少16％、至少18％、至少20％、至少22％、至少24％、至少26％、至少28％、或至少30％)的体积的改变。可选地，在施加照射、热、电压、磁场、或它们的组合时，与初始横向尺寸相比，智能材料或智能绝缘材料经历至少4％(例如，至少6％、至少8％、至少10％、至少12％、至少14％、至少16％、至少18％、至少20％、至少22％、至少24％、至少26％、至少28％、或至少30％)的横向尺寸的改变。可选地，在施加照射、热、电压、磁场或它们的任意组合时，与初始体积相比，智能材料或智能绝缘材料经历25％至50％的体积的改变。可选地，在施加照射、热、电压、磁场或它们的任意组合时，与初始体积相比，智能材料或智能绝缘材料经历25％至50％的横向尺寸的改变。
在一些实施例中，所述变形使得有机功能材料层分离成分别位于所述多个子像素孔中的所述多个块、以及位于智能材料子层的远离基底基板的一侧的残留有机层。可选地，残留有机层与所述多个子像素孔中的所述对应一个中的有机功能层间隔开并且断开。可选地，残留有机层在基底基板上的正投影与智能材料子层在基底基板上的正投影至少部分地重叠。
在一些实施例中，智能材料子层形成为具有：第一侧，其靠近基底基板；第二侧，其与第一侧相对并且远离基底基板；以及横侧，其连接第一侧和第二侧。可选地，所述变形导致横侧的至少一部分不存在残留有机层和有机功能层，从而使得残留有机层与有机功能层断开，并且使得所述多个子像素孔中的对应一个中的有机功能层与所述多个子像素孔中的相邻子像素孔中的对应有机功能层断开。
在一些实施例中，形成像素限定层的步骤还包括：在形成智能材料子层之前，使用与智能材料子层的材料不同的材料形成第二子层。
在一些实施例中，第一电极形成为阳极；并且形成有机功能层的步骤包括：在形成有机发光层之前，形成空穴注入层和空穴传输层中的一者或组合。可选地，形成第二有机功能层的步骤包括：在形成有机发光层之后，形成电子注入层和电子传输层中的一者或组合。
在一些实施例中，第一电极形成为阴极；并且形成有机功能层的步骤包括：在形成有机发光层之前，形成电子注入层和电子传输层中的一者或组合。可选地，形成第二有机功能层的步骤包括：在形成有机发光层之后，形成空穴注入层和空穴传输层中的一者或组合。
图5A至图5E示出了根据本公开的一些实施例中的制造显示基板的方法。参照图5A，首先在基底基板10上形成像素限定层20以限定多个子像素孔Spa。形成像素限定层20的步骤包括：使用诸如树脂之类的非智能材料在基底基板10上形成第二子层22；随后，使用智能绝缘材料在第二子层22的远离基底基板10的一侧形成智能材料子层21。在所述多个子像素Sp中的对应一个中，在例如所述多个子像素孔Spa中的对应一个的底部处，在基底基板上形成第一电极30。
参照图5B，在第一电极30和智能材料子层21的远离基底基板10的一侧形成有机功能材料层40'。可选地，有机功能材料层40'包括空穴注入材料层和空穴传输材料层中的一者或组合。可选地，有机功能材料层40'包括电子注入材料层和电子传输材料层中的一者或组合。有机功能材料层40'形成为跨越多个子像素Sp的连续整体层。
参照图5C，将非机械外部刺激(例如，诸如UV光之类的照射)施加至智能材料子层21。结果，智能材料子层21(在一个示例中)经历收缩以形成变形的智能材料子层21'。由于智能材料子层21的收缩，有机功能材料层40'被分离成多个子像素块和多个残留块。所述多个子像素块分别位于所述多个子像素孔Spa中，从而形成有机功能层40。所述多个残留块分别位于变形的智能材料子层21'的远离基底基板10的一侧，从而形成残留有机层41。
参照图5D，在撤销非机械外部刺激时，变形的智能材料子层21’可选地变回智能材料子层21。然而，在一些实施例中，变形可以为不可逆的。
参照图5E，在有机功能层40的远离基底基板10的一侧形成有机发光层50，在有机发光层50的远离基底基板10的一侧形成第二有机功能层60，并且在第二有机功能层60的远离基底基板10的一侧形成第二电极70。第二有机功能层60和第二电极70分别形成为跨越多个子像素Sp(例如，实质上遍及显示基板的所有子像素)的连续整体层。可以使用开放掩膜沉积工艺来形成第二电极70和第二有机功能层60以降低制造成本，从而避免了使用精细金属掩膜的构图工艺。
图6A至图6E示出了根据本公开的一些实施例中的制造显示基板的方法。图6A至图6E所示的处理与图5A至图5E所示的处理基本上相同，仅略微不同。参照图6D，在撤销非机械外部刺激时，变形的智能材料子层21’没有变回智能材料子层21，例如，变形基本上不可逆。此外，参照图6C和图6D，将非机械外部刺激(例如，诸如UV光之类的照射)施加至智能材料子层21。结果，智能材料子层21(在一个示例中)经历收缩以形成变形的智能材料子层21'。由于智能材料子层21的收缩，有机功能材料层40'被分离成多个子像素块、多个第一残留块和多个第二残留块。所述多个子像素块分别位于所述多个子像素孔Spa中，从而形成有机功能层40。所述多个第一残留块分别位于变形的智能材料子层21'的远离基底基板10的一侧，从而形成残留有机层41。所述多个第二残留块分别位于变形的智能材料子层21’的横侧，从而形成位于变形的智能材料子层21'上的第二残留有机层42。如图6E所示，第二残留有机层42与所述多个子像素孔Spa中的所述对应一个中的有机功能层40间隔开并且断开。
图7示出了根据本公开的一些实施例中的显示基板中出现的串子像素干扰。参照图7，有机功能层40保持为跨越所述多个子像素Sp的连续整体层。结果，当子像素(例如，图7中间的子像素)被提供有数据信号时，提供至第一电极30的电流可以通过连续整体的有机功能层40泄露至相邻子像素(例如，图7的左侧子像素和右侧子像素)中。结果，当中间子像素配置为发光时，信号将泄露至相邻子像素并驱动相邻子像素发光，导致串子像素干扰。
参照图1、图2和图4，即使通过在开放掩膜沉积工艺中初始沉积有机功能材料来形成有机功能层40，有机功能层40也被分离成分别位于所述多个子像素孔Spa中的多个块。参照图4，有机功能层40与残留有机层41间隔开并且断开。因此，提供至中间子像素的电流将不会泄露至相邻子像素中，从而避免了串子像素干扰。
出于示意和描述目的已示出对本发明实施例的上述描述。其并非旨在穷举或将本发明限制为所公开的确切形式或示例性实施例。因此，上述描述应当被认为是示意性的而非限制性的。显然，许多修改和变形对于本领域技术人员而言将是显而易见的。选择和描述这些实施例是为了解释本发明的原理和其最佳方式的实际应用，从而使得本领域技术人员能够理解本发明适用于特定用途或所构思的实施方式的各种实施例及各种变型。本发明的范围旨在由所附权利要求及其等同形式限定，其中除非另有说明，否则所有术语以其最宽的合理意义解释。因此，术语“发明”、“本发明”等不一定将权利范围限制为具体实施例，并且对本发明示例性实施例的参考不隐含对本发明的限制，并且不应推断出这种限制。本发明仅由随附权利要求的精神和范围限定。此外，这些权利要求可涉及使用跟随有名词或元素的“第一”、“第二”等术语。这种术语应当理解为一种命名方式而非意在对由这种命名方式修饰的元素的数量进行限制，除非给出具体数量。所描述的任何优点和益处不一定适用于本发明的全部实施例。应当认识到的是，本领域技术人员在不脱离随附权利要求所限定的本发明的范围的情况下可以对所描述的实施例进行变化。此外，本公开中没有元件和组件是意在贡献给公众的，无论该元件或组件是否明确地记载在随附权利要求中。
Claims (18)
1.一种显示基板，其具有多个子像素，所述显示基板包括：
基底基板；和
像素限定层，其限定多个子像素孔；
其中，所述像素限定层包括智能材料子层，所述智能材料子层由光响应材料制成,所述智能材料子层包括智能绝缘材料；所述智能材料子层具有：第一侧，其靠近所述基底基板；第二侧，其与所述第一侧相对并且远离所述基底基板；以及横侧，其连接所述第一侧和所述第二侧；
并且所述显示基板在所述多个子像素中的对应一个中包括位于所述多个子像素孔中的对应一个中的有机发光层；
所述显示基板还包括：
残留有机层，其位于所述智能材料子层的横侧上；
其中，所述残留有机层与所述多个子像素孔中的所述对应一个中的有机功能层间隔开并且断开。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述显示基板在所述多个子像素中的所述对应一个中还包括：
第一电极，其位于所述有机发光层的靠近所述基底基板的一侧；和
有机功能层，其位于所述第一电极的远离所述基底基板的一侧并且位于所述第一电极与所述有机发光层之间；
其中，所述多个子像素孔中的所述对应一个中的所述有机功能层与所述多个子像素孔中的相邻子像素孔中的对应有机功能层间隔开并且断开。
3.根据权利要求2所述的显示基板，其中，所述第一电极是阳极；并且
所述有机功能层包括空穴注入层和空穴传输层中的一者或组合。
4.根据权利要求2所述的显示基板，其中，所述第一电极是阴极；并且
所述有机功能层包括电子注入层和电子传输层中的一者或组合。
5.根据权利要求2所述的显示基板，还包括：第二残留有机层，其位于所述智能材料子层的远离所述基底基板的一侧；
其中，所述第二残留有机层与所述多个子像素孔中的所述对应一个中的所述有机功能层间隔开并且断开；
所述第二残留有机层在所述基底基板上的正投影与所述智能材料子层在所述基底基板上的正投影至少部分地重叠；并且
所述第二残留有机层和所述有机功能层位于同一层并且包括相同材料。
6.根据权利要求5所述的显示基板，其中，
所述横侧的至少一部分不存在所述第二残留有机层和所述有机功能层，从而使得所述第二残留有机层与所述有机功能层断开，并且使得所述多个子像素孔中的所述对应一个中的所述有机功能层与所述多个子像素孔中的相邻子像素孔中的所述对应有机功能层断开。
7.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述像素限定层还包括位于所述智能材料子层的靠近所述基底基板的一侧的第二子层，所述第二子层和所述智能材料子层由不同材料制成。
8.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述光响应材料包括光致伸缩材料，所述光致伸缩材料包括选自由以下各项构成的组中的有机聚合物材料：光致伸缩聚合物网络，其包括作为交联的金属-有机笼；光致伸缩液晶聚合物网络；光致伸缩聚酰胺，其在主链中具有偶氮苯发色团；聚-(4,4'-二氨基偶氮苯基苯甲酰亚胺)；以及聚(丙烯酸乙酯)网络，其具有偶氮-芳族交联。
9.一种显示设备，包括权利要求1至8中任一项所述的显示基板、以及与所述显示基板连接的一个或多个集成电路。
10.一种制造显示基板的方法，所述显示基板具有多个子像素，所述方法包括：
在基底基板上形成像素限定层以限定多个子像素孔；以及
在所述多个子像素中的对应一个中的所述多个子像素孔中的对应一个中形成有机发光层；
其中，形成所述像素限定层包括：使用包括智能绝缘材料的材料形成智能材料子层；
所述智能材料子层由光响应材料制成；所述智能材料子层具有：第一侧，其靠近所述基底基板；第二侧，其与所述第一侧相对并且远离所述基底基板；以及横侧，其连接所述第一侧和所述第二侧；
在智能材料子层的横侧上形成残留有机层，所述残留有机层与所述多个子像素孔中的所述对应一个中的有机功能层间隔开并且断开。
11.根据权利要求10所述的方法，还包括：
在形成所述有机发光层之前，在所述多个子像素中的所述对应一个中形成位于所述基底基板上的第一电极；以及
在形成所述有机发光层之前和在形成所述第一电极之后，在所述第一电极的远离所述基底基板的一侧形成有机功能层；
其中，所述多个子像素孔中的所述对应一个中的所述有机功能层形成为与所述多个子像素孔中的相邻子像素孔中的对应有机功能层间隔开并且断开。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，形成所述有机功能层包括：
在所述第一电极的远离所述基底基板的一侧沉积有机功能材料层，所述有机功能材料层沉积为至少部分地覆盖所述智能材料子层；以及
对所述智能材料子层施加非机械外部刺激以诱导所述智能材料子层经历变形，从而使所述有机功能材料层分离成多个块，所述多个块中的对应一个位于所述多个子像素孔中的所述对应一个中，所述多个块中的所述对应一个与所述多个子像素孔中的相邻子像素孔中的对应块间隔开并且断开，从而形成所述有机功能层。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述变形使得所述有机功能材料层分离成分别位于所述多个子像素孔中的所述多个块、以及位于所述智能材料子层的远离所述基底基板的一侧的第二残留有机层；
所述第二残留有机层与所述多个子像素孔中的所述对应一个中的所述有机功能层间隔开并且断开；并且
所述第二残留有机层在所述基底基板上的正投影与所述智能材料子层在所述基底基板上的正投影至少部分地重叠。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，
所述变形导致所述横侧的至少一部分不存在所述第二残留有机层和所述有机功能层，从而使得所述第二残留有机层与所述有机功能层断开，并且使得所述多个子像素孔中的对应一个中的所述有机功能层与所述多个子像素孔中的相邻子像素孔中的所述对应有机功能层断开。
15.根据权利要求10至14所述的方法，其中，形成所述像素限定层还包括：在形成所述智能材料子层之前，使用与所述智能材料子层的材料不同的材料形成第二子层。
16.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第一电极形成为阳极；并且
形成所述有机功能层包括：在形成所述有机发光层之前，形成空穴注入层和空穴传输层中的一者或组合。
17.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第一电极形成为阴极；并且
形成所述有机功能层包括：在形成所述有机发光层之前，形成电子注入层和电子传输层中的一者或组合。
18.根据权利要求12所述的方法，其中，所述智能材料子层由光响应材料制成；并且
对所述智能材料子层施加非机械外部刺激包括：将光照射在所述智能材料子层上。
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