TWI697118B - 薄膜電晶體陣列基板、包含該基板的有機發光二極體顯示裝置及製造該顯示裝置的方法 - Google Patents

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Abstract

一種有機發光二極體(OLED)顯示裝置包括一電晶體的一主動層，設置在一緩衝絕緣膜上。一閘極絕緣膜設置在一導電層上方的該緩衝絕緣膜上，並且設置在該主動層上。一閘極電極設置在該主動層的一通道區域上方的該閘極絕緣膜上。一第一連接圖案設置在該導電層和該主動層上方的該閘極絕緣膜上。該第一連接圖案經由穿過該閘極絕緣膜和該緩衝絕緣膜的一第一連接接觸孔連接到該導電層。該第一連接圖案也經由穿過該閘極絕緣膜的一第二連接接觸孔連接到該主動層。該第一連接圖案具有與該閘極電極相同的材料。

Description

薄膜電晶體陣列基板、包含該基板的有機發光二極體顯示裝置及製造該顯示裝置的方法
本發明涉及一種薄膜電晶體陣列基板，其包括對應於每個像素區域的至少一個薄膜電晶體；以及一種包括該薄膜電晶體陣列基板的有機發光二極體顯示裝置。
顯示裝置應用於各種電子裝置，例如：TV、行動電話、筆記型電腦、和平板。已經持續進行對於顯示裝置的薄化、輕量化、和低功耗的研究。
顯示裝置的典型示例可以包括：液晶顯示(LCD)裝置、電漿顯示(PDP)裝置、場發射顯示(FED)裝置、電致發光顯示(ELD)裝置、電子潤濕顯示(EWD)裝置、以及有機發光顯示(OLED)裝置。
顯示面板可以包括彼此黏合的一對基板和設置在該對基板之間的偏光材料或發光材料。
在這方面，該對基板中的一個可以是薄膜電晶體陣列基板。薄膜電晶體陣列基板具有複數個像素區域，界定在顯示影像的顯示區域內，並且驅動每個像素區域。薄膜電晶體陣列基板包括對應於每個像素區域的至少一個薄膜電晶體。
在傳統的薄膜電晶體陣列基板中，薄膜電晶體包括：以島形式存在的主動層、與主動層的一部分重疊的閘極電極、以及對應於主動層的兩端的源極電極和汲極電極。
此外，為了減少來自對應於主動層與閘極電極之間的重疊區域的通道的漏電流，閘極電極可以設置在覆蓋主動層的至少一部分的閘極絕緣膜上。
在這種情況下，在形成閘極電極的圖案化加工製程期間，不與閘極電極重疊的主動層的剩餘部分暴露於圖案化加工製程。因此，在製程期間所產生之一預定量的電荷可以被充電到主動層。在已經充電預定量的電荷的狀態下，主動層易受到由靜電引起的過度充電爆裂(overcharge burst)的影響。
尤其是，主動層的寬度越大，在主動層中充電的電荷量越大。因此，過度充電爆裂可能更容易發生，從而導致缺陷點。
本發明旨在提供一種能夠防止由於靜電引起之主動層的過度充電爆裂的薄膜電晶體陣列基板，並且提供一種包括該薄膜電晶體陣列基板的有機發光二極體顯示裝置及其製造方法。
本發明的目的不限於上述目的。如上未提及的，本發明的其他目的和優點可以從以下描述中理解，並且從本發明的實施例中更清楚地理解。此外，將容易理解的是，本發明的目的和優點可以透過申請專利範圍中揭露的特徵及其組合來實現。
一個實施例包括一種有機發光二極體(OLED)顯示裝置，其包括基板；設置在基板上的導電層；以及設置在導電層上的緩衝絕緣膜。電晶體的主動層設置在緩衝絕緣膜上。閘極絕緣膜設置在導電層上方的緩衝絕緣膜上，並且設置在主動層上。閘極電極設置在主動層的通道區域上方的閘極絕緣膜上。第一連接圖案設置在導電層和主動層上方的閘極絕緣膜上。第一連接圖案經由穿過閘極絕緣膜和緩衝絕緣膜的第一連接接觸孔連接到導電層。第一連接圖案也經由穿過閘極絕緣膜的第二連接接觸孔連接到主動層。第一連接圖案具有與閘極電極相同的材料。
在一個實施例中，電晶體包括像素的電開關晶體，導電層包括用於提供資料電壓給像素的資料線，並且閘極電極包括用於驅動開關電晶體的掃描線。
在另一個實施例中，電晶體包括驅動電晶體以驅動像素的發光二極體，其中，閘極電極包括驅動電晶體閘極電極以驅動該驅動電晶體，並且其中，導電層包括遮光圖案以阻擋發光二極體的光。
在另一個實施例中，電晶體包括感測電晶體以感測提供到像素的發光二極體的電壓，其中，閘極電極包括感測線以驅動感測電晶體，並且其中，導電層包括遮光圖案以阻擋發光二極體的光。
在一個實施例中，遮光圖案設置在基板上，遮光圖案具有與資料線相同的材料。開關電晶體的主動層和遮光圖案的重疊區域分別構成像素的儲存電容器的第一電極和第二電極，緩衝絕緣膜設置在第一電極與第二電極之間。
在一個實施例中，OLED顯示裝置進一步包括設置在緩衝絕緣膜上的驅動電晶體的主動層。感測電晶體的主動層設置在緩衝絕緣膜上。開關電晶體的主動層具有比驅動電晶體和感測電晶體的主動層大的面積。
在一個實施例中，OLED顯示裝置進一步包括設置在基板上的參考電壓線。感測電晶體的主動層設置在緩衝絕緣膜上。閘極絕緣膜進一步設置在感測電晶體的主動層上。閘極絕緣膜上的感測線與感測電晶體的主動層的通道區域重疊。第二連接圖案設置在閘極絕緣膜上。第二連接圖案經由穿過閘極絕緣膜和緩衝絕緣膜的第三連接接觸孔連接到參考電壓線。第二連接圖案經由穿過閘極絕緣膜的第四連接接觸孔連接到感測電晶體的主動層的源極區域。
在一個實施例中，OLED顯示裝置進一步包括設置在基板上的遮光圖案。緩衝絕緣膜設置在遮光圖案上。閘極絕緣膜設置在與遮光圖案重疊的緩衝絕緣膜上。第三連接圖案設置在閘極絕緣膜上。第三連接圖案經由穿過閘極絕緣膜和緩衝絕緣膜的第五連接接觸孔連接到遮光圖案。第三連接圖案經由穿過閘極絕緣膜的第六連接接觸孔連接到感測電晶體的主動層的汲極區域。
在另一個態樣，提供一種製造方法，用於製造有機發光二極體(OLED)顯示裝置。在基板上形成導電層。在導電層上形成緩衝絕緣膜。在緩衝絕緣膜上形成電晶體的主動層。在導電層上方的緩衝絕緣膜上形成閘極絕緣膜並且在電晶體的主動層上形成閘極絕緣膜。形成第一連接接觸孔穿過閘極絕緣膜和緩衝絕緣膜以暴露導電層。形成第二連接接觸孔穿過閘極絕緣膜以暴露電晶體的主動層。在電晶體的主動層的通道區域上方的閘極絕緣膜上形成閘極電極。在形成閘極電極的同時，在閘極絕緣膜上形成第一連接圖案。第一連接 圖案經由第一連接接觸孔連接到導電層。第一連接圖案還經由第二連接接觸孔連接到電晶體的主動層。
在一個實施例中，電晶體包括像素的電開關晶體，導電層包括用於提供資料電壓給像素的資料線，並且閘極電極包括用於驅動開關電晶體的掃描線。
在一個實施例中，在形成資料線的同時，在基板上進一步形成遮光圖案。開關電晶體的主動層和遮光圖案的重疊區域分別構成像素的儲存電容器的第一電極和第二電極，緩衝絕緣膜設置在第一電極與第二電極之間。
在一個實施例中，在基板上形成參考電壓線。在緩衝絕緣膜上形成感測電晶體的主動層。在感測電晶體的主動層上進一步形成閘極絕緣膜。在感測電晶體的主動層的通道區域上方的閘極絕緣膜上形成感測線。形成第三連接接觸孔穿過閘極絕緣膜和緩衝絕緣膜以暴露參考電壓線。形成第四連接接觸孔穿過閘極絕緣膜以暴露感測電晶體的主動層的源極區域。在閘極絕緣膜上形成第二連接圖案，該第二連接圖案經由第三連接接觸孔連接到參考電壓線，並且經由第四連接接觸孔連接到感測電晶體的主動層的源極區域。
在一個實施例中，在基板上形成遮光圖案。在遮光圖案上還形成緩衝絕緣膜。在遮光圖案上方的緩衝絕緣膜上進一步形成閘極絕緣膜。形成第五連接接觸孔穿過閘極絕緣膜和緩衝絕緣膜以暴露遮光圖案。形成第六連接接觸孔穿過閘極絕緣膜以暴露感測電晶體的主動層的汲極區域。在閘極絕緣膜上形成第三連接圖案，該第三連接圖案經由第五連接接觸孔連接到遮光圖案，並且經由第六連接接觸孔連接到感測電晶體的主動層的汲極區域。
10‧‧‧顯示面板
11‧‧‧時序控制器
12‧‧‧資料驅動單元
13‧‧‧閘極驅動單元
14‧‧‧資料線
15‧‧‧掃描線、閘極電極
16‧‧‧第一電源供應線
16a‧‧‧第一連接接觸孔
16b‧‧‧第一連接圖案
16c‧‧‧第三連接接觸孔
17‧‧‧感測線、閘極電極
18‧‧‧參考電源供應線
18a‧‧‧第二連接接觸孔
18b‧‧‧第二連接圖案
18c‧‧‧第四連接接觸孔
100‧‧‧薄膜電晶體陣列基板
101‧‧‧基板
102‧‧‧緩衝絕緣膜
103‧‧‧閘極絕緣膜
103’‧‧‧預絕緣膜
111‧‧‧主動層
111a‧‧‧通道區域
111b‧‧‧源極區域
111c‧‧‧汲極區域
112‧‧‧主動層
112a‧‧‧通道區域
112b‧‧‧源極區域
112c‧‧‧汲極區域
113‧‧‧主動層
113a‧‧‧通道區域
113b‧‧‧源極區域
113c‧‧‧汲極區域
121‧‧‧閘極電極
121a‧‧‧閘極電極接觸孔
122a‧‧‧第一連接接觸孔
122b‧‧‧第二連接接觸孔
122c‧‧‧連接圖案
123a‧‧‧第一連接接觸孔
123b‧‧‧第二連接接觸孔
123c‧‧‧第一連接圖案
124a‧‧‧第三連接接觸孔
124b‧‧‧第四連接接觸孔
124c‧‧‧第二連接圖案
130‧‧‧遮光圖案
Cst‧‧‧儲存電容器
DCLK‧‧‧點時脈信號
DDC‧‧‧資料控制信號
DE‧‧‧資料致能信號
GDC‧‧‧閘極控制信號
Hsync‧‧‧水平同步信號
ND1‧‧‧第一節點
ND2‧‧‧第二節點
OLED‧‧‧有機發光二極體、有機發光元件
PXL‧‧‧像素區域
PXL1‧‧‧像素區域
PXL2‧‧‧像素區域
RGB‧‧‧數位視訊資料
RGB’‧‧‧重佈置的數位視訊資料
S10~S60‧‧‧步驟
SCAN‧‧‧掃描信號
SENSE‧‧‧感測信號
T1‧‧‧第一薄膜電晶體
T2‧‧‧第二薄膜電晶體
T3‧‧‧第三薄膜電晶體
VDATA‧‧‧資料信號
VDD‧‧‧第一驅動電壓
VREF‧‧‧參考電壓
VSS‧‧‧第二驅動電壓
Vsync‧‧‧垂直同步信號
圖1顯示根據本發明一個實施例之有機發光二極體的顯示裝置。
圖2顯示圖1中之每個像素區域的一個等效電路的一個示例。
圖3顯示對應於圖2之等效電路的薄膜電晶體陣列基板的一個平面的一個示例。
圖4顯示沿圖3之A-A’線所截取的剖面。
圖5顯示沿圖3之B-B’線所截取的剖面。
圖6顯示根據本發明一個實施例用於製造薄膜電晶體陣列基板的方法。
圖7至圖14顯示對應於圖6之方法步驟的結構。
以下進一步說明和描述各種實施例的示例。應當理解，本文的描述並非旨在將山請專利範圍限制於所描述的特定實施例。相反地，旨在覆蓋可包括在由所附申請專利範圍界定的本發明的精神和範疇內的替代方案、修改和均等物。
不同圖式中的相同元件符號表示相同或相似的元件，並且因此執行相似的功能。此外，為了簡化描述，省略了眾所周知的步驟和元件的描述和細節。更進一步地，在本發明的以下詳細描述中，闡述了許多具體細節以便提供對本發明的透徹理解。然而，應當理解，可以在沒有這些具體細節的情況下實踐本發明。在其他情況下，未詳細描述眾所周知的方法、過程、組件和電路，以免不必要地模糊本發明的各種態樣。
應當理解，儘管這裡可以使用術語「第一」、「第二」、「第三」等來描述各種元件、組件、區域、層、及/或部分，但是這些元件、組件、區域、層、及/或部分不應受這些術語的限制。這些術語用於區別一元件、組件、區域、層、或部分與另一元件、組件、區域、層、或部分。因此，在不脫離本發明的精神和範疇的情況下，以下描述的第一元件、組件、區域、層或部分可以被稱為第二元件、組件、區域、層、或部分。
應當理解，當一元件或層稱為「連接到」或「耦合到」另一個元件或層時，其可以直接連接到或耦合到另一個元件或層，或者可以存在一個以上的中間元件或層。另外，亦將理解，當元件或層稱為在兩元件或層「之間」時，其可以是兩元件或層之間的唯一元件或層，或者也可以存在一個以上的中間元件或層。
此處使用的術語僅用於描述特定實施例，並不旨在限制本發明。如本文所使用，除非上下文另有明確說明，否則單數形式「一」和「一個」旨在也包括複數形式。將進一步理解，當在本說明書中使用術語「包括」、「包含」時，指定所述的特徵、整體、操作、元件、及/或組件的存在，但是不排除存在或添加一個以上的其他特徵、整體、操作、元件、組件、及/或其部分。如 本文所使用，術語「及/或」包括一個以上的相關列出項目的任何和所有組合。當在元件列表之前加上諸如「至少一個」的表達時，得修改整個元件列表，並且不得修改列表的個別元件。
除非另外界定，否則本文使用的包括技術和科學術語的所有術語具有與本發明概念所屬領域通常知識者的通常理解的含義相同的含義。將進一步理解，除非在本文明確界定，否則諸如在常用詞典中界定的那些術語應當被解釋為具有與其在相關領域的上下文中的含義一致的含義，並且將不被理解為理想化或過於正式的含義。
在下文中，將參照附圖詳細描述根據本發明各種實施例的薄膜電晶體陣列基板和包括該薄膜電晶體陣列基板的有機發光二極體顯示裝置。
首先，參照圖1至圖5，以下將描述根據本發明一個實施例的薄膜電晶體陣列基板和包括該薄膜電晶體陣列基板的有機發光二極體顯示裝置。
圖1顯示根據本發明一個實施例之有機發光二極體的顯示裝置。圖2顯示圖1中之每個像素區域的一個等效電路的一個示例。圖3顯示對應於圖2之等效電路的薄膜電晶體陣列基板的一個平面的一個示例。圖4顯示沿圖3之A-A’線所截取的剖面。圖5顯示沿圖3之B-B’線所截取的剖面。
如圖1所示，根據本發明一個實施例的有機發光二極體顯示裝置包括：顯示面板10，包含複數個像素區域PXL，在顯示影像的顯示區域內以陣列形式佈置；資料驅動單元12，用於驅動顯示面板10的資料線14；閘極驅動單元13，用於驅動顯示面板10的掃描線15；以及時序控制器11，用於控制資料驅動單元12和閘極驅動單元13中的每一個的驅動時序。
此外，顯示面板10包括：掃描線15，每條掃描線15對應於包含在水平方向上佈置成一行的像素區域PXL的每條水平線；以及資料線14，每條資料線14對應於包括在垂直方向上佈置成一列的像素區域PXL的垂直線。複數個像素區域PXL可以藉由交叉掃描線15和資料線14來界定，因此可以以矩陣形式佈置在顯示區域內。
此外，顯示面板10包括：第一電源供應線，用於將第一驅動電壓VDD供應給複數個像素區域PXL；第二電源供應線，用於將低於第一驅動電壓VDD的第二驅動電壓VSS供應給複數個像素區PXL；以及參考電源供應線，用於將參考電壓VREF供應給複數個像素區域PXL。
時序控制器11根據顯示面板10的解析度重佈置從外部輸入的數位視訊資料RGB，並將重佈置的數位視訊資料RGB’供應給資料驅動單元12。
此外，基於諸如垂直同步信號Vsync、水平同步信號Hsync、點時脈信號DCLK和資料致能信號DE的時序信號，時序控制器11產生並供應用於控制資料驅動單元12的操作時序的資料控制信號DDC以及用於控制閘極驅動單元13的操作時序的閘極控制信號GDC。
基於資料控制信號DDC，資料驅動單元12將重佈置的數位視訊資料RGB’轉換為類比資料電壓。此外，基於重佈置的數位視訊資料RGB’，資料驅動單元12在每個水平週期經由資料線14將資料信號VDATA供應給對應於每條水平線的像素區域。
基於閘極控制信號GDC，閘極驅動單元13產生並供應掃描信號SCAN和感測信號SENSE。
儘管圖未單獨顯示，但是顯示面板10包括面向彼此地黏合在一起的一對基板和設置在其之間的有機發光元件陣列。此外，一對基板中的一個可以實現為薄膜電晶體陣列基板。該薄膜電晶體陣列基板具有在其中被界定的複數個像素區域PXL，並且供應驅動電流給每個像素區域PXL中的有機發光元件。
像素區域PXL中的每一個包括：有機發光元件OLED、儲存電容器Cst、第一薄膜電晶體T1、第二薄膜電晶體T2、以及第三薄膜電晶體T3。
有機發光元件OLED包括陽極和陰極；以及設置在該陽極與該陰極之間的有機發光層(圖中未顯示)。在一個示例中，有機發光層包括電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、和電子傳輸層。或者，有機發光層可以進一步包括電子注入層。
第一薄膜電晶體T1設置在第一電源供應線16與第二電源供應線之間，第一電源供應線16供應第一驅動電壓VDD，第二電源供應線供應低於第一驅動電壓VDD的第二驅動電壓VSS。第一薄膜電晶體T1與有機發光元件OLED串聯連接。
第二薄膜電晶體T2設置在資料線14與第一薄膜電晶體T1之間。當基於來自掃描線15的掃描信號SCAN導通第二薄膜電晶體T2時，資料信號VDATA施加到第一薄膜電晶體T1的閘極電極與第二薄膜電晶體T2之間的第一節點ND1。
儲存電容器Cst設置在第一節點ND1與第二節點ND2之間。第二節點ND2是第一薄膜電晶體T1與有機發光元件OLED之間的接觸點。
基於在導通時經由第二薄膜電晶體T2供應給第一節點ND1的資料信號VDATA，對儲存電容器Cst充電。
第三薄膜電晶體T3設置在用於供應參考電壓VREF的參考電源供應線18與第二節點ND2之間。當基於來自對應於每條水平線的感測線17的感測信號SENSE導通第三薄膜電晶體T3時，向第二節點ND2供應參考電壓VREF，或者將來自第二節點ND2的電壓傳遞到參考電源供應線18。
如圖3所示，根據本發明一個實施例的有機發光二極體顯示裝置的薄膜電晶體陣列基板100包括第一薄膜電晶體T1、第二薄膜電晶體T2、第三薄膜電晶體T3、以及儲存電容器Cst。
此外，薄膜電晶體陣列基板100進一步包括掃描線15和感測線17，兩者均沿第一方向(圖3中的水平方向)延伸；以及資料線14、第一電源供應線16、和參考電源供應線18，全部沿第二方向(圖3中的垂直方向)延伸。
在這方面，每條資料線14可以對應於每條垂直線，而第一電源供應線16和參考電源供應線18的每一條可以對應於多於一條的垂直線。
薄膜電晶體陣列基板100包括第一連接圖案16b和第二連接圖案18b。第一連接圖案16b經由第一連接接觸孔16a連接到第一電源供應線16，並且在水平方向上延伸到與第一電源供應線16不相鄰的像素區域PXL2。第二連接圖案18b經由第二連接接觸孔18a連接到參考電源供應線18，並且在水平方向上延伸到與參考電源供應線18不相鄰的像素區域PXL1。
第一薄膜電晶體T1包括主動層111和與主動層111的一部分重疊的閘極電極121。
第一薄膜電晶體T1的主動層111包括與閘極電極121重疊的通道區域；以及分別設置在該通道區域的兩端的源極區域和汲極區域。
第一薄膜電晶體T1的主動層111的源極區域和汲極區域中的一個經由第一連接圖案16b連接到第一電源供應線16，同時其中的另一個連接到在有機發光元件(圖2中的OLED)與第三薄膜電晶體T3之間的第二節點(圖2中的ND2)。
此外，第一薄膜電晶體T1的閘極電極121連接到第二薄膜電晶體T2。
第二薄膜電晶體T2包括主動層112和閘極電極，該閘極電極界定與主動層112重疊的掃描線15的一部分。
第二薄膜電晶體T2的主動層112包括與界定掃描線15的一部分的閘極電極重疊的通道區域；以及分別設置在該通道區域的兩端的源極區域和汲極區域。在這方面，第二薄膜電晶體T2的主動層112的源極區域和汲極區域中的一個經由第一連接接觸孔122a和第二連接接觸孔122b以及連接圖案122c連接到資料線14，同時其中的另一個連接到第一薄膜電晶體T1的閘極電極121。
第三薄膜電晶體T3包括主動層113和閘極電極，該閘極電極界定與主動層113重疊的感測線17的一部分。
第三薄膜電晶體T3的主動層113包括與界定感測線17的一部分的閘極電極重疊的通道區域；以及分別設置在該通道區域的兩端的源極區域和汲極區域。在這方面，第三薄膜電晶體T3的主動層113的源極區域和汲極區域中的一個經由第二連接圖案18b連接到參考電源供應線18，同時其中的另一個連接到有機發光元件(圖2中的OLED)與第一薄膜電晶體T1之間的第二節點(圖2中的ND2)。
第一薄膜電晶體T1可以被配置以將驅動電流供應給有機發光元件OLED。在這方面，當從第一薄膜電晶體T1發生漏電流時，這可能導致有機發光元件OLED的故障，其可能導致粗劣的影像品質。
因此，為了防止由於光束導致之來自第一薄膜電晶體T1的漏電流，薄膜電晶體陣列基板100包括遮光圖案130，其重疊在第一薄膜電晶體T1的主動層111中的通道區域上，該通道區域與第一薄膜電晶體T1的閘極電極121重疊。
遮光圖案130設置為比第一薄膜電晶體T1的主動層111更靠近基板(圖5中的101)。遮光圖案130至少重疊在第一薄膜電晶體T1的主動層111中的通道區域上。
此外，遮光圖案130作用為儲存電容器(圖2中的Cst)的第一電容器電極，連接到第一薄膜電晶體T1和第三薄膜電晶體T3與有機發光元件OLED之間的第二節點ND2。
此外，第二薄膜電晶體T2的主動層112的源極區域和汲極區域中的一個連接到第一薄膜電晶體T1。該區域作用為儲存電容器(圖2中的Cst)的第二電容器電極，連接到第一薄膜電晶體T1與第二薄膜電晶體T2之間的第一節點ND1。
也就是說，在遮光圖案130與第二薄膜電晶體T2的主動層112之間的重疊區域中，儲存電容器Cst被定位。
為了在每個影像幀期間穩定地驅動每個有機發光元件OLED，儲存電容器Cst需要具有高於臨界值的電容。
為了確保儲存電容器Cst的容量，需要增加第二薄膜電晶體T2的主動層112與遮光圖案130之間的重疊區域。因此，第二薄膜電晶體T2的主動層112可以具有比其他的薄膜電晶體T1和T3的主動層111和113的每一個的面積更大的面積。
此外，為了減少來自主動層111、112、和113的每一個的漏電流，薄膜電晶體T1、T2、和T3的每一個閘極電極121、15、和17可以設置在覆蓋主動層111、112、和113中的至少一部分的每一個閘極絕緣膜上。
也就是說，用於形成閘極電極的圖案化加工製程在主動層111、112和113的每一個已形成為島狀的狀態下進行。因此，可以在暴露於圖案化加工製程時，將一預定量的電荷充電到主動層111、112、和113。
具體地，在主動層111、112、和113之中，用於界定儲存電容器Cst的第二薄膜電晶體T2的主動層112具有最寬的寬度。結果，大量電荷可充電到第二薄膜電晶體T2的主動層112中，這因此可能易受到由於靜電而引起的過度充電爆裂的影響。
為了解決該問題，在根據本發明一個實施例的薄膜電晶體陣列基板100中，可以在形成第二薄膜電晶體T2的主動層112之前形成資料線14。此外，在用於形成閘極電極的圖案化加工製程期間，可以形成連接第二薄膜電晶體T2的主動層112和資料線14的連接圖案122c。
也就是說，在用於形成閘極電極的圖案化加工製程中，薄膜電晶體T2的主動層112經由連接圖案122c連接到資料線14。因此，在用於形成閘極電極的圖案化加工製程期間，可以經由資料線14將充電到主動層112中的電荷放電，這可抑制由於靜電而引起的過度充電爆裂。
具體而言，如圖4所示，根據本發明一個實施例的薄膜電晶體陣列基板100可以包括：設置在基板101上的資料線14和遮光圖案130；第二薄膜電晶體T2的主動層112，設置在覆蓋資料線14和遮光圖案130的緩衝絕緣膜102上；閘極絕緣膜103，設置在緩衝絕緣膜102上，並且覆蓋資料線14和至少一部分的第二薄膜電晶體T2的主動層112；第一連接接觸孔122a，穿過緩衝絕緣膜102和閘極絕緣膜103，並且設置在資料線14的一部分上；第二連接接觸孔122b，穿過閘極絕緣膜103，並且設置在第二薄膜電晶體T2的主動層112的一部分上；以及連接圖案122c，設置在閘極絕緣膜103上，並且經由第一連接接觸孔122a和第二連接接觸孔122b將資料線14連接到第二薄膜電晶體T2的主動層112。
此外，薄膜電晶體陣列基板100進一步包括設置在閘極絕緣膜103上的掃描線15。在這方面，掃描線15的一部分與第二薄膜電晶體T2的主動層112的一部分重疊，因此，作用為第二薄膜電晶體T2的閘極電極。
第二薄膜電晶體T2的主動層112設置在緩衝絕緣膜102上，並且包括通道區域112a，與界定掃描線15的一部分的閘極電極重疊；以及源極區域112b和汲極區域112c，分別設置在通道區域112a的兩端。
在這方面，第二薄膜電晶體T2的主動層112的源極區域112b和汲極區域112c中的一個(圖4中的源極區域112b)經由第一連接接觸孔122a和第二連接接觸孔122b以及連接圖案122c連接到基板101上的資料線14，同時另一個(圖4的汲極區域112c)經由穿過閘極絕緣膜103的閘極電極接觸孔121a連接到第一薄膜電晶體T1的閘極電極121。
此外，第二薄膜電晶體T2的主動層112可以包括氧化物半導體材料。在這種情況下，第二薄膜電晶體T2的主動層112的源極區域112b和汲極區域112c的每一個可以由導電氧化物半導體材料製成，其可以透過在圖案化加工製程中暴露於蝕刻劑而形成，以形成設置在閘極絕緣膜103上的掃描線15和第一連接圖案16b。
連接到第一電源供應線16的第一連接圖案16b設置在閘極絕緣膜103上。
儘管圖中未單獨顯示，但是第一電源供應線16可以與資料線14一起設置在基板101上並且以緩衝絕緣膜102覆蓋。在這種情況下，第一連接圖 案16b可以經由穿過緩衝絕緣膜102和閘極絕緣膜103的第一連接接觸孔16a連接到第一電源供應線16。
與資料線14不同，第一電源供應線16可以設置在覆蓋閘極電極121、連接圖案122c、掃描線15、感測線17、和第一連接圖案16b等的層間絕緣膜(圖中未顯示)上。在這種情況下，第一連接接觸孔16a可以穿過層間絕緣膜並且設置在第一連接圖案16b的一部分上。
以這種方式，根據本發明的一個實施例，第二薄膜電晶體T2的主動層112可以經由佈置在與掃描線15相同的垂直水平面的連接圖案122c連接到資料線14。因此，已經充電到第二薄膜電晶體T2的主動層112中的電荷可以經由資料線14放電，同時執行用於形成掃描線15的圖案化加工製程。因此，配置具有相對大面積的第二薄膜電晶體T2的主動層112可以確保儲存電容器Cst的電容量，同時可以避免將超過臨界值的大量電荷充電到第二薄膜電晶體T2的主動層112中。因此，第二薄膜電晶體T2的主動層112可以透過靜電而免於過度充電爆裂。
另外，如圖5所示，根據本發明一個實施例的薄膜電晶體陣列基板100可以進一步包括：參考電源供應線18，設置在基板101上並且以緩衝絕緣膜102覆蓋；第一薄膜電晶體T1和第三薄膜電晶體T3的主動層111和113，設置在緩衝絕緣膜102上；以及第二連接圖案18b、感測線17、第一連接圖案123c、和第二連接圖案124c，設置在閘極絕緣膜103上。
參考電源供應線18可以與資料線14一起設置在基板101上，並且能夠以緩衝絕緣膜102覆蓋。在這種情況下，設置在閘極絕緣膜103上的第二連接圖案18b可以經由穿過緩衝絕緣膜102和閘極絕緣膜103的第二連接接觸孔18a連接到參考電源供應線18。
但是，這只是一個示例。在另一個示例中，參考電源供應線18可以形成在覆蓋閘極電極121、連接圖案122c、掃描線15、感測線17、和第一連接圖案16b等的層間絕緣膜(圖中未顯示)上。在這種情況下，第二連接接觸孔18a可以穿透層間絕緣膜並設置在第二連接圖案18b的一部分上。
第一薄膜電晶體T1的主動層111設置在緩衝絕緣膜102上。第一薄膜電晶體T1的主動層111包括與閘極電極121重疊的通道區域111a；以及分別設置在通道區域111a的兩端的源極區域111b和汲極區域111c。
在這方面，第一薄膜電晶體T1的閘極電極121設置在覆蓋主動層111的一部分的閘極絕緣膜103上。第一薄膜電晶體T1的閘極電極121經由閘極電極接觸孔(圖4中的121a)連接到第二薄膜電晶體T2。
第一薄膜電晶體T1的主動層111的源極區域111b和汲極區域111c中的一個(圖5的源極區域111b)經由第一連接圖案16a連接到第一電源供應線16，同時另一個(圖5的源極區域111c)經由第一連接接觸孔123a和第二連接接觸孔123b以及第一連接圖案123c連接到基板101上的遮光圖案130。
此外，第一薄膜電晶體T1的主動層111可以包括氧化物半導體材料。在這種情況下，第一薄膜電晶體T1的主動層111的源極區域111b和汲極區域111c的每一個可以包括導電氧化物半導體材料。可以在圖案化加工製程期間透過暴露於蝕刻劑來形成導電氧化物半導體材料，以形成設置在閘極絕緣膜103上的掃描線15和第一連接圖案16b等。
第三薄膜電晶體T3的主動層113設置在緩衝絕緣膜102上。第三薄膜電晶體T3的主動層113包括與界定感測線17的一部分的閘極電極重疊的通道區域113a；以及分別設置在通道區域113a的兩端上的源極區域113b和汲極區域113c。
在這方面，第三薄膜電晶體T3的主動層113的源極區域113b和汲極區域113c中的一個(圖5中的源極區域113b)經由第二連接圖案18b連接到參考電源供應線18，同時另一個(圖5的汲極區域113c)經由第三連接接觸孔124a和第四連接接觸孔124b以及第二連接圖案124c連接到基板101上的遮光圖案130。
此外，第三薄膜電晶體T3的主動層113可以包括氧化物半導體材料。在這種情況下，第三薄膜電晶體T3的主動層113的源極區域113b和汲極區域113c的每一個可以包括導電氧化物半導體材料。可以在圖案化加工製程期間透過暴露於蝕刻劑來形成導電氧化物半導體材料，以形成設置在閘極絕緣膜103上的掃描線15和第一連接圖案16b等。
第一連接圖案16b經由穿過閘極絕緣膜103的第三連接接觸孔16c連接到第一薄膜電晶體T1的主動層111。
第一薄膜電晶體T1經由第一連接圖案16b連接到第一電源供應線16。
第一連接圖案123c經由穿過緩衝絕緣膜102和閘極絕緣膜103的第二連接接觸孔123b連接到遮光圖案130。第一連接圖案123c經由穿過閘極絕緣膜103的第一連接接觸孔123a連接到第一薄膜電晶體T1的主動層111。
第二連接圖案124c經由穿過閘極絕緣膜103的第三連接接觸孔124a連接到第三薄膜電晶體T3。第二連接圖案124c經由穿過緩衝絕緣膜102和閘極絕緣膜103的第四連接接觸孔124b連接到遮光圖案130。
第一薄膜電晶體T1和第三薄膜電晶體T3經由第一連接圖案123c和第二連接圖案124c以及遮光圖案130互連。
第二連接圖案18b經由穿過閘極絕緣膜103的第四連接接觸孔18c連接到第三薄膜電晶體T3的主動層113。
第三薄膜電晶體T3經由第二連接圖案18b連接到參考電源供應線18。
在下文中，將描述根據本發明一個實施例用於製造薄膜電晶體陣列基板的方法。
圖6顯示根據本發明一個實施例用於製造薄膜電晶體陣列基板的方法。圖7至圖14分別顯示對應於圖6之方法步驟的結構。
如圖6所示，根據本發明一個實施例用於製造薄膜電晶體陣列基板的方法包括：步驟S10，在基板上形成遮光圖案和資料線；步驟S20，形成覆蓋遮光圖案和資料線的緩衝絕緣膜；步驟S30，在緩衝絕緣膜上形成每個薄膜電晶體的主動層；步驟S40，形成覆蓋緩衝絕緣膜和主動層的至少一預絕緣膜(pre-insulatingfilm)；步驟S50，在緩衝絕緣膜和預絕緣膜之中形成穿過至少該預絕緣膜的複數個接觸孔；以及步驟S60，藉由圖案化預絕緣膜和在預絕緣膜上的導電膜形成閘極絕緣膜和掃描線。
如圖7和圖8所示，在基板101上形成遮光圖案130和資料線14(S10)。
在這方面，遮光圖案130對應於每個像素區域PXL的部分。在一個示例中，遮光圖案130可以與第一薄膜電晶體(圖3中的T1)的主動層111中的通道區域(圖5中的111a)重疊，並且與第二薄膜電晶體(圖3中的T2)的主動層112中的汲極區域(圖4中的112c)重疊。
資料線14可以對應於包括在複數個像素區域PXL之間的垂直方向上佈置的像素區域的每條垂直線，並且可以在垂直方向上延伸。
在這方面，兩條以上的垂直線可以對應於第一電源供應線16和參考電源供應線18的每一條。每一條第一電源供應線16和參考電源供應線18可以與遮光圖案130和資料線14一起設置在基板101上。
如圖9和圖10所示，形成緩衝絕緣膜102以覆蓋遮光圖案130、資料線14、第一電源供應線16和參考電源供應線18(S20)。
此外，藉由在緩衝絕緣膜102上圖案化氧化物半導體材料形成第一、第二、和第三薄膜電晶體的主動層111、112、和113(S30)。
如圖11和圖12所示，形成預絕緣膜103’以覆蓋第一、第二、和第三薄膜電晶體的緩衝絕緣膜102和主動層111、112、和113(S40)。
此外，藉由在緩衝絕緣膜102和預絕緣膜103’之中圖案化至少該預絕緣膜103’形成複數個接觸孔16a、16c、18a、18c、121a、122a、122b、123a、123b、124a、以及124b(S50)。
在這方面，第一連接接觸孔16a穿過緩衝絕緣膜102和預絕緣膜103’，並且因此設置在第一電源供應線16的一部分上。
第三連接接觸孔16c穿過預絕緣膜103’，並且設置在第一薄膜電晶體的主動層111的部分上。
第二連接接觸孔18a穿過緩衝絕緣膜102和預絕緣膜103’，並且設置在參考電源供應線18的部分上。
第四連接接觸孔18c穿過預絕緣膜103’，並且設置在第三薄膜電晶體的主動層113的部分上。
閘極電極接觸孔121a穿過預絕緣膜103’，並且設置在第二薄膜電晶體的主動層112的一部分上。
第一連接接觸孔122a穿過緩衝絕緣膜102和預絕緣膜103’，並且設置在資料線14的部分上。
第二連接接觸孔122b穿過預絕緣膜103’，並且設置在第二薄膜電晶體的主動層112的另一部分上。
第一連接接觸孔123a穿過預絕緣膜103’，並且設置在第一薄膜電晶體的主動層111的一部分上。
第二連接接觸孔123b穿過緩衝絕緣膜102和預絕緣膜103’，並且設置在遮光圖案130的一部分上。
第三連接接觸孔124a穿過預絕緣膜103’，並且設置在第三薄膜電晶體的主動層113的一部分上。
第四連接接觸孔124b穿過緩衝絕緣膜102和預絕緣膜103’，並且設置在遮光圖案130的另一部分上。
然後，如圖13和圖14所示，同時圖案化預絕緣膜103’和覆蓋複數個接觸孔16a、16c、18a、18c、121a、122a、122b、123a、123b、124a、和124b以及預絕緣膜103’的導電膜(圖中未顯示)。因此，在閘極絕緣膜上形成掃描線15、感測線17、第一連接圖案16b、第二連接圖案18b、第一薄膜電晶體的閘極電極121、連接圖案122c、第一連接圖案123c、以及第二連接圖案124c(S60)。
此時，可以藉由使用掃描線15、感測線17、第一連接圖案16b、第二連接圖案18b、第一薄膜電晶體的閘極電極121、連接圖案122c、第一連接圖案123c、和第二連接圖案124c作為光罩圖案化預絕緣膜103’來形成閘極絕緣膜103。
此外，以由閘極絕緣膜103覆蓋的每個主動層111、主動層112和主動層113的一部分界定通道區域。另外，在主動層111、112和113的每一個中，分別設置在通道區域兩端的源極區域和汲極區域未被閘極絕緣膜103覆蓋，因此暴露於圖案化加工製程，因而具導電性。
掃描線15和感測線17的每一個對應於包括在複數個像素區域PXL之間沿水平方向排成一列的像素區域的每條水平線。
掃描線15的一部分與第二薄膜電晶體的主動層112中的通道區域(圖4中的112a)重疊。
感測線17的一部分與第三薄膜電晶體的主動層113中的通道區域(圖5中的113a)重疊。
第一連接圖案16b經由第一連接接觸孔16a連接到第一電源供應線16。第一連接圖案16b經由第三連接接觸孔16c連接到第一薄膜電晶體的主動層111。因此，第一薄膜電晶體的主動層111的源極區域(圖5中的111b)經由第一連接圖案16b連接到第一電源供應線16。
第二連接圖案18b經由第二連接接觸孔18a連接到參考電源供應線18。第二連接圖案18b經由第四連接接觸孔18c連接到第三薄膜電晶體的主動層113。因此，第三薄膜電晶體的主動層113的源極區域113b經由第二連接圖案18b連接到參考電源供應線18。
第一薄膜電晶體的閘極電極121重疊在第一薄膜電晶體的主動層111的通道區域(圖5中的111a)上。第一薄膜電晶體的閘極電極121經由閘極電極接觸孔121a連接到第二薄膜電晶體的主動層112的汲極區域(圖4中的112c)。
連接圖案122c經由第一連接接觸孔122a連接到資料線14。連接圖案122c經由第二連接接觸孔122b連接到第二薄膜電晶體的主動層112。從而，第二薄膜電晶體的主動層112的源極區域(圖4中的112b)經由連接圖案122c連接到資料線14。
第一連接圖案123c經由第一連接接觸孔123a連接到第一薄膜電晶體的主動層111。第一連接圖案123c經由第二連接接觸孔123b連接到遮光圖案130。
第二連接圖案124c經由第三連接接觸孔124a連接到第三薄膜電晶體的主動層113。第二連接圖案124c經由第四連接接觸孔124b連接到遮光圖案130。
因此，第一薄膜電晶體的主動層111的汲極區域(圖5中的111c)和第三薄膜電晶體的主動層113的汲極區域(圖5中的113c)經由第一連接圖案123c和第二連接圖案124c以及遮光圖案130彼此連接。
以此方式，根據本發明的一個實施例，在形成主動層111、112、和113的步驟S30之前，執行形成資料線14和遮光圖案130的步驟S10。在形成掃描線15的步驟S60之前，執行形成接觸孔的步驟S50。因此，在形成掃描線15的步驟S60中，暴露於圖案化加工製程的主動層111、112、和113經由接觸孔連接到其他線或圖案。因此，可以將電荷從主動層111、112、和113放電。因此，可以防止由於靜電引起之在主動層111、112、113中的過度充電爆裂。
在以上描述中，闡述了許多具體細節以便提供對本發明的透徹理解。可以在沒有這些具體細節中的一些或全部的情況下實踐本發明。上面已經說明和描述了各種實施例的示例。應當理解，本文的描述並非旨在將山請專利 範圍限制於所描述的特定實施例。相反地，旨在覆蓋可包括在由所附申請專利範圍界定的本公開案的精神和範疇內的替代方案、修改、和均等物。
14‧‧‧資料線
15‧‧‧掃描線、閘極電極
16‧‧‧第一電源供應線
16a‧‧‧第一連接接觸孔
16b‧‧‧第一連接圖案
16c‧‧‧第三連接接觸孔
17‧‧‧感測線、閘極電極
18‧‧‧參考電源供應線
18a‧‧‧第二連接接觸孔
18b‧‧‧第二連接圖案
18c‧‧‧第四連接接觸孔
100‧‧‧薄膜電晶體陣列基板
111‧‧‧主動層
112‧‧‧主動層
113‧‧‧主動層
121‧‧‧閘極電極
121a‧‧‧閘極電極接觸孔
122a‧‧‧第一連接接觸孔
122b‧‧‧第二連接接觸孔
122c‧‧‧連接圖案
123a‧‧‧第一連接接觸孔
123b‧‧‧第二連接接觸孔
123c‧‧‧第一連接圖案
124a‧‧‧第三連接接觸孔
124b‧‧‧第四連接接觸孔
124c‧‧‧第二連接圖案
130‧‧‧遮光圖案
Cst‧‧‧儲存電容器
PXL1‧‧‧像素區域
PXL2‧‧‧像素區域
T1‧‧‧第一薄膜電晶體
T2‧‧‧第二薄膜電晶體
T3‧‧‧第三薄膜電晶體

Claims (14)

  1. 一種有機發光二極體(OLED)顯示裝置，包括：一基板；一導電層，設置在該基板上；一緩衝絕緣膜，設置在該導電層上；一電晶體的一主動層，設置在該緩衝絕緣膜上；一閘極絕緣膜，設置在該導電層上方的該緩衝絕緣膜上，並且設置在該主動層上；一閘極電極，設置在該主動層的一通道區域上方的該閘極絕緣膜上；以及一第一連接圖案，設置在該導電層和該主動層上方的該閘極絕緣膜上，該第一連接圖案經由穿過該閘極絕緣膜和該緩衝絕緣膜的一第一連接接觸孔連接到該導電層，而且該第一連接圖案經由穿過該閘極絕緣膜的一第二連接接觸孔連接到該主動層，該第一連接圖案具有與該閘極電極相同的材料，其中，該閘極電極和該第一連接圖案同時被形成。
  2. 根據申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體(OLED)顯示裝置，其中，該電晶體包含一像素的一開關電晶體，其中，該導電層包含一資料線以將一資料電壓提供給該像素，其中，該閘極電極包含一掃描線以驅動該開關電晶體。
  3. 根據申請專利範圍第2項所述之有機發光二極體(OLED)顯示裝置，進一步包括：一遮光圖案，設置在該基板上並且具有與該資料線相同的材料，其中，該開關電晶體的一主動層和該遮光圖案的重疊區域分別構成該像素的一儲存電容器的一第一電極和一第二電極，該緩衝絕緣膜設置在該第一電極與該第二電極之間。
  4. 根據申請專利範圍第2項所述之有機發光二極體(OLED)顯示裝置，進一步包括：一驅動電晶體的一主動層，設置在該緩衝絕緣膜上；一感測電晶體的一主動層，設置在該緩衝絕緣膜上； 其中，該開關電晶體的一主動層具有比該驅動電晶體和該感測電晶體的該等主動層大的面積。
  5. 根據申請專利範圍第2項所述之有機發光二極體(OLED)顯示裝置，進一步包括：一遮光圖案，設置在該基板上，其中，該緩衝絕緣膜進一步設置在該遮光圖案上，而且其中，該閘極絕緣膜進一步設置在該遮光圖案上方的該緩衝絕緣膜上；一驅動電晶體的一主動層，設置在該緩衝絕緣膜上，其中，該閘極絕緣膜進一步設置在該驅動電晶體的該主動層上；該驅動電晶體的一閘極電極，設置在與該驅動電晶體的該主動層的一通道區域重疊的該閘極絕緣膜上，並且與該開關電晶體的一主動層的一汲極區域重疊，該驅動電晶體的該閘極電極經由穿過該閘極絕緣膜的一閘極電極接觸孔連接到該開關電晶體的該主動層的該汲極區域；以及一第二連接圖案，設置在該閘極絕緣膜上，該第二連接圖案經由穿過該閘極絕緣膜和該緩衝絕緣膜的一第三連接接觸孔連接到該遮光圖案，而且該第二連接圖案經由穿過該閘極絕緣膜的一第四連接接觸孔連接到該驅動電晶體的該主動層的一汲極區域。
  6. 根據申請專利範圍第2項所述之有機發光二極體(OLED)顯示裝置，進一步包括：一參考電壓線，設置在該基板上；一感測電晶體的一主動層，設置在該緩衝絕緣膜上，其中，該閘極絕緣膜進一步設置在該感測電晶體的該主動層上；一感測線，位於與該感測電晶體的該主動層的一通道區域重疊的該閘極絕緣膜上；以及一第二連接圖案，設置在該閘極絕緣膜上，該第二連接圖案經由穿過該閘極絕緣膜和該緩衝絕緣膜的一第三連接接觸孔連接到該參考電壓線，而且該第二連接圖案經由穿過該閘極絕緣膜的一第四連接接觸孔連接到該感測電晶體的該主動層的一源極區域。
  7. 根據申請專利範圍第6項所述之有機發光二極體(OLED)顯示裝置，進一步包括：一遮光圖案，設置在該基板上，其中，該緩衝絕緣膜設置在該遮光圖案上，並且其中，該閘極絕緣膜設置在與該遮光圖案重疊的該緩衝絕緣膜上；一第三連接圖案，設置在該閘極絕緣膜上，該第三連接圖案經由穿過該閘極絕緣膜和該緩衝絕緣膜的一第五連接接觸孔連接到該遮光圖案，而且該第三連接圖案經由穿過該閘極絕緣膜的一第六連接接觸孔連接到該感測電晶體的該主動層的一汲極區域。
  8. 根據申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體(OLED)顯示裝置，其中，該電晶體包含一驅動電晶體以驅動一像素的一發光二極體，其中，該閘極電極包含一驅動電晶體閘極電極以驅動該驅動電晶體，而且其中，該導電層包含一遮光圖案以阻擋該發光二極體的光。
  9. 根據申請專利範圍第1項所述之有機發光二極體(OLED)顯示裝置，其中，該電晶體包含一感測電晶體以感測提供到一像素的一發光二極體的電壓，其中，該閘極電極包含一感測線以驅動該感測電晶體，而且其中，該導電層包含一遮光圖案以阻擋該發光二極體的光。
  10. 一種製造有機發光二極體(OLED)顯示裝置的方法，該製造方法包括：在一基板上形成一導電層；在該導電層上形成一緩衝絕緣膜；在該緩衝絕緣膜上形成一電晶體的一主動層；在該導電層上方的該緩衝絕緣膜上和該電晶體的該主動層上形成一閘極絕緣膜；形成一第一連接接觸孔穿過該閘極絕緣膜和該緩衝絕緣膜以暴露該導電層；形成一第二連接接觸孔穿過該閘極絕緣膜以暴露該電晶體的該主動層；在該電晶體的該主動層的一通道區域上方的該閘極絕緣膜上形成一閘極電極；以及 在形成該閘極電極的同時，在該閘極絕緣膜上形成一第一連接圖案，該第一連接圖案經由該第一連接接觸孔連接到該導電層，而且該第一連接圖案經由該第二連接接觸孔連接到該電晶體的該主動層。
  11. 根據申請專利範圍第10項所述之製造有機發光二極體(OLED)顯示裝置的方法，其中，該電晶體包含一像素的一開關電晶體，其中，該導電層包含一資料線以將一資料電壓提供給該像素，其中，該閘極電極包含一掃描線以驅動該開關電晶體。
  12. 根據申請專利範圍第11項所述之製造有機發光二極體(OLED)顯示裝置的方法，進一步包括：在形成該資料線的同時，在該基板上形成一遮光圖案，其中，該開關電晶體的一主動層和該遮光圖案的重疊區域分別構成該像素的一儲存電容器的一第一電極和一第二電極，該緩衝絕緣膜設置在該第一電極與該第二電極之間。
  13. 根據申請專利範圍第11項所述之製造有機發光二極體(OLED)顯示裝置的方法，進一步包括：在該基板上形成一參考電壓線；在該緩衝絕緣膜上形成一感測電晶體的一主動層，其中，在該感測電晶體的該主動層上進一步形成該閘極絕緣膜；在該感測電晶體的該主動層的一通道區域上方的該閘極絕緣膜上形成一感測線；以及形成一第三連接接觸孔穿過該閘極絕緣膜和該緩衝絕緣膜以暴露該參考電壓線；形成一第四連接接觸孔穿過該閘極絕緣膜以暴露該感測電晶體的該主動層的一源極區域；以及在該閘極絕緣膜上形成一第二連接圖案，該第二連接圖案經由該第三連接接觸孔連接到該參考電壓線，並且經由該第四連接接觸孔連接到該感測電晶體的該主動層的該源極區域。
  14. 根據申請專利範圍第13項所述之製造有機發光二極體(OLED)顯示裝置的方法，進一步包括： 在該基板上形成一遮光圖案，其中，在該遮光圖案上進一步形成該緩衝絕緣膜，而且其中，在該遮光圖案上方的該緩衝絕緣膜上進一步形成該閘極絕緣膜；形成一第五連接接觸孔穿過該閘極絕緣膜和該緩衝絕緣膜以暴露該遮光圖案；形成一第六連接接觸孔穿過該閘極絕緣膜以暴露該感測電晶體的該主動層的一汲極區域；以及在該閘極絕緣膜上形成一第三連接圖案，該第三連接圖案經由該第五連接接觸孔連接到該遮光圖案，並且經由該第六連接接觸孔連接到該感測電晶體的該主動層的該汲極區域。
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