TW201523564A - 有機發光顯示裝置及其影像質量的補償方法 - Google Patents
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Abstract
提供的一種有機發光二極體顯示裝置包含顯示影像的複數個畫素,每一畫素包含一有機發光二極體、與有機發光二極體相連接的一驅動電晶體、以及配設為將資料訊號供給至有機發光二極體的一開關電晶體,有機發光二極體顯示裝置包含:一感測單元,配設為感測驅動薄膜電晶體之遷移率之一變化量,一補償值計算單元,配設為基於遷移率的感測之變化量獲得驅動電晶體的一閥值電壓之一變化量,以及一資料補償單元,配設為基於遷移率的感測之變化量以及閥值電壓的獲得之變化量調整資料訊號。
Description
本發明係關於一種主動矩陣有機發光顯示裝置,並且特別關於一種有機發光顯示裝置及其影像質量的補償方法。
一主動矩陣型有機發光顯示裝置包含能夠透過自身發射光線的有機發光二極體(OLED),並且具有一快速響應時間、一高發光效率、一高亮度、一寬視角等的優點。
作為自發光元件的有機發光二極體(OLED)包含一陽極、一陰極、以及陽極和陰極之間所形成的一有機化合物層。有機化合物層包含一電洞注入層(HIL)、一電洞傳輸層(HTL)、一發光層(EML)、一電子傳輸層(ETL)、以及一電子注入層(EIL)。當一驅動電壓施加到陽極和陰極時,通過電洞傳輸層HTL的電洞和通過電子傳輸層(ETL)的電子移動到發光層(EML)且形成激子。結果,發光層(EML)產生可見光。
有機發光顯示裝置排列分別包含一矩陣形式的有機發光二極體(OLED)的畫素且根據視訊資料的一灰階調整畫素的亮度。每一畫素包含用於控制有機發光二極體(OLED)中流過之驅動電流的一驅動薄膜電晶體(TFT)。優選地,驅動薄膜電晶體的電特性(包含一閥值電壓、一遷
移率等)在所有的畫素中設計相同。然而,在實踐中,畫素的驅動薄膜電晶體的電特性由於製造條件、驅動環境等並不相同。這些畫素中相同資料電壓的驅動電流由於這些原因不相同,並且因而產生了畫素之間的亮度偏差。影像質量的補償技術已廣為所知以解決這個問題。補償技術感測每一畫素的驅動薄膜電晶體的一特性參數(例如,閥值電壓,遷移率等),並根據感測結果適當校正輸入資料,從而降低了亮度的不均勻性。
在習知技術中的影像質量補償技術中,用於感測驅動薄膜電晶體之閥值電壓的變化量的方法及其一感測週期與用於感測驅動薄膜電晶體之遷移率的變化量的方法及其一感測週期不相同。
如第1圖及第圖2A圖所示,用於提取一驅動薄膜電晶體DT之閥值電壓Vth中變化的感測方法1在一源極跟隨器模式下操作驅動薄膜電晶體DT之後檢測驅動薄膜電晶體DT的源極電壓Vs作為一感測電壓Vsen A,並且基於感測電壓Vsen A檢測驅動薄膜電晶體DT之閥值電壓的一變化量。驅動薄膜電晶體DT之閥值電壓Vth的變化量根據感測電壓Vsen A的大小來確定,並且通過這一點來獲得用於資料補償的一偏移值。在感測方法1中,在源極跟隨器方式下作業的驅動薄膜電晶體DT的一閘極-源極電壓Vgs達到一飽和狀態(其中,驅動薄膜電晶體的汲極-源極電流變為零)之後,必需執行一感測作業。因此,感測方法1的特徵在於,感測作業所需的時間較長,並且一感測速度較慢。感測方法1稱為一慢速模式感測方法。
如第1圖及第2B圖所示,用於提取驅動薄膜電晶體DT之遷移率μ中變化的一感測方法2將相比較於驅動薄膜電晶體DT之閥值電
壓Vth更大的一預定電壓Vdata+X(其中X為根據偏移值的補償的一電壓)提供至驅動薄膜電晶體DT的一閘極,以便規定除了驅動薄膜電晶體DT之閥值電壓Vth之外的電流能力特性。因此,驅動薄膜電晶體DT導通。在這種狀態下,感測方法2將在一預定時間週期充電的驅動薄膜電晶體DT之源極電壓Vs檢測作為感測電壓Vsen B。驅動薄膜電晶體DT之遷移率μ的變化量根據感測電壓Vsen B的大小來確定,通過這一點獲得用於資料補償的一增益值。因為感測方法2在驅動薄膜電晶體DT導通的狀態下執行,因此感測方法2的特徵在於感測作業所需的時間較短,並且感測的速度較快。感測方法2稱為快速模式感測方法。
因為低速模式感測方法中的感測速度較慢,因此需要一足夠的感測時段。即,用於感測驅動薄膜電晶體DT之閥值電壓Vth的慢速模式感測方法可僅在從一影像顯示結束之後至響應於從一用戶接收的一電源關閉指令訊號的一驅動電源關閉之前的範圍內的第一感測週期期間執行,由此使得足夠的感測時間分配給感測作業,而沒有用戶的識別。另一方面,因為用於感測驅動薄膜電晶體DT之遷移率μ的快速模式檢測方法中的感測速度較快,因此快速模式感測方法可在響應於從用戶接收的一電源接通指令訊號從驅動功率接通之後至影像顯示之前的範圍的一第二感測週期期間,或屬於一影像顯示驅動週期的垂直空白週期期間執行。
在第一感測週期期間更新的偏移值與在第二感測週期期間更新的增益值相互影響。即,增益值根據其中反映了偏移值的資料電壓來獲得。因此,在電源關閉過程中更新的偏移值必須存儲於非揮發性記憶體中,以使得當在電源接通過程之後確定增益值時能夠使用這個更新的偏移
值。如上所述,在習知技術的影像質量補償技術中,不同的感測方法必需用以找出閥值電壓的變化量和遷移率的變化量。因此,在感測作業中需要較長時間,並且另外需要用於存儲偏移值的非揮發性記憶體並導致增加使用的記憶體量。
因為需要長時間來感測閥值電壓的變化量,因此不可能在設置於相鄰的影像圖框之間並具有一相對短的長度且其中不顯示一影像的垂直空白週期中感測閥值電壓的變化量。因此,當驅動有機發光顯示裝置一長時間並連續地顯示影像時,習知技術的影像質量補償技術不能夠更新基於閥值電壓之變化量的偏移值。結果,不可能正確地補償在一驅動時間的閥值電壓的變化特性。
第3圖表示隨著驅動時間的驅動薄膜電晶體之閥值電壓Vth的一變化以及驅動薄膜電晶體之遷移率μ的一變化。當顯示面板的溫度由於有機發光顯示裝置的長時間驅動而上升時,實際驅動薄膜電晶體的閥值電壓Vth以及遷移率μ的兩者變化。理所當然的是,根據溫度上升驅動薄膜電晶體之閥值電壓Vth的變化量小於驅動薄膜電晶體之遷移率μ的變化量。然而,即使閥值電壓Vth的變化量在一低灰階相比較於一高灰階更小,閥值電壓Vth的變化量也可對一畫素電流的變化具有相對較大的影響。因此,驅動薄膜電晶體之閥值電壓Vth的變化量是重要的。可以從第3圖看出,在低灰階,畫素電流的一變化率很大程度上依賴於閥值電壓Vth的變化量。舉例而言,根據閥值電壓Vth之變化量的畫素電流的變化率Vth在低灰階「31」為大約155%,並且大於基於在低灰階「31」的遷移率μ之變化量的畫素電流的變化率「137%」。當在閥值電壓Vth的變化不正確進行補償
時,將產生不均勻的畫素電流。因此,需要能夠短時間補償閥值電壓Vth以及遷移率μ的一新的補償措施。
本發明之實施例在於提供一種有機發光顯示裝置及其影像質量的補償方法,本發明能夠減少感測作業中需要的時間以及感測作業中使用的記憶體量,並且增加補償的準確度。
根據本發明之實施例的一個方面,一種有機發光二極體顯示裝置包含顯示影像的複數個畫素,每一畫素包含一有機發光二極體、與有機發光二極體相連接的一驅動電晶體、以及配設為將資料訊號供給至有機發光二極體的一開關電晶體,有機發光二極體顯示裝置包含:一感測單元,配設為感測驅動薄膜電晶體之遷移率之一變化量;一補償值計算單元,配設為基於遷移率的感測之變化量獲得驅動電晶體的一閥值電壓之一變化量;以及一資料補償單元,配設為基於遷移率的感測之變化量以及閥值電壓的獲得之變化量調整資料訊號。
根據本發明之實施例的另一方面,一種有機發光二極體顯示裝置之變化的補償方法,此有機發光二極體顯示裝置包含用以顯示影像的複數個畫素,並且每一畫素包含一有機發光二極體、連接至有機發光二極體的一驅動電晶體、以及配設為將資料訊號供給至有機發光二極體的一開關電晶體,這種有機發光二極體顯示裝置之變化的補償方法包含:感測驅動電晶體的一遷移率之一變化量;基於遷移率的感測之變化量獲得驅動電晶體的一閥值電壓之一變化量;以及基於遷移率的感測之變化量以及閥值電壓的獲得之變化量調整資料訊號。
根據本發明之實施例的再一方面,一種有機發光二極體顯示裝置之變化的補償方法,此有機發光二極體顯示裝置包含用以顯示影像的複數個畫素,並且每一畫素包含一有機發光二極體、連接至有機發光二極體的一驅動電晶體、以及配設為將資料訊號供給至有機發光二極體的一開關電晶體,這種有機發光二極體顯示裝置之變化的補償方法包含:將第一及第二資料電壓提供給驅動電晶體;感測來自驅動電晶體的第一及第二輸出電壓;獲得第一及第二輸出電壓與第一及第二資料電壓之間的一函數關係的一圖線;獲得表示關於資料電壓的函數關係的一圖線之一斜率;獲得表示關於驅動電晶體上的參考資料電壓之參考輸出電壓的一參考圖線之一參考斜率;以及基於斜率以及參考斜率獲得驅動電晶體之遷移率之變化量。
以上關於本發明內容的說明及以下實施方式的說明係用以示範與解釋本發明的原理,並且提供本發明的專利申請範圍更進一步的解釋。
10‧‧‧顯示面板
11‧‧‧定時控制器
12‧‧‧資料驅動電路
13‧‧‧閘極驅動電路
14‧‧‧資料線
14A‧‧‧資料電壓供給線
14B‧‧‧感測電壓讀出線
15‧‧‧閘極線
15A‧‧‧第一閘極線
15B‧‧‧第二閘極線
20‧‧‧記憶體
30‧‧‧感測單元
40‧‧‧補償參數確定單元
41‧‧‧補償值計算單元
42‧‧‧偏移值計算單元
43‧‧‧增益值計算單元
50‧‧‧資料補償單元
V1‧‧‧第一感測資料電壓
V2‧‧‧第二感測資料電壓
G1‧‧‧圖線1
G2‧‧‧圖線2
G3‧‧‧圖線3
①、②、③‧‧‧週期
P‧‧‧畫素
P1‧‧‧坐標點
P2‧‧‧坐標點
P3‧‧‧坐標點
P4‧‧‧坐標點
Vout1‧‧‧初始感測值
Vout2‧‧‧初始感測值
Vsen1‧‧‧第一感測電壓
Vsen2‧‧‧第二感測電壓
Vsen‧‧‧感測電壓
Vth‧‧‧閥值電壓
Vs‧‧‧源極電壓
Vgs‧‧‧閘極-源極電壓
Vref‧‧‧參考電壓
Vdata‧‧‧資料電壓
Vpre‧‧‧初始電壓
Vsen A‧‧‧感測電壓
Vsen B‧‧‧感測電壓
Vdata+X‧‧‧預定電壓
Y、2Y、3Y‧‧‧數量
N1‧‧‧第一節點
N2‧‧‧第二節點
OLED‧‧‧有機發光二極體
SEN‧‧‧第二感測閘極脈波
SW1‧‧‧初始化開關
SW2‧‧‧採樣開關
ST1‧‧‧第一開關薄膜電晶體
ST2‧‧‧第二開關薄膜電晶體
EVDD‧‧‧高電勢驅動電壓
EVSS‧‧‧低電勢驅動電壓
SCAN‧‧‧第一感測閘極脈波
DATA‧‧‧數位視訊資料
MDATA‧‧‧數位補償資料
DAC‧‧‧數位-類比轉換器
ADC‧‧‧類比-數位轉換器
SSAM‧‧‧採樣控制訊號
SPRE‧‧‧初始化控制訊號
Tpg‧‧‧程式化週期
Tsen‧‧‧感測及存儲週期
Tsam‧‧‧採樣週期
DT‧‧‧驅動薄膜電晶體
DF‧‧‧影像顯示圖框
VB‧‧‧垂直空白週期
PON‧‧‧驅動電源使能訊號
POFF‧‧‧驅動電源禁止訊號
Cst‧‧‧存儲電容器
Cx‧‧‧感測電容器
GV‧‧‧增益值
OSV‧‧‧偏移值
Ids‧‧‧電流
Ioled‧‧‧驅動電流
μ‧‧‧遷移率
14A_1至14A_m‧‧‧資料電壓供給線
14B_1至14B_m‧‧‧感測電壓讀出線
15A_1至15A_n‧‧‧第一閘極線
15B_1至15B_n‧‧‧第二閘極線
L#1至L#n‧‧‧水平線
DDC‧‧‧資料控制訊號
GDC‧‧‧閘極控制訊號
Vsync‧‧‧垂直同步訊號
Hsync‧‧‧水平同步訊號
DE‧‧‧資料使能訊號
DCLK‧‧‧點時脈
X0‧‧‧影像顯示週期
X1‧‧‧第一非顯示週期
X2‧‧‧第二非顯示週期
Vth_Init‧‧‧初始閥值電壓
Vth_Shift‧‧‧變化量
第1圖為習知技術之影像質量的補償技術之示意圖;第2A圖為在習知技術之影像質量的補償技術中提取一驅動薄膜電晶體(TFT)的一閥值電壓中之變化的感測原理之示意圖;第2B圖為在習知技術之影像質量的補償技術中提取一驅動薄膜電晶體(TFT)的一遷移率中之變化的感測原理之示意圖;第3圖表示隨著驅動時間的驅動薄膜電晶體之閥值電壓Vth的一變化以
及驅動薄膜電晶體之遷移率μ的一變化;第4圖為根據本發明一示例性實施例的一有機發光顯示裝置之方框圖;第5圖表示第4圖所示的一顯示面板之一畫素陣列;第6圖表示一定時控制器、一資料驅動電路、以及連同一外部補償畫素之詳細結構之畫素的一連接結構;第7圖表示在感測驅動中能夠實現快速模式感測的第一及第二感測閘極脈波的定時以及採樣和初始化控制訊號的定時;第8圖表示在影像顯示驅動中第一及第二影像顯示閘極脈波的定時以及採樣和初始化控制訊號的定時;第9圖表示設置在影像顯示週期兩側的一影像顯示週期以及一非顯示週期;第10圖表示根據本發明之一示例性實施例的有機發光顯示裝置之影像質量的補償方法;第11圖表示應用本發明之本實施例時驅動薄膜電晶體之特性曲線的匹配程度;第12圖表示根據本發明之一示例性實施例的有機發光顯示裝置的一影像質量補償裝置;第13圖及第14圖表示使用基於一感測電壓的N次函數的一方程獲得閥值電壓之變化量的一實例;第15圖表示基於感測電壓獲得遷移率的變化量,以及使用在一預先確定的查找表中的遷移率之變化量與閥值電壓之變化量之間的一關係獲得閥值電壓之變化量的一實例;以及
第16圖表示作為本發明之實施例的一效果,用於補償遷移率之變化的一增益值餘量增加的一原理。
現在將詳細參考本發明的實施例,這些實施例的實例表示於附圖中。只要有可能,相同的附圖標記將在整個附圖中使用,以指代相同或相似的部分。值得注意的是,如果確定習知技術的詳明說明將使得本發明之實施例模糊的話則將省去這些說明。
將參考第4圖至第16圖描述本發明之實施例。在本發明的以下實施例中,一電晶體之遷移率的變化量可在不同的時間點獲得或測量的電晶體之遷移率值上具有差異。舉例而言,電晶體之遷移率的變化量為,當完成電晶體的製造時確定或測量的電晶體之遷移率值與當使用具有此電晶體的顯示裝置時測量的電晶體之遷移率值之間的一差值。同樣地,電晶體之閥值電壓的變化量為在不同的時間點獲得或測量的電晶體之閥值電壓的差值。舉例而言,電晶體之閥值電壓的變化量為,當完成電晶體的製造時確定或測量的電晶體之初始閥值電壓與當實際使用具有此電晶體的顯示裝置時測量的電晶體之隨後的閥值電壓之間的一差值。
第4圖為根據本發明一示例性實施例具有一影像質量補償裝置的一有機發光顯示裝置之方框圖,第5圖表示第4圖所示的一顯示面板之一畫素陣列。
如第4圖及第5圖所示,根據本發明一實施例的有機發光顯示裝置包含一顯示面板10、一資料驅動電路12、一閘極驅動電路13、以
及一定時控制器11。
顯示面板10包含複數個資料線14、與資料線14相交叉的複數個閘極線15、以及以矩陣形式分別設置於資料線14和閘極線15之交叉位置的複數個畫素P。資料線14包含m個資料電壓供給線14A_1至14A_m以及m個感測電壓讀出線14B_1至14B_m,其中m是一個正整數。閘極線15包含n個第一閘極線15A_1至15A_n以及n個第二閘極線15B_1至15B_n,其中n是一個正整數。
每一畫素P從一電源產生件(圖未示)接收一高電勢驅動電壓EVDD以及一低電勢驅動電壓EVSS。每一畫素P可包含一有機發光二極體(OLED)、一驅動薄膜電晶體(TFT)、第一及第二開關薄膜電晶體、以及用於外部補償的一存儲電容器。構成畫素P的這些薄膜電晶體可實現為p型或n型。另外,構成畫素P的這些薄膜電晶體的半導體層可包含非晶矽、多晶矽、或氧化物。
每一畫素P連接至資料電壓供給線14A_1至14A_m中的一個、感測電壓讀出線14B_1至14B_m中的一個、第一閘極線15A_1至15A_n中的一個、以及第二閘極線15B_1至15B_n中的一個。在用於找出驅動薄膜電晶體中的一遷移率變化量和閥值電壓變化量的一感測驅動中,畫素P基於每一水平線L#1至L#n順次地操作,並且響應於在一線順次方式下從第一閘極線15A_1至15A_n接收的一第一感測閘極脈波以及在一線順次方式下從第二閘極線15B_1至15B_n接收的一第二感測閘極脈波輸出感測電壓。在用於影像顯示的一影像驅動中,畫素P基於每一水平線L#1至L#n順次地操作,並且響應於在一線順次方式下從第一閘極線15A_1至
15A_n接收的一第一感測閘極脈波以及在一線順次方式下從第二閘極線15B_1至15B_n接收的一第二感測閘極脈波,通過資料電壓供給線14A_1至14A_m接收一影像顯示資料電壓。
在感測驅動中,資料驅動電路12基於來自定時控制器11的一資料控制訊號DDC將與第一感測閘極脈波同步的一感測資料電壓供給至畫素P,並且還將通過感測電壓讀出線14B_1至14B_m從顯示面板10接收的感測電壓轉換為數位值以將數位感測電壓供給至定時控制器11。在影像顯示驅動中,資料驅動電路12基於資料控制訊號DDC將從定時控制器11接收的數位補償資料MDATA轉換成影像顯示資料電壓且然後將影像顯示資料與第一影像顯示閘極脈波同步化。然後資料驅動電路12將與第一影像顯示閘極脈波同步的影像顯示資料電壓供給至資料電壓供給線14A_1至14A_m。
閘極驅動電路13根據來自定時控制器11的一閘極控制訊號GDC產生一閘極脈波。閘極脈波可包含第一感測閘極脈波、第二感測閘極脈波、第一影像顯示閘極脈波、以及第二影像顯示閘極脈波。在感測驅動中,閘極驅動電路13可在線順次方式下將第一感測閘極脈波供給至第一閘極線15A_1至15A_n,並且還可在線順次方式下將第二感測閘極脈波供給至第二閘極線15B_1至15B_n。在影像顯示驅動中,閘極驅動電路13可在線順次方式下將第一影像顯示閘極脈波供給至第一閘極線15A_1至15A_n,並且還可在線順次方式下將將第二影像顯示閘極脈波供給至第二閘極線15B_1至15B_n。閘極驅動電路13可通過一面板內閘極驅動器(Gate Driver-In Panel,GIP)製程直接形成於顯示面板10上。
定時控制器11基於定時訊號,例如一垂直同步訊號Vsync、一水平同步訊號Hsync、一資料使能訊號DE、以及一點時脈DCLK產生用於控制定時驅動電路12之作業定時的資料控制訊號DDC以及用於控制閘極驅動電路13之作業定時的閘極控制訊號GDC。此外,定時控制器11基於從資料驅動電路12接收的數位感測電壓調製輸入的數位視訊資料DATA,並且產生用於補償驅動薄膜電晶體中之遷移率變化以及閥值電壓變化的數位補償資料MDATA。定時控制器11隨後將數位補償資料MDATA供給至資料驅動電路12。
在感測驅動器,定時控制器11控制資料驅動電路12的作業定時以及閘極驅動電路13的作業定時,以使得通過一快速模式感測方法能夠從每一畫素獲得至少一個感測電壓。此外,定時控制器11基於從資料驅動電路12接收的一數位感測電壓Vsen找出驅動薄膜電晶體之遷移率的變化量,並且然後基於得到的遷移率的變化量找出驅動薄膜電晶體之閥值電壓的變化量。定時控制器11確定用於補償在驅動薄膜電晶體之遷移率之變化的一增益值以及用於補償驅動薄膜電晶體之閥值電壓之變化的一偏移值。然後,定時控制器11將增益值和偏移值提供給輸入的數位視訊資料DATA,並產生將提供給畫素P的數位補償資料MDATA。
一記憶體20可存儲用作獲取遷移率之變化量之基礎的一參考電壓,以及用作確定增益值及偏移值之基礎的參考補償值。
第6圖表示出定時控制器、資料驅動電路、以及連同一外部補償畫素之詳細結構之畫素的一連接結構。第7圖表示在感測驅動中能夠實現快速模式感測的第一及第二感測閘極脈波的定時以及採樣和初始化
控制訊號的定時。第8圖表示出在影像顯示驅動中第一及第二影像顯示閘極脈波的定時以及採樣和初始化控制訊號的定時。第9圖表示設置在影像顯示週期兩側的一影像顯示週期以及一非顯示週期。
如第6圖所示,畫素P可包含一有機發光二極體OLED、一驅動薄膜電晶體DT、一存儲電容器Cst、一第一開關薄膜電晶體ST1、以及一第二開關薄膜電晶體ST2。
有機發光二極體OLED包含連接至一第二節點N2的一陽極、連接至一低電勢驅動電壓EVSS之一輸入端的一陰極、以及設置於陽極和陰極之間的一有機化合物層。
驅動薄膜電晶體DT根據驅動薄膜電晶體DT的一閘極-源極電壓Vgs控制在有機發光二極體OLED中流過的一驅動電流Ioled。驅動薄膜電晶體DT包含連接至第一節點N1的一閘極、連接至高電勢驅動電壓EVDD之輸入端的一汲極,以及連接至第二節點N2的一源極。
存儲電容器Cst連接在第一節點N1和第二節點N2之間。
在感測驅動中,第一開關薄膜電晶體ST1響應於一第一感測閘極脈波SCAN(參照第7圖)將充電至資料電壓供給線14A的感測電壓資料(即,大於驅動薄膜電晶體DT之閥值電壓的一預定電壓)供給至第一節點N1。在影像顯示驅動中,第一開關薄膜電晶體ST1響應於一第一影像顯示閘極脈波SCAN(參照第8圖)將充電至資料電壓電源線14A的影像顯示資料電壓Vdata(即,其中補償了驅動薄膜電晶體DT之閥值電壓變化以及遷移率變化的資料電壓)供給至第一節點N1,由此導通驅動薄膜電晶體DT。第一開關薄膜電晶體ST1包含連接至第一閘極線15A的一閘極、連接
至資料電壓供給線14A的一汲極、以及連接至第一節點N1的一源極。
在感測驅動中,第二開關薄膜電晶體ST2響應於一第二感測閘極脈波SEN(參照第7圖)在第二節點N2和感測電壓讀出線141B之間接通電流,從而將第二節點N2的一源極電壓存儲於感測電壓讀出線14B的一感測電容器Cx中。在影像顯示驅動中,第二開關薄膜電晶體ST2響應於一第二影像顯示閘極脈波SEN(參照第8圖)在第二節點N2和感測電壓讀出線14B之間接通電流,由此將驅動薄膜電晶體DT的一源極電壓復位至一初始電壓Vpre。第二開關薄膜電晶體ST2的一閘極連接至第二閘極線15B、第二開關薄膜電晶體ST2的一汲極連接至第二節點N2、以及第二開關薄膜電晶體ST2的一源極連接至感測電壓讀出線14B。
資料驅動電路12通過資料電壓供給線14A及感測電壓讀出線14B連接至畫素P。用於將第二節點N2的源極電壓存儲為感測電壓Vsen的感測電容器Cx可形成於感測電壓讀出線14B上。資料驅動電路12包含一個數位-類比轉換器(DAC)、一類比-數位轉換器(ADC)、一初始化開關SW1、以及一採樣開關SW2。
在感測驅動中,數位-類比轉換器(DAC)可在定時控制器11的控制下產生感測資料電壓Vdata,並且可將感測資料電壓Vdata輸出至資料電壓供給線14A。在影像顯示驅動中,數位-類比轉換器(DAC)可定時控制器11的控制下將數位補償資料轉換成影像顯示資料電壓Vdata,並且可將影像顯示資料電壓Vdata輸出至資料電壓供給線14A。
初始化開關SW1響應於一初始化控制訊號SPRE(參見第7圖及第8圖)導通初始電壓Vpre的一輸入端與感測電壓讀出線14B之間的
電流。在感測驅動中,採樣開關SW2響應於一採樣控制訊號SSAM(參照第7圖)導通感測電壓讀出線14B與類比-數位轉換器(ADC)之間的電流,由此將在一預定時間段存儲於感測電壓讀出線14B之感測電容器Cx中的驅動薄膜電晶體DT之源極電壓(作為感測電壓)供給至類比-數位轉換器(ADC)。類比-數位轉換器(ADC)將存儲於感測電容器Cx中的類比感測電壓轉換成數位值的感測電壓Vsen並且將數位的感測電壓Vsen供給至定時控制器11。在影像顯示驅動中,採用開關SW2響應於一採樣控制訊號SSAM(參照第8圖)一直保持斷開狀態。
以下參照第6圖及第7圖描述在感測驅動中畫素P的一作業。
通過根據本發明一實施例的快速模式感測方法的感測驅動包含一程式化週期Tpg、一感測及存儲週期Tsen、以及一採樣週期Tsam。
在程式化週期Tpg期間,驅動薄膜電晶體DT的閘極-源極電壓Vgs設置成以便打開驅動薄膜電晶體DT。對於這一點,第一及第二感測閘極脈波SCAN及SEN與初始化控制訊號SPRE在一導通電平輸入,並且採樣控制訊號SSAM在一截止電平輸入。因此,第一開關薄膜電晶體ST1導通,並且將感測資料電壓提供給第一節點N1。另外,初始化開關SW1與第二開關薄膜電晶體ST2導通,並將初始電壓Vpre供給至第二節點N2。在這種情況下,採樣開關SW2關閉。
在感測及存儲週期Tsen期間,感測並存儲驅動薄膜電晶體DT中流過的一電流Ids產生的驅動薄膜電晶體DT之源極電壓的增加。在感測及存儲週期Tsen期間,驅動薄膜電晶體DT的閘極-源極電壓Vgs必須
保持恆定以便精確感測。為此,第一感測閘極脈波SCAN在截止電平下輸入、第二感測閘極脈波SEN在導通電平下輸入、以及初始化控制訊號SPRE與採樣控制訊號SSAM在截止電平下輸入。在感測和存儲Tsen期間,第二節點N2的一電勢由於流過驅動薄膜電晶體DT中的電流Ids而增加,並且第二節點N2的一充電電壓(即,一源極電壓)藉由第二開關薄膜電晶體ST2存儲於感測電容器Cx中。
在採樣週期Tsam期間,將在一預定時間段作為感測電壓存儲於感測電容器Cx中的驅動薄膜電晶體DT之源極電壓供給至類比-數位轉換器(ADC)。為此,第一感測閘極脈波SCAN在截止電平下輸入、第二感測閘極脈波SEN和採樣控制訊號SSAM在導通電平下輸入、以及初始化控制訊號SPRE在截止電平下輸入。
根據本發明的一個實施例,感測電壓可只使用快速模式感測方法獲得,並且基於感測電壓獲得驅動薄膜電晶體DT的遷移率之一變化量以及閥值電壓之一變化量。在本發明一個實施例中,習知技術中的慢速模式感測方法可不使用於獲得驅動薄膜電晶體之閥值電壓的變化量。因為快速模式感測方法之感測速度相比較於使用源極跟隨器方式的慢速模式感測方法之感測速度大幾十至幾百倍,因此根據本發明之本實施例的感測驅動中所需的時間大大降低。因為根據本發明之本實施例的感測驅動使用快速模式感測方法,因此根據本發明之本實施例的感測驅動可在如第9圖所示屬於一影像顯示週期X0的垂直空白週期VB或設置於影像顯示週期X0之前的一第一非顯示週期X1執行。由於本發明的本實施例基於通過快速模式感測方法獲得的感測電壓甚至獲得驅動電晶體之閥值電壓的變化量,因
此不需要在設置於影像顯示週期X0之後的一第二非顯示週期X2執行感測驅動。在這裡所揭露的本發明的本實施例中,垂直空白週期VB定義為相鄰的影像顯示圖框DF之間的週期。第一非顯示週期X1可定義為從一驅動電源使能訊號PON的一應用時間點直至經過幾十到幾百個圖框的一時間段。第二非顯示週期X2可定義為從一驅動電源禁止訊號POFF的一應用時間點直至經過幾十到幾百個圖框的一時間段。
當用於補償驅動薄膜電晶體中之遷移率的變化量以及閥值電壓的變化量的一補償值通過感測驅動確定時,本發明的本實施例將一補償資料電壓提供至畫素P。感測驅動之後是用於顯示影像的影像顯示驅動。
以下將參考第6圖及第8圖描述在影像顯示驅動中畫素P的一作業。
如第8圖所示,根據本發明之實施例的影像顯示驅動在①、②、以及③週期中分開執行。
在①週期期間,初始化開關SW1和第二開關薄膜電晶體ST2導通,並且將第二節點N2復位到初始電壓Vpre。
在②週期期間,第一開關薄膜電晶體ST1導通並將補償資料電壓Vdata供給至第一節點N1。在這種情況下,第二節點N2通過第二開關薄膜電晶體ST2保持在初始電壓Vpre。因此,在②週期期間,驅動薄膜電晶體DT之閘極-源極電壓Vgs程式化至期望的電平。
在③週期期間,第一及第二開關薄膜電晶體ST1及ST2關閉,並且驅動薄膜電晶體DT產生在一程式化電平下產生驅動電流Ioled且將驅動電流Ioled提供到有機發光二極體(OLED)。有機發光二極體(OLED)
在對應於驅動電流Ioled之亮度下發射光線且表現一灰階。
第10圖表示根據本發明之實施例的有機發光顯示裝置之影像質量的補償方法。第11圖表示應用本發明之本實施例時驅動薄膜電晶體之特性曲線的匹配程度。
如第10圖所示,如上所述,本發明的實施例在影像顯示(在第9圖的第一非顯示週期X1中)之前或影像顯示期間(第9圖的影像顯示週期X0的垂直空白週期VB中)使用快速模式感測方法獲得感測電壓,並且根據此感測電壓感測驅動薄膜電晶體之遷移率的一變化量。然後本發明之實施例根據遷移率的變化量獲得驅動薄膜電晶體之閥值電壓的一變化量。本發明的實施例可使用當感測遷移率的變化量時獲得的一函數方程,或者可通過一預先確定的查找表使用遷移率的變化量與閥值電壓的變化量之間的一關係,以便獲得閥值電壓的變化量。遷移率的變化量為一校正和計算增益值的基礎,並且計算出的增益值存儲於記憶體中。閥值電壓的變化量為一校正和計算偏移值的基礎,並且計算出的偏移值存儲於記憶體中。
因為本發明之實施例可使用能夠獲得遷移率之變化量的快速模式感測方法獲得閥值電壓的變化量,因此本發明之實施例的邏輯尺寸可減小。在習知技術中,還需要一另外的記憶體,用於存儲一初始偏移值以及在驅動關閉過程中(第9圖的第二非顯示週期X2中)獲得一單獨的偏移值。但是,因為本發明的實施例可通過一過程(第9圖中的第一非顯示週期X1及影像顯示週期X0的垂直空白週期VB中)同時執行遷移率的補償和閥值電壓的補償,因此一另外的記憶體是不必要的。本發明的實施例可連續地保持記憶體的一第一存儲區中的一初始增益值,或者可將初始增
益值更新至一個新值。此外,本發明的實施例可連續地保持記憶體的第二存儲區中的一初始偏移值,或者可將初始偏移值更新到一新值。
因為本發明之實施例通過一個過程同時執行遷移率的補償和閥值電壓的補償,因此本發明之實施例可準確地補償薄膜電晶體的一真實參數的變化特性。因此,本發明的實施例可最大化補償性能。
舉例而言,假定隨著溫度上升產生遷移率μ的增加以及閥值電壓Vth的降低。在這種情況下,如第11圖中(A)所示,薄膜電晶體的一初始特性曲線①在通過薄膜電晶體的一中間特性曲線②之後改變到薄膜電晶體的一最終特性曲線③。
然而,如第11圖(B)所示,當如在習知技術一樣僅透過一長時間的驅動補償遷移率μ時,薄膜電晶體的初始特性曲線①扭曲至遠離一目標值的薄膜電晶體的一最終特性曲線④。這樣的錯誤來源於其中一電流變化僅透過遷移率μ之變化產生而不考慮閥值電壓Vth之變化的識別。遷移率μ的補償上在一相對高的灰階的畫素上執行。因此,一補償偏差在除了高灰階之外的一中間灰階以及一低灰階增加。另一方面,因為本發明之實施例通過一個過程執行遷移率μ的補償和閥值電壓Vth的補償之兩者,因此可獲得接近第11圖的結果。
第12圖表示根據本發明之實施例的有機發光顯示裝置的一影像質量補償裝置。第13圖及第14圖表示使用基於感測電壓的N次函數的一方程獲得閥值電壓之變化量的一實例。第15圖表示基於感測電壓獲得遷移率的變化量,以及使用在一預先確定的查找表中的遷移率之變化量與閥值電壓之變化量之間的一關係獲得閥值電壓之變化量的一實例。第16圖
表示作為本發明之實施例的一效果,用於補償遷移率之變化的一增益值餘量增加的一原理。
如第12圖所示,根據本發明之實施例的有機發光顯示裝置的影像質量補償裝置包含:一感測單元30、一補償參數確定單元40、以及一資料補償單元50。感測單元30可實現為資料驅動電路12,並且補償參數確定單元40和資料補償單元50可包含於定時控制器11中。
感測單元30通過快速模式感測方法從顯示面板的每一畫素檢測至少一個感測電壓Vsen。
補償參數確定單元40基於感測電壓Vsen獲得畫素中包含的驅動薄膜電晶體之遷移率之變化量,並且基於遷移率的變化量確定用於補償驅動薄膜電晶體之閥值電壓之變化的一偏移值OSV以及用於補償驅動薄膜電晶體之遷移率之變化的一增益值GV。為此,補償參數確定單元40包含一補償值計算單元41、一偏移值計算單元42、以及一增益值計算單元43。
補償值計算單元41基於感測電壓Vsen獲得驅動薄膜電晶體之遷移率的變化量,並且基於遷移率的變化量獲得驅動薄膜電晶體之閥值電壓的變化量。補償值計算單元41然後根據閥值電壓的變化量獲得一補償值1以及一補償值2。補償值計算單元41可使用如第13圖及第14圖所示的一函數方程或者可使用第15圖中所示的查找表,以便獲得補償值1以及補償值2。
如第13圖及第14圖所示,補償值計算單元41獲得N次函數的方程(其中N是等於或大於2的正整數),用於基於感測電壓Vsen找出驅動薄膜電晶體之遷移率的變化量,並且使用這個N次函數的方程可計
算閥值電壓的變化量。為了獲得N次函數的方程,補償值計算單元41將不同電平的感測資料電壓提供到相同的畫素N次,以獲得N個感測電壓Vsen。補償值計算單元41可獲得感測資料電壓和感測電壓彼此對應的坐標點。
舉例而言,如第13圖所示,補償值計算單元41計算對應於圖線1(G1)的一線性函數的方程1,其中圖線1(G1)具有通過對應於初始感測資料電壓V1及V2的初始感測值Vout1及Vout2的坐標點P1及P2。在這裡所揭露的實施例中,初始感測值Vout1及Vout2在一產品運輸步驟中感測且預先存儲於記憶體中。在感測驅動中,補償值計算單元41再次將第一及第二感測資料電壓V1及V2提供至畫素,並且獲得對應於第一及第二感測資料電壓V1及V2的第一及第二感測電壓Vsen1及Vsen2,從而計算對應於圖線2(G2)的一線性函數的線性方程2,其中圖線2(G2)具有通過的坐標點P3及P4。補償值計算單元41獲得函數方程1的一斜率與函數方程2的一斜率之間的差值,並且將差值的計算結果作為驅動薄膜電晶體的遷移率的變化量。補償值計算單元41然後基於所計算的遷移率的變化量計算驅動薄膜電晶體之閥值電壓的變化量。即,補償值計算單元41將圖線2(G2)朝向圖線1(G1)移動以得到圖線3(G3),其中圖線3(G3)與圖線1(G1)共享x截距。此外,補償值計算單元41計算圖線1(G1)與圖線3(G3)的斜率之間的差值作為驅動薄膜電晶體之遷移率的變化量,並且計算圖線2(G2)與圖線3(G3)之x截距之間的差值作為驅動薄膜電晶體之閥值電壓的一變化量Vth_Shift。在第13圖中,「Vth_Init」表示驅動薄膜電晶體的一初始閥值電壓。如第14圖中所示,補償值計算單元41可通過經
過三個感測作業而獲得的二次函數的一方程計算驅動薄膜電晶體之遷移率的變化量以及驅動薄膜電晶體之閥值電壓的變化量。
接著,如第15圖中所示,補償值計算單元41使用查找表預先存儲根據溫度的變化驅動薄膜電晶體中遷移率之變化量和閥值電壓之變化量之間的一關係。當驅動薄膜電晶體之遷移率的變化量根據從記憶體20中讀出的參考電壓Vref和感測電壓Vsen之間的一偏差獲得時,補償值計算單元41可使用存儲於查找表中的關係從驅動薄膜電晶體之遷移率的變化量推導出驅動薄膜電晶體之閥值電壓的變化量。
如上所述,當計算補償值1及補償值2時,偏移值計算單元42將從記憶體20讀出的一參考補償值1與補償值1相比較來計算一偏移值。增益值計算單元43將從記憶體20讀出的一參考補償值2與補償值2相比較來計算一增益值。
在這裡揭露的本發明之實施例中,參考補償值1固定到預先確定的一初始補償值,或者每一預定的感測週期更新至補償值1。在這種情況下,在第(N-1)個週期中計算的補償值1可選擇為在一第N個週期中的參考補償值1。在與參考補償值1相同的方式下,參考補償值2固定到預先確定的一初始補償值,或者每一預定的感測週期更新至補償值2。在這種情況下,在第(N-1)個週期中計算的補償值2可選擇為在一第N個週期中的參考補償值2。
資料補償單元50將增益值和偏移值提供至輸入數位視訊資料DATA,並產生要提供給畫素的數位補償資料MDATA。更具體而言,資料補償單元50將增益值與所輸入的數位視訊資料DATA的灰階相乘並且將
偏移值與相乘的結果相加,由此產生數位補償資料MDATA。
本發明之實施例的實現效果可概括如下。
首先,由於本發明之實施例可使用具有快速感測速度的遷移率感測方法找到驅動薄膜電晶體之閥值電壓的變化量,因此使用的記憶體量、邏輯大小、以及感測驅動中需要的時間可大大降低。
其次,本發明的實施例可通過一個過程執行遷移率的補償和閥值電壓的補償,並且因此可準確地補償薄膜電晶體的真實參數的變化特性。因此,本發明得實施例可以最大限度地補償性能。
第三,由於本發明的實施例通過一個過程執行遷移率的補償以及閥值電壓的補償,因此補償過程可簡化。此外,簡單的補償處理增加了用戶的便利性。
第四,由於本發明的實施例通過一個過程執行遷移率的補償和閥值電壓的補償,因此相比較於習知技術可充分保證用於補償遷移率之變化量的補償值的餘量。如第16圖所示,假定由於連續影像顯示驅動而產生3Y數量的劣降,並且因此驅動薄膜電晶體的遷移率和閥值電壓必須分別從一初始狀態補償2Y及Y的數量。相比較於習知技術,本發明的實施例的效果在下面另外描述。
在習知技術的影像質量補償技術中,因為驅動薄膜電晶體之閥值電壓的變化量的補償能夠僅在第9圖的第二非顯示週期X2中執行,因此僅遷移率必須從初始狀態另外補償3Y,以便補償影像顯示週期X0中產生的3Y的劣降。在習知技術中,難以確保用於補償遷移率的補償值的餘量。
另一方面,本發明的實施例可在第9圖所示的第一非顯示週期X1或影像顯示週期X0中連同驅動薄膜電晶體的遷移率補償執行驅動薄膜電晶體的閥值電壓的補償。因此,驅動薄膜電晶體的遷移率和閥值電壓能夠分別從初始狀態另外補償2Y及Y。因此,在本發明的實施例中,很容易保證用於補償遷移率的補償值的餘量。
雖然本發明之實施例以示例性之實施例揭露如上,然而本領域之技術人員應當意識到在不脫離本發明所附之申請專利範圍所揭示之本發明之範圍內可進行不同的更動與潤飾。特別地,可在本說明書、圖式部份及所附之申請專利範圍中進行構成部份與/或組合方式的不同變化及修改。除了構成部份與/或組合方式的變化及修改外,本領域之技術人員也應當意識到構成部份與/或組合方式的替代使用。
10‧‧‧顯示面板
11‧‧‧定時控制器
12‧‧‧資料驅動電路
13‧‧‧閘極驅動電路
14‧‧‧資料線
15‧‧‧閘極線
20‧‧‧記憶體
Vsync‧‧‧垂直同步訊號
Hsync‧‧‧水平同步訊號
DE‧‧‧資料使能訊號
DCLK‧‧‧點時脈
DDC‧‧‧資料控制訊號
GDC‧‧‧閘極控制訊號
DATA‧‧‧數位視訊資料
MDATA‧‧‧數位補償資料
EVDD‧‧‧高電勢驅動電壓
EVSS‧‧‧低電勢驅動電壓
Vsen‧‧‧感測電壓
Claims (19)
- 一種有機發光二極體顯示裝置,包含顯示影像的複數個畫素,每一該些畫素包含一有機發光二極體、與該有機發光二極體相連接的一驅動電晶體、以及配設為將資料訊號供給至該有機發光二極體的一開關電晶體,該有機發光二極體顯示裝置包含:一感測單元,配設為感測該驅動薄膜電晶體之遷移率之一變化量;一補償值計算單元,配設為基於該遷移率之該感測之變化量獲得該驅動電晶體之一閥值電壓之一變化量;以及一資料補償單元,配設為基於遷移率之該感測之變化量以及該閥值電壓的該獲得之變化量調整該些資料訊號。
- 如請求項1所述之有機發光二極體顯示裝置,其中該感測單元進一步配設為響應於透過相比較於該驅動電晶體之該閥值電壓更大的一電壓導通的該驅動電晶體,檢測該驅動電晶體之一源極的一感測電壓。
- 如請求項1所述之有機發光二極體顯示裝置,其中該感測單元進一步配設為在一影像顯示開始之前的一非顯示週期期間或一影像顯示週期的一垂直空白週期期間感測該遷移率之該變化量。
- 如請求項1所述之有機發光二極體顯示裝置,該補償值計算單元進一步配設為獲得該閥值電壓之該變化量,而不需 要在該驅動電晶體的一源極與一汲極之間的一電流變為零的一飽和狀態下操作該驅動電晶體以檢測該驅動電晶體的一源極電壓。
- 如請求項1所述之有機發光二極體顯示裝置,其中該補償值計算單元進一步配設為基於該遷移率之該變化量以及該遷移率之該變化量與該閥值電壓之該變化量之間的一關係相關的一函數或一資料庫獲得該閥值電壓之該變化量。
- 如請求項1所述之有機發光二極體顯示裝置,進一步包含:一增益值計算單元,配設為基於該遷移率之該感測之變化量獲得用於資料補償的一增益值;以及一偏移值計算單元,配設為基於該閥值電壓之該獲得之變化量獲得用於資料補償的一偏移值,其中該資料補償單元進一步配設為基於該增益值以及該偏移值調整該些資料訊號。
- 如請求項1所述之有機發光二極體顯示裝置,其中該感測單元進一步配設為響應於將第一資料電壓及第二資料電壓提供至該驅動電晶體感測來自該驅動電晶體的第一輸出電壓及第二輸出電壓,以及其中該補償值計算單元進一步配設為:獲得該第一輸出電壓及該第二輸出電壓與該第一資料電壓及該第二資料電壓之間的一函數關係;獲得表示關於資料電壓的該函數關係的一圖線之一斜 率;獲得表示關於該驅動電晶體上的參考資料電壓的參考輸出電壓的一參考圖線之一參考斜率;以及基於該斜率以及該參考斜率獲得該驅動電晶體之該遷移率之該變化量。
- 如請求項7所述之有機發光二極體顯示裝置,其中該補償值計算單元進一步配設為:獲得關於該些資料電壓在一軸線上該圖線之一截距;獲得該軸線上該參考圖線之一參考截距;以及基於該截距與該參考截距之間的一差值獲得該驅動電晶體之該閥值電壓之該變化量。
- 一種有機發光二極體顯示裝置之變化的補償方法,該有機發光二極體顯示裝置包含用以顯示影像的複數個畫素,並且每一該些畫素包含一有機發光二極體、連接至該有機發光二極體的一驅動電晶體、以及配設為將資料訊號供給至該有機發光二極體的一開關電晶體,該有機發光二極體顯示裝置之變化的補償方法包含:感測該驅動電晶體之一遷移率之一變化量;基於該遷移率之該感測之變化量獲得該驅動電晶體之一閥值電壓之一變化量;以及基於該遷移率之該感測之變化量以及該閥值電壓之該獲得之變化量調整該些資料訊號。
- 如請求項9所述之有機發光二極體顯示裝置之變化的補償方法,其中感測該遷移率之該變化量的該步驟包含:響應於透過相比較於該驅動電晶體之該閥值電壓更大的一電壓導通的該驅動電晶體檢測該驅動電晶體之一源極的一感測電壓。
- 如請求項9所述之有機發光二極體顯示裝置之變化的補償方法,其中感測該遷移率之該變化量的該步驟在一影像顯示開始之前的一非顯示週期期間或者一影像顯示週期的一垂直空白週期期間執行。
- 如請求項9所述之有機發光二極體顯示裝置之變化的補償方法,其中獲得該閥值電壓之該變化量不需要在該驅動電晶體之一源極與一汲極之間的一電流變為零的一飽和狀態下操作該驅動電晶體以檢測該驅動電晶體之一源極電壓。
- 如請求項9所述之有機發光二極體顯示裝置之變化的補償方法,其中透過使用關於該遷移率之該變化量與該閥值電壓之該變化量之間一關係的一函數或一資料庫,基於該遷移率之該變化量獲得該閥值電壓之該變化量。
- 如請求項9所述之有機發光二極體顯示裝置之變化的補償方法,進一步包含:基於該遷移率之該感測之變化量獲得用於資料補償的一增益值;基於該閥值電壓之該獲得之變化量獲得用於資料補償 的一偏移值,其中該些資料訊號基於該增益值以及該偏移值進行調整。
- 如請求項9所述之有機發光二極體顯示裝置之變化的補償方法,其中感測該遷移率之該變化量的該步驟包含:將第一資料電壓及第二資料電壓提供給該驅動電晶體;感測來自該驅動電晶體的第一輸出電壓及第二輸出電壓;獲得該第一輸出電壓及該第二輸出電壓與該第一資料電壓及該第二資料電壓之間的一函數關係;獲得表示關於資料電壓的該函數關係的一圖線之一斜率;獲得表示關於該驅動電晶體上的參考資料電壓的參考輸出電壓的一參考圖線之一參考斜率;以及基於該斜率以及該參考斜率獲得該驅動電晶體之該遷移率之該變化量。
- 如請求項15所述之有機發光二極體顯示裝置之變化的補償方法,其中獲得該閥值電壓之該變化量的該步驟包含:獲得關於該些資料電壓在一軸線上該圖線之一截距;獲得該軸線上該參考圖線之一參考截距;以及基於該截距與該參考截距之間的一差值獲得該驅動電晶體之該閥值電壓之該變化量。
- 一種有機發光二極體顯示裝置之變化的補償方法,該有機發光二極體顯示裝置包含用以顯示影像的複數個畫素,並且每一該些畫素包含一有機發光二極體、連接至該有機發光二極體的一驅動電晶體、以及配設為將資料訊號供給至該有機發光二極體的一開關電晶體,該有機發光二極體顯示裝置之變化的補償方法包含:將第一資料電壓及第二資料電壓提供給該驅動電晶體;感測來自該驅動電晶體的第一輸出電壓及第二輸出電壓;獲得該第一輸出電壓及該第二輸出電壓與該第一資料電壓及該第二資料電壓之間的一函數關係;獲得表示關於資料電壓的該函數關係的一圖線之一斜率;獲得表示關於該驅動電晶體上的參考資料電壓的參考輸出電壓的一參考圖線之一參考斜率;以及 基於該斜率以及該參考斜率獲得該驅動電晶體之該遷移率之該變化量。
- 如請求項17所述之有機發光二極體顯示裝置之變化的補償方法,進一步包含:獲得關於該些資料電壓在一軸線上該圖線之一截距;獲得該軸線上該參考圖線之一參考截距;以及基於該截距與該參考截距之間的一差值獲得該驅動電晶體之該閥值電壓之該變化量。
- 如請求項18所述之有機發光二極體顯示裝置之變化的補償方法,進一步包含基於該遷移率之該變化量以及該閥值電壓之該變化量調整該些資料訊號。
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