TW202324352A - 電源供應電路及包含該電源供應電路的顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明涉及一種電源供應裝置，包含：閘極驅動電路，配置以向複數條閘極線供應閘極訊號；第一電源供應電路，配置以向複數條第一初始化電源線供應具有介於第一電壓位準與第二電壓位準之間的電壓位準的第一初始化電壓，該第一初始化電壓具有：在第一週期中的第一電壓位準、在第二週期中介於第一電壓位準與第二電壓位準之間的第三電壓位準、及在第三週期中的第二電壓位準；以及第二電源供應電路，配置以向該複數條電源線之中的複數條像素驅動電源線供應驅動電壓，以及涉及一種包含該電源供應裝置的顯示裝置。

Description

電源供應電路及包含該電源供應電路的顯示裝置
本發明涉及一種電子裝置，更具體而言，涉及一種電源供應電路及一種包含該電源供應電路的顯示裝置。
隨著資訊導向社會已發展，對於顯示影像之顯示裝置的各種需求與日俱增。為滿足需求，各種顯示裝置推陳出新，如液晶顯示（LCD）裝置、電致發光顯示（ELD）裝置等。
ELD裝置包括包含量子點（QD）的量子點發光顯示裝置、無機發光顯示裝置、以及有機發光顯示裝置等。
在這些顯示裝置中，ELD裝置具有回應時間短、視角廣、色域佳等特徵。此外，ELD裝置具有能實施為薄型封裝或結構的優點。
另外，由於ELD裝置透過驅動電流發出的光來顯示影像，故在低灰度或黑灰度下的驅動電流量很小，或不流動。因此，ELD裝置具有在低亮度下的高對比度、卓越的影像品質等優點。
在ELD裝置中，驅動電流可以透過施加到驅動電晶體的電壓而流過包含於ELD裝置中的像素，並且驅動電流量可以設定以與資料訊號相對應。在施加到像素的電壓高於預定值的情況下，則流過像素的驅動電流量可能未與資料訊號相對應。具體而言，在透過像素以低灰度顯示影像的情況下，上述問題可能越來越頻繁地出現，導致ELD裝置可能存在所產生之影像品質劣化的缺點。
此外，近來由於環境保護和資源枯竭等問題，在減少電子裝置或設備的功耗方面荊棘塞途。
為了解決這些問題，本發明的實施例提供一種能夠減少或防止影像品質降低的電源供應電路或裝置、以及一種包含該電源供應電路或裝置的顯示裝置。
本發明的實施例提供一種能夠降低功耗的電源供應電路或裝置、以及一種包含該電源供應電路或裝置的顯示裝置。
在一實施例中，顯示裝置包括：顯示面板，其包括複數條閘極線、複數條資料線、複數條第一初始化電源線、複數條電源線、以及複數個像素，連接到複數條閘極線、複數條資料線、複數條第一初始化電源線和複數條電源線，複數個像素配置以在顯示裝置的發光週期發光；資料驅動電路，配置以向複數條資料線供應資料訊號；閘極驅動電路，配置以向複數條閘極線供應閘極訊號；第一電源供應電路，配置以向複數條第一初始化電源線供應第一初始化電壓，該第一初始化電壓具有介於第一電壓位準與第二電壓位準之間變化的電壓位準；以及第二電源供應電路，配置以向複數條電源線之中的複數條像素驅動電源線供應像素驅動電壓，其中複數個像素中的至少一個像素包括：驅動電晶體，用於使驅動電流從第二節點流向第三節點以回應第一節點的電壓，對應於資料訊號的電壓施加到該第一節點；以及發光元件，用於發光以回應驅動電流，以及其中當發光元件在發光週期前不發光時，對應於資料訊號的電壓施加到第一節點，並且隨後，使用第一初始化電壓將第二節點和第三節點初始化，第一初始化電壓具有：在第一週期中的第一電壓位準；在第一週期之後的第二週期中介於第一電壓位準與第二電壓位準之間的第三電壓位準；以及在第二週期之後的第三週期中的第二電壓位準。
在一實施例中，電源供應裝置包括：複數個級，配置以產生第一初始化電壓和進位訊號，其等透過複數個級中的每一個依序輸出，其中從複數個級中的每一個輸出的第一初始化電壓具有介於第一電壓位準與第二電壓位準之間的電壓位準，並具有：在第一週期中的第一電壓位準；在第一週期之後的第二週期中介於第一電壓位準與第二電壓位準之間的第三電壓位準；以及在第二週期之後的第三週期中的第二電壓位準。
在一實施例中，像素包括：驅動電晶體，包含第一節點、第二節點，其配置成電性連接在資料線與像素驅動電源線之間，該資料訊號施加到該資料線，像素驅動電壓施加到該像素驅動電源線、以及第三節點，驅動電晶體配置以使驅動電流從第二節點流向第三節點以回應施加到第一節點的資料訊號；以及發光元件，電性連接到驅動電晶體的第三節點，發光元件配置以發光以回應驅動電流，其中在資料訊號施加到驅動電晶體的第一節點後，第一初始化電壓施加到驅動電晶體的第二節點和第三節點，以在發光元件於像素的發光週期前不發光時將第二節點和第三節點初始化，第一初始化電壓具有：在第一週期中的第一電壓位準；在第一週期之後的第二週期中介於第一電壓位準與第二電壓位準之間的第三電壓位準；以及在第二週期之後的第三週期中的第二電壓位準。
根據本發明的實施例，提供能夠減少影像品質降低的電源供應電路或裝置、以及包含該電源供應電路或裝置的顯示裝置。
根據本發明的實施例，提供能夠降低功耗的電源供應電路或裝置、以及包含該電源供應電路或裝置的顯示裝置。
下文將參考圖式對本發明示例或實施例加以說明，在圖式中，藉由說明以示可實現之具體示例或實施例，並且，相同或類似之部件即便示於不同圖式，亦可以使用相同之參考數字及符號加以表示。此外，下文對本發明示例或實施例的說明中，併入本發明的習知功能及部件的詳細說明如可能使本發明某些實施例中之標的相當不明確時，將省略該說明。本發明所使用諸如「包含（including）」、「具有（having）」、「包含有（containing）」、「構成（constituting）」、「由...組成（make up of）」，以及「由…形成（formed of）」等術語，除各該術語與「僅（only）」搭配使用之外，通常意指允許新增其他部件。除非另有明確說明，否則本發明中任何單數之引用意指包含複數。
本發明所使用諸如「第一」、「第二」、「A」、「B」、「（A）」或「（B）」等術語可以用於說明本發明的元件。各該術語皆非旨在定義元件的本質、順序、次序或數量等，而僅為將對應的元件與其他元件加以區分之用。
當提及第一元件與第二元件「連接或耦接（is connected or coupled to）」、「接觸或重疊（contacts or overlaps）」等時，其應解釋為，該第一元件與該第二元件除可以「直接（directly）連接或耦接」或「直接接觸或重疊」外，亦可以於該第一元件與該第二元件之間「插入（interposed）」第三元件，或者，該第一元件與該第二元件亦可透過第四元件彼此「連接或耦接」、「接觸或重疊」等。在此，該第二元件可以包含於彼此「連接或耦接」、「接觸或重疊」等之兩個或複數個元件中至少一個元件。
當諸如「之後（after）」、「隨後（subsequent）」、「接著（next）」、「之前（before）」等時間相關術語用於說明元件或配置之程序或運作、或是在操作、加工、製造方法中之流程或步驟時，除與「直接（directly）」或「立即（immediately）」等術語搭配使用之外，各該術語皆可以用於描述非連續（non-consecutive）或非依序（non-sequential）之程序或運作。
此外，當提及任何大小、相對尺寸等時，即使未記載相關說明，仍應考慮元件或特徵之數值、或對應之資訊（如位準、範圍等）係包含可能由各種因素（如製程因素、內部或外部衝擊、雜訊等）所引起之公差或誤差範圍。此外，「可（以）/可能（may）」術語完整包含「可（以）/能夠（can）」術語之所有含義。
圖1A、圖1B及圖1C是示出根據本發明實施例的示例顯示裝置的平面圖。
參照圖1A、圖1B及圖1C，根據本發明實施例的顯示裝置100可以包含：顯示面板110，用於顯示影像；以及一個或多個光學電子裝置（11、12）。
顯示面板110可以包含：顯示影像的顯示區DA；以及不顯示影像的非顯示區NDA。
複數個像素可以佈置在顯示區DA中，並且用於驅動複數個像素的數種類型的訊號線可以佈置在其中。
非顯示區NDA可以指顯示區DA之外的區域。數種類型的訊號線可以佈置在非顯示區NDA中，並且其可以與數種類型的驅動電路連接。非顯示區NDA的至少一部分可以彎曲使其無法從顯示面板的前面看見，或可以被顯示面板110或顯示裝置100的外殼（圖未示出）覆蓋。非顯示區NDA亦可稱為邊框或邊框區。
參照圖1A、圖1B及圖1C，在根據本發明實施例的顯示裝置100中，一個或多個光學電子裝置（11、12）可以位於顯示面板110的下面或下部（其觀察表面的相對側）。
光可以進入顯示面板110的前表面（觀察表面）、穿過顯示面板110、到達位於顯示面板110下面或下部（其觀察表面的相對側）的一個或多個光學電子裝置（11、12）。
一個或多個光學電子裝置（11、12）可以接收或偵測透射過顯示面板110的光，並基於所接收的光執行預定功能。例如，一個或多個光學電子裝置（11、12）可以包含一個或多個影像擷取裝置，諸如攝影機（影像感測器）及/或類似物、以及感測器，諸如近接感測器、照度感測器及/或類似物。
參照圖1A、圖1B及圖1C，在一些實施例中，顯示面板110的顯示區DA可以包含：一個或多個光學區（OA1、OA2）；以及一個一般區NA。一般區NA是不與一個或多個光學電子裝置（11、12）重疊的區域，亦可稱為非光學區。
參照圖1A、圖1B及圖1C，一個或多個光學區（OA1、OA2）可以為與一個或多個光學電子裝置（11、12）重疊的一個或多個區域。
根據圖1A的示例，顯示區DA可以包含：第一光學區OA1；以及一般區NA。在一些實施例中，第一光學區OA1的至少一部分可以與第一光學電子裝置11重疊。在此，一般區NA是不與一個或多個光學電子裝置（11、12）重疊的區域，亦可稱為非光學區或典型顯示區。
根據圖1B的示例，顯示區DA可以包含：第一光學區OA1；第二光學區OA2；以及一般區NA。在圖1B的示例中，一般區NA的至少一部分可以存在於第一光學區OA1與第二光學區OA2之間。在一些實施例中，第一光學區OA1的至少一部分可以與第一光學電子裝置11重疊，而第二光學區OA2的至少一部分可以與第二光學電子裝置12重疊。
根據圖1C的示例，顯示區DA可以包含：第一光學區OA1；第二光學區OA2；以及一般區NA。在圖1C的示例中，一般區NA可以不存在於第一光學區OA1與第二光學區OA2之間。例如，第一光學區OA1和第二光學區OA2可以彼此接觸。在一些實施例中，第一光學區OA1的至少一部分可以與第一光學電子裝置11重疊，而第二光學區OA2的至少一部分可以與第二光學電子裝置12重疊。
影像顯示結構及光透射結構都需要形成在一個或多個光學區（OA1、OA2）中。在一些實施例中，由於一個或多個光學區（OA1、OA2）是顯示區DA的一個或多個部分，所以需要在一個或多個光學區（OA1、OA2）中配置用於顯示影像的像素。此外，為了使光能夠透射一個或多個光學電子裝置（11、12），需要在一個或多個光學區（OA1、OA2）中形成光透射結構。
根據上述實施例，儘管需要一個或多個光學電子裝置（11、12）以接收或偵測光，但一個或多個光學電子裝置（11、12）有時位於顯示面板110的背面（在顯示面板110的下面或下部中，即觀察表面的相對側）上，並因此，可以接收已透射過顯示面板110的光。
例如，一個或多個光學電子裝置（11、12）可以不暴露在顯示面板110的前表面（觀察表面）中。因此，當使用者注視顯示面板110的前面時，使用者無法看見一個或多個光學電子裝置（11、12）。
在一實施例中，第一光學電子裝置11可以為攝影機，而第二光學電子裝置12可以為感測器，如近接感測器、照度感測器及/或類似物。例如，感測器可以為能夠偵測紅外線的紅外線感測器。
在另一實施例中，第一光學電子裝置11可以為感測器，而第二光學電子裝置12可以為攝影機。
下文，為了方便說明，將以第一光學電子裝置11為攝影機，而第二光學電子裝置12為感測器，如接近感測器、照度感測器、紅外線感測器，以及類似物之實施例進行討論。例如，攝影機可以為攝影機鏡頭、影像感測器或包含攝影機鏡頭及影像感測器中的至少一個的單元。
在第一光學電子裝置11為攝影機的示例中，該攝影機可以位於顯示面板110的背面（下面，或下部）上，並且為能夠擷取顯示面板110的前面方向的物體或影像的前置攝影機。因此，使用者在注視顯示面板110的觀察表面時，可以透過攝影機擷取觀察表面上無法看見的影像或物體。
儘管在圖1A至圖1C的各圖中，包含在顯示區DA中的一般區NA和一個或多個光學區（OA1、OA2）是可顯示影像的區域，但一般區NA是缺少光透射結構的區域，而一個或多個光學區（OA1、OA2）是包含光透射結構的區域。
因此，一個或多個光學區（OA1、OA2）可以具有大於或等於預定程度的透射率，（例如，相對高的透射率），而一般區NA可以不具有光透射率或具有小於預定程度的透射率（例如，相對低的透射率）。
例如，一個或多個光學區（OA1、OA2）和一般區NA可以具有彼此不同的解析度、像素佈置結構、單位面積的像素數、電極結構、線路結構、電極佈置結構、線路佈置結構、以及類似物。
在一實施例中，一個或多個光學區（OA1、OA2）的單位面積的像素數可以小於一般區NA的單位面積的像素數。例如，一個或多個光學區（OA1、OA2）的解析度可以小於一般區NA的解析度。在此，每單位面積的像素數可以使用每英寸像素（PPI）來計量，其表示1英寸內的像素數，來作為計量解析度的單位。
在一實施例中，在圖1A至圖1C的各圖中，第一光學區OA1中每單位面積的像素數可以少於一般區NA中每單位面積的像素數。在一實施例中，在圖1B和圖1C的各圖中，第二光學區OA2中的單位面積像素數可以大於或等於第一光學區OA1中的單位面積像素數。
在圖1A至圖1C的各圖中，第一光學區OA1可以具有各種形狀，如圓形、橢圓形、四邊形、六邊形、八邊形、以及類似物。在圖1A至圖1C的各圖中，第二光學區OA2可以具有各種形狀，如圓形、橢圓形、四邊形、六邊形、八邊形、以及類似物。第一光學區OA1和第二光學區OA2可以具有相同的形狀或不同的形狀。
參照圖1C，在第一光學區OA1和第二光學區OA2彼此接觸的示例中，包含第一光學區OA1及第二光學區OA2的整個光學區亦可以具有各種形狀，如圓形、橢圓形、四邊形、六邊形、八邊形、以及類似物。
下文，為了方便說明，將基於第一光學區OA1和第二光學區OA2中的每一個具有圓形形狀的實施例進行討論。
在此，在根據本發明實施例的顯示裝置100具有一種其中位於顯示面板110下面或下部被覆蓋而不暴露於外部的第一光學電子裝置11作為攝影機的結構的示例中，顯示裝置100可稱為實施有顯示器下攝影機（UDC）技術的顯示器（或顯示裝置）。
根據這種配置的顯示裝置100可以具有防止顯示區DA尺寸減少的優點，因為不需要在顯示面板110中形成用於暴露攝影機的凹口或攝影機孔。
由於不需要在顯示面板110中形成用於暴露攝影機的凹口或攝影機孔，因為消除了設計上的限制，所以顯示裝置100可以進一步具有減少邊框區尺寸、及提升設計自由度的優點。
儘管在根據本發明實施例的顯示裝置100中，一個或多個光學電子裝置（11、12）在顯示面板110的背面（下面或下部）被覆蓋，即隱藏不暴露於外部，但一個或多個光學電子裝置（11、12）需要接收或偵測光以正常執行預定的功能。
此外，在根據本發明實施例的顯示裝置100中，儘管一個或多個光學電子裝置（11、12）在顯示面板110的背面（在其下面，或在其下部）上被覆蓋並位於與顯示區DA重疊處，但顯示區DA中與一個或多個光學電子裝置（11、12）重疊的一個或多個光學區（OA1、OA2）中需要正常執行影像顯示。
圖2示出根據本發明實施例的顯示裝置100的系統配置。
參照圖2，顯示裝置100可以包含：顯示面板110；以及顯示驅動電路，作為用於顯示影像的部件。
顯示驅動電路是用於驅動顯示面板110的電路，並可以包含：資料驅動電路220；閘極驅動電路230；顯示控制器240；以及類似物。
顯示面板110可以包含：顯示區DA，其中顯示影像；以及非顯示區NDA，其中不顯示影像。非顯示區NDA可以為顯示區DA外部的區域，並亦可稱為邊緣區或邊框區。非顯示區NDA的全部或部分可以為從顯示裝置100的前表面可見的區域，或為彎曲並從顯示裝置100的前表面不可見的區域。
顯示面板110可以包含：基板SUB；以及複數個像素SP，設置在基板SUB上。顯示面板110可以進一步包含各種類型的訊號線以驅動複數個像素SP。
在一些實施例中，本發明的顯示裝置100可以為液晶顯示裝置或類似物，或為從顯示面板110本身發光的自發光顯示裝置。在根據本發明的態樣的顯示裝置100為自發光顯示裝置的示例中，複數個像素SP中的每一個可以包含發光元件。
在一些實施例中，顯示裝置100可以為有機發光顯示裝置，其中發光元件使用有機發光二極體（OLED）實施。在一些實施例中，顯示裝置100可以為無機發光顯示裝置，其中發光元件使用無機材料類的發光二極體實施。在一些實施例中，顯示裝置100可以為量子點顯示裝置，其中發光元件使用自發光半導體晶體的量子點實施。
複數個像素SP中的每一個的結構可以根據顯示裝置100的類型而變化。在顯示裝置100是包含自發光像素SP的自發光顯示裝置的示例中，每一個像素SP可以包含：自發光元件；一個或多個電晶體；以及一個或多個電容器。
佈置在顯示裝置100中之各種類型的訊號線可以例如包含：複數條資料線DL，用於攜帶資料訊號（亦稱為資料電壓或影像訊號）；複數條閘極線GL，用於攜帶閘極訊號（亦稱為掃描訊號）；以及類似物。
複數條資料線DL和複數條閘極線GL可以彼此相交。複數條資料線DL中的每一條皆可以在第一方向上延伸。複數條閘極線GL中的每一條皆可以在第二方向上延伸。
例如，第一方向可以為列或垂直方向，而第二方向可以為行或水平方向。在另一示例中，第一方向可以為行方向，而第二方向可以為列方向。
資料驅動電路220是用於驅動複數條資料線DL的電路，並能向複數條資料線DL供應資料訊號。閘極驅動電路230是用於驅動複數條閘極線GL的電路，並能向複數條閘極線GL供應閘極訊號。
顯示控制器240是用於控制資料驅動電路220和閘極驅動電路230的裝置，並可以控制複數條資料線DL的驅動時序和複數條閘極線GL的驅動時序。
顯示控制器240可以向資料驅動電路220供應資料驅動控制訊號DCS以控制資料驅動電路220，並向閘極驅動電路230供應閘極驅動控制訊號GCS以控制閘極驅動電路230。
顯示控制器240可以從主機系統250接收輸入影像資料，並根據輸入影像資料向資料驅動電路220供應影像資料Data。
資料驅動電路220可以根據顯示控制器240的驅動時序控制向複數條資料線DL供應資料訊號。
資料驅動電路220可以從顯示控制器240接收數位的影像資料Data、將接收的影像資料Data轉換為類比資料訊號、並將產生的類比資料訊號供應給複數條資料線DL。
閘極驅動電路230可以根據顯示控制器240的驅動時序控制向複數條閘極線GL供應閘極訊號。閘極驅動電路230可以接收對應於導通位準電壓的第一閘極電壓和對應於關斷位準電壓的第二閘極電壓及各種閘極驅動控制訊號GCS、產生閘極訊號、並將產生的閘極訊號供應給複數條閘極線GL。
在一些實施例中，資料驅動電路220可以以捲帶式自動接合（TAB）類型連接到顯示面板110，或以玻璃覆晶封裝（COG）類型或面板覆晶封裝（chip on panel, COP）類型連接到顯示面板110的傳導墊（例如焊墊），或以薄膜覆晶封裝（COF）類型連接到顯示面板110。
在一些實施例中，閘極驅動電路230可以以捲帶式自動接合（TAB）類型連接到顯示面板110，或以玻璃覆晶封裝（COG）類型或面板覆晶封裝（chip on panel, COP）類型連接到顯示面板110的傳導墊（例如焊墊），或以薄膜覆晶封裝（COF）類型連接到顯示面板110。在另一實施例中，閘極驅動電路230可以以板內閘極（GIP）類型設置在顯示面板110的非顯示區NDA中。閘極驅動電路230可以設置於基板SUB上或上方，或連接到基板SUB。亦即，在GIP類型下，閘極驅動電路230可以設置在基板SUB的非顯示區NDA中。在玻璃覆晶封裝（COG）類型、薄膜覆晶封裝（COF）類型或類似物下，閘極驅動電路230可以連接到基板SUB。
資料驅動電路220和閘極驅動電路230中的至少一個可以設置在顯示面板110的顯示區DA中。例如，資料驅動電路220和閘極驅動電路230中的至少一個可以設置成不與像素SP重疊，或設置成與一個或多個或全部的像素SP重疊。
資料驅動電路220亦可以僅位於但不限於顯示面板110的一側或部分（例如，上邊緣或下邊緣）上。在一些實施例中，資料驅動電路220根據驅動方案、面板設計方案、以及類方案可以位於但不限於顯示面板110的兩側或部分（例如，上邊緣及下邊緣）上或位於顯示面板110的四側或部分（例如，上邊緣、下邊緣、左邊緣及右邊緣）中的至少兩處。
閘極驅動電路230可以僅位於顯示面板110的一側或部分（例如，左邊緣或右邊緣）上。在一些實施例中，資料驅動電路220根據驅動方案、面板設計方案、以及類方案可以連接到顯示面板110的兩側或部分（例如，左邊緣或右邊緣）或連接到顯示面板110的四側或部分（例如，上邊緣、下邊緣、左邊緣及右邊緣）中的至少兩處。
顯示控制器240可以在與資料驅動電路220分離的部件中實施，或者與資料驅動電路220一體結合，從而在積體電路中實施。
顯示控制器240可以為典型顯示技術中所使用的時序控制器，或為除了典型時序控制器的功能之外，還能夠執行其他控制功能的控制器或控制裝置。在一些實施例中，顯示控制器240可以為不同於時序控制器的控制器或控制裝置，或為包含在控制器或控制裝置中的電路或部件。顯示控制器240可以使用各種電路或電子部件實施，例如積體電路（IC）、場域可程式閘陣列（FPGA）、特殊應用積體電路（ASIC）、處理器及/或類似物。
顯示控制器240可以安裝在印刷電路板、可撓性印刷電路及/或類似物上，並透過印刷電路板、可撓性印刷電路及/或類似物電性連接到資料驅動電路220和閘極驅動電路230。
顯示控制器240可以經由一個或多個預定介面向資料驅動電路220傳輸訊號並從其接收訊號。在一些實施例中，這類介面可以包含：低電壓差動發訊（LVDS）介面；嵌入式面板介面（EPI）；串列週邊介面（SPI）；以及類似物。
在一些實施例中，為了進一步提供觸控感測功能及影像顯示功能，顯示裝置100可以包含：至少一個觸控感測器；以及觸控感測電路，其藉由感測觸控感測器能夠偵測諸如手指、筆、以及類似物觸控物體是否發生觸控事件，或能夠偵測對應的觸控位置。
觸控感測電路可以包含：觸控驅動電路260，其能夠藉由驅動和感測觸控感測器來產生和提供觸控感測資料；觸控控制器270，其能夠使用觸控感測資料偵測觸控事件的發生或偵測觸控位置；以及類似物。
觸控感測器可以包含複數個觸控電極。觸控感測器可以進一步包含複數條觸控線，用於將複數個觸控電極電性連接到觸控驅動電路260。
觸控感測器可以在顯示面板110外部於觸控面板中實施，或以觸控面板的形式實施，或於顯示面板110內部實施。在觸控感測器在顯示面板110外部於觸控面板中實施或以觸控面板的形式實施的示例中，這類觸控感測器稱為附加類型。在設置附加類型的觸控感測器的示例中，觸控面板和顯示面板110可以各別製造並在組裝製程中耦接。附加類型的觸控面板可以包含：觸控面板基板；以及複數個觸控電極，位於觸控面板基板上。
在觸控感測器於顯示面板110內部實施的示例中，觸控感測器可以在製造顯示面板110的製程中與顯示驅動相關的訊號線和電極一起設置在基板SUB上方。
觸控驅動電路260可以向複數個觸控電極中的至少一個供應觸控驅動訊號，並感測複數個觸控電極中的至少一個，以產生觸控感測資料。
觸控感測電路可以使用自電容感測方法或互電容感測方法執行觸控感測。
在觸控感測電路以自電容感測方法執行觸控感測的示例中，觸控感測電路可以基於介於每一個觸控電極與觸控物體（例如，手指、筆等）之間的電容來執行觸控感測。
根據自電容感測方法，複數個觸控電極中的每一個可以同時作為驅動觸控電極和感測觸控電極。觸控驅動電路260可以驅動複數個觸控電極中的全部、或一個或多個，並感測複數個觸控電極中的全部、或一個或多個。
在觸控感測電路以互電容感測方法執行觸控感測的示例中，觸控感測電路可以基於介於觸控電極之間的電容來執行觸控感測。
根據互電容感測方法，複數個觸控電極分為驅動觸控電極和感測觸控電極。觸控驅動電路260可以驅動驅動觸控電極並感測觸控電極。
包含在觸控感測電路中的觸控驅動電路260和觸控控制器270可以在分離的裝置中實施，亦可以在單一裝置中實施。此外，觸控驅動電路260和資料驅動電路220可以在分離的裝置中實施，亦可以在單一裝置中實施。
顯示裝置100可以進一步包電源供應電路，用於向顯示驅動電路及/或觸控感測電路供應各種類型電源。
在一些實施例中，顯示裝置100可以為行動終端，例如智慧型手機、平板電腦，或類似物，或顯示器（monitor）、電視（TV）、或類似物。這類裝置可以呈現各種類型、尺寸及形狀。根據本發明實施例的顯示裝置100不限於此，還包含用於顯示資訊或影像的各種類型、尺寸及形狀的顯示器。
如上所述，顯示面板110的顯示區DA可以包含：一般區NA；以及一個或多個光學區（OA1、OA2），例如圖1A至圖1C所示。
一般區NA和一個或多個光學區（OA1、OA2）是可顯示影像的區域。然而，一般區NA是不需要實施光透射結構的區域，而一個或多個光學區OA1、OA2則是需要實施光透射結構的區域。
如上文就圖1A至圖1C的示例所討論，儘管顯示面板110的顯示區DA可以包含除一般區NA之外的一個或多個光學區（OA1、OA2），但為了方便說明，除另有明確陳述外，下文的討論中將假設顯示區DA包含第一光學區OA1和第二光學區OA2及一般區NA，並且其一般區NA包含圖1A至圖1C中的一般區NA，而其第一光學區和第二光學區（OA1、OA2）分別包含圖1A至圖1C中的第一光學區OA1和圖1B及圖1C中的第二光學區OA2。
圖3示出在根據本發明實施例的顯示面板110中的像素SP的等效電路。
設置在包含於顯示面板110的顯示區DA中的一般區NA、第一光學區OA1及第二光學區OA2中的像素SP的每一個可以包含：發光元件ED；驅動電晶體DRT，用於驅動發光元件ED；掃描電晶體SCT，用於將資料電壓Vdata傳輸到驅動電晶體DRT的第一節點N1；儲存電容器Cst，用於在一幀中將電壓保持在近似恆定位準；以及類似物。
驅動電晶體DRT可以包含：第一節點N1，其施加有資料電壓Vdata；第二節點N2，電性連接到發光元件ED；以及第三節點N3，其透過驅動電壓線DVL施加有像素驅動電壓ELVDD。在驅動電晶體DRT中，第一節點N1可以為閘極節點，第二節點N2可以為源極節點或汲極節點，而第三節點N3可以為汲極節點或源極節點。
發光元件ED可以包含：陽極電極AE；發射層EL；以及陰極電極CE。陽極電極AE可以為設置在每一個像素SP中的像素電極，並可以電性連接到每一個像素SP的驅動電晶體DRT的第二節點N2。陰極電極CE可以為共同設置在複數個像素SP中的共同電極，並可以對陰極電極CE施加例如低位準電壓的基本電壓ELVSS。
例如，陽極電極AE可以為像素電極，而陰極電極CE可以為共同電極。在另一示例中，陽極電極AE可以為共同電極，而陰極電極CE可以為像素電極。為了方便說明，除另有明確陳述外，下文的討論中，將假設陽極電極AE是像素電極，而陰極電極CE是共同電極。
發光元件ED可以例如為有機發光二極體（OLED）、無機發光二極體、量子點發光元件、或類似物。在使用有機發光二極體作為發光元件ED的示例中，包含在發光元件ED中的發射層EL可以包含有機發射層，其包含有機材料。
掃描電晶體SCT可以由掃描訊號SCAN導通和關斷，並電性連接在驅動電晶體DRT的第一節點N1與資料線DL之間，其中掃描訊號SCAN是透過閘極線GL施加的閘極訊號。
儲存電容器Cst可以電性連接在驅動電晶體DRT的第一節點N1與第二節點N2之間。
每一個像素SP可以包含：兩個電晶體（2T：DRT和SCT）；以及一個電容器（1C：Cst）（稱為「2T1C結構」），如圖3所示，並且在某些情況下，可以進一步包含一個或多個電晶體，或進一步包含一個或多個電容器。
儲存電容器Cst可以為刻意設計成位於驅動電晶體DRT外部的外部電容器，而非可以存在於驅動電晶體DRT的第一節點N1與第二節點N2之間的內部電容器，例如寄生電容器（例如Cgs、Cgd）。
驅動電晶體DRT和掃描電晶體SCT中的每一個可以為n型電晶體或p型電晶體。
由於每一個像素SP中的電路元件（特別是發光元件ED）容易受到外部濕氣或氧氣的影響，因此為了防止外部濕氣或氧氣滲入電路元件（特別是發光元件ED）中，可以在顯示面板110中設置封裝層ENCAP。封裝層ENCAP可以設置以覆蓋發光元件ED。
圖4示出在包含在根據本發明實施例的顯示面板110的顯示區DA中的三個區域（一般區NA、第一光學區OA1及第二光學區OA2）內的像素SP的佈置。
參照圖4，複數個像素SP可以設置在包含在顯示區DA中的一般區NA、第一光學區OA1及第二光學區OA2的每一個內。
複數個像素SP可以例如包含：發射紅光的紅色像素（紅色SP）；發射綠光的綠色像素（綠色SP）；以及發射藍光的藍色像素（藍色SP）。
因此，一般區NA、第一光學區OA1及第二光學區OA2中的每一個可以包含：一個或多個紅色像素（紅色SP）的一個或多個發光區EA；以及一個或多個綠色像素（綠色SP）的一個或多個發光區EA；以及一個或多個藍色像素（藍色SP）的一個或多個發光區EA。
參照圖4，一般區NA可以不包含光透射結構，但可以包含不具有光透射結構的發光區EA。
然而，第一光學區OA1和第二光學區OA2同時包含發光區EA和光透射結構。
因此，第一光學區OA1可以包含：發光區EA；以及第一透射區TA1（例如，光透射區），而第二光學區OA2可以包含：發光區EA；以及第二透射區TA2（例如，光透射區）。
發光區EA和透射區（TA1、TA2）可以根據是否允許光透射來區分。例如，發光區EA可以為不允許光透射的區域，而透射區TA1、TA2可以為允許光透射的區域。
發光區EA和透射區TA1、TA2亦可以根據是否包含特定金屬層（陰極電極CE）來區分。例如，陰極電極CE可以設置在發光區EA中，且陰極電極CE可以不設置在透射區（TA1、TA2）中。此外，光遮蔽層可以設置在發光區EA中，且光遮蔽層可以不設置在透射區（TA1、TA2）中。
由於第一光學區OA1包含第一透射區TA1，且第二光學區OA2包含第二透射區TA2，因此第一光學區OA1和第二光學區OA2皆為光可通過的區域。
在一實施例中，第一光學區OA1的透射率（透射程度）和第二光學區OA2的透射率（透射程度）可以實質上相等。
例如，第一光學區OA1的第一透射區TA1和第二光學區OA2的第二透射區TA2可以具有實質上相等的形狀或尺寸。在另一示例中，即使當第一光學區OA1的第一透射區TA1和第二光學區OA2的第二透射區TA2具有不同的形狀或尺寸時，第一透射區TA1對第一光學區OA1的比值和第二透射區TA2對第二光學區OA2的比值仍可以實質上相等。
在另一實施例中，第一光學區OA1的透射率（透射程度）和第二光學區OA2的透射率（透射程度）可以不同。
例如，第一光學區OA1的第一透射區TA1和第二光學區OA2的第二透射區TA2可以具有不同的形狀或尺寸。在另一示例中，即使當第一光學區OA1的第一透射區TA1和第二光學區OA2的第二透射區TA2具有實質上相等的形狀或尺寸時，第一透射區TA1對第一光學區OA1的比值和第二透射區TA2對第二光學區OA2的比值仍可以彼此不同。
例如，在與第一光學區OA1重疊的第一光學電子裝置11作為攝影機、且與第二光學區OA2重疊的第二光學電子裝置12作為用於偵測影像的感測器的示例中，攝影機可能需要比感測器更大的光量。
因此，第一光學區OA1的透射率（透射程度）可以大於第二光學區OA2的透射率（透射程度）。
例如，第一光學區OA1的第一透射區TA1的尺寸可以大於第二光學區OA2的第二透射區TA2。在另一示例中，即使當第一光學區OA1的第一透射區TA1和第二光學區OA2的第二透射區TA2具有實質上相等的尺寸時，第一透射區TA1對第一光學區OA1的比值仍可以大於第二透射區TA2對第二光學區OA2的比值。
為了方便說明，下文將基於第一光學區OA1的透射率（透射程度）大於第二光學區OA2的透射率（透射程度）的實施例進行討論。
此外，圖4中所示的透射區（TA1、TA2）可稱為透明區，而「透射率」術語可稱為「透明度」。
此外，除另有明確陳述，下文的討論中將假設第一光學區OA1和第二光學區OA2位於顯示面板110的顯示區DA的上邊緣，並設置成在水平上彼此相鄰，例如設置在上邊緣延伸的方向上，如圖4所示。
參照圖4，設置有第一光學區OA1和第二光學區OA2的水平顯示區稱為第一水平顯示區HA1，而未設置第一光學區OA1和第二光學區OA2的另一水平顯示區稱為第二水平顯示區HA2。
參照圖4，第一水平顯示區HA1可以包含一般區NA、第一光學區OA1和第二光學區OA2的一部分。第二水平顯示區HA2可以包含一般區NA的另一部分，該另一部分缺少第一光學區OA1和第二光學區OA2。
圖5A示出在根據本發明實施例的顯示面板110的第一光學區OA1和一般區NA的每一個中的訊號線的佈置；以及圖5B示出在根據本發明實施例的顯示面板110的第二光學區OA2和一般區NA的每一個中的訊號線的佈置。
圖5A和圖5B中所示的第一水平顯示區HA1是顯示面板110的第一水平顯示區HA1的一部分，而第二水平顯示區HA2是顯示面板110的第二水平顯示區HA2的一部分。
圖5A中所示的第一光學區OA1是顯示面板110的第一光學區OA1的一部分，而圖5B中所示的第二光學區OA2是顯示面板110的第二光學區OA2的一部分。
參照圖5A和圖5B，第一水平顯示區HA1可以包含一般區NA、第一光學區OA1和第二光學區OA2的一部分。第二水平顯示區HA2可以包含一般區NA的另一部分，該另一部分缺少第一光學區OA1和第二光學區OA2。
各種類型的水平線HL1、HL2和各種類型的垂直線VTLn、VTL1、VTL2可以設置在顯示面板110中。
在此，「水平」術語和「垂直」術語是指與顯示面板相交的兩個方向。然而，應注意水平方向和垂直方向可以根據觀看方向而改變。水平方向可以例如指一條閘極線GL延伸的方向，而垂直方向可以例如指一條資料線DL延伸的方向。因此，水平術語和垂直術語是用於代表兩個方向。
參照圖5A和圖5B，設置在顯示面板110中的水平線可以包含：第一水平線HL1，設置在第一水平顯示區HA1中；以及第二水平線HL2，設置在第二水平顯示區HA2中。
設置在顯示面板110中的水平線可以為閘極線GL。亦即，第一水平線HL1和第二水平線HL2可以為閘極線GL。閘極線GL根據一個或多個像素SP的結構，可以包含各種類型的閘極線。
參照圖5A和圖5B，設置在顯示面板110中的垂直線可以包含：典型垂直線VTLn，僅設置在一般區NA中；第一垂直線VTL1，貫穿第一光學區OA1和一般區NA兩者；第二垂直線VTL2，貫穿第二光學區OA2和一般區NA兩者。
設置在顯示面板110中的垂直線可以包含：資料線DL；驅動電壓線DVL；以及類似物，並可以進一步包含：參考電壓線；初始化電壓線；以及類似物。亦即，典型垂直線VTLn、第一垂直線VTL1、以及第二垂直線VTL2可以包含：資料線DL；驅動電壓線DVL；以及類似物，並可以進一步包含：參考電壓線；初始化電壓線；以及類似物。
在一些實施例中，應注意的是，第二水平線HL2中的「水平」術語可以僅指訊號從顯示面板的左側到右側（或從右側到左側），而非指第二水平線HL2僅在完全的水平方向上以直線行進。例如，在圖5A和圖5B中，雖然第二水平線HL2以直線形式示意，然而，第二水平線HL2中的一個或多個可以包含一個或多個與其配置不同的彎曲或折疊部分。同理，第一水平線HL1中的一個或多個亦可以包含一個或多個彎曲或折疊部分。
在一些實施例中，應注意的是，典型垂直線VTLn中的「垂直」術語可以僅指訊號從顯示面板的上部到下部（或從下部到上部），而非指典型垂直線VTLn僅在完全的垂直方向上以直線行進。例如，在圖5A和圖5B中，雖然典型垂直線VTLn以直線形式示意，然而，典型垂直線VTLn中的一條或多條可以包含一個或多個與其配置不同的彎曲或折疊部分。同理，第一垂直線VTL1中的一條或多條和第二垂直線VTL2中的一條或多條亦可以包含一個或多個彎曲或折疊部分。
參照圖5A，包含在第一水平顯示區HA1中的第一光學區OA1可以包含：發光區EA；以及第一透射區TA1。在第一光學區OA1中，第一透射區TA1各自的外部區域可以包含對應的發光區EA。
參照圖5A，為了提高第一光學區OA1的透射率，第一水平線HL1可以貫穿第一光學區OA1，同時避開第一光學區OA1中的第一透射區TA1。
因此，貫穿第一光學區OA1的第一水平線HL1中的每一條可以包含圍繞一個或多個第一透射區TA1的一個或多個各自的外邊緣行進的一個或多個弧形或彎曲部分。
因此，設置在第一水平顯示區HA1中的第一水平線HL1和設置在第二水平顯示區HA2中的第二水平線HL2可以具有不同的形狀或長度。例如，貫穿第一光學區OA1的第一水平線HL1和不貫穿第一光學區OA1的第二水平線HL2可以具有不同的形狀或長度。
此外，為了提高第一光學區OA1的透射率，第一垂直線VTL1可以貫穿第一光學區OA1，同時避開第一光學區OA1中的第一透射區TA1。
因此，貫穿第一光學區OA1的第一垂直線VTL1中的每一條可以包含圍繞一個或多個第一透射區TA1的一個或多個各自的外邊緣行進的一個或多個弧形或彎曲部分。
因此，貫穿第一光學區OA1的第一垂直線VTL1和設置在一般區NA而不貫穿第一光學區OA1的典型垂直線VTLn可以具有不同的形狀或長度。
參照圖5A，包含在第一水平顯示區HA1中的第一光學區OA1的第一透射區TA1可以沿對角線方向佈置。
參照圖5A，在第一水平顯示區HA1中的第一光學區OA1中，一個或多個發光區EA可以設置在兩個水平相鄰的第一透射區TA1之間。在第一水平顯示區HA1中的第一光學區OA1中，一個或多個發光區EA可以設置在兩個垂直相鄰的第一透射區TA1之間。
參照圖5A，設置在第一水平顯示區HA1中的第一水平線HL1（即貫穿第一光學區OA1的第一水平線HL1）中的每一條可以包含圍繞一個或多個第一透射區TA1的一個或多個各自的外邊緣行進的一個或多個弧形或彎曲部分。
參照圖5B，包含在第一水平顯示區HA1中的第二光學區OA2可以包含：發光區EA；以及第二透射區TA2。在第二光學區OA2中，第二透射區TA2各自的外部區域可以包含對應的發光區EA。
在一實施例中，第二光學區OA2中的發光區EA和第二透射區TA2可以具有與圖5A的第一光學區OA1中的發光區EA和第一透射區TA1實質上相等的位置和佈置。
在另一實施例中，如圖5B所示，第二光學區OA2中的發光區EA和第二透射區TA2可以具有與圖5A的第一光學區OA1中的發光區EA和第一透射區TA1不同的位置和佈置。
例如，參照圖5B，第二光學區OA2中的第二透射區TA2可以佈置在水平方向（從左到右或從右到左的方向）上。發光區EA可以不設置在水平方向上彼此相鄰的兩個第二透射區TA2之間。此外，第二光學區OA2中的一個或多個發光區EA可以設置在垂直方向（從上到下或從下到上的方向）上彼此相鄰的第二透射區TA2之間。例如，一個或多個發光區EA可以設置在兩行第二透射區TA2之間。
當在第一水平顯示區HA1中貫穿第二光學區OA2和相鄰於第二光學區OA2的一般區NA時，在一實施例中，第一水平線HL1可以具有與圖5A的第一水平線HL1實質上相同的佈置。
在另一實施例中，如圖5B所示，當在第一水平顯示區HA1中貫穿第二光學區OA2和相鄰於第二光學區OA2的一般區NA時，第一水平線HL1可以具有與圖5A的第一水平線HL1不同的佈置。
這是因為圖5B的第二光學區OA2中的發光區EA和第二透射區TA2具有與圖5A的第一光學區OA1中的發光區EA和第一透射區TA1不同的位置和佈置。
參照圖5B，當在第一水平顯示區HA1中，第一水平線HL1貫穿第二光學區OA2和相鄰於第二光學區OA2的一般區NA時，第一水平線HL1可以在垂直相鄰的第二透射區TA2之間以直線行進，而不具有弧形或彎曲部分。
例如，一條第一水平線HL1在第一光學區OA1中可以具有一個或多個弧形或彎曲部分，但在第二光學區OA2中可以不具有弧形或彎曲部分。
為了提高第二光學區OA2的透射率，第二垂直線VTL2可以貫穿第二光學區OA2，同時避開第二光學區OA2中的第二透射區TA2。
因此，貫穿第二光學區OA2的第二垂直線VTL2中的每一個可以包含圍繞一個或多個第二透射區TA2的一個或多個各自的外邊緣行進的一個或多個弧形或彎曲部分。
因此，貫穿第二光學區OA2的第二垂直線VTL2和設置在一般區NA而不貫穿第二光學區OA2的典型垂直線VTLn可以具有不同的形狀或長度。
如圖5A所示，貫穿第一光學區OA1的第一水平線HL1中的每一條、或一條或多條可以具有圍繞一個或多個第一透射區TA1的一個或多個各自的外邊緣行進的一個或多個弧形或彎曲部分。
因此，貫穿第一光學區OA1和第二光學區OA2的第一水平線HL1的長度可以略長於設置在一般區NA中而不貫穿第一光學區OA1和第二光學區OA2的第二水平線HL2的長度。
因此，貫穿第一光學區OA1和第二光學區OA2的第一水平線HL1的電阻（稱為第一電阻）可以略大於設置於一般區NA中而不貫穿第一光學區OA1和第二光學區OA2的第二水平線HL2的電阻（稱為第二電阻）。
參照圖5A和圖5B，根據一種光透射結構，由於至少部分與第一光學電子裝置11重疊的第一光學區OA1包含第一透射區TA1，而至少部分與第二光學電子裝置12重疊的第二光學區OA2包含第二透射區TA2，因此，第一光學區OA1和第二光學區OA2的單位面積像素數可以少於一般區NA。
因此，連接到貫穿第一光學區OA1和第二光學區OA2的第一水平線HL1中的每一條、或一條或多條的像素的數量可以不同於連接到僅設置在一般區NA而不貫穿第一光學區OA1和第二光學區OA2的第二水平線HL2中的每一條、或一條或多條的像素的數量。
連接到貫穿第一光學區OA1和第二光學區OA2的第一水平線HL1中的每一條、或一條或多條的像素的數量（稱為第一數量）可以少於連接到僅佈置在一般區NA而不貫穿第一光學區OA1和第二光學區OA2的第二水平線HL2中的每一條、或一條或多條的像素的數量（稱為第二數量）。
第一數量與第二數量之間的差異可以根據第一光學區OA1和第二光學區OA2中的每一個的解析度與一般區NA的解析度之間的差異而變化。例如，隨著第一光學區OA1和第二光學區OA2中的每一個的解析度與一般區NA的解析度之間的差異增加，第一數量與第二數量之間的差異可以增加。
如上所述，由於連接到貫穿第一光學區OA1和第二光學區OA2的第一水平線HL1中的每一條、或一條或多條的像素的數量（第一數量）少於連接到僅佈置在一般區NA而不貫穿第一光學區OA1和第二光學區OA2的第二水平線HL2中的每一條、或一條或多條的像素的數量（第二數量），因此第一水平線HL1與相鄰於第一水平線HL1的一個或多個其他電極或線路重疊的區域可以小於第二水平線HL2與相鄰於第二水平線HL2的一個或多個其他電極或線路重疊的區域。
因此，在第一水平線HL1與相鄰於第一水平線HL1的一個或多個其他電極或線路之間形成的寄生電容（其稱為第一電容）可以大幅小於在第二水平線HL2與相鄰於第二水平線HL2的一個或多個其他電極或線路之間形成的寄生電容，其稱為第二電容。
考慮到第一電阻與第二電阻之間的大小關係（第一電阻≥第二電阻）以及第一電容與第二電容之間的大小關係（第一電容＜＜第二電容），貫穿第一光學區OA1和第二光學區OA2的第一水平線HL1的電阻電容（RC）值（稱為第一RC值）可以大幅小於設置在一般區NA中而不貫穿第一光學區OA1和第二光學區OA2的第二水平線HL2的RC值（稱為第二RC值），即導致第一RC值＜＜第二RC值。
由於第一水平線HL1的第一RC值與第二水平線HL2的第二RC值之間的這種差異（即稱為RC負載差異），所以透過第一水平線HL1的訊號傳輸特性可以與透過第二水平線HL2的訊號傳輸特性不同。
圖6和圖7是包含含在根據本發明實施例的顯示面板110的顯示區DA中的第一光學區OA1、第二光學區OA2和一般區NA的每一個的剖面圖。
圖6示出顯示面板110的一示例，其中觸控感測器以觸控面板的形式在顯示面板110的外部實施；以及圖7示出顯示面板110的一示例，其中觸控感測器TS在顯示面板110的內部實施。
圖6和圖7各圖皆示出包含於顯示區DA中的一般區NA、第一光學區OA1和第二光學區OA2的剖面圖。
下文將參照圖6和圖7說明一般區NA的堆疊結構。第一光學區OA1和第二光學區OA2各自的發光區EA可以具有與一般區NA的發光區EA相同的堆疊結構。
參照圖6和圖7，基板SUB可以包含：第一基板SUB1；層間絕緣層IPD；以及第二基板SUB2。層間絕緣層IPD可以插入第一基板SUB1與第二基板SUB2之間。由於基板SUB包含第一基板SUB1、層間絕緣層IPD、以及第二基板SUB2，所以基板SUB可以防止或至少減少水分的滲透。第一基板SUB1和第二基板SUB2可以例如是聚醯亞胺（PI）基板。第一基板SUB1可稱為主要PI基板，而第二基板SUB2可稱為次要PI基板。
參照圖6和圖7，基板SUB上或上方可以設置：各種類型的圖案ACT、SD1、GATE，用於設置一個或多個電晶體，例如驅動電晶體DRT，或類似物；各種類型的絕緣層MBUF、ABUF1、ABUF2、GI、ILD1、ILD2、PAS0；以及各種類型的金屬圖案TM、GM、ML1、ML2。
參照圖6和圖7，多緩衝層MBUF可以設置在第二基板SUB2上，而第一主動緩衝層ABUF1可以設置在多緩衝層MBUF上。
第一金屬層ML1和第二金屬層ML2可以設置在第一主動緩衝層ABUF1上。第一金屬層ML1和第二金屬層ML2可以例如是用於遮蔽光線的光遮蔽層LS。
第二主動緩衝層ABUF2可以設置在第一金屬層ML1和第二金屬層ML2上。驅動電晶體DRT的主動層ACT可以設置在第二主動緩衝層ABUF2上。
閘極絕緣層GI可以設置以覆蓋主動層ACT。
驅動電晶體DRT的閘極電極GATE可以設置在閘極絕緣層GI上。此外，閘極材料層GM可以與驅動電晶體DRT的閘極電極GATE一起設置在閘極絕緣層GI上，其位置與設置驅動電晶體DRT的位置不同。
第一層間絕緣層ILD1可以設置以覆蓋閘極電極GATE和閘極材料層GM。金屬圖案TM可以設置在第一層間絕緣層ILD1上。金屬圖案TM可以位於與驅動電晶體DRT佈置的位置不同的位置。第二層間絕緣層ILD2可以設置以覆蓋第一層間絕緣層ILD1上的金屬圖案TM。
兩個第一源-汲極電極圖案SD1可以設置在第二層間絕緣層ILD2上。兩個第一源-汲極電極圖案SD1中的一個可以為驅動電晶體DRT的源極節點，而另一個可以為驅動電晶體DRT的汲極節點。
兩個第一源-汲極電極圖案SD1可以透過形成在第二層間絕緣層ILD2、第一層間絕緣層ILD1和閘極絕緣層GI中的接觸孔分別電性連接到主動層ACT的第一側和第二側部分。
主動層ACT與閘極電極GATE重疊的部分可以作為通道區域。兩個第一源-汲極電極圖案SD1中的一個可以連接到主動層ACT的通道區域的第一側部分，而兩個第一源-汲極電極圖案SD1中的另一個可以連接到主動層ACT的通道區域的第二側部分。
鈍化層PAS0可以設置以覆蓋兩個第一源-汲極電極圖案SD1。平坦化層PLN可以設置在鈍化層PAS0上。平坦化層PLN可以包含：第一平坦化層PLN1；以及第二平坦化層PLN2。
第一平坦化層PLN1可以設置在鈍化層PAS0上。
第二源-汲極電極圖案SD2可以設置在第一平坦化層PLN1上。第二源-汲極電極圖案SD2可以透過形成在第一平坦化層PLN1中的接觸孔連接到兩個第一源-汲極電極圖案SD1中的一個（對應於圖3的像素SP中驅動電晶體DRT的第二節點N2）。
第二平坦化層PLN2可以設置以覆蓋第二源-汲極電極圖案SD2。發光元件ED可以設置在第二平坦化層PLN2上。
根據發光元件ED的一示例堆疊結構，陽極電極AE可以設置在第二平坦化層PLN2上。陽極電極AE可以透過形成在第二平坦化層PLN2中的接觸孔電性連接到第二源-汲極電極圖案SD2。
堤部BANK可以設置以覆蓋陽極電極AE的一部分。堤部BANK與像素SP的發光區EA對應的一部分可以開放。
陽極電極AE的一部分可以透過堤部BANK的開口（開放的部分）暴露出來。發射層EL可以設置在堤部BANK的側表面上和堤部BANK的開口（開放的部分）中。發射層EL的全部或至少一部分可以位於相鄰堤部之間。
在堤部BANK的開口處，發射層EL可以與陽極電極AE接觸。陰極電極CE可以設置在發射層EL上。
發光元件ED可以藉由包含陽極電極AE、發射層EL、以及陰極電極CE來形成，如上所述。發射層EL可以包含有機材料層。
封裝層ENCAP可以設置在發光元件ED的堆疊上。
封裝層ENCAP可以具有單層結構或多層結構，例如圖6和圖7所示，封裝層ENCAP可以包含：第一封裝層PAS1；第二封裝層PCL；以及第三封裝層PAS2。
第一封裝層PAS1和第三封裝層PAS2可以例如是無機材料層，而第二封裝層PCL可以例如是有機材料層。在第一封裝層PAS1、第二封裝層PCL和第三封裝層PAS2中，第二封裝層PCL可以為最厚，並作為平坦化層。
第一封裝層PAS1可以設置在陰極電極CE上，並可以設置在最靠近發光元件ED處。第一封裝層PAS1可以包含能夠使用低溫沉積法而沉積的無機絕緣材料。例如，第一封裝層PAS1可以包含但不限於氮化矽（SiNx）、氧化矽（SiOx）、氧氮化矽（SiON）、氧化鋁（Al 2O 3），或類似物。由於第一封裝層PAS1可以在低溫環境下沉積，因此在沉積過程中，第一封裝層PAS1可以防止包含有易受高溫環境影響的有機材料的發射層EL受損。
第二封裝層PCL可以具有比第一封裝層PAS1更小的面積或尺寸。例如，第二封裝層PCL可以設置以暴露第一封裝層PAS1的兩端或邊緣。第二封裝層PCL可以作為緩衝，用於在顯示裝置100呈弧形或彎曲時緩解相應層之間的應力，亦可以用於提高平坦化性能。例如，第二封裝層PCL可以包含有機絕緣材料，如丙烯酸樹脂、環氧樹脂、聚醯亞胺、聚乙烯、矽氧碳（SiOC）或類似物。第二封裝層PCL可以例如使用噴墨方案來設置。
第三封裝層PAS2可以設置在已設置有第二封裝層PCL的基板SUB上，使得第三封裝層PAS2覆蓋第二封裝層PCL和第一封裝層PAS1各自的頂表面和側表面。第三封裝層PAS2可以最小化或防止或至少減少外部水分或氧氣滲入第一封裝層PAS1和第二封裝層PCL中。例如，第三封裝層PAS2可以包含無機絕緣材料，如氮化矽（SiNx）、氧化矽（SiOx）、氧氮化矽（SiON）、氧化鋁（Al 2O 3）、或類似物。
參照圖7，在觸控感測器TS嵌入到顯示面板110中的一示例中，觸控感測器TS可以設置在封裝層ENCAP上。下文將詳細說明觸控感測器的結構。
觸控緩衝層T-BUF可以設置在封裝層ENCAP上。觸控感測器TS可以設置在觸控緩衝層T-BUF上。
觸控感測器TS可以包含：觸控感測器金屬TSM；以及至少一個橋接金屬BRG，其等位於不同層中。
觸控層間絕緣層T-ILD可以設置在觸控感測器金屬TSM與橋接金屬BRG之間。
例如，觸控感測器金屬TSM可以包含：第一觸控感測器金屬TSM；第二觸控感測器金屬TSM；以及第三觸控感測器金屬TSM，其等彼此相鄰設置。在第三觸控感測器金屬TSM設置在第一觸控感測器金屬TSM與第二觸控感測器金屬TSM之間、且第一觸控感測器金屬TSM和第二觸控感測器金屬TSM需要彼此電性連接的實施例中，第一觸控感測器金屬TSM和第二觸控感測器金屬TSM可以透過位於不同層的橋接金屬BRG彼此電性連接。橋接金屬BRG可以透過觸控層間絕緣層T-ILD與第三觸控感測器金屬TSM電性絕緣。
當觸控感測器TS設置在顯示面板110上時，可能產生或引入對應製程中所使用的化學溶液（例如，顯影劑或蝕刻劑等）或來自外部的水分。藉由將觸控感測器TS設置在觸控緩衝層T-BUF上，即可以防止化學溶液或水分在觸控感測器TS的製程中滲透到包含有機材料的發射層EL中。因此，觸控緩衝層T-BUF可以防止或至少減少容易受到化學溶液或水分影響的發射層EL受損。
為了防止或至少減少包含有機材料的發射層EL受損，因為有機材料易受高溫影響，觸控緩衝層T-BUF可以在小於或等於預定溫度（例如100度（℃））的低溫下形成，並使用具有1至3的低介電係數的有機絕緣材料形成。例如，觸控緩衝層T-BUF可以包含丙烯酸類、環氧類或矽類材料。當顯示裝置100彎曲時，封裝層ENCAP可能受損，且位於觸控緩衝層T-BUF上的觸控感測器金屬可能破裂或破損。即使當顯示裝置100彎曲時，作為有機絕緣材料具有平坦化性能的觸控緩衝層T-BUF仍可以防止封裝層ENCAP受損及/或防止包含在觸控感測器TS中的金屬（TSM、BRG）破裂或破損。
保護層PAC可以設置以覆蓋觸控感測器TS。保護層PAC可以例如是有機絕緣層。
接下來，將參照圖6和圖7說明第一光學區OA1的堆疊結構。
參照圖6和圖7，第一光學區OA1的發光區EA可以具有與一般區NA相同的堆疊結構。因此，在下文的討論中，將不重複說明第一光學區OA1中的發光區EA，而將詳細說明第一光學區OA1中的第一透射區TA1的堆疊結構。
陰極電極CE可以設置在包含於一般區NA和第一光學區OA1中的發光區EA內，但可以不設置在第一光學區OA1中的第一透射區TA1內。例如，第一光學區OA1中的第一透射區TA1可以對應於陰極電極CE的開口。
此外，包含第一金屬層ML1和第二金屬層ML2中的至少一個的光遮蔽層LS可以設置在包含於一般區NA和第一光學區OA1中的發光區EA內，但可以不設置在第一光學區OA1中的第一透射區TA1內。例如，第一光學區OA1中的第一透射區TA1可以對應於光遮蔽層LS的開口。
設置在包含於一般區NA和第一光學區OA1中的發光區EA內的基板SUB以及各種類型的絕緣層（MBUF、ABUF1、ABUF2、GI、ILD1、ILD2、PAS0、PLN（PLN1、PLN2）、BANK、ENCAP（PAS1、PCL、PAS2）、T-BUF、T-ILD、PAC）可以相等、實質上相等或類似地設置在第一光學區OA1中的第一透射區TA1內。
然而，設置在包含於一般區NA和第一光學區OA1中的發光區EA內的全部、或一個或多個具有電性質的材料層（例如，金屬材料層、半導體層等），除了絕緣材料或層之外，可以不設置在第一光學區OA1中的第一透射區TA1內。
例如，參照圖6和圖7，與至少一個電晶體和半導體層ACT有關的全部、或一個或多個金屬材料層（ML1、ML2、GATE、GM、TM、SD1、SD2）可以不設置在第一透射區TA1中。
此外，參照圖6和圖7，包含在發光元件ED中的陽極電極AE和陰極電極CE可以不設置在第一透射區TA1中。在一些實施例中，根據設計需求，發光元件ED的發射層EL可以設置或不設置在第一透射區TA1中。
此外，參照圖7，包含在觸控感測器TS中的觸控感測器金屬TSM和橋接金屬BRG可以不設置在第一光學區OA1中的第一透射區TA1內。
因此，因為具有電性質的材料層（例如，金屬材料層、半導體層等）不設置在第一光學區OA1中的第一透射區TA1內，所以可以提供或改善第一光學區OA1中的第一透射區TA1的光透射率。因此，第一光學電子裝置11可以藉由接收透過第一透射區TA1透射的光來執行預定的功能（例如，影像感測）。
由於第一光學區OA1中的全部、或一個或多個第一透射區TA1與第一光學電子裝置11重疊，因此為了使第一光學電子裝置11能夠正常運作，較佳進一步提升第一光學區OA1中第一透射區TA1的透射率。
為此，在一些實施例中，形成在顯示裝置100的顯示面板110的第一光學區OA1中的第一透射區TA1可以具有透射率改善結構（TIS）。
參照圖6和圖7，包含在顯示面板110中的複數個絕緣層可以包含：至少一個緩衝層（MBUF、ABUF1、ABUF2），位於至少一個基板（SUB1、SUB2）與至少一個電晶體（DRT、SCT）之間；至少一個平坦化層（PLN1、PLN2），位於電晶體DRT與發光元件ED之間；至少一個封裝層ENCAP，位於發光元件ED上；以及類似物。
參照圖7，包含在顯示面板110中的複數個絕緣層可以進一步包含：觸控緩衝層T-BUF和觸控層間絕緣層T-ILD，位於封裝層ENCAP上；以及類似物。
參照圖6和圖7，第一光學區OA1中的第一透射區TA1可以具有一種其中第一平坦化層PLN1和鈍化層PAS0具有下陷部分的結構（例如，凹槽、溝槽、凹陷、突起等），該下陷部分從其各自的表面向下延伸至基板SUB作為透射率改善結構（TIS）。
參照圖6和圖7，在複數個絕緣層之中，第一平坦化層PLN1可以包含至少一個下陷（例如，凹槽、溝槽、凹陷部分、突起或類似物）。第一平坦化層PLN1可以例如是有機絕緣層。
在第一平坦化層PLN1具有從其表面向下延伸的下陷部分的示例中，第二平坦化層PLN2可以實質上作用以提供平坦化。在一實施例中，第二平坦化層PLN2亦可以具有從其表面向下延伸的下陷部分。在此實施例中，第二封裝層PCL可以實質上作用以提供平坦化。
參照圖6和圖7，第一平坦化層PLN1和鈍化層PAS0的下陷部分可以穿過用於形成電晶體DRT的絕緣層，例如第一層間絕緣層ILD1、第二層間絕緣層ILD2、閘極絕緣層GI、以及類似物，以及穿過位於該些絕緣層下面的緩衝層，例如第一主動緩衝層ABUF1、第二主動緩衝層ABUF2、多緩衝層MBUF、以及類似物，並延伸至第二基板SUB2的上部。
參照圖6和圖7，基板SUB可以包含至少一個凹陷部分或下陷部分作為透射率改善結構（TIS）。例如，在第一透射區TA1中，第二基板SUB2的上部可以向下凹入或下陷，或者可以穿透第二基板SUB2。
參照圖6和圖7，包含在封裝層ENCAP中的第一封裝層PAS1和第二封裝層PCL亦可以具有透射率改善結構（TIS），其中第一封裝層PAS1和第二封裝層PCL具有從其各自表面向下延伸的下陷部分。第二封裝層PCL可以例如是有機絕緣層。
參照圖7，為了保護觸控感測器TS，保護層PAC可以設置以覆蓋封裝層ENCAP上的觸控感測器TS。
參照圖7，保護層PAC可以在與第一透射區TA1重疊的部分具有至少一個下陷（例如，凹槽、溝槽、凹陷部分、突起或類似物）作為透射率改善結構（TIS）。保護層PAC可以例如是有機絕緣層。
參照圖7，觸控感測器TS可以包含一個或多個具有網狀類型的觸控感測器金屬TSM。在觸控感測器金屬TSM形成為網狀類型的示例中，可以在觸控感測器金屬TSM中形成複數個開口。該複數個開口中的每一個可以定位以對應像素SP的發光區EA。
為了使第一光學區OA1具有高於一般區NA的透射率，在第一光學區OA1中每單位面積的觸控感測器金屬TSM的面積或尺寸可以小於一般區NA中每單位面積的觸控感測器金屬TSM的面積或尺寸。
參照圖7，觸控感測器TS可以設置在第一光學區OA1中的發光區EA內，但可以不設置在第一光學區OA1中的第一透射區TA1內。
接下來，將參照圖6和圖7說明第二光學區OA2的堆疊結構。
參照圖6和圖7，第二光學區OA2的發光區EA可以具有與一般區NA相同的堆疊結構。因此，在下文的討論中，將不重複說明第二光學區OA2中的發光區EA，而將詳細說明第二光學區OA2中的第二透射區TA2的堆疊結構。
陰極電極CE可以設置在包含於一般區NA和第二光學區OA2中的發光區EA內，但可以不設置在第二光學區OA2中的第二透射區TA2內。例如，第二光學區OA2中的第二透射區TA2可以對應於陰極電極CE的開口。
此外，包含第一金屬層ML1和第二金屬層ML2中的至少一個的光遮蔽層LS可以設置在包含於一般區NA和第二光學區OA2中的發光區EA內，但可以不設置在第二光學區OA2中的第二透射區TA2內。例如，第二光學區OA2中的第二透射區TA2可以對應於光遮蔽層LS的開口。
在第二光學區OA2的透射率和第一光學區OA1的透射率相同的示例中，第二光學區OA2中的第二透射區TA2的堆疊結構可以與第一光學區OA1中的第一透射區TA1的堆疊結構相同。
在第二光學區OA2的透射率和第一光學區OA1的透射率不同的另一示例中，第二光學區OA2中的第二透射區TA2的堆疊結構可以至少部分與第一光學區OA1中的第一透射區TA1的堆疊結構不同。
例如，如圖6和圖7所示，當第二光學區OA2的透射率小於第一光學區OA1的透射率時，第二光學區OA2中的第二透射區TA2可以不具有透射率改善結構（TIS）。因此，第一平坦化層PLN1和鈍化層PAS0可以不凹入或下陷。此外，第二光學區OA2中的第二透射區TA2的寬度可以小於第一光學區OA1中的第一透射區TA1的寬度。
設置在包含於一般區NA和第二光學區OA2中的發光區EA內的基板SUB以及各種類型的絕緣層（MBUF、ABUF1、ABUF2、GI、ILD1、ILD2、PAS0、PLN（PLN1、PLN2）、BANK、ENCAP（PAS1、PCL、PAS2）、T-BUF、T-ILD、PAC）可以相等、實質上相等或類似地設置在第二光學區OA2中的第二透射區TA2內。
然而，設置在包含於一般區NA和第二光學區OA2中的發光區EA內之全部、或一個或多個具有電性質的材料層（例如，金屬材料層、半導體層等），除了絕緣材料或層之外，可以不設置在第二光學區OA2中的第二透射區TA2內。
例如，參照圖6和圖7，與至少一個電晶體和半導體層ACT有關之全部、或一個或多個金屬材料層（ML1、ML2、GATE、GM、TM、SD1、SD2）可以不設置在第二光學區OA2中的第二透射區TA2內。
此外，參照圖6和圖7，包含在發光元件ED中的陽極電極AE和陰極電極CE可以不設置在第二透射區TA2中。在一些實施例中，根據設計需求，發光元件ED的發射層EL可以設置或不設置在第二透射區TA2上。
此外，參照圖7，包含在觸控感測器TS中的觸控感測器金屬TSM和橋接金屬BRG可以不設置在第二光學區OA2中的第二透射區TA2內。
因此，因為具有電性質的材料層（例如，金屬材料層、半導體層等）不設置在第二光學區OA2中的第二透射區TA2內，所以可以提供或改善第二光學區OA2中的第二透射區TA2的光透射率。因此，第二光學電子裝置12可以藉由接收透過第二透射區TA2透射的光來執行預定的功能（例如，對物體或人體的接近偵測、外部照明偵測等）。
圖8是根據本發明實施例的顯示面板110的邊緣的剖面圖。
為了簡化說明，圖8示出包含第一基板SUB1和第二基板SUB2的單一基板SUB，並且位於堤部BANK下方的層或部分亦以簡化結構示出。同理，圖8示出包含第一平坦化層PLN1和第二平坦化層PLN2的單一平坦化層PLN、以及位於平坦化層PLN下面包含第二層間絕緣層ILD2和第一層間絕緣層ILD1的單一層間絕緣層INS。
參照圖8，第一封裝層PAS1可以設置在陰極電極CE上，並設置最靠近發光元件ED處。第二封裝層PCL可以具有比第一封裝層PAS1更小的面積或尺寸。例如，第二封裝層PCL可以設置以暴露第一封裝層PAS1的兩端或邊緣。
第三封裝層PAS2可以設置在其上設置有第二封裝層PCL的基板SUB上方，使得第三封裝層PAS2覆蓋第二封裝層PCL和第一封裝層PAS1各自的頂表面和側表面。
第三封裝層PAS2可以減少或防止外部水分或氧氣滲入第一封裝層PAS1和第二封裝層PCL中。
參照圖8，為了防止或至少減少封裝層ENCAP的崩陷，顯示面板110可以包含一個或多個壩（DAM1、DAM2），其位於或靠近封裝層ENCAP的傾斜表面SLP的端部或邊緣處。一個或多個壩（DAM1、DAM2）可以存在於或靠近顯示區DA與非顯示區NDA之間的邊界點。
一個或多個壩（DAM1、DAM2）可以包含與堤部BANK相同的材料DFP。
參照圖8，在一實施例中，包含有機材料的第二封裝層PCL可以僅位於第一壩DAM1的內側，第一壩DAM1在壩之間位於最接近封裝層ENCAP的傾斜表面SLP。例如，第二封裝層PCL可以不位於所有的壩（DAM1、DAM2）上。在另一實施例中，包含有機材料的第二封裝層PCL可以至少位於第一壩DAM1和第二壩DAM2中的第一壩DAM1上。
例如，第二封裝層PCL可以僅延伸到第一壩DAM1的全部、或至少一部分的上部。在另一實施例中，第二封裝層PCL可以延伸超過第一壩DAM1的上部，並延伸到第二壩DAM2的全部、或至少一部分的上部。
參照圖8，與觸控驅動電路260電性連接的觸控板TP可以設置在一個或多個壩（DAM1、DAM2）外部的部分基板SUB的上。
觸控線TL可以將包含於或作為設置在顯示區DA中的觸控電極的觸控感測器金屬TSM或橋接金屬BRG電性連接到觸控板TP。
觸控線TL的一端或邊緣可以電性連接到觸控感測器金屬TSM或橋接金屬BRG，而觸控線TL的另一端或邊緣可以電性連接到觸控板TP。
觸控線TL可以沿封裝層ENCAP的傾斜表面SLP向下行進、沿壩DAM1、DAM2各自的上部行進、並延伸至設置在壩（DAM1、DAM2）外部的觸控板TP。
參照圖8，在一實施例中，觸控線TL可以為橋接金屬BRG。在另一個實施例中，觸控線TL可以為觸控感測器金屬TSM。
圖9示出根據本發明實施例的顯示裝置的系統配置。
參照圖9，根據一實施例，顯示裝置100可以包含：顯示面板110；資料驅動電路220；閘極驅動電路230，第一電源供應電路910；以及第二電源供應電路920。
顯示面板110可以包含：複數條資料線DL1至DLm；複數條閘極線GL1至GLn；複數條第一初始化電源線VL11至VL1n和複數條電源線VL21至VL2n；以及複數個像素101，該些像素101連接至複數條資料線DL1至DLm、複數條閘極線GL1至GLn、複數條第一初始化電源線VL11至VL1n、以及複數條電源線VL21至VL2n，並且該複數個像素101配置以發光。
複數個像素101中的至少一個可以包含發光元件，用於產生驅動電流以回應對應於資料訊號的電壓，並藉由接收驅動電流來發光。
資料驅動電路220可以連接到複數條資料線DL1至DLm，並向複數條資料線DL1至DLm供應資料訊號。資料驅動電路220可以在積體電路中實施。資料驅動電路220可以接收為數位訊號的影像訊號，並產生和供應為類比訊號的資料訊號。
閘極驅動電路230可以連接到複數條閘極線GL1至GLn並向複數條閘極線GL1至GLn供應閘極訊號。儘管閘極驅動電路230顯示為位於顯示面板110的外部，但在某些情況下，閘極驅動電路230可以設置在顯示面板110中。
第一電源供應電路910可以向複數條第一初始化電源線VL11至VL1n供應第一初始化電壓。該第一初始化電壓可以具有介於第一電壓位準與第二電壓位準之間的電壓位準。該第一初始化電壓可以具有：在第一週期中的第一電壓位準；在第二週期中介於第一電壓位準與第二電壓位準之間的第三電壓位準；以及在第三週期中的第二電壓位準。在一實施例中，第二電壓位準小於第一電壓位準和第三電壓位準。在此，第一週期、第二週期和第三週期可以為連續的時間週期。儘管第一電源供應電路910顯示為位於顯示面板110的外部，但在某些情況下，第一電源供應電路910可以設置在顯示面板110中。
第二電源供應電路920可以向複數條電源線VL21至VL2n供應驅動電壓。從第二電源供應電路920供應的驅動電壓可以包含：像素驅動電壓，其為具有高位準的電壓；以及基本電壓，其為具有低位準的電壓。像素驅動電壓的電壓位準可以小於第一初始化電壓的第一電壓位準。像素驅動電壓的電壓位準可以與第一初始化電壓的第三電壓位準相同（例如，相符）。第二電源供應電路920亦可以供應第二初始化電壓。然而，從第二電源供應電路920供應的電壓並不限於此。
此外，顯示裝置100可以包含顯示控制器240，其能夠控制資料驅動電路220、閘極驅動電路230、第一電源供應電路910、以及第二電源供應電路920。顯示控制器240可以輸出影像訊號、時脈訊號、以及同步訊號。
用於感測觸控的觸控感測器可以設置在顯示裝置100上，以與顯示面板110重疊。
資料驅動電路220、閘極驅動電路230、第一電源供應電路910、以及第二電源供應電路920中的至少一個可以包含邏輯電路。在顯示裝置100以低頻率運作的情況下，可以減少邏輯電路運作的時間，並因此可以減少在包含邏輯電路的資料驅動電路220、閘極驅動電路230、第一電源供應電路910或第二電源供應電路920中的功耗，從而使顯示裝置100的功耗減少。
圖10示出根據一實施例設置在圖9所示的顯示面板中的閘極驅動電路和第一電源供應電路。
參照圖10，顯示面板110可以包含如上面前文所述的基板SUB。複數個像素101可以設置在基板SUB上。此外，用於驅動複數個像素101的各種類型的訊號線可以設置在顯示面板110中。
複數個級1000可以設置於基板SUB的一側上。然而，本發明的實施例不限於此。例如，複數個級1000可以設置在基板SUB兩側的每一側上。
圖9中所示的閘極驅動電路230和第一電源供應電路910可以使用複數個級1000設置在顯示面板110上。圖9的閘極驅動電路230可以實施為如複數個級1000之中不具有陰影線的方格所示的級1000a，而圖9的第一電源供應電路910可以實施為如複數個級1000之中具有陰影線的方格所示的級1000b。然而，顯示面板110中的級（1000a、1000b）的佈置不限於此。
包含在閘極驅動電路230中的級1000a可以依序向複數條閘極線GL輸出閘極訊號，而包含在第一電源供應電路910中的級1000b可以依序向複數條第一初始化電源線VL1施加第一初始化電壓。閘極驅動電路230和第一電源供應電路910分別示出為包含兩個級，但本發明的實施例不限於此。
此外，雖然為了便於說明，而示出基板SUB上僅設置有複數個級1000，但本發明的實施例不限於此。可以在將像素設置於基板SUB上的製程期間設置包含在閘極驅動電路230和第一電源供應電路910中的複數個級（1000a、1000b），因此，與各別連接閘極驅動電路230和第一電源供應電路910相比，製造顯示裝置100的製程可以更加簡化。
閘極驅動電路230和第一電源供應電路910可以設置在基板SUB上的非顯示區內。在閘極驅動電路230和第一電源供應電路910設置在非顯示區內的示例中，顯示裝置100的邊框可以更薄。
圖11示出根據一實施例在圖9所示的顯示裝置中所採用的像素的電路圖。
參照圖11，像素101可以包含：驅動電晶體DRT，用於使驅動電流從第二節點N2流向第三節點N3以回應第一節點N1的電壓，其中對應於資料訊號的電壓施加到第一節點N1；以及發光元件ED，用於透過來自驅動電晶體DRT的驅動電流發光。
驅動電晶體DRT的第一電極和第二電極可分別連接到第二節點N2和第三節點N3。驅動電晶體DRT的閘極電極可以連接到第一節點N1。對應於資料訊號的電壓可以施加到第一節點N1。在像素驅動電壓ELVDD施加到第二節點N2的情況下，驅動電晶體DRT可以根據施加到第一節點N1的電壓位準使電流從第二節點N2流向第三節點N3。
發光元件ED可以包含：陽極電極AE；陰極電極CE；以及發射層EL，設置在陽極電極AE與陰極電極CE之間。基本電壓ELVSS可以施加到發光元件ED的陰極電極CE。施加到發光元件ED的陰極電極CE的基本電壓ELVSS可以為接地電壓或負電壓，並且當具有高位準的電壓施加到發光元件ED的陽極電極AE時，電流可以從發光元件ED的陽極電極AE流向陰極電極CE。因此，發光元件ED可以發光。
發光元件ED可以例如為有機發光二極體（OLED）、無機發光二極體、量子點發光元件、或類似物。在使用有機發光二極體作為發光元件ED的示例中，包含在發光元件ED中的發射層EL可以包含有機發射層，其包含有機材料。
像素101可以包含：第一電晶體T1，連接在第一節點N1與第三節點N3之間，並導通以回應第一閘極訊號SCAN1；第二電晶體T2，連接在複數條資料線DL中的一條資料線DL與第二節點N2之間，並導通以回應第二閘極訊號SCAN2；第三電晶體T3，連接在像素驅動電源線VL2與第二節點N2之間，並導通以回應發射訊號EMS，其中像素驅動電源線VL2連接到用於供應像素驅動電壓ELVDD的像素驅動電源供應器；第四電晶體T4，連接在第三節點N3與發光元件ED的陽極電極AE之間，並導通以回應發射訊號EMS；第五電晶體T5，設置在第一初始化電源線VL1與第三節點N3之間，並導通以回應第三閘極訊號SCAN3，其中第一初始化電源線VL1用於傳輸第一初始化電壓Dvini；以及儲存電容器Cstg，連接在第一節點N1與像素驅動電源線VL2之間。
像素101可以包含第六電晶體T6，設置在發光元件ED的陽極電極AE與第二初始化電源線VL3之間，並導通以回應第三閘極訊號SCAN3，其中第二初始化電源線VL3用於向發光元件ED的陽極電極AE施加第二初始化電壓VAR。
第一電晶體T1的閘極電極可以連接到第一閘極線GL1，並因此，第一電晶體T1可以導通/關斷以回應透過第一閘極線GL1傳遞的第一閘極訊號SCAN1。當第一電晶體T1導通時，第一節點N1和第三節點N3可以傳導性連接，因此驅動電晶體DRT可以進入二極體連接狀態。
第二電晶體T2的閘極電極可以連接到第二閘極線GL2，並因此，第二電晶體T2可以導通/關斷以回應透過第二閘極線GL2傳遞的第二閘極訊號SCAN2。當第二電晶體T2導通時，與透過資料線DL傳遞的資料訊號Vdata對應的電壓可以傳輸到第二節點N2。
第三電晶體T3的閘極電極可以連接到發射線EML，並因此，第三電晶體T3可以導通/關斷以回應透過發射線EML傳遞的發射訊號EMS。當第三電晶體T3由發射訊號EMS導通時，用於供應像素驅動電壓ELVDD的像素驅動電源線VL2和第二節點N2可以連接，並因此，像素驅動電壓ELVDD可以施加到第二節點N2。
第四電晶體T4的閘極電極可以連接到發射線EML，並因此，第四電晶體T4可以導通/關斷以回應透過發射線EML傳遞的發射訊號EMS。當第四電晶體T4透過發射訊號EMS導通時，第三節點N3和發光元件ED的陽極電極AE可以連接，並因此，流過第三節點N3的驅動電流可以施加到發光元件ED。
第五電晶體T5的閘極電極可以連接到第三閘極線GL3，並因此，第五電晶體T5可以導通/關斷以回應透過第三閘極線GL3傳遞的第三閘極訊號SCAN3。當第五電晶體T5由第三閘極訊號SCAN3導通時，傳輸到第一初始化電源線VL1的第一初始化電壓Dvini可以傳輸到第三節點N3。由於第一初始化電壓Dvini具有比像素驅動電壓ELVDD更高的電壓位準，所以在資料訊號Vdata施加到驅動電晶體DRT的閘極電極的情況下，第一初始化電壓Dvini可以透過驅動電晶體DRT傳輸到第二節點N2。因此，第二節點N2和第三節點N3可以由第一初始化電壓Dvini初始化。
第六電晶體T6的閘極電極可以連接到第三閘極線GL3，並因此，第六電晶體T6可以導通/關斷以回應透過第三閘極線GL3傳遞的第三閘極訊號SCAN3。當第六電晶體T6由第三閘極訊號SCAN3導通時，傳輸到第二初始化電源線VL3的第二初始化電壓VAR可以傳輸到發光元件ED的陽極電極AE，並因此，陽極電極AE的電壓可以由第二初始化電壓VAR初始化。
第一電晶體T1可以為使用氧化物半導體作為N型MOS電晶體的電晶體，而驅動電晶體DRT和第二電晶體T2至第六電晶體T6可以為低溫多晶矽電晶體作為P型MOS電晶體。然而，本發明的實施例並不限於這些類型的電晶體。
與低溫多晶矽電晶體相比，使用氧化物半導體的電晶體可以減少漏電流量。反之，低溫多晶矽電晶體比使用氧化物半導體的電晶體可以具有更高載子遷移率的優勢。
因此，如果第一節點N1的電壓被漏電流降低，則顯示裝置的影像品質可能劣化，因此，第一電晶體T1可以為使用氧化物半導體的電晶體，而驅動電晶體DRT和第二電晶體T2至第六電晶體T6可以為低溫多晶矽電晶體。此外，在像素101包含使用氧化物半導體的電晶體的示例中，可以減少漏電流量，從而使顯示裝置100能夠以更大的尺寸實施。
儲存電容器Cstg的第一電極和第二電極可以分別連接到像素驅動電源線VL2和第一節點N1，並可以保持第一節點N1的電壓，其中像素驅動電源線VL2連接到用於供應像素驅動電壓ELVDD的像素驅動電源供應器。
在此，第一閘極線GL1、第二閘極線GL2、第三閘極線GL3、以及發射線EML可以對應於圖5所示的水平線HL1和HL2。然而，本發明的實施例不限於此。
圖12是示出根據一實施例在圖11中所示的像素的運作的時序圖。
參照圖12，像素101可以在彼此不同的資料寫入週期Tw和發光週期Te中運作。亦即，資料寫入週期Tw和發光週期Te不重疊。資料寫入週期Tw是指將資料訊號Vdata施加到或寫入圖11中所示的驅動電晶體DRT的閘極電極的週期，而發光週期Te是指驅動電晶體DRT透過施加到驅動電晶體DRT的閘極電極的資料訊號Vdata向發光元件ED供應驅動電流的週期。
根據一實施例，資料寫入週期Tw可以包含：第一導通偏壓應力週期OBS1；初始化週期Ti；感測週期Ts；第二導通偏壓應力週期OBS2；以及重設週期Tr。
第一導通偏壓應力週期OBS1和第二導通偏壓應力週期OBS2可以為具有高位準的電壓施加到驅動電晶體DRT的週期。即使當施加到驅動電晶體DRT的電壓變化時，也可能出現遲滯問題，其中根據變化電壓大小而變化的驅動電流並未流動。然而，如果具有高位準的電壓施加到驅動電晶體DRT，則驅動電晶體DRT的遲滯可以減少或消除。
在資料寫入週期Tw期間，驅動電流不會流向發光元件ED。在第三電晶體T3和第四電晶體T4關斷的情況下，連接到像素驅動電源供應器的像素驅動電源線VL2可以與第二節點N2中斷電性連接，並且第三節點N3和發光元件ED可以中斷電性連接。因此，沒有電流從驅動電晶體DRT流向發光元件ED。由於連接到發射線EML的第三電晶體T3和第四電晶體T4是P型MOS電晶體，所以當供應具有高位準的訊號時，第三電晶體T3和第四電晶體T4關斷，並因此，在資料寫入週期Tw中，流過發射線EML的發射訊號EMS可以以高位準供應。
此外，在第一導通偏壓應力週期OBS1中，第一閘極訊號SCAN1和第三閘極訊號SCAN3可以具有低位準，而第二閘極訊號SCAN2可以具有高位準。當第一閘極訊號SCAN1具有低位準時，第一電晶體T1關斷，因為第一電晶體T1為N型MOS電晶體。由於第二閘極訊號SCAN2具有高位準，所以第二電晶體T2可以關斷，並因此，透過資料線DL傳輸的資料訊號Vdata無法供應給第二節點N2。由於第三閘極訊號SCAN3具有低位準，所以第五電晶體T5可以導通，並因此，第一初始化電壓Dvini可以傳輸到第三節點N3。
由於傳輸到第三節點N3的第一初始化電壓Dvini高於驅動電壓，所以具有第一電壓位準V1的第一初始化電壓Dvini可以從第三節點N3傳輸到第二節點N2，並因此，驅動電晶體DRT的遲滯可以由第一初始化電壓Dvini減少或消除。
在初始化週期Ti中，第一閘極訊號SCAN1可以具有高位準，第二閘極訊號SCAN2可以具有高位準，而第三閘極訊號SCAN3可以具有低位準。當第一閘極訊號SCAN1具有高位準時，第一電晶體T1可以導通。當第一電晶體T1導通時，第一節點N1和第三節點N3可以連接，從而使第一電晶體T1轉變為二極體連接狀態。
由於第三閘極訊號SCAN3具有低位準，所以第五電晶體T5可以導通，並因此，第一初始化電壓Dvini可以傳輸到第三節點N3。傳輸到第三節點N3的第一初始化電壓Dvini可以具有小於第一電壓位準V1的第二電壓位準V2，並傳輸到第一節點N1和第二節點N2。因此，第一節點N1至第三節點N3可以由具有第二電壓位準V2的第一初始化電壓Dvini初始化。
在感測週期Ts中，第一閘極訊號SCAN1可以具有高位準，而第三閘極訊號SCAN3可以具有高位準，且當第一閘極訊號SCAN1和第三閘極訊號SCAN3保持在高位準時，第二閘極訊號SCAN2可以在1H週期中（一個水平週期）具有低位準。由於第一閘極訊號SCAN1和第三閘極訊號SCAN3處於高位準，所以第一電晶體T1可以導通，而第五電晶體T5可以關斷。
當第二閘極訊號SCAN2為低位準時，第二電晶體T2導通，且流過資料線DL的資料訊號Vdata可以傳輸到第二節點N2。此時，由於第一電晶體T1保持導通，電流可以透過施加到第二節點N2的資料訊號Vdata從第二節點N2流向第三節點N3，並且與從第二節點N2流向第三節點N3的電流對應的電壓可以施加到或寫入第一節點N1。施加到或寫入第二節點N2的電壓可以為對應於資料訊號Vdata和驅動電晶體DRT的閾值電壓的電壓。
在第二導通偏壓應力週期OBS2中，第一閘極訊號SCAN1和第三閘極訊號SCAN3可以具有低位準，而第二閘極訊號SCAN2可以具有高位準。第一電晶體T1可以由第一閘極訊號SCAN1關斷，而第二電晶體T2可以由第二閘極訊號SCAN2關斷。第五電晶體T5可以由第三閘極訊號SCAN3導通。
當第一閘極訊號SCAN1為低位準時，第一電晶體T1關斷。由於第二閘極訊號SCAN2具有高位準，所以第二電晶體T2可以關斷，並因此，透過資料線DL傳輸的資料訊號Vdata無法供應給第二節點N2。由於第五電晶體T5導通，所以第一初始化電壓Dvini可以傳輸到第三節點N3。由於傳輸到第三節點N3的第一初始化電壓Dvini高於像素驅動電壓ELVDD，所以傳輸到第三節點N3之具有第一位準V1的第一初始化電壓Dvini可以傳輸到第二節點N2。因此，當第一初始化電壓Dvini施加到第二節點N2和第三節點N3時，第一電晶體T1的遲滯可以減少或消除。
特別是，當顯示裝置100以相對較低的頻率驅動時，施加到驅動電晶體DRT的電壓變化的週期非常長，並因此，透過在第一導通偏壓應力週期OBS1和第二導通偏壓應力週期OBS2中施加的第一初始化電壓Dvini，即可以大幅提升減少或消除驅動電晶體DRT的遲滯的功效。此外，當顯示裝置100在低頻率下驅動時，顯示裝置100的功耗可以減少。
在第二導通偏壓應力週期OBS2期間，隨著第一初始化電壓Dvini施加到第二節點N2，第二節點N2的電壓可以具有比像素驅動電壓ELVDD高的位準。當發光週期Te在第二節點N2的電壓位準高於像素驅動電壓ELVDD的情況下開始時，第三電晶體T3和第四電晶體T4可以由發射訊號EMS導通，並且第一電晶體T1可以使驅動電流從第二節點N2流向第三節點N3，其中該驅動電流透過儲存在第一節點N1中的資料訊號Vdata和對應於第一電晶體T1的閾值電壓的電壓已對第一電晶體T1的閾值電壓進行補償，從而使驅動電流流過發光元件ED。
當第三電晶體T3導通時，隨著供應像素驅動電壓ELVDD的像素驅動電源線VL2連接到第二節點N2，第二節點N2的電壓可以從高於像素驅動電壓ELVDD的第一初始化電壓Dvini的第一電壓位準V1降低到像素驅動電壓ELVDD的電壓位準。在這種情況下，第二節點N2的電壓需花費時間才能達到這樣的位準（即降低）。
然而，如果在第二節點N2的電壓沒有充分降低的情況下開始發光週期Te，則在發光週期Te中，其為向發光元件ED供應驅動電流的週期，第二節點N2的電壓可以保持在高於像素驅動電壓ELVDD的電壓位準的位準。因此，像素驅動電壓ELVDD與基本電壓ELVSS之間的電壓差可以增加，並因此，流向發光元件ED的驅動電流量可以增加。特別是，當像素顯示低灰度時，驅動電流量增加，並因此，有可能顯示得比預期程度更亮。
為了解決此問題，較佳的是將第二節點N2和第三節點N3的電壓位準初始化為對應於發光週期Te中像素驅動電壓ELVDD的電壓位準。因此，在第二導通偏壓應力週期OBS2之後，可以執行重設週期Tr，用於將第二節點N2和第三節點N3初始化至像素驅動電壓ELVDD的電壓位準。
第一初始化電壓Dvini可以具有介於第一電壓位準V1與第二電壓位準V2之間的電壓位準。第一初始化電壓Dvini可以具有：在第一週期T1中的第一電壓位準V1；在第一週期T1之後的第二週期T2中介於第一電壓位準V1與第二電壓位準V2之間的第三電壓位準V3；以及在第二週期T2之後的第三週期T3中的第二電壓位準V2。第一週期T1可以與第二導通偏壓應力週期OBS2重疊，而第二週期T2可以與重設週期Tr重疊。
因此，在重設週期Tr中，傳輸到第二節點N2和第三節點N3的第一初始化電壓Dvini的電壓位準可以具有對應於像素驅動電壓ELVDD的電壓位準的第三電壓位準V3。結果，第二節點N2和第三節點N3具有與像素驅動電壓ELVDD相同的電壓位準，並因此，可以防止或至少減少流過像素101的驅動電流量增加。進而可以改善顯示裝置100的影像品質。
此外，由於第二節點N2和第三節點N3可以重設至像素驅動電壓ELVDD的電壓位準，而不需要在像素101中增加分離的訊號線，所以即使第二節點N2和第三節點N3重設，仍可以防止或減少顯示裝置100的孔徑比降低，並可以簡化像素101的設計。具體而言，即使不在顯示裝置100的像素101中設置額外的線路，仍可以防止或減少圖1A至圖1C中所示的每一個光學區（OA1、OA2）中的孔徑比降低。
由於第六電晶體T6導通/關斷以回應第三閘極訊號SCAN3，所以用於將發光元件ED的陽極電極AE初始化的第二初始化電壓VAR可以在第一導通偏壓應力週期OBS1、第二導通偏壓應力週期OBS2、以及重設週期Tr中供應，並因此，發光元件ED的陽極電極AE可以由第二初始化電壓VAR初始化。
圖13示出根據一實施例在圖9中所示的第一電源供應電路的配置。
參照圖13，第一電源供應電路910可以包含複數個級1301至1304。複數個級1301至1304中的每一個可以對應圖10中所示的級1000b。複數個級1301至1304可以產生第一初始化電壓（Dvini[n-1]、Dvini[n]、Dvini[n+1]、Dvini[n+2]）和進位訊號（Carry_Vini[n-1]、Carry_Vini[n]、Carry_Vini[n+1]、Carry_Vini[n+2]），其等分別依序輸出。
複數個級1301至1304中的每一個可以接收：具有第一電壓位準V1的高電壓（VGH）；具有第二電壓位準V2的低電壓（VGL）；以及具有第三電壓位準V3的驅動電壓VDD，並輸出第一初始化電壓Dvini，從而使第一初始化電壓Dvini的電壓位準依序具有第一電壓位準V1、第三電壓位準V3、以及第二電壓位準V2。驅動電壓VDD的電壓位準可以與圖11中所示的像素驅動電壓ELVDD相同。
此外，從第一電源供應電路910供應的第一初始化電壓Dvini可以包含：第（n-1）個第一初始化電壓Dvini[n-1]；第n個第一初始化電壓Dvini[n]；第（n+1）個第一初始化電壓Dvini[n+1]；以及第（n+2）第一初始化電壓Dvini[n+2]，其等依序輸出。此外，第（n-1）個第一初始化電壓（Dvini[n-1]）可以指傳輸給接收資料訊號以回應透過複數條閘極線中的第（n-1）閘極線所傳遞的閘極訊號的像素的第一初始化電壓；第n個第一初始化電壓（Dvini[n]）可以指傳輸給接收資料訊號以回應透過複數條閘極線中的第n閘極線所傳遞的閘極訊號的像素的第一初始化電壓；此外，第（n+1）個第一初始化電壓（Dvini[n+1]）可以指傳輸給接收資料訊號以回應透過複數條閘極線中的第（n+1）閘極線所傳遞的閘極訊號的像素的第一初始化電壓；以及第（n+2）個第一初始化電壓（Dvini[n+2]）可以指傳輸給接收資料訊號以回應透過複數條閘極線中的第（n+2）閘極線所傳遞的閘極訊號的像素的第一初始化電壓。
第一電源供應電路910可以包含：第（n-1）級1301，用於輸出第（n-1）進位訊號Carry_Vini[n-1]和第（n-1）個第一初始化電壓Dvini[n-1]；第n級1302，用於輸出第n進位訊號Carry_Vini[n]和第n個第一初始化電壓Dvini[n]；第（n+1）級1303，用於輸出第（n+1）進位訊號Carry_Vini[n+1]和第（n+1）個第一初始化電壓Dvini[n+1]；以及第（n+2）級1304，用於輸出第（n+2）進位訊號Carry_Vini[n+2]和第（n+2）個第一初始化電壓Dvini[n+2]。
第n級1302可以在第一週期T1中輸出具有第一電壓位準V1的第n個第一初始化電壓Dvini[n] 以回應第（n-1）進位訊號Carry_Vini[n-1]，並在第二週期T2中輸出具有對應於驅動電壓VDD的第三電壓位準V3的第n個第一初始化電壓Dvini[n] 以回應第（n+2）進位訊號Carry_Vini[n+2]。
圖14和圖15是根據一實施例在圖13中所示的第n級的電路圖。
參照圖14和圖15，第n級1302可以包含：第一開關SW1，其包含第一電極、第二電極和閘極電極，其等可以分別連接到用於供應第一低電壓VGL1的第一低電壓供應器、輸出節點No、以及Q節點Q，並根據第（n-1）進位訊號Carry_Vini[n-1]，透過Q節點Q的電壓將第一低電壓VGL1施加到輸出節點No；第二開關SW2，其包含第一電極、第二電極和閘極電極，其等可以分別連接到用於供應第一高電壓VGH1的第一高電壓供應器、輸出節點No、以及QB節點QB，並根據第（n-1）進位訊號Carry_Vini[n-1]，透過QB節點QB的電壓將第一高電壓VGH1施加到輸出節點No；第三開關SW3，其包含第一電極、第二電極和閘極電極，其等可以分別連接到輸出節點No、第一輸出端OUT1、以及進位訊號線，其中第（n+2）進位訊號Carry_Vini[n+2]透過該進位訊號線供應；第四開關SW4，其包含第一電極、第二電極和閘極電極，其等可以分別連接到用於供應驅動電壓VDD的驅動電源供應器、第一輸出端OUT1、以及進位訊號線，其中第（n+2）進位訊號Carry_Vini[n+2]透過該進位訊號線供應，並且第四開關SW4以與第三開關SW3相反的方式運作；第五開關SW5，其包含第一電極、第二電極和閘極電極，其等可以分別連接到用於供應第二低電壓VGL2的第二低電壓供應器、第二輸出端OUT2、以及輸出節點No；以及第六開關SW6，其包含第一電極、第二電極和閘極電極，其等可以分別連接到用於供應第二高電壓VGH2的第二高電壓供應器、第二輸出端OUT2、以及QB節點QB。
第n個第一初始化電壓Dvini[n]可以輸出到第一輸出端OUT1，而第n進位訊號Carry_Vini[n]可以輸出到第二輸出端OUT2。
第一高電壓VGH1可以對應於第一初始化電壓Dvini的第一電壓位準V1，而第一低電壓VGL1可以對應於第一初始化電壓Dvini的第二電壓位準V2。驅動電壓VDD可以對應於第一初始化電壓Dvini的第三電壓位準V3。
在圖14中，第四開關SW4可以透過反相器INV接收第（n+2）進位訊號Carry_Vini[n+2]，從而以與第三開關SW3相反的方式運作。此外，在圖15中，第一開關SW1至第三開關SW3、第五開關SW5、以及第六開關SW6可以為P型MOS電晶體，而第四開關SW4可以為N型MOS電晶體，並因此，即使第三開關SW3和第四開關SW4接收到相同的第（n+2）進位訊號Carry_Vini[n+2]，第四開關SW4仍可以以與第三開關SW3相反的方式運作。例如，當第三開關SW3導通時，第四開關SW4可以關斷，而當第三開關SW3關斷時，第四開關SW4可以導通。
此外，第n級1302可以包含：第一電容器CB，設置在Q節點Q與輸出節點No之間；第二電容器CQB，設置在QB節點QB與用於供應第一高電壓VGH1的高電壓電源供應器之間；以及第三電容器CBUF，設置在輸出節點No與用於供應第二低電壓VGL2的低電壓電源供應器之間。Q節點Q的電壓可以由第一電容器CB保持。QB節點QB的電壓可以由第二電容器CQB保持。輸出節點No與第二低電壓電源供應器之間的電壓差可以由第三電容器CBUF保持。
此外，第n級1302可以包含第七開關SW7至第十一開關SW11。第七開關SW7和第八開關SW8可以串聯設置在輸入第（n-1）進位訊號Carry_Vini[n-1]的輸入端與Q節點Q之間，並使第（n-1）進位訊號Carry_Vini[n-1]供應到Q節點Q。
時脈訊號GCLK可以供應到第七開關SW7的閘極電極，並因此，第七開關SW7可以導通/關斷以回應時脈訊號GCLK。
第八開關SW8可以由第一低電壓VGL1導通。
第九開關SW9可以設置在第七開關SW7的閘極電極與QB節點QB之間。第十開關SW10可以連接在QB節點QB與用於供應第一高電壓VGH1的高電壓電源供應器之間，並且其閘極電極可以連接到介於第七開關SW7與第八開關SW8之間的Q2節點Q2。第十一開關SW11可以設置在第一高電壓電源供應器與第九開關SW9的閘極電極（Q1節點Q1）之間，並且輸入第（n-1）進位訊號Carry_Vini[n-1]的輸入端可以連接到第十一開關SW11的閘極電極。此外，第四電容器C_ON可以設置在第九開關SW9的閘極電極與時脈訊號輸入端之間。
在此，第一高電壓VGH1和第二高電壓VGH2的電壓位準可以彼此不同。第一低電壓VGL1和第二低電壓VGL2的電壓位準可以彼此不同。然而，本發明的實施例不限於此。在一些實施例中，第一高電壓VGH1、第二高電壓VGH2以及第一低電壓VGL1和第二低電壓VGL2可以從圖9所示的第二電源供應電路920供應給第一電源供應電路910。
圖16是示出圖14或圖15中所示的級的運作的時序圖。
參照圖16，在第一週期T11中，第（n-1）進位訊號Carry_Vini[n-1]和時脈訊號GCLK[n]可以具有高位準，而第（n+2）進位訊號Carry_Vini[n+2]可以具有低位準。透過第（n-1）進位訊號Carry_Vini[n-1]和時脈訊號GCLK[n]，第二開關SW2、第七開關SW7、第九開關SW9、第十開關SW10、以及第十一開關SW11可以關斷，而第五開關SW5可以導通。透過第（n+2）進位訊號Carry_Vini[n+2]的低位準，第三開關SW3可以導通，而第四開關SW4可以關斷。第八開關SW8可以導通。
因此，從第一低電壓電源供應器供應的第一低電壓VGL1可以透過第一開關SW1和第三開關SW3輸出到第一輸出端OUT1，並因此，第n個第一初始化電壓Dvini[n]可以具有第二電壓位準V2。此外，從第二低電壓電源供應器供應的第二低電壓VGL2可以透過第五開關SW5輸出到第二輸出端OUT2，並因此，第n進位訊號Carry_Vini[n]可以具有低位準。
在第二週期T12中，第（n-1）進位訊號Carry_Vini[n-1]可以具有高位準，第（n+2）進位訊號Carry_Vini[n+2]可以具有低位準，並且時脈訊號GCLK[n]可以具有低位準。透過第（n-1）進位訊號Carry_Vini[n-1]和時脈訊號GCLK[n]，第一開關SW1、第五開關SW5、第七開關SW7、第十開關SW10、以及第十一開關SW11可以關斷，而第二開關SW2、第六開關SW6、以及第九開關SW9可以導通。透過第（n+2）進位訊號Carry_Vini[n+2]的低位準，第三開關SW3可以導通，而第四開關SW4可以關斷。第八開關SW8可以導通。
因此，從第一高電壓電源供應器供應的第一高電壓VGH1可以透過第二開關SW2和第三開關SW3輸出到第一輸出端OUT1，並因此，第n個第一初始化電壓Dvini[n]可以具有第一電壓位準V1。此外，從第一高電壓電源供應器供應的第一高電壓VGH1可以透過第六開關SW6輸出到第二輸出端OUT2，並因此，第n進位訊號Carry_Vini[n]可以以高位準輸出。
在第三週期T13中，第（n-1）進位訊號Carry_Vini[n-1]可以具有低位準，第（n+2）進位訊號Carry_Vini[n+2]可以具有低位準，並且時脈訊號GCLK[n]可以具有高位準。透過第（n-1）進位訊號Carry_Vini[n-1]和時脈訊號GCLK[n]，第一開關SW1、第五開關SW5、第七開關SW7、第九開關SW9、以及第十開關SW10可以關斷，而第二開關SW2、第六開關SW6、以及第十一開關SW11可以導通。透過具有低位準的第（n+2）進位訊號Carry_Vini[n+2]，第三開關SW3可以導通，而第四開關SW4可以關斷。第八開關SW8可以導通。
因此，從第一高電壓電源供應器供應的第一高電壓VGH1可以透過第二開關SW2和第三開關SW3輸出到第一輸出端OUT1，並因此，第n個第一初始化電壓Dvini[n]可以具有第一電壓位準V1。此外，從第二高電壓電源供應器供應的第二高電壓VGH2可以透過第六開關SW6輸出到第二輸出端OUT2，並因此，第n進位訊號Carry_Vini[n]可以具有高位準。
在第四週期T14中，第（n-1）進位訊號Carry_Vini[n-1]和時脈訊號GCLK[n]可以具有低位準，而第（n+2）進位訊號Carry_Vini[n+2]可以具有高位準。透過第（n-1）進位訊號Carry_Vini[n-1]和時脈訊號GCLK[n]，第二開關SW2、第六開關SW6、以及第九開關SW9可以關斷，而第一開關SW1、第五開關SW5、第七開關SW7、以及第十開關SW10可以導通。透過具有高位準的第（n+2）進位訊號Carry_Vini[n+2]，第三開關SW3可以關斷，而第四開關SW4可以導通。第八開關SW8可以導通。
因此，儘管從第一低電壓電源供應器供應的第一低電壓VGL1透過第一開關SW1傳輸到輸出節點No，由於第三開關SW3關斷，所以第一低電壓VGL1仍無法輸出到第一輸出端OUT1。然而，由於第四開關SW4導通，所以驅動電壓VDD可以透過第四開關SW4傳輸到第一輸出端OUT1，並因此，第n個第一初始化電壓Dvini[n]可以具有第三電壓位準V3，其為驅動電壓VDD的電壓位準。此外，從第二低電壓電源供應器供應的第二低電壓VGL2可以透過第五開關SW5輸出到第二輸出端OUT2，並因此，第n進位訊號Carry_Vini[n]可以以低位準輸出。
在第五週期T15中，第（n-1）進位訊號Carry_Vini[n-1]可以具有低位準，而時脈訊號GCLK[n]和第（n+2）進位訊號Carry_Vini[n+2]可以具有高位準。透過第（n-1）進位訊號Carry_Vini[n-1]和時脈訊號GCLK[n]，第二開關SW2、第六開關SW6、第七開關SW7、以及第九開關SW9可以關斷，而第一開關SW1、第五開關SW5、第十開關SW10、第十一開關SW11可以導通。透過具有高位準的第（n+2）進位訊號Carry_Vini[n+2]，第三開關SW3可以關斷，而第四開關SW4可以導通。第八開關SW8可以導通。
因此，從第一低電壓電源供應器供應的第一低電壓VGL1可以透過第一開關SW1傳輸到輸出節點No。然而，由於第三開關SW3關斷，所以第一低電壓VGL1仍無法透過第一輸出端OUT1輸出。然而，由於第四開關SW4導通，所以驅動電壓VDD可以透過第四開關SW4傳輸到第一輸出端OUT1，並因此，第n個第一初始化電壓Dvini[n]可以具有第三電壓位準V3，其為驅動電壓VDD的電壓位準。此外，從第二低電壓電源供應器供應的第二低電壓VGL2可以透過第五開關SW5輸出到第二輸出端OUT2，並因此，第n進位訊號Carry_Vini[n]可以以低位準輸出。
如上所述，第n個第一初始化電壓Dvini[n]具有：在第一週期T11中的第二電壓位準V2；在第二週期T12和第三週期T13中的第一電壓位準V1；以及在第四週期T14和第五週期T15中的第三電壓位準V3。當經過第五週期T15後，第n個第一初始化電壓Dvini[n]再次具有第二電壓位準V2。
因此，第n個第一初始化電壓Dvini[n]具有介於第一電壓位準V1與第二電壓位準V2之間的電壓位準，並依第一電壓位準V1、第三電壓位準V3、以及第二電壓位準V2的順序逐步降低。此外，藉由將重設週期Tr和第n個第一初始化電壓Dvini[n]具有第三電壓位準V3的週期配置為彼此重疊，則在第二導通偏壓應力週期OBS2之後，像素的第二節點N2和第三節點N3即可以重設到具有第三電壓位準V3的第n個第一初始化電壓Dvini[n]。
此外，在第n級1302中，在第一週期T1中，可以根據Q節點Q的電壓和QB節點QB的電壓，以對應於高電壓的第一電壓位準V1輸出第n個第一初始化電壓Dvini[n]；在第二週期T2中，可以根據Q節點Q的電壓和QB節點QB的電壓，以對應於驅動電壓VDD的第三電壓位準V3輸出第n個第一初始化電壓Dvini[n]；以及在第三週期T3中，可以根據Q節點Q的電壓和QB節點QB的電壓，以第二電壓位準V2輸出第n個第一初始化電壓Dvini[n]。例如，當Q節點Q的電壓為正電壓時，則QB節點QB的電壓可以為負電壓；而當Q節點Q的電壓為負電壓時，則QB節點QB的電壓可以為正電壓。
上述說明係為使本技術領域中具有通常知識者能創造並使用本發明的技術思想，並針對特定的用途及其必要條件所提供。針對所述實施例之各種修改、補充及替換對於本技術領域中具有通常知識者係顯而易見的，並且在未脫離本發明之精神及範圍的情況下，本發明所界定的一般原則亦適用於其他實施例及用途。上述說明及圖式為本發明的技術思想提供示例，並僅供說明之用。亦即，本發明所揭露的實施例旨在陳述本發明技術思想的範圍。因此，本發明的範圍不限於所示實施例，而應給予與申請專利範圍一致之最廣範圍。本發明的保護範圍應基於申請專利範圍加以解釋，其均等範圍內的所有技術思想皆應解釋為包含於本發明的範圍內。
本申請主張2021年11月30日於韓國智慧財產局提出之韓國專利申請第10-2021-0169468號的優先權，其全文內容作為參考文獻併入本發明中。
11:光學電子裝置、第一光學電子裝置 12:光學電子裝置、第二光學電子裝置 100:顯示裝置 101,SP:像素 110:顯示面板 220:資料驅動電路 230:閘極驅動電路 240:顯示控制器 250:主機系統 260:觸控驅動電路 270:觸控控制器 910:第一電源供應電路 920:第二電源供應電路 1000,1000a,1000b,1301~1304:級 ABUF1:第一主動緩衝層 ABUF2:第二主動緩衝層 ACT:主動層 AE:陽極電極 BANK:堤部 BRG:橋接金屬 C_ON:第四電容器 Carry_Vini[n-1]:第（n-1）進位訊號 Carry_Vini[n]:第n進位訊號 Carry_Vini[n+1]:第（n+1）進位訊號 Carry_Vini[n+2]:第（n+2）進位訊號 CB:第一電容器 CBUF:第三電容器 CE:陰極電極 CQB:第二電容器 Cst,Cstg:儲存電容器 DA:顯示區 DAM1:壩、第一壩 DAM2:壩、第二壩 Data:影像資料 DCS:資料驅動控制訊號 DFP:材料 DL,DL1~DLm:資料線 DRT:驅動電晶體 Dvini:第一初始化電壓 Dvini[n-1]:第（n-1）第一初始化電壓 Dvini[n]:第n第一初始化電壓 Dvini[n+1]:第（n+1）第一初始化電壓 Dvini[n+2]:第（n+2）第一初始化電壓 DVL:驅動電壓線 EA:發光區 ED:發光元件 EL:發射層 ELVDD:像素驅動電壓 ELVSS:基本電壓 EML:發射線 EMS:發射訊號 ENCAP:封裝層 GATE:閘極電極 GCLK,GCLK[n]:時脈訊號 GCS:閘極驅動控制訊號 GI:閘極絕緣層 GL,GL1~GLn:閘極線 GM:閘極材料層 HA1:第一水平顯示區 HA2:第二水平顯示區 HL1:水平線、第一水平線 HL2:水平線、第二水平線 ILD1:第一層間絕緣層 ILD2:第二層間絕緣層 INS:層間絕緣層 INV:反相器 IPD:層間絕緣層 LS:光遮蔽層 MBUF:多緩衝層 ML1:第一金屬層 ML2:第二金屬層 N1:第一節點 N2:第二節點 N3:第三節點 NA:一般區 NDA:非顯示區 No:輸出節點 OA1:第一光學區 OA2:第二光學區 OBS1:第一導通偏壓應力週期 OBS2:第二導通偏壓應力週期 OUT1:第一輸出端 OUT2:第二輸出端 PAC:保護層 PAS0:鈍化層 PAS1:第一封裝層 PAS2:第三封裝層 PCL:第二封裝層 PLN:平坦化層 PLN1:第一平坦化層 PLN2:第二平坦化層 Q:Q節點 Q1:Q1節點 Q2:Q2節點 QB:QB節點 SCAN:掃描訊號 SCAN1:第一閘極訊號 SCAN2:第二閘極訊號 SCAN3:第三閘極訊號 SCT:掃描電晶體 SD1:第一源-汲極電極圖案 SD2:第二源-汲極電極圖案 SLP:傾斜表面 SUB:基板 SUB1:第一基板 SUB2:第二基板 SW1:第一開關 SW2:第二開關 SW3:第三開關 SW4:第四開關 SW5:第五開關 SW6:第六開關 SW7:第七開關 SW8:第八開關 SW9:第九開關 SW10:第十開關 SW11:第十一開關 T1:第一電晶體（圖11） T2:第二電晶體（圖11） T3:第三電晶體（圖11） T4:第四電晶體 T5:第五電晶體 T6:第六電晶體 T1:第一週期（圖12） T11:第一週期 T2:第二週期（圖12） T12:第二週期 T3:第三週期（圖12） T13:第三週期 T14:第四週期 T15:第五週期 TA1:第一透射區 TA2:第二透射區 T-BUF:觸控緩衝層 Te:發光週期 Ti:初始化週期 T-ILD:觸控層間絕緣層 TL:觸控線 TM:金屬圖案 TP:觸控板 Tr:重設週期 Ts:感測週期 TS:觸控感測器 TSM:觸控感測器金屬 Tw:資料寫入週期 V1:第一電壓位準 V2:第二電壓位準 V3:三電壓位準 VAR:第二初始化電壓 Vdata:資料訊號、資料電壓 VDD:驅動電壓 VGH1:第一高電壓 VGH2:第二高電壓 VGL1:第一低電壓 VGL2:第二低電壓 VL1,VL11~VL1n:第一初始化電源線 VL2:像素驅動電源線 VL21~VL2n:電源線 VL3:第二初始化電源線 VTL1:第一垂直線 VTL2:第二垂直線 VTLn:典型垂直線
圖式係為進一步理解本發明，其併入本發明並構成本發明的一部分、示出本發明的各種態樣，並與說明書一併用於闡述本發明的原理。圖式中： 圖1A、圖1B及圖1C是示出根據本發明實施例的顯示裝置的平面圖； 圖2示出根據本發明實施例的顯示裝置的系統配置； 圖3示出在根據本發明實施例的顯示面板中的像素的等效電路； 圖4示出在包含在根據本發明實施例的顯示面板的顯示區中的三個區域內的像素的佈置； 圖5A示出在根據本發明實施例的顯示面板中於第一光學區和一般區的每一個中的訊號線的佈置； 圖5B示出在根據本發明實施例的顯示面板中於第二光學區和一般區的每一個中的訊號線的佈置； 圖6和圖7是包含在根據本發明實施例之態樣的顯示面板的顯示區中的第一光學區、第二光學區和一般區中的每一個的剖面圖； 圖8是根據本發明實施例的顯示面板的邊緣的剖面圖； 圖9示出根據本發明實施例的顯示裝置的系統配置； 圖10示出根據本發明實施例設置在圖9所示的顯示面板中的閘極驅動電路和第一電源供應電路； 圖11示出根據本發明實施例在圖9所示的顯示裝置中所採用的像素的電路圖； 圖12是示出根據本發明實施例在圖11所示的像素的運作的時序圖； 圖13示出根據本發明實施例在圖9所示的第一電源供應電路的配置； 圖14和圖15是根據本發明實施例在圖13所示的第n級的電路圖；以及 圖16是根據本發明實施例在圖14或圖15所示的級的運作的時序圖。
100:顯示裝置
101,SP:像素
110:顯示面板
220:資料驅動電路
230:閘極驅動電路
240:顯示控制器
910:第一電源供應電路
920:第二電源供應電路
DL1~DLm:資料線
GCS:閘極驅動控制訊號
GL1~GLn:閘極線
VL11~VL1n:第一初始化電源線
VL21~VL2n:電源線

Claims (20)

  1. 一種顯示裝置，包括： 一顯示面板，其包括複數條閘極線、複數條資料線、複數條第一初始化電源線、複數條電源線、以及複數個像素，該些像素連接到該複數條閘極線、該複數條資料線、該複數條第一初始化電源線和該複數條電源線，該複數個像素配置以在該顯示裝置的一發光週期發光； 一資料驅動電路，配置以向該複數條資料線供應資料訊號； 一閘極驅動電路，配置以向該複數條閘極線供應閘極訊號； 一第一電源供應電路，配置以向該複數條第一初始化電源線供應一第一初始化電壓，該第一初始化電壓具有介於一第一電壓位準與一第二電壓位準之間變化的一電壓位準；以及 一第二電源供應電路，配置以向該複數條電源線之中的複數條像素驅動電源線供應一像素驅動電壓， 其中，該複數個像素中的至少一個像素包括： 一驅動電晶體，用於使一驅動電流從一第二節點流向一第三節點以回應一第一節點的一電壓，對應於一資料訊號的一電壓施加到該第一節點；以及 一發光元件，用於發光以回應該驅動電流，以及 其中，當該發光元件在該發光週期前不發光時，對應於該資料訊號的該電壓施加到該第一節點，以及隨後使用該第一初始化電壓將該第二節點和該第三節點初始化，該第一初始化電壓具有：在一第一週期中的該第一電壓位準；在該第一週期之後的一第二週期中介於該第一電壓位準與該第二電壓位準之間的一第三電壓位準；以及在該第二週期之後的一第三週期中的該第二電壓位準。
  2. 如請求項1所述之顯示裝置，其中，該至少一個像素產生該驅動電流以回應該像素驅動電壓和該第一節點的該電壓，並且該第一初始化電壓的該第三電壓位準與該像素驅動電壓的一電壓位準相符。
  3. 如請求項1所述之顯示裝置，其中，該至少一個像素進一步包括： 一第一電晶體，連接在該第一節點與該第三節點之間，該第一電晶體導通以回應一第一閘極訊號； 一第二電晶體，連接在來自該複數條資料線中的一條資料線與該第二節點之間，該第二電晶體導通以回應一第二閘極訊號； 一第三電晶體，連接在該第二節點與該像素驅動電源線之間，該像素驅動電源線連接到一像素驅動電源供應器，該第三電晶體導通以回應一發射訊號； 一第四電晶體，連接在該第三節點與該發光元件的一陽極電極之間，該第四電晶體導通以回應該發射訊號； 一第五電晶體，設置在該第三節點與該複數條第一初始化電源線之中的一條初始化電源線之間，該第一初始化電源線傳輸該第一初始化電壓，該第五電晶體導通以回應一第三閘極訊號；以及 一儲存電容器，連接在該第一節點與該像素驅動電源線之間。
  4. 如請求項3所述之顯示裝置，其中，回應該第三閘極訊號，該第五電晶體在該資料訊號施加到該第一節點之前導通，並且該第五電晶體在該資料訊號施加到該第一節點之後導通， 其中，當該資料訊號施加到該第一節點時，該第一電晶體關斷。
  5. 如請求項3所述之顯示裝置，其中，該至少一個像素進一步包括： 一第六電晶體，設置在該發光元件的該陽極電極與一第二初始化電源線之間，該第二初始化電源線在該第六電晶體導通時向該發光元件的該陽極電極施加一第二初始化電壓，該第六電晶體導通以回應該第三閘極訊號。
  6. 如請求項1所述之顯示裝置，其中，該第一電源供應電路包括複數個級，該複數個級中的每一個配置以接收：具有該第一電壓位準的一第一高電壓；具有該第二電壓位準的一第一低電壓；以及具有該第三電壓位準的一驅動電壓，並供應該第一初始化電壓，使得該第一初始化電壓依序具有該第一電壓位準、該第三電壓位準、以及該第二電壓位準。
  7. 如請求項6所述之顯示裝置，其中，該第一初始化電壓包括：一第（n-1）個第一初始化電壓；一第n個第一初始化電壓；一第（n+1）個第一初始化電壓；以及一第（n+2）個第一初始化電壓，其等依序輸出， 其中，該複數個級包括：一第（n-1）級，配置以輸出一第（n-1）進位訊號和該第（n-1）個第一初始化電壓；一第n級，配置以輸出一第n進位訊號和該第n個第一初始化電壓；一第（n+1）級，配置以輸出一第（n+1）進位訊號和該第（n+1）個第一初始化電壓；以及一第（n+2）級，配置以輸出一第（n+2）進位訊號和該第（n+2）個第一初始化電壓， 其中，該第n級配置以接收該第（n-1）進位訊號和該第（n+2）進位訊號，並輸出該第n進位訊號和該第n個第一初始化電壓，以及 其中，該第n個第一初始化電壓的該輸出執行以使得：在該第一週期中輸出具有該第一電壓位準的該第n個第一初始化電壓以回應該第（n-1）進位訊號；以及在該第二週期中輸出具有對應於該驅動電壓的該第三電壓位準的該第n個第一初始化電壓以回應該第（n+2）進位訊號。
  8. 如請求項7所述之顯示裝置，其中，該第n級配置以運作使得：在該第一週期中，根據一Q節點的一電壓和一QB節點的一電壓，以對應於該第一高電壓的該第一電壓位準輸出該第n個第一初始化電壓；在該第二週期中，根據該Q節點的該電壓和該QB節點的該電壓，以對應於該驅動電壓的該第三電壓位準輸出該第n個第一初始化電壓；以及在該第三週期中，根據該Q節點的該電壓和該QB節點的該電壓，以對應於該第一低電壓的該第二電壓位準輸出該第n個第一初始化電壓。
  9. 如請求項7所述之顯示裝置，其中，該第n級包括： 一第一開關，包含該第一開關的一第一電極、該第一開關的一第二電極、以及該第一開關的一閘極電極，其等分別連接到供應該第一低電壓的一第一低電壓供應器、一輸出節點、以及一Q節點，並且該第一開關配置以根據該第（n-1）進位訊號透過該Q節點的一電壓將該第一低電壓施加到該輸出節點； 一第二開關，包含該第二開關的一第一電極、該第二開關的第二電極、以及該第二開關的閘一極電極，其等分別連接到供應該第一高電壓的一第一高電壓供應器、該輸出節點、以及一QB節點，並且該第二開關配置以根據該第（n-1）進位訊號透過該QB節點的一電壓將該第一高電壓施加到該輸出節點； 一第三開關，包含該第三開關的一第一電極、該第三開關的一第二電極、以及該第三開關的一閘極電極，其等分別連接到該輸出節點、一第一輸出端、以及一進位訊號線，該第（n+2）進位訊號透過該進位訊號線供應； 一第四開關，包含該第四開關的一第一電極、該第四開關的第二電極、以及該第四開關的一閘極電極，其等分別連接到供應該驅動電壓的一驅動電源供應器、該第一輸出端、以及該進位訊號線，該第（n+2）進位訊號透過該進位訊號線供應，並且該第四開關配置為在該第三開關關斷時導通，而在該第三開關導通時關斷； 一第五開關，包含該第五開關的一第一電極、該第五開關的一第二電極、以及該第五開關的一閘極電極，其等分別連接到供應一第二低電壓的一第二低電壓供應器、一第二輸出端、以及該輸出節點；以及 一第六開關，包含該第六開關的一第一電極、該第六開關的一第二電極、以及該第六開關的一閘極電極，其等分別連接到供應一第二高電壓的一第二高電壓供應器、該第二輸出端、以及該QB節點。
  10. 如請求項9所述之顯示裝置，其中，該第四開關透過一反相器接收該第（n+2）進位訊號。
  11. 如請求項9所述之顯示裝置，其中，該第三開關包括一P型金屬氧化物半導體（MOS）電晶體，而該第四開關包含一N型MOS電晶體。
  12. 如請求項1所述之顯示裝置，其中，該顯示面板包括： 一顯示區，包括一第一光學區，包含複數個第一發光區和複數個透射區、以及一般區，位於該第一光學區外部，並包含複數個第二發光區； 一非顯示區；以及 一第一光學電子裝置，位於該顯示面板的一後表面或一下部上，該第一光學電子裝置與包含在該顯示區中的該第一光學區的至少一部分重疊。
  13. 一種電源供應裝置，包括： 複數個級，配置以產生一第一初始化電壓和一進位訊號，其等透過該複數個級中的每一個依序輸出， 其中，從該複數個級中的每一個輸出的該第一初始化電壓具有介於一第一電壓位準與一第二電壓位準之間的一電壓位準，並具有：在一第一週期中的該第一電壓位準；在該第一週期之後的一第二週期中介於該第一電壓位準與該第二電壓位準之間的一第三電壓位準；以及在該第二週期之後的一第三週期中的該第二電壓位準。
  14. 如請求項13所述之電源供應裝置，其中，該第一初始化電壓包括：一第（n-1）個第一初始化電壓；一第n個第一初始化電壓；一第（n+1）個第一初始化電壓；以及一第（n+2）個第一初始化電壓，其等依序輸出， 其中，該複數個級包括：一第（n-1）級，配置以輸出一第（n-1）進位訊號和該第（n-1）個第一初始化電壓；一第n級，配置以輸出一第n進位訊號和該第n個第一初始化電壓；一第（n+1）級，配置以輸出一第（n+1）進位訊號和該第（n+1）個第一初始化電壓；以及一第（n+2）級，配置以輸出一第（n+2）進位訊號和該第（n+2）個第一初始化電壓， 其中，該第n級配置以接收該第（n-1）進位訊號和該第（n+2）進位訊號，並輸出該第n進位訊號和該第n個第一初始化電壓，以及 其中，該第n個第一初始化電壓的該輸出執行以使得：在該第一週期中輸出具有該第一電壓位準的該第n個第一初始化電壓以回應該第（n-1）進位訊號；以及在該第二週期中輸出具有對應於一驅動電壓的該第三電壓位準的該第n個第一初始化電壓以回應該第（n+2）進位訊號。
  15. 如請求項14所述之電源供應裝置，其中，該第n級配置以運作使得：在該第一週期中，根據一Q節點的一電壓和一QB節點的一電壓以對應於一高電壓的該第一電壓位準輸出該第n個第一初始化電壓；在該第二週期中，根據該Q節點的該電壓和該QB節點的該電壓以對應於該驅動電壓的該第三電壓位準輸出該第n個第一初始化電壓；在該第三週期中，根據該Q節點的該電壓和該QB節點的該電壓以對應於一低電壓的該第二電壓位準輸出該第n個第一初始化電壓。
  16. 如請求項14所述之電源供應裝置，其中，該第n級包括： 一第一開關，包含該第一開關的一第一電極、該第一開關的一第二電極、以及該第一開關的一閘極電極，其等分別連接到供應一第一低電壓的一第一低電壓供應器、一輸出節點、以及一Q節點，並且該第一開關配置以根據該第（n-1）進位訊號透過該Q節點的一電壓將該第一低電壓施加到該輸出節點； 一第二開關，包含該第二開關的一第一電極、該第二開關的一第二電極、以及該第二開關的一閘極電極，其等分別連接到供應一第一高電壓的一第一高電壓供應器、該輸出節點、以及一QB節點，並且該第二開關配置以根據該第（n-1）進位訊號透過該QB節點的一電壓將該第一高電壓施加到該輸出節點； 一第三開關，包含該第三開關的一第一電極、該第三開關的一第二電極、以及該第三開關的一閘極電極，其等分別連接到該輸出節點、一第一輸出端、以及一進位訊號線，其中該第（n+2）進位訊號透過該進位訊號線供應； 一第四開關，包含該第四開關的一第一電極、該第四開關的一第二電極、以及該第四開關的一閘極電極，其等分別連接到供應該驅動電壓的一驅動電源供應器、該第一輸出端、以及該進位訊號線，其中該第（n+2）進位訊號透過該進位訊號線供應，並且該第四開關配置以在該第三開關關斷時導通，而在該第三開關導通時關斷； 一第五開關，包含該第五開關的一第一電極、該第五開關的一第二電極、以及該第五開關的一閘極電極，其等分別連接到供應一第二低電壓的一第二低電壓供應器、一第二輸出端、以及該輸出節點；以及 一第六開關，包含該第六開關的一第一電極、該第六開關的一第二電極、以及該第六開關的一閘極電極，其等分別連接到供應一第二高電壓的一第二高電壓供應器、該第二輸出端、以及該QB節點， 其中，該第四開關透過一反相器接收該第（n+2）進位訊號，以及 其中，該第三開關包括一P型金屬氧化物半導體（MOS）電晶體，而該第四開關包括一N型MOS電晶體。
  17. 如請求項14所述之電源供應裝置，其中，當包含在一像素中的一發光元件在該像素的一發光週期前不發光時，該第一初始化電壓施加到包含在該像素中的一驅動電晶體的一第二節點和一第三節點，以將該第二節點和該第三節點初始化，該驅動電晶體的該第二節點配置成電性連接在一資料線與一像素驅動電源線之間，一資料訊號施加到該資料線，一像素驅動電壓施加到該像素驅動電源線，並且該驅動電晶體的該第三節點電性連接到該發光元件， 其中，在對應於該資料訊號的一電壓施加到該驅動電晶體的一第一節點後，該第二節點和該第三節點被初始化。
  18. 一種像素，包括： 一驅動電晶體，包含：一第一節點、一第二節點，配置成電性連接在一資料線與一像素驅動電源線之間，一資料訊號施加到該資料線，而一像素驅動電壓施加到該像素驅動電源線、以及一第三節點，該驅動電晶體配置以使一驅動電流從該第二節點流向該第三節點以回應施加到該第一節點的該資料訊號；以及 一發光元件，電性連接到該驅動電晶體的該第三節點，該發光元件配置以發光以回應該驅動電流， 其中，在該資料訊號施加到該驅動電晶體的該第一節點後，一第一初始化電壓施加到該驅動電晶體的該第二節點和該第三節點，以在該發光元件於該像素的一發光週期前不發光時將該第二節點和該第三節點初始化，該第一初始化電壓具有：在一第一週期中的一第一電壓位準；在該第一週期之後的一第二週期中介於該第一電壓位準與一第二電壓位準之間的一第三電壓位準；以及在該第二週期之後的一第三週期中的該第二電壓位準。
  19. 如請求項18所述之像素，其中，該第一初始化電壓的該第一電壓位準大於該像素驅動電壓，該第一初始化電壓的該第三電壓位準與該像素驅動電壓實質上相符，而該第二電壓位準小於該第三電壓位準。
  20. 如請求項18所述之像素，進一步包括： 一第一電晶體，連接在該第一節點與該第三節點之間，該第一電晶體導通以回應一第一閘極訊號； 一第二電晶體，連接在該資料線與該第二節點之間，該第二電晶體導通以回應一第二閘極訊號； 一第三電晶體，連接在該第二節點與該像素驅動電源線之間，該第三電晶體導通以回應一發射訊號； 一第四電晶體，連接在該第三節點與該發光元件的一陽極電極之間，該第四電晶體導通以回應該發射訊號，以將該驅動電晶體電性連接到該發光元件； 一第五電晶體，設置在該第三節點與第一初始化電源線之間，該第一初始化電源線傳輸該第一初始化電壓，該第五電晶體導通以回應一第三閘極訊號；以及 一儲存電容器，連接在該第一節點與該像素驅動電源線之間。
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