JP2007052908A - 不揮発性メモリセルを消去する方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】過剰消去を軽減する。
【解決手段】開示されている方法は、数多くのプログラムと消去のサイクル後の、焼付に伴うマージンロスを最小にするために、同時に消去する行のグループを判定する段階を含んでいる。本方法は、或いは、最終的な消去閾値電圧分布の幅を最小にするために、同時に消去する行のグループを判定する段階と;そのグループを同時に消去する段階と;或るグループが消去検証されると、そのグループの消去を停止する段階と;前に消去検証されなかったグループに対して消去する段階を実行する段階と、を含んでいる。
【選択図】図4
【解決手段】開示されている方法は、数多くのプログラムと消去のサイクル後の、焼付に伴うマージンロスを最小にするために、同時に消去する行のグループを判定する段階を含んでいる。本方法は、或いは、最終的な消去閾値電圧分布の幅を最小にするために、同時に消去する行のグループを判定する段階と;そのグループを同時に消去する段階と;或るグループが消去検証されると、そのグループの消去を停止する段階と;前に消去検証されなかったグループに対して消去する段階を実行する段階と、を含んでいる。
【選択図】図4
Description
本発明は、概括的には不揮発性メモリセルアレイに、そしてより具体的にはそれらの消去に関する。
不揮発性メモリセルアレイは、通常、100Kのプログラミングと消去のサイクルに耐え、10年というような相当な期間に亘って各セル内に記憶されたデータを保持するように設計されている。要求される回数のプログラムと消去のサイクルに耐え、その時間に亘ってデータを保持するためセルの能力は、消去動作に依るところが大きい。
消去プロセスを図1に概略的に示しており、これについて説明する。消去する前は、プログラムされたセルは、10と標示するプログラム検証(PV)レベルを上回る閾値電圧の分布を有している。消去の間に、アレイ全体が、一時に、一度に1パルス消去される。最初のパルスの後、プログラム分布10は、分布12に下がる。各パルスの後、アレイは「検証」され、全てのセルが消去検証(EV)レベルを下回るレベルに消去されているか否か判定される。全てのセルが検証されるまで、プロセスが繰り返される。図1では、全てのセルがEVレベルを下回る閾値電圧を有するまでに、アレイは3回のパルスを必要とし、分布12、14、16となる。最後の分布16は、「消去分布」16としても知られている。
不都合なことに、セルの中には迅速に消去されるもの(図1で2パルス以内)もあるが、消去に時間が掛かるセル(全3パルス)もあり、矢印18で示すように分布の幅が広くなる。余分な消去パルスを経験したセルは、過剰消去され、非理想状態にある。
過剰消去には多くの原因があるが、中でも、アレイ内のセルの寸法、アレイセルのプログラム分布の幅、消去アルゴリズム、セルの電気的並びに物理的特性などの不均質性が原因である。
過剰消去は、製品の信頼性、並びに製品性能に悪影響を与える。このことの1つの態様が、図2に示す「マージンロス」であり、これについて説明する。
アレイは、プログラム検証レベルPVを上回るプログラム分布10と、消去検証レベルEVを下回る消去分布16で始まる。読み取りレベルRDは、2つの検証レベルの間に定められる。セルが読み取りレベルRDを上回る閾値電圧を有している場合、セルはプログラムされていると定義される。そうでなければ、セルは消去されていると定義される。
マージンMも同様に定義され、その場合、セルは、その閾値電圧がレベルRD+M0を上回る場合にだけプログラムされているとみなされ、閾値電圧がレベルRD−M1を下回る場合にだけ消去されているとみなされる。
時間が経過すると、両方の分布は、下がり、広がって、それぞれ分布10’と16’になる。不都合なことに、分布10と16は、最高の消去レベルE1と最低の不揮発性レベルP1の間の差と定義されている正味マージンNMが正しい読み取り動作を保証しないほどに変化する。このことは、本出願人の同時係属出願である2004年12月9日出願の米国特許出願第11/007,332号に詳細に論じられており、動出願を参考文献としてここに援用する。
次に、図3は、典型的なアレイに関する正味マージンNMの、高温(150℃)で100Kサイクル経た後での、時間経過に対する変化を示している。図3の例は、当技術では既知の、製品寿命のエミュレーションである。正味マージンNMは、1200mVから300mVに減り、900mV変化している。100分での小さな正味マージンNMは、読み取り動作には不十分である。
米国特許出願第11/007,332号
本発明とみなされる内容を、具体的に指摘し、明細書の結論部分(特許請求の範囲)で明確に請求する。しかしながら、本発明は、構成及び動作の方法の両方、並びにその目的、特徴及び利点に関しても、以下の詳細な説明を、添付図面を参照しながら読めば良く理解頂けるであろう。
図示の要素は、単純且つ明確に表示するために、必ずしも一定の尺度で描いてはいない旨理解頂きたい。例えば、明確に表示するため、幾つかの要素の大きさを、他の要素に比べて誇張している。更に、適切であると考えられる場合は、対応する又は同様の要素を示すのに、各図に亘って同じ参照番号を繰り返し使用している。
以下の詳細な説明では、本発明を完全に理解して頂けるように、数多くの具体的な詳細事項について述べている。しかしながら、当業者には理解頂けるように、本発明は、これらの具体的詳細事項が無くても実施することができる。他の例では、本発明を不明瞭にしないために、周知の方法、処理及び構成要素については、詳しくは述べていない。
過剰消去とそれに付随するマージンロスは、一度に消去されるビットが多いほど増大することを、出願人は理解している。このことを図4Aと図4Bに示しており、これについて説明する。両図面は、3つの動作のモード、即ち、0.5Mビットが同時に消去される「セクターモード」、2Kビットが同時に消去される「ページモード」、及び、8つのビットが同時に消去される「バイトモード」、に関するデータを比較している。
図4Aは、図3と同様なもので、時間経過に対する正味マージンの変化を、セクターモード(曲線20)、ページモード(曲線22)及びバイトモード(曲線24)に関して示している。正味マージンの変化は、セクターモード(曲線20)で大きく、バイトモード(曲線24)で小さいことが分かる。
図4Bでは、3つの消去分布、即ち、30(セクターモード)、32(ページモード)及び34(バイトモード)を比較している。図示のように、分布30は分布32より広く、分布34は最も狭い。分布の幅は、一度に消去されるビット数と共に減少するようである。
図4Aと4Bは、サイクルを経た後の時間経過に対する過剰消去とマージンロスは、一度に消去されるビット数が多いほど増大することを示している。
消去分布は、消去動作を異なるグループに区分することによって狭くなることを、出願人は理解している。区分することで、消去グループ当たりのビット数が少なくても良くなり、消去グループ内の均質性が改良される。一度に消去されるセルの数が少なくなることに伴って均質性が改良されることで、各区分又はグループの消去分布の広がりは小さくなり、最終的なアレイの消去分布は狭くなる。そのような方法では、セル、消去アルゴリズム及びプログラム分布の不均質性の様な広い消去分布の原因が、部分的には克服される。
更に、消去動作の終了は1グループの行又はワードラインを使って判定されることを、出願人は理解している。本発明の或る好適な実施形態によれば、消去パルスは、一度に、全グループのワードラインに、同時に提供される。或る消去グループに対する消去動作は、そのグループの消去が検証されると停止する。他の消去グループは、そのグループの消去が検証されるまで、消去動作を継続する。
次に図5は、本発明に従って構成され、動作するメモリチップ40を示しており、ここでは、行のグループが同時に消去される。メモリチップ40は、ワードラインWL(i)(「行」)とビットラインBL(j)(「列」)で形成されているメモリアレイ42を備えている。1又は2ビットNROM(窒化物読み取り専用メモリ)セルの様な何らかの適した不揮発性メモリであるセル44は、ワードラインWLとビットラインBLの交点に見られる。
本発明の或る好適な実施形態によれば、メモリチップ40は、更に、ワードラインWLのグループ分けを記憶する消去フラグレジスタ48を有するXデコーダー46を備えている。レジスタ48の物理的位置は、適した位置であれば何処でも良く、必ずしも図示した通りである必要はない旨理解頂きたい。
通常の動作の間、Xデコーダー46は、入ってくるアドレスを解読し、どのワードラインWL(i)を起動して所望のセルにアクセスするかを判定する。Yデコーダー(図示せず)は、適切なビットラインBL(j)を選択して所望のセルにアクセスする。
消去の間、Xデコーダー46は、ワードラインWL(i)を、そのグループによって、そして消去フラグレジスタ48に記憶されている情報に従って、起動する。ワードラインWL(i)は、Mを1以上として、M個の連続するワードラインの様な何らかの適した手段に従ってグループ分けされる。通常、Mは4から16である。
別の実施形態では、ワードラインWL(i)は、アレイの不均質性によって整列させたパターンにグループ分けされる。例えば、ワードラインWL(i)の中には、金属対ビットライン接点(即ち、電流がビットラインBLに到達する点)に近いものもあれば、遠いものもある。128−512のワードラインの消去セクターを有する或るアレイでは、金属対ビットライン接点は、16又は32のワードラインWL毎に位置している。この実施形態では、ワードラインWL(i)は、それらがどれほど金属対ビットライン接点から離れているかに従ってグループ分けされる。
本発明では、第1消去パルスがアレイ全体に提供され、その後、アレイはグループ毎に消去検証される。グループが消去検証に合格すると、そのグループに対する消去動作は停止される(これは、グループのワードラインのフラグを変更することによって実施される)。消去検証されなかったグループには次の消去パルスが送られ、消去検証されていないグループが無くなるまでこれが行われる。
この様に、消去動作は、選択された各グループの消去速度によって区分される。mを1以上として、Nパルス後に消去検証されたワードライングループは、N+mパルス後に消去検証されたグループと区別される。
同時に消去されるセルの数は本発明では小さくなり、及び/又は、グループはより均質になるので、消去を停止する決定が大部分のグループで早くなり、その結果、過剰消去されるセルが少なくなる。このことは、次に参照する図6に示すように、消去分布を狭くすることになる。
図6は、標準的なセクター消去動作の消去分布50と、本発明の消去分布52のグラフである。セクター消去分布50は1000mVの幅を有しているのに対して、消去分布52は700mVの広がりを有しているに過ぎないことが分かる。
以上、本発明の特徴について図示し説明してきたが、当業者には、多くの修正、置換、変更及び等価物が想起されるであろう。従って、特許請求の範囲は、そのような全ての修正と変更を本発明の真の精神の範囲に包含する意図である旨理解されたい。
図4Bは、図4Aの動作モードに関する、消去分布のグラフである。
本発明に従って組み立てられ、動作する不揮発性メモリチップの部分を示す概略図である。
図5のチップのメモリアレイにおける消去分布の概略図である。
Claims (21)
- 不揮発性メモリチップにおいて、
行列に形成されている不揮発性メモリセルのメモリアレイと、
前記メモリアレイの行を起動させるXデコーダーと、
前記行のグループを識別して同時に消去する消去フラグレジスタと、を備えている不揮発性メモリチップ。 - 前記各グループは一組のM個の連続する行である、請求項1に記載のチップ。
- 前記各グループは、前記アレイ内の不均質性によって整列させた一組のN個の行である、請求項1に記載のチップ。
- 前記各グループは、プログラム動作の間に、前記アレイセルのプログラムレベルと速度における不均質性によって整列させた一組のA個の行である、請求項1に記載のチップ。
- 前記各グループは、消去動作の間に、前記アレイセルの消去速度における不均質性によって整列させた一組のB個の行である、請求項1に記載のチップ。
- 前記各グループは、行の括り位置からの行の距離における不均質性によって整列させた一組のC個の行である、請求項1に記載のチップ。
- 前記各グループは、前の消去動作の間に、同じ数のパルスで消去された一組のD個の行である、請求項1に記載のチップ。
- 方法において、
最終的な消去閾値電圧分布の幅を最小にするために、同時に消去する行のグループを判定する段階と、
前記グループを同時に消去する段階と、
或るグループが消去検証されると、そのグループの消去を停止する段階と、
前に消去検証されなかったグループに対して前記消去する段階を実行する段階と、から成る方法。 - 前記各グループは一組のM個の連続する行である、請求項8に記載のチップ。
- 前記各グループは、前記アレイの不均質性によって整列させた一組のN個の行である、請求項8に記載のチップ。
- 前記各グループは、プログラム動作の間に、前記アレイセルのプログラムレベルと速度における不均質性によって整列させた一組のA個の行である、請求項8に記載のチップ。
- 前記各グループは、消去動作の間に、前記アレイセルの消去速度における不均質性によって整列させた一組のB個の行である、請求項8に記載のチップ。
- 前記各グループは、行の括り位置からの行の距離によって定義された一組のC個の行である、請求項8に記載のチップ。
- 前記各グループは、前の消去動作の間に、同じ数のパルスで消去された一組のD個の行である、請求項8に記載のチップ。
- 数多くのプログラムと消去のサイクル後の、焼付に伴うマージンロスを最小にするために、同時に消去する行のグループを判定する段階を含んでいる方法。
- 前記各グループは一組のM個の連続する行である、請求項15に記載のチップ。
- 前記各グループは、前記アレイの不均質性によって整列させた一組のN個の行である、請求項15に記載のチップ。
- 前記各グループは、プログラム動作の間に、前記アレイセルのプログラムレベルと速度における不均質性によって整列させた一組のA個の行である、請求項15に記載のチップ。
- 前記各グループは、消去動作の間に、前記アレイセルの消去速度における不均質性によって整列させた一組のB個の行である、請求項15に記載のチップ。
- 前記各グループは、行の括り位置からの行の距離によって定義された一組のC個の行である、請求項15に記載のチップ。
- 前記各グループは、前の消去動作の間に、同じ数のパルスで消去された一組のD個の行である、請求項15に記載のチップ。
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