JP2006164507A - 不揮発性メモリセルの読出し方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】信頼性のある読み出しを保障する。
【解決手段】本方法は、メモリセルの異なるグループの閾値電圧分布の変化の関数としてメモリセルのグループを読出すための読出し基準レベルを変更する段階を含む。変更ステップは、少なくとも1つの履歴セルの正確な読出しのための履歴読出し基準レベルを求める段階と、第1読出し基準レベルに従ってメモリ読出し基準レベルを選択する段階と、メモリ読出し基準レベルを使用して少なくとも1つの履歴セルに関連する不揮発性メモリアレイセルを読出す段階とを含む。
【選択図】図2
【解決手段】本方法は、メモリセルの異なるグループの閾値電圧分布の変化の関数としてメモリセルのグループを読出すための読出し基準レベルを変更する段階を含む。変更ステップは、少なくとも1つの履歴セルの正確な読出しのための履歴読出し基準レベルを求める段階と、第1読出し基準レベルに従ってメモリ読出し基準レベルを選択する段階と、メモリ読出し基準レベルを使用して少なくとも1つの履歴セルに関連する不揮発性メモリアレイセルを読出す段階とを含む。
【選択図】図2
Description
本発明は一般に、不揮発性メモリセルに関し、特に不揮発性メモリセルの読出し方法に関する。
デュアルビットメモリセルは、当該技術分野で公知である。このようなメモリセルの1つには、導電層18とチャネル20との間に挟まれた窒化物ベース層16に2つのビット12及び14を記憶するNROM(窒化物読出し専用メモリ)セル10があり、以下で参照される図1に示されている。NROMセルは、多くの特許、例えば本発明の同一出願人に譲受された米国特許第6,649,972号に記載されており、その開示は本明細書に組み込まれる。
ビット12及び14は、個々にアクセス可能であり、従って、別々にプログラム(従来的には「0」で示される)、消去(従来的には「1」として記される)、又は読出しを行うことができる。ビット(12又は14)の読出しは、特定のビットを読出す際に見られるような閾値電圧Vtが、読出し基準電圧レベルRDを上回る(プログラムされる)か、又は下回る(消去される)か否かを判定することを伴う。
図2を参照すると、閾値電圧Vtに応じてメモリチップ(通常はメモリアレイに形成された多数のNROMセルを有する)のプログラム状態及び消去された状態の分布を示している。消去されるビットは、その閾値電圧が消去閾値電圧EVより下に低くなったものである。従って、消去分布30は通常、消去閾値電圧EVの近傍(及び好ましくは消去閾値以下)の最右ポイントを有する。同様に、プログラムされるビットは、その閾値電圧がプログラム閾値電圧PVより上に高くなったものである。従って、プログラム分布32は通常、プログラム閾値電圧PVの近傍(及び好ましくはプログラム閾値電圧以上)の最左ポイントを有する。
2つの閾値電圧PVとEVの差は、オペレーションのウィンドウW0である。読出し基準電圧レベルRDは通常、ウィンドウW0内に置かれ、一例として、読出し基準セルから生成することができる。読出し基準セルは一般に、必須ではないが、米国特許第6,490,204号で説明されるように非ネイティブ状態にあり、該特許は本発明の同一出願人に譲受され、その開示内容が引用により本明細書に組み込まれる。このような場合には、読出し基準セルの閾値電圧は、図2のRDレベルとすることができる。
次に、読出されているビットからの信号は、読出し基準レベルによって生成される信号と比較回路(例えば、差動検出増幅器)により比較され、その結果によってアレイセルがプログラム状態又は消去された状態であるかを判定する必要がある。或いは、基準セルを使用するのではなく、読出し基準信号は、別々に生成された電圧又は電流信号とすることもできる。読出し基準信号を生成するための他の方法は、当該技術分野で公知である。
次に、読出されているビットからの信号は、読出し基準レベルによって生成される信号と比較回路(例えば、差動検出増幅器)により比較され、その結果によってアレイセルがプログラム状態又は消去された状態であるかを判定する必要がある。或いは、基準セルを使用するのではなく、読出し基準信号は、別々に生成された電圧又は電流信号とすることもできる。読出し基準信号を生成するための他の方法は、当該技術分野で公知である。
検出方式回路が完璧なものではなく、その特性が種々の動作条件及び環境条件で変化する場合があるので、「0」と「1」をそれぞれ正しく読出すために、通常はマージンM0及びM1が必要とされる。プログラム分布及び消去分布がこれらのマージンを越えている限りは、信頼性のある読出しを達成することができる。
本発明と見なされる主題は、特に、添付の請求項で示し明確に請求される。しかしながら、本発明の目的、特徴、及び利点と共に動作の構成及び方法の両方に関する本発明は、添付図面と共に読めば以下の詳細な説明を参照することによって最もよく理解することができる。
図を簡略化し明確にするために、図示の要素は必ずしも縮尺通りに描かれていないことが理解されるであろう。例えば、要素の一部の寸法は、分かりやすいように他の要素に対して強調している場合がある。更に、適切と考えられる場合には、参照符号は、対応する要素又は類似の要素を示すために複数の図で重複している場合がある。
以下の詳細な説明では、多数の特定の詳細が本発明の理解を完全にするために示されている。しかしながら、本発明がこれらの特定の詳細なしで実施することができる点は当業者であれば理解されるであろう。他の場合では、公知の方法、手順、及び構成要素は、本発明を曖昧にすることの無いよう詳細には説明しない。
出願人は、セルが複数の消去及びプログラミングサイクルを繰り返すときにオペレーションのウィンドウが経時的に変化する可能性があることが分かった。オペレーションのウィンドウは、縮小及び/又はドリフトすることができ、この両方は、読出しオペレーションの精度に影響を与える可能性がある。
図3を参照すると、例示的なメモリアレイのオペレーションの開始後のあるポイントでの消去分布40及びプログラム分布42がそれぞれ示されている。
各ビットは、消去電圧EVより低い閾値電圧まで消去されるが、消去分布40は、消去電圧EVよりもわずかに高くシフトされているように見える場合がある。出願人は、これがセルの2つのビットが互いに幾らか影響を及ぼすことに起因している可能性のあることが分かった。両方のビットが消去される場合、各ビットの閾値電圧は、消去電圧EVより低い(消去分布40内の小さい方の分布44によって示されている)ものとすることができる。しかしながら、両ビットの一方が、ビットの他方が消去されている間にプログラムされる場合には、消去ビットの閾値電圧は、他方のビットのプログラム状態に起因してより高く見える可能性がある。これは、消去分布40内の2番目に小さい分布46によって示されており、そのビットの幾つかは、消去電圧EVよりも高く見える閾値電圧を有することができる。これは通常、「セカンドビット効果」と呼ばれる。
出願人は、プログラム及び消去サイクルを繰り返した後、プログラム分布42がプログラミング電圧PVより低くシフトする場合があることが更に分かった。これは、多数回の消去/プログラムサイクル後のトラッピング層内の電荷再分布、エイジング特性、又はセルの保存特性によって生じる可能性がある。プログラム分布42のこの下方シフトは、時間と温度に依存し、シフト率はまた、セルのこれまでのプログラム/消去サイクル数に依存する。
これらのシフト分布の結果により、オペレーションのウィンドウを異なるオペレーションのウィンドウWmを縮小させる可能性がある。出願人は、異なるウィンドウWmが元のウィンドウW0と一致する場合もあれば、一致しない場合もあることが分かった。図3は、元のウィンドウW0の中心からシフトした中心を有する例示的なウィンドウWmを示している。出願人は、これらの変化の1つ又は両方が読出しオペレーションの品質に影響を与える可能性があることが分かった。これは、図4に示されており、次に参照する。
背景技術において述べたように、マージンM1は、回路欠陥を補償し、消去ビットの正確な読出しを保証することを必要とすることができる。EVレベルより低い消去ビットの元の配置(通常は消去オペレーションの後)は、M1より大きなマージン、従って「1」のビットの信頼性のある読出しを可能にした。残念ながら、図4に示されるように、消去分布40は消去閾値電圧EVより高くドリフトしている可能性があるので、マージンM1はもはや保持されない場合がある。閾値電圧がマージンM1より低くないことにより誤って読み出される(すなわちプログラムされたものとして読み出される)ことのある幾つかのビットが消去分布46(実線のマーキングによって示される)内に存在する可能性がある。
ここで図5A、5B、及び5Cを参照すると、これらは全て、オペレーションのウィンドウでの変化の関数として移動することができる移動読出し基準レベルMRLを使用して、本発明に従って構成及び動作可能なメモリセルを読出す方法を示している。
本発明の好ましい実施形態によれば、消去及びプログラムオペレーションの直後(図5A)、移動読出しレベルMRLは、消去分布50Aとプログラム分布52Aとの間の読出しレベルRD1に配置することができ、ここで消去分布50Aは、消去閾値電圧EVよりわずかに高く(セカンドビット効果に起因して)、プログラム分布52Aは、プログラミング閾値電圧PVよりも完全に又はほぼ完全に高いところにある。適切なマージンM1及びM0は、回路及び検出方式の欠陥を克服し、ビット状態の正確な検出を保証するために読出しレベルRD1から定義することができる。図5Aにおいて、消去及びプログラム分布は、マージンM1及びM0をそれぞれを越えている。従って、このポイントでは、読出しレベルRD1は、1及び0の両方を正常且つ確実に読出すことができる。
セルが複数のプログラミング及び消去サイクルを既に受けている場合には、ある時間期間後、分布がシフトする可能性がある。図5Bにおいて52Bで表記されたプログラム分布は、より下側に移動し、従って、そのほとんどの部分がプログラム閾値電圧PVより下側にある。しかしながら、図5Bにおいて50Bで表記された消去分布もまた、一般的には下側に移動している。オペレーションのウィンドウWBが図5Aのウィンドウ(ラベルWA)に近い幅又は同じ幅である場合には、その中心は変化している。その結果として、マージンM0を有する読出し基準レベルRD1はもはや、「0」としてプログラム分布52Bのビット全てを正確に読出すことはできない。
本発明の好ましい実施形態によれば、図5Bの状況では、移動読出しレベルMRLは、第2読出しレベルRD2まで移動することができる。この場合、読出しレベルRD2を基準としてビットを読出す場合、マージンM0及びM1はシフトされたRD2読出しレベル以外に保持され、従って、両方の分布(50Bと52B)のビットの全ては、消去(「1」)又はプログラム(「0」)されたものとして正確に読み取ることができる。
図5Cは、更に分布がシフトした第3の事例を示しており、オペレーションのウィンドウWCが更に縮小及び/又はシフトされている。本発明の好ましい実施形態によれば、移動読出しレベルMRLは、第3読出しレベルRD3(マージンM0とM1と共に)に移動して、オペレーションのウィンドウの変化に対応し、分布50C及び52Cのビット全ての信頼性のある読出しを保証することができる。
読出しレベルRD1及びRD2は図5Cの分布を正常に読出すことができない点を理解されたい。読出しレベルRD1及びRD2の両方は、0の少なくとも幾つかを誤って読出す可能性がある(読出しレベルまでのプログラム分布52Cの左側の距離が、必要とされるマージンM0より小さいため)。同様に、第3読出しレベルRD3は、分布50A及び50Bの右側が読出しレベルRD3から必要とされるマージンM1を保持しないので、図5A及び5Bの分布で使用された1の幾つかを誤って読出す可能性がある。
任意の所与の時間においてどの読出しレベルを利用するかを選択することは、どのような好適な方法で行ってもよく、全てのこのような方法は本発明に含まれる。ここで図6Aに示された1つの実施例を参照する。この実施例では、60で表記されたメモリアレイは、読出されることになるメモリセル62と、履歴セル64とを含むことができる。少なくとも1つの履歴セル64は、メモリセル62のサブセットに関連付けることができ、メモリセル62の対応するサブセットとほぼ同じ事象を好ましくはほぼ同じ時間にほぼ同じ条件でパスさせることができる。
ここで図6Bに示された特定の実施例を参照する。この実施例では、履歴セル64Aは、メモリセル62の横列Aと関連付けることができ、横列Aのセル62と同時にプログラム及び消去することができ、常に公知の所定状態まで引き戻される。この所定状態は、例えば、セルの両方のビット(すなわち両方の記憶領域)がプログラム状態にあるようにすることができ、又は別の場合では、ビットの1つだけがプログラム状態にされ、他のビットが消去されたままであるようすることができる。
ここで図6Cに示された別の実施例を参照する。この実施例では、履歴セル64Gのセットは、アレイ60のセクションGに関連付けられる。履歴セル64Gは、これらが関連付けられるメモリセルのサブセットとほぼ同じ事象をほぼ同じ条件でパスさせる限り、メモリアレイ内のどこにあってもよい。履歴セル64Gは、常に所定状態まで引き戻される。履歴セルの幾つかは、プログラム状態の両ビット(すなわち両方の記憶領域)を有することができ、他の履歴セルは、プログラム状態のビットの1つだけを有することができる。
履歴セル64を用いて、関連付けられるメモリセル62のサブセットを読出すのに使用される最も適切な基準読出しレベルを求めることができる。基準読出しレベル、又はより好ましくは1つの履歴セル64の正確な読出し値を生成することができる最高基準読出しレベル(履歴セル64が通常はプログラム状態にあるので「0」読出し値)を用いて、メモリセル62の関連するサブセットを読出すことができる。
履歴セル64を正確に読出すのに使用される基準読出しレベルは、「履歴読出し基準レベル」として公知とすることができる。メモリセル62の関連するサブセットは、履歴読出し基準レベルと同じか或いはマージンを付加することができる「メモリ読出し基準レベル」で読出すことができる。或いは、2つの読出し基準レベル間の他の固定的な差が存在することができる(はい?)。
1つの実施例では、3つの利用可能な基準読出しレベルRD1>RD2>RD3が存在することができる。プログラムされた履歴セル64がRD(j)を用いて誤って読出される(すなわち消去されたものとして読出される)が、RD(j+1)を使用して正確に読出される場合には、メモリセル62の関連するサブセットは、好ましくはRD(j+1)基準読出しレベルを使用して読出すことができ、マージンは付加されてもよく、又は付加されなくともよい。
或いは、プログラム履歴セル64がRD(i)を使用して十分なマージン(Mh)で読出すことができない(すなわち、RD(j)+Mhを使用して消去されたものとして読出される)が、RD(j+1)を使用すると十分なマージンで読出すことができる(すなわち、RD(j+1)+Mhを使用してプログラムされたものとして読出される)場合には、メモリセル62の関連するサブセットは、好ましくはRD(j+1)基準読出しレベルを使用して読出すことができ、マージンは付加されてもよく、又は付加されなくともよい。マージンMhは、履歴セルの信頼性のある読出し値とこれに関連付けられたメモリセル62の信頼性のある読出し値との間の要求されるマージンの量として定義することができる。
メモリセル62のサブセットの各々を読出すために使用される最も適切な基準読出しレベルは、幾つかの方法のいずれか1つで求めることができ、そのうちの4つを以下に説明する。
A)読出し基準レベルRD(j)を有する既存の読出し基準セルの全部又は一部に対する履歴セル64の全部又は一部の読出し
B)読出し基準レベルRD(j)プラスあるマージンMhで配置された特定の基準セルに対する履歴セル64の全部又は一部の読出し。各読出しレベルRD(j)につき別々のマージンMh(j)が存在することができる。
C)読出し基準レベルRD(j)を有するが、あるマージンを取り入れるために、読出し基準セルのワード線とは異なるレベルでの履歴セル64のワード線を起動する既存の読出し基準セルの全部又は一部に対する履歴セル64の全部又は一部の読出し。
D)例えば、履歴又は読出し基準セルの少なくとも1つの信号に電流又は電圧信号を加算又は減算することによって、読出し基準レベルRD(j)を有するが読出しオペレーションの各々においてあるマージンMh(j)を取り入れる既存の読出し基準セルの全部又は一部に対する履歴セル64の全部又は一部の読出し。
A)読出し基準レベルRD(j)を有する既存の読出し基準セルの全部又は一部に対する履歴セル64の全部又は一部の読出し
B)読出し基準レベルRD(j)プラスあるマージンMhで配置された特定の基準セルに対する履歴セル64の全部又は一部の読出し。各読出しレベルRD(j)につき別々のマージンMh(j)が存在することができる。
C)読出し基準レベルRD(j)を有するが、あるマージンを取り入れるために、読出し基準セルのワード線とは異なるレベルでの履歴セル64のワード線を起動する既存の読出し基準セルの全部又は一部に対する履歴セル64の全部又は一部の読出し。
D)例えば、履歴又は読出し基準セルの少なくとも1つの信号に電流又は電圧信号を加算又は減算することによって、読出し基準レベルRD(j)を有するが読出しオペレーションの各々においてあるマージンMh(j)を取り入れる既存の読出し基準セルの全部又は一部に対する履歴セル64の全部又は一部の読出し。
これらのオペレーションは、異なる読出し基準レベルに対する履歴セル64を読出し、メモリセル62の関連するサブセットを読出すための最適メモリ読出し基準レベルを求めるための十分な時間を可能にする用途において「オンザフライ」で(メモリセル62の関連するサブセットを読出す前に)実行することができる。或いは、履歴セル64は、読出し値を分析し履歴セルの各セットに対する適切な読出し基準レベルを選択した後で所定の時間に読出すことができ、この結果は、メモリセル62の読出しが要求されたときに後で使用するために記憶することができる。このような所定の時間は、装置のパワーアップ時、長時間のオペレーション(例えば、プログラム又は消去)の前又は後、或いはアイドル時間とすることができる。履歴セル64は、連続、並行、及び連続/並行の混合形式で読出すことができる。
履歴セル64は、アレイメモリセル62と同じタイプのマルチビットNROMセルとすることができる。これは、1セルにつき1ビットモード、1セルにつきデュアルビットモード、又はマルチレベルモードで動作することができる。履歴セル64のプログラム状態は、そのセルの1つだけ又は両方のビットをプログラミングすることによって達成することができる。履歴セル64は、その関連するメモリセル62の近くで、又はこれと共に、或いはその消去中に消去することができる。履歴セルのプログラミングは、これら及びこれらの関連するメモリセル62を消去した直後、或いはこれらの関連するメモリセル62のビットのサブセットのプログラミングの近くで実行することができる。
履歴セル64は、アレイメモリセル62と同じタイプのマルチビットNROMセルとすることができる。これは、1セルにつき1ビットモード、1セルにつきデュアルビットモード、又はマルチレベルモードで動作することができる。履歴セル64のプログラム状態は、そのセルの1つだけ又は両方のビットをプログラミングすることによって達成することができる。履歴セル64は、その関連するメモリセル62の近くで、又はこれと共に、或いはその消去中に消去することができる。履歴セルのプログラミングは、これら及びこれらの関連するメモリセル62を消去した直後、或いはこれらの関連するメモリセル62のビットのサブセットのプログラミングの近くで実行することができる。
本発明の幾つかの特徴を本明細書で例証し説明してきたが、多くの修正、置き換え、変更、及び均等形態が当業者には想起されるであろう。従って、添付の請求項は、本発明の真の精神の範囲内にある全てのこのような修正及び変更を保護するものとされる。
30 消去分布
32 プログラム分布
32 プログラム分布
Claims (27)
- 少なくとも1つの履歴セルを正確に読出すため履歴読出し基準レベルを求める段階と、
前記履歴読出し基準レベルに従ってメモリ読出し基準レベルを選択する段階と、
前記メモリ読出し基準レベルを使用して、前記少なくとも1つの履歴セルに関連した不揮発性メモリアレイセルを読出す段階と、
を含む方法。 - 前記求める段階が、
複数の履歴読出し基準レベルを有する段階と、
前記複数の履歴読出し基準レベルの少なくとも1つで前記少なくとも1つの履歴セルを読出す段階と、
を含む請求項1に記載の方法。 - 前記読出段階は、連続、並行、及び連続/並行の混合方式のうちの1つで前記複数の履歴読出し基準レベルに対して実行されることを特徴とする請求項2に記載の方法。
- 前記履歴読出し基準レベルは、前記メモリ読出し基準レベルに等しいことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記履歴読出し基準レベルは、前記メモリ読出し基準レベルに等しくないことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記非同等性は、前記少なくとも1つの履歴セルの読出し値とその関連する前記メモリアレイセルの読出し値との間に保持される所定マージンに依存することを特徴とする請求項5に記載の方法。
- 読出し基準セルを有する段階と、前記読出し基準セルのワード線とは異なるレベルの前記履歴セルのワード線を起動する段階とを更に含む請求項1に記載の方法。
- 各前記少なくとも1つの履歴セルを前記関連するメモリセルとほぼ同じ事象をほぼ同じ条件でパスさせる段階を含む請求項1に記載の方法。
- 前記求める段階は、前記方法を実施する装置のパワーアップ時、長時間オペレーションの前又は後、及びアイドル時間のうちの1つで行われることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記履歴セル及び前記メモリセルは、NROM(窒化物読出し専用メモリ)セルであることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記履歴セル及び前記メモリセルは、1セルにつき1ビットのモード、1セルにつきデュアルビットのモード、及びマルチレベルモードのうちの1つで動作されるNROMセルであることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 互いの短時間スパン内に、前記履歴セルとその前記関連するメモリセルを各々消去する段階を含む請求項1に記載の方法。
- 互いの短時間スパン内に前記履歴セルの少なくとも1つと前記関連するメモリセルの少なくとも1つとをプログラミングする段階を更に含む請求項1に記載の方法。
- メモリセルの異なるグループの閾値電圧分布における変化に応じてメモリセルのグループを読出すための読出し基準レベルを変更する段階を含む方法。
- 前記変更段階は、
少なくとも1つの履歴セルの正確な読出しのために履歴読出し基準レベルを求める段階と、
前記履歴読出し基準レベルに従ってメモリ読出し基準レベルを選択する段階と、
前記メモリ読出し基準レベルを使用して前記少なくとも1つの履歴セルに関連した不揮発性メモリアレイセルを読出す段階と、
を含む請求項14に記載の方法。 - 前記求める段階は、
複数の読出し基準レベルを有する段階と、
前記複数の読出し基準レベルの少なくとも1つで前記少なくとも1つの履歴セルを読出す段階と、
を含む請求項15に記載の方法。 - 前記読出段階は、連続、並行、及び連続/並行の混合方式のうちの1つで前記複数の履歴読出し基準レベルに対して実行されることを特徴とする請求項16に記載の方法。
- 前記履歴読出し基準レベルは、前記メモリ読出し基準レベルに等しいことを特徴とする請求項15に記載の方法。
- 前記履歴読出し基準レベルは、前記メモリ読出し基準レベルに等しくないことを特徴とする請求項15に記載の方法。
- 前記非同等性は、前記少なくとも1つの履歴セルの読出し値とその関連する前記メモリアレイセルの読出し値との間に保持される所定マージンに依存することを特徴とする請求項19に記載の方法。
- 読出し基準セルを有する段階と、前記読出し基準セルのワード線とは異なるレベルの前記履歴セルのワード線を起動する段階とを更に含む請求項15に記載の方法。
- 各前記少なくとも1つの履歴セルを前記関連するメモリセルとほぼ同じ事象をほぼ同じ条件でパスさせる段階を含む請求項15に記載の方法。
- 前記求める段階は、前記方法を実施する装置のパワーアップ時、長時間オペレーションの前又は後、及びアイドル時間のうちの1つで行われることを特徴とする請求項15に記載の方法。
- 前記履歴セル及び前記メモリセルは、NROMセルであることを特徴とする請求項15に記載の方法。
- 前記履歴セル及び前記メモリセルは、1セルにつき1ビットのモード、1セルにつきデュアルビットのモード、及びマルチレベルモードのうちの1つで動作されるNROMセルであることを特徴とする請求項15に記載の方法。
- 互いの短時間スパン内に、前記履歴セル及びその前記関連するメモリセルを各々消去する段階を含む請求項15に記載の方法。
- 互いの短時間スパン内に前記履歴セルの少なくとも1つと前記関連するメモリセルの少なくとも1つとをプログラミングする段階を更に含む請求項15に記載の方法。
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