KR20180007376A - 표시장치 및 표시장치의 제조방법 - Google Patents

표시장치 및 표시장치의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20180007376A
KR20180007376A KR1020160088048A KR20160088048A KR20180007376A KR 20180007376 A KR20180007376 A KR 20180007376A KR 1020160088048 A KR1020160088048 A KR 1020160088048A KR 20160088048 A KR20160088048 A KR 20160088048A KR 20180007376 A KR20180007376 A KR 20180007376A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
light emitting
layer
inclined surface
emitting element
Prior art date
Application number
KR1020160088048A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102608419B1 (ko
Inventor
조현민
김대현
김성철
강종혁
송근규
이주열
임현덕
조치오
추혜용
홍성진
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020160088048A priority Critical patent/KR102608419B1/ko
Priority to CN201710541034.5A priority patent/CN107611153B/zh
Priority to CN202310913262.6A priority patent/CN116705950A/zh
Priority to US15/646,590 priority patent/US10672946B2/en
Priority to EP17181066.6A priority patent/EP3270413B1/en
Publication of KR20180007376A publication Critical patent/KR20180007376A/ko
Priority to US16/889,123 priority patent/US11114582B2/en
Priority to US17/460,116 priority patent/US20210391496A1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102608419B1 publication Critical patent/KR102608419B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0075—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds comprising nitride compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H01L33/405—Reflective materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/181—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2202/00—Embodiments of or processes related to ink-jet or thermal heads
    • B41J2202/01—Embodiments of or processes related to ink-jet heads
    • B41J2202/09—Ink jet technology used for manufacturing optical filters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/95053—Bonding environment
    • H01L2224/95085—Bonding environment being a liquid, e.g. for fluidic self-assembly
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007—Types of components
    • H05K2201/10106—Light emitting diode [LED]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

표시장치 및 표시장치의 제조방법을 개시한다.
일 실시예에 따른 표시장치는, 기판 상에 배치되고, 상부면이 평평한 제1 부분과 상기 제1 부분으로부터 돌출되고 경사면을 갖는 제2 부분을 구비한 제1 전극; 상기 기판 상에 상기 제1 전극과 평행하게 마주하도록 배치되고, 상부면이 평평한 제1 부분과 상기 제1 부분으로부터 돌출되고 경사면을 갖는 제2 부분을 구비한 제2 전극; 및 각각이 상기 제1 전극의 제1 부분의 상부면과 컨택하는 제1 전극층 및 상기 제2 전극의 제1 부분의 상부면과 컨택하는 제2 전극층을 구비하고, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 상에 이격 배열된 복수의 발광소자들;을 포함한다.

Description

표시장치 및 표시장치의 제조방법{Display Apparatus and Method for manufacturing the same}
본 발명의 실시예들은 표시장치 및 표시장치의 제조방법에 관한 것이다.
LED는 광 변환 효율이 높고 에너지 소비량이 매우 적으며, 수명이 반영구적이고 환경 친화적이다. LED를 조명, 디스플레이에 등에 활용하기 위해, LED와 LED에 전원을 인가할 수 있는 전극의 연결이 필요하다.
LED와 전극의 배치 방식은, 전극에 LED 소자를 직접 성장시키는 방식과 LED를 별도로 독립성장시킨 후, LED를 전극에 배치하는 방식으로 분류할 수 있다. 후자의 방법의 경우, LED가 나노 단위의 초소형일 경우, LED를 전극에 배치하기가 어렵다는 문제점이 있다.
본 발명의 실시예들은 독립적으로 제조된 나노 단위 크기의 초소형 발광소자를 서로 다른 두 전극 사이에 정렬 및 연결시킴으로써, 초소형 발광소자의 비정상적 정렬 불량을 방지할 수 있는 표시장치 및 그 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는, 기판; 상기 기판 상에 배치되고, 상부면이 평평한 제1 부분과 상기 제1 부분으로부터 돌출되고 경사면을 갖는 제2 부분을 구비한 제1 전극; 상기 기판 상에 상기 제1 전극과 평행하게 마주하도록 배치되고, 상부면이 평평한 제1 부분과 상기 제1 부분으로부터 돌출되고 경사면을 갖는 제2 부분을 구비한 제2 전극; 및 일 단이 상기 제1 전극의 제1 부분의 상부면과 컨택하고, 타 단이 상기 제2 전극의 제1 부분의 상부면과 컨택하고, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 상에 이격 배열된 복수의 발광소자들;을 포함한다.
상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 간격이 상기 발광소자의 길이보다 작을 수 있다.
상기 제2 부분의 경사면의 각도가 30도 이상 내지 60도 이하일 수 있다.
상기 제1 전극과 상기 제2 전극 중 적어도 하나는, 상기 제2 부분의 경사면의 각도가 연속적으로 변할 수 있다.
상기 제1 전극과 상기 제2 전극 중 적어도 하나는, 상기 제2 부분의 경사면의 각도가 90도일 수 있다.
상기 제2 부분의 경사면이 상기 발광소자를 마주하는 측의 제1 경사면과, 반대 측의 제2 경사면을 포함할 수 있다.
상기 제1 전극과 상기 제2 전극 중 하나는, 상기 제1 경사면의 각도가 90도이고, 상기 제2 경사면의 각도가 0도와 90도 사이일 수 있다.
상기 제1 전극과 상기 제2 전극 중 적어도 하나는, 상기 제2 부분의 단면이 반원 형상일 수 있다.
상기 제1 전극과 상기 제2 전극 중 적어도 하나는, 상기 제2 부분의 단면이 직각 삼각 형상일 수 있다.
상기 제1 부분과 상기 제2 부분은 좌우 대칭일 수 있다.
상기 표시장치는, 상기 발광소자의 제1 전극층과 상기 제1 전극에 컨택하는 제1 연결전극; 및 상기 발광소자의 제2 전극층과 상기 제2 전극에 컨택하는 제2 연결전극;을 포함할 수 있다.
상기 제1 연결전극은 상기 제1 전극의 노출된 상부 면의 적어도 일부를 커버하고, 상기 제2 연결전극은 상기 제2 전극의 노출된 상부 면의 적어도 일부를 커버할 수 있다.
상기 표시장치는, 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극과 연결된 박막 트랜지스터;를 포함할 수 있다.
상기 표시장치는, 상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극과 연결된 전원배선;을 포함할 수 있다.
상기 제1 전극과 상기 제2 전극 중 하나의 제1 부분의 길이와 상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 간격의 합은 상기 발광소자의 길이보다 작을 수 있다.
상기 제2부분의 높이는 상기 발광소자의 직경 이상일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 제조방법은, 절연 면 상에 제1 도전층을 형성하는 단계; 상기 제1 도전층을 패터닝하여 상부면이 평평한 제1 부분과 상기 제1 부분으로부터 돌출되고 경사면을 갖는 제2 부분을 구비한 한 쌍의 제1 전극 및 제2 전극을 형성하는 단계; 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 상에 복수의 발광소자들을 포함하는 용매를 투입하는 단계; 및 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 상이한 전기적 극성을 부여하여 상기 복수의 발광소자들의 양단이 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극의 상기 제1 부분의 상부면과 각각 컨택하며 상기 발광소자들을 정렬하는 단계;를 포함한다.
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 부여된 전기적 극성에 의해 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 전기장이 형성되고, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극의 상기 제1 부분의 상부 코너에서의 전기장 기울기가 상기 제2 부분의 상부에서의 전기장 기울기보다 클 수 있다.
상기 제1 전극과 상기 제2 전극 중 적어도 하나는, 상기 제2 부분의 단면이 반원 형상일 수 있다.
상기 제조방법은, 상기 발광소자와 상기 한 쌍의 전극을 덮는 제2 도전층을 형성하는 단계; 및 상기 제2 도전층을 패터닝하여 상기 발광소자의 일 단과 상기 제1 전극에 컨택하는 제1 연결전극과, 상기 발광소자의 타 단과 상기 제2 전극에 컨택하는 제2 연결전극을 형성하는 단계;를 포함할 수 있다.
상기 제1 전극 및 제2 전극을 형성하는 단계는, 상기 제1 도전층 상에 상기 제2 부분의 경사면에 대응하는 영역이 점진적으로 가변하는 광 투과율을 갖는 마스크를 배치하는 단계; 및 상기 마스크를 이용하여 상기 제1 도전층을 패터닝하는 단계;를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들은 전극 기능 및 반사 기능을 겸비한 전극 쌍을 이용하여 발광소자의 자기 정렬을 유도함으로써 전극 쌍 상에 발광소자를 집중적으로 배치 및 연결할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 영역(DA)의 일부를 도시한 평면도이다.
도 3 및 도 4는 도 2의 A-A'를 따라 절단한 부분 단면도이다.
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자의 예이다.
도 6 및 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 전극(21)과 제2 전극(22)의 단면도이다.
도 8a 내지 도 8k는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치를 제조하는 공정을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자의 자기 정렬을 설명하는 예시도이다.
도 10은 비교예의 단면도이다.
도 11a 내지 도 11d는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 전극 및 제2 전극의 예를 도시한 단면도이다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 영역(DA)의 일부를 도시한 평면도이다.
도 13은 도 12의 B-B'를 따라 절단한 부분 단면도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.
이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
이하의 실시예에서, x축, y축 및 z축은 직교 좌표계 상의 세 축으로 한정되지 않고, 이를 포함하는 넓은 의미로 해석될 수 있다. 예를 들어, x축, y축 및 z축은 서로 직교할 수도 있지만, 서로 직교하지 않는 서로 다른 방향을 지칭할 수도 있다.
어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.
본 명세서에서 "대응하는" 또는 "대응하게"라는 용어는 문맥에 따라서 동일한 열 또는 행에 배치된다 또는 연결된다는 것을 의미할 수 있다. 예컨대, 제1 부재가 복수의 제2 부재들 중에서 "대응하는" 제2 부재에 연결된다는 것은 제1 부재와 동일 열 또는 동일 행에 배치된 제2 부재에 연결된다는 것을 의미한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치를 개략적으로 도시한 평면도이다.
도 1을 참조하면, 표시장치(1)는 표시 영역(DA)을 갖는 기판(100)을 구비할 수 있다. 기판(100)의 표시 영역(DA)에는 복수의 주사선(SL)들, 복수의 데이터선(DL)들이 배치될 수 있다. 복수의 주사선(SL)들은 소정 방향으로 이격 배열되고, 주사 신호를 전달한다. 복수의 데이터선(DL)들은 소정 방향으로 이격 배열되고, 데이터 신호를 전달한다. 복수의 주사선(SL)들의 연장 방향은 복수의 데이터선(DL)들의 연장 방향과 동일 또는 상이할 수 있다. 예를 들어, 복수의 주사선(SL)들의 연장 방향은 복수의 데이터선(DL)들의 연장 방향에 수직인 방향일 수 있다.
복수의 픽셀(P)들 각각은 대응하는 주사선(SL) 및 대응하는 데이터선(DL)에 연결될 수 있다. 픽셀(P)들은 기판(100) 상에 매트릭스형, 지그재그형 등 다양한 패턴으로 배열될 수 있다. 각 픽셀(P)은 하나의 색을 방출하며, 예를 들어, 적색, 청색, 녹색, 백색 중 하나의 색을 방출할 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 적색, 청색, 녹색, 백색 외의 다른 색을 방출할 수도 있다.
표시 영역(DA)의 주변, 즉 표시 영역(DA)의 외곽에 비표시 영역(NA)이 정의될 수 있다. 비표시 영역(NA)에는 제1 구동부(200) 및 제2 구동부(300)가 배치될 수 있다.
제1 구동부(200)는 데이터 신호를 생성하고, 표시 영역(DA)에 배열된 복수의 데이터선(DL)들로 데이터 신호를 공급할 수 있다.
제2 구동부(300)는 주사 신호를 생성하고, 표시 영역(DA)에 배열된 복수의 주사선(SL)들로 주사 신호를 공급할 수 있다.
제1 구동부(200) 및 제2 구동부(300)는 구동회로로서, 집적 회로 칩의 형태로 형성되어 기판(100) 상에 실장되거나, 표시 영역(DA)의 픽셀(P)들이 형성될 때 함께 기판(100) 상에 직접 형성될 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 영역(DA)의 일부를 도시한 평면도이다. 도 3 및 도 4는 도 2의 A-A'를 따라 절단한 부분 단면도이다. 도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자의 예이다.
도 2 및 도 3을 함께 참조하면, 표시 영역(DA)에는 서로 다른 색상의 광을 방출하는 제1 픽셀(PX1), 제2 픽셀(PX2) 및 제3 픽셀(PX3)이 배치될 수 있다. 제1 픽셀(PX1), 제2 픽셀(PX2) 및 제3 픽셀(PX3)은 각각 적색광, 녹색광 및 청색광을 방출할 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 제한되지 않으며 결합에 의해 백색광을 구현할 수 있다면 어떠한 색의 조합도 가능하다. 픽셀들의 사이즈는 동일 또는 상이할 수 있다.
각 픽셀들(PX1, PX2, PX3)은 제1 전극(21), 제2 전극(22) 및 제1 전극(21)과 제2 전극(22)에 전기적으로 연결된 복수의 발광소자(40)들을 포함할 수 있다.
발광소자(40)는 나노 단위 크기의 발광다이오드(LED)일 수 있다. 발광소자(40)는 원기둥, 직육면체 등 다양한 형상으로 형성될 수 있다.
도 5a를 참조하면, 일 실시예에 따른 발광소자(40)는 제1 전극층(410), 제2 전극층(420), 제1 반도체층(430), 제2 반도체층(440) 및 제1 반도체층(430)과 제2 반도체층(440) 사이에 배치된 활성층(450)을 포함할 수 있다. 일 예로서, 제1 전극층(410), 제1 반도체층(420), 활성층(450), 제2 반도체층(440) 및 제2 전극층(420)은 발광소자(40)의 길이 방향으로 순차적으로 적층될 수 있다. 발광소자(40)의 길이(T)는 1 내지 10 ㎛ 일 수 있고, 발광소자(40)의 직경은 0.5 ㎛ 내지 500 ㎛ 일 수 있으나, 본 발명의 실시예들은 이에 제한되지 않는다.
제1 전극층(410) 및 제2 전극층(420)은 오믹(ohmic) 접촉 전극일 수 있다. 다만, 제1 전극층(410) 및 제2 전극층(420)은 이에 한정되지 아니하며, 쇼트키(Schottky) 접촉 전극일 수도 있다. 제1 전극층(410) 및 제2 전극층(420)은 전도성이 있는 금속을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 전극층(410) 및 제2 전극층(420)은 알루미늄, 티타늄, 인듐, 골드 및 실버로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 금속 물질을 포함할 수 있다. 제1 전극층(410) 및 제2 전극층(420)에 포함된 물질은 서로 동일 또는 상이할 수 있다.
제1 반도체층(430)은, 예를 들어, n형 반도체층으로 구현되고, 제2 반도체층(440)은 예를 들어, p형 반도체층으로 구현될 수 있다. 반도체층은 GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN 등에서 선택될 수 있고, Si, Ge, Sn 등의 n형 도펀트 및 Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 각각 도핑될 수 있다. 본 발명은 이에 제한하지 않으며, 제1 반도체층(430)이 p형 반도체층을 포함하고, 제2 반도체층(440)이 n형 반도체층을 포함할 수도 있다.
활성층(450)은 제1 반도체층(430)과 제2 반도체층(440) 사이에 배치되며, 예를 들어 단일 또는 다중 양자 우물 구조로 형성될 수 있다. 활성층(450)은 전자와 정공이 재결합되는 영역으로, 전자와 정공이 재결합함에 따라 낮은 에너지 준위로 천이하며, 그에 상응하는 파장을 가지는 빛을 생성할 수 있다. 활성층(450)의 위치는 발광 다이오드의 종류에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 본 발명의 실시예들은 전술된 예에 제한되지 않으며, 일 예로서, 발광소자(40)는 제1 반도체층(430)과 제2 반도체층(440)의 상부 및 하부에 별도의 형광체층, 활성층, 반도체층 및/또는 전극층을 더 포함할 수도 있다. 활성층(450)으로부터 생성된 빛은 발광소자(40)의 외부면으로 방출(L1)되고, 양 측면으로 방출(L2, L3)될 수 있다.
발광소자(40)는 외부면을 커버하는 절연막(470)을 더 포함할 수 있다. 일 예로서, 절연막(470)은 활성층(450)을 커버할 수 있으며, 이에 따라 활성층(450)이 제1 전극(21) 또는 제2 전극(22)과 접촉하는 경우 발생할 수 있는 전기적 단락을 방지할 수 있다. 또한, 절연막(470)은 발광소자(40)의 활성층(450)을 포함한 외부면을 보호함으로써 발광 효율의 저하를 방지할 수 있다.
도 5b의 실시예는 절연막(470)이 발광소자(40)의 외부면 전체를 커버하는 점에서, 적어도 활성층(450)을 커버하는 도 5a의 실시예와 상이하고, 그 외 구성은 동일하다.
발광소자(40)의 제1 전극층(410) 및 제2 전극층(420) 중 적어도 하나는 생략될 수 있다.
도 5c의 실시예는 도 5a의 발광소자(40)에서 제1 전극층(410) 및 제2 전극층(420) 중 하나의 전극층, 예를 들어, 제2 전극층(420)이 생략되고 제1 전극층(410)만 구비하는 발광소자(40)의 예이다. 도 5c의 발광소자(40)는 절연막(470)이 제1 전극층(410)의 외부면 일부만을 커버하고, 제2 반도체층(440)의 외부면을 모두 커버한다. 다른 실시예에서 절연막(470)은 제2 반도체층(440)의 외부면의 일부만을 커버할 수 있다.
도 5d의 실시예는 제1 전극층(410) 및 제2 전극층(420)이 모두 생략된 발광소자(40)의 예이다. 절연막(470)은 제1 반도체층(430)과 제2 반도체층(440)의 외부면 전체를 커버하거나, 일부를 커버하고 일부를 노출할 수 있다. 도 5d의 실시예는 제1 반도체층(430)과 제2 반도체층(440)의 외부면 전체를 커버하고 있다.
절연막(470)에 의해 전극층 또는 반도체층이 노출되는 경우 제1 전극(21)과 제2 전극(22) 및 제1 연결전극(61)과 제2 연결전극(62)에 컨택하는 면적이 증가할 수 있다.
복수의 발광소자(40)들은 양단이 제1 전극(21)의 상부면과 제2 전극(22)의 상부면에 각각 컨택하며, 제1 전극(21)과 제2 전극(22) 상에 이격 배열될 수 있다. 발광소자(40)는 양단의 최외층인 제1 전극층(410) 또는 제1 반도체층(430), 제2 전극층(420) 또는 제2 반도체층(440)이 제1 전극(21)의 상부 면과 제2 전극(22)의 상부 면에 각각 컨택할 수 있다.
이하에서는 편의상 절연막(470)이 발광소자(40)의 외부면 전체를 커버하는 도면으로 설명하겠으나, 절연막(470)이 발광소자(40) 양단의 최외층의 일부를 노출하는 경우에도 동일하게 적용됨은 물론이다.
제1 전극(21)은 제2 방향으로 연장된 제1 전극선(25)과 전기적으로 연결되고, 제1 전극선(25)으로부터 전기적 신호를 공급받을 수 있다. 제1 전극선(25)은 제2 방향으로 인접한 픽셀들의 제1 전극(21)과 전기적으로 연결될 수 있다.
제2 전극(22)은 제2 방향과 수직인 제1 방향으로 연장된 제2 전극선(26)과 전기적으로 연결되고, 제2 전극선(26)으로부터 전기적 신호를 공급받을 수 있다. 제2 전극선(26)은 제1 방향으로 인접한 픽셀들의 제2 전극(22)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 전극(21)과 제2 전극(22)의 배치는 반대일 수 있다.
도 6 및 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 전극(21)과 제2 전극(22)의 단면도이다.
도 6을 함께 참조하면, 제1 전극(21)과 제2 전극(22)은 절연 면(110) 상에 서로 마주보며 평행하게 배치될 수 있다. 절연 면(110)은 도 3에 도시된 바와 같이 절연성 기판(100)의 상부 면, 또는 도 4에 도시된 바와 같이 기판(100) 상부에 배치된 절연층(105)의 상부 면일 수 있다.
제1 전극(21)은 절연 면(110)에 평행하고 평평한 상부 면을 갖는 제1 부분(21a)과 제1 부분(21a)으로부터 돌출되고 경사면을 갖는 제2 부분(21b)을 포함할 수 있다. 제1 부분(21a)은 발광소자(40)가 컨택하는 안착부이고, 제2 부분(21b)은 발광소자(40)의 측부에서 방출되는 광을 반사시켜 광의 경로를 변경하는 반사부일 수 있다. 제1 부분(21a)의 측면이 상부 면과 만나는 경계에서 측면과 상부 면이 형성하는 각도(θ11)는 대략 90도이다. 제2 부분(21b)의 경사면의 각도(θ12)는 대략 30도 이상 내지 60도 일 수 있다. 경사면의 각도(θ12)는, 제1 부분(21a)의 상부 면이 제2 부분(21b)의 상부 면과 만나는 경계에서 제1 부분(21a)의 상부 면과 제2 부분(21b)의 상부 면이 형성하는 각도일 수 있다.
마찬가지로, 제2 전극(22)은 절연 면(110)에 평행하고 평평한 상부 면을 갖는 제1 부분(22a)과 제1 부분(22a)으로부터 돌출되고 경사면을 갖는 제2 부분(22b)을 포함할 수 있다. 제1 부분(22a)의 측면이 상부 면과 만나는 경계에서 측면과 상부 면이 형성하는 각도(θ21)는 대략 90도이다. 제2 부분(22b)의 경사면의 각도(θ22)는 대략 30도 이상 내지 60도 일 수 있다. 경사면의 각도(θ22)는, 제1 부분(22a)의 상부 면이 제2 부분(22b)의 상부 면과 만나는 경계에서 제1 부분(22a)의 상부면과 제2 부분(22b)의 상부 면이 형성하는 각도일 수 있다.
제1 전극(21)과 제2 전극(22)의 이격 거리(D)는 발광소자(40)의 길이(T)보다 작다. 제1 전극(21)과 제2 전극(22)의 이격 거리(D)와 제1 전극(21)의 제1 부분(21a) 또는 제2 전극(22)의 제1 부분(22a)의 길이(d)의 합은 발광소자(40)의 길이(T)보다 작고(D+d<T), 이격 거리(D)는 제1 부분(21a, 22a)의 길이(d)보다 작다(D<d). 예를 들어, 제1 전극(21)의 제1 부분(21a) 또는 제2 전극(22)의 제1 부분(22a)의 길이(d)는 발광소자(40)의 길이의 1/2 내지 1/3일 수 있다. 제1 전극(21)의 제1 부분(21a)의 길이(d)와 제2 전극(22)의 제1 부분(22a)의 길이(d)는 동일하거나 상이할 수 있다. 제1 부분(21a, 22a)의 길이(d)는 발광소자(40)의 길이 방향으로의 길이이다.
제1 전극(21)의 제2 부분(21b) 및 제2 전극(22)의 제2 부분(22b)의 높이(h)는 발광소자(40)의 직경 이상일 수 있다. 예를 들어, 제1 전극(21)의 제2 부분(21b) 및 제2 전극(22)의 제2 부분(22b)의 높이(h)는 발광소자(40)의 직경의 2배일 수 있다.
발광소자(40)의 제1 전극층(410) 또는 제1 반도체층(430)은 제1 전극(21)의 제1 부분(21a)의 상부면과 컨택하고, 제2 전극층(420) 또는 제2 반도체층(440)은 제2 전극(22)의 제1 부분(22a)의 상부면과 컨택할 수 있다.
발광소자(40)의 제1 전극층(410) 또는 제1 반도체층(430)은 제1 연결전극(61)에 의해 제1 전극(21)과 전기적으로 연결되고, 제2 전극층(420) 또는 제2 반도체층(440)은 제2 연결전극(62)에 의해 제2 전극(22)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 연결전극(61)은 발광소자(40)의 노출된 제1 전극층(410) 또는 제1 반도체층(430)과 제1 전극(21)의 상부면을 커버할 수 있다. 제2 연결전극(62)은 발광소자(40)의 노출된 제2 전극층(420) 또는 제2 반도체층(440)과 제2 전극(22)의 상부면을 커버할 수 있다.
도 7을 함께 참조하면, 발광소자(40)의 양측으로 방출되는 광(L2, L3)은 제1 전극(21)의 제2 부분(21b)과 제2 전극(22)의 제2 부분(22b)의 경사면에 의해 각각 반사되어 경로가 변경될 수 있다. 경로가 변경된 광(L2, L3)은 발광소자(40)의 상측으로 방출되는 광(L1)과 더해짐으로써 광 추출 효율이 증가하여 발광 효율 및 발광 강도를 높일 수 있다.
다시 도 3을 참조하면, 제1 전극(21)과 제2 전극(22) 주변에는 픽셀을 정의하는 격벽(30)이 형성될 수 있다. 격벽(30)은 발광소자(40)가 정렬되어 광이 방출되는 발광부(70)를 제외한 영역을 커버할 수 있다. 격벽(30)은 제1 전극선(25) 및 제2 전극선(26)을 커버할 수 있다.
각 픽셀들(PX1, PX2, PX3)은 도 4에 도시된 바와 같이, 발광소자(40)와 전기적으로 연결되고, 발광소자(40)의 발광을 제어하는 픽셀 회로를 더 포함할 수 있다. 도 4에 도시된 실시예는, 도 3에 도시된 실시예에 픽셀 회로가 더 구비되고, 그 외 구성은 동일하다.
픽셀 회로는 적어도 하나의 박막 트랜지스터 및 적어도 하나의 커패시터를 포함할 수 있다. 도 4에 도시된 실시예에서는 버퍼층(101) 상부의 제1 박막 트랜지스터(120) 및 제2 박막 트랜지스터(140)와, 전원배선(163)을 개시하고 있으며, 본 발명의 실시예는 이에 제한되지 않고, 픽셀 회로는 둘 이상의 복수의 박막 트랜지스터와 하나 이상의 커패시터를 구비할 수 있으며, 그에 따라 별도의 배선이 더 형성되는 등 다양한 구조를 가질 수 있다.
제1 박막 트랜지스터(120)는 제1 활성층(121), 제1 게이트 전극(122), 제1 드레인 전극(123) 및 제1 소스 전극(124)으로 구성된다. 제1 게이트 전극(122)과 제1 활성층(121) 사이에는 이들 간의 절연을 위한 제1 게이트 절연층(102)이 개재될 수 있다. 제1 게이트 전극(122)은 제1 게이트 절연층(102) 상에서 제1 활성층(121)의 일부분과 중첩될 수 있다. 제1 게이트 전극(122)과, 제1 드레인 전극(123) 및 제1 소스 전극(124) 사이에는 제2 게이트 절연층(103) 및 층간 절연층(104)이 개재될 수 있다. 제1 박막 트랜지스터(120)는 발광소자(40)의 하부 층에 배치되며, 발광소자(40)와 중첩 또는 중첩하지 않을 수 있다. 제1 박막 트랜지스터(120)는 발광소자(40)를 구동하는 구동 박막 트랜지스터일 수 있다.
제2 박막 트랜지스터(140)는 제2 활성층(141), 제2 게이트 전극(142), 제2 드레인 전극(143) 및 제2 소스 전극(144)으로 구성된다. 제2 게이트 전극(142)과 제2 활성층(141) 사이에는 이들 간의 절연을 위한 제1 게이트 절연층(102)이 개재될 수 있다. 제2 게이트 전극(142)은 제1 게이트 절연층(102) 상에서 제2 활성층(141)의 일부분과 중첩될 수 있다. 제2 게이트 전극(142)과, 제2 드레인 전극(143) 및 제2 소스 전극(144) 사이에는 제2 게이트 절연층(103) 및 층간 절연층(104)이 개재될 수 있다. 제2 박막 트랜지스터(140)는 발광소자(40)의 하부 층에 배치되며, 발광소자(40)와 중첩 또는 중첩하지 않을 수 있다. 제2 박막 트랜지스터(140)는 스위칭 박막 트랜지스터일 수 있다.
한편, 제1 박막 트랜지스터(120)의 제1 게이트 전극(122) 및 제2 박막 트랜지스터(140)의 제2 게이트 전극(142)과 동일층에 전원 배선(163)이 배치될 수 있다. 전원 배선(163)은 연결 배선(165)을 이용하여 제2 전극(22)과 전기적으로 연결될 수 있다. 이에 따라 제2 전극(22)은 전원 배선(630)과 전기적으로 연결되어 전원 배선(165)으로부터 전원을 공급받을 수 있다. 전원 배선(163)의 하부에는 인접 영역과의 단차를 줄이기 위한 보조층(161)이 배치될 수 있다. 보조층(161)은 필수 구성요소는 아니며, 생략될 수도 있다.
전술된 실시예에서 제1 전극(21) 및 제2 전극(22)은 각각 제2 부분의 정점을 기준으로 좌우 대칭이다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 이에 제한되지 않는다. 예를 들어, 제1 부분의 상부면의 면적이 좌우 상이할 수 있다.
전술된 실시예에서 제1 연결전극(61)과 제2 연결전극(62)이 각각 제1 전극(21) 및 제2 전극(22)의 상부 면의 노출된 영역의 일부만을 커버하고 있으나, 본 발명의 실시예는 이에 한정되지 않고, 외광 반사 및 연결전극의 재료 특성에 따라 제1 연결전극(61)과 제2 연결전극(62)이 각각 제1 전극(21) 및 제2 전극(22)의 상부 면의 노출된 영역의 적어도 일부를 커버할 수 있다. 예를 들어, 제1 연결전극(61)과 제2 연결전극(62)이 각각 제1 전극(21) 및 제2 전극(22)의 상부 면의 노출된 영역의 전부를 커버할 수 있다.
도 8a 내지 도 8k는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치를 제조하는 공정을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 8a를 참조하면, 기판(100) 상부에 픽셀 회로를 형성할 수 있다.
기판(100)은 유리, 금속 또는 플라스틱 등 다양한 소재로 구성될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 기판(100)은 플렉서블 소재의 기판을 포함할 수 있다. 여기서, 플렉서블 소재의 기판이란 잘 휘어지고 구부러지며 접거나 말 수 있는 기판을 지칭한다. 이러한 플렉서블 소재의 기판은 초박형 유리, 금속 또는 플라스틱으로 구성될 수 있다.
기판(100) 상에는 버퍼층(101)이 형성될 수 있다. 기판(100)을 통해 불순 원소가 침투하는 것을 차단하고, 표면을 평탄화하는 기능을 수행하며 실리콘질화물(SiNx) 및/또는 실리콘산화물(SiOx)과 같은 무기물로 단층 또는 복수층으로 형성될 수 있다. 버퍼층(101)은 생략될 수 있다.
버퍼층(101) 상에 제1 박막 트랜지스터(120) 및 제2 박막 트랜지스터(140)가 형성될 수 있다.
제1 박막 트랜지스터(120)는 제1 활성층(121), 제1 게이트 전극(122), 제1 드레인 전극(123) 및 제1 소스 전극(124)을 포함할 수 있다. 제2 박막 트랜지스터(140)는 제2 활성층(141), 제2 게이트 전극(1422), 제2 드레인 전극(143) 및 제2 소스 전극(144)을 포함할 수 있다.
제1 활성층(121) 및 제2 활성층(141)은 버퍼층(101) 상에 반도체 물질로 형성될 수 있다. 반도체 물질은 비정질 실리콘(amorphous silicon) 또는 다결정 실리콘(poly crystalline silicon)과 같은 무기 반도체 물질, 유기 반도체 물질 또는 산화물 반도체 물질일 수 있다. 제1 활성층(121) 및 제2 활성층(141)은 B 또는 P 이온 불순물이 도핑된 드레인 영역 및 소스 영역과, 그 사이의 채널 영역을 구비할 수 있다.
제1 게이트 절연층(102)은 버퍼층(101) 상에 배치되어 제1 활성층(121) 및 제2 활성층(141)을 덮을 수 있다. 제2 게이트 절연층(103)은 제1 게이트 절연층(102) 상에 배치되어 제1 게이트 전극(122) 및 제2 게이트 전극(142)을 덮을 수 있다.
제1 게이트 전극(122) 및 제2 게이트 전극(142)은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 납(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중 하나 이상의 물질로 구성된 단일막 또는 다중막일 수 있다.
제1 게이트 절연층(102) 및 제2 게이트 절연층(103)은 무기 물질로 구성된 단층 또는 복수층일 수 있다. 예를 들면, 제1 게이트 절연층(102)은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 및/또는 아연산화물(ZrO2) 등을 포함할 수 있다.
층간 절연층(104)은 제2 게이트 절연층(103) 상에 유기 물질로 구성된 단층 또는 복수층일 수 있다. 또는 층간 절연층(104)은 무기 물질로 구성된 단층 또는 복수층일 수 있다. 제2 게이트 절연층(103) 또는 층간 절연층(104)은 생략될 수 있다.
층간 절연층(104) 상에 제1 드레인 전극(123) 및 제1 소스 전극(124), 제2 드레인 전극(143) 및 제2 소스 전극(144)이 형성될 수 있다. 제1 드레인 전극(123) 및 제1 소스 전극(124)은 제1 게이트 절연층(102), 제2 게이트 절연층(103) 및 층간 절연층(104)에 형성된 콘택홀을 통해 제1 활성층(121)의 드레인 영역 및 소스 영역과 각각 연결될 수 있다. 제2 드레인 전극(143) 및 제2 소스 전극(144)은 제1 게이트 절연층(102), 제2 게이트 절연층(103) 및 층간 절연층(104)에 형성된 콘택홀을 통해 제2 활성층(141)의 드레인 영역 및 소스 영역과 각각 연결될 수 있다.
제1 드레인 전극(123) 및 제1 소스 전극(124), 제2 드레인 전극(143) 및 제2 소스 전극(144)은 제1 및 제2 게이트 전극(122, 142)과 동일한 물질로 구성될 수 있다. 제1 드레인 전극(123) 및 제1 소스 전극(124), 제2 드레인 전극(143) 및 제2 소스 전극(144)은 금속, 합금, 금속 질화물, 도전성 금속 산화물, 투명 전도성 물질 등을 포함할 수 있다.
한편, 보조층(161)이 버퍼층(101) 상부에 형성될 수 있다. 보조층(161)은 제1 활성층(121) 및 제2 활성층(141)과 동일한 물질로 동시에 형성될 수 있다. 그러나, 본 발명의 실시예는 이에 제한되지 않으며, 보조층(161)은 제1 활성층(121) 및 제2 활성층(141)과 상이한 물질로 상이한 공정에 의해 형성될 수도 있다.
제1 게이트 절연층(102)이 보조층(161)을 덮고, 제1 게이트 절연층(102) 상부에 보조층(161)과 오버랩하는 전원 배선(163)이 형성될 수 있다. 전원 배선(163)은 제1 및 제2 게이트 전극(122, 142)과 동일한 물질로 동시에 형성될 수 있다. 그러나, 본 발명의 실시예는 이에 제한되지 않으며, 보조층(161)은 제1 및 제2 게이트 전극(122, 142)과 상이한 물질로 상이한 공정에 의해 형성될 수도 있다.
전원 배선(163) 상부에 제2 게이트 절연층(103) 및 층간 절연층(104)이 배치되고, 층간 절연층(104) 상부에 연결 배선(165)이 형성될 수 있다. 연결 배선(165)은 제2 게이트 절연층(103) 및 층간 절연층(104)에 형성된 컨택홀을 통해 연결 배선(165)과 전기적으로 연결될 수 있다.
도 8b를 참조하면, 층간 절연층(104) 상부에는 제1 및 제2 박막 트랜지스터(120, 140)를 덮는 패시베이션층(105)이 형성될 수 있다. 패시베이션층(105)은 유기 절연 물질 또는 무기 절연 물질로 구성된 단층 또는 복수층일 수 있다. 패시베이션층(105)은 유기 절연 물질과 무기 절연 물질을 교번하여 형성할 수도 있다.
패시베이션층(105)에는 제1 박막 트랜지스터(120)의 제1 드레인 전극(123)의 일부 및 연결 배선(165)의 일부를 노출하는 컨택홀(CH)들이 형성될 수 있다.
도 8c를 참조하면, 패시베이션층(105) 상부에 제1 도전층(211) 및 감광층(PR1)을 차례로 형성하고, 기판(100) 상부에 마스크(M)를 정렬할 수 있다.
제1 도전층(211)은 인듐틴옥사이드(ITO; indium tin oxide), 인듐징크옥사이드(IZO; indium zinc oxide), 징크옥사이드(ZnO; zinc oxide), 인듐옥사이드(In2O3; indium oxide), 인듐갈륨옥사이드(IGO; indium gallium oxide), 및 알루미늄징크옥사이드(AZO; aluminium zinc oxide)를 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나 이상의 투명 도전성 산화물을 포함하는 투명 도전막일 수 있다. 제1 도전층(211)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr, Li, Ca 및 이들의 합금 등에서 선택된 적어도 하나의 금속을 포함할 수 있다. 제1 도전층(211)은 패시베이션층(105)의 컨택홀(CH)들을 채울 수 있다.
감광층(PR1)은 포지티브 또는 네가티브 감광성 유기 물질일 수 있고, 본 발명의 실시예에서는 포지티브 감광성 유기 물질로 설명한다.
마스크(M)는 차광부(Ma), 투광부(Mb) 및 반투광부(Mc)를 포함하는 하프톤 마스크일 수 있다. 차광부(Ma)는 격벽(30) 형성 영역, 반투광부(Mc)는 제1 전극(21) 및 제2 전극(22) 형성 영역, 투광부(Mb)는 그 외의 영역에 대응하게 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 반투광부(Mc)는 투과율이 점진적으로 변하는 광 가변부를 포함할 수 있고, 광 투과율이 그라데이션하게 변하는 광 가변부에 의해 제1 전극(21) 및 제2 전극(22)의 경사면을 형성할 수 있다.
도 8d를 참조하면, 감광층(PR1)에 마스크(M)를 이용하여 광을 조사하여 노광을 실시하고, 감광된 감광층(PR1)을 현상함으로써 절연 패턴(21', 22', 30')을 형성할 수 있다.
차광부(Ma)에 대응하는 영역의 감광층(PR1)은 그대로 잔존하여 절연 패턴(30')을 형성할 수 있다. 투광부(Mb)에 대응하는 영역의 감광층(PR1)은 모두 제거될 수 있다. 광가변부(Mc)에 대응하는 영역의 감광층(PR1)은, 감광층(PR1)이 그대로 잔존하는 영역, 일부가 제거된 영역 및 그 사이의 경사 영역을 갖는 절연 패턴(21', 22')을 형성할 수 있다.
도 8e를 참조하면, 절연 패턴(21', 22', 30')을 마스크로 이용하여 제1 도전층(211)을 식각함으로써 제1 전극(21), 제2 전극(22), 제1 전극선(25) 및 제2 전극선(26)을 형성할 수 있다.
제1 전극(21)은 하부 층의 제1 박막 트랜지스터(120)의 제1 드레인 전극(123)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 전극(22)은 하부 층의 연결 배선(165)을 통해 전원 배선(163)과 전기적으로 연결될 수 있다.
도 8f를 참조하면, 발광소자(40)가 배열될 제1 전극(21) 및 제2 전극(22)이 구비된 발광부(70)를 제외한 영역에 격벽(30)을 형성할 수 있다. 격벽(30)은 기판(100) 상부에 전면적으로 형성된 유기 절연층에 발광부(70)를 노출하는 개구를 형성함으로써 패터닝될 수 있다.
도 8g를 참조하면, 복수의 발광소자(40)들이 포함된 잉크 또는 페이스트 등의 용매(90)를 발광부(70)에 투입하여 발광소자(40)를 제1 전극(21)과 제2 전극(22) 상으로 전사할 수 있다. 용매(90)는 아세톤, 물, 알코올 및 톨루엔 중 어느 하나 이상일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 용매(90)는 상온 또는 열에 의해 기화될 수 있는 물질인 경우 제한 없이 이용될 수 있다.
이때, 도 9에 도시된 바와 같이, 제1 전극(21)과 제2 전극(22)에 전원(V)을 인가하여, 제1 전극(21)과 제2 전극(22) 사이에 전기장(E)을 형성할 수 있다. 전원(V)은 외부 공급원 또는 표시장치(1)의 내부 전원일 수 있다. 전원(V)은 소정의 진폭과 주기를 구비하는 교류 전원 또는 직류 전원일 수 있다. 직류 전원은 제1 전극(21)과 제2 전극(22)에 반복적으로 인가함으로써 소정의 진폭과 주기를 갖는 전원으로 구현할 수도 있다.
제1 전극(21)과 제2 전극(22)에 전원이 인가되면 제1 전극(21)과 제2 전극(22)에 부여된 전기적 극성에 의한 전위차가 발생하여 전기장(E)이 형성될 수 있다. 불균일한 전기장(E) 하에서 발광소자(40)에 쌍 극성이 유도되고, 발광소자(40)는 DEP 힘(Dielectrophoretic Force)에 의해 전기장(E)의 기울기가 큰 쪽 또는 작은 쪽으로 힘을 받게 된다. 이론적 및 실험적으로 제1 전극(21)의 제1 부분(21a)과 제2 전극(22)의 제1 부분(22a) 각각의 상단 코너에서 DEP 힘이 강하게 작용하였다.
도 8h를 참조하면, 용매(90)는 상온 또는 열에 의해 기화되고, 발광소자(40)는 DEP 힘에 의해 제1 전극(21)과 제2 전극(22) 상부에 자기 정렬할 수 있다. 발광소자(40)의 양단 각각은 제1 전극(21)의 제1 부분(21a) 상부 면과 제2 전극(22)의 제1 부분(22a) 상부 면에 컨택하는 방식으로 발광소자(40)가 자기 정렬할 수 있다.
도 10의 비교예를 참조하면, 제1 전극(21")과 제2 전극(22")의 이격 거리(D')가 발광소자(40")의 길이(T')보다 크면, DEP 힘에 의해 발광소자(40")가 제1 전극(21")과 제2 전극(22") 중 하나에만 컨택함으로 인해 컨택 불량이 발생할 수 있다.
반면, 본 발명의 실시예에서 제1 전극(21)과 제2 전극(22)의 이격 거리(D)는 발광소자(40)의 길이(T)보다 작기 때문에 발광소자(40)의 자기 정렬 효율을 높일 수 있다(도 6 참조).
도 8i를 참조하면, 발광부(70) 내에 제2 도전층(611) 및 감광층(PR2)을 차례로 형성하고, 마스크(미도시)를 이용하여 감광층(PR2)을 패터닝할 수 있다. 감광층(PR2)은 제2 도전층(611)이 제거될 영역을 제외한 영역만 잔존하도록 패터닝될 수 있다. 제2 도전층(611)은 발광부(70) 주변을 포함한 기판(100)의 전면에 형성될 수도 있다.
제2 도전층(611)은 인듐틴옥사이드(ITO; indium tin oxide), 인듐징크옥사이드(IZO; indium zinc oxide), 징크옥사이드(ZnO; zinc oxide), 인듐옥사이드(In2O3; indium oxide), 인듐갈륨옥사이드(IGO; indium gallium oxide), 및 알루미늄징크옥사이드(AZO; aluminium zinc oxide)를 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 어느 하나 이상의 투명 도전성 산화물을 포함하는 투명 도전막일 수 있다. 제2 도전층(611)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 납(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 니오브(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr) 및 이들의 화합물 등을 포함하는 금속일 수 있다.
감광층(PR2)은 포지티브 또는 네가티브 감광성 유기 물질일 수 있다.
도 8j를 참조하면, 패터닝된 감광층(PR2)을 마스크로 이용하여 제2 도전층(611)을 패터닝하여 제1 연결전극(61) 및 제2 연결전극(62)을 형성할 수 있다.
제1 연결전극(61) 및 제2 연결전극(62)은 각각 발광소자(40)의 길이 방향으로 제1 전극(21)과 제2 전극(22)의 상부 면의 노출된 영역의 적어도 일부를 커버할 수 있다.
제1 연결전극(61)은 발광소자(40)의 일 단을 제1 전극(21)과 전기적으로 연결할 수 있다. 제2 연결전극(62)은 발광소자(40)의 타 단을 제2 전극(22)과 전기적으로 연결할 수 있다.
발광소자(40)와 패시베이션층(105) 사이에 잔존하는 제2 도전층(611)의 도전 물질은 상기 패터닝 공정의 습식 식각에 의해 제거될 수 있다. 도 8j에서는 제2 도전층(611)의 도전 물질이 습식 식각에 의해 제거된 후 일부가 잔존한 경우를 도시한다.
도 8k를 참조하면, 발광부(70)를 덮도록 절연층(81)을 형성할 수 있다. 절연층(81)은 가시 파장에 대해 투명하거나, 또는 반투명하게 됨으로써 광추출 효율을 열화시키지 않도록 할 수 있다. 절연층(81)은 유기 물질, 예를 들어, 에폭시, 폴리(메틸 메타크릴레이트)(PMMA), 벤조사이클로부텐(BCB), 폴리이미드 및 폴리에스테르로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 절연층(81)에 의해 발광소자(40)와 패시베이션층(105) 사이가 절연될 수 있기 때문에, 제2 도전층(611)의 잔존 도전 물질들 간의 쇼트를 방지할 수 있다.
절연층(81) 상부에 광학층(83) 및 보호층(85)을 차례로 형성할 수 있다.
절연층(81) 상에 외광을 차단하는 광학층(83)을 형성할 수 있다. 일 실시예에서, 광학층(83)은 픽셀(PX)이 방출하는 광에 대응하는 RGB 컬러필터일 수 있다. 컬러필터는 컬러 포토레지스트층을 패터닝하여 형성하거나, 컬러 잉크를 분사하여 형성할 수 있다. 일 실시예에서, 광학층(83)은 편광판일 수 있다.
광학층(83) 상부에 보호층(85)이 형성될 수 있다. 보호층(85)은 봉지 기능을 가질 수 있고, 기판(100) 전면에 형성될 수 있다. 보호층(85)은 유기 물질 또는 무기 물질로 형성될 수 있고, 무기 물질 및 유기 물질을 교번하여 형성될 수도 있다.
도 11a 내지 도 11d는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 전극 및 제2 전극의 예를 도시한 단면도이다. 도 11a 내지 도 11d에서 좌측이 제1 전극(21)이고 우측이 제2 전극(22)이거나, 우측이 제1 전극(21)이고 좌측이 제2 전극(22)일 수 있다.
도 11a를 참조하면, 제1 전극(21) 및 제2 전극(22)은 각각 제1 부분(221a) 및 제1 부분(221a)으로부터 돌출되고 경사면을 갖는 제2 부분(221b)을 포함할 수 있다.
제1 부분(221a)은 절연 면(110)에 평행하고 평평한 상부 면을 갖는다. 제1 부분(221a)은 측면이 상부면과 만나는 경계인 상부 코너에서 측면과 상부면이 대략 90도를 형성할 수 있다. 제1 부분(221a)과 제2 부분(221b)은 제2 부분(221b)의 정점을 기준으로 좌우 대칭일 수 있다.
제2 부분(221b)은 단면이 반원 형상을 가지고, 경사면의 경사 각도(θ3)가 연속적으로 변한다. 경사 각도(θ3)는 제2 부분(221b)의 상부면을 지나는 접선이 제1 부분(221a)의 상부면과 형성하는 각도이다. 제1 부분(221a)의 상부면이 제2 부분(221b)의 상부면과 만나는 경계에서 경사 각도(θ3)는 90도이다. 제2 부분(221b)의 정점에서 경사 각도(θ3)는 0도이다. 제1 부분(221a)의 상부면이 제2 부분(221b)의 상부면과 만나는 경계부터 제2 부분(221b)의 정점까지 경사 각도(θ3)는 90도에서 0도까지 연속적으로 작아진다.
제2 부분(221b)이 라운드 형상을 가짐으로써 제2 부분(221b) 주변에서는 균일한 전기장이 형성되어 DEP 힘이 제1 부분(221a)에 집중될 수 있다. 이에 따라 발광소자(40)가 제1 부분(221a)의 상부면으로 자기 정렬되는 효과가 향상될 수 있다. 발광소자(40)의 측면으로 방출되는 광은 제2 부분(221b)에 의해 반사되어 상부로 추출될 수 있다.
도 11b를 참조하면, 제1 전극(21) 및 제2 전극(22) 중 하나는 도 11a에 도시된 라운드 형상의 전극이고, 다른 하나는 제1 부분(321a)으로부터 돌출된 제2 부분(321b)이 뾰족한 형상의 전극일 수 있다. 도 11b에서 우측은 제2 부분이 라운드 형상의 전극이고 좌측은 제2 부분이 뾰족한 형상의 전극일 수 있다.
좌측 전극의 제1 부분(321a)은 절연 면(110)에 평행하고 평평한 상부 면을 갖는다. 제1 부분(321a)은 측면이 상부 면과 만나는 경계인 상부 코너에서 측면과 상부면이 대략 90도를 형성할 수 있다.
좌측 전극의 제2 부분(321b)은 단면이 직각 삼각 형상을 가지고, 발광소자(40) 측의 제1 경사면(321b1)과 발광소자(40) 반대 측의 제2 경사면(321b2)을 포함할 수 있다.
제1 경사면(321b1)의 경사 각도(θ31)는 제1 경사면(321b1)이 제1 부분(321a)의 상부면과 형성하는 각도로서, 90도이다. 제2 경사면(321b2)의 경사 각도(θ32)는 제2 경사면(321b2)이 제1 부분(321a)의 상부 면과 형성하는 각도로서, 0도와 90도 사이이다.
제1 부분(321a)의 상부 코너와 제1 경사면(321b1)과 제2 경사면(321b2)이 만나는 경계에서 DEP 힘이 상대적으로 크다. 따라서, 우측의 전극보다 좌측의 전극으로 DEP 힘이 집중될 수 있어, 좌측의 전극을 기준으로 발광소자(40)가 정렬될 수 있다. 이에 따라 발광소자(40)의 규칙적인 자기 정렬이 가능하다.
도 11c를 참조하면, 제1 전극(21) 및 제2 전극(22)은 제1 부분(421a)으로부터 돌출된 제2 부분(421b)의 일부가 라운드 형상을 갖는 전극일 수 있다.
제1 부분(421a)은 절연 면(110)에 평행하고 평평한 상부 면을 갖는다. 제1 부분(421a)은 측면이 상부면과 만나는 경계인 상부 코너에서 측면과 상부면이 대략 90도를 형성할 수 있다.
제2 부분(421b)은 단면이 부채꼴 형상을 가지고, 발광소자(40) 측의 제1 경사면(421b1)과 발광소자(40) 반대 측의 제2 경사면(421b2)을 포함할 수 있다.
제1 경사면(421b1)의 경사 각도(θ31)는 제1 경사면(421b1)을 지나는 접선이 제1 부분(421a)의 상부면과 형성하는 각도이다. 제1 부분(421a)의 상부면이 제1 경사면(421b1)과 만나는 경계에서 경사 각도(θ31)는 90도이다. 제1 경사면(421b1)의 상부에서 경사 각도(θ31)는 0도이다. 제1 부분(421a)의 상부면이 제1 경사면(421b1)과 만나는 경계부터 제1 경사면(421b1)의 상부까지 경사 각도(θ31)는 90도에서 0도까지 점진적으로 작아진다. 제2 경사면(421b2)의 경사 각도(θ32)는 제2 경사면(421b2)이 제1 부분(421a)의 상부면과 형성하는 각도로서, 90도이다.
발광소자(40)의 측면으로 방출되는 광은 제2 부분(421b)의 제1 경사면(421b1)에 의해 반사되어 상부로 추출될 수 있다.
도 11d를 참조하면, 제1 전극(21) 및 제2 전극(22)은 제1 부분(521a)으로부터 돌출된 제2 부분(521b)이 뾰족한 형상을 갖는 전극일 수 있다.
제1 부분(521a)은 절연 면(110)에 평행하고 평평한 상부면을 갖는다. 제1 부분(521a)은 측면이 상부면과 만나는 경계인 상부 코너에서 측면과 상부면이 대략 90도를 형성할 수 있다.
제2 부분(521b)은 단면이 직각 삼각 형상을 가지고, 발광소자(40) 측의 제1 경사면(521b1)과 발광소자(40) 반대 측의 제2 경사면(521b2)을 포함할 수 있다.
제1 경사면(521b1)의 경사 각도(θ31)는 제1 경사면(521b1)이 제1 부분(521a)의 상부면과 형성하는 각도로서, 0도와 90도 사이이다. 제2 경사면(521b2)의 경사 각도(θ32)는 제2 경사면(521b2)이 제1 부분(521a)의 상부면과 형성하는 각도로서, 90도이다.
발광소자(40)의 측면으로 방출되는 광은 제2 부분(521b)의 제1 경사면(521b1)에 의해 반사되어 상부로 추출될 수 있다.
도 11c 및 도 11d에 도시된 제1 전극(21) 및 제2 전극(22)은 발광소자(40)의 반대 측의 경사 면적을 줄임으로써 외광 반사를 줄일 수 있다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 영역(DA)의 일부를 도시한 평면도이다. 도 13은 도 12의 B-B'를 따라 절단한 부분 단면도이다. 이하에서는 전술한 실시예들과 차이점을 중심으로 설명한다.
도 12 및 도 13을 참조하면, 도 1에 도시된 표시 영역(DA)의 절연 면(110) 상에 픽셀(PX)이 배치될 수 있다. 절연 면(110)은 도 3에 도시된 바와 같이 절연성 기판(100)의 상부 면, 또는 도 4에 도시된 바와 같이 기판(100) 상부에 배치된 절연층(105)의 상부 면일 수 있다.
픽셀(PX)은 적색광을 방출하는 제1 픽셀(PX1), 녹색광을 방출하는 제2 픽셀(PX2) 또는 청색광을 방출하는 제3 픽셀(PX3)일 수 있다. 그러나, 본 발명은 이에 제한되지 않으며 픽셀(PX)은 다른 색의 광을 방출할 수 있다.
픽셀(PX)은 제1 전극(21), 제2 전극(22) 및 제1 전극(21)과 제2 전극(22)에 전기적으로 연결된 복수의 발광소자(40)들을 포함할 수 있다.
제1 전극(21)은 제2 방향으로 연장된 제1 전극선(25)과 전기적으로 연결되고, 제1 전극선(25)으로부터 전기적 신호를 공급받을 수 있다. 제1 전극선(25)은 제2 방향으로 인접한 픽셀들의 제1 전극(21)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 전극(21)은 빗살 형상의 복수의 제1 서브전극(21-2)들과 제1 서브전극(21-2)들을 연결하는 제1 메인전극(21-1)을 포함할 수 있다.
제2 전극(22)은 제2 방향과 수직인 제1 방향으로 연장된 제2 전극선(26)과 전기적으로 연결되고, 제2 전극선(26)으로부터 전기적 신호를 공급받을 수 있다. 제2 전극선(26)은 제1 방향으로 인접한 픽셀들의 제2 전극(22)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 전극(22)은 빗살 형상의 복수의 제2 서브전극(22-2)들과 제2 서브전극(22-2)들을 연결하는 제2 메인전극(22-1)을 포함할 수 있다.
제1 서브전극(21-2)들과 제2 서브전극(22-2)들은 서로 교차하며 제1 방향으로 배열될 수 있다. 제1 서브전극(21-2)과 제2 서브전극(22-2)의 이격 거리(D)는 발광소자(40)의 길이(T)보다 작다.
복수의 발광소자(40)들 각각의 양단은 제1 서브전극(21-2)과 제2 서브전극(22-2)의 제1 부분(21a-2, 22a-2)의 상부면에 각각 컨택한다. 발광소자(40)의 일 단은 제1 연결전극(61)에 의해 제1 전극(21-2)과 전기적으로 연결되고, 타 단은 제2 연결전극(62)에 의해 제2 전극(22-2)과 전기적으로 연결될 수 있다.
제1 전극(21)과 제2 전극(22) 주변에는 픽셀을 정의하는 격벽(30)이 형성될 수 있다. 격벽(30)은 발광소자(40)가 정렬되어 광이 방출되는 발광부(70)를 제외한 영역을 커버할 수 있다. 격벽(30)은 제1 전극선(25) 및 제2 전극선(25), 제1 메인전극(21-1) 및 제2 메인전극(22-1)을 커버할 수 있다.
발광소자(40)의 측면으로 방출되는 광은 제2 부분(21b-2, 22b-2)의 경사면에 의해 반사되어 상부로 추출될 수 있다.
도 12 및 도 13의 실시예에서 동일한 색의 광을 방출하는 픽셀(PX)들이 제1 전극(21) 및/또는 제2 전극(22)을 공유하고, 제1 전극(21) 및 제2 전극(22)은 좌우 대칭 구조를 가질 수 있다. 그러나, 본 발명의 실시예는 이에 제한되지 않고, 제1 전극(21) 및 제2 전극(22)은 도 11a 내지 도 11d에 개시된 다양한 형태의 전극 구조를 가지면서 동일한 색의 광을 방출하는 픽셀(PX)들이 제1 전극(21) 및/또는 제2 전극(22)을 공유할 수 있다.
본 발명의 실시예들에서 제1 전극과 제2 전극의 배치 및 배열은 도 2 및 도 12에 도시된 예에 제한되지 않고, 발광소자의 크기 및 밀도에 따라 다양한 레이아웃을 가질 수 있다.
본 발명의 실시예들에서 발광소자가 안착하는 전극 쌍 간의 간격이 발광소자보다 짧고, 전극 쌍 각각은 DEP 힘이 집중되는 제1 부분과 발광소자의 측부로 방출되는 광의 경로를 변경하는 반사부재로서의 제2 부분을 구비할 수 있다. 이에 따라 발광소자의 전극 쌍 상부로의 자기 정렬 실패율을 현저히 줄일 수 있고, 별도의 반사부재를 형성할 필요가 없다.
이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.

Claims (20)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 배치되고, 상부면이 평평한 제1 부분과 상기 제1 부분으로부터 돌출되고 경사면을 갖는 제2 부분을 구비한 제1 전극;
    상기 기판 상에 상기 제1 전극과 평행하게 마주하도록 배치되고, 상부면이 평평한 제1 부분과 상기 제1 부분으로부터 돌출되고 경사면을 갖는 제2 부분을 구비한 제2 전극; 및
    일 단이 상기 제1 전극의 제1 부분의 상부면과 컨택하고, 타 단이 상기 제2 전극의 제1 부분의 상부면과 컨택하고, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 상에 이격 배열된 복수의 발광소자들;을 포함하는 표시장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 간격이 상기 발광소자의 길이보다 작은, 표시장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제2 부분의 경사면의 각도가 30도 이상 내지 60도 이하인, 표시장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극 중 적어도 하나는, 상기 제2 부분의 경사면의 각도가 연속적으로 변하는, 표시장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극 중 적어도 하나는, 상기 제2 부분의 경사면의 각도가 90도인, 표시장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제2 부분의 경사면이 상기 발광소자를 마주하는 측의 제1 경사면과, 반대 측의 제2 경사면을 포함하는, 표시장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극 중 하나는, 상기 제1 경사면의 각도가 90도이고, 상기 제2 경사면의 각도가 0도와 90도 사이인, 표시장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극 중 적어도 하나는, 상기 제2 부분의 단면이 반원 형상인, 표시장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극 중 적어도 하나는, 상기 제2 부분의 단면이 직각 삼각 형상인, 표시장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 제1 부분과 상기 제2 부분은 좌우 대칭인, 표시장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 발광소자의 일 단과 상기 제1 전극에 컨택하는 제1 연결전극; 및
    상기 발광소자의 타 단과 상기 제2 전극에 컨택하는 제2 연결전극;을 포함하는 표시장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제1 연결전극은 상기 제1 전극의 노출된 상부 면의 적어도 일부를 커버하고, 상기 제2 연결전극은 상기 제2 전극의 노출된 상부 면의 적어도 일부를 커버하는, 표시장치.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극과 연결된 박막 트랜지스터; 및
    상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극과 연결된 전원배선;을 포함하는 표시장치.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극 중 하나의 제1 부분의 길이와 상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 간격의 합은 상기 발광소자의 길이보다 작은, 표시장치.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 제2부분의 높이는 상기 발광소자의 직경 이상인, 표시장치.
  16. 절연 면 상에 제1 도전층을 형성하는 단계;
    상기 제1 도전층을 패터닝하여 상부면이 평평한 제1 부분과 상기 제1 부분으로부터 돌출되고 경사면을 갖는 제2 부분을 구비한 한 쌍의 제1 전극 및 제2 전극을 형성하는 단계;
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 상에 복수의 발광소자들을 포함하는 용매를 투입하는 단계; 및
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 상이한 전기적 극성을 부여하여 상기 복수의 발광소자들의 양단이 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극의 상기 제1 부분의 상부면과 각각 컨택하며 상기 발광소자들을 정렬하는 단계;를 포함하는 표시장치 제조방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 부여된 전기적 극성에 의해 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 전기장이 형성되고, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극의 상기 제1 부분의 상부 코너에서의 전기장 기울기가 상기 제2 부분의 상부에서의 전기장 기울기보다 큰, 표시장치 제조방법.
  18. 제16항에 있어서,
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극 중 적어도 하나는, 상기 제2 부분의 단면이 반원 형상인, 표시장치 제조방법.
  19. 제14항에 있어서,
    상기 발광소자와 상기 한 쌍의 전극을 덮는 제2 도전층을 형성하는 단계; 및
    상기 제2 도전층을 패터닝하여 상기 발광소자의 일 단과 상기 제1 전극에 컨택하는 제1 연결전극과, 상기 발광소자의 타 단과 상기 제2 전극에 컨택하는 제2 연결전극을 형성하는 단계;를 포함하는 표시장치 제조방법.
  20. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전극 및 제2 전극을 형성하는 단계는,
    상기 제1 도전층 상에 상기 제2 부분의 경사면에 대응하는 영역이 점진적으로 가변하는 광 투과율을 갖는 마스크를 배치하는 단계; 및
    상기 마스크를 이용하여 상기 제1 도전층을 패터닝하는 단계;를 포함하는 표시장치 제조방법.
KR1020160088048A 2016-07-12 2016-07-12 표시장치 및 표시장치의 제조방법 KR102608419B1 (ko)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160088048A KR102608419B1 (ko) 2016-07-12 2016-07-12 표시장치 및 표시장치의 제조방법
CN201710541034.5A CN107611153B (zh) 2016-07-12 2017-07-05 显示设备和制造该显示设备的方法
CN202310913262.6A CN116705950A (zh) 2016-07-12 2017-07-05 显示设备和制造该显示设备的方法
US15/646,590 US10672946B2 (en) 2016-07-12 2017-07-11 Display apparatus having light emitting device with inclined electrode and method of manufacturing the same
EP17181066.6A EP3270413B1 (en) 2016-07-12 2017-07-12 Display apparatus and method of manufacturing the same
US16/889,123 US11114582B2 (en) 2016-07-12 2020-06-01 Display apparatus with increased self-alignment efficiency
US17/460,116 US20210391496A1 (en) 2016-07-12 2021-08-27 Display apparatus and method of manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160088048A KR102608419B1 (ko) 2016-07-12 2016-07-12 표시장치 및 표시장치의 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180007376A true KR20180007376A (ko) 2018-01-23
KR102608419B1 KR102608419B1 (ko) 2023-12-01

Family

ID=59631526

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160088048A KR102608419B1 (ko) 2016-07-12 2016-07-12 표시장치 및 표시장치의 제조방법

Country Status (4)

Country Link
US (3) US10672946B2 (ko)
EP (1) EP3270413B1 (ko)
KR (1) KR102608419B1 (ko)
CN (2) CN116705950A (ko)

Cited By (76)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190096475A (ko) * 2018-02-08 2019-08-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR20190115160A (ko) * 2018-03-30 2019-10-11 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20190120467A (ko) * 2018-04-13 2019-10-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
WO2019208880A1 (ko) * 2018-04-25 2019-10-31 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치, 이를 구비한 표시 장치, 및 그의 제조 방법
WO2020009273A1 (ko) * 2018-07-06 2020-01-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20200005693A (ko) * 2018-07-05 2020-01-16 삼성디스플레이 주식회사 발광장치 및 그의 제조방법
WO2020013386A1 (ko) * 2018-07-09 2020-01-16 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치 및 이를 구비한 표시 장치
KR20200005692A (ko) * 2018-07-05 2020-01-16 삼성디스플레이 주식회사 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
WO2020017718A1 (ko) * 2018-07-20 2020-01-23 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치, 그의 제조 방법, 및 이를 포함한 표시 장치
WO2020017712A1 (ko) * 2018-07-19 2020-01-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
WO2020017746A1 (ko) * 2018-07-18 2020-01-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법
WO2020017719A1 (ko) * 2018-07-20 2020-01-23 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치 및 이를 구비한 표시 장치
KR20200009175A (ko) * 2018-07-17 2020-01-30 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
WO2020027396A1 (ko) * 2018-08-01 2020-02-06 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20200013190A (ko) * 2018-07-27 2020-02-06 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치, 그의 제조 방법, 및 이를 구비한 표시 장치
KR20200013824A (ko) * 2018-07-30 2020-02-10 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치 및 이를 구비한 표시 장치
WO2020032335A1 (ko) * 2018-08-07 2020-02-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
WO2020040384A1 (ko) * 2018-08-20 2020-02-27 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치, 그의 제조 방법, 및 이를 구비한 표시 장치
WO2020040368A1 (ko) * 2018-08-24 2020-02-27 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자, 이를 포함하는 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
WO2020045777A1 (ko) * 2018-08-30 2020-03-05 삼성디스플레이 주식회사 화소 및 이를 포함하는 표시 장치
KR20200031743A (ko) * 2018-09-14 2020-03-25 삼성디스플레이 주식회사 발광 표시 장치의 제조 장치
WO2020059990A1 (ko) * 2018-09-21 2020-03-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
WO2020059987A1 (ko) * 2018-09-19 2020-03-26 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치 및 이를 구비하는 표시 장치
WO2020059989A1 (ko) * 2018-09-21 2020-03-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
WO2020060002A1 (ko) * 2018-09-21 2020-03-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20200034905A (ko) * 2018-09-21 2020-04-01 삼성디스플레이 주식회사 발광 표시 장치의 제조 장치 및 제조 방법
WO2020071614A1 (ko) * 2018-10-01 2020-04-09 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치 및 이의 제조 방법
WO2020080624A1 (ko) * 2018-10-16 2020-04-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20200052512A (ko) * 2018-11-06 2020-05-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그것의 제조 방법
KR20200053726A (ko) * 2018-11-08 2020-05-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법
WO2020105809A1 (ko) * 2018-11-20 2020-05-28 삼성디스플레이 주식회사 화소, 이를 구비하는 표시 장치, 및 그의 제조 방법
WO2020105824A1 (ko) * 2018-11-21 2020-05-28 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치 및 이를 구비하는 표시 장치
WO2020111413A1 (ko) * 2018-11-26 2020-06-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20200068150A (ko) * 2018-12-04 2020-06-15 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 이의 제조 방법
KR20200073340A (ko) * 2018-12-13 2020-06-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
WO2020130249A1 (ko) * 2018-12-20 2020-06-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
WO2020149471A1 (ko) * 2019-01-15 2020-07-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
WO2020149517A1 (ko) * 2019-01-15 2020-07-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
WO2020149514A1 (ko) * 2019-01-15 2020-07-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
WO2020171322A1 (ko) * 2019-02-21 2020-08-27 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 표시 장치
WO2020179989A1 (ko) * 2019-03-04 2020-09-10 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
WO2020197080A1 (ko) * 2019-03-28 2020-10-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
WO2020213822A1 (ko) * 2019-04-15 2020-10-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
WO2020218722A1 (ko) * 2019-04-22 2020-10-29 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
WO2020122696A3 (ko) * 2020-02-10 2020-12-17 엘지전자 주식회사 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
WO2020256270A1 (ko) * 2019-06-17 2020-12-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
WO2020256203A1 (ko) * 2019-06-18 2020-12-24 엘지전자 주식회사 디스플레이 장치 제조를 위한 기판 및 디스플레이 장치의 제조방법
WO2020256250A1 (ko) * 2019-06-20 2020-12-24 엘지전자 주식회사 마이크로 엘이디를 이용한 디스플레이 장치
WO2020256256A1 (ko) * 2019-06-21 2020-12-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
WO2021006509A1 (ko) * 2019-07-05 2021-01-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
WO2021033887A1 (ko) * 2019-08-20 2021-02-25 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
WO2021045605A1 (ko) * 2019-09-05 2021-03-11 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
WO2021045413A1 (ko) * 2019-09-04 2021-03-11 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
WO2021049725A1 (ko) * 2019-09-11 2021-03-18 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 장치
WO2021054551A1 (ko) * 2019-09-16 2021-03-25 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
WO2021091062A1 (ko) * 2019-11-07 2021-05-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
WO2021107237A1 (ko) * 2019-11-28 2021-06-03 엘지전자 주식회사 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
WO2021118182A1 (ko) * 2019-12-10 2021-06-17 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
WO2021118088A1 (ko) * 2019-12-11 2021-06-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
WO2021162155A1 (ko) * 2020-02-11 2021-08-19 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
WO2021177673A1 (en) * 2020-03-02 2021-09-10 Lg Electronics Inc. A substrate for manufacturing display device and a manufacturing method using the same
WO2021246741A1 (ko) * 2020-06-04 2021-12-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
WO2022045392A1 (ko) * 2020-08-27 2022-03-03 엘지전자 주식회사 디스플레이 장치 제조용 기판
WO2022059994A1 (ko) * 2020-09-15 2022-03-24 삼성디스플레이 주식회사 화소 및 이를 구비한 표시 장치와 그의 제조 방법
WO2022086018A1 (ko) * 2020-10-22 2022-04-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US11348966B2 (en) 2018-11-22 2022-05-31 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method for manufacturing same
WO2022119018A1 (ko) * 2020-12-04 2022-06-09 엘지전자 주식회사 디스플레이 장치
WO2022169199A1 (ko) * 2021-02-03 2022-08-11 삼성전자 주식회사 마이크로 반도체 칩 전사 기판, 이를 활용하는 디스플레이 전사 구조물, 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치 제조방법
US11437345B2 (en) 2019-12-23 2022-09-06 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the same
US11600756B2 (en) 2019-08-22 2023-03-07 Samsung Display Co., Ltd. Display device with bank pattern
WO2023054764A1 (ko) * 2021-09-30 2023-04-06 엘지전자 주식회사 디스플레이 장치
US11728464B2 (en) 2020-01-16 2023-08-15 Samsung Display Co., Ltd. Light emitting element, manufacturing method thereof, and composition including the same
US11787964B2 (en) 2020-04-22 2023-10-17 Samsung Display Co., Ltd. Light emitting element ink and method of manufacturing display device
US11787190B2 (en) 2018-12-24 2023-10-17 Samsung Display Co., Ltd. Inkjet printing device, ink ejecting method, and method for manufacturing display device
KR20230145962A (ko) * 2018-07-04 2023-10-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US12002905B2 (en) 2018-08-24 2024-06-04 Samsung Display Co., Ltd. Light emitting element, display device including the same, and method for manufacturing the display device

Families Citing this family (93)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180007025A (ko) * 2016-07-11 2018-01-22 삼성디스플레이 주식회사 초소형 발광 소자를 포함하는 픽셀 구조체, 표시장치 및 그 제조방법
KR102608419B1 (ko) 2016-07-12 2023-12-01 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 표시장치의 제조방법
CN107170773B (zh) * 2017-05-23 2019-09-17 深圳市华星光电技术有限公司 微发光二极管显示面板及其制作方法
KR102513267B1 (ko) 2017-10-13 2023-03-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
US20190189850A1 (en) * 2017-12-19 2019-06-20 Epistar Corporation Light-emitting device
US11961875B2 (en) 2017-12-20 2024-04-16 Lumileds Llc Monolithic segmented LED array architecture with islanded epitaxial growth
US11749790B2 (en) * 2017-12-20 2023-09-05 Lumileds Llc Segmented LED with embedded transistors
US11296262B2 (en) 2017-12-21 2022-04-05 Lumileds Llc Monolithic segmented LED array architecture with reduced area phosphor emission surface
US10957820B2 (en) 2017-12-21 2021-03-23 Lumileds Llc Monolithic, segmented light emitting diode array
US20190198720A1 (en) 2017-12-22 2019-06-27 Lumileds Llc Particle systems and patterning for monolithic led arrays
EP3748679B1 (en) * 2018-02-01 2024-06-05 LG Electronics Inc. Display device using semiconductor light-emitting element
CN208014703U (zh) * 2018-03-29 2018-10-26 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 驱动背板、微发光二极管显示面板及显示器
KR102517393B1 (ko) 2018-04-18 2023-04-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN110473890A (zh) * 2018-05-09 2019-11-19 三星显示有限公司 发光设备及包括发光设备的显示设备
KR102588659B1 (ko) * 2018-06-26 2023-10-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US20210126158A1 (en) * 2018-06-27 2021-04-29 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus for manufacturing light-emitting display device
KR102552602B1 (ko) * 2018-07-10 2023-07-10 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치, 그의 제조 방법, 및 이를 구비한 표시 장치
KR102604659B1 (ko) * 2018-07-13 2023-11-21 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치 및 이의 제조 방법
KR102136579B1 (ko) * 2018-07-27 2020-07-22 서울대학교산학협력단 표시 장치
KR102626051B1 (ko) * 2018-08-14 2024-01-19 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자, 발광 소자를 포함하는 픽셀 구조체 및 그 제조 방법
KR102509929B1 (ko) * 2018-09-05 2023-03-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102559818B1 (ko) * 2018-09-21 2023-07-26 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자의 정렬 방법과 이를 이용한 표시 장치의 제조 방법
US10811460B2 (en) 2018-09-27 2020-10-20 Lumileds Holding B.V. Micrometer scale light emitting diode displays on patterned templates and substrates
US10923628B2 (en) 2018-09-27 2021-02-16 Lumileds Llc Micrometer scale light emitting diode displays on patterned templates and substrates
US11271033B2 (en) 2018-09-27 2022-03-08 Lumileds Llc Micro light emitting devices
US10964845B2 (en) 2018-09-27 2021-03-30 Lumileds Llc Micro light emitting devices
KR102652769B1 (ko) * 2018-10-01 2024-04-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR20200040352A (ko) * 2018-10-08 2020-04-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR20200052044A (ko) * 2018-11-06 2020-05-14 삼성전자주식회사 디스플레이 장치
EP3890021A4 (en) * 2018-11-27 2022-08-24 Samsung Display Co., Ltd. INDICATOR
KR102553231B1 (ko) * 2018-11-27 2023-07-11 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
CN113169212A (zh) * 2018-12-07 2021-07-23 三星显示有限公司 显示装置及其制造方法
KR102556661B1 (ko) * 2018-12-17 2023-07-17 엘지디스플레이 주식회사 고 해상도 마이크로 led 표시 장치
KR102555828B1 (ko) * 2018-12-17 2023-07-13 엘지디스플레이 주식회사 고 해상도 마이크로 led 표시 장치 및 그 제조 방법
US10991865B2 (en) 2018-12-20 2021-04-27 Samsung Display Co., Ltd. Display device
KR20200088949A (ko) * 2019-01-15 2020-07-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
WO2020153767A1 (en) * 2019-01-22 2020-07-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Display module and repairing method of the same
KR20200097869A (ko) * 2019-02-08 2020-08-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20200118937A (ko) * 2019-04-08 2020-10-19 삼성디스플레이 주식회사 화소, 이를 구비한 표시 장치 및 그의 제조 방법
DE102019110200A1 (de) * 2019-04-17 2020-10-22 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauelement
KR20200129244A (ko) * 2019-05-07 2020-11-18 삼성디스플레이 주식회사 화소 및 이를 구비한 표시 장치
KR20200138479A (ko) * 2019-05-29 2020-12-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US11271032B2 (en) * 2019-06-20 2022-03-08 Samsung Display Co., Ltd. Display device
KR20200145965A (ko) * 2019-06-21 2020-12-31 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
CN110231890B (zh) * 2019-06-28 2022-04-29 京东方科技集团股份有限公司 一种压力感应器件、显示面板及其制作方法、显示设备
KR102659765B1 (ko) * 2019-06-28 2024-04-24 엘지전자 주식회사 디스플레이 장치 제조를 위한 기판 및 디스플레이 장치의 제조방법
KR20190085892A (ko) * 2019-07-01 2019-07-19 엘지전자 주식회사 마이크로 led를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
KR20210008206A (ko) * 2019-07-10 2021-01-21 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자, 이의 제조 방법 및 표시 장치
KR20210016122A (ko) * 2019-07-31 2021-02-15 삼성디스플레이 주식회사 쌍극자 정렬 장치, 쌍극자 정렬 방법 및 표시 장치의 제조 방법
KR20210021196A (ko) * 2019-08-14 2021-02-25 삼성디스플레이 주식회사 발광소자, 발광장치 및 그 제조 방법
KR20210022799A (ko) * 2019-08-20 2021-03-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210027564A (ko) * 2019-08-28 2021-03-11 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN110690245B (zh) * 2019-10-16 2022-03-25 福州大学 基于异形纳米led晶粒的发光显示器件
KR20210055829A (ko) * 2019-11-07 2021-05-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210059110A (ko) * 2019-11-14 2021-05-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US11923398B2 (en) 2019-12-23 2024-03-05 Lumileds Llc III-nitride multi-wavelength LED arrays
US11404473B2 (en) 2019-12-23 2022-08-02 Lumileds Llc III-nitride multi-wavelength LED arrays
KR20210084789A (ko) * 2019-12-27 2021-07-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210086807A (ko) * 2019-12-30 2021-07-09 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 이의 제조방법
KR20210098589A (ko) * 2020-01-31 2021-08-11 삼성디스플레이 주식회사 잉크 조성물, 이를 이용한 발광 장치 및 이의 제조 방법
KR20210102560A (ko) * 2020-02-11 2021-08-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210103602A (ko) * 2020-02-13 2021-08-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210104392A (ko) * 2020-02-17 2021-08-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210111919A (ko) * 2020-03-03 2021-09-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
US11942507B2 (en) 2020-03-11 2024-03-26 Lumileds Llc Light emitting diode devices
US11848402B2 (en) 2020-03-11 2023-12-19 Lumileds Llc Light emitting diode devices with multilayer composite film including current spreading layer
US11569415B2 (en) 2020-03-11 2023-01-31 Lumileds Llc Light emitting diode devices with defined hard mask opening
US11735695B2 (en) 2020-03-11 2023-08-22 Lumileds Llc Light emitting diode devices with current spreading layer
KR20210124564A (ko) * 2020-04-03 2021-10-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210132786A (ko) * 2020-04-27 2021-11-05 삼성디스플레이 주식회사 화소 및 이를 구비한 표시 장치
KR20210136213A (ko) * 2020-05-06 2021-11-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210143350A (ko) * 2020-05-19 2021-11-29 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
WO2021242074A1 (ko) * 2020-05-26 2021-12-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210157794A (ko) * 2020-06-22 2021-12-29 삼성전자주식회사 발광 다이오드 모듈 및 발광 다이오드 모듈 제조 방법
KR20220004849A (ko) * 2020-07-02 2022-01-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20220009528A (ko) * 2020-07-15 2022-01-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR20220017024A (ko) * 2020-08-03 2022-02-11 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 잉크 및 표시 장치의 제조 방법
KR20220039071A (ko) * 2020-09-21 2022-03-29 삼성전기주식회사 전자소자 모듈 및 이에 이용되는 인쇄회로기판
KR20220046020A (ko) * 2020-10-06 2022-04-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20220046740A (ko) * 2020-10-07 2022-04-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20220054507A (ko) * 2020-10-23 2022-05-03 삼성디스플레이 주식회사 화소 및 이를 구비한 표시 장치
US11626538B2 (en) 2020-10-29 2023-04-11 Lumileds Llc Light emitting diode device with tunable emission
US11901491B2 (en) 2020-10-29 2024-02-13 Lumileds Llc Light emitting diode devices
US11631786B2 (en) 2020-11-12 2023-04-18 Lumileds Llc III-nitride multi-wavelength LED arrays with etch stop layer
KR20220069186A (ko) * 2020-11-19 2022-05-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US11705534B2 (en) 2020-12-01 2023-07-18 Lumileds Llc Methods of making flip chip micro light emitting diodes
US11955583B2 (en) 2020-12-01 2024-04-09 Lumileds Llc Flip chip micro light emitting diodes
US11600656B2 (en) 2020-12-14 2023-03-07 Lumileds Llc Light emitting diode device
KR20220085931A (ko) * 2020-12-15 2022-06-23 삼성디스플레이 주식회사 발광 다이오드 및 이를 포함한 표시 장치
CN114725148A (zh) * 2021-01-05 2022-07-08 群创光电股份有限公司 显示装置的制作方法
CN113437089B (zh) * 2021-06-10 2024-03-26 惠州华星光电显示有限公司 面板及其制备方法
CN113571619B (zh) * 2021-06-30 2023-04-07 上海天马微电子有限公司 显示面板、显示装置及显示面板的制备方法
US11935987B2 (en) 2021-11-03 2024-03-19 Lumileds Llc Light emitting diode arrays with a light-emitting pixel area

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009038125A (ja) * 2007-07-31 2009-02-19 Sanyo Electric Co Ltd 発光モジュールおよびその製造方法
KR20150094856A (ko) * 2014-02-11 2015-08-20 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 그 제조방법

Family Cites Families (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4916464A (en) * 1987-04-22 1990-04-10 Oki Electric Industry Co., Ltd. Light emitting diode array print head having no bonding wire connections
US6410942B1 (en) * 1999-12-03 2002-06-25 Cree Lighting Company Enhanced light extraction through the use of micro-LED arrays
JP3988429B2 (ja) * 2001-10-10 2007-10-10 ソニー株式会社 半導体発光素子、画像表示装置及び照明装置とその製造方法
JP2003317971A (ja) * 2002-04-26 2003-11-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
JP2004128187A (ja) * 2002-10-02 2004-04-22 Sony Corp 半導体素子及び半導体装置、並びにこれらの製造方法
US7161184B2 (en) * 2003-06-16 2007-01-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
TWI220578B (en) * 2003-09-16 2004-08-21 Opto Tech Corp Light-emitting device capable of increasing light-emitting active region
KR100984359B1 (ko) * 2003-11-20 2010-09-30 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판
EP1700350A2 (en) * 2003-12-09 2006-09-13 Gelcore LLC Surface mount light emitting chip package
KR100674827B1 (ko) * 2004-07-28 2007-01-25 삼성전기주식회사 백라이트 유니트용 ｌｅｄ 패키지
KR20060084589A (ko) * 2005-01-20 2006-07-25 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
KR100682877B1 (ko) * 2005-07-12 2007-02-15 삼성전기주식회사 발광다이오드 및 그 제조방법
KR100592508B1 (ko) 2005-07-15 2006-06-26 한국광기술원 비콘 모양의 기판을 구비한 고출력 발광 다이오드 패키지
US7381625B2 (en) 2005-10-12 2008-06-03 Board Of Trustees Operating Michigan State University Deterministic process for constructing nanodevices
JP2007184381A (ja) * 2006-01-06 2007-07-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd フリップチップ実装用回路基板とその製造方法、並びに半導体装置とその製造方法
US7442564B2 (en) * 2006-01-19 2008-10-28 Cree, Inc. Dispensed electrical interconnections
JP4823866B2 (ja) * 2006-11-13 2011-11-24 株式会社小糸製作所 車両用灯具の発光モジュール
JP4381428B2 (ja) * 2007-04-10 2009-12-09 シャープ株式会社 微細構造体の配列方法及び微細構造体を配列した基板、並びに集積回路装置及び表示素子
FR2929864B1 (fr) * 2008-04-09 2020-02-07 Commissariat A L'energie Atomique Auto-assemblage de puces sur un substrat
KR20110041401A (ko) 2009-10-15 2011-04-21 샤프 가부시키가이샤 발광 장치 및 그 제조 방법
US8872214B2 (en) 2009-10-19 2014-10-28 Sharp Kabushiki Kaisha Rod-like light-emitting device, method of manufacturing rod-like light-emitting device, backlight, illuminating device, and display device
JP4814394B2 (ja) 2010-03-05 2011-11-16 シャープ株式会社 発光装置の製造方法
KR101014155B1 (ko) * 2010-03-10 2011-02-10 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지
CN102782892B (zh) * 2010-03-12 2015-07-01 夏普株式会社 发光装置的制造方法、发光装置、照明装置、背光灯、液晶面板、显示装置、显示装置的制造方法、显示装置的驱动方法及液晶显示装置
WO2012042564A1 (ja) * 2010-09-29 2012-04-05 パナソニック株式会社 表示装置用薄膜半導体装置、表示装置用薄膜半導体装置の製造方法、ｅｌ表示パネル及びｅｌ表示装置
US9603257B2 (en) * 2010-10-22 2017-03-21 Sony Corporation Pattern substrate, method of producing the same, information input apparatus, and display apparatus
KR20120064870A (ko) * 2010-12-10 2012-06-20 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 발광소자 패키지
KR101244926B1 (ko) 2011-04-28 2013-03-18 피에스아이 주식회사 초소형 ｌｅｄ 소자 및 그 제조방법
KR101799449B1 (ko) * 2011-05-04 2017-11-20 엘지이노텍 주식회사 발광소자 모듈 및 이를 포함하는 조명 시스템
KR101881133B1 (ko) * 2011-06-29 2018-07-24 삼성디스플레이 주식회사 절연층의 경사 구조 형성 방법, 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
TWI475729B (zh) * 2011-07-14 2015-03-01 Univ Nat Taiwan Science Tech 偏極化白光發光二極體
KR101871501B1 (ko) * 2011-07-29 2018-06-27 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 조명 시스템
JP2013038229A (ja) * 2011-08-08 2013-02-21 Seiko Epson Corp 電気装置の製造方法、半導体基板の製造方法、電気装置用形成基板、及び電子機器
DE102012107547B4 (de) * 2011-08-22 2020-12-31 Samsung Electronics Co., Ltd. Gehäuse für eine lichtabgebende Vorrichtung
KR101821167B1 (ko) * 2011-08-30 2018-01-24 삼성디스플레이 주식회사 반사 구조를 갖는 전극을 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
JP2013251255A (ja) * 2012-05-04 2013-12-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置の作製方法
JP2015144147A (ja) 2012-05-11 2015-08-06 シチズンホールディングス株式会社 Ｌｅｄモジュール
KR20140096722A (ko) * 2013-01-29 2014-08-06 엘지이노텍 주식회사 램프 유닛
KR101436123B1 (ko) 2013-07-09 2014-11-03 피에스아이 주식회사 초소형 led를 포함하는 디스플레이 및 이의 제조방법
US9773761B2 (en) 2013-07-09 2017-09-26 Psi Co., Ltd Ultra-small LED electrode assembly and method for manufacturing same
JP6209949B2 (ja) * 2013-11-13 2017-10-11 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
KR102255214B1 (ko) 2014-11-13 2021-05-24 삼성전자주식회사 발광 소자
KR102386458B1 (ko) * 2014-11-17 2022-04-15 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101713818B1 (ko) 2014-11-18 2017-03-10 피에스아이 주식회사 초소형 led 소자를 포함하는 전극어셈블리 및 그 제조방법
KR101672781B1 (ko) 2014-11-18 2016-11-07 피에스아이 주식회사 수평배열 어셈블리용 초소형 led 소자, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 수평배열 어셈블리
KR101730977B1 (ko) 2016-01-14 2017-04-28 피에스아이 주식회사 초소형 led 전극어셈블리
KR102550698B1 (ko) * 2016-04-11 2023-07-06 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 조명 장치
KR102661474B1 (ko) * 2016-04-11 2024-04-29 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR101987196B1 (ko) * 2016-06-14 2019-06-11 삼성디스플레이 주식회사 픽셀 구조체, 픽셀 구조체를 포함하는 표시장치 및 그 제조 방법
KR102608419B1 (ko) 2016-07-12 2023-12-01 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 표시장치의 제조방법
KR101711187B1 (ko) 2017-01-20 2017-03-06 피에스아이 주식회사 초소형 led 전극어셈블리
KR102415812B1 (ko) 2017-09-22 2022-07-01 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치 및 발광 장치의 제조 방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009038125A (ja) * 2007-07-31 2009-02-19 Sanyo Electric Co Ltd 発光モジュールおよびその製造方法
KR20150094856A (ko) * 2014-02-11 2015-08-20 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 그 제조방법

Cited By (113)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190096475A (ko) * 2018-02-08 2019-08-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
US11842681B2 (en) 2018-02-08 2023-12-12 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the same
KR20190115160A (ko) * 2018-03-30 2019-10-11 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US11798975B2 (en) 2018-03-30 2023-10-24 Samsung Display Co., Ltd. Display device
KR20190120467A (ko) * 2018-04-13 2019-10-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US11811012B2 (en) 2018-04-25 2023-11-07 Samsung Display Co., Ltd. Light-emitting device, display device having same, and method for manufacturing same
KR20190124359A (ko) * 2018-04-25 2019-11-05 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치, 이를 구비한 표시 장치, 및 그의 제조 방법
KR20220163319A (ko) * 2018-04-25 2022-12-09 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치, 이를 구비한 표시 장치, 및 그의 제조 방법
WO2019208880A1 (ko) * 2018-04-25 2019-10-31 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치, 이를 구비한 표시 장치, 및 그의 제조 방법
US11367823B2 (en) 2018-04-25 2022-06-21 Samsung Display Co., Ltd. Light-emitting device, display device having same, and method for manufacturing same
KR20230145962A (ko) * 2018-07-04 2023-10-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20200005693A (ko) * 2018-07-05 2020-01-16 삼성디스플레이 주식회사 발광장치 및 그의 제조방법
KR20200005692A (ko) * 2018-07-05 2020-01-16 삼성디스플레이 주식회사 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
US11791323B2 (en) 2018-07-05 2023-10-17 Samsung Display Co., Ltd. Light emitting display device and method of fabricating the same
WO2020009273A1 (ko) * 2018-07-06 2020-01-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20200005711A (ko) * 2018-07-06 2020-01-16 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
WO2020013386A1 (ko) * 2018-07-09 2020-01-16 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치 및 이를 구비한 표시 장치
KR20200009175A (ko) * 2018-07-17 2020-01-30 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US11961950B2 (en) 2018-07-17 2024-04-16 Samsung Display Co., Ltd. Display device
KR20200010685A (ko) * 2018-07-18 2020-01-31 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법
WO2020017746A1 (ko) * 2018-07-18 2020-01-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법
WO2020017712A1 (ko) * 2018-07-19 2020-01-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US11990566B2 (en) 2018-07-19 2024-05-21 Samsung Display Co., Ltd. Display device
WO2020017718A1 (ko) * 2018-07-20 2020-01-23 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치, 그의 제조 방법, 및 이를 포함한 표시 장치
WO2020017719A1 (ko) * 2018-07-20 2020-01-23 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치 및 이를 구비한 표시 장치
US11749783B2 (en) 2018-07-27 2023-09-05 Samsung Display Co., Ltd. Light emitting device, manufacturing method thereof, and display device having same
KR20200013190A (ko) * 2018-07-27 2020-02-06 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치, 그의 제조 방법, 및 이를 구비한 표시 장치
KR20200013824A (ko) * 2018-07-30 2020-02-10 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치 및 이를 구비한 표시 장치
US11152424B2 (en) 2018-08-01 2021-10-19 Samsung Display Co., Ltd. Display device
WO2020027396A1 (ko) * 2018-08-01 2020-02-06 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
WO2020032335A1 (ko) * 2018-08-07 2020-02-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR20200017013A (ko) * 2018-08-07 2020-02-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
US11870024B2 (en) 2018-08-07 2024-01-09 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the display device having a bridge pattern provided in a peripheral area
WO2020040384A1 (ko) * 2018-08-20 2020-02-27 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치, 그의 제조 방법, 및 이를 구비한 표시 장치
KR20200023581A (ko) * 2018-08-24 2020-03-05 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자, 이를 포함하는 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
US12002905B2 (en) 2018-08-24 2024-06-04 Samsung Display Co., Ltd. Light emitting element, display device including the same, and method for manufacturing the display device
WO2020040368A1 (ko) * 2018-08-24 2020-02-27 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자, 이를 포함하는 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
WO2020045777A1 (ko) * 2018-08-30 2020-03-05 삼성디스플레이 주식회사 화소 및 이를 포함하는 표시 장치
US11688314B2 (en) 2018-08-30 2023-06-27 Samsung Display Co., Ltd. Pixel and display device comprising same
KR20200031743A (ko) * 2018-09-14 2020-03-25 삼성디스플레이 주식회사 발광 표시 장치의 제조 장치
JP2021536040A (ja) * 2018-09-19 2021-12-23 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co., Ltd. 発光装置及びこれを備える表示装置
WO2020059987A1 (ko) * 2018-09-19 2020-03-26 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치 및 이를 구비하는 표시 장치
KR20200033379A (ko) * 2018-09-19 2020-03-30 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치 및 이를 구비하는 표시 장치
US12009383B2 (en) 2018-09-19 2024-06-11 Samsung Display Co., Ltd. Light emitting device and display device comprising partition walls between emission areas
KR20200034905A (ko) * 2018-09-21 2020-04-01 삼성디스플레이 주식회사 발광 표시 장치의 제조 장치 및 제조 방법
WO2020059990A1 (ko) * 2018-09-21 2020-03-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
WO2020059989A1 (ko) * 2018-09-21 2020-03-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
WO2020060002A1 (ko) * 2018-09-21 2020-03-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20200034896A (ko) * 2018-09-21 2020-04-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
CN112740407A (zh) * 2018-09-21 2021-04-30 三星显示有限公司 显示装置及其制造方法
KR20200037906A (ko) * 2018-10-01 2020-04-10 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치 및 이의 제조 방법
WO2020071614A1 (ko) * 2018-10-01 2020-04-09 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치 및 이의 제조 방법
WO2020080624A1 (ko) * 2018-10-16 2020-04-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20200042997A (ko) * 2018-10-16 2020-04-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20200052512A (ko) * 2018-11-06 2020-05-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그것의 제조 방법
US11050001B2 (en) 2018-11-08 2021-06-29 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the same
KR20200053726A (ko) * 2018-11-08 2020-05-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법
US11637222B2 (en) 2018-11-08 2023-04-25 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the same
WO2020105809A1 (ko) * 2018-11-20 2020-05-28 삼성디스플레이 주식회사 화소, 이를 구비하는 표시 장치, 및 그의 제조 방법
WO2020105824A1 (ko) * 2018-11-21 2020-05-28 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치 및 이를 구비하는 표시 장치
US11705481B2 (en) 2018-11-22 2023-07-18 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method for manufacturing same
US11348966B2 (en) 2018-11-22 2022-05-31 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method for manufacturing same
US11935988B2 (en) 2018-11-26 2024-03-19 Samsung Display Co., Ltd. Display device
WO2020111413A1 (ko) * 2018-11-26 2020-06-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20200068150A (ko) * 2018-12-04 2020-06-15 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 이의 제조 방법
US11211534B2 (en) 2018-12-04 2021-12-28 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of fabricating the same
US11855053B2 (en) 2018-12-13 2023-12-26 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method for manufacturing same
KR20200073340A (ko) * 2018-12-13 2020-06-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
US11978834B2 (en) 2018-12-20 2024-05-07 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method for manufacturing same
WO2020130249A1 (ko) * 2018-12-20 2020-06-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
US11787190B2 (en) 2018-12-24 2023-10-17 Samsung Display Co., Ltd. Inkjet printing device, ink ejecting method, and method for manufacturing display device
KR20200088951A (ko) * 2019-01-15 2020-07-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
WO2020149514A1 (ko) * 2019-01-15 2020-07-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
WO2020149517A1 (ko) * 2019-01-15 2020-07-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
WO2020149471A1 (ko) * 2019-01-15 2020-07-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
WO2020171322A1 (ko) * 2019-02-21 2020-08-27 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 표시 장치
WO2020179989A1 (ko) * 2019-03-04 2020-09-10 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
CN113519060A (zh) * 2019-03-04 2021-10-19 Lg电子株式会社 使用半导体发光元件的显示装置
CN113519060B (zh) * 2019-03-04 2023-08-11 Lg电子株式会社 使用半导体发光元件的显示装置
KR20200106406A (ko) * 2019-03-04 2020-09-14 엘지전자 주식회사 디스플레이 장치
WO2020197080A1 (ko) * 2019-03-28 2020-10-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
WO2020213822A1 (ko) * 2019-04-15 2020-10-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
WO2020218722A1 (ko) * 2019-04-22 2020-10-29 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
WO2020256270A1 (ko) * 2019-06-17 2020-12-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
WO2020256203A1 (ko) * 2019-06-18 2020-12-24 엘지전자 주식회사 디스플레이 장치 제조를 위한 기판 및 디스플레이 장치의 제조방법
WO2020256250A1 (ko) * 2019-06-20 2020-12-24 엘지전자 주식회사 마이크로 엘이디를 이용한 디스플레이 장치
WO2020256256A1 (ko) * 2019-06-21 2020-12-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
WO2021006509A1 (ko) * 2019-07-05 2021-01-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
WO2021033887A1 (ko) * 2019-08-20 2021-02-25 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
US11600756B2 (en) 2019-08-22 2023-03-07 Samsung Display Co., Ltd. Display device with bank pattern
WO2021045413A1 (ko) * 2019-09-04 2021-03-11 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
WO2021045605A1 (ko) * 2019-09-05 2021-03-11 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
WO2021049725A1 (ko) * 2019-09-11 2021-03-18 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 장치
WO2021054551A1 (ko) * 2019-09-16 2021-03-25 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
WO2021091062A1 (ko) * 2019-11-07 2021-05-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
WO2021107237A1 (ko) * 2019-11-28 2021-06-03 엘지전자 주식회사 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
WO2021118182A1 (ko) * 2019-12-10 2021-06-17 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
WO2021118088A1 (ko) * 2019-12-11 2021-06-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
US11437345B2 (en) 2019-12-23 2022-09-06 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the same
US11798915B2 (en) 2019-12-23 2023-10-24 Samsung Display Co., Ltd. Display device comprising alignment lines and method of manufacturing the same
US11728464B2 (en) 2020-01-16 2023-08-15 Samsung Display Co., Ltd. Light emitting element, manufacturing method thereof, and composition including the same
WO2020122696A3 (ko) * 2020-02-10 2020-12-17 엘지전자 주식회사 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
WO2021162155A1 (ko) * 2020-02-11 2021-08-19 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
WO2021177673A1 (en) * 2020-03-02 2021-09-10 Lg Electronics Inc. A substrate for manufacturing display device and a manufacturing method using the same
US11787964B2 (en) 2020-04-22 2023-10-17 Samsung Display Co., Ltd. Light emitting element ink and method of manufacturing display device
WO2021246741A1 (ko) * 2020-06-04 2021-12-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
WO2022045392A1 (ko) * 2020-08-27 2022-03-03 엘지전자 주식회사 디스플레이 장치 제조용 기판
WO2022059994A1 (ko) * 2020-09-15 2022-03-24 삼성디스플레이 주식회사 화소 및 이를 구비한 표시 장치와 그의 제조 방법
US11569273B2 (en) 2020-09-15 2023-01-31 Samsung Display Co., Ltd. Pixel, display device including pixel, and method of manufacturing display device
WO2022086018A1 (ko) * 2020-10-22 2022-04-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
WO2022119018A1 (ko) * 2020-12-04 2022-06-09 엘지전자 주식회사 디스플레이 장치
WO2022169199A1 (ko) * 2021-02-03 2022-08-11 삼성전자 주식회사 마이크로 반도체 칩 전사 기판, 이를 활용하는 디스플레이 전사 구조물, 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치 제조방법
WO2023054764A1 (ko) * 2021-09-30 2023-04-06 엘지전자 주식회사 디스플레이 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US20210391496A1 (en) 2021-12-16
CN107611153A (zh) 2018-01-19
EP3270413B1 (en) 2020-04-29
US11114582B2 (en) 2021-09-07
CN116705950A (zh) 2023-09-05
US20180019369A1 (en) 2018-01-18
US10672946B2 (en) 2020-06-02
EP3270413A1 (en) 2018-01-17
KR102608419B1 (ko) 2023-12-01
US20200295223A1 (en) 2020-09-17
CN107611153B (zh) 2023-08-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102608419B1 (ko) 표시장치 및 표시장치의 제조방법
KR102642102B1 (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
TWI816826B (zh) 顯示裝置
KR102545982B1 (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102588659B1 (ko) 표시 장치
KR20170104086A (ko) 표시 장치
US11302747B2 (en) Display device
WO2020203702A1 (ja) 表示装置
KR20200004482A (ko) 표시 장치 및 이의 제조방법
KR20210124564A (ko) 표시 장치
KR20210148536A (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN116547825A (zh) 发光元件、包括发光元件的发光元件单元和显示装置
KR20210054119A (ko) 표시 장치
CN116057614A (zh) 显示装置
CN113555386A (zh) 显示装置
KR20210027564A (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
US20230411371A1 (en) Display device and method for manufacturing the same
CN116114059A (zh) 显示装置
CN116802815A (zh) 显示装置
KR20200063386A (ko) 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant