CN116057614A

CN116057614A - 显示装置

Info

Publication number: CN116057614A
Application number: CN202180056761.7A
Authority: CN
Inventors: 金晙容; 金性勳
Original assignee: Samsung Display Co Ltd
Current assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2020-08-07
Filing date: 2021-08-06
Publication date: 2023-05-02
Also published as: WO2022031104A1; US20220045042A1; KR20220019195A

Abstract

提供了显示装置。显示装置包括：显示区域，包括具有发光区域的子像素的像素布置在显示区域中；非显示区域，用于包围显示区域；电极，从显示区域在一个方向上延伸，并且布置成在子像素内彼此间隔开；发光元件，在发光区域内布置电极上；以及接触电极，与发光元件中的任一个和电极接触，其中，像素包括布置在显示区域中的第一类型像素和布置在显示区域的最外侧部分处的第二类型像素，并且第一类型像素的发光区域中每面积的发光元件的数量不同于第二类型像素的区域中每面积的发光元件的数量。

Description

显示装置

技术领域

本公开涉及显示装置。

背景技术

随着多媒体技术的发展，显示装置变得越来越重要。因此，已经使用了各种显示装置，诸如有机发光二极管(OLED)显示装置、液晶显示(LCD)装置等。

典型的显示装置包括显示面板，诸如有机发光显示面板或液晶显示(LCD)面板。发光显示面板可以包括发光元件。例如，发光二极管(LED)包括使用有机材料作为荧光材料的有机发光二极管(OLED)和使用无机材料作为荧光材料的无机LED。

发明内容

技术问题

本公开的实施方式提供了显示装置，该显示装置包括根据其位置具有不同的每单位面积的亮度的像素。

本公开的实施方式还提供了具有弯曲的拐角的显示装置，其中防止在拐角中的显示区域中看到像素的边界。

应当注意，本公开的方面不限于以上提及的方面，并且本公开的其它未提及的方面将由本领域技术人员从以下描述中清楚地理解。

技术方案

根据本公开的实施方式，显示装置包括：显示区域，包括多个子像素的多个像素布置在显示区域中，多个子像素各自包括发射区域；非显示区域，围绕显示区域；多个电极，多个电极中的每个包括在显示区域中在一方向上延伸的至少部分，并且在多个子像素中的每个中彼此间隔开；多个发光元件，在发射区域中设置在多个电极上；以及多个接触电极，多个接触电极中的每个接触多个电极中的一个和多个发光元件，其中，多个像素包括：第一类型像素，设置在显示区域中；以及第二类型像素，设置在显示区域的最外侧部分中，以及第一类型像素的发射区域中每单位面积的发光元件的数量不同于第二类型像素的发射区域中每单位面积的发光元件的数量。

显示装置可以包括：第一侧边，在第一方向上延伸；第二侧边，在不同于第一方向的第二方向上延伸；以及拐角，其中，第一侧边和第二侧边可以在拐角处交汇，拐角的外侧边可以是弯曲的，以及第二类型像素可以沿着拐角的外侧边设置。

显示装置还可以包括第三类型像素，第三类型像素设置在显示区域的最外侧部分中以与第一侧边和第二侧边对应，其中，第三类型像素的发射区域中每单位面积的发光元件的数量可以不同于第二类型像素的发射区域中每单位面积的发光元件的数量。

第二类型像素的多个子像素中的每个的发射区域的面积可以等于第一类型像素的多个子像素中的每个的发射区域的面积，以及第二类型像素的发射区域中的发光元件的数量可以小于第一类型像素的发射区域中的发光元件的数量。

多个像素可以包括第四类型像素，第四类型像素在显示区域中设置在第二类型像素内侧并且与第二类型像素相邻，以及第四类型像素的发射区域中每单位面积的发光元件的数量可以不同于第一类型像素的发射区域中每单位面积的发光元件的数量以及第二类型像素的发射区域中每单位面积的发光元件的数量。

第二类型像素的多个子像素中的每个的发射区域的面积可以彼此相等，以及第二类型像素的多个子像素中的每个的发射区域的面积可以不同于第一类型像素的多个子像素中的每个的发射区域的面积。

第二类型像素的多个子像素中的每个的发射区域的面积可以小于第一类型像素的多个子像素中的每个的发射区域的面积，以及第二类型像素的多个子像素中的每个的发射区域中的发光元件的数量可以等于第一类型像素的多个子像素中的每个的发射区域中的发光元件的数量。

第二类型像素的多个子像素中的每个的发射区域的面积可以小于第一类型像素的多个子像素中的每个的发射区域的面积，以及第二类型像素的多个子像素中的每个的发射区域中的发光元件的数量可以小于第一类型像素的多个子像素中的每个的发射区域中的发光元件的数量。

第二类型像素的多个子像素中的每个的发射区域的面积可以大于第一类型像素的多个子像素中的每个的发射区域的面积，以及第二类型像素的多个子像素中的每个的发射区域中的发光元件的数量可以小于第一类型像素的多个子像素中的每个的发射区域中的发光元件的数量。

第一类型像素的多个子像素中的每个的发射区域的面积可以彼此相等，第一类型像素的多个子像素中的每个的发射区域中的发光元件的数量可以彼此相等，第二类型像素的多个子像素中的每个的发射区域的面积可以彼此不同，以及第二类型像素的多个子像素中的至少一个的发射区域的面积可以不同于第一类型像素的多个子像素中的每个的发射区域的面积。

第二类型像素的多个子像素中的每个的发射区域中的发光元件的数量可以等于第一类型像素的多个子像素中的每个的发射区域中的发光元件的数量。

第二类型像素的多个子像素中的每个的发射区域中的发光元件的数量可以不同于第一类型像素的多个子像素中的每个的发射区域中的发光元件的数量。

第二类型像素的多个子像素中的每个的发射区域中的发光元件的数量可以彼此不同。

设置在第二类型像素的多个子像素中的每个中的多个电极中的每个可以包括在垂直于一方向的另一方向上弯曲的电极弯曲部分，以及第二类型像素的多个子像素可以布置在一方向和另一方向之间的斜线方向上。

设置在第二类型像素的多个子像素中的每个中的多个电极中的每个可以包括电极延伸部分，电极延伸部分连接到电极弯曲部分并且在另一方向上延伸，以及第二类型像素的多个子像素可以布置在垂直于一方向的另一方向上。

根据本公开的实施方式，显示装置包括：第一侧边，在第一方向上延伸；第二侧边，在不同于第一方向的第二方向上延伸；以及拐角，其中，第一侧边和第二侧边在拐角处交汇，以及拐角的外侧边是弯曲的，显示装置还包括：多个像素，包括在一方向上延伸的多个电极；多个发光元件，多个发光元件中的每个包括设置在多个电极上的端部；以及多个接触电极，多个接触电极中的每个接触多个电极中的一个和多个发光元件，以及多个像素包括：多个第一类型像素；多个第二类型像素，设置在最外侧部分中以围绕多个第一类型像素，并且设置在拐角中；以及多个第三类型像素，设置成与第一侧边和第二侧边对应，以及多个第二类型像素的发射区域的每单位面积的发光元件的数量不同于多个第一类型像素的发射区域的每单位面积的发光元件的数量。

多个第二类型像素中的每个的发光元件的数量可以不同于多个第一类型像素中的每个的发光元件的数量。

多个第二类型像素中的每个的发射区域的面积可以不同于多个第一类型像素中的每个的发射区域的面积。

多个第三类型像素的发射区域中每单位面积的发光元件的数量可以不同于多个第二类型像素的发射区域中每单位面积的发光元件的数量。

显示装置还可以包括多个第四类型像素，多个第四类型像素设置在多个第一类型像素和多个第二类型像素之间，其中，多个第四类型像素中的每个的发射区域中每单位面积的发光元件的数量可以不同于多个第一类型像素中的每个的发射区域中每单位面积的发光元件的数量以及多个第二类型像素中的每个的发射区域中每单位面积的发光元件的数量。

其它实施方式的细节包括在详细描述和附图中。

有益效果

根据实施方式的显示装置可以包括设置在每个拐角中的显示区域中的不同类型的像素，例如，每单位面积具有不同数量的发光元件的像素。在显示装置中，每单位面积具有不同数量的发光元件的像素设置在显示区域的最外侧部分中，从而防止在每个拐角中的显示区域中视觉识别像素的边界。

根据实施方式的效果不受以上示例的内容的限制，并且更多的各种效果包括在本公开中。

附图说明

图1是根据实施方式的显示装置的示意性平面图；

图2是根据实施方式的显示装置的像素的示意性平面图；

图3是图2的第一子像素的示意性平面图；

图4是沿着图3的线Q1-Q1'、Q2-Q2'和Q3-Q3'截取的剖视图；

图5是根据实施方式的发光元件的示意图；

图6是示出与根据实施方式的显示装置的每个拐角相邻的多个像素的示意性布置的示意性平面图；

图7是示出图6的拐角中的像素的布置的示意性放大图；

图8是示出设置在根据实施方式的显示装置的显示区域中的不同类型的像素的示意性布置的示意性平面图；

图9是示出设置在根据实施方式的显示装置的显示区域中的不同类型的像素的示意性布置的示意性平面图；

图10至图12是示出设置在根据实施方式的显示装置的显示区域中的不同类型的像素的示意性布置的示意性平面图；

图13至图19是示出设置在根据实施方式的显示装置的显示区域中的不同类型的像素的示意性布置的示意性平面图；

图20是示出设置在根据实施方式的显示装置的显示区域中的不同类型的像素的示意性布置的示意性平面图；

图21是示出设置在根据实施方式的显示装置的显示区域中的不同类型的像素的示意性布置的示意性平面图；

图22是包括在图21的显示装置中的第二第二类型像素的示意图；

图23是示出设置在根据实施方式的显示装置的显示区域中的不同类型的像素的示意性布置的示意性平面图；

图24是包括在图23的显示装置中的第二第二类型像素的示意图；以及

图25是示出设置在根据实施方式的显示装置的显示区域中的不同类型的像素的示意性布置的示意性平面图。

具体实施方式

现在将参考附图在下文中更全面地描述本公开，在附图中示出本公开的优选实施方式。然而，本公开可以以不同的形式实施，并且不应被解释为限于在本文中阐述的实施方式。更确切地说，提供这些实施方式使得本公开将是全面和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达本公开的范围。

还将理解，当层称为在另一层或另一衬底“上”时，它可以直接在另一层或另一衬底上，或也可以存在介于中间的层。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的组件。

将理解，尽管在本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如，在不脱离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以称为第二元件。类似地，第二元件也可以称为第一元件。

在下文中，将参考附图描述实施方式。

图1是根据实施方式的显示装置的示意性平面图。

参照图1，显示装置10显示运动图像或静止图像。显示装置10可以指提供显示屏幕的任何电子装置。显示装置10的示例可以包括提供显示屏幕的电视机、膝上型计算机、监视器、广告牌、物联网(IoT)装置、移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、电子手表、智能手表、手表电话、头戴式显示器、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航装置、游戏控制台、数码相机和便携式摄像机。

显示装置10包括提供显示屏幕的显示面板。显示面板的示例包括无机发光二极管显示面板、有机发光显示面板、量子点发光显示面板、等离子体显示面板和场发射显示面板。下面将描述应用无机发光二极管显示面板作为显示面板的示例的情况，但是本公开不限于这种情况，并且也可以应用其它显示面板，只要可以应用相同的技术精神即可。

可以对显示装置10的形状进行各种修改。例如，显示装置10可以具有各种形状，诸如水平长的矩形、垂直长的矩形、正方形、具有圆化拐角(顶点)的四边形、其它多边形和圆形。显示装置10的显示区域DPA的形状可以类似于显示装置10的整体形状。在图1中，显示装置10和显示区域DPA中的每个的形状如水平长的矩形。

显示装置10可以包括显示区域DPA和非显示区域NDA。显示区域DPA可以是可以显示图像的区域，并且非显示区域NDA可以是不显示图像的区域。显示区域DPA也可以称为有效区域，并且非显示区域NDA也可以称为非有效区域。显示区域DPA通常可以占据显示装置10的中央。

显示区域DPA可以包括多个像素PX。像素PX可以在矩阵方向上布置。在平面图中，像素PX中的每个可以是矩形或正方形。然而，本公开不限于此，并且像素PX中的每个也可以具有菱形形状，菱形形状具有相对于一方向倾斜的各个侧边。像素PX可以交替地布置成条纹类型或

类型。另外，像素PX中的每个可以包括发射特定波长带的光的一个或多个发光元件，以显示特定颜色。

非显示区域NDA可以设置在显示区域DPA周围。非显示区域NDA可以完全地或部分地围绕显示区域DPA。显示区域DPA可以是矩形的，并且非显示区域NDA可以设置成与显示区域DPA的四个侧边相邻。非显示区域NDA可以形成显示装置10的边框。在每个非显示区域NDA中，可以设置包括在显示装置10中的布线或电路驱动器，或可以安装外部装置。

图2是根据实施方式的显示装置的像素PX的示意性平面图。

参照图2，显示装置10的像素PX中的每个可以包括多个子像素PXn(其中n是1到3的整数)。例如，像素PX可以包括第一子像素PX1、第二子像素PX2和第三子像素PX3。第一子像素PX1可以发射第一颜色的光，第二子像素PX2可以发射第二颜色的光，并且第三子像素PX3可以发射第三颜色的光。例如，第一颜色可以是蓝色，第二颜色可以是绿色，并且第三颜色可以是红色。然而，本公开不限于此，并且子像素PXn也可以发射相同颜色的光。尽管图2示出像素PX可以包括三个子像素PXn，但是本公开不限于此，并且像素PX也可以包括更多数量的子像素PXn。

显示装置10的每个子像素PXn可以包括发射区域EMA和非发射区域(未示出)。发射区域EMA可以是其中设置有发光元件ED以发射特定波长带的光的区域，并且非发射区域可以是其中不设置发光元件ED并且由于从发光元件ED发射的光不到达非发射区域而不输出光的区域。发射区域EMA可以包括其中设置有发光元件ED的区域和与发光元件ED相邻并且从发光元件ED发射的光输出到其的区域。

然而，本公开不限于此，并且发射区域EMA也可以包括从发光元件ED发射的光在被其它构件反射或折射之后从其输出的区域。多个发光元件ED可以设置在每个子像素PXn中，并且可以包括设置发光元件ED的区域和与其相邻的区域，以形成发射区域EMA。

尽管第一子像素PX1的第一发射区域EMA1、第二子像素PX2的第二发射区域EMA2和第三子像素PX3的第三发射区域EMA3在图中具有基本上相同的面积，但是本公开不限于此。在一些实施方式中，根据从设置在相应子像素PXn中的发光元件ED发射的光的颜色或波长带，第一子像素PX1的第一发射区域EMA1、第二子像素PX2的第二发射区域EMA2和第三子像素PX3的第三发射区域EMA3中的每个可以具有不同的面积。

每个子像素PXn可以包括其中设置有非发射区域的子区域SA和除了子区域SA之外的区域。子区域SA可以设置在发射区域EMA的在第二方向DR2上的一侧上，并且可以设置在在第二方向DR2上相邻的子像素PXn的发射区域EMA之间。例如，多个发射区域EMA和多个子区域SA可以布置在显示装置10的显示区域DPA中。例如，发射区域EMA和子区域SA可以在第一方向DR1上重复布置，但是也可以在第二方向DR2上交替布置。第二堤BNL2可以设置在子区域SA和发射区域EMA之间，并且子区域SA和发射区域EMA之间的间隙可以根据第二堤BNL2的宽度而变化。因为发光元件ED不设置在子区域SA中，光可不从子区域SA射出，但是设置在每个子像素PXn中的电极RME的部分可以设置在子区域SA中。设置在每个子像素PXn中的电极RME可以在子区域SA中与设置在相邻像素PX中的电极RME分离。然而，本公开不限于此，并且设置在每个子像素PXn中的电极RME也可以在子区域SA中与设置在相邻像素PX中的电极RME不分离。除了子区域SA之外的非发射区域的区域可以被定义为第二区域，并且可以是除了子区域SA和发射区域EMA之外的区域。

在根据实施方式的显示装置10中，在第一方向DR1上延伸的长侧边和在第二方向DR2上延伸的短侧边彼此交汇的拐角可以是弯曲的。因此，显示区域DPA的拐角也可以是弯曲的。在其中像素PX以条纹类型或

类型布置的实施方式中，与显示区域DPA的每个拐角相邻的像素PX可以沿着弯曲的边缘设置。然而，由于在平面图中单个像素PX不具有与显示区域DPA的弯曲边缘对应的形状，因此可以根据像素PX的布置在每个拐角的最外侧部分中形成显示区域DPA的未设置像素PX的部分。例如，设置在显示区域DPA的最外侧部分中的像素PX可以沿着每个拐角的形状以楼梯形状设置，并且在以楼梯形状设置的像素PX和非显示区域NDA之间可以存在不设置像素PX的区域。

由于不设置像素PX的区域在显示区域DPA中，因此在显示区域DPA中可以视觉识别该区域和最外侧像素PX之间的边界。为了防止这种情况，在根据实施方式的显示装置10中，在设置成与每个拐角相邻的像素PX之中，设置在最外侧部分中并且与设置成与非显示区域NDA相邻的像素PX可以与设置在该像素PX内侧的像素PX具有不同的亮度。例如，在每个拐角处的最外侧像素PX可以具有比设置在最外侧像素PX内侧的像素PX的亮度低的亮度，并且可以使显示区域DPA的与非显示区域NDA相邻的部分变暗，使得亮度从内侧像素PX朝向最外侧像素PX逐渐地减小。因此，在每个拐角处的最外侧像素PX与设置在最外侧像素PX内侧的像素PX之间的亮度上的差异可以防止从外部视觉识别设置在显示区域DPA的每个拐角中的像素PX的边界。通过调整设置在显示区域DPA的每个弯曲拐角处的像素PX中的最外侧像素PX的亮度和设置在最外侧像素PX内侧的像素PX的亮度，根据实施方式的显示装置10可以防止在每个拐角处在显示区域DPA中从外部视觉识别出最外侧像素PX的边界或布置。下面将参考其它附图详细描述具有调整后的亮度的最外侧像素PX的结构和布置。

图3是图2的第一子像素的示意性平面图。图4是沿着图3的线Q1-Q1'、Q2-Q2'和Q3-Q3'截取的示意性剖视图。图4示出跨过设置在子像素PXn中的发光元件ED的端部的截面图。

结合图2，参照图3和图4，显示装置10可以包括第一衬底SUB1、设置在第一衬底SUB1上的半导体层、多个导电层和多个绝缘层。半导体层、导电层和绝缘层可以构成显示装置10的电路层和显示元件层。

第一衬底SUB1可以是绝缘衬底。第一衬底SUB1可以由绝缘材料制成，诸如玻璃、石英或聚合物树脂。第一衬底SUB1可以是刚性衬底，但也可以是可弯曲、可折叠或可卷曲等的柔性衬底。

第一导电层可以设置在第一衬底SUB1上。第一导电层可以包括底部金属层BML，并且底部金属层BML可以与第一晶体管T1的有源层ACT1重叠。底部金属层BML可以包括光阻挡材料以防止光进入第一晶体管T1的有源层ACT1。例如，底部金属层BML可以由阻挡光透射的不透明金属材料制成。然而，本公开不限于此。在一些情况下，可以省略底部金属层BML。

缓冲层BL可以完全设置在底部金属层BML和第一衬底SUB1上。可以在第一衬底SUB1上形成缓冲层BL，以保护每个像素PX的第一晶体管T1不受通过易受湿气渗透的第一衬底SUB1引入的湿气的影响，并且缓冲层BL可以执行表面平坦化功能。

半导体层设置在缓冲层BL上。半导体层可以包括第一晶体管T1的有源层ACT1。第一晶体管T1的有源层ACT1可以与将在下面描述的第二导电层的栅电极G1部分地重叠。

尽管在附图中仅示出包括在显示装置10的每个子像素PXn中的晶体管中的第一晶体管T1，但是本公开不限于此。显示装置10可以包括更多数量的晶体管。例如，通过在每个子像素PXn中包括除了第一晶体管T1之外的一个或多个晶体管，显示装置10可以包括两个或三个晶体管。

半导体层可以包括多晶硅、单晶硅或氧化物半导体等。在半导体层包括氧化物半导体的情况下，每个有源层ACT1可以包括多个导电区和设置在导电区之间的沟道区。氧化物半导体可以包括铟(In)。例如，氧化物半导体可以是铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟镓氧化物(IGO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟镓锡氧化物(IGTO)、铟镓锌氧化物(IGZO)和铟镓锌锡氧化物(IGZTO)中的至少一种。

在另一实施方式中，半导体层可以包括多晶硅。多晶硅可以通过使非晶硅结晶来形成。在这种情况下，有源层ACT1的导电区中的每个可以是掺杂有杂质的掺杂区。

第一栅极绝缘层GI设置在半导体层和缓冲层BL上。第一栅极绝缘层GI可以用作每个晶体管的栅极绝缘膜。

第二导电层设置在第一栅极绝缘层GI上。第二导电层可以包括第一晶体管T1的栅电极G1和存储电容器的第一电容电极CSE1。栅电极G1可以在厚度方向上与有源层ACT1的沟道区重叠。第一电容电极CSE1可以在厚度方向上与将在下面描述的第二电容电极CSE2重叠。在一些实施方式中，第一电容电极CSE1可以整体地连接到栅电极G1。

第一层间绝缘层IL1设置在第二导电层上。第一层间绝缘层IL1可以用作第二导电层和设置在第二导电层上的其它层之间的绝缘膜。第一层间绝缘层IL1可以覆盖第二导电层或与第二导电层重叠以保护第二导电层。

第三导电层设置在第一层间绝缘层IL1上。第三导电层可以包括第一晶体管T1的第一源电极S1和第一漏电极D1以及第二电容电极CSE2。

第一晶体管T1的第一源电极S1和第一漏电极D1可以通过穿过第一层间绝缘层IL1和第一栅极绝缘层GI的接触孔分别接触有源层ACT1的掺杂区。第一晶体管T1的第一源电极S1可以通过另一接触孔接触底部金属层BML。

第二电容电极CSE2在厚度方向上与第一电容电极CSE1重叠。在实施方式中，第二电容电极CSE2可以整体地连接到第一源电极S1或与第一源电极S1成一体。存储电容器可以形成在第一电容电极CSE1和第二电容电极CSE2之间。

尽管在附图中未示出，但是第三导电层还可以包括将数据信号传输到其它晶体管的数据线。该数据线可以电连接到其它晶体管的源电极/漏电极，以传输接收到的信号。

第二层间绝缘层IL2设置在第三导电层上。第二层间绝缘层IL2可以用作第三导电层和设置在第三导电层上的其它层之间的绝缘膜。第二层间绝缘层IL2可以覆盖第三导电层或与第三导电层重叠并且保护第三导电层。

第四导电层设置在第二层间绝缘层IL2上。第四导电层可以包括第一电压布线VL1、第二电压布线VL2和第一导电图案CDP。可以将向第一晶体管T1供应的高电位电压(或第一电源电压)施加到第一电压布线VL1，并且可以将向第二电极RME2供应的低电位电压(或第二电源电压)施加到第二电压布线VL2。

第一导电图案CDP可以电连接到第二电容电极CSE2，并且可以通过第二电容电极CSE2电连接到第一晶体管T1。第一导电图案CDP也可以电接触下面描述的第一电极RME1，并且第一晶体管T1可以将从第一电压布线VL1接收的第一电源电压传输到第一电极RME1。尽管附图示出第四导电层包括第二电压布线VL2和第一电压布线VL1，但是本公开不限于此。第四导电层还可以包括更多数量的第一电压布线VL1和第二电压布线VL2。

以上描述的缓冲层BL、第一栅极绝缘层GI、第一层间绝缘层IL1和第二层间绝缘层IL2中的每个可以包括交替堆叠的无机层。例如，缓冲层BL、第一栅极绝缘层GI、第一层间绝缘层IL1和第二层间绝缘层IL2中的每个可以是其中包括氧化硅(SiO_x)、氮化硅(SiN_x)和氮氧化硅(SiO_xN_y)中的至少一个的无机层堆叠的双层，或可以是其中无机层交替堆叠的多层。然而，本公开不限于此，并且缓冲层BL、第一栅极绝缘层GI、第一层间绝缘层IL1和第二层间绝缘层IL2中的每个也可以是包括以上材料中的至少一种的无机层。

第二导电层、第三导电层和第四导电层中的每个可以是但不限于由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)及其合金中的一种或多种制成的单层或多层。

第三层间绝缘层IL3设置在第四导电层上。第三层间绝缘层IL3可以包括有机绝缘材料，例如，诸如聚酰亚胺(PI)的有机材料，并且可执行表面平坦化功能。

第一堤BNL1、第一电极RME1至第四电极RME4、发光元件ED、第一接触电极CNE1至第三接触电极CNE3以及第二堤BNL2可以作为显示元件层设置在第三层间绝缘层IL3上。第一绝缘层PAS1至第三绝缘层PAS3可以设置在第三层间绝缘层IL3上。

第一堤BNL1可以直接设置在第三层间绝缘层IL3上。第一堤BNL1可以包括设置在每个子像素PXn的发射区域EMA中的第一子堤BNL_A和在第一子堤BNL_A之间在第二方向DR2上延伸的第二子堤BNL_B。发光元件ED可以设置在第一子堤BNL_A和第二子堤BNL_B之间的空间中。

第一子堤BNL_A的部分可以设置在每个子像素PXn的发射区域EMA中，并且可以彼此间隔开。例如，第一子堤BNL_A可以在每个发射区域EMA中在第一方向DR1上彼此间隔开，并且可以设置在发射区域EMA的中央的左侧和右侧上。第一子堤BNL_A可以在第二方向DR2上延伸，但是它们的长度可以小于由第二堤BNL2围绕的开口区域在第二方向DR2上的长度。第一子堤BNL_A可以在整个显示区域DPA中形成在一方向上延伸的线形图案或岛形状图案。

第二子堤BNL_B可以设置在第一子堤BNL_A之间，并且可以在第二方向DR2上延伸。与第一子堤BNL_A不同，第二子堤BNL_B可以在第二方向DR2上延伸超过发射区域EMA和子区域SA，到达在第二方向DR2上相邻的像素PX。在实施方式中，第二子堤BNL_B可以比第一子堤BNL_A宽，并且电极RME可以设置在第二子堤BNL_B上。第二子堤BNL_B可以包括布置在子区域SA中并且具有更大宽度的堤加宽部分BEP。第二子堤BNL_B通常可以在第二方向DR2上延伸，但是包括具有大宽度的部分，以在显示区域DPA中形成线形图案或条状图案。

尽管附图示出第二子堤BNL_B和两个第一子堤BNL_A，但是本公开不限于此。设置在每个子像素PXn的发射区域EMA中的第一子堤BNL_A的数量可以根据电极RME的数量或发光元件ED的布置而变化。

每个第一堤BNL1的至少部分可以从第三层间绝缘层IL3的上表面突出。每个第一堤BNL1的突出部分可以具有倾斜的侧表面，并且从发光元件ED发射的光可以被设置在第一堤BNL1上的电极RME反射以朝向第三层间绝缘层IL3上方传播。第一堤BNL1可以提供设置发光元件ED的区域，同时用作在向上方向上反射从发光元件ED发射的光的反射屏障。第一堤BNL1的侧表面可以以线形形状倾斜。然而，本公开不限于此，并且第一堤BNL1中的每个也可以具有各种形状，诸如具有弯曲的外表面的半圆形或半椭圆形。第一堤BNL1可以包括有机绝缘材料，诸如聚酰亚胺(PI)。然而，本公开不限于此，并且可以省略第一堤BNL1。

电极RME可以在一方向上延伸，并且可以在每个子像素PXn中彼此间隔开。例如，第一电极RME1、第二电极RME2、第三电极RME3和第四电极RME4可以设置在子像素PXn中，可以在第二方向DR2上延伸，并且可以在第一方向DR1上彼此间隔开。电极RME可以设置在每个子像素PXn的发射区域EMA中，并且电极RME的部分可以延伸超过发射区域EMA，以在厚度方向上与第二堤BNL2重叠。电极RME可以在每个子像素PXn中在第二方向DR2上延伸，但是可以在子区域SA中在第二方向DR2上与另一子像素PXn的电极RME间隔开。

通过形成在第二方向DR2上延伸的电极线，并且然后在放置发光元件ED之后在随后的工艺中将电极线分离，可以获得电极RME的以上布置。在制造显示装置10的工艺期间，可以利用电极线在每个子像素PXn中产生电场，以对准发光元件ED。例如，可以通过喷墨印刷工艺将发光元件ED喷射到电极线上。当包括发光元件ED的墨水被喷射到电极线上时，通过向电极线传输对准信号来产生电场。分散在墨水中的发光元件ED可以通过由于所产生的电场而产生的电泳力放置在电极RME上。在放置发光元件ED之后，电极线被部分地分开，以形成对于每个子像素PXn分开的电极RME。

电极RME中的一些可以直接连接到第四导电层以接收用于使发光元件ED发光的信号。例如，第一电极RME1可以通过穿过设置在第一电极RME1之下的第三层间绝缘层IL3的第一接触孔CT1接触第一导电图案CDP。第二电极RME2可以通过穿过设置在第二电极RME2之下的第三层间绝缘层IL3的第二接触孔CT2接触第二电压布线VL2。第一电极RME1可以通过第一导电图案CDP电连接到第一晶体管T1以接收第一电源电压，并且第二电极RME2可以电连接到第二电压布线VL2以接收第二电源电压。尽管在附图中第一接触孔CT1和第二接触孔CT2形成在与第二堤BNL2重叠的位置处，但是本公开不限于此。例如，接触孔CT1和CT2也可以位于由第二堤BNL2围绕的发射区域EMA中。

电极RME可以电连接到发光元件ED。电极RME可以通过下面描述的第一接触电极CNE1至第三接触电极CNE3电连接到发光元件ED的端部，并且可以将从第四导电层接收的电信号传输到发光元件ED。由于对于每个子像素PXn单独设置电极RME，因此不同子像素PXn的发光元件ED可以单独发光。

第一电极RME1和第四电极RME4可以部分地设置在第一子堤BNL_A上，并且第二电极RME2和第三电极RME3可以部分地设置在第二子堤BNL_B上。每个电极RME可以设置在第一子堤BNL_A或第二子堤BNL_B的在第一方向DR1上的侧部上，并且可以设置在第一子堤BNL_A或第二子堤BNL_B的倾斜侧表面上。每个电极RME可以设置成覆盖第一子堤BNL_A或第二子堤BNL_B的至少一个侧表面或与第一子堤BNL_A或第二子堤BNL_B的至少一个侧表面重叠，以反射从发光元件ED发射的光。

第一电极RME1和第四电极RME4可以设置在不同的第一子堤BNL_A上，并且可以在第二方向DR2上延伸。第一电极RME1可以设置在发射区域EMA的中央的左侧上的第一子堤BNL_A上，并且第四电极RME4可以设置在发射区域EMA的中央的右侧上的第一子堤BNL_A上。第一电极RME1可以包括与第一接触孔CT1重叠的电极接触部件RM_C。第四电极RME4可以相对于发射区域EMA的中央与除电极接触部件RM_C之外的第一电极RME1对称，并且第一电极RME1和第四电极RME4可以在第一方向DR1上彼此间隔开。

第二电极RME2和第三电极RME3可以分别设置在第二子堤BNL_B的在第一方向DR1上的两侧上，并且可以彼此间隔开。第二电极RME2可以在第一方向DR1上与第四电极RME4间隔开，并且设置在第二子堤BNL_B的右侧上，并且第三电极RME3可以在第一方向DR1上与第一电极RME1间隔开，并且设置在第二子堤BNL_B的左侧上。第二电极RME2可以包括与第二接触孔CT2和第二堤BNL2重叠的电极接触部件RM_C。相反，第三电极RME3可以不直接电连接到第四导电层。

电极RME之间在第一方向DR1上的间隙可以小于第一子堤BNL_A和第二子堤BNL_B之间的间隙。每个电极RME的至少部分可以直接设置在第三层间绝缘层IL3上，使得电极RME可以设置在相同的平面或相同的层上。

每个电极RME可以包括具有高反射率的导电材料。例如，每个电极RME可以包括诸如银(Ag)、铜(Cu)或铝(Al)的金属作为具有高反射率的材料，或可以是包括铝(Al)、镍(Ni)或镧(La)的合金。每个电极RME可以将在从发光元件ED发射之后朝向第一堤BNL1的侧表面传播的光朝向每个子像素PXn上方反射。

然而，本公开不限于此，并且每个电极RME还可以包括透明导电材料。例如，每个电极RME可以包括诸如ITO、IZO或ITZO的材料。在一些实施方式中，每个电极RME可以具有其中透明导电材料和具有高反射率的金属层各自堆叠成一个或多个层的结构，或可以形成为包括透明导电材料和具有高反射率的金属层的单层的结构。例如，每个电极RME可以具有ITO/Ag/ITO、ITO/Ag/IZO或ITO/Ag/ITZO/IZO的堆叠结构。

第一绝缘层PAS1可以完全设置在第三层间绝缘层IL3上。例如，第一绝缘层PAS1可以覆盖电极RME和第一堤BNL1或与电极RME和第一堤BNL1重叠。然而，第一绝缘层PAS1可以包括部分地暴露电极RME的上表面的开口OP，并且下面将要描述的第一接触电极CNE1至第三接触电极CNE3可以通过开口接触电极RME。

在实施方式中，第一绝缘层PAS1可以是成台阶的，使得第一绝缘层PAS1的上表面的部分在在第一方向DR1上彼此间隔开的电极RME之间凹入。由于第一绝缘层PAS1与电极RME重叠，因此第一绝缘层PAS1可以在电极RME之间是成台阶的。第一绝缘层PAS1可以保护电极RME并且使它们彼此绝缘。第一绝缘层PAS1可以防止设置在第一绝缘层PAS1上的发光元件ED直接接触其它构件并且被损坏。

第二堤BNL2可以设置在第一绝缘层PAS1上。第二堤BNL2可以包括在第一方向DR1和第二方向DR2上延伸的部分，以在平面图中形成网格图案。第二堤BNL2可以设置在每个子像素PXn的边界处，以分离相邻的子像素PXn。第二堤BNL2可以围绕设置在每个子像素PXn中的发射区域EMA和子区域SA，以将发射区域EMA和子区域SA彼此分开。在第二堤BNL2的在第二方向DR2上延伸的部分中，设置在发射区域EMA之间的部分可以比设置在子区域SA之间的部分宽。因此，子区域SA之间的间隙可以小于发射区域EMA之间的间隙。

第二堤BNL2可以形成为具有比第一堤BNL1的高度高的高度。在制造显示装置10的工艺期间，第二堤BNL2可以防止墨水在喷墨打印工艺中溢出到相邻的子像素PXn中。因此，第二堤BNL2可以分离其中针对不同的子像素PXn分散有不同的发光元件ED的墨水，使得墨水彼此不混合。由于第一堤BNL1设置在在第一方向DR1上相邻的子像素PXn之上，因此第二堤BNL2的在第二方向DR2上延伸的部分可以部分地设置在第一堤BNL1上。与第一堤BNL1类似，第二堤BNL2可以包括但不限于聚酰亚胺(PI)。

发光元件ED可以设置在第一绝缘层PAS1上。发光元件ED可以在其中每个电极RME延伸的第二方向DR2上彼此间隔开，并且可以基本上彼此平行地对准。发光元件ED可以在一方向上延伸，并且每个电极RME延伸的方向和发光元件ED延伸的方向可以基本上彼此垂直。然而，本公开不限于此，并且发光元件ED也可以相对于每个电极RME延伸的方向倾斜地延伸。

每个发光元件ED可以包括掺杂有不同导电类型的掺杂剂的半导体层。可以使包括半导体层的每个发光元件ED进行取向，使得每个发光元件ED的端部根据在电极RME上产生的电场的方向面向特定方向。每个发光元件ED可以包括发光层36(参见图5)以发射特定波长带的光。设置在每个子像素PXn中的发光元件ED可以根据形成发光层36的材料发射不同波长带的光。然而，本公开不限于此，并且设置在每个子像素PXn中的发光元件ED也可以发射相同的颜色的光。

在每个发光元件ED中，可以在平行于第一衬底SUB1的上表面的方向上设置层。显示装置10的发光元件ED延伸的方向可以平行于第一衬底SUB1，并且包括在每个发光元件ED中的半导体层可以在平行于第一衬底SUB1的上表面的方向上依次布置。然而，本公开不限于此。在一些情况下，在发光元件ED具有不同结构的情况下，层可以在垂直于第一衬底SUB1的方向上布置。

发光元件ED可以在第一堤BNL1之间设置在每个电极RME上。每个发光元件ED的长度可以大于彼此间隔开的电极RME之间在第一方向DR1上的间隙，并且每个发光元件ED的端部可以分别设置在不同的电极RME上。如将在下面描述的，每个发光元件ED可以包括半导体层，并且可以基于半导体层来限定第一端和与第一端相对的第二端。基于其上设置有第一端的电极，发光元件ED可以被分成不同的发光元件ED。

例如，发光元件ED可以包括第一发光元件ED1和第二发光元件ED2，第一发光元件ED1各自包括设置在第一电极RME1上的第一端和设置在第三电极RME3上的第二端，第二发光元件ED2各自包括设置在第四电极RME4上的第一端和设置在第二电极RME2上的第二端。第一发光元件ED1可以设置在左侧的第一子堤BNL_A和第二子堤BNL_B之间，使得两端设置在第一电极RME1和第三电极RME3上。第二发光元件ED2可以设置在右侧的第一子堤BNL_A和第二子堤BNL_B之间，使得第二发光元件ED2的两端设置在第二电极RME2和第四电极RME4上。设置在子像素PXn中的发光元件ED可以包括其第一端面向相反方向的第一发光元件ED1和第二发光元件ED2。

每个发光元件ED的两端可以电接触第一接触电极CNE1至第三接触电极CNE3。在发光元件ED的延伸方向上，可以不在每个发光元件ED的端表面上形成绝缘膜38(参见图5)，从而部分地暴露半导体层。因此，暴露的半导体层可以电接触第一接触电极CNE1至第三接触电极CNE3。然而，本公开不限于此。在一些情况下，可以去除每个发光元件ED的绝缘膜38的至少部分，以部分地暴露半导体层的两端的侧表面。半导体层的暴露的侧表面可以直接接触第一接触电极CNE1至第三接触电极CNE3。每个发光元件ED可以通过接触电极CNE1、CNE2或CNE3电连接到每个电极RME。第一发光元件ED1的第二端和第二发光元件ED2的第一端可以通过相同的接触电极彼此电连接。因此，第一发光元件ED1和第二发光元件ED2可以彼此串联连接。

第二绝缘层PAS2可以部分地设置在第一绝缘层PAS1和发光元件ED上。第二绝缘层PAS2可以设置在第二堤BNL2上以及设置在子区域SA中。例如，第二绝缘层PAS2可以部分地围绕每个发光元件ED的外表面，而不覆盖发光元件ED的第一端和第二端或与发光元件ED的第一端和第二端不重叠。第二绝缘层PAS2的部分可以与第二子堤BNL_B重叠，并且可以设置在第一绝缘层PAS1上。例如，第二绝缘层PAS2可以在发射区域EMA中设置在发光元件ED、第一绝缘层PAS1和第二堤BNL2上，并且可以暴露其中设置有电极RME的部件的部分以及每个发光元件ED的两侧。第二绝缘层PAS2的形状可以通过在制造显示装置10的工艺期间将第二绝缘层PAS2完全放置在第一绝缘层PAS1和第二堤BNL2上并且然后去除第二绝缘层PAS2以暴露每个发光元件ED的端部来获得。

在第二绝缘层PAS2中，设置在发光元件ED上的部分可以在平面图中在第一绝缘层PAS1上在第二方向DR2上延伸，以在每个子像素PXn中形成线形图案或岛形状图案。在制造显示装置10的工艺期间，第二绝缘层PAS2可以保护发光元件ED并且固定发光元件ED。第二绝缘层PAS2也可以填充每个发光元件ED和设置在发光元件ED之下的第一绝缘层PAS1之间的空间。

在制造显示装置10的工艺期间，在形成第二绝缘层PAS2之后，可以执行分离子区域SA中的电极线以形成电极RME的工艺。第二绝缘层PAS2可以完全设置在子区域SA和发射区域EMA中，但是可以通过暴露每个发光元件ED的两端的工艺和分离工艺来部分去除。在子区域SA中，可以从电极线被分离的区域去除第一绝缘层PAS1和第二绝缘层PAS2，并且将在下面描述的第三绝缘层PAS3可以直接设置在第三层间绝缘层IL3上。

第一接触电极CNE1至第三接触电极CNE3和第三绝缘层PAS3可以设置在第二绝缘层PAS2上。第一接触电极CNE1至第三接触电极CNE3可以包括设置在相同的层上的第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2以及设置在与第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2不同的层上的第三接触电极CNE3。第三绝缘层PAS3可以设置在第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2与第三接触电极CNE3之间。

第一接触电极CNE1至第三接触电极CNE3可以电接触发光元件ED和电极RME。第一接触电极CNE1至第三接触电极CNE3可以直接接触暴露在每个发光元件ED的两个端表面上的半导体层，并且可以接触电极RME的上表面的其上没有设置第一绝缘层PAS1的暴露部分。每个发光元件ED的两端可以通过第一接触电极CNE1至第三接触电极CNE3电连接到电极RME。

第一接触电极CNE1可以设置在第一电极RME1上，并且第二接触电极CNE2可以设置在第二电极RME2上。第一接触电极CNE1可以具有比第一电极RME1的宽度小的宽度，并且可以在第二方向DR2上延伸。第一接触电极CNE1可以接触由第一绝缘层PAS1暴露的第一电极RME1并且接触第一发光元件ED1的第一端，并且第一发光元件ED1可以通过第一接触电极CNE1电连接到第一电极RME1。

第二接触电极CNE2可以具有比第二电极RME2的宽度小的宽度，并且可以在第二方向DR2上延伸。第二接触电极CNE2可以接触由第一绝缘层PAS1暴露的第二电极RME2并且接触第二发光元件ED2的第二端，并且第二发光元件ED2可以通过第二接触电极CNE2电连接到第二电极RME2。

第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2中的每个可以直接设置在第二绝缘层PAS2上。第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以具有比电极RME的宽度小的宽度，并且可以在发射区域EMA内形成在第二方向DR2上延伸的线形图案。

第三绝缘层PAS3可以设置在第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2上。第三绝缘层PAS3可以与第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2重叠，并且第三绝缘层PAS3的部分也可以设置在第二绝缘层PAS2上。在一些实施方式中，除了第三绝缘层PAS3的第三接触电极CNE3在其中设置在电极RME上的部分之外，第三绝缘层PAS3可以完全设置在第一绝缘层PAS1上。第三绝缘层PAS3可以使第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2与第三接触电极CNE3绝缘，以防止它们彼此直接接触。第三绝缘层PAS3可以设置在第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2与第三接触电极CNE3之间，以使它们彼此绝缘。然而，在一些实施方式中，可以省略第三绝缘层PAS3。在这种情况下，第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2以及第三接触电极CNE3可以设置在相同的层上。

第三接触电极CNE3可以包括设置在第三电极RME3上的第一延伸部分CN_E1、设置在第四电极RME4上的第二延伸部分CN_E2、以及将第一延伸部分CN_E1和第二延伸部分CN_E2彼此电连接的连接部分CN_B。第一延伸部分CN_E1和第二延伸部分CN_E2可以具有与第一接触电极CNE1基本相似的形状。第一延伸部分CN_E1和第二延伸部分CN_E2可以具有比第三电极RME3和第四电极RME4的宽度小的宽度，并且可以在第二方向DR2上延伸。然而，第一延伸部分CN_E1和第二延伸部分CN_E2在第二方向DR2上测量的长度可以大于第一接触电极CNE1的长度，并且第一延伸部分CN_E1和第二延伸部分CN_E2可以通过在第一方向DR1上延伸的连接部分CN_B彼此电连接。在平面图中，第三接触电极CNE3可以围绕第二接触电极CNE2。

第一延伸部分CN_E1和第二延伸部分CN_E2可以分别电接触第三电极RME3和第四电极RME4。第三接触电极CNE3的第一延伸部分CN_E1可以电接触第一发光元件ED1的第二端，并且第二延伸部分CN_E2可以电接触第二发光元件ED2的第一端。第一发光元件ED1和第二发光元件ED2可以通过第三接触电极CNE3彼此串联连接。

接触电极CNE1至CNE3可以包括导电材料，诸如ITO、IZO、ITZO或铝(Al)。例如，接触电极CNE1至CNE3可以包括透明导电材料，并且从发光元件ED发射的光可以穿过接触电极CNE1至CNE3并且朝向第一电极RME1和第二电极RME2行进，但是本公开不限于此。

尽管在附图中未示出，绝缘层还可以设置在第二绝缘层PAS2、第三绝缘层PAS3和第一接触电极CNE1至第三接触电极CNE3上，以与它们重叠。该绝缘层可以完全设置在第一衬底SUB1上，以保护设置在第一衬底SUB1上的构件免受外部环境的影响。

以上描述的第一绝缘层PAS1、第二绝缘层PAS2和第三绝缘层PAS3中的每个可以包括无机绝缘材料或有机绝缘材料。在实施方式中，第一绝缘层PAS1、第二绝缘层PAS2和第三绝缘层PAS3中的每个可以包括无机绝缘材料，诸如氧化硅(SiO_x)、氮化硅(SiN_x)、氮氧化硅(SiO_xN_y)、氧化铝(AlO_x)或氮化铝(AlN_x)。作为另一示例，第一绝缘层PAS1、第二绝缘层PAS2和第三绝缘层PAS3中的每个可以包括有机绝缘材料，诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚亚苯基树脂、聚苯硫醚树脂、苯并环丁烯、cardo树脂、硅氧烷树脂、倍半硅氧烷树脂、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯或聚甲基丙烯酸甲酯-聚碳酸酯合成树脂。然而，本公开不限于此。

图5是根据实施方式的发光元件的示意图。

发光元件ED可以是发光二极管。发光元件ED可以是具有微米至纳米尺寸的无机发光二极管，并且由无机材料制成。在彼此面向的两个电极之间在特定方向上形成电场的情况下，无机发光二极管可以在形成极性的两个电极之间对准。发光元件ED可以通过在两个电极上形成的电场在电极之间对准。

根据实施方式的发光元件ED可以在一方向上延伸。发光元件ED可以具有圆柱体、杆、线或管等的形状。然而，发光元件ED的形状不限于此，并且发光元件ED也可以具有各种形状，包括多边形棱柱体(诸如立方体、矩形平行六面体和六边形棱柱体)以及在一方向上延伸并且具有部分倾斜的外表面的形状。下面将要描述的发光元件ED中包括的半导体可以在该方向上依次设置或堆叠。

发光元件ED可以包括掺杂有任何导电类型(例如，p型或n型)的杂质的半导体层。该半导体层可以从外部电源接收电信号并且发射特定波长带的光。

参照图5，发光元件ED可以包括第一半导体层31、第二半导体层32、发光层36、电极层37和绝缘膜38。

第一半导体层31可以是n型半导体。在发光元件ED发射蓝色波长带中的光的情况下，第一半导体层31可以包括具有化学式Al_xGa_yIn_1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料。例如，第一半导体层31可以是n型掺杂的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的一种或多种。第一半导体层31可以掺杂有n型掺杂剂，并且n型掺杂剂可以是Si、Ge、Sn等。例如，第一半导体层31可以是掺杂有n型Si的n-GaN。第一半导体层31的长度可以在1.5μm至5μm的范围中，但不限于此。发光元件ED的第一端可以是相对于发光层36其中设置有第一半导体层31的部分。

第二半导体层32可以设置在下面将要描述的发光层36上。第二半导体层32可以是p型半导体。在发光元件ED发射蓝色波长带或绿色波长带中的光的情况下，第二半导体层32可以包括具有化学式Al_xGa_yIn_1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料。例如，第二半导体层32可以是p型掺杂的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的一种或多种。第二半导体层32可以掺杂有p型掺杂剂，并且p型掺杂剂可以是Mg、Zn、Ca、Ba等。例如，第二半导体层32可以是掺杂有p型Mg的p-GaN。第二半导体层32的长度可以在0.05μm至0.10μm的范围中，但不限于此。发光元件ED的第二端可以是相对于发光层36其中设置有第二半导体层32的部分。

尽管在附图中第一半导体层31和第二半导体层32中的每个形成为一层，但是本公开不限于此。根据发光层36的材料，第一半导体层31和第二半导体层32中的每个还可以包括更多数量的层，例如包层或拉伸应变势垒减小(TSBR)层。

发光层36可以设置在第一半导体层31和第二半导体层32之间。发光层36可以包括具有单量子阱结构或多量子阱结构的材料。在发光层36包括具有多量子阱结构的材料的情况下，发光层36可以具有其中量子层和阱层交替堆叠的结构。根据通过第一半导体层31和第二半导体层32接收的电信号，发光层36可以通过电子-空穴对的复合发光。例如，在发光层36发射蓝色波长带中的光的情况下，发光层36可以包括诸如AlGaN或AlGaInN的材料。特别地，在发光层36具有其中量子层和阱层交替堆叠的多量子阱结构的情况下，量子层可以包括诸如AlGaN或AlGaInN的材料，并且阱层可以包括诸如GaN或AlInN的材料。例如，发光层36可以包括作为量子层的AlGaInN和作为阱层的AlInN，以发射具有450nm至495nm的中央波长带的蓝光。

然而，本公开不限于此，并且发光层36也可以具有其中具有大带隙能量的半导体材料和具有小带隙能量的半导体材料交替堆叠的结构，或可以根据发射光的波长带包括不同的III族至V族的半导体材料。从发光层36发射的光不限于蓝色波长带中的光。在一些情况下，发光层36可以发射红色波长带或绿色波长带中的光。发光层36的长度可以在0.05μm至0.10μm的范围中，但不限于此。

从发光层36发射的光不仅可以发射到发光元件ED的在纵向方向上的外表面，而且可以发射到两个侧表面。例如，从发光层36发射的光的方向不限于一方向。

电极层37可以是欧姆接触电极。然而，本公开不限于此，并且电极层37也可以是肖特基接触电极。发光元件ED可以包括至少一个电极层37。尽管在图5中发光元件ED包括一电极层37，但是本公开不限于此。在一些情况下，发光元件ED可以包括更多的电极层37或可以省略电极层37。即使改变电极层37的数量或进一步包括其它结构，下面对发光元件ED的描述可以同样适用。

在根据实施方式的显示装置10中在发光元件ED电连接到电极或接触电极的情况下，电极层37可以减小发光元件ED与电极或接触电极之间的电阻。电极层37可以包括导电金属。例如，电极层37可以包括铝(Al)、钛(Ti)、铟(In)、金(Au)、银(Ag)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)和铟锡锌氧化物(ITZO)中的至少一种。电极层37可以包括但不限于n型掺杂半导体材料或p型掺杂半导体材料。

绝缘膜38可以围绕以上描述的半导体层和电极层的外表面。例如，绝缘膜38可以围绕至少发光层36的外表面并且在发光元件ED延伸的方向上延伸。绝缘膜38可以保护以上构件。绝缘膜38可以围绕以上构件的侧表面，但可以暴露发光元件ED的在纵向方向上的两端。

在附图中，绝缘膜38可以在发光元件ED的纵向方向上延伸，以覆盖从第一半导体层31的侧表面到电极层37的侧表面的表面或与从第一半导体层31的侧表面到电极层37的侧表面的表面重叠。然而，本公开不限于此，并且绝缘膜38也可以覆盖仅一些半导体层以及发光层36的外表面、或可以仅覆盖电极层37的外表面的部分以部分地暴露每个电极层37的外表面。作为另一示例，绝缘膜38的上表面在与发光元件ED的至少一端相邻的区域中在截面中可以是圆形的。

绝缘膜38的厚度可以在10nm至1.0μm的范围中，但不限于此。绝缘膜38的厚度可以是约40nm。

绝缘膜38可以包括具有绝缘性质的材料，诸如氧化硅(SiO_x)、氮化硅(SiN_x)、氮氧化硅(SiO_xN_y)、氮化铝(AlN_x)或氧化铝(AlO_x)。尽管在附图中绝缘膜38被示出为单层，但是本公开不限于此。在一些实施方式中，绝缘膜38可以形成为其中堆叠有多个层的多层结构。因此，绝缘膜38可以防止在发光层36直接接触向发光元件ED传输电信号的电极的情况下可能发生的电短路。由于绝缘膜38保护包括发光层36的发光元件ED的外表面，因此可以防止发光效率的降低。

可以对绝缘膜38的外表面进行处理。发光元件ED可以在它们分散在预定墨水中的状态下被喷射到电极上，并且然后可以被对准。这里，可以对绝缘膜38的表面进行疏水处理或亲水处理，使得每个发光元件ED与墨水中的其它相邻发光元件ED保持分离，而不与它们聚集。例如，绝缘膜38的外表面可以用诸如硬脂酸或2，3-萘二羧酸的材料处理。

发光元件ED的长度可以在1μm至10μm或2μm至6μm的范围中并且可以在3μm至5μm的范围中。发光元件ED的直径可以在30nm至700nm的范围中，并且发光元件ED的纵横比可以是1.2至100。然而，本公开不限于此，并且包括在显示装置10中的发光元件ED也可以根据发光层36的组成的不同而具有不同的直径。发光元件ED的直径可以是约500nm。

图6是示出与根据实施方式的显示装置的每个拐角相邻的像素的示意性布置的示意性平面图。图7是示出图6的拐角中的像素的布置的示意性放大图。图6和图7示出显示装置10的显示区域DPA的示意性形状以及显示区域DPA中的像素PX(PXA、PXB、PXC)的相对布置。尽管在图7中仅将三个像素行PX_C示出为布置在显示区域DPA的拐角CA中的像素PX，但是可以存在布置为与拐角CA对应的更多数量的像素PX。

参照图6和图7，在根据本实施方式的显示装置10中，在第一方向DR1上延伸的长侧边和在第二方向DR2上延伸的短侧边彼此交汇的拐角CA可以是弯曲的。因此，显示区域DPA和非显示区域NDA中的每个的拐角CA也可以是弯曲的。显示区域DPA和非显示区域NDA中的每个可以包括在第一方向DR1上延伸的第一侧边PS1、在第二方向DR2上延伸的第二侧边PS2、以及每个拐角CA的连接第一侧边PS1和第二侧边PS2的弯曲的外侧边CS。

以上参考图2和图3描述的像素PX和子像素PXn可以设置在显示区域DPA中，并且可以在第一方向DR1和第二方向DR2上布置。显示区域DPA的弯曲的拐角CA可能没有足够的空间来放置在第一方向DR1和第二方向DR2上布置的像素PX。因此，每个拐角CA可以包括具有不同数量的像素PX的像素行或像素列。例如，在显示区域DPA中，第一像素行PX_C1、第二像素行PX_C2和第三像素行PX_C3可以沿着弯曲的外侧边CS布置为与每个拐角CA对应的像素行PX_C。第四像素行PX_C4和第五像素行PX_C5可以沿着显示区域DPA的第二侧边PS2布置。由于每个拐角CA的外侧边CS是弯曲的，因此不同数量的像素PX可以在第一方向DR1上布置在第一像素行PX_C1至第三像素行PX_C3中。与第一侧边PS1相邻设置的第一像素行PX_C1中包括的像素PX的数量可以小于第二像素行PX_C2中包括的像素PX的数量。包括在第二像素行PX_C2中的像素PX的数量可以小于包括在第三像素行PX_C3中的像素PX的数量。包括在布置为与第二侧边PS2对应的第四像素行PX_C4和第五像素行PX_C5中的像素PX的数量可以等于包括在第三像素行PX_C3中的像素PX的数量。

作为布置在显示区域DPA中的像素PX，根据实施方式的显示装置10可以包括布置在显示区域DPA的内部部分中的第一类型像素PXA以及设置成与显示区域DPA和非显示区域NDA之间的边界相邻的作为最外侧像素的第二类型像素PXB和第三类型像素PXC。第二类型像素PXB是设置在显示区域DPA的最外侧部分中的像素PX，并且可以设置在显示区域DPA的每个拐角CA中。第三类型像素PXC也可以是设置在显示区域DPA的最外侧部分中的像素PX，并且可以设置为与显示区域DPA的第一侧边PS1和第二侧边PS2对应。第一类型像素PXA可以是被第二类型像素PXB和第三类型像素PXC围绕的像素PX，并且可以设置在最外侧像素内侧。例如，第一像素行PX_C1可以包括显示区域DPA的最外侧像素，并且因此第二类型像素PXB和第三类型像素PXC可以布置在第一像素行PX_C1中。第二类型像素PXB和第一类型像素PXA可以布置在第二像素行PX_C2和第三像素行PX_C3中，并且第三类型像素PXC和第一类型像素PXA可以布置在第四像素行PX_C4和第五像素行PX_C5中。

如以上参考图2所描述的，第一类型像素PXA至第三类型像素PXC中的每个可以包括子像素PXn。子像素PXn中的每个可以包括电极RME和发光元件ED，以发射特定波长带的光。然而，不同类型的像素PXA至PXC除了其位置不同之外在每个子像素PXn的结构上可以是不同的。

每个第一类型像素PXA可以包括如图2中所示的第一子像素PX1、第二子像素PX2和第三子像素PX3，并且子像素PXn可以具有相同的结构。每个第一类型像素PXA的子像素PXn可以具有一致数量的发光元件ED以及具有基本上相同的面积的发射区域EMA。在设置在显示区域DPA的内部部分中的第一类型像素PXA的情况下，发射区域EMA的面积和发光元件ED的数量在第一类型像素PXA之间以及在子像素PXn之间可以是基本上一致的。

与第一类型像素PXA类似，第三类型像素PXC中的每个可以包括在图2中示出的第一子像素PX1、第二子像素PX2和第三子像素PX3。除了第三类型像素PXC位于显示区域DPA的最外侧部分中之外，第三类型像素PXC可以与第一类型像素PXA相同。例如，类似于每个第一类型像素PXA的子像素PXn，每个第三类型像素PXC的子像素PXn可以具有一致数量的发光元件ED和具有基本上相同的面积的发射区域EMA。在设置在显示区域DPA的外部部分中的第三类型像素PXC的情况下，发射区域EMA的面积和发光元件ED的数量在第一类型像素PXA之间或在第三类型像素PXC之间以及在子像素PXn之间可以是基本上一致的。

每个像素PX的每个子像素PXn可以包括发射区域EMA和设置在发射区域EMA中的发光元件ED。每个子像素PXn可以包括电极RME并且连接到设置在电极RME之下的电路层，使得发光元件ED可以发光。在发光元件ED中的每个发光的情况下，其中设置有发光元件ED的子像素PXn可以从至少发射区域EMA中的全部发射光，并且子像素PXn的亮度可以与发射区域EMA的面积、发光元件ED的数量以及驱动信号的强度相关。例如，在将一致强度的驱动信号传输到每个子像素PXn的情况下，发射区域EMA的每单位面积的发光元件ED的数量越大，子像素PXn的亮度越高，并且发光元件ED的数量越小，子像素PXn的亮度越低。类似地，在发光元件ED的数量相同的情况下，发射区域EMA的面积越大，子像素PXn的亮度越高，并且发射区域EMA的面积越小，子像素PXn的亮度越低。例如，在将相同强度的驱动信号施加到像素PX的实施方式中，在子像素PXn的不同在于发射区域EMA的每单位面积的发光元件ED的数量情况下，子像素PXn可以具有不同的亮度。

这里，短语“发射区域EMA的每单位面积的发光元件ED的数量”可以意指，但不限于，设置在由第二堤BNL2围绕的发射区域EMA中的发光元件ED的数量。如上所述，发光元件ED可以电连接到电极RME，并且可以通过从设置在电极RME之下的电路层接收电信号来发光。每个子像素PXn可由于设置在发射区域EMA中的发光元件ED之中的电连接到电极RME并且能够发光的发光元件ED而具有亮度，并且不同的像素PX可以根据电连接到电极RME的发光元件ED的数量而具有亮度上的相对差异。

例如，用于确定不同像素PX之间的相对距离的短语“发射区域EMA的每单位面积的发光元件ED的数量”也可以意指在发射区域EMA中电连接到电极RME的发光元件ED的数量。然而，如果连接到电极RME的发光元件ED的数量与设置在发射区域EMA中的发光元件ED的数量的比率在不同像素PX之间是一致的，则设置在发射区域EMA中的发光元件ED的数量的相对比例与在发射区域EMA中电连接到电极RME的发光元件ED的数量的相对比例在不同像素PX之间可以基本上相同。在本说明书中，短语“发光元件ED的数量相同或一致”或“发射区域EMA的面积相同或一致”可以意指数量或尺寸可以完全相同或在预定误差范围内可以不同。相反，短语“发光元件ED的数量不相同或不一致”或“发射区域EMA的面积不相同或不一致”(或“不同”)可以意指数量或尺寸在误差范围之外可以明显不同。例如，在本说明书中，短语“发射区域EMA的面积或发光元件ED的数量不相同或不一致”可以意指与特定对象相比存在显著差异。

在根据实施方式的显示装置10中，作为设置在显示区域DPA的每个拐角CA中的最外侧像素的第二类型像素PXB在发射区域EMA的面积或每个子像素PXn中的发光元件ED的数量上可以与第一类型像素PXA不同。在显示区域DPA的每个拐角CA中，可能难以确保足够的空间来放置在第一方向DR1和第二方向DR2上布置的像素PX，并且布置在拐角CA中的像素行PX_C可能具有不同数量的像素PX。因此，由包括不同像素PX的像素行PX_C之中的沿着每个拐角CA的弯曲的外侧边CS布置的第二类型像素PXB形成的边界可以与非显示区域NDA区分开，并且可以被视觉识别。如上所述，通过调整第二类型像素PXB的亮度，通过使显示区域DPA的最外侧部分变暗，可以防止视觉识别出由第二类型像素PXB产生的可视觉识别的边界。

为了防止显示区域DPA的每个拐角CA中的最外侧像素被视觉识别，根据实施方式的显示装置10可以包括第二类型像素PXB，第二类型像素PXB在发光元件ED的数量和发射区域EMA的面积上、或在发射区域EMA的每单位面积的发光元件ED的数量上不同于第一类型像素PXA。第二类型像素PXB在发光元件ED的数量或发射区域EMA的面积上可以与第一类型像素PXA或第三类型像素PXC不同，并且尽管驱动信号强度相同，亮度也可以不同。在显示区域DPA中，设置有第二类型像素PXB的每个拐角CA可以因为其亮度比拐角CA内侧的设置有第一类型像素PXA的显示区域DPA的亮度低而变暗，并且可以减小或最小化视觉识别由第二类型像素PXB形成的边界。将参考其它附图更详细地描述第一类型像素PXA和第二类型像素PXB之间的关系。

图8是示出设置在根据实施方式的显示装置的显示区域中的不同类型的像素的示意性布置的示意性平面图。图8仅示出一些第一类型像素PXA和一些第二类型像素PXB作为设置成与显示区域DPA的拐角CA相邻的像素PX。为了比较和描述第一类型像素PXA和第二类型像素PXB之间的相对差异，可以示意性地示出包括在每个像素PX中的子像素PXn的布置。在每个子像素PXn中，仅示出电极RME和发光元件ED，并且仅示出第二堤BNL2以示出子像素PXn的发射区域EMA和子区域SA。

特别地，在每个像素PX的每个子像素PXn中示出的发光元件ED的数量可以仅旨在示出不同像素PX或不同子像素PXn之间的相对差异，并且可以不意指设置在子像素PXn中的发光元件ED的实际数量。例如，尽管在图中每个第一类型像素PXA的每个子像素PXn中设置八个发光元件ED，但是设置在子像素PXn中的发光元件ED的数量不限于八个，并且也可以设置更多数量或更少数量的发光元件ED。如果在不同子像素PXn中示出的发光元件ED的数量相等，则这可以意指子像素PXn包括基本上相同数量的发光元件ED。相反，如果在不同子像素PXn中示出的发光元件ED的数量不同，则这可以意指子像素PXn中的一个包括比另一个子像素PXn的发光元件ED更多的发光元件ED。例如，发光元件ED的数量可以仅意指设置在不同像素PX或子像素PXn中的发光元件ED之间的近似比率，但并不意指确切的数量。

除了图6和图7之外，参照图8，在第二方向DR2上延伸的电极RME可以设置在如以上描述的显示装置10的显示区域DPA中。通过形成在第二方向DR2上延伸的电极线RM，并且然后在放置发光元件ED之后在每个子像素PXn的子区域SA中分离电极线RM，可以形成电极RME。设置在显示区域DPA的最外侧部分中的第二类型像素PXB中的每个也可以包括与子区域SA中的电极线RM分离的电极RME，并且子区域SA中的与电极RME分离的电极线RM可以设置在第二类型像素PXB和非显示区域NDA之间的显示区域DPA中。电极线RM也可以设置在非显示区域NDA中并且连接到设置在非显示区域NDA中的布线。围绕每个子像素PXn的发射区域EMA和子区域SA的第二堤BNL2也可以设置在第二类型像素PXB和非显示区域NDA之间的显示区域DPA中，并且电极线RM可以被第二堤BNL2覆盖或与第二堤BNL2重叠。由于第二堤BNL2，设置在显示区域DPA的最外侧部分中的电极线RM可不从外部被视觉识别。

根据实施方式的显示装置10可以包括第二类型像素PXB，第二类型像素PXB设置在显示区域DPA的最外侧部分中，并且包括数量比设置在显示区域DPA的内部部分中的第一类型像素PXA的发光元件ED的数量少的发光元件ED。设置在每个第二类型像素PXB的每个子像素PXn中的发光元件ED的数量可以比设置在每个第一类型像素PXA的每个子像素PXn中的发光元件ED的数量少。除了第二类型像素PXB包括数量比第一类型像素PXA的发光元件ED的数量少的发光元件ED以及沿着拐角CA设置在显示区域DPA的最外侧部分中之外，第二类型像素PXB在结构上可以与第一类型像素PXA的结构相同。

第二类型像素PXB在发射区域EMA的面积上可以与第一类型像素PXA相同，但是可以包括数量比第一类型像素PXA的发光元件ED的数量少的发光元件ED。例如，第二类型像素PXB可以包括数量比第一类型像素PXA的发射区域EMA的每单位面积的发光元件ED的数量少的发射区域EMA的每单位面积的发光元件ED。每个第二类型像素PXB的子像素PXn可以包括一致数量的发光元件ED。在驱动显示装置10的情况下，即使不考虑像素PX的类型将相同强度的驱动信号传输到每个像素PX，在每个第二类型像素PXB的子像素PXn之间可能不会出现亮度上的差异，但是由于发光元件ED的数量上的差异，在第一类型像素PXA和第二类型像素PXB之间可能出现亮度上的差异。

沿着拐角CA设置在显示区域DPA的最外侧部分中的第二类型像素PXB可以具有比设置在显示区域DPA的内部部分中的第一类型像素PXA的亮度低的亮度，并且显示区域DPA的最外侧部分可以从第二类型像素PXB朝向非显示区域NDA变暗。因此，在显示装置10中，可以防止视觉识别显示区域DPA的拐角CA中的像素PX的边界。

在附图中，每个第一类型像素PXA可以在每个子像素PXn中包括八个发光元件ED，而每个第二类型像素PXB可以在每个子像素PXn中包括四个发光元件ED。这可仅意指第一类型像素PXA和第二类型像素PXB包括不同数量的发光元件ED，但可不意指设置在每个子像素PXn中的发光元件ED的确切数量。

可以以各种方式修改调整每个第二类型像素PXB的亮度以使显示区域DPA的拐角CA变暗的方法。在图8中，示出发光元件ED的数量变化的情况。然而，本公开不限于此，并且通过调整发射区域EMA的面积、每个第二类型像素PXB的结构等，可以使显示区域DPA的最外侧部分变暗。

下文将参考其它附图描述显示装置10的其它实施方式。

图9是示出设置在根据实施方式的显示装置的显示区域中的不同类型的像素的示意性布置的示意性平面图。

类似于图8，图9仅示出设置成与显示区域DPA的拐角CA相邻的一些第一类型像素PXA和一些第二类型像素PXB。为了比较和描述第一类型像素PXA和第二类型像素PXB之间的相对差异，示意性地示出包括在每个像素PX中的子像素PXn的布置。在下面的其它附图中，还将示意性地示出和描述每个像素PX的结构，以便比较与显示区域DPA的拐角CA相邻的一些像素PX之间的相对差异。

参照图9，根据实施方式的显示装置10_1还可以包括与作为最外侧像素PX的第二类型像素PXB或第三类型像素PXC相邻的第四类型像素PXD，并且第一类型像素PXA可以被第四类型像素PXD围绕。第四类型像素PXD可以是次最外侧像素，并且第一类型像素PXA可以是内侧的像素。该实施方式与图8的实施方式不同之处可以至少在于，与最外侧像素相邻的第一类型像素PXA中的一些被第四类型像素PXD代替。由于第一类型像素PXA、第二类型像素PXB和第三类型像素PXC与以上描述的第一类型像素PXA、第二类型像素PXB和第三类型像素PXC相同，因此将省略其重复描述，并且在下面将主要描述第四类型像素PXD。

第四类型像素PXD可以沿着最外侧像素PX布置在显示区域DPA的外部部分中。第四类型像素PXD可以在与第一侧边PS1和第二侧边PS2对应的部分中在第一方向DR1或第二方向DR2上邻近第三类型像素PXC，并且可以在与拐角CA的弯曲的外侧边CS对应的部分中在第一方向DR1或第二方向DR2上邻近第二类型像素PXB。第一类型像素PXA可以设置在显示区域DPA的其中布置有第四类型像素PXD的外部部分内侧。

每个第四类型像素PXD的每个子像素PXn可以具有与每个第一类型像素PXA的每个子像素PXn的结构基本上相同的结构，但是可以在发射区域EMA中包括不同数量的发光元件ED。根据实施方式，设置在每个第四类型像素PXD的每个子像素PXn中的发光元件ED的数量可以不同于设置在每个第一类型像素PXA的每个子像素PXn中的发光元件ED的数量以及设置在每个第二类型像素PXB的每个子像素PXn中的发光元件ED的数量。例如，每个第四类型像素PXD的子像素PXn可以包括相同数量的发光元件ED，并且每个第四类型像素PXD的每个子像素PXn可以包括数量比每个第一类型像素PXA的每个子像素PXn的发光元件ED的数量少的发光元件ED，但是可以包括数量比每个第二类型像素PXB的每个子像素PXn的发光元件ED的数量多的发光元件ED。第四类型像素PXD在发射区域EMA的面积上可以与第一类型像素PXA和第二类型像素PXB相同，但是可以包括数量比第一类型像素PXA的发光元件ED的数量少的发光元件ED。例如，第四类型像素PXD可以包括数量比第一类型像素PXA的发射区域EMA的每单位面积的发光元件ED的数量少的发射区域EMA的每单位面积的发光元件ED。

在驱动显示装置10_1的情况下，即使不考虑像素PX的类型将相同强度的驱动信号传输到每个像素PX，在每个第四类型像素PXD的子像素PXn之间可不出现亮度上的差异，但是由于发光元件ED的数量上的差异，在第一类型像素PXA和第四类型像素PXD之间可出现亮度上的差异。类似地，第四类型像素PXD可以包括数量比第二类型像素PXB的发光元件ED的数量多的发光元件ED，并且由于发光元件ED的数量上的差异，在第二类型像素PXB和第四类型像素PXD之间可出现亮度上的差异。

沿着拐角CA设置在显示区域DPA的最外侧部分中的第二类型像素PXB可以具有比设置在显示区域DPA的次最外侧部分中的第四类型像素PXD的亮度低的亮度，并且第四类型像素PXD可以具有比设置在显示区域DPA的内部部分中的第一类型像素PXA的亮度低的亮度。在拐角CA中，显示区域DPA可以从显示区域DPA的内部部分朝向显示区域DPA的最外侧部分和非显示区域NDA变暗。还包括第四类型像素PXD的显示装置10_1可以在显示区域DPA的拐角CA中逐渐地变暗，并且可以防止在拐角CA中视觉识别出像素PX的边界。

在图8和图9的实施方式中，显示区域DPA的内部部分中的第一类型像素PXA和显示区域DPA的最外侧部分中的第二类型像素PXB可以具备具有相同面积的发射区域EMA。然而，本公开不限于此，并且通过调整最外侧像素的发射区域EMA的面积，显示装置10的显示区域DPA的拐角CA也可以变暗。

图10至图12是示出设置在根据实施方式的显示装置的显示区域DPA中的不同类型的像素的示意性布置的示意性平面图。

首先，参照图10，在根据实施方式的显示装置10_2中，每个第二类型像素PXB的每个子像素PXn在发射区域EMA的面积上可以小于每个第一类型像素PXA的每个子像素PXn。相反，设置在每个第二类型像素PXB的每个子像素PXn中的发光元件ED的数量可以等于设置在每个第一类型像素PXA的每个子像素PXn中的发光元件ED的数量。该实施方式与图8的实施方式的不同之处可以至少在于，调整发射区域EMA的面积而不调整发光元件ED的数量，以调整每个第二类型像素PXB的亮度。将省略对其的重复描述，并且在下面将主要描述区别。

如上所述，可以通过发光元件ED的数量或发射区域EMA的面积来调整每个像素PX的亮度。例如，在显示装置10_2中，每个第二类型像素PXB的每个发射区域EMA在第二方向DR2上测量的高度HEB可以小于每个第一类型像素PXA的每个发射区域EMA在第二方向DR2上测量的高度HEA。尽管第二类型像素PXB在每个子像素PXn和每个发射区域EMA的宽度上与第一类型像素PXA相同，但是高度HEA和高度HEB可以不同。因此，第一类型像素PXA和第二类型像素PXB在发射区域EMA的面积上可以彼此不同。

每个第二类型像素PXB的子像素PXn在发光元件ED的数量和发射区域EMA的面积上可以相同，并且第二类型像素PXB可以包括与包括在第一类型像素PXA中的发光元件ED的数量基本上相同的数量的发光元件ED，但是可以包括具有比第一类型像素PXA的发射区域EMA的面积小的面积的发射区域EMA。

在驱动显示装置10_2的情况下，即使不考虑像素PX的类型将相同强度的驱动信号传输到每个像素PX，在每个第二类型像素PXB的子像素PXn之间可不出现亮度上的差异，但是由于发射区域EMA的面积的差异，在第一类型像素PXA和第二类型像素PXB之间可出现亮度上的差异。包括在每个子像素PXn或发射区域EMA的面积上比第一类型像素PXA小的第二类型像素PXB的显示装置10_2可以在显示区域DPA的拐角CA中逐渐地变暗，并且可以防止在拐角CA中视觉识别出像素PX的边界。

参照图11，在根据实施方式的显示装置10_3中，每个第二类型像素PXB的每个子像素PXn在发射区域EMA的面积上可以小于每个第一类型像素PXA的每个子像素PXn。此外，设置在每个第二类型像素PXB的每个子像素PXn中的发光元件ED的数量可以不同于设置在每个第一类型像素PXA的每个子像素PXn中的发光元件ED的数量。例如，每个第二类型像素PXB在每个子像素PXn中可以包括数量比每个第一类型像素PXA在每个子像素PXn中的发光元件ED的数量少的发光元件ED。

每个第二类型像素PXB的子像素PXn在发光元件ED的数量和发射区域EMA的面积上可以是相同的。在驱动显示装置10_3的情况下，即使不考虑像素PX的类型将相同强度的驱动信号传输到每个像素PX，在每个第二类型像素PXB的子像素PXn之间可不出现亮度上的差异，但是由于发光元件ED的数量和发射区域EMA的面积上的差异，在第一类型像素PXA和第二类型像素PXB之间可出现亮度上的差异。包括在每个子像素PXn或发射区域EMA的面积上以及在发光元件ED的数量上小于第一类型像素PXA的第二类型像素PXB的显示装置10_3可以在显示区域DPA的拐角CA中变暗，并且可以防止在拐角CA中视觉识别出像素PX的边界。该实施方式与图8和图10的实施方式的不同之处可以在于，调整发光元件ED的数量和发射区域EMA的面积，以调整每个第二类型像素PXB的亮度。

参照图12，在根据实施方式的显示装置10_4中，每个第二类型像素PXB的每个子像素PXn在发射区域EMA的面积上可以大于每个第一类型像素PXA的每个子像素PXn。相反，设置在每个第二类型像素PXB的每个子像素PXn中的发光元件ED的数量可以不同于设置在每个第一类型像素PXA的每个子像素PXn中的发光元件ED的数量。例如，每个第二类型像素PXB在每个子像素PXn中可以包括数量比每个第一类型像素PXA在每个子像素PXn中的发光元件ED的数量少的发光元件ED。

例如，在显示装置10_4中，每个第二类型像素PXB的每个发射区域EMA在第二方向DR2上测量的高度HEB可以大于每个第一类型像素PXA的每个发射区域EMA在第二方向DR2上测量的高度HEA。尽管第二类型像素PXB在每个子像素PXn和每个发射区域EMA的宽度上与第一类型像素PXA相同，但是高度HEA和高度HEB可以不同。因此，第一类型像素PXA和第二类型像素PXB在发射区域EMA的面积上可以彼此不同。

每个第二类型像素PXB的子像素PXn在发光元件ED的数量和发射区域EMA的面积上可以是相同的。在驱动显示装置10_4的情况下，即使不考虑像素PX的类型将相同强度的驱动信号传输到每个像素PX，在每个第二类型像素PXB的子像素PXn之间可不出现亮度上的差异，但是由于发光元件ED的数量和发射区域EMA的面积上的差异，在第一类型像素PXA和第二类型像素PXB之间可出现亮度上的差异。尽管每个第二类型像素PXB的每个子像素PXn在发射区域EMA的面积上大于每个第一类型像素PXA的每个子像素PXn，但是设置在每个第二类型像素PXB中的发光元件ED的数量可以小于设置在每个第一类型像素PXA中的发光元件ED的数量。因此，每个第二类型像素PXB的亮度可以比每个第一类型像素PXA的亮度低。在包括在每个子像素PXn或发射区域EMA的面积上小于第一类型像素PXA但是在发光元件ED的数量上大于第一类型像素PXA的第二类型像素PXB的显示装置10_4中，可以防止在拐角CA中视觉识别出像素PX的边界。该实施方式与图11的实施方式不同之处可以在于，每个第二类型像素PXB在发射区域EMA的面积上大于每个第一类型像素PXA。

在以上实施方式中，已经描述了设置在最外侧部分中的每个第二类型像素PXB的子像素PXn具有相同面积的情况。然而，本公开不限于此，并且设置在最外侧部分中的每个第二类型像素PXB的子像素PXn可以具有不同的面积，以更有效地防止视觉识别拐角CA中的最外侧像素PX的边界。

图13至图19是示出设置在根据实施方式的显示装置的显示区域DPA中的不同类型的像素的示意性布置的示意性平面图。

首先，参照图13，在根据实施方式的显示装置10_5中，每个第二类型像素PXB可以包括子像素PXn，该子像素PXn包括具有不同面积的发射区域EMA。例如，每个第二类型像素PXB可以包括：第四子像素PX4；第五子像素PX5，其发射区域EMA大于第四子像素PX4的发射区域EMA；以及第六子像素PX6，其发射区域EMA大于第五子像素PX5的发射区域EMA。第六子像素PX6可以具有与每个第一类型像素PXA的每个子像素PXn的结构基本上相同的结构。例如，第六子像素PX6在发射区域EMA的面积或子像素PXn的面积上可以与每个第一类型像素PXA的每个子像素PXn相同。除了由发射区域EMA和子像素PXn占据的面积上的差异之外，第四子像素PX4和第五子像素PX5可以与每个第一类型像素PXA的子像素PXn相同。相反，每个第二类型像素PXB的第四子像素PX4至第六子像素PX6在发光元件ED的数量上可以与每个第一类型像素PXA的子像素PXn相同。该实施方式与图8的实施方式的不同之处可以在于，调整发射区域EMA的面积而不调整发光元件ED的数量，以调整每个第二类型像素PXB的亮度。将省略对其重复描述，并且在下面将主要描述区别。

在显示装置10_5中，在显示区域DPA的拐角CA中设置在显示区域DPA的最外侧部分处的每个第二类型像素PXB可以包括子像素PXn，该子像素PXn包括具有不同面积的发射区域EMA。第四子像素PX4至第六子像素PX6在发射区域EMA的在第二方向DR2上测量的长度上可以不同，并且在尺寸上可以按第六子像素PX6、第五子像素PX5和第四子像素PX4的顺序逐渐减小。第四子像素PX4和第五子像素PX5在发射区域EMA的面积上可以小于每个第一类型像素PXA的子像素PXn。相反，第六子像素PX6在发射区域EMA的面积上可以与每个第一类型像素PXA的每个子像素PXn基本上相同。

根据实施方式，在驱动显示装置10_5的情况下，可以根据像素PX和子像素PXn的类型来传输不同强度的驱动信号。例如，在每个第二类型像素PXB的第六子像素PX6具有与每个第一类型像素PXA的每个子像素PXn的结构相同的结构的实施方式中，可以将强度比传输到每个第一类型像素PXA的驱动信号的强度弱的驱动信号传输到每个第二类型像素PXB。因此，即使第六子像素PX6和第一类型像素PXA的每个子像素PXn在发射区域EMA的面积和发光元件ED的数量上是相同的，第六子像素PX6也可以具有比每个第一类型像素PXA的每个子像素PXn的亮度低的亮度。

在每个第二类型像素PXB的第四子像素PX4至第六子像素PX6具有的发射区域EMA具有不同面积但包括相同数量的发光元件ED的情况下，在像素PX的子像素PXn之间可能出现亮度上的差异。为了防止这种差异，在根据实施方式的显示装置10_5中，可以将不同强度的驱动信号传输到每个第二类型像素PXB的子像素PXn。在子像素PXn包括相同数量的发光元件ED但具有不同面积的发射区域EMA的情况下，从具有大面积的子像素PXn(例如，第六子像素PX6)发射的光的颜色可以具有比从第四子像素PX4和第五子像素PX5中的每个发射的光的颜色的亮度高的亮度。

在子像素PXn发射不同颜色的光的实施方式中，如果子像素PXn通过接收相同强度的驱动信号同时发射光，从第六子像素PX6发射的光的颜色可以更强。因此，可能不显示期望的颜色。为了防止这种情况，在子像素PXn包括具有不同面积的发射区域EMA的实施方式中，子像素PXn可以通过接收不同强度的驱动信号来发光。因此，即使子像素PXn包括具有不同面积但包括相同数量的发光元件ED的发射区域EMA，子像素PXn之间的亮度也可能存在很小的差异。

参照图14，在根据实施方式的显示装置10_6中，每个第二类型像素PXB可以包括子像素PXn，该子像素PXn包括具有不同面积的发射区域EMA，并且具有最大面积的第六子像素PX6的发射区域EMA可以比每个第一类型像素PXA的每个子像素PXn的发射区域EMA具有更小的面积。第六子像素PX6的发射区域EMA的高度HEB可以小于每个第一类型像素PXA的每个子像素PXn的发射区域EMA的高度HEA。该实施方式与图13的实施方式的不同之处至少可以在于，第六子像素PX6还具有比每个第一类型像素PXA的每个子像素PXn的面积小的面积。将省略对其重复描述。

参照图15，在根据实施方式的显示装置10_7中，每个第二类型像素PXB可以包括第四子像素PX4至第六子像素PX6，第四子像素PX4至第六子像素PX6具有不同面积的发射区域EMA，并且设置在每个第二类型像素PXB的每个子像素PXn中的发光元件ED的数量可以不同于设置在每个第一类型像素PXA的每个子像素PXn中的发光元件ED的数量。例如，设置在每个第二类型像素PXB的每个子像素PXn中的发光元件ED的数量可以小于设置在每个第一类型像素PXA的每个子像素PXn中的发光元件ED的数量。

在显示装置10_7中，每个第二类型像素PXB可以包括具有发射区域EMA的子像素PXn，该发射区域EMA比每个第一类型像素PXA的子像素PXn的发射区域EMA具有更小的面积，并且每个第二类型像素PXB的子像素PXn之间的发射区域EMA的面积可以不同。每个第二类型像素PXB的每个子像素PXn可以包括数量比每个第一类型像素PXA的每个子像素PXn的发光元件ED的数量少的发光元件ED。因此，第二类型像素PXB可以具有比第一类型像素PXA的亮度低的亮度，并且因此可以在显示区域DPA的拐角CA中变暗。

即使相同强度的驱动信号被传输到第一类型像素PXA和第二类型像素PXB，第一类型像素PXA和第二类型像素PXB也可由于发光元件ED的数量上的差异而具有不同的亮度。这里，不同强度的驱动信号应该被传输到每个第二类型像素PXB的子像素PXn，以补偿由于子像素PXn之间在发射区域EMA的面积上的差异而导致的亮度上的差异。该实施方式与图14的实施方式不同之处可以至少在于，每个第二类型像素PXB的每个子像素PXn包括数量比每个第一类型像素PXA的每个子像素PXn的发光元件ED的数量少的发光元件ED。因此，将省略其重复描述。

参照图16和图17，在根据实施方式的显示装置10_8和10_9中，具有不同面积的发射区域EMA的每个第二类型像素PXB可以在每个子像素PXn中包括不同数量的发光元件ED。在图16的显示装置10_8中，发光元件ED的数量可以按第四子像素PX4、第五子像素PX5和第六子像素PX6的顺序依次增加。相反，在图17的显示装置10_9中，发光元件ED的数量可以按第四子像素PX4、第五子像素PX5和第六子像素PX6的顺序依次减少。

在图16的显示装置10_8中，图16的显示装置10_8的每个第二类型像素PXB的每个子像素PXn可以包括与发射区域EMA的面积成比例的数量的发光元件ED。由于每个第二类型像素PXB的每个子像素PXn可以包括数量比每个第一类型像素PXA的每个子像素PXn的发光元件ED的数量少的发光元件ED，因此第二类型像素PXB可以具有比第一类型像素PXA的亮度低的亮度。这里，由于每个子像素PXn中的发光元件ED的数量与发射区域EMA的面积类似，按第四子像素PX4、第五子像素PX5和第六子像素PX6的顺序依次增加，因此在子像素PXn之间可存在亮度上的差异。因此，在驱动第二类型像素PXB的情况下，可能需要通过校正向每个子像素PXn传输的驱动信号的强度来补偿子像素PXn之间的亮度上的差异。

相反，在图17的显示装置10_9中，每个第二类型像素PXB的每个子像素PXn可以包括与发射区域EMA的面积成反比的数量的发光元件ED。由于每个第二类型像素PXB的每个子像素PXn可以包括数量比每个第一类型像素PXA的每个子像素PXn的发光元件ED的数量少的发光元件ED，因此第二类型像素PXB可以具有比第一类型像素PXA的亮度低的亮度。由于每个子像素PXn中的发光元件ED的数量与发射区域EMA的面积不同，按第四子像素PX4、第五子像素PX5和第六子像素PX6的顺序依次减小，因此即使没有校正驱动信号的强度，通过发光元件ED的数量可以校正子像素PXn之间的亮度上的差异。在该实施方式中，尽管每个第二类型像素PXB的子像素PXn具有不同面积的发射区域EMA，但是通过将发光元件ED的数量调整为与发射区域EMA的面积成反比，不需要校正驱动信号，第四子像素PX4至第六子像素PX6可以具有一致的亮度。

参照图18和图19，在根据实施方式的显示装置10_10和10_11中，每个第二类型像素PXB可以具有不同面积的发射区域EMA，并且第六子像素PX6的发射区域EMA可以具有比每个第一类型像素PXA的每个子像素PXn的发射区域EMA的面积大的面积。

图18的显示装置10_10与图15的实施方式不同之处可以至少在于，第六子像素PX6的发射区域EMA的高度HEB大于每个第一类型像素PXA的每个子像素PXn的发射区域EMA的高度HEA。图18的实施方式可以具有根据图12和图15的实施方式的组合的结构。图19的显示装置10_11与图17的实施方式不同之处可以至少在于，第六子像素PX6的发射区域EMA的高度HEB大于每个第一类型像素PXA的每个子像素PXn的发射区域EMA的高度HEA。图19的实施方式可以具有根据图12和图17的组合的结构。因此，将省略其重复描述。

尽管由每个第二类型像素PXB的每个子像素PXn占据的面积小于由每个第一类型像素PXA的每个子像素PXn占据的面积，但是本公开不限于此。在一些实施方式中，每个第二类型像素PXB的每个子像素PXn的面积可以与每个第一类型像素PXA的每个子像素PXn的面积相同，并且与在每个第一类型像素PXA的每个子像素PXn中相比，在每个第二类型像素PXB的每个子像素PXn中，只有发射区域EMA的面积可以更小。

参照图20，在根据实施方式的显示装置10_12中，每个第二类型像素PXB的每个子像素PXn在发射区域EMA的面积上可以小于每个第一类型像素PXA的每个子像素PXn，但是由每个第二类型像素PXB的每个子像素PXn占据的面积可以与由每个第一类型像素PXA的每个子像素PXn占据的面积相同。因此，在第一方向DR1上彼此相邻的第一类型像素PXA和第二类型像素PXB中，子像素PXn的子区域SA可以在第一方向DR1上并排设置，并且因此可以容易地执行切割电极线RM的工艺。

在以上实施方式中，设置在最外侧部分中的第二类型像素PXB的子像素PXn在平面图中可以具有矩形形状。然而，本公开不限于此。为了更有效地防止视觉识别拐角CA中的最外侧像素PX的边界，设置在最外侧部分中的第二类型像素PXB的子像素PXn中的每个的形状可以包括沿着拐角CA的弯曲的外侧边CS部分地弯曲的区域。

图21是示出设置在根据实施方式的显示装置的显示区域中的不同类型的像素的示意性布置的示意性平面图。图22是包括在图21的显示装置中的第二类型像素的示意图。图22仅示意性地示出第二类型像素的电极的结构。

参照图21和图22，在根据实施方式的显示装置11中，第二类型像素PXB可以包括具有弯曲部分的电极RME。设置在第二类型像素PXB中的电极RME可以各自包括至少在第二方向DR2上延伸并且在第一方向DR1上弯曲的电极弯曲部分RM_A。在每个第二类型像素PXB的一些子像素PXn中，电极RME可以各自包括在第二方向DR2上延伸并且电连接到电极弯曲部分RM_A的电极延伸部分RM_E。在每个第二类型像素PXB的第四子像素PX4至第六子像素PX6中，设置在发射区域EMA中的电极RME可以各自包括电极弯曲部分RM_A。因此，第四子像素PX4至第六子像素PX6可以包括如图13的实施方式中的具有不同面积的发射区域EMA。本实施方式在设置在第二类型像素PXB中的电极RME的形状上可以与图13的实施方式不同。将省略重复描述，并且在下面将主要描述区别。

每个第二类型像素PXB的第四子像素PX4可以包括电极弯曲部分RM_A，电极弯曲部分RM_A从在第二方向DR2上相邻的第一类型像素PXA延伸，并且在发射区域EMA中在第一方向DR1上弯曲。第四子像素PX4的第一电极RME1至第四电极RME4可以分别包括电极弯曲部分RM_A，并且可以设置成弧形形状。第四子像素PX4可以包括设置在第四子像素PX4的中央的右下侧上的第四电极RME4、与第四电极RME4间隔开以围绕第四电极RME4的第二电极RME2、与第二电极RME2间隔开以围绕第二电极RME2的第三电极RME3、以及与第三电极RME3间隔开以围绕第三电极RME3的第一电极RME1。

与第四子像素PX4不同，第五子像素PX5和第六子像素PX6可以包括电连接到电极弯曲部分RM_A的电极延伸部分RM_E。电极延伸部分RM_E可以从在第二方向DR2上相邻的第一类型像素PXA延伸。电极延伸部分RM_E的布置可以与以上参考其它附图描述的布置相同。第五子像素PX5和第六子像素PX6的电极弯曲部分RM_A可以以与第四子像素PX4的电极弯曲部分RM_A类似的方式设置。第五子像素PX5和第六子像素PX6中的每个的发射区域EMA可以包括其中设置有电极延伸部分RM_E的第一部分EMA_E和其中设置有电极弯曲部分RM_A的第二部分EMA_C。

在根据当前实施方式的显示装置11中，第二类型像素PXB的电极RME可以包括沿着拐角CA的外侧边CS的形状弯曲的电极弯曲部分RM_A。在显示装置11中，即使没有足够的空间将像素PX放置在拐角CA中的显示区域DPA中，像素PX也可以设置在拐角CA中的显示区域DPA中，从而减小或最小化显示区域DPA中的其中不设置像素PX的空间。

图23是示出设置在根据实施方式的显示装置的显示区域中的不同类型的像素的示意性布置的示意性平面图。图24是包括在图23的显示装置中的第二类型像素的示意图。

参照图23和图24，根据实施方式的显示装置11_1与图21和图22的实施方式不同之处可以至少在于，第二类型像素PXB的电极RME形成为电极弯曲部分RM_A。在显示装置11_1中，由于第二类型像素PXB的电极RME具有弧形形状，因此子像素PXn可以部分地围绕另一子像素PXn。例如，第四子像素PX4可以设置在每个第二类型像素PXB的中央的右下侧上，第五子像素PX5可以部分地围绕第四子像素PX4，并且第六子像素PX6可以部分地围绕第五子像素PX5。在每个第二类型像素PXB中，第四子像素PX4、第五子像素PX5和第六子像素PX6的面积可以依次增加。由于第二类型像素PXB的电极RME仅包括电极弯曲部分RM_A，因此第二类型像素PXB大体可以具有与拐角CA的弯曲的外侧边CS对应的形状。在显示装置11_1中，即使没有足够的空间将像素PX放置在拐角CA中的显示区域DPA中，像素PX也可以设置在拐角CA中的显示区域DPA中，从而减小或最小化显示区域DPA的其中不设置像素PX的空间。

参照图25，根据实施方式的显示装置11_2还可以包括第五类型像素PXE，第五类型像素PXE是设置在拐角CA中的显示区域DPA中并且在电极RME的结构上与每个第二类型像素PXB对称的最外侧像素。该实施方式在显示区域DPA的最外侧部分中的像素PX的布置上可以不同于图23的实施方式。

类似于第二类型像素PXB，在第五类型像素PXE中，每个电极RME可以包括电极弯曲部分RM_A。设置在最外侧部分中的第二类型像素PXB可以设置在第一类型像素PXA的在第一方向DR1上的一侧上，并且第五类型像素PXE可以设置在第二类型像素PXB的在第二方向DR2上的一侧上。在最外侧像素PX设置在第二类型像素PXB的在第二方向DR2上的一侧的情况下，第五类型像素PXE可以被设置成代替在发光元件ED的数量和发射区域EMA的面积上与每个第一类型像素PXA相同的第三类型像素PXC。第二类型像素PXB和第五类型像素PXE的电极RME可以分别包括电极弯曲部分RM_A，但是它们的结构彼此对称。因此，第二类型像素PXB的电极弯曲部分RM_A和第五类型像素PXE的电极弯曲部分RM_A可以根据它们的曲率来设置，以覆盖设置在不同像素行PX_C中的第一类型像素PXA的侧边。电极弯曲部分RM_A可以在不同像素行PX_C之间的边界处彼此分离，以分别形成第二类型像素PXB和第五类型像素PXE。

在总结详细描述时，本领域技术人员将理解，在基本上不脱离本公开的原理的情况下，可以对实施方式进行许多变型和修改。因此，所公开的实施方式仅以一般和描述性的含义使用，并且不是出于限制的目的。

Claims

1.一种显示装置，包括：

显示区域，包括多个子像素的多个像素布置在所述显示区域中，所述多个子像素各自包括发射区域；

非显示区域，围绕所述显示区域；

多个电极，所述多个电极中的每个包括在所述显示区域中在一方向上延伸的至少部分，并且在所述多个子像素中的每个中彼此间隔开；

多个发光元件，在所述发射区域中设置在所述多个电极上；以及

多个接触电极，所述多个接触电极中的每个接触所述多个电极中的一个和所述多个发光元件，其中，

所述多个像素包括：

第一类型像素，设置在所述显示区域中；以及

第二类型像素，设置在所述显示区域的最外侧部分中，以及所述第一类型像素的所述发射区域中每单位面积的发光元件的数量不同于所述第二类型像素的所述发射区域中每单位面积的发光元件的数量。

2.根据权利要求1所述的显示装置，包括：

第一侧边，在第一方向上延伸；

第二侧边，在不同于所述第一方向的第二方向上延伸；以及

拐角，其中，

所述第一侧边和所述第二侧边在所述拐角处交汇，

所述拐角的外侧边是弯曲的，以及

所述第二类型像素沿着所述拐角的所述外侧边设置。

3.根据权利要求2所述的显示装置，还包括第三类型像素，所述第三类型像素设置在所述显示区域的所述最外侧部分中以与所述第一侧边和所述第二侧边对应，其中，

所述第三类型像素的所述发射区域中每单位面积的发光元件的数量不同于所述第二类型像素的所述发射区域中每单位面积的发光元件的所述数量。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，

所述第二类型像素的所述多个子像素中的每个的所述发射区域的面积等于所述第一类型像素的所述多个子像素中的每个的所述发射区域的面积，以及

所述第二类型像素的所述发射区域中的发光元件的数量小于所述第一类型像素的所述发射区域中的发光元件的数量。

5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，

所述多个像素包括第四类型像素，所述第四类型像素在所述显示区域中设置在所述第二类型像素内侧并且与所述第二类型像素相邻，以及

所述第四类型像素的所述发射区域中每单位面积的发光元件的数量不同于所述第一类型像素的所述发射区域中每单位面积的发光元件的所述数量以及所述第二类型像素的所述发射区域中每单位面积的发光元件的所述数量。

6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，

所述第二类型像素的所述多个子像素中的每个的所述发射区域的面积彼此相等，以及

所述第二类型像素的所述多个子像素中的每个的所述发射区域的面积不同于所述第一类型像素的所述多个子像素中的每个的所述发射区域的面积。

7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，

所述第二类型像素的所述多个子像素中的每个的所述发射区域的所述面积小于所述第一类型像素的所述多个子像素中的每个的所述发射区域的所述面积，以及

所述第二类型像素的所述多个子像素中的每个的所述发射区域中的发光元件的数量等于所述第一类型像素的所述多个子像素中的每个的所述发射区域中的发光元件的数量。

8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，

所述第二类型像素的所述多个子像素中的每个的所述发射区域中的发光元件的数量小于所述第一类型像素的所述多个子像素中的每个的所述发射区域中的发光元件的数量。

9.根据权利要求6所述的显示装置，其中，

所述第二类型像素的所述多个子像素中的每个的所述发射区域的所述面积大于所述第一类型像素的所述多个子像素中的每个的所述发射区域的面积，以及

10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，

所述第一类型像素的所述多个子像素中的每个的所述发射区域的面积彼此相等，

所述第一类型像素的所述多个子像素中的每个的所述发射区域中的发光元件的数量彼此相等，

所述第二类型像素的所述多个子像素中的每个的所述发射区域的面积彼此不同，以及

所述第二类型像素的所述多个子像素中的至少一个的所述发射区域的面积不同于所述第一类型像素的所述多个子像素中的每个的所述发射区域的面积。

11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述第二类型像素的所述多个子像素中的每个的所述发射区域中的发光元件的数量等于所述第一类型像素的所述多个子像素中的每个的所述发射区域中的发光元件的数量。

12.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述第二类型像素的所述多个子像素中的每个的所述发射区域中的发光元件的数量不同于所述第一类型像素的所述多个子像素中的每个的所述发射区域中的发光元件的数量。

13.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述第二类型像素的所述多个子像素中的每个的所述发射区域中的发光元件的数量彼此不同。

14.根据权利要求10所述的显示装置，其中，

设置在所述第二类型像素的所述多个子像素中的每个中的所述多个电极中的每个包括在垂直于所述一方向的另一方向上弯曲的电极弯曲部分，以及

所述第二类型像素的所述多个子像素布置在所述一方向和所述另一方向之间的斜线方向上。

15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，

设置在所述第二类型像素的所述多个子像素中的每个中的所述多个电极中的每个包括电极延伸部分，所述电极延伸部分连接到所述电极弯曲部分并且在所述另一方向上延伸，以及

所述第二类型像素的所述多个子像素布置在垂直于所述一方向的所述另一方向上。

16.一种显示装置，包括：

第一侧边，在第一方向上延伸；

第二侧边，在不同于所述第一方向的第二方向上延伸；以及

拐角，其中，

所述第一侧边和所述第二侧边在所述拐角处交汇，以及

所述拐角的外侧边是弯曲的，

所述显示装置还包括：

多个像素，包括在一方向上延伸的多个电极；

多个发光元件，所述多个发光元件中的每个包括设置在所述多个电极上的端部；以及

多个接触电极，所述多个接触电极中的每个接触所述多个电极中的一个和所述多个发光元件，以及

所述多个像素包括：

多个第一类型像素；

多个第二类型像素，设置在最外侧部分中以围绕所述多个第一类型像素，并且设置在所述拐角中；以及

多个第三类型像素，设置成与所述第一侧边和所述第二侧边对应，以及

所述多个第二类型像素的发射区域的每单位面积的发光元件的数量不同于所述多个第一类型像素的发射区域的每单位面积的发光元件的数量。

17.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述多个第二类型像素中的每个的发光元件的数量不同于所述多个第一类型像素中的每个的发光元件的数量。

18.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述多个第二类型像素中的每个的所述发射区域的面积不同于所述多个第一类型像素中的每个的所述发射区域的面积。

19.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述多个第三类型像素的发射区域中每单位面积的发光元件的数量不同于所述多个第二类型像素的所述发射区域中每单位面积的发光元件的数量。

20.根据权利要求16所述的显示装置，还包括多个第四类型像素，所述多个第四类型像素设置在所述多个第一类型像素和所述多个第二类型像素之间，其中，

所述多个第四类型像素中的每个的发射区域中每单位面积的发光元件的数量不同于所述多个第一类型像素中的每个的所述发射区域中每单位面积的发光元件的数量以及所述多个第二类型像素中的每个的所述发射区域中每单位面积的发光元件的数量。