CN115699323A - 显示装置 - Google Patents

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李炫旭
金基范
金珍泽
洪晶银
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Abstract

提供了一种显示装置。该显示装置包括：第一电极和第二电极，布置在基底上，在第一方向上延伸，并且在第二方向上彼此间隔开；发光元件，布置在第一电极和第二电极上；第一接触电极，布置在第一电极上，并且与发光元件接触；以及第二接触电极，布置在第二电极上，并且与发光元件接触，其中，第一接触电极经由布置在第一电极上的第一接触部分与第一电极接触，第二接触电极经由布置在第二电极上的第二接触部分与第二电极接触，第一接触部分布置在第一接触电极的一端上，并且第二接触部分布置在第二接触电极的一端上。

Description

显示装置
技术领域
本公开涉及一种显示装置。
背景技术
显示装置的重要性正在随着多媒体的发展而提高。因此，正在使用诸如有机发光二极管(OLED)显示器和液晶显示器(LCD)的各种类型的显示装置。
显示装置是显示图像并且包括显示面板(诸如有机发光显示面板或液晶显示面板)的装置。在显示装置之中，显示装置可以包括发光元件作为发光显示面板。例如，发光二极管(LED)可以包括使用有机材料作为发光材料的OLED、使用无机材料作为发光材料的无机发光二极管等。
发明内容
技术问题
公开的方面提供了一种具有改善的发光效率的无机发光元件显示装置。
此外，公开的方面还提供了一种包括具有改善的发光效率的新颖电极结构的显示装置。
应当注意的是，本公开的方面不限于上述方面，并且本领域技术人员将从以下描述中清楚地理解本公开的其它未提及的方面。
技术方案
根据公开的实施例，显示装置包括：基底；第一电极和第二电极，设置在基底上，在第一方向上延伸，并且在第二方向上彼此间隔开；多个发光元件，设置在第一电极和第二电极上，并且在第一方向上彼此间隔开；第一接触电极，设置在第一电极上，并且与多个发光元件电接触；以及第二接触电极，设置在第二电极上，并且与多个发光元件电接触，其中，第一接触电极通过设置在第一电极上的第一接触部分与第一电极电接触，第二接触电极通过设置在第二电极上的第二接触部分与第二电极电接触，第一接触部分设置在第一接触电极的在第一方向上的端部上，并且第二接触部分设置在第二接触电极的在第一方向上的端部上。
多个发光元件可以不设置于在第二方向上彼此间隔开的第一接触部分与第二接触部分之间。
可以限定有发光元件区域，发光元件区域是其中设置有多个发光元件的区域，并且第一接触部分和第二接触部分可以在第一方向上与发光元件区域间隔开。
所述显示装置还可以包括：层间绝缘层，设置在基底上；以及多个堤，设置在层间绝缘层与第一电极和第二电极之间，其中，第一电极和第二电极各自可以包括直接设置在层间绝缘层上的第一部分和连接到第一部分并且直接设置在多个堤上的第二部分。
第一接触电极可以设置在第一电极的第一部分上，第二接触电极可以设置在第二电极的第一部分上，并且第一接触部分和第二接触部分可以分别设置在第一电极的第一部分和第二电极的第一部分上。
第一电极和第二电极可以各自包括将第一部分和第二部分连接的第三部分，并且第一部分的在第一方向上测量的长度可以大于第三部分的在第一方向上测量的长度。
第一电极的第一部分与第二电极的第一部分之间的距离可以小于第一电极的第二部分与第二电极的第二部分之间的距离。
第一电极和第二电极的宽度可以大于第一接触电极和第二接触电极的宽度。
第一接触电极与第二接触电极之间的距离可以小于第一电极的第一部分与第二电极的第一部分之间的距离。
第一电极的第一部分与第二电极的第一部分之间的距离可以小于发光元件的在第二方向上测量的长度。
所述显示装置还可以包括与第一电极和第二电极部分地叠置的第一绝缘层，其中，第一接触部分和第二接触部分可以穿透第一绝缘层，以分别使第一电极的一部分和第二电极的一部分暴露。
多个发光元件可以直接设置在第一绝缘层上。
根据公开的实施例，显示装置包括：基底；多个堤，设置在基底上；第一电极和第二电极，分别设置在彼此不同的多个堤上，在第一方向上延伸，并且在第二方向上彼此间隔开；多个发光元件，设置在第一电极和第二电极上，并且在第一方向上彼此间隔开；第一接触电极，设置在第一电极上，并且与多个发光元件电接触；以及第二接触电极，设置在第二电极上，并且与多个发光元件电接触，其中，第一接触电极通过设置在第一电极上的第一接触部分与第一电极电接触，第二接触电极通过设置在第二电极上的第二接触部分与第二电极电接触，并且第一接触部分和第二接触部分在第一方向与第二方向之间的方向上与多个发光元件间隔开。
第一电极和第二电极可以各自包括直接设置在层间绝缘层上的第一部分和连接到第一部分并且直接设置在多个堤上的第二部分，并且第一接触部分和第二接触部分可以分别设置在第一电极的第二部分和第二电极的第二部分上。
第一接触电极和第二接触电极可以各自包括：接触电极延伸部分，设置在第一部分上；接触电极接触部分，设置在第一接触部分或第二接触部分上；以及接触电极连接部分，将接触电极延伸部分和接触电极接触部分电连接，并且第一接触电极和第二接触电极中的每个的接触电极连接部分可以在第一方向上与多个发光元件间隔开。
根据公开的实施例，显示装置包括：基底；第一电极和第二电极，设置在基底上，在第一方向上延伸，并且在第二方向上彼此间隔开；第三电极，在第一电极与第二电极之间在第二方向上与第一电极和第二电极间隔开；第四电极，在第一方向上与第一电极间隔开；发光元件，包括第一发光元件和第二发光元件，第一发光元件具有分别设置在第一电极和第三电极上的第一端部和第二端部，第二发光元件具有设置在第二电极上的第一端部；第一接触电极，设置在第一电极上，并且与第一发光元件电接触；第二接触电极，设置在第二电极上，并且与第二发光元件电接触；以及第三接触电极，设置在第三电极上，并且与第一发光元件电接触，其中，第一接触电极通过设置在第一电极上的第一接触部分与第一电极电接触，第二接触电极通过设置在第二电极上的第二接触部分与第二电极电接触，第三接触电极通过设置在第三电极上的第三接触部分与第三电极电接触，第二接触部分设置在第二接触电极的在第一方向上的端部上，并且第三接触部分设置在第三接触电极的在第一方向上的端部上。
第二电极可以包括从第二电极的在第二方向上的一侧突出的电极突出部分，第三电极可以包括从第三电极的在第二方向上的一侧突出的电极突出部分，并且第二接触部分和第三接触部分可以分别设置在第二电极的电极突出部分和第三电极的电极突出部分上。
第一电极可以包括：第一电极延伸部分，在第一方向上延伸；以及电极连接部分，电连接到第一电极延伸部分的在第一方向上的一侧并且在第二方向上延伸，并且第一发光元件可以设置在第一电极的第一电极延伸部分和第三电极上。
第一接触部分可以设置在第一电极的电极连接部分上，并且第一接触电极可以包括：接触电极延伸部分，与第一发光元件电接触；以及接触电极接触部分，电连接到接触电极延伸部分，并且设置在第一接触部分上。
所述显示装置还可以包括设置在基底上的导电层，导电层包括电压线和导电图案，其中，第一电极可以直接连接到导电图案，并且第二电极可以直接连接到电压线。
所述显示装置还可以包括：第五电极，在第二方向上与第四电极间隔开，并且在第一方向上与第三电极间隔开；第六电极，在第二方向上与第五电极间隔开；第七电极，设置在第五电极与第六电极之间，并且在第一方向上与第二电极间隔开；以及第八电极，在第一方向上与第六电极间隔开，并且在第二方向上与第二电极间隔开，其中，发光元件可以包括：第三发光元件，设置在第四电极和第五电极上；以及第四发光元件，设置在第六电极和第七电极上，并且第二发光元件的第二端部可以设置在第八电极上。
第三接触电极可以包括设置在第四电极上并且与第三发光元件电接触的部分，并且第三接触电极可以通过接触部分与第四电极电接触，接触部分在第一方向与第二方向之间的方向上与第三发光元件间隔开。
所述显示装置还可以包括：第四接触电极，设置在第五电极和第六电极上，并且通过多个接触部分与第五电极和第六电极电接触；以及第五接触电极，设置在第七电极和第八电极上，并且通过多个接触部分与第七电极和第八电极电接触，并且其中，设置在第五电极至第八电极上的多个接触部分中的一些接触部分可以在第一方向上与发光元件间隔开。
设置在第五电极至第八电极上的多个接触部分中的至少一些接触部分可以设置为在第一方向与第二方向之间的方向上与发光元件间隔开。
第一接触部分可以在第一方向与第二方向之间的方向上与发光元件间隔开。
所述显示装置还可以包括：第一绝缘层，与第一电极至第八电极部分地叠置；第二绝缘层，部分地设置在发光元件和第一绝缘层上；以及第三绝缘层，与第二绝缘层、第三接触电极和第四接触电极叠置，并且其中，多个接触部分可以穿透第一绝缘层。
所述显示装置还可以包括多个开口，多个开口穿透第二绝缘层和第三绝缘层以使第一绝缘层的上表面的一部分暴露，其中，多个开口可以包括：第一开口，形成在第一电极的一部分和第一发光元件的第一端部之上；第二开口，形成在第二电极的一部分和第二发光元件的第一端部之上；以及第三开口，部分地形成在第八电极上。
第一接触电极可以部分地设置在第一开口中，第二接触电极可以部分地设置在第二开口中，并且第三开口可以形成为与第五接触电极间隔开。
其它实施例的细节包括在详细描述和附图中。
有益效果
在根据实施例的显示装置中，由于将发光元件和电极电连接的接触电极可以具有最小宽度，因此能够减少从发光元件发射的光中的在没有从发光元件下方的绝缘层发射的情况下损失的量。由于接触电极和电极通过其彼此电接触的接触部分设置为避开光的光路，因此能够使接触电极与绝缘层之间的界面最小化，并且能够改善从每个子像素的发光元件发射的光的发光效率。
根据实施例的效果不受上面例示的内容限制，并且更多的各种效果包括在本公开中。
附图说明
图1是根据实施例的显示装置的示意性平面图；
图2是示出根据实施例的显示装置的像素的示意性平面图；
图3是示出图2的第一子像素的示意性平面图；
图4是沿着图3的线Q1-Q1'、线Q2-Q2'和线Q3-Q3'截取的示意性剖视图；
图5是图3的部分A的示意性放大图；
图6是沿着图5的线Q4-Q4'截取的示意性剖视图；
图7是根据实施例的发光元件的示意图；
图8是示出根据另一实施例的显示装置的子像素的示意性平面图；
图9是图8的部分B的示意性放大图；
图10是示出根据又一实施例的显示装置的子像素的示意性平面图；
图11是图10的部分C的示意性放大图；
图12是沿着图11的线Q5-Q5'截取的示意性剖视图；
图13是示出根据再一实施例的显示装置的一个子像素的示意性平面图；
图14是图13的部分D的示意性放大图；
图15是沿着图13的线Q6-Q6'截取的示意性剖视图；
图16是示出根据再一实施例的显示装置的像素的示意性平面图；
图17是示出图16的第一子像素的示意性平面图；
图18是沿着图17的线Q7-Q7'截取的示意性剖视图；
图19是沿着图17的线Q8-Q8'截取的示意性剖视图；
图20是沿着图17的线Q9-Q9'截取的示意性剖视图；
图21至图25是示出图16的显示装置的制造工艺的一些操作的示意图；
图26是示出根据再一实施例的显示装置的一部分的示意性剖视图；并且
图27是示出根据再一实施例的显示装置的一部分的示意性剖视图。
具体实施方式
现在将在下文中参照附图更充分地描述本公开，在附图中示出了公开的优选实施例。然而，本公开可以以不同的形式实施，并且不应被解释为限于这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达公开的范围。
还将理解的是，当层被称为“在”另一层或基底“上”时，该层可以直接在所述另一层或基底上，或者也可以存在居间层。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的组件。
将理解的是，尽管这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如，在不脱离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被命名为第二元件。类似地，第二元件也可以被命名为第一元件。
在下文中，将参照附图描述本公开的实施例。
图1是根据实施例的显示装置的示意性平面图。
参照图1，显示装置10显示视频或静止图像。显示装置10可以指提供显示屏幕的电子装置。例如，显示装置10可以包括设置有显示屏幕的电视、膝上型计算机、监视器、广告牌、物联网(IoT)装置、移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、电子手表、智能手表、手表电话、头戴式显示器、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航系统、游戏控制台、数码相机和摄像机。
显示装置10可以包括提供显示屏幕的显示面板。显示面板的示例可以包括无机发光二极管显示面板、有机发光显示面板、量子点发光显示面板、等离子体显示面板、场发射显示面板等。在下文中，描述了作为显示面板的示例的无机发光二极管显示面板，但是公开不限于此。例如，可以将可应用相同技术构思的装置应用于其它显示面板。
显示装置10的形状可以各种地改变。例如，显示装置10可以具有诸如其两条边较长的矩形形状、正方形形状、其角部(顶点)为圆形的四边形形状、其它多边形形状、圆形形状等的形状。显示装置10的显示区域DPA的形状也可以类似于显示装置10的整体形状。图1示出了具有其两条边较长的矩形形状的显示装置10和显示区域DPA。
显示装置10可以包括显示区域DPA和非显示区域NDA。显示区域DPA可以是其中可以显示图像的区域，并且非显示区域NDA可以是其中不显示图像的区域。显示区域DPA可以被称为有效区域，并且非显示区域NDA可以被称为无效区域。显示区域DPA可以基本上占据显示装置10的中心。
显示区域DPA可以包括多个像素PX。多个像素PX可以以矩阵形式布置。每个像素PX的形状在平面图中可以是矩形形状或正方形形状，但不限于此。例如，每个像素PX的形状可以是菱形形状，该菱形形状的每条边相对于一方向倾斜。像素PX可以交替地布置为条型或
Figure BDA0003963723080000071
型。像素PX中的每个可以包括以特定波长发光的一个或更多个发光元件ED，从而显示特定颜色。
非显示区域NDA可以设置在显示区域DPA周围或设置为与显示区域DPA相邻。非显示区域NDA可以完全地或部分地围绕显示区域DPA。显示区域DPA可以具有矩形形状，并且非显示区域NDA可以与显示区域DPA的四条边相邻地设置。非显示区域NDA可以形成显示装置10的边框。在每个非显示区域NDA中，可以设置包括在显示装置10中的线或电路驱动器，或者可以安装外部装置。
图2是示出根据实施例的显示装置的像素的示意性平面图。
参照图2，多个像素PX中的每个可以包括多个子像素PXn(其中，n是从一至三的整数)。例如，像素PX可以包括第一子像素PX1、第二子像素PX2和第三子像素PX3。第一子像素PX1可以发射具有第一颜色的光，第二子像素PX2可以发射具有第二颜色的光，并且第三子像素PX3可以发射具有第三颜色的光。作为示例，第一颜色可以是蓝色，第二颜色可以是绿色，并且第三颜色可以是红色。然而，公开不限于此，并且子像素PXn可以发射具有相同颜色的光。尽管图2示出了像素PX包括三个子像素PXn，但是公开不限于此，并且像素PX可以包括更多的子像素PXn。
显示装置10的子像素PXn中的每个可以包括发射区域EMA和非发射区域(未示出)。发射区域EMA可以是其中设置有发光元件ED使得具有特定波长的光从其发射的区域，并且非发射区域可以是其中未设置发光元件ED使得从发光元件ED发射的光不到达其并且不从其发射的区域。发射区域可以包括其中设置有发光元件ED的区域，并且可以包括与发光元件ED相邻并且从发光元件ED发射的光从其发射的区域。
然而，公开不限于此。例如，发射区域EMA也可以包括从发光元件ED发射的光通过被其它构件反射或折射而从其发射的区域。发光元件ED可以设置在每个子像素PXn中，并且发射区域EMA可以形成为包括其中设置有发光元件ED的区域和与发光元件ED相邻的区域。
每个子像素PXn可以包括设置在非发射区域中的切口区域CBA。切口区域CBA可以设置在发射区域EMA的在第二方向DR2上的一侧处。切口区域CBA可以设置于在第二方向DR2上相邻的子像素PXn的发射区域EMA之间。例如，发射区域EMA和切口区域CBA可以布置在显示装置10的显示区域DPA中。例如，发射区域EMA和切口区域CBA可以在第一方向DR1上重复地布置，并且发射区域EMA和切口区域CBA可以在第二方向DR2上交替地布置。第二堤BNL2可以设置在切口区域CBA之间以及发射区域EMA之间，并且切口区域CBA之间的距离和发射区域EMA之间的距离可以根据第二堤BNL2的宽度而变化。由于发光元件ED不设置在切口区域CBA中，因此不通过切口区域CBA发光，但是电极RME的设置在每个子像素PXn中的部分可以设置在切口区域CBA中。设置在一些子像素PXn中的电极RME可以设置在切口区域CBA中以彼此分离。然而，公开不限于此，并且电极RME可以设置为不在切口区域CBA中分离。
图3是示出图2的第一子像素的示意性平面图。图4是沿着图3的线Q1-Q1'、线Q2-Q2'和线Q3-Q3'截取的示意性剖视图。图4示出了穿过设置在子像素PXn中的发光元件ED的两个端部的示意性剖面。
结合图2参照图3和图4详细描述显示装置10，显示装置10可以包括第一基底SUB以及设置在第一基底SUB上的半导体层、多个导电层和多个绝缘层。半导体层、导电层和绝缘层可以形成显示装置10的电路层和发光元件层。
第一基底SUB可以是绝缘基底。第一基底SUB可以由诸如玻璃、石英或聚合物树脂的绝缘材料制成。第一基底SUB可以是刚性基底，并且也可以是可弯曲、可折叠或可卷曲的柔性基底。
光阻挡层BML可以设置在第一基底SUB上。光阻挡层BML可以设置为与第一晶体管T1的有源层ACT1叠置。光阻挡层BML可以包括阻挡光的材料，从而防止光入射在第一晶体管T1的有源层ACT1上。例如，光阻挡层BML可以由阻挡光透射的不透明金属材料制成(或包括阻挡光透射的不透明金属材料)。然而，公开不限于此，并且在一些实施例中，可以省略光阻挡层BML。
缓冲层BL可以完全地设置在第一基底SUB和光阻挡层BML上。缓冲层BL可以形成在第一基底SUB上，以保护像素PX的第一晶体管T1免受渗透穿过第一基底SUB的湿气的影响，第一基底SUB易受湿气渗透。缓冲层BL可以执行表面平坦化功能。
半导体层可以设置在缓冲层BL上。半导体层可以包括第一晶体管T1的有源层ACT1。包括有源层ACT1的半导体层可以设置为与将在下面描述的第一导电层的栅电极G1等部分地叠置。
图4仅示出了包括在显示装置10的子像素PXn中的晶体管之中的第一晶体管T1，但是公开不限于此。显示装置10可以包括更多个晶体管。例如，除了第一晶体管T1之外，显示装置10可以针对每个子像素PXn包括两个或三个晶体管。
半导体层可以包括多晶硅、单晶硅、氧化物半导体等。在半导体层包括氧化物半导体的情况下，每个有源层ACT1可以包括导电区以及在导电区之间的沟道区。氧化物半导体可以包括铟(In)。例如，氧化物半导体可以是氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓(IGO)、氧化铟锌锡(IZTO)、氧化铟镓锡(IGTO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟镓锌锡(IGZTO)等。
在另一实施例中，半导体层可以包括多晶硅。可以通过使非晶硅结晶来形成多晶硅。有源层ACT1的导电区可以是掺杂有杂质的掺杂区。
第一栅极绝缘层GI可以设置在半导体层和缓冲层BL上。第一栅极绝缘层GI可以用作每个晶体管的栅极绝缘层。
第一导电层可以设置在第一栅极绝缘层GI上。第一导电层可以包括第一晶体管T1的栅电极G1和存储电容器的第一电容电极CSE1。栅电极G1可以设置为在其厚度方向上与有源层ACT1的沟道区叠置。第一电容电极CSE1可以设置为在厚度方向上与下面描述的第二电容电极CSE2叠置。在实施例中，第一电容电极CSE1可以电连接到栅电极G1或者可以与栅电极G1成一体。第一电容电极CSE1可以设置为在厚度方向上与第二电容电极CSE2叠置，并且存储电容器可以形成在第一电容电极CSE1与第二电容电极CSE2之间。
第一层间绝缘层IL1可以设置在第一导电层上。第一层间绝缘层IL1可以用作第一导电层与设置在第一层间绝缘层IL1上的其它层之间的绝缘膜。第一层间绝缘层IL1可以设置为覆盖第一导电层或与第一导电层叠置，并且执行保护第一导电层的功能。
第二导电层可以设置在第一层间绝缘层IL1上。第二导电层可以包括第一晶体管T1的第一源电极S1和第一漏电极D1以及第二电容电极CSE2。
第一晶体管T1的第一源电极S1和第一漏电极D1可以通过穿透第一层间绝缘层IL1和第一栅极绝缘层GI的接触孔与有源层ACT1的掺杂区接触。第一晶体管T1的第一源电极S1可以通过另一接触孔与光阻挡层BML接触。
第二电容电极CSE2可以设置为在厚度方向上与第一电容电极CSE1叠置。在实施例中，第二电容电极CSE2可以电连接到第一源电极S1，或者可以与第一源电极S1成一体。
尽管未在附图中示出，但是第二导电层还可以包括用于向其它晶体管施加数据信号的数据线。数据线可以电连接到其它晶体管的源电极和/或漏电极，以传输施加到数据线的信号。
第二层间绝缘层IL2可以设置在第二导电层上。第二层间绝缘层IL2可以用作第二导电层与设置在第二层间绝缘层IL2上的其它层之间的绝缘膜。第二层间绝缘层IL2可以与第二导电层叠置以执行保护第二导电层的功能。
第三导电层可以设置在第二层间绝缘层IL2上。第三导电层可以包括第一电压线VL1、第二电压线VL2和第一导电图案CDP。将要供应给第一晶体管T1的高电位电压(或第一电力电压)可以施加到第一电压线VL1，并且将要供应给第二电极RME2的低电位电压(或第二电力电压)可以施加到第二电压线VL2。
第三导电层的第一电压线VL1和第二电压线VL2可以设置为在第二方向DR2上延伸。第一电压线VL1可以包括在第二方向DR2上延伸并且在第一方向DR1与第二方向DR2之间的不同方向上弯曲的部分。相反，第二电压线VL2可以设置为在第二方向DR2上延伸而不弯曲。第一电压线VL1和第二电压线VL2可以设置于在其厚度方向上与下面描述的电极RME1、RME2、RME3和RME4部分地叠置的位置处。第一电压线VL1可以设置为使得第一电压线VL1的在第二方向DR2上从子像素PXn的边界延伸并且部分地弯曲的部分定位在发射区域EMA中。第二电压线VL2可以设置为穿过发射区域EMA。
第一导电图案CDP可以通过形成在第二层间绝缘层IL2中的接触孔电连接到第二电容电极CSE2。第二电容电极CSE2可以与第一晶体管T1的第一源电极S1成一体，并且第一导电图案CDP可以电连接到第一源电极S1。第一导电图案CDP还可以与下面描述的第一电极RME1接触，并且第一晶体管T1可以通过第一导电图案CDP将从第一电压线VL1施加的第一电力电压传输到第一电极RME1。图4示出了第三导电层包括一条第二电压线VL2和一条第一电压线VL1，但是公开不限于此。例如，第三导电层可以包括更多条第一电压线VL1和更多条第二电压线VL2。
缓冲层BL、第一栅极绝缘层GI、第一层间绝缘层IL1和第二层间绝缘层IL2可以设置为交替地堆叠的多个无机层。例如，缓冲层BL、第一栅极绝缘层GI、第一层间绝缘层IL1和第二层间绝缘层IL2可以形成为其中包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiOxNy)中的至少一种的无机层交替地堆叠的多层。
第一导电层、第二导电层和第三导电层可以形成为由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的至少一种或其合金制成的单层或多层。然而，公开不限于此。
第三层间绝缘层IL3可以设置在第三导电层上。第三层间绝缘层IL3可以包括有机绝缘材料(例如，诸如聚酰亚胺(PI)的有机材料)，并且可以执行表面平坦化功能。
作为显示元件层，第一堤BNL1、电极RME1和RME2、发光元件ED、接触电极CNE1和CNE2以及第二堤BLN2可以设置在第三层间绝缘层IL3上。另外，绝缘层PAS1、PAS2和PAS3可以设置在第三层间绝缘层IL3上。
第一堤BNL1可以直接设置在第三层间绝缘层IL3上。第一堤BNL1可以具有在第一方向DR1上延伸的形状，并且可以针对不同的相邻子像素PXn设置。第一堤BNL1可以具有在第二方向DR2上延伸的形状，并且可以与设置在同一子像素PXn中的另一第一堤BNL1间隔开。例如，第一堤BNL1中的每个可以形成为在第一方向DR1和第二方向DR2上具有预定宽度，第一堤BNL1的一部分可以设置在发射区域EMA中，并且第一堤BNL1的另一部分可以设置于在第一方向DR1上的相邻子像素PXn的边界处。第一堤BNL1可以形成为使得第一堤BNL1的在第二方向DR2上测量的长度大于发射区域EMA的在第二方向DR2上测量的长度，使得第一堤BNL1的一部分可以在非发射区域中与第二堤BNL2叠置。
第一堤BNL1可以设置在子像素PXn中。例如，在子像素PXn中，两个第一堤BNL1可以部分地设置在发射区域EMA中。两个第一堤BNL1可以在第一方向DR1上彼此间隔开。发光元件ED可以设置于在第一方向DR1上彼此间隔开的第一堤BNL1之间。在附图中，两个第一堤BNL1被示出为设置在每个子像素PXn的发射区域EMA中以形成岛状图案，但是公开不限于此。设置在每个子像素PXn的发射区域EMA中的第一堤BNL1的数量可以根据电极RME1和RME2的数量或发光元件ED的布置而变化。
第一堤BNL1可以具有其至少一部分相对于第三层间绝缘层IL3的上表面突出的结构。第一堤BNL1的突出部分可以具有倾斜的侧表面，并且从发光元件ED发射的光可以从设置在第一堤BNL1上的电极RME反射，并且可以在第三层间绝缘层IL3的向上方向上发射。第一堤BNL1可以提供其中设置有发光元件ED的区域，并且同时可以用作将从发光元件ED发射的光向上反射的反射壁。第一堤BNL1的侧表面可以以线形状倾斜，但是公开不限于此。第一堤BNL1可以具有呈弯曲的半圆形或半椭圆形的外表面。第一堤BNL1可以包括诸如PI的有机绝缘材料，但是公开不限于此。
电极RME1和电极RME2可以具有在一方向上延伸的形状，并且可以针对每个子像素PXn设置。电极RME1和RME2可以具有在第二方向DR2上延伸的形状，并且可以针对每个子像素PXn设置为在第一方向DR1上彼此间隔开。第一电极RME1以及在第一方向DR1上与第一电极RME1间隔开的第二电极RME2可以设置在每个子像素PXn中。发光元件ED可以设置在第一电极RME1和第二电极RME2上。然而，公开不限于此，并且设置在每个子像素PXn中的电极RME1和RME2的位置可以根据设置在每个子像素PXn中的电极RME1和RME2的数量或发光元件ED的数量而变化。
第一电极RME1和第二电极RME2可以设置在每个子像素PXn的发射区域EMA中，并且第一电极RME1的一部分和第二电极RME2的一部分可以设置在发射区域EMA之外，以在其厚度方向上与第二堤BNL2叠置。电极RME1和RME2可以在子像素PXn中在第二方向DR2上延伸，并且可以在切口区域CBA中与另一子像素PXn的电极RME1和RME2在第二方向DR2上间隔开。
电极RME1和RME2的布置可以以这样的方式形成：将电极RME1和RME2形成为在第二方向DR2上延伸的电极线，然后在设置发光元件ED之后的后续工艺中将其彼此分离。为了在显示装置10的制造工艺期间使发光元件ED对准，可以使用电极线以在子像素PXn中产生电场。可以通过喷墨印刷工艺将发光元件ED喷射在电极线上，并且在将包括发光元件ED的墨喷射在电极线上的情况下，可以将对准信号施加到电极线以产生电场。可以通过在电极线之间形成的电场将发光元件ED设置在电极上。分散在墨中的发光元件ED可以通过接收由所产生的电场引起的介电泳力而在电极RME上对准。在使发光元件ED对准之后，可以使电极线的一部分断开以形成电极RME1和RME2。
电极RME1和RME2可以电连接到第三导电层，使得用于使发光元件ED发光的信号可以被施加到电极RME1和RME2。第一电极RME1可以通过穿透第一电极RME1下方的第三层间绝缘层IL3的第一接触孔CT1与第一导电图案CDP电接触。第二电极RME2可以通过穿透第二电极RME2下方的第三层间绝缘层IL3的第二接触孔CT2与第二电压线VL2电接触。第一电极RME1可以通过第一导电图案CDP电连接到第一晶体管T1，使得第一电力电压可以施加到第一电极RME1，并且第二电极RME2可以电连接到第二电压线VL2，使得第二电力电压可以施加到第二电极RME2。电极RME1和RME2可以电连接到发光元件ED。电极RME1和RME2可以分别通过下面描述的接触电极CNE1和CNE2电连接到发光元件ED的两个端部，并且可以将从第三导电层施加的电信号传输到发光元件ED。由于电极RME1和RME2针对每个子像素PXn独立地设置，因此不同的子像素PXn的发光元件ED可以独立地发光。
在附图中，第一接触孔CT1和第二接触孔CT2被示出为形成在与第二堤BNL2叠置的位置处，但是公开不限于此。例如，接触孔CT1和CT2中的每个可以定位在由第二堤BNL2围绕的发射区域EMA中。
针对每个子像素PXn设置的电极RME1和RME2可以设置在彼此间隔开的第一堤BNL1上。电极RME1和RME2可以设置在第一堤BNL1的在第一方向DR1上的第一侧上，并且设置在第一堤BNL1的倾斜侧表面上。在实施例中，电极RME1和RME2的在第一方向DR1上测量的宽度可以小于第一堤BNL1的在第一方向DR1上测量的宽度。电极RME1和RME2中的每个可以设置为与第一堤BNL1的至少一个侧表面叠置，以反射从发光元件ED发射的光。
电极RME1和RME2之间在第一方向DR1上的距离可以小于第一堤BNL1之间的距离。电极RME1和RME2中的每个的至少部分区域可以直接设置在第三层间绝缘层IL3上，使得电极RME1和RME2可以设置为彼此共面。
根据实施例，多个电极RME1和RME2可以传输电信号以允许发光元件ED发光。为了在显示装置10的制造工艺期间使发光元件ED对准，可以使用多个电极RME1和RME2以在子像素PXn中产生电场。通过喷墨印刷工艺将发光元件ED喷射在电极RME1和RME2上，并且在喷射了包括发光元件ED的墨的情况下，可以将对准信号施加到电极RME1和RME2以产生电场。分散在墨中的发光元件ED可以通过接收由所产生的电场引起的介电泳力而在电极RME1和RME2上对准。
电极RME1和RME2中的每个可以包括具有高反射率的导电材料。例如，作为具有高反射率的导电材料，电极RME1和RME2中的每个可以包括诸如银(Ag)、铜(Cu)或铝(Al)的金属，或者可以包括包含Al、镍(Ni)、镧(La)等的合金。电极RME1和RME2中的每个可以使从发光元件ED发射并且朝向第一堤BNL1的侧表面行进的光在每个子像素PXn的向上方向上反射。
然而，公开不限于此，并且电极RME1和RME2中的每个还可以包括透明导电材料。例如，电极RME1和RME2中的每个可以包括诸如ITO、IZO或氧化铟锡锌(ITZO)的材料。在一些实施例中，电极RME中的每个可以具有其中透明导电材料和具有高反射率的金属层中的每个堆叠为一个或更多个层的结构，或者可以形成为包括透明导电材料和具有高反射率的金属层的单层。例如，电极RME1和RME2中的每个可以具有诸如ITO/Ag/ITO、ITO/Ag/IZO或ITO/Ag/ITZO/IZO的堆叠结构。
第一绝缘层PAS1设置在多个电极RME1和RME2以及第一堤BNL1上。第一绝缘层PAS1可以设置为与第一堤BNL1、第一电极RME1和第二电极RME2叠置，并且可以设置为使得第一电极RME1和第二电极RME2的上表面部分地暴露。可以在第一绝缘层PAS1中形成开口，以使设置在第一堤BNL1上的电极RME1和RME2的上表面的部分暴露，并且接触电极CNE1和CNE2可以通过开口与电极RME1和RME2电接触。
在实施例中，台阶部分可以形成在第一绝缘层PAS1中，使得台阶部分的上表面的一部分在第一电极RME1与第二电极RME2之间凹陷。由于第一绝缘层PAS1设置为与第一电极RME1和第二电极RME2叠置，因此第一绝缘层PAS1可以形成为在第一电极RME1与第二电极RME2之间呈台阶状(或包括具有不同高度的部分)。然而，公开不限于此。第一绝缘层PAS1可以保护第一电极RME1和第二电极RME2，并且使第一电极RME1和第二电极RME2彼此绝缘。第一绝缘层PAS1可以防止设置在第一绝缘层PAS1上的发光元件ED由于与其它构件直接接触而被损坏。
第二堤BNL2可以设置在第一绝缘层PAS1上。在平面图中，第二堤BNL2可以设置为包括在第一方向DR1和第二方向DR2上延伸的部分的网格图案。第二堤BNL2可以针对在子像素PXn的边界设置之上，以将子像素PXn彼此区分开。第二堤BNL2可以设置为围绕针对每个子像素PXn设置的发射区域EMA和切口区域CBA，以将发射区域EMA与切口区域CBA区分开。在第二堤BNL2的在第二方向DR2上延伸的部分中，第二堤BNL2的设置在发射区域EMA之间的部分可以具有比第二堤BNL2的设置在切口区域CBA之间的部分的宽度大的宽度。切口区域CBA之间的距离可以小于发射区域EMA之间的距离。
第二堤BNL2可以形成为具有比第一堤BNL1的高度大的高度。第二堤BNL2可以防止墨在显示装置10的制造工艺的喷墨印刷工艺中溢出到相邻的子像素PXn，从而将其中分散有针对不同的子像素PXn的不同的发光元件ED的墨彼此分离以不彼此混合。由于第一堤BNL1设置为在第一方向DR1上跨相邻的子像素PXn，因此第二堤BNL2的在第二方向DR2上延伸的部分的一部分可以设置在第一堤BNL1上。类似于第一堤BNL1，第二堤BNL2可以包括PI，但是公开不限于此。
发光元件ED可以设置在第一绝缘层PAS1上。多个发光元件ED可以在电极RME1和RME2延伸所沿的第二方向DR2上彼此间隔开，并且可以基本上彼此平行地排列。发光元件ED可以具有在一方向上延伸的形状，并且可以设置为使得发光元件ED延伸所沿的方向与电极RME1和RME2的延伸所沿的方向基本上垂直。然而，公开不限于此，并且发光元件ED可以设置为相对于电极RME1和RME2的延伸方向成角度。
发光元件ED可以包括掺杂有不同类型的掺杂剂的半导体层。发光元件ED可以包括多个半导体层，并且可以被定向为使得发光元件ED的端部根据在电极RME1和RME2上产生的电场的方向而在特定方向上面对。发光元件ED可以包括发光层(图7的“36”)以发射具有特定波长的光。设置在每个子像素PXn中的发光元件ED可以根据形成发光层36的材料而发射具有不同波长的光。然而，公开不限于此，并且设置在每个子像素PXn中的发光元件ED可以发射具有相同颜色的光。
发光元件ED可以在第一堤BNL1之间设置在电极RME1和RME2中的每个上。例如，发光元件ED可以设置为使得发光元件ED的一个端部位于第一电极RME1上，并且发光元件ED的另一端部位于第二电极RME2上。发光元件ED的延伸长度可以大于第一电极RME1与第二电极RME2之间的距离，并且发光元件ED的两个端部可以设置在第一电极RME1和第二电极RME2上。
在发光元件ED中，多个层可以在与第一基底SUB的上表面垂直的方向上设置。显示装置10的发光元件ED可以设置为使得发光元件ED延伸所沿的方向平行于第一基底SUB，并且包括在发光元件ED中的多个半导体层可以在与第一基底SUB的上表面平行的方向上顺序地设置。然而，公开不限于此。在一些实施例中，在发光元件ED具有不同结构的情况下，所述层可以在与第一基底SUB垂直的方向上设置。
发光元件ED的两个端部可以与接触电极CNE1和CNE2电接触。由于半导体层在发光元件ED的未形成绝缘膜(图7的“38”)的端部的表面上部分地暴露，因此在发光元件ED延伸所沿的方向上，暴露的半导体层可以与接触电极CNE1和CNE2接触。然而，公开不限于此。在一些实施例中，在发光元件ED中，可以去除绝缘膜38的至少部分区域，并且可以去除绝缘膜38以使半导体层的两个端部的侧表面部分地暴露。半导体层的暴露的侧表面可以与接触电极CNE1和CNE2直接接触。
第二绝缘层PAS2可以部分地设置在第一绝缘层PAS1和发光元件ED上。第二绝缘层PAS2还可以设置在第二堤BNL2上。作为示例，第二绝缘层PAS2可以设置为部分地围绕发光元件ED的外表面，并且设置为不覆盖发光元件ED的一个端部和另一端部(或不与发光元件ED的一个端部和另一端部叠置)。第二绝缘层PAS2的部分可以在第一堤BNL1的其上设置有第一电极RME1和第二电极RME2的部分上设置在第一绝缘层PAS1上。例如，第二绝缘层PAS2可以在发射区域EMA中设置在第一绝缘层PAS1、第二堤BNL2和发光元件ED上，并且可以设置为使发光元件ED的两个端部暴露且使第一绝缘层PAS1的其下设置有电极RME1和RME2的部分部分地暴露。第二绝缘层PAS2的这种形状可以通过显示装置10的制造工艺中的如下工艺形成：在该工艺中，将第二绝缘层PAS2完全设置在第一绝缘层PAS1和第二堤BNL2上，然后将第二绝缘层PAS2的一部分去除以使发光元件ED的两个端部暴露。第二绝缘层PAS2的设置在发光元件ED上的部分可以设置为在平面图中在第一绝缘层PAS1上在第二方向DR2上延伸，从而在每个子像素PXn中形成线状或岛状图案。第二绝缘层PAS2可以在显示装置10的制造工艺中保护发光元件ED并且固定发光元件ED。第二绝缘层PAS2可以设置为在发光元件ED下方填充发光元件ED与第一绝缘层PAS1之间的空间。
尽管未在附图中示出，但是第二绝缘层PAS2的一部分可以设置在切口区域CBA中。设置在多个子像素PXn中的电极RME1和RME2可以形成为在彼此连接的状态下在第二方向DR2上延伸，然后可以在使发光元件ED对准并且形成第二绝缘层PAS2之后在切口区域CBA中分离。在电极RME1和RME2的分离工艺中，可以一起去除电极RME1和RME2、第一绝缘层PAS1和第二绝缘层PAS2中的每个的一部分，并且在电极RME1和RME2、第一绝缘层PAS1和第二绝缘层PAS2的去除部分中，下面描述的第三绝缘层PAS3可以直接设置在第三层间绝缘层IL3上。然而，公开不限于此，并且也可以在切口区域CBA中在电极RME1和RME2在其处分离的部分中去除第三绝缘层PAS3，使得可以使第三层间绝缘层IL3的一部分暴露。作为另一示例，设置在第三绝缘层PAS3上以覆盖每个构件或与每个构件叠置的另一绝缘层可以直接设置在第三层间绝缘层IL3上。
多个接触电极CNE1和CNE2以及第三绝缘层PAS3可以设置在第二绝缘层PAS2上。接触电极(CNE1和CNE2)的第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以分别设置在第一电极RME1的一部分和第二电极RME2的一部分上。第一接触电极CNE1可以设置在第一电极RME1上，并且第二接触电极CNE2可以设置在第二电极RME2上。第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以各自具有在第二方向DR2上延伸的形状。第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以在第一方向DR1上彼此间隔开并彼此面对，并且可以在每个子像素PXn的发射区域EMA中形成线图案。
多个接触电极CNE1和CNE2可以接触发光元件ED以及电极RME1和RME2。半导体层可以在发光元件ED的在发光元件ED延伸所沿的方向上的两个端部的表面上暴露，并且第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以接触发光元件ED的使半导体层在其处暴露的端部的表面。发光元件ED的一个端部可以通过第一接触电极CNE1电连接到第一电极RME1，并且发光元件ED的另一端部可以通过第二接触电极CNE2电连接到第二电极RME2。
在附图中，第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2被示出为设置在子像素PXn中，但是公开不限于此。第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2的数量可以根据设置在每个子像素PXn中的第一电极RME1和第二电极RME2的数量而变化。
接触电极CNE1和CNE2可以包括导电材料。例如，接触电极CNE1和CNE2可以包括ITO、IZO、ITZO、铝(Al)等。作为示例，接触电极CNE1和CNE2可以包括透明导电材料，并且从发光元件ED发射的光可以穿透接触电极CNE1和CNE2并朝向电极RME1和RME2行进。然而，公开不限于此。
可以在发光层(图7的“36”)中产生光，并且光中的大部分可以通过发光元件ED的与接触电极CNE1和CNE2电接触的两个端部发射。从发光元件ED发射的光可以穿透透明接触电极CNE1和CNE2，可以被设置在第一堤BNL1的倾斜侧表面上的电极RME1和RME2反射，并且可以在第一基底SUB的向上方向上发射。然而，光中的一部分会入射在设置在发光元件ED下方的第一绝缘层PAS1上。第一绝缘层PAS1以及接触电极CNE1和CNE2会具有不同的折射率，并且光中的入射在第一绝缘层PAS1上的该部分会在与接触电极CNE1和CNE2的界面处被反射，因此不会被发射。
在显示装置10中，可以使具有不同折射率的第一绝缘层PAS1与接触电极CNE1和CNE2之间的界面最小化(或减小)，以使从发光元件ED发射但不会从第一绝缘层PAS1发射的光的量最少化(或减少)。在实施例中，第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以形成为使得第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2在一方向上测量的宽度DC小于第一电极RME1和第二电极RME2在这一方向上测量的宽度DM，因此，接触电极CNE1和CNE2可以形成为具有最小宽度。
作为示例，第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以分别与发光元件ED的一个端部和另一端部电接触，并且第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以设置为仅覆盖第一电极RME1和第二电极RME2的上表面的设置在第三层间绝缘层IL3上的部分或者仅与第一电极RME1和第二电极RME2的上表面的设置在第三层间绝缘层IL3上的部分叠置。例如，接触电极CNE1和CNE2可以不设置在第一堤BNL1的倾斜侧表面上，并且由倾斜侧表面上的电极RME1和RME2反射的光可以穿透第一绝缘层PAS1以顺利地发射。
第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以通过穿透第一绝缘层PAS1以分别使电极RME1和RME2的上表面的部分暴露的接触部分CTD和CTS与电极RME1和RME2电接触。在接触部分CTD和CTS位于从发光元件ED的两个端部发射的光行进通过其行进的光路中的情况下，会形成第一绝缘层PAS1与接触电极CNE1和CNE2之间的界面，并且光会在界面处被反射，从而导致发光效率降低。在根据实施例的显示装置10中，接触电极CNE1和CNE2通过其与电极RME1和RME2电接触的接触部分CTD和CTS可以形成为避开从发光元件ED发射的光的光路。在显示装置10中，除了接触电极CNE1和CNE2的宽度和布置之外，接触部分CTD和CTS的位置还可以被设计为使得从发光元件ED发射的光顺利地发射，从而改善在发光元件ED中产生的光的发光效率。这将在下面参照其它附图更详细地描述。
第三绝缘层PAS3可以设置在第一接触电极CNE1与第二接触电极CNE2之间。第三绝缘层PAS3可以设置在第一接触电极CNE1上，并且还可以设置在除了其中设置有第二接触电极CNE2的区域之外的第二绝缘层PAS2上。除了电极RME1和RME2的其上设置有第二接触电极CNE2的部分之外，第三绝缘层PAS3可以完全设置在第一绝缘层PAS1上。第三绝缘层PAS3可以使第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2彼此绝缘，以彼此不直接接触。例如，在实施例中，第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以设置在不同的层上。第一接触电极CNE1可以直接设置在第二绝缘层PAS2上，并且第二接触电极CNE2可以直接设置在第三绝缘层PAS3上。然而，在其中未设置第二绝缘层PAS2和第三绝缘层PAS3并且发光元件ED的两个端部暴露的区域中，第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以直接设置在第一绝缘层PAS1上。
然而，第三绝缘层PAS3可以设置在第一接触电极CNE1与第二接触电极CNE2之间，以使第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2彼此绝缘，但是如上所述，可以省略第三绝缘层PAS3。在这种情况下，第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以设置为彼此共面。
尽管未在附图中示出，但是还可以在第三绝缘层PAS3、接触电极CNE1和CNE2以及第二堤BNL2上设置绝缘层，以覆盖第三绝缘层PAS3、接触电极CNE1和CNE2以及第二堤BNL2。该绝缘层可以完全设置在第一基底SUB上，以执行保护设置在第一基底SUB上的构件免受外部环境影响的功能。
第一绝缘层PAS1、第二绝缘层PAS2和第三绝缘层PAS3中的每个可以包括无机绝缘材料或有机绝缘材料。在实施例中，第一绝缘层PAS1、第二绝缘层PAS2和第三绝缘层PAS3可以包括诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(AlOx)或氮化铝(AlNx)的无机绝缘材料。作为另一示例，第一绝缘层PAS1、第二绝缘层PAS2和第三绝缘层PAS3可以包括诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、PI树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯撑树脂、聚苯硫醚树脂、苯并环丁烯、卡多树脂、硅氧烷树脂、倍半硅氧烷树脂、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯或聚甲基丙烯酸甲酯-聚碳酸酯合成树脂的有机绝缘材料。然而，公开不限于此。
如上所述，在根据实施例的显示装置10中，接触电极CNE1和CNE2的布置以及接触部分CTD和CTS的位置可以被设计为使得从发光元件ED发射的光顺利地发射。在下文中，将进一步参照其它附图更详细地描述接触电极CNE1和CNE2以及接触部分CTD和CTS。
图5是图3的部分A的示意性放大图。图6是沿着图5的线Q4-Q4'截取的示意性剖视图。图5是其中发光元件ED和接触电极CNE1和CNE2设置在电极RME1和RME2上的部分的示意性放大图，并且图6示出了穿过第一接触部分CTD和第二接触部分CTS的剖面。
结合图4进一步参照图5和图6，第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以具有在第二方向DR2上延伸的形状，并且可以各自接触发光元件ED的端部并设置在电极RME1和RME2上。第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以接触发光元件ED以及电极RME1和RME2，并且仅设置在从发光元件ED发射的光行进通过其的路径中的最小区域中。根据实施例，第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以具有比第一电极RME1和第二电极RME2的在第一方向DR1上测量的宽度小的在第一方向DR1上测量的宽度，并且可以设置在电极RME1和RME2的直接设置在第三层间绝缘层IL3上的部分上。
电极RME1和RME2中的每个可以设置在第一堤BNL1上，并且电极RME1和RME2中的每个的至少一部分可以直接设置在第三层间绝缘层IL3上。电极RME1和RME2中的每个可以包括直接设置在第三层间绝缘层IL3上的第一部分RM_L和设置在第一堤BNL1的上表面和倾斜侧表面上的第二部分RM_U。第一部分RM_L可以设置在比第二部分RM_U的层级低的层级处，并且多个发光元件ED可以设置在第一电极RME1和第二电极RME2的第一部分RM_L上。第一电极RME1与第二电极RME2之间的距离可以是第一部分RM_L之间的距离，并且该距离可以小于发光元件ED的长度。
第一接触电极CNE1可以设置在第一电极RME1的第一部分RM_L上，并且第二接触电极CNE2可以设置在第二电极RME2的第一部分RM_L上。由于第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2具有不设置于设置在第一堤BNL1上的第二部分RM_U上的宽度，因此第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以不在其厚度方向上与第一堤BNL1叠置。然而，可以调节第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2的宽度或位置，使得第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以顺利地接触发光元件ED的两个端部。在实施例中，第一接触电极CNE1与第二接触电极CNE2之间的距离可以小于第一电极RME1的第一部分RM_L与第二电极RME2的第一部分RM_L之间的距离。第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以具有足以接触发光元件ED的设置在第一部分RM_L上的两个端部的宽度。
由发光元件ED产生的光中的大部分可以通过发光元件ED的与接触电极CNE1和CNE2接触的两个端部发射。光中的至少一部分可以从两个端部入射在第一绝缘层PAS1上。在形成接触电极CNE1和CNE2的材料具有比形成第一绝缘层PAS1的材料的折射率高的折射率的情况下，入射在第一绝缘层PAS1上的一定量的光会在与接触电极CNE1和CNE2的界面处被反射，因此不会被发射。为了使在没有从第一绝缘层PAS1发射的情况下损失的光的量最少化，能够使第一绝缘层PAS1与接触电极CNE1和CNE2在其中形成界面的区域最小化。具体地，接触电极CNE1和CNE2的宽度可以被设计为使得第一绝缘层PAS1和接触电极CNE1和CNE2不在第一堤BNL1的倾斜侧表面上形成光在其处被反射的界面。由于接触电极CNE1和CNE2仅设置在电极RME1和RME2的第一部分RM_L上，而不设置在第一堤BNL1的倾斜侧表面上，因此入射在第一绝缘层PAS1上并在与接触电极CNE1和CNE2的界面处反射的光也可以被设置在第一堤BNL1的侧表面上的电极RME1和RME2反射以发射到外部。在根据实施例的显示装置10中，由于接触电极CNE1和CNE2仅设置在电极RME1和RME2的第一部分RM_L上，因此能够减少从发光元件ED发射的光束之中的在入射在第一绝缘层PAS1上时损失的光量，并且能够改善每个子像素PXn的发光效率。
第一接触电极CNE1和第二接触电极CNE2可以分别通过第一接触部分CTD和第二接触部分CTS与第一电极RME1和第二电极RME2电接触。第一接触部分CTD可以穿透第一绝缘层PAS1以使第一电极RME1的上表面的一部分暴露，并且第二接触部分CTS可以穿透第一绝缘层PAS1以使第二电极RME2的上表面的一部分暴露。可以针对每个子像素PXn设置多个第一接触部分CTD和多个第二接触部分CTS。例如，在图5中示出了设置两个第一接触部分CTD和两个第二接触部分CTS(例如，一对接触部分CTD和一对接触部分CTS)，但是公开不限于此。例如，可以设置更多个第一接触部分CTD和更多个第二接触部分CTS。
由于第一接触部分CTD和第二接触部分CTS各自穿透第一绝缘层PAS1，因此设置在第一接触部分CTD和第二接触部分CTS中的接触电极CNE1和CNE2会与第一绝缘层PAS1形成界面。如上所述，在形成了接触电极CNE1和CNE2与第一绝缘层PAS1之间的界面的情况下，在第一绝缘层PAS1中行进的光会在界面处被反射，并因此不会被发射。为了防止光由于设置在接触部分CTD和CTS中的接触电极CNE1和CNE2而在不发射的情况下损失，显示装置10可以包括避开发光元件ED的光路的接触部分CTD和CTS。
发光元件ED可以通过其两个端部发光，并且光可以在发光元件ED延伸所沿的方向上发射。根据实施例，接触部分CTD和CTS可以设置为在与发光元件ED延伸所沿的方向垂直的方向上与其中设置有多个发光元件ED的发光元件区域EDA间隔开。多个发光元件ED可以设置在电极RME1和RME2上，并且在每个子像素PXn中，其中设置有被构造为发射光的发光元件ED的发光元件区域EDA可以被限定在发射区域EMA内。基于发光元件区域EDA，在发光元件ED延伸所沿的方向上(例如，在第一方向DR1上)可以存在从发光元件ED发射的光行进通过其的区域，并且接触部分CTD和CTS可以不设置在光行进通过其的区域中。
作为示例，多个接触部分CTD和CTS可以设置在接触电极CNE1和CNE2的在第二方向DR2上的端部上。第一接触部分CTD设置在第一接触电极CNE1的在第二方向DR2上的端部上，并且第二接触部分CTS设置在第二接触电极CNE2的在第二方向DR2上的端部上。此外，接触部分CTD和CTS可以设置为在第二方向DR2上与发光元件ED和发光元件区域EDA间隔开。一对第一接触部分CTD可以设置在第一电极RME1的第一部分RM_L上，并且可以设置为在发光元件区域EDA的在第二方向DR2上的一侧和另一侧处彼此间隔开。类似地，一对第二接触部分CTS可以设置在第二电极RME2的第一部分RM_L上，并且可以设置为在发光元件区域EDA的在第二方向DR2上的一侧和另一侧处彼此间隔开。在发光元件区域EDA中，发光元件ED可以在第二方向DR2上布置，可以在发光元件区域EDA的最上面的发光元件ED和最下面的发光元件ED的延伸方向上限定任意的参考线RL1和RL2。
参考线RL1和RL2可以包括延伸穿过最上面的发光元件ED的两个端部的第一参考线RL1和延伸穿过最下面的发光元件ED的两个端部的第二参考线RL2。第一参考线RL1与第二参考线RL2之间的区域可以是发光元件区域EDA在第一方向DR1上的两侧区域，并且可以是从发光元件ED发射的光在其中行进的区域。根据实施例，接触部分CTD和CTS可以设置在第一参考线RL1与第二参考线RL2之间的区域外部，并且可以在第二方向DR2上与第一参考线RL1和第二参考线RL2间隔开。由于接触部分CTD和CTS不设置在第一参考线RL1与第二参考线RL2之间，因此能够使从发光元件ED发射的光中的在接触电极CNE1和CNE2与第一绝缘层PAS1之间的界面处反射的部分最少化。例如，发光元件ED可以不设置于在第一方向DR1上在第一接触部分CTD与第二接触部分CTS之间的区域中。
即使在接触电极CNE1和CNE2设置在电极RME1和RME2的第一部分RM_L上的情况下，接触部分CTD和CTS也可以设置在参考线RL1和RL2之间的区域外部，并且可以不设置在发光元件ED的两个端部与第一堤BNL1之间。由于从发光元件ED的端部发射的光在被设置于第一堤BNL1的倾斜侧表面上的电极RME1和RME2反射之前不在第一绝缘层PAS1与接触电极CNE1和CNE2之间的界面处反射，因此即使在光中的大部分入射在第一绝缘层PAS1上的情况下，光中的大部分也可以顺利地发射。在根据实施例的显示装置10中，即使在第一绝缘层PAS1以及接触电极CNE1和CNE2具有不同折射率的情况下，也能够防止从发光元件ED发射的光在接触电极CNE1和CNE2与第一绝缘层PAS1之间的界面处被反射并因此不被发射。在显示装置10中，可以将接触电极CNE1和CNE2以及接触部分CTD和CTS的布置设计为防止从发光元件ED发射的光的发光效率降低。
图7是根据实施例的发光元件的示意图。
发光元件ED可以是发光二极管，具体地，发光元件ED可以是其具有微米单位或纳米单位的尺寸并且由无机材料制成的无机发光二极管。在沿特定方向在两个面对的电极之间形成电场的情况下，无机发光二极管可以在其间形成极性的两个电极之间对准。发光元件ED可以通过在两个电极上形成的电场而在电极之间对准。
根据实施例的发光元件ED可以具有在一方向上延伸的形状。发光元件ED可以具有诸如圆柱、棒、线或管的形状。然而，发光元件ED的形状不限于此，并且发光元件ED可以具有诸如多边形柱形状(诸如正六面体、长方体或六边形柱)以及在一方向上延伸并且具有部分倾斜的外表面的形状的各种形状。包括在发光元件ED中的在下面将描述的半导体可以具有其中它们在这一方向上顺序地设置或堆叠的结构。
发光元件ED可以包括掺杂有导电(例如，p型或n型)杂质的半导体层。半导体层可以通过接收从外部电源施加的电信号来以特定波长发光。
参照图7，发光元件ED可以包括第一半导体层31、第二半导体层32、发光层36、电极层37和绝缘膜38。
第一半导体层31可以是n型半导体。在发光元件ED发射具有蓝色波长的光的情况下，第一半导体层31可以包括具有式AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，并且0≤x+y≤1)的半导体材料。例如，第一半导体层31可以包括从掺杂有n型杂质的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN之中选择的至少一种。第一半导体层31可以掺杂有n型掺杂剂，并且n型掺杂剂可以是硅(Si)、锗(Ge)、硒(Se)、锡(Sn)等。例如，第一半导体层31可以包括掺杂有n型Si的n-GaN。第一半导体层31可以具有范围从1.5μm至5μm的长度，但是公开不限于此。发光元件ED的第一端部可以是第一半导体层31基于发光层36设置在其处的部分。
第二半导体层32可以设置在下面将描述的发光层36上。第二半导体层32可以是p型半导体，并且在发光元件ED发射具有蓝色或绿色波长的光的情况下，第二半导体层32可以包括具有式AlxGayIn1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，并且0≤x+y≤1)的半导体材料。例如，第二半导体层32可以包括从掺杂有p型杂质的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN之中选择的至少一种。第二半导体层32可以掺杂有p型掺杂剂，并且p型掺杂剂可以是镁(Mg)、锌(Zn)、钙(Ca)、钡(Ba)等。例如，第二半导体层32可以包括掺杂有p型Mg的p-GaN。第二半导体层32可以具有范围从0.05μm至0.10μm的长度，但是公开不限于此。发光元件ED的第二端部可以是第二半导体层32基于发光层36设置在其处的部分。
在附图中，第一半导体层31和第二半导体层32被示出为形成为单层，但是公开不限于此。根据发光层36的材料，第一半导体层31和第二半导体层32还可以包括更多个层，例如，覆层或拉伸应变势垒降低(TSBR)层。
发光层36可以设置在第一半导体层31与第二半导体层32之间。发光层36可以包括具有单量子阱结构或多量子阱结构的材料。在发光层36包括具有多量子阱结构的材料的情况下，发光层36可以具有其中量子层和阱层交替地堆叠的结构。发光层36可以根据通过第一半导体层31和第二半导体层32施加的电信号通过电子-空穴对复合而发光。在发光层36发射具有蓝色波长的光的情况下，发光层36可以包括诸如AlGaN或AlGaInN的材料。在发光层36具有其中量子层和阱层交替地堆叠为多量子阱结构的结构的情况下，量子层可以包括诸如AlGaN或AlGaInN的材料，并且阱层可以包括诸如GaN或AlInN的材料。例如，发光层36可以包括作为量子层的AlGaInN和作为阱层的AlInN。因此，如上所述，发光层36可以发射具有范围从450nm至495nm的中心波长的蓝光。
然而，公开不限于此，并且发光层36可以具有其中具有高能带隙的半导体材料和具有低能带隙的半导体材料交替地堆叠的结构，或者可以根据所发射的光的波长而包括其它III族至V族半导体材料。由发光层36发射的光不限于具有蓝色波长的光，并且在一些实施例中，发光层36可以发射具有红色或绿色波长的光。发光层36可以具有范围从0.05μm至0.10μm的长度，但是公开不限于此。
从发光层36发射的光不仅可以发射到发光元件ED的在发光元件ED的长度方向上的外表面，而且可以发射到发光元件ED的两个侧表面。从发光层36发射的光的方向不局限于一方向。
电极层37可以是欧姆接触电极。然而，公开不限于此，并且电极层37可以是肖特基接触电极。发光元件ED可以包括至少一个电极层37。在图7中，发光元件ED被示出为包括电极层37，但是公开不限于此。在一些实施例中，发光元件ED可以包括更多个电极层37，或者可以省略电极层37。即使在电极层37的数量改变或者发光元件ED还包括其它结构的情况下，其也可以适用于下面描述的发光元件ED的描述。
在根据实施例的显示装置10中，在发光元件ED电连接到电极或接触电极的情况下，电极层37可以减小发光元件ED与电极或接触电极之间的电阻。电极层37可以包括具有导电性的材料。例如，电极层370可以包括从铝(Al)、钛(Ti)、铟(In)、金(Au)、银(Ag)、ITO、IZO或ITZO之中选择的至少一种。电极层37可以包括掺杂有n型或p型杂质的半导体材料。然而，公开不限于此。
绝缘膜38可以设置为围绕上述半导体层和电极层的外表面。例如，绝缘膜38可以设置为至少围绕发光层36的外表面，并且可以在发光元件ED延伸所沿的方向上延伸。绝缘膜38可以执行保护这些构件的功能。绝缘膜38可以形成为围绕构件的侧表面，并且可以形成为使发光元件ED的在发光元件ED的长度方向上的两个端部暴露。
在附图中，绝缘膜38被示出为形成为在发光元件ED的长度方向上延伸并且覆盖第一半导体层31、第二半导体层32、发光层36和电极层37的侧表面或与第一半导体层31、第二半导体层32、发光层36和电极层37的侧表面叠置，但是公开不限于此。绝缘膜38可以仅覆盖包括发光层36的一些半导体层的外表面，或者可以仅覆盖电极层37的外表面的一部分以使电极层37的外表面部分地暴露。绝缘膜38可以在与发光元件ED的至少一个端部相邻的区域中在剖面中具有圆形的(倒圆的)上表面。
绝缘膜38可以具有范围从10nm至1.0μm的厚度，但是公开不限于此。绝缘膜38可以具有约40nm的厚度。
绝缘膜38可以包括从具有绝缘性质的材料(例如，氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氮化铝(AlNx)和氧化铝(AlOx))之中选择的至少一种。在附图中，绝缘膜38被示出为形成为单层，但是公开不限于此。在一些实施例中，绝缘膜38可以形成为其中多个层堆叠的多层结构。因此，能够防止在发光层36直接接触电信号通过其传输到发光元件ED的电极的情况下可能发生的电短路。由于绝缘膜38保护包括发光层36的发光元件ED的外表面，因此能够防止发光效率的降低。
可以对绝缘膜38的外表面进行表面处理。发光元件ED可以通过在分散在预定墨中的状态下喷射在电极上而对准。这里，为了使发光元件ED保持分散而不与墨中的其它相邻的发光元件ED聚集，可以将绝缘膜38的表面处理为疏水的或亲水的。例如，可以用诸如硬脂酸或2,3-萘二甲酸的材料对绝缘膜38的外表面进行表面处理。
发光元件ED的长度h可以在从1μm至10μm或从2μm至6μm的范围内，并且可以在从3μm至5μm的范围内。发光元件ED可以具有在从30nm至700nm的范围内的直径，并且可以具有从1.2至100的范围内的纵横比。然而，公开不限于此，并且包括在显示装置10中的发光元件ED可以根据发光层36的组成的差异而具有不同的直径。发光元件ED可以具有约500nm的直径。
在下文中，将参照其它附图描述显示装置10的其它实施例。
图8是示出根据另一实施例的显示装置的子像素的示意性平面图。图9是图8的部分B的示意性放大图。图9是包括图8的第一子像素PX1中的发光元件区域EDA的其中设置有电极RME1_1和RME2_1以及接触电极CNE1和CNE2的部分的示意性放大图。
参照图8和图9，在显示装置10_1中，第一电极RME1_1和第二电极RME2_1可以响应于接触电极CNE1和CNE2的布置而具有不同的形状。根据实施例，第一电极RME1_1和第二电极RME2_1还可以包括将第一部分RM_L和第二部分RM_U电连接的第三部分RM_B。在电极RME1_1和RME2_1中的每个中，第一部分RM_L可以仅设置在发射区域EMA中，并且电极连接部分RM_R的在第二方向DR2上测量的长度可以小于第一部分RM_L的在第二方向DR2上测量的长度。电极RME1_1和RME2_1可以具有第一部分RM_L，第一部分RM_L具有从设置在第一堤BNL1上的第二部分RM_U突出的形状并且在第一方向DR1上与第二部分RM_U间隔开，发光元件ED可以设置在第一部分RM_L上。该实施例的电极RME1_1和RME2_1的形状可以与图3的实施例的电极RME1和RME2的形状不同。在下文中，将省略冗余的描述，并且将描述差异。
发光元件ED可以通过接收由在电极RME1_1和RME2_1上产生的电场引起的介电泳力而在电极RME1_1和RME2_1上对准。在向电极RME1_1和RME2_1施加对准信号的情况下，可以在电极RME1_1和RME2_1上产生电场。随着电极RME1_1与电极RME2_1之间的距离减小，可以产生更强的电场。发光元件ED可以在分散在墨中的状态下通过强电场接收大的力，并且发光元件ED中的大部分可以设置在其中电场强的区域中。
如图9中所示，第一电极RME1_1和第二电极RME2_1可以包括具有在第二方向DR2上延伸的形状的第一部分RM_L和第二部分RM_U，并且还可以包括将第一部分RM_L和第二部分RM_U电连接的第三部分RM_B。第一部分RM_L可以直接设置在第三层间绝缘层IL3上，并且可以仅设置在发射区域EMA中。第二部分RM_U可以设置在第一堤BNL1上以在第二方向DR2上延伸超过发射区域EMA，并且接触孔CT1和CT2可以形成在第二部分RM_U的与第二堤BNL2叠置的部分中。
由于第一部分RM_L具有在第一方向DR1上从第二部分RM_U突出的形状，因此在根据实施例的第一电极RME1_1与第二电极RME2_1之间的距离之中，第一部分RM_L之间的距离可以小于第二部分RM_U之间的距离。在向第一电极RME1_1和第二电极RME2_1施加对准信号的情况下，可以在第一部分RM_L上产生较强的电场，并且发光元件ED中的大部分可以设置在第一部分RM_L上。如上所述，接触电极CNE1和CNE2通过其与电极RME1_1和RME2_1电接触的接触部分CTD和CTS可以在第二方向DR2上与发光元件区域EDA间隔开，并且在电极RME1_1和RME2_1的形状被设计为使得发光元件ED密集地设置在特定位置处的情况下，能够容易地区分发光元件区域EDA。
第一部分RM_L和第二部分RM_U可以通过第三部分RM_B电连接，并且第三部分RM_B的在第二方向DR2上测量的长度可以小于第一部分RM_L的在第二方向DR2上测量的长度。第一部分RM_L可以包括在第二方向DR2上从第三部分RM_B突出的部分，并且接触部分CTD和CTS可以形成在突出的部分中。从电极RME1_1和RME2_1的第二部分RM_U施加的对准信号可以通过第三部分RM_B传输到第一部分RM_L。在这种情况下，可以在第一部分RM_L的与第三部分RM_B电连接的部分上产生具有相对强的强度的电场，并且设置在第一部分RM_L的从第三部分RM_B突出的部分上的发光元件ED的数量可以相对少。在发光元件ED不设置在突出部分上的情况下，可以确保用于形成接触部分CTD和CTS的空间。发光元件ED可以设置为使得穿过最上面的发光元件ED的两个端部和最下面的发光元件ED的两个端部的参考线RL1和RL2穿过第三部分RM_B，并且设置在参考线RL1和RL2之间的区域外部的接触部分CTD和CTS可以不在第一方向DR1上与第三部分RM_B叠置。
接触电极CNE1和CNE2可以如图3的实施例中那样地设置在电极RME1_1和RME2_1的第一部分RM_L上。由于发光元件ED中的大部分设置在第一部分RM_L上，并且接触部分CTD和CTS也设置在第一部分RM_L上，因此接触电极CNE1和CNE2中的每个可以设置在第一部分RM_L上以在第二方向DR2上延伸。在该实施例中，电极RME1_1和RME2_1可以被设计为具有不同的形状，使得发光元件ED可以密集地设置在特定位置处，并且存在容易将接触部分CTD和CTS布置于在第二方向DR2上与发光元件区域EDA间隔开的位置处的优点。
在接触部分CTD和CTS在第二方向DR2上与从发光元件ED发射的光的光路间隔开或者与发光元件区域EDA间隔开的情况下，接触部分CTD和CTS可以不必形成在电极RME1和RME2的第一部分RM_L上。在显示装置10中，在接触电极CNE1和CNE2的与发光元件ED电接触的部分形成为具有最小宽度的情况下，并且在接触部分CTD和CTS形成为避开从发光元件ED发射的光的光路的情况下，接触部分CTD和CTS的位置可以被各种地修改。
图10是示出根据又一实施例的显示装置的子像素的示意性平面图。图11是图10的部分C的示意性放大图。图12是沿着图11的线Q5-Q5'截取的示意性剖视图。图11是包括图10的第一子像素PX1中的发光元件区域EDA的其中设置有电极RME1和RME2以及接触电极CNE1_2和CNE2_2的部分的示意性放大图。图12示出了穿过与发光元件ED间隔开的接触部分CTD和CTS的剖面。
参照图10至图12，根据实施例，显示装置10_2可以具有其中接触部分CTD和CTS设置在电极RME1和RME2的第二部分RM_U上并且接触电极CNE1_2和CNE2_2设置在第一部分RM_L和第二部分RM_U之上的形状。接触电极CNE1_2和CNE2_2可以包括接触电极延伸部分CN_E、接触电极接触部分CN_C和接触电极连接部分CN_B，接触电极延伸部分CN_E设置在第一部分RM_L上并且与发光元件ED电接触，接触电极接触部分CN_C设置在第二部分RM_U上并且通过接触部分CTD或CTS与电极RME1或RME2电接触，接触电极连接部分CN_B将接触电极延伸部分CN_E和接触电极接触部分CN_C电连接。该实施例的接触电极CNE1_2和CNE2_2的形状可以与图3的实施例的接触电极CNE1和CNE2的形状不同。在下文中，将省略冗余的描述，并且将详细描述接触电极CNE1_2和CNE2_2的形状。
接触部分CTD和CTS可以设置在电极RME1和RME2的第二部分RM_U上，并且可以设置于在第二方向DR2上与发光元件区域EDA间隔开的位置处。如上所述，接触部分CTD和CTS可以设置在穿过发光元件ED之中的最上面的发光元件ED的两个端部和最下面的发光元件ED的两个端部的参考线RL1和RL2之间的区域外部，并且可以在第二方向DR2上与参考线RL1和RL2间隔开。在发光元件ED随机地布置在电极RME1和RME2的第一部分RM_L上的情况下，可能无法确保用于形成接触部分CTD和CTS的足够空间。在这种情况下，接触部分CTD和CTS可以设置在电极RME1和RME2的第二部分RM_U上，并且下面将描述的接触电极CNE1_2和CNE2_2的形状可以被不同地设计以将发光元件ED与电极RME1和RME2电连接。
接触电极CNE1_2和CNE2_2的接触电极延伸部分CN_E可以设置在第一部分RM_L上并且在第二方向DR2上延伸。接触电极延伸部分CN_E与图3的接触电极CNE1和CNE2可以具有基本上相同的形状。
接触电极接触部分CN_C可以设置在电极RME1和RME2的第二部分RM_U上。接触电极接触部分CN_C可以设置为在第一方向DR1上与接触电极延伸部分CN_E间隔开，并且可以设置为覆盖接触部分CTD和CTS或与接触部分CTD和CTS叠置。接触电极CNE1_2和CNE2_2的接触电极接触部分CN_C可以通过接触部分CTD和CTS与电极RME1和RME2电接触。接触电极接触部分CN_C也可以设置为避开从发光元件ED发射的光的光路。例如，接触电极接触部分CN_C可以设置为与接触部分CTD和CTS叠置，并且可以设置为在第二方向DR2上与穿过最上面的发光元件ED的两个端部和最下面的发光元件ED的两个端部的参考线RL1和RL2间隔开。
接触电极连接部分CN_B可以设置为将接触电极延伸部分CN_E和接触电极接触部分CN_C电连接。接触电极连接部分CN_B可以设置在接触电极延伸部分CN_E的在第二方向DR2上的两侧处，并且可以在第一方向DR1上延伸以电连接到接触电极接触部分CN_C。接触电极连接部分CN_B也可以避开从发光元件ED发射的光的光路，并且可以设置为在第二方向DR2上与穿过最上面的发光元件ED的两个端部和最下面的发光元件ED的两个端部的参考线RL1和RL2间隔开。
接触电极CNE1_2和CNE2_2可以在其上设置有发光元件ED的第一部分RM_L上设置为在第二方向DR2上延伸，并且可以具有绕行以避开从发光元件ED发射的光的光路并设置在电极RME1和RME2的第二部分RM_U上的形状。在接触电极CNE1_2和CNE2_2中，接触电极延伸部分CN_E可以在参考线RL1和RL2之间设置为具有最小宽度，并且接触电极连接部分CN_B和接触电极接触部分CN_C可以设置为在第二方向DR2上与参考线RL1和RL2间隔开，使得接触电极接触部分CN_C设置在接触部分CTD和CTS上。在该实施例中，由于接触部分CTD和CTS设置在第二部分RM_U上，因此存在易于确保用于形成接触部分CTD和CTS的空间的优点。根据接触部分CTD和CTS的形状，可以不同地设计接触电极CNE1_2和CNE2_2的形状，并且接触电极CNE1_2和CNE2_2可以在能够改善从发光元件ED发射的光的发光效率的范围内将发光元件ED与电极RME1和RME2电连接。
关于上述实施例，仅第一电极RME1和仅第二电极RME2被示出为包括在每个子像素PXn中，但是公开不限于此。显示装置可以针对每个子像素PXn包括更多个电极RME1和RME2以及更多个发光元件ED。
图13是示出根据再一实施例的显示装置的子像素的示意性平面图。图14是图13的部分D的示意性放大图。图15是沿着图13的线Q6-Q6'截取的示意性剖视图。图14是包括图13的第一子像素PX1中的发光元件区域EDA的其中设置有电极RME1_3、RME2_3、RME3_3和RME4_3以及接触电极CNE1_3、CNE2_3和CNE3_3的部分的示意性放大图。图15示出了穿过第一发光元件ED1的两个端部和第二发光元件ED2的两个端部的剖面。
参照图13至图15，对于每个子像素PXn，根据实施例的显示装置10_3可以包括更多个电极RME1_3、RME2_3、RME3_3和RME4_3、更多个发光元件ED1和ED2以及更多个接触电极CNE1_3、CNE2_3和CNE3_3。除了设置在每个子像素PXn中的第一电极RME1_3和第二电极RME2_3之外，显示装置10_3还可以包括第三电极RME3_3和第四电极RME4_3，并且可以包括设置在第一电极RME1_3与第三电极RME3_3之间的第一发光元件ED1以及设置在第二电极RME2_3与第四电极RME4_3之间的第二发光元件ED2。每个子像素PXn可以包括更多个发光元件ED1和ED2，从而可以改善每单位面积的亮度。与第一电极RME1_3和第二电极RME2_3不同，第三电极RME3_3和第四电极RME4_3可以不直接连接到第三导电层，并且第一发光元件ED1和第二发光元件ED2可以通过第三接触电极CNE3_3彼此串联电连接。在下文中，将主要描述与图2至图5的实施例的不同之处。
第一堤BNL1_3可以包括针对相邻子像素PXn设置的第一子堤BNL_A以及设置在第一子堤BNL_A之间的第二子堤BNL_B。在第二方向DR2上延伸的第二子堤BNL_B可以设置在发射区域EMA的中心部分处，并且第一子堤BNL_A可以设置在第二子堤BNL_B的在第一方向DR1上的两侧处。该实施例的第一堤BNL1_3可以与图3的第一堤BNL1的不同之处在于，第一堤BNL1_3包括以与第一堤BNL1基本上相同的图案设置的第一子堤BNL_A以及设置于在第一方向DR1上彼此间隔开的第一子堤BNL_A之间的第二子堤BNL_B。
第一电极RME1_3和第四电极RME4_3设置在不同的第一子堤BNL_A上并且在第二方向DR2上延伸。基于发射区域EMA的中心，第一电极RME1_3可以设置在左侧处的第一子堤BNL_A上，并且第四电极RME4_3可以设置在右侧处的第一子堤BNL_A上。第一电极RME1_3和第四电极RME4_3可以具有部分弯曲形状。第一电极RME1_3和第四电极RME4_3可以包括电极扩展部分RM_S、电极弯曲部分RM_D和电极延伸部分RM_E，电极扩展部分RM_S在第二方向DR2上延伸并且具有比第一电极RME1_3和第四电极RME4_3的其它部分的宽度大的宽度，电极弯曲部分RM_D在从第一方向DR1和第二方向DR2倾斜的方向上延伸，电极延伸部分RM_E将电极弯曲部分RM_D和电极扩展部分RM_S电连接。第一电极RME1_3可以具有在第二方向DR2上延伸的整体形状，并且可以呈具有部分较大的宽度或在相对于第二方向DR2倾斜的方向上弯曲的形状。除了电极接触部分RM_C之外，第四电极RME4_3可以具有基于发射区域EMA的中心相对于第一电极RME1_3对称的结构，并且第一电极RME1_3和第四电极RME4_3可以设置为在第一方向DR1上彼此间隔开。第二电极RME2_3和第三电极RME3_3可以设置在第一电极RME1_3与第四电极RME4_3之间。
第一电极RME1_3的电极扩展部分RM_S可以具有比第一电极RME1_3的其它部分的宽度大的宽度。电极扩展部分RM_S可以在子像素PXn的发射区域EMA中设置在第一子堤BNL_A上以在第二方向DR2上延伸，并且可以与第二电极RME2_3或第三电极RME3_3间隔开。第一电极RME1_3可以包括设置为比其它部分靠近第三电极RME3_3的电极扩展部分RM_S，并且第四电极RME4_3可以包括设置为比其它部分靠近第二电极RME2_3的电极扩展部分RM_S。发光元件ED可以设置在第一电极RME1_3的电极扩展部分RM_S和第四电极RME4_3的电极扩展部分RM_S上以及第三电极RME3_3或第二电极RME2_3上。
电极延伸部分RM_E可以电连接到电极扩展部分RM_S中的每个的在第二方向DR2上的两侧。电极延伸部分RM_E可以电连接到电极扩展部分RM_S，并且可以设置在每个子像素PXn的发射区域EMA和第二堤BNL2之上。电极延伸部分RM_E可以具有比电极扩展部分RM_S的宽度小的宽度。电极延伸部分RM_E中的每个的在第二方向DR2上延伸的侧部可以电连接到电极扩展部分RM_S的在第二方向DR2上延伸的侧部并且与电极扩展部分RM_S的在第二方向DR2上延伸的侧部共线。例如，在电极扩展部分RM_S的两侧和电极延伸部分RM_E的两侧之中，电极扩展部分RM_S和电极延伸部分RM_E的定位在发射区域EMA的中心外侧的侧部可以延伸为彼此电连接。
具有相对宽的宽度的电极接触部分RM_C可以形成于设置在发射区域EMA的上侧处的电极延伸部分RM_E中。电极接触部分RM_C可以与第二堤BNL2叠置，因此第一接触孔CT1可以形成在电极接触部分RM_C中。然而，电极接触部分RM_C可以仅形成在第一电极RME1_3中，并且可以不形成在第四电极RME4_3中。第四电极RME4_3可以不直接电连接到第三导电层，并且电信号可以通过下面将描述的第三接触电极CNE3_3传输。
电极弯曲部分RM_D可以电连接到电极延伸部分RM_E。电极弯曲部分RM_D可以在发射区域EMA的上侧处电连接到电极延伸部分RM_E并且设置在第二堤BNL2和切口区域CBA之上，或者可以设置在发射区域EMA的下侧处并且设置在与第二方向DR2上的相邻子像素PXn的边界处。电极弯曲部分RM_D可以在从第二方向DR2倾斜的方向(例如，朝向子像素PXn的中心的方向)上弯曲。
第二电极RME2_3和第三电极RME3_3可以具有与图3的实施例的第一电极RME1和第二电极RME2的形状类似的形状，并且可以设置在第一电极RME1_3与第四电极RME4_3之间。第二电极RME2_3和第三电极RME3_3可以设置在第二子堤BNL_B的在第一方向DR1上的两侧处，并且可以彼此间隔开。第二电极RME2_3可以在第一方向DR1上与第四电极RME4_3间隔开并且设置在第二子堤BNL_B的右侧处，第三电极RME3_3可以在第一方向DR1上与第一电极RME1_3间隔开并且设置在第二子堤BNL_B的左侧处。电极接触部分RM_C可以形成在第二电极RME2_3的与第二堤BNL2叠置的部分中。电极接触部分RM_C可以通过第二接触孔CT2电连接到第二电压线VL2。相反，第三电极RME3_3可以不直接电连接到第三导电层，并且类似于第四电极RME4_3，电信号可以通过第三接触电极CNE3_3传输。
尽管未在附图中示出，但是如图3的实施例中那样，电极RME1_3、RME2_3、RME3_3和RME4_3中的每个可以包括第一部分(图5的“RM_L”)和第二部分(图5的“RM_U”)。在第一电极RME1_3和第四电极RME4_3中，第一电极RME1_3和第四电极RME4_3的电极扩展部分RM_S的一部分可以是第一部分RM_L，并且第一电极RME1_3和第四电极RME4_3的其它部分可以是第二部分RM_U。第一电极RME1_3和第四电极RME4_3的第二部分RM_U中的每个可以设置在第一子堤BNL_A上。第二电极RME2_3和第三电极RME3_3可以包括设置在第二子堤BNL_B上的第二部分RM_U以及设置为与第一电极RME1_3和第四电极RME4_3间隔开并且面对第一电极RME1_3和第四电极RME4_3的第一部分RM_L。
第一发光元件ED1可以设置在第一电极RME1_3和第三电极RME3_3上，并且第二发光元件ED2可以设置在第二电极RME2_3和第四电极RME4_3上。发光元件ED1和ED2可以具有取向方向，所述取向方向是其中发光元件ED1和ED2的其处设置有第一半导体层31的第一端部面对所沿的方向，并且由于显示装置10_3的子像素PXn包括更多个电极，因此第一发光元件ED1的第一端部面对所沿的方向可以与第二发光元件ED2的第一端部面对所沿的方向相反。例如，第一发光元件ED1的第一端部可以设置在第三电极RME3_3上，并且与第一端部相对的第二端部可以设置在第一电极RME1_3上。因此，第一发光元件ED1可以设置为使得第一发光元件ED1的第一端部面对第一方向DR1的一侧。相反，第二发光元件ED2的第一端部可以设置在第二电极RME2_3上，并且与第一端部相对的第二端部可以设置在第四电极RME4_3上。因此，第二发光元件ED2可以设置为使得第二发光元件ED2的第一端部面对第一方向DR1的另一侧。其取向方向彼此相反的第一发光元件ED1和第二发光元件ED2可以通过下面将描述的第三接触电极CNE3_3彼此串联电连接。
第一接触电极CNE1_3可以设置在第一电极RME1_3上并且与作为第一发光元件ED1的端部的第二端部电接触。第二接触电极CNE2_3可以设置在第二电极RME2_3上并且与作为第二发光元件ED2的端部的第一端部电接触。第一接触电极CNE1_3和第二接触电极CNE2_3可以分别与第一电极RME1_3和第二电极RME2_3电接触。用于驱动发光元件ED1和ED2的电力电压可以通过第一晶体管T1和第二电压线VL2传输到第一接触电极CNE1_3和第二接触电极CNE2_3。
第三接触电极CNE3_3可以设置在第三电极RME3_3和第四电极RME4_3上。第三接触电极CNE3_3可以包括在第二方向DR2上延伸并且设置在第三电极RME3_3和第四电极RME4_3上的接触电极延伸部分以及将接触电极延伸部分电连接的接触电极连接部分。第三接触电极CNE3_3的接触电极延伸部分可以设置在第三电极RME3_3和第四电极RME4_3上以在第二方向DR2上延伸，并且第三接触电极CNE3_3的接触电极连接部分可以在第一方向DR1上延伸以将接触电极延伸部分电连接。第三接触电极CNE3_3可以设置为在平面图中围绕第二接触电极CNE2_3的形状。
第三接触电极CNE3_3的接触电极延伸部分可以与第三电极RME3_3或第四电极RME4_3以及发光元件ED1和ED2的端部电接触。例如，第三接触电极CNE3_3的设置在第三电极RME3_3上的接触电极延伸部分可以与第三电极RME3_3和第一发光元件ED1的第一端部电接触，并且第三接触电极CNE3_3的设置在第四电极RME4_3上的接触电极延伸部分可以与第四电极RME4_3和第二发光元件ED2的第二端部电接触。
第一接触电极CNE1_3和第二接触电极CNE2_3可以分别设置在第一电极RME1_3和第二电极RME2_3的第一部分RM_L上，并且第一接触部分CTD和第二接触部分CTS可以分别设置在第一部分RM_L上。第一接触电极CNE1_3和第二接触电极CNE2_3可以设置在第一部分RM_L上以在第二方向DR2上延伸，并且第一接触部分CTD和第二接触部分CTS可以设置为在第二方向DR2上与发光元件区域EDA间隔开。
第三接触电极CNE3_3的接触电极延伸部分可以设置在第三电极RME3_3和第四电极RME4_3的第一部分RM_L上以在第二方向DR2上延伸，并且可以与发光元件ED1和ED2的端部电接触。第三接触电极CNE3_3可以通过设置在第三电极RME3_3和第四电极RME4_3的第一部分RM_L上的第三接触部分CTF与第一部分RM_L电接触。第三接触部分CTF可以在第二方向DR2上与发光元件区域EDA间隔开并且设置在第一部分RM_L上。然而，第三接触电极CNE3_3还可以包括将接触电极延伸部分电连接的接触电极连接部分，并且接触电极连接部分可以设置在第三电极RME3_3的第二部分RM_U上。因此，第三接触部分CTF可以设置在第三电极RME3_3的第二部分RM_U上。即使在针对显示装置10_3的每个子像素PXn设置的电极RME1_3、RME2_3、RME3_3和RME4_3的数量增加的情况下，也可以如附图中所示的那样设计接触电极CNE1_3、CNE2_3和CNE3_3的布置以及接触部分CTD、CTS和CTF的布置，从而改善从发光元件ED发射的光的发光效率。
在实施例中，在显示装置10_3中，在剖视图中，第三接触电极CNE3_3可以设置在与第一接触电极CNE1_3和第二接触电极CNE2_3不同的层上。例如，第三接触电极CNE3_3可以设置在第二绝缘层PAS2上，并且第一接触电极CNE1_3和第二接触电极CNE2_3可以设置在第三绝缘层PAS3上。然而，公开不限于此，接触电极CNE1_3、CNE2_3和CNE3_3的布置顺序可以基于第三绝缘层PAS3而变化。
电力电压可以分别通过第一接触电极CNE1_3和第二接触电极CNE2_3施加到第一发光元件ED1和第二发光元件ED2。电力电压可以通过发光元件ED1和ED2流动，并且可以通过第三接触电极CNE3_3在第一发光元件ED1与第二发光元件ED2之间流动。第三接触电极CNE3_3可以形成第一发光元件ED1与第二发光元件ED2之间的连接路径，并且第一发光元件ED1和第二发光元件ED2可以通过第三接触电极CNE3_3串联电连接。由于第三接触电极CNE3_3与第三电极RME3_3和第四电极RME4_3电接触，因此即使在第三电极RME3_3和第四电极RME4_3不直接连接到其下方的电路层的情况下，第三电极RME3_3和第四电极RME4_3也不保持浮置状态，并且可以在向其施加电力电压的情况下电连接到电路层。
在显示装置中，一些电极可以在每个子像素PXn中分离，以使更多个发光元件ED串联电连接。因此，每个子像素PXn还可以包括分离的电极和分离的接触电极，以具有新颖的像素电极结构。
图16是示出根据再一实施例的显示装置的像素的示意性平面图。图17是示出图16的第一子像素的示意性平面图。图18是沿着图17的线Q7-Q7'截取的示意性剖视图。图19是沿着图17的线Q8-Q8'截取的示意性剖视图。
图20是沿着图17的线Q9-Q9'截取的示意性剖视图。图18示出了穿过图17的第一发光元件ED1的两个端部和第二发光元件ED2的两个端部的剖面。图19示出了穿过第一接触部分CTD、第二接触部分CTS和第三接触部分CTF的剖面，并且图20示出了穿过在第二方向DR2上彼此间隔开的第一电极RME1_4和第四电极RME4_4的剖面。
参照图16至图20，显示装置10_4包括针对每个子像素PXn设置并且在第一方向DR1和第二方向DR2上彼此间隔开的电极RME1_4、RME2_4、RME3_4、RME4_4、RME5_4、RME6_4、RME7_4和RME8_4。多个发光元件ED(ED1、ED2、ED3和ED4)可以设置于在第一方向DR1上彼此间隔开的电极上，并且接触电极CNE1_4、CNE2_4、CNE3_4、CNE4_4和CNE5_4可以设置在电极上。该实施例是具有新颖电极结构的显示装置10_4，并且电极和接触电极以及第一堤BNL1_4的结构和布置不同于图3至图13的实施例的电极和接触电极以及第一堤的结构和布置。然而，该实施例与上述实施例的相同之处在于，接触电极和电极通过其彼此电接触的接触部分CTD、CTS和CTF避开光路并且在第二方向DR2上与发光元件区域EDA间隔开。在下文中，将详细描述电极和接触电极的新颖结构。
第一堤BNL1_4可以包括第一子堤BNL_A和第二子堤BNL_B。第一子堤BNL_A可以具有在第二方向DR2上延伸的形状，并且可以设置在发射区域EMA中。与其它实施例不同，第一子堤BNL_A可以设置为不跨过在第一方向DR1上与另一相邻子像素PXn的边界，并且可以不在其厚度方向上与第二堤BNL2叠置。四个第一子堤BNL_A可以设置在每个子像素PXn中。第一子堤BNL_A可以设置为在第一方向DR1和第二方向DR2上彼此间隔开，并且可以设置在基于在第一方向DR1和第二方向DR2上穿过发射区域EMA的中心的线划分的四个区域中。
第二子堤BNL_B可以在第二方向DR2上延伸，并且可以设置为超出发射区域EMA。第二子堤BNL_B也可以设置在切口区域CBA中，并且可以设置为超出在第二方向DR2上与相邻子像素PXn的边界。然而，公开不限于此，并且第二子堤BNL_B可以仅设置在对应的子像素PXn中，以不设置在切口区域CBA中。第二子堤BNL_B可以设置在发射区域EMA的中心部分处，并且可以设置于在第一方向DR1上彼此间隔开的第一子堤BNL_A之间。第二子堤BNL_B的在第一方向DR1上与第一子堤BNL_A间隔开的部分可以具有较宽的宽度。电极可以设置在第二子堤BNL_B的具有宽的宽度的部分上。第一子堤BNL_A和第二子堤BNL_B可以彼此间隔开并且彼此面对，并且发光元件ED可以设置在第一子堤BNL_A与第二子堤BNL_B之间。
多个电极可以包括作为一对第一类型电极的第一电极RME1_4和第二电极RME2_4以及作为六个第二类型电极的第三电极至第八电极RME3_4、RME4_4、RME5_4、RME6_4、RME7_4和RME8_4。第一类型电极可以是通过接触孔CT1和CT2直接电连接到其下方的第三导电层的电极，并且第二类型电极可以是不直接电连接到第三导电层的电极。第一类型电极可以通过形成在第一类型电极的与第二堤BNL2叠置的部分中的电极接触部分RM_C电连接到第一导电图案CDP或第二电压线VL2，但是第二类型电极可以是其中未形成电极接触部分RM_C的电极。第二类型电极可以与下面描述的第二类型接触电极电接触，并且因此可以接收施加到第一类型电极的电信号以不保持在浮置状态。
类似地，接触电极可以包括作为一对第一类型接触电极的第一接触电极CNE1_4和第二接触电极CNE2_4以及作为三个第二类型接触电极的第三接触电极CNE3_4、第四接触电极CNE4_4和第五接触电极CNE5_4。第一类型接触电极可以设置在第一类型电极上并且通过第一接触部分CTD或第二接触部分CTS与第一类型电极电接触，第二类型接触电极可以设置在第二类型电极上并且通过第三接触部分CTF与第二类型电极电接触。发光元件ED可以包括其中其一个端部设置在第一类型电极上并且其另一端部设置在第二类型电极上的第一发光元件ED1和第二发光元件ED2，并且可以包括其中其两个端部都设置在第二类型电极上的第三发光元件ED3和第四发光元件ED4。
类似于图13的实施例，第一电极RME1_4、第四电极RME4_4、第六电极RME6_4和第八电极RME8_4可以具有包括电极延伸部分RM_E1和RM_E2以及电极弯曲部分RM_D的形状。然而，与图13的实施例不同，第一电极RME1_4、第四电极RME4_4、第六电极RME6_4和第八电极RME8_4可以具有一形状，这一形状不包括电极扩展部分RM_S，包括具有均匀宽度的电极延伸部分RM_E1和RM_E2，并且包括将电极延伸部分RM_E1和RM_E2连接的电极连接部分RM_R。例如，第一电极RME1_4可以包括第一电极延伸部分RM_E1、第二电极延伸部分RM_E2以及将第一电极延伸部分RM_E1和第二电极延伸部分RM_E2连接的电极连接部分RM_R。第一电极延伸部分RM_E1可以在第一方向DR1上与另一电极间隔开并且面对另一电极，并且发光元件ED可以设置在第一电极延伸部分RM_E1上。第二电极延伸部分RM_E2可以在不与第一电极延伸部分RM_E1对准的方向上沿第二方向DR2延伸，并且可以设置在发射区域EMA和第二堤BNL2之上。第四电极RME4_4可以具有基于在第一方向DR1上与发射区域EMA的中心相交的假想线相对于第一电极RME1_4的对称结构，并且第八电极RME8_4和第六电极RME6_4可以具有基于在第二方向DR2上与发射区域EMA的中心交叉的假想线分别相对于第一电极RME1_4和第四电极RME4_4的对称结构。然而，电极接触部分RM_C可以不形成在第四电极RME4_4、第六电极RME6_4和第八电极RME8_4中。例如，除了电极接触部分RM_C之外，第四电极RME4_4、第六电极RME6_4和第八电极RME8_4可以具有上述对称结构。
第二电极RME2_4、第三电极RME3_4、第五电极RME5_4和第七电极RME7_4可以具有在一方向上延伸的形状。第一电极RME1_4、第四电极RME4_4、第六电极RME6_4和第八电极RME8_4可以设置在第一子堤BNL_A上，并且第二电极RME2_4、第三电极RME3_4、第五电极RME5_4和第七电极RME7_4可以设置在第二子堤BNL_B上。如上所述，电极中的每个可以包括直接设置在第三层间绝缘层IL3上的第一部分RM_L和设置在第一堤BNL1_4上的第二部分RM_U。在下文中，将省略对每个电极的结构的描述，并且将描述相对布置。
第一电极RME1_4可以设置在基于发射区域EMA的中心的左上侧处。第一电极RME1_4可以设置在第一子堤BNL_A之中的设置在左上侧处的第一子堤BNL_A上。第二电极RME2_4可以设置在发射区域EMA的上侧处。第二电极RME2_4可以设置在第二子堤BNL_B的在第一方向DR1上的一侧上，并且可以设置为与第二子堤BNL_B的具有宽的宽度的部分叠置。
第三电极RME3_4可以设置在第一电极RME1_4与第二电极RME2_4之间，并且可以设置在第二子堤BNL_B的在第一方向DR1上的另一侧上。例如，第三电极RME3_4可以设置为与第二子堤BNL_B的具有宽的宽度的部分叠置。第三电极RME3_4可以与第一电极RME1_4的第一电极延伸部分RM_E1和第二电极RME2_4中的每个间隔开，并且第一发光元件ED1可以设置在彼此间隔开的第三电极RME3_4与第一电极RME1_4之间。除了电极接触部分RM_C之外，第四电极RME4_4可以具有在第二方向DR2上相对于第一电极RME1_4对称的结构。第四电极RME4_4可以设置在第一子堤BNL_A之中的设置在发射区域EMA的左下侧处的第一子堤BNL_A上。
第五电极RME5_4可以在第二方向DR2上与第三电极RME3_4间隔开，并且可以在第一方向DR1上与第四电极RME4_4间隔开。第五电极RME5_4可以设置在第二子堤BNL_B的具有宽的宽度的部分中的下部上。第五电极RME5_4可以设置在第二子堤BNL_B的在第一方向DR1上的另一侧上。第三发光元件ED3可以设置在第四电极RME4_4与第五电极RME5_4之间的区域中。第六电极RME6_4具有在第一方向DR1上相对于第四电极RME4_4对称的结构，并且可以设置在基于发射区域EMA的中心设置在右下侧处的第一子堤BNL_A上。
第七电极RME7_4可以设置在第五电极RME5_4与第六电极RME6_4之间，并且可以设置在第二子堤BNL_B的在第一方向DR1上与其上设置有第五电极RME5_4的一侧相对的另一侧上。例如，第七电极RME7_4可以设置为与第二子堤BNL_B的具有宽的宽度的部分叠置。第七电极RME7_4可以与第六电极RME6_4的第一电极延伸部分RM_E1和第五电极RME5_4中的每个间隔开，并且第四发光元件ED4可以设置在彼此间隔开的第七电极RME7_4与第六电极RME6_4之间。第八电极RME8_4可以具有在第二方向DR2上相对于第六电极RME6_4对称的结构。第八电极RME8_4可以设置在第一子堤BNL_A之中的设置在发射区域EMA的右上侧处的第一子堤BNL_A上。第八电极RME8_4可以设置为与第二电极RME2_4间隔开，并且第二发光元件ED2可以设置在第八电极RME8_4与第二电极RME2_4上。
设置在同一第二子堤BNL_B上的电极可以在该第二子堤BNL_B上设置为在第一方向DR1上彼此间隔开，并且发光元件ED可以不设置在它们之间的区域中。相反，发光元件ED可以设置于设置在第一子堤BNL_A上的电极与设置在第二子堤BNL_B上的电极之间的区域中。由于设置在第一子堤BNL_A上的电极包括第一电极延伸部分RM_E1，因此设置在第一子堤BNL_A上的电极与设置在第二子堤BNL_B上的电极之间的距离可以根据它们的位置而变化。因此，发光元件ED中的大部分可以设置在第一子堤BNL_A与第二子堤BNL_B之间的区域中。
根据实施例，基于发射区域EMA的中心，设置在上侧处的第一电极RME1_4、第三电极RME3_4、第二电极RME2_4和第八电极RME8_4可以在第二方向DR2上分别与设置在下侧处的第四电极RME4_4、第五电极RME5_4、第七电极RME7_4和第六电极RME6_4间隔开。它们之间在第二方向DR2上的区域可以是电极线在显示装置10_4的制造工艺期间在其中被分离的区域。在将发光元件ED设置在电极线上并且形成第二绝缘层PAS2之后，可以将电极线分离以形成在第二方向DR2上彼此间隔开的电极。因此，如图20中所示，可以在第一电极RME1_4和第四电极RME4_4在其中分离的区域中去除第一绝缘层PAS1和第二绝缘层PAS2，并且可以在第三层间绝缘层IL3上直接设置第三绝缘层PAS3。这将在下面参照其它附图描述。
作为第一类型接触电极的第一接触电极CNE1_4和第二接触电极CNE2_4可以分别设置在第一电极RME1_4和第二电极RME2_4上。第一接触电极CNE1_4可以设置在第一电极RME1_4的第一电极延伸部分RM_E1上，并且与第一发光元件ED1的第一端部和第一电极RME1_4电接触。第二接触电极CNE2_4可以设置在第二电极RME2_4上，并且与第二发光元件ED2的第二端部和第二电极RME2_4电接触。
除了第三接触电极CNE3_4之外，第二类型接触电极还可以包括第四接触电极CNE4_4和第五接触电极CNE5_4。第二类型接触电极可以包括接触电极延伸部分、接触电极连接部分和接触电极接触部分，并且可以设置在第二类型电极上。
例如，在第三接触电极CNE3_4中，接触电极延伸部分可以设置在第三电极RME3_4和第四电极RME4_4上，并且可以通过接触电极连接部分连接。第三接触电极CNE3_4的接触电极连接部分可以在第二方向DR2上设置在第一电极RME1_4与第四电极RME4_4之间的区域中。第三接触电极CNE3_4可以与第一发光元件ED1的第二端部和第三发光元件ED3的第一端部电接触，并且可以与第三电极RME3_4和第四电极RME4_4电接触。
在第四接触电极CNE4_4中，接触电极延伸部分可以设置在第五电极RME5_4和第六电极RME6_4上，并且可以通过接触电极连接部分连接。第四接触电极CNE4_4的接触电极连接部分可以设置在接触电极延伸部分与第二堤BNL2之间的区域中。第四接触电极CNE4_4可以与第三发光元件ED3的第二端部和第四发光元件ED4的第一端部电接触，并且可以与第五电极RME5_4和第六电极RME6_4电接触。在第五接触电极CNE5_4中，接触电极延伸部分可以设置在第七电极RME7_4和第八电极RME8_4上，并且可以通过接触电极连接部分连接。第五接触电极CNE5_4的接触电极连接部分可以在第二方向DR2上设置在第八电极RME8_4与第六电极RME6_4之间的区域中。第五接触电极CNE5_4可以与第四发光元件ED4的第二端部和第二发光元件ED2的第一端部电接触，并且可以与第七电极RME7_4和第八电极RME8_4电接触。
与第三接触电极CNE3_4和第五接触电极CNE5_4不同，第四接触电极CNE4_4的接触电极连接部分可以设置在第七电极RME7_4与第二堤BNL2之间。在实施例中，第四接触电极CNE4_4的接触电极连接部分可以设置为在第二方向DR2上与第七电极RME7_4的一侧间隔开，并且第五接触电极CNE5_4的接触电极连接部分可以设置为在第二方向DR2上与第七电极RME7_4的另一侧间隔开。
在实施例中，在显示装置10_4的剖面中，第一接触电极CNE1_4、第二接触电极CNE2_4和第四接触电极CNE4_4可以设置在与第三接触电极CNE3_4和第五接触电极CNE5_4的层不同的层上。例如，第三接触电极CNE3_4和第五接触电极CNE5_4可以设置在第二绝缘层PAS2上，并且第一接触电极CNE1_4、第二接触电极CNE2_4和第四接触电极CNE4_4可以设置在第三绝缘层PAS3上。然而，公开不限于此，并且接触电极CNE1_4、CNE2_4、CNE3_4、CNE4_4和CNE5_4的布置顺序可以基于第三绝缘层PAS3而变化。
在该实施例中，接触电极CNE1_4、CNE2_4、CNE3_4、CNE4_4和CNE5_4可以具有相对大的宽度，并且可以设置在第一堤BNL1_4的倾斜侧表面上。由于每个子像素PXn包括更多个电极，因此电极的第一部分RM_L的宽度可以减小，并且接触电极CNE1_4、CNE2_4、CNE3_4、CNE4_4和CNE5_4可以部分地设置在第一堤BNL1_4的倾斜侧表面上。然而，接触部分CTD、CTS和CTF可以设置为在第二方向DR2上至少与发光元件区域EDA间隔开。
例如，第一接触部分CTD可以设置在第一电极RME1_4的电极连接部分RM_R上。第一接触部分CTD可以在第一电极RME1_4的不与第一堤BNL1_4叠置的区域中设置为与发光元件区域EDA间隔开。第一接触电极CNE1_4的接触电极延伸部分可以设置在第一电极RME1_4的第一电极延伸部分RM_E1上。接触电极连接部分可以绕过发光元件区域EDA，并且可以电连接到第一接触电极CNE1_4的设置在电极连接部分RM_R上的接触电极接触部分。第一接触电极CNE1_4可以通过第一接触电极CNE1_4的设置在电极连接部分RM_R上的接触电极接触部分与第一电极RME1_4电接触。
类似地，第三接触部分CTF可以设置在第四电极RME4_4、第六电极RME6_4和第八电极RME8_4的电极连接部分RM_R上，第三接触电极CNE3_4、第四接触电极CNE4_4和第五接触电极CNE5_4的接触电极连接部分可以绕过发光元件区域EDA，并且可以电连接到第三接触电极CNE3_4、第四接触电极CNE4_4和第五接触电极CNE5_4的设置在电极连接部分RM_R上的接触电极接触部分。第三接触电极CNE3_4、第四接触电极CNE4_4和第五接触电极CNE5_4可以通过第三接触电极CNE3_4、第四接触电极CNE4_4和第五接触电极CNE5_4的设置在电极连接部分RM_R上的接触电极接触部分与第四电极RME4_4、第六电极RME6_4和第八电极RME8_4电接触。
第二电极RME2_4可以包括具有预定宽度并且形成在第二电极RME2_4的在第二方向DR2上延伸的部分的一侧处的电极突出部分RM_P。由于电极突出部分RM_P形成在不与第一堤BNL1_4叠置的部分处，因此电极突出部分RM_P可以设置为与发光元件区域EDA间隔开。类似于第一接触电极CNE1_4，在第二接触电极CNE2_4中，接触电极延伸部分可以设置在第二电极RME2_4上，并且接触电极接触部分可以与发光元件区域EDA间隔开并且设置在电极突出部分RM_P上。第二接触电极CNE2_4可以通过第二接触电极CNE2_4的设置在电极突出部分RM_P上的接触电极接触部分与第二电极RME2_4电接触。
类似地，第三电极RME3_4、第五电极RME5_4和第七电极RME7_4也可以包括电极突出部分RM_P，并且第三接触部分CTF可以设置在电极突出部分RM_P上。第三接触电极CNE3_4、第四接触电极CNE4_4和第五接触电极CNE5_4的接触电极接触部分可以与发光元件区域EDA间隔开，并且可以设置在电极突出部分RM_P上。第三接触电极CNE3_4、第四接触电极CNE4_4和第五接触电极CNE5_4可以分别通过第三接触电极CNE3_4、第四接触电极CNE4_4和第五接触电极CNE5_4的设置在电极突出部分RM_P上的接触电极接触部分与第三电极RME3_4、第五电极RME5_4和第七电极RME7_4电接触。
电极的电极突出部分RM_P和电极连接部分RM_R可以设置在其中设置有发光元件ED的发光元件区域EDA的上侧或下侧处，并因此可以设置在发射区域EMA的外围处。相反，第七电极RME7_4的电极突出部分RM_P可以设置在第二发光元件ED2与第四发光元件ED4之间并且设置在发光元件区域EDA之间。然而，由于设置在第七电极RME7_4上的第三接触部分CTF不与从发光元件ED发射的光的光路叠置，因此能够防止从发光元件ED发射的光在不发射的情况下损失。
第一发光元件ED1的第一端部和第二发光元件ED2的第二端部可以通过第一类型接触电极电连接到第一类型电极，并且从第三导电层施加的电信号可以传输到第一发光元件ED1的第一端部和第二发光元件ED2的第二端部。电信号可以流过第二类型接触电极、第三发光元件ED3和第四发光元件ED4，并且第一发光元件至第四发光元件ED1、ED2、ED3和ED4可以串联电连接。由于该实施例包括在第一方向DR1和第二方向DR2上彼此间隔开且分离的电极以及设置在电极上的接触电极，因此更多个发光元件ED可以被设置并且彼此串联电连接。与其它实施例类似，由于接触电极和电极通过其彼此电接触的接触部分CTD、CTS和CTF设置为避开从发光元件ED发射的光的光路，因此在每个子像素PXn中，可以增加每单位面积发射的光的量，并且可以进一步改善每个子像素PXn的发光效率。
可以通过使用在第二方向DR2上延伸的电极线布置发光元件ED并且将电极线分离以形成电极的工艺来制造显示装置10_4。
图21至图25是示出图16的显示装置的制造工艺的一些操作的示意图。
首先，参照图21和图22，可以形成第一堤BNL1_4、多条电极线RM1和RM2以及第二堤BNL2。电极线RM1和RM2可以在第二方向DR2上延伸超过子像素PXn的边界。根据实施例，第一电极线RM1可以设置在每个子像素PXn中，并且第二电极线RM2可以设置在第一电极线RM1之间。例如，在第一方向DR1上彼此间隔开的两条第一电极线RM1可以设置在每个子像素PXn中，并且两条第二电极线RM2可以设置在两条第一电极线RM1之间。第一电极线RM1的部分可以设置在第一子堤BNL_A上，并且第二电极线RM2可以设置在第二子堤BNL_B的在第一方向DR1上的两侧处。
第二电极线RM2可以在发射区域EMA中彼此直接连接。在第二电极线RM2彼此分离的情况下，即使向第二电极线RM2施加同一对准信号，也会部分地发生电压差。由于电压差，发光元件ED中的一些会设置在第二电极线RM2之间。为了防止这种情况，第二电极线RM2可以在发射区域EMA中彼此连接，并且可以在第一电极线RM1与第二电极线RM2之间产生电场。
第一电极线RM1可以具有包括电极延伸部分、电极弯曲部分和电极连接部分的形状，并且第二电极线RM2可以具有在第二方向DR2上延伸的形状。彼此相邻的第一电极线RM1与第二电极线RM2之间的在第一电极线RM1和第二电极线RM2的设置在第一子堤BNL_A和第二子堤BNL_B上的部分处测量的距离可以小于第一电极线RM1与第二电极线RM2之间的在第一电极线RM1和第二电极线RM2的在其处第二子堤BNL_B在第二方向DR2上彼此间隔开的部分处测量的距离。在产生电场的情况下，可以在电极线RM1和RM2之间的其处距离小的部分处产生强电场，并且可以将发光元件ED中的大部分设置在对应的部分上。
参照图23和图24，可以将对准信号施加到电极线RM1和RM2以布置发光元件ED，并且可以在发光元件ED上形成第二绝缘材料层PAS2'，以固定发光元件ED。在实施例中，发光元件ED可以以分散在墨中的状态下准备，并且可以通过喷墨印刷工艺喷射在发射区域EMA上。第二堤BNL2可以防止墨溢出到另一相邻子像素PXn的发射区域EMA。在将墨喷射在发射区域EMA上的情况下，可以将对准信号施加到第一电极线RM1和第二电极线RM2以在第一电极线RM1和第二电极线RM2上产生电场。当分散在墨中的发光元件ED接收由所产生的电场引起的介电泳力，并且发光元件ED的位置和取向方向改变时，发光元件ED的两个端部可以设置在不同的电极线RM1和RM2上。
由于在第一电极线RM1和第二电极线RM2的设置在第一子堤BNL_A和第二子堤BNL_B上的部分处第一电极线RM1和第二电极线RM2设置为彼此较靠近，因此可以产生较强的电场，因此，发光元件ED中的大部分可以设置在第一子堤BNL_A与第二子堤BNL_B之间。由于在第一电极线RM1和第二电极线RM2的在其处第一子堤BNL_A在第二方向DR2上彼此间隔开的部分处第一电极线RM1与第二电极线RM2之间的距离可以较大，因此可以产生具有相对弱的强度的电场，并且可以不设置发光元件ED。
可以根据施加到第一电极线RM1和第二电极线RM2的对准信号而在第一电极线RM1和第二电极线RM2中的每个上产生电场。电场可以具有从被施加一个对准信号的电极到被施加另一对准信号的电极的方向，并且可以根据电场指向所沿的方向来确定发光元件ED的取向方向。在显示装置10_4的制造工艺期间，由于不同的对准信号被施加到第一电极线RM1和第二电极线RM2，因此电场可以被引导为朝向设置在发射区域EMA的中心部分处的第二子堤BNL_B，并且发光元件ED也可以设置为使得发光元件ED的第一端部位于第二子堤BNL_B上的电极上。因此，第一发光元件ED1和第二发光元件ED2可以设置为使得第一发光元件ED1和第二发光元件ED2的第一端部位于第三电极RME3_4和第二电极RME2_4上，并且第一发光元件ED1和第二发光元件ED2的取向方向可以彼此相反。第三发光元件ED3和第四发光元件ED4也可以设置为使得第三发光元件ED3和第四发光元件ED4的第一端部位于第五电极RME5_4和第七电极RME7_4上，并且第三发光元件ED3和第四发光元件ED4的取向方向可以彼此相反。
在设置了发光元件ED的情况下，可以形成用于固定发光元件ED的第二绝缘材料层PAS2'。参照沿着图23的线Q10-Q10'截取的图24，第二绝缘材料层PAS2'可以在发射区域EMA中设置在第一绝缘层PAS1和发光元件ED上。发光元件ED可以与第二绝缘材料层PAS2'叠置，并且发光元件ED在电极线RM1和RM2上对准的位置可以被固定。在形成接触电极的后续工艺中，发光元件ED最初对准的位置可以不改变。
参照图25，在设置了发光元件ED的情况下，可以在发射区域EMA和切口区域CBA的电极分离部分ROP处使电极线RM1和RM2分离。第一电极分离部分ROP1可以定位在发射区域EMA的其中第一子堤BNL_A在第二方向DR2上彼此间隔开的部分中。在其中第一子堤BNL_A在第二方向DR2上彼此间隔开的部分中可以仅产生弱电场，使得发光元件ED中的大部分可以不设置在该部分中。
第二电极分离部分ROP2可以定位在切口区域CBA中。在电极线RM1和RM1被第二电极分离部分ROP2分离的情况下，设置在每个子像素PXn中的电极可以彼此分离，并因此可以被单独地驱动。通过电极分离部分ROP1和ROP2分离和形成的电极可以包括第一类型电极和第二类型电极，并且发光元件ED可以被分类为第一发光元件至第四发光元件ED1、ED2、ED3和ED4。
随后，尽管未在附图中示出，但是可以形成多个接触部分CTD、CTS和CTF以及多个接触电极CNE1_4、CNE2_4、CNE3_4、CNE4_4和CNE5_4以制造显示装置10_4。
本实施例可以包括具有部分弯曲形状的电极RME1_4、RME4_4、RME6_4和RME8_4以及设置在电极RME1_4、RME4_4、RME6_4和RME8_4之间且具有延伸形状的电极RME2_4、RME3_4、RME5_4和RME7_4，因此，可以针对每个子像素PXn设置更多个发光元件ED。由于针对每个子像素PXn设置更多个电极，因此可以使发射区域EMA的在第一方向DR1上测量的宽度增大。然而，由于多个电极在发射区域EMA中设置为在第二方向DR2上彼此间隔开，因此可以通过第二类型接触电极形成电流路径。在第二方向DR2上布置的发光元件ED中的一些可以通过第二类型接触电极串联连接，使得可以进一步改善每个子像素PXn的亮度。此外，由于串联连接的发光元件ED的数量增加，因此即使在一些发光元件ED短路的情况下，串联连接的其它发光元件ED也可以发光，从而防止子像素PXn的发光缺陷。
图26是示出根据再一实施例的显示装置的一部分的示意性剖视图。
参照图26，根据实施例的显示装置10_5可以包括穿透第二绝缘层PAS2和第三绝缘层PAS3的开口OP1、OP2和OP3。在设置第一接触电极CNE1_5和第二接触电极CNE2_5之前，可以在形成第三绝缘层PAS3的工艺中形成开口OP1、OP2和OP3。该实施例与图18的实施例的不同之处在于，显示装置10_5还包括一些开口OP1、OP2和OP3。显示装置10_5的多个电极和接触电极的布置可以与图18的实施例中的多个电极和接触电极的布置相同。在附图中，仅示出了第一电极RME1_5、第二电极RME2_5、第三电极RME3_5和第八电极RME8_5，并且仅示出了第一接触电极CNE1_5、第二接触电极CNE2_5、第三接触电极CNE3_5和第五接触电极CNE5_5。在下文中，将省略冗余的描述，并且将主要描述差异。
在显示装置10_5的制造工艺中，在设置发光元件ED之后，可以顺序地执行形成第二绝缘层PAS2、形成一些接触电极、形成第三绝缘层PAS3和形成剩余的接触电极的工艺。可以完全在第一绝缘层PAS1上形成包括形成第二绝缘层PAS2和第三绝缘层PAS3的材料的绝缘材料层，然后可以使绝缘材料层部分地图案化，以形成第二绝缘层PAS2和第三绝缘层PAS3。在这种图案化工艺中，可以部分地去除覆盖发光元件ED的绝缘材料层以使发光元件ED的端部暴露，并且之后形成的接触电极可以与发光元件ED电接触。
例如，在将发光元件ED设置在电极RME上之后，可以设置包括构成第二绝缘层PAS2的材料的第一绝缘材料层以与第一绝缘层PAS1和发光元件ED叠置。可以使第一绝缘材料层图案化，以使发光元件ED的端部(例如，第一发光元件ED1的设置在第三电极RME3_5上的端部和第二发光元件ED2的设置在第八电极RME8_5上的端部)暴露。随后，可以形成第三接触电极CNE3_5和第五接触电极CNE5_5，使得第一发光元件ED1和第二发光元件ED2的暴露的端部可以分别与第三接触电极CNE3_5和第五接触电极CNE5_5电接触。
在形成第三接触电极CNE3_5和第五接触电极CNE5_5之后，可以形成包括构成第三绝缘层PAS3的材料的第二绝缘材料层以与第三接触电极CNE3_5、第五接触电极CNE5_5和第一绝缘材料层叠置。可以使第二绝缘材料层图案化，以使发光元件ED的相对端部(例如，第一发光元件ED1的设置在第一电极RME1_5上的端部和第二发光元件ED2的设置在第二电极RME2_5上的端部)暴露。随后，可以形成第一接触电极CNE1_5和第二接触电极CNE2_5，使得第一发光元件ED1和第二发光元件ED2的暴露的端部可以分别与第一接触电极CNE1_5和第二接触电极CNE2_5电接触。
在第二绝缘材料层的图案化工艺中，可以同时使第二绝缘材料层下方的第一绝缘材料层图案化，以形成第二绝缘层PAS2和第三绝缘层PAS3。在图案化工艺中，可以形成穿透第三绝缘层PAS3和第二绝缘层PAS2的多个开口OP1、OP2和OP3。
可以形成第一开口OP1和第二开口OP2，以分别使第一发光元件ED1的端部和第二发光元件ED2的端部暴露。例如，可以形成第一开口OP1，以使第一发光元件ED1的设置在第一电极RME1_5上的端部暴露。第一开口OP1可以设置在第一电极RME1_5上，并且形成在第一子堤BNL_A和第一发光元件ED1的一部分之上。可以形成第二开口OP2，以使第二发光元件ED2的设置在第二电极RME2_5上的端部暴露。第二开口OP2可以设置在第二电极RME2_5上，并且形成在第二子堤BNL_B和第二发光元件ED2的一部分之上。尽管未在附图中示出，但是第一开口OP1和第二开口OP2可以以与图18的实施例中的方式相同的方式形成。
除了使发光元件ED的端部暴露的第一开口OP1和第二开口OP2之外，根据实施例的显示装置10_5还可以包括不使发光元件ED的端部暴露而使第一绝缘层PAS1的上表面的一部分暴露的第三开口OP3。第三开口OP3可以基于第二子堤BNL_B形成在与第一开口OP1相对的一侧处。然而，第三开口OP3可以形成为仅与设置在第一子堤BNL_A上的电极(例如，第八电极RME8_5)叠置，并且可以形成为不使发光元件ED暴露。第三开口OP3可以形成在与第八电极RME8_5的设置在第一子堤BNL_A上的部分对应的位置处，以穿透第三绝缘层PAS3和第二绝缘层PAS2。
第一绝缘层PAS1的上表面可以在第一开口OP1、第二开口OP2和第三开口OP3中部分地暴露。第一接触电极CNE1_5和第二接触电极CNE2_5可以部分地设置于在第一开口OP1和第二开口OP2中暴露的第一绝缘层PAS1上。例如，第一接触电极CNE1_5可以部分地设置在第一开口OP1中，并且第二接触电极CNE2_5可以部分地设置在第二开口OP2中。相反，第三开口OP3可以具有比第一开口OP1和第二开口OP2的宽度相对小的宽度。在第三开口OP3中，可以不设置接触电极，并且第一绝缘层PAS1的上表面可以暴露。第三开口OP3可以形成为与最靠近第三开口OP3的第五接触电极CNE5_5间隔开。
如上所述，在发光元件ED中产生的光可以向发光元件ED的两个端部发射，并且由于第一绝缘层PAS1与接触电极之间的折射率的差异而可能无法顺利地发射。从发光元件ED的两个端部发射并且在第一绝缘层PAS1中行进的光可以在第一基底SUB的向上方向上从第一绝缘层PAS1的上表面的暴露部分发射。由于第一开口OP1使第一发光元件ED1的设置在第一电极RME1_5上的端部暴露并且同时使第一绝缘层PAS1的上表面的一部分暴露，因此从第一发光元件ED1的端部发射的光可以容易地通过第一绝缘层PAS1的在第一开口OP1中暴露的上表面发射。类似地，第三开口OP3可以使第二发光元件ED2的设置在第八电极RME8_5上的端部暴露，并且可以使第一绝缘层PAS1的上表面的一部分暴露。除了第一绝缘层PAS1与接触电极之间的界面之外，在第一绝缘层PAS1与第二绝缘层PAS2或第三绝缘层PAS3之间的界面处也会发生由于折射率的差异引起的光反射。由于形成第三开口OP3以使第一绝缘层PAS1的上表面暴露，因此从第二发光元件ED2的端部发射的光可以通过第一绝缘层PAS1的在第三开口OP3中暴露的上表面发射。
除了使发光元件ED的端部暴露的开口(例如，第一开口OP1和第二开口OP2)之外，根据实施例的显示装置10_5还可以包括提供从发光元件ED发射的光的发射路径的开口(例如，第三开口OP3)。由于显示装置10_5包括开口OP1、OP2和OP3，因此可以减少由于第一绝缘层PAS1与其它层之间的折射率的差异引起的光反射，从而进一步改善发光元件ED的发光效率。
如图18中那样，图26示出了穿过第一电极RME1_5、第三电极RME3_5、第二电极RME2_5和第八电极RME8_5的剖面。开口OP1、OP2和OP3也可以设置在第四电极RME4、第五电极RME5、第七电极RME7和第六电极RME6的部分上。参照图17和图26，除了第一电极RME1_5之外，第一开口OP1还可以形成在第六电极RME6和第四发光元件ED4的端部之上，并且除了第二电极RME2_5之外，第二开口OP2还可以形成在第五电极RME5_4和第三发光元件ED3的端部之上。除了第八电极RME8_5之外，第三开口OP3还可以部分地形成在第四电极RME4_4上。然而，公开不限于此。
图27是示出根据再一实施例的显示装置的一部分的示意性剖视图。
参照图27，在根据实施例的显示装置10_6中，多个接触电极CNE可以形成为具有较大的宽度，并且一些接触电极的两侧可以设置为位于第二绝缘层PAS2上。例如，在作为设置在第二绝缘层PAS2与第三绝缘层PAS3之间的接触电极的第三接触电极CNE3_6和第五接触电极CNE5_5中，第三接触电极CNE3_6和第五接触电极CNE5_5的第一侧可以设置在位于发光元件ED上的第二绝缘层PAS2上，并且第三接触电极CNE3_6和第五接触电极CNE5_5的第二侧可以设置在位于第一子堤BNL_A和第二子堤BNL_B上的第二绝缘层PAS2上。该实施例与图26的实施例的不同之处在于，接触电极具有较大的宽度。显示装置10_6的多个电极和接触电极的布置可以与图26的实施例的多个电极和接触电极的布置相同。在附图中，仅示出了第一电极RME1_6、第二电极RME2_6、第三电极RME3_6和第八电极RME8_6，并且仅示出了第一接触电极CNE1_6、第二接触电极CNE2_6、第三接触电极CNE3_6和第五接触电极CNE5_6。这里省略了冗余的描述。
在总结详细描述时，本领域技术人员将理解的是，在基本上不脱离公开的原理的情况下，可以对实施例进行许多变化和修改。因此，公开的所公开的实施例仅以一般和描述性意义使用，而不是为了限制的目的。

Claims (28)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底；
第一电极和第二电极，设置在所述基底上，在第一方向上延伸，并且在第二方向上彼此间隔开；
多个发光元件，设置在所述第一电极和所述第二电极上，并且在所述第一方向上彼此间隔开；
第一接触电极，设置在所述第一电极上，并且与所述多个发光元件电接触；以及
第二接触电极，设置在所述第二电极上，并且与所述多个发光元件电接触，其中，
所述第一接触电极通过设置在所述第一电极上的第一接触部分与所述第一电极电接触，
所述第二接触电极通过设置在所述第二电极上的第二接触部分与所述第二电极电接触，
所述第一接触部分设置在所述第一接触电极的在所述第一方向上的端部上，并且
所述第二接触部分设置在所述第二接触电极的在所述第一方向上的端部上。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个发光元件不设置于在所述第二方向上彼此间隔开的所述第一接触部分与所述第二接触部分之间。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，
限定有发光元件区域，所述发光元件区域是其中设置有所述多个发光元件的区域，并且
所述第一接触部分和所述第二接触部分在所述第一方向上与所述发光元件区域间隔开。
4.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
层间绝缘层，设置在所述基底上；以及
多个堤，设置在所述层间绝缘层与所述第一电极和所述第二电极之间，
其中，所述第一电极和所述第二电极各自包括直接设置在所述层间绝缘层上的第一部分和连接到所述第一部分并且直接设置在所述多个堤上的第二部分。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，
所述第一接触电极设置在所述第一电极的所述第一部分上，
所述第二接触电极设置在所述第二电极的所述第一部分上，并且
所述第一接触部分和所述第二接触部分分别设置在所述第一电极的所述第一部分和所述第二电极的所述第一部分上。
6.根据权利要求4所述的显示装置，其中，
所述第一电极和所述第二电极各自包括将所述第一部分和所述第二部分连接的第三部分，并且
所述第一部分的在所述第一方向上测量的长度大于所述第三部分的在所述第一方向上测量的长度。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述第一电极的所述第一部分与所述第二电极的所述第一部分之间的距离小于所述第一电极的所述第二部分与所述第二电极的所述第二部分之间的距离。
8.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第一电极和所述第二电极的宽度大于所述第一接触电极和所述第二接触电极的宽度。
9.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第一接触电极与所述第二接触电极之间的距离小于所述第一电极的所述第一部分与所述第二电极的所述第一部分之间的距离。
10.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第一电极的所述第一部分与所述第二电极的所述第一部分之间的距离小于所述多个发光元件的在所述第二方向上测量的长度。
11.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括与所述第一电极和所述第二电极部分地叠置的第一绝缘层，
其中，所述第一接触部分和所述第二接触部分穿透所述第一绝缘层，以分别使所述第一电极的一部分和所述第二电极的一部分暴露。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述多个发光元件直接设置在所述第一绝缘层上。
13.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底；
多个堤，设置在所述基底上；
第一电极和第二电极，分别设置在彼此不同的所述多个堤上，在第一方向上延伸，并且在第二方向上彼此间隔开；
多个发光元件，设置在所述第一电极和所述第二电极上，并且在所述第一方向上彼此间隔开；
第一接触电极，设置在所述第一电极上，并且与所述多个发光元件电接触；以及
第二接触电极，设置在所述第二电极上，并且与所述多个发光元件电接触，其中，
所述第一接触电极通过设置在所述第一电极上的第一接触部分与所述第一电极电接触，
所述第二接触电极通过设置在所述第二电极上的第二接触部分与所述第二电极电接触，并且
所述第一接触部分和所述第二接触部分在所述第一方向与所述第二方向之间的方向上与所述多个发光元件间隔开。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，
所述第一电极和所述第二电极各自包括直接设置在层间绝缘层上的第一部分和连接到所述第一部分并且直接设置在所述多个堤上的第二部分，并且
所述第一接触部分和所述第二接触部分分别设置在所述第一电极的所述第二部分和所述第二电极的所述第二部分上。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，
所述第一接触电极和所述第二接触电极各自包括：
接触电极延伸部分，设置在所述第一部分上；
接触电极接触部分，设置在所述第一接触部分或所述第二接触部分上；以及
接触电极连接部分，将所述接触电极延伸部分和所述接触电极接触部分电连接，并且
所述第一接触电极和所述第二接触电极中的每个的所述接触电极连接部分在所述第一方向上与所述多个发光元件间隔开。
16.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底；
第一电极和第二电极，设置在所述基底上，在第一方向上延伸，并且在第二方向上彼此间隔开；
第三电极，在所述第一电极与所述第二电极之间在所述第二方向上与所述第一电极和所述第二电极间隔开；
第四电极，在所述第一方向上与所述第一电极间隔开；
发光元件，包括：第一发光元件，具有分别设置在所述第一电极和所述第三电极上的第一端部和第二端部；以及第二发光元件，具有设置在所述第二电极上的第一端部；
第一接触电极，设置在所述第一电极上，并且与所述第一发光元件电接触；
第二接触电极，设置在所述第二电极上，并且与所述第二发光元件电接触；以及
第三接触电极，设置在所述第三电极上，并且与所述第一发光元件电接触，其中，
所述第一接触电极通过设置在所述第一电极上的第一接触部分与所述第一电极电接触，
所述第二接触电极通过设置在所述第二电极上的第二接触部分与所述第二电极电接触，
所述第三接触电极通过设置在所述第三电极上的第三接触部分与所述第三电极电接触，
所述第二接触部分设置在所述第二接触电极的在所述第一方向上的端部上，并且
所述第三接触部分设置在所述第三接触电极的在所述第一方向上的端部上。
17.根据权利要求16所述的显示装置，其中，
所述第二电极包括从所述第二电极的在所述第二方向上的一侧突出的电极突出部分，
所述第三电极包括从所述第三电极的在所述第二方向上的一侧突出的电极突出部分，并且
所述第二接触部分和所述第三接触部分分别设置在所述第二电极的所述电极突出部分和所述第三电极的所述电极突出部分上。
18.根据权利要求16所述的显示装置，其中，
所述第一电极包括：
第一电极延伸部分，在所述第一方向上延伸；以及
电极连接部分，电连接到所述第一电极延伸部分的在所述第一方向上的一侧并且在所述第二方向上延伸，并且
所述第一发光元件设置在所述第一电极的所述第一电极延伸部分和所述第三电极上。
19.根据权利要求18所述的显示装置，其中，
所述第一接触部分设置在所述第一电极的所述电极连接部分上，并且
所述第一接触电极包括：
接触电极延伸部分，与所述第一发光元件电接触；以及
接触电极接触部分，电连接到所述接触电极延伸部分，并且设置在所述第一接触部分上。
20.根据权利要求16所述的显示装置，所述显示装置还包括设置在所述基底上的导电层，所述导电层包括电压线和导电图案，其中，
所述第一电极直接连接到所述导电图案，并且
所述第二电极直接连接到所述电压线。
21.根据权利要求16所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第五电极，在所述第二方向上与所述第四电极间隔开，并且在所述第一方向上与所述第三电极间隔开；
第六电极，在所述第二方向上与所述第五电极间隔开；
第七电极，设置在所述第五电极与所述第六电极之间，并且在所述第一方向上与所述第二电极间隔开；以及
第八电极，在所述第一方向上与所述第六电极间隔开，并且在所述第二方向上与所述第二电极间隔开，其中，
所述发光元件包括：第三发光元件，设置在所述第四电极和所述第五电极上；以及第四发光元件，设置在所述第六电极和所述第七电极上，并且
所述第二发光元件的第二端部设置在所述第八电极上。
22.根据权利要求21所述的显示装置，其中，
所述第三接触电极包括设置在所述第四电极上并且与所述第三发光元件电接触的部分，并且
所述第三接触电极通过接触部分与所述第四电极电接触，所述接触部分在所述第一方向与所述第二方向之间的方向上与所述第三发光元件间隔开。
23.根据权利要求21所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第四接触电极，设置在所述第五电极和所述第六电极上，并且通过多个接触部分与所述第五电极和所述第六电极电接触；以及
第五接触电极，设置在所述第七电极和所述第八电极上，并且通过多个接触部分与所述第七电极和所述第八电极电接触，并且
其中，设置在所述第五电极至所述第八电极上的所述多个接触部分中的一些接触部分在所述第一方向上与所述发光元件间隔开。
24.根据权利要求23所述的显示装置，其中，设置在所述第五电极至所述第八电极上的所述多个接触部分中的至少一些接触部分设置为在所述第一方向与所述第二方向之间的方向上与所述发光元件间隔开。
25.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述第一接触部分在所述第一方向与所述第二方向之间的方向上与所述发光元件间隔开。
26.根据权利要求23所述的显示装置，所述显示装置还包括：
第一绝缘层，与所述第一电极至所述第八电极部分地叠置；
第二绝缘层，部分地设置在所述发光元件和所述第一绝缘层上；以及
第三绝缘层，与所述第二绝缘层、所述第三接触电极和所述第四接触电极叠置，并且
其中，所述多个接触部分穿透所述第一绝缘层。
27.根据权利要求26所述的显示装置，所述显示装置还包括多个开口，所述多个开口穿透所述第二绝缘层和所述第三绝缘层以使所述第一绝缘层的上表面的一部分暴露，
其中，所述多个开口包括：
第一开口，形成在所述第一电极的一部分和所述第一发光元件的所述第一端部之上；
第二开口，形成在所述第二电极的一部分和所述第二发光元件的所述第一端部之上；以及
第三开口，部分地形成在所述第八电极上。
28.根据权利要求27所述的显示装置，其中，
所述第一接触电极部分地设置在所述第一开口中，
所述第二接触电极部分地设置在所述第二开口中，并且所述第三开口形成为与所述第五接触电极间隔开。
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