TWI816826B - 顯示裝置 - Google Patents

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金東賢
宋根圭
任鉉德
趙誠贊
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南韓商三星顯示器有限公司
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Abstract

提供一種顯示裝置。一個實施例的顯示裝置可以包括：第一電極；第二電極，其與所述第一電極隔開並相對地配置；第一絕緣層，其覆蓋所述第一電極與所述第二電極地配置；第二絕緣層，其配置於所述第一絕緣層上的至少一部分，使所述第一電極及所述第二電極與所述第一絕緣層重疊的區域中至少一部分露出；及至少一個發光元件，其在所述第一電極與所述第二電極之間，配置於所述露出的第一絕緣層上；所述第二絕緣層可以包括至少一個開口部及作為所述開口部之間區域的橋接部，所述至少一個開口部使所述第一絕緣層露出，在所述第一電極及所述第二電極相互相對的區域上，相互隔開地配置；所述發光元件可以配置於所述開口部上。

Description

顯示裝置
本發明涉及顯示裝置，更詳細而言，涉及一種包括無機發光二極體陣列的顯示裝置。
隨著多媒體的發達，顯示裝置的重要性正在增大。與此相應，正在使用諸如有機發光顯示裝置(Organic Light Emitting Display、OLED)、液晶顯示裝置(Liquid Crystal Display、LCD)等的各種種類顯示裝置。
作為顯示裝置的顯示圖像的裝置，包括諸如有機發光顯示面板或液晶顯示面板的顯示面板。其中，作為發光顯示面板，可以包括發光元件，例如就發光二極體(Light Emitting Diode、LED)而言，有將有機物用作螢光物質的有機發光二極體(OLED)、將無機物用作螢光物質的無機發光二極體等。
就有機發光二極體(OLED)而言，是將有機物用作發光元件的螢光物質，具有的優點是，製造步驟簡單，顯示元件可以具有柔軟特性。但是，有機物在高溫的驅動環境脆弱，被認為藍色光的效率相對較低。
相反，就無機發光二極體而言，是將無機物半導體用作螢光物質，即使在高溫環境下也具有耐久性，具有藍色光的效果比有機發光二極體高的優點。另外，即使在曾被指出是原有無機發光二極體元件侷限的製造步驟中，開發了利用介電泳(Dielectrophoresis、DEP)法的轉寫方法。因此，正在持續進行對耐久性及效率比有機發光二極體優秀的無機發光二極體的研究。
本發明要解決的課題是提供一種顯示裝置，誘導發光元件只配置於任意區域內，均一地對齊發光元件，各像素的亮度均一。
本發明的課題不限定於以上提及的課題，未提及的其他要解決的技術課題是從業人員可以從以下記載明確理解的。
旨在解決所述課題的一個實施例的顯示裝置可以包括：第一電極；第二電極，其與所述第一電極隔開並相對地配置；第一絕緣層，其覆蓋所述第一電極與所述第二電極地配置；第二絕緣層，其配置於所述第一絕緣層上的至少一部分，使所述第一電極及所述第二電極與所述第一絕緣層重疊的區域中至少一部分露出；及至少一個發光元件，其在所述第一電極與所述第二電極之間，配置於所述露出的第一絕緣層上；所述第二絕緣層可以包括至少一個開口部及作為所述開口部之間區域的橋接部，所述至少一個開口部使所述第一絕緣層露出，在所述第一電極及所述第二電極相互相對的區域上，相互隔開地配置；所述發光元件可以配置於所述開口部上。
至少一個所述開口部可以沿著作為所述第一電極延長方向的第一方向配置，所述開口部可以與相鄰的其他所述開口部隔開。
所述開口部可以包括：第一開口部；及與第一開口部沿所述第一方向相鄰並隔開的第二開口部；所述發光元件可以包括：在所述第一開口部上配置的第一發光元件及第二發光元件；及在所述第二開口部上配置的第三發光元件。
所述第一發光元件及所述第二發光元件可以在所述第一開口部內相互隔開地配置。
所述第一發光元件與所述第二發光元件隔開的間隔，可以短於所述第一發光元件與所述第三發光元件隔開的間隔。
在所述第一開口部及所述第二開口部配置的所述發光元件的密度，可以大於在所述第一開口部與所述第二開口部之間的所述橋接部配置的發光元件的密度。
所述開口部可以與所述第一電極及所述第二電極相互相對的方向的各側部重疊地配置。
所述開口部的中心相比所述第二電極，可以與所述第一電極鄰接配置，所述第一電極與所述開口部重疊的第一重疊部，可以寬於所述第二電極與所述開口部重疊的第二重疊部。
就所述開口部而言，沿著與作為所述第一電極延長方向的第一方向交叉方向的第二方向測量的寬度，可以短於所述第一電極及所述第二電極的中心間的隔開間隔，可以長於所述第一電極與所述第二電極的相互相對的各側部間隔開的間隔。
在所述開口部的中心沿所述第一方向測量的寬度，可以短於在所述開口部的兩端部沿所述第一方向測量的寬度。
其他實施例的具體事項包含於詳細說明及圖式中。
一個實施例的顯示裝置包括使第一電極和第二電極上的絕緣層中一部分區域露出的開口部圖案，可以誘導發光元件對齊到所述開口部圖案 內。因此，所述開口部圖案在第一電極與第二電極相對的區域上，具有預定間隔地隔開配置，從而可以均一地對齊發光元件。因此，顯示裝置各像素可以具有均一的亮度。
實施例的效果不限定於以上舉例的內容，更多樣的效果包含於本說明書內。
10、10_1、10_2、10_3、10_4:顯示裝置
110:基板
115:緩衝層
120、140:薄膜電晶體
121:第一閘電極
123:第一汲電極
124:第一源電極
126:第一活性層
128:電容器電極
129:第一接觸孔
141:第二閘電極
143:第二汲電極
144:第二源電極
146:第二活性層
149:第二接觸孔
161:電源配線
162:電源電極
163:輔助層
169:第三接觸孔
170:第一閘極絕緣層
180:第二閘極絕緣層
190:層間絕緣層
300:絕緣基板層
310、310_1、310_2、310_3:第一電極
311、321:反射層
312:第一電極層
320、320_1、320_2、320_3:第二電極
322:第二電極層
350:發光元件
351:第一導電型半導體層
352:第二導電型半導體層
353:活性物質層
357:電極物質層
358:絕緣性物質層
361、362:接觸電極
410、420:隔壁
510:第一絕緣層
520:第二絕緣層
530:第三絕緣層
550:鈍化層
310B、310B_1、310_2、310B_3、310B_4:第一電極分支部
310B1_4:第一電極分支部的連接部
310B2_4:第一電極分支部的相對部
310S、310S_1、310S_2、310S_3、310S_4:第一電極主幹部
319_1:第四接觸孔
319_2:第五接觸孔
320B、320B_1、320B_2、320B_3、320B_4:第二電極分支部
320B1_4:第二電極分支部的連接部
320B2_4:第二電極分支部的相對部
320S、320S_1、320S_2、320S_3、320S_4:第二電極主幹部
350_1:第一發光元件
350_2、520_1、520_2、520_3、520_4:第二發光元件
350_3:第三發光元件
520P、520P_1、520P_2、520P_3、520P_4:開口部
CB:沿截斷部
CNTD:第一電極接觸孔
CNTS:第二電極接觸孔
Cst:儲存電容器
D1:第一方向
D2:第二方向
d1、d2、d2_2、d2'_2、d2_3、d2'_3:寬度
Dj:數據訊號
DLj:第j數據線
l1、l2:間隔
PX1、PX2、PX3:像素
QVDD:第一驅動電壓
QVDDL:第一驅動電壓線
QVSS:第二驅動電壓
QVSSL:第二驅動電壓線
Si:掃描訊號
SLi:第i掃描線
TR1:第一開關元件
TR2:第二開關元件
第1圖是一個實施例的顯示裝置的俯視圖。
第2圖是放大第1圖的A部分的放大圖。
第3圖是第1圖的顯示裝置的一個像素的等效電路圖。
第4圖是沿第1圖的I-I’線和II-II’線截斷的剖面圖。
第5圖是顯示第1圖的顯示裝置的一部分的剖面圖。
第6圖是另一實施例的顯示裝置的俯視圖。
第7圖是一個實施例的發光元件的概略圖。
第8圖至第12圖是概略地繪示一個實施例的顯示裝置的製造方法的俯視圖。
第13圖至第15圖是概略地繪示另一實施例的顯示裝置的俯視圖。
第16圖是又一實施例的顯示裝置的俯視圖。
第17圖是又一實施例的顯示裝置的剖面圖。
如果參照後面與圖式一同詳細敘述的實施例，本發明的優點及特徵以及達成其的方法將會明確。但是，本發明並非限定於以下公開的實施例，可以以互不相同的多樣形態體現，不過，本實施例提供用於使本發明的公開更 完整，向本發明所屬技術領域的具有通常知識者更完整地告知發明的範疇，本發明只由申請專利範圍的範疇定義。
當指稱元件(elements)或層在其他元件或層之「上(on)」時，全部包括在緊鄰其他元件的上面或中間插入其他層或其他元件的情形。在通篇說明書中，相同圖式標記指稱相同元件。
第一、第二等雖然用於敘述多樣構成元件，但這些構成元件當然不由這些術語所限制。這些術語只用於將一個構成元件區別於其他構成元件。因此，以下提及的第一構成元件，在本發明的技術思想內，當然也可以為第二構成元件。
下面以圖式為參考，對實施例進行說明。
第1圖是一個實施例的顯示裝置的剖面圖。
顯示裝置10可以至少包括一個定義為像素PX的區域。多個像素PX可以配置於顯示裝置10的顯示部，將各個特定波段的光釋放到顯示裝置10的外部。在第1圖中，示例性繪示了三個像素PX1、PX2、PX3，但顯示裝置10可以包括更多數量的像素，這是不言而喻的。在圖中，繪示了只向剖面上一個方向，例如只向第一方向D1配置的多個像素PX，但多個像素PX也可以向作為與第一方向D1交叉方向的第二方向D2配置。另外，第1圖的像素PX也可以分割為多個，分別構成一個像素PX。並非必須如第1圖所示，像素只平行地向第一方向D1配置，也可以是沿垂直方向(或者，第二方向D2)配置或配置成Z字形等多樣的結構。
雖然圖中未示出，但顯示裝置10可以包括配置有發光元件350並顯示特定顏色的光的發光部、定義為發光部之外區域的非發光部。非發光部可 以被特定構件覆蓋，以便在顯示裝置10外部看不到。在非發光部可以配置有用於驅動在發光部配置的發光元件350所需的多樣構件。作為一個示例，在非發光部，可以配置有用於向發光部施加電訊號的配線、電路部、驅動部等，但並非限定於此。
多個像素PX可以包括一個以上釋放特定波段的光的發光元件350並顯示顏色。發光元件350釋放的光可以藉由顯示裝置10的發光部而在外部顯示。在一個實施例中，顯示互不相同顏色的每個像素PX，可以包括發出互不相同顏色的光的發光元件350。例如，顯示紅色的第一像素PX1可以包括發出紅色光的發光元件350，顯示綠色的第二像素PX2可以包括發出綠色光的發光元件350，顯示藍色的第三像素PX3可以包括釋放藍色光的發光元件350。不過，並非限定於此，根據情況，也可以是表現互不相同顏色的像素包括發出相同顏色(例如藍色)的光的發光元件350，在發光路徑上配置波長變換層或彩色濾鏡，體現各像素的顏色。不過，並非限定於此，根據情況，鄰接的像素PX也可以釋放相同顏色的光。
如果參照第1圖，顯示裝置10可以包括多個電極310、320、在多個電極310、320上配置的第二絕緣層520的開口部520P及多個發光元件350。各電極310、320的至少一部分可以配置於各像素PX內，與發光元件350電性連接，接入電訊號，以便發光元件350發出特定顏色的光。
另外，各電極310、320的至少一部分為了對齊發光元件350，可以用於在像素PX內形成電場。如果具體說明，在使多個像素PX中發出互不相同顏色光的發光元件350對齊時，需要按各像素PX，使互不相同的發光元件350準確地對齊。在利用介電泳法使發光元件350對齊時，將包括發光元件350的溶液 塗覆於顯示裝置10，向其施加交流電源，形成因電場導致的電容，可以對發光元件350施加介電泳力而使之對齊。
其中，配備有第二絕緣層520，其覆蓋各電極310、320地配置，且藉由開口部520P而使各電極310、320一部分露出，發光元件350可以在各電極310、320上，在均一的位置對齊。開口部520P可以控制在各電極310、320上形成的電場的強度，在特定區域更強地形成介電泳力。因此，發光元件350可以在施加更強介電泳力的特定區域優先對齊。因此，可以根據開口部520P的形狀，在各電極310、320上控制發光元件350的對齊。更詳細說明將在後面敘述。
多個電極310、320可以包括第一電極310及第二電極320。在示例性的實施例中，第一電極310可以是按各像素PX分離的像素電極，第二電極320可以是按多個像素PX共同連接的共同電極。第一電極310可以為發光元件350的陽極電極，第二電極320可以為發光元件350的陰極電極。不過，並非限定於此，也可以是其相反情形。換句話說，第一電極310與第二電極320中任意一個可以為陽極電極，另一個可以為陰極電極。
第一電極310與第二電極320可以分別包括：沿第一方向D1延長配置的電極主幹部310S、320S；從電極主幹部310S、320S沿著作為與第一方向D1交叉方向的第二方向D2延長並分支的至少一個電極分支部310B、320B。
具體而言，第一電極310可以包括：沿第一方向D1延長配置的第一電極主幹部310S，從第一電極主幹部310S分支且沿第二方向D2延長的至少一個第一電極分支部310B。雖然圖中未示出，但第一電極主幹部310S的一端部可以連接於訊號接入焊盤，另一端部沿第一方向D1延長，且在各像素PX之間使電性連接可以分離。所述訊號接入焊盤可以與顯示裝置10或外部的電源連接，向 第一電極主幹部310S施加電訊號，或在所述的發光元件350對齊時，施加交流電源。
任意一個像素的第一電極主幹部310S可以置於與屬於同一行(例如，沿第一方向D1鄰接的)的相鄰像素的第一電極主幹部310S實質上相同的直線上。換句話說，一個像素的第一電極主幹部310S的兩端在各像素PX之間隔開並終止，且相鄰像素的第一電極主幹部310S可以對齊於所述一個像素的第一電極主幹部310S的延長線。這種第一電極主幹部310S的配置可以是在製造過程中，以一個連接的主幹電極形成，而在執行發光元件350的對齊步驟後，藉由雷射等而斷線形成。因此，配置於各像素PX的第一電極主幹部310S可以向各第一電極分支部310B施加互不相同的電訊號，第一電極分支部310B可以分別獨立驅動。
第一電極分支部310B從第一電極主幹部310S的至少一部分分支，沿第二方向D2延長配置，且可以在與第一電極主幹部310S相對配置的第二電極主幹部320S隔開的狀態下終止。即，第一電極分支部310B的一端部可以與第一電極主幹部310S連接，另一端部可以以與第二電極主幹部320S隔開的狀態，配置於像素PX內。第一電極分支部310B連接於各像素PX電性分離的第一電極主幹部310S，因而可以按各像素PX，接受互不相同的電訊號。
另外，第一電極分支部310B可以在各像素PX配置一個以上。在第1圖中，繪示了配置有兩個第一電極分支部310B的情形，但不限定於此，可以配置多個。此時，第一電極分支部310B相互隔開配置，可以與後述第二電極分支部320B分別隔開。在一些實施例中，在第一電極分支部310B之間配置有第二 電極分支部320B，各像素PX可以以第二電極分支部320B為基準具有對稱結構。不過，不限定於此。
第二電極320可以包括：第二電極主幹部320S，其沿第一方向D1延長，與第一電極主幹部310S隔開地相對配置；至少一個第二電極分支部320B，其從第二電極主幹部320S分支，且沿第二方向D2延長，與第一電極分支部310B隔開地相對配置。第二電極主幹部320S也與第一電極主幹部310S一樣，一端部可以連接於訊號接入焊盤。不過，第二電極主幹部320S的另一端部可以延長到沿第一方向D1鄰接的多個像素PX。即，第二電極主幹部320S可以在各像素PX之間電性連接。因此，任意一個像素第二電極主幹部320S的兩端可以在各像素PX之間，連接於相鄰像素的第二電極主幹部320S的一端，向各像素PX施加相同的電訊號。
第二電極分支部320B從第二電極主幹部320S的至少一部分分支，沿第二方向D2延長配置，且可以在與第一電極主幹部310S隔開的狀態下終止。即，第二電極分支部320B的一端部可以與第二電極主幹部320S連接，另一端部以與第一電極主幹部310S隔開的狀態，配置於像素PX內。第二電極分支部320B連接於各像素PX電性連接的第二電極主幹部320S，因而可以按各像素PX接收相同的電訊號。
另外，第二電極分支部320B可以與第一電極分支部310B隔開地相對配置。其中，第一電極主幹部310S與第二電極主幹部320S以各像素PX的中央為基準，在相互相反方向上隔開並相對，因而第一電極分支部310B與第二電極分支部320B的延長的方向可以相反。換句話說，第一電極分支部310B沿第二方向D2的一個方向延長，第二電極分支部320B沿第二方向D2的另一方向延長， 各分支部的一端部可以以像素PX的中央為基準，在相互相反方向配置。不過，不限定於此，第一電極主幹部310S與第二電極主幹部320S也可以以像素PX的中央為基準，在相同的方向上相互隔開地配置。此時，從各電極主幹部310S、320S分支的第一電極分支部310B和第二電極分支部320B也可以沿相同的方向延長。
在第一電極分支部310B與第二電極分支部320B之間，多個發光元件350可以對齊。具體而言，多個發光元件350中至少一部分的一端部可以與第一電極分支部310B電性連接，另一端部可以與第二電極分支部320B電性連接。另外，在與發光元件350連接的第一電極分支部310B和第二電極分支部320B上，可以分別配置有接觸電極361、362。接觸電極361、362可以與發光元件350接觸，以便發光元件350與各電極分支部310B、320B電性連接。接觸電極361、362至少可以在發光元件350兩端的側部接觸。因此，發光元件350可以接受電訊號，釋放特定顏色的光。
在一些實施例中，發光元件350接觸第一電極分支部310B的一端可以為n型摻雜的導電性物質層，發光元件350與第二電極分支部320B接觸的另一端可以為p型摻雜的導電性物質層。不過，不限定於此。
多個發光元件350可以配置於第一電極310與第二電極320之間，在第一電極310與第二電極320上，配置有第二絕緣層520的開口部520P，以便覆蓋他們且露出一部分，在開口部520P上可以配備有多個發光元件350。
具體而言，在第一電極310與第二電極320上配置第一絕緣層510(第4圖所示)，在第一絕緣層510上可以配置有第二絕緣層520，所述第二絕緣層520經過圖案化，使得第一電極310和第二電極320與第一絕緣層510重疊的區 域中至少一部分露出。第二絕緣層520包括開口部520P，使第一絕緣層510的至少一部分可以露出。
第一絕緣層510配備得覆蓋第一電極310和第二電極320，可以保護他們。在顯示裝置10的製造過程中，為了防止第一電極310與第二電極320短路(short)的現象，可以配置有第一絕緣層510。第一絕緣層510也在第一電極310與第二電極320相互相對地隔開的區域配置，可以使他們電性絕緣。另外，雖然圖中未示出，但在第一電極310與第二電極320上部的至少一部分，第一絕緣層510進行圖案化，後述的接觸電極361、362可以與第一電極310或第二電極320接觸。
第二絕緣層520可以配置於第一絕緣層510上並圖案化，使得第一絕緣層510與第一電極310及第二電極320重疊區域中至少一部分露出。作為一個示例，第二絕緣層520可以圖案化，使得第一絕緣層510與第一電極310和第二電極320相互相對的各側部重疊的區域中至少一部分露出。即，第二絕緣層520包括開口部520P，開口部520P在第一電極310與第二電極320相對的所述各側部，可以使第一絕緣層510的至少一部分露出。發光元件350可以在第一電極310與第二電極320之間，配置於所述露出的第一絕緣層510上。在第1圖中，繪示了開口部520P為構成角的四邊形的情形，但不限定於此，開口部520P的形態或結構、配置等可以多種多樣。
第一絕緣層510和第二絕緣層520的更詳細的配置或層疊結構等，後面將參照第4圖所示的顯示裝置10的剖面圖進行敘述。下面對開口部520P的形狀或配置等進行詳細說明。
第2圖是放大第1圖的A部分的放大圖。
如果參照第1圖及第2圖，第二絕緣層520包括多個開口部520P，開口部520P可以相互隔開配置。開口部520P相互隔開，第二絕緣層520所在區域也可以發揮以開口部520P為中心連接第一方向D1一側區域與另一側區域的橋接功能。不過，並非限定於此，開口部520P作為第二絕緣層520的一部分圖案化並露出的區域，在開口部520P間也可以存在未圖案化的區域。
多個開口部520P可以沿第二方向D2排列。任意的開口部520P與相鄰的其他開口部520P隔開配置，在互不相同的開口部520P之間，可以配置有第二絕緣層520。在一個像素PX內的開口部520P之間配置的第二絕緣層520可以沿第一方向D1延長，可以與在相鄰像素PX內的開口部520P之間配置的另一第二絕緣層520實質上置於一條直線上。換句話說，開口部520P使第二絕緣層520的一部分露出，從而第二絕緣層520可以實質上配置成格子形。
開口部520P在第一電極310與第二電極320相互相對的區域配置，可以配置得與第一電極310和第二電極320相互相對的各側部重疊。一個開口部520P可以從第一電極310和第二電極320的所述各側部，分別朝向第一電極310和第二電極320的中心凸出地配置。
具體而言，沿開口部520P的一軸方向，例如沿第一方向D1測量的寬度d1，可以短於第一電極310與第二電極320的中心間隔開的間隔l2，長於第一電極310與第二電極320的相互相對的各側部間隔開的間隔l1。即，開口部520P在第一絕緣層510上配備使得第一電極310與第二電極320的所述各側部露出，且覆蓋第一電極310與第二電極320各自中央。另外，開口部520P的中心與第一電極310和第二電極320的所述各側部間隔開的區域的中心可以相互對齊。換句話說，開口部520P可以在第一電極310與第二電極320之間構成對稱結構。不過， 並非限定於此，在一些實施例中，開口部520P的中心也可以配置得與任意一個電極鄰接，在第一電極310與第二電極320上構成非對稱結構。
發光元件350的長軸的長度h(第7圖所示)，可以長於第一電極310與第二電極320的各側部間隔開的間隔l1，且短於第一電極310與第二電極320各自中心間隔開的間隔l2。在示例性的實施例中，第一電極310與第二電極320的各自中心間隔開的間隔l2，可以為發光元件350長軸的長度h的1.25倍至1.75倍。作為一個示例，當發光元件350的長軸的長度h為4μm至7μm時，第一電極310與第二電極320的各自中心間隔開的間隔l2可以為5μm至12μm。不過，不限定於此。因此，在開口部520P上，發光元件350的兩端部分別配置於第一電極310和第二電極320上，後述的接觸電極361、362與發光元件350的兩端部可以接觸。
另一方面，沿與開口部520P的所述一軸交叉的另一軸方向測量的寬度，例如沿第二方向D2測量的寬度d2、d2’，可以向各電極310、320的中央越來越既定。如果參照第2圖，從開口部520P的中心沿第二方向D2測量的寬度d2，可以與從開口部520P的端部沿第二方向D2測量的寬度d2’相同。即，開口部520P的形狀實質上可以為構成角的四邊形。不過，開口部520P的形狀不限於此，可以具有多樣結構。在一些實施例中，沿開口部520P的第二方向D2測量的寬度d2可以是向開口部520P端部越來越短，開口部520P的兩端部呈圓形形成。在另一實施例中，在開口部520P的中心測量的寬度d2也可以向各電極310、320的中央越來越長。更詳細的說明參照另一實施例。
另外，沿開口部520P的第二方向D2測量的寬度d2，可以比沿第一電極310及第二電極320的第二方向D2測量的寬度短。因此，在一個第一電極310及第二電極320上，可以配置多個開口部520P。
多個發光元件350如上所述，在第一電極310與第二電極320之間，配置於開口部520P上。發光元件350的一端部可以與第一電極310或第一電極分支部310B接觸，另一端部可以與第二電極320或第二電極分支部320B接觸。作為一個示例，發光元件350可以沿第二方向D2對齊，相互平行地隔開配置。
發光元件350可以包括：任意的第一發光元件350_1；在第一發光元件350_1與第一開口部520P_1內比較鄰接地配置的任意的第二發光元件350_2；及在與第一開口部520P_1相鄰地配置的第二開口部520P_2上配置的任意的第三發光元件350_3。第一發光元件350_1與第二發光元件350_2可以在第一開口部520P_1內，以相互隔開的狀態，在第一電極310與第二電極320之間對齊。第一發光元件350_1與第二發光元件350_2隔開的間隔可以既定，但不限定於此，可以多種多樣。
第三發光元件350_3在與第一發光元件350_1和第二發光元件350_2所配置的第一開口部520P_1隔開既定間隔的第二開口部520P_2上配置，且以相互隔開的狀態對齊。第一開口部520P_1和第二開口部520P_2可以相互隔開既定間隔。即，第一發光元件350_1可以與第二發光元件520_2隔開多樣的間隔，但可以與第三發光元件350_3比較均一地隔開。
另外，發光元件350可以在開口部520P上以高密度配置，多個開口部520P隔開，在第二絕緣層520所在區域，例如在以開口部520P為中心連接第一方向D1的一側區域與另一側區域的橋接區域，較少地配置。
當向第一電極310與第二電極320之間施加交流電源而形成由電場引起的電容時，可以向發光元件350傳遞介電泳力(FDEP)。向發光元件350 施加的介電泳力的強度會因電場的空間性變化而不同。例如，當存在電場強度不同的兩個鄰接區域時，介電泳力會更強地作用於電場的強度更強的區域方向。
第二絕緣層520的開口部520P配置得使第一絕緣層510的一部分區域露出，因而由交流電源形成的電場的強度，在第一絕緣層510與第二絕緣層520上會不同。根據第一絕緣層510和第二絕緣層520的材料選擇，假定在第一絕緣層510形成的電場的強度更強時，在第一絕緣層510與第二絕緣層520上形成的電場的強度會在第二絕緣層520的開口部520P上發生空間性變化。因此，在開口部520P上，施加於發光元件350的介電泳力會更強。因此，在第一電極310與第二電極320之間，可以優先誘導發光元件350向開口部520P上對齊。
開口部520P可以使得發光元件350在各像素PX內均一地配置。發光元件350在第一絕緣層510上直接根據介電泳法而對齊時，在第一電極310與第二電極320之間，可按任意的對齊度配置。相反，當在形成包括開口部520P的第二絕緣層520後對齊發光元件350時，在開口部520P上，發光元件350優先對齊，因而可以均一地對齊發光元件350。因此，顯示裝置10各像素PX可以具有均一的亮度，根據發光元件350的對齊，可以防止一個像素PX中光線分離釋放的現象。
另一方面，如第1圖所示，第一電極主幹部310S和第二電極主幹部320S可以藉由各個接觸孔，例如，藉由第一電極接觸孔CNTD及第二電極接觸孔CNTS，與後述薄膜電晶體120或電源配線161電性連接。在第1圖中，繪示了第一電極主幹部310S與第二電極主幹部320S上的接觸孔按各像素PX配置的情形，但並非限定於此。如上所述，就第二電極主幹部320S而言，由於可以延長到鄰接像素PX並電性連接，因而在一些實施例中，第二電極主幹部320S可以藉由一個接觸孔，與薄膜電晶體電性連接。
第3圖是第1圖的顯示裝置的一個像素的等效電路圖。雖然圖中未示出，顯示裝置10可以包括多個像素PX。在第2圖中，示例性繪示任意的第i、j像素PXi、j進行說明。
如果參照第3圖，顯示裝置10的任意的像素PX(i,j)可以包括第i掃描線SLi、第j數據線DLj、第一開關元件TR1、第二開關元件TR2、發光元件350及儲存電容器Cst。
第一開關元件TR1可以與第i掃描線SLi、第j數據線DLj及第二開關元件TR2電性連接。在示例性的實施例中，第一開關元件TR1和第二開關元件TR2可以是諸如薄膜電晶體的三端子元件。下面以第一開關元件TR1及第二開關元件TR2是薄膜電晶體的情形為例進行說明。
第一開關元件TR1可以包括與第i掃描線SLi電性連接的控制電極、與第j數據線DLj電性連接的一個電極及與第二開關元件TR2的控制電極電性連接的另一電極。
第二開關元件TR2可以包括與第二開關元件TR2的另一電極電性連接的控制電極、與提供第一驅動電壓QVDD的第一驅動電壓線QVDDL電性連接的一個電極及與發光元件350電性連接的另一電極。
儲存電容器Cst的一個電極可以與第一開關元件TR1另一電極電性連接，另一電極可以與提供第一驅動電壓QVDD的第一驅動電壓線QVDDL電性連接。
第一開關元件TR1可以根據從第i掃描線SLi提供的掃描訊號Si而開啟，將從第j數據線DLj提供的數據訊號Dj提供給儲存電容器Cst。儲存電容器Cst利用接受提供的數據訊號Dj電壓與第一驅動電壓QVDD電壓差進行充電。第 二開關元件TR2可以根據向儲存電容器Cst充電的電壓，控制向發光元件350提供的驅動電流的電流量。即，第一開關元件TR1可以為開關電晶體，第二開關元件TR2可以為驅動電晶體。
發光元件350與第一電極310連接的一端部，可以與第二開關元件TR2的所述另一電極電性連接。發光元件350可以藉由第二開關元件TR2的所述另一電極而接受電流。發光元件350與第二電極320連接的另一端部，可以與第二驅動電壓線QVSSL電性連接而接入第二驅動電壓QVSS。第一驅動電壓QVDD的電壓水平可以高於第二驅動電壓QVSS。
另一方面，在第3圖中，繪示了顯示裝置10包括兩個作為開關元件的第一開關元件TR1、第二開關元件TR2和一個作為電容器的儲存電容器Cst的情形，但並非限定於此。在一些實施例中，顯示裝置10可以包括更多數量的開關元件。雖然圖中未示出，顯示裝置10也可以包括互不相同的七個開關元件和一個驅動開關元件及一個儲存電容器。
下面參照第4圖，對在顯示裝置10上配置的多個構件的更具體結構進行說明。
第4圖是沿第1圖的I-I’線和II-II’線截斷的剖面圖。第4圖雖然只繪示了一個像素PX，但在其他像素的情況下，也可以相同地應用。
如果參照圖1及第4圖，顯示裝置10可以包括基板110、在基板110上配置的薄膜電晶體120、140、在薄膜電晶體120、140上部配置的電極310、320和發光元件350。薄膜電晶體可以包括第一薄膜電晶體120和第二薄膜電晶體140，他們可以分別為驅動電晶體和開關電晶體。各薄膜電晶體120、140可以包 括活性層、閘電極、源電極及汲電極。第一電極310可以與第一薄膜電晶體120的汲電極電性連接。
如果更具體說明，基板110可以為絕緣基板。基板110可以由玻璃、石英或高分子樹脂等絕緣物質構成。作為所述高分子物質的示例，可以為聚醚碸(polyethersulphone：PES)、聚丙烯酸酯(polyacrylate：PA)、聚芳酯(polyarylate：PAR)、聚醚醯亞胺(polyetherimide：PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene napthalate：PEN)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(polyethyleneterepthalate：PET)、聚苯硫醚(polyphenylene sulfide：PPS)、聚烯丙酯(polyallylate)、聚醯亞胺(polyimide：PI)、聚碳酸酯(polycarbonate：PC)、三乙酸纖維素(cellulose triacetate：CAT)、醋酸丙酸纖維素(cellulose acetate propionate：CAP)或他們的組合。基板110可以為剛性基板，也可以為能夠彎曲(bending)、折疊(folding)、軋製(rolling)等的軟性(flexible)基板。
在基板110上可以配置有緩衝層115。緩衝層115可以防止雜質離子擴散，防止水分或外部氣體侵入，執行表面平坦化功能。緩衝層115可以包括矽氮化物、矽氧化物或矽氮氧化物等。
在緩衝層115上配置有半導體層。半導體層可以包括第一薄膜電晶體120的第一活性層126、第二薄膜電晶體140的第二活性層146及輔助層163。半導體層可以包括多晶矽、單晶矽、氧化物半導體等。
在半導體層上配置有第一閘極絕緣層170。第一閘極絕緣層170覆蓋半導體層。第一閘極絕緣層170可以發揮薄膜電晶體的閘極絕緣膜的功能。第一閘極絕緣層170可以包括矽氧化物、矽氮化物、矽氮氧化物、鋁氧化物、鉭氧化物、鉿氧化物、鋯氧化物、鈦氧化物等。他們可以單獨或相互組合使用。
在第一閘極絕緣層170上配置有第一導電層。第一導電層可以包括：第一閘電極121，其將第一閘極絕緣層170置於之間，配置於第一薄膜電晶體120的第一活性層126上；在第二薄膜電晶體140的第二活性層146上配置的第二閘電極141；及在輔助層163上配置的電源配線161。第一導電層可以包括在鉬(Mo)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鈣(Ca)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鎢(W)、銅(Cu)中選擇的一種以上金屬。第一導電層可以為單一膜或多層膜。
在第一導電層上配置有第二閘極絕緣層180。第二閘極絕緣層180可以為層間絕緣膜。第二閘極絕緣層180可以由矽氧化物、矽氮化物、矽氮氧化物、鉿氧化物、鋁氧化物、鈦氧化物、鉭氧化物、鋅氧化物等無機絕緣物質構成。
在第二閘極絕緣層180上配置有第二導電層。第二導電層包括將第二絕緣層置於之間並配置於第一閘電極121上的電容器電極128。電容器電極128可以與第一閘電極121構成保持電容器。
第二導電層可以與所述第一導電層相同地包含在鉬(Mo)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鈣(Ca)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鎢(W)、銅(Cu)中選擇的一種以上金屬。
在第二導電層上配置有層間絕緣層190。層間絕緣層190可以為層間絕緣膜。進一步而言，層間絕緣層190可以執行表面平坦化功能。層間絕緣層190可以包含丙烯酸類樹脂(polyacrylates resin)、環氧樹脂(epoxy resin)、酚 醛樹脂(phenolic resin)、聚醯胺類樹脂(polyamides resin)、聚醯亞胺類樹脂(polyimides resin)、不飽和聚酯類樹脂(unsaturatedpolyesters resin)、聚亞苯醚類樹脂(poly phenylenethers resin)、聚亞苯基硫醚類樹脂(polyphenylenesulfides resin)或苯並環丁烯(benzocyclobutene、BCB)等有機絕緣物質。
在層間絕緣層190上配置有第三導電層。第三導電層包括第一薄膜電晶體120的第一汲電極123和第一源電極124、第二薄膜電晶體140的第二汲電極143和第二源電極144，以及在電源配線161上部配置的電源電極162。
第一源電極124及第一汲電極123可以分別藉由貫通層間絕緣層190和第二閘極絕緣層180的第一接觸孔129，與第一活性層126電性連接。第二源電極144及第二汲電極143可以分別藉由貫通層間絕緣層190和第二閘極絕緣層180的第二接觸孔149，與第二活性層146電性連接。電源電極162可以藉由貫通層間絕緣層190和第二閘極絕緣層180的第三接觸孔169，與電源配線161電性連接。
第三導電層可以包含在鋁(Al)、鉬(Mo)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鈣(Ca)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鎢(W)、銅(Cu)中選擇的一種以上金屬。第三導電層可以為單一膜或多層膜。例如，第三導電層可以以Ti/Al/Ti、Mo/Al/Mo、Mo/AlGe/Mo、Ti/Cu等層疊結構形成。
在第三導電層上配置有絕緣基板層300。絕緣基板層300可以由丙烯酸類樹脂(polyacrylates resin)、環氧樹脂(epoxy resin)、酚醛樹脂(phenolic resin)、聚醯胺類樹脂(polyamides resin)、聚醯亞胺類樹脂(polyimides resin)、不飽和聚酯類樹脂(unsaturatedpolyesters resin)、聚亞苯醚類樹脂(poly phenylenethers resin)、聚亞苯基硫醚類樹脂(polyphenylenesulfides resin)或苯並環丁烯(benzocyclobutene、BCB)等有機物質構成。絕緣基板層300的表面可以是平坦的。
在絕緣基板層300上可以配置有多個隔壁410、420。多個隔壁410、420在各像素PX內相互隔開地相對配置，在相互隔開的隔壁410、420，例如在第一隔壁410與第二隔壁420上，可以分別配置有第一電極310和第二電極320。在第1圖和第4圖中，繪示了在一個像素PX內配置有三個隔壁410、420，具體而言，配置有兩個第一隔壁410和一個第二隔壁420，配置有兩個第一電極310和一個第二電極320的情形。
不過，不限定於此，在一個像素PX內也可以配置許多數量的隔壁410、420。例如，也可以配置有更多多數量的隔壁410、420，配置有更多數量的第一電極310和第二電極320。隔壁410、420也可以包括在其上配置有第一電極310的至少一個第一隔壁410、在其上配置有第二電極320的至少一個第二隔壁420。此時，第一隔壁410與第二隔壁420相互隔開地相對配置，且多個隔壁可以沿一個方向相互交替地配置。在一些實施例中，兩個第一隔壁410隔開配置，在所述隔開的第一隔壁410之間，也可以配置有一個第二隔壁420。
另一方面，多個隔壁410、420可以以實質上相同的物質構成，可以在一個步驟中形成。此時，隔壁410、420也可以構成一個格子型圖案。隔壁410、420可以包括聚醯亞胺(PI)。
另一方面，雖然圖中未示出，多個隔壁410、420中至少一部分也可以配置於各像素PX的邊界，對他們進行相互區分。這種隔壁也可以與所述第 一隔壁410及第二隔壁420一同實質上配置成格子形圖案。在各像素PX邊界配置的隔壁410、420中至少一部分，也可以覆蓋顯示裝置10電極線地形成。
在多個隔壁410、420上可以配置有反射層311、321。
第一反射層311覆蓋第一隔壁410，藉由貫通絕緣基板層300的第四接觸孔319_1，與第一薄膜電晶體120的第一汲電極123電性連接。第二反射層321覆蓋第二隔壁420，藉由貫通絕緣基板層300的第五接觸孔319_2，與電源電極162電性連接。
第一反射層311可以在像素PX內，藉由第四接觸孔319_1，與第一薄膜電晶體120的第一汲電極123電性連接。因此，第一薄膜電晶體120可以配置於與像素PX重疊的區域。在第1圖中，繪示了藉由在第一電極主幹部310S上配置的第一電極接觸孔CNTD而與第一薄膜電晶體120電性連接的情形。即，第一電極接觸孔CNTD可以為第四接觸孔319_1。
第二反射層321也可以在像素PX內，藉由第五接觸孔319_2而與電源電極162電性連接。在第4圖中，繪示了在一個像素PX內，第二反射層321藉由第五接觸孔319_2連接的情形。在第1圖中，繪示了藉由第二電極主幹部320S上的多個第二電極接觸孔CNTS，各像素PX的第二電極320與電源配線161電性連接的情形。即，第二電極接觸孔CNTS可以為第五接觸孔319_2。不過，並非限定於此。例如，在第1圖中，第二電極接觸孔CNTS即使在第二電極主幹部320S上，也可以配置於多樣位置，根據情況，也可以位於第二電極分支部320B上。另外，在一些實施例中，第二反射層321在一個像素PX之外的區域，可以與一個第二電極接觸孔CNTS或第五接觸孔319_2連接。
第6圖是另一實施例的顯示裝置的俯視圖。
在顯示裝置10的像素PX所配置的發光部之外的區域，例如在像素PX的外側部，可以存在不配置發光元件350的非發光區域。如上所述，各像素PX的第二電極320可以藉由第二電極主幹部320S而相互電性連接，接受相同的電訊號。
如果參照第6圖，在一些實施例中，就第二電極320而言，在位於顯示裝置10外側部的所述非發光區域，第二電極主幹部320S可以藉由一個第二電極接觸孔CNTS而與電源電極162電性連接。不同於第1圖的顯示裝置10，即使第二電極主幹部320S藉由一個接觸孔而與電源電極162連接，由於第二電極主幹部320S在鄰接的像素PX延長配置並電性連接，因而可以向各像素PX的第二電極分支部320B施加相同的電訊號。就顯示裝置10的第二電極320而言，用於從電源電極162接受電訊號的接觸孔的位置也可以根據顯示裝置10結構而多種多樣。不限定於此。
另一方面，如果再次參照第1圖和第4圖，反射層311、321為了使發光元件350釋放的光反射，可以包含反射率高的物質。作為一個示例，反射層311、321可以包含諸如銀(Ag)、銅Cu等的物質，但並非限定於此。
多個隔壁410、420可以以絕緣基板層300為基準具有至少一部分凸出的結構。隔壁410、420可以以發光元件350所配置的平面為基準，向上部凸出，所述凸出的部分至少一部分可以具有傾斜。傾斜地凸出的結構的隔壁410、420可以使在其上配置的反射層311、321反射入射的光。從發光元件350朝向反射層311、321的光被反射，可以向顯示裝置10的外部方向，例如，向隔壁410、420的上部傳遞。
在第一反射層311及第二反射層321上，可以分別配置有第一電極層312及第二電極層322。
第一電極層312緊鄰配置於第一反射層311的上面。第一電極層312可以具有與第一反射層311實質上相同的圖案。第二電極層322在第二反射層321的上面緊鄰配置，且與第一電極層312隔開地配置。第二電極層322可以具有與第二反射層321實質上相同的圖案。
在一個實施例中，電極層312、322可以分別覆蓋下部的反射層311、321。即，電極層312、322可以大於反射層311、321地形成，覆蓋電極層312、322的端部側面。但是，並非限定於此。
第一電極層312和第二電極層322可以分別將傳遞到與第一薄膜電晶體120或電源電極162連接的第一反射層311和第二反射層321的電訊號傳遞給後述的接觸電極。電極層312、322可以包括透明性、導電性物質。作為一個示例，電極層312、322可以包含諸如氧化銦錫(ITO，Indium Tin Oxide)、氧化銦鋅(IZO，Indium Zinc Oxide)、氧化銦錫鋅(ITZO，Indium Tin-Zinc Oxide)等的物質，但並非限定於此。在一些實施例中，反射層311、321和電極層312、322可以構成由諸如ITO、IZO、ITZO等的透明導電層與諸如銀、銅的金屬層，分別層疊一層以上的結構。作為一個示例，反射層311、321和電極層312、322也可以形成ITO/銀(Ag)/ITO的層疊結構。
在第一隔壁410上配置的第一反射層311和第一電極層312可以構成第一電極310。第一電極310可以從第一隔壁410的兩末端凸出到延長區域，因此，第一電極310可以在所述凸出的區域，與絕緣基板層300接觸。在第二隔壁420上配置的第二反射層321和第二電極層322可以構成第二電極320。第二電極 320可以從第二隔壁420的兩末端凸出到延長的區域，因此，第二電極320可以在所述凸出的區域，與絕緣基板層300接觸。
第一電極310和第二電極320可以分別覆蓋第一隔壁410和第二隔壁420的全部區域地配置。不過，如上所述，第一電極310和第二電極320相互隔開地相對配置。在各電極隔開的間隙，如後所述，配置有第一絕緣層510，在其上部可以配置有發光元件350。
另外，第一反射層311可以從第一薄膜電晶體120接受傳遞驅動電壓，第二反射層321可以從電源配線161接受傳遞電源電壓，因此，第一電極310和第二電極320分別接受驅動電壓和電源電壓的傳遞。如後所述，第一電極310可以與第一薄膜電晶體120電性連接，第二電極320可以與電源配線161電性連接。因此，在第一電極310和第二電極320上配置的第一接觸電極361及第二接觸電極362，可以接受所述驅動電壓和電源電壓。所述驅動電壓和電源電壓傳遞到發光元件350，在電流流經發光元件350的同時，可以釋放光。
在第一電極310和第二電極320的一部分區域上，配置有第一絕緣層510。第一絕緣層510可以配置於第一電極310與第二電極320之間的空間內。第一絕緣層510可以具有根據平面上第一電極分支部310B與第二電極分支部320B之間空間而形成的島形或線形形狀。
在第一絕緣層510上配置有發光元件350。第一絕緣層510可以配置於發光元件350與絕緣基板層300之間。第一絕緣層510的下面接觸絕緣基板層300，在第一絕緣層510的上面可以配置有發光元件350。而且，第一絕緣層510覆蓋各電極310、320相互相對的端部地配置，可以使他們相互電性絕緣。
第一絕緣層510可以與各電極310、320的一部分區域重疊，例如，可以與第一電極310和第二電極320向相對的方向凸出的區域重疊。另外，在各電極310、320上的區域中，在隔壁410、420的上部面也可以配置有第一絕緣層510。因此，第一絕緣層510的下面可以接觸絕緣基板層300和各電極310、320。各電極310、320的未配置第一絕緣層510的上部一部分面可以露出。另外，發光元件350可以使兩側部露出地配置於第一絕緣層510上。因此，後述的接觸電極361、362可以與所述各電極310、320露出的上部面和發光元件350的兩側部接觸。
作為一個示例，第一絕緣層510可以覆蓋第一電極310和第二電極320向相互相對的方向凸出的區域的上部面。第一絕緣層510在保護與各電極310、320重疊的區域的同時，可以使他們相互電性絕緣。另外，可以防止發光元件350的第一導電型半導體層351及第二導電型半導體層352與其他基材直接接觸，防止發光元件350的損傷。
發光元件350可以在第一電極310與第二電極320之間配置至少一個。在第1圖中，示例性示例了在各像素PX內只配置釋放相同顏色光的發光元件350的情形。不過，不限定於此，也可以如上所述，釋放互不相同顏色光的發光元件350一同配置於一個像素PX內。
如上所述，發光元件350的長軸的長度h可以長於第一電極310與第二電極320之間的間隔，例如，長於第一電極310與第二電極320相互相對的各側部間隔開的間隔l1，且短於第一電極310與第二電極320的各中心間隔開的間隔l2。因此，發光元件350的一端部可以與第一電極310接觸，另一端部可以與第二電極320接觸。另外，後述的接觸電極361、362可以在發光元件350兩端部順暢地電性接觸。
發光元件350可以為發光二極體(Light Emitting diode)。發光元件350可以是其大小大致為奈米級的奈米結構物。發光元件350可以為由無機物構成的無機發光二極體。當發光元件350為無機發光二極體時，如果在相互相對的兩個電極之間配置具有無機結晶結構的發光物質，在發光物質中沿特定方向形成電場，則無機發光二極體可以在形成特定極性的所述兩個電極之間對齊。
如果參照第4圖的放大圖，如後所述，在一些實施例中，發光元件350可以具有由第一導電型半導體層351、活性物質層353、第二導電型半導體層352及第二電極物質層357層疊的結構。發光元件350的所述層疊順序可以是沿與絕緣基板層300水平的方向配置有第一導電型半導體層351、活性物質層353、第二導電型半導體層352及第二電極物質層357。換句話說，所述多個層層疊的發光元件350可以沿與絕緣基板層300水平的橫向方向配置。
另外，在一個實施例中，發光元件350的第一導電型半導體層351可以與第一電極310或第一電極310的與第二電極320相對的一側部電性連接，發光元件350的第二導電型半導體層352或第二電極物質層357可以與第一電極310的另一側部或第二電極320電性連接。例如，當第一電極310為陰極電極、第二電極320為陽極電極時，發光元件350的第一導電型半導體層351可以注入電子(electron)，第二導電型半導體層352或第二電極物質層357可以注入空穴(hole)。注入發光元件350的電子與空穴可以在活性物質層353複合(recombination)並釋放特定波段的光。不過，不限定於此。根據情況，發光元件350的第一導電型半導體層351可以與第二電極320電性連接，第二導電型半導體層352可以與第一電極310電性連接。關於發光元件350結構的更詳細說明將在後面敘述。
第二絕緣層520在第一絕緣層510上配置，且可以與第一電極310、第二電極320及發光元件350上的至少一部分區域重疊地配置。如上所述，第二絕緣層520可以包括開口部520P，以便第一絕緣層510的一部分區域露出。這種開口部520P在顯示裝置10製造時，可以以以全部覆蓋第一絕緣層510的方式形成第二絕緣層520後，對其進行圖案化而形成。
此時，第二絕緣層520在保護在第一電極310與第二電極320之間對齊的發光元件350的同時，也可以執行使之固定的功能。雖然在圖中未示出，第二絕緣層520也可以配置於發光元件350的上部面和外面。不過，配置得使發光元件350的兩側面露出。即，剖面上在發光元件350的上部面配置的第二絕緣層520，沿一軸方向測量的長度短於發光元件350，第二絕緣層520可以比發光元件350的所述兩側面更向內側凹陷。因此，第一絕緣層510、發光元件350及第二絕緣層520的側面可以呈臺階式層疊。此時，後述的接觸電極361、362可以與發光元件350兩端部順利實現接觸。不過，不限定於此，第二絕緣層520的長度可以與發光元件350長度一致，且兩側部對齊。
另外，第二絕緣層520也可以包括開口部520P，誘導多個發光元件350在第一電極310與第二電極320之間均一對齊。第二絕緣層520藉由乾式蝕刻或濕式蝕刻步驟而實現圖案化，從而可以形成開口部520P。第二絕緣層520圖案化時，為了使第一絕緣層510不蝕刻，第一絕緣層510和第二絕緣層520可以包括蝕刻選擇比互不相同的材料。因此，當對第二絕緣層520進行圖案化而形成開口部520P時，第一絕緣層510可以不受損傷。在借助於開口部520P而露出的第一絕緣層510上，後述的接觸電極361、362可以與發光元件350接觸。
第5圖是顯示第1圖的顯示裝置的一部分的剖面圖。第5圖只繪示了在第一電極310和第二電極320上配置的第一絕緣層510和開口部520P。下面參照第5圖，對開口部520P的剖面上結構進行更詳細說明。
在第一絕緣層510上配置有第二絕緣層520，且就發光元件350所配置的區域而言，第二絕緣層520實現圖案化，可以形成有開口部520P。
對第二絕緣層520進行圖案化而形成開口部520P的步驟，可以藉由通常的乾式蝕刻或濕式蝕刻執行。其中，為了使第一絕緣層510不圖案化，第一絕緣層510和第二絕緣層520可以包括具有互不相同蝕刻選擇比的材料。換句話說，當對第二絕緣層520進行圖案化時，第一絕緣層510也可以執行蝕刻阻擋層(etching stopper)的功能。因此，第一絕緣層510可以保持形態並形成開口部520P。更詳細說明將在後面敘述。
第一絕緣層510可以借助於開口部520P而露出到外部，如上所述，在所述露出的區域，由交流電源產生的電場的強度會強。第一絕緣層510上存在第二絕緣層520的區域，電場強度會弱於因開口部520P而露出的區域。因此，第二絕緣層520存在的區域與開口部520P之間的電場強度會發生空間性變化。如上所述，電場強度的空間性變化可以向發光元件350施加更強的介電泳力(FDEP)，發光元件350可以優先配置於開口部520P上。
另一方面，第一電極310與第二電極320的上部面中，借助於第一隔壁410及第二隔壁420而比絕緣基板層300凸出的區域，由於第一絕緣層510和第二絕緣層520可以進行圖案化而露出。所述露出的區域，後述的接觸電極361、362可以接觸並與第一電極310及第二電極320電性連接。
如果再次參照第4圖，在第二絕緣層520上可以配置有：第一接觸電極361，其在第一電極310上配置，與第二絕緣層520的至少一部分重疊；第二接觸電極362，其在第二電極320上配置，與第二絕緣層520的至少一部分重疊。
第一接觸電極361在第一電極310上覆蓋地配置，且下面可以部分地與發光元件350、第一絕緣層510及第二絕緣層520接觸。第一接觸電極361的第二電極320所配置方向的一端部，配置於第二絕緣層520。
第二接觸電極362在第二電極320上覆蓋地配置，且下面可以部分地與發光元件350、第一絕緣層510及第三絕緣層530接觸。第二接觸電極362的第一電極310所配置方向的兩端部，配置於第三絕緣層530上。
換句話說，第一接觸電極361和第二接觸電極362可以分別配置於第一電極310和第二電極320的上部面。具體而言，第一接觸電極361和第二接觸電極362可以在第一電極310和第二電極320的上部面，分別與第一電極層312及第二電極層322接觸。在第一隔壁410和第二隔壁420的上部面，第一絕緣層510及第二絕緣層520覆蓋第一電極310和第二電極320地配置的區域可以進行圖案化，第一電極層312及第二電極層322分別露出，在所述露出的區域，可以與各接觸電極361、362電性連接。
另外，第一接觸電極361和第二接觸電極362可以分別接觸發光元件350的一端部和另一端部，例如，分別接觸第一導電型半導體層351及電極物質層357。因此，第一接觸電極361及第二接觸電極362可以將施加於第一電極層312及第二電極層322的電訊號傳遞給發光元件350。
第一接觸電極361及第二接觸電極362可以在第二絕緣層520或第三絕緣層530上相互隔開配置。即，第一接觸電極361及第二接觸電極362一同接 觸發光元件350和第二絕緣層520或第三絕緣層530，但在第二絕緣層520上沿層疊的方向隔開配置，從而可以電性絕緣。因此，第一接觸電極361和第二接觸電極362可以分別從第一薄膜電晶體120和電源配線161接受互不相同的電源。作為一個示例，第一接觸電極361可以接受從第一薄膜電晶體120向第一電極310施加的驅動電壓，第二接觸電極362可以接受從電源配線161向第二電極320施加的共同電源電壓。不過，並非限定於此。
接觸電極361、362可以包括導電性物質。例如，可以包括ITO、IZO、ITZO、鋁(Al)等。不過，並非限定於此。
另外，接觸電極361、362可以包括與電極層312、322相同的物質。接觸電極361、362可以在電極層312、322上以實質上相同的圖案配置，以便能夠接觸電極層312、322。作為一個示例，接觸第一電極層312和第二電極層322的第一接觸電極361和第二接觸電極362，可以接受傳遞向第一電極層312及第二電極層322施加的電訊號並傳遞給發光元件350。
第三絕緣層530配置於第一接觸電極361的上部，使第一接觸電極361與第二接觸電極362可以在電性上相互絕緣。第三絕緣層530覆蓋第一接觸電極361地配置，且可以在發光元件350的一部分區域不重疊地配置，以便發光元件350能夠與第二接觸電極362接觸。第三絕緣層530可以在第二絕緣層520的上部面，與第一接觸電極361、第二接觸電極362及第二絕緣層520部分地接觸。第三絕緣層530可以在第二絕緣層520的上部面，覆蓋第一接觸電極361一端部地配置。因此，第三絕緣層530可以在保護第一接觸電極361的同時，使第一接觸電極361與第二接觸電極362電性絕緣。
第三絕緣層530的第二電極320所配置方向的一端部，可以與第二絕緣層520的一側面對齊。
另一方面，在一些實施例中，顯示裝置10也可以省略第三絕緣層530。因此，第一接觸電極361與第二接觸電極362可以配置於實質上相同的平面上，借助於後述的鈍化層550，第一接觸電極361與第二接觸電極362可以在電性上相互絕緣。
鈍化層550在第三絕緣層530及第二接觸電極362的上部形成，可以相對於外部環境，發揮保護在絕緣基板層300上配置的構件的功能。當第一接觸電極361及第二接觸電極362露出時，會因電極損傷而發生接觸電極材料的斷路問題，因此，可以用鈍化層550覆蓋他們。即，鈍化層550可以覆蓋第一電極310、第二電極320、發光元件350等地配置。另外，如上所述，當第三絕緣層530省略時，鈍化層550可以在第一接觸電極361和第二接觸電極362的上部形成。此時，鈍化層550也可以使第一接觸電極361和第二接觸電極362在電性上相互絕緣。
所述第一絕緣層510、第二絕緣層520、第三絕緣層530及鈍化層550分別可以包括無機物絕緣性物質。例如，第一絕緣層510、第二絕緣層520、第三絕緣層530及鈍化層550可以包括諸如矽氧化物(SiOx)、矽氮化物(SiNx)、矽氮氧化物(SiOxNy)、氧化鋁(Al2O3)、氮化鋁(AlN)等的物質。第一絕緣層510、第二絕緣層520、第三絕緣層530及鈍化層550雖然可以以相同的物質構成，但也可以以互不相同的物質構成。另外，也可以在第一絕緣層510、第二絕緣層520、第三絕緣層530及鈍化層550應用賦予了絕緣性的多樣物質。
另一方面，第一絕緣層510和第二絕緣層520如上所述，可以具有互不相同的蝕刻選擇比。作為一個示例，當第一絕緣層510包括矽氧化物(SiOx)時，第二絕緣層520可以包括矽氮化物(SiNx)。作為另一示例，當第一絕緣層510包括矽氮化物(SiNx)時，第二絕緣層520也可以包括矽氧化物(SiOx)。不過，並非限定於此。
另一方面，發光元件350可以在基板上，借助於外延(Epitaxial)生長法而製造。可以在基板上形成用於形成半導體層的晶種(Seed crystal)層，沉積希望的半導體材料並使之生長。下面參照第7圖，對多樣實施例的發光元件350的結構進行詳細說明。
第7圖是一個實施例的發光元件的概略圖。
如果參照第7圖，發光元件350可以包括在多個導電型半導體層351、352及所述多個導電型半導體層351、352之間配置的活性物質層353、電極物質層357及絕緣性物質層358。從第一電極310及第二電極320施加的電訊號，可以藉由多個導電型半導體層351、352，傳遞到活性物質層353而釋放光。
具體而言，發光元件350可以包括第一導電型半導體層351、第二導電型半導體層352、在第一導電型半導體層351與第二導電型半導體層352之間配置的活性物質層353、在第二導電型半導體層352上配置的電極物質層357及絕緣性物質層358。第7圖的發光元件350繪示了第一導電型半導體層351、活性物質層353、第二導電型半導體層352及電極物質層357沿長度方向依次層疊的結構，但並不限定於此。電極物質層357可以省略，在一些實施例中，也可以配置於第一導電型半導體層351及第二導電型半導體層352的兩側面中至少任意一個。下面以第7圖的發光元件350為例進行說明。
第一導電型半導體層351可以為n型半導體層。作為一個示例，當發光元件350釋放藍色波段的光時，第一導電型半導體層351可以為具有InxAlyGa1-x-yN(0
Figure 108123603-A0305-02-0036-15
x
Figure 108123603-A0305-02-0036-16
1，0
Figure 108123603-A0305-02-0036-17
y
Figure 108123603-A0305-02-0036-18
1，0
Figure 108123603-A0305-02-0036-19
x+y
Figure 108123603-A0305-02-0036-13
1)的化學式的半導體材料。例如，可以是n型摻雜的InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN及InN中任意一種以上。第一導電型半導體層351可以摻雜第一導電性摻雜物質，作為一個示例，第一導電性摻雜物質可以為Si、Ge、Sn等。第一導電型半導體層351的長度可以具有1.5μm至5μm的範圍，但並非限定於此。
第二導電型半導體層352可以為p型半導體層。作為一個示例，當發光元件350釋放藍色波段的光時，第二導電型半導體層352可以為具有InxAlyGa1-x-yN(0
Figure 108123603-A0305-02-0036-20
x
Figure 108123603-A0305-02-0036-21
1，0
Figure 108123603-A0305-02-0036-22
y
Figure 108123603-A0305-02-0036-23
1，0
Figure 108123603-A0305-02-0036-24
x+y
Figure 108123603-A0305-02-0036-14
1)的化學式的半導體材料。例如，可以為p型摻雜的InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN及InN中任意一種以上。第二導電型半導體層352可以摻雜第二導電性摻雜物質，作為一個示例，第二導電性摻雜物質可以為Mg、Zn、Ca、Se、Ba等。第二導電型半導體層352的長度可以具有0.08μm至0.25μm的範圍，但並非限定於此。
活性物質層353配置於第一導電型半導體層351及第二導電型半導體層352之間，可以包括單一或多重量子阱結構的物質。當活性物質層353包括多重量子阱結構的物質時，也可以是量子層(Quantum layer)與阱層(Well layer)相互交替地層疊多個的結構。活性物質層353可以根據藉由第一導電型半導體層351及第二導電型半導體層352施加的電訊號，借助於電子-空穴對的複合而發光。作為一個示例，當活性物質層353釋放藍色波段的光時，可以包括AlGaN、AlInGaN等物質，特別是活性物質層353作為多重量子阱結構，當是量子層與阱層交替層疊的結構時，量子層可以包括AlGaN或AlInGaN，阱層可以包 括諸如GaN或AlGaN等的物質。不過，並非限定於此，活性物質層353既可以是能隙(Band gap)大的種類半導體物質與能隙小的半導體物質相互交替層疊的結構，也可以包括根據發出的光的波段而不同的3族至5族半導體物質。因此，活性物質層353釋放的光不限於藍色波段的光，根據情況，也可以釋放紅色、綠色波段的光。活性物質層353的長度可以具有0.05μm至0.25μm的範圍，但並非限定於此。
活性物質層353釋放的光不僅向發光元件350的長度方向外部面釋放，而且可以向兩側面釋放。即，活性物質層353釋放的光，方向性不限定為一個方向。
電極物質層357可以為歐姆(ohmic)接觸電極。不過，並不限定於此，也可以是蕭特基(Schottky)接觸電極。電極物質層357可以包括具有傳導性的金屬。例如，電極物質層357可以包括鋁(Al)、鈦(Ti)、銦(In)、金(Au)及銀(Ag)中至少任意一種。電極物質層357可以包括相同的物質，也可以包括互不相同的物質。不過，但並非限定於此。
絕緣性物質層358在發光元件350的外部形成，可以保護發光元件350。作為一個示例，絕緣性物質層358包圍發光元件350側面部地形成，在發光元件350的長度方向的兩端部，例如在第一導電型半導體層351及第二導電型半導體層352所配置的兩端部，可以不形成。不過，並不限定於此。絕緣性物質層358可以包括具有絕緣特性的物質，例如，矽氧化物(Silicon oxide、SiOx)、矽氮化物(Silicon nitride、SiNx)、氮氧化矽(SiOxNy)、氮化鋁(Aluminum nitride、AlN)、氧化鋁(Aluminum oxide、Al2O3)等。因此，可以防止當活性物質層353與第一電極310或第二電極320直接接觸時可能發生的電氣短路。另外，絕緣 性物質層358包括活性物質層353，保護發光元件350的外部面，因而可以防止發光效率低下。
絕緣性物質層358可以沿長度方向延長，覆蓋從第一導電型半導體層351至電極物質層357地形成。不過，並不限定於此，絕緣性物質層358也可以只覆蓋第一導電型半導體層351、活性物質層353及第二導電型半導體層352，或可以只覆蓋電極物質層357外面的一部分，而第二電極物質層357的一部分外面露出。
另外，在一些實施例中，絕緣性物質層358可以進行表面處理，使得在溶液內不與其他絕緣性物質層358凝聚而是分散。在後述的發光元件350對齊時，溶液內的發光元件350保持分散的狀態，可以在第一電極310與第二電極320之間對齊而不是成團。作為一個示例，絕緣性物質層358的表面進行疏水性或親水性處理，可以在所述溶液內保持相互分散的狀態。
絕緣性物質層358的厚度可以具有0.5μm至1.5μm的範圍，但並非限定於此。
發光元件350可以為圓筒形。不過，發光元件350的形態並非限定於此，可以具有正方體、長方體、六棱柱等多樣形態。發光元件350的長度h可以具有1μm至10μm或2μm至5μm的範圍，較佳地，可以具有4μm左右的長度。另外，發光元件350的直徑可以具有400nm至700nm的範圍，較佳地，可以具有500nm左右的厚度。
下面參照第8圖至12，對一個實施例的顯示裝置10的製造方法進行說明。
第8圖至第12圖是概略地繪示一個實施例的顯示裝置的製造方法的俯視圖。
首先，如果參照第8圖，在絕緣基板層300上形成多個電極310、320。形成多個電極310、320的步驟可以藉由執行通常的遮罩步驟，使金屬或有機物等圖案化而形成。
參照第1圖，第一電極主幹部310S和第二電極主幹部320S沿第一方向D1延長，且相互隔開地相對配置。在第1圖中，繪示了第一電極主幹部310S在相鄰的像素PX之間電性分離並隔開的狀態，但在第8圖中，第一電極主幹部310S的一端部可以延長到鄰接的多個像素PX。第一電極主幹部310S與第二電極主幹部320S的一端部與訊號接入焊盤(圖上未示出)連接，當後述的發光元件350對齊時可以接入交流電源。
第一電極分支部310B與第二電極分支部320B分別從第一電極主幹部310S和第二電極主幹部320S分支，沿第二方向D2延長。如上所述，第一電極分支部310B與第二電極分支部320B沿相互相反方向延長，且分別在第二電極主幹部320S和第一電極主幹部310S以隔開的狀態終止。
即，第8圖的第一電極310與第1圖的第一電極310相比，除第一電極主幹部310S延長到相鄰的像素PX並與各像素PX的第一電極主幹部310S電性連接之外，其餘相同。省略對此的詳細說明。另外，雖然圖中未示出，在第一電極310和第二電極320上，可以配置有第4圖的第一絕緣層510。第一絕緣層510如上所述，覆蓋第一電極310及第二電極320的一部分地配置，可以對其進行保護或使之在電性上絕緣。
然後，如果參照第9圖，在所述電極310、320及第一絕緣層510(第4圖所示)上形成第二絕緣層520。
第二絕緣層520可以借助於後述的步驟而形成有開口部520P。可以借助於通常的圖案化方法，執行形成第二絕緣層520的步驟。在第8圖中，繪示了第二絕緣層520覆蓋第一電極分支部310B及第二電極分支部320B的一部分地配置的情形，但不限定於此。根據情況，也可以全部覆蓋第一電極分支部310B和第二電極分支部320B地配置，或覆蓋第一電極主幹部310S和第二電極主幹部320S。另一方面，第二絕緣層520如上所述，包括蝕刻選擇比不同於第一絕緣層510的材料。
然後，如果參照第10圖，對第二絕緣層520的一部分進行圖案化而形成開口部520P。開口部520P的配置或結構等，與參照第1圖及第2圖敘述的內容相同。省略詳細說明。
然後，如果參照第11圖，在開口部520P上，在第一電極分支部310B與第二電極分支部320B重疊的區域配置多個發光元件350。
具體而言，雖然圖中未示出，在第一電極分支部310B與第二電極分支部320B之間，塗覆包括發光元件350的溶液。而且，在與第一電極主幹部310S和第二電極主幹部320S一端部連接的訊號接入焊盤(圖上未示出)，施加交流電源，使發光元件350對齊。
在訊號接入焊盤(圖上未示出)施加的交流電源，可以在第一電極分支部310B與第二電極分支部320B之間，形成由電場引起的電容。所述塗覆的溶液內的發光元件350，可以借助於由電場引起的電容而接受介電泳力(Dielectrophoresis Force、DEP Force)。發光元件350可以借助於介電泳力，在 第一電極分支部310B與第二電極分支部320B之間對齊。接受介電泳力(DEP Force)的發光元件350可以一端部連接於第一電極分支部310B，發光元件350的另一端部分別連接於第二電極分支部320B的兩側面。
借助於所述電容而施加於發光元件350的介電泳力，可以使得發光元件350在各電極310、320之間具有既定方向性。例如，發光元件350的第一導電型半導體層351可以在第一電極分支部310B或第一電極310的第二電極分支部320B方向的一側面連接，第二導電型半導體層352可以在第二電極分支部320B或第一電極310的另一側面連接。不過，並非限定於此，發光元件350也可以在各電極310、320之間，沿任意的方向對齊。
另外，在第一電極310和第二電極320上，借助於開口部520P，因交流電源而產生的電場的強度會不同。
具體而言，與開口部520P重疊的區域的第一絕緣層510露出到外部，此外的區域可以被第二絕緣層520覆蓋。如果向第一電極310與第二電極320之間施加交流電源，則第一絕緣層510露出到外部的區域較強地形成電場的強度，被第二絕緣層520覆蓋的區域，電場的強度較弱地形成。因此，在多個開口部520P之間會發生電場強度的空間性變化，電場強度的空間性變化可以給施加於發光元件350的介電泳力(FDEP)帶來變化。在電場的強度較強的開口部520P上，施加更強的介電泳力(FDEP)，發光元件350可以優先在開口部520P上對齊。
其中，電場的強度會因第二絕緣層520的材料或厚度、包括發光元件350的溶液的種類等而不同。在示例性的實施例中，包括發光元件350的溶液可以為丙二醇(Propylene glycol)，第二絕緣層520可以為矽氧化物(SiOx) 或聚醯亞胺(PI)。第二絕緣層520的厚度可以為0.3μm至2.0μm。此時，在開口部520P上施加於發光元件350的介電泳力(FDEP)可以大7倍至32倍以上。即，發光元件350可以只在開口部520P上對齊，在第二絕緣層520上不對齊。
對發光元件350的配置的詳細說明，如參照第1圖敘述的內容相同。
然後，如果參照第12圖，在各電極310、320之間對齊發光元件350後，在各電極310、320上形成接觸電極361、362，使之與發光元件350接觸。另外，雖然圖中未示出，如第4圖所示，在各電極310、320上可以配置有多個絕緣層。接觸電極361、362如上所述，可以在發光元件350的兩側部和各電極310、320的隔壁410、420上的上部面接觸。
最後，如第12圖所示，沿截斷部CB，使第一電極主幹部310S電性分離，可以製造第1圖的顯示裝置10。使第一電極主幹部310S電性分離的方法不特別限定。作為一個示例，可以利用雷射，使位於截斷部CB的第一電極310斷路。因此，第一電極主幹部310S可以在相鄰的像素PX間以電性分離並隔開的狀態配置。
另外，藉由第一電極主幹部310S上的第一電極接觸孔CNTD及第二電極主幹部320S上的第二電極接觸孔CNTS，第一電極310和第二電極320可以與所述第一薄膜電晶體120及電源電極162電性連接。因此，在第一電極310與第二電極320之間，可以流入因驅動電壓和電源電壓引起的電流，發光元件350可以發光。
如以上所作的說明，一個實施例的顯示裝置10可以在第一電極310和第二電極320上形成第二絕緣層520的開口部520P，誘導發光元件350對齊 到特定區域。因此，在顯示裝置10的一個像素PX內，發光元件350均一地對齊，可以按像素PX具有均一的亮度，隨著發光元件350的對齊，可以防止一個像素PX中光線分離並釋放的現象。
下面對顯示裝置10的另一實施例進行說明。第13圖至第15圖是概略地繪示另一實施例的顯示裝置的俯視圖。
在一個實施例中，開口部520P可以在第一電極310與第二電極320之間，更鄰接一個電極地配置，例如，更鄰接第一電極310地配置。
具體而言，第13圖的顯示裝置10_1，開口部520P_1的中心不對齊於第一電極310與第二電極320之間的中心，可以向第一電極310方向移動並配置。因此，借助於開口部520P_1而露出的區域，第一電極310可以比第二電極320更寬闊。因此，第12圖的顯示裝置10_1，以開口部520P_1為中心，在第一電極310和第二電極320上露出的第一絕緣層510可以具有非對稱結構。
如上所述，因為了對齊發光元件350而施加的交流電源而形成的電場的強度，在露出的第一絕緣層510寬闊的區域會更大。此時，在與第一電極310重疊的區域，露出的第一絕緣層510更寬闊，因而電場強度的空間性變化更大，施加於發光元件350的介電泳力(FDEP)可以更強地進行作用。因此，可以使發光元件350更有效地在開口部520P上對齊。
第14圖的顯示裝置10_2與第15圖的顯示裝置10_3繪示了開口部520P具有與第1圖不同形狀的情形。
具體而言，第14圖的顯示裝置10_2，沿開口部520P_2的第二方向D2測量的寬度d2可以向各電極310、320的中心越來越短。在開口部520P_2的中心部沿第二方向D2測量的寬度d2_2，長於在開口部520P_2的兩端部沿第二方向 D2測量的寬度d2’_2。因此，開口部520P_2可以是頂點具有曲率地呈圓形(round)形成。
不過，並非限定於此。如第15圖所示，在一些實施例中，顯示裝置10_3在開口部520P_3的中心部沿第二方向D2測量的寬度d2_3，可以短於在開口部520P_3的兩端部沿第二方向D2測量的寬度d2’_3。另外，當使開口部520P_3的沿第二方向D2測量的寬度d2_3、d2’_3線性變化時，開口部520P_3可以在各電極310、320上，使第一絕緣層510露出的區域的空間性變化實現最大化。因此，既可以提高所述電場強度的空間性變化，又可以進一步提高發光元件350的對齊效果。
雖然圖中未示出，即使在第14圖的顯示裝置10_2和第15圖的顯示裝置10_3的情況下，也可以如第13圖的顯示裝置10_1所示，開口部520P更靠近第一電極310或第二電極320中任意一個地配置，在第一電極310與第二電極320重疊的區域，露出的第一絕緣層510也可以具有非對稱結構。此時，如上所述，可以向發光元件350傳遞更強的介電泳力(FDEP)，在開口部520P上對齊發光元件350。
另一方面，就顯示裝置10而言，並非第一電極310和第二電極320的形狀如第1圖所示限定為線形或柱形。根據情況，第一電極310和第二電極320的形狀也可以為圓形或扇形等。
第16圖是顯示另一實施例的顯示裝置的俯視圖。
如果參照第16圖，一個實施例的顯示裝置10_4不同於第1圖的顯示裝置10，第一電極分支部310B_4和第二電極分支部320B_4可以還分別包括連接部310B1_4、320B1_4及相對部310B2_4、320B2_4。除第一電極分支部310B_4 和第二電極分支部320B_4的形成相異外，與第1圖的顯示裝置10相同，因而下面對差異點進行說明。
第二電極分支部320B_4可以包括從第二電極主幹部320S_4分支且沿第二方向D2延長的第二電極連接部320B1_4、與第二電極連接部320B1_4的一端連接並在平面上具有圓形形狀的第二電極相對部320B2_4。第二電極連接部320B1_4的一端可以與第二電極主幹部320S_4連接，另一端可以與第二電極相對部320B2_4連接。第二電極連接部320B1_4可以具有實質上與第1圖的第二電極分支部320B相同的形態。
第二電極相對部320B2_4可以是第二電極分支部320B_4中後述的發光元件350配置的區域。第二電極相對部320B2_4可以在平面上具有圓形形狀，可以沿著第二電極相對部320B2_4的外面，配置有多個發光元件350。即，發光元件350不沿一個方向對齊，可以在第二電極相對部320B2_4上呈圓形對齊。
第一電極分支部310B_4可以包括：第一電極連接部310B1_4，其從第一電極主幹部310S_4分支，且沿第二方向D2延長；第一電極相對部310B2_4，其與第一電極連接部310B1_4的一端連接，包圍第二電極相對部320B2_4外面地配置成圓形，且以與第二電極連接部320B1_4隔開的狀態終止。第一電極連接部310B1_4的一端可以與第一電極主幹部310S_4連接，另一端可以與第一電極相對部310B2_4連接。第一電極連接部310B1_4可以具有實質上與圖1的第一電極分支部310B相同的形態。
第一電極相對部310B2_4可以沿著第二電極相對部320B2_4的外面，以隔開既定間隔的狀態包圍其地配置。即，第一電極相對部310B2_4的內側面與第二電極相對部320B2_4的外側面呈圓形地平行隔開，因而第一電極相對部 310B2_4具有中心部為空的圓形形狀，且可以在與第二電極連接部320B1_4隔開的狀態下終止。即，第一電極相對部310B2_4的形狀可以具有中心角大小為180°以上、中心為空的扇形形狀。
發光元件350可以在第一電極相對部310B2_4與第二電極相對部320B2_4隔開的之間配置。發光元件350的一端部可以接觸第一電極相對部310B2_4的內側面，另一端部可以接觸第二電極相對部320B2_4的外側面，發光元件350可以在第一電極相對部310B2_4與第二電極相對部320B2_4之間呈圓形對齊。
開口部520P_4可以使第一電極相對部310B2_4與第二電極相對部320B2_4的一部分區域重疊的第一絕緣層510(第15圖中未繪示)露出於外部。第15圖的情形，由於第一電極相對部310B2_4與第二電極相對部320B2_4實質上以圓形形成，因而開口部520P_4也可以如第一電極相對部310B2_4所示具有扇形形狀。
換句話說，開口部520P_4的兩端部可以具有曲率，所述兩端部中的第二電極相對部320B2_4中心方向的一端部長度可以短於另一端部的長度。此時，根據開口部520P_4的兩端部間長度的差異，會發生電場強度的空間性變化，因而所述介電泳力(FDEP)可以在開口部520P_4上較強地進行作用。即，可以誘導發光元件350對齊到既定區域內。
不過，並不限定於此，開口部520P_4也可以是兩端部長度相同，實質上具有四邊形形狀。另外，如上所述，以第一電極相對部310B2_4與第二電極相對部320B2_4隔開的中心為基準，因開口部520P_4而露出的區域也可以具有對稱或非對稱結構。省略更詳細的說明。
另一方面，在一些實施例中，第一絕緣層510也可以省略。第17圖是概略地繪示又一實施例的顯示裝置的一部分的剖面圖。第17圖的顯示裝置10省略了第一絕緣層510，可以具備第二絕緣層520，所述第二絕緣層520進行圖案化，使得第一電極310及第二電極320的相互隔開並相對的部分中一部分露出。
如上所述，第一電極310與第二電極320在顯示裝置10的製造過程中，也會因電極材料連接而發生短路(short)不良。為了防止這種情況，形成第一絕緣層510，保護第一電極310和第二電極320，使他們在電性上絕緣。不過，在一些實施例中，當第一電極310和第二電極320在製造過程中，電極材料不連接時，例如，當第一電極310和第二電極320包括諸如金(Au)的材料時，第一絕緣層510即使省略，也不會發生第一電極310與第二電極320的短路(short)不良。此時，第一絕緣層510可以省略，只有第二絕緣層520形成開口部520P(第17圖中未繪示)，形成電場強度的空間性變化。
如果參照第17圖，發光元件350的兩端部可以在沿第一電極310與第二電極320相互相對的方向凸出的區域上，與第一電極310及第二電極320直接接觸。雖然圖中未示出，第二絕緣層520的開口部520P可以使第一電極310和第二電極320的一部分露出到外部。露出到外部的區域是電場的強度較強的區域，因開口部520P導致的電場強度的空間性變化大。因此，發光元件350也可以配置得在第一電極310及第二電極320之間直接接觸。
在第二絕緣層520及發光元件350上配置的多個構件，例如接觸電極361、362、第三絕緣層530及鈍化層550等，與參照第4圖敘述的內容相同。省略對此的詳細說明。
以上參照圖式，說明了本發明的實施例，但本發明所屬技術領域的具有通常知識者可以理解，在不變更本發明技術思想或必需特徵的情況下，可以以其他具體形態實施。因此，以上記述的實施例在所有方面應理解為只是示例性的，而非限定性的。
10:顯示裝置
310:第一電極
320:第二電極
350:發光元件
361:接觸電極
362:接觸電極
520:第二絕緣層
310B:第一電極分支部
310S:第一電極主幹部
320B:第二電極分支部
320S:第二電極主幹部
520P:開口部
CNTD:第一電極接觸孔
CNTS:第二電極接觸孔
D1:第一方向
D2:第二方向
PX1:像素
PX2:像素
PX3:像素

Claims (10)

  1. 一種顯示裝置，其包括：一第一電極；一第二電極，其與該第一電極隔開並相對地配置；一第一絕緣層，其覆蓋該第一電極與該第二電極地配置；一第二絕緣層，其配置於該第一絕緣層上的至少一部分，使該第一電極及該第二電極與該第一絕緣層重疊的區域中至少一部分露出；及至少一個發光元件，其在該第一電極與該第二電極之間，配置於露出的該第一絕緣層上；該第二絕緣層包括複數個開口部及作為該複數個開口部之間區域的一橋接部，該複數個開口部使該第一絕緣層露出，且在該第一電極及該第二電極相互相對的區域上相互隔開地配置；該發光元件配置於該複數個開口部的其中一個上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中，該複數個開口部沿著作為該第一電極延長方向的第一方向配置，且相互隔開。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的顯示裝置，其中，該複數個開口部包括：一第一開口部；及與該第一開口部沿該第一方向相鄰並隔開的一第二開口部；該發光元件包括： 在該第一開口部上配置的一第一發光元件及一第二發光元件；及在該第二開口部上配置的一第三發光元件。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的顯示裝置，其中，該第一發光元件及該第二發光元件在該第一開口部內相互隔開地配置。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的顯示裝置，其中，該第一發光元件與該第二發光元件隔開的間隔，短於該第一發光元件與該第三發光元件隔開的間隔。
  6. 如申請專利範圍第5項所述的顯示裝置，其中，在該第一開口部及該第二開口部配置的該發光元件的密度，大於在該第一開口部與該第二開口部之間的該橋接部配置的該發光元件的密度。
  7. 如申請專利範圍第2項所述的顯示裝置，其中，該複數個開口部的其中該個與該第一電極及該第二電極相互相對的方向的各側部重疊地配置。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的顯示裝置，其中，該複數個開口部的其中該個的中心相比該第二電極，與該第一電極鄰接配置，該第一電極與該複數個開口部的其中該個重疊的一第一重疊部，寬於該第二電極與該複數個開口部的其中該個重疊的一第二重疊部。
  9. 如申請專利範圍第7項所述的顯示裝置，其中，該複數個開口部的其中該個沿著與作為第一電極延長方向的一第一方向交叉方向的一第二方向測量的寬度，短於該第一電極及該第二電極的中心間的隔開間隔，長於該第一電極與該第二電極的相互相對的各側部間隔開的間隔。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的顯示裝置，其中，在該複數個開口部的其中該個的中心沿該第一方向測量的寬度，短於在該複數個開口部的其中該個的兩端部沿該第一方向測量的寬度。
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