CN112385045A - 显示装置 - Google Patents

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郭珍午
金东贤
宋根圭
任铉德
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Abstract

提供了一种显示装置。根据一个实施例的显示装置包括：第一电极；第二电极，被设置为通过与第一电极间隔开而面对第一电极；第一绝缘层，被设置为覆盖第一电极和第二电极；第二绝缘层，设置在第一绝缘层的至少一部分上并暴露第一电极和第二电极与第一绝缘层叠置的区域的至少一部分；以及一个或更多个发光器件，在第一电极与第二电极之间设置在暴露的第一绝缘层上，其中，第二绝缘层包括暴露第一绝缘层并被设置为在第一电极和第二电极彼此面对的区域上彼此间隔开的一个或更多个开口以及作为开口之间的区域的桥部分，其中，发光器件可以设置在开口中。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种包括无机发光二极管阵列的显示装置。
背景技术
随着多媒体的发展，显示装置的重要性已经增加。因此，已经使用了诸如有机发光显示器(OLED)和液晶显示器(LCD)的各种类型的显示装置。
显示装置是用于显示图像的装置，并且包括诸如发光显示面板或液晶面板的显示面板。在它们之中，发光显示面板可以包括诸如发光二极管(LED)的发光元件。发光二极管(LED)可以包括使用有机材料作为荧光材料的有机发光二极管(OLED)和使用无机材料作为荧光材料的无机发光二极管。
在有机发光二极管(OLED)的情况下，因为其使用有机材料作为荧光材料，所以存在其制造工艺简单并且其具有柔性特性的优点。然而，已知有机材料易受高温驱动环境影响，并且具有相对低的蓝光效率。
另一方面，在无机发光二极管的情况下，因为其使用无机半导体作为荧光材料，所以存在其即使在高温环境下也具有耐久性并且具有比有机发光二极管高的蓝光效率的优点。此外，即使在已经被指出为常规无机发光二极管的限制的制造工艺中，也已经开发了使用介电泳(DEP)的转录方法。因此，正在继续对具有比有机发光二极管高的耐久性和效率的无机发光二极管的研究。
发明内容
技术问题
通过本发明要实现的目的是提供一种显示装置，在所述显示装置中通过仅在任意区域中布置发光元件来均匀地排列发光元件并且每个像素的亮度是均匀的。
发明的其他优点、主题和特征将部分地在下面的描述中阐述，并且部分地对于本领域普通技术人员在研究以下内容时将变得明显，或者可以从发明的实践习得。
技术方案
根据本公开的方面，显示装置包括：第一电极；第二电极，被设置为与第一电极间隔开并面对第一电极；第一绝缘层，被设置为覆盖第一电极和第二电极；第二绝缘层，设置在第一绝缘层的至少一部分上并且暴露第一电极和第二电极与第一绝缘层叠置的区域的至少一部分；以及至少一个发光元件，在第一电极与第二电极之间设置在暴露的第一绝缘层上，其中，第二绝缘层包括暴露第一绝缘层并被设置为在第一电极与第二电极彼此面对的区域上彼此间隔开的至少一个开口和位于开口之间的桥部分，并且发光元件设置在开口中。
至少一个开口可以在第一电极延伸所沿的第一方向上设置，并且与另一相邻的开口间隔开。
第一绝缘层和第二绝缘层可以包括具有不同蚀刻选择比的材料。
第二绝缘层可以关于开口的中心在与第一方向交叉的第二方向上被划分为一个侧区域和另一侧区域，并且桥部分可以连接一个侧区域和另一侧区域。
桥部分可以在第二方向上延伸。
开口可以包括第一开口和在第一方向上与第一开口间隔开的第二开口，并且发光元件可以包括设置在第一开口中的第一发光元件和第二发光元件以及设置在第二开口中的第三发光元件。
第一发光元件和第二发光元件可以被设置为在第一开口中彼此间隔开。
第一发光元件与第二发光元件之间的距离可以比第一发光元件与第三发光元件之间的距离短。
设置在第一开口和第二开口中的发光元件的密度可以比设置在位于第一开口与第二开口之间的桥部分中的发光元件的密度高。
开口可以被设置为在第一电极和第二电极沿其彼此面对的方向上与彼此面对的第一电极的侧部和第二电极的侧部叠置。
开口的中心可以被设置为比靠近第二电极更靠近第一电极，并且第一电极与开口叠置的第一叠置部分可以比第二电极与开口叠置的第二叠置部分大。
开口的在与第一电极延伸所沿的第一方向交叉的第二方向上测量的宽度可以比第一电极的中心与第二电极的中心之间的距离短，并且可以比彼此面对的第一电极的侧部与第二电极的侧部之间的距离长。
在开口的中心处在第一方向上测量的宽度可以比在开口的两端处在第一方向上测量的宽度短。
开口的在第二方向上测量的宽度可以比发光元件的长轴的长度长。
第一电极可以包括第一电极连接部分和连接到第一电极连接部分并具有圆形形状的第一电极相对部分，并且第二电极可以包括与第一电极相对部分间隔开以围绕第一电极相对部分的外表面并在与第一电极连接部分间隔开的状态下终止的第二电极相对部分和连接到第二电极相对部分的第二电极连接部分。
发光元件可以设置在第一电极相对部分与第二电极相对部分之间，发光元件的一端可以设置在第二电极相对部分上，并且发光元件的另一端设置在第一电极相对部分上。
根据本公开的另一方面，显示装置包括：第一电极主干部分和第二电极主干部分，在第三方向上延伸并且彼此间隔开；至少一个第一电极分支部分，从第一电极主干部分分支并且在与第三方向交叉的第四方向上延伸；第二电极分支部分，从第二电极主干部分分支并且在第四方向上延伸；第一绝缘层，覆盖第一电极分支部分和第二电极分支部分；第二绝缘层，设置在第一绝缘层的至少一部分上并且暴露第一电极分支部分和第二电极分支部分与第一绝缘层叠置的区域的至少一部分；至少一个发光元件，设置在位于第一电极分支部分与第二电极分支部分之间的暴露的第一绝缘层上；以及第一接触电极和第二接触电极，第一接触电极接触第一电极分支部分和发光元件的一端，第二接触电极接触第二电极分支部分和发光元件的另一端，其中，第二绝缘层包括暴露第一绝缘层并被设置为在第一电极分支部分与第二电极分支部分彼此面对的区域上彼此间隔开的至少一个开口和位于开口之间的桥部分，并且发光元件设置在开口中。
第一绝缘层和第二绝缘层可以包括具有不同蚀刻选择比的材料。
第一绝缘层和第二绝缘层可以在与开口的两端间隔开的区域中被图案化，以暴露第一电极分支部分和第二电极分支部分，并且第一接触电极和第二接触电极可以分别与暴露的第一电极分支部分和第二电极分支部分接触。
发光元件的一端可以电连接到第一电极分支部分，发光元件的另一端可以电连接到第二电极分支部分，发光元件的一端可以包括n型导电半导体，并且发光元件的另一端可以包括p型导电半导体。
其他实施例的细节包括在详细描述和附图中。
有益效果
在根据实施例的显示装置中，提供了暴露位于第一电极和第二电极上的绝缘层的一部分的开口图案，因此可以将发光元件的排列引入开口图案中。因此，开口图案在第一电极和第二电极彼此面对的区域中以规则间距彼此间隔开，从而均匀地排列发光元件。因此，显示装置可以对每个像素具有均匀的亮度。
根据本公开的有益效果不限于上面提到的有益效果，并且在这里包括各种其他有益效果。
附图说明
图1是根据实施例的显示装置的平面图；
图2是图1的部分A的放大图；
图3是图1的显示装置的一个像素的等效电路图；
图4是沿着图1的线I-I'和II-II'截取的剖视图；
图5是示出图1的显示装置的一部分的剖视图；
图6是根据另一实施例的显示装置的平面图；
图7是根据实施例的发光元件的示意性透视图；
图8至图12是示意性地示出根据实施例的制造显示装置的方法的平面图；
图13至图15是示意性地示出根据其他实施例的显示装置的平面图；
图16是根据又一实施例的显示装置的平面图；以及
图17是根据又一实施例的显示装置的剖视图。
具体实施方式
现在，将在下文中参照其中示出了发明的优选实施例的附图更充分地描述本发明。然而，本发明可以以许多不同的形式实施，并且不应被解释为限于在此阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域的技术人员充分传达发明的范围。
还将理解的是，当层被称为“在”另一层或基底“上”时，该层可以直接位于所述另一层或基底上，或者还可以存在中间层。贯穿说明书，相同的附图标号表示相同的组件。
将理解的是，尽管可以在这里使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如，在不脱离本发明的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件。类似地，第二元件也可以被称为第一元件。
在下文中，将参照附图来详细描述本发明的实施例。
图1是根据实施例的显示装置的剖视图。
显示装置10可以包括被限定为像素PX的至少一个区域。多个像素PX可以布置在显示装置10的显示单元中，以将特定波长带的光发射到显示装置10的外部。虽然图1示出了三个像素PX1、PX2和PX3，但是显然显示装置10包括更大数量的像素PX。虽然附图示出了仅在一个方向上(例如，在第一方向D1上)布置的多个像素PX，但是多个像素PX可以在与第一方向D1交叉的第二方向D2上布置。此外，图1中示出的像素PX可以被划分为多个像素，以允许多个像素中的每个构成一个像素PX。像素PX可以在竖直方向(或第二方向D2)上布置或者可以以Z字形形式布置，而不是如图1中所示仅在第一方向D1上平行布置。
尽管在附图中未示出，但是显示装置10可以包括其中布置有发光元件350以发射特定颜色的光的发光区域和被限定为除了发光区域之外的区域的非发光区域。非发光区域可以由特定构件覆盖以不被从外部看到。非发光区域可以设置有用于驱动布置在发光区域中的发光元件350的各种构件。例如，非发光区域可以设置有用于将电信号施加到发光区域的布线、电路单元、驱动单元等。然而，本发明不限于此。
多个像素PX中的每个可以包括发射特定波长带的光以显示颜色的至少一个发光元件350。从发光元件350发射的光可以通过显示装置10的发光部透射到外部。在实施例中，可以针对表现彼此不同颜色的像素PX中的每个设置发射彼此不同颜色的光的发光元件350。例如，表现红色的第一像素PX1可以包括发射红光的发光元件350，表现绿色的第二像素PX2可以包括发射绿光的发光元件350，表现蓝色的第三像素PX3可以包括发射蓝光的发光元件350。然而，本发明不限于此，在一些情况下，表现彼此不同颜色的像素PX可以包括发射相同颜色(例如，蓝色)的光的发光元件350，并且各个像素PX的颜色可以通过在发光路径上设置波长转换层或滤色器来表现。然而，本发明不限于此，在一些情况下，相邻的像素PX可以发射相同颜色的光。
参照图1，显示装置10可以包括多个电极310和320、设置在多个电极310和320上的第二绝缘层520的开口520P以及多个发光元件350。电极310和320中的每个的至少一部分可以设置在每个像素PX中，电连接到发光元件350，并且施加电信号以便发射特定颜色的光。
此外，电极310和320中的每个的至少一部分可以用来在像素PX中形成电场，以排列发光元件350。具体地，当在多个像素PX中排列发射彼此不同颜色的光的发光元件350时，需要针对每个像素PX精确地排列发光元件350。当使用介电泳来排列发光元件350时，将包含发光元件350的溶液施加到显示装置10上，将AC电力施加到溶液以由于电场而形成电容，因此发光元件350可以通过介电泳力排列。
这里，第二绝缘层520被设置为覆盖电极310和320中的每个并且通过开口520P暴露电极310和320中的每个的一部分，因此发光元件350可以在电极310和320中的每个上均匀地排列。开口520P可以控制形成在电极310和320中的每个上的电场的强度，从而在特定区域中形成更强的介电泳力。因此，发光元件350可以在施加更强介电泳力的特定区域中优先排列。因此，可以根据开口520P的形状来控制发光元件350在电极310和320中的每个上的排列。稍后将描述其细节。
多个电极310和320可以包括第一电极310和第二电极320。在示例性实施例中，第一电极310可以是针对每个像素PX分离的像素电极，第二电极320可以是沿着多个像素PX共同连接的共电极。第一电极310可以是发光元件350的阳极电极，第二电极320可以是发光元件350的阴极电极。然而，本发明不限于这种情况，并且可以具有相反的情况。换言之，第一电极310和第二电极320中的任何一个可以是阳极电极，并且它们中的另一个可以是阴极电极。
第一电极310和第二电极320可以包括在第一方向D1上延伸的电极主干部分310S和320S以及在与第一方向D1交叉的第二方向D2上延伸并且分别从电极主干部分310S和320S分支的电极分支部分310B和320B。
具体地，第一电极310可以包括在第一方向D1上延伸的第一电极主干部分310S和从第一电极主干部分310S分支并在第二方向D2上延伸的至少一个第一电极分支部分310B。虽然在附图中未示出，但是第一电极主干部分310S的一端可以连接到信号施加垫(pad，或称为“焊盘”)，而其另一端可以在第一方向D1上延伸但是在像素PX之间电分离。信号施加垫可以连接到显示装置10或外部电源，以在排列发光元件350时将电信号施加到第一电极主干部分310S或将AC电力施加到第一电极主干部分310S。
任何一个像素PX的第一电极主干部分310S与属于同一行(例如，在第一方向D1上相邻)的相邻像素PX的第一电极主干部分310S基本上位于同一条线上。换言之，一个像素PX的第一电极主干部分310S以其两端在像素PX之间彼此间隔开的方式终止，而相邻像素PX的第一电极主干部分310S可以与所述一个像素PX的第一电极主干部分310S的延长线对齐。可以通过在制造工艺期间形成一个主干电极，执行排列发光元件350的工艺，然后使用激光断开主干电极来执行第一电极主干部分310S的这种布置。因此，设置在每个像素PX中的第一电极主干部分310S可以将彼此不同的电信号施加到各个像素PX，并且各个像素PX可以彼此分开地驱动。
第一电极分支部分310B可以从第一电极主干部分310S的至少一部分分支并且在第二方向D2上延伸，但是可以在与被设置为面对第一电极主干部分310S的第二电极主干部分320S间隔开的同时终止。也就是说，第一电极分支部分310B的一端可以连接到第一电极主干部分310S，并且其另一端可以设置在像素PX中，同时与第二电极主干部分320S间隔开。由于第一电极分支部分310B连接到针对每个像素PX电分离的第一电极主干部分310S，所以第一电极分支部分310B可以针对每个像素PX接收彼此不同的电信号。
可以针对每个像素PX设置一个或更多个第一电极分支部分310B。虽然在图1中示出了针对每个像素PX设置两个第一电极分支部分310B，但是本发明不限于此，并且可以针对每个像素PX设置多个第一电极分支部分310B。在这种情况下，第一电极分支部分310B可以彼此间隔开，并且第一电极分支部分310B中的每个可以与稍后将描述的第二电极分支部分320B间隔开。在一些实施例中，第二电极分支部分320B设置在第一电极分支部分310B之间，使得每个像素PX可以具有关于第二电极分支部分320B的对称结构。
第二电极320可以包括在第一方向D1上延伸、与第一电极主干部分310S间隔开并且面对第一电极主干部分310S的第二电极主干部分320S以及从第二电极主干部分320S分支、在第二方向D2上延伸、与第一电极分支部分310B间隔开并且面对第一电极分支部分310B的至少一个第二电极分支部分320B。与第一电极主干部分310S类似，第二电极主干部分320S的一端也可以连接到信号施加垫。然而，第二电极主干部分320S的另一端可以延伸到在第一方向D1上相邻的多个像素PX。也就是说，第二电极主干部分320S可以在像素PX之间电连接。因此，任何一个像素PX的第二电极主干部分320S的两端可以连接到相邻像素PX的第二电极主干部分320S的在各个像素PX之间的一端，使得相同的电信号可以施加到各个像素PX。
第二电极分支部分320B可以从第二电极主干部分320S的至少一部分分支并且在第二方向D2上延伸，但是可以在与第一电极主干部分310S间隔开的同时终止。也就是说，第二电极分支部分320B的一端可以连接到第二电极主干部分320S，并且其另一端可以设置在像素PX中，同时与第一电极主干部分310S间隔开。由于第二电极分支部分320B连接到针对每个像素PX电连接的第二电极主干部分320S，所以第二电极分支部分320B可以针对每个像素PX接收相同的电信号。
此外，第二电极分支部分320B可以被设置为与第一电极分支部分310B间隔开并且面对第一电极分支部分310B。这里，由于第一电极主干部分310S和第二电极主干部分320S相对于每个像素PX的中心在彼此相反的方向上彼此间隔开并且彼此面对，所以第一电极分支部分310B和第二电极分支部分320B可以在彼此相反的方向上延伸。换言之，第一电极分支部分310B在第二方向D2的一个方向上延伸，并且第二电极分支部分320B在第二方向D2的另一个方向上延伸，使得各个分支部分的一端可以相对于像素PX的中心设置在彼此相反的方向上。然而，本发明不限于此，第一电极主干部分310S和第二电极主干部分320S可以被设置为相对于像素PX的中心在相同方向上彼此间隔开。在这种情况下，分别从第一电极主干部分310S和第二电极主干部分320S分支的第一电极分支部分310B和第二电极分支部分320B可以在相同的方向上延伸。
多个发光元件350可以布置在第一电极分支部分310B与第二电极分支部分320B之间。具体地，多个发光元件350中的至少一些的一端可以电连接到第一电极分支部分310B，并且其另一端可以电连接到第二电极分支部分320B。接触电极361和362可以分别设置在连接到发光元件350的第一电极分支部分310B和第二电极分支部分320B上。接触电极361和362可以与发光元件350接触，使得发光元件350电连接到电极分支部分310B和320B。接触电极361和362可以与发光元件350的两侧端接触。因此，发光元件350可以接收电信号以发射特定颜色的光。
在一些实施例中，发光元件350的接触第一电极分支部分310B的一端可以是掺杂有n型掺杂剂的导电材料层，并且发光元件350的接触第二电极分支部分320B的另一端可以是掺杂有p型掺杂剂的导电材料层。然而，本发明不限于此。
多个发光元件350可以布置在第一电极310与第二电极320之间。第二绝缘层520可以设置在第一电极310和第二电极320上以覆盖第一电极310和第二电极320，并且可以设置有开口520P以部分地暴露第一电极310和第二电极320。多个发光元件350可以布置在开口520P中。
具体地，第一绝缘层510(在图4中示出)可以设置在第一电极310和第二电极320上以覆盖第一电极310和第二电极320，被图案化以暴露第一电极310和第二电极320与第一绝缘层510叠置的区域的至少一部分的第二绝缘层520可以设置在第一绝缘层510上。第二绝缘层520可以包括开口520P以暴露第一绝缘层510的至少一部分。
第一绝缘层510可以被设置为覆盖第一电极310和第二电极320以保护第一电极310和第二电极320。第一绝缘层510可以被设置为防止第一电极310和第二电极320在显示装置10的制造工艺期间短路。第一绝缘层510甚至可以设置在第一电极310和第二电极320彼此间隔开并且彼此面对的区域中，以便使第一电极310和第二电极320电隔离。虽然在附图中未示出，但是第一绝缘层510可以在第一电极310和第二电极320的至少一部分之上被图案化，因此稍后将描述的接触电极361和362可以与第一电极310或第二电极320接触。
第二绝缘层520可以设置在第一绝缘层510上，但是可以被图案化以暴露第一绝缘层510与第一电极310和第二电极320叠置的区域的至少一部分。例如，第二绝缘层520可以被图案化以暴露第一绝缘层510与第一电极310和第二电极320彼此面对的侧部处叠置的区域的至少一部分。也就是说，第二绝缘层520可以包括开口520P，并且开口520P可以在第一电极310和第二电极320彼此面对的侧部处暴露第一绝缘层510的至少一部分。发光元件350可以在第一电极310与第二电极320之间布置在暴露的第一绝缘层510上。虽然在图1中示出开口520P具有矩形形状，但是本发明不限于此，开口520P可以具有各种形状和结构。
稍后将参照图4中示出的显示装置10的剖视图描述第一绝缘层510和第二绝缘层520的更详细的布置和层压结构。在下文中，将详细描述开口520P的形状和布置。
图2是图1的部分A的放大图。
参照图1和图2，第二绝缘层520可以包括多个开口520P，并且多个开口520P可以被布置为彼此间隔开。由于多个开口520P彼此间隔开，所以存在第二绝缘层520的区域可以用作关于开口520P在第一方向D1上连接一个侧区域和另一侧区域的桥。然而，本发明不限于此，开口520P中的每个可以是通过图案化第二绝缘层520的一部分而形成的区域，因此未图案化区域可以存在于开口520P之间。
多个开口520P可以在第二方向D2上布置。任何一个开口520P可以与另一相邻开口520P间隔开，并且第二绝缘层520可以设置在彼此不同的开口520P之间。设置在一个像素PX中的开口520P之间的第二绝缘层520可以在第一方向D1上延伸，并且可以与设置在相邻像素PX中的开口520P之间的另一第二绝缘层520位于基本上直的线上。换言之，开口520P可以暴露第二绝缘层520的一部分，使得第二绝缘层520可以以基本上网格形状设置。
开口520P可以设置在第一电极310和第二电极320彼此面对的区域中，并且可以被设置为与第一电极310和第二电极320彼此面对的侧部叠置。一个开口520P可以被设置为从第一电极310和第二电极320的侧部朝向第一电极310和第二电极320的中心突出。
具体地，在开口520P的一个轴方向上(即，在第一方向D1上)测量的宽度d1可以比第一电极310的中心与第二电极320的中心之间的距离I2短，并且可以比第一电极310和第二电极320的相对侧之间的距离I1长。也就是说，开口520P可以被设置为在第一绝缘层510上暴露第一电极310的一侧和第二电极320的一侧并且覆盖第一电极310的中心和第二电极320的中心。此外，开口520P的中心可以与第一电极310的一侧与第二电极320的一侧之间的区域的中心排列。换言之，开口520P可以在第一电极310与第二电极320之间具有对称结构。然而，本发明不限于此。在一些实施例中，开口520P的中心可以被设置为与任何一个电极相邻，以便在第一电极310和第二电极320上形成非对称结构。
发光元件350的长轴的长度h(在图7中示出)可以比第一电极310的一侧与第二电极320的一侧之间的距离I1长，但是可以比第一电极310的中心与第二电极320的中心之间的距离I2短。在示例性实施例中，第一电极310的中心与第二电极320的中心之间的距离I2可以是发光元件350的长轴的长度h的1.25倍至1.75倍。例如，当发光元件350的长轴的长度h为4μm至7μm时，第一电极310的中心与第二电极320的中心之间的距离I2可以为5μm至12μm。本发明不限于此。因此，在开口520P中，发光元件350的两端分别设置在第一电极310和第二电极320上，并且可以与稍后将描述的接触电极361和362接触。
另外，在开口520P的与其所述一个轴方向交叉的另一个轴方向上测量的宽度，例如，在第二方向D2上测量的宽度d2和d2'可以朝向电极310和320中的每个的中心是恒定的。参照图2，在第二方向D2上在开口520P的中心处测量的宽度d2可以等于在第二方向D2上在开口520P的端部处测量的宽度d2'。也就是说，开口520P的形状可以是基本上有角的矩形。然而，开口520P的形状不限于此并且可以具有各种结构。在一些实施例中，开口520P的在第二方向D2上测量的宽度d2朝向开口520P的端部变短，并且开口520P的两端可以是圆形的。在另一实施例中，在开口520P的中心处测量的宽度d2可以朝向电极310和320中的每个的中心变长。为了更详细的描述，参照其他实施例。
开口520P的在第二方向D2上测量的宽度d2可以比第一电极310和第二电极320的在第二方向D2上测量的宽度短。因此，多个开口520P可以设置在第一电极310和第二电极320中的一个上。
如上所述，多个发光元件350在第一电极310与第二电极320之间设置在开口520P中。发光元件350的一端可以与第一电极310或第一电极分支部分310B接触，并且其另一端可以与第二电极320或第二电极分支部分320B接触。例如，发光元件350可以在第二方向D2上排列，并且可以彼此平行地布置。
发光元件350可以包括任意的第一发光元件350_1、在第一开口520P1中被设置为与第一发光元件350_1相对相邻的任意的其他的第二发光元件350_2以及设置在与第一开口520P1相邻的第二开口520P2中的任意的其他的第三发光元件350_3。第一发光元件350_1和第二发光元件350_2可以在第一电极310与第二电极320之间排列，同时在第一开口520P1中彼此间隔开。第一发光元件350_1与第二发光元件350_2中的每个之间的距离可以是恒定的，但是可以变化而不受限制。
第三发光元件350_3可以布置在与布置有第一发光元件350_1和第二发光元件350_2的第一开口520P1间隔开的第二开口520P2中，并且可以排列以彼此间隔开。第一开口520P1和第二开口520P2可以彼此间隔开预定距离。也就是说，第一发光元件350_1可以以各种间距与第二发光元件350_2间隔开，但是可以与第三发光元件350_3相对均匀地间隔开。
发光元件350可以以高密度布置在开口520P中，并且可以以低密度布置在多个开口520P彼此间隔开的区域中，以允许第二绝缘层520存在于例如在第一方向D1上连接开口520P的一侧和另一侧的桥区域中。
当AC电力施加在第一电极310与第二电极320之间以通过电场形成电容时，介电泳力(FDEP)可以传导到发光元件350。施加到发光元件350的介电泳力的强度可以通过电场的空间变化而变化。例如，如果存在具有不同电场强度的两个相邻区域，则介电泳力可以朝向其中电场的强度更强的区域更强力地施加。
由于第二绝缘层520的开口520P被设置为暴露第一绝缘层510的一部分，所以由AC电力形成的电场的强度在第一绝缘层510和第二绝缘层520上可以不同。假设形成在第一绝缘层510中的电场的强度根据第一绝缘层510和第二绝缘层520的材料的选择而增加，则形成在第一绝缘层510和第二绝缘层520上的电场的强度可以在第二绝缘层520的开口520P中在空间上变化。因此，施加到发光元件350的介电泳力可以在开口520P中更强。因此，可以在开口520P中在第一电极310与第二电极320之间引起发光元件350的优先排列。
开口520P可以允许发光元件350均匀地布置在每个像素PX中。当发光元件350通过介电泳直接在第一绝缘层510上排列时，它们可能会以任意排列程度布置在第一电极310与第二电极320之间。相反，当在形成包括开口520P的第二绝缘层520之后排列发光元件350时，发光元件350在开口520P中优先排列，因此发光元件350可以均匀地排列。因此，显示装置10对于每个像素PX可以具有均匀的亮度，并且可以防止光根据发光元件350的排列从一个像素PX分离并发射到外部的现象。
另外，如图1中所示，第一电极主干部分310S和第二电极主干部分320S可以分别通过诸如第一电极接触孔CNTD和第二电极接触孔CNTS的接触孔电连接到稍后将描述的薄膜晶体管或电源布线161。虽然在图1中示出了针对每个像素PX布置在第一电极主干部分310S和第二电极主干部分320S上的接触孔，但是本发明不限于此。如上所述，由于第二电极主干部分320S可以延伸到相邻像素PX并电连接，因此在一些实施例中，第二电极主干部分320S可通过一个接触孔电连接到薄膜晶体管。
图3是图1的显示装置的一个像素的等效电路图。虽然在附图中未示出，但是显示装置10可以包括多个像素PX。在图3中，将例示并描述任意的第i第j像素PX(i,j)。
参照图3，显示装置10的任意的第i第j像素PX(i,j)可以包括第i扫描线SLi、第j数据线DLj、第一开关元件TR1、第二开关元件TR2、发光元件350和存储电容器Cst。
第一开关元件TR1可以电连接到第i扫描线SLi、第j数据线DLj和第二开关元件TR2。在示例性实施例中，第一开关元件TR1和第二开关元件TR2可以是诸如薄膜晶体管的三端子元件。在下文中，将假设第一开关元件TR1和第二开关元件TR2是薄膜晶体管来描述第一开关元件TR1和第二开关元件TR2。
第一开关元件TR1可以包括电连接到第i扫描线SLi的控制电极、电连接到第j数据线DLj的第一电极和电连接到第二开关元件TR2的控制电极的第二电极。
第二开关元件TR2可以包括电连接到第一开关元件TR1的第二电极的控制电极、电连接到被提供第一驱动电压QVDD的第一驱动电压线QVDDL的第一电极和电连接到发光元件350的第二电极。
存储电容器Cst可以包括电连接到第一开关元件TR1的第二电极的第一电极和电连接到被提供第一驱动电压QVDD的第一驱动电压线QVDDL的第二电极。
第一开关元件TR1可以根据从第i扫描线SLi接收的扫描信号Si导通，并且可以将从第j数据线DLj接收的数据信号Dj供应到存储电容器Cst。存储电容器Cst可以充入接收的数据信号Dj的电压与第一驱动电压QVDD的电压之间的电压差。第二开关元件TR2可以根据存储电容器Cst中充入的电压来控制供应到发光元件350的驱动电流的量。也就是说，第一开关元件TR1可以是开关晶体管，第二开关元件TR2可以是驱动晶体管。
发光元件350的连接到第一电极310的一端可以电连接到第二开关元件TR2的第二电极。发光元件350可以通过第二开关元件TR2的第二电极接收电流。发光元件350的连接到第二电极320的另一端可以电连接到第二驱动电压线QVSSL，因此发光元件350可以接收第二驱动电压QVSS。第一驱动电压QVDD可以具有比第二驱动电压QVSS高的电压电平。
另外，尽管在图3中示出了像素包括两个开关元件(即，第一开关元件TR1和第二开关元件TR2)和一个电容器(即，存储电容器Cst)，但是本发明不限于此。在一些实施例中，像素可以包括更大数量的开关元件。尽管在附图中未示出，但是像素也可以包括彼此不同的七个开关元件、一个驱动开关元件和一个存储电容器。
在下文中，将参照图4描述设置在显示装置10中的多个构件的更具体的结构。
图4是沿着图1的线I-I'和II-II'截取的剖视图。虽然图4示出了仅一个像素PX，但是其也可以应用于其他像素PX。
参照图1至图4，显示装置10可以包括基底110、设置在基底110上的薄膜晶体管120和140、设置在薄膜晶体管120和140上的电极310和320。薄膜晶体管可以包括可以分别为驱动晶体管和开关晶体管的第一薄膜晶体管120和第二薄膜晶体管140。薄膜晶体管120和140中的每个可以包括有源层、栅电极、源电极和漏电极。第一电极310可以电连接到第一薄膜晶体管120的漏电极123。
更具体地，基底110可以是绝缘基底。基底110可以由诸如玻璃、石英或聚合物树脂的绝缘材料制成。聚合物树脂的示例可以包括聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PA)、聚芳酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚烯丙基酯、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纤维素(CAT)、乙酸丙酸纤维素(CAP)及其组合。基底110可以是刚性基底，但也可以是能够弯曲、折叠、卷曲等的柔性基底。
缓冲层115可以设置在基底110上。缓冲层115可以防止杂质离子的扩散，可以防止湿气或外部空气的渗透，并且可以执行表面平坦化功能。缓冲层115可以包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。
半导体层设置在缓冲层115上。半导体层可以包括第一薄膜晶体管120的第一有源层126、第二薄膜晶体管140的第二有源层146和辅助层163。半导体层可以包括多晶硅、单晶硅、氧化物半导体等。
第一栅极绝缘层170设置在半导体层上。第一栅极绝缘层170覆盖半导体层。第一栅极绝缘层170可以用作薄膜晶体管的栅极绝缘膜。第一栅极绝缘层170可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钽、氧化铪、氧化锆、氧化钛等。这些化合物可以单独使用或彼此组合使用。
第一导电层设置在第一栅极绝缘层170上。第一导电层可以包括设置在第一薄膜晶体管120的第一有源层126上的第一栅电极121、设置在第二薄膜晶体管140的第二有源层146上的第二栅电极141和设置在辅助层163上的电源布线161且第一栅极绝缘层170位于它们之间。第一导电层可以包括选自钼(Mo)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钛(Ti)、钽(Ta)、钨(W)和铜(Cu)中的至少一种金属。第一导电层可以是单层膜或多层膜。
第二栅极绝缘层180设置在第一导电层上。第二栅极绝缘层180可以是层间绝缘膜。第二栅极绝缘层180可以包括无机绝缘材料，诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铪、氧化铝、氧化钛、氧化钽或氧化锌。
第二导电层设置在第二栅极绝缘层180上。第二导电层包括设置在第一栅电极121上的电容器电极128且第二栅极绝缘层180位于电容器电极128与第一栅电极121之间。电容器电极128可以与第一栅电极121一起构成存储电容器。
与第一导电层相似，第二导电层可以包括选自钼(Mo)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钛(Ti)、钽(Ta)、钨(W)和铜(Cu)中的至少一种金属。
层间绝缘层190设置在第二导电层上。层间绝缘层190可以是层间绝缘膜。此外，层间绝缘层190可以执行表面平坦化功能。层间绝缘层190可以包括有机绝缘材料，诸如聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂或苯并环丁烯(BCB)。
第三导电层设置在层间绝缘层190上。第三导电层包括第一薄膜晶体管120的第一漏电极123和第一源电极124、第二薄膜晶体管140的第二漏电极143和第二源电极144以及设置在电源布线161上的电源电极162。
第一源电极124和第一漏电极123中的每个可以通过穿透层间绝缘层190、第二栅极绝缘层180和第一栅极绝缘层170的第一接触孔129电连接到第一有源层126。第二源电极144和第二漏电极143中的每个可以通过穿透层间绝缘层190、第二栅极绝缘层180和第一栅极绝缘层170的第二接触孔149电连接到第二有源层146。电源电极162可以通过穿透层间绝缘层190和第二栅极绝缘层180的第三接触孔169电连接到电源布线161。
第三导电层可以包括选自钼(Mo)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钛(Ti)、钽(Ta)、钨(W)和铜(Cu)中的至少一种金属。第三导电层可以是单层膜或多层膜。例如，第三导电层可以由Ti/Al/Ti、Mo/Al/Mo、Mo/AlGe/Mo或Ti/Cu的层压结构形成。
绝缘基底层300设置在第三导电层上。绝缘基底层300可以包括有机绝缘材料，诸如聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂或苯并环丁烯(BCB)。绝缘基底层300的表面可以是平坦的。
多个分隔壁410和420可以设置在绝缘基底层300上。多个分隔壁410和420被设置为在像素PX中的每个中彼此间隔开且彼此面对，并且第一电极310和第二电极320可以设置在彼此间隔开的分隔壁410和420(例如第一分隔壁410和第二分隔壁420)上。图1和图4示出了三个分隔壁410和420(具体地，两个第一分隔壁410和一个第二分隔壁420)设置在一个像素PX中的情况，因此设置两个第一电极310和一个第二电极320。
然而，本发明不限于此，并且更大数量的分隔壁410和420可以设置在一个像素PX中。例如，更大数量的分隔壁410和420可以设置在一个像素PX中，因此可以设置更大数量的第一电极310和第二电极320。分隔壁410和420可以包括其上设置有第一电极310的至少一个第一分隔壁410和其上设置有第二电极320的至少一个第二分隔壁420。在这种情况下，第一分隔壁410和第二分隔壁420可以被设置为彼此间隔开并且彼此面对，并且多个分隔壁410和420可以在一个方向上交替地布置。在一些实施例中，两个第一分隔壁410可以设置为彼此间隔开，并且一个第二分隔壁420可以设置在间隔开的第一分隔壁410之间。
另外，多个分隔壁410和420可以由基本上相同的材料制成，因此可以在一个工艺中形成。在这种情况下，分隔壁410和420可以形成一个网格图案。分隔壁410和420可以包括聚酰亚胺(PI)。
另外，尽管在附图中未示出，但是多个分隔壁410和420中的至少一些可以设置在各个像素PX之间的边界处以将它们彼此区分。这些分隔壁410和420可以与上述第一分隔壁410和第二分隔壁420一起基本上以网格图案布置。设置在各个像素PX之间的边界处的多个分隔壁410和420中的至少一些分隔壁可以设置为覆盖显示装置10的电极线。
反射层311和321可以设置在多个分隔壁410和420上。
第一反射层311覆盖第一分隔壁410，并且通过穿透绝缘基底层300的第四接触孔319_1电连接到第一薄膜晶体管120的第一漏电极123。第二反射层321覆盖第二分隔壁420，并且通过穿透绝缘基底层300的第五接触孔319_2电连接到电源电极162。
第一反射层311可以通过像素PX中的第四接触孔319_1电连接到第一薄膜晶体管120的第一漏电极123。因此，第一薄膜晶体管120可以设置在与像素PX叠置的区域中。在图1中示出了第一反射层311通过设置在第一电极主干部分310S上的第一电极接触孔CNTD电连接到第一薄膜晶体管120。也就是说，第一电极接触孔CNTD可以是第四接触孔319_1。
第二反射层321也可以通过像素PX中的第五接触孔319_2电连接到电源电极162。在图4中示出了第二反射层321通过在一个像素PX中的第五接触孔319_2电连接到电源电极162。在图1中示出了每个像素PX的第二电极320通过在第二电极主干部分320S上的多个第二电极接触孔CNTS电连接到电源布线161。也就是说，第二电极接触孔CNTS可以是第五接触孔319_2。然而，本发明不限于此。例如，在图1中，第二电极接触孔CNTS即使在第二电极主干部分320S上也可以设置在各种位置处，并且在一些情况下，第二电极接触孔CNTS可以设置在第二电极分支部分320B上。此外，在一些实施例中，第二反射层321可以连接到除了像素PX之外的区域中的一个第二电极接触孔CNTS或一个第五接触孔319_2。
图6是根据另一实施例的显示装置的平面图。
显示装置10可以包括除了设置有发光元件350的发光区域之外的区域，例如，未设置有发光元件350的非发光区域。如上所述，每个像素PX的第二电极320通过第二电极主干部分320S彼此电连接，以便接收相同的电信号。
参照图6，在一些实施例中，在第二电极320的情况下，第二电极主干部分320S可以通过位于显示装置10的外部处的非发光区域中的一个第二电极接触孔CNTS电连接到电源电极162。与图1的显示装置10不同，即使当第二电极主干部分320S通过一个接触孔CNTS连接到电源电极162时，第二电极主干部分320S也延伸到相邻像素PX并且电连接，使得相同的电信号可以施加到每个像素PX的第二电极分支部分320B。在显示装置10的第二电极320的情况下，用于从电源电极162接收电信号的接触孔的位置可以根据显示装置10的结构而改变。
另外，再次参照图1和图4，反射层311和321中的每个可以包括高反射率材料以反射从发光元件350发射的光。例如，反射层311和321中的每个可以包括诸如银(Ag)或铜(Cu)的材料，但是本发明不限于此。
多个分隔壁410和420中的至少一些可以具有从绝缘基底层300突出的结构。分隔壁410和420可以从其上布置有发光元件350的平面向上突出，并且突出部分中的至少一些可以有倾斜度。具有有倾斜度的突出结构的分隔壁410和420可以反射入射到设置在分隔壁410和420上的反射层311和321上的光。从发光元件350朝反射层311和321导向的光可以例如在分隔壁410和420上方被反射，然后透射到显示装置10的外部。
第一电极层312和第二电极层322可以分别设置在第一反射层311和第二反射层321上。
第一电极层312直接设置在第一反射层311上。第一电极层312可以具有与第一反射层311的图案基本上相同的图案。第二电极层322直接设置在第二反射层321上且与第一电极层312间隔开。第二电极层322可以具有与第二反射层321的图案基本上相同的图案。
在实施例中，电极层312和322可以分别覆盖下面的反射层311和321。也就是说，电极层312和322可以形成为比反射层311和321大，以覆盖反射层311和321的端部的侧表面。然而，本发明不限于此。
第一电极层312和第二电极层322可以将传输到第一反射层311和第二反射层321的电信号传输到稍后将描述的接触电极，第一反射层311和第二反射层321连接到第一薄膜晶体管120或电源电极162。电极层312和322可以包括透明导电材料。例如，电极层312和322可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)或氧化铟锡锌(ITZO)的材料，但是本发明不限于此。在一些实施例中，反射层311和321以及电极层312和322可以具有其中透明导电层(诸如ITO、IZO或ITZO)和金属层(诸如银或铜)层压一层或更多层的结构。例如，反射层311和321以及电极层312和322可以具有ITO/银(Ag)/ITO的层压结构。
设置在第一分隔壁410上的第一反射层311和第一电极层312构成第一电极310。第一电极310可以突出到从第一分隔壁410的两端延伸的区域，因此第一电极310可以在突出区域中与绝缘基底层300接触。设置在第二分隔壁420上的第二反射层321和第二电极层322构成第二电极320。第二电极320可以突出到从第二分隔壁420的两端延伸的区域，因此第二电极320可以在突出区域中与绝缘基底层300接触。
第一电极310和第二电极320可以被设置为分别覆盖第一分隔壁410的整个区域和第二分隔壁420的整个区域。然而，如上所述，第一电极310和第二电极320彼此间隔开并且彼此面对。如稍后将描述的，第一绝缘层510可以设置在彼此间隔开的第一电极310与第二电极320之间，并且发光元件350可以设置在第一绝缘层510上。
第一反射层311可以从第一薄膜晶体管120接收驱动电压，第二反射层321可以从电源布线161接收电源电压，使得第一电极310和第二电极320分别接收驱动电压和电源电压。如稍后将描述的，第一电极310可以电连接到第一薄膜晶体管120，并且第二电极320可以电连接到电源布线161。因此，设置在第一电极310和第二电极320上的第一接触电极361和第二接触电极362可以接收驱动电压和电源电压。驱动电压和电源电压传输到发光元件350，电流流过发光元件350，以便发光。
第一绝缘层510设置在第一电极310的一部分和第二电极320的一部分上。第一绝缘层510可以设置在第一电极310与第二电极320之间的空间中。第一绝缘层510在平面图中可以具有沿着第一电极分支部分310B与第二电极分支部分320B之间的空间的岛形形状或线形形状。
发光元件350设置在第一绝缘层510上。第一绝缘层510可以设置在发光元件350与绝缘基底层300之间。第一绝缘层510的下表面可以与绝缘基底层300接触，并且发光元件350可以设置在第一绝缘层510的上表面上。此外，第一绝缘层510可以被设置为覆盖电极310和320的彼此面对的端部，以便使它们彼此电绝缘。
第一绝缘层510可以与电极310和320中的每个上的区域的一部分叠置，例如，在第一电极310和第二电极320彼此面对的方向上突出的区域的一部分。第一绝缘层510甚至可以在电极310和320上的区域之间设置在分隔壁410和420的上表面上。因此，第一绝缘层510的下表面可以与绝缘基底层300以及电极310和320接触。电极310和320中的每个的上表面的一部分(该上表面未设置有第一绝缘层510)可以被暴露。发光元件350可以设置在第一绝缘层510上，使得发光元件350的两侧被暴露。因此，稍后将描述的接触电极361和362可以与电极310和320的暴露的上表面以及发光元件350的两侧接触。
例如，第一绝缘层510可以覆盖在第一电极310和第二电极320彼此面对的方向上突出的区域的上表面。第一绝缘层510可以保护与电极310和320叠置的区域，并且使它们彼此电绝缘。此外，第一绝缘层510可以防止发光元件350的第一导电半导体层351和第二导电半导体层352与其他基底直接接触，以防止发光元件350的损坏。
至少一个发光元件350可以设置在第一电极310与第二电极320之间。虽然在图1中示出了仅发射相同颜色的光的发光元件350布置在每个像素PX中，但是本发明不限于此。如上所述，发射彼此不同颜色的光的发光元件350可以布置在一个像素PX中。
如上所述，发光元件350的长轴的长度h可以比第一电极310与第二电极320之间的距离(例如，第一电极310的一侧与第二电极320的一侧(所述一侧彼此面对)之间的距离I1)长，但是可以比第一电极310的中心与第二电极320的中心之间的距离I2短。因此，发光元件350的一端可以与第一电极310接触，并且另一端可以与第二电极320接触。此外，发光元件350的两端可以容易地与稍后将描述的接触电极361和362电接触。
发光元件350可以是发光二极管。发光元件350可以是其尺寸通常为纳米的纳米结构。发光元件350可以是包括无机材料的无机发光二极管。在发光元件350是无机发光二极管的情况下，当具有无机晶体结构的发光材料设置在彼此面对的两个电极之间并且电场沿特定方向形成在发光材料中时，无机发光二极管可以在其中形成有特定极性的两个电极之间排列。
参照图4的放大图，如稍后将描述的，在一些实施例中，发光元件350可以具有其中层压有第一导电半导体层351、活性材料层353、第二导电半导体层352和电极材料层357的结构。按照发光元件350的层压顺序，第一导电半导体层351、活性材料层353、第二导电半导体层352和电极材料层357在相对于绝缘基底层300水平的方向上布置。换言之，其中层压有多个层的发光元件350可以在相对于绝缘基底层300水平的水平方向上设置。
在实施例中，发光元件350的第一导电半导体层351可以电连接到第一电极310或第一电极310的面对第二电极320的一侧，并且发光元件350的第二导电半导体层352或电极材料层357可以电连接到第一电极310的另一侧或第二电极320。例如，当第一电极310是阴极电极并且第二电极320是阳极电极时，电子可以注入到发光元件350的第一导电半导体层351中，并且空穴可以注入到发光元件350的第二导电半导体层352或电极材料层357中。注入到发光元件350中的电子和空穴可以在活性材料层353中复合以发射特定波长带的光。然而，本发明不限于此。在一些情况下，发光元件350的第一导电半导体层351可以电连接到第二电极320，并且其第二导电半导体层352可以电连接到第一电极310。稍后将描述发光元件350的结构的更详细的描述。
第二绝缘层520可以设置在第一绝缘层510上，并且可以与发光元件350的至少一部分、第一电极310和第二电极320叠置。如上所述，第二绝缘层520可以包括开口520P，使得第一绝缘层510的一部分被暴露。在制造显示装置10的工艺期间，可以通过形成第二绝缘层520以便覆盖整个第一绝缘层510然后图案化第二绝缘层520来形成该开口520P。
在这种情况下，第二绝缘层520可以起到保护和固定在第一电极310与第二电极320之间排列的发光元件350的作用。虽然在附图中未示出，但是第二绝缘层520可以设置在发光元件350的上表面和外表面上。然而，发光元件350的两个侧表面被设置为暴露。也就是说，由于设置在发光元件350的上表面上的第二绝缘层520的在剖面中在单轴方向上测量的长度比发光元件350的长度短，所以第二绝缘层520可以从发光元件350的两侧向内凹陷。因此，第一绝缘层510、发光元件350和第二绝缘层520的侧表面可以台阶状层压。在这种情况下，稍后将描述的接触电极361和362可以与发光元件350的两端平滑地接触。然而，本发明不限于此，第二绝缘层520的长度可以与发光元件350的长度匹配，使得第二绝缘层520和发光元件350的两侧可以彼此对齐。
第二绝缘层520可以包括开口520P以引起多个发光元件350在第一电极310与第二电极320之间的均匀排列。开口520P可以通过干蚀刻工艺或湿蚀刻工艺图案化第二绝缘层520而形成。第一绝缘层510和第二绝缘层520可以包括具有彼此不同的蚀刻选择比的材料，以防止在图案化第二绝缘层520时第一绝缘层510被蚀刻。因此，当通过图案化第二绝缘层520形成开口520P时，第一绝缘层510可以不被损坏。稍后将描述的接触电极361和362可以与由开口520P暴露的第一绝缘层510上的发光元件350接触。
图5是示出图1的显示装置的一部分的剖视图。图5仅示出了设置在第一电极310和第二电极320上的第一绝缘层510和开口520P。在下文中，将参照图5更详细地描述开口520P的剖面的结构。
第二绝缘层520可以设置在第一绝缘层510上，并且第二绝缘层520可以被图案化以在设置有发光元件350的区域中形成开口520P。
可以通过一般的干蚀刻方法或湿蚀刻方法来执行通过图案化第二绝缘层520形成开口520P的工艺。这里，为了防止第一绝缘层510被图案化，第一绝缘层510和第二绝缘层520可以包括具有彼此不同的蚀刻选择比的材料。换言之，在图案化第二绝缘层520时，第一绝缘层510可以用作蚀刻阻挡件。因此，可以在保持第一绝缘层510的形状的同时形成开口520P。稍后将描述其细节。
第一绝缘层510可以通过开口520P暴露于外部，并且如上所述，AC电力的电场的强度在暴露区域中可以是强的。在第一绝缘层510上存在第二绝缘层520的区域可以具有比由开口520P暴露的区域弱的电场。因此，可以发生电场强度在第二绝缘层520存在的区域与开口520P之间的空间变化。如上所述，电场强度的空间变化可以将更强的介电泳力(FDEP)施加到发光元件350，并且发光元件350可以优选地设置在开口520P中。
另外，在第一电极310和第二电极320的上表面之间，通过第一分隔壁410和第二分隔壁420从绝缘基底层300突出的区域可以通过图案化第一绝缘层510和第二绝缘层520而暴露。暴露的区域可以通过接触稍后将描述的接触电极361和362而电连接到第一电极310和第二电极320。
再次参照图4，设置在第一电极310上并与第二绝缘层520的至少一部分叠置的第一接触电极361和设置在第二电极320上并与第二绝缘层520的至少一部分叠置的第二接触电极362可以设置在第二绝缘层520上。
第一接触电极361可以设置在第一电极310上以覆盖第一电极310，并且第一接触电极361的下表面可以与发光元件350、第一绝缘层510和第二绝缘层520部分地接触。第一接触电极361在设置有第二电极320的方向上的一端可以设置在第二绝缘层520上。
第二接触电极362可以设置在第二电极320上以覆盖第二电极320，并且第二接触电极362的下表面可以与发光元件350、第一绝缘层510和第三绝缘层530部分地接触。第二接触电极362在设置有第一电极310的方向上的两端可以设置在第三绝缘层530上。
换言之，第一接触电极361和第二接触电极362可以分别设置在第一电极310和第二电极320的上表面上。具体地，第一接触电极361和第二接触电极362可以与位于第一电极310和第二电极320的上表面上的第一电极层312和第二电极层322接触。被设置为覆盖位于第一分隔壁410和第二分隔壁420的上表面上的第一电极310和第二电极320的区域可以被图案化以暴露第一电极层312和第二电极层322，因此第一绝缘层510和第二绝缘层520可以电连接到暴露区域中相应的接触电极361和362。
第一接触电极361和第二接触电极362可以分别与发光元件350的一端和另一端(例如，第一导电半导体层351和电极材料层357)接触。因此，第一接触电极361和第二接触电极362可以将施加到第一电极层312和第二电极层322的电信号传输到发光元件350。
第一接触电极361和第二接触电极362可以被设置为在第二绝缘层520或第三绝缘层530上彼此间隔开。也就是说，第一接触电极361和第二接触电极362可以与第二绝缘层520或第三绝缘层530连同发光元件350一起接触，但是可以在第二绝缘层520上在层压方向上彼此间隔开以电绝缘。因此，第一接触电极361和第二接触电极362可以分别从第一薄膜晶体管120和电源布线161接收不同的电力。例如，第一接触电极361可以接收从第一薄膜晶体管120施加到第一电极310的驱动电压，第二接触电极362可以接收从电源布线161施加到第二电极320的共电源电压。然而，本发明不限于此。
接触电极361和362可以包括导电材料。例如，接触电极361和362可以包括ITO、IZO、ITZO或铝(Al)。然而，本发明不限于此。
此外，接触电极361和362可以包括与电极层312和322相同的材料。接触电极361和362可以以基本上相同的图案设置在电极层312和322上，以便与电极层312和322接触。例如，与第一电极层312和第二电极层322接触的第一接触电极361和第二接触电极362可以接收施加到第一电极层312和第二电极层322的电信号，并将电信号传输到发光元件350。
第三绝缘层530可以设置在第一接触电极361上以使第一接触电极361和第二接触电极362彼此电绝缘。第三绝缘层530可以被设置为覆盖第一接触电极361，但是可以被设置为与发光元件350的一部分不叠置，使得发光元件350与第二接触电极362接触。第三绝缘层530可以在第二绝缘层520的上表面上部分地接触第一接触电极361、第二接触电极362和第二绝缘层520。第三绝缘层530可以被设置为覆盖位于第二绝缘层520的上表面上的第一接触电极361的一端。因此，第三绝缘层530可以保护第一接触电极361并且使第一接触电极361和第二接触电极362彼此电绝缘。
第三绝缘层530在设置有第二电极320的方向上的一端可以与第二绝缘层520的一个侧表面对齐。
另外，在一些实施例中，显示装置10可以不包括第三绝缘层530。因此，第一接触电极361和第二接触电极362可以基本上设置在同一平面上，并且第一接触电极361和第二接触电极362可以通过稍后将描述的钝化层550彼此电绝缘。
钝化层550可以形成在第三绝缘层530和第二接触电极362上，以用于保护设置在绝缘基底层300上的构件免受外部环境影响。当第一接触电极361和第二接触电极362暴露时，可能会发生由于电极损坏引起的接触电极材料断开的问题，故而钝化层550可以覆盖这些构件。也就是说，钝化层550可以被设置为覆盖第一电极310、第二电极320、发光元件350等。如上所述，当省略第三绝缘层530时，钝化层550可以形成在第一接触电极361和第二接触电极362上。在这种情况下，钝化层550可以使第一接触电极361和第二接触电极362彼此电绝缘。
上述的第一绝缘层510、第二绝缘层520、第三绝缘层530和钝化层550中的每个可以包括无机绝缘材料。例如，第一绝缘层510、第二绝缘层520、第三绝缘层530和钝化层550可以包括无机绝缘材料，诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)。第一绝缘层510、第二绝缘层520、第三绝缘层530和钝化层550可以包括相同的材料，或者可以包括彼此不同的材料。此外，可以应用赋予第一绝缘层510、第二绝缘层520、第三绝缘层530和钝化层550绝缘特性的各种材料。
另外，如上所述，第一绝缘层510和第二绝缘层520可以具有不同的蚀刻选择比。例如，当第一绝缘层510包括氧化硅(SiOx)时，第二绝缘层520可以包括氮化硅(SiNx)。作为另一示例，当第一绝缘层510包括氮化硅(SiNx)时，第二绝缘层520可以包括氧化硅(SiOx)。然而，本发明不限于此。
另外，可以通过外延生长方法在基底上制造发光元件350。可以通过在基底上形成用于形成半导体层的籽晶层并在籽晶层上沉积期望的半导体材料以生长籽晶层来制造发光元件350。在下文中，将参照图7详细描述根据各种实施例的发光元件350的结构。
图7是根据实施例的发光元件的示意性透视图。
参照图7，发光元件350可以包括多个导电半导体层351和352、设置在多个导电半导体层351与352之间的活性材料层353、电极材料层357和绝缘材料层358。从第一电极310和第二电极320施加的电信号可以通过多个导电半导体层351和352传输到活性材料层353以发光。
具体地，发光元件350可以包括第一导电半导体层351、第二导电半导体层352、设置在第一导电半导体层351与第二导电半导体层352之间的活性材料层353、设置在第二导电半导体层352上的电极材料层357以及绝缘材料层358。虽然在图7中示出了发光元件350具有其中第一导电半导体层351、活性材料层353、第二导电半导体层352和电极材料层357顺序层压的结构，但是本发明不限于此。可以省略电极材料层357，并且在一些实施例中，电极材料层357也可以设置在第一导电半导体层351和第二导电半导体层352的两个侧表面中的至少一个上。在下文中，将描述图7的发光元件350作为示例。
第一导电半导体层351可以是n型半导体层。例如，当发光元件350发射蓝色波长带的光时，第一导电半导体层351可以是具有化学式InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料。例如，半导体材料可以是作为n型掺杂半导体的InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的至少一种。第一导电半导体层351可以掺杂有第一导电掺杂剂，例如，第一导电掺杂剂可以是Si、Ge、Sn等。第一导电半导体层351的长度可以在1.5μm至5μm的范围内，但不限于此。
第二导电半导体层352可以是p型半导体层。例如，当发光元件350发射蓝色波长带的光时，第二导电半导体层352可以是具有化学式InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料。例如，半导体材料可以是作为p型掺杂半导体的InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的至少一种。第二导电半导体层352可以掺杂有第二导电掺杂剂，例如，第二导电掺杂剂可以是Mg、Zn、Ca、Se、Ba等。第二导电半导体层352的长度可以在0.08μm至0.25μm的范围内，但不限于此。
活性材料层353可以设置在第一导电半导体层351与第二导电半导体层352之间，并且可以包括具有单量子阱结构或多量子阱结构的材料。当活性材料层353包括具有多量子阱结构的材料时，多量子阱结构可以是其中多个量子层和多个阱层交替层压的结构。活性材料层353可以根据通过第一导电半导体层351和第二导电半导体层352施加的电信号由电子-空穴对的结合来发光。例如，当活性材料层353发射蓝色波长带的光时，其可以包括诸如AlGaN或AlInGaN的材料。特别地，当活性材料层353具有其中多个量子层和多个阱层交替层压的多量子阱结构时，量子层可以包括诸如AlGaN或AlInGaN的材料，阱层可以包括诸如GaN或AlGaN的材料。然而，本发明不限于此。活性材料层353可以具有其中具有高带隙能的半导体材料和具有低带隙能的半导体材料交替层压的结构，并且根据发射光的波长带可以包括其他III-V族半导体材料。因此，从活性材料层353发射的光不限于蓝色波长带的光，并且在一些情况下，活性材料层353可以发射红色波长带的光或绿色波长带的光。活性材料层353的长度可以在0.05μm至0.25μm的范围内，但不限于此。
从活性材料层353发射的光不仅可以发射到发光元件350沿长度方向的外表面上，而且可以发射到其两个侧表面上。也就是说，从活性材料层353发射的光的方向不限于一个方向。
电极材料层357可以是欧姆接触电极。然而，本发明不限于此，电极材料层357可以是肖特基接触电极。电极材料层357可以包括导电金属。例如，电极材料层357可以包括铝(Al)、钛(Ti)、铟(In)、金(Au)和银(Ag)中的至少一种。电极材料层357可以包括相同的材料，也可以包括不同的材料。然而，本发明不限于此。
绝缘材料层358可以形成在发光元件350的外侧处以保护发光元件350。例如，绝缘材料层358形成为围绕发光元件350的侧表面，因此可以不形成在发光元件350的在长度方向上的两端处，例如，不形成在其设置有第一导电半导体层351和第二导电半导体层352的两端处。然而，本发明不限于此。绝缘材料层358可以包括具有绝缘性质的材料，诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氮化铝(AlN)或氧化铝(Al2O3)。因此，能够防止在活性材料层353与第一电极310或第二电极320直接接触时可能会发生的电短路。
绝缘材料层358可以在长度方向上延伸以覆盖第一导电半导体层351至电极材料层357。然而，本发明不限于此。绝缘材料层358可以仅覆盖第一导电半导体层351、活性材料层353和第二导电半导体层352，或者可以仅覆盖电极材料层357的外表面的一部分，以暴露电极材料层357的外表面的一部分。
此外，在一些实施例中，绝缘材料层358可以进行表面处理，以便分散于溶液中而不与另一绝缘材料层358凝聚。当排列稍后将描述的发光元件350时，溶液中的发光元件350保持分散状态，使得发光元件350可以在第一电极310与第二电极320之间排列而不会彼此凝聚。例如，绝缘材料层358可以进行疏水表面处理或亲水表面处理，使得发光元件350可以保持在其中发光元件350彼此分散在溶液中的状态。
绝缘材料层358的长度可以在0.5μm至1.5μm的范围内，但不限于此。
发光元件350可以是圆柱形的。然而，发光元件350的形状不限于此，并且可以具有诸如立方体、长方体和六边形柱的各种形状。发光元件350的长度可以在1μm至10μm或2μm至5μm的范围内，并且优选地可以是大约4μm。发光元件350的直径可以在400nm至700nm的范围内，并且优选地可以是大约500nm。
在下文中，将参照图8至图12详细描述根据实施例的制造显示装置10的方法。
图8至图12是示意性地示出根据实施例的制造显示装置的方法的平面图。
首先，参照图8，在绝缘基底层300上形成多个电极310和320。可以通过经由一般的掩模工艺使金属或有机材料图案化来执行形成多个电极310和320的工艺。
如上面参照图1描述的，第一电极主干部分310S和第二电极主干部分320S在第一方向D1上延伸，并且被设置为彼此间隔开并彼此面对。虽然在图1中示出了第一电极主干部分310S在相邻像素PX之间彼此电分离并彼此间隔开，但是在图8中，第一电极主干部分310S的一端也可以延伸到多个相邻像素PX。第一电极主干部分310S的一端和第二电极主干部分320S的一端可以连接到信号施加垫(未示出)，因此可以在排列发光元件350时施加AC电力，稍后将对此进行描述。
第一电极分支部分310B和第二电极分支部分320B分别从第一电极主干部分310S和第二电极主干部分320S分支，并且在第二方向D2上延伸。如上所述，第一电极分支部分310B和第二电极分支部分320B在彼此相反的方向上延伸，并且在与第一电极主干部分310S和第二电极主干部分320S间隔开的状态下终止。
也就是说，除了第一电极主干部分310S延伸到相邻像素PX并且电连接到每个像素PX的第一电极主干部分310S之外，图8的第一电极310与图1的第一电极310相同。将省略其详细描述。虽然在附图中未示出，但是可以在第一电极310和第二电极320上设置图4的第一绝缘层510。如上所述，可以将第一绝缘层510设置为覆盖第一电极310的一部分和第二电极320的一部分，并且第一绝缘层510可以保护它们或使它们电绝缘。
接下来，参照图9，在电极310和320以及第一绝缘层510(在图4中示出)上形成第二绝缘层520。
可以通过稍后将描述的工艺在第二绝缘层520中形成开口520P。可以通过一般的图案化方法来执行形成第二绝缘层520的工艺。虽然在图8中示出了将第二绝缘层520设置为覆盖第一电极分支部分310B的一部分和第二电极分支部分320B的一部分，但是本发明不限于此。在一些情况下，可以将第二绝缘层520设置为覆盖第一电极分支部分310B和第二电极分支部分320B的全部，或者可以覆盖第一电极主干部分310S和第二电极主干部分320S。另外，如上所述，第二绝缘层520可以包括具有与第一绝缘层510不同的蚀刻选择比的材料。
接下来，参照图10，通过使第二绝缘层520的一部分图案化来形成开口520P。开口520P的布置和结构与上面已经参照图1和图2描述的布置和结构相同。将省略其详细描述。
接下来，参照图11，在第一电极分支部分310B和第二电极分支部分320B彼此叠置的区域中将多个发光元件350设置在开口520P中。
具体地，尽管在附图中未示出，但是在第一电极分支部分310B与第二电极分支部分320B之间施加包括发光元件350的溶液。然后，从连接到第一电极主干部分310S的一端和第二电极主干部分320S的一端的信号施加垫(未示出)施加AC电力，以排列发光元件350。
从信号施加垫(未示出)施加的AC电力可以因第一电极分支部分310B与第二电极分支部分320B之间的电场而形成电容。在施加的溶液中的发光元件350可以通过因电场引起的电容而受介电泳力(DEP力)影响。可以通过介电泳力在第一电极分支部分310B与第二电极分支部分320B之间排列发光元件350。接收DEP力的发光元件350的一端可以连接到第一电极分支部分310B，并且其另一端可以连接到第二电极分支部分320B的两个侧表面。
通过电容施加到发光元件350的介电泳力可以使发光元件350在电极310与电极320之间具有一定的方向性。例如，发光元件350的第一导电半导体层351可以连接到第一电极分支部分310B或第一电极310的在第二电极分支部分320B的方向上的一个侧表面，并且发光元件350的第二导电半导体层352可以连接到第二电极分支部分320B或第一电极310的另一个侧表面。然而，本发明不限于此，并且发光元件350可以在电极310与电极320之间在任何方向上排列。
此外，在第一电极310和第二电极320上，由AC电力通过开口520P产生的电场的强度可以不同。
具体地，在与开口520P叠置的区域中的第一绝缘层510可以暴露于外部，并且除了该区域之外的区域可以被第二绝缘层520覆盖。当在第一电极310与第二电极320之间施加AC电力时，在第一绝缘层510暴露于外部的区域中形成强电场，并且在被第二绝缘层520覆盖的区域中形成弱电场。因此，在多个开口520P之间可以发生电场的强度的空间变化，并且电场的强度的空间变化可以改变施加到发光元件350的介电泳力(FDEP)。更强的介电泳力(FDEP)施加在具有强电场的开口520P上，并且可以优先地使发光元件350在开口520P中排列。
这里，电场的强度可以根据第二绝缘层520的材料和厚度、包括发光元件350的溶液的种类等而变化。在示例性实施例中，包括发光元件350的溶液可以包括丙二醇，并且第二绝缘层520可以包括氧化硅(SiOx)或聚酰亚胺(PI)。第二绝缘层520的厚度可以是0.3μm至2.0μm。在这种情况下，在开口520P中施加到发光元件350的介电泳力(FDEP)可以大7至32倍。也就是说，可以使发光元件350仅在开口520P中排列，并且可以使发光元件350不在第二绝缘层520上排列。
发光元件350的布置的详细描述如上面参照图1描述的。
接下来，参照图12，使发光元件350在电极310与电极320之间排列，然后在电极310和320上形成接触电极361和362以与发光元件350接触。虽然在附图中未示出，但是如图4中所示，可以在电极310和320中的每个上设置多个绝缘层。如上所述，接触电极361和362可以与发光元件350的两侧以及相应的电极310和320的分隔壁410和420的上表面接触。
最后，如图12中所示，可以沿着切割部分CB使第一电极主干部分310S电分离，以便制造图1的显示装置10。使第一电极主干部分310S电分离的方法没有具体限制。例如，可以通过使用激光来使位于切割部分CB处的第一电极310断开。因此，可以将第一电极主干部分310S以第一电极主干部分310S在相邻像素PX之间电分离的状态设置。
第一电极310和第二电极320可以通过位于第一电极主干部分310S上的第一电极接触孔CNTD和位于第二电极主干部分320S上的第二电极接触孔CNTS电连接到第一薄膜晶体管120和电源电极162。因此，由于驱动电压和电源电压引起的电流可以在第一电极310与第二电极320之间流动，并且发光元件350可以发光。
如上所述，在根据实施例的显示装置10中，第二绝缘层520的开口520P可以形成在第一电极310和第二电极320上，以允许发光元件350在特定区域内排列。因此，发光元件350可以在显示装置10的一个像素PX中均匀地排列，对于每个像素PX可以呈现均匀的亮度，并且能够防止光从根据发光元件350的排列的一个像素PX分离和发射。
在下文中，将描述显示装置10的其他实施例。图13至图15是示意性地示出根据其他实施例的显示装置的平面图。
在一个实施例中，开口520P可以被设置为在第一电极310与第二电极320之间更靠近一个电极(例如，第一电极310)。
具体地，在图13的显示装置10_1中，开口520P_1的中心可以不与第一电极310和第二电极320之间的中心对齐，而是可以被设置为在第一电极310的方向上移动。因此，第一电极310的被开口520P_1暴露的区域可以比第二电极320的被开口520P_1暴露的区域宽。因此，在图13的显示装置10_1中，关于开口520P_1暴露在第一电极310和第二电极320上的第一绝缘层510可以具有非对称结构。
如上所述，在暴露的第一绝缘层510更宽的区域中，通过用于排列发光元件350而施加的AC电力形成的电场的强度可以更强。在这种情况下，由于在与第一电极310叠置的区域中暴露的第一绝缘层510更宽，所以电场的强度的空间变化更大，并且施加到发光元件350的介电泳力(FDEP)可以被更强地影响。因此，发光元件350可以在开口520P中更有效地排列。
图14的显示装置10_2和图15的显示装置10_3中的每个具有形状与图1的显示装置10的开口520P不同的开口。
具体地，在图14的显示装置10_2中，在第二方向D2上测量的开口520P_2的宽度可以朝向电极310和320中的每个的中心变短。在第二方向D2上在开口520P_2的中心处测量的开口520P_2的宽度d2_2比在第二方向D2上在开口520P_2的两端处测量的开口520P_2的宽度d2'_2大。因此，开口520P_2可以形成为使得其顶点具有曲率并且是圆形的。
然而，本发明不限于此。如图15中所示，在一些实施例中，在图15的显示装置10_3中，在第二方向D2上在开口520P_3的中心处测量的开口520P_3的宽度d2_3可以比在第二方向D2上在开口520P_3的两端处测量的开口520P_3的宽度d2'_3短。当开口520P_3的在第二方向D2上测量的宽度d2_3和d2'_3线性地改变时，开口520P_3可以使在电极310和320中的每个上暴露第一绝缘层510的区域的空间变化最大化。因此，能够改善上述电场强度的空间变化，并且进一步改善发光元件350的排列效果。
尽管在附图中未示出，但是即使在图14的显示装置10_2和图15的显示装置10_3的情况下，与图13的显示装置10_1类似，开口520P也可以被设置为与第一电极310或第二电极320相邻，使得暴露的第一绝缘层510可以在第一电极310和第二电极320彼此叠置的区域中具有非对称结构。在这种情况下，如上所述，更强的介电泳力(FDEP)可以传导到发光元件350以在开口520P中排列发光元件350。
另外，在显示装置10中，第一电极310和第二电极320中的每个的形状不限于如图1中所示的线形形状或条形形状。在一些情况下，第一电极310和第二电极320中的每个可以具有圆形形状或扇形形状。
图16是根据又一实施例的显示装置的平面图。
参照图16，与图1的显示装置10不同，根据又一实施例的显示装置10_4可以被构造为使得第一电极分支部分310B_4和第二电极分支部分320B_4还可以分别包括连接部分310B1_4和320B1_4以及相对部分310B2_4和320B2_4。由于除了第一电极分支部分310B_4和第二电极分支部分320B_4的形状不同之外，图16的显示装置10_4与图1的显示装置10相同，因此下面将主要描述差异。
第二电极分支部分320B_4可以包括从第二电极主干部分320S_4分支并在第二方向D2上延伸的第二电极连接部分320B1_4和连接到第二电极连接部分320B1_4的一端并在平面中具有圆形形状的第二电极相对部分320B2_4。第二电极连接部分320B1_4的一端可以连接到第二电极主干部分320S_4，并且其另一端可以连接到第二电极相对部分320B2_4。第二电极连接部分320B1_4可以具有与图1的第二电极分支部分320B基本上相同的形状。
第二电极相对部分320B2_4可以是其中在第二电极分支部分320B_4中布置有稍后将描述的发光元件350的区域。由于第二电极相对部分320B2_4可以在平面上具有圆形形状，所以多个发光元件350可以沿着第二电极相对部分320B2_4的外表面布置。也就是说，发光元件350可以不在一个方向上排列，而是可以在第二电极相对部分320B2_4上在圆中排列。
第一电极分支部分310B_4可以包括从第一电极主干部分310S_4分支并且在第二方向D2上延伸的第一电极连接部分310B1_4以及连接到第一电极连接部分310B1_4的一端、设置为圆形以覆盖第二电极相对部分320B2_4的外表面并且在与第二电极连接部分320B1_4间隔开的状态下终止的第一电极相对部分310B2_4。第一电极连接部分310B1_4的一端可以连接到第一电极主干部分310S_4，并且其另一端可以连接到第一电极相对部分310B2_4。第一电极连接部分310B1_4可以具有与图1的第一电极分支部分310B基本上相同的形状。
第一电极相对部分310B2_4可以被布置为沿着第二电极相对部分320B2_4的外表面以预定间隔围绕第二电极相对部分320B2_4。也就是说，由于第一电极相对部分310B2_4的内表面和第二电极相对部分320B2_4的外表面以圆形形状间隔开，所以第一电极相对部分310B2_4具有圆形形状(其中心是空的)，但是可以在与第二电极连接部分320B1_4间隔开的状态下终止。也就是说，第一电极相对部分310B2_4可以具有扇形形状，扇形形状具有180°或更大的中心角和空的中心。
发光元件350可以设置在第一电极相对部分310B2_4与第二电极相对部分320B2_4之间。发光元件350的一端可以与第一电极相对部分310B2_4的内表面接触，其另一端可以与第二电极相对部分320B2_4的外表面接触，并且发光元件350可以以圆形布置在第一电极相对部分310B2_4与第二电极相对部分320B2_4之间。
开口520P_4可以暴露与第一电极相对部分310B2_4的一部分和第二电极相对部分320B2_4的一部分叠置的第一绝缘层510(在图16中未示出)。在图16的情况下，由于第一电极相对部分310B2_4和第二电极相对部分320B2_4形成为基本上圆形形状，因此开口520P_4也可以像第一电极相对部分310B2_4那样具有扇形形状。
换言之，开口520P_4的两端具有曲率，并且两端中的一端在第二电极相对部分320B2_4的中心方向上的长度可以比其另一端的长度短。在这种情况下，电场强度的空间变化可以取决于开口520P_4的两端之间的长度差异而发生，使得上述介电泳力(FDEP)可以强烈地作用在开口520P_4中。也就是说，可以引起发光元件350在特定区域内的排列。
然而，本发明不限于此，开口520P_4可以具有在两端处具有相同长度的基本上矩形形状。此外，如上所述，被开口520P_4暴露的区域可以具有关于第一电极相对部分310B2_4和第二电极相对部分320B2_4的间隔开的中心的对称结构或非对称结构。将省略其更详细的描述。
另外，在一些实施例中，可以省略第一绝缘层510。图17是示意性地示出根据又一实施例的显示装置的一部分的剖视图。在图17的显示装置10中，可以省略第一绝缘层510，并且图案化的第二绝缘层520可以被设置为暴露彼此间隔开的第一电极310的一部分和第二电极320的一部分。
如上所述，因为在显示装置10的制造工艺期间电极材料连接，所以第一电极310和第二电极320可能会导致短路故障。为了防止短路故障，形成第一绝缘层510以保护第一电极310和第二电极320并使第一电极310和第二电极320电绝缘。然而，在一些实施例中，当第一电极310和第二电极320的电极材料在制造工艺期间不连接时(例如，当第一电极310和第二电极320包括诸如金(Au)的材料时)，即使省略第一绝缘层510，第一电极310和第二电极320也不会发生短路故障。在这种情况下，省略第一绝缘层510，并且仅通过第二绝缘层520形成开口520P(在图17中未示出)以引起电场强度的空间变化。
参照图17，发光元件350的两端可以在第一电极310和第二电极320沿彼此面对的方向突出的区域上与第一电极310和第二电极320直接接触。虽然在附图中未示出，但是第二绝缘层520的开口520P可以将第一电极310的一部分和第二电极320的一部分暴露到外部。暴露于外部的区域是电场的强度强的区域，电场强度的空间变化因开口部520P而大。因此，发光元件350可以被设置为与第一电极310和第二电极320直接接触。
设置在第二绝缘层520和发光元件350上的诸如接触电极361和362、第三绝缘层530和钝化层550的多个构件与上面参照图4描述的多个构件相同。因此，将省略其详细描述。
在详细描述的最后，本领域技术人员将理解的是，在基本上不脱离本发明的原理的情况下，可以对优选实施例进行许多变化和修改。因此，发明的公开的优选实施例仅以一般性和描述性意义使用，而不是为了限制的目的。

Claims (20)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
第一电极；
第二电极，被设置为与所述第一电极间隔开并面对所述第一电极；
第一绝缘层，被设置为覆盖所述第一电极和所述第二电极；
第二绝缘层，设置在所述第一绝缘层的至少一部分上并且暴露所述第一电极和所述第二电极与所述第一绝缘层叠置的区域的至少一部分；以及
至少一个发光元件，在所述第一电极与所述第二电极之间设置在所述暴露的第一绝缘层上，
其中，所述第二绝缘层包括暴露所述第一绝缘层并被设置为在所述第一电极与所述第二电极彼此面对的区域上彼此间隔开的至少一个开口和位于所述开口之间的桥部分，并且
所述发光元件设置在所述开口中。
2.根据权利要求1所述的显示装置，
其中，所述至少一个开口在所述第一电极延伸所沿的第一方向上设置，并且与另一相邻的开口间隔开。
3.根据权利要求2所述的显示装置，
其中，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层包括具有不同蚀刻选择比的材料。
4.根据权利要求3所述的显示装置，
其中，所述第二绝缘层关于所述开口的中心在与所述第一方向交叉的第二方向上被划分为一个侧区域和另一侧区域，并且所述桥部分连接所述一个侧区域和所述另一侧区域。
5.根据权利要求4所述的显示装置，
其中，所述桥部分在所述第二方向上延伸。
6.根据权利要求3所述的显示装置，
其中，所述开口包括第一开口和在所述第一方向上与所述第一开口间隔开的第二开口，并且
所述发光元件包括设置在所述第一开口中的第一发光元件和第二发光元件以及设置在所述第二开口中的第三发光元件。
7.根据权利要求6所述的显示装置，
其中，所述第一发光元件和所述第二发光元件被设置为在所述第一开口中彼此间隔开。
8.根据权利要求7所述的显示装置，
其中，所述第一发光元件与所述第二发光元件之间的距离比所述第一发光元件与所述第三发光元件之间的距离短。
9.根据权利要求8所述的显示装置，
其中，设置在所述第一开口和所述第二开口中的所述发光元件的密度比设置在位于所述第一开口与所述第二开口之间的所述桥部分中的所述发光元件的密度高。
10.根据权利要求3所述的显示装置，
其中，所述开口被设置为在所述第一电极和所述第二电极沿其彼此面对的方向上与彼此面对的所述第一电极的侧部和所述第二电极的侧部叠置。
11.根据权利要求10所述的显示装置，
其中，所述开口的中心被设置为比靠近所述第二电极更靠近所述第一电极，并且所述第一电极与所述开口叠置的第一叠置部分比所述第二电极与所述开口叠置的第二叠置部分大。
12.根据权利要求10所述的显示装置，
其中，所述开口的在与所述第一电极延伸所沿的所述第一方向交叉的第二方向上测量的宽度比所述第一电极的中心与所述第二电极的中心之间的距离短，并且比彼此面对的所述第一电极的所述侧部与所述第二电极的所述侧部之间的距离长。
13.根据权利要求12所述的显示装置，
其中，在所述开口的中心处在所述第一方向上测量的宽度比在所述开口的两端处在所述第一方向上测量的宽度短。
14.根据权利要求13所述的显示装置，
其中，所述开口的在所述第二方向上测量的宽度比所述发光元件的长轴的长度长。
15.根据权利要求2所述的显示装置，
其中，所述第一电极包括第一电极连接部分和连接到所述第一电极连接部分并具有圆形形状的第一电极相对部分，并且
所述第二电极包括与所述第一电极相对部分间隔开以围绕第一电极相对部分的外表面并在与所述第一电极连接部分间隔开的状态下终止的第二电极相对部分和连接到所述第二电极相对部分的第二电极连接部分。
16.根据权利要求15所述的显示装置，
其中，所述发光元件设置在所述第一电极相对部分与所述第二电极相对部分之间，所述发光元件的一端设置在所述第二电极相对部分上，并且所述发光元件的另一端设置在所述第一电极相对部分上。
17.一种显示装置，所述显示装置包括：
第一电极主干部分和第二电极主干部分，在第三方向上延伸并且彼此间隔开；
至少一个第一电极分支部分，从所述第一电极主干部分分支并且在与所述第三方向交叉的第四方向上延伸；
第二电极分支部分，从所述第二电极主干部分分支并且在所述第四方向上延伸；
第一绝缘层，覆盖所述第一电极分支部分和所述第二电极分支部分；
第二绝缘层，设置在所述第一绝缘层的至少一部分上并且暴露所述第一电极分支部分和所述第二电极分支部分与所述第一绝缘层叠置的区域的至少一部分；
至少一个发光元件，设置在位于所述第一电极分支部分与所述第二电极分支部分之间的所述暴露的第一绝缘层上；以及
第一接触电极和第二接触电极，所述第一接触电极接触所述第一电极分支部分和所述发光元件的一端，所述第二接触电极接触所述第二电极分支部分和所述发光元件的另一端；
其中，所述第二绝缘层包括暴露所述第一绝缘层并被设置为在所述第一电极分支部分与所述第二电极分支部分彼此面对的区域上彼此间隔开的至少一个开口和位于所述开口之间的桥部分，并且
所述发光元件设置在所述开口中。
18.根据权利要求17所述的显示装置，
其中，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层包括具有不同蚀刻选择比的材料。
19.根据权利要求18所述的显示装置，
其中，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层在与所述开口的两端间隔开的区域中被图案化，以暴露所述第一电极分支部分和所述第二电极分支部分，并且所述第一接触电极和所述第二接触电极分别与所述暴露的第一电极分支部分和第二电极分支部分接触。
20.根据权利要求19所述的显示装置，
其中，所述发光元件的一端电连接到所述第一电极分支部分，所述发光元件的另一端电连接到所述第二电极分支部分，所述发光元件的所述一端包括n型导电半导体，并且所述发光元件的所述另一端包括p型导电半导体。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112470282A (zh) * 2018-07-24 2021-03-09 三星显示有限公司 显示装置及其制造方法

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102526778B1 (ko) 2018-08-07 2023-05-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법
KR102568353B1 (ko) 2018-08-16 2023-08-18 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자, 이의 제조방법 및 발광 소자를 포함하는 표시 장치
KR102654268B1 (ko) * 2018-10-10 2024-04-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102645641B1 (ko) 2018-11-05 2024-03-08 삼성디스플레이 주식회사 화소, 그것을 포함하는 표시 장치, 및 그것의 제조 방법
KR102649218B1 (ko) 2018-11-15 2024-03-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법
KR102702898B1 (ko) 2019-05-21 2024-09-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20210054119A (ko) * 2019-11-04 2021-05-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US11894412B2 (en) * 2019-11-14 2024-02-06 Samsung Display Co., Ltd. Display device including a light-emitting element between a first electrode and a second electrode thereon
KR20200014868A (ko) * 2020-01-22 2020-02-11 엘지전자 주식회사 반도체 발광소자를 이용한 디스플레이 장치
KR20210095760A (ko) * 2020-01-23 2021-08-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR20210124564A (ko) * 2020-04-03 2021-10-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210124594A (ko) * 2020-04-06 2021-10-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20210138834A (ko) 2020-05-12 2021-11-22 삼성디스플레이 주식회사 타일형 표시 장치
KR20210143350A (ko) * 2020-05-19 2021-11-29 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
WO2021242074A1 (ko) * 2020-05-26 2021-12-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210148536A (ko) * 2020-05-29 2021-12-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20220031786A (ko) * 2020-09-03 2022-03-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20220054507A (ko) * 2020-10-23 2022-05-03 삼성디스플레이 주식회사 화소 및 이를 구비한 표시 장치
KR20220091703A (ko) * 2020-12-23 2022-07-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20220100746A (ko) * 2021-01-08 2022-07-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20230054536A (ko) * 2021-10-15 2023-04-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106783911A (zh) * 2015-11-23 2017-05-31 三星显示有限公司 有机发光二极管显示器及其制造方法
US20170294424A1 (en) * 2016-04-08 2017-10-12 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus and method of manufacturing the same
CN108172597A (zh) * 2016-12-07 2018-06-15 三星显示有限公司 有机发光二极管显示器及其制造方法

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4264994B2 (ja) 1998-07-10 2009-05-20 凸版印刷株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示素子の製造方法
KR100698689B1 (ko) 2004-08-30 2007-03-23 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시장치와 그의 제조방법
KR100763894B1 (ko) 2006-03-21 2007-10-05 삼성에스디아이 주식회사 Ｌｅｄ 칩을 이용한 디스플레이 장치의 제조방법
KR20100000721A (ko) * 2008-06-25 2010-01-06 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이 기판
CN102549638B (zh) 2009-10-09 2015-04-01 株式会社半导体能源研究所 发光显示器件以及包括该发光显示器件的电子设备
KR20110041401A (ko) 2009-10-15 2011-04-21 샤프 가부시키가이샤 발광 장치 및 그 제조 방법
US8872214B2 (en) 2009-10-19 2014-10-28 Sharp Kabushiki Kaisha Rod-like light-emitting device, method of manufacturing rod-like light-emitting device, backlight, illuminating device, and display device
KR20120014866A (ko) 2010-08-10 2012-02-20 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
US8547513B2 (en) 2010-08-10 2013-10-01 Lg Display Co., Ltd. Liquid crystal display device and method of manufacturing the same
KR101244926B1 (ko) 2011-04-28 2013-03-18 피에스아이 주식회사 초소형 ｌｅｄ 소자 및 그 제조방법
KR101209449B1 (ko) 2011-04-29 2012-12-07 피에스아이 주식회사 풀－칼라 ｌｅｄ 디스플레이 장치 및 그 제조방법
JP6007046B2 (ja) * 2012-09-27 2016-10-12 シャープ株式会社 表示装置
US9773761B2 (en) 2013-07-09 2017-09-26 Psi Co., Ltd Ultra-small LED electrode assembly and method for manufacturing same
TWI619267B (zh) * 2013-10-22 2018-03-21 晶元光電股份有限公司 發光元件及其製造方法
KR20160027875A (ko) * 2014-08-28 2016-03-10 서울바이오시스 주식회사 발광소자
KR101672781B1 (ko) * 2014-11-18 2016-11-07 피에스아이 주식회사 수평배열 어셈블리용 초소형 led 소자, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 수평배열 어셈블리
TWI683365B (zh) 2015-02-06 2020-01-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 裝置及其製造方法以及電子裝置
KR102450473B1 (ko) 2015-12-22 2022-09-30 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
KR102699567B1 (ko) * 2016-07-11 2024-08-29 삼성디스플레이 주식회사 초소형 발광 소자를 포함하는 픽셀 구조체, 표시장치 및 그 제조방법
KR102608419B1 (ko) * 2016-07-12 2023-12-01 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 표시장치의 제조방법
KR102587215B1 (ko) * 2016-12-21 2023-10-12 삼성디스플레이 주식회사 발광 장치 및 이를 구비한 표시 장치
KR101711187B1 (ko) 2017-01-20 2017-03-06 피에스아이 주식회사 초소형 led 전극어셈블리
US10984702B2 (en) * 2018-06-22 2021-04-20 Epistar Corporation Display apparatus with array of light emitting diodes and method of manufacturing the same

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106783911A (zh) * 2015-11-23 2017-05-31 三星显示有限公司 有机发光二极管显示器及其制造方法
US20170294424A1 (en) * 2016-04-08 2017-10-12 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus and method of manufacturing the same
CN108172597A (zh) * 2016-12-07 2018-06-15 三星显示有限公司 有机发光二极管显示器及其制造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112470282A (zh) * 2018-07-24 2021-03-09 三星显示有限公司 显示装置及其制造方法
US12062739B2 (en) 2018-07-24 2024-08-13 Samsung Display Co., Ltd. Display device and manufacturing method therefor

Also Published As

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