JP2023081982A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】発光素子を任意の領域内にのみ配置されるように誘導して発光素子を均一に整列し、各画素の輝度が均一な表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、第１電極、前記第１電極と離隔して対向するように配置された第２電極、前記第１電極と前記第２電極を覆うように配置された第１絶縁層、前記第１絶縁層上の少なくとも一部に配置され、前記第１電極および前記第２電極と前記第１絶縁層が重なる領域の少なくとも一部を露出する第２絶縁層および前記第１電極と前記第２電極との間で前記露出した第１絶縁層上に配置された少なくとも一つの発光素子を含み、前記第２絶縁層は、前記第１絶縁層を露出させて前記第１電極および前記第２電極が互いに対向する領域上で互いに離隔して配置された少なくとも一つの開口部と、前記開口部の間の領域であるブリッジ部を含み、前記発光素子は、前記開口部上に配置され得る。
【選択図】図１

Description

本発明は、表示装置に関し、より詳細には無機発光ダイオードアレイを含む表示装置に関する。

表示装置は、マルチメディアの発達につれ、その重要性が増大している。これに応じて有機発光表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ，ＯＬＥＤ）、液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ，ＬＣＤ）などのような様々な種類の表示装置が使われている。

表示装置の画像を表示する装置として有機発光表示パネルや液晶表示パネルのような表示パネルを含む。そのうち発光表示パネルとしては発光素子を含み得るが、例えば、発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ，ＬＥＤ）は、有機物を蛍光物質として用いる有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、無機物を蛍光物質として用いる無機発光ダイオードなどがある。

有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）は、発光素子の蛍光物質として有機物を用いることにより、製造工程が簡単でかつ表示素子がフレキシブルな特性を有し得る長所がある。しかし、有機物は高温の駆動環境に脆弱であり、青色光の効率が相対的に低いと知られている。

反面、無機発光ダイオードは、蛍光物質として無機物半導体を用い、高温の環境でも耐久性を有し、有機発光ダイオードに比べて青色光の効率が高い長所がある。また、従来の無機発光ダイオード素子の限界として指摘されていた製造工程においても、誘電泳動（Ｄｉｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｒｅｓｉｓ，ＤＥＰ）法を用いた転写方法が開発された。これに有機発光ダイオードに比べて耐久性および効率に優れた無機発光ダイオードに対する研究が続けられている。

本発明が解決しようとする課題は、発光素子を任意の領域内にのみ配置されるように誘導して発光素子を均一に整列し、各画素の輝度が均一な表示装置を提供することにある。

本発明の課題は、以上で言及した課題に制限されず、言及されていないまた他の技術的課題は、以下の記載から当業者に明確に理解されるであろう。

前記課題を解決するための一実施形態による表示装置は、第１電極、前記第１電極と離隔して対向するように配置された第２電極、前記第１電極と前記第２電極を覆うように配置された第１絶縁層、前記第１絶縁層上の少なくとも一部に配置され、前記第１電極および前記第２電極と前記第１絶縁層が重なる領域の少なくとも一部を露出する第２絶縁層および前記第１電極と前記第２電極との間で前記露出した第１絶縁層上に配置された少なくとも一つの発光素子を含み、前記第２絶縁層は、前記第１絶縁層を露出させて前記第１電極および前記第２電極が互いに対向する領域上で互いに離隔して配置された少なくとも一つの開口部および前記開口部の間の領域であるブリッジ部を含み、前記発光素子は、前記開口部上に配置され得る。

少なくとも一つの前記開口部は、前記第１電極が延びる方向である第１方向に配置され、前記開口部は、隣り合う他の前記開口部と離隔し得る。

前記第１絶縁層および前記第２絶縁層は、エッチング選択比が異なる材料を含み得る。

前記第２絶縁層は、前記開口部の中心を基準に前記第１方向と交差する方向である第２方向の一側領域と他側領域が区分され、前記ブリッジ部は、前記一側領域と前記他側領域を連結し得る。

前記ブリッジ部は、前記第２方向に延び得る。

前記開口部は、第１開口部および第１開口部と前記第１方向に隣り合って離隔する第２開口部を含み、前記発光素子は、前記第１開口部上に配置された第１発光素子および第２発光素子および前記第２開口部上に配置された第３発光素子を含み得る。

前記第１発光素子および前記第２発光素子は、前記第１開口部内で互いに離隔して配置され得る。

前記第１発光素子が前記第２発光素子と離隔する間隔は、前記第１発光素子が前記第３発光素子と離隔する間隔より短くてもよい。

前記第１開口部および前記第２開口部に配置された前記発光素子の密度は、前記第１開口部と前記第２開口部との間の前記ブリッジ部に配置された発光素子の密度より大きくてもよい。

前記開口部は、前記第１電極および前記第２電極が互いに対向する方向の各側部と重なるように配置され得る。

前記開口部の中心は、前記第２電極より前記第１電極と隣接して配置され、前記第１電極と前記開口部が重なる第１重複部は、前記第２電極と前記開口部が重なる第２重複部より広くてもよい。

前記開口部は、前記第１電極が延びる方向である第１方向と交差する方向である第２方向に測定された幅は前記第１電極および前記第２電極の中心間の離隔している間隔より短く、前記第１電極と前記第２電極の互いに対向する各側部間の離隔している間隔より長くてもよい。

前記開口部の中心で前記第１方向に測定された幅は、前記開口部の両端部で前記第１方向に測定された幅より短くてもよい。

前記開口部の前記第２方向に測定された幅は、前記発光素子の長軸の長さより長くてもよい。

前記第１電極は、第１電極連結部および前記第１電極連結部と接続されて円形の形状を有する第１電極対向部を含み、前記第２電極は、前記第１電極対向部と離隔して外面を囲むように配置され、前記第１電極連結部と離隔する状態で終止した第２電極対向部および前記第２電極対向部と接続された第２電極連結部を含み得る。

前記発光素子は、前記第１電極対向部および前記第２電極対向部が離隔している間に配置され、前記発光素子の一端は前記第２電極対向部上に配置され、前記発光素子の他端は前記第１電極対向部上に配置され得る。

前記課題を解決するための他の実施形態による表示装置は、第３方向に延び、互いに離隔して配置される第１電極幹部および第２電極幹部、前記第１電極幹部で分枝され、前記第３方向と交差する第４方向に延びて配置された少なくとも一つの第１電極枝部、前記第２電極幹部で分枝され、前記第４方向に延びて配置された第２電極枝部、前記第１電極枝部および前記第２電極枝部を覆う第１絶縁層、前記第１絶縁層上の少なくとも一部に配置され、前記第１電極枝部および前記第２電極枝部と前記第１絶縁層が重なる領域の少なくとも一部を露出する第２絶縁層、前記第１電極枝部と前記第２電極枝部との間で前記露出した第１絶縁層上に配置された少なくとも一つの発光素子および前記第１電極枝部および前記発光素子の一端部と接触する第１接触電極、および前記第２電極枝部および前記発光素子の他端部と接触する第２接触電極を含み、前記第２絶縁層は、前記第１絶縁層を露出させて前記第１電極枝部および前記第２電極枝部が互いに対向する領域上で互いに離隔して配置された少なくとも一つの開口部および前記開口部の間の領域であるブリッジ部を含み、前記発光素子は、前記開口部上に配置され得る。

前記第１絶縁層および前記第２絶縁層は、エッチング選択比が異なる材料を含み得る。

前記第１絶縁層および前記第２絶縁層は、前記開口部の前記第４方向の両端部と離隔する領域でパターニングされて前記第１電極枝部と前記第２電極枝部が露出し、前記第１接触電極および前記第２接触電極は、それぞれ前記露出した第１電極枝部および第２電極枝部と接触し得る。

前記発光素子の前記一端部は前記第１電極枝部と電気的に接続され、前記他端部は前記第２電極枝部と電気的に接続され、前記発光素子の前記一端部はｎ型に導電された半導体を含み、前記他端部はｐ型に導電された半導体を含み得る。

その他実施形態の具体的な内容は、詳細な説明および図面に含まれている。

一実施形態による表示装置は、第１電極と第２電極上の絶縁層の一部領域を露出させる開口部のパターンを含み、発光素子の整列を前記開口部のパターン内に誘導することができる。したがって、前記開口部のパターンは、第１電極と第２電極が対向する領域上で一定間隔を有して離隔して配置されることによって発光素子を均一に整列することができる。そのため、表示装置は各画素ごとに均一な輝度を有することができる。

実施形態による効果は、以上で例示した内容によって制限されず、さらに多様な効果が本明細書内に含まれている。

一実施形態による表示装置の平面図である。 図１のＡ部分を拡大した拡大図である。 図１の表示装置の一画素の等価回路図である。 図１のＩ－Ｉ’線とＩＩ－ＩＩ’線に沿って切断した断面図である。 図１の表示装置の一部を示す断面図である。 他の実施形態による表示装置の平面図である。 一実施形態による発光素子の概略図である。 一実施形態による表示装置の製造方法を概略的に示す平面図である。 一実施形態による表示装置の製造方法を概略的に示す平面図である。 一実施形態による表示装置の製造方法を概略的に示す平面図である。 一実施形態による表示装置の製造方法を概略的に示す平面図である。 一実施形態による表示装置の製造方法を概略的に示す平面図である。 他の実施形態による表示装置を概略的に示す平面図である。 他の実施形態による表示装置を概略的に示す平面図である。 他の実施形態による表示装置を概略的に示す平面図である。 また他の実施形態による表示装置の平面図である。 また他の実施形態による表示装置の断面図である。

本発明の利点および特徴、並びにこれらを達成する方法は、添付する図面と共に詳細に後述されている実施形態を参照すると明確になる。しかし、本発明は、以下で開示する実施形態に限定されるものではなく、互いに異なる多様な形態で実現されるものであり、本実施形態は、単に本発明の開示を完全にし、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供するものであり、本発明は請求項の範疇によってのみ定義される。

素子（ｅｌｅｍｅｎｔｓ）または層が他の素子または層の「上（ｏｎ）」と称する場合、他の素子のすぐ上にまたは中間に他の層または他の素子を介在する場合をすべて含む。明細書全体にわたって同一参照符号は同一構成要素を称する。

第１、第２などが多様な構成要素を叙述するために使われるが、これら構成要素はこれら用語によって制限されないことはもちろんである。これらの用語は単に一つの構成要素を他の構成要素と区別するために使うものである。したがって、以下で言及される第１構成要素は、本発明の技術的思想内で第２構成要素であり得ることはもちろんである。

以下、添付する図面を参照して実施形態について説明する。

図１は一実施形態による表示装置の断面図である。

表示装置１０は画素ＰＸで定義される領域を少なくとも一つ含み得る。複数の画素ＰＸは表示装置１０の表示部に配置され、それぞれ特定波長帯の光を表示装置１０の外部に放出することができる。図１では３個の画素（ＰＸ１，ＰＸ２，ＰＸ３）を例示的に示しているが、表示装置１０がより多くの数の画素を含み得ることは自明である。図面では断面上一方向、例えば第１方向Ｄ１へのみ配置される複数の画素ＰＸを示しているが、複数の画素ＰＸは第１方向Ｄ１と交差する方向である第２方向Ｄ２に配置されることもできる。また、図１の画素ＰＸが複数に分割されてそれぞれが一つの画素ＰＸを構成することもできる。必ずしも図１のように画素が平行して第１方向Ｄ１にのみ配置されるものではなく、垂直方向（または、第２方向Ｄ２）に配置されたりジグザグ型に配置されたりするなど多様な構造が可能である。

図面には示していないが、表示装置１０は発光素子３５０が配置されて特定色の光を表示する発光部と発光部以外の領域で定義される非発光部を含み得る。非発光部は表示装置１０の外部で視認されないように特定部材によってカバーされる。非発光部には発光部に配置される発光素子３５０を駆動するための多様な部材が配置され得る。一例として、非発光部には発光部に電気信号を印加するための配線、回路部、駆動部などが配置されるが、これに制限されるものではない。

複数の画素ＰＸは特定波長帯の光を放出する発光素子３５０を一つ以上含んで色を表示することができる。発光素子３５０から放出される光は、表示装置１０の発光部を介して外部で表示され得る。一実施形態において、互いに異なる色を表示する画素ＰＸごとに互いに異なる色を発光する発光素子３５０を含み得る。例えば、赤色を表示する第１画素ＰＸ１は赤色の光を発光する発光素子３５０を含み、緑色を表示する第２画素ＰＸ２は緑色の光を発光する発光素子３５０を含み、青色を表示する第３画素ＰＸ３は青色の光を放出する発光素子３５０を含み得る。ただし、これに制限されるものではなく、場合によっては互いに異なる色を示す画素が同じ色（例えば青色）を発光する発光素子３５０を含み、発光経路上に波長変換層やカラーフィルタを配置して各画素の色を実現することもできる。ただし、これに制限されるものではなく、場合によっては隣接する画素ＰＸが同じ色の光を放出することもできる。

図１を参照すると、表示装置１０は、複数の電極（３１０，３２０）と複数の電極（３１０，３２０）上に配置される第２絶縁層５２０の開口部５２０Ｐおよび複数の発光素子３５０を含み得る。各電極（３１０，３２０）の少なくとも一部は、各画素ＰＸ内に配置され、発光素子３５０と電気的に接続され、発光素子３５０が特定色を発光するように電気信号を印加することができる。

また、各電極（３１０，３２０）の少なくとも一部は、発光素子３５０を整列するために、画素ＰＸ内の電場形成に活用することができる。具体的に説明すると、複数の画素ＰＸに互いに異なる色を発光する発光素子３５０を整列させるとき、各画素ＰＸ別に互いに異なる発光素子３５０を正確に整列させることが必要である。誘電泳動法を用いて発光素子３５０を整列させるときには、発光素子３５０が含まれた溶液を表示装置１０に塗布し、これに交流電源を印加して電場によるキャパシタンスを形成して発光素子３５０に誘電泳動力を加えて整列させることができる。

ここで、各電極（３１０，３２０）を覆うように配置され、開口部５２０Ｐを介して一部を露出させる第２絶縁層５２０が配置され、発光素子３５０が各電極（３１０，３２０）上で均一な位置に整列することができる。開口部５２０Ｐは各電極（３１０，３２０）上に形成される電場強度を制御し、特定領域に誘電泳動力をより強く形成することができる。そのため、発光素子３５０はより強い誘電泳動力が印加される特定領域に優先的に整列される。したがって、開口部５２０Ｐの形状に応じて各電極（３１０，３２０）上で発光素子３５０の整列を制御することができる。より詳しい説明は後述する。

複数の電極（３１０，３２０）は、第１電極３１０および第２電極３２０を含み得る。例示的な実施形態において、第１電極３１０は画素ＰＸごとに分離した画素電極であり、第２電極３２０は複数の画素ＰＸに沿って共通して接続された共通電極であり得る。第１電極３１０は発光素子３５０のアノード電極であり、第２電極３２０は発光素子３５０のカソード電極であり得る。ただし、これに制限されるものではなく、その反対の場合もあり得る。すなわち、第１電極３１０と第２電極３２０のいずれか一つはアノード電極で、他の一つはカソード電極であり得る。

第１電極３１０と第２電極３２０は、それぞれ第１方向Ｄ１に延びて配置される電極幹部（３１０Ｓ、３２０Ｓ）と電極幹部（３１０Ｓ、３２０Ｓ）で第１方向Ｄ１と交差する方向である第２方向Ｄ２に延びて分枝される少なくとも一つの電極枝部（３１０Ｂ、３２０Ｂ）を含み得る。

具体的には、第１電極３１０は、第１方向Ｄ１に延びて配置される第１電極幹部３１０Ｓと第１電極幹部３１０Ｓで分枝され、第２方向Ｄ２に延びる少なくとも一つの第１電極枝部３１０Ｂを含み得る。第１電極幹部３１０Ｓは図面には示していないが、一端部は信号印加パッドに接続され、他端部は第１方向Ｄ１に延びるが、各画素ＰＸの間で電気的に接続が分離され得る。前記信号印加パッドは、表示装置１０または外部の電力源と接続されて第１電極幹部３１０Ｓに電気信号を印加したり、上述した発光素子３５０の整列時の交流電源を印加したりすることができる。

任意の一画素の第１電極幹部３１０Ｓは、同一行に属する（例えば、第１方向Ｄ１に隣接する）隣り合う画素の第１電極幹部３１０Ｓと実質的に同一直線上に置かれてもよい。すなわち、一画素の第１電極幹部３１０Ｓは両端が各画素ＰＸの間で離隔して終止するが、隣り合う画素の第１電極幹部３１０Ｓは前記一画素の第１電極幹部３１０Ｓの延長線に整列される。このような第１電極幹部３１０Ｓの配置は製造過程で一つの連結された幹電極として形成され、発光素子３５０の整列工程を行った後にレーザなどにより断線して形成されたものであり得る。そのため、各画素ＰＸに配置される第１電極幹部３１０Ｓは、各第１電極枝部３１０Ｂに互いに異なる電気信号を印加することができ、第１電極枝部３１０Ｂはそれぞれ別個に駆動することができる。

第１電極枝部３１０Ｂは、第１電極幹部３１０Ｓの少なくとも一部で分枝され、第２方向Ｄ２に延びて配置され、第１電極幹部３１０Ｓに対向されて配置される第２電極幹部３２０Ｓと離隔する状態で終止することができる。すなわち、第１電極枝部３１０Ｂは、一端部が第１電極幹部３１０Ｓと接続され、他端部は第２電極幹部３２０Ｓと離隔する状態で画素ＰＸ内に配置され得る。第１電極枝部３１０Ｂは画素ＰＸごとに電気的に分離する第１電極幹部３１０Ｓに接続されているので、画素ＰＸ別に互いに異なる電気信号の印加を受けることができる。

また、第１電極枝部３１０Ｂは、各画素ＰＸに一つ以上配置され得る。図１では二つの第１電極枝部３１０Ｂが配置された場合を示しているが、これに制限されず複数配置され得る。この場合、第１電極枝部３１０Ｂは互いに離隔して配置され、後述する第２電極枝部３２０Ｂとそれぞれ離隔し得る。いくつかの実施形態において、第１電極枝部３１０Ｂの間に第２電極枝部３２０Ｂが配置され、各画素ＰＸは第２電極枝部３２０Ｂを基準に対称構造を有することができる。ただし、これに制限されない。

第２電極３２０は、第１方向Ｄ１に延びて第１電極幹部３１０Ｓと離隔して対向するように配置される第２電極幹部３２０Ｓと第２電極幹部３２０Ｓで分枝されるが、第２方向Ｄ２に延びて第１電極枝部３１０Ｂと離隔して対向するように配置される少なくとも一つの第２電極枝部３２０Ｂを含み得る。第２電極幹部３２０Ｓも第１電極幹部３１０Ｓのように一端部は信号印加パッドに接続されることができる。ただし、第２電極幹部３２０Ｓは他端部が第１方向Ｄ１に隣接する複数の画素ＰＸに延びることができる。すなわち、第２電極幹部３２０Ｓは各画素ＰＸの間で電気的に接続されることができる。そのため、任意の一画素第２電極幹部３２０Ｓは、両端が各画素ＰＸの間で隣り合う画素の第２電極幹部３２０Ｓの一端に接続されて各画素ＰＸに同じ電気信号を印加することができる。

第２電極枝部３２０Ｂは、第２電極幹部３２０Ｓの少なくとも一部で分枝され、第２方向Ｄ２に延びて配置され、第１電極幹部３１０Ｓと離隔する状態で終止することができる。すなわち、第２電極枝部３２０Ｂは一端部が第２電極幹部３２０Ｓと接続され、他端部は第１電極幹部３１０Ｓと離隔している状態で画素ＰＸ内に配置され得る。第２電極枝部３２０Ｂは画素ＰＸごとに電気的に接続される第２電極幹部３２０Ｓに接続されているので、画素ＰＸごとに同じ電気信号の印加を受けることができる。

また、第２電極枝部３２０Ｂは第１電極枝部３１０Ｂと離隔して対向するように配置され得る。ここで、第１電極幹部３１０Ｓと第２電極幹部３２０Ｓは、各画素ＰＸの中央を基準に互いに反対方向で離隔して対向するので、第１電極枝部３１０Ｂと第２電極枝部３２０Ｂは延びる方向が反対であり得る。すなわち、第１電極枝部３１０Ｂは第２方向Ｄ２の一方向に延び、第２電極枝部３２０Ｂは第２方向Ｄ２の他方向に延び、各枝部の一端部は画素ＰＸの中央を基準に互いに反対方向に配置され得る。ただし、これに制限されず、第１電極幹部３１０Ｓと第２電極幹部３２０Ｓは画素ＰＸの中央を基準に同じ方向で互いに離隔して配置されることもできる。この場合、各電極幹部（３１０Ｓ、３２０Ｓ）で分枝される第１電極枝部３１０Ｂと第２電極枝部３２０Ｂは同じ方向に延びることもできる。

第１電極枝部３１０Ｂと第２電極枝部３２０Ｂとの間には複数の発光素子３５０が整列される。具体的には、複数の発光素子３５０の少なくとも一部は、一端部が第１電極枝部３１０Ｂと電気的に接続され、他端部が第２電極枝部３２０Ｂと電気的に接続され得る。また、発光素子３５０と接続された第１電極枝部３１０Ｂと第２電極枝部３２０Ｂ上にはそれぞれ接触電極（３６１，３６２）が配置され得る。接触電極（３６１，３６２）は、発光素子３５０と各電極枝部（３１０Ｂ、３２０Ｂ）が電気的に接続されるように発光素子３５０と接触することができる。接触電極（３６１，３６２）は少なくとも発光素子３５０の両端の側部で接触することができる。そのため、発光素子３５０は電気信号の印加を受けて特定色の光を放出することができる。

いくつかの実施形態において、第１電極枝部３１０Ｂに接触する発光素子３５０の一端は、ｎ型にドーピングされた導電性物質層であり、第２電極枝部３２０Ｂと接触する発光素子３５０の他端はｐ型にドーピングされた導電性物質層であり得る。ただし、これに制限されるものではない。

複数の発光素子３５０は、第１電極３１０と第２電極３２０との間に配置されるが、第１電極３１０と第２電極３２０上にはこれらを覆うものの一部が露出するように第２絶縁層５２０の開口部５２０Ｐが配置され、開口部５２０Ｐ上で複数の発光素子３５０が配置され得る。

具体的には、第１電極３１０と第２電極３２０上にはこれらを覆うように配置される第１絶縁層（５１０，図４に図示）、第１絶縁層５１０上に配置され、第１電極３１０と第２電極３２０が第１絶縁層５１０と重なる領域の少なくとも一部が露出するようにパターニングされた第２絶縁層５２０が配置され得る。第２絶縁層５２０は開口部５２０Ｐを含み、第１絶縁層５１０の少なくとも一部を露出させることができる。

第１絶縁層５１０は第１電極３１０と第２電極３２０を覆うように配置されてこれらを保護することができる。表示装置１０の製造過程において第１電極３１０と第２電極３２０がショート（ｓｈｏｒｔ）する現象を防止するために、第１絶縁層５１０が配置され得る。第１絶縁層５１０は第１電極３１０と第２電極３２０が互いに対向して離隔している領域にも配置され、これらを電気的に絶縁させることができる。また、図面には示していないが、第１電極３１０と第２電極３２０上部の少なくとも一部で第１絶縁層５１０がパターニングされて後述する接触電極（３６１，３６２）が第１電極３１０または第２電極３２０とコンタクトされ得る。

第２絶縁層５２０は、第１絶縁層５１０上に配置され、第１絶縁層５１０が第１電極３１０および第２電極３２０と重なる領域の少なくとも一部が露出するようにパターニングされ得る。一例として、第２絶縁層５２０は第１絶縁層５１０が第１電極３１０と第２電極３２０が互いに対向する各側部と重なる領域の少なくとも一部が露出するようにパターニングされ得る。すなわち、第２絶縁層５２０は開口部５２０Ｐを含み、開口部５２０Ｐは第１電極３１０と第２電極３２０が対向する前記各側部で第１絶縁層５１０の少なくとも一部を露出させることができる。発光素子３５０は第１電極３１０と第２電極３２０との間で前記露出した第１絶縁層５１０上に配置され得る。図１では開口部５２０Ｐが角ばった四角形に示されているが、これに制限されず、開口部５２０Ｐの形態や構造、配置などは多様であり得る。

第１絶縁層５１０と第２絶縁層５２０のより詳しい配置や積層構造などは図４に示す表示装置１０の断面図を参照して後述する。以下では開口部５２０Ｐの形状や配置などについて詳しく説明する。

図２は図１のＡ部分を拡大した拡大図である。

図１および図２を参照すると、第２絶縁層５２０は複数の開口部５２０Ｐを含み、開口部５２０Ｐは互いに離隔して配置され得る。開口部５２０Ｐが互いに離隔して第２絶縁層５２０が存在する領域は開口部５２０Ｐを中心に第１方向Ｄ１の一側領域と他側領域を連結するブリッジの機能を遂行することもできる。ただし、これに制限されるものではなく、開口部５２０Ｐは第２絶縁層５２０の一部がパターニングされて露出した領域であり、開口部５２０Ｐの間にパターニングされていない領域が存在し得る。

複数の開口部５２０Ｐは第２方向Ｄ２に配列され得る。任意の開口部５２０Ｐは隣り合う他の開口部５２０Ｐと離隔して配置され、互いに異なる開口部５２０Ｐの間には第２絶縁層５２０が配置され得る。一画素ＰＸ内の開口部５２０Ｐの間に配置された第２絶縁層５２０は第１方向Ｄ１に延びることができ、隣り合う画素ＰＸ内の開口部５２０Ｐの間に配置された他の第２絶縁層５２０と実質的に一直線上に置くことができる。すなわち、開口部５２０Ｐは第２絶縁層５２０の一部を露出させることによって、第２絶縁層５２０は実質的に格子型に配置され得る。

開口部５２０Ｐは、第１電極３１０と第２電極３２０が互いに対向する領域に配置され、第１電極３１０と第２電極３２０が互いに対向する各側部と重なるように配置され得る。一つの開口部５２０Ｐは第１電極３１０と第２電極３２０の前記各側部からそれぞれ第１電極３１０と第２電極３２０の中心に向かって突出して配置され得る。

具体的には、開口部５２０Ｐの一軸方向、例えば第１方向Ｄ１に測定された幅ｄ１は第１電極３１０と第２電極３２０の中心間の離隔している間隔ｌ２より短く、第１電極３１０と第２電極３２０の互いに対向する各側部間の離隔している間隔ｌ１より長くてもよい。すなわち、開口部５２０Ｐは第１絶縁層５１０上で第１電極３１０と第２電極３２０の前記各側部は露出するが、第１電極３１０と第２電極３２０の各中央は覆うように配置され得る。また、開口部５２０Ｐの中心と第１電極３１０と第２電極３２０の前記各側部間の離隔している領域の中心は互いに整列される。すなわち、開口部５２０Ｐは第１電極３１０と第２電極３２０との間で対称構造をなす。ただし、これに制限されるものではなく、いくつかの実施形態において、開口部５２０Ｐの中心はいずれか一つの電極と隣接するように配置され、第１電極３１０と第２電極３２０上で非対称構造をなすこともできる。

発光素子３５０の長軸の長さ（ｈ、図７に図示）は、第１電極３１０と第２電極３２０の各側部間の離隔している間隔ｌ１より長く、第１電極３１０と第２電極３２０の各中心間の離隔している間隔ｌ２より短くてもよい。例示的な実施形態において、第１電極３１０と第２電極３２０の各中心間の離隔している間隔ｌ２は発光素子３５０の長軸の長さ（ｈ）の１．２５倍～１．７５倍であり得る。一例として、発光素子３５０の長軸の長さ（ｈ）が４μｍ～７μｍである場合、第１電極３１０と第２電極３２０の各中心間の離隔している間隔ｌ２は５μｍ～１２μｍであり得る。ただし、これに制限されない。そのため、開口部５２０Ｐ上で発光素子３５０の両端部がそれぞれ第１電極３１０と第２電極３２０上に配置され、後述する接触電極（３６１，３６２）と発光素子３５０の両端部が接触することができる。

一方、開口部５２０Ｐの前記一軸と交差する他軸方向に測定された幅、例えば第２方向Ｄ２に測定された幅（ｄ２，ｄ２’）は各電極（３１０，３２０）の中央に行くほど一定であり得る。図２を参照すると、開口部５２０Ｐの中心で第２方向Ｄ２に測定された幅ｄ２は開口部５２０Ｐの端部で第２方向Ｄ２に測定された幅ｄ２’と同一であり得る。すなわち、開口部５２０Ｐの形状が実質的に角ばった四角形であり得る。ただし、開口部５２０Ｐの形状はこれに制限されず、多様な構造を有することができる。いくつかの実施形態において、開口部５２０Ｐの第２方向Ｄ２に測定された幅ｄ２は開口部５２０Ｐの端部に行くほど短くなり、開口部５２０Ｐの両端部がラウンド形状に形成される。他の実施形態において、開口部５２０Ｐの中心で測定された幅ｄ２は各電極（３１０，３２０）の中央に行くほど長くなる。より詳しい説明は他の実施形態が参照される。

また、開口部５２０Ｐの第２方向Ｄ２に測定された幅ｄ２は、第１電極３１０および第２電極３２０の第２方向Ｄ２に測定された幅より短くてもよい。そのため、一つの第１電極３１０および第２電極３２０上で開口部５２０Ｐは複数配置され得る。

複数の発光素子３５０は前述したように、第１電極３１０と第２電極３２０との間で開口部５２０Ｐ上に配置される。発光素子３５０は、一端部は第１電極３１０または第１電極枝部３１０Ｂと接触し、他端部は第２電極３２０または第２電極枝部３２０Ｂと接触することができる。一例として、発光素子３５０は第２方向Ｄ２に整列され、互いに平行して離隔して配置され得る。

発光素子３５０は任意の第１発光素子３５０＿１、第１発光素子３５０＿１と第１開口部５２０Ｐ＿１内で比較的隣接するように配置された任意の第２発光素子３５０＿２、および第１開口部５２０Ｐ＿１と隣り合うように配置された第２開口部５２０Ｐ＿２上に配置された任意の第３発光素子３５０＿３を含み得る。第１発光素子３５０＿１と第２発光素子３５０＿２は、第１開口部５２０Ｐ＿１内で互いに離隔している状態で第１電極３１０と第２電極３２０との間で整列される。第１発光素子３５０＿１と第２発光素子３５０＿２が離隔している間隔は一定であり得るが、これに制限されず多様であり得る。

第３発光素子３５０＿３は、第１発光素子３５０＿１と第２発光素子３５０＿２が配置された第１開口部５２０Ｐ＿１と一定間隔離隔している第２開口部５２０Ｐ＿２上に配置され、互いに離隔している状態に整列される。第１開口部５２０Ｐ＿１と第２開口部５２０Ｐ＿２は互いに一定の間隔で離隔し得る。すなわち、第１発光素子３５０＿１は、第２発光素子５２０＿２と多様な間隔で離隔し得るが、第３発光素子３５０＿３とは比較的均一に離隔し得る。

また、発光素子３５０は、開口部５２０Ｐ上に高い密度に配置されることができ、複数の開口部５２０Ｐが離隔して第２絶縁層５２０が存在する領域、例えば、開口部５２０Ｐを中心に第１方向Ｄ１の一側領域と他側領域を連結するブリッジ領域では少なく配置され得る。

第１電極３１０と第２電極３２０との間に交流電源を印加して電場によるキャパシタンスを形成する場合、発光素子３５０に誘電泳動力（Ｆ_ＤＥＰ）が伝達され得る。発光素子３５０に印加される誘電泳動力の強度は電場の空間的変化によって変わる。例えば、電場強度が異なる隣接する二つの領域が存在する場合、誘電泳動力は電場強度がより強い領域方向により強く作用される。

第２絶縁層５２０の開口部５２０Ｐは、第１絶縁層５１０の一部領域が露出するように配置されるので、交流電源によって形成される電場強度は第１絶縁層５１０と第２絶縁層５２０上で異なる。第１絶縁層５１０と第２絶縁層５２０の材料の選択に応じて、第１絶縁層５１０に形成される電場強度がより強い場合を仮定すると、第１絶縁層５１０と第２絶縁層５２０上に形成される電場強度は第２絶縁層５２０の開口部５２０Ｐ上で空間的変化が生じ得る。そのため、開口部５２０Ｐ上で発光素子３５０に印加される誘電泳動力がより強い。そのため、第１電極３１０と第２電極３２０との間で、開口部５２０Ｐ上での発光素子３５０の優先的整列を誘導することができる。

開口部５２０Ｐは各画素ＰＸ内で発光素子３５０が均一に配置されるようにすることができる。発光素子３５０が第１絶縁層５１０上で直接誘電泳動法によって整列される場合、第１電極３１０と第２電極３２０との間で任意の整列度で配置され得る。反面、開口部５２０Ｐを含む第２絶縁層５２０を形成した後発光素子３５０を整列する場合、開口部５２０Ｐ上に発光素子３５０が優先的に整列されるので、発光素子３５０を均一に整列することができる。したがって、表示装置１０は画素ＰＸごとに均一な輝度を有することができ、発光素子３５０の整列により一つの画素ＰＸで光が分離して放出される現象を防止することができる。

一方、図１に示すように、第１電極幹部３１０Ｓと第２電極幹部３２０Ｓは、それぞれコンタクトホール、例えば、第１電極コンタクトホールＣＮＴＤおよび第２電極コンタクトホールＣＮＴＳを介して後述する薄膜トランジスタ１２０または電源配線１６１と電気的に接続されることができる。図１では第１電極幹部３１０Ｓと第２電極幹部３２０Ｓ上のコンタクトホールは各画素ＰＸ別に配置された場合を示しているが、これに制限されるものではない。前述したように、第２電極幹部３２０Ｓの場合、隣接する画素ＰＸに延びて電気的に接続されるので、いくつかの実施形態で第２電極幹部３２０Ｓは一つのコンタクトホールを介して薄膜トランジスタと電気的に接続されることができる。

図３は図１の表示装置の一画素の等価回路図である。図面には示していないが、表示装置１０は複数の画素ＰＸを含み得る。図２では任意の第ｉ、ｊ画素（ＰＸ（ｉ，ｊ））を例示して説明する。

図３を参照すると、表示装置１０の任意の画素（ＰＸ（ｉ，ｊ））は、第ｉスキャン線ＳＬｉ、第ｊデータ線ＤＬｊ、第１スイッチング素子ＴＲ１、第２スイッチング素子ＴＲ２、発光素子３５０およびストレージキャパシタＣｓｔを含み得る。

第１スイッチング素子ＴＲ１は、第ｉスキャン線ＳＬｉ、第ｊデータ線ＤＬｊおよび第２スイッチング素子ＴＲ２と電気的に接続されることができる。例示的な実施形態において、第１スイッチング素子ＴＲ１と第２スイッチング素子ＴＲ２は薄膜トランジスタのような三端子素子であり得る。以下では、第１スイッチング素子ＴＲ１および第２スイッチング素子ＴＲ２が薄膜トランジスタである場合を例示して説明する。

第１スイッチング素子ＴＲ１は、第ｉスキャン線ＳＬｉと電気的に接続される制御電極、第ｊデータ線ＤＬｊと電気的に接続される一電極および第２スイッチング素子ＴＲ２の制御電極と電気的に接続される他電極を含み得る。

第２スイッチング素子ＴＲ２は、第２スイッチング素子ＴＲ２の他電極と電気的に接続される制御電極、第１駆動電圧ＱＶＤＤが提供される第１駆動電圧線ＱＶＤＤＬと電気的に接続される一電極および発光素子３５０と電気的に接続される他電極を含み得る。

ストレージキャパシタＣｓｔは、一電極が第１スイッチング素子ＴＲ１の他電極と電気的に接続され得、第１駆動電圧ＱＶＤＤを提供する第１駆動電圧線ＱＶＤＤＬと、他電極が電気的に接続されることができる。

第１スイッチング素子ＴＲ１は、第ｉスキャン線ＳＬｉから提供されたスキャン信号Ｓｉに応じてターンオンし、第ｊデータ線ＤＬｊから提供されたデータ信号ＤｊをストレージキャパシタＣｓｔに提供することができる。ストレージキャパシタＣｓｔは提供されたデータ信号Ｄｊの電圧と第１駆動電圧ＱＶＤＤの電圧差を充電することができる。第２スイッチング素子ＴＲ２はストレージキャパシタＣｓｔに充電される電圧に応じて、発光素子３５０に提供される駆動電流の電流量を制御することができる。すなわち、第１スイッチング素子ＴＲ１はスイッチングトランジスタであり得、第２スイッチング素子ＴＲ２は駆動トランジスタであり得る。

発光素子３５０は、第１電極３１０と接続される一端部は第２スイッチング素子ＴＲ２の前記他電極と電気的に接続されることができる。発光素子３５０は第２スイッチング素子ＴＲ２の前記他電極を介して電流の印加を受けることができる。発光素子３５０が第２電極３２０と接続される他端部は第２駆動電圧線ＱＶＳＳＬと電気的に接続されて第２駆動電圧ＱＶＳＳが印加されることができる。第１駆動電圧ＱＶＤＤは第２駆動電圧ＱＶＳＳより電圧レベルが高い。

一方、図３では表示装置１０が２個のスイッチング素子である第１スイッチング素子ＴＲ１、第２スイッチング素子ＴＲ２と一つのキャパシタであるストレージキャパシタＣｓｔを含む場合を示しているが、これに制限されるものではない。いくつかの実施形態において、表示装置１０はより多くの数のスイッチング素子を含み得る。図面には示していないが、表示装置１０は互いに異なる７個のスイッチング素子と一つの駆動スイッチング素子および一つのストレージキャパシタを含むこともできる。

以下では、図４を参照して表示装置１０上に配置される複数の部材のより具体的な構造について説明する。

図４は図１のＩ－Ｉ’線とＩＩ－ＩＩ’線に沿って切断した断面図である。図４は一画素ＰＸのみを示しているが、他の画素の場合にも同様に適用することができる。

図１および図４を参照すると、表示装置１０は基板１１０、基板１１０上に配置された薄膜トランジスタ（１２０，１４０）、薄膜トランジスタ（１２０，１４０）の上部に配置された電極（３１０，３２０）と発光素子３５０を含み得る。薄膜トランジスタは第１薄膜トランジスタ１２０と第２薄膜トランジスタ１４０を含み得、これらはそれぞれ駆動トランジスタとスイッチングトランジスタであり得る。各薄膜トランジスタ（１２０，１４０）は活性層、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極を含み得る。第１電極３１０は第１薄膜トランジスタ１２０のドレイン電極と電気的に接続されることができる。

さらに具体的に説明すると、基板１１０は絶縁基板であり得る。基板１１０はガラス、石英、または、高分子樹脂などの絶縁物質からなる。前記高分子物質の例としては、ポリエーテルサルホン（ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｓｕｌｐｈｏｎｅ：ＰＥＳ）、ポリアクリレート（ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅ：ＰＡ）、ポリアリレート（ｐｏｌｙａｒｙｌａｔｅ：ＰＡＲ）、ポリエーテルイミド（ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｉｍｉｄｅ：ＰＥＩ）、ポリエチレンテレフタレート（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｎａｐｈｔｈａｌａｔｅ：ＰＥＮ）、ポリエチレンテレフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｔｈａｌａｔｅ：ＰＥＴ）、ポリフェニレンサルファイド（ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ ｓｕｌｆｉｄｅ：ＰＰＳ）、ポリアリレート（ｐｏｌｙａｌｌｙｌａｔｅ）、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ：ＰＩ）、ポリカーボネート（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ：ＰＣ）、セルローストリアセテート（ｃｅｌｌｕｌｏｓｅ ｔｒｉａｃｅｔａｔｅ：ＣＡＴ）、セルロースアセテートプロピオネート（ｃｅｌｌｕｌｏｓｅ ａｃｅｔａｔｅ ｐｒｏｐｉｏｎａｔｅ：ＣＡＰ）またはこれらの組み合わせが挙げられる。基板１１０はリジッド基板であり得るが、ベンディング（ｂｅｎｄｉｎｇ）、フォールディング（ｆｏｌｄｉｎｇ）、ローリング（ｒｏｌｌｉｎｇ）などが可能なフレキシブル（ｆｌｅｘｉｂｌｅ）基板であり得る。

基板１１０上にはバッファ層１１５が配置され得る。バッファ層１１５は不純物イオンが拡散することを防止し、水分や外気の浸透を防止し、表面平坦化機能を遂行することができる。バッファ層１１５はシリコン窒化物、シリコン酸化物、または、シリコン酸窒化物などを含み得る。

バッファ層１１５上には半導体層が配置される。半導体層は第１薄膜トランジスタ１２０の第１活性層１２６、第２薄膜トランジスタ１４０の第２活性層１４６および補助層１６３を含み得る。半導体層は多結晶シリコン、単結晶シリコン、酸化物半導体などを含み得る。

半導体層上には第１ゲート絶縁層１７０が配置される。第１ゲート絶縁層１７０は半導体層を覆う。第１ゲート絶縁層１７０は薄膜トランジスタのゲート絶縁膜として機能することができる。第１ゲート絶縁層１７０はシリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物、アルミニウム酸化物、タンタル酸化物、ハフニウム酸化物、ジルコニウム酸化物、チタニウム酸化物などを含み得る。これらは単独でまたは互いに組合わせて使用することができる。

第１ゲート絶縁層１７０上には第１導電層が配置される。第１導電層は第１ゲート絶縁層１７０を挟んで第１薄膜トランジスタ１２０の第１活性層１２６上に配置された第１ゲート電極１２１、第２薄膜トランジスタ１４０の第２活性層１４６上に配置された第２ゲート電極１４１および補助層１６３上に配置された電源配線１６１を含み得る。第１導電層は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、クロム（Ｃｒ）、カルシウム（Ｃａ）、チタニウム（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）の中から選ばれた一つ以上の金属を含み得る。第１導電層は単一膜または多層膜であり得る。

第１導電層上には第２ゲート絶縁層１８０が配置される。第２ゲート絶縁層１８０は層間絶縁膜であり得る。第２ゲート絶縁層１８０はシリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物、ハフニウム酸化物、アルミニウム酸化物、チタニウム酸化物、タンタル酸化物、亜鉛酸化物などの無機絶縁物質からなる。

第２ゲート絶縁層１８０上には第２導電層が配置される。第２導電層は第２絶縁層を挟んで第１ゲート電極１２１上に配置されたキャパシタ電極１２８を含む。キャパシタ電極１２８は第１ゲート電極１２１と維持キャパシタをなす。

第２導電層は、上述した第１導電層と同様にモリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、クロム（Ｃｒ）、カルシウム（Ｃａ）、チタニウム（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）の中から選ばれた一つ以上の金属を含み得る。

第２導電層上には層間絶縁層１９０が配置される。層間絶縁層１９０は層間絶縁膜であり得る。さらに、層間絶縁層１９０は表面平坦化機能を遂行することができる。層間絶縁層１９０は、アクリル系樹脂（ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅｓ ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ ｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃ ｒｅｓｉｎ）、ポリアミド系樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅｓ ｒｅｓｉｎ）、ポリイミド系樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｓ ｒｅｉｎ）、不飽和ポリエステル系樹脂（ｕｎｓａｔｕｒａｔｅｄ ｐｏｌｙｅｓｔｅｒｓ ｒｅｓｉｎ）、ポリフェニレン系樹脂（ｐｏｌｙ ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｔｈｅｒｓ ｒｅｓｉｎ）、ポリフェニレンスルフィド系樹脂（ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅｓｕｌｆｉｄｅｓ ｒｅｓｉｎ）またはベンゾシクロブテン（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ，ＢＣＢ）などの有機絶縁物質を含み得る。

層間絶縁層１９０上には第３導電層が配置される。第３導電層は第１薄膜トランジスタ１２０の第１ドレイン電極１２３と第１ソース電極１２４、第２薄膜トランジスタ１４０の第２ドレイン電極１４３と第２ソース電極１４４、および電源配線１６１の上部に配置された電源電極１６２を含む。

第１ソース電極１２４および第１ドレイン電極１２３は、それぞれ層間絶縁層１９０と第２ゲート絶縁層１８０を貫く第１コンタクトホール１２９を介して第１活性層１２６と電気的に接続されることができる。第２ソース電極１４４および第２ドレイン電極１４３はそれぞれ層間絶縁層１９０と第２ゲート絶縁層１８０を貫く第２コンタクトホール１４９を介して第２活性層１４６と電気的に接続されることができる。電源電極１６２は層間絶縁層１９０と第２ゲート絶縁層１８０を貫く第３コンタクトホール１６９を介して電源配線１６１と電気的に接続されることができる。

第３導電層は、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、クロム（Ｃｒ）、カルシウム（Ｃａ）、チタニウム（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）の中から選ばれた一つ以上の金属を含み得る。第３導電層は単一膜または多層膜であり得る。例えば、第３導電層はＴｉ／Ａｌ／Ｔｉ、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ、Ｍｏ／ＡｌＧｅ／Ｍｏ、Ｔｉ／Ｃｕなどの積層構造で形成され得る。

第３導電層上には絶縁基板層３００が配置される。絶縁基板層３００はアクリル系樹脂（ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅｓ ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ ｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃ ｒｅｓｉｎ）、ポリアミド系樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅｓ ｒｅｓｉｎ）、ポリイミド系樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｓ ｒｅｉｎ）、不飽和ポリエステル系樹脂（ｕｎｓａｔｕｒａｔｅｄ ｐｏｌｙｅｓｔｅｒｓ ｒｅｓｉｎ）、ポリフェニレン系樹脂（ｐｏｌｙ ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｔｈｅｒｓ ｒｅｓｉｎ）、ポリフェニレンスルフィド系樹脂（ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅｓｕｌｆｉｄｅｓ ｒｅｓｉｎ）またはベンゾシクロブテン（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ，ＢＣＢ）などの有機物質からなる。絶縁基板層３００の表面は平坦であり得る。

絶縁基板層３００上には複数の隔壁（４１０，４２０）が配置され得る。複数の隔壁（４１０，４２０）は各画素ＰＸ内で互いに離隔して対向するように配置され、互いに離隔された隔壁（４１０，４２０）、例えば第１隔壁４１０と第２隔壁４２０上にはそれぞれ第１電極３１０と第２電極３２０が配置され得る。図１と図４では一つの画素ＰＸ内に３個の隔壁（４１０，４２０）、具体的に２個の第１隔壁４１０と一つの第２隔壁４２０が配置され、それぞれ二つの第１電極３１０と一つの第２電極３２０が配置される場合を示している。

ただし、これに制限されず、一つの画素ＰＸ内でより多くの数の隔壁（４１０，４２０）が配置されることもできる。例えば、より多くの数の隔壁（４１０，４２０）が配置されてより多くの数の第１電極３１０と第２電極３２０が配置されることもできる。隔壁（４１０，４２０）は、その上に第１電極３１０が配置される少なくとも一つの第１隔壁４１０と、その上に第２電極３２０が配置される少なくとも一つの第２隔壁４２０を含むこともできる。この場合、第１隔壁４１０と第２隔壁４２０は互いに離隔して対向するように配置され、複数の隔壁が一方向に互いに交互に配置され得る。いくつかの実施形態において、二つの第１隔壁４１０が離隔して配置され、前記離隔している第１隔壁４１０の間に一つの第２隔壁４２０が配置されることもできる。

一方、複数の隔壁（４１０，４２０）は、実質的に同じ物質からなり、一つの工程で形成され得る。この場合、隔壁（４１０，４２０）は一つの格子型パターンをなすこともできる。隔壁（４１０，４２０）はポリイミド（ＰＩ）を含み得る。

一方、図面には示していないが、複数の隔壁（４１０，４２０）の少なくとも一部は、各画素ＰＸの境界に配置されてこれらを互いに区分することもできる。このような隔壁も上述した第１隔壁４１０および第２隔壁４２０と共に実質的に格子型パターンに配置され得る。各画素ＰＸの境界に配置される隔壁（４１０，４２０）の少なくとも一部は表示装置１０の電極ラインをカバーするように形成されることもできる。

複数の隔壁（４１０，４２０）上には反射層（３１１，３２１）が配置され得る。

第１反射層３１１は第１隔壁４１０を覆い、絶縁基板層３００を貫く第４コンタクトホール３１９＿１を介して第１薄膜トランジスタ１２０の第１ドレイン電極１２３と電気的に接続される。第２反射層３２１は第２隔壁４２０を覆い、絶縁基板層３００を貫く第５コンタクトホール３１９＿２を介して電源電極１６２と電気的に接続される。

第１反射層３１１は、画素ＰＸ内で第４コンタクトホール３１９＿１を介して第１薄膜トランジスタ１２０の第１ドレイン電極１２３と電気的に接続されることができる。したがって、第１薄膜トランジスタ１２０は画素ＰＸと重なる領域に配置され得る。図１では第１電極幹部３１０Ｓ上に配置された第１電極コンタクトホールＣＮＴＤを介して第１薄膜トランジスタ１２０と電気的に接続される場合を示している。すなわち、第１電極コンタクトホールＣＮＴＤは、第４コンタクトホール３１９＿１であり得る。

第２反射層３２１も画素ＰＸ内で第５コンタクトホール３１９＿２を介して電源電極１６２と電気的に接続されることができる。図４では一画素ＰＸ内で第２反射層３２１が第５コンタクトホール３１９＿２を介して接続される場合を示している。図１では第２電極幹部３２０Ｓ上の複数の第２電極コンタクトホールＣＮＴＳを介して各画素ＰＸの第２電極３２０が電源配線１６１と電気的に接続される場合を示している。すなわち、第２電極コンタクトホールＣＮＴＳは第５コンタクトホール３１９＿２であり得る。ただし、これに制限されるものではない。例えば、図１で第２電極コンタクトホールＣＮＴＳは第２電極幹部３２０Ｓ上でも多様な位置に配置されることができ、場合によっては第２電極枝部３２０Ｂ上に位置することもできる。また、いくつかの実施形態では、第２反射層３２１は一画素ＰＸ以外の領域で一つの第２電極コンタクトホールＣＮＴＳまたは第５コンタクトホール３１９＿２と接続されることができる。

図６は他の実施形態による表示装置の平面図である。

表示装置１０の画素ＰＸが配置された発光部以外の領域、例えば、画素ＰＸの外側部には発光素子３５０が配置されない非発光領域が存在し得る。前述したように、各画素ＰＸの第２電極３２０は互いに第２電極幹部３２０Ｓを介して電気的に接続され、同じ電気信号の印加を受けることができる。

図６を参照すると、いくつかの実施形態において第２電極３２０の場合、表示装置１０の外側部に位置した前記非発光領域で第２電極幹部３２０Ｓが一つの第２電極コンタクトホールＣＮＴＳを介して電源電極１６２と電気的に接続されることができる。図１の表示装置１０とは異なり、第２電極幹部３２０Ｓが一つのコンタクトホールを介して電源電極１６２と接続されても、第２電極幹部３２０Ｓは隣接する画素ＰＸに延びて配置され、電気的に接続されているので、各画素ＰＸの第２電極枝部３２０Ｂに同じ電気信号を印加することもできる。表示装置１０の第２電極３２０の場合、電源電極１６２から電気信号の印加を受けるためのコンタクトホールの位置は表示装置１０の構造によって多様である。これに制限されない。

一方、再び図１と図４を参照すると、反射層（３１１，３２１）は、発光素子３５０から放出される光を反射させるために、反射率が高い物質を含み得る。一例として、反射層（３１１，３２１）は、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）などのような物質を含み得るが、これに制限されるものではない。

複数の隔壁（４１０，４２０）は、絶縁基板層３００を基準に少なくとも一部が突出した構造を有することができる。隔壁（４１０，４２０）は、発光素子３５０が配置された平面を基準に上部に突出することができ、前記突出した部分は少なくとも一部が傾斜を有し得る。傾斜を有して突出した構造の隔壁（４１０，４２０）は、その上に配置される反射層（３１１，３２１）が入射される光を反射させることができる。発光素子３５０で反射層（３１１，３２１）に向かう光は反射して表示装置１０の外部方向、例えば、隔壁（４１０，４２０）の上部に伝達され得る。

第１反射層３１１および第２反射層３２１上にはそれぞれ第１電極層３１２および第２電極層３２２が配置され得る。

第１電極層３１２は第１反射層３１１のすぐ上に配置される。第１電極層３１２は第１反射層３１１と実質的に同じパターンを有することができる。第２電極層３２２は第２反射層３２１のすぐ上に配置され、第１電極層３１２と離隔するように配置される。第２電極層３２２は第２反射層３２１と実質的に同じパターンを有することができる。

一実施形態において、電極層（３１２，３２２）は、それぞれ下部の反射層（３１１，３２１）を覆う。すなわち、電極層（３１２，３２２）は、反射層（３１１，３２１）より大きく形成されて電極層（３１２，３２２）の端部の側面を覆い得る。しかし、これに制限されるものではない。

第１電極層３１２と第２電極層３２２は、それぞれ第１薄膜トランジスタ１２０または電源電極１６２と接続された第１反射層３１１と第２反射層３２１に伝達される電気信号を後述する接触電極に伝達することができる。電極層（３１２，３２２）は透明性伝導性物質を含み得る。一例として、電極層（３１２，３２２）は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ－Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）などのような物質を含み得るが、これに制限されるものではない。いくつかの実施形態において、反射層（３１１，３２１）と電極層（３１２，３２２）は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＴＺＯなどのような透明導電層と銀、銅のような金属層がそれぞれ一層以上積層された構造をなす。一例として、反射層（３１１，３２１）と電極層（３１２，３２２）は、ＩＴＯ／銀（Ａｇ）／ＩＴＯの積層構造を形成することもできる。

第１隔壁４１０上に配置される第１反射層３１１と第１電極層３１２は第１電極３１０をなす。第１電極３１０は第１隔壁４１０の両終端に延びた領域まで突出することができ、そのため第１電極３１０は前記突出した領域で絶縁基板層３００と接触することができる。第２隔壁４２０上に配置される第２反射層３２１と第２電極層３２２は第２電極３２０をなす。第２電極３２０は、第２隔壁４２０の両終端で延びた領域まで突出することができ、そのため第２電極３２０は前記突出した領域で絶縁基板層３００と接触することができる。

第１電極３１０と第２電極３２０はそれぞれ第１隔壁４１０と第２隔壁４２０の全領域をカバーするように配置され得る。ただし、前述したように、第１電極３１０と第２電極３２０は互いに離隔して対向するように配置される。各電極が離隔している間には後述するように第１絶縁層５１０が配置され、その上部に発光素子３５０が配置され得る。

また、第１反射層３１１は第１薄膜トランジスタ１２０から駆動電圧の伝達を受け、第２反射層３２１は電源配線１６１から電源電圧の伝達を受けることができるので、第１電極３１０と第２電極３２０はそれぞれ駆動電圧と電源電圧の伝達を受ける。後述するように、第１電極３１０は第１薄膜トランジスタ１２０と電気的に接続され、第２電極３２０は電源配線１６１と電気的に接続されることができる。そのため、第１電極３１０と第２電極３２０上に配置される第１接触電極３６１および第２接触電極３６２は前記駆動電圧と電源電圧の印加を受けることができる。前記駆動電圧と電源電圧は発光素子３５０に伝達され、発光素子３５０に電流が流れることにより光を放出することができる。

第１電極３１０と第２電極３２０の一部領域上には第１絶縁層５１０が配置される。第１絶縁層５１０は第１電極３１０と第２電極３２０との間の空間内に配置され得る。第１絶縁層５１０は平面上第１電極枝部３１０Ｂと第２電極枝部３２０Ｂとの間の空間に沿って形成された島状または線状形状を有することができる。

第１絶縁層５１０上には発光素子３５０が配置される。第１絶縁層５１０は発光素子３５０と絶縁基板層３００との間に配置され得る。第１絶縁層５１０の下面は絶縁基板層３００に接触し、第１絶縁層５１０の上面に発光素子３５０が配置され得る。そして、第１絶縁層５１０は各電極（３１０，３２０）が互いに対向する端部を覆うように配置されてこれらを電気的に相互絶縁させることができる。

第１絶縁層５１０は、各電極（３１０，３２０）の一部領域、例えば、第１電極３１０と第２電極３２０が対向する方向に突出した領域と重なる。また、各電極（３１０，３２０）上の領域のうち、隔壁（４１０，４２０）の上部面にも第１絶縁層５１０が配置され得る。そのため、第１絶縁層５１０の下面は絶縁基板層３００と各電極（３１０，３２０）に接触することができる。各電極（３１０，３２０）は第１絶縁層５１０が配置されない上部の一部面が露出することができる。また、発光素子３５０は両側部が露出するように第１絶縁層５１０上に配置され得る。そのため、後述した接触電極（３６１，３６２）は、前記各電極（３１０，３２０）の露出した上部面と発光素子３５０の両側部と接触することができる。

一例として、第１絶縁層５１０は第１電極３１０と第２電極３２０が互いに対向する方向に突出した領域の上部面を覆う。第１絶縁層５１０は、各電極（３１０，３２０）と重なる領域を保護すると同時に、これらを電気的に相互絶縁させることができる。また、発光素子３５０の第１導電型半導体層３５１および第２導電型半導体層３５２が他の基材と直接接触することを防止して発光素子３５０の損傷を防止することができる。

発光素子３５０は第１電極３１０と第２電極３２０との間に少なくとも一つが配置され得る。図１では各画素ＰＸ内に同じ色の光を放出する発光素子３５０のみが配置された場合を例示している。ただし、これに制限されず前述したように互いに異なる色の光を放出する発光素子３５０が一つの画素ＰＸ内に共に配置されることもできる。

前述したように、発光素子３５０の長軸の長さ（ｈ）は、第１電極３１０と第２電極３２０との間の間隔、例えば第１電極３１０と第２電極３２０が互いに対向する各側部間の離隔している間隔ｌ１より長く、第１電極３１０と第２電極３２０の各中心間の離隔している間隔ｌ２より短くてもよい。そのため、発光素子３５０の一端部は第１電極３１０と接触することができ、他端部は第２電極３２０と接触することができる。また、後述する接触電極（３６１，３６２）が発光素子３５０の両端部で円滑に電気的に接触することができる。

発光素子３５０は、発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ）であり得る。発光素子３５０はその大きさが概してナノ単位であるナノ構造物であり得る。発光素子３５０は無機物からなる無機発光ダイオードであり得る。発光素子３５０が無機発光ダイオードである場合、互いに対向する二つの電極の間に無機結晶構造を有する発光物質を配置し、発光物質に特定の方向に電界を形成すると、特定極性を形成する前記二つの電極の間に、無機発光ダイオードが整列される。

図４の拡大図を参照すると、後述するようにいくつかの実施形態において、発光素子３５０は第１導電型半導体層３５１、活性物質層３５３、第２導電型半導体層３５２および第２電極物質層３５７が積層された構造を有することができる。発光素子３５０の前記積層順序は絶縁基板層３００に水平方向に第１導電型半導体層３５１、活性物質層３５３、第２導電型半導体層３５２および第２電極物質層３５７が配置され得る。すなわち、前記複数の層が積層された発光素子３５０は絶縁基板層３００と水平の横方向に配置され得る。

また、一実施形態において、発光素子３５０の第１導電型半導体層３５１は、第１電極３１０または第１電極３１０の第２電極３２０に対向する一側部と電気的に接続され、発光素子３５０の第２導電型半導体層３５２または第２電極物質層３５７は第１電極３１０の他側部または第２電極３２０と電気的に接続されることができる。例えば、第１電極３１０がカソード電極であり、第２電極３２０がアノード電極である場合、発光素子３５０の第１導電型半導体層３５１は電子（ｅｌｅｃｔｒｏｎ）が注入され、第２導電型半導体層３５２または第２電極物質層３５７は正孔（ｈｏｌｅ）が注入されることもできる。発光素子３５０に注入された電子と正孔は活性物質層３５３で再結合（ｒｅｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎ）して特定波長帯の光を放出することができる。ただし、これに制限されない。場合によっては、発光素子３５０の第１導電型半導体層３５１は第２電極３２０と電気的に接続され、第２導電型半導体層３５２は第１電極３１０と電気的に接続されることもできる。発光素子３５０の構造に対するより詳細な説明は後述する。

第２絶縁層５２０は第１絶縁層５１０上に配置され、第１電極３１０、第２電極３２０および発光素子３５０上の少なくとも一部領域と重なるように配置され得る。前述したように、第２絶縁層５２０は第１絶縁層５１０の一部領域が露出するように開口部５２０Ｐを含み得る。このような開口部５２０Ｐは表示装置１０の製造時、第１絶縁層５１０をすべて覆うように第２絶縁層５２０を形成した後、それをパターニングして形成したものであり得る。

この場合、第２絶縁層５２０は第１電極３１０と第２電極３２０との間に整列した発光素子３５０を保護すると同時に固定させる機能を遂行することもできる。図面には示していないが、第２絶縁層５２０は発光素子３５０の上部面と外面にも配置され得る。ただし、発光素子３５０の両側面は露出するように配置される。すなわち、断面上発光素子３５０の上部面に配置された第２絶縁層５２０は一軸方向に測定された長さが発光素子３５０より短く、第２絶縁層５２０は発光素子３５０の前記両側面より内側に陥没することができる。そのため、第１絶縁層５１０、発光素子３５０および第２絶縁層５２０は側面が階段式で積層される。この場合、後述する接触電極（３６１，３６２）は、発光素子３５０の両端部との接続が円滑に行われ得る。ただし、これに制限されず、第２絶縁層５２０の長さと発光素子３５０の長さが一致して両側部が整列される。

また、第２絶縁層５２０は開口部５２０Ｐを含んで複数の発光素子３５０が第１電極３１０と第２電極３２０との間で均一な整列を誘導することもできる。第２絶縁層５２０は乾式エッチングまたは湿式エッチング工程によってパターニングすることによって開口部５２０Ｐを形成することができる。第２絶縁層５２０がパターニングされる時、第１絶縁層５１０はエッチングされないようにするために、第１絶縁層５１０と第２絶縁層５２０は互いにエッチング選択比が異なる材料を含み得る。そのため、第２絶縁層５２０をパターニングして開口部５２０Ｐを形成する時、第１絶縁層５１０は損傷されない。開口部５２０Ｐにより露出した第１絶縁層５１０上で後述する接触電極（３６１，３６２）が発光素子３５０と接触することができる。

図５は図１の表示装置の一部を示す断面図である。図５は第１電極３１０と第２電極３２０上に配置された第１絶縁層５１０と開口部５２０Ｐのみ示している。以下では図５を参照して開口部５２０Ｐの断面上構造についてより詳細に説明する。

第１絶縁層５１０上には第２絶縁層５２０が配置され、発光素子３５０が配置される領域は第２絶縁層５２０がパターニングされて開口部５２０Ｐが形成され得る。

第２絶縁層５２０をパターニングして開口部５２０Ｐを形成する段階は、通常の乾式エッチングまたは湿式エッチングにより行われる。ここで、第１絶縁層５１０がパターニングされないようにするために、第１絶縁層５１０と第２絶縁層５２０は互いに異なるエッチング選択比を有する材料を含み得る。すなわち、第２絶縁層５２０をパターニングする時、第１絶縁層５１０はエッチングストッパ（ｅｔｃｈｉｎｇ ｓｔｏｐｐｅｒ）の機能を遂行することもできる。そのため、第１絶縁層５１０は形態を維持して開口部５２０Ｐを形成することができる。より詳しい説明は後述する。

第１絶縁層５１０は、開口部５２０Ｐにより外部に露出され得、前述したように、前記露出した領域では交流電源による電場強度が強い。第１絶縁層５１０上に第２絶縁層５２０が存在する領域は開口部５２０Ｐにより露出した領域より電場強度が弱い。そのため、第２絶縁層５２０が存在する領域と開口部５２０Ｐとの間の電場強度の空間的変化が生じ得る。前述したように、電場強度の空間的変化は発光素子３５０により強い誘電泳動力（Ｆ_ＤＥＰ）を印加することができ、発光素子３５０が開口部５２０Ｐ上に優先的に配置され得る。

一方、第１電極３１０と第２電極３２０の上部面のうち、第１隔壁４１０および第２隔壁４２０により絶縁基板層３００に比べて突出した領域は第１絶縁層５１０と第２絶縁層５２０がパターニングされて露出する。前記露出した領域は後述する接触電極（３６１，３６２）がコンタクトされ、第１電極３１０および第２電極３２０と電気的に接続されることができる。

再び、図４を参照すると、第２絶縁層５２０上には第１電極３１０上に配置され、第２絶縁層５２０の少なくとも一部と重なる第１接触電極３６１と、第２電極３２０上に配置され、第２絶縁層５２０の少なくとも一部と重なる第２接触電極３６２が配置され得る。

第１接触電極３６１は第１電極３１０上でこれをカバーするように配置され、下面が部分的に発光素子３５０、第１絶縁層５１０および第２絶縁層５２０と接触することができる。第１接触電極３６１の第２電極３２０が配置された方向の一端部は第２絶縁層５２０上に配置される。

第２接触電極３６２は第２電極３２０上でこれをカバーするように配置され、下面が部分的に発光素子３５０、第１絶縁層５１０および第３絶縁層５３０と接触することができる。第２接触電極３６２は、第１電極３１０が配置された方向の両端部が第３絶縁層５３０上に配置される。

すなわち、第１接触電極３６１と第２接触電極３６２はそれぞれ第１電極３１０と第２電極３２０の上部面に配置され得る。具体的には、第１接触電極３６１と第２接触電極３６２は第１電極３１０と第２電極３２０の上部面でそれぞれ第１電極層３１２および第２電極層３２２と接触することができる。第１絶縁層５１０および第２絶縁層５２０は第１隔壁４１０と第２隔壁４２０の上部面で第１電極３１０と第２電極３２０を覆うように配置された領域がパターニングされてそれぞれ第１電極層３１２および第２電極層３２２が露出し、前記露出した領域で各接触電極（３６１，３６２）と電気的に接続されることができる。

また、第１接触電極３６１と第２接触電極３６２は発光素子３５０の一端部と他端部、例えば第１導電型半導体層３５１および電極物質層３５７にそれぞれ接触することができる。そのため、第１接触電極３６１および第２接触電極３６２は、第１電極層３１２および第２電極層３２２に印加された電気信号を発光素子３５０に伝達することができる。

第１接触電極３６１および第２接触電極３６２は、第２絶縁層５２０または第３絶縁層５３０上で互いに離隔して配置され得る。すなわち、第１接触電極３６１および第２接触電極３６２は発光素子３５０と第２絶縁層５２０または第３絶縁層５３０に共に接触するが、第２絶縁層５２０上では積層された方向に離隔して配置されることによって電気的に絶縁されることができる。これによって第１接触電極３６１と第２接触電極３６２はそれぞれ第１薄膜トランジスタ１２０と電源配線１６１で互いに異なる電源の印加を受けることができる。一例として、第１接触電極３６１は第１薄膜トランジスタ１２０で第１電極３１０に印加される駆動電圧を、第２接触電極３６２は電源配線１６１で第２電極３２０に印加される共通電源電圧の印加を受けることができる。ただし、これに制限されるものではない。

接触電極（３６１，３６２）は伝導性物質を含み得る。例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＴＺＯ、アルミニウム（Ａｌ）などを含み得る。ただし、これに制限されるものではない。

また、接触電極（３６１，３６２）は、電極層（３１２，３２２）と同じ物質を含み得る。接触電極（３６１，３６２）は、電極層（３１２，３２２）にコンタクトされ得るように、電極層（３１２，３２２）上で実質的に同じパターンに配置され得る。一例として、第１電極層３１２と第２電極層３２２にコンタクトされる第１接触電極３６１と第２接触電極３６２は第１電極層３１２および第２電極層３２２に印加される電気信号の伝達を受けて発光素子３５０に伝達することができる。

第３絶縁層５３０は第１接触電極３６１の上部に配置され、第１接触電極３６１と第２接触電極３６２を電気的に相互絶縁させることができる。第３絶縁層５３０は第１接触電極３６１を覆うように配置され、発光素子３５０が第２接触電極３６２とコンタクトされ得るように発光素子３５０の一部領域には重ならないように配置され得る。第３絶縁層５３０は第２絶縁層５２０の上部面で第１接触電極３６１、第２接触電極３６２および第２絶縁層５２０と部分的に接触することができる。第３絶縁層５３０は第２絶縁層５２０の上部面で第１接触電極３６１の一端部をカバーするように配置され得る。そのため第３絶縁層５３０は第１接触電極３６１を保護すると同時に、第１接触電極３６１と第２接触電極３６２を電気的に絶縁させることができる。

第３絶縁層５３０の第２電極３２０が配置された方向の一端部は第２絶縁層５２０の一側面と整列することができる。

一方、いくつかの実施形態において、表示装置１０は第３絶縁層５３０を省略することができる。そのため、第１接触電極３６１と第２接触電極３６２は、実質的に同じ平面上に配置されることができ、後述するパッシベーション層５５０により第１接触電極３６１と第２接触電極３６２は電気的に相互絶縁され得る。

パッシベーション層５５０は第３絶縁層５３０および第２接触電極３６２の上部に形成され、外部環境に対して絶縁基板層３００上に配置される部材を保護する機能をすることができる。第１接触電極３６１および第２接触電極３６２が露出する場合、電極損傷によって接触電極材料の断線問題が発生し得るので、パッシベーション層５５０でこれらをカバーすることができる。すなわち、パッシベーション層５５０は第１電極３１０、第２電極３２０、発光素子３５０などをカバーするように配置され得る。また、前述したように、第３絶縁層５３０を省略する場合、パッシベーション層５５０は第１接触電極３６１と第２接触電極３６２の上部に形成され得る。この場合、パッシベーション層５５０は第１接触電極３６１と第２接触電極３６２を電気的に相互絶縁させることもできる。

上述した第１絶縁層５１０、第２絶縁層５２０、第３絶縁層５３０およびパッシベーション層５５０それぞれは無機物絶縁性物質を含み得る。例えば、第１絶縁層５１０、第２絶縁層５２０、第３絶縁層５３０およびパッシベーション層５５０はシリコン酸化物（ＳｉＯ_ｘ）、シリコン窒化物（ＳｉＮ_ｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ）、酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）などのような物質を含み得る。第１絶縁層５１０、第２絶縁層５２０、第３絶縁層５３０およびパッシベーション層５５０は同じ物質からなることもできるが、互いに異なる物質からなることもできる。その他、第１絶縁層５１０、第２絶縁層５２０、第３絶縁層５３０およびパッシベーション層５５０に絶縁性を付与する多様な物質を適用することが可能である。

一方、第１絶縁層５１０と第２絶縁層５２０は前述したように、互いに異なるエッチング選択比を有することができる。一例として、第１絶縁層５１０がシリコン酸化物（ＳｉＯ_ｘ）を含む場合、第２絶縁層５２０はシリコン窒化物（ＳｉＮ_ｘ）を含み得る。他の例として、第１絶縁層５１０がシリコン窒化物（ＳｉＮ_ｘ）を含む場合、第２絶縁層５２０はシリコン酸化物（ＳｉＯ_ｘ）を含むこともできる。ただし、これに制限されるものではない。

一方、発光素子３５０は基板上でエピタキシャル（Ｅｐｉｔａｘｉａｌ）成長法によって製造することができる。基板上に半導体層を形成するためのシード結晶（Ｓｅｅｄ ｃｒｙｓｔａｌ）層を形成し、所望する半導体材料を蒸着させて成長させることができる。以下、図７を参照して多様な実施形態による発光素子３５０の構造について詳細に説明する。

図７は一実施形態による発光素子の概略図である。

図７を参照すると、発光素子３５０は、複数の導電型半導体層（３５１，３５２）および前記複数の導電型半導体層（３５１，３５２）の間に配置される活性物質層３５３、電極物質層３５７および絶縁性物質層３５８を含み得る。第１電極３１０および第２電極３２０から印加される電気信号は複数の導電型半導体層（３５１，３５２）を介して活性物質層３５３に伝達される光を放出することができる。

具体的には、発光素子３５０は、第１導電型半導体層３５１、第２導電型半導体層３５２、第１導電型半導体層３５１と第２導電型半導体層３５２との間に配置される活性物質層３５３、第２導電型半導体層３５２上に配置される電極物質層３５７および絶縁性物質層３５８を含み得る。図７の発光素子３５０は第１導電型半導体層３５１、活性物質層３５３、第２導電型半導体層３５２および電極物質層３５７が長さ方向に順次積層された構造を示しているが、これに制限されない。電極物質層３５７は省略することができ、いくつかの実施形態では第１導電型半導体層３５１および第２導電型半導体層３５２の両側面のうち少なくともいずれか一つに配置されることもできる。以下では、図７の発光素子３５０を例示して説明する。

第１導電型半導体層３５１はｎ型半導体層であり得る。一例として、発光素子３５０が青色波長帯の光を放出する場合、第１導電型半導体層３５１は、Ｉｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１－ｘ－ｙ}Ｎ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｘ＋ｙ≦１）の化学式を有する半導体材料であり得る。例えば、ｎ型にドーピングされたＩｎＡｌＧａＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＮおよびＩｎＮのいずれか一つ以上であり得る。第１導電型半導体層３５１は、第１導電性ドーパントがドーピングされ得、一例として第１導電性ドーパントはＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎなどであり得る。第１導電型半導体層３５１の長さは１．５μｍ～５μｍの範囲を有し得るが、これに制限されるものではない。

第２導電型半導体層３５２はｐ型半導体層であり得る。一例として、発光素子３５０が青色波長帯の光を放出する場合、第２導電型半導体層３５２は、Ｉｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１－ｘ－ｙ}Ｎ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｘ＋ｙ≦１）の化学式を有する半導体材料であり得る。例えば、ｐ型にドーピングされたＩｎＡｌＧａＮ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＮおよびＩｎＮのいずれか一つ以上であり得る。第２導電型半導体層３５２は、第２導電性ドーパントがドーピングされ得、一例として第２導電性ドーパントはＭｇ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｓｅ、Ｂａなどであり得る。第２導電型半導体層３５２の長さは０．０８μｍ～０．２５μｍの範囲を有し得るが、これに制限されるものではない。

活性物質層３５３は第１導電型半導体層３５１と第２導電型半導体層３５２との間に配置され、単一または多重量子井戸構造の物質を含み得る。活性物質層３５３が多重量子井戸構造の物質を含む場合、量子層（Ｑｕａｎｔｕｍ ｌａｙｅｒ）と井戸層（Ｗｅｌｌ ｌａｙｅｒ）が互いに交互に複数積層された構造であり得る。活性物質層３５３は、第１導電型半導体層３５１および第２導電型半導体層３５２を介して印加される電気信号に応じて電子－正孔ペアの結合によって光を発光することができる。一例として、活性物質層３５３が青色波長帯の光を放出する場合、ＡｌＧａＮ、ＡｌＩｎＧａＮなどの物質を含み得、特に、活性物質層３５３が多重量子井戸構造で、量子層と井戸層が交互に積層された構造である場合、量子層はＡｌＧａＮまたはＡｌＩｎＧａＮ、井戸層はＧａＮまたはＡｌＧａＮなどのような物質を含み得る。ただし、これに制限されるものではなく、活性物質層３５３はバンドギャップ（Ｂａｎｄ ｇａｐ）エネルギが大きい種類の半導体物質とバンドギャップエネルギが小さい半導体物質が互いに交互に積層された構造であり得、発光する光の波長帯に応じて他の３族～５族半導体物質を含むこともできる。そのため、活性物質層３５３が放出する光は青色波長帯の光に制限されず、場合によっては、赤色、緑色波長帯の光を放出することもできる。活性物質層３５３の長さは、０．０５μｍ～０．２５μｍの範囲を有し得るが、これに制限されるものではない。

活性物質層３５３から放出される光は、発光素子３５０の長さ方向の外部面だけでなく、両側面に放出され得る。すなわち、活性物質層３５３から放出される光は一方向に方向性が制限されない。

電極物質層３５７はオミク（ｏｈｍｉｃ）接触電極であり得る。ただし、これに制限されず、ショットキー（Ｓｃｈｏｔｔｋｙ）接触電極であり得る。電極物質層３５７は伝導性がある金属を含み得る。例えば、電極物質層３５７は、アルミニウム（Ａｌ）、チタニウム（Ｔｉ）、インジウム（Ｉｎ）、金（Ａｕ）および銀（Ａｇ）のうち少なくともいずれか一つを含み得る。電極物質層３５７は同じ物質を含み得、互いに異なる物質を含むこともできる。ただし、これに制限されるものではない。

絶縁性物質層３５８は、発光素子３５０の外部に形成されて発光素子３５０を保護することができる。一例として、絶縁性物質層３５８は発光素子３５０の側面部を囲むように形成され、発光素子３５０の長さ方向の両端部、例えば第１導電型半導体層３５１および第２導電型半導体層３５２が配置された端部には形成されない。ただし、これに制限されない。絶縁性物質層３５８は、絶縁特性を有する物質、例えば、シリコン酸化物（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｘｉｄｅ，ＳｉＯ_ｘ）、シリコン窒化物（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｎｉｔｒｉｄｅ，ＳｉＮ_ｘ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ）、窒化アルミニウム（Ａｌｕｍｉｎｕｍ ｎｉｔｒｉｄｅ，ＡｌＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌｕｍｉｎｕｍ ｏｘｉｄｅ，Ａｌ_２Ｏ_３）などを含み得る。そのため活性物質層３５３が第１電極３１０または第２電極３２０と直接接触する場合、発生し得る電気的短絡を防止することができる。また、絶縁性物質層３５８は活性物質層３５３を含んで発光素子３５０の外部面を保護するので、発光効率の低下を防止することができる。

絶縁性物質層３５８は、長さ方向に延びて第１導電型半導体層３５１から電極物質層３５７までカバーできるように形成され得る。ただし、これに制限されず絶縁性物質層３５８は第１導電型半導体層３５１、活性物質層３５３および第２導電型半導体層３５２のみをカバーしたり、電極物質層３５７外面の一部のみをカバーしたりして第２電極物質層３５７の一部外面が露出することもできる。

また、いくつかの実施形態において、絶縁性物質層３５８は溶液内で他の絶縁性物質層３５８と凝集せず、分散するように表面処理することができる。後述する発光素子３５０の整列時、溶液内の発光素子３５０が分散した状態を保持して第１電極３１０と第２電極３２０との間で互いに固まらず整列される。一例として、絶縁性物質層３５８は表面が疎水性または親水性処理され、前記溶液内で相互分散した状態を保持することができる。

絶縁性物質層３５８の厚さは、０．５μｍ～１．５μｍの範囲を有し得るが、これに制限されるものではない。

発光素子３５０は円筒形であり得る。ただし、発光素子３５０の形態がこれに制限されるものではなく、正六面体、直六面体、六角柱型など多様な形態を有することができる。発光素子３５０は、長さ（ｈ）が１μｍ～１０μｍまたは２μｍ～５μｍの範囲を有し得、好ましくは４μｍ内外の長さを有することができる。また、発光素子３５０の直径は４００ｎｍ～７００ｎｍの範囲を有することができ、好ましくは５００ｎｍ内外の厚さを有することができる。

以下では、図８～１２を参照して一実施形態による表示装置１０の製造方法について説明する。

図８～図１２は一実施形態による表示装置の製造方法を概略的に示す平面図である。

先に、図８を参照すると、絶縁基板層３００上に複数の電極（３１０，３２０）を形成する。複数の電極（３１０，３２０）を形成する段階は、通常のマスク工程を行って金属または有機物などをパターニングすることによって形成することができる。

図１を参照して前述したように、第１電極幹部３１０Ｓと第２電極幹部３２０Ｓは第１方向Ｄ１に延びるが、互いに離隔して対向するように配置される。図１では第１電極幹部３１０Ｓが隣り合う画素ＰＸの間で電気的に分離して離隔している状態を示すが、図８では第１電極幹部３１０Ｓも一端部が隣接する複数の画素ＰＸに延び得る。第１電極幹部３１０Ｓと第２電極幹部３２０Ｓの一端部は信号印加パッド（図示せず）と接続されて後述する発光素子３５０の整列時の交流電源が印加されることができる。

第１電極枝部３１０Ｂと第２電極枝部３２０Ｂは、それぞれ第１電極幹部３１０Ｓと第２電極幹部３２０Ｓで分枝されて第２方向Ｄ２に延びる。前述したように、第１電極枝部３１０Ｂと第２電極枝部３２０Ｂは互いに反対方向に延びるが、それぞれ第２電極幹部３２０Ｓと第１電極幹部３１０Ｓで離隔している状態で終止する。

すなわち、図８の第１電極３１０は図１の第１電極３１０に比べて第１電極幹部３１０Ｓが隣り合う画素ＰＸに延びて各画素ＰＸの第１電極幹部３１０Ｓと電気的に接続されたことを除いては同一である。これに係る詳しい説明は省略する。また、図面には示していないが、第１電極３１０と第２電極３２０上には図４の第１絶縁層５１０が配置され得る。第１絶縁層５１０は前述したように、第１電極３１０および第２電極３２０の一部を覆うように配置され、これらを保護したり電気的に絶縁させたりすることができる。

次に、図９を参照すると、前記電極（３１０，３２０）および第１絶縁層（５１０，図４に図示）上に第２絶縁層５２０を形成する。

第２絶縁層５２０は後述する工程によって開口部５２０Ｐが形成される。第２絶縁層５２０を形成する段階を通常のパターニング方法によって行われ得る。図８では第２絶縁層５２０が第１電極枝部３１０Ｂおよび第２電極枝部３２０Ｂの一部を覆うように配置された場合を示しているが、これに制限されない。場合によっては第１電極枝部３１０Ｂと第２電極枝部３２０Ｂをすべて覆うように配置されたり、第１電極幹部３１０Ｓと第２電極幹部３２０Ｓを覆ったりすることもできる。一方、第２絶縁層５２０は前述したように第１絶縁層５１０とエッチング選択比が異なる材料を含み得る。

次に図１０を参照すると、第２絶縁層５２０の一部をパターニングして開口部５２０Ｐを形成する。開口部５２０Ｐの配置や構造などは図１および図２を参照して上述した内容と同様である。詳しい説明は省略する。

次に図１１を参照すると、開口部５２０Ｐ上で第１電極枝部３１０Ｂと第２電極枝部３２０Ｂと重なる領域に複数の発光素子３５０を配置する。

具体的には、図面には示していないが、第１電極枝部３１０Ｂと第２電極枝部３２０Ｂとの間に発光素子３５０を含む溶液を塗布する。そして、第１電極幹部３１０Ｓと第２電極幹部３２０Ｓの一端部に接続された信号印加パッド（図示せず）で交流電源を印加して発光素子３５０を整列させる。

信号印加パッド（図示せず）で印加される交流電源は、第１電極枝部３１０Ｂと第２電極枝部３２０Ｂとの間に電場によるキャパシタンスを形成することができる。前記塗布された溶液内の発光素子３５０は電場によるキャパシタンスによって誘電泳動力（Ｄｉｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｒｅｓｉｓ Ｆｏｒｃｅ，ＤＥＰ Ｆｏｒｃｅ）を受けることができる。発光素子３５０は、誘電泳動力によって第１電極枝部３１０Ｂと第２電極枝部３２０Ｂとの間に整列することができる。誘電泳動力（ＤＥＰ Ｆｏｒｃｅ）を受ける発光素子３５０は、一端部が第１電極枝部３１０Ｂに接続され、発光素子３５０の他端部は第２電極枝部３２０Ｂの両側面でそれぞれ接続されることができる。

前記キャパシタンスによって発光素子３５０に印加される誘電泳動力は、発光素子３５０が各電極（３１０，３２０）の間で一定方向性を有するようにすることができる。例えば、発光素子３５０の第１導電型半導体層３５１は、第１電極枝部３１０Ｂまたは第１電極３１０の第２電極枝部３２０Ｂ方向の一側面で接続され、第２導電型半導体層３５２は第２電極枝部３２０Ｂまたは第１電極３１０の他側面で接続されることもできる。ただし、これに制限されるものではなく、発光素子３５０は各電極（３１０，３２０）の間で任意の方向に整列することもできる。

また、第１電極３１０と第２電極３２０上で、開口部５２０Ｐにより交流電源によって生じる電場強度は異なる。

具体的には、開口部５２０Ｐと重なる領域の第１絶縁層５１０は外部に露出し、その以外の領域は第２絶縁層５２０によりカバーすることができる。第１電極３１０と第２電極３２０との間に交流電源を印加すると第１絶縁層５１０が外部に露出した領域は電場強度が強く形成され、第２絶縁層５２０によりカバーされた領域は電場強度が弱く形成される。そのため、複数の開口部５２０Ｐの間で電場強度の空間的変化が生じ得、電場強度の空間的変化は発光素子３５０に印加される誘電泳動力（Ｆ_ＤＥＰ）に変化を与えることができる。電場強度が強い開口部５２０Ｐ上にはより強い誘電泳動力（Ｆ_ＤＥＰ）が加えられ、発光素子３５０は開口部５２０Ｐ上に優先的に整列される。

ここで、電場強度は第２絶縁層５２０の材料や厚さ、発光素子３５０を含む溶液の種類などによって異なる。例示的な実施形態において、発光素子３５０を含む溶液は、プロピレングリコール（Ｐｒｏｐｙｌｅｎｅ ｇｌｙｃｏｌ）であり、第２絶縁層５２０がシリコン酸化物（ＳｉＯ_ｘ）またはポリイミド（ＰＩ）であり得る。第２絶縁層５２０の厚さは０．３μｍ～２．０μｍであり得る。この場合、開口部５２０Ｐ上で発光素子３５０に印加される誘電泳動力（Ｆ_ＤＥＰ）は７倍～３２倍以上大きくてもよい。すなわち、発光素子３５０は開口部５２０Ｐ上にのみ整列され、第２絶縁層５２０上には整列されない。

発光素子３５０の配置に係る詳しい説明は図１を参照して上述したとおりである。

次に、図１２を参照すると、各電極（３１０，３２０）の間に発光素子３５０を整列した後、各電極（３１０，３２０）上に接触電極（３６１，３６２）を形成して発光素子３５０と接触させる。また、図面には示していないが、図４に示すように、各電極（３１０，３２０）上には複数の絶縁層が配置され得る。接触電極（３６１，３６２）は前述したように発光素子３５０の両側部と各電極（３１０，３２０）の隔壁（４１０，４２０）上の上部面で接触することができる。

最後に、図１２に示すように、切断部ＣＢに沿って第１電極幹部３１０Ｓを電気的に分離して図１の表示装置１０を製造することができる。第１電極幹部３１０Ｓを電気的に分離する方法は特に制限されない。一例として、レーザを用いて切断部ＣＢに位置した第１電極３１０を断線させることができる。そのため、第１電極幹部３１０Ｓは隣り合う画素ＰＸ間に電気的に分離して離隔した状態に配置され得る。

また、第１電極幹部３１０Ｓ上の第１電極コンタクトホールＣＮＴＤおよび第２電極幹部３２０Ｓ上の第２電極コンタクトホールＣＮＴＳを介して第１電極３１０と第２電極３２０は上述した第１薄膜トランジスタ１２０および電源電極１６２と電気的に接続されることができる。そのため、第１電極３１０と第２電極３２０との間には駆動電圧と電源電圧による電流が流れ、発光素子３５０で発光することができる。

以上で説明したように、一実施形態による表示装置１０は第１電極３１０と第２電極３２０上に第２絶縁層５２０の開口部５２０Ｐを形成し、発光素子３５０を特定領域に整列するように誘導することができる。そのため、表示装置１０の一画素ＰＸ内で発光素子３５０が均一に整列され、画素ＰＸ別に均一な輝度を有することができ、発光素子３５０の整列により一つの画素ＰＸで光が分離して放出される現象を防止することができる。

以下では、表示装置１０の他の実施形態について説明する。図１３～図１５は他の実施形態による表示装置を概略的に示す平面図である。

一実施形態において、開口部５２０Ｐは第１電極３１０と第２電極３２０との間で一つの電極、例えば第１電極３１０により隣接するように配置され得る。

具体的には、図１３の表示装置１０＿１は、開口部５２０Ｐ＿１の中心は第１電極３１０と第２電極３２０との間の中心に整列されず、第１電極３１０方向に移動して配置され得る。そのため、開口部５２０Ｐ＿１により露出した領域は第１電極３１０が第２電極３２０より広い。したがって、図１２の表示装置１０＿１は開口部５２０Ｐ＿１を中心に第１電極３１０と第２電極３２０上で露出した第１絶縁層５１０が非対称的構造を有することができる。

前述したように、発光素子３５０を整列するために印加される交流電源によって形成される電場強度は露出した第１絶縁層５１０が広い領域がより大きい。この場合、第１電極３１０と重なる領域で露出した第１絶縁層５１０がより広いので、電場強度の空間的変化がより大きく、発光素子３５０に印加される誘電泳動力（Ｆ_ＤＥＰ）がより強く作用することができる。そのため、発光素子３５０をより有効で開口部５２０Ｐ上に整列させることができる。

図１４の表示装置１０＿２と図１５の表示装置１０＿３は開口部５２０Ｐが図１とは異なる形状を有する場合を示している。

具体的には、図１４の表示装置１０＿２は、開口部５２０Ｐ＿２の第２方向Ｄ２に測定された幅ｄ２が各電極（３１０，３２０）の中心に行くほど短くなる。開口部５２０Ｐ＿２の中心部で第２方向Ｄ２に測定された幅ｄ２＿２は開口部５２０Ｐ＿２の両端部で第２方向Ｄ２に測定された幅ｄ２’＿２より長い。そのため、開口部５２０Ｐ＿２は角頂点が曲率を有してラウンド（ｒｏｕｎｄ）形状に形成される。

ただし、これに制限されるものではない。図１５に示すように、いくつかの実施形態において、表示装置１０＿３は開口部５２０Ｐ＿３の中心部で第２方向Ｄ２に測定された幅ｄ２＿３は開口部５２０Ｐ＿３の両端部で第２方向Ｄ２に測定された幅ｄ２’＿３より短い。また、開口部５２０Ｐ＿３の第２方向Ｄ２に測定された幅（ｄ２＿３，ｄ２’＿３）を線状的に変化させる場合、開口部５２０Ｐ＿３は各電極（３１０，３２０）上で第１絶縁層５１０が露出した領域の空間的変化を最大化することができる。そのため、上述した電場強度の空間的変化も向上させ得、発光素子３５０の整列効果をさらに向上させることもできる。

図面には示していないが、図１４の表示装置１０＿２と図１５の表示装置１０＿３の場合にも、図１３の表示装置１０＿１のように開口部５２０Ｐが第１電極３１０または第２電極３２０のいずれか一つにさらに隣接するように配置され、第１電極３１０と第２電極３２０と重なる領域で露出した第１絶縁層５１０が非対称構造を有することもできる。この場合、前述したように発光素子３５０により強い誘電泳動力（Ｆ_ＤＥＰ）を伝達して開口部５２０Ｐ上に発光素子３５０を整列することができる。

一方、表示装置１０は第１電極３１０と第２電極３２０の形状が図１のように線状または棒状に限定されるものではない。場合によっては第１電極３１０と第２電極３２０は形状が円形または扇形型などであり得る。

図１６は他の実施形態による表示装置を示す平面図である。

図１６を参照すると、一実施形態による表示装置１０＿４は、図１の表示装置１０とは異なり、第１電極枝部３１０Ｂ＿４と第２電極枝部３２０Ｂ＿４がそれぞれ連結部（３１０Ｂ１＿４，３２０Ｂ１＿４）および対向部（３１０Ｂ２＿４，３２０Ｂ２＿４）をさらに含み得る。第１電極枝部３１０Ｂ＿４と第２電極枝部３２０Ｂ＿４の形成が相異することを除いては図１の表示装置１０と同様であるため、以下では差異点について説明する。

第２電極枝部３２０Ｂ＿４は、第２電極幹部３２０Ｓ＿４で分枝されるが、第２方向Ｄ２に延びた第２電極連結部３２０Ｂ１＿４、第２電極連結部３２０Ｂ１＿４の一端と接続され、平面上円形の形状を有する第２電極対向部３２０Ｂ２＿４を含み得る。第２電極連結部３２０Ｂ１＿４の一端は第２電極幹部３２０Ｓ＿４と接続され、他端は第２電極対向部３２０Ｂ２＿４と接続されることができる。第２電極連結部３２０Ｂ１＿４は実質的に図１の第２電極枝部３２０Ｂと同じ形態を有することができる。

第２電極対向部３２０Ｂ２＿４は、第２電極枝部３２０Ｂ＿４で後述する発光素子３５０が配置される領域であり得る。第２電極対向部３２０Ｂ２＿４は、平面上円形の形状を有することができ、第２電極対向部３２０Ｂ２＿４の外面に沿って複数の発光素子３５０が配置され得る。すなわち、発光素子３５０は一方向に整列されず、第２電極対向部３２０Ｂ２＿４上で円を描きながら整列される。

第１電極枝部３１０Ｂ＿４は、第１電極幹部３１０Ｓ＿４で分枝されるが、第２方向Ｄ２に延びた第１電極連結部３１０Ｂ１＿４、第１電極連結部３１０Ｂ１＿４の一端と接続され、第２電極対向部３２０Ｂ２＿４の外面を囲むように円形に配置され、第２電極連結部３２０Ｂ１＿４と離隔する状態で終止する第１電極対向部３１０Ｂ２＿４を含み得る。第１電極連結部３１０Ｂ１＿４の一端は第１電極幹部３１０Ｓ＿４と接続され、他端は第１電極対向部３１０Ｂ２＿４と接続されることができる。第１電極連結部３１０Ｂ１＿４は、実質的に図１の第１電極枝部３１０Ｂと同じ形態を有することができる。

第１電極対向部３１０Ｂ２＿４は、第２電極対向部３２０Ｂ２＿４の外面に沿って一定間隔離隔した状態でこれを囲むように配置され得る。すなわち、第１電極対向部３１０Ｂ２＿４の内側面と第２電極対向部３２０Ｂ２＿４の外側面は、円形に平行して離隔するので、第１電極対向部３１０Ｂ２＿４は、中心部が空の円形の形状を有するが、第２電極連結部３２０Ｂ１＿４と離隔する状態で終止することができる。すなわち、第１電極対向部３１０Ｂ２＿４の形状は中心角の大きさが１８０°以上であり、中心が空の扇形形状を有することができる。

発光素子３５０は第１電極対向部３１０Ｂ２＿４と第２電極対向部３２０Ｂ２＿４が離隔した間に配置され得る。発光素子３５０の一端部は、第１電極対向部３１０Ｂ２＿４の内側面に接触することができ、他端部は第２電極対向部３２０Ｂ２＿４の外側面に接触することができ、発光素子３５０は第１電極対向部３１０Ｂ２＿４と第２電極対向部３２０Ｂ２＿４との間で円を描きながら整列することができる。

開口部５２０Ｐ＿４は、第１電極対向部３１０Ｂ２＿４と第２電極対向部３２０Ｂ２＿４の一部領域と重なる第１絶縁層（５１０，図１５には図示せず）を外部に露出させることができる。図１５の場合、第１電極対向部３１０Ｂ２＿４と第２電極対向部３２０Ｂ２＿４が実質的に円形に形成されるため、開口部５２０Ｐ＿４も第１電極対向部３１０Ｂ２＿４のように扇形形状を有することもできる。

すなわち、開口部５２０Ｐ＿４の両端部は曲率を有し、前記両端部のうち第２電極対向部３２０Ｂ２＿４の中心方向の一端部の長さは他端部の長さより短くてもよい。この場合、開口部５２０Ｐ＿４の両端部間は長さの差に応じて電場強度の空間的変化が生じ得るので、上述した誘電泳動力（Ｆ_ＤＥＰ）が開口部５２０Ｐ＿４上で強く作用することができる。すなわち、発光素子３５０を一定領域内への整列を誘導することができる。

ただし、これに制限されず、開口部５２０Ｐ＿４は両端部の長さが同一であるため、実質的に四角形の形状を有することもできる。また、前述したように第１電極対向部３１０Ｂ２＿４と第２電極対向部３２０Ｂ２＿４の離隔している中心を基準に開口部５２０Ｐ＿４により露出した領域が対称または非対称構造を有することもできる。より詳しい説明は省略する。

一方、いくつかの実施形態において、第１絶縁層５１０は省略することもできる。図１７はまた他の実施形態による表示装置の一部を概略的に示す断面図である。図１７の表示装置１０は第１絶縁層５１０が省略され、第１電極３１０および第２電極３２０の互いに離隔して対向する部分の一部が露出するようにパターニングされた第２絶縁層５２０が配置され得る。

前述したように、第１電極３１０と第２電極３２０は表示装置１０の製造過程中の電極材料が接続されてショート（ｓｈｏｒｔ）不良が発生し得る。これを防止するために第１絶縁層５１０を形成して第１電極３１０と第２電極３２０を保護してこれらを電気的に絶縁させる。ただし、いくつかの実施形態において、第１電極３１０と第２電極３２０が製造過程中に電極材料が接続されない場合、例えば、第１電極３１０と第２電極３２０が金（Ａｕ）のような材料を含む場合、第１絶縁層５１０が省略されても第１電極３１０と第２電極３２０のショート（ｓｈｏｒｔ）不良が発生しない。この場合、第１絶縁層５１０は省略し、第２絶縁層５２０だけで開口部（５２０Ｐ、図１７には図示せず）を形成して電場強度の空間的変化を形成することができる。

図１７を参照すると、発光素子３５０の両端部は、第１電極３１０と第２電極３２０が互いに対向する方向に突出した領域上で第１電極３１０および第２電極３２０と直接接触することができる。図面には示していないが、第２絶縁層５２０の開口部５２０Ｐは第１電極３１０と第２電極３２０の一部を外部に露出させることができる。外部で露出した領域は電場強度が強い領域であり、開口部５２０Ｐにより電場強度の空間的変化が大きい。そのため、発光素子３５０は第１電極３１０と第２電極３２０との間で直接接触するように配置されることもできる。

第２絶縁層５２０および発光素子３５０上に配置される複数の部材、例えば接触電極（３６１，３６２）、第３絶縁層５３０およびパッシベーション層５５０などは図４を参照して上述したとおりである。これに係る詳しい説明は省略する。

以上、添付する図面を参照して本発明の実施形態について説明したが、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者は、本発明のその技術的思想や必須の特徴を変更せず他の具体的な形態で実施できることを理解することができる。したがって、上記一実施形態はすべての面で例示的なものであり、限定的なものではないと理解しなければならない。

Claims (1)

1. 第１電極と、
   前記第１電極と離隔して対向するように配置された第２電極と、
   前記第１電極と前記第２電極を覆うように配置された第１絶縁層と、
   前記第１絶縁層上の少なくとも一部に配置され、前記第１電極および前記第２電極と前記第１絶縁層が重なる領域の少なくとも一部を露出する第２絶縁層と、
   前記第１電極と前記第２電極との間で前記露出した第１絶縁層上に配置された少なくとも一つの発光素子と、
   を含み、
   前記第２絶縁層は、
   前記第１絶縁層を露出させて前記第１電極および前記第２電極が互いに対向する領域上で互いに離隔して配置された少なくとも一つの開口部と、
   前記開口部の間の領域であるブリッジ部と、
   を含み、
   前記発光素子は、前記開口部上に配置される、表示装置。
   

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