KR102111919B1 - 개선된 제어를 위해 dc 보조 rf 전력을 이용한 반도체 프로세싱 - Google Patents
개선된 제어를 위해 dc 보조 rf 전력을 이용한 반도체 프로세싱 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102111919B1 KR102111919B1 KR1020157005502A KR20157005502A KR102111919B1 KR 102111919 B1 KR102111919 B1 KR 102111919B1 KR 1020157005502 A KR1020157005502 A KR 1020157005502A KR 20157005502 A KR20157005502 A KR 20157005502A KR 102111919 B1 KR102111919 B1 KR 102111919B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- power supply
- lead assembly
- grid electrode
- processing system
- plasma
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 64
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 30
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 22
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 22
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 22
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 18
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 36
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 abstract description 2
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 167
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 36
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 27
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 25
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 19
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 description 18
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 10
- 230000006870 function Effects 0.000 description 9
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 5
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000012713 reactive precursor Substances 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 4
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- 230000002459 sustained effect Effects 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 230000001351 cycling effect Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 239000012809 cooling fluid Substances 0.000 description 1
- 230000001808 coupling effect Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 230000009969 flowable effect Effects 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/503—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using dc or ac discharges
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
- C23C16/5093—Coaxial electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32137—Radio frequency generated discharge controlling of the discharge by modulation of energy
- H01J37/32146—Amplitude modulation, includes pulsing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32422—Arrangement for selecting ions or species in the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32568—Relative arrangement or disposition of electrodes; moving means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/332—Coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/334—Etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
- H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
- H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
- H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L21/28556—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table by chemical means, e.g. CVD, LPCVD, PECVD, laser CVD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
- H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31127—Etching organic layers
- H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means
- H01L21/31138—Etching organic layers by chemical means by dry-etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
- H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
- H01L21/32135—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only
- H01L21/32136—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only using plasmas
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Particle Accelerators (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
프로세스 챔버를 포함하는 반도체 프로세싱 시스템들이 설명된다. 프로세스 챔버는 리드 조립체, 그리드 전극, 전도성 인서트, 및 접지 전극을 포함할 수 있다. 각각의 컴포넌트는 프로세스 챔버 내에서 플라즈마를 생성하도록 동작 가능한 하나 또는 그 초과의 전력 공급부들과 커플링될 수 있다. 각각의 컴포넌트는 복수의 절연 부재들의 포지셔닝(positioning)을 통해서 전기적으로 격리될 수 있다. 하나 또는 그 초과의 전력 공급부들은 스위칭 메커니즘들을 사용하여 프로세스 챔버와 전기적으로 커플링될 수 있다. 스위치들은 하나 또는 그 초과의 전력 공급부들을 프로세스 챔버의 컴포넌트들에 전기적으로 커플링하도록 스위칭 가능할 수 있다.
Description
관련 출원들에 대한 상호 참조
본 출원은 "Semiconductor Processing With DC Assisted RF Power for Improved Control" 이라는 명칭으로 2012년 8월 2일에 출원된 미국 가 출원 제 61/678,964 호의 우선권을 주장한다. 상기 미국 가 출원 제 61/678,964 호의 전체 개시 내용은 모든 목적들을 위해 인용에 의해 본원에 포함된다.
본 기술은 반도체 프로세스들 및 장비에 관한 것이다. 더 구체적으로, 본 기술은 프로세싱 시스템 플라즈마 컴포넌트들에 관한 것이다.
집적 회로들은, 기판 표면들 상에 복잡하게 패터닝된 재료 층들을 생성하는 프로세스들에 의해서 가능하게 된다. 기판 상에 패터닝된 재료를 생성하는 것은 노출된 재료의 제거를 위한 제어된 방법들을 필요로 한다. 화학적 에칭은, 하부 층들 내로 포토레지스트의 패턴을 전사시키는 것, 층들을 박형화(thinning)하는 것, 또는 표면 상에 이미 존재하는 피쳐들의 측방향 치수들을 박형화하는 것을 포함하는 다양한 목적들을 위해서 이용된다. 하나의 재료를 다른 재료보다 더 빠르게 에칭하여, 예를 들어, 패턴 전사 프로세스를 용이하게 하는 에칭 프로세스를 갖는 것이 종종 바람직하다. 그러한 에칭 프로세스는 제 1 재료에 대해서 선택적인 것으로 지칭된다. 재료들, 회로들 및 프로세스들의 다양성의 결과로서, 다양한 재료들에 대한 선택성을 갖는 에칭(etch) 프로세스들이 개발되었다.
기판 프로세싱 영역 내에 형성된 국부적인 플라즈마에서 생성된 건식 에칭들은 더 제한된(constrained) 트렌치들을 관통하고, 그리고 남아있는 정밀한(delicate) 구조들의 더 적은 변형을 보여준다. 그러나, 집적 회로 기술이 크기 면에서 계속해서 규모가 축소(scale down)됨에 따라, 전구체들을 전달하는 장비가, 사용되는 플라즈마 종 및 전구체들의 균일성 및 품질에 영향을 줄 수 있고, 그리고 플라즈마의 형성 및 프로파일이 또한, 필름 증착 및 에칭의 품질에 영향을 줄 수 있다.
따라서, 플라즈마 및 플라즈마 특성들에 대해 개선된 제어를 제공하기 위해서 플라즈마 환경들에서 효과적으로 사용될 수 있는 개선된 시스템 컴포넌트들에 대한 필요가 존재한다. 그러한, 그리고 다른 필요들이, 본 기술에 의해서 다루어진다.
프로세스 챔버를 포함하는 반도체 프로세싱 시스템들이 설명된다. 프로세스 챔버는 리드(lid) 조립체, 그리드 전극, 전도성 인서트(insert), 및 접지(ground) 전극을 포함할 수 있다. 각각의 컴포넌트는 프로세스 챔버 내에서 플라즈마를 생성하도록 동작 가능한 하나 또는 그 초과의 전력 공급부들과 커플링될 수 있다. 각각의 컴포넌트는 복수의 절연 부재들의 포지셔닝(positioning)을 통해서 전기적으로 격리될 수 있다. 하나 또는 그 초과의 전력 공급부들은 스위칭 메커니즘들을 사용하여 프로세스 챔버와 전기적으로 커플링될 수 있다. 스위치들은 하나 또는 그 초과의 전력 공급부들을 프로세스 챔버의 컴포넌트들에 전기적으로 커플링하도록 스위칭 가능할 수 있다.
예시적인 프로세싱 시스템은 전구체 유입구를 정의하는 리드 조립체를 포함하는 프로세싱 챔버를 포함할 수 있고, 전구체 종이 전구체 유입구를 통해 전달될 수 있다. 챔버는 또한, 접지 전극 및, 리드 조립체와 접지 전극 사이에 배치된 그리드 전극을 포함할 수 있고, 그리드 전극은 그리드 전극과 리드 조립체 사이에서 챔버 내에 제 1 플라즈마 영역, 및 그리드 전극과 접지 전극 사이에서 챔버 내에 제 2 플라즈마 영역을 정의한다. 챔버는 또한, 리드 조립체와 그리드 전극 사이에 제 1 플라즈마 영역의 주변부(periphery)에 배치된 전도성 인서트를 포함할 수 있다. 챔버는 전도성 인서트로부터 그리드 전극을 전기적으로 격리하도록 포지셔닝된 절연 부재를 더 포함할 수 있다. 프로세싱 시스템은 또한, 리드 조립체와 전기적으로 커플링된 제 1 전력 공급부, 및 리드 조립체, 그리드 전극, 또는 전도성 인서트 중 적어도 하나와 전기적으로 커플링된 제 2 전력 공급부를 포함할 수 있다.
스위치, 예컨대 제 1 스위치는 제 2 전력 공급부와 전기적으로 커플링될 수 있다. 스위치는 제 2 전력 공급부를, 프로세싱 챔버의 다른 전도성 부분들 중에서, 리드 조립체, 그리드 전극, 또는 전도성 인서트 중 하나에 전기적으로 커플링하도록 스위칭 가능할 수 있다. 프로세싱 시스템은, 리드 조립체, 접지 전극, 또는 그리드 전극 중 적어도 2개를 전기적으로 커플링하도록 스위칭 가능해서, 커플링된 구조들 중 하나에 인가된 전위가, 커플링된 구조들 양쪽 모두에 인가되게 하는 제 2 스위치를 부가적으로 포함할 수 있다. 프로세싱 시스템은 제 2 전력 공급부와 전도성 인서트를 전기적으로 커플링하도록 스위칭되는 제 1 스위치를 가질 수 있다. 제 2 스위치는 또한, 그리드 전극과 접지 전극을 전기적으로 커플링하도록 스위칭될 수 있다.
부가적으로, 제 2 전력 공급부는 음전압을 전도성 인서트에 전달하도록 구성될 수 있고, 제 1 전력 공급부는, 전자 플럭스(flux)가 그리드 전극에 지향되는 제 1 플라즈마 영역에서 플라즈마를 점화(ignite)하도록 구성될 수 있다. 또한, 제 2 전력 공급부는 양전압을 전도성 인서트에 전달하도록 구성될 수 있고, 제 1 전력 공급부는, 이온 플럭스가 그리드 전극에 지향되는 제 1 플라즈마 영역에서 플라즈마를 점화하도록 구성될 수 있다. 또한, 제 1 스위치는, 제 1 및 제 2 전력 공급부들 양쪽 모두가 리드 조립체와 전기적으로 커플링되도록, 제 2 전력 공급부를 리드 조립체와 전기적으로 커플링하기 위해 스위칭될 수 있다. 또한, 제 2 스위치는 그리드 전극과 접지 전극을 전기적으로 커플링하도록 스위칭될 수 있다. 또한, 제 2 전력 공급부는 정전압(constant voltage)을 리드 조립체에 제공하도록 구성될 수 있고, 제 1 전력 공급부는 펄스형 주파수 전력을 리드 조립체에 제공하도록 구성될 수 있다.
프로세싱 시스템은 또한, 제 1 및 제 2 전력 공급부들 양쪽 모두가 리드 조립체와 전기적으로 커플링되도록, 제 1 스위치는 제 2 전력 공급부를 리드 조립체와 전기적으로 커플링하도록 스위칭될 수 있게, 그리고 제 2 스위치는 그리드 전극과 리드 조립체를 전기적으로 커플링하도록 스위칭될 수 있게 구성될 수 있다. 또한, 제 2 전력 공급부는 리드 조립체에 정전압을 제공하도록 구성될 수 있고, 제 1 전력 공급부는 리드 조립체에 펄스형 주파수 전력을 제공하도록 구성될 수 있다. 또한, 제 1 스위치는 제 2 전력 공급부를 그리드 전극과 전기적으로 커플링하도록 스위칭될 수 있다. 다른 배열에서, 제 2 전력 공급부는 그리드 전극에 정전압을 제공하도록 구성될 수 있고, 제 1 전력 공급부는 리드 조립체에 펄스형 주파수 전력을 제공하도록 구성될 수 있다. 개시된 실시예들에서, 제 1 전력 공급부는 RF 전력 공급부일 수 있고, 제 2 전력 공급부는 DC 전력 공급부일 수 있다.
반도체 프로세싱 챔버에서 플라즈마를 생성하는 방법들이 또한 설명되고, 그러한 방법들은 프로세싱 챔버 내에서 플라즈마를 형성하기 위해서 제 1 전력 공급부를 프로세싱 챔버 리드 조립체와 커플링하는 단계를 포함할 수 있다. 방법들은 또한, 제 2 전력 공급부를 프로세싱 챔버와 커플링하는 단계, 및 플라즈마를 제 2 전력 공급부를 이용해 튜닝(tuning)하는 단계를 포함할 수 있다. 튜닝 단계는, 전자 플럭스를 증가시키기 위해 제 2 전력 공급부를 이용해 음전압을 인가하는 단계를 포함하여 여러 가지 동작들을 포함할 수 있다. 또한, 튜닝 단계는 이온 플럭스를 증가시키기 위해 제 2 전력 공급부를 이용해 양전압을 인가하는 단계를 포함할 수 있다.
방법들은, 프로세싱 챔버의 다수의 전도성 섹션들과 스위칭 가능하게 커플링될 수 있는 스위치와 제 2 전력 공급부를 전기적으로 커플링하는 단계를 포함할 수 있다. 일 예에서, 제 2 전력 공급부는 리드 조립체와 커플링되도록 스위칭될 수 있다. 방법들은, 제 1 전력 공급부가 리드 조립체에 펄싱 전력을 제공하도록, 제 1 전력 공급부를 동작시키는 단계를 포함할 수 있다. 방법들은 또한, 제 1 전력 공급부에 대해서 RF 전력 공급부를 사용하고, 제 2 전력 공급부에 대해서 DC 전력 공급부를 사용하는 단계를 포함할 수 있다.
그러한 기술은 종래의 장비에 비해 수많은 이점들을 제공할 수 있다. 예를 들어, 튜닝 가능한 플라즈마들은 프로세싱 동작들에서 사용되는 플라즈마 프로파일들에 대한 증가된 제어를 허용할 수 있다. 부가적으로, 이온/전자 플럭스 프로파일을 조정함으로써, 에칭 동작들은 프로세스들이 수행될 때 인 시츄로(in situ) 튜닝될 수 있다. 이러한 그리고 다른 실시예들, 그리고 이들의 많은 장점들 및 특징들이 함께, 이하의 설명 및 첨부된 도면들과 함께 더 상세하게 설명된다.
본 기술의 본질 및 이점들의 추가적인 이해는 도면들 및 명세서의 나머지 부분들을 참조하여 실현될 수 있다.
도 1은 본 기술의 실시예들에 따른 프로세싱 시스템의 간략화된 단면도를 도시한다.
도 2는 본 기술의 실시예들에 따른 프로세싱 챔버 조립체의 간략화된 단면도를 도시한다.
도 3은 본 기술의 실시예들에 따른 플라즈마 생성 컴포넌트들을 갖는 프로세싱 시스템의 간략화된 단면도를 도시한다.
도 4는 본 기술의 실시예들에 따른 플라즈마 생성 컴포넌트들을 갖는 또다른 프로세싱 시스템의 간략화된 단면도를 도시한다.
도 5는 본 기술의 실시예들에 따른 플라즈마 생성 컴포넌트들을 갖는 또다른 프로세싱 시스템의 간략화된 단면도를 도시한다.
도 6은 본 기술의 실시예들에 따른 플라즈마 생성 컴포넌트들을 갖는 또다른 프로세싱 시스템의 간략화된 단면도를 도시한다.
도 7은 본 기술의 실시예들에 따라 플라즈마를 튜닝하는 예시적인 방법의 작동들을 도시한다.
첨부된 도면들에서, 유사한 컴포넌트들 및/또는 피처(feature)들은 동일한 참조 라벨을 가질 수 있다. 추가로, 동일한 타입의 다양한 컴포넌트들은, 유사한 컴포넌트들 및/또는 피처들 사이를 구별하는 문자를 참조 라벨에 뒤따르게 함으로써 구별될 수 있다. 제 1 참조 라벨만이 명세서에서 사용되는 경우, 설명은, 문자 첨자(suffix)와 관계없이, 동일한 제 1 참조 라벨을 갖는 유사한 컴포넌트들 중 임의의 컴포넌트에 적용 가능하다.
도 1은 본 기술의 실시예들에 따른 프로세싱 시스템의 간략화된 단면도를 도시한다.
도 2는 본 기술의 실시예들에 따른 프로세싱 챔버 조립체의 간략화된 단면도를 도시한다.
도 3은 본 기술의 실시예들에 따른 플라즈마 생성 컴포넌트들을 갖는 프로세싱 시스템의 간략화된 단면도를 도시한다.
도 4는 본 기술의 실시예들에 따른 플라즈마 생성 컴포넌트들을 갖는 또다른 프로세싱 시스템의 간략화된 단면도를 도시한다.
도 5는 본 기술의 실시예들에 따른 플라즈마 생성 컴포넌트들을 갖는 또다른 프로세싱 시스템의 간략화된 단면도를 도시한다.
도 6은 본 기술의 실시예들에 따른 플라즈마 생성 컴포넌트들을 갖는 또다른 프로세싱 시스템의 간략화된 단면도를 도시한다.
도 7은 본 기술의 실시예들에 따라 플라즈마를 튜닝하는 예시적인 방법의 작동들을 도시한다.
첨부된 도면들에서, 유사한 컴포넌트들 및/또는 피처(feature)들은 동일한 참조 라벨을 가질 수 있다. 추가로, 동일한 타입의 다양한 컴포넌트들은, 유사한 컴포넌트들 및/또는 피처들 사이를 구별하는 문자를 참조 라벨에 뒤따르게 함으로써 구별될 수 있다. 제 1 참조 라벨만이 명세서에서 사용되는 경우, 설명은, 문자 첨자(suffix)와 관계없이, 동일한 제 1 참조 라벨을 갖는 유사한 컴포넌트들 중 임의의 컴포넌트에 적용 가능하다.
반도체 프로세싱 챔버 내부에서의 플라즈마의 생성 및/또는 제어를 위한 시스템들 및 방법들이 기술된다. 플라즈마는 프로세싱 챔버 내부에서, 프로세싱 챔버 외부에서 원격 플라즈마 유닛 내에서, 또는 양쪽 모두에서 비롯될 수 있다. 챔버 내부에서, 플라즈마가 수용되고 그리고, 전극들로서 역할을 할 수 있는, 프로세싱 챔버의 컴포넌트들과 전기적으로 커플링된 전력 공급부들을 이용하여 플라즈마가 기판 웨이퍼로부터 분리될 수 있다. 일부 경우들에서, 컴포넌트들은 또한, 가스/전구체 분배 시스템의 파트로서 기능할 수 있고 그리고, 프로세싱 시스템의 다른 컴포넌트들 뿐만 아니라, 억제부(suppressor) 및/또는 샤워헤드를 포함할 수 있다. 부가적인 경우들에서, 컴포넌트들은 기판 웨이퍼의 노출된 표면들 상에서 재료를 에칭 및/또는 증착하는 가스 반응 영역과 플라즈마 생성 영역 사이의 구획부를 정의하도록 기능할 수 있다.
본 기술은 반도체 프로세스 챔버 내에서의 플라즈마 변조(modulation)를 위한 개선된 전력 및 제어 기법들(schemes)을 포함한다. 종래의 플라즈마 생성은 제한된 튜닝을 갖는 내부 플라즈마를 단순히 제공할 수 있는 반면에, 현재 설명되는 기술은 플라즈마 조작(manipulation)을 통해 에칭 케미스트리들(chemistries)의 개선된 제어 및 변조를 허용할 수 있다. 그렇게 할 때, 에칭 깊이들, 프로파일들, 및 선택성들이, 여러 가지 동작 조건들에서 요구되는 바와 같이 조정될 수 있다.
예시적인 프로세싱 시스템 구성들은 용량 결합 플라즈마("CCP") 시스템의 파트로서 사용되는 하나 또는 그 초과의 전력 공급부들을 포함한다. 몇몇 실시예들에서, RF 전력 공급부는 프로세싱 챔버의 일 부분과 전기적으로 커플링될 수 있는 한편, DC 전력 공급부는 프로세싱 챔버의 동일한 부분 또는 상이한 부분과 커플링될 수 있다. DC 전력 공급부는, 생성된 플라즈마의 조작과 함께, RF 전력 공급부의 사이클링(cycling) 동안에, 프로세싱 챔버 내의 플라즈마가 지속되는(sustained) 것을 허용한다. 조작은, 기판 웨이퍼 또는 챔버 포스트(post)로 지향되는 특정 에칭 케미스트리, 기판 웨이퍼 또는 챔버 포스트로 지향되는 이온 플럭스 뿐만 아니라 사용되는 이온들의 기능적 성능(functional capabilities)을 조정하는 것을 포함할 수 있다.
도 1은 본 기술의 실시예들에 따른 프로세싱 시스템(100)의 간략화된 단면도를 도시한다. 프로세싱 시스템은, 유체 공급 시스템(110)과 같은, 프로세싱 챔버(105) 외부에 로케이팅된 컴포넌트들을 선택적으로 포함할 수 있다. 프로세싱 챔버(105)는 주변 압력과 상이한 내부 압력을 유지할 수 있다. 예를 들어, 프로세싱 챔버 내부의 압력은 프로세싱 동안 약 10mTorr 내지 약 20Torr일 수 있다.
CCP 시스템은 몇 개의 프로세싱 챔버 컴포넌트들로 구성될 수 있고, 프로세싱 챔버(105) 내부에서 플라즈마를 생성하도록 기능할 수 있다. CCP 시스템의 컴포넌트들은, 가스 박스, 블록커(blocker), 및 페이스플레이트(faceplate)를 포함하는 몇 개의 컴포넌트들로 구성될 수 있는 리드 조립체 또는 핫(hot) 전극(115)을 포함할 수 있다. 이러한 컴포넌트들은 단일 전극으로서 기능하기 위해서 직접적으로 또는 간접적으로 기계적으로 커플링될 수 있다. 또한, CCP 시스템은, 하나 또는 그 초과의 챔버 컴포넌트들로 또한 구성될 수 있는 그리드 전극(120)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 그리드 전극(120)은, 이온 억제부 또는 블록커 및/또는, 기판 웨이퍼로의 전구체 전달을 위한 매니폴드 또는 샤워헤드로 구성될 수 있다. 다시, 컴포넌트들은 단일 전극으로서 기능하기 위해서 서로 전기적으로 커플링될 수 있다. CCP 시스템은 또한, 리드 스페이서를 포함하는 하나 또는 그 초과의 챔버 컴포넌트들을 포함할 수 있는 접지 전극(125)을 포함할 수 있다.
몇몇 실시예들에서, 리드(115) 및 그리드 전극(120)은, 전극들 사이의 가스들을 플라즈마로 이온화시킬 수 있을 정도로 충분히 강한 전기장을 생성하기 위해서 서로에 대해서 전기적으로 바이어싱될 수 있는 전기 전도성 전극들이다. 플라즈마가 생성될 때 리드(115) 및 그리드(120) 전극들이 단락되는 것을 방지하기 위해서, 전기 절연체(130)가 리드(115) 및 그리드(120) 전극들을 분리할 수 있다. 전기 절연체(130)는, 도 2와 함께 논의될 실시예들에 관해 이하에서 더 상세하게 설명될 바와 같이, 다수의 재료 층들을 포함할 수 있고, 그리고 대안적으로, 부가적인 전극 층들을 포함할 수 있다. 리드(115), 절연체(130), 및 그리드 전극(120)의 플라즈마 노출된 표면들은 프로세싱 챔버(105) 내에서 플라즈마 여기 영역(135)을 정의할 수 있다.
플라즈마 생성 가스들은 가스 공급 시스템(110)으로부터 가스 유입구(140)를 통해서 플라즈마 여기 영역(135) 내로 이동할 수 있다. 플라즈마 생성 가스들을 이용하여 여기 영역(135) 내에서 플라즈마를 점화(strike)할 수 있거나, 또는 이미 형성된 플라즈마를 유지할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 플라즈마 생성 가스들은, 유입구(140)를 통해서 플라즈마 여기 영역(135)까지 하류로 이동하기에 앞서서, 프로세싱 챔버(105) 외부에 포지셔닝된 원격 플라즈마 시스템(145)에서 플라즈마 여기된 종으로 적어도 부분적으로 이미 변환되었을 수 있다. 플라즈마 여기된 종이 플라즈마 여기 영역(135)에 도달할 때, 플라즈마 여기된 종은 추가적으로 여기될 수 있고, 플라즈마 여기 영역에서 생성된 플라즈마의 특성들에 의해 영향을 받을 수 있다. 몇몇 동작들에서, CCP 시스템에 의해서 제공되는 부가된 여기의 정도는, 기판 프로세싱 시퀀스 및/또는 조건들에 의존하여, 시간 경과에 따라서 변화할 수 있다.
플라즈마 생성 가스들 및/또는 플라즈마 여기된 종은 플라즈마 여기 영역(135) 내로의 더 균일한 전달을 위해서 리드(115)의 복수의 홀들(도시되지 않음)을 통과할 수 있다. 예시적인 구성들은, 가스들/종이 리드(115)의 홀들을 통해서 플라즈마 여기 영역(135) 내로 유동하도록, 리드(115)에 의해서 플라즈마 여기 영역(135)으로부터 구획된 가스 공급 영역(150) 내로 개방된 유입구(140)를 갖는 것을 포함한다. 플라즈마가 플라즈마 여기 영역(135)으로부터 다시 공급 영역(150), 유입구(140), 및 유체 공급 시스템(110)으로 상당히 역류하는 것을 방지하도록, 구조적 및 동작적 특징들이 선택될 수 있다. 구조적 특징들은, 백-스트리밍(back-streaming) 플라즈마를 비활성화하는 리드(115)의 홀들의 치수들 및 단면 기하형상을 선택하는 것을 포함할 수 있다. 동작적 특징들은, 그리드 전극(120)을 통하는 플라즈마의 일방향적인 유동을 유지하는, 가스 공급 영역(150)과 플라즈마 여기 영역(135) 사이의 압력차를 유지하는 것을 포함할 수 있다.
전술된 바와 같이, 리드(115) 및 그리드 전극(120)은 제 1 전극 및 제 2 전극으로서 각각 기능할 수 있고, 그에 따라 리드(115) 및/또는 그리드 전극(120)은 전기 전하를 수용할 수 있다. 이러한 구성들에서, RF 전력과 같은 전기 전력이, 리드(115), 그리드 전극(120), 또는 양쪽 모두에 인가될 수 있다. 일 예에서, 그리드 전극(120)이 접지되는 동안, 전기 전력이 리드(115)에 인가될 수 있다. 기판 프로세싱 시스템(100)은, 리드(115) 및/또는 챔버(105)의 하나 또는 그 초과의 다른 컴포넌트들에 전기 전력을 제공하는 RF 생성기(155)를 포함할 수 있다. 전기적으로 대전된 리드(115)는 플라즈마 여기 영역(135) 내의 플라즈마의 균일한 분배를 용이하게 할 수 있는데, 즉, 국부적인 플라즈마를 감소시킬 수 있다. 플라즈마 여기 영역(135) 내에서의 플라즈마의 형성을 가능하게 하기 위해서, 절연체(130)는 리드(115) 및 그리드 전극(120)을 전기적으로 절연시킬 수 있다. 절연체(130)는 세라믹으로 제조될 수 있고 그리고 스파크 발생(sparking)을 피하기 위해서 높은 항복 전압(breakdown voltage)을 가질 수 있다. 이하에서 더 상세하게 논의되는 다른 실시예들에서, 절연체(130)는, 생성된 플라즈마에 영향을 주기 위해서 추가적으로 사용될 수 있고 그리고 부가적인 전극 재료들을 포함할 수 있는 몇 개의 컴포넌트들을 포함한다. CCP 시스템은 또한, RF 생성된 플라즈마를 챔버 내부에서 변조하기 위해 이하에서 추가로 설명될 바와 같은 DC 전력 시스템을 포함할 수 있다. CCP 시스템은 또한, 순환하는 냉각제(예를 들어, 물)를 이용하여, 플라즈마에 노출된 표면들을 냉각하기 위한 하나 또는 그 초과의 냉각 유체 채널들을 포함하는 냉각 유닛(도시되지 않음)을 더 포함할 수 있다. 냉각 유닛은 챔버(105) 벽들의 외부와 커플링된 자켓팅(jacketing) 뿐만 아니라, 온도 제어된 유체를 순환시키는, 챔버 벽들의 내부 내에 정의된 채널들을 포함할 수 있다.
그리드 전극(120)은, 대전되지 않은 중성 또는 라디칼 종이 그리드 전극(120)을 통과하도록 허용하면서, 이온적으로-대전된 종이 플라즈마 여기 영역(135) 외부로 이동하는 것을 억제하는 복수의 홀들(122)을 포함할 수 있다. 이러한 대전되지 않은 종은, 덜 반응적인 캐리어 가스와 함께 홀들(122)을 통해서 운송되는 고 반응성 종을 포함할 수 있다. 전술된 바와 같이, 홀들(122)을 통한 이온 종의 이동이 감소될 수 있고, 그리고 일부 경우들에서 완전히 억제될 수 있다. 그리드 전극(120)을 통과하는 이온 종의 양을 제어하는 것은 하부에 있는 웨이퍼 기판과 접촉하게 되는 가스 혼합물에 대한 증가된 제어를 제공할 수 있고, 이는 결과적으로 가스 혼합물의 증착 및/또는 에칭 특성들의 제어를 증가시킨다. 예를 들어, 가스 혼합물의 이온 농도의 조정들은 그 혼합물의 에칭 선택도(예를 들어, SiOx:SiNx 에칭 비율들, 폴리-Si:SiOx 에칭 비율들, 등)를 크게 변경할 수 있을 뿐만 아니라, 증착되는 유전체 재료의 등각성-대-유동성(conformal-to-flowable)의 균형을 천이(shift)시킬 수 있다. 이러한 특징들은 이하에서 더 상세하게 설명될 것이다.
복수의 홀들(122)은, 그리드 전극(120)를 통한, 활성화된 가스(즉, 이온, 라디칼, 및/또는 중성 종)의 통과를 제어하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 그리드 전극(120)을 통과하는 활성화된 가스의 이온적으로-대전된 종의 유동이 감소되도록, 홀들(122)의 종횡비(즉, 홀 직경 대 길이) 및/또는 홀들(122)의 기하형상이 제어될 수 있다. 전기적으로 커플링된 이온 억제부와 샤워헤드를 그리드 전극이 포함하는 실시예들에서, 샤워헤드 위에 배치될 수 있는, 이온 블록커의 홀들은, 플라즈마 여기 영역(135)과 대면하는 테이퍼진(tapered) 부분 및 샤워헤드와 대면하는 원통형 부분을 포함할 수 있다. 원통형 부분은, 샤워헤드를 통과하는 이온 종의 유동을 제어하도록 성형되고 치수가 결정될 수 있다. 또한, 전극을 통하는 이온 종의 유동을 제어하기 위한 부가적인 수단으로서, 조정 가능한 전기 바이어스가 그리드 전극(120)에 인가될 수 있다.
증착 또는 에칭 프로세스가 수행되는지에 따라, 가스들 및 플라즈마 여기된 종은 그리드 전극(120)을 통과할 수 있고 기판으로 지향될 수 있다. 그리드 전극에 포함된 컴포넌트일 수 있는 샤워헤드는 가스들 또는 플라즈마 종의 유동을 추가적으로 지향시킬 수 있다. 샤워헤드는 하나 또는 그 초과의 가스들의 유동을 지향시키기 위한 다수의 유체 채널들을 포함할 수 있는 이중-구역 샤워헤드일 수 있다. 이중-구역 샤워헤드는, 반응 영역(160) 내로의 플라즈마 여기된 종의 통과를 허용하기 위한, 채널들의 제 1 세트를 가질 수 있고, 그리고 반응 영역(160) 내로 제 2 가스/전구체 혼합물을 전달하는, 채널들의 제 2 세트를 가질 수 있다.
유체 전달 소스는, 플라즈마 여기 영역(135)을 바이패싱(bypass)할 수 있고 그리고 채널들의 제 2 세트를 통해서 샤워헤드 내로부터 반응 영역(160)으로 진입할 수 있는 전구체를 전달하기 위해 샤워헤드와 커플링될 수 있다. 샤워헤드의 채널들의 제 2 세트는 수행될 프로세스를 위해 선택된 소스 가스/전구체 혼합물(도시되지 않음)과 유체적으로 커플링될 수 있다. 예를 들어, 기판 표면 상에 에칭을 수행하도록 프로세싱 시스템이 구성된 경우, 소스 가스/전구체 혼합물은, 샤워헤드의 채널들의 제 1 세트로부터 분배된 플라즈마 여기된 종과 반응 영역(160)에서 혼합되는 산화제들(oxidants)과 같은 에칭액들(etchants), 할로겐들, 수증기 및/또는 캐리어 가스들을 포함할 수 있다. 플라즈마 여기된 종 내의 과도한 이온들은 종이 그리드 전극(120)의 홀들(122)을 통해서 이동할 때 감소될 수 있고, 그리고 종이 샤워헤드의 채널들을 통해서 이동할 때 더 감소될 수 있다.
프로세싱 시스템은 기판(또는 웨이퍼)을 지지 및 이동하도록 동작될 수 있는 페데스탈(165)을 또한 추가적으로 포함할 수 있다. 페데스탈(165)과 그리드 전극(120)의 바닥부 사이의 거리는, 반응 영역(160)의 주변부를 정의하는 리드 스페이서(125)와 함께, 반응 영역(160)을 정의하는 것을 돕는다. 그리드 전극(120)을 통과한 가스들에 대해 웨이퍼 기판을 재포지셔닝함으로써 반응 영역(160)을 증가 또는 감소시키기 위해서 그리고 웨이퍼 기판의 증착 또는 에칭에 영향을 미치기 위해서, 페데스탈(165)은 프로세싱 챔버(105) 내에서 수직으로 또는 축방향으로 조정 가능할 수 있다. 페데스탈(165)은 열 교환 채널을 가질 수 있으며, 그러한 열 교환 채널을 통해서 열 교환 유체가 유동하여 웨이퍼 기판의 온도를 제어할 수 있다. 열 교환 유체의 순환은, 기판 온도가 상대적으로 낮은 온도들(예를 들어, 약 -20 ℃ 내지 약 90 ℃)로 유지될 수 있게 한다. 예시적인 열 교환 유체들은 에틸렌 글리콜 및 물을 포함한다.
또한, 페데스탈(165)은 기판을 가열 온도들(예를 들어, 약 90 ℃ 내지 약 1100 ℃)에서 유지하기 위한 가열 요소, 예컨대 저항 가열 요소와 함께 구성될 수 있다. 예시적인 가열 요소들은, 평행한 동심 원들의 형태로 둘 또는 그 초과의 완전한 턴들(full turns)을 형성하는 기판 지지 플래터(platter) 내에 매립된(embedded) 단일-루프 히터 요소를 포함할 수 있다. 히터 요소의 외측 부분은 지지 플래튼(platten)의 둘레(perimeter) 근처로 이어질 수 있는 한편, 내측 부분은 더 작은 반경을 가지는 동심적인 원의 경로 상으로 이어질 수 있다. 히터 요소로의 배선은 페데스탈의 스템(stem)을 통과할 수 있다.
이중-구역 샤워헤드 뿐만 아니라 프로세싱 시스템 및 챔버는 2011년 10월 3일자에 출원된 특허 출원 제 13/251,714 호에서 더 완전하게 설명되고, 본원에서 청구된 특징들 및 설명과 불일치하지 않는 한, 상기 특허 출원 제 13/251,714 호는 모든 목적들을 위해 인용에 의해서 본원에 포함된다.
도 2는 본 기술의 실시예들에 따른 프로세싱 챔버 조립체의 간략화된 단면도를 도시한다. 도면은 반도체 제조 프로세스들에서 사용될 수 있는 프로세싱 챔버(205)의 부분을 도시한다. 챔버(205)는 도 1에 도시된 바와 같은 프로세싱 챔버(105)와 유사할 수 있다. 챔버(205)는, 몇몇 양태들에서, 도 1에 도시된 바와 같은 리드 조립체(115)에 비교 가능할 수 있는 리드 조립체(215)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 리드 조립체(215)는 전구체 유입구(210)를 정의할 수 있고, 유입구를 통해 전구체 종이 전달될 수 있다. 원격 플라즈마 유닛(도시되지 않음)은 프로세싱 챔버(205) 내에 라디칼 전구체 종을 제공하기 위해서 전구체 유입구(210)와 유체적으로 커플링될 수 있다. 플라즈마 유닛에 의해서 제공된 라디칼 전구체는, 대안적인 채널들(도시되지 않음)을 통해서 챔버(205) 내로 개별적으로 유동되는, 프로세싱 챔버(205) 내부의 부가적인 가스들과 혼합될 수 있다.
프로세싱 챔버(205)는 전기적으로 커플링된 하나 또는 그 초과의 챔버 컴포넌트들을 포함할 수 있는 그리드 전극(220)을 포함할 수 있다. 그리드 전극(220)은 하나 또는 그 초과의 매니폴드들을 포함할 수 있고, 그리고 이온 블록커 뿐만 아니라 샤워헤드, 예컨대 앞서서 설명된 바와 같은 이중-구역 샤워헤드를 포함할 수 있다. 프로세싱 챔버(205)는 부가적인 챔버(205) 컴포넌트들로 구성될 수 있는 접지 전극(225)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 접지 전극(225)은 리드 스페이서 또는 프로세싱 챔버(205)의 다른 벽 컴포넌트일 수 있다. 접지 전극은 대안적으로, 기판 페데스탈(도시되지 않음)에 대한 접지 연결을 포함할 수 있지만, 이는 본 기술의 실시예들에 대해 요구되지 않을 수 있다.
프로세싱 챔버(205)는 도 1에서 도시된 바와 같은 절연체(130)와 유사한 절연 섹션(230)을 포함할 수 있다. 그러나, 프로세싱 챔버(205)에 도시된 바와 같이, 절연 섹션(230)은 다수의 컴포넌트들을 포함한다. 프로세싱 챔버(205)는, 리드 조립체(215)와 그리드 전극(220) 사이에 배치된 전도성 인서트(235)를 포함할 수 있다. 전도성 인서트(235)는 챔버(205) 벽의 부분으로서 배치된 환형 형상의 전도성 재료의 단일 피스(piece)일 수 있다.
챔버 컴포넌트들을 전기적으로 격리하기 위해서 복수의 절연 부재들이 프로세싱 챔버(205) 내에 부가적으로 통합될 수 있다. 예를 들어, 절연 부재들(240a-c)은 챔버 하우징의 각각의 전도성 컴포넌트들과 전극들 사이에 포지셔닝된다. 절연 부재들(240)은 단일 환형 형상일 수 있거나, 또는 결합되었을 때 챔버 컴포넌트들 사이에 전기적 장벽을 제공하는 몇 개의 섹션들로 구성될 수 있다. 예를 들어, 절연 부재는 전기 전하의 유동에 저항할 수 있고, 높은 절연 강도(dielectric strength)를 갖는 재료로 이루어질 수 있다. 예시적인 절연 부재들은, 형상이 환형이고, 전도성 인서트(235)를 포함하는 컴포넌트들의 위와 아래에 배치된 세라믹 플레이트들을 포함한다. 챔버의 컴포넌트들을 추가적으로 격리하기 위해서 절연 부재들의 다수의 층들이 챔버(205)에 포지셔닝될 수 있다. 복수의 절연 부재들 중 적어도 하나는 그리드 전극(220)으로부터 전도성 인서트(235)를 전기적으로 격리하기 위해서 포지셔닝될 수 있다. 절연 부재들은 부가적으로, 전도성 인서트(235)와 그리드 전극(220) 양쪽 모두를 리드 조립체(215) 및 접지 전극(225)으로부터 격리할 수 있다. 이러한 방법으로, 각각의 전도성 섹션은 프로세싱 챔버(205)의 어떠한 다른 전도성 섹션으로부터도 전기적으로 격리될 수 있다.
챔버 컴포넌트들은 프로세싱 챔버 내에 플라즈마 영역들을 정의할 수 있다. 제 1 플라즈마 영역(245)은 리드 조립체(215) 및 그리드 전극(220)에 의해서 위와 아래가 적어도 부분적으로 정의될 수 있다. 전도성 인서트는 제 1 플라즈마 영역(245)의 주변부를 따라서 배치될 수 있다. 제 2 플라즈마 영역(250)은 그리드 전극(220)에 의해서 위가 적어도 부분적으로 정의될 수 있다. 제 2 플라즈마 영역(250)은 기판 페데스탈(도시되지 않음)에 의해서 아래가 적어도 부분적으로 정의될 수 있고, 기판 페데스탈은 제 2 플라즈마 영역(250)이 존재하는 지역을 정의하기 위해서 수직으로, 축방향으로, 또는 양쪽 모두로 이동 가능할 수 있다. 접지 전극(225)은 제 2 플라즈마 영역(250)의 주변부를 따라서 배치될 수 있거나, 또는 제 2 플라즈마 영역(250)의 하부 경계들을 적어도 부분적으로 정의하는 경계부를 생성하는 것에 사용될 수 있다.
전력 공급부들(255, 260) 및 선택적인 전기 스위치들(265, 270)은 플라즈마 제어를 갖는 프로세싱 시스템(200)을 생성하기 위해서 프로세싱 챔버(205)에 커플링될 수 있다. 선택적 스위치들은 시스템의 컴포넌트들을 전기적으로 커플링하는 것에 사용될 수 있다. 예를 들어, 전기 스위치(265)는 전력 공급부(260)와 전기적으로 커플링될 수 있거나, 대안적으로 전력 공급부(255 및 260)와, 대안적으로 전력 공급부(255)와, 또는 여전히 대안적으로 어느 한 쪽의 전력 공급부와 전기적으로 커플링될 수 있는 한편, 다른 전력 공급부를 전기적으로 커플링하는데 부가적인 스위치(도시되지 않음)가 사용된다. 또한 또다른 대안으로, 스위치들은 전력 공급부들(255, 260)의 각각을 프로세싱 챔버의 부분들에 직접 커플링하기 위해 바이패싱될 수 있다. 전력 공급부들(255, 260)은 반도체 생산에 유용한 임의의 형태의 전력일 수 있고, RF 전력 공급부들, DC 전력 공급부들, 등을 포함할 수 있다. 선택적 스위치(270)는 프로세싱 챔버(205)의 컴포넌트들을 전기적으로 커플링하는 것에 사용될 수 있다. 예를 들어, 스위치(270)는 리드 조립체(215), 전도성 인서트(235), 그리드 전극(220), 및 접지 전극(225) 중 임의의 둘 또는 그 초과의 것들을 전기적으로 커플링하도록 스위칭 가능할 수 있다. 대안적으로, 선택적 스위치(270)는 프로세싱 챔버(205)의 하나 또는 그 초과의 컴포넌트들을 직접 전기적으로 커플링하기 위해서 바이패싱될 수 있다. 스위치들(265, 270)은, 프로세싱 동작들 동안의 임의의 시간에, 생성되는 플라즈마의 유형, 및 플라즈마의 위치가 조정될 수 있도록, 부가적인 기능성을 제공할 수 있다. 선택적 스위치들(265, 270) 및 전력 공급부들(255, 260)은, 이하에서 더 설명될 바와 같은 컴포넌트들의 설정들을 조작하기 위해, 원격에 로케이팅된 제어부들을 부가적으로 포함할 수 있다.
도 3은 본 기술의 실시예들에 따른 플라즈마 생성 컴포넌트들을 갖는 프로세싱 시스템(300)의 간략화된 단면도를 도시한다. 프로세싱 시스템(300)의 챔버(305)는 도 2에 대해 앞서 설명된 바와 같은 유사한 컴포넌트들을 포함할 수 있다. 챔버(305)는 가스 유입구(310)를 정의할 수 있고, 반응성 전구체 종은, 예를 들어, 원격 플라즈마 유닛(도시되지 않음)으로부터 가스 유입구를 통해 전달될 수 있다. 챔버(305)는, 부가적인 챔버 컴포넌트들과 함께, 리드 조립체(315), 전도성 인서트(335), 그리드 전극(320), 및 접지 전극(325)을 포함할 수 있다. 리드 조립체(315), 전도성 인서트(335), 그리드 전극(320), 및 접지 전극(325) 중 하나 또는 그 초과는, 복수의 절연 부재들(340a-c) 중 하나 또는 그 초과에 의해서, 열거된 다른 컴포넌트들로부터 전기적으로 격리될 수 있다. 시스템(300)은 부가적으로, 전력 공급부들(355, 360) 뿐만 아니라, 전력 공급부들을 챔버에 전기적으로 커플링하기 위한, 또는 챔버의 컴포넌트들을 서로 전기적으로 커플링하기 위한, 선택적 스위치들(365, 370)을 포함할 수 있다.
도 3에 도시된 바와 같이, 전력 공급부(355)는 리드 조립체(315)와 전기적으로 커플링될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 전력 공급부(355)는 RF 전력 공급부이다. 동작 시에, 전력 공급부는, 플라즈마 생성을 위해 핫 전극으로서 역할할 수 있는 리드 조립체(315)에 전기 전하를 제공할 수 있다. 그리드 전극(320)은 접지 전극(325)과 커플링될 수 있고, 이에 의해서, 플라즈마가 생성될 수 있거나 또는 플라즈마 조건들이 변조될 수 있는 플라즈마 영역(345)을 정의한다. 그리드 전극(320)은 접지 전극(325)과 직접 커플링될 수 있거나, 또는 대안적으로, 절연 부재(340c)를 이용해서 전기적으로 격리될 수 있다. 절연은 그리드 전극(320)과 접지 전극(325)을 전기적으로 커플링하는 것에 의해서 극복(overcome)될 수 있다. 전도성 수단이 전극들을 전기적으로 커플링하는 것에 사용될 수 있고, 예시적인 시스템은 컴포넌트들을 전기적으로 커플링하도록 스위칭 가능한 선택적 스위치(370)를 사용할 수 있다.
RF 전력 공급부(355)는 수행되는 프로세스에 따라서 리드 조립체(315)에 조정 가능한 양의 전력을 전달하도록 구성될 수 있다. 예시적인 전력 공급부들은 0 내지 약 3kW의 전력 범위에 걸쳐서 조정 가능한 양의 전력을 전달하도록 구성될 수 있다. 증착 프로세스들에서 예를 들어, 리드 조립체(315)에 전달되는 전력은 증착되는 층의 등각성을 설정하도록 조정될 수 있다. 증착되는 유전체 필름들은 전형적으로, 더 낮은 플라즈마 전력들에서 더 유동성이 있고, 플라즈마 전력이 증가될 때 유동성에서 등각성으로 천이한다. 예를 들어, 플라즈마 여기 영역(345)에서 유지되는 아르곤 함유 플라즈마는, 플라즈마 전력이 약 1000Watts로부터 약 100Watts로 또는 더 낮게(예를 들어, 약 900, 700, 500, 300, 200, 100, 50, 25Watts, 또는 그 미만) 감소됨에 따라 더 유동성인 실리콘 옥사이드 층을 생성할 수 있고, 그리고 플라즈마 전력이 약 1000Watts로부터, 또는 그 초과(예를 들어, 약 1200, 1500, 1800, 2000, 2200, 2400, 2600, 2800Watts, 또는 그 초과)로 증가됨에 따라 더 등각성인 층을 생성할 수 있다. 플라즈마 전력이 낮음에서 높음으로 증가함에 따라서, 유동성인 증착된 필름으로부터 등각성인 증착된 필름으로의 전이(transition)는 상대적으로 매끄럽고(smooth) 연속적일 수 있거나 또는 상대적으로 불연속적인 임계치들을 통해 진행할(progress) 수 있다. 플라즈마 전력(단독으로 또는 다른 증착 파라미터들에 부가하여)은 증착되는 필름의 등각성 특성과 유동성 특성 사이의 균형을 선택하기 위해서 조정될 수 있다. 에칭 프로세스들의 경우, 전력을 3kW로부터 1kW 아래로 또는 그 미만으로 감소시키는 것은 에칭되는 재료의 제거 레이트(rate)에 영향을 줄 수 있고, 증착된 필름들이 제거되는 레이트를 감소시킬 수 있다. 전력을 1kW 위로 그리고 3kW에 이르기까지 증가시키는 것은 증착된 필름들의 더 높은 제거 레이트들을 생성할 수 있다.
대안적으로, 예시적인 에칭 프로세스들의 경우, RF 전력의 주파수 및 듀티 사이클(duty cycle)은 필름들의 케미스트리 및 플럭스 특성들을 변조하기 위해서 조정될 수 있다. 본 발명자들은 또한, RF 공급부의 특정 주파수들이, 그리드 전극과 같은 챔버 컴포넌트들에 영향을 줄 수 있다는 점을 밝혀냈다. 여러 가지 주파수들이 채용될 수 있고, RF 전력 공급부(355)의 연속적인 동작 동안에, 약 400kHz에 이르기까지, 약 400kHz 내지 약 13.56MHz, 약 13.56MHz 내지 약 60MHz, 및 약 60MHz 초과와 같은 주파수들이 채용될 수 있다. 특정 동작들 동안에, 주파수를 증가시키는 것은 에칭액 라디칼들을 더 효율적으로 생성할 수 있을 뿐만 아니라 챔버 컴포넌트들에 야기되는 손상도 감소시킬 수 있다.
전력 공급부(360)는 또한, 전력 공급부(355)의 동작 동안에 사용될 수 있고, 그리고, 몇몇 실시예들에서 DC 전력 공급부일 수 있다. 예시적인 DC 전력 공급부들은 약 500 내지 약 -500V의 조정 가능한 제어를 위해 구성될 수 있다. 대안적으로, 전력 공급부(360)는 약 400 내지 약 -400V, 약 300 내지 약 -300V, 약 200 내지 약 -200V, 약 100 내지 약 -100V, 등 또는 그 미만의 조정 가능한 제어를 위해 구성될 수 있다. 전력 공급부(360)는 챔버(305)의 컴포넌트들과 직접 커플링될 수 있거나, 또는 스위치(365)를 이용해 컴포넌트들과 전기적으로 커플링될 수 있으며, 스위치(365)는 전력 공급부(360)를 챔버(305)의 컴포넌트들에 전기적으로 커플링하도록 스위칭 가능하다. 일 실시예에서, DC 전력 공급부(360)는 전도성 인서트(335)와 전기적으로 커플링된다.
RF 전력 공급부(355) 및 DC 전력 공급부(360)는 함께 동작될 수 있거나, 대안적으로 몇몇 다른 결합으로 동작될 수 있다. 예시적인 동작에서, 도 3에 도시된 바와 같이, RF 전력 공급부(355)는 플라즈마 반응 영역(345)에서 플라즈마를 유지하기 위해서 약 0 내지 약 3000kW 에서 연속적으로 동작될 수 있다. DC 전력 공급부(360)는 사용되지 않거나 오프(off)이거나, 연속적으로 동작되거나, 또는 대안적으로 동작 동안에 펄싱될 수 있다. DC 전력의 보조는 에칭되는 재료에 대한 영향들을 야기할 수 있다. 예를 들어, DC 바이어스가 양이라면, 플라즈마로부터 더 많은 이온 플럭스가 그리드 전극으로 이동할 수 있고, 이어서 기판 웨이퍼로 이동할 수 있다. DC 바이어스가 음이라면, 더 많은 전자 플럭스가 그리드 전극으로 지향될 수 있다. 바이어스 뿐만 아니라 DC 전력 공급부(360)의 전력을 조정함으로써, 플라즈마의 에칭 특성들이 변조될 수 있다. 따라서, 기판의 특성들 또는 에칭되는 필름들의 특성들에 따라, 에칭액들의 케미스트리가 조정되어 최적의 에칭 결과들을 생성할 수 있다. 예를 들어, 더 많은 에칭액 케미스트리가 이온 또는 전자 플럭스를 증가시키도록 조정될수록, 더 많은 에칭액 유체들이 하나 또는 그 초과의 증착된 필름들에 대해서 선택적일 수 있다. DC 전력 공급부(360)와 RF 전력 공급부(355)를 결합함으로써, RF 전력 공급부 단독과 비교하여 더 많은 케미스트리 변조가 얻어질 수 있다. 강화된 에칭액 케미스트리 변조를 이용하여, 개선된 에칭 선택성들이 얻어질 수 있고, 이는 또한, 증착된 필름들의 더 민감한 제거들을 위한 개선된 능력을 제공할 수 있다. 제거 레이트들에 따른 민감도(sensitivity)는 전반적으로 더 적은 재료가 제거되도록 허용할 수 있고, 이는 처음에 더 적은 재료가 증착되도록 허용할 수 있다.
도 3에 의해 도시된 바와 같은 대안적인 동작 기법은 DC 전력 공급부(360)의 연속적 또는 펄스형 동작과 함께 RF 전력 공급부(355)의 펄싱을 포함한다. RF 전력 공급부(355)는 지속파(continuous wave)로부터 약 1000kHz에 이르기까지 또는 그 초과로 RF 펄싱의 연속적인 조정 가능한 변조를 제공하도록 구성될 수 있다. 대안적으로, RF는 지속파로부터 불연속적인 증분들로 약 0.01kHz로, 또는 대안적으로 약 0.1kHz, 1kHz, 10kHz, 100kHz, 1000kHz, 등, 또는 그 초과로 조정될 수 있다. 또한 다른 실시예들에서, RF 전력 공급부(355)는 열거된 값들 사이의 값들의 범위로 또는 임의로 다양하게 펄싱될 수 있다.
대안적으로 또는 동시에, 듀티 사이클이 변조될 수 있다. RF 전력 공급부에 대해 듀티 사이클 또는 활성화 상태의 시간을 조정하는 것은, 플라즈마에서 생성되는 이온들의 플럭스에 영향을 줄 수 있다. 예를 들어, 듀티 사이클의 감소가 일어날 때, 상대적으로 또는 실질적으로 그와 동등한(commensurate) 감소가 이온 전류(ion current)에 생길 수 있다. 에칭 프로세스들 동안에, 이온 전류를 감소시킴으로써, 에칭 레이트가 비례하여 감소될 수 있다. 그러나, RF 전력 공급부가 사이클링될 때, 사이클링 시간 동안에 RF 전력 공급부는 스위칭 온 및 스위칭 오프된다. RF 전력이 사이클링 오프될 때, 생성된 플라즈마가 소실될 수 있다. 따라서, 듀티 사이클 감소의 양은 통상적으로, 플라즈마가 특정 레벨에서 유지되도록 할 수 있는 시간들로 제한되어왔다. 그러나, 본 발명자들은, 본원에 설명된 것들과 같은 구성들을 이용하여, DC 전력 공급부(360)는 RF 전력이 오프인 기간들 동안에 이온 및 전자 움직임을 유지함으로써 케미스트리를 조정할 수 있을 것이라는 것을 밝혀냈다. 부가적으로, RF 전력이 오프인 기간들 동안에 특정 양의 DC 전력을 가짐으로써, 플라즈마는 DC 전력에 의해서 적어도 부분적으로 지속될 수 있다. 이러한 방법으로, 플라즈마는 RF 전력이 사이클링 오프될 때 완전히 소실되지 않는다. 이는, RF 전력이 온으로부터 오프로 스위칭될 때 에칭액 케미스트리가 조정될 수 있기 때문에, 케미스트리의 추가적인 조정을 허용할 수 있다. RF 전력 공급부(355)의 온 및/또는 오프 시간들의 일부 또는 전부 동안에 DC 전력 공급부(360)를 사용함으로써, 에칭액 케미스트리들은 추가적으로 변경될 수 있다. 따라서, RF 전력의 추가적인 조정은 감소된 듀티 사이클들로 허용 가능할 수 있다. 따라서, RF 전력의 듀티 사이클은 동작 동안에 약 100%에서 약 0%, 약 75% 또는 그 미만, 약 50% 또는 그 미만, 약 25% 또는 그 미만에서 동작될 수 있다. 대안적으로, 듀티 사이클은 약 90%, 80%, 75%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 또는 그 미만에서 동작될 수 있다. 또한 대안적인 구성들에서, 전력 공급부는 열거된 사이클 백분율들 중 임의의 백분율에서 또는 임의의 백분율들 사이에서 뿐만 아니라 언급된 사이클들의 임의의 사이클의 범위들에서 조정 가능한 듀티 사이클을 가지도록 구성될 수 있다. RF 전력 공급부의 펄싱은, 감소되고 더 선택적인 제거들을 허용하는 것에 의해서 에칭 파라미터들의 추가적인 조정을 허용할 수 있다. 예를 들어, 상당한 양의 재료가 제거될 때, RF 전력의 연속적인 공급이 사용될 수 있다. 한편, 소량의 재료, 또는 더 선택적인 제거들이 요구될 때, RF 펄싱이 채용될 수 있다. RF 펄싱은 100nm 미만의 양들의 재료를 제거할 수 있을 것이거나, 대안적으로, 증착된 필름의 모노레이어(monolayer)까지를 포함하여 약 50nm 또는 그 미만, 30nm, 22nm, 15nm, 또는 그 미만을 제거할 수 있을 것이다.
도 4는 본 기술의 실시예들에 따른 플라즈마 생성 컴포넌트들을 갖는 또다른 프로세싱 시스템(400)의 간략화된 단면도를 도시한다. 프로세싱 시스템(400)의 챔버(405)는 도 2에 대해 앞서 설명된 바와 같은 유사한 컴포넌트들을 포함할 수 있다. 챔버(405)는 가스 유입구(410)를 정의할 수 있고, 반응성 전구체 종은, 예를 들어, 원격 플라즈마 유닛(도시되지 않음)으로부터 가스 유입구(410)를 통해 전달될 수 있다. 챔버(405)는, 부가적인 챔버 컴포넌트들과 함께, 리드 조립체(415), 전도성 인서트(435), 그리드 전극(420), 및 접지 전극(425)을 포함할 수 있다. 리드 조립체(415), 전도성 인서트(435), 그리드 전극(420), 및 접지 전극(425) 중 하나 또는 그 초과는, 복수의 절연 부재들(440a-c) 중 하나 또는 그 초과에 의해서, 열거된 다른 컴포넌트들로부터 전기적으로 격리될 수 있다. 시스템(400)은 부가적으로, 전력 공급부들(455, 460) 뿐만 아니라, 전력 공급부들을 챔버에 전기적으로 커플링하기 위한, 또는 챔버의 컴포넌트들을 서로 전기적으로 커플링하기 위한, 선택적 스위치들(465, 470)을 포함할 수 있다.
도 4에 도시된 바와 같이, 전력 공급부(455)는 리드 조립체(415)와 전기적으로 커플링될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 전력 공급부(455)는 RF 전력 공급부이다. 동작 시에, 전력 공급부(455)는, 플라즈마 생성을 위해 핫 전극으로서 역할할 수 있는 리드 조립체(415)에 전기 전하를 제공한다. 그리드 전극(420)은 접지 전극(425)과 커플링될 수 있고, 이에 의해서, 플라즈마가 생성될 수 있거나 또는 플라즈마 조건들이 변조될 수 있는 플라즈마 영역(445)을 정의한다. 그리드 전극(420)은 접지 전극(425)과 직접 커플링될 수 있거나, 또는 대안적으로, 절연 부재(440c)를 이용해서 전기적으로 격리될 수 있다. 절연은 그리드 전극(420)과 접지 전극(425)을 전기적으로 커플링하는 것에 의해서 극복될 수 있다. 전도성 수단이 전극들을 전기적으로 커플링하는 것에 사용될 수 있고, 예시적인 시스템은 컴포넌트들을 전기적으로 커플링하기 위해서 선택적 스위치(470)를 사용할 수 있다. RF 전력 공급부(455)는 앞서서 논의된 바와 같은 파라미터들 중 임의의 것으로 조정 가능하도록 구성될 수 있다.
전력 공급부(460)는 또한, 전력 공급부(455)의 동작 동안에 사용될 수 있고, 몇몇 실시예들에서 DC 전력 공급부일 수 있다. 예시적인 DC 전력 공급부들은 앞서서 설명된 바와 같은 파라미터들 중 임의의 것으로 조정 가능한 제어를 위해 구성될 수 있다. DC 전력 공급부(460)는 앞서서 설명된 바와 같은 연속적인 방식 또는 펄싱 방식으로 동작될 수 있다. 도 4에 도시된 바와 같이, DC 전력 공급부(460)는 RF 전력 공급부(455)와 함께 리드 조립체(415)에 전기적으로 커플링된다. 전력 공급부(460)는 리드 조립체(415)와 또는 RF 전력 공급부(455)의 전기적 커플링과 직접 커플링될 수 있거나, 또는 DC 전력 공급부(460)를 챔버(405)의 컴포넌트들에 전기적으로 커플링하도록 스위칭 가능할 수 있는 스위치(465)를 이용해서 리드 조립체(415)에 또는 RF 전력 공급부(455)의 전기적 커플링에 전기적으로 커플링될 수 있다.
동작 시에, RF 전력 공급부(455) 및 DC 전력 공급부(460)는, 부가적인 형태의 플라즈마 변조를 통해서 전구체 종의 부가적인 케미스트리 변조를 제공하도록, 도 4에 도시된 바와 같이 동작될 수 있다. 라디칼 전구체 종은 가스 유입구(410)에 유체적으로 커플링된 원격 플라즈마 시스템(도시되지 않음)으로부터 프로세싱 챔버(405)에 전달될 수 있다. RF 전력 공급부(455)는 변조된 전력을 리드 조립체(415)에 전달하기 위해서 지속파 또는 펄스형으로서 동작될 수 있다. 도시된 구성으로 사용중일 때(engaged), 전력 공급부(455)는 플라즈마 영역(445)에서 플라즈마를 생성할 수 있다. 핫 전극으로서의 리드 조립체(415)는 주 플라즈마 생성 지역일 수 있다. 앞서서 논의된 바와 같이, 이러한 방식의 종래의 동작은 플라즈마 영역(445)의 플라즈마 특성들에 기인하여 RF 전력 공급부(455)의 제한된 듀티 사이클 변조를 가질 수 있다. 그러나, 설명된 예시적인 구성에서, RF 전력 공급부(455)가 플라즈마 영역(445)에서 플라즈마 기능을 유지하는 것을 보조하기 위해서 DC 전력 공급부(460)가 동작될 수 있다. RF 전력 공급부(455)가 사이클링 오프될 때, DC 전력 공급부(460)는 일부 플라즈마를 유지할 수 있다.
일 예에서, RF 전력 공급부(455)가 펄싱되는 동안 DC 전력 공급부(460)는 연속적인 방식으로 동작될 수 있다. DC 전력 공급부(460)는, 리드 조립체(415)와 전기적으로 커플링되고 연속적으로 동작될 때, RF 전력 공급부(455)에 의해서 생성된, 플라즈마 영역(445)의 플라즈마를 유지할 수 있다. 따라서, RF 전력 공급부는 온 및 오프로 변조될 수 있고, 그리고 연속적으로 동작되는 전력 공급부(460)는 오프 사이클 동안에 플라즈마를 유지할 수 있다. 따라서, RF 전력 공급부(455)는 감소된 듀티 사이클들로 변조될 수 있다. 예를 들어, RF 전력의 듀티 사이클은 동작 동안에 약 100%에서 약 0%, 약 75% 또는 그 미만, 약 50% 또는 그 미만, 약 25% 또는 그 미만에서 동작될 수 있다. 대안적으로, 듀티 사이클은 약 90%, 80%, 75%, 70%, 60%, 50%, 40%, 30%, 25%, 20%, 15%, 10%, 5%, 또는 그 미만에서 동작될 수 있다. 또한 대안적인 구성들에서, 전력 공급부는 열거된 사이클 백분율들 중 임의의 백분율에서 또는 임의의 백분율들 사이에서 뿐만 아니라 언급된 사이클들의 임의의 사이클의 범위들에서 조정 가능한 듀티 사이클을 가지도록 구성될 수 있다.
RF 전력 공급부(455)의 펄싱 능력은 앞서서 논의된 바와 같이 지속파로부터 약 1000kHz까지 또는 그 초과로 연속적으로 변조될 수 있다. 대안적으로, RF는 지속파로부터 불연속적인 증분들로 약 0.01kHz로, 또는 대안적으로 약 0.1kHz, 1kHz, 10kHz, 100kHz, 1000kHz, 등, 또는 그 초과로 조정될 수 있다. 또한 다른 실시예들에서, RF 전력 공급부(455)는 열거된 값들 사이의 값들의 범위로 또는 임의로 다양하게 펄싱될 수 있다. 펄싱될 때, 지속파 동작과 비교할 때 이온 전류는 감소될 수 있다. RF 전력 공급부(455)의 '오프' 사이클 동안에 플라즈마를 유지하는 것을 DC 전력 공급부가 보조할 수 있기 때문에, 추가적인 펄싱 변조가 달성될 수 있다(effected). 결과적으로, 감소된 에칭이 에칭 프로세스 동안에 100nm 미만의 레벨로 수행될 수 있다. 에칭 프로세스 동안에 이온 전류가 감소되기 때문에, 에칭에 대한 동일한 시간 기간은 감소된 에칭 양을 초래할 수 있다. 따라서, 논의된 바와 같은 전력 공급부 변조를 통한 이온 전류의 추가적인 감소는 약 50nm 또는 그 미만, 40nm, 30nm, 20nm, 10nm, 5nm, 등, 또는 그 미만의 에칭 양들을 허용할 수 있다. 부가적으로, 듀티 사이클을 감소시키는 것은, 듀티 사이클이 감소됨에 따라 이온 전류를 부가적으로 감소시킴으로써, 에칭 양들을 추가적으로 변경할 수 있다. 결합에 있어서, 동작의 개선된 유연성(flexibility)을 허용하기 위해서 추가적인 케미스트리 변조 및 이온 전류를 제공하도록 펄싱 및 감소된 듀티 사이클이 결합될 수 있다.
도 3에 대해 논의된 변조와 비교해서, DC 전력 공급부는 여러 가지 방법으로 사용될 수 있다. 전도성 인서트(435)를 향해 지향될 때, DC 전력 공급부는 이온 및 전자 플럭스에 대해 더 큰 영향을 가질 수 있고, 그리고 기판으로 지향되는 전구체들의 케미스트리에 영향을 주기 위해서 양 및 음 바이어스가 전력 레벨들의 범위에 걸쳐서 인가될 수 있다. 대안적으로, DC 전력 공급부(460)가 RF 전력 공급부(455)와 함께 리드 조립체와 커플링될 때, DC 전력 공급부(460)는 플라즈마 유지에 사용될 수 있고, 그리고 따라서 이온 전류는 RF 전력 공급부(455)를 통해서 더 변조될 수 있다. 또한, 전력 공급부(460)와 전기적으로 커플링될 수 있는 스위치(465)를 사용함으로써, DC 전력 공급부(460)는 상이한 동작들 동안에 프로세싱 챔버(405)의 상이한 컴포넌트들과 전기적으로 커플링될 수 있다. 따라서, 수행되는 에칭의 유형, 사용되는 전구체들의 유형들, 등에 기초하여, DC 전력 공급부(460)는 특정 동작에 대해 가장 유익한 플라즈마 보조를 생성하기 위해서 챔버(405)와 적절하게 커플링될 수 있다. 부가적으로, 이러한 파라미터들은 동작 동안에 조정될 수 있는데, 예컨대, 다수의 증착된 필름들이 제거되고 있는 중에, 동작 파라미터들이 에칭 성능의 변화로부터 이익을 취할 수 있다면, 전력 공급부(460)의 커플링, 및 전력 공급부들(455, 460) 양쪽 모두의 변조가 프로세싱 동안에 조정될 수 있다.
도 5는 본 기술의 실시예들에 따른 플라즈마 생성 컴포넌트들을 갖는 또다른 프로세싱 시스템(500)의 간략화된 단면도를 도시한다. 프로세싱 시스템(500)의 챔버(505)는 도 2에 대해 앞서 설명된 바와 같은 유사한 컴포넌트들을 포함할 수 있다. 챔버(505)는 가스 유입구(510)를 정의할 수 있고, 반응성 전구체 종은, 예를 들어, 원격 플라즈마 유닛(도시되지 않음)으로부터 가스 유입구(510)를 통해 전달될 수 있다. 챔버(505)는, 부가적인 챔버 컴포넌트들과 함께, 리드 조립체(515), 전도성 인서트(535), 그리드 전극(520), 및 접지 전극(525)을 포함할 수 있다. 리드 조립체(515), 전도성 인서트(535), 그리드 전극(520), 및 접지 전극(525) 중 하나 또는 그 초과는, 복수의 절연 부재들(540a-c) 중 하나 또는 그 초과에 의해서, 열거된 다른 컴포넌트들로부터 전기적으로 격리될 수 있다. 시스템(500)은 부가적으로, 전력 공급부들(555, 560) 뿐만 아니라, 전력 공급부들을 챔버에 전기적으로 커플링하기 위한, 또는 챔버의 컴포넌트들을 서로 전기적으로 커플링하기 위한, 선택적 스위치들(565, 570)을 포함할 수 있다.
도 5에 도시된 바와 같이, 전력 공급부(555)는 리드 조립체(515)와 전기적으로 커플링될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 전력 공급부(555)는 RF 전력 공급부이다. 동작 시에, 전력 공급부(555)는, 플라즈마 생성을 위해 핫 전극으로서 역할할 수 있는 리드 조립체(515)에 전기 전하를 제공한다. 그리드 전극(520)은 리드 조립체(515)와 커플링될 수 있어서, 핫 전극 기능이 그리드 전극(520) 레벨로 이동하는 것을 허용한다. 따라서, 플라즈마 생성은 그리드 전극(520) 아래에서 플라즈마 영역(550)의 웨이퍼 레벨로 천이될 수 있다. 그리드 전극(520)은 리드 조립체와 전기적으로 커플링될 수 있고, 예시적인 시스템은 컴포넌트들을 전기적으로 커플링하기 위해서 선택적 스위치(570)를 사용할 수 있다. RF 전력 공급부(555)는 앞서서 논의된 바와 같은 파라미터들 중 임의의 것으로 조정 가능하도록 구성될 수 있다.
전력 공급부(560)는 또한, 전력 공급부(555)의 동작 동안에 사용될 수 있고, 몇몇 실시예들에서 DC 전력 공급부일 수 있다. 예시적인 DC 전력 공급부들은 앞서서 설명된 바와 같은 파라미터들 중 임의의 것으로 조정 가능한 제어를 위해 구성될 수 있다. DC 전력 공급부(560)는 앞서서 설명된 바와 같은 연속적인 방식 또는 펄싱 방식으로 동작될 수 있다. 도 5에 도시된 바와 같이, DC 전력 공급부(560)는 RF 전력 공급부(555)와 함께 리드 조립체(515)와 전기적으로 커플링된다. 전력 공급부(560)는 리드 조립체(515)와 또는 RF 전력 공급부(555)의 전기적 커플링과 직접 커플링될 수 있거나, 또는 DC 전력 공급부(560)를 챔버(505)의 컴포넌트들에 전기적으로 커플링하도록 스위칭 가능할 수 있는 스위치(565)를 이용해서 리드 조립체(515)에 또는 RF 전력 공급부(555)의 전기적 커플링에 전기적으로 커플링될 수 있다.
도 5에 도시된 예시적인 시스템 구성은 처리 동작들을 위해서 사용될 수 있다. 예를 들어, 예컨대 이전의 에칭 구성들 중 하나의 구성을 이용해서, 에칭 프로세스가 수행된 이후에, 부산물들이 기판 표면 상에 형성되거나 남을 수 있다. 원격 플라즈마 시스템들은, 몇몇 환경들에서, 웨이퍼 레벨에서 생성되는 플라즈마보다 덜 효과적일 수 있다. 따라서, 도 5에 도시된 시스템 구성을 사용함으로써, 더 효과적인 플라즈마 처리가 기판 레벨에서 형성될(formed) 수 있다. 그러나, 부산물의 유형 및 표면 상에 남은 양에 따라서, 앞서서 논의된 동작적 조작들 중 임의의 것에 의해 플라즈마 변조가 여전히 사용될 수 있다. 따라서, 앞서서 논의된 바와 같은 전력 공급부 구성들 중 하나 또는 그 초과의 것을 사용하는 것에 의해서, 처리 케미스트리의 변조는 앞서서 설명된 바와 같이 변조될 수 있다. 프로세싱 챔버(505)의 다수의 컴포넌트들을 커플링하도록 스위칭 가능할 수 있는 스위치(570)를 사용함으로써, 반도체 프로세싱의 다수의 단계들이 동일한 챔버(505)에서 수행될 수 있다. 예를 들어, 도 4에 도시된 실시예에 대해 설명된 바와 같은 에칭 동작이 수행된 이후에, 스위치(570)는 그리드 전극(520)의 전기적 커플링을 접지 전극(525)으로부터 리드 조립체(515)로 스위칭하도록 동작될 수 있다. 후속 처리 프로세스는 도 5에 도시된 바와 같이 웨이퍼 레벨 플라즈마로 수행될 수 있다. 대안적으로, 에칭 동작은 도 3에 도시된 실시예에 대해 설명된 바와 같이 수행될 수 있다. 에칭이 완료된 이후에, 스위치(565)는 DC 전력 공급부(560)의 커플링을 전도성 인서트(535)로부터 리드 조립체(515) 또는 RF 전력 공급부(555) 전기적 커플링으로 스위칭하도록 동작될 수 있고, 스위치(570)는 그리드 전극(520)의 전기적 커플링을 접지 전극(525)으로부터 리드 조립체(515)로 스위칭하도록 동작될 수 있다. 이러한 많은 선택사항들이, 본원에서 설명된 바와 같은 구성들 및 스위칭 능력들과 함께 이용 가능하다.
도 6는 본 기술의 실시예들에 따른 플라즈마 생성 컴포넌트들을 갖는 또다른 프로세싱 시스템(600)의 간략화된 단면도를 도시한다. 프로세싱 시스템(600)의 챔버(605)는 도 2에 대해 앞서 설명된 바와 같은 유사한 컴포넌트들을 포함할 수 있다. 챔버(605)는 가스 유입구(610)를 정의할 수 있고, 반응성 전구체 종은, 예를 들어, 원격 플라즈마 유닛(도시되지 않음)으로부터 가스 유입구(610)를 통해 전달될 수 있다. 챔버(605)는, 부가적인 챔버 컴포넌트들과 함께, 리드 조립체(615), 전도성 인서트(635), 그리드 전극(620), 및 접지 전극(625)을 포함할 수 있다. 리드 조립체(615), 전도성 인서트(635), 그리드 전극(620), 및 접지 전극(625) 중 하나 또는 그 초과는, 복수의 절연 부재들(640a-c) 중 하나 또는 그 초과에 의해서, 열거된 다른 컴포넌트들로부터 전기적으로 격리될 수 있다. 시스템(600)은 부가적으로, 전력 공급부들(655, 660) 뿐만 아니라, 전력 공급부들을 챔버에 전기적으로 커플링하기 위한, 또는 챔버의 컴포넌트들을 서로 전기적으로 커플링하기 위한, 선택적 스위치들(665, 670)을 포함할 수 있다.
도 6에 도시된 바와 같이, 전력 공급부(655)는 리드 조립체(615)와 전기적으로 커플링될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 전력 공급부(655)는 RF 전력 공급부이다. 동작 시에, 전력 공급부(655)는, 플라즈마 생성을 위해 핫 전극으로서 역할할 수 있는 리드 조립체(615)에 전기 전하를 제공한다. 도 3에서 논의된 실시예와 비교할 때, 그리드 전극(620)은 접지 전극(625)과 전기적으로 커플링되지 않을 수 있다. 따라서, 전력 시스템의 접지 전극은 그리드 전극(620)으로부터 접지 전극(625)으로 천이될 수 있다. 그렇게 할 때, 플라즈마는, 그리드 전극(620) 내로 및 그리드 전극(620)을 통하는 것을 포함하여, 프로세싱 챔버(605)의 약간 더 큰 영역에 걸쳐 전개(develop)할 수 있다. RF 전력 공급부(655)는 앞서서 논의된 바와 같은 파라미터들 중 임의의 것으로 조정 가능하도록 구성될 수 있다.
전력 공급부(660)는 또한, 전력 공급부(655)의 동작 동안에 사용될 수 있고, 몇몇 실시예들에서 DC 전력 공급부일 수 있다. 예시적인 DC 전력 공급부들은 앞서서 설명된 바와 같은 파라미터들 중 임의의 것으로 조정 가능한 제어를 위해 구성될 수 있다. DC 전력 공급부(660)는 앞서서 설명된 바와 같은 연속적인 방식 또는 펄싱 방식으로 동작될 수 있고, 그리고 또한, 앞서서 설명된 바와 같이 프로세싱 챔버(605)의 컴포넌트들 중 임의의 컴포넌트와 전기적으로 커플링될 수 있다. 도 6에 도시된 예시적인 시스템에서, DC 전력 공급부(660)는 그리드 전극(620)과 전기적으로 커플링된다. 전력 공급부(660)는 그리드 전극(620)과 직접 커플링될 수 있거나, 또는 대안적으로, DC 전력 공급부(660)를 챔버(605)의 컴포넌트들에 전기적으로 커플링하도록 스위칭 가능할 수 있는 스위치(665)를 이용해서 커플링될 수 있다.
동작 시에, RF 전력 공급부(655) 및 DC 전력 공급부(660)는, 부가적인 형태의 플라즈마 변조를 통해서 전구체 종의 부가적인 케미스트리 변조를 제공하도록, 도 6에 도시된 바와 같이 동작될 수 있다. 라디칼 전구체 종은 가스 유입구(610)에 유체적으로 커플링된 원격 플라즈마 시스템(도시되지 않음)으로부터 프로세싱 챔버(605)에 전달될 수 있다. RF 전력 공급부(655)는 변조된 전력을 리드 조립체(615)에 전달하기 위해서 지속파 또는 펄스형으로서 동작될 수 있다. 도시된 구성으로 사용중일 때, 전력 공급부(655)는 플라즈마 영역(645)에서 플라즈마를 생성할 수 있다. 특정 에칭 또는 처리 동작들 동안에, 이전에 에칭된 트렌치 피쳐들에 부산물들이 남아있을 수 있다. 플라즈마 영역(645)이 그리드 전극(620)의 레벨 또는 그 아래로 확장되는 것을 허용하는 것에 의해서, 에칭된 피쳐들 내의 부산물들의 부가적인 제거가 달성될 수 있다. 확장된 플라즈마 영역은 특정 플라즈마 종이 기판 레벨에서 상호 작용하는 것을 허용할 수 있고, 부산물 제거에서 사용될 수 있는 종에 대해 지향성(directionality)을 제공할 수 있다. 앞서서 설명된 바와 같이 RF 전력 공급부(655)가 펄싱을 통해 변조될 수 있거나, 듀티 사이클 변조가 수행될 수 있다.
DC 전력 공급부(660)는 앞서서 설명된 방법들 중 임의의 방법으로 RF 전력 공급부(655)를 보조하도록 동작될 수 있다. DC 전력 공급부(660)가 그리드 전극(620)과 전기적으로 커플링될 때, DC 전력 공급부(660)는 생성된 플라즈마를 이용하여 부가적인 이온 및 전자 플럭스 제어를 제공하는 것에 사용될 수 있다. 그리드 전극과 전기적으로 커플링될 때, 이온 및 전자 플럭스는 상기 설명된 바와 같이 DC 전력 공급부의 바이어스 및 전력 레벨에 따라 그리드 전극(620) 컴포넌트들을 통해 조정될 수 있다. 대안적인 실시예들은 또한, 앞서서 설명된 바와 같이, DC 전력 공급부(660)를 전도성 인서트(635) 또는 리드 조립체(615)와 전기적으로 커플링할 수 있다.
본 기술에 따른 프로세싱 챔버에서 플라즈마를 생성하는 방법이 도시된 도 7을 참조한다. 챔버는 앞서서 설명된 바와 같은 챔버(100)와 유사할 수 있다. 챔버는 공급부(155)와 같은 하나 또는 그 초과의 전력 공급부들을 포함할 수 있다. 동작(710) 시에, 제 1 전력 공급부는 프로세싱 챔버 리드 조립체와 커플링될 수 있다. 전력 공급부는 또한, 프로세싱 챔버의 부가적인 또는 대안적인 구조들과 전기적으로 커플링될 수 있다. 동작(720) 시에, 제 2 전력 공급부는 프로세싱 챔버와 커플링될 수 있고, 그리고 제 1 전력 공급부와 같이, 프로세싱 챔버의 유사한 또는 상이한 부분과 커플링될 수 있다. 예를 들어, 제 2 및/또는 제 1 전력 공급부는 프로세싱 챔버의 하나 또는 그 초과의 전도성 섹션들과 스위칭 가능하게 커플링될 수 있는 스위치와 커플링될 수 있다. 예를 들어, 제 2 전력 공급부는, 앞서서 설명된 바와 같이, 챔버의 리드 조립체 또는 부가적인 전도성 부분과 스위칭 가능하게 커플링될 수 있다.
플라즈마는, 제 1 전력 공급부를 사용함으로써, 점화될 수 있거나 또는 다른 방식으로 프로세싱 챔버에서 형성될 수 있다. 전력 공급부의 커플링 작용(action)은, 사용된다면, 제 1 전력 공급부가 전기적으로 커플링되는 구조와 챔버 내에 로케이팅되는 접지 소스 사이에서 플라즈마를 점화할 수 있다. 동작(730) 시에, 제 2 전력 공급부는 플라즈마 프로파일을 하나 또는 그 초과의 방법들로 튜닝하는 것에 사용될 수 있다. 예를 들어, 제 2 전력 공급부를 이용하여 음전압이 인가될 수 있고, 이는 더 큰 전자 플럭스가 챔버를 통해서 예컨대 그리드 전극 또는 프로세싱 영역을 향해서 유동하게 할 수 있다. 또한, 챔버를 통하여 전극 구조 또는 프로세싱 영역으로 향하는 이온 플럭스를 증가시키기 위해서 제 2 전력 공급부를 이용하여 양전압이 인가될 수 있다. 제 1 전력 공급부는 또한, 다양한 모드들로 동작될 수 있고, 예를 들어, 제 1 전력 공급부는 리드 조립체에 펄싱 전력을 제공할 수 있다. 개시된 실시예들에서, 제 1 전력 공급부는 RF 전력 공급부를 포함할 수 있고, 제 2 전력 공급부는 DC 전력 공급부를 포함할 수 있다.
이전의 설명에서, 설명의 목적들을 위해, 본 기술의 다양한 실시예들의 이해를 제공하기 위하여, 다수의 세부사항들이 제시되었다. 그러나, 특정 실시예들이 이들 세부사항들 중 일부가 없이, 또는 부가적인 세부사항들과 함께 실시될 수 있다는 것이 당업자에게 명백할 것이다.
수개의 실시예들을 개시하였지만, 개시된 실시예들의 사상을 벗어나지 않으면서 다양한 변형들, 대안적인 구성들, 및 등가물들이 사용될 수 있다는 것이 당업자에 의해 인식될 것이다. 부가적으로, 본 기술을 불필요하게 불명료히 하는 것을 피하기 위해, 다수의 잘 알려진 프로세스들 및 엘리먼트들은 설명되지 않았다. 따라서, 위의 설명은 본 기술의 범위를 제한하는 것으로서 취해지지 않아야 한다.
별개의 실시예들이, 플로우차트, 흐름도, 또는 블록도로서 도시된 프로세스로서 설명될 수 있다는 것이 유의된다. 플로우차트가 순차적인 프로세스로서 방법을 설명할 수 있지만, 동작들 중 다수는 병렬로 또는 동시에 수행될 수 있다. 부가하여, 동작들의 순서는 재배열될 수 있다. 프로세스는, 그 프로세스의 동작들이 완료되는 경우에 종료될 수 있지만, 도면에 포함되지 않은 또는 논의되지 않은 부가적인 단계들을 가질 수 있다. 더욱이, 임의의 특별히 설명된 프로세스에서의 모든 동작들이 모든 실시예들에서 발생하지 않을 수 있다. 프로세스는 방법, 함수, 절차, 서브루틴, 서브프로그램 등에 대응할 수 있다.
수치 범위가 주어진 경우, 그러한 수치 범위의 상한들과 하한들 사이에 존재하는 각각의 값은, 문맥상 달리 명백히 표시되어 있지 않은 한 하한의 단위의 소수점 이하 추가 한 자리까지 또한 구체적으로 기재된 것으로 해석된다. 명시된 범위내의 임의의 명시된 값 또는 그 범위에 속하는 값과 그러한 명시된 범위 내의 임의의 다른 명시된 값 또는 그 범위에 속하는 다른 값 사이에 존재하는 각각의 소범위가 포함된다. 이러한 소범위의 상한들과 하한들은 독립적으로 그러한 범위에 포함되거나 그러한 범위에서 제외될 수 있고, 각각의 범위는, 상한과 하한 중 하나 또는 둘 모두가 그러한 소범위에 포함되든지 그러한 소범위에서 제외되는지 간에, 임의의 한계값이 명시된 범위에서 구체적으로 제외된 것이 아닌 한, 또한 본 발명에 포함된다. 명시된 범위가 한계값들 중 하나 또는 둘 모두를 포함하는 경우, 그렇게 포함된 한계값들 중 하나 또는 둘 모두를 제외한 범위들이 또한 포함된다.
본 명세서 및 첨부되는 청구항들에서 사용되는 바와 같이, 단수 형태들("a", "an" 및 "the")은 문맥상 명백히 달리 지시되지 않는 한, 복수의 지시대상들을 포함한다. 따라서, 예를 들어, "유전체 재료(a dielectric material)"라는 언급은 복수의 그러한 재료들을 포함하며, "적용예(the application)"라는 언급은 당업자에게 알려진 하나 또는 그 초과의 적용예들 및 그 등가물들에 대한 언급을 포함하는 것 등등이다.
또한, "포함한다"는 단어들("comprise", "comprising", "contains", "containing", "include", "including", 및 "includes")은, 본 명세서 및 다음의 청구항들에서 사용되는 경우에, 명시된 특징들, 정수들, 컴포넌트들, 또는 단계들의 존재를 특정하도록 의도되지만, 이들이 하나 또는 그 초과의 다른 특징들, 정수들, 컴포넌트들, 단계들, 동작들, 또는 그룹들의 존재 또는 부가를 배제하는 것은 아니다.
Claims (20)
- 반도체 프로세싱 시스템으로서,
프로세싱 챔버 ― 상기 프로세싱 챔버는,
전구체 유입구를 정의하는 리드 조립체 - 상기 전구체 유입구를 통하여 전구체 종이 전달될 수 있음 -;
접지 전극;
상기 리드 조립체와 상기 접지 전극 사이에 배치된 그리드 전극 - 상기 그리드 전극은, 상기 그리드 전극과 상기 리드 조립체 사이에서 상기 챔버 내에 제 1 플라즈마 영역을 정의하고, 상기 그리드 전극과 상기 접지 전극 사이에서 상기 챔버 내에 제 2 플라즈마 영역을 정의함 -;
상기 제 1 플라즈마 영역의 주변부에서 상기 그리드 전극과 상기 리드 조립체 사이의 상기 프로세싱 챔버의 측벽의 일부를 정의하고, 그리고 상기 프로세싱 챔버의 측벽의 일부 내에 커플링된 환형의 전도성 인서트;
상기 그리드 전극을 상기 전도성 인서트로부터 전기적으로 격리하도록 포지셔닝된 제 1 절연 부재; 및
상기 리드 조립체를 상기 전도성 인서트로부터 전기적으로 격리하도록 포지셔닝된 제 2 절연 부재 ― 상기 제 1 절연 부재 및 상기 제 2 절연 부재 중 적어도 하나는 상기 프로세싱 챔버의 상기 측벽의 일부를 포함함 ―
를 포함함 ―;
상기 리드 조립체와 전기적으로 커플링된 제 1 전력 공급부; 및
상기 리드 조립체, 상기 그리드 전극, 또는 상기 전도성 인서트 중 적어도 하나와 전기적으로 커플링된 제 2 전력 공급부를 포함하는,
반도체 프로세싱 시스템. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 2 전력 공급부와 전기적으로 커플링된 제 1 스위치를 더 포함하고,
상기 제 1 스위치는 상기 제 2 전력 공급부를 상기 리드 조립체, 상기 그리드 전극, 또는 상기 전도성 인서트 중 하나에 전기적으로 커플링하도록 스위칭 가능한,
반도체 프로세싱 시스템. - 제 2 항에 있어서,
상기 리드 조립체, 상기 접지 전극, 또는 상기 그리드 전극 중 적어도 2개를 전기적으로 커플링하도록 스위칭 가능한 제 2 스위치를 더 포함하는,
반도체 프로세싱 시스템. - 제 3 항에 있어서,
제 1 스위치는 상기 제 2 전력 공급부를 상기 전도성 인서트와 전기적으로 커플링하도록 스위칭되고, 그리고 상기 제 2 스위치는 상기 그리드 전극과 상기 접지 전극을 전기적으로 커플링하도록 스위칭되는,
반도체 프로세싱 시스템. - 제 4 항에 있어서,
상기 제 2 전력 공급부는 음전압을 상기 전도성 인서트에 전달하도록 구성되고, 상기 제 1 전력 공급부는, 전자 플럭스가 상기 그리드 전극에 지향되는 상기 제 1 플라즈마 영역에서 플라즈마를 점화하도록(ignite) 구성되는,
반도체 프로세싱 시스템. - 제 4 항에 있어서,
상기 제 2 전력 공급부는 양전압을 상기 전도성 인서트에 전달하도록 구성되고, 상기 제 1 전력 공급부는, 이온 플럭스가 상기 그리드 전극에 지향되는 상기 제 1 플라즈마 영역에서 플라즈마를 점화하도록 구성되는,
반도체 프로세싱 시스템. - 제 3 항에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 전력 공급부들 모두가 상기 리드 조립체와 전기적으로 커플링되도록 제 1 스위치는 상기 제 2 전력 공급부와 상기 리드 조립체를 전기적으로 커플링하도록 스위칭되고, 상기 제 2 스위치는 상기 그리드 전극과 상기 접지 전극을 전기적으로 커플링하도록 스위칭되는,
반도체 프로세싱 시스템. - 제 7 항에 있어서,
상기 제 2 전력 공급부는 정전압을 상기 리드 조립체에 제공하도록 구성되고, 상기 제 1 전력 공급부는 펄스형 주파수 전력을 상기 리드 조립체에 제공하도록 구성되는,
반도체 프로세싱 시스템. - 제 3 항에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 전력 공급부들 모두가 상기 리드 조립체와 전기적으로 커플링되도록 제 1 스위치는 상기 제 2 전력 공급부를 상기 리드 조립체와 전기적으로 커플링하도록 스위칭되고, 상기 제 2 스위치는 상기 그리드 전극과 상기 리드 조립체를 전기적으로 커플링하도록 스위칭되는,
반도체 프로세싱 시스템. - 제 9 항에 있어서,
상기 제 2 전력 공급부는 정전압을 상기 리드 조립체에 제공하도록 구성되고, 상기 제 1 전력 공급부는 펄스형 주파수 전력을 상기 리드 조립체에 제공하도록 구성되는,
반도체 프로세싱 시스템. - 제 3 항에 있어서,
제 1 스위치는 상기 제 2 전력 공급부를 상기 그리드 전극과 전기적으로 커플링하도록 스위칭되는,
반도체 프로세싱 시스템. - 제 11 항에 있어서,
상기 제 2 전력 공급부는 정전압을 상기 그리드 전극에 제공하도록 구성되고, 상기 제 1 전력 공급부는 펄스형 주파수 전력을 상기 리드 조립체에 제공하도록 구성되는,
반도체 프로세싱 시스템. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 전력 공급부는 RF 전력 공급부이고, 상기 제 2 전력 공급부는 DC 전력 공급부인,
반도체 프로세싱 시스템. - 제 1 항에 있어서,
상기 접지 전극은 상기 그리드 전극과 기판 지지부 사이의 상기 프로세싱 챔버의 상기 측벽 내에 배치되는,
반도체 프로세싱 시스템. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 2 절연 부재는 상기 전도성 인서트와 상기 리드 조립체 사이의 상기 프로세싱 챔버의 상기 측벽 내에 배치된 환형의 절연 부재를 포함하는,
반도체 프로세싱 시스템. - 제 13 항에 있어서,
상기 제 2 전력 공급부는 상기 리드 조립체에 또한 커플링되는,
반도체 프로세싱 시스템. - 반도체 프로세싱 시스템으로서,
프로세싱 챔버 ― 상기 프로세싱 챔버는,
전구체 유입구를 정의하는 리드 조립체 - 상기 전구체 유입구를 통하여 전구체 종이 전달될 수 있음 -;
접지 전극; 및
프로세싱 챔버 측벽을 정의하는 접지 전극과 상기 리드 조립체 사이에 포지셔닝된 복수의 측벽 부재들
을 포함하고, - 상기 복수의 측벽 부재들은,
그리드 전극; 및
스택(stack) 배열에 커플링되고, 그리고 상기 그리드 전극과 상기 리드 조립체 사이의 상기 프로세싱 챔버의 측벽들 내에 포지셔닝된 3개의 환형 부재들
을 포함하고, - 상기 3개의 환형 부재들은 동일한 내측 및 외측 방사상 치수들에 의해 특징화되며,
상기 리드 조립체와 접촉하는 제 1 절연 부재;
상기 제 1 절연 부재와 접촉하는 환형의 전도성 인서트; 및
상기 환형의 전도성 인서트 및 상기 그리드 전극과 접촉하는 제 2 절연 부재 - 상기 제 1 절연 부재 및 상기 제 2 절연 부재는 상기 환형의 전도성 인서트를 상기 리드 조립체 및 상기 프로세싱 챔버 측벽의 다른 부분들로부터 전기적으로 격리함 -
를 포함함 -;
상기 리드 조립체와 전기적으로 커플링된 제 1 전력 공급부; 및
상기 리드 조립체, 상기 그리드 전극, 또는 상기 전도성 인서트 중 적어도 하나와 전기적으로 커플링된 제 2 전력 공급부를 포함하는,
반도체 프로세싱 시스템. - 제 17 항에 있어서,
상기 제 2 절연 부재는 환형의 세라믹 플레이트를 포함하는,
반도체 프로세싱 시스템. - 반도체 프로세싱 시스템으로서,
프로세싱 챔버 ― 상기 프로세싱 챔버는,
전구체 유입구를 정의하는 리드 조립체 - 상기 전구체 유입구를 통하여 전구체 종이 전달될 수 있음 -;
상기 프로세싱 챔버의 측벽의 컴포넌트를 포함하는 접지 전극; 및
접지 전극과 상기 리드 조립체 사이에 포지셔닝된 복수의 측벽 부재들
을 포함하고, - 상기 복수의 측벽 부재들 각각은 프로세싱 챔버 측벽을 적어도 부분적으로 정의하고, 상기 복수의 측벽 부재들은,
그리드 전극;
상기 그리드 전극과 접지 전극 사이에 배치된 제 1 환형의 절연 부재;
상기 리드 조립체와 그리드 전극 사이에 배치된 환형의 전도성 인서트;
상기 리드 조립체와 환형의 전도성 인서트 사이에 배치된 환형의 세라믹 플레이트를 포함하는 제 2 절연 부재; 및
상기 환형의 전도성 인서트와 상기 그리드 전극 사이에 배치된 환형의 세라믹 플레이트를 포함하는 제 3 절연 부재
를 포함함 -;
상기 리드 조립체와 전기적으로 커플링된 제 1 전력 공급부; 및
상기 리드 조립체, 상기 그리드 전극, 또는 상기 전도성 인서트 중 적어도 하나와 전기적으로 커플링된 제 2 전력 공급부를 포함하는,
반도체 프로세싱 시스템. - 제 19 항에 있어서,
상기 제 2 전력 공급부를 상기 환형의 전도성 인서트에 직접 전기적으로 커플링시키는 스위치 포지션을 포함하는, 상기 제 2 전력 공급부에 전기적으로 커플링된 멀티포지션 스위치를 더 포함하는,
반도체 프로세싱 시스템.
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201261678964P | 2012-08-02 | 2012-08-02 | |
US61/678,964 | 2012-08-02 | ||
US13/829,669 | 2013-03-14 | ||
US13/829,669 US9373517B2 (en) | 2012-08-02 | 2013-03-14 | Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control |
PCT/US2013/052039 WO2014022192A1 (en) | 2012-08-02 | 2013-07-25 | Semiconductor processing with dc assisted rf power for improved control |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20150038564A KR20150038564A (ko) | 2015-04-08 |
KR102111919B1 true KR102111919B1 (ko) | 2020-05-18 |
Family
ID=50028443
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020157005502A KR102111919B1 (ko) | 2012-08-02 | 2013-07-25 | 개선된 제어를 위해 dc 보조 rf 전력을 이용한 반도체 프로세싱 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9373517B2 (ko) |
JP (1) | JP6258320B2 (ko) |
KR (1) | KR102111919B1 (ko) |
CN (1) | CN104508804B (ko) |
TW (1) | TWI594319B (ko) |
WO (1) | WO2014022192A1 (ko) |
Families Citing this family (165)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9324576B2 (en) | 2010-05-27 | 2016-04-26 | Applied Materials, Inc. | Selective etch for silicon films |
US10283321B2 (en) | 2011-01-18 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma |
US8999856B2 (en) | 2011-03-14 | 2015-04-07 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of sin films |
US9064815B2 (en) | 2011-03-14 | 2015-06-23 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of metal and metal-oxide films |
US8617411B2 (en) * | 2011-07-20 | 2013-12-31 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for atomic layer etching |
US8808563B2 (en) | 2011-10-07 | 2014-08-19 | Applied Materials, Inc. | Selective etch of silicon by way of metastable hydrogen termination |
US9267739B2 (en) | 2012-07-18 | 2016-02-23 | Applied Materials, Inc. | Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities |
US9373517B2 (en) | 2012-08-02 | 2016-06-21 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control |
US9034770B2 (en) | 2012-09-17 | 2015-05-19 | Applied Materials, Inc. | Differential silicon oxide etch |
US9023734B2 (en) | 2012-09-18 | 2015-05-05 | Applied Materials, Inc. | Radical-component oxide etch |
US9390937B2 (en) | 2012-09-20 | 2016-07-12 | Applied Materials, Inc. | Silicon-carbon-nitride selective etch |
US9132436B2 (en) | 2012-09-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Chemical control features in wafer process equipment |
US8969212B2 (en) | 2012-11-20 | 2015-03-03 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch selectivity |
US8980763B2 (en) | 2012-11-30 | 2015-03-17 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch for selective tungsten removal |
US9111877B2 (en) | 2012-12-18 | 2015-08-18 | Applied Materials, Inc. | Non-local plasma oxide etch |
US8921234B2 (en) | 2012-12-21 | 2014-12-30 | Applied Materials, Inc. | Selective titanium nitride etching |
US10256079B2 (en) | 2013-02-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations |
US9362130B2 (en) | 2013-03-01 | 2016-06-07 | Applied Materials, Inc. | Enhanced etching processes using remote plasma sources |
US9040422B2 (en) | 2013-03-05 | 2015-05-26 | Applied Materials, Inc. | Selective titanium nitride removal |
US20140271097A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Applied Materials, Inc. | Processing systems and methods for halide scavenging |
US9493879B2 (en) | 2013-07-12 | 2016-11-15 | Applied Materials, Inc. | Selective sputtering for pattern transfer |
US9773648B2 (en) | 2013-08-30 | 2017-09-26 | Applied Materials, Inc. | Dual discharge modes operation for remote plasma |
US9576809B2 (en) | 2013-11-04 | 2017-02-21 | Applied Materials, Inc. | Etch suppression with germanium |
US9520303B2 (en) | 2013-11-12 | 2016-12-13 | Applied Materials, Inc. | Aluminum selective etch |
US9245762B2 (en) | 2013-12-02 | 2016-01-26 | Applied Materials, Inc. | Procedure for etch rate consistency |
US9287095B2 (en) | 2013-12-17 | 2016-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor system assemblies and methods of operation |
US9287134B2 (en) | 2014-01-17 | 2016-03-15 | Applied Materials, Inc. | Titanium oxide etch |
US9396989B2 (en) | 2014-01-27 | 2016-07-19 | Applied Materials, Inc. | Air gaps between copper lines |
US9293568B2 (en) | 2014-01-27 | 2016-03-22 | Applied Materials, Inc. | Method of fin patterning |
US9385028B2 (en) | 2014-02-03 | 2016-07-05 | Applied Materials, Inc. | Air gap process |
US9499898B2 (en) | 2014-03-03 | 2016-11-22 | Applied Materials, Inc. | Layered thin film heater and method of fabrication |
US9299575B2 (en) | 2014-03-17 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Gas-phase tungsten etch |
US9299538B2 (en) | 2014-03-20 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves |
US9299537B2 (en) | 2014-03-20 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves |
US9903020B2 (en) | 2014-03-31 | 2018-02-27 | Applied Materials, Inc. | Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components |
US9269590B2 (en) | 2014-04-07 | 2016-02-23 | Applied Materials, Inc. | Spacer formation |
US9309598B2 (en) | 2014-05-28 | 2016-04-12 | Applied Materials, Inc. | Oxide and metal removal |
US9406523B2 (en) | 2014-06-19 | 2016-08-02 | Applied Materials, Inc. | Highly selective doped oxide removal method |
US9378969B2 (en) | 2014-06-19 | 2016-06-28 | Applied Materials, Inc. | Low temperature gas-phase carbon removal |
US9425058B2 (en) | 2014-07-24 | 2016-08-23 | Applied Materials, Inc. | Simplified litho-etch-litho-etch process |
US9378978B2 (en) | 2014-07-31 | 2016-06-28 | Applied Materials, Inc. | Integrated oxide recess and floating gate fin trimming |
US9496167B2 (en) | 2014-07-31 | 2016-11-15 | Applied Materials, Inc. | Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean |
US9659753B2 (en) | 2014-08-07 | 2017-05-23 | Applied Materials, Inc. | Grooved insulator to reduce leakage current |
US9553102B2 (en) | 2014-08-19 | 2017-01-24 | Applied Materials, Inc. | Tungsten separation |
CN105448635B (zh) * | 2014-08-28 | 2018-01-09 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 原子层刻蚀装置及采用其的原子层刻蚀方法 |
US9355856B2 (en) | 2014-09-12 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | V trench dry etch |
US9478434B2 (en) | 2014-09-24 | 2016-10-25 | Applied Materials, Inc. | Chlorine-based hardmask removal |
US9368364B2 (en) | 2014-09-24 | 2016-06-14 | Applied Materials, Inc. | Silicon etch process with tunable selectivity to SiO2 and other materials |
US9613822B2 (en) | 2014-09-25 | 2017-04-04 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity enhancement |
US9966240B2 (en) | 2014-10-14 | 2018-05-08 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment |
US9355922B2 (en) | 2014-10-14 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment |
US9449796B2 (en) * | 2014-10-24 | 2016-09-20 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing system including a symmetrical remote plasma source for minimal ion energy |
US11637002B2 (en) | 2014-11-26 | 2023-04-25 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to enhance process uniformity |
US9299583B1 (en) | 2014-12-05 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Aluminum oxide selective etch |
US10224210B2 (en) | 2014-12-09 | 2019-03-05 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source |
US10573496B2 (en) | 2014-12-09 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Direct outlet toroidal plasma source |
US9502258B2 (en) | 2014-12-23 | 2016-11-22 | Applied Materials, Inc. | Anisotropic gap etch |
US9343272B1 (en) | 2015-01-08 | 2016-05-17 | Applied Materials, Inc. | Self-aligned process |
US11257693B2 (en) | 2015-01-09 | 2022-02-22 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to improve pedestal temperature control |
US9373522B1 (en) | 2015-01-22 | 2016-06-21 | Applied Mateials, Inc. | Titanium nitride removal |
US9449846B2 (en) | 2015-01-28 | 2016-09-20 | Applied Materials, Inc. | Vertical gate separation |
US9728437B2 (en) | 2015-02-03 | 2017-08-08 | Applied Materials, Inc. | High temperature chuck for plasma processing systems |
US20160225652A1 (en) | 2015-02-03 | 2016-08-04 | Applied Materials, Inc. | Low temperature chuck for plasma processing systems |
US9881805B2 (en) | 2015-03-02 | 2018-01-30 | Applied Materials, Inc. | Silicon selective removal |
US20180047595A1 (en) * | 2015-05-22 | 2018-02-15 | Hitachi High-Technologies Corporation | Plasma processing device and plasma processing method using same |
US9941111B2 (en) * | 2015-05-29 | 2018-04-10 | Infineon Technologies Ag | Method for processing a semiconductor layer, method for processing a silicon substrate, and method for processing a silicon layer |
US9741593B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-08-22 | Applied Materials, Inc. | Thermal management systems and methods for wafer processing systems |
US9691645B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-06-27 | Applied Materials, Inc. | Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems |
US9349605B1 (en) * | 2015-08-07 | 2016-05-24 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity systems and methods |
US10504700B2 (en) | 2015-08-27 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection |
CN108028164B (zh) * | 2015-09-11 | 2020-12-29 | 应用材料公司 | 具有开槽接地板的等离子体模块 |
US11154903B2 (en) * | 2016-05-13 | 2021-10-26 | Jiangsu Favored Nanotechnology Co., Ltd. | Apparatus and method for surface coating by means of grid control and plasma-initiated gas-phase polymerization |
US10504754B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
US10522371B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
KR102214350B1 (ko) * | 2016-05-20 | 2021-02-09 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 반도체 처리를 위한 가스 분배 샤워헤드 |
US9865484B1 (en) * | 2016-06-29 | 2018-01-09 | Applied Materials, Inc. | Selective etch using material modification and RF pulsing |
US10062575B2 (en) | 2016-09-09 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Poly directional etch by oxidation |
US10629473B2 (en) | 2016-09-09 | 2020-04-21 | Applied Materials, Inc. | Footing removal for nitride spacer |
US9934942B1 (en) | 2016-10-04 | 2018-04-03 | Applied Materials, Inc. | Chamber with flow-through source |
US9721789B1 (en) | 2016-10-04 | 2017-08-01 | Applied Materials, Inc. | Saving ion-damaged spacers |
US10062585B2 (en) | 2016-10-04 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Oxygen compatible plasma source |
US10546729B2 (en) | 2016-10-04 | 2020-01-28 | Applied Materials, Inc. | Dual-channel showerhead with improved profile |
US10062579B2 (en) | 2016-10-07 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Selective SiN lateral recess |
US9947549B1 (en) | 2016-10-10 | 2018-04-17 | Applied Materials, Inc. | Cobalt-containing material removal |
US9768034B1 (en) | 2016-11-11 | 2017-09-19 | Applied Materials, Inc. | Removal methods for high aspect ratio structures |
US10163696B2 (en) | 2016-11-11 | 2018-12-25 | Applied Materials, Inc. | Selective cobalt removal for bottom up gapfill |
US10242908B2 (en) | 2016-11-14 | 2019-03-26 | Applied Materials, Inc. | Airgap formation with damage-free copper |
US10026621B2 (en) | 2016-11-14 | 2018-07-17 | Applied Materials, Inc. | SiN spacer profile patterning |
TWI747998B (zh) * | 2016-11-18 | 2021-12-01 | 美商帕斯馬舍門有限責任公司 | 離子過濾器 |
US10566206B2 (en) | 2016-12-27 | 2020-02-18 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for anisotropic material breakthrough |
US10431429B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-10-01 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity |
US10403507B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-09-03 | Applied Materials, Inc. | Shaped etch profile with oxidation |
US10043684B1 (en) | 2017-02-06 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting atomic thermal etching systems and methods |
US10319739B2 (en) | 2017-02-08 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Accommodating imperfectly aligned memory holes |
US10943834B2 (en) | 2017-03-13 | 2021-03-09 | Applied Materials, Inc. | Replacement contact process |
US10319649B2 (en) | 2017-04-11 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring |
US11276590B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone semiconductor substrate supports |
US11276559B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow |
US10497579B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Water-free etching methods |
US10049891B1 (en) | 2017-05-31 | 2018-08-14 | Applied Materials, Inc. | Selective in situ cobalt residue removal |
US10920320B2 (en) | 2017-06-16 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors |
TWI794240B (zh) * | 2017-06-22 | 2023-03-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於電漿處理的處理工具及電漿反應器 |
US11355321B2 (en) | 2017-06-22 | 2022-06-07 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with electrode assembly for moving substrate |
US10541246B2 (en) | 2017-06-26 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling |
US10727080B2 (en) | 2017-07-07 | 2020-07-28 | Applied Materials, Inc. | Tantalum-containing material removal |
US10541184B2 (en) | 2017-07-11 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching |
US10354889B2 (en) | 2017-07-17 | 2019-07-16 | Applied Materials, Inc. | Non-halogen etching of silicon-containing materials |
US10170336B1 (en) | 2017-08-04 | 2019-01-01 | Applied Materials, Inc. | Methods for anisotropic control of selective silicon removal |
US10043674B1 (en) | 2017-08-04 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Germanium etching systems and methods |
US10297458B2 (en) | 2017-08-07 | 2019-05-21 | Applied Materials, Inc. | Process window widening using coated parts in plasma etch processes |
US10510575B2 (en) * | 2017-09-20 | 2019-12-17 | Applied Materials, Inc. | Substrate support with multiple embedded electrodes |
US10128086B1 (en) | 2017-10-24 | 2018-11-13 | Applied Materials, Inc. | Silicon pretreatment for nitride removal |
US10424487B2 (en) | 2017-10-24 | 2019-09-24 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer etching processes |
US10283324B1 (en) | 2017-10-24 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Oxygen treatment for nitride etching |
US10256112B1 (en) | 2017-12-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Selective tungsten removal |
JP6902991B2 (ja) | 2017-12-19 | 2021-07-14 | 株式会社日立ハイテク | プラズマ処理装置 |
US10903054B2 (en) | 2017-12-19 | 2021-01-26 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone gas distribution systems and methods |
US11328909B2 (en) | 2017-12-22 | 2022-05-10 | Applied Materials, Inc. | Chamber conditioning and removal processes |
US10854426B2 (en) | 2018-01-08 | 2020-12-01 | Applied Materials, Inc. | Metal recess for semiconductor structures |
US10679870B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-06-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus |
US10964512B2 (en) | 2018-02-15 | 2021-03-30 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods |
TWI716818B (zh) | 2018-02-28 | 2021-01-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 形成氣隙的系統及方法 |
US10593560B2 (en) | 2018-03-01 | 2020-03-17 | Applied Materials, Inc. | Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment |
US10319600B1 (en) | 2018-03-12 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Thermal silicon etch |
US10497573B2 (en) | 2018-03-13 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Selective atomic layer etching of semiconductor materials |
US10573527B2 (en) | 2018-04-06 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Gas-phase selective etching systems and methods |
WO2019199648A1 (en) * | 2018-04-10 | 2019-10-17 | Applied Materials, Inc. | Microwave plasma source with split window |
US10490406B2 (en) | 2018-04-10 | 2019-11-26 | Appled Materials, Inc. | Systems and methods for material breakthrough |
US10699879B2 (en) | 2018-04-17 | 2020-06-30 | Applied Materials, Inc. | Two piece electrode assembly with gap for plasma control |
US10886137B2 (en) | 2018-04-30 | 2021-01-05 | Applied Materials, Inc. | Selective nitride removal |
US10555412B2 (en) | 2018-05-10 | 2020-02-04 | Applied Materials, Inc. | Method of controlling ion energy distribution using a pulse generator with a current-return output stage |
JP7126381B2 (ja) * | 2018-05-21 | 2022-08-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置および成膜方法 |
US10755941B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-08-25 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting selective etching systems and methods |
US10872778B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-12-22 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods utilizing solid-phase etchants |
US10672642B2 (en) | 2018-07-24 | 2020-06-02 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for pedestal configuration |
TWI764021B (zh) | 2018-07-27 | 2022-05-11 | 美商應用材料股份有限公司 | 具有改善的離子阻斷器的遠端電容耦合電漿源 |
US10892198B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-01-12 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved performance in semiconductor processing |
US11049755B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate supports with embedded RF shield |
US11062887B2 (en) | 2018-09-17 | 2021-07-13 | Applied Materials, Inc. | High temperature RF heater pedestals |
US11417534B2 (en) | 2018-09-21 | 2022-08-16 | Applied Materials, Inc. | Selective material removal |
US11682560B2 (en) | 2018-10-11 | 2023-06-20 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for hafnium-containing film removal |
US11121002B2 (en) | 2018-10-24 | 2021-09-14 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for etching metals and metal derivatives |
US11476145B2 (en) | 2018-11-20 | 2022-10-18 | Applied Materials, Inc. | Automatic ESC bias compensation when using pulsed DC bias |
US11437242B2 (en) | 2018-11-27 | 2022-09-06 | Applied Materials, Inc. | Selective removal of silicon-containing materials |
US11721527B2 (en) | 2019-01-07 | 2023-08-08 | Applied Materials, Inc. | Processing chamber mixing systems |
US10920319B2 (en) | 2019-01-11 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Ceramic showerheads with conductive electrodes |
JP7451540B2 (ja) | 2019-01-22 | 2024-03-18 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | パルス状電圧波形を制御するためのフィードバックループ |
US11508554B2 (en) | 2019-01-24 | 2022-11-22 | Applied Materials, Inc. | High voltage filter assembly |
JP7228539B2 (ja) * | 2019-06-28 | 2023-02-24 | 株式会社東芝 | スイッチ装置 |
KR102392039B1 (ko) | 2019-09-11 | 2022-04-27 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
CN113767453B (zh) | 2020-04-03 | 2023-12-12 | 株式会社日立高新技术 | 等离子处理装置以及等离子处理方法 |
US11773484B2 (en) * | 2020-06-26 | 2023-10-03 | Tokyo Electron Limited | Hard mask deposition using direct current superimposed radio frequency plasma |
US11848176B2 (en) | 2020-07-31 | 2023-12-19 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing using pulsed-voltage and radio-frequency power |
US11798790B2 (en) | 2020-11-16 | 2023-10-24 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for controlling ion energy distribution |
US11901157B2 (en) | 2020-11-16 | 2024-02-13 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for controlling ion energy distribution |
US11495470B1 (en) | 2021-04-16 | 2022-11-08 | Applied Materials, Inc. | Method of enhancing etching selectivity using a pulsed plasma |
US11948780B2 (en) | 2021-05-12 | 2024-04-02 | Applied Materials, Inc. | Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing |
US11791138B2 (en) | 2021-05-12 | 2023-10-17 | Applied Materials, Inc. | Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing |
US11967483B2 (en) | 2021-06-02 | 2024-04-23 | Applied Materials, Inc. | Plasma excitation with ion energy control |
US11984306B2 (en) | 2021-06-09 | 2024-05-14 | Applied Materials, Inc. | Plasma chamber and chamber component cleaning methods |
US11810760B2 (en) | 2021-06-16 | 2023-11-07 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method of ion current compensation |
US11569066B2 (en) | 2021-06-23 | 2023-01-31 | Applied Materials, Inc. | Pulsed voltage source for plasma processing applications |
US11776788B2 (en) | 2021-06-28 | 2023-10-03 | Applied Materials, Inc. | Pulsed voltage boost for substrate processing |
US11476090B1 (en) | 2021-08-24 | 2022-10-18 | Applied Materials, Inc. | Voltage pulse time-domain multiplexing |
US11972924B2 (en) | 2022-06-08 | 2024-04-30 | Applied Materials, Inc. | Pulsed voltage source for plasma processing applications |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5882424A (en) * | 1997-01-21 | 1999-03-16 | Applied Materials, Inc. | Plasma cleaning of a CVD or etch reactor using a low or mixed frequency excitation field |
US20040144490A1 (en) * | 2003-01-27 | 2004-07-29 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cleaning a CVD chamber |
US20050214477A1 (en) * | 2004-03-26 | 2005-09-29 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition plasma process using an ion shower grid |
Family Cites Families (1599)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2369620A (en) | 1941-03-07 | 1945-02-13 | Battelle Development Corp | Method of coating cupreous metal with tin |
US3451840A (en) | 1965-10-06 | 1969-06-24 | Us Air Force | Wire coated with boron nitride and boron |
US3401302A (en) | 1965-11-01 | 1968-09-10 | Humphreys Corp | Induction plasma generator including cooling means, gas flow means, and operating means therefor |
US3537474A (en) | 1968-02-19 | 1970-11-03 | Varian Associates | Push button vacuum control valve and vacuum system using same |
US3756511A (en) | 1971-02-02 | 1973-09-04 | Kogyo Kaihatsu Kenyusho | Nozzle and torch for plasma jet |
US3969077A (en) | 1971-12-16 | 1976-07-13 | Varian Associates | Alkali metal leak detection method and apparatus |
US4632857A (en) | 1974-05-24 | 1986-12-30 | Richardson Chemical Company | Electrolessly plated product having a polymetallic catalytic film underlayer |
US4232060A (en) | 1979-01-22 | 1980-11-04 | Richardson Chemical Company | Method of preparing substrate surface for electroless plating and products produced thereby |
US4397812A (en) | 1974-05-24 | 1983-08-09 | Richardson Chemical Company | Electroless nickel polyalloys |
US4006047A (en) | 1974-07-22 | 1977-02-01 | Amp Incorporated | Catalysts for electroless deposition of metals on comparatively low-temperature polyolefin and polyester substrates |
US3937857A (en) | 1974-07-22 | 1976-02-10 | Amp Incorporated | Catalyst for electroless deposition of metals |
US4341592A (en) | 1975-08-04 | 1982-07-27 | Texas Instruments Incorporated | Method for removing photoresist layer from substrate by ozone treatment |
US4265943A (en) | 1978-11-27 | 1981-05-05 | Macdermid Incorporated | Method and composition for continuous electroless copper deposition using a hypophosphite reducing agent in the presence of cobalt or nickel ions |
US4234628A (en) | 1978-11-28 | 1980-11-18 | The Harshaw Chemical Company | Two-step preplate system for polymeric surfaces |
US4214946A (en) | 1979-02-21 | 1980-07-29 | International Business Machines Corporation | Selective reactive ion etching of polysilicon against SiO2 utilizing SF6 -Cl2 -inert gas etchant |
US4361441A (en) | 1979-04-17 | 1982-11-30 | Plasma Holdings N.V. | Treatment of matter in low temperature plasmas |
US4209357A (en) | 1979-05-18 | 1980-06-24 | Tegal Corporation | Plasma reactor apparatus |
IT1130955B (it) | 1980-03-11 | 1986-06-18 | Oronzio De Nora Impianti | Procedimento per la formazione di elettroci sulle superficie di membrane semipermeabili e sistemi elettrodo-membrana cosi' prodotti |
US4361418A (en) | 1980-05-06 | 1982-11-30 | Risdon Corporation | High vacuum processing system having improved recycle draw-down capability under high humidity ambient atmospheric conditions |
NL8004005A (nl) | 1980-07-11 | 1982-02-01 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting. |
US4340462A (en) | 1981-02-13 | 1982-07-20 | Lam Research Corporation | Adjustable electrode plasma processing chamber |
US4368223A (en) | 1981-06-01 | 1983-01-11 | Asahi Glass Company, Ltd. | Process for preparing nickel layer |
DE3205345A1 (de) | 1982-02-15 | 1983-09-01 | Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg | "verfahren zur herstellung von fluordotierten lichtleitfasern" |
US4585920A (en) | 1982-05-21 | 1986-04-29 | Tegal Corporation | Plasma reactor removable insert |
JPS591671A (ja) | 1982-05-28 | 1984-01-07 | Fujitsu Ltd | プラズマcvd装置 |
JPS59126778A (ja) | 1983-01-11 | 1984-07-21 | Tokyo Denshi Kagaku Kabushiki | プラズマエツチング方法及びその装置 |
JPS6060060A (ja) | 1983-09-12 | 1985-04-06 | 株式会社日立製作所 | 鉄道車両の扉開閉装置 |
US4579618A (en) | 1984-01-06 | 1986-04-01 | Tegal Corporation | Plasma reactor apparatus |
US4656052A (en) | 1984-02-13 | 1987-04-07 | Kyocera Corporation | Process for production of high-hardness boron nitride film |
US4571819A (en) | 1984-11-01 | 1986-02-25 | Ncr Corporation | Method for forming trench isolation structures |
US4656076A (en) | 1985-04-26 | 1987-04-07 | Triquint Semiconductors, Inc. | Self-aligned recessed gate process |
JPS61276977A (ja) | 1985-05-30 | 1986-12-06 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
US4807016A (en) | 1985-07-15 | 1989-02-21 | Texas Instruments Incorporated | Dry etch of phosphosilicate glass with selectivity to undoped oxide |
US4714520A (en) | 1985-07-25 | 1987-12-22 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for filling a trench in an integrated circuit structure without producing voids |
US4610775A (en) | 1985-07-26 | 1986-09-09 | Westinghouse Electric Corp. | Method and apparatus for clearing short-circuited, high-voltage cathodes in a sputtering chamber |
US4749440A (en) | 1985-08-28 | 1988-06-07 | Fsi Corporation | Gaseous process and apparatus for removing films from substrates |
US4668335A (en) | 1985-08-30 | 1987-05-26 | Advanced Micro Devices, Inc. | Anti-corrosion treatment for patterning of metallic layers |
US4690746A (en) | 1986-02-24 | 1987-09-01 | Genus, Inc. | Interlayer dielectric process |
US4715937A (en) | 1986-05-05 | 1987-12-29 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Low-temperature direct nitridation of silicon in nitrogen plasma generated by microwave discharge |
US4872947A (en) | 1986-12-19 | 1989-10-10 | Applied Materials, Inc. | CVD of silicon oxide using TEOS decomposition and in-situ planarization process |
US5000113A (en) | 1986-12-19 | 1991-03-19 | Applied Materials, Inc. | Thermal CVD/PECVD reactor and use for thermal chemical vapor deposition of silicon dioxide and in-situ multi-step planarized process |
US4892753A (en) | 1986-12-19 | 1990-01-09 | Applied Materials, Inc. | Process for PECVD of silicon oxide using TEOS decomposition |
US5228501A (en) | 1986-12-19 | 1993-07-20 | Applied Materials, Inc. | Physical vapor deposition clamping mechanism and heater/cooler |
US4960488A (en) | 1986-12-19 | 1990-10-02 | Applied Materials, Inc. | Reactor chamber self-cleaning process |
US4951601A (en) | 1986-12-19 | 1990-08-28 | Applied Materials, Inc. | Multi-chamber integrated process system |
JPS63204726A (ja) | 1987-02-20 | 1988-08-24 | Anelva Corp | 真空処理装置 |
US4868071A (en) | 1987-02-24 | 1989-09-19 | Polyonics Corporation | Thermally stable dual metal coated laminate products made from textured polyimide film |
US5322976A (en) | 1987-02-24 | 1994-06-21 | Polyonics Corporation | Process for forming polyimide-metal laminates |
DE3856483T2 (de) | 1987-03-18 | 2002-04-18 | Toshiba Kawasaki Kk | Verfahren zur Herstellung von Dünnschichten |
US4793897A (en) | 1987-03-20 | 1988-12-27 | Applied Materials, Inc. | Selective thin film etch process |
US4786360A (en) | 1987-03-30 | 1988-11-22 | International Business Machines Corporation | Anisotropic etch process for tungsten metallurgy |
US5198034A (en) | 1987-03-31 | 1993-03-30 | Epsilon Technology, Inc. | Rotatable substrate supporting mechanism with temperature sensing device for use in chemical vapor deposition equipment |
EP0286306B1 (en) | 1987-04-03 | 1993-10-06 | Fujitsu Limited | Method and apparatus for vapor deposition of diamond |
US4913929A (en) | 1987-04-21 | 1990-04-03 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Thermal/microwave remote plasma multiprocessing reactor and method of use |
US4753898A (en) | 1987-07-09 | 1988-06-28 | Motorola, Inc. | LDD CMOS process |
US4878994A (en) | 1987-07-16 | 1989-11-07 | Texas Instruments Incorporated | Method for etching titanium nitride local interconnects |
US4857140A (en) | 1987-07-16 | 1989-08-15 | Texas Instruments Incorporated | Method for etching silicon nitride |
US4838990A (en) | 1987-07-16 | 1989-06-13 | Texas Instruments Incorporated | Method for plasma etching tungsten |
US4820377A (en) | 1987-07-16 | 1989-04-11 | Texas Instruments Incorporated | Method for cleanup processing chamber and vacuum process module |
US4828649A (en) | 1987-07-16 | 1989-05-09 | Texas Instruments Incorporated | Method for etching an aluminum film doped with silicon |
US4867841A (en) | 1987-07-16 | 1989-09-19 | Texas Instruments Incorporated | Method for etch of polysilicon film |
US4886570A (en) | 1987-07-16 | 1989-12-12 | Texas Instruments Incorporated | Processing apparatus and method |
US4904621A (en) | 1987-07-16 | 1990-02-27 | Texas Instruments Incorporated | Remote plasma generation process using a two-stage showerhead |
JPS6432627A (en) | 1987-07-29 | 1989-02-02 | Hitachi Ltd | Low-temperature dry etching method |
US4919750A (en) | 1987-09-14 | 1990-04-24 | International Business Machines Corporation | Etching metal films with complexing chloride plasma |
US4810520A (en) | 1987-09-23 | 1989-03-07 | Magnetic Peripherals Inc. | Method for controlling electroless magnetic plating |
US5180435A (en) | 1987-09-24 | 1993-01-19 | Research Triangle Institute, Inc. | Remote plasma enhanced CVD method and apparatus for growing an epitaxial semiconductor layer |
WO1989003587A1 (en) | 1987-10-14 | 1989-04-20 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Method and apparatus for thin film formation by plasma cvd |
US4981551A (en) | 1987-11-03 | 1991-01-01 | North Carolina State University | Dry etching of silicon carbide |
US4865685A (en) | 1987-11-03 | 1989-09-12 | North Carolina State University | Dry etching of silicon carbide |
US4792378A (en) | 1987-12-15 | 1988-12-20 | Texas Instruments Incorporated | Gas dispersion disk for use in plasma enhanced chemical vapor deposition reactor |
US4851370A (en) | 1987-12-28 | 1989-07-25 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Fabricating a semiconductor device with low defect density oxide |
JP2804037B2 (ja) | 1988-02-05 | 1998-09-24 | 株式会社東芝 | ドライエッチング方法 |
JPH01297141A (ja) | 1988-05-25 | 1989-11-30 | Canon Inc | マイクロ波プラズマ処理装置 |
US4900856A (en) | 1988-05-26 | 1990-02-13 | Ethyl Corporation | Preparation of metal halide-amine complexes |
JPH029115A (ja) * | 1988-06-28 | 1990-01-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置 |
US4904341A (en) | 1988-08-22 | 1990-02-27 | Westinghouse Electric Corp. | Selective silicon dioxide etchant for superconductor integrated circuits |
JPH02114525A (ja) | 1988-10-24 | 1990-04-26 | Toshiba Corp | 有機化合物膜の除去方法及び除去装置 |
US4894352A (en) | 1988-10-26 | 1990-01-16 | Texas Instruments Inc. | Deposition of silicon-containing films using organosilicon compounds and nitrogen trifluoride |
KR930004115B1 (ko) | 1988-10-31 | 1993-05-20 | 후지쓰 가부시끼가이샤 | 애싱(ashing)처리방법 및 장치 |
US5030319A (en) | 1988-12-27 | 1991-07-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of oxide etching with condensed plasma reaction product |
JP2981243B2 (ja) | 1988-12-27 | 1999-11-22 | 株式会社東芝 | 表面処理方法 |
US4985372A (en) | 1989-02-17 | 1991-01-15 | Tokyo Electron Limited | Method of forming conductive layer including removal of native oxide |
IT216961Z2 (it) | 1989-03-07 | 1991-10-21 | Roltra Spa | Dispositivo attuatore per bloccaserratura elettrico |
JPH02121330U (ko) | 1989-03-15 | 1990-10-02 | ||
JP2823276B2 (ja) | 1989-03-18 | 1998-11-11 | 株式会社東芝 | X線マスクの製造方法および薄膜の内部応力制御装置 |
US4946903A (en) | 1989-03-27 | 1990-08-07 | The Research Foundation Of State University Of Ny | Oxyfluoropolymers having chemically reactive surface functionality and increased surface energies |
US5186718A (en) | 1989-05-19 | 1993-02-16 | Applied Materials, Inc. | Staged-vacuum wafer processing system and method |
US5061838A (en) | 1989-06-23 | 1991-10-29 | Massachusetts Institute Of Technology | Toroidal electron cyclotron resonance reactor |
US5270125A (en) | 1989-07-11 | 1993-12-14 | Redwood Microsystems, Inc. | Boron nutride membrane in wafer structure |
US4993358A (en) | 1989-07-28 | 1991-02-19 | Watkins-Johnson Company | Chemical vapor deposition reactor and method of operation |
US5013691A (en) | 1989-07-31 | 1991-05-07 | At&T Bell Laboratories | Anisotropic deposition of silicon dioxide |
US5028565A (en) | 1989-08-25 | 1991-07-02 | Applied Materials, Inc. | Process for CVD deposition of tungsten layer on semiconductor wafer |
US4994404A (en) | 1989-08-28 | 1991-02-19 | Motorola, Inc. | Method for forming a lightly-doped drain (LDD) structure in a semiconductor device |
US4980018A (en) | 1989-11-14 | 1990-12-25 | Intel Corporation | Plasma etching process for refractory metal vias |
DE69111493T2 (de) | 1990-03-12 | 1996-03-21 | Ngk Insulators Ltd | Wafer-Heizgeräte für Apparate, zur Halbleiterherstellung Heizanlage mit diesen Heizgeräten und Herstellung von Heizgeräten. |
JP2960466B2 (ja) | 1990-03-19 | 1999-10-06 | 株式会社日立製作所 | 半導体デバイスの配線絶縁膜の形成方法及びその装置 |
US5089441A (en) | 1990-04-16 | 1992-02-18 | Texas Instruments Incorporated | Low-temperature in-situ dry cleaning process for semiconductor wafers |
US5328810A (en) | 1990-05-07 | 1994-07-12 | Micron Technology, Inc. | Method for reducing, by a factor or 2-N, the minimum masking pitch of a photolithographic process |
US5147692A (en) | 1990-05-08 | 1992-09-15 | Macdermid, Incorporated | Electroless plating of nickel onto surfaces such as copper or fused tungston |
US5069938A (en) | 1990-06-07 | 1991-12-03 | Applied Materials, Inc. | Method of forming a corrosion-resistant protective coating on aluminum substrate |
US5238499A (en) | 1990-07-16 | 1993-08-24 | Novellus Systems, Inc. | Gas-based substrate protection during processing |
US5083030A (en) | 1990-07-18 | 1992-01-21 | Applied Photonics Research | Double-sided radiation-assisted processing apparatus |
JPH04228572A (ja) | 1990-08-10 | 1992-08-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 硬質窒化ホウ素合成法 |
US5235139A (en) | 1990-09-12 | 1993-08-10 | Macdermid, Incorprated | Method for fabricating printed circuits |
US5089442A (en) | 1990-09-20 | 1992-02-18 | At&T Bell Laboratories | Silicon dioxide deposition method using a magnetic field and both sputter deposition and plasma-enhanced cvd |
KR930011413B1 (ko) | 1990-09-25 | 1993-12-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 겐큐쇼 | 펄스형 전자파를 사용한 플라즈마 cvd 법 |
EP0478233B1 (en) | 1990-09-27 | 1996-01-03 | AT&T Corp. | Process for fabricating integrated circuits |
JPH04142738A (ja) | 1990-10-04 | 1992-05-15 | Sony Corp | ドライエッチング方法 |
US5549780A (en) | 1990-10-23 | 1996-08-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for plasma processing and apparatus for plasma processing |
JP2640174B2 (ja) | 1990-10-30 | 1997-08-13 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP3206916B2 (ja) | 1990-11-28 | 2001-09-10 | 住友電気工業株式会社 | 欠陥濃度低減方法、紫外線透過用光学ガラスの製造方法及び紫外線透過用光学ガラス |
US5578130A (en) | 1990-12-12 | 1996-11-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Apparatus and method for depositing a film |
EP0519079B1 (en) | 1991-01-08 | 1999-03-03 | Fujitsu Limited | Process for forming silicon oxide film |
JPH04239723A (ja) | 1991-01-23 | 1992-08-27 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2697315B2 (ja) | 1991-01-23 | 1998-01-14 | 日本電気株式会社 | フッ素含有シリコン酸化膜の形成方法 |
JP2787142B2 (ja) | 1991-03-01 | 1998-08-13 | 上村工業 株式会社 | 無電解錫、鉛又はそれらの合金めっき方法 |
DE4107006A1 (de) | 1991-03-05 | 1992-09-10 | Siemens Ag | Verfahren zum anisotropen trockenaetzen von aluminium bzw. aluminiumlegierungen enthaltenden leiterbahnebenen in integrierten halbleiterschaltungen |
US5897751A (en) | 1991-03-11 | 1999-04-27 | Regents Of The University Of California | Method of fabricating boron containing coatings |
US5330578A (en) | 1991-03-12 | 1994-07-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Plasma treatment apparatus |
JPH05508266A (ja) | 1991-04-03 | 1993-11-18 | イーストマン・コダック・カンパニー | GaAsをドライエッチングするための高耐久性マスク |
EP0511448A1 (en) | 1991-04-30 | 1992-11-04 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for in-situ and on-line monitoring of a trench formation process |
JPH04341568A (ja) | 1991-05-16 | 1992-11-27 | Toshiba Corp | 薄膜形成方法及び薄膜形成装置 |
DE69224640T2 (de) | 1991-05-17 | 1998-10-01 | Lam Res Corp | VERFAHREN ZUR BESCHICHTUNG EINES SIOx FILMES MIT REDUZIERTER INTRINSISCHER SPANNUNG UND/ODER REDUZIERTEM WASSERSTOFFGEHALT |
JP2699695B2 (ja) | 1991-06-07 | 1998-01-19 | 日本電気株式会社 | 化学気相成長法 |
US5203911A (en) | 1991-06-24 | 1993-04-20 | Shipley Company Inc. | Controlled electroless plating |
US6074512A (en) * | 1991-06-27 | 2000-06-13 | Applied Materials, Inc. | Inductively coupled RF plasma reactor having an overhead solenoidal antenna and modular confinement magnet liners |
US6077384A (en) | 1994-08-11 | 2000-06-20 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor having an inductive antenna coupling power through a parallel plate electrode |
US5279865A (en) | 1991-06-28 | 1994-01-18 | Digital Equipment Corporation | High throughput interlevel dielectric gap filling process |
JPH0521393A (ja) | 1991-07-11 | 1993-01-29 | Sony Corp | プラズマ処理装置 |
JPH0562936A (ja) * | 1991-09-03 | 1993-03-12 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマ処理装置およびプラズマクリーニング方法 |
US5240497A (en) | 1991-10-08 | 1993-08-31 | Cornell Research Foundation, Inc. | Alkaline free electroless deposition |
JPH05226480A (ja) | 1991-12-04 | 1993-09-03 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
US5290382A (en) | 1991-12-13 | 1994-03-01 | Hughes Aircraft Company | Methods and apparatus for generating a plasma for "downstream" rapid shaping of surfaces of substrates and films |
US5279669A (en) | 1991-12-13 | 1994-01-18 | International Business Machines Corporation | Plasma reactor for processing substrates comprising means for inducing electron cyclotron resonance (ECR) and ion cyclotron resonance (ICR) conditions |
US5352636A (en) | 1992-01-16 | 1994-10-04 | Applied Materials, Inc. | In situ method for cleaning silicon surface and forming layer thereon in same chamber |
US5300463A (en) | 1992-03-06 | 1994-04-05 | Micron Technology, Inc. | Method of selectively etching silicon dioxide dielectric layers on semiconductor wafers |
JP3084497B2 (ja) | 1992-03-25 | 2000-09-04 | 東京エレクトロン株式会社 | SiO2膜のエッチング方法 |
JP2773530B2 (ja) | 1992-04-15 | 1998-07-09 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2792335B2 (ja) | 1992-05-27 | 1998-09-03 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP3502096B2 (ja) | 1992-06-22 | 2004-03-02 | ラム リサーチ コーポレイション | プラズマ処理装置内の残留物を除去するためのプラズマクリーニング方法 |
US5286297A (en) * | 1992-06-24 | 1994-02-15 | Texas Instruments Incorporated | Multi-electrode plasma processing apparatus |
US5252178A (en) * | 1992-06-24 | 1993-10-12 | Texas Instruments Incorporated | Multi-zone plasma processing method and apparatus |
JP3688726B2 (ja) | 1992-07-17 | 2005-08-31 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
US5380560A (en) | 1992-07-28 | 1995-01-10 | International Business Machines Corporation | Palladium sulfate solution for the selective seeding of the metal interconnections on polyimide dielectrics for electroless metal deposition |
US5248371A (en) | 1992-08-13 | 1993-09-28 | General Signal Corporation | Hollow-anode glow discharge apparatus |
US5292370A (en) * | 1992-08-14 | 1994-03-08 | Martin Marietta Energy Systems, Inc. | Coupled microwave ECR and radio-frequency plasma source for plasma processing |
US5271972A (en) | 1992-08-17 | 1993-12-21 | Applied Materials, Inc. | Method for depositing ozone/TEOS silicon oxide films of reduced surface sensitivity |
US5326427A (en) | 1992-09-11 | 1994-07-05 | Lsi Logic Corporation | Method of selectively etching titanium-containing materials on a semiconductor wafer using remote plasma generation |
US5306530A (en) | 1992-11-23 | 1994-04-26 | Associated Universities, Inc. | Method for producing high quality thin layer films on substrates |
JP2809018B2 (ja) | 1992-11-26 | 1998-10-08 | 日本電気株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US5382311A (en) | 1992-12-17 | 1995-01-17 | Tokyo Electron Limited | Stage having electrostatic chuck and plasma processing apparatus using same |
US5500249A (en) | 1992-12-22 | 1996-03-19 | Applied Materials, Inc. | Uniform tungsten silicide films produced by chemical vapor deposition |
US5756402A (en) | 1992-12-28 | 1998-05-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of etching silicon nitride film |
US5624582A (en) | 1993-01-21 | 1997-04-29 | Vlsi Technology, Inc. | Optimization of dry etching through the control of helium backside pressure |
US5366585A (en) | 1993-01-28 | 1994-11-22 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for protection of conductive surfaces in a plasma processing reactor |
US5345999A (en) | 1993-03-17 | 1994-09-13 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cooling semiconductor wafers |
US5302233A (en) | 1993-03-19 | 1994-04-12 | Micron Semiconductor, Inc. | Method for shaping features of a semiconductor structure using chemical mechanical planarization (CMP) |
JP3236111B2 (ja) | 1993-03-31 | 2001-12-10 | キヤノン株式会社 | プラズマ処理装置及び処理方法 |
US5695568A (en) | 1993-04-05 | 1997-12-09 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition chamber |
JP2664866B2 (ja) | 1993-04-09 | 1997-10-22 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 窒化ホウ素をエッチングする方法 |
US5416048A (en) | 1993-04-16 | 1995-05-16 | Micron Semiconductor, Inc. | Method to slope conductor profile prior to dielectric deposition to improve dielectric step-coverage |
DE69432383D1 (de) | 1993-05-27 | 2003-05-08 | Applied Materials Inc | Verbesserungen betreffend Substrathalter geeignet für den Gebrauch in Vorrichtungen für die chemische Abscheidung aus der Dampfphase |
US5591269A (en) | 1993-06-24 | 1997-01-07 | Tokyo Electron Limited | Vacuum processing apparatus |
US5292682A (en) | 1993-07-06 | 1994-03-08 | Eastman Kodak Company | Method of making two-phase charge coupled device |
US5413670A (en) | 1993-07-08 | 1995-05-09 | Air Products And Chemicals, Inc. | Method for plasma etching or cleaning with diluted NF3 |
US5560779A (en) | 1993-07-12 | 1996-10-01 | Olin Corporation | Apparatus for synthesizing diamond films utilizing an arc plasma |
WO1995002900A1 (en) | 1993-07-15 | 1995-01-26 | Astarix, Inc. | Aluminum-palladium alloy for initiation of electroless plating |
EP0637063B1 (en) | 1993-07-30 | 1999-11-03 | Applied Materials, Inc. | Method for depositing silicon nitride on silicium surfaces |
US5483920A (en) | 1993-08-05 | 1996-01-16 | Board Of Governors Of Wayne State University | Method of forming cubic boron nitride films |
US5685946A (en) | 1993-08-11 | 1997-11-11 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Method of producing buried porous silicon-geramanium layers in monocrystalline silicon lattices |
US5468597A (en) | 1993-08-25 | 1995-11-21 | Shipley Company, L.L.C. | Selective metallization process |
US5614055A (en) * | 1993-08-27 | 1997-03-25 | Applied Materials, Inc. | High density plasma CVD and etching reactor |
US5865896A (en) * | 1993-08-27 | 1999-02-02 | Applied Materials, Inc. | High density plasma CVD reactor with combined inductive and capacitive coupling |
US5384284A (en) | 1993-10-01 | 1995-01-24 | Micron Semiconductor, Inc. | Method to form a low resistant bond pad interconnect |
SE501888C2 (sv) | 1993-10-18 | 1995-06-12 | Ladislav Bardos | En metod och en apparat för generering av en urladdning i egna ångor från en radiofrekvenselektrod för kontinuerlig självförstoftning av elektroden |
JPH07130713A (ja) | 1993-11-04 | 1995-05-19 | Fujitsu Ltd | ダウンフローエッチング装置 |
JPH07161703A (ja) | 1993-12-03 | 1995-06-23 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
US5505816A (en) | 1993-12-16 | 1996-04-09 | International Business Machines Corporation | Etching of silicon dioxide selectively to silicon nitride and polysilicon |
JPH07193214A (ja) | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Mitsubishi Electric Corp | バイアホール及びその形成方法 |
US5415890A (en) | 1994-01-03 | 1995-05-16 | Eaton Corporation | Modular apparatus and method for surface treatment of parts with liquid baths |
US5403434A (en) | 1994-01-06 | 1995-04-04 | Texas Instruments Incorporated | Low-temperature in-situ dry cleaning process for semiconductor wafer |
JP3188363B2 (ja) | 1994-01-21 | 2001-07-16 | エフエスアイ・インターナショナル・インコーポレーテッド | 循環クーラントを用いた温度コントローラ及びそのための温度制御方法 |
US5399237A (en) | 1994-01-27 | 1995-03-21 | Applied Materials, Inc. | Etching titanium nitride using carbon-fluoride and carbon-oxide gas |
US5451259A (en) | 1994-02-17 | 1995-09-19 | Krogh; Ole D. | ECR plasma source for remote processing |
US5439553A (en) | 1994-03-30 | 1995-08-08 | Penn State Research Foundation | Controlled etching of oxides via gas phase reactions |
US5468342A (en) | 1994-04-28 | 1995-11-21 | Cypress Semiconductor Corp. | Method of etching an oxide layer |
EP0680072B1 (en) * | 1994-04-28 | 2003-10-08 | Applied Materials, Inc. | A method of operating a high density plasma CVD reactor with combined inductive and capacitive coupling |
US6110838A (en) | 1994-04-29 | 2000-08-29 | Texas Instruments Incorporated | Isotropic polysilicon plus nitride stripping |
US5531835A (en) | 1994-05-18 | 1996-07-02 | Applied Materials, Inc. | Patterned susceptor to reduce electrostatic force in a CVD chamber |
US5665640A (en) | 1994-06-03 | 1997-09-09 | Sony Corporation | Method for producing titanium-containing thin films by low temperature plasma-enhanced chemical vapor deposition using a rotating susceptor reactor |
US5628829A (en) | 1994-06-03 | 1997-05-13 | Materials Research Corporation | Method and apparatus for low temperature deposition of CVD and PECVD films |
US5580421A (en) | 1994-06-14 | 1996-12-03 | Fsi International | Apparatus for surface conditioning |
US5767373A (en) | 1994-06-16 | 1998-06-16 | Novartis Finance Corporation | Manipulation of protoporphyrinogen oxidase enzyme activity in eukaryotic organisms |
JP3501524B2 (ja) | 1994-07-01 | 2004-03-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置の真空排気システム |
JP3411678B2 (ja) | 1994-07-08 | 2003-06-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
US5592358A (en) | 1994-07-18 | 1997-01-07 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck for magnetic flux processing |
EP0697467A1 (en) | 1994-07-21 | 1996-02-21 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cleaning a deposition chamber |
US5563105A (en) | 1994-09-30 | 1996-10-08 | International Business Machines Corporation | PECVD method of depositing fluorine doped oxide using a fluorine precursor containing a glass-forming element |
JPH08107101A (ja) * | 1994-10-03 | 1996-04-23 | Fujitsu Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JPH08148470A (ja) | 1994-11-21 | 1996-06-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
TW344897B (en) | 1994-11-30 | 1998-11-11 | At&T Tcorporation | A process for forming gate oxides possessing different thicknesses on a semiconductor substrate |
US5558717A (en) | 1994-11-30 | 1996-09-24 | Applied Materials | CVD Processing chamber |
CN1053764C (zh) | 1994-12-09 | 2000-06-21 | 中国科学院微电子中心 | 束致变蚀方法 |
US5792376A (en) | 1995-01-06 | 1998-08-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Plasma processing apparatus and plasma processing method |
US5772770A (en) * | 1995-01-27 | 1998-06-30 | Kokusai Electric Co, Ltd. | Substrate processing apparatus |
JPH08279495A (ja) * | 1995-02-07 | 1996-10-22 | Seiko Epson Corp | プラズマ処理装置及びその方法 |
US5571576A (en) | 1995-02-10 | 1996-11-05 | Watkins-Johnson | Method of forming a fluorinated silicon oxide layer using plasma chemical vapor deposition |
US5670066A (en) | 1995-03-17 | 1997-09-23 | Lam Research Corporation | Vacuum plasma processing wherein workpiece position is detected prior to chuck being activated |
US6039851A (en) | 1995-03-22 | 2000-03-21 | Micron Technology, Inc. | Reactive sputter faceting of silicon dioxide to enhance gap fill of spaces between metal lines |
JPH08264510A (ja) | 1995-03-27 | 1996-10-11 | Toshiba Corp | シリコン窒化膜のエッチング方法およびエッチング装置 |
US5571577A (en) | 1995-04-07 | 1996-11-05 | Board Of Trustees Operating Michigan State University | Method and apparatus for plasma treatment of a surface |
JP3270852B2 (ja) | 1995-04-20 | 2002-04-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 圧力調整装置及びこれを用いた部屋の連通方法 |
JP3386287B2 (ja) | 1995-05-08 | 2003-03-17 | 堀池 靖浩 | プラズマエッチング装置 |
US20010028922A1 (en) | 1995-06-07 | 2001-10-11 | Sandhu Gurtej S. | High throughput ILD fill process for high aspect ratio gap fill |
TW434745B (en) | 1995-06-07 | 2001-05-16 | Tokyo Electron Ltd | Plasma processing apparatus |
JP3599204B2 (ja) | 1995-06-08 | 2004-12-08 | アネルバ株式会社 | Cvd装置 |
JP2814370B2 (ja) | 1995-06-18 | 1998-10-22 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US5997962A (en) | 1995-06-30 | 1999-12-07 | Tokyo Electron Limited | Plasma process utilizing an electrostatic chuck |
US6197364B1 (en) | 1995-08-22 | 2001-03-06 | International Business Machines Corporation | Production of electroless Co(P) with designed coercivity |
US5755859A (en) | 1995-08-24 | 1998-05-26 | International Business Machines Corporation | Cobalt-tin alloys and their applications for devices, chip interconnections and packaging |
WO1997009737A1 (en) | 1995-09-01 | 1997-03-13 | Advanced Semiconductor Materials America, Inc. | Wafer support system |
US6228751B1 (en) | 1995-09-08 | 2001-05-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device |
US5719085A (en) | 1995-09-29 | 1998-02-17 | Intel Corporation | Shallow trench isolation technique |
US5716506A (en) | 1995-10-06 | 1998-02-10 | Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Electrochemical sensors for gas detection |
JPH09106898A (ja) | 1995-10-09 | 1997-04-22 | Anelva Corp | プラズマcvd装置、プラズマ処理装置及びプラズマcvd方法 |
US5635086A (en) | 1995-10-10 | 1997-06-03 | The Esab Group, Inc. | Laser-plasma arc metal cutting apparatus |
JPH09106899A (ja) | 1995-10-11 | 1997-04-22 | Anelva Corp | プラズマcvd装置及び方法並びにドライエッチング装置及び方法 |
US5814238A (en) | 1995-10-12 | 1998-09-29 | Sandia Corporation | Method for dry etching of transition metals |
US5910340A (en) | 1995-10-23 | 1999-06-08 | C. Uyemura & Co., Ltd. | Electroless nickel plating solution and method |
US6015724A (en) | 1995-11-02 | 2000-01-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co. | Manufacturing method of a semiconductor device |
US5599740A (en) | 1995-11-16 | 1997-02-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Deposit-etch-deposit ozone/teos insulator layer method |
US5648125A (en) | 1995-11-16 | 1997-07-15 | Cane; Frank N. | Electroless plating process for the manufacture of printed circuit boards |
JP4420986B2 (ja) | 1995-11-21 | 2010-02-24 | 株式会社東芝 | シャロウ・トレンチ分離半導体基板及びその製造方法 |
US5846598A (en) | 1995-11-30 | 1998-12-08 | International Business Machines Corporation | Electroless plating of metallic features on nonmetallic or semiconductor layer without extraneous plating |
JPH09153481A (ja) | 1995-11-30 | 1997-06-10 | Sumitomo Metal Ind Ltd | プラズマ処理装置 |
US5756400A (en) | 1995-12-08 | 1998-05-26 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cleaning by-products from plasma chamber surfaces |
US5733816A (en) | 1995-12-13 | 1998-03-31 | Micron Technology, Inc. | Method for depositing a tungsten layer on silicon |
US6261637B1 (en) | 1995-12-15 | 2001-07-17 | Enthone-Omi, Inc. | Use of palladium immersion deposition to selectively initiate electroless plating on Ti and W alloys for wafer fabrication |
DE69608669T2 (de) | 1995-12-19 | 2001-03-01 | Fsi International Chaska | Stromloses aufbringen von metallfilmen mit sprayprozessor |
US5883012A (en) | 1995-12-21 | 1999-03-16 | Motorola, Inc. | Method of etching a trench into a semiconductor substrate |
US5679606A (en) | 1995-12-27 | 1997-10-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | method of forming inter-metal-dielectric structure |
DE69623651T2 (de) | 1995-12-27 | 2003-04-24 | Lam Res Corp | Verfahren zur füllung von gräben auf einer halbleiterscheibe |
US5953591A (en) | 1995-12-28 | 1999-09-14 | Nippon Sanso Corporation | Process for laser detection of gas and contaminants in a wafer transport gas tunnel |
US6191026B1 (en) | 1996-01-09 | 2001-02-20 | Applied Materials, Inc. | Method for submicron gap filling on a semiconductor substrate |
US5674787A (en) | 1996-01-16 | 1997-10-07 | Sematech, Inc. | Selective electroless copper deposited interconnect plugs for ULSI applications |
US5824599A (en) | 1996-01-16 | 1998-10-20 | Cornell Research Foundation, Inc. | Protected encapsulation of catalytic layer for electroless copper interconnect |
US5891513A (en) | 1996-01-16 | 1999-04-06 | Cornell Research Foundation | Electroless CU deposition on a barrier layer by CU contact displacement for ULSI applications |
US6036878A (en) | 1996-02-02 | 2000-03-14 | Applied Materials, Inc. | Low density high frequency process for a parallel-plate electrode plasma reactor having an inductive antenna |
US5872052A (en) | 1996-02-12 | 1999-02-16 | Micron Technology, Inc. | Planarization using plasma oxidized amorphous silicon |
US5648175A (en) | 1996-02-14 | 1997-07-15 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition reactor system and integrated circuit |
US6004884A (en) | 1996-02-15 | 1999-12-21 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for etching semiconductor wafers |
TW335517B (en) | 1996-03-01 | 1998-07-01 | Hitachi Ltd | Apparatus and method for processing plasma |
US5656093A (en) | 1996-03-08 | 1997-08-12 | Applied Materials, Inc. | Wafer spacing mask for a substrate support chuck and method of fabricating same |
JP2000508844A (ja) | 1996-03-25 | 2000-07-11 | エス ジョージ レジンスキー | 埋め込み可能な補聴器マイクロアクチュエータの取付け装置 |
US6065425A (en) | 1996-03-25 | 2000-05-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Plasma process apparatus and plasma process method |
US5858876A (en) | 1996-04-01 | 1999-01-12 | Chartered Semiconductor Manufacturing, Ltd. | Simultaneous deposit and etch method for forming a void-free and gap-filling insulator layer upon a patterned substrate layer |
US5712185A (en) | 1996-04-23 | 1998-01-27 | United Microelectronics | Method for forming shallow trench isolation |
US5843847A (en) | 1996-04-29 | 1998-12-01 | Applied Materials, Inc. | Method for etching dielectric layers with high selectivity and low microloading |
US6176667B1 (en) | 1996-04-30 | 2001-01-23 | Applied Materials, Inc. | Multideck wafer processing system |
KR100230981B1 (ko) | 1996-05-08 | 1999-11-15 | 김광호 | 반도체장치 제조공정의 플라즈마 식각 방법 |
US5660957A (en) | 1996-05-16 | 1997-08-26 | Fujitsu Limited | Electron-beam treatment procedure for patterned mask layers |
US6313035B1 (en) | 1996-05-31 | 2001-11-06 | Micron Technology, Inc. | Chemical vapor deposition using organometallic precursors |
US5863376A (en) | 1996-06-05 | 1999-01-26 | Lam Research Corporation | Temperature controlling method and apparatus for a plasma processing chamber |
US5820723A (en) | 1996-06-05 | 1998-10-13 | Lam Research Corporation | Universal vacuum chamber including equipment modules such as a plasma generating source, vacuum pumping arrangement and/or cantilevered substrate support |
US6048798A (en) | 1996-06-05 | 2000-04-11 | Lam Research Corporation | Apparatus for reducing process drift in inductive coupled plasma etching such as oxide layer |
TW409152B (en) | 1996-06-13 | 2000-10-21 | Samsung Electronic | Etching gas composition for ferroelectric capacitor electrode film and method for etching a transition metal thin film |
US5846373A (en) | 1996-06-28 | 1998-12-08 | Lam Research Corporation | Method for monitoring process endpoints in a plasma chamber and a process monitoring arrangement in a plasma chamber |
US5846883A (en) | 1996-07-10 | 1998-12-08 | Cvc, Inc. | Method for multi-zone high-density inductively-coupled plasma generation |
US5993916A (en) | 1996-07-12 | 1999-11-30 | Applied Materials, Inc. | Method for substrate processing with improved throughput and yield |
US5846332A (en) | 1996-07-12 | 1998-12-08 | Applied Materials, Inc. | Thermally floating pedestal collar in a chemical vapor deposition chamber |
US6170428B1 (en) | 1996-07-15 | 2001-01-09 | Applied Materials, Inc. | Symmetric tunable inductively coupled HDP-CVD reactor |
US5781693A (en) | 1996-07-24 | 1998-07-14 | Applied Materials, Inc. | Gas introduction showerhead for an RTP chamber with upper and lower transparent plates and gas flow therebetween |
US20010012700A1 (en) | 1998-12-15 | 2001-08-09 | Klaus F. Schuegraf | Semiconductor processing methods of chemical vapor depositing sio2 on a substrate |
US5661093A (en) * | 1996-09-12 | 1997-08-26 | Applied Materials, Inc. | Method for the stabilization of halogen-doped films through the use of multiple sealing layers |
US5888906A (en) | 1996-09-16 | 1999-03-30 | Micron Technology, Inc. | Plasmaless dry contact cleaning method using interhalogen compounds |
US5747373A (en) | 1996-09-24 | 1998-05-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Nitride-oxide sidewall spacer for salicide formation |
US5846375A (en) | 1996-09-26 | 1998-12-08 | Micron Technology, Inc. | Area specific temperature control for electrode plates and chucks used in semiconductor processing equipment |
US5835334A (en) | 1996-09-30 | 1998-11-10 | Lam Research | Variable high temperature chuck for high density plasma chemical vapor deposition |
US5904827A (en) | 1996-10-15 | 1999-05-18 | Reynolds Tech Fabricators, Inc. | Plating cell with rotary wiper and megasonic transducer |
US5951776A (en) | 1996-10-25 | 1999-09-14 | Applied Materials, Inc. | Self aligning lift mechanism |
KR100237825B1 (ko) | 1996-11-05 | 2000-01-15 | 윤종용 | 반도체장치 제조설비의 페디스탈 |
US5804259A (en) * | 1996-11-07 | 1998-09-08 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for depositing a multilayered low dielectric constant film |
US5935340A (en) | 1996-11-13 | 1999-08-10 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for gettering fluorine from chamber material surfaces |
US5994209A (en) | 1996-11-13 | 1999-11-30 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for forming ultra-shallow doped regions using doped silicon oxide films |
US5939831A (en) | 1996-11-13 | 1999-08-17 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for pre-stabilized plasma generation for microwave clean applications |
US6114216A (en) | 1996-11-13 | 2000-09-05 | Applied Materials, Inc. | Methods for shallow trench isolation |
US5968587A (en) | 1996-11-13 | 1999-10-19 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for controlling the temperature of a vapor deposition apparatus |
US5963840A (en) | 1996-11-13 | 1999-10-05 | Applied Materials, Inc. | Methods for depositing premetal dielectric layer at sub-atmospheric and high temperature conditions |
US5935334A (en) | 1996-11-13 | 1999-08-10 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing apparatus with bottom-mounted remote plasma system |
US6019848A (en) | 1996-11-13 | 2000-02-01 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for high temperature processing chamber |
US5812403A (en) | 1996-11-13 | 1998-09-22 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for cleaning surfaces in a substrate processing system |
US5873781A (en) | 1996-11-14 | 1999-02-23 | Bally Gaming International, Inc. | Gaming machine having truly random results |
US5882786A (en) | 1996-11-15 | 1999-03-16 | C3, Inc. | Gemstones formed of silicon carbide with diamond coating |
US5844195A (en) | 1996-11-18 | 1998-12-01 | Applied Materials, Inc. | Remote plasma source |
US5855681A (en) | 1996-11-18 | 1999-01-05 | Applied Materials, Inc. | Ultra high throughput wafer vacuum processing system |
US5830805A (en) | 1996-11-18 | 1998-11-03 | Cornell Research Foundation | Electroless deposition equipment or apparatus and method of performing electroless deposition |
US6152070A (en) | 1996-11-18 | 2000-11-28 | Applied Materials, Inc. | Tandem process chamber |
US5695810A (en) | 1996-11-20 | 1997-12-09 | Cornell Research Foundation, Inc. | Use of cobalt tungsten phosphide as a barrier material for copper metallization |
FR2756663B1 (fr) | 1996-12-04 | 1999-02-26 | Berenguer Marc | Procede de traitement d'un substrat semi-conducteur comprenant une etape de traitement de surface |
US5951896A (en) | 1996-12-04 | 1999-09-14 | Micro C Technologies, Inc. | Rapid thermal processing heater technology and method of use |
JPH10172792A (ja) | 1996-12-05 | 1998-06-26 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
US6312554B1 (en) | 1996-12-05 | 2001-11-06 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for controlling the ratio of reactive to non-reactive ions in a semiconductor wafer processing chamber |
US5843538A (en) | 1996-12-09 | 1998-12-01 | John L. Raymond | Method for electroless nickel plating of metal substrates |
US5948702A (en) | 1996-12-19 | 1999-09-07 | Texas Instruments Incorporated | Selective removal of TixNy |
US5953635A (en) | 1996-12-19 | 1999-09-14 | Intel Corporation | Interlayer dielectric with a composite dielectric stack |
US6120640A (en) | 1996-12-19 | 2000-09-19 | Applied Materials, Inc. | Boron carbide parts and coatings in a plasma reactor |
US5913140A (en) | 1996-12-23 | 1999-06-15 | Lam Research Corporation | Method for reduction of plasma charging damage during chemical vapor deposition |
KR100234539B1 (ko) | 1996-12-24 | 1999-12-15 | 윤종용 | 반도체장치 제조용 식각 장치 |
US5788825A (en) | 1996-12-30 | 1998-08-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Vacuum pumping system for a sputtering device |
US5955037A (en) | 1996-12-31 | 1999-09-21 | Atmi Ecosys Corporation | Effluent gas stream treatment system having utility for oxidation treatment of semiconductor manufacturing effluent gases |
DE19700231C2 (de) | 1997-01-07 | 2001-10-04 | Geesthacht Gkss Forschung | Vorrichtung zum Filtern und Trennen von Strömungsmedien |
US5913147A (en) | 1997-01-21 | 1999-06-15 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for fabricating copper-aluminum metallization |
JPH10223608A (ja) | 1997-02-04 | 1998-08-21 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
US5800621A (en) | 1997-02-10 | 1998-09-01 | Applied Materials, Inc. | Plasma source for HDP-CVD chamber |
US6035101A (en) | 1997-02-12 | 2000-03-07 | Applied Materials, Inc. | High temperature multi-layered alloy heater assembly and related methods |
US6013584A (en) * | 1997-02-19 | 2000-01-11 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for forming HDP-CVD PSG film used for advanced pre-metal dielectric layer applications |
DE19706682C2 (de) | 1997-02-20 | 1999-01-14 | Bosch Gmbh Robert | Anisotropes fluorbasiertes Plasmaätzverfahren für Silizium |
US6479373B2 (en) | 1997-02-20 | 2002-11-12 | Infineon Technologies Ag | Method of structuring layers with a polysilicon layer and an overlying metal or metal silicide layer using a three step etching process with fluorine, chlorine, bromine containing gases |
US6190233B1 (en) | 1997-02-20 | 2001-02-20 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for improving gap-fill capability using chemical and physical etchbacks |
US5990000A (en) | 1997-02-20 | 1999-11-23 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for improving gap-fill capability using chemical and physical etchbacks |
US6059643A (en) | 1997-02-21 | 2000-05-09 | Aplex, Inc. | Apparatus and method for polishing a flat surface using a belted polishing pad |
US6328803B2 (en) | 1997-02-21 | 2001-12-11 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for controlling rate of pressure change in a vacuum process chamber |
US6376386B1 (en) | 1997-02-25 | 2002-04-23 | Fujitsu Limited | Method of etching silicon nitride by a mixture of CH2 F2, CH3F or CHF3 and an inert gas |
US5789300A (en) | 1997-02-25 | 1998-08-04 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of making IGFETs in densely and sparsely populated areas of a substrate |
US6039834A (en) | 1997-03-05 | 2000-03-21 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for upgraded substrate processing system with microwave plasma source |
TW418461B (en) * | 1997-03-07 | 2001-01-11 | Tokyo Electron Ltd | Plasma etching device |
US5850105A (en) | 1997-03-21 | 1998-12-15 | Advanced Micro Devices, Inc. | Substantially planar semiconductor topography using dielectrics and chemical mechanical polish |
TW376547B (en) | 1997-03-27 | 1999-12-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method and apparatus for plasma processing |
US6030666A (en) | 1997-03-31 | 2000-02-29 | Lam Research Corporation | Method for microwave plasma substrate heating |
US5786276A (en) | 1997-03-31 | 1998-07-28 | Applied Materials, Inc. | Selective plasma etching of silicon nitride in presence of silicon or silicon oxides using mixture of CH3F or CH2F2 and CF4 and O2 |
US6017414A (en) | 1997-03-31 | 2000-01-25 | Lam Research Corporation | Method of and apparatus for detecting and controlling in situ cleaning time of vacuum processing chambers |
US5968610A (en) | 1997-04-02 | 1999-10-19 | United Microelectronics Corp. | Multi-step high density plasma chemical vapor deposition process |
JPH10284360A (ja) | 1997-04-02 | 1998-10-23 | Hitachi Ltd | 基板温度制御装置及び方法 |
US5866483A (en) | 1997-04-04 | 1999-02-02 | Applied Materials, Inc. | Method for anisotropically etching tungsten using SF6, CHF3, and N2 |
US6174450B1 (en) | 1997-04-16 | 2001-01-16 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for controlling ion energy and plasma density in a plasma processing system |
US6149828A (en) | 1997-05-05 | 2000-11-21 | Micron Technology, Inc. | Supercritical etching compositions and method of using same |
US6204200B1 (en) | 1997-05-05 | 2001-03-20 | Texas Instruments Incorporated | Process scheme to form controlled airgaps between interconnect lines to reduce capacitance |
US5969422A (en) | 1997-05-15 | 1999-10-19 | Advanced Micro Devices, Inc. | Plated copper interconnect structure |
US5838055A (en) | 1997-05-29 | 1998-11-17 | International Business Machines Corporation | Trench sidewall patterned by vapor phase etching |
US6189483B1 (en) | 1997-05-29 | 2001-02-20 | Applied Materials, Inc. | Process kit |
US6083344A (en) | 1997-05-29 | 2000-07-04 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone RF inductively coupled source configuration |
US6136685A (en) | 1997-06-03 | 2000-10-24 | Applied Materials, Inc. | High deposition rate recipe for low dielectric constant films |
US5937323A (en) | 1997-06-03 | 1999-08-10 | Applied Materials, Inc. | Sequencing of the recipe steps for the optimal low-k HDP-CVD processing |
US6706334B1 (en) | 1997-06-04 | 2004-03-16 | Tokyo Electron Limited | Processing method and apparatus for removing oxide film |
US5872058A (en) | 1997-06-17 | 1999-02-16 | Novellus Systems, Inc. | High aspect ratio gapfill process by using HDP |
US5885749A (en) | 1997-06-20 | 1999-03-23 | Clear Logic, Inc. | Method of customizing integrated circuits by selective secondary deposition of layer interconnect material |
US5933757A (en) | 1997-06-23 | 1999-08-03 | Lsi Logic Corporation | Etch process selective to cobalt silicide for formation of integrated circuit structures |
US6150628A (en) | 1997-06-26 | 2000-11-21 | Applied Science And Technology, Inc. | Toroidal low-field reactive gas source |
US6388226B1 (en) | 1997-06-26 | 2002-05-14 | Applied Science And Technology, Inc. | Toroidal low-field reactive gas source |
US6518155B1 (en) | 1997-06-30 | 2003-02-11 | Intel Corporation | Device structure and method for reducing silicide encroachment |
US6184121B1 (en) | 1997-07-10 | 2001-02-06 | International Business Machines Corporation | Chip interconnect wiring structure with low dielectric constant insulator and methods for fabricating the same |
US5944049A (en) | 1997-07-15 | 1999-08-31 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for regulating a pressure in a chamber |
JPH1136076A (ja) | 1997-07-16 | 1999-02-09 | Tokyo Electron Ltd | Cvd成膜装置およびcvd成膜方法 |
US5814365A (en) | 1997-08-15 | 1998-09-29 | Micro C Technologies, Inc. | Reactor and method of processing a semiconductor substate |
US6007635A (en) | 1997-11-26 | 1999-12-28 | Micro C Technologies, Inc. | Platform for supporting a semiconductor substrate and method of supporting a substrate during rapid high temperature processing |
US6090212A (en) | 1997-08-15 | 2000-07-18 | Micro C Technologies, Inc. | Substrate platform for a semiconductor substrate during rapid high temperature processing and method of supporting a substrate |
US5926737A (en) | 1997-08-19 | 1999-07-20 | Tokyo Electron Limited | Use of TiCl4 etchback process during integrated CVD-Ti/TiN wafer processing |
US6258170B1 (en) | 1997-09-11 | 2001-07-10 | Applied Materials, Inc. | Vaporization and deposition apparatus |
US6063688A (en) | 1997-09-29 | 2000-05-16 | Intel Corporation | Fabrication of deep submicron structures and quantum wire transistors using hard-mask transistor width definition |
US6364957B1 (en) | 1997-10-09 | 2002-04-02 | Applied Materials, Inc. | Support assembly with thermal expansion compensation |
US6688375B1 (en) | 1997-10-14 | 2004-02-10 | Applied Materials, Inc. | Vacuum processing system having improved substrate heating and cooling |
JP3874911B2 (ja) | 1997-10-15 | 2007-01-31 | 株式会社Neomaxマテリアル | 微小プラスチック球へのめっき方法 |
GB9722028D0 (en) | 1997-10-17 | 1997-12-17 | Shipley Company Ll C | Plating of polymers |
US6379575B1 (en) | 1997-10-21 | 2002-04-30 | Applied Materials, Inc. | Treatment of etching chambers using activated cleaning gas |
US6013191A (en) | 1997-10-27 | 2000-01-11 | Advanced Refractory Technologies, Inc. | Method of polishing CVD diamond films by oxygen plasma |
US6136693A (en) | 1997-10-27 | 2000-10-24 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Method for planarized interconnect vias using electroless plating and CMP |
WO1999026277A1 (en) | 1997-11-17 | 1999-05-27 | Mattson Technology, Inc. | Systems and methods for plasma enhanced processing of semiconductor wafers |
US6063712A (en) | 1997-11-25 | 2000-05-16 | Micron Technology, Inc. | Oxide etch and method of etching |
US5849639A (en) | 1997-11-26 | 1998-12-15 | Lucent Technologies Inc. | Method for removing etching residues and contaminants |
US6136165A (en) | 1997-11-26 | 2000-10-24 | Cvc Products, Inc. | Apparatus for inductively-coupled-plasma-enhanced ionized physical-vapor deposition |
US6077780A (en) | 1997-12-03 | 2000-06-20 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for filling high aspect ratio openings of an integrated circuit to minimize electromigration failure |
US5976327A (en) | 1997-12-12 | 1999-11-02 | Applied Materials, Inc. | Step coverage and overhang improvement by pedestal bias voltage modulation |
US6143476A (en) | 1997-12-12 | 2000-11-07 | Applied Materials Inc | Method for high temperature etching of patterned layers using an organic mask stack |
US6083844A (en) | 1997-12-22 | 2000-07-04 | Lam Research Corporation | Techniques for etching an oxide layer |
US6415858B1 (en) | 1997-12-31 | 2002-07-09 | Temptronic Corporation | Temperature control system for a workpiece chuck |
US6406759B1 (en) | 1998-01-08 | 2002-06-18 | The University Of Tennessee Research Corporation | Remote exposure of workpieces using a recirculated plasma |
JPH11204442A (ja) | 1998-01-12 | 1999-07-30 | Tokyo Electron Ltd | 枚葉式の熱処理装置 |
US6140234A (en) | 1998-01-20 | 2000-10-31 | International Business Machines Corporation | Method to selectively fill recesses with conductive metal |
US5932077A (en) | 1998-02-09 | 1999-08-03 | Reynolds Tech Fabricators, Inc. | Plating cell with horizontal product load mechanism |
US6635578B1 (en) | 1998-02-09 | 2003-10-21 | Applied Materials, Inc | Method of operating a dual chamber reactor with neutral density decoupled from ion density |
US6074514A (en) | 1998-02-09 | 2000-06-13 | Applied Materials, Inc. | High selectivity etch using an external plasma discharge |
US6054379A (en) | 1998-02-11 | 2000-04-25 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing a low k dielectric with organo silane |
US6340435B1 (en) | 1998-02-11 | 2002-01-22 | Applied Materials, Inc. | Integrated low K dielectrics and etch stops |
US6186091B1 (en) | 1998-02-11 | 2001-02-13 | Silicon Genesis Corporation | Shielded platen design for plasma immersion ion implantation |
US6627532B1 (en) | 1998-02-11 | 2003-09-30 | Applied Materials, Inc. | Method of decreasing the K value in SiOC layer deposited by chemical vapor deposition |
US6197688B1 (en) | 1998-02-12 | 2001-03-06 | Motorola Inc. | Interconnect structure in a semiconductor device and method of formation |
US6171661B1 (en) | 1998-02-25 | 2001-01-09 | Applied Materials, Inc. | Deposition of copper with increased adhesion |
JP4151862B2 (ja) | 1998-02-26 | 2008-09-17 | キヤノンアネルバ株式会社 | Cvd装置 |
US6892669B2 (en) | 1998-02-26 | 2005-05-17 | Anelva Corporation | CVD apparatus |
US6177222B1 (en) | 1998-03-12 | 2001-01-23 | Xerox Corporation | Coated photographic papers |
US6551939B2 (en) | 1998-03-17 | 2003-04-22 | Anneal Corporation | Plasma surface treatment method and resulting device |
US5920792A (en) | 1998-03-19 | 1999-07-06 | Winbond Electronics Corp | High density plasma enhanced chemical vapor deposition process in combination with chemical mechanical polishing process for preparation and planarization of intemetal dielectric layers |
US6565729B2 (en) | 1998-03-20 | 2003-05-20 | Semitool, Inc. | Method for electrochemically depositing metal on a semiconductor workpiece |
US6197181B1 (en) | 1998-03-20 | 2001-03-06 | Semitool, Inc. | Apparatus and method for electrolytically depositing a metal on a microelectronic workpiece |
US6194038B1 (en) | 1998-03-20 | 2001-02-27 | Applied Materials, Inc. | Method for deposition of a conformal layer on a substrate |
US6602434B1 (en) | 1998-03-27 | 2003-08-05 | Applied Materials, Inc. | Process for etching oxide using hexafluorobutadiene or related fluorocarbons and manifesting a wide process window |
US6203657B1 (en) | 1998-03-31 | 2001-03-20 | Lam Research Corporation | Inductively coupled plasma downstream strip module |
US6395150B1 (en) | 1998-04-01 | 2002-05-28 | Novellus Systems, Inc. | Very high aspect ratio gapfill using HDP |
KR20010042419A (ko) | 1998-04-02 | 2001-05-25 | 조셉 제이. 스위니 | 낮은 k 유전체를 에칭하는 방법 |
US6198616B1 (en) | 1998-04-03 | 2001-03-06 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for supplying a chucking voltage to an electrostatic chuck within a semiconductor wafer processing system |
US6117245A (en) | 1998-04-08 | 2000-09-12 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for controlling cooling and heating fluids for a gas distribution plate |
US6113771A (en) | 1998-04-21 | 2000-09-05 | Applied Materials, Inc. | Electro deposition chemistry |
US6416647B1 (en) | 1998-04-21 | 2002-07-09 | Applied Materials, Inc. | Electro-chemical deposition cell for face-up processing of single semiconductor substrates |
US6179924B1 (en) | 1998-04-28 | 2001-01-30 | Applied Materials, Inc. | Heater for use in substrate processing apparatus to deposit tungsten |
US6093594A (en) | 1998-04-29 | 2000-07-25 | Advanced Micro Devices, Inc. | CMOS optimization method utilizing sacrificial sidewall spacer |
US6081414A (en) | 1998-05-01 | 2000-06-27 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for improved biasing and retaining of a workpiece in a workpiece processing system |
US6030881A (en) | 1998-05-05 | 2000-02-29 | Novellus Systems, Inc. | High throughput chemical vapor deposition process capable of filling high aspect ratio structures |
US6218288B1 (en) | 1998-05-11 | 2001-04-17 | Micron Technology, Inc. | Multiple step methods for forming conformal layers |
US6509283B1 (en) | 1998-05-13 | 2003-01-21 | National Semiconductor Corporation | Thermal oxidation method utilizing atomic oxygen to reduce dangling bonds in silicon dioxide grown on silicon |
US6007785A (en) * | 1998-05-20 | 1999-12-28 | Academia Sinica | Apparatus for efficient ozone generation |
DE69835276T2 (de) | 1998-05-22 | 2007-07-12 | Applied Materials, Inc., Santa Clara | Verfahren zur Herstellung einer selbst-planarisierten dielektrischen Schicht für eine seichte Grabenisolation |
KR100296137B1 (ko) | 1998-06-16 | 2001-08-07 | 박종섭 | 보호막으로서고밀도플라즈마화학기상증착에의한절연막을갖는반도체소자제조방법 |
US6086677A (en) | 1998-06-16 | 2000-07-11 | Applied Materials, Inc. | Dual gas faceplate for a showerhead in a semiconductor wafer processing system |
JP2000012514A (ja) | 1998-06-19 | 2000-01-14 | Hitachi Ltd | 後処理方法 |
US6147009A (en) | 1998-06-29 | 2000-11-14 | International Business Machines Corporation | Hydrogenated oxidized silicon carbon material |
US6562128B1 (en) | 2001-11-28 | 2003-05-13 | Seh America, Inc. | In-situ post epitaxial treatment process |
DE69929607T2 (de) | 1998-06-30 | 2006-07-27 | Semitool, Inc., Kalispell | Metallisierungsstrukturen für mikroelektronische anwendungen und verfahren zur herstellung dieser strukturen |
US6037018A (en) | 1998-07-01 | 2000-03-14 | Taiwan Semiconductor Maufacturing Company | Shallow trench isolation filled by high density plasma chemical vapor deposition |
US6248429B1 (en) | 1998-07-06 | 2001-06-19 | Micron Technology, Inc. | Metallized recess in a substrate |
JP2000026975A (ja) | 1998-07-09 | 2000-01-25 | Komatsu Ltd | 表面処理装置 |
KR100265866B1 (ko) | 1998-07-11 | 2000-12-01 | 황철주 | 반도체 제조장치 |
US6182603B1 (en) | 1998-07-13 | 2001-02-06 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Surface-treated shower head for use in a substrate processing chamber |
US6063683A (en) | 1998-07-27 | 2000-05-16 | Acer Semiconductor Manufacturing, Inc. | Method of fabricating a self-aligned crown-shaped capacitor for high density DRAM cells |
US6436816B1 (en) | 1998-07-31 | 2002-08-20 | Industrial Technology Research Institute | Method of electroless plating copper on nitride barrier |
US6074954A (en) | 1998-08-31 | 2000-06-13 | Applied Materials, Inc | Process for control of the shape of the etch front in the etching of polysilicon |
US6383951B1 (en) | 1998-09-03 | 2002-05-07 | Micron Technology, Inc. | Low dielectric constant material for integrated circuit fabrication |
US6440863B1 (en) | 1998-09-04 | 2002-08-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Plasma etch method for forming patterned oxygen containing plasma etchable layer |
US6165912A (en) | 1998-09-17 | 2000-12-26 | Cfmt, Inc. | Electroless metal deposition of electronic components in an enclosable vessel |
US6037266A (en) | 1998-09-28 | 2000-03-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method for patterning a polysilicon gate with a thin gate oxide in a polysilicon etcher |
JP3725708B2 (ja) | 1998-09-29 | 2005-12-14 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
US6277733B1 (en) | 1998-10-05 | 2001-08-21 | Texas Instruments Incorporated | Oxygen-free, dry plasma process for polymer removal |
JP3764594B2 (ja) | 1998-10-12 | 2006-04-12 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理方法 |
US6180523B1 (en) | 1998-10-13 | 2001-01-30 | Industrial Technology Research Institute | Copper metallization of USLI by electroless process |
US6228758B1 (en) | 1998-10-14 | 2001-05-08 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of making dual damascene conductive interconnections and integrated circuit device comprising same |
US6251802B1 (en) | 1998-10-19 | 2001-06-26 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming carbon-containing layers |
US6107199A (en) | 1998-10-24 | 2000-08-22 | International Business Machines Corporation | Method for improving the morphology of refractory metal thin films |
JP3064268B2 (ja) | 1998-10-29 | 2000-07-12 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 成膜方法及び装置 |
US6176198B1 (en) | 1998-11-02 | 2001-01-23 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for depositing low K dielectric materials |
US6462371B1 (en) | 1998-11-24 | 2002-10-08 | Micron Technology Inc. | Films doped with carbon for use in integrated circuit technology |
US6203863B1 (en) | 1998-11-27 | 2001-03-20 | United Microelectronics Corp. | Method of gap filling |
US6251236B1 (en) | 1998-11-30 | 2001-06-26 | Applied Materials, Inc. | Cathode contact ring for electrochemical deposition |
US6228233B1 (en) | 1998-11-30 | 2001-05-08 | Applied Materials, Inc. | Inflatable compliant bladder assembly |
US6258220B1 (en) | 1998-11-30 | 2001-07-10 | Applied Materials, Inc. | Electro-chemical deposition system |
US6015747A (en) | 1998-12-07 | 2000-01-18 | Advanced Micro Device | Method of metal/polysilicon gate formation in a field effect transistor |
US6242349B1 (en) | 1998-12-09 | 2001-06-05 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of forming copper/copper alloy interconnection with reduced electromigration |
US6364954B2 (en) | 1998-12-14 | 2002-04-02 | Applied Materials, Inc. | High temperature chemical vapor deposition chamber |
EP1014434B1 (de) | 1998-12-24 | 2008-03-26 | ATMEL Germany GmbH | Verfahren zum anisotropen plasmachemischen Trockenätzen von Siliziumnitrid-Schichten mittels eines Fluor-enthaltenden Gasgemisches |
KR20000044928A (ko) | 1998-12-30 | 2000-07-15 | 김영환 | 반도체 소자의 트랜치 형성 방법 |
DE19901210A1 (de) | 1999-01-14 | 2000-07-27 | Siemens Ag | Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
US6499425B1 (en) | 1999-01-22 | 2002-12-31 | Micron Technology, Inc. | Quasi-remote plasma processing method and apparatus |
TW428256B (en) | 1999-01-25 | 2001-04-01 | United Microelectronics Corp | Structure of conducting-wire layer and its fabricating method |
JP3330554B2 (ja) | 1999-01-27 | 2002-09-30 | 松下電器産業株式会社 | エッチング方法 |
US6245669B1 (en) | 1999-02-05 | 2001-06-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | High selectivity Si-rich SiON etch-stop layer |
US6010962A (en) | 1999-02-12 | 2000-01-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Copper chemical-mechanical-polishing (CMP) dishing |
US6245670B1 (en) | 1999-02-19 | 2001-06-12 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for filling a dual damascene opening having high aspect ratio to minimize electromigration failure |
TW469534B (en) | 1999-02-23 | 2001-12-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Plasma processing method and apparatus |
US6291282B1 (en) | 1999-02-26 | 2001-09-18 | Texas Instruments Incorporated | Method of forming dual metal gate structures or CMOS devices |
US6136163A (en) | 1999-03-05 | 2000-10-24 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for electro-chemical deposition with thermal anneal chamber |
US6312995B1 (en) | 1999-03-08 | 2001-11-06 | Advanced Micro Devices, Inc. | MOS transistor with assisted-gates and ultra-shallow “Psuedo” source and drain extensions for ultra-large-scale integration |
US6197705B1 (en) | 1999-03-18 | 2001-03-06 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Method of silicon oxide and silicon glass films deposition |
US6797189B2 (en) | 1999-03-25 | 2004-09-28 | Hoiman (Raymond) Hung | Enhancement of silicon oxide etch rate and nitride selectivity using hexafluorobutadiene or other heavy perfluorocarbon |
US6238582B1 (en) | 1999-03-30 | 2001-05-29 | Veeco Instruments, Inc. | Reactive ion beam etching method and a thin film head fabricated using the method |
US6144099A (en) | 1999-03-30 | 2000-11-07 | Advanced Micro Devices, Inc. | Semiconductor metalization barrier |
JP2000290777A (ja) | 1999-04-07 | 2000-10-17 | Tokyo Electron Ltd | ガス処理装置、バッフル部材、及びガス処理方法 |
US6263830B1 (en) | 1999-04-12 | 2001-07-24 | Matrix Integrated Systems, Inc. | Microwave choke for remote plasma generator |
US6099697A (en) | 1999-04-13 | 2000-08-08 | Applied Materials, Inc. | Method of and apparatus for restoring a support surface in a semiconductor wafer processing system |
US6110836A (en) | 1999-04-22 | 2000-08-29 | Applied Materials, Inc. | Reactive plasma etch cleaning of high aspect ratio openings |
US6110832A (en) | 1999-04-28 | 2000-08-29 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for slurry polishing |
US6541671B1 (en) | 2002-02-13 | 2003-04-01 | The Regents Of The University Of California | Synthesis of 2H- and 13C-substituted dithanes |
JP3099066B1 (ja) | 1999-05-07 | 2000-10-16 | 東京工業大学長 | 薄膜構造体の製造方法 |
JP3482904B2 (ja) | 1999-05-10 | 2004-01-06 | 松下電器産業株式会社 | プラズマ処理方法及び装置 |
EP1198610A4 (en) * | 1999-05-14 | 2004-04-07 | Univ California | PLASMA POWER GENERATING DEVICE WITH A LARGE PRESSURE RANGE AT LOW TEMPERATURES |
US7091605B2 (en) * | 2001-09-21 | 2006-08-15 | Eastman Kodak Company | Highly moisture-sensitive electronic device element and method for fabrication |
US6129829A (en) * | 1999-05-14 | 2000-10-10 | Thompson; Donald E. | Electrostatic filter for dielectric fluid |
JP2000331993A (ja) * | 1999-05-19 | 2000-11-30 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマ処理装置 |
US6323128B1 (en) | 1999-05-26 | 2001-11-27 | International Business Machines Corporation | Method for forming Co-W-P-Au films |
JP3320685B2 (ja) | 1999-06-02 | 2002-09-03 | 株式会社半導体先端テクノロジーズ | 微細パターン形成方法 |
US6916399B1 (en) | 1999-06-03 | 2005-07-12 | Applied Materials Inc | Temperature controlled window with a fluid supply system |
US6565661B1 (en) | 1999-06-04 | 2003-05-20 | Simplus Systems Corporation | High flow conductance and high thermal conductance showerhead system and method |
US20020033233A1 (en) | 1999-06-08 | 2002-03-21 | Stephen E. Savas | Icp reactor having a conically-shaped plasma-generating section |
US6174812B1 (en) | 1999-06-08 | 2001-01-16 | United Microelectronics Corp. | Copper damascene technology for ultra large scale integration circuits |
US6367413B1 (en) | 1999-06-15 | 2002-04-09 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for monitoring substrate biasing during plasma processing of a substrate |
US6821571B2 (en) | 1999-06-18 | 2004-11-23 | Applied Materials Inc. | Plasma treatment to enhance adhesion and to minimize oxidation of carbon-containing layers |
US6161576A (en) | 1999-06-23 | 2000-12-19 | Mks Instruments, Inc. | Integrated turbo pump and control valve system |
US6110530A (en) | 1999-06-25 | 2000-08-29 | Applied Materials, Inc. | CVD method of depositing copper films by using improved organocopper precursor blend |
US6277752B1 (en) | 1999-06-28 | 2001-08-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Multiple etch method for forming residue free patterned hard mask layer |
FR2795555B1 (fr) | 1999-06-28 | 2002-12-13 | France Telecom | Procede de fabrication d'un dispositif semi-conducteur comprenant un empilement forme alternativement de couches de silicium et de couches de materiau dielectrique |
US6245192B1 (en) | 1999-06-30 | 2001-06-12 | Lam Research Corporation | Gas distribution apparatus for semiconductor processing |
US6415736B1 (en) | 1999-06-30 | 2002-07-09 | Lam Research Corporation | Gas distribution apparatus for semiconductor processing |
US6516815B1 (en) | 1999-07-09 | 2003-02-11 | Applied Materials, Inc. | Edge bead removal/spin rinse dry (EBR/SRD) module |
US6352081B1 (en) | 1999-07-09 | 2002-03-05 | Applied Materials, Inc. | Method of cleaning a semiconductor device processing chamber after a copper etch process |
US6258223B1 (en) | 1999-07-09 | 2001-07-10 | Applied Materials, Inc. | In-situ electroless copper seed layer enhancement in an electroplating system |
US6351013B1 (en) | 1999-07-13 | 2002-02-26 | Advanced Micro Devices, Inc. | Low-K sub spacer pocket formation for gate capacitance reduction |
US6342733B1 (en) | 1999-07-27 | 2002-01-29 | International Business Machines Corporation | Reduced electromigration and stressed induced migration of Cu wires by surface coating |
US6281135B1 (en) | 1999-08-05 | 2001-08-28 | Axcelis Technologies, Inc. | Oxygen free plasma stripping process |
US6237527B1 (en) | 1999-08-06 | 2001-05-29 | Axcelis Technologies, Inc. | System for improving energy purity and implant consistency, and for minimizing charge accumulation of an implanted substrate |
US6235643B1 (en) | 1999-08-10 | 2001-05-22 | Applied Materials, Inc. | Method for etching a trench having rounded top and bottom corners in a silicon substrate |
CN100371491C (zh) | 1999-08-17 | 2008-02-27 | 东京电子株式会社 | 脉冲等离子体处理方法及其设备 |
JP4220075B2 (ja) | 1999-08-20 | 2009-02-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法および成膜装置 |
US6322716B1 (en) | 1999-08-30 | 2001-11-27 | Cypress Semiconductor Corp. | Method for conditioning a plasma etch chamber |
US6375748B1 (en) | 1999-09-01 | 2002-04-23 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for preventing edge deposition |
US6441492B1 (en) | 1999-09-10 | 2002-08-27 | James A. Cunningham | Diffusion barriers for copper interconnect systems |
US6548414B2 (en) | 1999-09-14 | 2003-04-15 | Infineon Technologies Ag | Method of plasma etching thin films of difficult to dry etch materials |
JP3514186B2 (ja) | 1999-09-16 | 2004-03-31 | 日新電機株式会社 | 薄膜形成方法及び装置 |
US6503843B1 (en) | 1999-09-21 | 2003-01-07 | Applied Materials, Inc. | Multistep chamber cleaning and film deposition process using a remote plasma that also enhances film gap fill |
US6432819B1 (en) | 1999-09-27 | 2002-08-13 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus of forming a sputtered doped seed layer |
US6287643B1 (en) | 1999-09-30 | 2001-09-11 | Novellus Systems, Inc. | Apparatus and method for injecting and modifying gas concentration of a meta-stable or atomic species in a downstream plasma reactor |
US6153935A (en) | 1999-09-30 | 2000-11-28 | International Business Machines Corporation | Dual etch stop/diffusion barrier for damascene interconnects |
US6321587B1 (en) | 1999-10-15 | 2001-11-27 | Radian International Llc | Solid state fluorine sensor system and method |
US6423284B1 (en) | 1999-10-18 | 2002-07-23 | Advanced Technology Materials, Inc. | Fluorine abatement using steam injection in oxidation treatment of semiconductor manufacturing effluent gases |
US6364949B1 (en) | 1999-10-19 | 2002-04-02 | Applied Materials, Inc. | 300 mm CVD chamber design for metal-organic thin film deposition |
KR100338768B1 (ko) | 1999-10-25 | 2002-05-30 | 윤종용 | 산화막 제거방법 및 산화막 제거를 위한 반도체 제조 장치 |
US20010041444A1 (en) | 1999-10-29 | 2001-11-15 | Jeffrey A. Shields | Tin contact barc for tungsten polished contacts |
DE29919142U1 (de) | 1999-10-30 | 2001-03-08 | Agrodyn Hochspannungstechnik G | Plasmadüse |
US6551924B1 (en) | 1999-11-02 | 2003-04-22 | International Business Machines Corporation | Post metalization chem-mech polishing dielectric etch |
KR20010051575A (ko) | 1999-11-09 | 2001-06-25 | 조셉 제이. 스위니 | 살리사이드 처리를 위한 화학적 플라즈마 세정 |
JP3366301B2 (ja) | 1999-11-10 | 2003-01-14 | 日本電気株式会社 | プラズマcvd装置 |
US6162302A (en) | 1999-11-16 | 2000-12-19 | Agilent Technologies | Method of cleaning quartz substrates using conductive solutions |
US8114245B2 (en) * | 1999-11-26 | 2012-02-14 | Tadahiro Ohmi | Plasma etching device |
US6599842B2 (en) | 1999-11-29 | 2003-07-29 | Applied Materials, Inc. | Method for rounding corners and removing damaged outer surfaces of a trench |
WO2001040537A1 (en) | 1999-11-30 | 2001-06-07 | The Regents Of The University Of California | Method for producing fluorinated diamond-like carbon films |
TW484170B (en) | 1999-11-30 | 2002-04-21 | Applied Materials Inc | Integrated modular processing platform |
US6342453B1 (en) | 1999-12-03 | 2002-01-29 | Applied Materials, Inc. | Method for CVD process control for enhancing device performance |
DE10060002B4 (de) | 1999-12-07 | 2016-01-28 | Komatsu Ltd. | Vorrichtung zur Oberflächenbehandlung |
TW514996B (en) | 1999-12-10 | 2002-12-21 | Tokyo Electron Ltd | Processing apparatus with a chamber having therein a high-corrosion-resistant sprayed film |
JP3659101B2 (ja) | 1999-12-13 | 2005-06-15 | 富士ゼロックス株式会社 | 窒化物半導体素子及びその製造方法 |
JP4695238B2 (ja) | 1999-12-14 | 2011-06-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 圧力制御方法 |
US6277763B1 (en) | 1999-12-16 | 2001-08-21 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing of tungsten using a gas mixture comprising a fluorinated gas and oxygen |
US6225745B1 (en) | 1999-12-17 | 2001-05-01 | Axcelis Technologies, Inc. | Dual plasma source for plasma process chamber |
US6350697B1 (en) | 1999-12-22 | 2002-02-26 | Lam Research Corporation | Method of cleaning and conditioning plasma reaction chamber |
US6534809B2 (en) | 1999-12-22 | 2003-03-18 | Agilent Technologies, Inc. | Hardmask designs for dry etching FeRAM capacitor stacks |
WO2001046492A1 (en) | 1999-12-22 | 2001-06-28 | Tokyo Electron Limited | Method and system for reducing damage to substrates during plasma processing with a resonator source |
US6238513B1 (en) | 1999-12-28 | 2001-05-29 | International Business Machines Corporation | Wafer lift assembly |
KR20010058774A (ko) | 1999-12-30 | 2001-07-06 | 박종섭 | 반도체 소자의 제조 방법 |
KR100767762B1 (ko) | 2000-01-18 | 2007-10-17 | 에이에스엠 저펜 가부시기가이샤 | 자가 세정을 위한 원격 플라즈마 소스를 구비한 cvd 반도체 공정장치 |
US6477980B1 (en) | 2000-01-20 | 2002-11-12 | Applied Materials, Inc. | Flexibly suspended gas distribution manifold for plasma chamber |
US6772827B2 (en) | 2000-01-20 | 2004-08-10 | Applied Materials, Inc. | Suspended gas distribution manifold for plasma chamber |
US6656831B1 (en) | 2000-01-26 | 2003-12-02 | Applied Materials, Inc. | Plasma-enhanced chemical vapor deposition of a metal nitride layer |
US6494959B1 (en) | 2000-01-28 | 2002-12-17 | Applied Materials, Inc. | Process and apparatus for cleaning a silicon surface |
JP3723712B2 (ja) | 2000-02-10 | 2005-12-07 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
US6743473B1 (en) | 2000-02-16 | 2004-06-01 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition of barriers from novel precursors |
US6573030B1 (en) | 2000-02-17 | 2003-06-03 | Applied Materials, Inc. | Method for depositing an amorphous carbon layer |
US6350320B1 (en) | 2000-02-22 | 2002-02-26 | Applied Materials, Inc. | Heater for processing chamber |
US6319766B1 (en) | 2000-02-22 | 2001-11-20 | Applied Materials, Inc. | Method of tantalum nitride deposition by tantalum oxide densification |
US6391788B1 (en) | 2000-02-25 | 2002-05-21 | Applied Materials, Inc. | Two etchant etch method |
US6958098B2 (en) | 2000-02-28 | 2005-10-25 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor wafer support lift-pin assembly |
JP2001319885A (ja) | 2000-03-02 | 2001-11-16 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置及び半導体製造方法 |
JP3979791B2 (ja) | 2000-03-08 | 2007-09-19 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置およびその製造方法 |
US6537707B1 (en) | 2000-03-15 | 2003-03-25 | Agilent Technologies, Inc. | Two-stage roughing and controlled deposition rates for fabricating laser ablation masks |
US6528751B1 (en) | 2000-03-17 | 2003-03-04 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with overhead RF electrode tuned to the plasma |
US6900596B2 (en) * | 2002-07-09 | 2005-05-31 | Applied Materials, Inc. | Capacitively coupled plasma reactor with uniform radial distribution of plasma |
US6527968B1 (en) | 2000-03-27 | 2003-03-04 | Applied Materials Inc. | Two-stage self-cleaning silicon etch process |
JP3433721B2 (ja) | 2000-03-28 | 2003-08-04 | ティーディーケイ株式会社 | ドライエッチング方法及び微細加工方法 |
JP2003529926A (ja) | 2000-03-30 | 2003-10-07 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理システム内への調整可能なガス注入のための方法及び装置 |
JP4056195B2 (ja) | 2000-03-30 | 2008-03-05 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体集積回路装置の製造方法 |
DE10016340C1 (de) | 2000-03-31 | 2001-12-06 | Promos Technologies Inc | Verfahren zur Herstellung von flaschenförmigen Tiefgräben zur Verwendung in Halbleitervorrichtungen |
US6558564B1 (en) | 2000-04-05 | 2003-05-06 | Applied Materials Inc. | Plasma energy control by inducing plasma instability |
JP2001355074A (ja) | 2000-04-10 | 2001-12-25 | Sony Corp | 無電解メッキ処理方法およびその装置 |
US7892974B2 (en) | 2000-04-11 | 2011-02-22 | Cree, Inc. | Method of forming vias in silicon carbide and resulting devices and circuits |
KR20010096229A (ko) | 2000-04-18 | 2001-11-07 | 황 철 주 | 반도체 소자의 극박막 형성장치 및 그 형성방법 |
US6762129B2 (en) | 2000-04-19 | 2004-07-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dry etching method, fabrication method for semiconductor device, and dry etching apparatus |
JP2001308023A (ja) | 2000-04-21 | 2001-11-02 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置及び方法 |
US6458718B1 (en) | 2000-04-28 | 2002-10-01 | Asm Japan K.K. | Fluorine-containing materials and processes |
US6387207B1 (en) | 2000-04-28 | 2002-05-14 | Applied Materials, Inc. | Integration of remote plasma generator with semiconductor processing chamber |
JP2001313282A (ja) | 2000-04-28 | 2001-11-09 | Nec Corp | ドライエッチング方法 |
KR100367662B1 (ko) * | 2000-05-02 | 2003-01-10 | 주식회사 셈테크놀러지 | 하이퍼서멀 중성입자 발생 장치 및 이를 채용하는 중성입자 처리 장치 |
JP3662472B2 (ja) | 2000-05-09 | 2005-06-22 | エム・エフエスアイ株式会社 | 基板表面の処理方法 |
EP1435654A3 (en) | 2000-05-10 | 2004-07-14 | Ibiden Co., Ltd. | Electrostatic chuck |
US6679981B1 (en) | 2000-05-11 | 2004-01-20 | Applied Materials, Inc. | Inductive plasma loop enhancing magnetron sputtering |
JP4896337B2 (ja) * | 2000-05-17 | 2012-03-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置およびそのメンテナンス方法,処理装置部品の組立機構およびその組立方法,ロック機構およびそのロック方法 |
JP3448737B2 (ja) | 2000-05-25 | 2003-09-22 | 住友重機械工業株式会社 | ウエハーチャック用冷却板及びウエハーチャック |
US6418874B1 (en) | 2000-05-25 | 2002-07-16 | Applied Materials, Inc. | Toroidal plasma source for plasma processing |
US6645585B2 (en) | 2000-05-30 | 2003-11-11 | Kyocera Corporation | Container for treating with corrosive-gas and plasma and method for manufacturing the same |
US6335261B1 (en) | 2000-05-31 | 2002-01-01 | International Business Machines Corporation | Directional CVD process with optimized etchback |
JP2002194547A (ja) | 2000-06-08 | 2002-07-10 | Applied Materials Inc | アモルファスカーボン層の堆積方法 |
US6729081B2 (en) | 2000-06-09 | 2004-05-04 | United Solar Systems Corporation | Self-adhesive photovoltaic module |
KR20010111058A (ko) | 2000-06-09 | 2001-12-15 | 조셉 제이. 스위니 | 전체 영역 온도 제어 정전기 척 및 그 제조방법 |
US6603269B1 (en) | 2000-06-13 | 2003-08-05 | Applied Materials, Inc. | Resonant chamber applicator for remote plasma source |
US6509623B2 (en) | 2000-06-15 | 2003-01-21 | Newport Fab, Llc | Microelectronic air-gap structures and methods of forming the same |
US6391753B1 (en) | 2000-06-20 | 2002-05-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Process for forming gate conductors |
US6645550B1 (en) | 2000-06-22 | 2003-11-11 | Applied Materials, Inc. | Method of treating a substrate |
KR100767294B1 (ko) | 2000-06-23 | 2007-10-16 | 캐논 아네르바 가부시키가이샤 | Cvd장치 |
US6620723B1 (en) | 2000-06-27 | 2003-09-16 | Applied Materials, Inc. | Formation of boride barrier layers using chemisorption techniques |
JP4371543B2 (ja) | 2000-06-29 | 2009-11-25 | 日本電気株式会社 | リモートプラズマcvd装置及び膜形成方法 |
US6303418B1 (en) | 2000-06-30 | 2001-10-16 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Method of fabricating CMOS devices featuring dual gate structures and a high dielectric constant gate insulator layer |
DE10032607B4 (de) | 2000-07-07 | 2004-08-12 | Leo Elektronenmikroskopie Gmbh | Teilchenstrahlgerät mit einer im Ultrahochvakuum zu betreibenden Teilchenquelle und kaskadenförmige Pumpanordnung für ein solches Teilchenstrahlgerät |
US6440870B1 (en) | 2000-07-12 | 2002-08-27 | Applied Materials, Inc. | Method of etching tungsten or tungsten nitride electrode gates in semiconductor structures |
US6794311B2 (en) | 2000-07-14 | 2004-09-21 | Applied Materials Inc. | Method and apparatus for treating low k dielectric layers to reduce diffusion |
KR100366623B1 (ko) | 2000-07-18 | 2003-01-09 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 기판 또는 lcd 기판의 세정방법 |
US6764958B1 (en) | 2000-07-28 | 2004-07-20 | Applied Materials Inc. | Method of depositing dielectric films |
US6939434B2 (en) | 2000-08-11 | 2005-09-06 | Applied Materials, Inc. | Externally excited torroidal plasma source with magnetic control of ion distribution |
US6677242B1 (en) | 2000-08-12 | 2004-01-13 | Applied Materials Inc. | Integrated shallow trench isolation approach |
US6800830B2 (en) | 2000-08-18 | 2004-10-05 | Hitachi Kokusai Electric, Inc. | Chemistry for boron diffusion barrier layer and method of application in semiconductor device fabrication |
US6446572B1 (en) | 2000-08-18 | 2002-09-10 | Tokyo Electron Limited | Embedded plasma source for plasma density improvement |
US6335288B1 (en) | 2000-08-24 | 2002-01-01 | Applied Materials, Inc. | Gas chemistry cycling to achieve high aspect ratio gapfill with HDP-CVD |
US6459066B1 (en) | 2000-08-25 | 2002-10-01 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Transmission line based inductively coupled plasma source with stable impedance |
US6372657B1 (en) | 2000-08-31 | 2002-04-16 | Micron Technology, Inc. | Method for selective etching of oxides |
JP4484345B2 (ja) | 2000-09-11 | 2010-06-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
US7308431B2 (en) | 2000-09-11 | 2007-12-11 | Nokia Corporation | System and method of secure authentication and billing for goods and services using a cellular telecommunication and an authorization infrastructure |
US6465366B1 (en) | 2000-09-12 | 2002-10-15 | Applied Materials, Inc. | Dual frequency plasma enhanced chemical vapor deposition of silicon carbide layers |
JP2002100578A (ja) | 2000-09-25 | 2002-04-05 | Crystage Co Ltd | 薄膜形成装置 |
JP4717295B2 (ja) | 2000-10-04 | 2011-07-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | ドライエッチング装置及びエッチング方法 |
US6461974B1 (en) | 2000-10-06 | 2002-10-08 | Lam Research Corporation | High temperature tungsten etching process |
DK200001497A (da) | 2000-10-08 | 2002-04-09 | Scanavo As | Opbevaringsindretning for en databærer |
KR100375102B1 (ko) | 2000-10-18 | 2003-03-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 제조에서 화학 기상 증착 방법 및 이를수행하기 위한 장치 |
US6403491B1 (en) | 2000-11-01 | 2002-06-11 | Applied Materials, Inc. | Etch method using a dielectric etch chamber with expanded process window |
US6610362B1 (en) | 2000-11-20 | 2003-08-26 | Intel Corporation | Method of forming a carbon doped oxide layer on a substrate |
KR100382725B1 (ko) | 2000-11-24 | 2003-05-09 | 삼성전자주식회사 | 클러스터화된 플라즈마 장치에서의 반도체소자의 제조방법 |
AUPR179500A0 (en) | 2000-11-30 | 2000-12-21 | Saintech Pty Limited | Ion source |
US6291348B1 (en) | 2000-11-30 | 2001-09-18 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of forming Cu-Ca-O thin films on Cu surfaces in a chemical solution and semiconductor device thereby formed |
US6544340B2 (en) | 2000-12-08 | 2003-04-08 | Applied Materials, Inc. | Heater with detachable ceramic top plate |
US6448537B1 (en) | 2000-12-11 | 2002-09-10 | Eric Anton Nering | Single-wafer process chamber thermal convection processes |
US6461972B1 (en) | 2000-12-22 | 2002-10-08 | Lsi Logic Corporation | Integrated circuit fabrication dual plasma process with separate introduction of different gases into gas flow |
US6537429B2 (en) | 2000-12-29 | 2003-03-25 | Lam Research Corporation | Diamond coatings on reactor wall and method of manufacturing thereof |
US6533910B2 (en) | 2000-12-29 | 2003-03-18 | Lam Research Corporation | Carbonitride coated component of semiconductor processing equipment and method of manufacturing thereof |
US6500772B2 (en) | 2001-01-08 | 2002-12-31 | International Business Machines Corporation | Methods and materials for depositing films on semiconductor substrates |
US20020124867A1 (en) | 2001-01-08 | 2002-09-12 | Apl Co., Ltd. | Apparatus and method for surface cleaning using plasma |
FR2819341B1 (fr) | 2001-01-11 | 2003-06-27 | St Microelectronics Sa | Procede d'integration d'une cellule dram |
US6879981B2 (en) | 2001-01-16 | 2005-04-12 | Corigin Ltd. | Sharing live data with a non cooperative DBMS |
US6849854B2 (en) | 2001-01-18 | 2005-02-01 | Saintech Pty Ltd. | Ion source |
JP4644943B2 (ja) | 2001-01-23 | 2011-03-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
US6743732B1 (en) | 2001-01-26 | 2004-06-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Organic low K dielectric etch with NH3 chemistry |
JP2002222934A (ja) | 2001-01-29 | 2002-08-09 | Nec Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
US6893969B2 (en) | 2001-02-12 | 2005-05-17 | Lam Research Corporation | Use of ammonia for etching organic low-k dielectrics |
US6537733B2 (en) | 2001-02-23 | 2003-03-25 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing low dielectric constant silicon carbide layers |
JP2002256235A (ja) | 2001-03-01 | 2002-09-11 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着シート、半導体装置の製造方法および半導体装置 |
US6878206B2 (en) | 2001-07-16 | 2005-04-12 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques |
US6348407B1 (en) | 2001-03-15 | 2002-02-19 | Chartered Semiconductor Manufacturing Inc. | Method to improve adhesion of organic dielectrics in dual damascene interconnects |
KR100423953B1 (ko) | 2001-03-19 | 2004-03-24 | 디지웨이브 테크놀러지스 주식회사 | 화학기상증착장치 |
JP3924483B2 (ja) | 2001-03-19 | 2007-06-06 | アイピーエス リミテッド | 化学気相蒸着装置 |
JP5013353B2 (ja) | 2001-03-28 | 2012-08-29 | 隆 杉野 | 成膜方法及び成膜装置 |
US20020177321A1 (en) | 2001-03-30 | 2002-11-28 | Li Si Yi | Plasma etching of silicon carbide |
US6670278B2 (en) | 2001-03-30 | 2003-12-30 | Lam Research Corporation | Method of plasma etching of silicon carbide |
US7084070B1 (en) | 2001-03-30 | 2006-08-01 | Lam Research Corporation | Treatment for corrosion in substrate processing |
FR2823032B1 (fr) | 2001-04-03 | 2003-07-11 | St Microelectronics Sa | Resonateur electromecanique a poutre vibrante |
US20020144657A1 (en) | 2001-04-05 | 2002-10-10 | Chiang Tony P. | ALD reactor employing electrostatic chuck |
JP3707394B2 (ja) | 2001-04-06 | 2005-10-19 | ソニー株式会社 | 無電解メッキ方法 |
US6761796B2 (en) | 2001-04-06 | 2004-07-13 | Axcelis Technologies, Inc. | Method and apparatus for micro-jet enabled, low-energy ion generation transport in plasma processing |
US20030019428A1 (en) | 2001-04-28 | 2003-01-30 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition chamber |
US6914009B2 (en) | 2001-05-07 | 2005-07-05 | Applied Materials Inc | Method of making small transistor lengths |
US6740601B2 (en) | 2001-05-11 | 2004-05-25 | Applied Materials Inc. | HDP-CVD deposition process for filling high aspect ratio gaps |
JP4720019B2 (ja) | 2001-05-18 | 2011-07-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 冷却機構及び処理装置 |
DE10222083B4 (de) | 2001-05-18 | 2010-09-23 | Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon | Isolationsverfahren für eine Halbleitervorrichtung |
US6717189B2 (en) | 2001-06-01 | 2004-04-06 | Ebara Corporation | Electroless plating liquid and semiconductor device |
US6573606B2 (en) | 2001-06-14 | 2003-06-03 | International Business Machines Corporation | Chip to wiring interface with single metal alloy layer applied to surface of copper interconnect |
DE10296935T5 (de) | 2001-06-14 | 2004-04-22 | Mattson Technology Inc., Fremont | Barrierenverstärkungsprozess für Kupferdurchkontaktierungen(oder Zwischenverbindungen) |
US6506291B2 (en) | 2001-06-14 | 2003-01-14 | Applied Materials, Inc. | Substrate support with multilevel heat transfer mechanism |
US20060191637A1 (en) | 2001-06-21 | 2006-08-31 | John Zajac | Etching Apparatus and Process with Thickness and Uniformity Control |
US6685803B2 (en) * | 2001-06-22 | 2004-02-03 | Applied Materials, Inc. | Plasma treatment of processing gases |
US6770166B1 (en) * | 2001-06-29 | 2004-08-03 | Lam Research Corp. | Apparatus and method for radio frequency de-coupling and bias voltage control in a plasma reactor |
JP2003019433A (ja) | 2001-07-06 | 2003-01-21 | Sekisui Chem Co Ltd | 放電プラズマ処理装置及びそれを用いた処理方法 |
KR100403630B1 (ko) | 2001-07-07 | 2003-10-30 | 삼성전자주식회사 | 고밀도 플라즈마를 이용한 반도체 장치의 층간 절연막 형성방법 |
US6531377B2 (en) | 2001-07-13 | 2003-03-11 | Infineon Technologies Ag | Method for high aspect ratio gap fill using sequential HDP-CVD |
US6596599B1 (en) | 2001-07-16 | 2003-07-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Gate stack for high performance sub-micron CMOS devices |
US20030029715A1 (en) | 2001-07-25 | 2003-02-13 | Applied Materials, Inc. | An Apparatus For Annealing Substrates In Physical Vapor Deposition Systems |
US6846745B1 (en) | 2001-08-03 | 2005-01-25 | Novellus Systems, Inc. | High-density plasma process for filling high aspect ratio structures |
US6596654B1 (en) | 2001-08-24 | 2003-07-22 | Novellus Systems, Inc. | Gap fill for high aspect ratio structures |
JP3914452B2 (ja) | 2001-08-07 | 2007-05-16 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体集積回路装置の製造方法 |
US6984288B2 (en) * | 2001-08-08 | 2006-01-10 | Lam Research Corporation | Plasma processor in plasma confinement region within a vacuum chamber |
TW554069B (en) | 2001-08-10 | 2003-09-21 | Ebara Corp | Plating device and method |
US7179556B2 (en) | 2001-08-10 | 2007-02-20 | Denso Corporation | Fuel cell system |
KR20040018558A (ko) | 2001-08-13 | 2004-03-03 | 가부시키 가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 반도체장치와 그 제조방법 및 도금액 |
US20030038305A1 (en) | 2001-08-21 | 2003-02-27 | Wasshuber Christoph A. | Method for manufacturing and structure of transistor with low-k spacer |
JP2003059914A (ja) | 2001-08-21 | 2003-02-28 | Hitachi Kokusai Electric Inc | プラズマ処理装置 |
US6753506B2 (en) | 2001-08-23 | 2004-06-22 | Axcelis Technologies | System and method of fast ambient switching for rapid thermal processing |
US6762127B2 (en) | 2001-08-23 | 2004-07-13 | Yves Pierre Boiteux | Etch process for dielectric materials comprising oxidized organo silane materials |
WO2003018867A1 (en) | 2001-08-29 | 2003-03-06 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing using an efficiently coupled gas source |
CN100462475C (zh) | 2001-08-29 | 2009-02-18 | 东京电子株式会社 | 用于等离子处理的装置和方法 |
US6796314B1 (en) | 2001-09-07 | 2004-09-28 | Novellus Systems, Inc. | Using hydrogen gas in a post-etch radio frequency-plasma contact cleaning process |
KR100441297B1 (ko) | 2001-09-14 | 2004-07-23 | 주성엔지니어링(주) | 리모트 플라즈마를 이용하는 ccp형 pecvd장치 |
US20030054608A1 (en) | 2001-09-17 | 2003-03-20 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Method for forming shallow trench isolation in semiconductor device |
US6555467B2 (en) | 2001-09-28 | 2003-04-29 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Method of making air gaps copper interconnect |
US6656837B2 (en) | 2001-10-11 | 2003-12-02 | Applied Materials, Inc. | Method of eliminating photoresist poisoning in damascene applications |
AU2002301252B2 (en) | 2001-10-12 | 2007-12-20 | Bayer Aktiengesellschaft | Photovoltaic modules with a thermoplastic hot-melt adhesive layer and a process for their production |
US6855906B2 (en) | 2001-10-16 | 2005-02-15 | Adam Alexander Brailove | Induction plasma reactor |
US20030072639A1 (en) | 2001-10-17 | 2003-04-17 | Applied Materials, Inc. | Substrate support |
KR100433091B1 (ko) | 2001-10-23 | 2004-05-28 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 도전배선 형성방법 |
JP3759895B2 (ja) | 2001-10-24 | 2006-03-29 | 松下電器産業株式会社 | エッチング方法 |
US7780785B2 (en) | 2001-10-26 | 2010-08-24 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery apparatus for atomic layer deposition |
US6916398B2 (en) | 2001-10-26 | 2005-07-12 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery apparatus and method for atomic layer deposition |
US20030087488A1 (en) | 2001-11-07 | 2003-05-08 | Tokyo Electron Limited | Inductively coupled plasma source for improved process uniformity |
JP4040284B2 (ja) | 2001-11-08 | 2008-01-30 | 住友大阪セメント株式会社 | プラズマ発生用電極内蔵型サセプタ及びその製造方法 |
JP2003158080A (ja) | 2001-11-22 | 2003-05-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置、半導体製造装置における堆積物除去方法、および半導体装置の製造方法 |
KR100443121B1 (ko) | 2001-11-29 | 2004-08-04 | 삼성전자주식회사 | 반도체 공정의 수행 방법 및 반도체 공정 장치 |
US6794290B1 (en) | 2001-12-03 | 2004-09-21 | Novellus Systems, Inc. | Method of chemical modification of structure topography |
JP4392852B2 (ja) | 2001-12-07 | 2010-01-06 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置に用いられる排気リング機構及びプラズマ処理装置 |
KR100641762B1 (ko) | 2001-12-07 | 2006-11-06 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 절연막의 질화 방법, 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조방법, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
US6905968B2 (en) | 2001-12-12 | 2005-06-14 | Applied Materials, Inc. | Process for selectively etching dielectric layers |
AU2002353145A1 (en) | 2001-12-13 | 2003-06-30 | Applied Materials, Inc. | Self-aligned contact etch with high sensitivity to nitride shoulder |
US6890850B2 (en) | 2001-12-14 | 2005-05-10 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing dielectric materials in damascene applications |
US6605874B2 (en) | 2001-12-19 | 2003-08-12 | Intel Corporation | Method of making semiconductor device using an interconnect |
WO2003054912A1 (en) * | 2001-12-20 | 2003-07-03 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus comprising a magnetic filter for plasma processing a workpiece |
US20030116439A1 (en) | 2001-12-21 | 2003-06-26 | International Business Machines Corporation | Method for forming encapsulated metal interconnect structures in semiconductor integrated circuit devices |
US20030116087A1 (en) | 2001-12-21 | 2003-06-26 | Nguyen Anh N. | Chamber hardware design for titanium nitride atomic layer deposition |
KR100442167B1 (ko) | 2001-12-26 | 2004-07-30 | 주성엔지니어링(주) | 자연산화막 제거방법 |
KR100484258B1 (ko) | 2001-12-27 | 2005-04-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자 제조 방법 |
US20030124842A1 (en) | 2001-12-27 | 2003-07-03 | Applied Materials, Inc. | Dual-gas delivery system for chemical vapor deposition processes |
US6677247B2 (en) | 2002-01-07 | 2004-01-13 | Applied Materials Inc. | Method of increasing the etch selectivity of a contact sidewall to a preclean etchant |
US6828241B2 (en) | 2002-01-07 | 2004-12-07 | Applied Materials, Inc. | Efficient cleaning by secondary in-situ activation of etch precursor from remote plasma source |
US6942929B2 (en) | 2002-01-08 | 2005-09-13 | Nianci Han | Process chamber having component with yttrium-aluminum coating |
US6827815B2 (en) * | 2002-01-15 | 2004-12-07 | Applied Materials, Inc. | Showerhead assembly for a processing chamber |
JP2003217898A (ja) | 2002-01-16 | 2003-07-31 | Sekisui Chem Co Ltd | 放電プラズマ処理装置 |
US6869880B2 (en) | 2002-01-24 | 2005-03-22 | Applied Materials, Inc. | In situ application of etch back for improved deposition into high-aspect-ratio features |
US6866746B2 (en) | 2002-01-26 | 2005-03-15 | Applied Materials, Inc. | Clamshell and small volume chamber with fixed substrate support |
US6998014B2 (en) | 2002-01-26 | 2006-02-14 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for plasma assisted deposition |
US7138014B2 (en) | 2002-01-28 | 2006-11-21 | Applied Materials, Inc. | Electroless deposition apparatus |
TWI239794B (en) * | 2002-01-30 | 2005-09-11 | Alps Electric Co Ltd | Plasma processing apparatus and method |
US7226504B2 (en) | 2002-01-31 | 2007-06-05 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Method to form thick relaxed SiGe layer with trench structure |
US6632325B2 (en) | 2002-02-07 | 2003-10-14 | Applied Materials, Inc. | Article for use in a semiconductor processing chamber and method of fabricating same |
US6821348B2 (en) | 2002-02-14 | 2004-11-23 | 3M Innovative Properties Company | In-line deposition processes for circuit fabrication |
US7479304B2 (en) | 2002-02-14 | 2009-01-20 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution plate fabricated from a solid yttrium oxide-comprising substrate |
US6656848B1 (en) | 2002-02-22 | 2003-12-02 | Scientific Systems Research Limited | Plasma chamber conditioning |
JP3921234B2 (ja) | 2002-02-28 | 2007-05-30 | キヤノンアネルバ株式会社 | 表面処理装置及びその製造方法 |
US6677167B2 (en) | 2002-03-04 | 2004-01-13 | Hitachi High-Technologies Corporation | Wafer processing apparatus and a wafer stage and a wafer processing method |
US6646233B2 (en) | 2002-03-05 | 2003-11-11 | Hitachi High-Technologies Corporation | Wafer stage for wafer processing apparatus and wafer processing method |
US20060252265A1 (en) | 2002-03-06 | 2006-11-09 | Guangxiang Jin | Etching high-kappa dielectric materials with good high-kappa foot control and silicon recess control |
US20030168174A1 (en) | 2002-03-08 | 2003-09-11 | Foree Michael Todd | Gas cushion susceptor system |
US7252011B2 (en) | 2002-03-11 | 2007-08-07 | Mks Instruments, Inc. | Surface area deposition trap |
JP3813562B2 (ja) | 2002-03-15 | 2006-08-23 | 富士通株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
US7256370B2 (en) | 2002-03-15 | 2007-08-14 | Steed Technology, Inc. | Vacuum thermal annealer |
US6913651B2 (en) | 2002-03-22 | 2005-07-05 | Blue29, Llc | Apparatus and method for electroless deposition of materials on semiconductor substrates |
JP4053326B2 (ja) | 2002-03-27 | 2008-02-27 | 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
US6541397B1 (en) | 2002-03-29 | 2003-04-01 | Applied Materials, Inc. | Removable amorphous carbon CMP stop |
US6843858B2 (en) | 2002-04-02 | 2005-01-18 | Applied Materials, Inc. | Method of cleaning a semiconductor processing chamber |
US20030190426A1 (en) | 2002-04-03 | 2003-10-09 | Deenesh Padhi | Electroless deposition method |
US6921556B2 (en) | 2002-04-12 | 2005-07-26 | Asm Japan K.K. | Method of film deposition using single-wafer-processing type CVD |
US6616967B1 (en) | 2002-04-15 | 2003-09-09 | Texas Instruments Incorporated | Method to achieve continuous hydrogen saturation in sparingly used electroless nickel plating process |
US6897532B1 (en) | 2002-04-15 | 2005-05-24 | Cypress Semiconductor Corp. | Magnetic tunneling junction configuration and a method for making the same |
US7013834B2 (en) * | 2002-04-19 | 2006-03-21 | Nordson Corporation | Plasma treatment system |
KR100448714B1 (ko) | 2002-04-24 | 2004-09-13 | 삼성전자주식회사 | 다층 나노라미네이트 구조를 갖는 반도체 장치의 절연막및 그의 형성방법 |
US6528409B1 (en) | 2002-04-29 | 2003-03-04 | Advanced Micro Devices, Inc. | Interconnect structure formed in porous dielectric material with minimized degradation and electromigration |
US6908862B2 (en) | 2002-05-03 | 2005-06-21 | Applied Materials, Inc. | HDP-CVD dep/etch/dep process for improved deposition into high aspect ratio features |
JP2003324072A (ja) | 2002-05-07 | 2003-11-14 | Nec Electronics Corp | 半導体製造装置 |
TW538497B (en) | 2002-05-16 | 2003-06-21 | Nanya Technology Corp | Method to form a bottle-shaped trench |
US6825051B2 (en) | 2002-05-17 | 2004-11-30 | Asm America, Inc. | Plasma etch resistant coating and process |
JP2003347278A (ja) | 2002-05-23 | 2003-12-05 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置、及び半導体装置の製造方法 |
US6500728B1 (en) | 2002-05-24 | 2002-12-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Shallow trench isolation (STI) module to improve contact etch process window |
US20030224217A1 (en) | 2002-05-31 | 2003-12-04 | Applied Materials, Inc. | Metal nitride formation |
KR100434110B1 (ko) | 2002-06-04 | 2004-06-04 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 제조방법 |
US20030230385A1 (en) | 2002-06-13 | 2003-12-18 | Applied Materials, Inc. | Electro-magnetic configuration for uniformity enhancement in a dual chamber plasma processing system |
KR101019190B1 (ko) | 2002-06-14 | 2011-03-04 | 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 | 산화막 형성 방법 및 산화막 형성 장치 |
US6924191B2 (en) | 2002-06-20 | 2005-08-02 | Applied Materials, Inc. | Method for fabricating a gate structure of a field effect transistor |
DE10229037A1 (de) | 2002-06-28 | 2004-01-29 | Robert Bosch Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Erzeugung von Chlortrifluorid und Anlage zur Ätzung von Halbleitersubstraten mit dieser Vorrichtung |
US20040072446A1 (en) | 2002-07-02 | 2004-04-15 | Applied Materials, Inc. | Method for fabricating an ultra shallow junction of a field effect transistor |
US6767844B2 (en) | 2002-07-03 | 2004-07-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Plasma chamber equipped with temperature-controlled focus ring and method of operating |
US6838125B2 (en) | 2002-07-10 | 2005-01-04 | Applied Materials, Inc. | Method of film deposition using activated precursor gases |
US7357138B2 (en) | 2002-07-18 | 2008-04-15 | Air Products And Chemicals, Inc. | Method for etching high dielectric constant materials and for cleaning deposition chambers for high dielectric constant materials |
US7988398B2 (en) | 2002-07-22 | 2011-08-02 | Brooks Automation, Inc. | Linear substrate transport apparatus |
JP2006509999A (ja) | 2002-08-02 | 2006-03-23 | イー エイ フィシオネ インストルメンツ インコーポレーテッド | 顕微鏡の試料調製方法及び装置 |
US20060040055A1 (en) | 2002-08-06 | 2006-02-23 | Tegal Corporation | Method and system for sequential processing in a two-compartment chamber |
US20040058293A1 (en) | 2002-08-06 | 2004-03-25 | Tue Nguyen | Assembly line processing system |
US20060046412A1 (en) | 2002-08-06 | 2006-03-02 | Tegal Corporation | Method and system for sequential processing in a two-compartment chamber |
US6921555B2 (en) | 2002-08-06 | 2005-07-26 | Tegal Corporation | Method and system for sequential processing in a two-compartment chamber |
JP3861036B2 (ja) | 2002-08-09 | 2006-12-20 | 三菱重工業株式会社 | プラズマcvd装置 |
US7541270B2 (en) | 2002-08-13 | 2009-06-02 | Micron Technology, Inc. | Methods for forming openings in doped silicon dioxide |
US20040033677A1 (en) | 2002-08-14 | 2004-02-19 | Reza Arghavani | Method and apparatus to prevent lateral oxidation in a transistor utilizing an ultra thin oxygen-diffusion barrier |
US6781173B2 (en) | 2002-08-29 | 2004-08-24 | Micron Technology, Inc. | MRAM sense layer area control |
US7223701B2 (en) | 2002-09-06 | 2007-05-29 | Intel Corporation | In-situ sequential high density plasma deposition and etch processing for gap fill |
US6946033B2 (en) | 2002-09-16 | 2005-09-20 | Applied Materials Inc. | Heated gas distribution plate for a processing chamber |
JP3991315B2 (ja) | 2002-09-17 | 2007-10-17 | キヤノンアネルバ株式会社 | 薄膜形成装置及び方法 |
US7335609B2 (en) | 2004-08-27 | 2008-02-26 | Applied Materials, Inc. | Gap-fill depositions introducing hydroxyl-containing precursors in the formation of silicon containing dielectric materials |
JP4260450B2 (ja) | 2002-09-20 | 2009-04-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 真空処理装置における静電チャックの製造方法 |
US7166200B2 (en) | 2002-09-30 | 2007-01-23 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved upper electrode plate in a plasma processing system |
US20070051471A1 (en) | 2002-10-04 | 2007-03-08 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for stripping |
US6991959B2 (en) | 2002-10-10 | 2006-01-31 | Asm Japan K.K. | Method of manufacturing silicon carbide film |
KR100500852B1 (ko) | 2002-10-10 | 2005-07-12 | 최대규 | 원격 플라즈마 발생기 |
JP4606713B2 (ja) | 2002-10-17 | 2011-01-05 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US6699380B1 (en) | 2002-10-18 | 2004-03-02 | Applied Materials Inc. | Modular electrochemical processing system |
US7628897B2 (en) | 2002-10-23 | 2009-12-08 | Applied Materials, Inc. | Reactive ion etching for semiconductor device feature topography modification |
US6802944B2 (en) | 2002-10-23 | 2004-10-12 | Applied Materials, Inc. | High density plasma CVD process for gapfill into high aspect ratio features |
US6853043B2 (en) | 2002-11-04 | 2005-02-08 | Applied Materials, Inc. | Nitrogen-free antireflective coating for use with photolithographic patterning |
JP2004165317A (ja) | 2002-11-12 | 2004-06-10 | Renesas Technology Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
EP1420080A3 (en) | 2002-11-14 | 2005-11-09 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for hybrid chemical deposition processes |
KR100862658B1 (ko) | 2002-11-15 | 2008-10-10 | 삼성전자주식회사 | 반도체 처리 시스템의 가스 주입 장치 |
US6861332B2 (en) | 2002-11-21 | 2005-03-01 | Intel Corporation | Air gap interconnect method |
US6902628B2 (en) | 2002-11-25 | 2005-06-07 | Applied Materials, Inc. | Method of cleaning a coated process chamber component |
US6713873B1 (en) | 2002-11-27 | 2004-03-30 | Intel Corporation | Adhesion between dielectric materials |
JP2004179426A (ja) | 2002-11-27 | 2004-06-24 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置のクリーニング方法 |
US7396773B1 (en) | 2002-12-06 | 2008-07-08 | Cypress Semiconductor Company | Method for cleaning a gate stack |
KR100898580B1 (ko) | 2002-12-07 | 2009-05-20 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 소자분리막 형성방법 |
US6858532B2 (en) | 2002-12-10 | 2005-02-22 | International Business Machines Corporation | Low defect pre-emitter and pre-base oxide etch for bipolar transistors and related tooling |
JP3838969B2 (ja) | 2002-12-17 | 2006-10-25 | 沖電気工業株式会社 | ドライエッチング方法 |
US20040118344A1 (en) * | 2002-12-20 | 2004-06-24 | Lam Research Corporation | System and method for controlling plasma with an adjustable coupling to ground circuit |
DE10260352A1 (de) | 2002-12-20 | 2004-07-15 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Herstellen einer Kondensatoranordnung und Kondensatoranordnung |
US6806949B2 (en) | 2002-12-31 | 2004-10-19 | Tokyo Electron Limited | Monitoring material buildup on system components by optical emission |
US6720213B1 (en) | 2003-01-15 | 2004-04-13 | International Business Machines Corporation | Low-K gate spacers by fluorine implantation |
US6808748B2 (en) | 2003-01-23 | 2004-10-26 | Applied Materials, Inc. | Hydrogen assisted HDP-CVD deposition process for aggressive gap-fill technology |
US7316761B2 (en) * | 2003-02-03 | 2008-01-08 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for uniformly etching a dielectric layer |
US7205248B2 (en) | 2003-02-04 | 2007-04-17 | Micron Technology, Inc. | Method of eliminating residual carbon from flowable oxide fill |
US7078351B2 (en) | 2003-02-10 | 2006-07-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photoresist intensive patterning and processing |
US20060137613A1 (en) | 2004-01-27 | 2006-06-29 | Shigeru Kasai | Plasma generating apparatus, plasma generating method and remote plasma processing apparatus |
US6982175B2 (en) | 2003-02-14 | 2006-01-03 | Unaxis Usa Inc. | End point detection in time division multiplexed etch processes |
US7604708B2 (en) | 2003-02-14 | 2009-10-20 | Applied Materials, Inc. | Cleaning of native oxide with hydrogen-containing radicals |
DE10308870B4 (de) | 2003-02-28 | 2006-07-27 | Austriamicrosystems Ag | Bipolartransistor mit verbessertem Basis-Emitter-Übergang und Verfahren zur Herstellung |
US6913992B2 (en) | 2003-03-07 | 2005-07-05 | Applied Materials, Inc. | Method of modifying interlayer adhesion |
KR100752800B1 (ko) | 2003-03-12 | 2007-08-29 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 반도체처리용의 기판유지구조 및 플라즈마 처리장치 |
US6951821B2 (en) | 2003-03-17 | 2005-10-04 | Tokyo Electron Limited | Processing system and method for chemically treating a substrate |
US20040182315A1 (en) | 2003-03-17 | 2004-09-23 | Tokyo Electron Limited | Reduced maintenance chemical oxide removal (COR) processing system |
JP2004296467A (ja) | 2003-03-25 | 2004-10-21 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
US20040187787A1 (en) | 2003-03-31 | 2004-09-30 | Dawson Keith E. | Substrate support having temperature controlled substrate support surface |
JP4272654B2 (ja) | 2003-04-11 | 2009-06-03 | Hoya株式会社 | クロム系薄膜のエッチング方法及びフォトマスクの製造方法 |
US7037376B2 (en) | 2003-04-11 | 2006-05-02 | Applied Materials Inc. | Backflush chamber clean |
US7126225B2 (en) | 2003-04-15 | 2006-10-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Apparatus and method for manufacturing a semiconductor wafer with reduced delamination and peeling |
US6942753B2 (en) | 2003-04-16 | 2005-09-13 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution plate assembly for large area plasma enhanced chemical vapor deposition |
US6872909B2 (en) | 2003-04-16 | 2005-03-29 | Applied Science And Technology, Inc. | Toroidal low-field reactive gas and plasma source having a dielectric vacuum vessel |
US20040211357A1 (en) | 2003-04-24 | 2004-10-28 | Gadgil Pradad N. | Method of manufacturing a gap-filled structure of a semiconductor device |
US6830624B2 (en) | 2003-05-02 | 2004-12-14 | Applied Materials, Inc. | Blocker plate by-pass for remote plasma clean |
US6903511B2 (en) | 2003-05-06 | 2005-06-07 | Zond, Inc. | Generation of uniformly-distributed plasma |
DE10320472A1 (de) | 2003-05-08 | 2004-12-02 | Kolektor D.O.O. | Plasmabehandlung zur Reinigung von Kupfer oder Nickel |
KR20040096365A (ko) | 2003-05-09 | 2004-11-16 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 제조방법 |
US7045020B2 (en) | 2003-05-22 | 2006-05-16 | Applied Materials, Inc. | Cleaning a component of a process chamber |
US6713835B1 (en) | 2003-05-22 | 2004-03-30 | International Business Machines Corporation | Method for manufacturing a multi-level interconnect structure |
US7081414B2 (en) | 2003-05-23 | 2006-07-25 | Applied Materials, Inc. | Deposition-selective etch-deposition process for dielectric film gapfill |
US7205240B2 (en) | 2003-06-04 | 2007-04-17 | Applied Materials, Inc. | HDP-CVD multistep gapfill process |
JP4108633B2 (ja) | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
US7067432B2 (en) | 2003-06-26 | 2006-06-27 | Applied Materials, Inc. | Methodology for in-situ and real-time chamber condition monitoring and process recovery during plasma processing |
KR100797498B1 (ko) | 2003-06-27 | 2008-01-24 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 플라즈마 발생 방법, 클리닝 방법 및 기판 처리 방법 |
US7151277B2 (en) | 2003-07-03 | 2006-12-19 | The Regents Of The University Of California | Selective etching of silicon carbide films |
JP2005033023A (ja) | 2003-07-07 | 2005-02-03 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JP4245996B2 (ja) | 2003-07-07 | 2009-04-02 | 株式会社荏原製作所 | 無電解めっきによるキャップ膜の形成方法およびこれに用いる装置 |
US7368392B2 (en) | 2003-07-10 | 2008-05-06 | Applied Materials, Inc. | Method of fabricating a gate structure of a field effect transistor having a metal-containing gate electrode |
US6995073B2 (en) | 2003-07-16 | 2006-02-07 | Intel Corporation | Air gap integration |
JP3866694B2 (ja) | 2003-07-30 | 2007-01-10 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | Lsiデバイスのエッチング方法および装置 |
US7256134B2 (en) | 2003-08-01 | 2007-08-14 | Applied Materials, Inc. | Selective etching of carbon-doped low-k dielectrics |
JP4239750B2 (ja) | 2003-08-13 | 2009-03-18 | セイコーエプソン株式会社 | マイクロレンズ及びマイクロレンズの製造方法、光学装置、光伝送装置、レーザプリンタ用ヘッド、並びにレーザプリンタ |
US20050035455A1 (en) | 2003-08-14 | 2005-02-17 | Chenming Hu | Device with low-k dielectric in close proximity thereto and its method of fabrication |
US7182816B2 (en) | 2003-08-18 | 2007-02-27 | Tokyo Electron Limited | Particulate reduction using temperature-controlled chamber shield |
US7361865B2 (en) | 2003-08-27 | 2008-04-22 | Kyocera Corporation | Heater for heating a wafer and method for fabricating the same |
US7521000B2 (en) | 2003-08-28 | 2009-04-21 | Applied Materials, Inc. | Process for etching photomasks |
US7078312B1 (en) | 2003-09-02 | 2006-07-18 | Novellus Systems, Inc. | Method for controlling etch process repeatability |
US6903031B2 (en) | 2003-09-03 | 2005-06-07 | Applied Materials, Inc. | In-situ-etch-assisted HDP deposition using SiF4 and hydrogen |
US7282244B2 (en) | 2003-09-05 | 2007-10-16 | General Electric Company | Replaceable plate expanded thermal plasma apparatus and method |
US7030034B2 (en) | 2003-09-18 | 2006-04-18 | Micron Technology, Inc. | Methods of etching silicon nitride substantially selectively relative to an oxide of aluminum |
US6967405B1 (en) | 2003-09-24 | 2005-11-22 | Yongsik Yu | Film for copper diffusion barrier |
JP2005101141A (ja) | 2003-09-24 | 2005-04-14 | Renesas Technology Corp | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
US7371688B2 (en) | 2003-09-30 | 2008-05-13 | Air Products And Chemicals, Inc. | Removal of transition metal ternary and/or quaternary barrier materials from a substrate |
US7071532B2 (en) | 2003-09-30 | 2006-07-04 | International Business Machines Corporation | Adjustable self-aligned air gap dielectric for low capacitance wiring |
KR101109299B1 (ko) | 2003-10-06 | 2012-01-31 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 페이스-업 습식 프로세싱을 위해 웨이퍼 온도 균일성을강화시키는 장치 |
JP4399227B2 (ja) | 2003-10-06 | 2010-01-13 | 株式会社フジキン | チャンバの内圧制御装置及び内圧被制御式チャンバ |
US20050087517A1 (en) | 2003-10-09 | 2005-04-28 | Andrew Ott | Adhesion between carbon doped oxide and etch stop layers |
US7581511B2 (en) | 2003-10-10 | 2009-09-01 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and methods for manufacturing microfeatures on workpieces using plasma vapor processes |
US7125792B2 (en) | 2003-10-14 | 2006-10-24 | Infineon Technologies Ag | Dual damascene structure and method |
US7465358B2 (en) | 2003-10-15 | 2008-12-16 | Applied Materials, Inc. | Measurement techniques for controlling aspects of a electroless deposition process |
US20070111519A1 (en) | 2003-10-15 | 2007-05-17 | Applied Materials, Inc. | Integrated electroless deposition system |
JP2005129666A (ja) | 2003-10-22 | 2005-05-19 | Canon Inc | 処理方法及び装置 |
JP2005129688A (ja) | 2003-10-23 | 2005-05-19 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
US7053994B2 (en) | 2003-10-28 | 2006-05-30 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for etch endpoint detection |
KR100561848B1 (ko) * | 2003-11-04 | 2006-03-16 | 삼성전자주식회사 | 헬리컬 공진기형 플라즈마 처리 장치 |
US7709392B2 (en) | 2003-11-05 | 2010-05-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Low K dielectric surface damage control |
US20050103267A1 (en) | 2003-11-14 | 2005-05-19 | Hur Gwang H. | Flat panel display manufacturing apparatus |
JP4256763B2 (ja) | 2003-11-19 | 2009-04-22 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
JP4393844B2 (ja) | 2003-11-19 | 2010-01-06 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ成膜装置及びプラズマ成膜方法 |
US20050145341A1 (en) | 2003-11-19 | 2005-07-07 | Masaki Suzuki | Plasma processing apparatus |
KR100558925B1 (ko) | 2003-11-24 | 2006-03-10 | 세메스 주식회사 | 웨이퍼 에지 식각 장치 |
US20050109276A1 (en) | 2003-11-25 | 2005-05-26 | Applied Materials, Inc. | Thermal chemical vapor deposition of silicon nitride using BTBAS bis(tertiary-butylamino silane) in a single wafer chamber |
US20050112876A1 (en) | 2003-11-26 | 2005-05-26 | Chih-Ta Wu | Method to form a robust TiCI4 based CVD TiN film |
US7202172B2 (en) | 2003-12-05 | 2007-04-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Microelectronic device having disposable spacer |
US7431966B2 (en) | 2003-12-09 | 2008-10-07 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposition method of depositing an oxide on a substrate |
US7081407B2 (en) | 2003-12-16 | 2006-07-25 | Lam Research Corporation | Method of preventing damage to porous low-k materials during resist stripping |
US7220497B2 (en) | 2003-12-18 | 2007-05-22 | Lam Research Corporation | Yttria-coated ceramic components of semiconductor material processing apparatuses and methods of manufacturing the components |
US6958286B2 (en) | 2004-01-02 | 2005-10-25 | International Business Machines Corporation | Method of preventing surface roughening during hydrogen prebake of SiGe substrates |
US6893967B1 (en) | 2004-01-13 | 2005-05-17 | Advanced Micro Devices, Inc. | L-shaped spacer incorporating or patterned using amorphous carbon or CVD organic materials |
WO2005072211A2 (en) | 2004-01-20 | 2005-08-11 | Mattson Technology, Inc. | System and method for removal of photoresist and residues following contact etch with a stop layer present |
US20060033678A1 (en) | 2004-01-26 | 2006-02-16 | Applied Materials, Inc. | Integrated electroless deposition system |
US7012027B2 (en) | 2004-01-27 | 2006-03-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Zirconium oxide and hafnium oxide etching using halogen containing chemicals |
US7064078B2 (en) | 2004-01-30 | 2006-06-20 | Applied Materials | Techniques for the use of amorphous carbon (APF) for various etch and litho integration scheme |
KR101202636B1 (ko) | 2004-02-09 | 2012-11-19 | 고에키자이단호진 고쿠사이카가쿠 신고우자이단 | 반도체 장치의 제조 방법 및 절연막의 에칭 방법 |
US7291550B2 (en) | 2004-02-13 | 2007-11-06 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Method to form a contact hole |
US7015415B2 (en) | 2004-02-18 | 2006-03-21 | Dry Plasma Systems, Inc. | Higher power density downstream plasma |
JP4707959B2 (ja) | 2004-02-20 | 2011-06-22 | 日本エー・エス・エム株式会社 | シャワープレート、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP4698251B2 (ja) | 2004-02-24 | 2011-06-08 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 可動又は柔軟なシャワーヘッド取り付け |
US7780793B2 (en) | 2004-02-26 | 2010-08-24 | Applied Materials, Inc. | Passivation layer formation by plasma clean process to reduce native oxide growth |
US20070123051A1 (en) | 2004-02-26 | 2007-05-31 | Reza Arghavani | Oxide etch with nh4-nf3 chemistry |
US20060051966A1 (en) | 2004-02-26 | 2006-03-09 | Applied Materials, Inc. | In-situ chamber clean process to remove by-product deposits from chemical vapor etch chamber |
US20050230350A1 (en) | 2004-02-26 | 2005-10-20 | Applied Materials, Inc. | In-situ dry clean chamber for front end of line fabrication |
US7407893B2 (en) | 2004-03-05 | 2008-08-05 | Applied Materials, Inc. | Liquid precursors for the CVD deposition of amorphous carbon films |
US8037896B2 (en) | 2004-03-09 | 2011-10-18 | Mks Instruments, Inc. | Pressure regulation in remote zones |
US7196342B2 (en) | 2004-03-10 | 2007-03-27 | Cymer, Inc. | Systems and methods for reducing the influence of plasma-generated debris on the internal components of an EUV light source |
US7682985B2 (en) | 2004-03-17 | 2010-03-23 | Lam Research Corporation | Dual doped polysilicon and silicon germanium etch |
US7109521B2 (en) | 2004-03-18 | 2006-09-19 | Cree, Inc. | Silicon carbide semiconductor structures including multiple epitaxial layers having sidewalls |
US7582555B1 (en) | 2005-12-29 | 2009-09-01 | Novellus Systems, Inc. | CVD flowable gap fill |
US7695590B2 (en) * | 2004-03-26 | 2010-04-13 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition plasma reactor having plural ion shower grids |
US7291360B2 (en) * | 2004-03-26 | 2007-11-06 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition plasma process using plural ion shower grids |
US7697260B2 (en) | 2004-03-31 | 2010-04-13 | Applied Materials, Inc. | Detachable electrostatic chuck |
US7358192B2 (en) | 2004-04-08 | 2008-04-15 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for in-situ film stack processing |
US8083853B2 (en) | 2004-05-12 | 2011-12-27 | Applied Materials, Inc. | Plasma uniformity control by gas diffuser hole design |
US7785672B2 (en) | 2004-04-20 | 2010-08-31 | Applied Materials, Inc. | Method of controlling the film properties of PECVD-deposited thin films |
US7018941B2 (en) | 2004-04-21 | 2006-03-28 | Applied Materials, Inc. | Post treatment of low k dielectric films |
TWI249774B (en) | 2004-04-23 | 2006-02-21 | Nanya Technology Corp | Forming method of self-aligned contact for semiconductor device |
US20050238807A1 (en) | 2004-04-27 | 2005-10-27 | Applied Materials, Inc. | Refurbishment of a coated chamber component |
US7115974B2 (en) | 2004-04-27 | 2006-10-03 | Taiwan Semiconductor Manfacturing Company, Ltd. | Silicon oxycarbide and silicon carbonitride based materials for MOS devices |
US7708859B2 (en) | 2004-04-30 | 2010-05-04 | Lam Research Corporation | Gas distribution system having fast gas switching capabilities |
JP2007537602A (ja) | 2004-05-11 | 2007-12-20 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | フルオロカーボン化学エッチングにおけるh2添加物を使用しての炭素ドープ酸化ケイ素エッチング |
US8328939B2 (en) | 2004-05-12 | 2012-12-11 | Applied Materials, Inc. | Diffuser plate with slit valve compensation |
US8074599B2 (en) | 2004-05-12 | 2011-12-13 | Applied Materials, Inc. | Plasma uniformity control by gas diffuser curvature |
KR101197084B1 (ko) | 2004-05-21 | 2012-11-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
US7049200B2 (en) | 2004-05-25 | 2006-05-23 | Applied Materials Inc. | Method for forming a low thermal budget spacer |
KR100624566B1 (ko) | 2004-05-31 | 2006-09-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 커패시터 상부에 유동성 절연막을 갖는 반도체소자 및 그제조 방법 |
US20050274324A1 (en) | 2004-06-04 | 2005-12-15 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus and mounting unit thereof |
US7651583B2 (en) | 2004-06-04 | 2010-01-26 | Tokyo Electron Limited | Processing system and method for treating a substrate |
US20050274396A1 (en) | 2004-06-09 | 2005-12-15 | Hong Shih | Methods for wet cleaning quartz surfaces of components for plasma processing chambers |
US7226852B1 (en) | 2004-06-10 | 2007-06-05 | Lam Research Corporation | Preventing damage to low-k materials during resist stripping |
US7430496B2 (en) | 2004-06-16 | 2008-09-30 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for using a pressure control system to monitor a plasma processing system |
US7253107B2 (en) | 2004-06-17 | 2007-08-07 | Asm International N.V. | Pressure control system |
US7122949B2 (en) | 2004-06-21 | 2006-10-17 | Neocera, Inc. | Cylindrical electron beam generating/triggering device and method for generation of electrons |
US20060005856A1 (en) | 2004-06-29 | 2006-01-12 | Applied Materials, Inc. | Reduction of reactive gas attack on substrate heater |
US8349128B2 (en) | 2004-06-30 | 2013-01-08 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for stable plasma processing |
US20060000802A1 (en) | 2004-06-30 | 2006-01-05 | Ajay Kumar | Method and apparatus for photomask plasma etching |
US7097779B2 (en) | 2004-07-06 | 2006-08-29 | Tokyo Electron Limited | Processing system and method for chemically treating a TERA layer |
DE112005001601T5 (de) | 2004-07-07 | 2007-05-16 | Gen Electric | Schützende Beschichtung auf einem Substrat und Verfahren zum Herstellen derselben |
JP2006049817A (ja) | 2004-07-07 | 2006-02-16 | Showa Denko Kk | プラズマ処理方法およびプラズマエッチング方法 |
US7845309B2 (en) * | 2004-07-13 | 2010-12-07 | Nordson Corporation | Ultra high speed uniform plasma processing system |
KR100614648B1 (ko) | 2004-07-15 | 2006-08-23 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 제조에 사용되는 기판 처리 장치 |
KR100584485B1 (ko) | 2004-07-20 | 2006-05-29 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자의 금속 부식 방지 방법 |
US7767561B2 (en) | 2004-07-20 | 2010-08-03 | Applied Materials, Inc. | Plasma immersion ion implantation reactor having an ion shower grid |
US20060016783A1 (en) | 2004-07-22 | 2006-01-26 | Dingjun Wu | Process for titanium nitride removal |
JP4492947B2 (ja) | 2004-07-23 | 2010-06-30 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP4579611B2 (ja) | 2004-07-26 | 2010-11-10 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | ドライエッチング方法 |
US7217626B2 (en) | 2004-07-26 | 2007-05-15 | Texas Instruments Incorporated | Transistor fabrication methods using dual sidewall spacers |
US20060021703A1 (en) | 2004-07-29 | 2006-02-02 | Applied Materials, Inc. | Dual gas faceplate for a showerhead in a semiconductor wafer processing system |
US7381291B2 (en) | 2004-07-29 | 2008-06-03 | Asm Japan K.K. | Dual-chamber plasma processing apparatus |
US7192863B2 (en) | 2004-07-30 | 2007-03-20 | Texas Instruments Incorporated | Method of eliminating etch ridges in a dual damascene process |
US7806077B2 (en) | 2004-07-30 | 2010-10-05 | Amarante Technologies, Inc. | Plasma nozzle array for providing uniform scalable microwave plasma generation |
CN102154628B (zh) | 2004-08-02 | 2014-05-07 | 维高仪器股份有限公司 | 用于化学气相沉积反应器的多气体分配喷射器 |
US20060024954A1 (en) | 2004-08-02 | 2006-02-02 | Zhen-Cheng Wu | Copper damascene barrier and capping layer |
JP4718141B2 (ja) | 2004-08-06 | 2011-07-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 薄膜形成方法及び薄膜形成装置 |
US7247570B2 (en) | 2004-08-19 | 2007-07-24 | Micron Technology, Inc. | Silicon pillars for vertical transistors |
US20060043066A1 (en) | 2004-08-26 | 2006-03-02 | Kamp Thomas A | Processes for pre-tapering silicon or silicon-germanium prior to etching shallow trenches |
US20060042752A1 (en) | 2004-08-30 | 2006-03-02 | Rueger Neal R | Plasma processing apparatuses and methods |
EP1784690A2 (en) | 2004-09-01 | 2007-05-16 | Axcelis Technologies, Inc. | Plasma ashing process for increasing photoresist removal rate and plasma apparatus with cooling means |
US7390710B2 (en) | 2004-09-02 | 2008-06-24 | Micron Technology, Inc. | Protection of tunnel dielectric using epitaxial silicon |
US7329576B2 (en) | 2004-09-02 | 2008-02-12 | Micron Technology, Inc. | Double-sided container capacitors using a sacrificial layer |
US7115525B2 (en) | 2004-09-02 | 2006-10-03 | Micron Technology, Inc. | Method for integrated circuit fabrication using pitch multiplication |
US20060292846A1 (en) | 2004-09-17 | 2006-12-28 | Pinto Gustavo A | Material management in substrate processing |
US7138767B2 (en) | 2004-09-30 | 2006-11-21 | Tokyo Electron Limited | Surface wave plasma processing system and method of using |
US7268084B2 (en) | 2004-09-30 | 2007-09-11 | Tokyo Electron Limited | Method for treating a substrate |
JP4467453B2 (ja) | 2004-09-30 | 2010-05-26 | 日本碍子株式会社 | セラミックス部材及びその製造方法 |
US7544251B2 (en) | 2004-10-07 | 2009-06-09 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for controlling temperature of a substrate |
US7148155B1 (en) | 2004-10-26 | 2006-12-12 | Novellus Systems, Inc. | Sequential deposition/anneal film densification method |
US7053003B2 (en) | 2004-10-27 | 2006-05-30 | Lam Research Corporation | Photoresist conditioning with hydrogen ramping |
JP2006128485A (ja) | 2004-10-29 | 2006-05-18 | Asm Japan Kk | 半導体処理装置 |
US20060093756A1 (en) | 2004-11-03 | 2006-05-04 | Nagarajan Rajagopalan | High-power dielectric seasoning for stable wafer-to-wafer thickness uniformity of dielectric CVD films |
US20060097397A1 (en) | 2004-11-10 | 2006-05-11 | Russell Stephen W | Method for forming a dual layer, low resistance metallization during the formation of a semiconductor device |
US7618515B2 (en) | 2004-11-15 | 2009-11-17 | Tokyo Electron Limited | Focus ring, plasma etching apparatus and plasma etching method |
EP1662546A1 (en) | 2004-11-25 | 2006-05-31 | The European Community, represented by the European Commission | Inductively coupled plasma processing apparatus |
US7052553B1 (en) | 2004-12-01 | 2006-05-30 | Lam Research Corporation | Wet cleaning of electrostatic chucks |
US7256121B2 (en) | 2004-12-02 | 2007-08-14 | Texas Instruments Incorporated | Contact resistance reduction by new barrier stack process |
FR2878913B1 (fr) | 2004-12-03 | 2007-01-19 | Cit Alcatel | Controle des pressions partielles de gaz pour optimisation de procede |
US20060118240A1 (en) | 2004-12-03 | 2006-06-08 | Applied Science And Technology, Inc. | Methods and apparatus for downstream dissociation of gases |
JP2006193822A (ja) | 2004-12-16 | 2006-07-27 | Sharp Corp | めっき装置、めっき方法、半導体装置、及び半導体装置の製造方法 |
KR20070087196A (ko) | 2004-12-21 | 2007-08-27 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 화학 기상 에칭 챔버로부터 부산물 증착을 제거하기 위한인-시튜 챔버 세정 방법 |
US20060130971A1 (en) | 2004-12-21 | 2006-06-22 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for generating plasma by RF power |
JP2006179693A (ja) | 2004-12-22 | 2006-07-06 | Shin Etsu Chem Co Ltd | ヒータ付き静電チャック |
JP4191137B2 (ja) | 2004-12-24 | 2008-12-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置のクリーニング方法 |
US7365016B2 (en) | 2004-12-27 | 2008-04-29 | Dalsa Semiconductor Inc. | Anhydrous HF release of process for MEMS devices |
US20060148243A1 (en) | 2004-12-30 | 2006-07-06 | Jeng-Ho Wang | Method for fabricating a dual damascene and polymer removal |
KR100653722B1 (ko) | 2005-01-05 | 2006-12-05 | 삼성전자주식회사 | 저유전막을 갖는 반도체소자의 제조방법 |
US7465953B1 (en) | 2005-01-07 | 2008-12-16 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Positioning of nanoparticles and fabrication of single election devices |
US7253123B2 (en) | 2005-01-10 | 2007-08-07 | Applied Materials, Inc. | Method for producing gate stack sidewall spacers |
US20060162661A1 (en) | 2005-01-22 | 2006-07-27 | Applied Materials, Inc. | Mixing energized and non-energized gases for silicon nitride deposition |
US7829243B2 (en) | 2005-01-27 | 2010-11-09 | Applied Materials, Inc. | Method for plasma etching a chromium layer suitable for photomask fabrication |
GB0502149D0 (en) | 2005-02-02 | 2005-03-09 | Boc Group Inc | Method of operating a pumping system |
US7341943B2 (en) | 2005-02-08 | 2008-03-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Post etch copper cleaning using dry plasma |
JP4475136B2 (ja) | 2005-02-18 | 2010-06-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理システム、前処理装置及び記憶媒体 |
US7344912B1 (en) | 2005-03-01 | 2008-03-18 | Spansion Llc | Method for patterning electrically conducting poly(phenyl acetylene) and poly(diphenyl acetylene) |
JP4506677B2 (ja) | 2005-03-11 | 2010-07-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体 |
JP2006261217A (ja) | 2005-03-15 | 2006-09-28 | Canon Anelva Corp | 薄膜形成方法 |
US7253118B2 (en) | 2005-03-15 | 2007-08-07 | Micron Technology, Inc. | Pitch reduced patterns relative to photolithography features |
JP4518986B2 (ja) | 2005-03-17 | 2010-08-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 大気搬送室、被処理体の処理後搬送方法、プログラム及び記憶媒体 |
US20060252252A1 (en) | 2005-03-18 | 2006-11-09 | Zhize Zhu | Electroless deposition processes and compositions for forming interconnects |
US7659203B2 (en) | 2005-03-18 | 2010-02-09 | Applied Materials, Inc. | Electroless deposition process on a silicon contact |
US20060210723A1 (en) | 2005-03-21 | 2006-09-21 | Tokyo Electron Limited | Plasma enhanced atomic layer deposition system and method |
KR100610465B1 (ko) | 2005-03-25 | 2006-08-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조 방법 |
US7611944B2 (en) | 2005-03-28 | 2009-11-03 | Micron Technology, Inc. | Integrated circuit fabrication |
US20060215347A1 (en) | 2005-03-28 | 2006-09-28 | Tokyo Electron Limited | Processing apparatus and recording medium |
US7442274B2 (en) | 2005-03-28 | 2008-10-28 | Tokyo Electron Limited | Plasma etching method and apparatus therefor |
KR100689826B1 (ko) | 2005-03-29 | 2007-03-08 | 삼성전자주식회사 | 불소 함유된 화학적 식각 가스를 사용하는 고밀도 플라즈마화학기상증착 방법들 및 이를 채택하여 반도체 소자를제조하는 방법들 |
US7789962B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-09-07 | Tokyo Electron Limited | Device and method for controlling temperature of a mounting table, a program therefor, and a processing apparatus including same |
US20060228889A1 (en) | 2005-03-31 | 2006-10-12 | Edelberg Erik A | Methods of removing resist from substrates in resist stripping chambers |
US7288482B2 (en) | 2005-05-04 | 2007-10-30 | International Business Machines Corporation | Silicon nitride etching methods |
KR100745067B1 (ko) | 2005-05-18 | 2007-08-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 트렌치 소자분리막 및 그 형성방법 |
US7431856B2 (en) | 2005-05-18 | 2008-10-07 | National Research Council Of Canada | Nano-tip fabrication by spatially controlled etching |
KR100731164B1 (ko) | 2005-05-19 | 2007-06-20 | 주식회사 피에조닉스 | 샤워헤드를 구비한 화학기상 증착 방법 및 장치 |
US20060266288A1 (en) | 2005-05-27 | 2006-11-30 | Applied Materials, Inc. | High plasma utilization for remote plasma clean |
JP4853857B2 (ja) | 2005-06-15 | 2012-01-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板の処理方法,コンピュータ読み取り可能な記録媒体及び基板処理装置 |
WO2006137541A1 (ja) | 2005-06-23 | 2006-12-28 | Tokyo Electron Limited | 半導体処理装置用の構成部材及びその製造方法 |
JP4554461B2 (ja) | 2005-07-26 | 2010-09-29 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 半導体装置の製造方法 |
US8535443B2 (en) | 2005-07-27 | 2013-09-17 | Applied Materials, Inc. | Gas line weldment design and process for CVD aluminum |
US7833381B2 (en) | 2005-08-18 | 2010-11-16 | David Johnson | Optical emission interferometry for PECVD using a gas injection hole |
DE102006038885B4 (de) | 2005-08-24 | 2013-10-10 | Wonik Ips Co., Ltd. | Verfahren zum Abscheiden einer Ge-Sb-Te-Dünnschicht |
US20070056925A1 (en) | 2005-09-09 | 2007-03-15 | Lam Research Corporation | Selective etch of films with high dielectric constant with H2 addition |
US20070071888A1 (en) | 2005-09-21 | 2007-03-29 | Arulkumar Shanmugasundram | Method and apparatus for forming device features in an integrated electroless deposition system |
JP4823628B2 (ja) | 2005-09-26 | 2011-11-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法および記録媒体 |
DE102005047081B4 (de) | 2005-09-30 | 2019-01-31 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zum plasmalosen Ätzen von Silizium mit dem Ätzgas ClF3 oder XeF2 |
US8102123B2 (en) | 2005-10-04 | 2012-01-24 | Topanga Technologies, Inc. | External resonator electrode-less plasma lamp and method of exciting with radio-frequency energy |
US7438534B2 (en) | 2005-10-07 | 2008-10-21 | Edwards Vacuum, Inc. | Wide range pressure control using turbo pump |
KR100703014B1 (ko) | 2005-10-26 | 2007-04-06 | 삼성전자주식회사 | 실리콘 산화물 식각액 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 |
EP1780779A3 (en) | 2005-10-28 | 2008-06-11 | Interuniversitair Microelektronica Centrum ( Imec) | A plasma for patterning advanced gate stacks |
US20070099806A1 (en) | 2005-10-28 | 2007-05-03 | Stewart Michael P | Composition and method for selectively removing native oxide from silicon-containing surfaces |
US7884032B2 (en) | 2005-10-28 | 2011-02-08 | Applied Materials, Inc. | Thin film deposition |
US7696101B2 (en) | 2005-11-01 | 2010-04-13 | Micron Technology, Inc. | Process for increasing feature density during the manufacture of a semiconductor device |
US20070119370A1 (en) | 2005-11-04 | 2007-05-31 | Paul Ma | Apparatus and process for plasma-enhanced atomic layer deposition |
US20070107750A1 (en) | 2005-11-14 | 2007-05-17 | Sawin Herbert H | Method of using NF3 for removing surface deposits from the interior of chemical vapor deposition chambers |
JP4918778B2 (ja) | 2005-11-16 | 2012-04-18 | 株式会社日立製作所 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
US20070117396A1 (en) | 2005-11-22 | 2007-05-24 | Dingjun Wu | Selective etching of titanium nitride with xenon difluoride |
US7704887B2 (en) | 2005-11-22 | 2010-04-27 | Applied Materials, Inc. | Remote plasma pre-clean with low hydrogen pressure |
US7405160B2 (en) | 2005-12-13 | 2008-07-29 | Tokyo Electron Limited | Method of making semiconductor device |
US7662723B2 (en) | 2005-12-13 | 2010-02-16 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for in-situ substrate processing |
JP2007173383A (ja) | 2005-12-20 | 2007-07-05 | Sharp Corp | トレンチ素子分離領域の形成方法、窒化シリコン膜ライナーの形成方法、半導体装置の製造方法 |
US7449538B2 (en) | 2005-12-30 | 2008-11-11 | Hynix Semiconductor Inc. | Hard mask composition and method for manufacturing semiconductor device |
KR100712727B1 (ko) | 2006-01-26 | 2007-05-04 | 주식회사 아토 | 절연체를 이용한 샤워헤드 |
JP2007191792A (ja) | 2006-01-19 | 2007-08-02 | Atto Co Ltd | ガス分離型シャワーヘッド |
US8173228B2 (en) | 2006-01-27 | 2012-05-08 | Applied Materials, Inc. | Particle reduction on surfaces of chemical vapor deposition processing apparatus |
US7494545B2 (en) | 2006-02-03 | 2009-02-24 | Applied Materials, Inc. | Epitaxial deposition process and apparatus |
KR100785164B1 (ko) | 2006-02-04 | 2007-12-11 | 위순임 | 다중 출력 원격 플라즈마 발생기 및 이를 구비한 기판 처리시스템 |
KR100752622B1 (ko) | 2006-02-17 | 2007-08-30 | 한양대학교 산학협력단 | 원거리 플라즈마 발생장치 |
US20070207275A1 (en) | 2006-02-21 | 2007-09-06 | Applied Materials, Inc. | Enhancement of remote plasma source clean for dielectric films |
CN101378850A (zh) | 2006-02-21 | 2009-03-04 | 应用材料股份有限公司 | 加强用于介电膜层的远程等离子体源清洁 |
CA2644356A1 (en) | 2006-03-16 | 2007-09-27 | Novartis Ag | Heterocyclic organic compounds for the treatment of in particular melanoma |
US7977245B2 (en) | 2006-03-22 | 2011-07-12 | Applied Materials, Inc. | Methods for etching a dielectric barrier layer with high selectivity |
US7381651B2 (en) | 2006-03-22 | 2008-06-03 | Axcelis Technologies, Inc. | Processes for monitoring the levels of oxygen and/or nitrogen species in a substantially oxygen and nitrogen-free plasma ashing process |
US7628574B2 (en) | 2006-03-28 | 2009-12-08 | Arcus Technology, Inc. | Apparatus and method for processing substrates using one or more vacuum transfer chamber units |
US8343280B2 (en) | 2006-03-28 | 2013-01-01 | Tokyo Electron Limited | Multi-zone substrate temperature control system and method of operating |
US7780865B2 (en) | 2006-03-31 | 2010-08-24 | Applied Materials, Inc. | Method to improve the step coverage and pattern loading for dielectric films |
US7906032B2 (en) | 2006-03-31 | 2011-03-15 | Tokyo Electron Limited | Method for conditioning a process chamber |
JP5042517B2 (ja) | 2006-04-10 | 2012-10-03 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
CN100539080C (zh) | 2006-04-12 | 2009-09-09 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 通过自对准形成多晶硅浮栅结构的方法 |
US20070243714A1 (en) | 2006-04-18 | 2007-10-18 | Applied Materials, Inc. | Method of controlling silicon-containing polymer build up during etching by using a periodic cleaning step |
US7488685B2 (en) | 2006-04-25 | 2009-02-10 | Micron Technology, Inc. | Process for improving critical dimension uniformity of integrated circuit arrays |
US8226769B2 (en) | 2006-04-27 | 2012-07-24 | Applied Materials, Inc. | Substrate support with electrostatic chuck having dual temperature zones |
US20070254169A1 (en) | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Kamins Theodore I | Structures including organic self-assembled monolayers and methods of making the structures |
US7297564B1 (en) | 2006-05-02 | 2007-11-20 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Fabrication of vertical sidewalls on (110) silicon substrates for use in Si/SiGe photodetectors |
US7601607B2 (en) | 2006-05-15 | 2009-10-13 | Chartered Semiconductor Manufacturing, Ltd. | Protruded contact and insertion of inter-layer-dielectric material to match damascene hardmask to improve undercut for low-k interconnects |
JP5578389B2 (ja) | 2006-05-16 | 2014-08-27 | Nltテクノロジー株式会社 | 積層膜パターン形成方法及びゲート電極形成方法 |
JP2007311540A (ja) | 2006-05-18 | 2007-11-29 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
US20070266946A1 (en) | 2006-05-22 | 2007-11-22 | Byung-Chul Choi | Semiconductor device manufacturing apparatus and method of using the same |
US7790634B2 (en) | 2006-05-30 | 2010-09-07 | Applied Materials, Inc | Method for depositing and curing low-k films for gapfill and conformal film applications |
US20070277734A1 (en) | 2006-05-30 | 2007-12-06 | Applied Materials, Inc. | Process chamber for dielectric gapfill |
US20070281106A1 (en) | 2006-05-30 | 2007-12-06 | Applied Materials, Inc. | Process chamber for dielectric gapfill |
US7825038B2 (en) | 2006-05-30 | 2010-11-02 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition of high quality flow-like silicon dioxide using a silicon containing precursor and atomic oxygen |
US7665951B2 (en) | 2006-06-02 | 2010-02-23 | Applied Materials, Inc. | Multiple slot load lock chamber and method of operation |
US7932181B2 (en) | 2006-06-20 | 2011-04-26 | Lam Research Corporation | Edge gas injection for critical dimension uniformity improvement |
US20070296967A1 (en) | 2006-06-27 | 2007-12-27 | Bhupendra Kumra Gupta | Analysis of component for presence, composition and/or thickness of coating |
US7416989B1 (en) | 2006-06-30 | 2008-08-26 | Novellus Systems, Inc. | Adsorption based material removal process |
US7618889B2 (en) | 2006-07-18 | 2009-11-17 | Applied Materials, Inc. | Dual damascene fabrication with low k materials |
US9275887B2 (en) | 2006-07-20 | 2016-03-01 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing with rapid temperature gradient control |
US20080124937A1 (en) | 2006-08-16 | 2008-05-29 | Songlin Xu | Selective etching method and apparatus |
KR100818708B1 (ko) | 2006-08-18 | 2008-04-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 표면 세정을 포함하는 반도체소자 제조방법 |
US20080063810A1 (en) | 2006-08-23 | 2008-03-13 | Applied Materials, Inc. | In-situ process state monitoring of chamber |
US7575007B2 (en) | 2006-08-23 | 2009-08-18 | Applied Materials, Inc. | Chamber recovery after opening barrier over copper |
US8110787B1 (en) | 2006-08-23 | 2012-02-07 | ON Semiconductor Trading, Ltd | Image sensor with a reflective waveguide |
US7611980B2 (en) | 2006-08-30 | 2009-11-03 | Micron Technology, Inc. | Single spacer process for multiplying pitch by a factor greater than two and related intermediate IC structures |
US7452766B2 (en) | 2006-08-31 | 2008-11-18 | Micron Technology, Inc. | Finned memory cells and the fabrication thereof |
US20080075668A1 (en) | 2006-09-27 | 2008-03-27 | Goldstein Alan H | Security Device Using Reversibly Self-Assembling Systems |
CN101153396B (zh) | 2006-09-30 | 2010-06-09 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 等离子刻蚀方法 |
JP2008103645A (ja) | 2006-10-20 | 2008-05-01 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
US20080099147A1 (en) | 2006-10-26 | 2008-05-01 | Nyi Oo Myo | Temperature controlled multi-gas distribution assembly |
US7655571B2 (en) | 2006-10-26 | 2010-02-02 | Applied Materials, Inc. | Integrated method and apparatus for efficient removal of halogen residues from etched substrates |
JP2008109043A (ja) | 2006-10-27 | 2008-05-08 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
US20080102640A1 (en) | 2006-10-30 | 2008-05-01 | Applied Materials, Inc. | Etching oxide with high selectivity to titanium nitride |
US8002946B2 (en) | 2006-10-30 | 2011-08-23 | Applied Materials, Inc. | Mask etch plasma reactor with cathode providing a uniform distribution of etch rate |
US7943005B2 (en) | 2006-10-30 | 2011-05-17 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for photomask plasma etching |
US7880232B2 (en) | 2006-11-01 | 2011-02-01 | Micron Technology, Inc. | Processes and apparatus having a semiconductor fin |
US7725974B2 (en) | 2006-11-02 | 2010-06-01 | Hughes Randall L | Shoe and foot cleaning and disinfecting system |
US7700479B2 (en) | 2006-11-06 | 2010-04-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Cleaning processes in the formation of integrated circuit interconnect structures |
US7939422B2 (en) | 2006-12-07 | 2011-05-10 | Applied Materials, Inc. | Methods of thin film process |
US20080142483A1 (en) | 2006-12-07 | 2008-06-19 | Applied Materials, Inc. | Multi-step dep-etch-dep high density plasma chemical vapor deposition processes for dielectric gapfills |
KR20090094368A (ko) | 2006-12-11 | 2009-09-04 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 건식 포토레지스트 스트립핑 프로세스 및 장치 |
TWM318795U (en) | 2006-12-18 | 2007-09-11 | Lighthouse Technology Co Ltd | Package structure |
WO2008074672A1 (en) | 2006-12-20 | 2008-06-26 | Nxp B.V. | Improving adhesion of diffusion barrier on cu containing interconnect element |
US7922863B2 (en) | 2006-12-22 | 2011-04-12 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for integrated gas and radiation delivery |
JP5229711B2 (ja) | 2006-12-25 | 2013-07-03 | 国立大学法人名古屋大学 | パターン形成方法、および半導体装置の製造方法 |
US7808053B2 (en) | 2006-12-29 | 2010-10-05 | Intel Corporation | Method, apparatus, and system for flash memory |
US20080157225A1 (en) | 2006-12-29 | 2008-07-03 | Suman Datta | SRAM and logic transistors with variable height multi-gate transistor architecture |
KR20080063988A (ko) | 2007-01-03 | 2008-07-08 | 삼성전자주식회사 | 중성빔을 이용한 식각장치 |
US8097105B2 (en) | 2007-01-11 | 2012-01-17 | Lam Research Corporation | Extending lifetime of yttrium oxide as a plasma chamber material |
JP4421618B2 (ja) | 2007-01-17 | 2010-02-24 | 東京エレクトロン株式会社 | フィン型電界効果トランジスタの製造方法 |
US7728364B2 (en) | 2007-01-19 | 2010-06-01 | International Business Machines Corporation | Enhanced mobility CMOS transistors with a V-shaped channel with self-alignment to shallow trench isolation |
JP4299863B2 (ja) | 2007-01-22 | 2009-07-22 | エルピーダメモリ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US8444926B2 (en) | 2007-01-30 | 2013-05-21 | Applied Materials, Inc. | Processing chamber with heated chamber liner |
KR100878015B1 (ko) | 2007-01-31 | 2009-01-13 | 삼성전자주식회사 | 산화물 제거 방법 및 이를 이용한 트렌치 매립 방법 |
JP5048352B2 (ja) | 2007-01-31 | 2012-10-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
KR100843236B1 (ko) | 2007-02-06 | 2008-07-03 | 삼성전자주식회사 | 더블 패터닝 공정을 이용하는 반도체 소자의 미세 패턴형성 방법 |
CN100577866C (zh) | 2007-02-27 | 2010-01-06 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 应用于等离子体反应室中的气体喷头组件、其制造方法及其翻新再利用的方法 |
US20080202892A1 (en) | 2007-02-27 | 2008-08-28 | Smith John M | Stacked process chambers for substrate vacuum processing tool |
US20080216901A1 (en) | 2007-03-06 | 2008-09-11 | Mks Instruments, Inc. | Pressure control for vacuum processing system |
US20080216958A1 (en) | 2007-03-07 | 2008-09-11 | Novellus Systems, Inc. | Plasma Reaction Apparatus Having Pre-Seasoned Showerheads and Methods for Manufacturing the Same |
CN101681870B (zh) | 2007-03-12 | 2011-08-17 | 东京毅力科创株式会社 | 用于提高衬底内处理均匀性的动态温度背部气体控制 |
KR100853485B1 (ko) | 2007-03-19 | 2008-08-21 | 주식회사 하이닉스반도체 | 리세스 게이트를 갖는 반도체 소자의 제조 방법 |
US20080233709A1 (en) | 2007-03-22 | 2008-09-25 | Infineon Technologies North America Corp. | Method for removing material from a semiconductor |
US7815814B2 (en) | 2007-03-23 | 2010-10-19 | Tokyo Electron Limited | Method and system for dry etching a metal nitride |
JP4988402B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2012-08-01 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
US8235001B2 (en) | 2007-04-02 | 2012-08-07 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and method for manufacturing semiconductor device |
WO2008129977A1 (ja) | 2007-04-17 | 2008-10-30 | Ulvac, Inc. | 成膜装置 |
JP5282419B2 (ja) | 2007-04-18 | 2013-09-04 | ソニー株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP5135879B2 (ja) | 2007-05-21 | 2013-02-06 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
KR100777043B1 (ko) | 2007-05-22 | 2007-11-16 | 주식회사 테스 | 비정질 탄소막 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의제조 방법 |
US8084105B2 (en) | 2007-05-23 | 2011-12-27 | Applied Materials, Inc. | Method of depositing boron nitride and boron nitride-derived materials |
US7942969B2 (en) | 2007-05-30 | 2011-05-17 | Applied Materials, Inc. | Substrate cleaning chamber and components |
US7807578B2 (en) | 2007-06-01 | 2010-10-05 | Applied Materials, Inc. | Frequency doubling using spacer mask |
US20090004873A1 (en) | 2007-06-26 | 2009-01-01 | Intevac, Inc. | Hybrid etch chamber with decoupled plasma controls |
JP5008478B2 (ja) | 2007-06-27 | 2012-08-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置およびシャワーヘッド |
US7585716B2 (en) | 2007-06-27 | 2009-09-08 | International Business Machines Corporation | High-k/metal gate MOSFET with reduced parasitic capacitance |
KR100877107B1 (ko) | 2007-06-28 | 2009-01-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 층간절연막 형성방법 |
US20090000641A1 (en) | 2007-06-28 | 2009-01-01 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for cleaning deposition chamber parts using selective spray etch |
JP4438008B2 (ja) | 2007-06-29 | 2010-03-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
KR101050454B1 (ko) | 2007-07-02 | 2011-07-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 소자 분리막 및 그 형성방법 |
US8021514B2 (en) | 2007-07-11 | 2011-09-20 | Applied Materials, Inc. | Remote plasma source for pre-treatment of substrates prior to deposition |
US8197636B2 (en) | 2007-07-12 | 2012-06-12 | Applied Materials, Inc. | Systems for plasma enhanced chemical vapor deposition and bevel edge etching |
JP5660753B2 (ja) | 2007-07-13 | 2015-01-28 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | プラズマエッチング用高温カソード |
EP2179521B1 (en) | 2007-07-19 | 2016-09-07 | Philips Lighting Holding B.V. | Method, system and device for transmitting lighting device data |
DE102007033685A1 (de) | 2007-07-19 | 2009-01-22 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zum Ätzen einer Schicht auf einem Silizium-Halbleitersubstrat |
US8008166B2 (en) | 2007-07-26 | 2011-08-30 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cleaning a substrate surface |
EP2042516A1 (en) | 2007-09-27 | 2009-04-01 | Protaffin Biotechnologie AG | Glycosaminoglycan-antagonising MCP-1 mutants and methods of using same |
US8367227B2 (en) | 2007-08-02 | 2013-02-05 | Applied Materials, Inc. | Plasma-resistant ceramics with controlled electrical resistivity |
KR101190074B1 (ko) | 2007-08-31 | 2012-10-11 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 반도체 장치의 제조 방법 |
JP5347294B2 (ja) | 2007-09-12 | 2013-11-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 |
US20120122319A1 (en) | 2007-09-19 | 2012-05-17 | Hironobu Shimizu | Coating method for coating reaction tube prior to film forming process |
US7781332B2 (en) | 2007-09-19 | 2010-08-24 | International Business Machines Corporation | Methods to mitigate plasma damage in organosilicate dielectrics using a protective sidewall spacer |
CN101809717B (zh) * | 2007-09-25 | 2012-10-10 | 朗姆研究公司 | 用于等离子处理设备的喷头电极总成的温度控制模块 |
US8298931B2 (en) | 2007-09-28 | 2012-10-30 | Sandisk 3D Llc | Dual damascene with amorphous carbon for 3D deep via/trench application |
US20090084317A1 (en) | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Applied Materials, Inc. | Atomic layer deposition chamber and components |
TWI425578B (zh) | 2007-09-28 | 2014-02-01 | Hynix Semiconductor Inc | 製造半導體元件之凹陷閘極之方法 |
CN101802254B (zh) | 2007-10-11 | 2013-11-27 | 瓦伦斯处理设备公司 | 化学气相沉积反应器 |
US7838390B2 (en) | 2007-10-12 | 2010-11-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of forming integrated circuit devices having ion-cured electrically insulating layers therein |
US7976631B2 (en) | 2007-10-16 | 2011-07-12 | Applied Materials, Inc. | Multi-gas straight channel showerhead |
US7871926B2 (en) | 2007-10-22 | 2011-01-18 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems for forming at least one dielectric layer |
US8252696B2 (en) | 2007-10-22 | 2012-08-28 | Applied Materials, Inc. | Selective etching of silicon nitride |
US8622021B2 (en) * | 2007-10-31 | 2014-01-07 | Lam Research Corporation | High lifetime consumable silicon nitride-silicon dioxide plasma processing components |
CN101842877B (zh) | 2007-10-31 | 2012-09-26 | 朗姆研究公司 | 用于半导体处理室的温度控制模块及控制元件温度的方法 |
JP5254351B2 (ja) | 2007-11-08 | 2013-08-07 | ラム リサーチ コーポレーション | 酸化物スペーサを使用したピッチ低減 |
US7964040B2 (en) | 2007-11-08 | 2011-06-21 | Applied Materials, Inc. | Multi-port pumping system for substrate processing chambers |
JP5172617B2 (ja) | 2007-11-12 | 2013-03-27 | シャープ株式会社 | 気相成長装置及び気相成長方法 |
US7704849B2 (en) | 2007-12-03 | 2010-04-27 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming trench isolation in silicon of a semiconductor substrate by plasma |
CN101999022A (zh) | 2007-12-04 | 2011-03-30 | 帕勒拜尔股份公司 | 多层的太阳能元件 |
US8187486B1 (en) | 2007-12-13 | 2012-05-29 | Novellus Systems, Inc. | Modulating etch selectivity and etch rate of silicon nitride thin films |
JP2009170890A (ja) | 2007-12-18 | 2009-07-30 | Takashima & Co Ltd | 可撓性膜状太陽電池複層体 |
US8512509B2 (en) | 2007-12-19 | 2013-08-20 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor gas distribution plate with radially distributed path splitting manifold |
CN101903996B (zh) | 2007-12-21 | 2013-04-03 | 应用材料公司 | 用于控制衬底温度的方法和设备 |
US8129029B2 (en) | 2007-12-21 | 2012-03-06 | Applied Materials, Inc. | Erosion-resistant plasma chamber components comprising a metal base structure with an overlying thermal oxidation coating |
US7989329B2 (en) | 2007-12-21 | 2011-08-02 | Applied Materials, Inc. | Removal of surface dopants from a substrate |
US20090170331A1 (en) | 2007-12-27 | 2009-07-02 | International Business Machines Corporation | Method of forming a bottle-shaped trench by ion implantation |
TWI427697B (zh) | 2007-12-28 | 2014-02-21 | Tokyo Electron Ltd | 金屬膜及金屬氧化膜之蝕刻方法與半導體裝置之製造方法 |
US7910477B2 (en) | 2007-12-28 | 2011-03-22 | Texas Instruments Incorporated | Etch residue reduction by ash methodology |
US8018023B2 (en) | 2008-01-14 | 2011-09-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Trench sidewall protection by a carbon-rich layer in a semiconductor device |
TW200933812A (en) | 2008-01-30 | 2009-08-01 | Promos Technologies Inc | Process for forming trench isolation structure and semiconductor device produced thereby |
US20090191711A1 (en) | 2008-01-30 | 2009-07-30 | Ying Rui | Hardmask open process with enhanced cd space shrink and reduction |
US20090194810A1 (en) | 2008-01-31 | 2009-08-06 | Masahiro Kiyotoshi | Semiconductor device using element isolation region of trench isolation structure and manufacturing method thereof |
TWI478275B (zh) | 2008-02-26 | 2015-03-21 | Kyocera Corp | A wafer support portion and a method of manufacturing the same, and an electrostatic chuck using the same |
US20090214825A1 (en) | 2008-02-26 | 2009-08-27 | Applied Materials, Inc. | Ceramic coating comprising yttrium which is resistant to a reducing plasma |
US9520275B2 (en) * | 2008-03-21 | 2016-12-13 | Tokyo Electron Limited | Mono-energetic neutral beam activated chemical processing system and method of using |
JP5352103B2 (ja) | 2008-03-27 | 2013-11-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置および処理システム |
DE102008016425B4 (de) | 2008-03-31 | 2015-11-19 | Advanced Micro Devices, Inc. | Verfahren zur Strukturierung einer Metallisierungsschicht durch Verringerung der durch Lackentfernung hervorgerufenen Schäden des dielektrischen Materials |
US20090258162A1 (en) | 2008-04-12 | 2009-10-15 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing apparatus and method |
JP2009266952A (ja) | 2008-04-23 | 2009-11-12 | Seiko Epson Corp | デバイスの製造方法及び製造装置 |
US8318605B2 (en) | 2008-04-25 | 2012-11-27 | Applied Materials, Inc. | Plasma treatment method for preventing defects in doped silicon oxide surfaces during exposure to atmosphere |
US8252194B2 (en) | 2008-05-02 | 2012-08-28 | Micron Technology, Inc. | Methods of removing silicon oxide |
US20090274590A1 (en) | 2008-05-05 | 2009-11-05 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor electrostatic chuck having a coaxial rf feed and multizone ac heater power transmission through the coaxial feed |
US20090275206A1 (en) | 2008-05-05 | 2009-11-05 | Applied Materials, Inc. | Plasma process employing multiple zone gas distribution for improved uniformity of critical dimension bias |
US8357435B2 (en) * | 2008-05-09 | 2013-01-22 | Applied Materials, Inc. | Flowable dielectric equipment and processes |
US20090277874A1 (en) | 2008-05-09 | 2009-11-12 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for removing polymer from a substrate |
US20090277587A1 (en) * | 2008-05-09 | 2009-11-12 | Applied Materials, Inc. | Flowable dielectric equipment and processes |
US8277670B2 (en) | 2008-05-13 | 2012-10-02 | Lam Research Corporation | Plasma process with photoresist mask pretreatment |
KR100998011B1 (ko) | 2008-05-22 | 2010-12-03 | 삼성엘이디 주식회사 | 화학기상 증착장치 |
KR101006848B1 (ko) | 2008-05-28 | 2011-01-14 | 주식회사 코미코 | 기판 지지 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
DE102008026134A1 (de) | 2008-05-30 | 2009-12-17 | Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale | Mikrostrukturbauelement mit einer Metallisierungsstruktur mit selbstjustierten Luftspalten zwischen dichtliegenden Metallleitungen |
KR20090128913A (ko) | 2008-06-11 | 2009-12-16 | 성균관대학교산학협력단 | 태양전지용 실리콘 기판의 텍스처링 장치 및 그 방법 |
JP2010003826A (ja) | 2008-06-19 | 2010-01-07 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP5222040B2 (ja) | 2008-06-25 | 2013-06-26 | 東京エレクトロン株式会社 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
US8529704B2 (en) | 2008-06-27 | 2013-09-10 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Vacuum processing apparatus and operating method for vacuum processing apparatus |
JP5211332B2 (ja) * | 2008-07-01 | 2013-06-12 | 株式会社ユーテック | プラズマcvd装置、dlc膜及び薄膜の製造方法 |
US8161906B2 (en) | 2008-07-07 | 2012-04-24 | Lam Research Corporation | Clamped showerhead electrode assembly |
US8206506B2 (en) | 2008-07-07 | 2012-06-26 | Lam Research Corporation | Showerhead electrode |
KR101245430B1 (ko) | 2008-07-11 | 2013-03-19 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 |
JP4473344B2 (ja) | 2008-07-15 | 2010-06-02 | キヤノンアネルバ株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
US8336188B2 (en) | 2008-07-17 | 2012-12-25 | Formfactor, Inc. | Thin wafer chuck |
JP2011253832A (ja) | 2008-07-24 | 2011-12-15 | Canon Anelva Corp | レジストトリミング方法及びトリミング装置 |
KR20100013980A (ko) | 2008-08-01 | 2010-02-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 소자 분리막 형성 방법 |
US20100025370A1 (en) | 2008-08-04 | 2010-02-04 | Applied Materials, Inc. | Reactive gas distributor, reactive gas treatment system, and reactive gas treatment method |
JP2011530833A (ja) | 2008-08-12 | 2011-12-22 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 静電チャックアセンブリ |
US8702902B2 (en) * | 2008-08-20 | 2014-04-22 | Vision Dynamics Holding B.V. | Device for generating a plasma discharge for patterning the surface of a substrate |
US8268729B2 (en) | 2008-08-21 | 2012-09-18 | International Business Machines Corporation | Smooth and vertical semiconductor fin structure |
KR100997502B1 (ko) | 2008-08-26 | 2010-11-30 | 금호석유화학 주식회사 | 개환된 프탈릭 언하이드라이드를 포함하는 유기 반사 방지막 조성물과 이의 제조방법 |
KR101025741B1 (ko) | 2008-09-02 | 2011-04-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 수직 채널 트랜지스터의 활성필라 제조방법 |
US8871645B2 (en) | 2008-09-11 | 2014-10-28 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor devices suitable for narrow pitch applications and methods of fabrication thereof |
US8168268B2 (en) | 2008-12-12 | 2012-05-01 | Ovishinsky Innovation, LLC | Thin film deposition via a spatially-coordinated and time-synchronized process |
US7709396B2 (en) | 2008-09-19 | 2010-05-04 | Applied Materials, Inc. | Integral patterning of large features along with array using spacer mask patterning process flow |
US20100081285A1 (en) | 2008-09-30 | 2010-04-01 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and Method for Improving Photoresist Properties |
US7968441B2 (en) | 2008-10-08 | 2011-06-28 | Applied Materials, Inc. | Dopant activation anneal to achieve less dopant diffusion (better USJ profile) and higher activation percentage |
US7928003B2 (en) | 2008-10-10 | 2011-04-19 | Applied Materials, Inc. | Air gap interconnects using carbon-based films |
US7910491B2 (en) | 2008-10-16 | 2011-03-22 | Applied Materials, Inc. | Gapfill improvement with low etch rate dielectric liners |
US8563090B2 (en) | 2008-10-16 | 2013-10-22 | Applied Materials, Inc. | Boron film interface engineering |
US8207470B2 (en) | 2008-10-20 | 2012-06-26 | Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University | Apparatus for generating remote plasma |
US20100099263A1 (en) | 2008-10-20 | 2010-04-22 | Applied Materials, Inc. | Nf3/h2 remote plasma process with high etch selectivity of psg/bpsg over thermal oxide and low density surface defects |
US8173547B2 (en) | 2008-10-23 | 2012-05-08 | Lam Research Corporation | Silicon etch with passivation using plasma enhanced oxidation |
US20100101727A1 (en) | 2008-10-27 | 2010-04-29 | Helin Ji | Capacitively coupled remote plasma source with large operating pressure range |
JP5396065B2 (ja) | 2008-10-28 | 2014-01-22 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置の製造方法 |
US8206829B2 (en) | 2008-11-10 | 2012-06-26 | Applied Materials, Inc. | Plasma resistant coatings for plasma chamber components |
US20100116788A1 (en) | 2008-11-12 | 2010-05-13 | Lam Research Corporation | Substrate temperature control by using liquid controlled multizone substrate support |
JP5358165B2 (ja) | 2008-11-26 | 2013-12-04 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
US20100144140A1 (en) | 2008-12-10 | 2010-06-10 | Novellus Systems, Inc. | Methods for depositing tungsten films having low resistivity for gapfill applications |
US20100147219A1 (en) | 2008-12-12 | 2010-06-17 | Jui Hai Hsieh | High temperature and high voltage electrode assembly design |
US8540844B2 (en) * | 2008-12-19 | 2013-09-24 | Lam Research Corporation | Plasma confinement structures in plasma processing systems |
US8058179B1 (en) | 2008-12-23 | 2011-11-15 | Novellus Systems, Inc. | Atomic layer removal process with higher etch amount |
KR20100074508A (ko) | 2008-12-24 | 2010-07-02 | 주식회사 동부하이텍 | 반도체 소자의 제조 방법 |
JP2010154699A (ja) | 2008-12-26 | 2010-07-08 | Hitachi Ltd | 磁束可変型回転電機 |
US20100183825A1 (en) | 2008-12-31 | 2010-07-22 | Cambridge Nanotech Inc. | Plasma atomic layer deposition system and method |
KR101587601B1 (ko) | 2009-01-14 | 2016-01-25 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치의 제조 방법 |
US20100187694A1 (en) | 2009-01-28 | 2010-07-29 | Chen-Hua Yu | Through-Silicon Via Sidewall Isolation Structure |
KR20100087915A (ko) | 2009-01-29 | 2010-08-06 | 삼성전자주식회사 | 실린더형 스토리지 노드를 포함하는 반도체 메모리 소자 및그 제조 방법 |
US7964517B2 (en) | 2009-01-29 | 2011-06-21 | Texas Instruments Incorporated | Use of a biased precoat for reduced first wafer defects in high-density plasma process |
KR101527195B1 (ko) | 2009-02-02 | 2015-06-10 | 삼성전자주식회사 | 수직 구조의 비휘발성 메모리 소자 |
JP5210191B2 (ja) | 2009-02-03 | 2013-06-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 窒化珪素膜のドライエッチング方法 |
JP2010180458A (ja) | 2009-02-06 | 2010-08-19 | Kit:Kk | アルミニウム表面の酸化層形成方法及び半導体装置の製造方法 |
KR101617781B1 (ko) | 2009-02-13 | 2016-05-03 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 플라즈마 챔버 전극을 위한 rf 버스 및 rf 리턴 버스 |
KR101566922B1 (ko) | 2009-02-16 | 2015-11-09 | 삼성전자주식회사 | 저스트 드라이 에칭과 케미컬 드라이 에칭을 조합한 반도체소자의 금속 실리사이드막 형성 방법 |
US8148749B2 (en) | 2009-02-19 | 2012-04-03 | Fairchild Semiconductor Corporation | Trench-shielded semiconductor device |
WO2010101369A2 (ko) | 2009-03-03 | 2010-09-10 | 주성엔지니어링㈜ | 가스 분배 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 장치 |
US8368308B2 (en) | 2009-03-05 | 2013-02-05 | Applied Materials, Inc. | Inductively coupled plasma reactor having RF phase control and methods of use thereof |
KR20110138142A (ko) | 2009-03-17 | 2011-12-26 | 로트 운트 라우 악치엔게젤샤프트 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR101539699B1 (ko) | 2009-03-19 | 2015-07-27 | 삼성전자주식회사 | 3차원 구조의 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법 |
US8312839B2 (en) * | 2009-03-24 | 2012-11-20 | Applied Materials, Inc. | Mixing frequency at multiple feeding points |
JP5657262B2 (ja) | 2009-03-27 | 2015-01-21 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
KR101534357B1 (ko) | 2009-03-31 | 2015-07-06 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 지지 장치 및 기판 지지 방법 |
JP5501807B2 (ja) | 2009-03-31 | 2014-05-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
US8026179B2 (en) | 2009-04-09 | 2011-09-27 | Macronix International Co., Ltd. | Patterning method and integrated circuit structure |
US8272346B2 (en) * | 2009-04-10 | 2012-09-25 | Lam Research Corporation | Gasket with positioning feature for clamped monolithic showerhead electrode |
US9431237B2 (en) | 2009-04-20 | 2016-08-30 | Applied Materials, Inc. | Post treatment methods for oxide layers on semiconductor devices |
US8193075B2 (en) | 2009-04-20 | 2012-06-05 | Applied Materials, Inc. | Remote hydrogen plasma with ion filter for terminating silicon dangling bonds |
CN102405511B (zh) | 2009-04-20 | 2014-06-11 | 应用材料公司 | 使用处理腔室壁上的硅涂层增强清除残余的氟自由基的方法 |
WO2010123877A2 (en) | 2009-04-21 | 2010-10-28 | Applied Materials, Inc. | Cvd apparatus for improved film thickness non-uniformity and particle performance |
US8623141B2 (en) | 2009-05-18 | 2014-01-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Piping system and control for semiconductor processing |
US8492292B2 (en) | 2009-06-29 | 2013-07-23 | Applied Materials, Inc. | Methods of forming oxide layers on substrates |
US8894767B2 (en) | 2009-07-15 | 2014-11-25 | Applied Materials, Inc. | Flow control features of CVD chambers |
US8124531B2 (en) | 2009-08-04 | 2012-02-28 | Novellus Systems, Inc. | Depositing tungsten into high aspect ratio features |
US7935643B2 (en) | 2009-08-06 | 2011-05-03 | Applied Materials, Inc. | Stress management for tensile films |
US8404598B2 (en) | 2009-08-07 | 2013-03-26 | Applied Materials, Inc. | Synchronized radio frequency pulsing for plasma etching |
US7989365B2 (en) | 2009-08-18 | 2011-08-02 | Applied Materials, Inc. | Remote plasma source seasoning |
KR101095119B1 (ko) | 2009-08-19 | 2011-12-16 | 삼성전기주식회사 | 다이 패키지 및 그 제조방법 |
KR20120063494A (ko) | 2009-08-26 | 2012-06-15 | 비코 인스트루먼츠 인코포레이티드 | 자성 기록 매체 상에 패턴을 제조하기 위한 시스템 |
US20110117728A1 (en) | 2009-08-27 | 2011-05-19 | Applied Materials, Inc. | Method of decontamination of process chamber after in-situ chamber clean |
US8211808B2 (en) | 2009-08-31 | 2012-07-03 | Applied Materials, Inc. | Silicon-selective dry etch for carbon-containing films |
WO2011027515A1 (ja) | 2009-09-02 | 2011-03-10 | 積水化学工業株式会社 | シリコン含有膜のエッチング方法 |
WO2011028349A2 (en) | 2009-09-04 | 2011-03-10 | Applied Materials, Inc. | Remote hydrogen plasma source of silicon containing film deposition |
WO2011031860A1 (en) | 2009-09-10 | 2011-03-17 | Matheson Tri-Gas, Inc. | Nf3 chamber clean additive |
US20110061812A1 (en) * | 2009-09-11 | 2011-03-17 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and Methods for Cyclical Oxidation and Etching |
US20110065276A1 (en) * | 2009-09-11 | 2011-03-17 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and Methods for Cyclical Oxidation and Etching |
US20110061810A1 (en) * | 2009-09-11 | 2011-03-17 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and Methods for Cyclical Oxidation and Etching |
JP5648349B2 (ja) * | 2009-09-17 | 2015-01-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
US8216640B2 (en) | 2009-09-25 | 2012-07-10 | Hermes-Epitek Corporation | Method of making showerhead for semiconductor processing apparatus |
US8329587B2 (en) | 2009-10-05 | 2012-12-11 | Applied Materials, Inc. | Post-planarization densification |
WO2011044451A2 (en) | 2009-10-09 | 2011-04-14 | Applied Materials, Inc. | Multi-gas centrally cooled showerhead design |
EP2315028A1 (en) | 2009-10-26 | 2011-04-27 | Atlas Antibodies AB | PODXL protein in colorectal cancer |
JP5257328B2 (ja) | 2009-11-04 | 2013-08-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
WO2011056815A2 (en) | 2009-11-04 | 2011-05-12 | Applied Materials, Inc. | Plasma ion implantation process for patterned disc media applications |
US8455364B2 (en) | 2009-11-06 | 2013-06-04 | International Business Machines Corporation | Sidewall image transfer using the lithographic stack as the mandrel |
US8716780B2 (en) | 2009-11-06 | 2014-05-06 | Rambus Inc. | Three-dimensional memory array stacking structure |
US8742665B2 (en) | 2009-11-18 | 2014-06-03 | Applied Materials, Inc. | Plasma source design |
US8771538B2 (en) | 2009-11-18 | 2014-07-08 | Applied Materials, Inc. | Plasma source design |
TW201133482A (en) | 2009-11-30 | 2011-10-01 | Applied Materials Inc | Chamber for processing hard disk drive substrates |
KR101758944B1 (ko) | 2009-12-09 | 2017-07-18 | 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드 | 신규한 갭 충진 집적화 |
US8604697B2 (en) | 2009-12-09 | 2013-12-10 | Jehara Corporation | Apparatus for generating plasma |
US8202803B2 (en) | 2009-12-11 | 2012-06-19 | Tokyo Electron Limited | Method to remove capping layer of insulation dielectric in interconnect structures |
US20110140229A1 (en) | 2009-12-16 | 2011-06-16 | Willy Rachmady | Techniques for forming shallow trench isolation |
US8274017B2 (en) | 2009-12-18 | 2012-09-25 | Applied Materials, Inc. | Multifunctional heater/chiller pedestal for wide range wafer temperature control |
US20110151677A1 (en) | 2009-12-21 | 2011-06-23 | Applied Materials, Inc. | Wet oxidation process performed on a dielectric material formed from a flowable cvd process |
US8501629B2 (en) | 2009-12-23 | 2013-08-06 | Applied Materials, Inc. | Smooth SiConi etch for silicon-containing films |
JP4927158B2 (ja) | 2009-12-25 | 2012-05-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、その基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体及び基板処理装置 |
US8329262B2 (en) | 2010-01-05 | 2012-12-11 | Applied Materials, Inc. | Dielectric film formation using inert gas excitation |
JP5710209B2 (ja) | 2010-01-18 | 2015-04-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 電磁波給電機構およびマイクロ波導入機構 |
JP5166458B2 (ja) | 2010-01-22 | 2013-03-21 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP5608384B2 (ja) | 2010-02-05 | 2014-10-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体装置の製造方法及びプラズマエッチング装置 |
ATE551439T1 (de) | 2010-02-08 | 2012-04-15 | Roth & Rau Ag | PARALLELER PLATTENREAKTOR ZUR GLEICHMÄßIGEN DÜNNFILMABLAGERUNG MIT REDUZIERTER WERKZEUGAUFSTELLFLÄCHE |
US8361338B2 (en) | 2010-02-11 | 2013-01-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Hard mask removal method |
US20110198034A1 (en) | 2010-02-11 | 2011-08-18 | Jennifer Sun | Gas distribution showerhead with coating material for semiconductor processing |
ES2563205T3 (es) | 2010-02-15 | 2016-03-11 | Daikin Industries, Ltd. | Agente resistente al agua y al aceite para papel y proceso de tratamiento de papel |
JP5476152B2 (ja) | 2010-02-16 | 2014-04-23 | 積水化学工業株式会社 | 窒化シリコンのエッチング方法及び装置 |
US8456009B2 (en) | 2010-02-18 | 2013-06-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor structure having an air-gap region and a method of manufacturing the same |
JP5662079B2 (ja) | 2010-02-24 | 2015-01-28 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング処理方法 |
US20110207332A1 (en) | 2010-02-25 | 2011-08-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Thin film coated process kits for semiconductor manufacturing tools |
WO2011109148A2 (en) | 2010-03-05 | 2011-09-09 | Applied Materials, Inc. | Conformal layers by radical-component cvd |
JP5450187B2 (ja) | 2010-03-16 | 2014-03-26 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
EP2548238B8 (en) | 2010-03-16 | 2015-06-17 | SanDisk 3D, LLC | Method of forming bottom electrodes for use with metal oxide resistivity switching layers |
US8435902B2 (en) | 2010-03-17 | 2013-05-07 | Applied Materials, Inc. | Invertable pattern loading with dry etch |
CN102892922A (zh) | 2010-03-17 | 2013-01-23 | 应用材料公司 | 用于远程等离子体源辅助的含硅膜沉积的方法和装置 |
US8637411B2 (en) | 2010-04-15 | 2014-01-28 | Novellus Systems, Inc. | Plasma activated conformal dielectric film deposition |
US20110256421A1 (en) | 2010-04-16 | 2011-10-20 | United Technologies Corporation | Metallic coating for single crystal alloys |
US8288268B2 (en) | 2010-04-29 | 2012-10-16 | International Business Machines Corporation | Microelectronic structure including air gap |
US8475674B2 (en) | 2010-04-30 | 2013-07-02 | Applied Materials, Inc. | High-temperature selective dry etch having reduced post-etch solid residue |
US20110265951A1 (en) | 2010-04-30 | 2011-11-03 | Applied Materials, Inc. | Twin chamber processing system |
US20110265884A1 (en) | 2010-04-30 | 2011-11-03 | Applied Materials, Inc. | Twin chamber processing system with shared vacuum pump |
US8496756B2 (en) | 2010-04-30 | 2013-07-30 | Applied Materials, Inc. | Methods for processing substrates in process systems having shared resources |
US20110278260A1 (en) | 2010-05-14 | 2011-11-17 | Applied Materials, Inc. | Inductive plasma source with metallic shower head using b-field concentrator |
US8361906B2 (en) | 2010-05-20 | 2013-01-29 | Applied Materials, Inc. | Ultra high selectivity ashable hard mask film |
US20140154668A1 (en) | 2010-05-21 | 2014-06-05 | The Trustees Of Princeton University | Structures for Enhancement of Local Electric Field, Light Absorption, Light Radiation, Material Detection and Methods for Making and Using of the Same. |
US9324576B2 (en) | 2010-05-27 | 2016-04-26 | Applied Materials, Inc. | Selective etch for silicon films |
JP5751895B2 (ja) | 2010-06-08 | 2015-07-22 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、クリーニング方法および基板処理装置 |
US8373239B2 (en) | 2010-06-08 | 2013-02-12 | International Business Machines Corporation | Structure and method for replacement gate MOSFET with self-aligned contact using sacrificial mandrel dielectric |
JP2011258768A (ja) | 2010-06-09 | 2011-12-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 炭化珪素基板、エピタキシャル層付き基板、半導体装置および炭化珪素基板の製造方法 |
US20110304078A1 (en) | 2010-06-14 | 2011-12-15 | Applied Materials, Inc. | Methods for removing byproducts from load lock chambers |
US20120009796A1 (en) | 2010-07-09 | 2012-01-12 | Applied Materials, Inc. | Post-ash sidewall healing |
JP5463224B2 (ja) | 2010-07-09 | 2014-04-09 | 日本発條株式会社 | 流路付きプレートの製造方法、流路付きプレート、温度調節プレート、コールドプレート、及びシャワープレート |
US8278203B2 (en) | 2010-07-28 | 2012-10-02 | Sandisk Technologies Inc. | Metal control gate formation in non-volatile storage |
US9184028B2 (en) | 2010-08-04 | 2015-11-10 | Lam Research Corporation | Dual plasma volume processing apparatus for neutral/ion flux control |
US8869742B2 (en) * | 2010-08-04 | 2014-10-28 | Lam Research Corporation | Plasma processing chamber with dual axial gas injection and exhaust |
US9449793B2 (en) | 2010-08-06 | 2016-09-20 | Lam Research Corporation | Systems, methods and apparatus for choked flow element extraction |
JP5198611B2 (ja) | 2010-08-12 | 2013-05-15 | 株式会社東芝 | ガス供給部材、プラズマ処理装置およびイットリア含有膜の形成方法 |
WO2012052858A1 (en) | 2010-08-16 | 2012-04-26 | L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Etching of oxide materials |
KR20120022251A (ko) | 2010-09-01 | 2012-03-12 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 식각방법 및 그의 장치 |
US8573152B2 (en) | 2010-09-03 | 2013-11-05 | Lam Research Corporation | Showerhead electrode |
US8580699B2 (en) | 2010-09-10 | 2013-11-12 | Applied Materials, Inc. | Embedded catalyst for atomic layer deposition of silicon oxide |
KR20120029291A (ko) | 2010-09-16 | 2012-03-26 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
WO2012039932A2 (en) | 2010-09-21 | 2012-03-29 | Applied Materials, Inc. | Methods for forming layers on a substrate |
KR101209003B1 (ko) | 2010-10-14 | 2012-12-06 | 주식회사 유진테크 | 3차원 구조의 메모리 소자를 제조하는 방법 및 장치 |
US8633423B2 (en) | 2010-10-14 | 2014-01-21 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for controlling substrate temperature in a process chamber |
US8183134B2 (en) | 2010-10-19 | 2012-05-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method with improved epitaxial quality of III-V compound on silicon surfaces |
US20120097330A1 (en) | 2010-10-20 | 2012-04-26 | Applied Materials, Inc. | Dual delivery chamber design |
WO2012058377A2 (en) | 2010-10-29 | 2012-05-03 | Applied Materials, Inc. | Methods for etching oxide layers using process gas pulsing |
JP5544343B2 (ja) | 2010-10-29 | 2014-07-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
US9111994B2 (en) | 2010-11-01 | 2015-08-18 | Magnachip Semiconductor, Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
US8133349B1 (en) | 2010-11-03 | 2012-03-13 | Lam Research Corporation | Rapid and uniform gas switching for a plasma etch process |
US8389416B2 (en) | 2010-11-22 | 2013-03-05 | Tokyo Electron Limited | Process for etching silicon with selectivity to silicon-germanium |
KR20120058962A (ko) | 2010-11-30 | 2012-06-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 제조 방법 |
US8475103B2 (en) | 2010-12-09 | 2013-07-02 | Hamilton Sundstand Corporation | Sealing washer assembly for large diameter holes on flat surfaces |
US8470713B2 (en) | 2010-12-13 | 2013-06-25 | International Business Machines Corporation | Nitride etch for improved spacer uniformity |
US8741778B2 (en) | 2010-12-14 | 2014-06-03 | Applied Materials, Inc. | Uniform dry etch in two stages |
US9719169B2 (en) | 2010-12-20 | 2017-08-01 | Novellus Systems, Inc. | System and apparatus for flowable deposition in semiconductor fabrication |
JP5728221B2 (ja) | 2010-12-24 | 2015-06-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び記憶媒体 |
US20120177846A1 (en) | 2011-01-07 | 2012-07-12 | Applied Materials, Inc. | Radical steam cvd |
KR101529578B1 (ko) | 2011-01-14 | 2015-06-19 | 성균관대학교산학협력단 | 플라즈마 기판 처리 장치 및 방법 |
US10283321B2 (en) | 2011-01-18 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma |
US20120180954A1 (en) | 2011-01-18 | 2012-07-19 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma |
US8363476B2 (en) | 2011-01-19 | 2013-01-29 | Macronix International Co., Ltd. | Memory device, manufacturing method and operating method of the same |
US9018692B2 (en) | 2011-01-19 | 2015-04-28 | Macronix International Co., Ltd. | Low cost scalable 3D memory |
US9443749B2 (en) | 2011-01-20 | 2016-09-13 | Tokyo Electron Limited | Vacuum processing apparatus |
KR101732936B1 (ko) | 2011-02-14 | 2017-05-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법 |
US8771539B2 (en) | 2011-02-22 | 2014-07-08 | Applied Materials, Inc. | Remotely-excited fluorine and water vapor etch |
WO2012118847A2 (en) | 2011-02-28 | 2012-09-07 | Inpria Corportion | Solution processible hardmarks for high resolusion lithography |
WO2012118951A2 (en) | 2011-03-01 | 2012-09-07 | King Abdullah University Of Science And Technology | Silicon germanium mask for deep silicon etching |
WO2012118897A2 (en) | 2011-03-01 | 2012-09-07 | Applied Materials, Inc. | Abatement and strip process chamber in a dual loadlock configuration |
KR20140015425A (ko) | 2011-03-02 | 2014-02-06 | 게임 체인저스, 엘엘씨 | 에어 쿠션 운송기 |
WO2012122054A2 (en) | 2011-03-04 | 2012-09-13 | Novellus Systems, Inc. | Hybrid ceramic showerhead |
FR2972563B1 (fr) | 2011-03-07 | 2013-03-01 | Altis Semiconductor Snc | Procédé de traitement d'une couche de nitrure de métal oxydée |
US8999856B2 (en) * | 2011-03-14 | 2015-04-07 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of sin films |
US9064815B2 (en) * | 2011-03-14 | 2015-06-23 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of metal and metal-oxide films |
KR101884003B1 (ko) | 2011-03-22 | 2018-07-31 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 화학 기상 증착 챔버를 위한 라이너 조립체 |
TWI525743B (zh) | 2011-03-23 | 2016-03-11 | 住友大阪水泥股份有限公司 | 靜電夾持裝置 |
US8980418B2 (en) | 2011-03-24 | 2015-03-17 | Uchicago Argonne, Llc | Sequential infiltration synthesis for advanced lithography |
JP5815967B2 (ja) | 2011-03-31 | 2015-11-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄装置及び真空処理システム |
JP5864879B2 (ja) | 2011-03-31 | 2016-02-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及びその制御方法 |
JP6003011B2 (ja) | 2011-03-31 | 2016-10-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
US8460569B2 (en) | 2011-04-07 | 2013-06-11 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Method and system for post-etch treatment of patterned substrate features |
US9695510B2 (en) | 2011-04-21 | 2017-07-04 | Kurt J. Lesker Company | Atomic layer deposition apparatus and process |
US8415250B2 (en) | 2011-04-29 | 2013-04-09 | International Business Machines Corporation | Method of forming silicide contacts of different shapes selectively on regions of a semiconductor device |
US8298954B1 (en) | 2011-05-06 | 2012-10-30 | International Business Machines Corporation | Sidewall image transfer process employing a cap material layer for a metal nitride layer |
US20120285621A1 (en) * | 2011-05-10 | 2012-11-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor chamber apparatus for dielectric processing |
US9012283B2 (en) | 2011-05-16 | 2015-04-21 | International Business Machines Corporation | Integrated circuit (IC) chip having both metal and silicon gate field effect transistors (FETs) and method of manufacture |
JP5563522B2 (ja) | 2011-05-23 | 2014-07-30 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
KR101390900B1 (ko) | 2011-05-31 | 2014-04-30 | 세메스 주식회사 | 기판처리장치 |
US8562785B2 (en) | 2011-05-31 | 2013-10-22 | Lam Research Corporation | Gas distribution showerhead for inductively coupled plasma etch reactor |
US8466073B2 (en) | 2011-06-03 | 2013-06-18 | Applied Materials, Inc. | Capping layer for reduced outgassing |
JP5774778B2 (ja) | 2011-06-09 | 2015-09-09 | コリア ベーシック サイエンス インスティテュート | プラズマ発生源、スパッタリング装置、中性粒子ビーム発生源及び薄膜蒸着システム |
US8637372B2 (en) | 2011-06-29 | 2014-01-28 | GlobalFoundries, Inc. | Methods for fabricating a FINFET integrated circuit on a bulk silicon substrate |
US8883637B2 (en) | 2011-06-30 | 2014-11-11 | Novellus Systems, Inc. | Systems and methods for controlling etch selectivity of various materials |
US9117867B2 (en) | 2011-07-01 | 2015-08-25 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck assembly |
US9054048B2 (en) | 2011-07-05 | 2015-06-09 | Applied Materials, Inc. | NH3 containing plasma nitridation of a layer on a substrate |
KR20110086540A (ko) | 2011-07-12 | 2011-07-28 | 조인숙 | 불소화합물을 이용한 필름의 선택적인 식각 방법 |
US8741775B2 (en) | 2011-07-20 | 2014-06-03 | Applied Materials, Inc. | Method of patterning a low-K dielectric film |
US8974601B2 (en) | 2011-07-29 | 2015-03-10 | Semes Co., Ltd. | Apparatuses, systems and methods for treating substrate |
US20130034666A1 (en) * | 2011-08-01 | 2013-02-07 | Applied Materials, Inc. | Inductive plasma sources for wafer processing and chamber cleaning |
US8771536B2 (en) | 2011-08-01 | 2014-07-08 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch for silicon-and-carbon-containing films |
CN102915902B (zh) * | 2011-08-02 | 2015-11-25 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 一种电容耦合式的等离子体处理装置及其基片加工方法 |
KR101271247B1 (ko) | 2011-08-02 | 2013-06-07 | 주식회사 유진테크 | 에피택셜 공정을 위한 반도체 제조설비 |
US9117759B2 (en) | 2011-08-10 | 2015-08-25 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming bulb-shaped trenches in silicon |
US20130045605A1 (en) | 2011-08-18 | 2013-02-21 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch for silicon-and-nitrogen-containing films |
US8735291B2 (en) | 2011-08-25 | 2014-05-27 | Tokyo Electron Limited | Method for etching high-k dielectric using pulsed bias power |
US8679982B2 (en) | 2011-08-26 | 2014-03-25 | Applied Materials, Inc. | Selective suppression of dry-etch rate of materials containing both silicon and oxygen |
US8679983B2 (en) | 2011-09-01 | 2014-03-25 | Applied Materials, Inc. | Selective suppression of dry-etch rate of materials containing both silicon and nitrogen |
US20130217243A1 (en) | 2011-09-09 | 2013-08-22 | Applied Materials, Inc. | Doping of dielectric layers |
US8808562B2 (en) | 2011-09-12 | 2014-08-19 | Tokyo Electron Limited | Dry metal etching method |
US8927390B2 (en) | 2011-09-26 | 2015-01-06 | Applied Materials, Inc. | Intrench profile |
US20130260564A1 (en) | 2011-09-26 | 2013-10-03 | Applied Materials, Inc. | Insensitive dry removal process for semiconductor integration |
US8664012B2 (en) | 2011-09-30 | 2014-03-04 | Tokyo Electron Limited | Combined silicon oxide etch and contamination removal process |
US8551891B2 (en) | 2011-10-04 | 2013-10-08 | Applied Materials, Inc. | Remote plasma burn-in |
US9653267B2 (en) | 2011-10-06 | 2017-05-16 | Applied Materials, Inc. | Temperature controlled chamber liner |
US8808563B2 (en) | 2011-10-07 | 2014-08-19 | Applied Materials, Inc. | Selective etch of silicon by way of metastable hydrogen termination |
US20130087309A1 (en) | 2011-10-11 | 2013-04-11 | Applied Materials, Inc. | Substrate support with temperature control |
JP5740281B2 (ja) | 2011-10-20 | 2015-06-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 金属膜のドライエッチング方法 |
US9666414B2 (en) | 2011-10-27 | 2017-05-30 | Applied Materials, Inc. | Process chamber for etching low k and other dielectric films |
US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
US20130115372A1 (en) | 2011-11-08 | 2013-05-09 | Primestar Solar, Inc. | High emissivity distribution plate in vapor deposition apparatus and processes |
JP5779482B2 (ja) | 2011-11-15 | 2015-09-16 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
US8652298B2 (en) * | 2011-11-21 | 2014-02-18 | Lam Research Corporation | Triode reactor design with multiple radiofrequency powers |
US8900364B2 (en) | 2011-11-29 | 2014-12-02 | Intermolecular, Inc. | High productivity vapor processing system |
US8440523B1 (en) | 2011-12-07 | 2013-05-14 | International Business Machines Corporation | Micromechanical device and methods to fabricate same using hard mask resistant to structure release etch |
KR20130072911A (ko) | 2011-12-22 | 2013-07-02 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 비휘발성 메모리 장치 및 그 제조 방법 |
KR101878311B1 (ko) | 2011-12-30 | 2018-07-17 | 삼성전자주식회사 | high-K막을 스페이서 에치 스톱으로 이용하는 반도체 소자 형성 방법 및 관련된 소자 |
US8603891B2 (en) | 2012-01-20 | 2013-12-10 | Micron Technology, Inc. | Methods for forming vertical memory devices and apparatuses |
US8747686B2 (en) | 2012-01-27 | 2014-06-10 | Applied Materials, Inc. | Methods of end point detection for substrate fabrication processes |
JP6010406B2 (ja) | 2012-01-27 | 2016-10-19 | 東京エレクトロン株式会社 | マイクロ波放射機構、マイクロ波プラズマ源および表面波プラズマ処理装置 |
KR20140123930A (ko) | 2012-02-08 | 2014-10-23 | 이와타니 산교 가부시키가이샤 | 삼불화 염소 사용 장치에서의 삼불화 염소 공급로의 내면 처리 방법 |
US20130175654A1 (en) | 2012-02-10 | 2013-07-11 | Sylvain Muckenhirn | Bulk nanohole structures for thermoelectric devices and methods for making the same |
JP6273257B2 (ja) | 2012-03-27 | 2018-01-31 | ノベラス・システムズ・インコーポレーテッドNovellus Systems Incorporated | タングステンによるフィーチャ充填 |
US8937800B2 (en) | 2012-04-24 | 2015-01-20 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck with advanced RF and temperature uniformity |
US9161428B2 (en) | 2012-04-26 | 2015-10-13 | Applied Materials, Inc. | Independent control of RF phases of separate coils of an inductively coupled plasma reactor |
US9948214B2 (en) | 2012-04-26 | 2018-04-17 | Applied Materials, Inc. | High temperature electrostatic chuck with real-time heat zone regulating capability |
US20130284369A1 (en) | 2012-04-26 | 2013-10-31 | Applied Materials, Inc. | Two-phase operation of plasma chamber by phase locked loop |
KR20190124348A (ko) | 2012-04-26 | 2019-11-04 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | Esc 본딩 접착제 부식을 방지하기 위한 방법들 및 장치 |
US9394615B2 (en) | 2012-04-27 | 2016-07-19 | Applied Materials, Inc. | Plasma resistant ceramic coated conductive article |
US9976215B2 (en) * | 2012-05-01 | 2018-05-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor film formation apparatus and process |
JP2013235912A (ja) | 2012-05-08 | 2013-11-21 | Tokyo Electron Ltd | 被処理基体をエッチングする方法、及びプラズマエッチング装置 |
US20130298942A1 (en) | 2012-05-14 | 2013-11-14 | Applied Materials, Inc. | Etch remnant removal |
FR2991320B1 (fr) | 2012-06-05 | 2014-06-27 | Commissariat Energie Atomique | Procede de preparation d'amines methylees |
US8974164B2 (en) | 2012-06-26 | 2015-03-10 | Newfrey Llc | Plastic high heat fastener |
US8916477B2 (en) | 2012-07-02 | 2014-12-23 | Novellus Systems, Inc. | Polysilicon etch with high selectivity |
US9034773B2 (en) | 2012-07-02 | 2015-05-19 | Novellus Systems, Inc. | Removal of native oxide with high selectivity |
US8802572B2 (en) | 2012-07-10 | 2014-08-12 | Applied Materials, Inc. | Method of patterning a low-k dielectric film |
US9267739B2 (en) | 2012-07-18 | 2016-02-23 | Applied Materials, Inc. | Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities |
US9184030B2 (en) * | 2012-07-19 | 2015-11-10 | Lam Research Corporation | Edge exclusion control with adjustable plasma exclusion zone ring |
US9631273B2 (en) | 2012-07-25 | 2017-04-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Apparatus for dielectric deposition process |
US9373517B2 (en) * | 2012-08-02 | 2016-06-21 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control |
US8772888B2 (en) | 2012-08-10 | 2014-07-08 | Avalanche Technology Inc. | MTJ MRAM with stud patterning |
US8747680B1 (en) | 2012-08-14 | 2014-06-10 | Everspin Technologies, Inc. | Method of manufacturing a magnetoresistive-based device |
WO2014116304A2 (en) | 2012-08-23 | 2014-07-31 | Applied Materials, Inc. | Method and hardware for cleaning uv chambers |
US8993058B2 (en) | 2012-08-28 | 2015-03-31 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for forming tantalum silicate layers on germanium or III-V semiconductor devices |
US20140062285A1 (en) | 2012-08-29 | 2014-03-06 | Mks Instruments, Inc. | Method and Apparatus for a Large Area Inductive Plasma Source |
JP6027374B2 (ja) * | 2012-09-12 | 2016-11-16 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びフィルタユニット |
US9034770B2 (en) | 2012-09-17 | 2015-05-19 | Applied Materials, Inc. | Differential silicon oxide etch |
US9023734B2 (en) | 2012-09-18 | 2015-05-05 | Applied Materials, Inc. | Radical-component oxide etch |
US9390937B2 (en) | 2012-09-20 | 2016-07-12 | Applied Materials, Inc. | Silicon-carbon-nitride selective etch |
US9132436B2 (en) | 2012-09-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Chemical control features in wafer process equipment |
US20140099794A1 (en) | 2012-09-21 | 2014-04-10 | Applied Materials, Inc. | Radical chemistry modulation and control using multiple flow pathways |
US9018022B2 (en) | 2012-09-24 | 2015-04-28 | Lam Research Corporation | Showerhead electrode assembly in a capacitively coupled plasma processing apparatus |
TWI604528B (zh) | 2012-10-02 | 2017-11-01 | 應用材料股份有限公司 | 使用電漿預處理與高溫蝕刻劑沉積的方向性二氧化矽蝕刻 |
US9165783B2 (en) | 2012-11-01 | 2015-10-20 | Applied Materials, Inc. | Method of patterning a low-k dielectric film |
JP6035117B2 (ja) | 2012-11-09 | 2016-11-30 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置 |
US8765574B2 (en) | 2012-11-09 | 2014-07-01 | Applied Materials, Inc. | Dry etch process |
US8969212B2 (en) | 2012-11-20 | 2015-03-03 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch selectivity |
US9064816B2 (en) | 2012-11-30 | 2015-06-23 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch for selective oxidation removal |
US8980763B2 (en) | 2012-11-30 | 2015-03-17 | Applied Materials, Inc. | Dry-etch for selective tungsten removal |
US9777564B2 (en) | 2012-12-03 | 2017-10-03 | Pyrophase, Inc. | Stimulating production from oil wells using an RF dipole antenna |
US20140166618A1 (en) | 2012-12-14 | 2014-06-19 | The Penn State Research Foundation | Ultra-high speed anisotropic reactive ion etching |
US9982343B2 (en) | 2012-12-14 | 2018-05-29 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for providing plasma to a process chamber |
US9111877B2 (en) | 2012-12-18 | 2015-08-18 | Applied Materials, Inc. | Non-local plasma oxide etch |
US8921234B2 (en) | 2012-12-21 | 2014-12-30 | Applied Materials, Inc. | Selective titanium nitride etching |
JP6328931B2 (ja) | 2012-12-31 | 2018-05-23 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC | フォトレジストパターントリミング方法 |
US9165823B2 (en) | 2013-01-08 | 2015-10-20 | Macronix International Co., Ltd. | 3D stacking semiconductor device and manufacturing method thereof |
US9093389B2 (en) | 2013-01-16 | 2015-07-28 | Applied Materials, Inc. | Method of patterning a silicon nitride dielectric film |
JP6080571B2 (ja) | 2013-01-31 | 2017-02-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台及びプラズマ処理装置 |
US8970114B2 (en) | 2013-02-01 | 2015-03-03 | Lam Research Corporation | Temperature controlled window of a plasma processing chamber component |
US10256079B2 (en) * | 2013-02-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations |
JP2014154421A (ja) | 2013-02-12 | 2014-08-25 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、および高周波発生器 |
US20140234466A1 (en) | 2013-02-21 | 2014-08-21 | HGST Netherlands B.V. | Imprint mold and method for making using sidewall spacer line doubling |
US9362130B2 (en) | 2013-03-01 | 2016-06-07 | Applied Materials, Inc. | Enhanced etching processes using remote plasma sources |
TWI487004B (zh) | 2013-03-01 | 2015-06-01 | Winbond Electronics Corp | 圖案化的方法及記憶體元件的形成方法 |
US9040422B2 (en) | 2013-03-05 | 2015-05-26 | Applied Materials, Inc. | Selective titanium nitride removal |
US8801952B1 (en) | 2013-03-07 | 2014-08-12 | Applied Materials, Inc. | Conformal oxide dry etch |
US8859433B2 (en) | 2013-03-11 | 2014-10-14 | International Business Machines Corporation | DSA grapho-epitaxy process with etch stop material |
US20140262031A1 (en) | 2013-03-12 | 2014-09-18 | Sergey G. BELOSTOTSKIY | Multi-mode etch chamber source assembly |
US8946023B2 (en) | 2013-03-12 | 2015-02-03 | Sandisk Technologies Inc. | Method of making a vertical NAND device using sequential etching of multilayer stacks |
CN105122431A (zh) | 2013-03-13 | 2015-12-02 | 应用材料公司 | 脉冲式直流等离子体蚀刻方法以及设备 |
US20140273451A1 (en) | 2013-03-13 | 2014-09-18 | Applied Materials, Inc. | Tungsten deposition sequence |
TWI625424B (zh) | 2013-03-13 | 2018-06-01 | 應用材料股份有限公司 | 蝕刻包含過渡金屬的膜之方法 |
US9556507B2 (en) | 2013-03-14 | 2017-01-31 | Applied Materials, Inc. | Yttria-based material coated chemical vapor deposition chamber heater |
US9411237B2 (en) | 2013-03-14 | 2016-08-09 | Applied Materials, Inc. | Resist hardening and development processes for semiconductor device manufacturing |
US9006106B2 (en) | 2013-03-14 | 2015-04-14 | Applied Materials, Inc. | Method of removing a metal hardmask |
US20140288528A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-25 | Dr. Py Institute, Llc | Single-use needle assembly and method |
US8946076B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-02-03 | Micron Technology, Inc. | Methods of fabricating integrated structures, and methods of forming vertically-stacked memory cells |
US9276011B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-03-01 | Micron Technology, Inc. | Cell pillar structures and integrated flows |
US20140271097A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Applied Materials, Inc. | Processing systems and methods for halide scavenging |
JP5386046B1 (ja) | 2013-03-27 | 2014-01-15 | エピクルー株式会社 | サセプタ支持部およびこのサセプタ支持部を備えるエピタキシャル成長装置 |
US10941501B2 (en) | 2013-03-29 | 2021-03-09 | Analytical Specialties, Inc. | Method and composition for metal finishing |
US9230819B2 (en) | 2013-04-05 | 2016-01-05 | Lam Research Corporation | Internal plasma grid applications for semiconductor fabrication in context of ion-ion plasma processing |
US9245761B2 (en) | 2013-04-05 | 2016-01-26 | Lam Research Corporation | Internal plasma grid for semiconductor fabrication |
US20140308758A1 (en) | 2013-04-10 | 2014-10-16 | Applied Materials, Inc. | Patterning magnetic memory |
US8748322B1 (en) | 2013-04-16 | 2014-06-10 | Applied Materials, Inc. | Silicon oxide recess etch |
US20140311581A1 (en) * | 2013-04-19 | 2014-10-23 | Applied Materials, Inc. | Pressure controller configuration for semiconductor processing applications |
US9720022B2 (en) | 2015-05-19 | 2017-08-01 | Lam Research Corporation | Systems and methods for providing characteristics of an impedance matching model for use with matching networks |
US20140342569A1 (en) | 2013-05-16 | 2014-11-20 | Applied Materials, Inc. | Near surface etch selectivity enhancement |
US8895449B1 (en) | 2013-05-16 | 2014-11-25 | Applied Materials, Inc. | Delicate dry clean |
US9114438B2 (en) | 2013-05-21 | 2015-08-25 | Applied Materials, Inc. | Copper residue chamber clean |
US9082826B2 (en) | 2013-05-24 | 2015-07-14 | Lam Research Corporation | Methods and apparatuses for void-free tungsten fill in three-dimensional semiconductor features |
US20140357083A1 (en) | 2013-05-31 | 2014-12-04 | Applied Materials, Inc. | Directed block copolymer self-assembly patterns for advanced photolithography applications |
US10808317B2 (en) | 2013-07-03 | 2020-10-20 | Lam Research Corporation | Deposition apparatus including an isothermal processing zone |
US9493879B2 (en) | 2013-07-12 | 2016-11-15 | Applied Materials, Inc. | Selective sputtering for pattern transfer |
US8871651B1 (en) | 2013-07-12 | 2014-10-28 | Globalfoundries Inc. | Mask formation processing |
KR102154112B1 (ko) | 2013-08-01 | 2020-09-09 | 삼성전자주식회사 | 금속 배선들을 포함하는 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
US9543163B2 (en) | 2013-08-20 | 2017-01-10 | Applied Materials, Inc. | Methods for forming features in a material layer utilizing a combination of a main etching and a cyclical etching process |
KR20160044545A (ko) | 2013-08-27 | 2016-04-25 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 하드마스크를 측면으로 트리밍하기 위한 방법 |
US9773648B2 (en) | 2013-08-30 | 2017-09-26 | Applied Materials, Inc. | Dual discharge modes operation for remote plasma |
JP5837012B2 (ja) | 2013-09-12 | 2015-12-24 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | モニタリング方法、プラズマモニタリング方法、モニタリングシステム及びプラズマモニタリングシステム |
US9230980B2 (en) | 2013-09-15 | 2016-01-05 | Sandisk Technologies Inc. | Single-semiconductor-layer channel in a memory opening for a three-dimensional non-volatile memory device |
US8956980B1 (en) | 2013-09-16 | 2015-02-17 | Applied Materials, Inc. | Selective etch of silicon nitride |
US9051655B2 (en) | 2013-09-16 | 2015-06-09 | Applied Materials, Inc. | Boron ionization for aluminum oxide etch enhancement |
US8980758B1 (en) | 2013-09-17 | 2015-03-17 | Applied Materials, Inc. | Methods for etching an etching stop layer utilizing a cyclical etching process |
KR102403706B1 (ko) | 2013-09-27 | 2022-05-30 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 심리스 코발트 갭-충전을 가능하게 하는 방법 |
US8951429B1 (en) | 2013-10-29 | 2015-02-10 | Applied Materials, Inc. | Tungsten oxide processing |
US9236265B2 (en) | 2013-11-04 | 2016-01-12 | Applied Materials, Inc. | Silicon germanium processing |
US9576809B2 (en) | 2013-11-04 | 2017-02-21 | Applied Materials, Inc. | Etch suppression with germanium |
CN104956476B (zh) | 2013-11-06 | 2017-11-14 | 马特森技术有限公司 | 用于垂直nand器件的新型掩模去除方法策略 |
US9520303B2 (en) | 2013-11-12 | 2016-12-13 | Applied Materials, Inc. | Aluminum selective etch |
US9330937B2 (en) | 2013-11-13 | 2016-05-03 | Intermolecular, Inc. | Etching of semiconductor structures that include titanium-based layers |
US9245762B2 (en) | 2013-12-02 | 2016-01-26 | Applied Materials, Inc. | Procedure for etch rate consistency |
US9117855B2 (en) | 2013-12-04 | 2015-08-25 | Applied Materials, Inc. | Polarity control for remote plasma |
US20150170926A1 (en) | 2013-12-16 | 2015-06-18 | David J. Michalak | Dielectric layers having ordered elongate pores |
US20150171008A1 (en) | 2013-12-17 | 2015-06-18 | GLOBAL FOUNDRIES Singapore Ptd. Ltd. | Integrated circuits with dummy contacts and methods for producing such integrated circuits |
US20150170879A1 (en) * | 2013-12-17 | 2015-06-18 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor system assemblies and methods of operation |
US9287095B2 (en) * | 2013-12-17 | 2016-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor system assemblies and methods of operation |
US9263278B2 (en) | 2013-12-17 | 2016-02-16 | Applied Materials, Inc. | Dopant etch selectivity control |
US20150170943A1 (en) * | 2013-12-17 | 2015-06-18 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor system assemblies and methods of operation |
US9190293B2 (en) | 2013-12-18 | 2015-11-17 | Applied Materials, Inc. | Even tungsten etch for high aspect ratio trenches |
US9622375B2 (en) | 2013-12-31 | 2017-04-11 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck with external flow adjustments for improved temperature distribution |
US9111907B2 (en) | 2014-01-02 | 2015-08-18 | Globalfoundries Inc. | Silicide protection during contact metallization and resulting semiconductor structures |
US20150200042A1 (en) | 2014-01-10 | 2015-07-16 | Applied Materials, Inc. | Recessing ultra-low k dielectric using remote plasma source |
US9287134B2 (en) | 2014-01-17 | 2016-03-15 | Applied Materials, Inc. | Titanium oxide etch |
US20150214066A1 (en) | 2014-01-27 | 2015-07-30 | Applied Materials, Inc. | Method for material removal in dry etch reactor |
US9293568B2 (en) * | 2014-01-27 | 2016-03-22 | Applied Materials, Inc. | Method of fin patterning |
US9396989B2 (en) | 2014-01-27 | 2016-07-19 | Applied Materials, Inc. | Air gaps between copper lines |
US9385028B2 (en) | 2014-02-03 | 2016-07-05 | Applied Materials, Inc. | Air gap process |
JP6059165B2 (ja) | 2014-02-19 | 2017-01-11 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法、及びプラズマ処理装置 |
US9499898B2 (en) | 2014-03-03 | 2016-11-22 | Applied Materials, Inc. | Layered thin film heater and method of fabrication |
US9299575B2 (en) | 2014-03-17 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Gas-phase tungsten etch |
US9299538B2 (en) | 2014-03-20 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves |
US9299537B2 (en) | 2014-03-20 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves |
US9136273B1 (en) | 2014-03-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Flash gate air gap |
US9903020B2 (en) | 2014-03-31 | 2018-02-27 | Applied Materials, Inc. | Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components |
US9269590B2 (en) | 2014-04-07 | 2016-02-23 | Applied Materials, Inc. | Spacer formation |
KR102175763B1 (ko) | 2014-04-09 | 2020-11-09 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 장치 및 이의 제조 방법 |
US9881788B2 (en) | 2014-05-22 | 2018-01-30 | Lam Research Corporation | Back side deposition apparatus and applications |
US20150345029A1 (en) | 2014-05-28 | 2015-12-03 | Applied Materials, Inc. | Metal removal |
US9309598B2 (en) | 2014-05-28 | 2016-04-12 | Applied Materials, Inc. | Oxide and metal removal |
US9773683B2 (en) | 2014-06-09 | 2017-09-26 | American Air Liquide, Inc. | Atomic layer or cyclic plasma etching chemistries and processes |
US9666449B2 (en) | 2014-06-17 | 2017-05-30 | Micron Technology, Inc. | Conductors having a variable concentration of germanium for governing removal rates of the conductor during control gate formation |
US20150371865A1 (en) | 2014-06-19 | 2015-12-24 | Applied Materials, Inc. | High selectivity gas phase silicon nitride removal |
US9406523B2 (en) | 2014-06-19 | 2016-08-02 | Applied Materials, Inc. | Highly selective doped oxide removal method |
US9378969B2 (en) | 2014-06-19 | 2016-06-28 | Applied Materials, Inc. | Low temperature gas-phase carbon removal |
US20150371861A1 (en) | 2014-06-23 | 2015-12-24 | Applied Materials, Inc. | Protective silicon oxide patterning |
KR102248205B1 (ko) | 2014-06-25 | 2021-05-04 | 삼성전자주식회사 | 수직 채널 및 에어 갭을 갖는 반도체 소자 |
KR20160002543A (ko) | 2014-06-30 | 2016-01-08 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
US20160005833A1 (en) | 2014-07-03 | 2016-01-07 | Applied Materials, Inc. | Feol low-k spacers |
US9425058B2 (en) | 2014-07-24 | 2016-08-23 | Applied Materials, Inc. | Simplified litho-etch-litho-etch process |
US9496167B2 (en) | 2014-07-31 | 2016-11-15 | Applied Materials, Inc. | Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean |
US9159606B1 (en) * | 2014-07-31 | 2015-10-13 | Applied Materials, Inc. | Metal air gap |
US9378978B2 (en) | 2014-07-31 | 2016-06-28 | Applied Materials, Inc. | Integrated oxide recess and floating gate fin trimming |
US9165786B1 (en) * | 2014-08-05 | 2015-10-20 | Applied Materials, Inc. | Integrated oxide and nitride recess for better channel contact in 3D architectures |
US20160042968A1 (en) | 2014-08-05 | 2016-02-11 | Applied Materials, Inc. | Integrated oxide and si etch for 3d cell channel mobility improvements |
US9659753B2 (en) | 2014-08-07 | 2017-05-23 | Applied Materials, Inc. | Grooved insulator to reduce leakage current |
US9553102B2 (en) | 2014-08-19 | 2017-01-24 | Applied Materials, Inc. | Tungsten separation |
US9355856B2 (en) | 2014-09-12 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | V trench dry etch |
US10083818B2 (en) | 2014-09-24 | 2018-09-25 | Applied Materials, Inc. | Auto frequency tuned remote plasma source |
US9478434B2 (en) | 2014-09-24 | 2016-10-25 | Applied Materials, Inc. | Chlorine-based hardmask removal |
US9368364B2 (en) | 2014-09-24 | 2016-06-14 | Applied Materials, Inc. | Silicon etch process with tunable selectivity to SiO2 and other materials |
US9613822B2 (en) | 2014-09-25 | 2017-04-04 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity enhancement |
CN105448737A (zh) | 2014-09-30 | 2016-03-30 | 联华电子股份有限公司 | 用以形成硅凹槽的蚀刻制作工艺方法与鳍式场效晶体管 |
US9240315B1 (en) | 2014-10-10 | 2016-01-19 | Applied Materials, Inc. | CVD oxide surface pre-conditioning by inductively coupled O2 plasma |
US9966240B2 (en) | 2014-10-14 | 2018-05-08 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment |
US9355922B2 (en) | 2014-10-14 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment |
US9652567B2 (en) | 2014-10-20 | 2017-05-16 | Lam Research Corporation | System, method and apparatus for improving accuracy of RF transmission models for selected portions of an RF transmission path |
US9508529B2 (en) | 2014-10-23 | 2016-11-29 | Lam Research Corporation | System, method and apparatus for RF power compensation in a plasma processing system |
US10102321B2 (en) | 2014-10-24 | 2018-10-16 | Lam Research Corporation | System, method and apparatus for refining radio frequency transmission system models |
US9368369B2 (en) | 2014-11-06 | 2016-06-14 | Applied Materials, Inc. | Methods for forming a self-aligned contact via selective lateral etch |
US11637002B2 (en) | 2014-11-26 | 2023-04-25 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to enhance process uniformity |
JP6320282B2 (ja) | 2014-12-05 | 2018-05-09 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法 |
US9299583B1 (en) | 2014-12-05 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Aluminum oxide selective etch |
US10224210B2 (en) | 2014-12-09 | 2019-03-05 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source |
US10573496B2 (en) | 2014-12-09 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Direct outlet toroidal plasma source |
US9536749B2 (en) | 2014-12-15 | 2017-01-03 | Lam Research Corporation | Ion energy control by RF pulse shape |
US20160181116A1 (en) | 2014-12-18 | 2016-06-23 | Lam Research Corporation | Selective nitride etch |
US9502258B2 (en) | 2014-12-23 | 2016-11-22 | Applied Materials, Inc. | Anisotropic gap etch |
US9431268B2 (en) | 2015-01-05 | 2016-08-30 | Lam Research Corporation | Isotropic atomic layer etch for silicon and germanium oxides |
US9425041B2 (en) | 2015-01-06 | 2016-08-23 | Lam Research Corporation | Isotropic atomic layer etch for silicon oxides using no activation |
US9343272B1 (en) | 2015-01-08 | 2016-05-17 | Applied Materials, Inc. | Self-aligned process |
US11257693B2 (en) | 2015-01-09 | 2022-02-22 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to improve pedestal temperature control |
US9373522B1 (en) | 2015-01-22 | 2016-06-21 | Applied Mateials, Inc. | Titanium nitride removal |
US9449846B2 (en) | 2015-01-28 | 2016-09-20 | Applied Materials, Inc. | Vertical gate separation |
US20160225652A1 (en) | 2015-02-03 | 2016-08-04 | Applied Materials, Inc. | Low temperature chuck for plasma processing systems |
US9728437B2 (en) | 2015-02-03 | 2017-08-08 | Applied Materials, Inc. | High temperature chuck for plasma processing systems |
KR102314442B1 (ko) | 2015-02-06 | 2021-10-19 | 삼성전자주식회사 | D2d 네트워크에서 ue 디스커버리 방법 및 시스템 |
US20160237570A1 (en) | 2015-02-13 | 2016-08-18 | Applied Materials, Inc. | Gas delivery apparatus for process equipment |
US9275834B1 (en) | 2015-02-20 | 2016-03-01 | Applied Materials, Inc. | Selective titanium nitride etch |
US9881805B2 (en) | 2015-03-02 | 2018-01-30 | Applied Materials, Inc. | Silicon selective removal |
TWI670749B (zh) | 2015-03-13 | 2019-09-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 耦接至工藝腔室的電漿源 |
US9478433B1 (en) | 2015-03-30 | 2016-10-25 | Applied Materials, Inc. | Cyclic spacer etching process with improved profile control |
US20160307772A1 (en) | 2015-04-15 | 2016-10-20 | Applied Materials, Inc. | Spacer formation process with flat top profile |
US9870899B2 (en) | 2015-04-24 | 2018-01-16 | Lam Research Corporation | Cobalt etch back |
US9576788B2 (en) | 2015-04-24 | 2017-02-21 | Applied Materials, Inc. | Cleaning high aspect ratio vias |
US9741593B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-08-22 | Applied Materials, Inc. | Thermal management systems and methods for wafer processing systems |
US9691645B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-06-27 | Applied Materials, Inc. | Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems |
US9972504B2 (en) | 2015-08-07 | 2018-05-15 | Lam Research Corporation | Atomic layer etching of tungsten for enhanced tungsten deposition fill |
US9349605B1 (en) | 2015-08-07 | 2016-05-24 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity systems and methods |
US10504700B2 (en) | 2015-08-27 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection |
US9564338B1 (en) | 2015-09-08 | 2017-02-07 | Applied Materials, Inc. | Silicon-selective removal |
US9460959B1 (en) | 2015-10-02 | 2016-10-04 | Applied Materials, Inc. | Methods for pre-cleaning conductive interconnect structures |
US10504754B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
US10522371B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
US9865484B1 (en) | 2016-06-29 | 2018-01-09 | Applied Materials, Inc. | Selective etch using material modification and RF pulsing |
US9721789B1 (en) | 2016-10-04 | 2017-08-01 | Applied Materials, Inc. | Saving ion-damaged spacers |
US9768034B1 (en) | 2016-11-11 | 2017-09-19 | Applied Materials, Inc. | Removal methods for high aspect ratio structures |
-
2013
- 2013-03-14 US US13/829,669 patent/US9373517B2/en active Active
- 2013-07-25 WO PCT/US2013/052039 patent/WO2014022192A1/en active Application Filing
- 2013-07-25 CN CN201380041015.6A patent/CN104508804B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2013-07-25 KR KR1020157005502A patent/KR102111919B1/ko active IP Right Grant
- 2013-07-25 JP JP2015525467A patent/JP6258320B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2013-07-29 TW TW102127133A patent/TWI594319B/zh not_active IP Right Cessation
-
2016
- 2016-06-20 US US15/187,211 patent/US10032606B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5882424A (en) * | 1997-01-21 | 1999-03-16 | Applied Materials, Inc. | Plasma cleaning of a CVD or etch reactor using a low or mixed frequency excitation field |
US20040144490A1 (en) * | 2003-01-27 | 2004-07-29 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cleaning a CVD chamber |
US20050214477A1 (en) * | 2004-03-26 | 2005-09-29 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition plasma process using an ion shower grid |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6258320B2 (ja) | 2018-01-10 |
US20140057447A1 (en) | 2014-02-27 |
TWI594319B (zh) | 2017-08-01 |
US10032606B2 (en) | 2018-07-24 |
JP2015529972A (ja) | 2015-10-08 |
CN104508804A (zh) | 2015-04-08 |
WO2014022192A1 (en) | 2014-02-06 |
US9373517B2 (en) | 2016-06-21 |
KR20150038564A (ko) | 2015-04-08 |
TW201417172A (zh) | 2014-05-01 |
CN104508804B (zh) | 2017-10-31 |
US20160300694A1 (en) | 2016-10-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102111919B1 (ko) | 개선된 제어를 위해 dc 보조 rf 전력을 이용한 반도체 프로세싱 | |
US11670486B2 (en) | Pulsed plasma chamber in dual chamber configuration | |
US9508530B2 (en) | Plasma processing chamber with flexible symmetric RF return strap | |
KR102060223B1 (ko) | 높은 종횡비 피쳐들을 에칭하기 위한 다중 주파수 전력 변조 | |
TWI621176B (zh) | Semiconductor device manufacturing method | |
TWI673752B (zh) | 電漿裝置 | |
KR101901158B1 (ko) | 금속 및 금속 산화물 막들의 에칭을 위한 방법들 | |
KR101475546B1 (ko) | 플라즈마 에칭 방법, 플라즈마 에칭 장치 및 기억 매체 | |
US8921234B2 (en) | Selective titanium nitride etching | |
KR102266267B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 | |
US20170018411A1 (en) | Extreme edge sheath and wafer profile tuning through edge-localized ion trajectory control and plasma operation | |
JP6175570B2 (ja) | ガスパルスを用いる深掘りシリコンエッチングのための方法 | |
JP2016143890A (ja) | 自己配列されたパターニング集積化スキームにおけるパターン密度を増加させるための方法 | |
WO2014133967A1 (en) | Enhanced etching processes using remote plasma sources | |
KR20140027895A (ko) | 증강된 플라즈마 프로세싱 시스템의 플라즈마-향상된 에칭 | |
US9905431B2 (en) | Dry etching method | |
KR20150097416A (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 | |
JP6298814B2 (ja) | プラズマを用いて物体を処理する装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |