JP2023534198A - 高い高度の面及び低い高度の面を有する低屈折率基板と、低い高度の面に配置された高屈折率材料とを含む、鏡面反射を低減するテクスチャ領域 - Google Patents

Abstract

ディスプレイ物品用基板は、（ａ）主面と、（ｂ）主面の少なくとも一部に設けられたテクスチャ領域であって、（ｉ）テクスチャ領域の下方に基板を通過して延びるように設けられる基準平面に平行な高位平均高度に位置する１つ以上の高位面と、（ｉｉ）高位平均高度よりも低い、基準平面に平行な低位平均高度に位置する１つ以上の低位面と、（ｉｉｉ）低位平均高度に位置する１つ以上の低位面のそれぞれに配置されて、低位平均高度より高く高位平均高度より低い、基準平面に平行な中位平均高度に位置する１つ以上の中位面を形成する高屈折率材料であって、基板の屈折率より高い屈折率を有する高屈折率材料と、を含むテクスチャ領域と、を備える基板。

Description

優先権主張

本出願は、２０２１年７月９日を出願日とする米国仮特許出願第６３／０４９８４３号の優先権の利益を主張するものであり、この仮出願のすべての内容は、参照することにより本明細書の一部をなすものとする。

関連出願の相互参照

本出願は、同一譲受人が所有する、米国特許出願第__________号（Ｄ３１０３８／３２６３２）（発明の名称「ANTI-GLARE SUBSTRATE FOR A DISPLAY ARTICLE INCLUDING A TEXTURED REGION WITH PRIMARY SURFACE FEATURES AND SECONDARY SURFACE FEATURES IMPARTING A SURFACE ROUGHNESS THAT INCREASES SURFACE SCATTERING」、出願日______________）、米国特許出願第__________号（Ｄ３２６３０／３２６３２）（発明の名称「TEXTURED REGION OF A SUBSTRATE TO REDUCE SPECULAR REFLECTANCE INCORPORATING SURFACE FEATURES WITH AN ELLIPTICAL PERIMETER OR SEGMENTS THEREOF, AND METHOD OF MAKING THE SAME」、出願日______________）、米国特許出願第__________号（Ｄ３２６４７）（発明の名称「DISPLAY ARTICLES WITH DIFFRACTIVE, ANTIGLARE SURFACES AND THIN, DURABLE ANTIREFLECTION COATINGS」、出願日______________）、及び米国特許出願第__________号（Ｄ３２６２３）（発明の名称「DISPLAY ARTICLES WITH DIFFRACTIVE, ANTIGLARE SURFACES AND THIN, DURABLE ANTIREFLECTION COATINGS」、出願日______________）に関するものであるが、その優先権を主張するものではない。上記米国特許出願明細書、刊行物及び特許文献のすべての開示内容は参照することにより本明細書の一部をなすものとする。

本開示は、高い高度の面及び低い高度の面を有する低屈折率基板と、低い高度の面に配置された高屈折率材料とを含む、鏡面反射を低減するテクスチャ領域を有するディスプレイ物品用基板に関するものである。

ディスプレイ物品のディスプレイを覆う目的で、可視光に対して透明な基板が利用されている。このようなディスプレイ物品としては、スマートフォン、タブレット端末、テレビ、コンピュータモニタなどが挙げられる。また、ディスプレイとしては、特に、液晶ディスプレイ、有機発光ダイオードディスプレイがよく用いられている。この基板は、ディスプレイを保護すると同時に、基板が持つ透明性により、デバイスユーザによるディスプレイの視認を可能にするものである。

基板が、外光を反射、特に鏡面反射すると、その基板を通したディスプレイのユーザ視認性が低下する。ここでいう鏡面反射とは、基板により鏡のように外光を反射することを指す。例えば、基板は、デバイスの周囲環境にある物体から反射又は放射された可視光を反射する恐れがある。基板が可視光を反射すると、ディスプレイから基板を透過してユーザの目に入る光のコントラストが低下してしまう。また、見る角度によっては、ディスプレイが発する可視光ではなく、鏡面反射した像がユーザに見えてしまう場合もある。そのため、基板による可視外光の鏡面反射を低減する試みが行われてきた。

基板の鏡面反射を低減する試みは、基板の反射面にテクスチャを付与することにより行われてきた。これにより得られる面を、「防眩面（antiglare surface）」と呼ぶ場合がある。例えば、基板の表面に対してサンドブラストや液体エッチングを行うことにより、当該表面にテクスチャを付与することができ、これにより、通常、当該表面は、外光を鏡面反射よりも拡散反射で反射するようになる。拡散反射とは、一般に、反射面が反射する外光の強度は変化しないが、反射面のテクスチャにより散乱光として反射させることを指す。拡散反射が多いほど、ディスプレイが発する可視光に対するユーザ視認性を阻害することは抑えられる。

しかし、上記のようなテクスチャ付与方法（すなわち、サンドブラスト及び液体エッチング）は、表面上に、不明確で再現できないジオメトリを有する特徴部（これらの特徴部によりテクスチャが得られる）を生成するものである。サンドブラストや液体エッチングにより形成した或る基板のテクスチャ面のジオメトリが、サンドブラストや液体エッチングにより形成した他の基板のテクスチャ面のジオメトリと完全に一致することはあり得ない。一般に、このテクスチャ付与処理において再現可能な目標は、基板のテクスチャ面の表面粗さを定量化したもの（すなわちＲ_ａ）に限られていた。

「防眩（antiglare）」面の品質を評価するために、様々な評価基準が用いられている。かかる評価基準には、（１）像鮮明度（distinctness-of-image）、（２）画素パワー偏差（pixel power deviation）、（３）目に見えるモアレ干渉縞、（４）透過ヘイズ、（５）鏡面反射低減、（６）反射色アーチファクト、が挙げられる。像鮮明度は、反射像鮮明度（distinctness-of-reflected-image）と呼ぶ方が適切かもしれないが、表面を反射した像がどの程度鮮明に見えるかを示す指標である。像鮮明度が低いテクスチャ面ほど、鏡面反射より拡散反射の度合いが高い。また、表面特徴部は、ディスプレイの種々の画素を大きく見せ、歪んだ像をユーザに視認させる可能性がある。画素パワー偏差は、「ぎらつき（sparkle）」とも呼ばれ、その効果を定量化したものである。画素パワー偏差は低いほど良い。モアレ干渉縞とは、大型の干渉模様のことであり、モアレ干渉縞が見えると、ユーザの目に入る像が歪んでしまう。テクスチャ面は、目に見えるモアレ干渉縞を発生させないことが好ましい。透過ヘイズとは、ディスプレイが発した可視光が基板を透過する際に、テクスチャ面でどの程度拡散するかを示す指標である。透過ヘイズが大きくなると、ディスプレイのシャープネスが低下する（すなわち、見かけの解像度が低下する）。鏡面反射低減とは、ベースラインとなる非防眩ガラス基板と比べて、防眩面が外光の鏡面反射をどの程度低減できるかを示す指標である。ベースラインからの鏡面反射低減は、大きい方が良い。反射色アーチファクトとは、テクスチャ面で反射した光が波長の関数として回折することで、反射光は比較的拡散しているが、色ごとに分かれて見えてしまう一種の色収差のことである。テクスチャ面に生じる反射色アーチファクトは、弱いほど良い。これらの特性のうちいくつかについては、詳細を後述する。

しかし、特定の表面粗さ度を目標とするだけでは、上記の指標をすべて同時に最適化することはできなかった。サンドブラストや液体エッチングにより表面粗さを比較的大きくすれば、適切に鏡面反射を拡散反射に変化させることはできるかもしれない。だが、表面粗さが大きくなると、透過ヘイズや画素パワー偏差がその分大きくなる恐れがある。一方、表面粗さが比較的小さいと、透過ヘイズは低下するものの、鏡面反射を拡散反射に十分に変化させることができず、テクスチャ付与の目的である「防眩」が達成できない恐れがある。

従って、基板にテクスチャ領域を設けるための新たな手法、すなわち、基板間で再現可能であり、テクスチャ面が「防眩」（例えば、低像鮮明度、低鏡面反射）面となるように、外光を鏡面反射よりも十分に拡散反射で反射すると同時に、低画素パワー偏差、低透過ヘイズ及び低反射色アーチファクトを実現する手法が必要とされている。

本開示は、多くの所望の防眩性能指標を同時に実現する新たな手法を提供するものである。テクスチャ領域は、基板の主面に形成され、テクスチャ領域では、エッチングなどの方法で表面特徴部を基板に形成するなどにより、基板には２つの異なる平均高度に複数の面が設けられる。そして、２つの異なる平均高度のうち低い高度に位置する基板面に、高屈折率材料を堆積させる。このとき、堆積させる高屈折率材料の量を、２つの異なる平均高度のうち高い高度に位置する基板面には到達させない量とする。表面特徴部は、ランダムでありながら特定の位置に配置することができ、これにより、基板間の再現性を実現している。表面特徴部は、所望の光学的結果が得られるように調整可能な特性寸法を有することができる。一般に、高屈折率材料が存在することにより画素パワー偏差が低下し、表面特徴部が存在することにより、反射した光を散乱させて鏡面反射を低減する効果が得られる。

本開示の第１の態様によれば、ディスプレイ物品用基板であって、（ａ）主面と、（ｂ）主面の少なくとも一部に設けられたテクスチャ領域であって、（ｉ）テクスチャ領域の下方に基板を通過して延びるように設けられる基準平面に平行な高位平均高度に位置する１つ以上の高位面、（ｉｉ）高位平均高度よりも低い、基準平面に平行な低位平均高度に位置する１つ以上の低位面、及び（ｉｉｉ）低位平均高度に位置する１つ以上の低位面のそれぞれに配置されて、低位平均高度より高く高位平均高度より低い、基準平面に平行な中位平均高度に位置する１つ以上の中位面を形成する高屈折率材料であって、基板又は１つ以上の高位面をなす低屈折率材料の屈折率より高い屈折率を有する高屈折率材料、を含むテクスチャ領域と、を備える基板が提供される。

本開示の第２の態様によれば、第１の態様に記載の基板において、（ｉ）高屈折率材料の中位平均高度は、１つ以上の高位面の高位平均高度より、１００ｎｍ～１９０ｎｍの範囲内の距離だけ低く、（ｉｉ）１つ以上の低位面の低位平均高度は、１つ以上の高位面の高位平均高度より、２２０ｎｍ～３７０ｎｍの範囲内の距離だけ低く、（ｉｉｉ）高屈折率材料の中位平均高度は、１つ以上の低位面の低位平均高度より、１００ｎｍ～２００ｎｍの範囲内の距離だけ高い。

本開示の第３の態様によれば、第１又は第２の態様に記載の基板において、（ｉ）基板又は低屈折率材料の屈折率は、１．４～１．６の範囲内にあり、（ｉｉ）高屈折率材料の屈折率は、１．６～２．３の範囲内にある。

本開示の第４の態様によれば、第１～第３の態様のいずれか１つに記載の基板において、高屈折率材料は、（ｉ）基準平面に平行、且つ（ｉｉ）高屈折率材料を通過して延びる平面上のエリアであって、テクスチャ領域によって範囲を画定されるエリアの２２％～４９％を占める。

本開示の第５の態様によれば、第１～第４の態様のいずれか１つに記載の基板において、基板は、ガラス基板又はガラスセラミック基板を含む。

本開示の第６の態様によれば、ディスプレイ物品用基板であって、（ｉ）主面と、（ｉｉ）主面の少なくとも一部に設けられたテクスチャ領域であって、（ａ）テクスチャ領域の下方に基板を通過して延びるように設けられる基準平面に平行な高位平均高度に位置する１つ以上の高位面、（ｂ）高位平均高度よりも低い、基準平面に平行な低位平均高度に位置する１つ以上の低位面、（ｃ）主面における周辺部から突出するか、又は該周辺部より凹むように設けられる表面特徴部であって、（ｉ）表面特徴部が、１つ以上の高位面及び１つ以上の低位面のうちのいずれか一方の面をなし、（ｉｉ）周辺部が、１つ以上の高位面及び１つ以上の低位面のうちの、表面特徴部がなす方とは異なるもう一方の面をなす、表面特徴部、及び（ｄ）低位平均高度に位置する１つ以上の低位面に配置された高屈折率材料であって、（ｉ）基板又は１つ以上の高位面をなす低屈折率材料の屈折率より高い屈折率、及び（ｉｉ）高位平均高度と低位平均高度の間にある、基準平面に平行な中位平均高度に位置する１つ以上の中位面を有する高屈折率材料を含むテクスチャ領域と、を備える基板が提供される。

本開示の第７の態様によれば、第６の態様に記載の基板において、（ｉ）表面特徴部は、周辺部より凹むように設けられ、（ｉｉ）高屈折率材料は、各表面特徴部内の、表面特徴部がなす低位平均高度に位置する１つ以上の低位面上に配置される。

本開示の第８の態様によれば、第６又は第７の態様に記載の基板において、高屈折率材料の中位平均高度は、１つ以上の高位面の高位平均高度より、１２０ｎｍ～１９０ｎｍの範囲内の距離だけ低い。

本開示の第９の態様によれば、第６～第８の態様のいずれか１つに記載の基板において、低位平均高度は、高位平均高度より、２２０ｎｍ～３７０ｎｍの範囲内の距離だけ低い。

本開示の第１０の態様によれば、第６～第９の態様のいずれか１つに記載の基板において、高屈折率材料の中位平均高度は、１つ以上の低位面の低位平均高度より、１００ｎｍ～２００ｎｍの範囲内の距離だけ高い。

本開示の第１１の態様によれば、第６～第１０の態様のいずれか１つに記載の基板において、基板又は低屈折率材料の屈折率は、１．４～１．６の範囲内にある。

本開示の第１２の態様によれば、第６～第１１の態様のいずれか１つに記載の基板において、高屈折率材料の屈折率は、１．６～２．３の範囲内にある。

本開示の第１３の態様によれば、第６～第１２の態様のいずれか１つに記載の基板において、（ｉ）各表面特徴部は、基準平面に平行な外周を有しており、（ｉｉ）各表面特徴部の外周は、円形又は楕円形である。

本開示の第１４の態様によれば、第６～第１２の態様のいずれか１つに記載の基板において、（ｉ）各表面特徴部は、基準平面に平行な外周を有しており、（ｉｉ）各表面特徴部の外周は、５μｍ～２００μｍの範囲の最長寸法を有している。

本開示の第１５の態様によれば、第６～第１４の態様のいずれか１つに記載の基板において、表面特徴部の配置は、反復配列ではなく、ランダムな分布を反映した配置である。

本開示の第１６の態様によれば、第６～第１４の態様のいずれか１つに記載の基板において、表面特徴部は、表面特徴部同士の離間距離が最小中心間距離を満たすようなランダムな分布で配置される。

本開示の第１７の態様によれば、第６～第１６の態様のいずれか１つに記載の基板において、高屈折率材料は、ＡｌＮ_ｘ、ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ、又はＳｉＮ_ｘを含む。

本開示の第１８の態様によれば、第６～第１７の態様のいずれか１つに記載の基板において、高屈折率材料は、（ｉ）基準平面に平行、且つ（ｉｉ）高屈折率材料を通過して延びる平面上のエリアであって、テクスチャ領域によって範囲を画定されるエリアの２２％～４９％を占める。

本開示の第１９の態様によれば、第６～第１８の態様のいずれか１つに記載の基板において、基板は、ガラス基板又はガラスセラミック基板を含む。

本開示の第２０の態様によれば、第６～第１９の態様のいずれか１つに記載の基板において、（ｉ）テクスチャ領域は、１．２％～２．１％の範囲内の画素パワー偏差を示し、（ｉｉ）テクスチャ領域は、１．５％～２．５％の範囲内の透過ヘイズを示し、（ｉｉｉ）テクスチャ領域は、０．５％～１．７５％の範囲内の鏡面反射率を示し、（ｉｖ）テクスチャ領域は、２５％～８５％の範囲内の像鮮明度を示す。

本開示の第２１の態様によれば、ディスプレイ物品用基板のテクスチャ領域を形成する方法であって、（ａ）各表面特徴部の所定の位置決めに従って、基板の主面に、周辺部から突出する又は該周辺部より凹む表面特徴部を形成することにより、テクスチャ領域を形成するステップであって、（ｉ）テクスチャ領域の１つ以上の高位面が、テクスチャ領域の下方に基板を通過して延びるように設けられる基準平面に平行な高位平均高度に位置し、（ｉｉ）テクスチャ領域の１つ以上の低位面が、高位平均高度よりも低い、基準平面に平行な低位平均高度に位置し、（ｉｉｉ）表面特徴部が、１つ以上の高位面及び１つ以上の低位面のうちのいずれか一方の面をなし、（ｉｖ）周辺部が、１つ以上の高位面及び１つ以上の低位面のうちの、表面特徴部がなす方とは異なるもう一方の面をなす、表面特徴部を形成するステップと、（ｂ）表面特徴部及び周辺部のうち、低位平均高度に位置する１つ以上の低位面をなす方に、高屈折率材料を堆積させるステップと、を含み、高屈折率材料が、（ｉ）基板の屈折率より高い屈折率、及び（ｉｉ）高位平均高度と低位平均高度の間にある、基準平面に平行な中位平均高度に位置する１つ以上の中位面を有している、方法が提供される。

本開示の第２２の態様によれば、第２１の態様に記載の方法は、間隔分布アルゴリズムを利用して各表面特徴部の位置決めを定めることにより、各表面特徴部の所定の位置決めを確立するステップをさらに含む。

本開示の第２３の態様によれば、第２２の態様に記載の方法は、（ｉ）表面特徴部の所定の位置決めに従って表面特徴部を形成する箇所におけるエッチングを阻止するエッチングマスク、又は（ｉｉ）表面特徴部の所定の位置決めに従って表面特徴部を形成する箇所においてのみエッチングを許容するエッチングマスクを、主面上に配置するステップ、をさらに含み、表面特徴部を形成するステップは、エッチングマスクを基板の主面上に配置した状態で、少なくとも基板の主面をエッチング液に接触させるステップを含む。

本開示の第２４の態様によれば、第２３の態様に記載の方法において、高屈折率材料を堆積させるステップを、表面特徴部を形成した後に、エッチングマスクを主面上に配置した状態で行う。

本開示の第２５の態様によれば、第２４の態様に記載の方法は、高屈折率材料を堆積した後に、エッチングマスクを除去するステップをさらに含む。

外部環境から放出される光の鏡面反射率を低減するためのテクスチャ領域を有する基板を示す、本開示のディスプレイ物品の斜視図 実施例２Ａ～２Ｇに係る光学式プロフィロメータのスキャン像を示すとともに、基準平面から高位の平均高度に位置する１つ以上の表面と、表面特徴部内に堆積されて、基準平面から中位の平均高度に位置する表面を形成する高屈折率材料と、を含むテクスチャ領域の実施形態を概括的に示す図 高位平均高度に位置する表面と、基準平面から低位の平均高度に位置する表面と、低位平均高度に位置する表面上に配置されて、高位平均高度と低位平均高度の間の中位平均高度に位置する表面をなす高屈折率材料と、を設けた基板を示す、図２のＩＩＩ－ＩＩＩ線断面の立面図 図３Ａと同様の図ではあるが、表面特徴部が（図３Ａのように）基板の周辺部より凹むのではなく周辺部から突出しており、高屈折率材料の配置を周辺部上に行う場合を示す図 六角形度の計算に関連する説明図 図１に示すテクスチャ領域の実施形態を形成する方法の、表面特徴部の位置を決定するステップと、決定された位置に表面特徴部を形成できるように基板上にエッチングマスクを配置するステップと、エッチングマスクが基板上にある状態で基板上に高屈折率材料を堆積するステップと、その後エッチングマスクを除去するステップとを示す模式図 比較例１Ａに係る、基板のテクスチャ領域を透過する光の回折効率をトレンチ深さ（すなわち、高位平均高度と低位平均高度との距離）の関数として示すグラフ 比較例１Ａに係る、基板のテクスチャ領域から反射する光の回折効率をトレンチ深さの関数として示すグラフ 実施例１Ｂに係る、基板のテクスチャ領域を透過する光の回折効率をトレンチ深さの関数として示すグラフ 実施例１Ｂに係る、基板のテクスチャ領域から反射する光の回折効率をトレンチ深さの関数として示すグラフ 実施例１Ｂに係る、基板のテクスチャ領域を透過する光の回折効率を基板の充填率（すなわち、テクスチャ領域の高屈折率材料を通過する平面において基板が占める割合）の関数として示すグラフ 実施例１Ｂに係る、基板のテクスチャ領域から反射する光の回折効率を基板の充填率（すなわち、テクスチャ領域の高屈折率材料を通過する平面において基板が占める割合）の関数として示すグラフ 実施例１Ｂに係る、基板のテクスチャ領域から反射する光の回折効率を入射光角度の関数として示すグラフ 実施例１Ｂに係る、基板のテクスチャ領域を透過する光の回折効率を入射光角度の関数として示すグラフ 実施例２Ａ～２Ｇに係る、（後続の工程で形成するテクスチャ領域の表面特徴部の配置を定めておくために）間隔分布アルゴリズムによりエリア内にランダム配置したオブジェクトの中心間距離を示すヒストグラム 実施例３Ａ～３Ｄに係る、（後続の工程で形成するテクスチャ領域の表面特徴部の配置を定めておくために）他の間隔分布アルゴリズムによりエリア内にランダム配置したオブジェクトの中心間距離を示すヒストグラム

ここで図１を参照すると、ディスプレイ物品１０は、基板１２を備えている。また、複数の実施形態において、ディスプレイ物品１０は、基板１２が結合された筐体１４と、筐体１４内のディスプレイ１６とをさらに備えている。かかる実施形態では、ディスプレイ１６から発する光が基板１２を透過するように、基板１２はディスプレイ１６の少なくとも一部を覆っている。

基板１２は、主面１８と、主面１８上に画定されたテクスチャ領域２０と、主面１８により範囲の一部が画定される厚さ２２と、を有している。通常、主面１８は、ディスプレイ物品１０を取り囲む外部環境２４の方向、且つディスプレイ１６の遠位側を向いている。ディスプレイ１６は、基板１２の厚さ２２を透過して、主面１８から外部環境２４に出る可視光を発する。

ここで図２～図３Ｂを参照すると、複数の実施形態において、テクスチャ領域２０は、１つ以上の高位面（higher surface）２６を有している。高位面２６は、外部環境２４に面し、且つ高位平均高度（higher mean elevation）２８に位置している。基準平面（base-plane）３０は、テクスチャ領域２０の下方を、基板１２を通過して延びている。高位平均高度２８は、基準平面３０に平行である。なお、基準平面３０は、概念上の基準位置を与えるものであり、構造的な特徴ではない。１つ以上の高位面２６はいずれも、製造能力の範囲内でこの高位平均高度２８付近に位置する。

テクスチャ領域は、１つ以上の低位面（lower surface）３２を有している。低位面３２は、外部環境２４に面し、且つ低位平均高度（lower mean elevation）３４に位置している。低位平均高度３４は、基準平面３０に平行であり、高位平均高度２８よりも低い。したがって、「高位（higher）」、「低位（lower）」は、基準平面３０からの相互相対的な高度を示す用語である。１つ以上の低位面３２はいずれも、製造能力の範囲内でこの低位平均高度３４付近に位置する。

テクスチャ領域２０の１つ以上の高位面２６は、基板１２又は基板１２上に配置された低屈折率材料により得られる。かかる実施形態では、基板１２及び低屈折率材料のうち、１つ以上の高位面２６をなす方は、１．４、１．５、１．６の屈折率、又は１．４～１．６の範囲内の屈折率を有している。複数の実施形態において、基板１２が１つ以上の高位面２６をなしているか否かにかかわらず、基板１２は、１．４、１．５、１．６の屈折率、又は１．４～１．６の範囲内の屈折率を有している。なお、本発明の目的上、具体的な屈折率値はいずれも、波長５８９ｎｍ及び温度２５℃での屈折率値である。

また、テクスチャ領域２０は、高屈折率材料３６をさらに含んでいる。複数の実施形態において、高屈折率材料３６は、基板１２の組成とは異なる組成を有している。高屈折率材料３６は、低位平均高度３４に位置するテクスチャ領域２０の１つ以上の低位面３２の上にそれぞれ配置されている。高屈折率材料３６は、１つ以上の中位面（intermediate surface）３８を形成している。中位面３８は、外部環境２４に面し、且つ基準平面３０に平行な中位平均高度（intermediate mean elevation）４０に位置している。１つ以上の中位面３８はいずれも、製造能力の範囲内でこの中位平均高度４０付近に位置する。

高屈折率材料３６は、屈折率を有している。高屈折率材料３６の屈折率は、基板１２の屈折率よりも高い。複数の実施形態において、高屈折率材料３６の屈折率は、１．６、１．７、１．８、１．９、２．０、２．０１、２．０２、２．０３、２．０４、２．０５、２．０６、２．０７、２．０８、２．０９、２．１、２．２、２．３、又はこれらの値のうちのいずれか２つの値を上下限値とする任意の範囲内（例えば、１．６～２．３、１．８～２．２、１．９～２．１など）である。複数の実施形態において、高屈折率材料は、Ｓｉ_ｕＡｌ_ｖＯ_ｘＮ_ｙ、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｎｂ_２Ｏ_５、ＡｌＮ_ｘ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＡｌＯ_ｘＮ_ｙ、ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ、ＳｉＮ_ｘ、ＳｉＮ_ｘ：Ｈ_ｙ、ＨｆＯ_２、ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２、Ｙ_２Ｏ_３、Ａｌ_２Ｏ_３、ＭｏＯ_３、及びダイヤモンドライクカーボンであるか、又はこれを含む。複数の実施形態において、高屈折率材料は、ＡｌＮ_ｘ、ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ、又はＳｉＮ_ｘであるか、又はこれを含む。複数の実施形態において、高屈折率材料は、ＡｌＮ_ｘであるか、又はこれを含む。なお、当業者であれば、本開示における材料「ＡｌＮ_ｘ」、「ＡｌＯ_ｘＮ_ｙ」、「ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ」、及び「ＳｉＮ_ｘ」を、下付き添え字に特定の値を指定することなく、材料の部類として参照することができる。また、日常的な実験を通して酸素と窒素の比率を調節することにより、高屈折率材料の屈折率を調整することができる。膜の屈折率を高く（例えば、１．８、１．９又はそれ以上に）することが望まれる実施形態では、Ｓｉ_３Ｎ_４に近い組成を有するＳｉＮ_ｘが好ましい場合がある。また、ＡｌＮに近い組成を有するＡｌＮ_ｘも同様の高屈折率を有する膜として好ましい場合がある。また、同様の高屈折率範囲を達成しながら、これらの材料に少量（例えば、０～２０原子％）の酸素又は水素を組み入れることもできる。

高屈折率材料３６の１つ以上の中位面３８の中位平均高度４０は、テクスチャ領域２０の１つ以上の低位面３２の低位平均高度３４より高いが、テクスチャ領域２０の１つ以上の高位面２６の高位平均高度２８より低い。要するに、中位平均高度４０は、高位平均高度２８と低位平均高度３４の間の高度である。

テクスチャ領域２０の１つ以上の高位面２６の高位平均高度２８は、テクスチャ領域２０の１つ以上の低位面３２の低位平均高度３４より、距離４２だけ高い。本開示において、距離４２を「トレンチ深さ（trench depth）」と呼ぶ場合がある（ただし、後述の「エアトレンチ深さ（air trench depth）」と混同すべきではない）。複数の実施形態において、距離４２は、２２０ｎｍ、２３０ｎｍ、２４０ｎｍ、２５０ｎｍ、２６０ｎｍ、２７０ｎｍ、２８０ｎｍ、２９０ｎｍ、３００ｎｍ、３１０ｎｍ、３２０ｎｍ、３３０ｎｍ、３４０ｎｍ、３５０ｎｍ、３６０ｎｍ、又は３７０ｎｍ、又はこれらの値のうちのいずれか２つの値を上下限値とする任意の範囲（例えば、２５０ｎｍ～３５０ｎｍ、２７０ｎｍ～３３０ｎｍ、２２０ｎｍ～３７０ｎｍなど）である。

高屈折率材料３６の中位平均高度４０は、テクスチャ領域２０の１つ以上の低位面３２の低位平均高度３４より、距離４４だけ高い。距離４４は、１つ以上の低位面３２上に堆積した高屈折率材料３６の「高さ（height）」又は「厚さ（thickness）」と呼ぶこともできる。複数の実施形態において、距離４４は、１００ｎｍ、１１０ｎｍ、１２０ｎｍ、１３０ｎｍ、１４０ｎｍ、１５０ｎｍ、１６０ｎｍ、１７０ｎｍ、１８０ｎｍ、１９０ｎｍ、又は２００ｎｍ、又はこれらの値のうちのいずれか２つの値を上下限値とする任意の範囲内（例えば、１００ｎｍ～２００ｎｍ、１２０ｎｍ～１８０ｎｍなど）である。

高屈折率材料３６の中位平均高度４０は、テクスチャ領域２０の１つ以上の高位面２６の高位平均高度２８より、距離４６だけ低い。本開示において、この距離４６を「エアトレンチ深さ」と呼ぶ場合がある。複数の実施形態において、距離４６は、１００ｎｍ、１１０ｎｍ、１２０ｎｍ、１２５ｎｍ、１３０ｎｍ、１４０ｎｍ、１５０ｎｍ、１６０ｎｍ、１７０ｎｍ、１８０ｎｍ、又は１９０ｎｍ、又はこれらの値のうちのいずれか２つの値を上下限値とする任意の範囲内（例えば、１２０ｎｍ～１９０ｎｍ、１２５ｎｍ～１９０ｎｍ、１３０ｎｍ～１８０ｎｍ、１００ｎｍ～１９０ｎｍなど）である。なお、図３Ａ及び図３Ｂは縮尺通りの図ではない。

高屈折率材料３６は、（ｉ）基準平面３０に平行、且つ（ｉｉ）高屈折率材料３６を通過して延びる平面（plane）５０上のエリア４８の一部を占めている。エリア４８の範囲は、テクスチャ領域２０によって画定される。換言すれば、エリア４８が、テクスチャ領域２０を越えて沿面方向に広がることはない。本明細書において、平面５０上のエリア４８に占める高屈折率材料３６の割合を、高屈折率材料３６の「充填率（fill-fraction）」と呼ぶ場合がある。複数の実施形態において、高屈折率材料３６の充填率は、２２％、２３％、２４％、２５％、２６％、２７％、２８％、２９％、３０％、３１％、３２％、３３％、３４％、３５％、３６％、３７％、３８％、３９％、４０％、４１％、４２％、４３％、４４％、４５％、４６％、４７％、４８％、又は４９％、又はこれらの値のうちのいずれか２つの値を上下限値とする任意の範囲内（例えば、４４％～４５％、２２％～４９％など）である。そして、１００％から高屈折率材料３６の充填率を引いた差が、高屈折率材料３６よりも低い屈折率を有する基板１２（又は基板１２上に堆積した低屈折率材料）の充填率となる。

高屈折率材料の充填率が２２％～４９％のときに、鏡面反射率及び１次回折ピーク強度が最小となると考えられている。高屈折率材料３６は、基板１２又は低屈折率材料の屈折率よりも高い屈折率を有しているため、高屈折率材料３６の方が反射率が高い。したがって、反射時の相殺的干渉を最大化するためには、外光を反射する主面１８のテクスチャ領域２０に占める高屈折率材料３６の割合を半分未満とするべきである。そして、このより反射率の高い高屈折率材料３６とのバランスを取るため、外光を反射する主面１８のテクスチャ領域２０の半分超を、より屈折率の低い基板１２又は低屈折率材料とする必要がある。

複数の実施形態において、テクスチャ領域２０は、表面特徴部５２を有している。複数の実施形態において、表面特徴部５２は、主面１８のテクスチャ領域２０における周辺部５４から突出している。かかる表面特徴部５２は、柱、畝などの形態をとる。また、複数の実施形態において、表面特徴部５２は、周辺部５４より凹むように（すなわち、沈めて）設けられる。かかる表面特徴部５２は、周辺部５４から基板１２又は低屈折率材料の厚さ２２方向に延びるブラインドホール、溝、又はメサの形態をとる。複数の実施形態において、表面特徴部５２の一部を周辺部５４より凹むように設け、表面特徴部５２の一部を周辺部５４から突出させることもできる。複数の実施形態において、表面特徴部５２は、切れ目なく連続する周辺部５４で取り囲まれている。

表面特徴部５２と周辺部５４のうちのいずれか一方により、高位平均高度２８に位置する１つ以上の高位面２６が得られ、表面特徴部５２と周辺部５４のうちのもう一方により、低位平均高度３４に位置する１つ以上の低位面３２が得られる。表面特徴部５２が周辺部５４から突出している場合（図３Ｂ参照）、高位平均高度２８に位置する１つ以上の高位面２６は、表面特徴部５２により得られる。そして、かかる例では、低位平均高度３４に位置する１つ以上の低位面３２は、周辺部５４により得られる。表面特徴部５２が周辺部５４より凹むように設けられている場合（図３Ａ参照）、高位平均高度２８に位置する１つ以上の高位面２６は、周辺部５４により得られる。そして、かかる例では、低位平均高度３４に位置する１つ以上の低位面３２は、表面特徴部５２により得られる。

高屈折率材料３６は、表面特徴部５２と周辺部５４のうち、低位平均高度３４に位置する１つ以上の低位面３２をなす方に設けられる。表面特徴部５２が周辺部５４より凹むように設けられる実施形態では、高屈折率材料３６は、表面特徴部５２内の、表面特徴部５２がなす低位平均高度３４に位置する１つ以上の低位面３２上に設けられる。表面特徴部５２が周辺部５４から突出する実施形態では、高屈折率材料３６は、表面特徴部５２と表面特徴部５２の間の、周辺部５４がなす低位平均高度３４に位置する１つ以上の低位面３２上に設けられる。高屈折率材料３６が周辺部５４に配置され、周辺部５４が切れ目なく連続する実施形態では、高屈折率材料３６は、外部環境２４に向かって高屈折率材料３６を貫通して突出する表面特徴部５２の周囲を切れ目なく連続する１つの中位面３８を形成することができる。

複数の実施形態において、高位平均高度２８に位置する１つ以上の高位面２６は、平面状である。複数の実施形態において、低位平均高度３４に位置する１つ以上の低位面３２は、平面状である。他の実施形態では、１つ以上の低位面３２は、凸状又は凹状である。複数の実施形態において、１つ以上の低位面３２の一部を凹状、他を凸状とすることができる。

高位平均高度２８に位置する１つ以上の高位面２６と、低位平均高度３４に位置する１つ以上の低位面３２とを備えるテクスチャ領域２０は、外光の反射光の散乱を制御した形で生じさせる回折構造体である。外光の反射光を散乱させることにより、鏡面反射率及び像鮮明度が低減する。また、詳細は後述するが、基板１２（又は基板１２上の低屈折率材料）の屈折率よりも高い屈折率を有する高屈折率材料３６により、（ディスプレイ１６から発する光などの）テクスチャ領域２０を通過する光の透過が向上するため、高屈折率材料３６を含まないテクスチャ領域２０のみを利用する場合と比べて透過ヘイズ及び画素パワー偏差が低減する。

複数の実施形態において、表面特徴部５２は、ランダムな分布で配置される。換言すれば、かかる実施形態では、表面特徴部５２をパターン配置しない。ただし、他の実施形態では、表面特徴部５２を、六角形などのパターンで配置する。表面特徴部５２をパターン配置すると、外光の反射によりテクスチャ領域２０がモアレ干渉模様を生成してしまう恐れがある。また、表面特徴部５２をパターン配置しないことで、外光の散乱光の波長依存性を低減することができる。したがって、いくつかの用途において、表面特徴部５２をパターン配置しない方が有益な場合がある。

図４を参照すると、ランダム度の指標として、表面特徴部５２の六角形度（（degree of） hexagonality）を示している。六角形度とは、あるエリア内の物体（オブジェクト）の配置が六角形格子配置にいかに近似しているかを局所的に定量化するための指標である。エリア内のオブジェクトは、それぞれ中心点を有している。そして、エリア内のこれら中心点の各々における六角形度Ｈを、その中心点に最も近接する６点の、任意の軸に対する角度を用いて、以下の式により計算する。

変数α_ｋは、最も近接する６点の角度を示す。六角形格子では、この６つの角度の差が６０度（π／３ラジアン）ずつとなるため、６つの加数の指数の差は２πラジアンずつとなり、この和における６つの複素数がすべて等しくなる。その場合が、Ｈ＝１、つまり正六角形格子である。エリア内の各中心点が、それぞれ一意のＨ値を有している。そして、エリア内のすべてのＨ値の平均が、六角形格子配置からの乖離度を表す。すべてのＨ値の平均が１から離れるほど、ランダム性の高い配置である。

各表面特徴部５２は、基準平面３０に平行な外周５６を有している。複数の実施形態において、各表面特徴部５２の外周５６は、同一形状を有している。例えば、図２に示す実施形態などの複数の実施形態において、各表面特徴部５２の外周５６は円形である。複数の実施形態において、各表面特徴部５２の外周５６は楕円形である。複数の実施形態において、各表面特徴部５２の外周５６は、六角形又は多角形である。複数の実施形態において、表面特徴部５２の外周５６は、２つ以上の形状のうちのいずれかである（例えば、一部が楕円形、一部が円形である）。

各表面特徴部５２の外周５６は、最長寸法５８を有している。外周５６が円形の場合、最長寸法５８は外周５６の直径である。外周５６が六角形の場合、最長寸法５８は長軸（長対角線）である。その他の場合も同様である。複数の実施形態において、各表面特徴部５２の外周５６の最長寸法５８は、５μｍ、１０μｍ、２０μｍ、３０μｍ、４０μｍ、５０μｍ、６０μｍ、７０μｍ、８０μｍ、９０μｍ、１００μｍ、１１０μｍ、１２０μｍ、１３０μｍ、１４０μｍ、１５０μｍ、１６０μｍ、１７０μｍ、１８０μｍ、１９０μｍ、又は２００μｍ、又はこれらの値のうちのいずれか２つの値を上下限値とする任意の範囲内（例えば、５μｍ～２００μｍ、２０μｍ～１００μｍ、８０μｍ～１２０μｍ、３０μｍ～７０μｍ、２５μｍ～７５μｍなど）である。

複数の実施形態において、表面特徴部５２同士は、少なくとも最小中心間距離６０だけ離間している。例えば、最小中心間距離６０が１００μｍである場合、１つの表面特徴部５２の中心から隣接する他の表面特徴部５２の中心までの離間距離は、１００μｍ又は１００μｍ以上の場合はあるが、１００μｍを下回ることはない。複数の実施形態において、最小中心間距離６０は、５μｍ、１０μｍ、２０μｍ、３０μｍ、４０μｍ、５０μｍ、６０μｍ、７０μｍ、８０μｍ、９０μｍ、１００μｍ、１１０μｍ、１２０μｍ、又は１３０μｍ、又はこれらの値のうちのいずれか２つの値を上下限値とする任意の範囲内（例えば、３０μｍ～７０μｍ、４０μｍ～８０μｍ、５μｍ～１００μｍ、２０μｍ～９０μｍ、３０μｍ～８０μｍなど）である。

基板１２（又は基板１２上の低屈折率材料）の屈折率よりも高い屈折率を有する高屈折率材料３６は、テクスチャ領域２０が生成する画素パワー偏差を低減させるものである。したがって、高屈折率材料３６を組み入れない場合に比べて、最小中心間距離６０を大きくとることが可能となる。さらに、高屈折率材料３６を組み入れることにより、高屈折率材料３６を組み入れない場合に比べて、表面特徴部５２の最長寸法５８を長くすることも可能となる。これは、いくつかの理由から有益である。第１に、表面特徴部５２の最長寸法５８が長いほど、表面特徴部５２、ひいてはテクスチャ領域２０の作製が容易となる。よって、高屈折率材料３６を組み入れることにより、インクジェット印刷、スクリーン印刷、グラビアオフセット印刷などの低コストな方法で、テクスチャ領域２０を作製することが可能となる。第２に、表面特徴部５２の外周５６の最長寸法５８が長いほど、テクスチャ領域２０から生じる透過ヘイズが低下する。ただし、表面特徴部５２の最長寸法５８には実用上の制限がある。というのは、最長寸法５８がある程度長くなると、表面特徴部５２が人間の目に見えるようになり、望ましくない場合があるためである。

第３に、表面特徴部５２の外周５６の最長寸法５８が十分に長い場合、表面特徴部５２は、鏡面反射角（specular angle）から０．３度付近の角度を含む狭い角度範囲における反射光の散乱強度が大きくなる。この結果、テクスチャ領域２０で生じる画素パワー偏差は高くなる。また、この反射光の散乱は、ヒトの目で色の識別ができるほど広い角度範囲にはわたっていないため、反射色アーチファクトは低減される。例えば、４５０ｎｍの波長部分の光のピーク散乱角と６５０ｎｍの波長部分の光のピーク散乱角の間の角度差を、０．４度未満、又は０．３度未満、さらには０．２未満とすることができる。異なる波長間の散乱角の差は小さい方が好ましい。これは、ヒトの目では、極めて小さい散乱角の差を解像することが困難であるため、波長間の散乱角の差が小さい場合には、視聴者には散乱光の色があまり見えないためである。

複数の実施形態において、基板１２は、ガラス又はガラスセラミックを含む。複数の実施形態において、基板１２は、約４０モル％～８０モル％のシリカに、１つ以上の他の成分（例えば、アルミナ、酸化カルシウム、酸化ナトリウム、酸化ホウ素など）をバランスよく配合した多成分ガラス組成物である。いくつかの実施態様では、基板１２のバルク組成は、アルミノケイ酸塩ガラス、ホウケイ酸塩ガラス、及びリンケイ酸塩ガラスからなる群から選択される。他の実施態様では、基板１２のバルク組成は、アルミノケイ酸塩ガラス、ホウケイ酸塩ガラス、リンケイ酸塩ガラス、ソーダ石灰ガラス、アルカリアルミノケイ酸塩ガラス、及びアルカリアルミノホウケイ酸塩ガラスからなる群から選択される。さらなる実施態様では、基板１２はガラス系基板であり、約９０質量％以上のガラス成分と、セラミック成分を含むガラスセラミック材料を含むが、これに限定されない。ディスプレイ物品１０の他の実施態様では、基板１２は、テクスチャ領域２０の成長と保持に適した耐久性と機械的特性とを有する高分子材料とすることができる。他の実施形態では、基板１２は、サファイアなどの単結晶構造体であるか、又は単結晶構造体を含む。

複数の実施形態において、基板１２のバルク組成は、アルミナと、少なくとも１つのアルカリ金属と、ＳｉＯ_２とを含むアルカリアルミノケイ酸塩ガラスを含む。このガラスは、いくつかの実施形態では、５０モル％超のＳｉＯ_２、他の実施形態では、少なくとも５８モル％のＳｉＯ_２、さらに他の実施形態では、少なくとも６０モル％のＳｉＯ_２を含み、比（Ａｌ_２Ｏ_３（モル％）＋Ｂ_２Ｏ_３（モル％））／Σアルカリ金属修飾物質（モル％）＞１であり、式中のアルカリ金属修飾物質は、アルカリ金属酸化物である。特定の実施形態では、このガラスは、約５８モル％～約７２モル％のＳｉＯ_２、約９モル％～約１７モル％のＡｌ_２Ｏ_３、約２モル％～約１２モル％のＢ_２Ｏ_３、約８モル％～約１６モル％のＮａ_２Ｏ、及び０モル％～約４モル％のＫ_２Ｏを含み（又は、から本質的になり、又は、からなり）、比（Ａｌ_２Ｏ_３（モル％）＋Ｂ_２Ｏ_３（モル％））／Σアルカリ金属修飾物質（モル％）＞１であり、式中のアルカリ金属修飾物質は、アルカリ金属酸化物である。

複数の実施形態において、基板１２のバルク組成は、約６１モル％～約７５モル％のＳｉＯ_２、約７モル％～約１５モル％のＡｌ_２Ｏ_３、０モル％～約１２モル％のＢ_２Ｏ_３、約９モル％～約２１モル％のＮａ_２Ｏ、０モル％～約４モル％のＫ_２Ｏ、０モル％～約７モル％のＭｇＯ、及び０モル％～約３モル％のＣａＯを含む（又は、から本質的になる、又は、からなる）アルカリアルミノケイ酸塩ガラスを含む。

複数の実施形態において、基板１２のバルク組成は、約６０モル％～約７０モル％のＳｉＯ_２、約６モル％～約１４モル％のＡｌ_２Ｏ_３、０モル％～約１５モル％のＢ_２Ｏ_３、０モル％～約１５モル％のＬｉ_２Ｏ、０モル％～約２０モル％のＮａ_２Ｏ、０モル％～約１０モル％のＫ_２Ｏ、０モル％～約８モル％のＭｇＯ、０モル％～約１０モル％のＣａＯ、０モル％～約５モル％のＺｒＯ_２、０モル％～約１モル％のＳｎＯ_２、０モル％～約１モル％のＣｅＯ_２、約５０ｐｐｍ未満のＡｓ_２Ｏ_３、及び約５０ｐｐｍ未満のＳｂ_２Ｏ_３を含み（又は、から本質的になり、又は、からなり）、１２モル％≦Ｌｉ_２Ｏ＋Ｎａ_２Ｏ＋Ｋ_２Ｏ≦２０モル％、及び０モル％≦ＭｇＯ＋Ｃａ≦１０モル％である、アルカリアルミノケイ酸塩ガラスを含む。

複数の実施形態において、基板１２のバルク組成は、約６４モル％～約６８モル％のＳｉＯ_２、約１２モル％～約１６モル％のＮａ_２Ｏ、約８モル％～約１２モル％のＡｌ_２Ｏ_３、０モル％～約３モル％のＢ_２Ｏ_３、約２モル％～約５モル％のＫ_２Ｏ、約４モル％～約６モル％のＭｇＯ、及び０モル％～約５モル％のＣａＯを含み（又は、から本質的になり、又は、からなり）、６６モル％≦ＳｉＯ_２＋Ｂ_２Ｏ_３＋ＣａＯ≦６９モル％、Ｎａ_２Ｏ＋Ｋ_２Ｏ＋Ｂ_２Ｏ_３＋ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＞１０モル％、５モル％≦ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ≦８モル％、（Ｎａ_２Ｏ＋Ｂ_２Ｏ_３）－Ａｌ_２Ｏ_３≦２モル％、２モル％≦Ｎａ_２Ｏ－Ａｌ_２Ｏ_３≦６モル％、及び４モル％≦（Ｎａ_２Ｏ＋Ｋ_２Ｏ）－Ａｌ_２Ｏ_３≦１０モル％であるアルカリアルミノケイ酸塩ガラスを含む。

複数の実施形態において、基板１２のバルク組成は、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｐ_２Ｏ_５、及び少なくとも１つのアルカリ金属酸化物（Ｒ_２Ｏ）を含み、０．７５＞［（Ｐ_２Ｏ_５（モル％）＋Ｒ_２Ｏ（モル％））／Ｍ_２Ｏ_３（モル％）］≦１．２であり、Ｍ_２Ｏ_３＝Ａｌ_２Ｏ_３＋Ｂ_２Ｏ_３である。複数の実施形態において、［（Ｐ_２Ｏ_５（モル％）＋Ｒ_２Ｏ（モル％））／Ｍ_２Ｏ_３（モル％）］＝１であり、複数の実施形態において、ガラスはＢ_２Ｏ_３を含まず、Ｍ_２Ｏ_３＝Ａｌ_２Ｏ_３である。複数の実施形態において、基板１２は、約４０～約７０モル％のＳｉＯ_２、０～約２８モル％のＢ_２Ｏ_３、約０～約２８モル％のＡｌ_２Ｏ_３、約１～約１４モル％のＰ_２Ｏ_５、及び約１２～約１６モル％のＲ_２Ｏを含む。いくつかの実施形態では、ガラス基板は、約４０～約６４モル％のＳｉＯ_２、０～約８モル％のＢ_２Ｏ_３、約１６～約２８モル％のＡｌ_２Ｏ_３、約２～約１２モル％のＰ_２Ｏ_５、及び約１２～約１６モル％のＲ_２Ｏを含む。また、基板１２は、少なくとも１つのアルカリ土類金属酸化物をさらに含むこともできる。アルカリ土類金属酸化物としては、例えば、ＭｇＯ又はＣａＯが挙げられるが、これらに限定されるものではない。

いくつかの実施形態では、基板１２は、実質的にリチウムを含まないバルク組成を有している。すなわち、ガラスが含むＬｉ_２Ｏは１モル％未満であり、他の実施形態では、ガラスが含むＬｉ_２Ｏは０．１モル％未満、他の実施形態では、ガラスが含むＬｉ_２Ｏは０．０１モル％、さらに他の実施形態では、ガラスが含むＬｉ_２Ｏは０モル％である。いくつかの実施形態では、かかるガラスは、ヒ素、アンチモン、及びバリウムのうち少なくとも１つを含まない。すなわち、ガラスが含むＡｓ_２Ｏ_３、Ｓｂ_２Ｏ_３、及び／又はＢａＯは、１モル％未満であり、他の実施形態では、０．１モル％未満、さらに他の実施形態では、０モル％である。

複数の実施形態において、基板１２のバルク組成は、Ｃｏｒｎｉｎｇ（登録商標）Ｅａｇｌｅ ＸＧ（登録商標）ガラス、「Ｃｏｒｎｉｎｇ」Ｇｏｒｉｌｌａ（登録商標）ガラス、「Ｃｏｒｎｉｎｇ」「Ｇｏｒｉｌｌａ」ガラス２、「Ｃｏｒｎｉｎｇ」「Ｇｏｒｉｌｌａ」ガラス３、「Ｃｏｒｎｉｎｇ」「Ｇｏｒｉｌｌａ」ガラス４、又は「Ｃｏｒｎｉｎｇ」「Ｇｏｒｉｌｌａ」ガラス５を含む（又は、から本質的になる、又は、からなる）。

複数の実施形態において、基板１２は、当技術分野で公知の化学的手段又は熱的手段のいずれかにより強化したイオン交換性ガラス組成を有している。複数の実施形態において、基板１２は、イオン交換により化学的に強化される。このプロセスでは、基板１２の主面１８又はその近傍の金属イオンを、基板１２中のこの金属イオンと価数の等しいより大きな金属イオンと交換する。一般に、イオン交換は、大きな金属イオンを含有するイオン交換媒体（例えば、溶融塩浴など）に基板１２を接触させることにより行う。この金属イオンは、通常、一価の金属イオンであり、例えば、アルカリ金属イオンである。限定されるものではないが、一例を挙げれば、ナトリウムイオンを含有する基板１２をイオン交換で化学強化する場合、基板１２の強化は、硝酸カリウム（ＫＮＯ_３）などの溶融カリウム塩を含むイオン交換浴に基板１２を浸漬することにより行われる。ある特定の実施形態では、基板１２の主面１８に隣接する表層部のイオン、及びこれより大きなイオンは、Ｌｉ^＋（ガラス中に位置する場合）や、Ｎａ^＋、Ｋ^＋、Ｒｂ^＋、Ｃｓ^＋などの一価のアルカリ金属カチオンである。あるいは、基板１２の表層部中の一価のカチオンを、Ａｇ^＋などの、アルカリ金属カチオンとは異なる一価のカチオンに置換することもできる。

かかる実施形態では、イオン交換プロセスで小さな金属イオンをより大きな金属イオンに置換することにより、基板１２内に、主面１８から圧縮応力を受ける深さ（「層深さ（depth of layer）」と呼ぶ）まで延びる圧縮応力領域が形成される。この基板１２の圧縮応力は、基板１２の内部における引張応力（別称「中心張力（central tension）」）と釣り合っている。いくつかの実施形態では、本明細書に記載の基板１２の主面１８は、イオン交換による強化を受けて、少なくとも３５０ＭＰａの圧縮応力を有しており、圧縮応力を受ける領域は、主面１８下の厚さ２２の内部に少なくとも１５μｍの深さ（すなわち層深さ）まで延びる。

イオン交換プロセスは、通常、ガラス中の小さいイオンと置換されることになる大きいイオンを含有する溶融塩浴に基板１２を浸漬することにより行われる。イオン交換プロセスのパラメータとしては、浴の組成と温度、浸漬時間、（１つ以上の）塩浴へのガラスの浸漬回数、複数の塩浴の使用、アニール工程や洗浄工程などの追加工程が挙げられるが、これらに限定されない。そして、当業者であれば、かかるイオン交換プロセスのパラメータは、通常、ガラスの組成、並びに強化処理の結果として望まれるガラスの層深さ及び圧縮応力によって定められることが理解されよう。一例を挙げれば、アルカリ金属を含有するガラスのイオン交換は、大きなアルカリ金属イオンの塩（例えば、硝酸塩、硫酸塩、塩化物などが挙げられるが、これらに限定されない）を含有する少なくとも１つの溶融浴に浸漬することにより行うことができる。溶融塩浴の温度は通常、約３８０℃～約４５０℃の範囲であり、浸漬時間は約１５分～約１６時間の範囲である。ただし、上記とは異なる温度や浸漬時間を用いることもできる。かかるイオン交換処理を、アルカリアルミノケイ酸塩ガラス組成を有する基板１２に対して行った場合、約１０μｍ～少なくとも５０μｍの範囲の深さ（層深さ）と、約２００ＭＰａ～約８００ＭＰａの範囲の圧縮応力及び約１００ＭＰａ未満の中心張力を有する圧縮応力領域が得られる。

なお、基板１２のテクスチャ領域２０は、エッチングプロセスを用いて形成することができるが、エッチングプロセスにより、イオン交換プロセス時に大きなアルカリ金属イオンで置換するはずであった基板１２中のアルカリ金属イオンを除去してしまう恐れがある。このため、テクスチャ領域２０を形成、成長させた後にディスプレイ物品１０に圧縮応力領域を成長させることが好まれる。

複数の実施形態において、テクスチャ領域２０は、画素パワー偏差（「ＰＰＤ」）を示す。ＰＰＤ値を取得するために使用する測定システム及び画像処理計算の詳細については、米国特許第９４１１１８０号明細書（発明の名称「Apparatus and Method for Determining Sparkle（ぎらつき測定装置及び方法）」）に記載されている。なお、本特許明細書の特にＰＰＤ測定に関連する箇所のすべての内容は参照することにより本明細書の一部をなすものとする。さらに、特に断りのない限り、本開示のＰＰＤ測定値の生成と評価は、ＳＭＳ－１０００システム（Display-Messtechnik & Systeme GmbH & Co. KG）を使用して行った。ＰＰＤ測定システムは、画素化源と撮像システムとを備える。画素化源（例えば、１４０ｐｐｉのノートパソコンＬｅｎｏｖｏ Ｚ５０）は、複数の画素を備えており、複数の画素の各々が参照インデックスｉ及びｊを有する。撮像システムは、画素化源が発する光路に沿って光学的に配置される。撮像システムは、撮像デバイスとダイアフラムとを備えている。撮像デバイスは、光路に沿って配置され、第２の複数の画素を備える画素化感知エリアを有しており、この第２の複数の画素の各々がインデックスｍ及びｎで参照される。ダイアフラムは、画素化源と撮像デバイスの間の光路上に配置され、画素化源が発する画像に対して調節可能な集束角を有している。また、画像処理計算は、透明な試料の画素化画像であって、複数の画素を備える画素化画像を取得するステップと、画素化画像において隣接する画素間の境界を特定するステップと、境界内で積分を行うことにより、画素化画像内の元の画素それぞれの積分エネルギーを求めるステップと、元の画素それぞれの積分エネルギーの標準偏差を求め、求めた標準偏差を画素当たりのパワーの偏差とするステップと、を含む。本明細書において、ＰＰＤの値、特性、及び上下限値については、そのすべての計算、評価を、１インチ（約２５．４ｍｍ）当たりの画素数１４０（１４０ＰＰＩ）の画素密度を有するディスプレイデバイスを使用した実験構成で行っている。複数の実施形態において、ディスプレイ物品１０は、１．２％、１．３％、１．４％、１．５％、１．６％、１．７％、１．８％、１．９％、２．０％、２．１％、又はこれらの値のうちのいずれか２つの値を上下限値とする任意の範囲内（例えば、１．２％～２．１％など）のＰＰＤを示す。複数の実施形態において、テクスチャ領域２０は、４％未満、３％未満、２．５％未満、２．１％未満、２．０％未満、又は１．７５％未満、さらには１．５％未満のＰＰＤを示す。

そして、本開示のテクスチャ領域２０が生成する画素パワー偏差値がこのように低いため、ディスプレイ物品１０のディスプレイ１６は、通常よりも高い解像度を有することができる。先の段落で述べたように、画素パワー偏差値の測定は、業界標準である、１インチ（約２５．４ｍｍ）当たりの画素数が１４０（１４０ｐｐｉ）の解像度のディスプレイを用いて行っている。本開示のテクスチャ領域２０は、かかる解像度を、画素パワー偏差を抑えて伝送することができる。従って、ディスプレイ１６の解像度を上げることが可能となる。複数の実施形態において、ディスプレイ物品１０のディスプレイ１６は、１４０ｐｐｉを上回る解像度、例えば１４０ｐｐｉ～３００ｐｐｉの範囲内の解像度を有している。

複数の実施形態において、テクスチャ領域２０は、像鮮明度（「ＤＯＩ」）を示す。本明細書において、テクスチャ領域２０に（法線から２０゜の角度で）入射する光で測定した鏡面反射束をＲ_Ｓ、同一の入射光で測定した、鏡面反射束Ｒ_Ｓから０．３゜の方向の反射束をＲ_０．３゜とすると、「ＤＯＩ」は、１００＊（Ｒ_Ｓ－Ｒ_０．３゜）／Ｒ_Ｓで示される。特に断りのない限り、本開示に記載のＤＯＩの値及び測定値は、ＡＳＴＭ規格Ｄ５７６７－１８「光沢・ヘイズ・像鮮明度（ＤＯＩ）メーターＲｈｏｐｏｉｎｔ（ローポイント）ＩＱ（Rhopoint Instruments社）を用いた、被膜面のＤＯＩ光沢の計器測定に関する標準試験法（Standard Test Method for Instrumental Measurement of Distinctness-of-Image (DOI) Gloss of Coated Surfaces using a Rhopoint IQ Gloss Haze & DOI Meter）」に従い得たものである。さらに、ＤＯＩ測定は、基板１２の背面（主面１８とは反対側の面）を吸収体と結合して、背面からの反射を排除した状態で行った。したがって、本明細書におけるＤＯＩ値は「結合状態の」値つまり「第１の面の」値である。複数の実施形態において、テクスチャ領域２０が示す像鮮明度（「ＤＯＩ」）は、２５％、３０％、３５％、４０％、４５％、５０％、５５％、６０％、６５％、７０％、７５％、８０％、又は８５％、又はこれらの値のうちのいずれか２つの値を上下限値とする任意の範囲内（例えば、２５％～８５％など）である。複数の実施形態において、テクスチャ領域２０が示す像鮮明度は、９０％未満、８０％未満、７０％未満、６０％未満、５０％未満、４０％未満、又は３５％未満、さらには３０％未満である。

複数の実施形態において、テクスチャ領域２０は、透過ヘイズを示す。本明細書において、「透過ヘイズ（transmission haze）」という用語は、ＡＳＴＭ規格Ｄ１００３「透明プラスチックのヘイズ及び光透過率の標準試験法（Standard Test Method for Haze and Luminous Transmittance of Transparent Plastics）」に従い、約±２．５°の角度錐体（angular cone）外に散乱した透過光の割合を指す。なお、本記載のすべての内容は参照することにより本明細書の一部をなすものとする。実施例では、透過ヘイズの測定は、垂直入射（０度）の入射光を用いて、積分球検出システムを用いたＢＹＫ Ｇａｒｄｎｅｒ社のヘーズガードＰｌｕｓ（Haze-Gard Plus）で行った。なお、ＡＳＴＭ規格Ｄ１００３の名称にはプラスチックと記載されているが、本規格は、ガラス材料を含む基板にも適用されているものである。通常、光学的に平滑な面の透過ヘイズはゼロに近い。複数の実施形態において、テクスチャ領域２０は、１．５％、１．６％、１．７％、１．８％、１．９％、２．０％、２．１％、２．２％、２．３％、２．４％、又は２．５％、又はこれらの値のうちのいずれか２つの値を上下限値とする任意の範囲内（例えば、１．５％～２．５％など）の透過ヘイズを示す。複数の実施形態において、テクスチャ領域２０は、２０％未満、１０％未満、５％未満、３％未満、２．５％未満、又は２．０％未満の透過ヘイズを示す。

複数の実施形態において、テクスチャ領域２０は、０．５％、０．６％、０．７％、０．８％、０．９％、１．０％、１．１％、１．２％、１．３％、１．４％、１．５％、１．６％、１．７％、１．７５％、又はこれらの値のうちのいずれか２つの値を上下限値とする任意の範囲内（例えば、０．５％～１．７５％など）の鏡面反射率を示す。本明細書における鏡面反射率の測定は、光沢・ヘイズ・ＤＯＩメーターＲｈｏｐｏｉｎｔ ＩＱ（Rhopoint Instruments社）を使用し、２０度の反射入射角で、基板１２の背面を吸収体に結合して背面の反射率を排除した状態で行った。本計器の指示値（単位：ＧＵ（gloss unit，光沢単位））は、屈折率が１．５６７、且つ入射角２０度の場合の既知の主面反射率が４．９１％である黒ガラスを管理試料とし、当該管理試料の値である１００ＧＵを基準に正規化した値である。したがって、本明細書における鏡面反射率値は、計器の生成値に０．０４９１を乗じる式に従い、計器の生成値を第１の面の絶対鏡面反射率（％）に変換した値を示している。

複数の実施形態において、約４００ｎｍ～約８００ｎｍの範囲の光波長域にわたり、テクスチャ領域２０は、８５％、８６％、８７％、８８％、８９％、９０％、９１％、９２％、９３％、９４％、又は９５％、又はこれらの値のうちのいずれか２つの値を上下限値とする任意の範囲内（例えば、８５％～９５％、９０％～９２％など）の透過率を示す。本明細書において、「透過率（transmittance）」という用語は、所定の波長域内の波長の入射光が基板１２を透過してテクスチャ領域２０から外に出る光パワーの割合として定義される。実施例における透過率の測定は、垂直入射（０度）の入射光を用いて、積分球検出システムを用いたＢＹＫ Ｇａｒｄｎｅｒ社のヘーズガードＰｌｕｓで行った。本明細書に記載の透過率は、すべての出力角での合計透過率である。

複数の実施形態において、テクスチャ領域２０は、（ｉ）１．２％～２．１％の範囲内の画素パワー偏差と、（ｉｉ）１．５％～２．５％の範囲内の透過ヘイズと、（ｉｉｉ）０．５％～１．７５％の鏡面反射率と、（ｉｖ）２５％～８５％の像鮮明度と、を同時に示す。

ここで図５を参照すると、テクスチャ領域２０を形成する方法１００が説明されている。方法１００は、各表面特徴部５２の所定の位置決めに従って、基板１２の主面１８に、周辺部から突出する又は周辺部より凹む表面特徴部５２を形成するステップ１０２を含む。方法１００は、高屈折率材料３６を表面特徴部５２又は周辺部５４のいずれかに堆積させて、低位平均高度３４に位置する１つ以上の低位面３２を設けるステップ１０４をさらに含む。ステップ１０２と１０４については、さらに後述する。

複数の実施形態において、方法１００は、間隔分布アルゴリズムを利用して各表面特徴部５２の位置決めを定めるステップ１０６をさらに含む。その結果、上述した各表面特徴部５２の所定の位置決めが行われる。このステップ１０６は、表面特徴部５２を基板１２に形成するステップ１０２の前に実行される。間隔分布アルゴリズムの例としては、ポアソンディスクサンプリング（Poisson disk sampling）アルゴリズム、マクシミンスペーシング（maxi-min spacing）アルゴリズム、剛体球分布（hard-sphere distribution）アルゴリズムが挙げられる。間隔分布アルゴリズムでは、（表面特徴部５２を表す、又は表面特徴部５２の配置の導出元となる）オブジェクト１０８同士を隔てる最小中心間距離１１２に従って、オブジェクト１０８をエリア１１０上に配置する。なお、最小中心間距離１１２は、所望の表面特徴部５２の最小中心間距離６０に一致させることができる。

ポアソンディスクサンプリングアルゴリズムによれば、（表面特徴部５２に望ましい最長寸法５８に合致する直径を有する円形の）第１のオブジェクト１０８をエリア４８に挿入する。次に、本アルゴリズムでは、エリア４８内に第２のオブジェクト１０８を挿入し、その中心をエリア４８内のランダムな位置に配置する。第２のオブジェクト１０８の配置が第１のオブジェクト１０８からの最小中心間距離１１２を満たす場合、第２のオブジェクト１０８はエリア４８に留まる。そして、本アルゴリズムでは、エリア１１０内に、最小中心間距離１１２を満たすオブジェクト１０８を配置できなくなるまで、この処理を繰り返す。これにより、オブジェクト１０８を、ランダム分布でしかも特定の位置に配置する。

マクシミンスペーシングアルゴリズムは、その名の通り、点分布の最小最近接中心間距離１１２を最大化するべく試行を行うものである（すなわち、本アルゴリズムでは、エリアにおけるオブジェクトは点である）。このアルゴリズムは、各オブジェクト１０８を、今よりも自身の任意の隣接オブジェクトから遠い他の場所に移動させるステップを繰り返すことで進められるため、通常、正六角形格子配置を生成することはない。マクシミンスペーシングアルゴリズムによれば、平均六角形度が比較的高い（９０％を超えることも珍しくない）ランダムな分布が生成される。

剛体球分布アルゴリズムは、有限温度で行う分子動力学シミュレーションである。特定的には、分子動力学シミュレータＬＡＭＭＰＳ（ＵＲＬ：https://www.lammps.org/、最終閲覧日：２０２１年６月２６日）である。このアルゴリズムによれば、エリア１１０にオブジェクト１０８を、ランダム分布で、しかも特定の、六角形格子とは異なる位置に配置する。ただし、やはり、このアルゴリズムも、ポアソンディスクアルゴリズムに比べれば、得られる配置の六角形度は高くなる。

いずれの場合も、エリア１１０におけるオブジェクト１０８の位置決めが、後続の工程で基板１２に形成する各表面特徴部５２の所定の位置決めとなるか、又は、エリア１１０におけるオブジェクト１０８の位置決めから、各表面特徴部５２の所定の位置が導出される。

複数の実施形態において、方法１００は、基板１２の主面１８上にエッチングマスク１１６を配置するステップ１１４をさらに含む。そして、後続のステップである表面特徴部５２を形成するステップ１０２は、エッチングマスク１１６を基板１２の主面１８上に配置した状態で、基板１２をエッチング液１１８に接触させるステップを含む。

複数の実施形態において、エッチングマスク１１６は、間隔分布アルゴリズムによりオブジェクト１０８が配置されたエリア１１０のポジ型又はネガ型マスクとして基板１２上に重ねて形成される。換言すれば、複数の実施形態において、エッチングマスク１１６は、基板１２の主面１８上のオブジェクト１０８の配置に合わせて形成され、この場合、エッチングマスク１１６は、表面特徴部５２の所定の位置決めに従って表面特徴部５２を形成する箇所において、後続のエッチングを阻止する。かかる例では、エッチングステップ１０２により、周辺部５４から突出した表面特徴部５２が得られる。（図５に示す実施形態などの）他の実施形態では、エッチングマスク１１６は、エリア１１０上のオブジェクト１０８の配置のネガ型マスクとして形成され、周辺部５４となる箇所におけるエッチングを阻止し、表面特徴部５２となる箇所（すなわち、エリアにおいてオブジェクトが配置された箇所）のエッチングのみを許容する。

複数の実施形態において、エッチング液１１８は、フッ酸及び硝酸のうちの１つ以上を含む。複数の実施形態において、エッチング液１１８は、フッ酸及び硝酸の両方を含む。エッチング液１１８は、エッチングマスク１１６を基板１２上に置いた状態で、基板１２に吹き付けることができる。エッチングマスク１１６を付けた状態の基板１２を、エッチング液１１８を入れた槽１２０に浸漬することもできる。複数の実施形態において、エッチング液１１８の基板１２への接触時間は、１０秒、２０秒、３０秒、４０秒、５０秒、又は６０秒、又はこれらの値のうちのいずれか２つの値を上下限値とする任意の範囲内（例えば、１０秒～６０秒など）である。この接触時間の終了後、基板１２を脱イオン水でリンス洗浄し、乾燥させる。エッチング液１１８が基板１２に接触する時間が長いほど、エッチング液１１８による基板１２のエッチングが深くまで行われ、よって、高位平均高度２８に位置する基板１２の１つ以上の高位面２６と低位平均高度３４に位置する基板１２の１つ以上の低位面３２との距離４２は大きくなる。

そして、上述したように、方法１００は、高屈折率材料３６を表面特徴部５２又は周辺部５４のいずれかに堆積させるステップ１０４を含む。複数の実施形態において、高屈折率材料３６の堆積は、ステップ１０２で表面特徴部５２を形成した後、エッチングマスク１１６を基板１２上に配置したままの状態で行う。基板１２上にエッチングマスク１１６を保持したまま、高屈折率材料３６を堆積することにより、高屈折率材料３６を所望の場所にのみ確実に堆積することが可能となる。例えば、低位平均高度３４に位置する基板１２の１つ以上の低位面３２が、表面特徴部５２と周辺部５４のうちのいずれにより得られるかにかかわらず、高屈折率材料３６を当該１つ以上の低位面３２上にのみ堆積させて、高位平均高度２８に位置する１つ以上の高位面２６には堆積させないということが可能となる。高屈折率材料３６を堆積させる方法としては、例えば、化学気相成長法（例えば、プラズマ化学気相成長法、低圧化学気相成長法、大気圧化学気相成長法、及び大気圧プラズマ化学気相成長法）、物理気相成長法（例えば、反応性又は非反応性スパッタリング又はレーザアブレーション）、熱蒸着又は電子ビーム蒸着法、及び／又は原子層堆積法のような真空蒸着技術などの様々な成膜法を利用することができる。複数の実施形態では、反応性スパッタリングにより高屈折率材料３６を堆積させる。

複数の実施形態において、方法１００は、ステップ１０４で高屈折率材料３６を堆積した後、エッチングマスク１１６を除去するステップ１２２をさらに含む。エッチングマスク１１６の組成に応じて、アセトンやイソプロピルアルコールなどの有機溶媒により、基板１２からエッチングマスク１１６を除去することができる。

変形例では、ステップ１１４の前に、基板１２の主面１８上に低屈折率材料の膜を堆積する。その後、低屈折率材料を覆うように、基板１２上にエッチングマスク１１６を配置する。次に、ステップ１０２で、エッチングマスク１１６を低屈折率材料上に配置した状態で、低屈折率材料をエッチング液１１８に接触させることにより、表面特徴部５２を形成する。これ以降は、上記で説明したように、方法１００の残りの部分を進める。

比較例１Ａ
比較例１Ａとして、市販のソフトウェアパッケージ、Ｇｓｏｌｖｅｒ（米国ユタ州サラトガ・スプリングスGrating Solver Development Company）を利用して、本開示のテクスチャ領域の実施形態を回折格子としてモデリングした。モデリングした基板は、周辺部が高位平均高度の面をなし、周辺部より凹むように設けられた（表面特徴部としての）線状溝が高位平均高度より低い低位平均高度の面をなす基板である。線状溝の中心間間隔（格子周期）は２０μｍとした。モデルでは、外光を５５０ｎｍの単一波長の光と想定した。基板は屈折率１．５１８のガラスとした。そして、低位平均高度に位置する線状溝面に、屈折率が１．８９２と高い高屈折率材料（特にＳｉＯ_ｘＮ_ｙ）を充填率５０％で追加した。その結果、高屈折率材料がなす面はすべて、基板の高位平均高度と低位平均高度の間の中位平均高度の面となった。エアトレンチ深さ（基板の高位平均高度と線状溝内に堆積した高屈折率材料の中位平均高度との距離）は２２０ｎｍに設定した。そして、トレンチ深さ（基板の高位平均高度と低位平均高度との距離）を約２２０ｎｍから７００ｎｍ超まで変化させるとともに、溝内に堆積する高屈折率材料の高さを適宜調節して、エアトレンチ深さを２２０ｎｍに保った。次に、モデリングしたテクスチャ領域を透過する光（図６Ａ）と、モデリングしたテクスチャ領域から反射する光（図６Ｂ）の両方について、トレンチ深さの関数（したがって、２２０ｎｍのエアトレンチ深さを保つように追加した高屈折率材料の高さの関数でもある）として０次～５次の回折効率を計算した。透過光のモデリング結果を再現したものを図６Ａに、反射光のモデリング結果を再現したものを図６Ｂに示す。

図６Ａに再現したモデリング結果から、基板を通過してテクスチャ領域から外に出る透過率を最大にするには、基板のトレンチ深さを５２０ｎｍ（０．５２μｍ）にする必要があることがわかる。したがって、エアトレンチ深さを２２０ｎｍに保つためには、線状溝に追加する高屈折率材料ＳｉＯ_ｘＮ_ｙの高さを３００ｎｍにする必要がある。しかし、図６Ｂに再現したモデリング結果が示すように、基板のトレンチ深さを５２０ｎｍとした場合、鏡面反射率（０次が鏡面に対応）を十分に最小化できない。

実施例１Ｂ
実施例１Ｂは、比較例１Ａと同様のモデリング例である。ただし、実施例１Ｂでは、エアトレンチ深さを固定して基板のトレンチ深さを変化させることは行っていない点で比較例１Ａと異なる。これに代えて、実施例１Ｂでは、基板のトレンチ深さ：高屈折率材料ＳｉＯ_ｘＮ_ｙの高さ：エアトレンチ深さの比を、３：１．６：１．４に固定した。このモデルでは、透過光（図７Ａ）と反射光（図７Ｂ）の両方について、基板のトレンチ深さを変数とする関数として回折効率を求めた。実施例１Ｂのモデルのその他のパラメータは、高屈折率材料ＳｉＯ_ｘＮ_ｙの充填率５０％を含め、比較例１Ａと同一とした。

図７Ａのグラフから、基板のトレンチ深さに関係なく、基板を通過してテクスチャ領域から外に出る０次の（回折ではなく鏡面）透過率は高いままであることがわかる。一方、回折透過率（１次以上）はゼロに非常に近い。これは、上記の比率３：１．６：１．４が、透明拡散材としてほぼ理想的な比であることによる。図７Ｂのグラフから、基板のトレンチ深さを変化させると、鏡面反射率（０次）と散乱反射率（１次以上）が大きく変化することがわかる。基板のトレンチ深さが約０．１０μｍと約０．５０μｍのときに鏡面反射率がピークとなるため、これらのトレンチ深さの基板は好ましくない。一方、基板のトレンチ深さが０．２２μｍ～０．３７μｍとした場合に、鏡面反射率は最小となる。さらに、１次回折反射率は約０．３０μｍのときに最小となる。上記の比率を採用した場合、基板のトレンチ深さを０．２２μｍ～０．３７μｍとすると、高屈折率材料ＳｉＯ_ｘＮ_ｙの高さは０．１２μｍ～０．２０μｍ、エアトレンチ深さは０．１０μｍ～０．２０μｍとなる。よって、このモデルを用いた目標値は、例えば、基板のトレンチ深さ０．３２μｍ、表面特徴部より凹むように設けた高屈折率材料ＳｉＯ_ｘＮ_ｙの高さ０．１７μｍ、エアトレンチ深さ０．１５μｍとなる。さらに、このモデルから、本明細書に開示のテクスチャ領域を適切に設計することにより、テクスチャを付与していない平板ガラスと比べて、鏡面反射率を、５倍、さらには１０倍以上抑制することができることが説明される。

ここで、図７Ｃ及び図７Ｄを参照すると、モデルを使って、透過（図７Ｃ）と反射（図７Ｄ）の両方について、高屈折率材料ＳｉＯ_ｘＮ_ｙの充填率（１００％から低屈折率基板の充填率を引いて求めた比率）を変数とする関数として、回折効率を求めた。このモデルでは、基板のトレンチ深さを０．３２μｍ、表面特徴部より凹むように設けた高屈折率材料ＳｉＯ_ｘＮ_ｙの高さを０．１７μｍ、エアトレンチ深さを０．１５μｍと想定した。このモデルでも、中心間距離は２０μｍ、波長を５５０ｎｍと想定した。図７Ｃのグラフから、このモデルによれば、検討した充填率のいずれにおいても、鏡面透過率は高くなり、透過散乱率は低くなることがわかる。これは、基板のトレンチ深さと、表面特徴部より凹むように設けた高屈折率材料ＳｉＯ_ｘＮ_ｙの高さ、及びエアトレンチ深さの比率が、透明拡散材基準に従ってすでに最適化されていたためである。図７Ｄのグラフから、このモデルから、基板（低屈折率）の充填率を５２％～６２％の範囲とした場合に、鏡面反射（０次）を最小化できることがわかる。これは、高屈折率材料ＳｉＯ_ｘＮ_ｙの充填率を３８％～４８％の範囲とすることに相当する。用途によっては、最適設計の目指すものが、鏡面反射（０次）のみの抑制ではなく、鏡面反射強度の最小化と１つ以上の高次（１次、２次など）回折反射強度の最小化とを同時に実現することである場合もある。すべての回折次数で回折反射強度を最小化することが望まれる用途においては、低屈折率基板又は低屈折率材料の充填率を、７５％程度、又は約５５％～約７８％とすることができる。これは、高屈折率材料（例えばＳｉＯ_ｘＮ_ｙ）の充填率２５％、又は約２２％～約４５％に相当する。

ここで図７Ｅ及び図７Ｆを参照すると、高屈折率材料ＳｉＯ_ｘＮ_ｙの充填率４５％、基板のトレンチ深さ０．３２μｍ、高屈折率材料ＳｉＯ_ｘＮ_ｙの高さ０．１７μｍ、及びエアトレンチ深さ０．１５μｍという最適パラメータでモデリングを行い、得られたモデルに対する入射光角度の関数として、反射率（図７Ｅ）と透過率（図７Ｆ）を求めた。図７Ｅのグラフからわかるように、このようにモデリングされたテクスチャ領域は、０～約４０度の光入射角度のいずれに対しても、鏡面反射率（第１の面）が１％未満となる。また、図７Ｆのグラフからわかるように、このようにモデリングされたテクスチャ領域は、０～約４０度の光入射角度のいずれに対しても、入射光の９０％以上を透過する。

実施例２Ａ～２Ｇ
実施例２Ａ～２Ｇでは、剛体球間隔分布アルゴリズム（ＬＡＭＭＰＳ）を利用して、基板の主面１８上に配置する各表面特徴部の位置決めを定めた。剛体球間隔分布アルゴリズムでは、割り当てられたエリアの５０％をオブジェクト（円形）が占めるまで当該エリアにオブジェクトを配置することを目標に定めた。この目標は、充填率が５０％になるまで基板上に高屈折率材料を堆積すること、と言い換えることもできよう。オブジェクトの円の直径を５０μｍ、最小中心間間隔を６０μｍとした。具体的には、ソフトウェアを用いて、オブジェクト（つまり所望の表面特徴部）を表す「分子（molecule）」の気体を２次元の六角形格子上に、充填率を５０％に固定して初期配置した。その後、ガスを加熱し、これにより２次元ランダム化を行った。なお、分子の最小中心間間隔を６０μｍに保つように、分子には反発性剛体球ポテンシャルを付与した。その結果、エリア内のオブジェクトは、図２のグラフに示すように配置された。得られたオブジェクト配置の平均六角形度は０．４９となり、これは、六角形格子から大きく乖離していること、ひいては、高いランダム度を有しながら特定の位置への配置となっていることを示している。図８に再現したグラフは、最近接オブジェクトとの中心間間隔の関数として、エリア内に配置した全オブジェクトの比率を示すヒストグラムである。

次に、７つのガラス基板試料に対して、剛体球間隔分布アルゴリズムに従ったオブジェクト配置を重ね合わせるようにエッチングマスクを形成した。各試料のエッチングマスクは、剛体球間隔分布アルゴリズムによりエリア内にオブジェクトを配置した箇所では基板へのエッチングを許容するとともに、オブジェクトを配置した箇所以外では基板へのエッチングを阻止するように構成した。その後、エッチングマスクを取り付けた７つすべての基板試料をエッチング液に接触させた。試料ごとに接触時間を変えて、エッチング液に接触させることにより、トレンチ深さの異なる表面特徴部を生成することができた。エッチング液により、テクスチャ領域全域にわたり、アルゴリズムでエリア内にオブジェクトを配置した箇所において、周辺部より凹む形状の表面特徴部が形成された。そして、これら試料のうちの２つを、比較例としての実施例２Ｆ及び２Ｇとして分けた。

エッチング後、残る実施例２Ａ～２Ｅの基板試料上ではエッチングマスクを取り付けたままとした。そして、基板の屈折率（～１．５１）よりも高い屈折率（～２．１）を持つ高屈折率材料、具体的にはＡｌＮを、各表面特徴部の表面上に堆積させた。一部の試料では堆積時間を変化させたため、堆積した高屈折率材料の高さが異なっている。その後、各基板試料からエッチングマスクを除去した。製造プロセス工程による影響と堆積の際にわずかに生じた影（shadow）のため、高屈折率材料ＡｌＮの充填率は４０～４９％の範囲となった。

次に、実施例２Ａ～２Ｇの試料すべてを、各種光学測定に付した。具体的には、画素パワー偏差（「PPD」）、透過率、透過ヘイズ（「ヘイズ」）、像鮮明度（「DOI」）、及び鏡面反射率の測定を行った。以下の表１に、各試料の測定結果を、エアトレンチ深さ及び各表面特徴部内に堆積させた高屈折率材料ＡｌＮの高さ（「AlN高さ」）とともに示す。実施例２Ｆ及び２Ｇは、比較例であり、表面特徴部に高屈折率材料ＡｌＮを堆積させていないため、実施例２Ｆ及び２Ｇの「エアトレンチ深さ」の数値は、表面特徴部の基板と周辺部の基板との高度差を示している。なお、図２は、高屈折率材料ＡｌＮを表面特徴部内に配置した後の実施例２Ｃを光学式プロフィロメータでスキャンした様子を再現した図である。

表１に記載したデータを分析することにより、実施例２Ａ～２Ｅでは、表面特徴部内に高屈折率材料を組み入れることにより、他の光学特性測定値に大きな悪影響を及ぼすことなく、実施例２Ｆ及び２Ｇのいずれに比べても画素パワー偏差を大きく低下させることができたことが明らかになった。特に、実施例２Ｂ及び２Ｃでは、有利な光学特性を示す測定値の組み合わせ、具体的には、１．５％未満の画素パワー偏差、９２％超の透過率、２％未満の透過ヘイズ、５０％未満の像鮮明度、及び０．８５％未満の鏡面反射率、を示している。このような値の組み合わせは、他の方法では実現が難しい又は実現できないものであった。特に、最長寸法が約５０μｍより小さい場合よりも製造が容易な、約５０μｍの最長寸法を有する表面特徴部では、実現が難しいものであった。

実施例３Ａ～３Ｄ
実施例３Ａ～３Ｄでは、ポアソンディスクサンプリング法を実装した間隔分布アルゴリズムを利用して、基板の主面上に配置する各表面特徴部の位置決めを定めた。このアルゴリズムでは、割り当てられたエリアの３６％をオブジェクト（円形）が占めるまで当該エリアにオブジェクトを配置することを目標に定めた。この目標は、充填率が３６％になるまで表面特徴部内に高屈折率材料を堆積すること、と言い換えることもできよう。オブジェクトの円の直径を５０μｍ、最小中心間間隔を６０μｍとした。アルゴリズムによりエリア内に配置した各円の六角形度Ｈは０．４１となった。この六角形度は低いため、ランダム度は高いと考えられる。図９に再現したグラフは、最近接オブジェクトとの中心間間隔の関数として、エリア内に配置した全オブジェクトの比率を示すヒストグラムである。

次に、４つのガラス基板試料に対して、本アルゴリズムに従ったオブジェクト配置を重ね合わせるようにエッチングマスクを形成した。各試料のエッチングマスクは、本アルゴリズムによりエリア内にオブジェクトを配置した箇所では基板へのエッチングを許容するとともに、オブジェクトを配置した箇所以外では基板へのエッチングを阻止するように構成した。その後、エッチングマスクを取り付けた４つすべての基板試料をエッチング液に接触させた。エッチング液により、テクスチャ領域全域にわたり、アルゴリズムでエリア内にオブジェクトを配置した箇所において、周辺部より凹む形状の表面特徴部が形成された。そして、これら試料のうちの２つを、比較例としての実施例３Ｃ及び３Ｄとして分けた。

エッチング後、残る実施例３Ａ及び３Ｂの基板試料上ではエッチングマスクを取り付けたままとした。そして、基板の屈折率（～１．５１）よりも高い屈折率（～２．１）を持つ高屈折率材料、具体的にはＡｌＮを、反応性スパッタリングで各表面特徴部内に堆積させた。その後、各基板試料からエッチングマスクを除去した。製造プロセス工程による影響と堆積の際にわずかに生じた影のため、高屈折率材料ＡｌＮの充填率は３０～３５％の範囲となった。

次に、実施例３Ａ～３Ｄの試料すべてを、各種光学測定に付した。具体的には、画素パワー偏差（「PPD」）、透過率、透過ヘイズ（「ヘイズ」）、像鮮明度（「DOI」）、及び鏡面反射率の測定を行った。以下の表２に、各試料の測定結果を、エアトレンチ深さ及び各表面特徴部内に堆積させた高屈折率材料ＡｌＮの高さ（「AlN高さ」）とともに示す。実施例３Ｃ及び３Ｄの「エアトレンチ深さ」の数値は、周辺部に対する表面特徴部の深さを示している（実施例３Ｃ及び３ＤではＡｌＮを追加していないため）。

表２に記載したデータを分析することにより、実施例３Ａ及び３Ｂでは、表面特徴部内に高屈折率材料を組み入れることにより、他の光学特性測定値に大きな悪影響を及ぼすことなく、実施例３Ｃ及び３Ｄのいずれに比べても画素パワー偏差を大きく低下させることができたことが明らかになった。実施例３Ａ及び３Ｂでは、像鮮明度値が８５％未満であることから、鏡面反射が抑制されていることがわかる。

以下、本発明の好ましい実施形態を項分け記載する。

実施形態１
ディスプレイ物品用基板であって、
主面と、
前記主面の少なくとも一部に設けられたテクスチャ領域であって、
前記テクスチャ領域の下方に前記基板を通過して延びるように設けられる基準平面に平行な高位平均高度に位置する１つ以上の高位面、
前記高位平均高度よりも低い、前記基準平面に平行な低位平均高度に位置する１つ以上の低位面、及び
前記低位平均高度に位置する前記１つ以上の低位面のそれぞれに配置されて、前記低位平均高度より高く前記高位平均高度より低い、前記基準平面に平行な中位平均高度に位置する１つ以上の中位面を形成する高屈折率材料であって、前記基板又は前記１つ以上の高位面をなす低屈折率材料の屈折率より高い屈折率を有する高屈折率材料
を含むテクスチャ領域と、
を備える基板。

実施形態２
前記高屈折率材料の前記中位平均高度は、前記１つ以上の高位面の前記高位平均高度より、１００ｎｍ～１９０ｎｍの範囲内の距離だけ低く、
前記１つ以上の低位面の前記低位平均高度は、前記１つ以上の高位面の前記高位平均高度より、２２０ｎｍ～３７０ｎｍの範囲内の距離だけ低く、
前記高屈折率材料の前記中位平均高度は、前記１つ以上の低位面の前記低位平均高度より、１００ｎｍ～２００ｎｍの範囲内の距離だけ高い、実施形態１に記載の基板。

実施形態３
前記基板又は前記低屈折率材料の前記屈折率が、１．４～１．６の範囲内にあり、
前記高屈折率材料の前記屈折率が、１．６～２．３の範囲内にある、実施形態１又は２に記載の基板。

実施形態４
前記高屈折率材料が、（ｉ）前記基準平面に平行、且つ（ｉｉ）前記高屈折率材料を通過して延びる平面上のエリアであって、前記テクスチャ領域によって範囲を画定されるエリアの２２％～４９％を占める、実施形態１～３のいずれか１つに記載の基板。

実施形態５
前記基板が、ガラス基板又はガラスセラミック基板を含む、実施形態１～４のいずれか１つに記載の基板。

実施形態６
ディスプレイ物品用基板であって、
主面と、
前記主面の少なくとも一部に設けられたテクスチャ領域であって、
前記テクスチャ領域の下方に前記基板を通過して延びるように設けられる基準平面に平行な高位平均高度に位置する１つ以上の高位面、
前記高位平均高度よりも低い、前記基準平面に平行な低位平均高度に位置する１つ以上の低位面、
前記主面における周辺部から突出するか、又は該周辺部より凹むように設けられる表面特徴部であって、（ｉ）前記表面特徴部が、前記１つ以上の高位面及び前記１つ以上の低位面のうちのいずれか一方の面をなし、（ｉｉ）前記周辺部が、前記１つ以上の高位面及び前記１つ以上の低位面のうちの、前記表面特徴部がなす方とは異なるもう一方の面をなす、表面特徴部、及び
前記低位平均高度に位置する前記１つ以上の低位面に配置された高屈折率材料であって、（ｉ）前記基板又は前記１つ以上の高位面をなす低屈折率材料の屈折率より高い屈折率、及び（ｉｉ）前記高位平均高度と前記低位平均高度の間にある、前記基準平面に平行な中位平均高度に位置する１つ以上の中位面を有する高屈折率材料
を含むテクスチャ領域と、
を備える基板。

実施形態７
前記表面特徴部は、前記周辺部より凹むように設けられ、
前記高屈折率材料は、各表面特徴部内の、前記表面特徴部がなす前記低位平均高度に位置する前記１つ以上の低位面上に配置される、実施形態６に記載の基板。

実施形態８
前記高屈折率材料の前記中位平均高度は、前記１つ以上の高位面の前記高位平均高度より、１２０ｎｍ～１９０ｎｍの範囲内の距離だけ低い、実施形態６又は７に記載の基板。

実施形態９
前記低位平均高度は、前記高位平均高度より、２２０ｎｍ～３７０ｎｍの範囲内の距離だけ低い、実施形態６～８のいずれか１つに記載の基板。

実施形態１０
前記高屈折率材料の前記中位平均高度は、前記１つ以上の低位面の前記低位平均高度より、１００ｎｍ～２００ｎｍの範囲内の距離だけ高い、実施形態６～９のいずれか１つに記載の基板。

実施形態１１
前記基板又は前記低屈折率材料の前記屈折率が、１．４～１．６の範囲内にある、実施形態６～１０のいずれか１つに記載の基板。

実施形態１２
前記高屈折率材料の前記屈折率が、１．６～２．３の範囲内にある、実施形態６～１１のいずれか１つに記載の基板。

実施形態１３
各表面特徴部は、前記基準平面に平行な外周を有しており、
各表面特徴部の前記外周が、円形又は楕円形である、実施形態６～１２のいずれか１つに記載の基板。

実施形態１４
各表面特徴部は、前記基準平面に平行な外周を有しており、
各表面特徴部の前記外周が、５μｍ～２００μｍの範囲の最長寸法を有している、実施形態６～１２のいずれか１つに記載の基板。

実施形態１５
前記表面特徴部の配置が、反復配列ではなく、ランダムな分布を反映した配置である、実施形態６～１４のいずれか１つに記載の基板。

実施形態１６
前記表面特徴部は、前記表面特徴部同士の離間距離が最小中心間距離を満たすようなランダムな分布で配置される、実施形態６～１４のいずれか１つに記載の基板。

実施形態１７
前記高屈折率材料が、ＡｌＮ_ｘ、ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ、又はＳｉＮ_ｘを含む、実施形態６～１６のいずれか１つに記載の基板。

実施形態１８
前記高屈折率材料が、（ｉ）前記基準平面に平行、且つ（ｉｉ）前記高屈折率材料を通過して延びる平面上のエリアであって、前記テクスチャ領域によって範囲を画定されるエリアの２２％～４９％を占める、実施形態６～１７のいずれか１つに記載の基板。

実施形態１９
前記基板が、ガラス基板又はガラスセラミック基板を含む、実施形態６～１８のいずれか１つに記載の基板。

実施形態２０
前記テクスチャ領域は、１．２％～２．１％の範囲内の画素パワー偏差を示し、
前記テクスチャ領域は、１．５％～２．５％の範囲内の透過ヘイズを示し、
前記テクスチャ領域は、０．５％～１．７５％の範囲内の鏡面反射率を示し、
前記テクスチャ領域は、２５％～８５％の範囲内の像鮮明度を示す、実施形態６～１９のいずれか１つに記載の基板。

実施形態２１
ディスプレイ物品用基板のテクスチャ領域を形成する方法であって、
各表面特徴部の所定の位置決めに従って、基板の主面に、周辺部から突出する又は該周辺部より凹む表面特徴部を形成することにより、テクスチャ領域を形成するステップであって、
（ｉ）前記テクスチャ領域の１つ以上の高位面が、前記テクスチャ領域の下方に前記基板を通過して延びるように設けられる基準平面に平行な高位平均高度に位置し、
（ｉｉ）前記テクスチャ領域の１つ以上の低位面が、前記高位平均高度よりも低い、前記基準平面に平行な低位平均高度に位置し、
（ｉｉｉ）前記表面特徴部が、前記１つ以上の高位面及び前記１つ以上の低位面のうちのいずれか一方の面をなし、
（ｉｖ）前記周辺部が、前記１つ以上の高位面及び前記１つ以上の低位面のうちの、前記表面特徴部がなす方とは異なるもう一方の面をなす、表面特徴部を形成するステップと、
前記表面特徴部及び前記周辺部のうち、前記低位平均高度に位置する前記１つ以上の低位面をなす方に、高屈折率材料を堆積させるステップと、を含み、
前記高屈折率材料が、（ｉ）前記基板の屈折率より高い屈折率、及び（ｉｉ）前記高位平均高度と前記低位平均高度の間にある、前記基準平面に平行な中位平均高度に位置する１つ以上の中位面を有している、方法。

実施形態２２
間隔分布アルゴリズムを利用して各表面特徴部の位置決めを定めることにより、各表面特徴部の前記所定の位置決めを確立するステップをさらに含む、実施形態２１に記載の方法。

実施形態２３
前記方法が、（ｉ）前記表面特徴部の前記所定の位置決めに従って前記表面特徴部を形成する箇所におけるエッチングを阻止するエッチングマスク、又は（ｉｉ）前記表面特徴部の前記所定の位置決めに従って前記表面特徴部を形成する箇所においてのみエッチングを許容するエッチングマスクを、前記主面上に配置するステップ、をさらに含み、
前記表面特徴部を形成するステップが、前記エッチングマスクを前記基板の前記主面上に配置した状態で、少なくとも前記基板の前記主面をエッチング液に接触させるステップを含む、実施形態２２に記載の方法。

実施形態２４
前記高屈折率材料を堆積させるステップを、前記表面特徴部を形成した後に、前記エッチングマスクを前記主面上に配置した状態で行う、実施形態２３に記載の方法。

実施形態２５
前記高屈折率材料を堆積した後に、エッチングマスクを除去するステップをさらに含む、実施形態２４に記載の方法。

１０ ディスプレイ物品
１２ 基板
１４ 筐体
１６ ディスプレイ
１８ 主面
２０ テクスチャ領域
２２ 厚さ
２４ 外部環境
２６ 高位面
２８ 高位平均高度
３０ 基準平面
３２ 低位面
３４ 低位平均高度
３６ 高屈折率材料
３８ 中位面
４０ 中位平均高度
４２ 距離（トレンチ深さ）
４４ 距離（高屈折率材料の高さ）
４６ 距離（エアトレンチ深さ）
４８ エリア
５０ 平面
５２ 表面特徴部
５４ 周辺部
５６ 外周
５８ 最長寸法
６０ 最小中心間距離
１０８ オブジェクト
１１０ エリア
１１２ 最小中心間距離
１１６ エッチングマスク
１１８ エッチング液
１２０ 槽

Claims (10)

1. ディスプレイ物品用基板であって、
   主面と、
   前記主面の少なくとも一部に設けられたテクスチャ領域であって、
   前記テクスチャ領域の下方に設けられる基準平面に平行な高位平均高度に位置する１つ以上の高位面、及び
   前記高位平均高度より低い、前記基準平面に平行な中位平均高度に位置する１つ以上の中位面を形成する高屈折率材料であって、前記基板又は前記１つ以上の高位面をなす低屈折率材料の屈折率より高い屈折率を有する高屈折率材料
   を含むテクスチャ領域と、
   を備える基板。
2. 前記基板又は前記低屈折率材料の前記屈折率が、１．４～１．６の範囲内にあり、
   前記高屈折率材料の前記屈折率が、前記基板又は前記低屈折率材料の前記屈折率より高い、請求項１に記載の基板。
3. 前記高屈折率材料の前記中位平均高度は、前記１つ以上の高位面の前記高位平均高度より、１３０ｎｍ～１８０ｎｍの範囲内の距離だけ低い、請求項１又は２に記載の基板。
4. 前記高屈折率材料が、（ｉ）前記基準平面に平行、且つ（ｉｉ）前記高屈折率材料を通過して延びる平面上のエリアであって、前記テクスチャ領域によって範囲を画定されるエリアの２２％～４９％を占める、請求項１～３のいずれか１項に記載の基板。
5. 前記テクスチャ領域が、
   ０．５～１．７５％の範囲の鏡面反射率、又は
   ０．８５％未満の鏡面反射率
   を示す、請求項１～４のいずれか１項に記載の基板。
6. 前記テクスチャ領域が、
   １．２％～２．１％の範囲内の画素パワー偏差、
   １．５％未満の画素パワー偏差、
   ２５％～８５％の範囲内の像鮮明度、
   ５０％未満の像鮮明度、
   ２．５％未満の透過ヘイズ、及び
   ９２％超の透過率
   のうちの１つ以上を示す、請求項１～５のいずれか１項に記載の基板。
7. 前記高位平均高度よりも低い、前記基準平面に平行な低位平均高度に位置する１つ以上の低位面をさらに含み、
   前記中位平均高度は、前記低位平均高度より高く前記高位平均高度より低い高度であり、
   前記高屈折率材料の前記中位平均高度は、前記１つ以上の低位面の前記低位平均高度より、１００ｎｍ～２００ｎｍの範囲内の距離だけ高い、請求項１～６のいずれか１項に記載の基板。
8. ディスプレイ物品用基板のテクスチャ領域を形成する方法であって、
   各表面特徴部の所定の位置決めに従って、基板の主面に、周辺部から突出する又は該周辺部より凹む表面特徴部を形成することにより、テクスチャ領域を形成するステップであって、前記テクスチャ領域の１つ以上の高位面が、前記テクスチャ領域の下方に前記基板を通過して延びるように設けられる基準平面に平行な高位平均高度に位置する、表面特徴部を形成するステップと、
   高屈折率材料を堆積させて、前記高位平均高度より低い、前記基準平面に平行な中位平均高度に位置する１つ以上の中位面を形成するステップと、を含み、
   前記高屈折率材料が、前記基板又は前記１つ以上の高位面をなす低屈折率材料の屈折率より高い屈折率を有している、方法。
9. ディスプレイ物品用基板であって、
   主面と、
   前記主面の少なくとも一部に設けられたテクスチャ領域であって、
   前記テクスチャ領域の下方に前記基板を通過して延びるように設けられる基準平面に平行な高位平均高度に位置する１つ以上の高位面、
   前記高位平均高度よりも低い、前記基準平面に平行な低位平均高度に位置する１つ以上の低位面、及び
   前記低位平均高度に位置する前記１つ以上の低位面のそれぞれに配置されて、前記低位平均高度より高く前記高位平均高度より低い、前記基準平面に平行な中位平均高度に位置する１つ以上の中位面を形成する高屈折率材料であって、前記基板又は前記１つ以上の高位面をなす低屈折率材料の屈折率より高い屈折率を有する高屈折率材料
   を含むテクスチャ領域と、
   を備える基板。
10. ディスプレイ物品用基板であって、
    主面と、
    前記主面の少なくとも一部に設けられたテクスチャ領域であって、
    前記テクスチャ領域の下方に前記基板を通過して延びるように設けられる基準平面に平行な高位平均高度に位置する１つ以上の高位面、
    前記高位平均高度よりも低い、前記基準平面に平行な低位平均高度に位置する１つ以上の低位面、
    前記主面における周辺部から突出するか、又は該周辺部より凹むように設けられる表面特徴部であって、（ｉ）前記表面特徴部が、前記１つ以上の高位面及び前記１つ以上の低位面のうちのいずれか一方の面をなし、（ｉｉ）前記周辺部が、前記１つ以上の高位面及び前記１つ以上の低位面のうちの、前記表面特徴部がなす方とは異なるもう一方の面をなす、表面特徴部、及び
    前記低位平均高度に位置する前記１つ以上の低位面に配置された高屈折率材料であって、（ｉ）前記基板又は前記１つ以上の高位面をなす低屈折率材料の屈折率より高い屈折率、及び（ｉｉ）前記高位平均高度と前記低位平均高度の間にある、前記基準平面に平行な中位平均高度に位置する１つ以上の中位面を有する高屈折率材料
    を含むテクスチャ領域と、
    を備える基板。

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