TW202216629A - 併入具有橢圓周長或其區段的表面特徵用以減少鏡面反射的基板之紋理化區域，以及其製作方法 - Google Patents

Abstract

一種用於一顯示器製品之一基板包括：一主表面；一紋理化區域，該紋理化區域位於該主表面之至少一部分上，該紋理化區域包含反映一隨機分佈的表面特徵，該等表面特徵中之每一個包含一周長，該周長平行於在該紋理化區域下方延伸穿過該基板之一厚度的一基面，其中該周長係橢圓的。該紋理化區域可進一步包括：(i)位於距該基面一較高平均標高處的一或多個較高表面及(ii)位於距該基面一較低平均標高處的一或多個較低表面，該較低平均標高比該較高平均標高更接近該基面。該較高平均標高可與該較低平均標高相差0.05 µm至0.70 µm之一範圍內的一距離。

Description

併入具有橢圓周長或其區段的表面特徵用以減少鏡面反射的基板之紋理化區域，以及其製作方法

優先權主張

本專利申請案主張2020年7月9日提交的名稱為「DISPLAY ARTICLES WITH DIFFRACTIVE, ANTIGLARE SURFACES AND METHODS OF MAKING THE SAME」的美國臨時專利申請案第63/049,843之優先權，該臨時專利申請案之全部揭露內容以引用方式併入本文中。 相關申請案之交叉引用

本申請案係關於以下所共同擁有並受讓的專利申請案，但並不主張該等專利申請案之優先權：美國專利申請案序列第__________ (D31977)號，名稱為「TEXTURED REGION TO REDUCE SPECULAR REFLECTANCE INCLUDING A LOW REFRACTIVE INDEX SUBSTRATE WITH HIGHER ELEVATED SURFACES AND LOWER ELEVATED SURFACES AND A HIGH REFRACTIVE INDEX MATERIAL DISPOSED ON THE LOWER ELEVATED SURFACES」且提交於______________；美國專利申請案序列第__________ (D31038/32632)號，名稱為「ANTI-GLARE SUBSTRATE FOR A DISPLAY ARTICLE INCLUDING A TEXTURED REGION WITH PRIMARY SURFACE FEATURES AND SECONDARY SURFACE FEATURES IMPARTING A SURFACE ROUGHNESS THAT INCREASES SURFACE SCATTERING」且提交於______________；美國專利申請案序列第__________ (D32647)號，名稱為「DISPLAY ARTICLES WITH DIFFRACTIVE, ANTIGLARE SURFACES AND THIN, DURABLE ANTIREFLECTION COATINGS」且提交於______________；及美國專利申請案序列第__________ (D32623)號，名稱為「DISPLAY ARTICLES WITH DIFFRACTIVE, ANTIGLARE SURFACES AND THIN, DURABLE ANTIREFLECTION COATINGS」且提交於______________。前述美國專利申請案、公開案及專利文件中之每一者之全部揭露內容以引用方式併入本文中。

本揭露係關於一種用於顯示器製品之基板，其中該基板包括紋理化區域，該紋理化區域藉由併入具有橢圓周長或其區段的表面特徵來減少鏡面反射。本揭露亦係關於一種製造基板之方法。

對可見光透明的基板經利用以覆蓋顯示器製品之顯示器。此類顯示器製品包括智慧型手機、平板電腦、電視、電腦監視器及類似物。顯示器通常係液晶顯示器、有機發光二極體等其他顯示器。基板保護顯示器，同時基板之透明性允許裝置之使用者觀看顯示器。

反射周圍光、尤其是鏡面反射的基板降低使用者透過基板觀看顯示器之能力。鏡面反射在此上下文中係周圍光自基板像鏡面一樣反射。例如，基板可將自物件反射或由物件發出的可見光反射至裝置周圍的環境中。自基板反射的可見光降低自顯示器穿過基板透射至使用者之眼睛的光之對比度。在一些視角下，使用者看見的是鏡面反射影像，而非顯示器發出的可見光。因此，已嘗試減少可見周圍光自基板的鏡面反射。

已嘗試藉由將基板之反射表面紋理化來減少自基板的鏡面反射。所得表面有時稱為「防眩表面」。例如，對基板之表面進行噴砂及液體蝕刻可將表面紋理化，這通常致使表面漫反射而非鏡面反射周圍光。漫反射通常意指表面仍反射相同強度之周圍光，但反射表面之紋理在反射時散射光。漫反射愈多，對使用者看見顯示器發出的可見光之能力的干涉就愈小。

此類紋理化方法(即，噴砂及液體蝕刻)在表面上產生具有不精確及不可重複幾何形狀的特徵(該等特徵提供紋理)。經由噴砂及液體蝕刻形成的一個基板之紋理化表面之幾何形狀永遠不可能與經由噴砂及液體蝕刻形成的另一個基板之紋理化表面之幾何形狀完全相同。通常，只有基板之紋理化表面之表面粗糙度(即，R _a)的量化係紋理化之可重複目標。

存在藉助來判斷「防眩」表面之品質的多個度量。彼等度量包括：(1)影像清晰度，(2)像素功率偏差，(3)表觀莫耳干涉條紋，(4)透射霧度及(5)反射色彩假影。影像清晰度，更恰當地稱為反射影像清晰度，係對自表面反射的影像呈現的清晰度程度的量度。影像清晰度愈低，紋理化表面漫反射而非鏡面反射就愈多。表面特徵可放大顯示器之各種像素，這使使用者觀看的影像失真。像素功率偏差，亦稱為「閃爍」，係此種效應的量化。像素功率偏差愈低愈好。莫耳干涉條紋係大規模干涉圖案，該等干涉圖案若可見，則使使用者看見的影像失真。較佳地，紋理化表面不產生表觀莫耳干涉條紋。透射霧度係對紋理化表面漫射多少顯示器透射穿過基板時發出的可見光的量度。透射霧度愈大，顯示器呈現的銳度就愈小(即，降低的表觀解析度)。反射色彩假影係一種色像差，其中紋理化表面在反射時作為波長之函數繞射光——這意指反射光雖然相對漫射，但看起來係按色彩分割的。紋理化表面產生的反射色彩假影愈少愈好。在下面更詳細地討論此等屬性中之全部。

以特定表面粗糙度為目標不能同時優化彼等度量中之全部。噴砂及液體蝕刻產生的相對高的表面粗糙度可能足以將鏡面反射轉化成漫反射。然而，高表面粗糙度可另外產生高透射霧度及像素功率偏差。相對低的表面粗糙度雖然降低了透射霧度，但可能無法將鏡面反射充分轉化成漫反射——使紋理化之「防眩」目的不能達成。

因此，需要一種提供基板之紋理化區域之新方法——致使紋理化表面充分漫反射而非鏡面反射周圍光以便達成「防眩」(即，低影像清晰度)但同時亦給予低像素功率偏差、低透射霧度及低反射色彩假影的方法。

本揭露解決了對基板之併入隨機分佈及定向的橢圓表面特徵或其區段的紋理化區域的需求。具有此種橢圓形狀或部分橢圓形狀的表面特徵在隨機分佈及定向之情況下以極小的透射霧度及像素功率偏差且以極小的或感知不出的反射色彩假影提供低鏡面反射。儘管表面特徵係隨機分佈及定向的，但表面特徵係藉由設計特定放置的。因此，紋理化區域可在基板之間再現。

根據本揭露之第一態樣，一種用於一顯示製品之一基板，該基板包含：(i)一主表面；及(ii)一紋理化區域，該紋理化區域位於該主表面之至少一部分上，該紋理化區域包含反映一隨機分佈的表面特徵，該等表面特徵中之每一個包含一周長，該周長平行於在該紋理化區域下方延伸穿過該基板之一厚度的一基面，其中該周長係橢圓的。

根據本揭露之第二態樣，如第一態樣所述之基板，其中該紋理化區域進一步包含：(i)位於距該基面一較高平均標高處的一或多個較高表面及(ii)位於距該基面一較低平均標高處的一或多個較低表面，該較低平均標高比該較高平均標高更接近該基面。

根據本揭露之第三態樣，如第二態樣所述之基板，其中(a)該紋理化區域進一步包含一環繞部分，該環繞部分設置有該等表面特徵或突起有該等表面特徵；(b)該環繞部分提供(i)一或多個較高表面或(ii)一或多個較低表面；且(c)該等表面特徵提供(i)該一或多個較高表面及(ii)該一或多個較低表面中之該環繞部分不提供的另一者。

根據本揭露之第四態樣，如第二態樣至第三態樣中任一項所述之基板，其中該較高平均標高與該較低平均標高相差在0.05 µm至0.70 µm之一範圍內的一距離。

根據本揭露之第五態樣，如第一態樣至第四態樣中任一項所述之基板，其中(i)該等表面特徵中之每一個之該周長包含平行於該基面之一最長尺寸；且(ii)該等表面特徵之該等周長之該等最長尺寸並非全部彼此平行。

根據本揭露之第六態樣，如第五態樣所述之基板，其中該等表面特徵中之每一個之該周長之該最長尺寸在5 µm至150 µm之一範圍內。

根據本揭露之第七態樣，如第一態樣至第六態樣中任一項所述之基板，其中該等表面特徵包含在40%至60%之一範圍內的一填充分數。

根據本揭露之第八態樣，如第一態樣所述之基板，其中(i)該等表面特徵包含較大表面特徵及較小表面特徵；(ii)該等較大表面特徵之該等周長包含平行於該基面的一最長尺寸範圍；(iii)該等較小表面特徵之該等周長包含平行於該基面的另一個最長尺寸範圍；且(iv)該等較大表面特徵之該最長尺寸範圍中之該等最長尺寸長於該等較小表面特徵之該最長尺寸範圍中之該等最長尺寸。

根據本揭露之第九態樣，如第八態樣所述之基板，其中(i)該等較大表面特徵之該等周長完全環繞該等較小表面特徵中之一些之該等周長；且(ii)該等較小表面特徵中之一些之該等周長完全位於該等周長外部。

根據本揭露之第十態樣，如第八態樣所述之基板，其中該等較小表面特徵中之至少一個之該周長部分地與該等較大表面特徵中之一個之該周長重疊，使得(i)該等較小表面特徵之該周長之一部分在該較大表面特徵之該周長內部且(ii)該等較小表面特徵之該周長之一部分在該較大表面特徵之該周長外部。

根據本揭露之第十一態樣，如第八態樣至第十態樣中之任一者所述之基板，其中該紋理化區域進一步包含：(i)位於距該基面一較高平均標高處的一或多個較高表面，(ii)位於距該基面一較低平均標高處的一或多個較低表面，該較低平均標高比該較高平均標高更接近該基面，及(iii)一環繞部分，該環繞部分設置有該等較大表面特徵或突起有該等較大表面特徵。

根據本揭露之第十二態樣，如第十一態樣所述之基板，其中(i)該等較大表面特徵係自該環繞部分突起，該等較小表面特徵中之一些係自該環繞部分突起，而不自該環繞部分突起的彼等剩餘較小表面特徵係設置至該等較大表面特徵中；(ii)自該環繞部分突起的該等較大表面特徵及該等較小表面特徵提供位於該較高平均標高處的該一或多個較高表面；且該環繞部分及設置至較大表面特徵中的該等較小表面特徵提供位於該較低平均標高處的該一或多個較低表面。

根據本揭露之第十三態樣，如第十一態樣所述之基板，其中(i)該等較大表面特徵係設置至該環繞部分中，該等較小表面特徵中之一些係設置至該環繞部分中，而不設置至該環繞部分中的彼等剩餘較小表面特徵係自該等較大表面特徵突起；(ii)設置至該環繞部分中的該等較大表面特徵及該等較小表面特徵提供位於該較低平均標高處的該一或多個較低表面；且(iii)該環繞部分及自該等較大表面特徵突起的該等較小表面特徵提供位於該較高平均標高處的該一或多個較高表面。

根據本揭露之第十四態樣，如第八態樣所述之基板，其中該紋理化區域進一步包含：(i)位於距該基面一較高平均標高處的一或多個較高表面，(ii)位於距該基面一較低平均標高處的一或多個較低表面，該較低平均標高比該較高平均標高更接近該基面，(iii)位於距該基面一或二個中間平均標高處的一或多個中間表面，其中該一或二個中間平均標高係安置於該較高平均標高與該較低平均標高之間，及(iv)一環繞部分，該環繞部分設置有該等較大表面特徵或突起有該等較大表面特徵。

根據本揭露之第十五態樣，如第十四態樣所述之基板，其中該等較大表面特徵提供位於該較高平均標高處的該一或多個較高表面中之至少一部分。

根據本揭露之第十六態樣，如第十四態樣所述之基板，其中該等較大表面特徵提供安置於該較低平均標高處的該一或多個較低表面中之至少一部分。

根據本揭露之第十七態樣，如第一態樣至第十六態樣中任一項所述之基板，其中該紋理化區域進一步包含一或多個區段，該等區段包含賦予在5 nm至100 nm之一範圍內的一表面粗糙度(R _a)的次表面特徵。

根據本揭露之第十八態樣，如第一態樣至第十七態樣中任一項所述之基板，其中(i)該紋理化區域展現出在0.5%至5.0%之一範圍內的一透射霧度；(ii)該紋理化區域展現出在1.0%至3.0%之一範圍內的一像素功率偏差；(iii)該紋理化區域展現出在5%至70%之一範圍內的一影像清晰度；(iv)該紋理化區域展現出在4 Gu至40 GU之一範圍內的一鏡面反射率；且(v)該紋理化區域展現出各自分別在0.03至0.6之一範圍內的經校正後的色移

及

。

根據本揭露之第十九態樣，如第一態樣至第十八態樣中任一項所述之基板，其中該基板包含一玻璃或玻璃陶瓷。

根據本揭露之第二十態樣，一種用於一顯示製品之一基板，該基板包含：(a)一主表面；(b)一基面，該基面在該主表面下方延伸穿過該基板；及(c)一紋理化區域，該紋理化區域位於該主表面處的一紋理化區域，該紋理化區域包含：(i)位於距該基面一較高平均標高處的一或多個較高表面，(ii)位於距該基面一較低平均標高處的一或多個較低表面，(iii)提供該一或多個較高表面或該一或多個較低表面的一第一部分，及(iv) 提供該一或多個較高表面及該一或多個較低表面中之該第一部分不提供的另一者的一第二部分；其中，位於平行於該基面的平面中並反映一隨機分佈的橢圓周長界定除了該等橢圓周長之重疊部分之外的該第一部分，其中該等重疊部分部分地界定該第二部分。

根據本揭露之第二十一態樣，如第二十態樣所述之基板，其中除了該等橢圓周長之該等重疊部分之外，該紋理化區域之該第二部分進一步包含該紋理化區域之並非該第一部分的任何部分。

根據本揭露之第二十二態樣，如第二十態樣至第二十一態樣中任一項所述之基板，其中(i)該等橢圓周長中之每一個包含平行於該基面的一最長尺寸；且(ii)該等橢圓周長之該等最長尺寸並非全部彼此平行。

根據本揭露之第二十三態樣，如第二十態樣至第二十二態樣中任一項所述之基板，其中該較高平均標高與該第二標高相差在0.02 µm至0.70 µm之一範圍內的一距離。

根據本揭露之第二十四態樣，如第二十態樣至第二十三態樣中任一項所述之基板，其中(a)該等橢圓周長包含小於該等第一橢圓周長的較大橢圓周長及較小橢圓周長；且(b)該紋理化區域之該第一部分由以下限定：(i)不與該等較大橢圓周長重疊或相交的該等較小橢圓周長，(ii)該等較小橢圓周長之在部分地與該等較大橢圓周長重疊的該等第一橢圓周長外部的部分，及(iii)該等較大橢圓周長之不與該等較小橢圓周長重疊的部分。

根據本揭露之第二十五態樣，如第二十四態樣所述之基板，其中該等較大橢圓周長中之至少一些完全包圍該等較小橢圓周長中之多於一個。

根據本揭露之第二十六態樣，如第二十四態樣至第二十五態樣中任一項所述之基板，其中(i)該等較大橢圓周長之一填充分數在40%至60%之一範圍內；且(ii)該等較小橢圓周長之一填充分數在10%至30%的之一範圍內。

根據本揭露之第二十七態樣，如第二十態樣至第二十六態樣中任一項所述之基板，其中該紋理化區域進一步包含一或多個區段，該等區段包含賦予在5 nm至100 nm之一範圍內的一表面粗糙度(R _a)的次表面特徵。

根據本揭露之第二十八態樣，如第二十態樣至第二十七態樣中任一項所述之基板，其中(i)該紋理化區域展現出在0.3%至8.0%之一範圍內的一透射霧度；(ii)該紋理化區域展現出在0.7%至3.5%之一範圍內的一像素功率偏差；(iii)該紋理化區域展現出在25%至100%之一範圍內的一影像清晰度；(iv)該紋理化區域展現出在5 Gu至30 GU之一範圍內的一鏡面反射率；且(v)該紋理化區域展現出各自分別在0.00至0.50之一範圍內的校正後的色移

及

。

根據本揭露之第二十九態樣，如第二十態樣至第二十八態樣中任一項所述之基板，其中該基板包含一玻璃或玻璃陶瓷。

根據本揭露之第三十態樣，一種形成一顯示器製品之一基板之一紋理化區域之方法，該方法包含以下步驟：(I)在一區域內產生橢圓之一隨機分佈；(II)製備一微影遮罩，該微影遮罩包含：(a)與該平面之區域匹配的一區域；(b)整個該匹配區域中的材料；及(c)穿過該材料的空隙，其中該等橢圓之該隨機分佈界定(i)整個該匹配區域中的該材料或(ii)穿過該材料的該等空隙；(III)將包含一基板、安置於該基板上的一石印油墨及安置於該石印油墨上的該微影遮罩的一工件曝露於一固化劑，該固化劑透射穿過穿過該微影遮罩之該材料的該等空隙以固化該石印油墨之曝露部分，其中該石印油墨之被阻止曝露於該固化劑的未曝露部分未被固化且與該微影遮罩一起去除，而該石印油墨之該等曝露部分保留在該基板上作為一蝕刻遮罩；及(IV)使用一蝕刻劑接觸該基板與該蝕刻遮罩，從而形成該紋理化區域。

根據本揭露之第三十一態樣，如第三十態樣所述之方法，進一步包含以下步驟：(I)在一第二區域內產生第二橢圓之一隨機分佈；(II)製備一第二微影遮罩，該第二微影遮罩包含：(a)與該第二平面之該區域匹配的一第二區域；(b)整個該匹配第二區域中的材料；及(c)穿過該材料的空隙，其中該等第二橢圓之該隨機分佈界定(i)整個該匹配第二區域中的該材料或(ii)穿過該材料的該等空隙；(III)將包含該基板、安置於該基板之該紋理化區域上的新石印油墨及安置於該新石印油墨上的該第二微影遮罩的一第二工件曝露於一固化劑，該固化劑透射穿過穿過該第二微影遮罩之該材料的該等空隙以固化該新石印油墨之曝露部分，其中該新石印油墨之被阻止曝露於該固化劑的未曝露部分未被固化且與該第二微影遮罩一起去除，而該新石印油墨之該等曝露部分保留在該基板上作為一第二蝕刻遮罩；及(IV)使用一蝕刻劑來接觸該基板與該第二蝕刻遮罩。

根據本揭露之第三十二態樣，如第三十態樣至第三十一態樣中任一項所述之方法，其中產生該等橢圓之該隨機分佈包含以下步驟：(i)在一區域內隨機分佈點；(ii)對該等點進行三角剖分，使得每個點成為一三角形之一頂點，從而形成複數個三角形，且該等三角形中沒有一個重疊；(iii)在該複數個三角形中之每個三角形內部繪製一橢圓；及(iv)去除該等點及該等三角形，使得只有繪製於該等三角形中的該等橢圓保留在該區域上。

根據本揭露之第三十三態樣，如第三十二態樣所述之方法，其中在該區域內隨機分佈的該等點分開一最小距離。

根據本揭露之第三十四態樣，如第三十態樣至第三十三態樣中任一項所述之方法，進一步包含以下步驟：將次表面特徵形成至該紋理化區域之一或多個區段中，從而將該一或多個區段之該表面粗糙度(R _a)增加至5 nm至100 nm之一範圍內。

根據本揭露之第三十五態樣，一種形成一顯示器製品之一基板之一紋理化區域之方法，該方法包含以下步驟：(I)在一第一區域內產生第一橢圓之一隨機分佈；(II)在一第二區域內產生第二橢圓之一隨機分佈，其中該等第一橢圓包含平均長於該等第二橢圓之平均最長尺寸的最長尺寸；(III)形成疊加該第一區域之該等第一橢圓及該第二區域之該等第二橢圓的一新區域，該新區域包含：(a)該等第一橢圓及該等第二橢圓之不重疊的自由部分；(b)該等第一橢圓及該等第二橢圓之重疊部分；及(c)該等第一橢圓及該等第二橢圓都不存在的空部分；(IV)製備一微影遮罩，該微影遮罩包含：(a)一區域；(b)該區域內由(i)該等自由部分或(ii)該等重疊部分及該等空部分之組合界定的材料；及(c)穿過由(i)該等自由部分及(ii)該等重疊部分及該等空部分之組合中之不界定該區域內的該材料的任何一者界定的材料的空隙；(V)將包含一基板、安置於該基板上的一石印油墨及安置於該石印油墨上的該微影遮罩的一工件曝露於一固化劑，該固化劑透射穿過穿過該微影遮罩之該材料的該等空隙以固化該石印油墨之曝露部分，其中該石印油墨之被阻止曝露於該固化劑的未曝露部分未被固化且與該微影遮罩一起去除，而該石印油墨之該等曝露部分保留在該基板上作為一蝕刻遮罩；及(VI)使用一蝕刻劑接觸該基板與該蝕刻遮罩。

根據本揭露之第三十六態樣，如第三十五態樣所述之方法，進一步包含以下步驟：在製備該微影遮罩之前，自該新區域去除該等第一橢圓部分而非完全重疊的該等第二橢圓中之任何一個。

根據本揭露之第三十七態樣，如第三十五態樣至第三十六態樣中任一項所述之方法，其中產生該等第一橢圓之該隨機分佈及產生該等第二橢圓之該隨機分佈二者分別包含：(i)在一區域內隨機分佈點，該等點中之每一個分開一最小距離；(ii)對該等點進行三角剖分，使得每個點成為一三角形之一頂點，從而形成複數個三角形，且該等三角形中沒有一個重疊；(iii)在該複數個三角形中之每個三角形內部繪製一橢圓；及去除該等點及該等三角形，使得只有繪製於該等三角形中的該等橢圓保留在該區域上。

根據本揭露之第三十八態樣，如第三十七態樣所述之方法，其中(i)將該等第一橢圓之該隨機分佈的該區域之該等點中之每一個分開的該最小距離在80 μm至130 μm之一範圍內；且(ii)將該等第二橢圓之該隨機分佈的該區域之該等點中之每一個分開的該最小距離在15 μm至40 μm之一範圍內。

根據本揭露之第三十九態樣，如第三十七態樣所述之方法，其中(i)將該等第一橢圓之該隨機分佈的該區域之該等點中之每一個分開的該最小距離小於或等於20 μm；(ii)將該等第二橢圓之該隨機分佈的該區域之該等點中之每一個分開的該最小距離小於或等於18 μm；且將該等第一橢圓之該隨機分佈的該區域之該等點中之每一個分開的該最小距離與將該等第二橢圓之該隨機分佈的該區域之該等點中之每一個分開的該最小距離相差在1 µm至3 µm之一範圍內的一值。

根據本揭露之第四十態樣，如第三十五態樣至第三十九態樣中任一項所述之方法，進一步包含以下步驟：將次表面特徵形成至該紋理化區域之一或多個區段中，從而將該一或多個區段之該表面粗糙度(R _a)增加至5 nm至100 nm之一範圍內。

現在參考第1圖，顯示器製品10包括基板12。在實施例中，顯示器製品10進一步包括基板12耦合至的外殼14及位於外殼14內的顯示器16。在此類實施例中，基板12至少部分地覆蓋顯示器16，使得顯示器16發出的光可透射穿過基板12。

基板12包括主表面18、界定於主表面18上的紋理化區域20及主表面18部分接界的厚度22。主表面18總體面向環繞顯示器製品10的外部環境24且背向顯示器16。顯示器16發出可見光，該可見光透射穿過基板12之厚度22，離開主表面18並進入外部環境24中。

現在參考第2圖至第5圖，在實施例中，紋理化區域20包括表面特徵26。表面特徵26係隨機分佈的。表面特徵26中之每一個具有周長28。周長28平行於基面30，該基面30在紋理化區域20下方延伸穿過基板12之厚度22。周長28係橢圓的。基面30提供概念參考而不是結構組件。

紋理化區域20進一步包括環繞部分32。在實施例中，表面特徵26經設置至環繞部分32中。在彼等實施例中，表面特徵26係橢圓盲孔，該等橢圓盲孔朝向基面30向下延伸至基板12之厚度22中。在其他實施例中，表面特徵26自環繞部分32突起。在彼等實施例中，表面特徵26係自環繞部分32遠離基面30並朝向外部環境24突起的橢圓柱。環繞部分32形成連續表面，表面特徵26自該連續表面突起或設置至該連續表面中。

如所提及，表面特徵26中之每一個之周長28係橢圓的——亦即，周長28之形狀係橢圓形。每個周長28因此具有最長尺寸34，該最長尺寸34係距橢圓之中心36的最長軸之兩倍。此外，每個周長28具有寬度38，該寬度38係距橢圓之中心36的最短軸之兩倍。併入具有橢圓的周長28的表面特徵26對防眩效能具有有意義的影響。導致本揭露之努力亦研究了具有圓形周長28的表面特徵26。併入圓形表面特徵作為紋理化區域的基板在反射周圍光時傾向於產生可觀察到的反射色彩假影。下面的比較例1A進一步詳盡闡述了這一點。具有橢圓的周長28或併入其區段的表面特徵26以減少的色彩假影反射光，以及提供有益的透射霧度、像素功率偏差及影像清晰度值。

如所提及，表面特徵26係隨機分佈的。換言之，表面特徵26彼此對準且表面特徵26不以圖案進行配置。例如，表面特徵26之最長尺寸34並非全部彼此平行(即，並非全部對準以在相同方向上延伸)。此外，表面特徵26之分組在幾何形狀上沒有與表面特徵26之任何其他分組相同地配置。

紋理化區域20進一步包括：(i)位於距基面30較高平均標高42處的一或多個較高表面40；及(ii)位於距基面30較低平均標高44處的一或多個較低表面41。較低平均標高44比較高平均標高42更接近基面30。在製造公差內，一或多個較高表面40全部位於相同標高處。在製造公差內，一或多個較低表面41全部位於相同標高處。在實施例中，表面特徵26提供一或多個較高表面40，且環繞部分32提供一或多個較低表面41。在此類情況下，表面特徵26係自環繞部分32突起。在實施例中，表面特徵26提供一或多個較低表面41，且環繞部分32提供一或多個較高表面42。在此類情況下，表面特徵26係設置至環繞部分32中。

在實施例中，每個表面特徵26之最長尺寸34為5 µm、10 µm、15 µm、20 µm、25 µm、30 µm、40 µm、50 µm、60 µm、70 µm、80 µm、90 µm、100 µm、110 µm、120 µm、130 µm、140 µm、150 µm或在由彼等值中之任何兩個限定的任何範圍(例如，100 µm至110 µm、15 µm至40 µm、5 µm至15 µm等等)內。在實施例中，每個表面特徵26之最長尺寸34平均為約100 µm。

在實施例中，表面特徵26所具有的紋理化區域20之填充分數為30%、40%、50%、60%、70%或在由彼等值中之任何兩個界定的任何範圍(例如，40%至60%等等)內。每個表面特徵26之周長28包圍紋理化區域20之平行於基面30的平面橫剖面之面積。所有表面特徵26之所有周長28之面積之和除以紋理化區域20之平面橫剖面之總面積係表面特徵26之「填充分數」。據信，約50%的填充分數會抑制鏡面反射。換言之，一些周圍光自表面特徵26反射，而一些光自環繞部分32反射。約50%的填充分數在自表面特徵26反射的周圍光與自環繞部分32反射的周圍光之間提供最大破壞性干涉。

在實施例中，距離46將一個表面特徵26之中心36與下一最接近的表面特徵26之中心36分開。此文件可將距離46稱為表面特徵26之「節距」。在實施例中，整個紋理化區域20中的此等距離46之平均值為80 µm、90 µm、100 µm、110 µm、120 µm、130 µm、140 µm、150 µm或在由彼等值中之任何兩個限定的任何範圍(例如，90 µm至120 µm、100 µm至130 µm等等)內。據信，為了致使紋理化區域20在反射光之尖峰強度處於小角度(諸如約0.3度)處之情況下反射光，則將表面特徵26之中心36分開的距離46應在約90 µm至120 µm之範圍內。例如，考慮反射周圍光之550 nm波長部分，當距離46為105 µm時，則提供反射光之尖峰強度(550 nm波長處)的散射角應為0.3度(因為

)。

在實施例中，由一或多個較低表面41提供的較低平均標高44與由一或多個較高表面40提供的較高平均標高42相差的距離48為0.05 µm、0.10 µm、0.15 µm、0.20 µm、0.25 µm、0.30 µm、0.35 µm、0.40 µm、0.45 µm、0.50 µm、0.55 µm、0.60 µm、0.65 µm、0.70 µm或在由彼等值中之任何兩個界定的任何範圍(例如，0.10 µm至0.20 µm、0.05 µm至0.70 µm、0.05 µm至0.60 µm等等)內。當表面特徵26自環繞部分32突起時，差異48係表面特徵26距環繞部分32的高度。當表面特徵26設置至環繞部分32中時，差異48係表面特徵26距環繞部分32的深度。

現在參考第6圖至第8C圖，在紋理化區域20之實施例中，表面特徵26包括或分成較大表面特徵26L及較小表面特徵26S。此處的「較大」及「較小」係相對術語，意指較大表面特徵26L大於較小表面特徵26S。每個較大表面特徵26L及每個較小表面特徵26S分別具有橢圓的周長28L、28S。每個周長28L、28S分別具有最長尺寸34L、34S。較大表面特徵26L之最長尺寸34L落入最長尺寸34L之範圍內。較大表面特徵26S之最長尺寸34S落入不包括較大表面特徵26L之最長尺寸34L之範圍的最長尺寸34S之範圍內。較大表面特徵26L之最長尺寸34L之範圍中之最長尺寸34L長於較小表面特徵26S之最長尺寸34S之範圍中之最長尺寸34S。

如上面所提及，在嘗試使自紋理化區域20反射的光之強度在約0.3度處達到尖峰中，表面特徵26之中心36之間的距離46應為約105 µm。如上面另外提及，為了經由破壞干涉將鏡面反射抑制最大化，表面特徵26之填充分數應為約50%。為了適應彼等兩個標準，則表面特徵26之最長尺寸34應為100 µm。然而，在100 µm尺度上具有此種最長尺寸34的表面特徵26具有產生相對高的像素功率偏差的趨勢。較小表面特徵26S之添加減輕了該後果並通常導致更加可接受的、更低的像素功率偏差。與僅併入較大表面特徵26L之情況相比，併入較小表面特徵26S可改進像素功率偏差。

在實施例中，較大表面特徵26L之周長28L完全環繞較小表面特徵26S中之一些之周長28S。在實施例中，較小表面特徵26S中之一些或全部之周長28S完全位於較大表面特徵26L之周長28L外部。在實施例中，任何給定的較小表面特徵26S之周長28S部分地與任何給定的較大表面特徵28L之周長28L重疊，使得：(i)較小表面特徵26S之周長28S之一部分在較大表面特徵26L之周長28L內部且(ii)較小表面特徵26S之周長28S之一部分在較大表面特徵26L之周長28L外部。此外，雖然未單獨例示出，但較小表面特徵26S不是具有橢圓的周長28S，而是具有可以係圓形的周長28S。

如所提及，在實施例中，紋理化區域包括兩個標高(參見例如第8C圖)——較高平均標高42及較低平均標高44。在實施例中，較大表面特徵26L提供位於較高平均標高42處的一或多個較高表面40中之至少一部分。例如，在實施例中，較大表面特徵26L自環繞部分32突起，較小表面特徵26S中之一些自環繞部分32突起，而剩餘的較小表面特徵26S (不自環繞部分32突起的彼等較小表面特徵)設置至較大表面特徵26L中。在此類實施例中，自環繞部分32突起的(i)較大表面特徵26L及(ii)較小表面特徵26S提供位於較高平均標高42處的一或多個較高表面40。環繞部分32及設置至較大表面特徵26L中的較小表面特徵26S提供位於較低平均標高44處的一或多個較低表面41。此種組態可以係一步蝕刻製程之結果。單個蝕刻步驟蝕刻掉基板12以形成以下中之全部：(i)自環繞部分32突起的較大表面特徵26L，(ii)自環繞部分32突起的較小表面特徵26S，及(iii)設置至較大表面特徵26L中的較小表面特徵26S。

在實施例中(未單獨例示出，但與第8C圖相反)，較大表面特徵26L提供位於較低平均標高44處的一或多個較低表面41中之至少一部分。例如，在實施例中，較大表面特徵26L經設置至環繞部分32中，一些較小表面特徵26S經設置至環繞部分32中，而剩餘的較小表面特徵26S (未設置至環繞部分32中的彼等較小表面特徵)自較大表面特徵26L突起。在此類實施例中，設置至環繞部分32中的(i)較大表面特徵26L及(ii)較小表面特徵26S提供位於較低平均標高44處的一或多個較低表面41。環繞部分32及自較大表面特徵26L突起的較小表面特徵26S提供位於較高平均標高42處的一或多個較高表面40。此種組態可以係一步蝕刻製程之結果。

在實施例(參見第8A圖及第8B圖)中，紋理化區域20進一步包括一或多個中間表面43 (例如，43a、43b)，該一或多個中間表面43位於距基面30一或多個中間平均標高45 (例如，45a、45b)處。一或多個中間平均標高45 (例如，45a、45b)在較高平均標高42與較低平均標高44之間。因此，紋理化區域20之此等實施例具有在距基面30三或四個不同標高處的表面。

例如(參見第8A圖)，在實施例中，較大表面特徵26L提供位於較高平均標高42處的一或多個較高表面40中之至少一部分。在此等實施例中，較大表面特徵26L自環繞部分32突起。環繞部分32提供位於中間標高45b處的一或多個中間表面43b。此外，較小表面特徵26S中之一些經設置至環繞部分32中並提供位於較低平均標高44處的一或多個較低表面41。剩餘的較小表面特徵26S (未設置至環繞部分32中的彼等較小表面特徵)經設置至較大表面特徵26L中並提供位於中間平均標高45a處的一或多個中間表面43a。此種組態可以係二步蝕刻製程之結果。第一蝕刻步驟蝕刻掉基板12以形成環繞部分32及自該環繞部分32突起的較大表面特徵26L。第二蝕刻步驟蝕刻掉基板12以形成設置至較大表面特徵26L及環繞部分32中的較小表面特徵26S。

注意，當在第二蝕刻步驟期間去除的基板12之深度等於在第一蝕刻步驟期間去除的基板12之深度時，紋理化區域20將僅包括三個不同的標高——較高平均標高42、較低平均標高44及單個中間平均標高45。如應用於第8A圖之實例，設置至較大表面特徵26L中的較小表面特徵26S以及環繞部分32二者將提供位於單個中間平均標高45處的一或多個中間表面43。

作為另一個實例(參見第8B圖)，較大表面特徵26L提供安置於較低平均標高44處的一或多個較低表面41中之至少一部分。在此等實施例中，較大表面特徵26L經設置至環繞部分32中。環繞部分32提供安置於中間平均標高45b處的一或多個中間表面43b。此外，較小表面特徵26S中之一些自較大表面特徵26L突起並提供安置於中間平均標高45a處的一或多個中間表面43a。剩餘的較小表面特徵26S (不自較大表面特徵26L突起的彼等較小表面特徵)自環繞部分32突起並提供位於較高平均標高42處的一或多個較高表面40。再次，紋理化區域20包括四個不同的標高42、45a、45b及44。此種組態可以再次係二步蝕刻製程之結果。第一蝕刻步驟蝕刻掉基板12以形成設置至環繞部分32中的較大表面特徵26L。第二蝕刻步驟蝕刻掉基板12以形成自較大表面特徵26L及環繞部分32突起的較小表面特徵26S。注意，當在第二蝕刻步驟期間去除的基板12之深度等於在第一蝕刻步驟期間去除的基板12之深度時，紋理化區域20將僅包括三個不同的標高——較高平均標高42、較低平均標高44及單個中間平均標高45。

在實施例中，另外參考第9A圖至第10D圖，紋理化區域20包括第一部分58及第二部分60。第一部分58或第二部分60提供位於較高平均標高42處的一或多個較高表面40。第一部分58及第二部分60中之另一者提供位於較低平均標高44處的一或多個較低表面41。此等實施例中的紋理化區域20因此提供兩個不同的標高42、44。在第9A圖至第10B圖之實例中，第一部分58係著色成白色的一切部分，而第二部分60係著色成黑色的一切部分。相反的情況同樣有效——第一部分58可以係黑色的一切部分，而第二部分60可以係白色的一切部分。

如第9B圖及第10B圖中可能最好地例示，橢圓周長28界定第一部分58，橢圓周長28之重疊部分66除外。若平面中的兩個橢圓28之區域相交為非空，則稱它們重疊。橢圓周長28之重疊部分66局部地界定第二部分60。例如，具體參考第9B圖，橢圓周長28A不與任何其他橢圓周長28重疊。因此，橢圓周長28A所限定的一切部分係第一部分58之一部分。移至周長28B，周長28B完全被周長28C重疊(即，環繞)。因此，橢圓周長28B所限定的一切部分係第二部分60之一部分。現在考慮周長28D，周長28D僅部分地與周長28C重疊——周長28D之一部分在周長28C內部且周長28D之一部分在周長28C外部。周長28D之在周長28C外部的部分不是重疊部分66，且因此形成第一部分58之一部分。然而，周長28D之在周長28C內部的部分係重疊部分，且因此形成第二部分60之一部分。最後，觀察周長28C，周長28C完全與周長28B重疊、部分地與周長28D重疊且完全或部分地與若干其他周長重疊。周長28C之與其他周長28重疊的彼等部分形成第二部分60之一部分。周長28C之其餘部分不與任何其他周長28重疊，且因此形成第一部分58之一部分。

除了橢圓周長28之重疊部分66之外，紋理化區域20之第二部分60進一步包含紋理化區域20之並非第一部分58的任何部分。更具體而言，紋理化區域20之在橢圓周長28中之任一者外部的任何部分70形成第二部分60之一部分。

與先前所討論的實施例類似，紋理化區域20之橢圓周長28中之每一者係隨機分佈及隨機定向的。橢圓周長28中之每一者包含最長尺寸34。橢圓周長28之最長尺寸34並非全部彼此平行。因此，橢圓周長28之最長尺寸34並非全部共同對齊。橢圓周長28之隨機分佈及定向以及圖案之缺乏妨礙或降低紋理化區域20在反射周圍光時產生莫耳干涉條紋及其他光失真的能力。

如所提及，參考第10C圖及第10D圖，第一部分58或第二部分60提供位於較高平均標高42處的一或多個較高表面40，而第一部分58及第二部分60中之另一者提供位於較低平均標高44處的一或多個較低表面41。在諸如第10C圖所例示的實施例中，第一部分58提供位於較高平均標高42處的一或多個較高表面40。第二部分60提供位於較低平均標高44處的一或多個較低表面41。換言之，在此等實施例中，第一部分58自第二部分60朝向外部環境24突出。

在諸如第10D圖所例示的其他實施例中，第一部分58提供位於較低平均標高42處的一或多個較低表面41。第二部分60提供位於較高平均標高44處的一或多個較高表面40。換言之，在此等實施例中，第二部分60自第一部分58朝向外部環境24突出。

在具有第一部分58及第二部分60的此等實施例中，較高平均標高44與較低平均標高42相差距離48，該距離48同樣為0.05 µm、0.10 µm、0.15 µm、0.20 µm、0.25 µm、0.30 µm、0.35 µm、0.40 µm、0.45 µm、0.50 µm、0.55 µm、0.60 µm、0.65 µm、0.70 µm或在由彼等值中之任何兩個界定的任何範圍(例如，0.10 µm至0.20 µm、0.05 µm至0.70 µm、0.05 µm至0.60 µm等等)內。一步蝕刻製程可產生包括如所描述的第一部分58及第二部分60的實施例。

在實施例中，橢圓周長28按大小分成兩個不同的子集——較大橢圓周長28L及小於較大橢圓周長28L的較小橢圓周長28S。較大橢圓周長28L大於較小橢圓周長28L，因為較大橢圓周長28L之最長尺寸34係比較小橢圓周長28S之最長尺寸34作為其一部分的最長尺寸34之範圍長的最長尺寸34之範圍之一部分。例如，參考第9B圖，屬較大橢圓周長28L的周長28C之最長尺寸34長於全部屬較小橢圓周長28S的周長28A、28B及28D之最長尺寸34。紋理化區域20之具有距基面30第一標高62的第一部分58由以下限定：(i)不與較大橢圓周長28L重疊或相交的較小橢圓周長28S，(ii)較小橢圓周長28S之在部分地與較大橢圓周長28L重疊的第一橢圓周長28S外部的部分，及(iii)較大橢圓周長28L之不與較小橢圓周長28S重疊的部分。紋理化區域20之位於第二標高64處的第二部分60係並非紋理化區域20之第一部分58的其他一切部分。

如上面所討論，相對遠間隔開但具有約50%填充因子的相對大的表面特徵28之併入可使反射光之強度在約0.3度處達到尖峰，同時使對鏡面反射的干涉抑制最大化。然而，若利用兩個大小範圍的相對小的表面特徵26且兩個大小範圍之間的差異相對小，則可達成相同的結果。

在實施例中，如第9A圖及第9B圖所例示，較大橢圓周長28L中之至少一些完全包圍較小橢圓周長28S中之多於一個。注意，在諸如第6圖所例示的一些實施例中，較大橢圓周長28L中之至少一些包圍較小橢圓周長28S中之多於一個，但沒有任何較大橢圓周長28S中沒有任何一個僅部分地與任何較小橢圓周長28S重疊。將僅部分地與較大橢圓周長28L重疊的較小橢圓周長28S之消除被認為減少反射光之大角度散射。大角度散射可能增加霧度。此外，併入允許蝕刻此種紋理化區域20的設計的微影遮罩具有解析度限制——過小的結構，諸如在小橢圓周長28S僅部分地與較大橢圓周長28L重疊之情況下，若以不足的解析度取樣，則可能導致混疊。

在實施例中，較大橢圓周長28L之填充分數在40%至60%之範圍內，而較小橢圓周長28S之填充分數在10%至30%之範圍內。紋理化區域20佔據區域72。此處的較大橢圓周長28L之填充分數係所有較大橢圓周長28L所包圍的區域72之百分比。此處的較小橢圓周長28S之填充分數係所有較小橢圓周長28S所包圍的區域72之百分比。具有較低填充分數的較小橢圓周長28S限制了較小橢圓周長28S對紋理化區域20之總體設計之散射光譜的影響。

在實施例(參見例如第3圖)中，紋理化區域20進一步包括具有次表面特徵82的一或多個區段80。次表面特徵82向紋理化區域20之一或多個區段80賦予表面粗糙度。增加的表面粗糙度向紋理化區域20賦予表面散射，這通常降低像素功率偏差及影像清晰度。所賦予的表面粗糙度為5 nm、10 nm、15 nm、20 nm、25 nm、30 nm、35 nm、40 nm、45 nm、50 nm、55 nm、60 nm、65 nm、70 nm、80 nm、90 nm或100 nm或在由彼等值中之任何兩個限定的任何範圍(例如，5 nm至100 nm等等)內。如本文所用，表面粗糙度(R _a)係用原子力顯微鏡以5 µm × 5 µm掃描大小測量的，該原子力顯微鏡諸如由Seiko Instruments Inc. (Chiba, Japan)所分佈的NanoNavi控制站控制的原子力顯微鏡。與其他類型的表面粗糙度值諸如R _q相反，表面粗糙度(R _a)係與所測量的粗糙度輪廓之平均線的偏差之絕對值之算術平均數。

在實施例中，包括次表面特徵50的一或多個區段80包括一或多個較高表面40、一或多個較低表面41、及若存在的話一或多個中間表面43a、43b。在實施例中，次表面特徵82經安置於表面特徵26而不是環繞部分32上。在實施例中，次表面特徵82經安置於環繞部分32而不是表面特徵26上。在實施例中，次表面特徵82經安置於環繞部分32及表面特徵26二者上。在實施例中，次表面特徵82經安置於第一部分58而不是第二部分60上，或者反之亦然。在實施例中，次表面特徵82經安置於第一部分58及第二部分60上。在實施例中，包括次表面特徵82的一或多個區段80與紋理化區域20同延，這意指次表面特徵82安置於整個紋理化區域20中。在實施例中，由次表面特徵82賦予表面特徵26處的表面粗糙度(R _a)小於環繞部分32處的表面粗糙度。

在實施例中，基板12包括玻璃基板或玻璃陶瓷基板。在實施例中，基板12係多組分玻璃組成物，該多組分玻璃組成物具有約40 mol %至80 mol %二氧化矽及平衡的一或多種其他成分，例如，氧化鋁、氧化鈣、氧化鈉、氧化硼等。在一些實施方案中，基板12之整體組成物係選自由以下組成之群：鋁矽酸鹽玻璃、硼矽酸鹽玻璃及磷矽酸鹽玻璃。在其他實施方案中，基板12之整體組成物係選自由以下組成之群：鋁矽酸鹽玻璃、硼矽酸鹽玻璃、磷矽酸鹽玻璃、鈉鈣玻璃、鹼性鋁矽酸鹽玻璃及鹼性鋁硼矽酸鹽玻璃。在另外的實施方案中，基板12係玻璃為基的基板，包括但不限於包含約90重量%或更大的玻璃組分以及陶瓷組分的玻璃陶瓷材料。在顯示器製品10之其他實施方案中，基板12可以係聚合物材料，具有適合於紋理化區域20之開發及保持的耐久性及機械性質。

在實施例中，基板12具有包含鹼性鋁矽酸鹽玻璃的整體組成物，該鹼性鋁矽酸鹽玻璃包含氧化鋁、至少一種鹼金屬及在一些實施例中大於50 mol %的SiO ₂、在其他實施例中至少58 mol %的SiO ₂、且在再一些實施例中至少60 mol %的SiO ₂，其中比率(Al ₂O ₃(mol%) + B ₂O ₃(mol%)) / ∑鹼金屬改質劑(mol%) ＞ 1，其中該等改質劑係鹼金屬氧化物。在特定實施例中，此玻璃包含以下、本質上由以下組成或由以下組成：約58 mol %至約72 mol %的SiO ₂；約9 mol %至約17 mol %的Al ₂O ₃；約2 mol %至約12 mol %的B ₂O ₃；約8 mol %至約16 mol %的Na ₂O；及0 mol %至約4 mol %的K ₂O，其中比率(Al ₂O ₃(mol%) + B ₂O ₃(mol%)) / ∑鹼金屬改質劑(mol%) ＞ 1，其中該等改質劑係鹼金屬氧化物。

在實施例中，基板12具有包含鹼性鋁矽酸鹽玻璃的整體組成物，該鹼性鋁矽酸鹽玻璃包含以下、本質上由以下組成或由以下組成：約61 mol %至約75 mol %的SiO ₂；約7 mol %至約15 mol %的Al ₂O ₃；0 mol %至約12 mol %的B ₂O ₃；約9 mol %至約21 mol %的Na ₂O；0 mol %至約4 mol %的K ₂O；0 mol %至約7 mol %的MgO；及0 mol %至約3 mol %的CaO。

在實施例中，基板12具有包含鹼性鋁矽酸鹽玻璃的整體組成物，該鹼性鋁矽酸鹽玻璃包含以下、本質上由以下組成或由以下組成：約60 mol %至約70 mol %的SiO ₂；約6 mol %至約14 mol %的Al ₂O ₃；0 mol %至約15 mol %的B ₂O ₃；0 mol %至約15 mol %的Li ₂O；0 mol %至約20 mol %的Na ₂O；0 mol %至約10 mol %的K ₂O；0 mol %至約8 mol %的MgO；0 mol %至約10 mol %的CaO；0 mol %至約5 mol %的ZrO ₂；0 mol %至約1 mol %的SnO ₂；0 mol %至約1 mol %的CeO ₂；小於約50 ppm As ₂O ₃；及小於約50 ppm Sb ₂O ₃；其中12 mol %≦Li ₂O+Na ₂O+K ₂O≦20 mol %且0 mol %≦MgO+Ca≦10 mol %。

在實施例中，基板12具有包含鹼性鋁矽酸鹽玻璃的整體組成物，該鹼性鋁矽酸鹽玻璃包含以下、本質上由以下組成或由以下組成：約64 mol %至約68 mol %的SiO ₂；約12 mol %至約16 mol %的Na ₂O；約8 mol %至約12 mol %的Al ₂O ₃；0 mol %至約3 mol %的B ₂O ₃；2 mol %至約5 mol %的K ₂O；4 mol %至約6 mol %的MgO；及0 mol %至約5 mol %的CaO，其中：66 mol %≦SiO ₂+B ₂O ₃+CaO≦69 mol %；Na ₂O+K ₂O+B ₂O ₃+MgO+CaO+SrO＞10 mol %；5 mol %≦MgO+CaO+SrO≦8 mol %；(Na ₂O+B ₂O ₃)—Al ₂O ₃≦2 mol %；2 mol %≦Na ₂O—Al ₂O ₃≦6 mol %；及4 mol %≦(Na ₂O+K ₂O)—Al ₂O ₃≦10 mol %。

在實施例中，基板12具有包含SiO ₂、Al ₂O ₃、P ₂O ₅及至少一種鹼金屬氧化物(R ₂O)的整體組成物，其中0.75＞[(P ₂O ₅(mol %)+R ₂O (mol %))/M ₂O ₃(mol %)]≦1.2，其中M ₂O ₃═Al ₂O ₃+B ₂O ₃。在實施例中，[(P ₂O ₅(mol %)+R ₂O (mol %))/M ₂O ₃(mol %)]=1，且在實施例中，玻璃不包含B ₂O ₃，且M ₂O ₃═Al ₂O ₃。在實施例中，基板12包含：約40 mol %至約70 mol %的SiO ₂；0 mol %至約28 mol %的B ₂O _{3 ；}約0 mol %至約28 mol %的Al ₂O ₃；約1 mol %至約14 mol %的P ₂O ₅；及約12 mol %至約16 mol %的R ₂O。在一些實施例中，玻璃基板包含：約40 mol %至約64 mol %的SiO ₂；0 mol %至約8 mol %的B ₂O ₃；約16 mol %至約28 mol %的Al ₂O ₃；約2 mol %至約12 mol %的P ₂O ₅；及約12 mol %至約16 mol %的R ₂O。基板12可進一步包含至少一種鹼土金屬氧化物，諸如但不限於MgO或CaO。

在一些實施例中，基板12具有實質上不含鋰的整體組成物；即，玻璃包含小於1 mol %的Li ₂O、且在其他實施例中小於0.1 mol %的Li ₂O、且在其他實施例中0.01 mol % Li ₂O、且在再一些實施例中0 mol %的Li ₂O。在一些實施例中，此類玻璃不含砷、銻及鋇中之至少一者；即，玻璃包含小於1 mol %的As ₂O ₃、Sb ₂O ₃及/或BaO、且在其他實施例中小於0.1 mol %的As ₂O ₃、Sb ₂O ₃及/或BaO、且在再一些實施例中0 mol %的As ₂O ₃、Sb ₂O ₃及/或BaO。

在實施例中，基板12具有包含玻璃組成物、本質上由玻璃組成物組成或由玻璃組成物組成的整體組成物，該玻璃組成物諸如Corning ^®Eagle XG ^®glass、Corning ^®Gorilla ^®glass、Corning ^®Gorilla ^®Glass 2、Corning ^®Gorilla ^®Glass 3、Corning ^®Gorilla ^®Glass 4或Corning ^®Gorilla ^®Glass 5。

在實施例中，基板12具有藉由本領域已知的化學手段或熱手段增強的離子可交換玻璃組成物。在實施例中，基板12藉由離子交換化學增強。在該製程中，基板12之主表面18處或附近的金屬離子被交換成具有與基板12中的金屬離子相同的價的較大金屬離子。交換通常藉由使基板12與離子交換介質諸如例如含有較大金屬離子的熔鹽浴接觸來進行。金屬離子通常係單價金屬離子，諸如例如鹼金屬離子。在一個非限制性實例中，藉由離子交換化學增強含有鈉離子的基板12係藉由將基板12浸入包含諸如硝酸鉀(KNO ₃)或類似物的熔鉀鹽的離子交換浴中來完成。在一個特定實施例中，基板12之與主表面18鄰接的表面層中的離子以及較大離子係單價鹼金屬陽離子，諸如Li ⁺(當存在於玻璃中時)、Na ⁺、K ⁺、Rb ⁺及Cs ⁺。替代地，基板12之表面層中的單價陽離子可用鹼金屬陽離子之外的單價陽離子諸如Ag ⁺或類似者替換。

在此類實施例中，在離子交換製程中用較大金屬離子替換小金屬離子在基板12中創建自主表面18延伸至一定深度(稱為「層深度」)的處於壓縮應力下的壓縮應力區域。基板12之此壓縮應力被基板12內部內的張拉應力(亦稱為「中心張力」)平衡。在一些實施例中，當藉由離子交換增強時，本文所描述之基板12之主表面18具有至少350 MPa的壓縮應力，且處於壓縮應力下的區域延伸至在主表面18下方深入厚度22至少15 μm的深度，即，層深度。

離子交換製程通常藉由將基板12浸入含有待與玻璃中的較小離子交換的較大離子的熔鹽浴中來進行。熟習此項技術者將瞭解，離子交換製程之參數通常由玻璃之組成物及所要層深度及作為增強操作之結果的玻璃之壓縮應力判定，該等參數包括但不限於浴組成物及溫度、浸入時間、玻璃在鹽浴(或多個浴)中的浸入次數、多種鹽浴之使用、諸如退火、洗滌的附加步驟及類似者。舉例而言，含鹼金屬玻璃之離子交換可藉由浸入至少一種含有鹽的熔浴中來達成，該鹽諸如但不限於硝酸鹽、硫酸鹽及較大鹼金屬離子之氯化物。熔鹽浴之溫度通常在自約380℃至多達約450℃之範圍內，而浸入時間之範圍係自約15分鐘至多達約16小時。然而，亦可使用不同於上述彼等溫度及浸入時間的溫度及浸入時間。此類離子交換處理與具有鹼性鋁矽酸鹽玻璃組成物的基板12一起採用時會產生壓縮應力區域，該壓縮應力區域具有範圍自約10 μm至多達至少50 μm的深度 (層深度)與範圍自約200 MPa至多達約800 MPa的壓縮應力及小於約100 MPa的中心張力。

由於可採用來創建基板12之紋理化區域20的蝕刻製程可自基板12去除原本將在離子交換製程期間用較大鹼金屬離子替換的鹼金屬離子，因此優先在紋理化區域20之形成及開發之後在顯示器製品10中開發壓縮應力區域。

在實施例中，顯示器製品10展現出像素功率偏差(「pixel power deviation，PPD」)。用於獲得PPD值的測量系統及影像處理計算之細節描述於名稱為「Apparatus and Method for Determining Sparkle」的美國專利第9,411,180號中，且該專利之與PPD測量結果相關的突出部分以引用方式整體併入本文中。此外，除非另外指出，否則採用SMS-1000系統(Display-Messtechnik & Systeme GmbH & Co. KG)來產生及評估本揭露之PPD測量結果。PPD測量系統包括：包含複數個像素的像素化源(例如，Lenovo Z50 140 ppi膝上型電腦)，其中該複數個像素中之每一個具有參考索引 i及 j；及沿著源自像素化源的光程光學安置的成像系統。該成像系統包含：沿著光程安置且具有像素化敏感區的成像裝置，該像素化敏感區包含第二複數個像素，其中該第二複數個像素中之每一個用索引 m及 n參考；及安置於像素化源與成像裝置之間的光程上的膜片，其中該膜片針對源自像素化源的影像具有可調收集角。影像處理計算包括：獲取透明樣品之像素化影像，該像素化影像包含複數個像素；判定像素化影像中相鄰像素之間的邊界；在邊界內進行積分以獲得像素化影像中每個源像素之積分能量；及計算每個源像素之積分能量之標準偏差，其中該標準偏差係每像素色散之功率。如本文所用，所有PPD值、屬性及限制係利用試驗裝置進行計算及評估，該試驗裝置採用具有每吋140像素(pixels per inch，PPI)的顯示裝置。在實施例中，顯示器製品10所展現的PPD為0.8%、0.9%、1.0%、1.1%、1.2%、1.3%、1.4%、1.5%、1.6%、1.7%、1.8%、1.9%、2.0%、2.25%、2.5%、2.75%、3.0%、3.25%、3.5%、3.75%、4.0%、4.25%、4.5%、4.75%、5.0%、5.25%、5.5%、5.75%、6.0%或在由彼等值中之任何兩個限定的任何範圍(例如，0.8%至2.0%、0.9%至2.25%、2.0%至6.0%等等)內。在實施例中，顯示器製品10展現出小於2.0%的PPD。

在實施例中，基板12展現出影像清晰度(「distinctness-of-image，DOI」)。如本文所用，「DOI」等於100*(R _S- R _0.3˚)/R _S，其中R _S係自指向紋理化區域20上的入射光(在與法線成20°下)測量的鏡面反射率通量，且R _0.3係自0.3°下的相同入射光根據鏡面反射率通量R _S測量的反射率通量。在背面上利用折射率匹配油將樣品光學地耦合至平板黑色玻璃，以消除第二表面反射。除非另外指出，否則本揭露中所報告的DOI值及測量結果係根據名稱為「Standard Test Method for Instrumental Measurement of Distinctness-of-Image (DOI) Gloss of Coated Surfaces using a Rhopoint IQ Gloss Haze & DOI Meter」 (Rhopoint Instruments Ltd.)的ASTM D5767-18獲得。在實施例中，基板12所展現的影像清晰度(「distinctness-of-image，DOI」)為15%、20%、25%、30%、35%、40%、45%、50%、55%、60%、65%、70%、75%、80%、85%、90%、95%、96%或在由彼等值中之任何兩個限定的任何範圍(例如，20%至40%、10%至96%、35%至60%等等)內。

在實施例中，基板12展現出透射霧度。如本文所用，術語「透射霧度」係指根據名稱為「Standard Test Method for Haze and Luminous Transmittance of Transparent Plastics」的ASTM D1003在約± 2.5°的角錐之外散射的透射光之百分比，ASTM D1003之內容以引用方式整體併入本文中。注意，儘管ASTM D1003之標題係指塑膠，但該標準亦適用於包含玻璃材料的基板。對於光學平滑表面，透射霧度通常接近於零。在實施例中，基板12所展現的透射霧度為0.3%、0.4%、0.5%、0.6%、0.7%、0.8%、0.9%、1.0%、1.5%、2%、3%、4%、5%、6%、7%、8%、9%、10%、12.5%、15%或在由彼等值中之任何兩個限定的任何範圍(例如，0.3%至15%、0.9%至1.0%等等)內。

如本文所用，「校正後的色移」係對基板12在反射來自紋理化區域20的周圍光時產生的反射色彩假影之量的量度。現在參考第11圖，為了判定校正後的色移，將待試驗之具有紋理化區域20之基板12放置於顯示器16之上，其中油74安置於基板12與顯示器16之間以抑制基板12之面向顯示器16的表面及顯示器16之表面的光反射。油74所具有的折射率與基板12之折射率匹配。室內燈76像通常那樣發出光。白色光源78照射基板12。基板12之紋理化區域20面向白色光源78。由於在關閉顯示器16時更容易觀察且更準確地測量基板12之反射色彩假影，因此在進行分色測量時關閉顯示器16。紋理化區域20反射白色光源78發出的光之一部分作為散射光圖案。色彩CCD攝影機80拍攝散射光圖案之影像。然後對影像進行數字處理，並計算沿著穿過最大

(或

)及最小

(或

)之位置的選定直線的色度係數(

及

)。在此，色度係數

及

分別定義為

及

，其中

、

及

分別係色彩CCD攝影機80偵測到的散射光圖案之位置處的紅光、綠光及藍光之功率(或強度)。色度係色彩品質之客觀規範，而不管色彩輝度如何。將沿著選定線的色移

及

計算為

之最大

與最小

之間的差異以及

之最大

與最小

之間的差異。然後校正色移

及

以說明以下事實：人眼看到的色彩變化之可見性不僅與色移(

及

)相關，而且與最大及最小

之位置(

)與最大及最小

之位置(

)之間的角分離82相關。此等校正後的色移定義為

係在

處任意設置的參考角分離。此參考角係選自在500 mm距離處觀察的300x110 mm顯示器之455點色彩及輝度測量結果之兩個相鄰測量點之間的角度。

及

分別係

最大值及最小值之位置與

之最大值及最小值之位置之間的以度為單位的角分離。當校正後的色移

及

各自小於0.3時，假設人眼不能感知到基板12正在產生的任何反射色彩假影。在實施例中，基板12所展現的校正後的色移

及

為0.00、0.01、0.05、0.1、0.2、0.3、0.4、0.5、0.6或在由彼等值中之任何兩個限定的任何範圍(0.01至0.3、0.05至1.0等等)內。在實施例中，基板12展現出小於0.3、小於0.2、小於0.1或甚至0.0的校正後的色移

及

。

在實施例中，基板12所展現的鏡面反射率為5%、10%、15%、20%、25%、30%、35%、40%、45%、50%、55%、60%或65%或在由彼等值中之任何兩個限定的任何範圍(例如，5%至65%、5%至30%等等)內。在實施例中，基板12展現出小於30%、小於25%、小於20%或小於10%的鏡面反射率。此處的鏡面反射率，在隨後的實例中稱作「c-Rspec」，係指使用Rhopoint IQ測角光度計獲得並以光澤度單位(gloss unit，GU)為單位報告的值。100光澤度單位定義為來自折射率為1.567的經高度研磨之平板黑色玻璃件的鏡面反射強度。該等值指示當樣品使用油光學耦合至折射率匹配黑色玻璃以去除第二表面反射時測量到多少鏡面反射。

現在參考第12圖，本文描述了形成顯示器製品10之基板12之紋理化區域20之方法100。在步驟102處，方法100包括以下步驟：在平面108之區域106內產生橢圓104之隨機分佈。

在步驟110處，方法100進一步包括以下步驟：製備微影遮罩112。微影遮罩112之設計與在步驟102處產生的橢圓104之隨機分佈匹配。微影遮罩112具有區域114。區域114與隨機分佈有橢圓104的平面108之區域112匹配。微影遮罩112包括整個區域114中的材料116。微影遮罩112進一步包括穿過材料116的空隙118。在步驟102處產生的橢圓104之隨機分佈界定：(a)整個區域114中的材料116或(b)穿過材料116的空隙118。在第12圖處的圖示中，橢圓104外部的黑色部分代表微影遮罩112之材料116，而橢圓104內部的白色部分係穿過微影遮罩112之材料116的空隙118。微影遮罩112可經製備成具有相反的關係——橢圓104之內部(例如，第12圖中的白色)可代表微影遮罩112之材料116，而橢圓104之外部(例如，第12圖中的黑色)可代表穿過微影遮罩112之材料116的空隙118。

製備併入微影遮罩112的工件120。工件120包括基板12、位於基板12之期望形成有紋理化區域20的主表面18上的石印油墨122及位於石印油墨122之上的微影遮罩112。

在步驟124處，方法100進一步包括以下步驟：將工件120曝露於固化劑126。固化劑126可固化石印油墨122。固化劑126可以係紫外光等其他固化劑。微影遮罩112允許選擇性固化石印油墨122。固化劑126透射穿過微影遮罩112之材料116中的空隙118以固化石印油墨122之曝露部分。然而，微影遮罩112之材料116阻止石印油墨122之未曝露部分曝露於固化劑126。因此，石印油墨122之未曝露部分未被固化。在固化之後，自基板12去除微影遮罩112以及石印油墨122之未曝露部分。石印油墨122之曝露部分以固化形成為蝕刻遮罩128形式保留在基板12上。

在步驟102處產生的橢圓104之隨機分佈界定材料116及穿過微影遮罩112之材料的空隙118以及因此位於基板12上的蝕刻遮罩128。換言之，蝕刻遮罩128經成形為與在步驟102處產生的橢圓104之內部匹配，或者經成形為與橢圓104之外部匹配。第12圖處的圖示之與步驟130有關的在橢圓104內部的黑色代表蝕刻遮罩128。在橢圓104外部的白色係基板12之主表面18。若微影遮罩112以相反的方式形成，則將會存在相反的情況。

在步驟130處，方法100進一步包括以下步驟：使用蝕刻劑132來接觸基板12與蝕刻遮罩128。蝕刻劑132選擇性地蝕刻蝕刻遮罩128，因為蝕刻遮罩128允許蝕刻劑132接觸基板12之主表面18之一些部分並防止蝕刻劑132接觸基板12之主表面18之其他部分。視微影遮罩112形成方式而定，蝕刻遮罩128：(i)根據來自步驟102的橢圓104之隨機產生允許蝕刻劑132在橢圓104內部蝕刻至基板12中並防止蝕刻劑132在橢圓104外部蝕刻至基板12中，或者(ii)根據來自步驟102的橢圓104之隨機產生防止蝕刻劑132在橢圓104內部蝕刻至基板12中並允許蝕刻劑132在橢圓104外部蝕刻至基板12中。此後，去除蝕刻遮罩128。基板12現在具有在其主表面18上的紋理化區域20，其中紋理化區域20之形貌與在步驟102處產生的橢圓104之隨機分佈匹配。

在實施例中，方法100進一步包括以下步驟：重複步驟102、110、124、130，使得再次蝕刻出具有紋理化區域20之基板12。為詳盡闡述，在第二平面108之區域106內產生第二橢圓104之隨機分佈(不同於來自初始步驟102的橢圓104之隨機分佈)。此等第二橢圓104可具有不同於(例如，小於)先前所產生的橢圓104之最長尺寸34之範圍的最長尺寸34之範圍。然後製備第二微影遮罩112，該第二微影遮罩112併入第二橢圓104作為材料116或穿過材料116的空隙118。製備第二工件120，該第二工件120包括基板12、安置於基板12之紋理化區域20上的新石印油墨122及安置於新石印油墨122上的第二微影遮罩112。然後將第二工件120曝露於固化劑126。固化劑126透射穿過穿過第二微影遮罩112之材料116的空隙118以固化新石印油墨122之曝露部分。第二微影遮罩112之材料116阻止新石印油墨122之未曝露部分曝露於固化劑126。因此，新石印油墨122之未曝露部分未被固化且與第二微影遮罩112一起被去除。新石印油墨122之曝露部分保留在基板12上作為第二蝕刻遮罩128。然後使用蝕刻劑132來接觸基板12與第二蝕刻遮罩128。如結合第8A圖至第8C圖所解釋，此類二步蝕刻製程可形成具有距基面30三或四個標高50-56的紋理化區域20。

在實施例中，參考第13圖，產生橢圓104之隨機分佈的步驟102包括首先在平面108之區域106內隨機分佈點134。如此隨機分佈的點134中之每一個分開最小距離136。點134可按照諸如帕松圓盤隨機分佈演算法的隨機分佈演算法隨機分佈。諸如最大-最小的其他演算法也係可能的。然而，諸如最大-最小的一些分佈演算法傾向於將點134配置得過於六角形，這致使所得橢圓104在長軸長度及短軸長度以及偏心率方面彼此十分相似。這可能導致色彩假影。帕松圓盤分佈演算法將最小距離136強加於分佈點134之間，但不產生高度六角形配置。

更具體而言，帕松圓盤取樣將第一點134插入區域106中。然後演算法將第二點134插入區域106內，從而將中心放置在區域106內的隨機點處。若第二點134之放置滿足距第一點134的最小距離136，則第二點134保留在區域106中。演算法然後重複此過程，直至不再有此類點134可放置在滿足最小距離136的區域106內為止。結果是點134之隨機分佈但特定的放置。

最大-最小間距演算法之所以如此命名是因為它嘗試將點134分佈之最小最近鄰距離136最大化。因為最大-最小間距演算法迭代地進行，從而將每個點134移動至距任何鄰居更遠的另一個地方，所以該演算法通常不能達成完美的六角點陣。該演算法產生具有相對高的平均六角百分比程度、通常超過90%的隨機分佈。

在將點134隨機分佈於平面108之區域106內之後，對點134進行三角剖分。藉由對點134進行三角剖分，每個點134成為三角形138之頂點。因此形成了複數個三角形138，該等三角形138中沒有一個重疊。例如，點134可經由Delaunay三角剖分進行三角剖分。其他三角剖分方法係可能的。彼等方法中之一些可能為表面特徵26產生更大範圍的最長尺寸34。

在已經三角剖分點134之後，在複數個三角形138之每個三角形138內部繪製橢圓104，從而在平面108之區域106中產生複數個三角形138。例如，每個橢圓104可以係Steiner內切橢圓。內切橢圓係接觸繪製有橢圓104的三角形138之三個邊的橢圓104。Steiner內切橢圓係在三角形138之邊之中點處接觸三角形138並為橢圓104提供最大面積的橢圓104 (Steiner內切橢圓佔據三角形138之面積之π√3/9或約60.46%，而不管三角形尺寸如何)。Steiner內切橢圓之中心係繪製有Steiner內切橢圓的三角形138之質心(即，三角形之三條中線重合的點)。

在已經繪製了複數個橢圓104之後，自平面108之區域106去除點134及三角形138。只有繪製於三角形138中的橢圓104保留在平面108之區域106上。在實施例中，橢圓104之大小按比例縮小，使得平面108之區域106中的橢圓104之填充分數在45%至55%之範圍內。此處的填充分數係橢圓104佔據的平面108之區域106的百分比。如所提及，若繪製了Steiner內切橢圓，則按比例縮小之前的橢圓104之填充因子為約60.46%。在實施例中，橢圓104之大小按比例縮小，使得平面108之區域106中的橢圓104之填充分數為50%。每個橢圓104具有最長尺寸140，且為了按比例縮小橢圓104，可將每個橢圓104之最長尺寸140減小相同的百分比，而橢圓104之中心保持在相同位置中。

現在參考第14圖，本文揭示了形成顯示器製品10之基板12之紋理化區域20之另一種方法200。在步驟202處，方法200包括以下步驟：在第一區域206內產生第一橢圓204之隨機分佈。類似地，在步驟208處，方法200進一步包括以下步驟：在第二區域212內產生第二橢圓210之隨機分佈。第一橢圓204之最長尺寸214長於第二橢圓210之最長尺寸216。

因此，步驟202、208通常與方法100之步驟102相同且可以相同方式執行。換言之，且重新參考第13圖，產生第一橢圓204之隨機分佈及產生第二橢圓210之隨機分佈之步驟202、208二者分別包括以下步驟：(i)在108之區域106內隨機分佈點134，點134中之每一個分開最小距離136；(ii)對點134進行三角剖分，使得每個點成為三角形138之頂點，從而形成複數個三角形138，且該等三角形138中沒有一個重疊；(iii)在複數個三角形138中之每個三角形138內繪製橢圓104；及去除點134及三角形138，使得只有繪製於三角形138中的橢圓104保留在平面108之區域106上。

對於方法200，進一步要注意的是，將第一橢圓204之隨機分佈的平面108之點134中之每一個分開的最小距離136大於將第二橢圓210之隨機分佈的平面108之點134中之每一個分開的最小距離136。產生第一橢圓204的點134的更長最小距離136導致第一橢圓204之最長尺寸140長於第二橢圓210之最長尺寸140。在實施例中，將第一橢圓204之隨機分佈的平面108之點134中之每一個分開的最小距離為15 µm、16 µm、17 µm、18 µm、19 µm、20 µm、30 µm、40 µm、50 µm、60 µm、70 µm、80 µm、90 µm、100 µm、110 µm、120 µm、130 µm、140 µm或在由彼等值中之任何兩個限定的任何範圍(例如，100 µm至120 µm、80 µm至130 µm等等)內。在實施例中，將第二橢圓210之隨機分佈的平面108之點134中之每一個分開的最小距離136為13 µm、14 µm、15 µm、16 µm、17 µm、18 µm、19 µm、20 µm、25 µm、30 µm、35 µm、40 µm或在由彼等值中之任何兩個限定的任何範圍(例如，20 µm至30 µm、15 µm至40 µm等等)內。

在實施例中，將第一橢圓204之隨機分佈的平面108之點134中之每一個分開的最小距離136小於或等於20 μm。在此等實施例中，將第二橢圓210之隨機分佈的平面108之點134中之每一個分開的最小距離136小於或等於18 μm。將第一橢圓204之隨機分佈的平面108之點134中之每一個分開的最小距離136與將第二橢圓210之隨機分佈的平面108之點134中之每一個分開的最小距離136相差在1 µm至3 µm之範圍內的值。

在步驟218處，方法200進一步包括以下步驟：形成新區域220，該新區域220疊加第一區域206之第一橢圓204及第二區域212之第二橢圓210。新區域220係相同新區域220內的第一橢圓204及第二橢圓210之組合。新區域220包括第一橢圓204及第二橢圓210之不重疊的自由部分222。自由部分222將包括第一橢圓204及第二橢圓210中之完全不重疊的任何一個以及第一橢圓204及第二橢圓210之不重疊的部分。新區域220進一步包括第一橢圓204及第二橢圓210之重疊部分224。重疊部分224係第一橢圓204及第二橢圓210佔據新區域220之相同空間的位置。最後，新區域220進一步包括第一橢圓204與第二橢圓210都不存在的空部分226。空部分226在第一橢圓204外部及第二橢圓210外部。

在實施例中，方法200進一步包括以下步驟：自新區域220去除第一橢圓204部分而非完全重疊的第二橢圓210中之任何一個。此種新區域220將看起來像第6圖那樣，其中所有較小橢圓完全在較大橢圓內部或完全在較大橢圓外部。較小橢圓中沒有一個部分位於較大橢圓內部及部分位於較大橢圓外部。在此等實施例中，彼等較小橢圓均被去除。

在步驟228處，方法200進一步包括以下步驟：製備微影遮罩112。微影遮罩112包括區域114、區域114內的材料116及穿過材料116的空隙118。區域114內的材料116由以下界定(即，匹配)：(i)第一橢圓204及第二橢圓210之不重疊的自由部分222或(ii)重疊部分224及空部分226之組合。穿過材料116的空隙118由以下界定(即，匹配)：前一句的(i)及(ii)中之不界定114內的材料116的任何一個。然後將微影遮罩112併入工件120中，該工件120包括基板12、安置於基板12上的石印油墨122及安置於石印油墨122上的微影遮罩112。

在步驟230處，方法200進一步包括以下步驟：將工件120曝露於固化劑126。諸如紫外光的固化劑126透射穿過穿過微影遮罩112之材料116的空隙118以固化石印油墨122之曝露部分。微影遮罩112之材料116阻止石印油墨122之未曝露部分曝露於固化劑126，且因此，該未曝露部分未被固化。未曝露部分與微影遮罩112一起自基板12去除。石印油墨122之曝露部分保留在基板12上作為蝕刻遮罩128。

在步驟232處，方法200進一步包括以下步驟：使用蝕刻劑132來接觸基板12與蝕刻遮罩128。蝕刻劑132選擇性地蝕刻蝕刻遮罩128。視微影遮罩112形成方式而定，蝕刻遮罩128可允許蝕刻劑132蝕刻至基板12、第一橢圓204與第二橢圓210之不重疊的自由部分222中，並防止蝕刻劑132蝕刻至基板12、重疊部分224與空部分226之組合中。替代地，蝕刻遮罩128可允許蝕刻劑132蝕刻至基板12、重疊部分224與空部分226之組合中，並防止蝕刻劑132蝕刻至基板12、第一橢圓204與第二橢圓210之不重疊的自由部分222中。在任何情況下，在蝕刻步驟232之後，去除蝕刻遮罩128。基板12具有在主表面18上的紋理化區域20。

在實施例中，方法100及方法200各自包括以下步驟：在已經執行前述蝕刻步驟之後，將次表面特徵82形成至紋理化區域20之一或多個區段80中。此步驟將一或多個區段34處的表面粗糙度(R _a)增加至5 nm至100 nm之範圍內。在實施例中，將次表面特徵82形成至紋理化區域20之一或多個區段80中的步驟包含以下步驟：使用另一種蝕刻劑接觸基板12之紋理化區域20之一或多個區段80。此蝕刻劑不同於蝕刻劑132。在實施例中，此蝕刻劑包括乙酸及氟化銨。在實施例中，蝕刻劑包括(以重量%為單位)：85至98的乙酸、0.5至7.5的氟化銨及0至11的水。水可以係去離子水。在實施例中，蝕刻劑接觸一或多個區段80持續在15秒至5分鐘之範圍內的時間週期。在實施例中，在蝕刻遮罩128保留在基板12上時，蝕刻劑接觸一或多個區段80。在該時間週期結束之後使用去離子水沖洗基板12並進行乾燥。蝕刻步驟130、232及形成次表面特徵82的蝕刻步驟可在室溫下進行。

實例

比較實例1A及實例1B比較例——對於比較例1A，利用一步蝕刻製程來產生基板之表面特徵具有圓形周長而橢圓周長的紋理化區域。表面特徵仍然係隨機分佈的但具有恆定直徑，且周長係圓形的。這在第15A圖處例示出。對紋理化表面進行照射。拍攝來自紋理化區域的反射光之影像。第15B圖處產生該影像。作為散射角之函數的紋理化表面反射的光之強度藉由使用由Scatter Works Inc 製造的TSW CASI ^TM散射計(針對具有550 nm波長的光)進行測量。第15C圖處再現了測量結果之圖表。

如第15B圖之影像顯示，具有圓形周長的表面特徵雖然係隨機分佈的，但在反射光時產生色彩假影。已向第15B圖添加色彩標籤，以防圖表以黑色及白色再現。讀者應理解，反射光類似於自中心朝向外部重複移動的圓形彩虹。表面特徵之圓形周長產生圓形色環。

第15C圖之圖表亦例示出該態樣。該圖表係針對呈現綠黃的550 nm特定波長。在此波長處的反射光之強度展示為作為散射角之函數若干次達到尖峰。另外，出現尖峰強度的散射角係波長之函數。因此，550 nm波長的出現強度尖峰的散射角將不同於其他波長的出現強度尖峰的散射角。波長依賴性亦隨著散射角增加而增加。這說明在遠離影像中心移動的第15B圖之影像中色彩分裂更加明顯。散射角作為遠離影像中心的增加的位置之函數而增加。

對於實例1B，利用一步蝕刻製程來產生基板之表面特徵具有橢圓周長而非圓形周長的紋理化區域。表面特徵係隨機分佈的。這在第16A圖處例示出。對紋理化表面進行照射。拍攝來自紋理化區域的反射光之影像。在第16B圖處產生該影像。對作為散射角之函數的紋理化表面反射的光之強度(針對具有550 nm波長的光)進行測量。第16C圖處再現了測量結果之圖表。

如第16B圖之影像顯示，與實例1B之圓形表面特徵相比，實例1A之橢圓表面特徵在反射周圍光時產生少得多的色彩假影。第16B圖之影像沒有任何明顯的分色環。

如第16C圖之圖表顯示，與第15C圖相比，反射光強度之主尖峰出現在更低的散射角處(即，更接近第16B圖之影像中心)，且該尖峰比第15C圖中的尖峰窄。此外，隨著散射角增加，第16C圖之圖表沒有第二尖峰及第三尖峰。因此，實例1B之橢圓表面特徵不會產生與比較例1A之圓形表面特徵所產生的相同的自反射中心向外移動的分色環。當可見光之各種波長全部在近似相同的散射角處產生強度尖峰時，反射光係白色的(所有波長之組合)且不會呈現按色彩分離。

實例2A及比較例2B——對於實例2A，且參考第10A圖、第10B圖、第17A圖及第17B圖，在第一區域中產生的點之第一隨機分佈具有13 μm的最小點到點距離。根據上面所討論的過程對點進行三角剖分並繪製及按比例縮小橢圓。在第二區域中產生點之第二隨機分佈，但這次點之第二隨機分佈具有15 μm的最小點到點距離。再次對該等點進行三角剖分並繪製及按比例縮小橢圓。將兩個區域疊加成一個區域。使用電腦模型，將疊加區域假設為具有兩個標高的紋理化區域。以白色例示的第一標高係疊加後的橢圓不重疊的位置。以黑色例示的第二標高係不存在橢圓的地方及疊加後的橢圓重疊的位置。

對作為光散射的角度之函數的自紋理化區域反射的光(具有550 nm波長)之強度進行建模。第17A圖處再現了建模結果之圖表。尖峰強度在0.3度處，這是緊密包裝反射波長之尖峰強度以避免分色所要的。該圖表另外展示了約3.5度處的強度尖峰。出現此等次尖峰強度的距離距中心愈遠(即，度數愈高)，分色就愈不可見。在此情況下，在較高飽和度下，分色可能係可見的。第17B圖(頂部)處再現的電腦建模影像中例示出該態樣，該等影像展示了作為飽和度之函數的來自紋理化區域的預測反射。

對於比較例2B，使用具有相同參數的相同過程，但利用圓代替橢圓。第17B圖(底部)處再現了作為飽和度之函數的來自紋理化區域的預測反射之電腦建模影像。如電腦建模影像所展示，自重疊的圓形區段產生的表面特徵反射的光甚至在0%飽和度下亦具有易於區分的色帶。表面特徵自重疊的橢圓區段產生的色彩假影在低於15%的飽和度下不明顯，且甚至在15%及20%的飽和度下，色帶亦不是很明顯。

實例3-5——實例3-5各自係其中紋理化區域最類似於第2圖的樣品之總結。具有橢圓周長的表面特徵之隨機但特定的分佈以具有最小點到點距離的點之隨機分佈開始，該最小點到點距離對於實例3為110 µm、對於實例4為25 µm及對於實例5為10 µm。執行三角剖分並繪製及按比例縮小橢圓，使得橢圓具有50%的填充分數。一步蝕刻製程在距基面一個標高處產生具有橢圓周長的表面特徵，並在另一個標高處產生環繞部分。視樣品而定，一步蝕刻製程去除的基板厚度對於實例3為0.11 µm至0.16 µm、對於實例4為0.12 µm至0.17 µm及對於實例5為0.08 µm至0.17 µm。對所有樣品測量各種防眩效能度量。更具體而言，測量並記錄透射霧度(「haze」)、像素功率偏差(「pixel-power deviation，PPD」)、影像清晰度(「distinctness-of-image，c-DOI」)、鏡面反射率(「specular reflectance，c-Rspec」)及校正後的色移ΔC _{x_corrected}及ΔC _{y_corrected}。結果闡明於以下表1中。下表中的「Min Rspec(λ)」及「max Rspec(λ)」係指如在6度入射角下照射樣品使用具有2度孔徑的攝影機所測量的遠場第一表面鏡面反射光譜。此等值不同於使用Rhopoint測角儀進行的光學耦合Rspec (尖峰光澤度)測量結果(「GU」意指光澤度單位)。最小值及最大值在可見光波長範圍400 nm–700 nm內。

表1
實例	霧度 (%)	PPD (%)	c-DOI (%)	c-Rpec (GU)
3	0.6-1.1	3.0-4.5	19-80	17-36
4	2.7-4.9	1.2-1.6	6-16	6-16
5	1.8-12	1.4-1.9	10-64	10-64

表1 (接上)
實例	min Rspec(λ) (%)	min Rspec(λ) (%)	ΔC x_corrected	ΔC y_ corrected
3	NA	NA	0.10-0.15	0.04-0.5
4	1.63-2.75	1.93-3.47	0.51-0.55	0.49-0.55
5	1.14-1.70	1.88-3.35	NA	NA

如上面所提及，具有較大表面特徵的實例3產生很少的測量反射色彩假影及低透射霧度，但產生相對高的像素功率偏差。較小表面特徵產生較少的像素功率偏差，但代價是增加的霧度及反射色彩假影。

實例6-9——此等實例各自係其中紋理化區域最類似於第6圖的樣品之總結，該等樣品具有在第一蝕刻步驟中引入的具有橢圓周長的較大表面特徵及然後在第二蝕刻步驟中添加的較小表面特徵。每個實例之較大表面特徵以具有110 µm的最小點到點距離的點之隨機分佈開始。執行三角剖分並繪製及按比例縮小橢圓，使得橢圓具有50%的填充分數。視樣品而定，第一蝕刻製程去除的基板厚度對於實例6為0.26 µm至0.28 µm、對於實例7為0.13 µm至0.21 µm、對於實例8為0.13 µm至0.19 µm及對於實例9為0.13 µm至0.17 µm。對於實例6，在第二蝕刻步驟中將具有橢圓周長及50%填充分數的較小表面特徵添加至紋理化區域，該等較小表面特徵係使用25 µm的最小點到點距離根據隨機分佈演算法產生的。對於實例7，在第二蝕刻步驟中將具有圓形周長的較小表面特徵添加至紋理化區域，該等較小表面特徵係使用15 µm至25 µm的最小中心到中心距離根據隨機分佈演算法產生的。對於實例8，在第二蝕刻步驟中將具有圓形周長的較小表面特徵添加至紋理化區域，該等較小表面特徵係使用20 µm至25 µm的最小中心到中心距離根據隨機分佈演算法產生的。對於實例9，在蝕刻步驟中將用於賦予在5 nm至100 nm之範圍內的表面粗糙度(R _a)的次表面特徵添加至紋理化區域。對所有樣品測量相同的防眩效能度量，且結果闡明於以下表2中。

表2
實例	霧度 (%)	PPD (%)	c-DOI (%)	c-Rpec (GU)
6	3-5	3.6-3.8	24-34	4.6-6.4
7	1.1-2.8	2.4-3.2	53-89	16-36
8	1.3-2.7	2.0-5.9	66-84	19-30
9	0.9-3.9	1.6-4.7	21-76	11-20

表2 (接上)
實例	min Rspec(λ) (%)	min Rspec(λ) (%)	ΔC x_ corrected	ΔC y_ corrected
6	1.51-1.63	2.94-3.18	NA	NA
7	NA	NA	0.28-0.46	0.11-0.16
8	NA	NA	0.24-0.28	0.09-0.11
9	1.46-1.56	1.76-2.14	0.16-0.19	0.11-0.15

併入較小表面通常導致十分低的反射色彩假影值。特別是實例8及9已經測得人眼覺察不到的低於0.3的反射色彩假影值。

實例10-13——此等實例各自係其中紋理化區域最類似於第9A圖的樣品之總結，其中較大橢圓周長之第一區域與較小橢圓周長之第二區域疊加。然後，單個蝕刻步驟產生紋理化區域，該紋理化區域具有包括非重疊橢圓區段的第一標高以及包括重疊橢圓區段及任何橢圓周長之外的區域的第二標高。對於實例11及12，自設計去除僅部分地與較大橢圓周長重疊的較小橢圓周長。

除了最小點到點距離為15 µm的實例13之外，每個實例之較大橢圓周長以具有105 µm的最小點到點距離的點之隨機分佈開始。執行三角剖分並繪製及按比例縮小橢圓，使得橢圓具有50%的填充分數。經利用以產生實例10-12之較小橢圓周長的最小點到點距離為25 μm，而對於實例13為13 μm。執行三角剖分並繪製及按比例縮小橢圓，使得橢圓具有對於實例10-12為20%而對於實例13為50%填充分數。

單個蝕刻步驟形成紋理化區域，視樣品而定去除的基板厚度對於實例10為0.12 µm至0.17 µm、對於實例11為0.06 µm至0.20 µm、對於實例12為0.16 µm及對於實例13為0.14 µm至0.16 µm。對於實例12，在蝕刻步驟中將用於賦予在5 nm至100 nm之範圍內的表面粗糙度(R _a)的次表面特徵添加至紋理化區域。對所有樣品測量相同的防眩效能度量，且結果闡明於以下表3中。

表3
實例	霧度 (%)	PPD (%)	c-DOI (%)	c-Rpec (GU)
10	2.9-6.0	1.3-2.1	58-90	5.6-18
11	0.4-3.4	1.4-3.1	33-97	11-63
12	3.9-5.7	2.6-2.9	28-35	8-9
13	5.4-7.2	0.9-1.0	96-97	22-27

表3 (接上)
實例	min Rspec(λ) (%)	min Rspec(λ) (%)	ΔC x_ corrected	ΔC y_ corrected
10	1.84-2.55	2.06-3.73	0.13-0.17	0.08-0.10
11	NA	NA	0.16	0.16
12	NA	NA	0.20-0.48	0.05-0.13
13	0.85-0.98	1.46-3.01	0.00-0.14	0.00-0.16

實例10產生了十分好的結果，包括可接受的霧度值、低像素功率偏差、十分低的鏡面反射率及遠低於0.3且被認為是覺察不到的反射色彩假影。

實例14A-14O——對於實例14A-14O，利用間距分佈演算法在區域內隨機但特定地放置點。點中之每一個分開105 µm的最小距離。然後對點進行三角剖分，在每個三角形內繪製內切橢圓，且然後去除點及三角剖分。按比例縮小現在保留在該區域中的橢圓之最長尺寸，使得橢圓佔據該區域之50%。然後將橢圓之放置轉移至微影遮罩。使用微影遮罩來在玻璃基板之主表面上形成蝕刻遮罩。然後使用基板上的蝕刻遮罩對每個基板進行蝕刻。所利用的蝕刻劑所具有的組成物為0.15重量%的氫氟酸及1重量%的硝酸。蝕刻劑接觸主表面與蝕刻遮罩持續緊接在下面的表4所闡明的時間週期，該時間週期在樣品之間有所不同。蝕刻劑形成設置至環繞部分中的具有橢圓周長的表面特徵。表面特徵之深度有所相同，且每個樣品之深度在下面進行闡明。

表4
實例	蝕刻時間週期(秒)	橢圓表面特徵之深度(µm)
14A	212	0.186
14B	200	0.179
14C	165	0.1451
14D	150	0.1353
14E	140	0.1311
14F	178	0.1639
14G	178	0.1619
14H	167	0.1557
14I	167	0.1526
14J	133	0.1261
14K	133	0.1261
14L	150	0.1364
14M	178	0.1531
14N	167	0.1436
14O	167	0.1429

在去除蝕刻遮罩之後，然後對14M-14O之樣品進行第二蝕刻步驟以在主表面處形成次表面特徵。第二蝕刻步驟使用組成物具有92重量%的乙酸、2重量%的氟化銨及6重量%的水(去離子)的蝕刻劑。蝕刻劑接觸基板持續120秒的時間週期。如此形成的次表面特徵向主表面處的紋理化區域賦予約28 nm的表面粗糙度(R _a)。

對實例14A-14O中之每一者之樣品測量像素功率偏差、影像清晰度、鏡面反射及透射霧度。所測量之結果闡明於第18A圖至第18D圖之圖表中，該等圖表繪出作為具有橢圓周長的表面特徵之深度之函數的所測量之值。圖表分析顯示，與實例14A-14L中不包括此類次表面特徵之情況相比，實例14M-14O之賦予表面粗糙度的次表面特徵導致較低的像素功率偏差及鏡面反射率。然而，與實例14A-14L中不包括此類次表面特徵之情況相比，實例14M-14O之賦予表面粗糙度的次表面特徵導致較高的影像清晰度及透射霧度。通常，將次表面特徵引入表面特徵可增加或降低影像清晰度，這視表面特徵之設計而定。

實例15A-15C——實例15A及15B係兩組不同的樣品，每組所具有的表面特徵具有橢圓周長，就像實例14A-14O中那樣。差異在於，對於實例15A之樣品，在執行另一蝕刻步驟以產生次表面特徵時，形成表面特徵時所使用的蝕刻遮罩保持在基板上。對於實例15B之樣品，在執行蝕刻步驟以產生次表面特徵之前，蝕刻遮罩被去除。因此，在實例15A之樣品中，僅在橢圓表面特徵所提供的表面而非環繞部分上形成次表面特徵及所添加表面粗糙度。相比之下，對於實例15B之樣品，在包括環繞部分以及橢圓表面特徵所提供的表面二者的整個紋理化區域上形成次表面特徵及所添加表面粗糙度。

掃描電子顯微鏡拍攝來自實例15A及實例15B的樣品之影像。第19A圖處再現該等影像。左邊的影像展示了設置至環繞部分中的具有橢圓周長的表面特徵。中間的影像展示了次表面特徵。右邊的影像展示了次表面特徵之蝕刻深度。

測量了來自實例15A及15B二者的樣品之像素功率偏差、透射霧度及鏡面反射率。利用Rhopoint儀器來判定鏡面反射率。在第19B圖至第19D圖處再現的圖之表闡明瞭所測量資料。圖表分析顯示，與其中在第二步驟期間蝕刻遮罩被保持且因此僅向橢圓表面特徵所提供的表面賦予次表面特徵的實例15A之樣品相比，其中在於整個紋理化區域中賦予次表面特徵的第二蝕刻步驟之前蝕刻遮罩被去除的實例15B之樣品導致較低像素功率偏差但較高的透射霧度。

經利用以測量鏡面反射率的Rhopoint儀器不測量實例15A及15B之樣品之間的差異。然而，當待反射之光之入射角為6度且用於測量鏡面反射率之孔徑為2度時，該裝置可測量鏡面反射率之差異。在第19E圖處再現的圖表展示了實施15A及15B之樣品以及其中僅存在橢圓表面特徵而不包括賦予表面粗糙度的次表面特徵的樣品(實例15C)之所測量之資料。第19E圖之圖表之分析顯示，與實例15C中不存在次表面特徵之情況相比，實例15A及15B中次表面特徵之存在降低了鏡面反射率。實例15A與15B之間的鏡面反射率差異係波長相依的。

實例16——對於實例16，製備了與實例14M-14O之樣品相似的一樣品，其中在第一蝕刻步驟中將具有橢圓周長的表面特徵設置至環繞部分中，從而形成紋理化區域，且然後在整個紋理化區域中蝕刻出次表面特徵以增加表面粗糙度。然後使用白光干涉儀分析如此製備的樣品以測量紋理化區域之三維輪廓。第20A圖例示出所測量之三維輪廓。上半部分例示出橢圓表面特徵與環繞部分之間的相對標高差異。下半部分例示出次表面特徵之形貌，其中左側例示出添加至橢圓表面特徵所提供的表面的次表面特徵之形貌，且右側例示出添加至環繞部分的次表面特徵之形貌。橢圓表面特徵內的次特徵之三維輪廓可視地不同於環繞部分處的次特徵之三維輪廓——其中環繞部分展示出更深的次特徵。

利用原子力顯微鏡來成像及判定次表面特徵在(i)由橢圓表面特徵所提供的表面及(ii)環繞部分二者處所賦予的表面粗糙度(R _a)。第20B圖處再現該等影像。左邊的影像係在橢圓表面特徵所提供的表面處的次表面特徵，且展示出15.3 nm的表面粗糙度(R _a)。右側的影像係在環繞部分處的次表面特徵，且展示出33.5 nm的表面粗糙度(R _a)。右邊的影像及在環繞部分處的較高表面粗糙度(R _a)值與第20A圖所例示的形貌資料相匹配。環繞部分在橢圓表面特徵之形成期間被蝕刻遮罩覆蓋且因此沒有與蝕刻劑接觸，這與藉由第一蝕刻步驟產生的橢圓表面特徵不同。因此，據信，先前未被蝕刻劑接觸的環繞部分對賦予次表面特徵的第二蝕刻步驟更敏感。

10:顯示器製品 12:基板 14:外殼 16:顯示器 18:主表面 20:紋理化區域 22:厚度 24:外部環境 26:表面特徵 26L:較大表面特徵 26S:較小表面特徵 28,28A,28B,28C,28D:周長 28L:較大橢圓周長 28S:較小橢圓周長 30:基面 32:環繞部分 34,34L,34S,140,214,216:最長尺寸 36:中心 38:寬度 40:較高表面 41:較低表面 42:較高平均標高 43,43a,43b:中間表面 44:較低平均標高 45,45a,45b:中間平均標高 46,48:距離 58:第一部分 60:第二部分 62:第一高度(附圖未示出) 64:第二高度(附圖未示出) 66,224:重疊部分 70:部分 72:面積 74:油 76:室內燈 78:白色光源 80:區段；色彩CCD攝影機 82:次表面特徵；角分離 100,200:方法 102,110,124,130,202,208,218,228,230,232:方法步驟 104:橢圓 106,114:區域 108:平面 112:微影遮罩 116:材料 118:空隙 120:工件 122:石印油墨 126:固化劑 128:蝕刻遮罩 132:蝕刻劑 134:點 136:最小距離 138:三角形 204:第一橢圓 206:第一區域 210:第二橢圓 212:第二區域 220:新區域 222:自由部分 226:空部分

在附圖中：

第1圖係顯示器製品之透視圖，該透視圖例示出包括具有紋理化區域的主表面之基板；

第2圖係第1圖之紋理化區域之一實施例之一部分的放大圖示，該放大圖示例示出自環繞部分突起的橢圓表面特徵；

第3圖係穿過第2圖之線III-III截取的橫剖面之立視圖，該立視圖例示出自環繞部分突起的橢圓表面特徵，其中該等橢圓表面特徵提供位於距在紋理化區域下方延伸穿過基板的基面較高平均處的較高表面，且其中標高該環繞部分提供位於距基面較低平均標高處的較低表面；

第4圖係第2圖之區域IV之特寫透視圖，該特寫透視圖例示出自環繞部分突起且提供相對平面的較高表面的橢圓表面特徵；

第5圖係第2圖之區域V之特寫視圖，該特寫視圖例示出具有周長及最長尺寸的橢圓表面特徵以及分開中心到中心距離的表面特徵；

第6圖係第1圖之紋理化區域之一實施例之一部分的放大圖示，該放大圖示例示出自環繞部分突起或設置至環繞部分中的較大橢圓表面特徵，以及自較大橢圓表面特徵突起或設置至較大橢圓表面特徵中的較小橢圓表面特徵及自環繞部分突起或設置至環繞部分中的較小橢圓表面特徵；

第7圖係第6圖之區域VII之特寫視圖，該特寫視圖例示出具有比較大橢圓表面特徵之最長尺寸短的最長尺寸的較小橢圓表面特徵；

第8A圖至第8C圖係第6圖之橫剖面之立視圖，該立視圖例示出較大橢圓表面特徵、較小橢圓表面特徵及環繞部分距基面的相對標高之若干可能的變化，這視是利用二步蝕刻製程還是一步蝕刻製程來形成紋理化區域而定；

第9A圖及第9B圖係第1圖之紋理化區域之一實施例之一部分之放大圖示，該等放大圖示例示出在距基面第一標高處的第一部分及在距基面第二標高處的第二部分，該第一部分及該第二部分二者併入橢圓表面特徵或其區段，這係疊加較大橢圓之第一隨機分佈及較小橢圓之第二隨機分佈之後果；

第10A圖及第10B圖與第9A圖及第9B圖類似，但係疊加大小上比第9A圖及第9B圖更接近於較小橢圓的較大橢圓之後果；

第10C圖及第10D圖係穿過第10B圖之線XC-XC截取的橫剖面之立視圖，該等立視圖例示出位於距基面不同標高處的第一部分及第二部分，其中第一部分自第二部分突起(第10C圖)或第一部分設置至第二部分中(第10D圖)；

第11圖係用於測量自第1圖之紋理化區域反射的周圍光之色移的裝置之示意圖；

第12圖係形成第1圖之紋理化區域之一實施例之方法的示意性流程圖，該示意性流程圖例示出以下步驟：在區域內隨機分佈橢圓；形成併入該區域之設計作為正片或負片的微影遮罩；藉由使用微影遮罩選擇性固化石印油墨來在基板上形成併入該區域之設計作為正片或負片的蝕刻遮罩；及然後蝕刻基板與蝕刻遮罩以形成紋理化區域作為具有隨機分佈橢圓的區域之正片或負片；

第13圖係例示出橢圓之隨機分佈之示範性產生的示意圖，其中點係隨機產生的(諸如藉由使用帕松(Poisson)圓盤隨機分佈演算法)，對點進行三角剖分，且然後在三角形內繪製Steiner內切橢圓，再然後將Steiner內切橢圓按比例縮小至所要填充分數；

第14圖係形成第1圖之紋理化區域之一實施例之另一方法的示意性流程圖，該示意性流程圖例示出各自包括橢圓之隨機分佈的兩個不同區域經疊加成一個區域，其中橢圓之重疊部分與非重疊部分不同；

第15A圖至第15C圖與比較例1A有關，例示出產生色彩分離的反射色彩假影的圓形表面特徵；

第16A圖至第16C圖與實例1B有關，例示出併入不產生色彩分離的反射色彩假影的橢圓表面特徵的第1圖之紋理化區域之實施例，；

第17A圖及第17B圖與實例2A及比較例2B有關，例示出再次產生比圓形色彩特徵更少的反射色彩假影的橢圓表面特徵，這係在接近0.3度散射角處具有反射光之尖峰強度且在3度散射角處僅具有散射強度降低的較小次尖峰之結果；

第18A圖與實例14A-14O有關，係例示出與不具有次表面特徵的基板相比次表面特徵之存在(以賦予表面粗糙度)導致較低像素功率偏差的圖表；

第18B圖與實例14A-14O有關，係例示出與不具有次表面特徵的基板相比次表面特徵之存在導致較低鏡面反射的圖表；

第18C圖與實例14A-14O有關，係例示出與不具有次表面特徵的基板相比次表面特徵之存在導致較高影像清晰度的圖表；

第18D圖與實例14A-14O有關，係例示出與不具有次表面特徵的基板相比次表面特徵之存在導致較高透射霧度的圖表；

第19A圖與實例15A-15B有關，係當次表面特徵僅安置於橢圓表面特徵上(頂部)時及當次表面特徵安置於橢圓表面特徵及環繞部分二者之上(底部)時兩種情況的橢圓表面特徵及環繞部分(左邊)以及次表面特徵(中間及右邊)之原子力顯微鏡影像；

第19B圖與實例15A-15B有關，係例示出與僅在橢圓表面特徵上併入次表面特徵的基板相比在整個紋理化區域之上併入次表面特徵導致低像素功率偏差的圖表；

第19C圖與實例15A-15B有關，係例示出與僅在橢圓表面特徵上併入次表面特徵的基板相比在整個紋理化區域之上併入次表面特徵導致較高透射霧度的圖表；

第19D圖與實例15A-15B有關，係例示出與僅在橢圓表面特徵上併入次表面特徵的基板相比在整個紋理化區域之上併入次表面特徵實質上不影響鏡面反射率的圖表；

第19E圖與實例15A-15B有關，係例示出與僅在橢圓表面特徵上併入次表面特徵的基板相比在整個紋理化區域之上併入次表面特徵略微影響鏡面反射率且鏡面反射率隨著波長自約455 nm偏離而增加的圖表；

第20A圖與實例16有關，係例示出橢圓表面特徵及環繞部分(頂部)以及安置於橢圓表面特徵(左邊)及環繞部分(右邊)處的次表面特徵(底部)之形貌的白光干涉儀圖表；且

第20B圖與實例16有關，係安置於橢圓表面特徵(左邊)及環繞部分(右邊)處的次表面特徵之原子力顯微鏡影像，該等原子力顯微鏡影像例示出次表面特徵在環繞部分處相比在橢圓表面特徵處賦予更高的表面粗糙度(R _a) (因為環繞部分先前未被蝕刻且因此對賦予次表面特徵的蝕刻更加敏感)。

國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無

10:顯示器製品

12:基板

14:外殼

16:顯示器

18:主表面

20:紋理化區域

22:厚度

24:外部環境

Claims (40)

1. 一種用於一顯示器製品之一基板，該基板包含： 一主表面；及 一紋理化區域，該紋理化區域位於該主表面之至少一部分上，該紋理化區域包含反映一隨機分佈的表面特徵，該等表面特徵中之每一個包含一周長，該周長平行於在該紋理化區域下方延伸穿過該基板之一厚度的一基面，其中該周長係橢圓的。
2. 如請求項1所述之基板，其中 該紋理化區域進一步包含：(i)位於距該基面一較高平均標高處的一或多個較高表面及(ii)位於距該基面一較低平均標高處的一或多個較低表面，該較低平均標高比該較高平均標高更接近該基面。
3. 如請求項2所述之基板，其中 該紋理化區域進一步包含一環繞部分，該環繞部分設置有該等表面特徵或突起有該等表面特徵； 該環繞部分提供(i)一或多個較高表面或(ii)一或多個較低表面；且 該等表面特徵提供(i)該一或多個較高表面及(ii)該一或多個較低表面中之該環繞部分不提供的另一者。
4. 如請求項2所述之基板，其中 該較高平均標高與該較低平均標高相差在0.05 µm至0.70 µm之一範圍內的一距離。
5. 如請求項1所述之基板，其中 該等表面特徵中之每一個之該周長包含平行於該基面之一最長尺寸；且 該等表面特徵之該等周長之該等最長尺寸並非全部彼此平行。
6. 如請求項5所述之基板，其中 該等表面特徵中之每一個之該周長之該最長尺寸在5 µm至150 µm之一範圍內。
7. 如請求項1所述之基板，其中 該等表面特徵包含在40%至60%之一範圍內的一填充分數。
8. 如請求項1所述之基板，其中 該等表面特徵包含較大表面特徵及較小表面特徵； 該等較大表面特徵之該等周長包含平行於該基面的一最長尺寸範圍； 該等較小表面特徵之該等周長包含平行於該基面的另一個最長尺寸範圍；且 該等較大表面特徵之該最長尺寸範圍中之該等最長尺寸長於該等較小表面特徵之該最長尺寸範圍中之該等最長尺寸。
9. 如請求項8所述之基板，其中 該等較大表面特徵之該等周長完全環繞該等較小表面特徵中之一些之該等周長；且 該等較小表面特徵中之一些之該等周長完全位於該等周長外部。
10. 如請求項8所述之基板，其中 該等較小表面特徵中之至少一個之該周長部分地與該等較大表面特徵中之一個之該周長重疊，使得(i)該等較小表面特徵之該周長之一部分在該較大表面特徵之該周長內部且(ii)該等較小表面特徵之該周長之一部分在該較大表面特徵之該周長外部。
11. 如請求項8所述之基板，其中 該紋理化區域進一步包含：(i)位於距該基面一較高平均標高處的一或多個較高表面，(ii)位於距該基面一較低平均標高處的一或多個較低表面，該較低平均標高比該較高平均標高更接近該基面，及(iii)一環繞部分，該環繞部分設置有該等較大表面特徵或突起有該等較大表面特徵。
12. 如請求項11所述之基板，其中 該等較大表面特徵係自該環繞部分突起，該等較小表面特徵中之一些係自該環繞部分突起，而不自該環繞部分突起的彼等剩餘較小表面特徵係設置至該等較大表面特徵中； 自該環繞部分突起的該等較大表面特徵及該等較小表面特徵提供位於該較高平均標高處的該一或多個較高表面；且 該環繞部分及設置至較大表面特徵中的該等較小表面特徵提供位於該較低平均標高處的該一或多個較低表面。
13. 如請求項11所述之基板，其中 該等較大表面特徵係設置至該環繞部分中，該等較小表面特徵中之一些係設置至該環繞部分中，而不設置至該環繞部分中的彼等剩餘較小表面特徵係自該等較大表面特徵突起； 設置至該環繞部分中的該等較大表面特徵及該等較小表面特徵提供位於該較低平均標高處的該一或多個較低表面；且 該環繞部分及自該等較大表面特徵突起的該等較小表面特徵提供位於該較高平均標高處的該一或多個較高表面。
14. 如請求項8所述之基板，其中 該紋理化區域進一步包含：(i)位於距該基面一較高平均標高處的一或多個較高表面，(ii)位於距該基面一較低平均標高處的一或多個較低表面，該較低平均標高比該較高平均標高更接近該基面，(iii)位於距該基面一或二個中間平均標高處的一或多個中間表面，其中該一或二個中間平均標高係安置於該較高平均標高與該較低平均標高之間，及(iv)一環繞部分，該環繞部分設置有該等較大表面特徵或突起有該等較大表面特徵。
15. 如請求項14所述之基板，其中 該等較大表面特徵提供位於該較高平均標高處的該一或多個較高表面中之至少一部分。
16. 如請求項14所述之基板，其中 該等較大表面特徵提供安置於該較低平均標高處的該一或多個較低表面中之至少一部分。
17. 如請求項1-16中任一項所述之基板，其中 該紋理化區域進一步包含一或多個區段，該一或多個區段包含賦予在5 nm至100 nm之一範圍內的一表面粗糙度(R _a)的次表面特徵。
18. 如請求項17所述之基板，其中 該紋理化區域展現出在0.5%至5.0%之一範圍內的一透射霧度； 該紋理化區域展現出在1.0%至3.0%之一範圍內的一像素功率偏差； 該紋理化區域展現出在5%至70%之一範圍內的一影像清晰度； 該紋理化區域展現出在4 Gu至40 GU之一範圍內的一鏡面反射率；且 該紋理化區域展現出各自分別在0.03至0.6之一範圍內的校正後的色移

    

    及

    

    。
19. 如請求項17所述之基板，其中 該基板包含一玻璃或玻璃陶瓷。
20. 一種用於一顯示器製品之一基板，該基板包含： 一主表面； 一基面，該基面在該主表面下方延伸穿過該基板；及 一紋理化區域，該紋理化區域位於該主表面處，該紋理化區域包含：(i)位於距該基面一較高平均標高處的一或多個較高表面，(ii)位於距該基面一較低平均標高處的一或多個較低表面，(iii)提供該一或多個較高表面或該一或多個較低表面的一第一部分，及(iv)提供該一或多個較高表面及該一或多個較低表面中之該第一部分不提供的另一者的一第二部分； 其中，位於平行於該基面的平面中並反映一隨機分佈的橢圓周長界定除了該等橢圓周長之重疊部分之外的該第一部分，其中該等重疊部分部分地界定該第二部分。
21. 如請求項20所述之基板，其中 除了該等橢圓周長之該等重疊部分之外，該紋理化區域之該第二部分進一步包含該紋理化區域之並非該第一部分的任何部分。
22. 如請求項20所述之基板，其中 該等橢圓周長中之每一個包含平行於該基面的一最長尺寸；且 該等橢圓周長之該等最長尺寸並非全部彼此平行。
23. 如請求項20所述之基板，其中 該較高平均標高與該第二標高相差在0.02 µm至0.70 µm之一範圍內的一距離。
24. 如請求項20所述之基板，其中 該等橢圓周長包含小於該等第一橢圓周長的較大橢圓周長及較小橢圓周長；且 該紋理化區域之該第一部分由以下限定：(i)不與該等較大橢圓周長重疊或相交的該等較小橢圓周長，(ii)該等較小橢圓周長之在部分地與該等較大橢圓周長重疊的該等第一橢圓周長外部的部分，及(iii)該等較大橢圓周長之不與該等較小橢圓周長重疊的部分。
25. 如請求項24所述之基板，其中 該等較大橢圓周長中之至少一些完全包圍該等較小橢圓周長中之多於一個。
26. 如請求項24所述之基板，其中 該等較大橢圓周長之一填充分數在40%至60%之一範圍內；且 該等較小橢圓周長之一填充分數在10%至30%之一範圍內。
27. 如請求項20-26中任一項所述之基板，其中 該紋理化區域進一步包含一或多個區段，該等區段包含賦予在5 nm至100 nm之一範圍內的一表面粗糙度(R _a)的次表面特徵。
28. 如請求項27所述之基板，其中 該紋理化區域展現出在0.3%至8.0%之一範圍內的一透射霧度； 該紋理化區域展現出在0.7%至3.5%之一範圍內的一像素功率偏差； 該紋理化區域展現出在25%至100%之一範圍內的一影像清晰度； 該紋理化區域展現出在5 Gu至30 GU之一範圍內的一鏡面反射率；且 該紋理化區域展現出各自分別在0.00至0.50之一範圍內的校正後的色移

    

    及

    

    。
29. 如請求項27所述之基板，其中 該基板包含一玻璃或玻璃陶瓷。
30. 一種形成一顯示器製品之一基板之一紋理化區域之方法，該方法包含以下步驟： 在一區域內產生橢圓之一隨機分佈； 製備一微影遮罩，該微影遮罩包含：(a)與該平面之區域匹配的一區域；(b)整個該匹配區域中的材料；及(c)穿過該材料的空隙，其中該等橢圓之該隨機分佈界定(i)整個該匹配區域中的該材料或(ii)穿過該材料的該等空隙； 將包含一基板、安置於該基板上的一石印油墨及安置於該石印油墨上的該微影遮罩的一工件曝露於一固化劑，該固化劑透射穿過穿過該微影遮罩之該材料的該等空隙以固化該石印油墨之曝露部分，其中該石印油墨之被阻止曝露於該固化劑的未曝露部分未被固化且與該微影遮罩一起去除，而該石印油墨之該等曝露部分保留在該基板上作為一蝕刻遮罩；及 使用一蝕刻劑接觸該基板與該蝕刻遮罩，從而形成該紋理化區域。
31. 如請求項30所述之方法，進一步包含以下步驟： 在一第二區域內產生第二橢圓之一隨機分佈； 製備一第二微影遮罩，該第二微影遮罩包含：(a)與該第二平面之該區域匹配的一第二區域；(b)整個該匹配第二區域中的材料；及(c)穿過該材料的空隙，其中該等第二橢圓之該隨機分佈界定(i)整個該匹配第二區域中的該材料或(ii)穿過該材料的該等空隙； 將包含該基板、安置於該基板之該紋理化區域上的新石印油墨及安置於該新石印油墨上的該第二微影遮罩的一第二工件曝露於一固化劑，該固化劑透射穿過穿過該第二微影遮罩之該材料的該等空隙以固化該新石印油墨之曝露部分，其中該新石印油墨之被阻止曝露於該固化劑的未曝露部分未被固化且與該第二微影遮罩一起去除，而該新石印油墨之該等曝露部分保留在該基板上作為一第二蝕刻遮罩；及 使用一蝕刻劑來接觸該基板與該第二蝕刻遮罩。
32. 如請求項30所述之方法，其中 產生該等橢圓之該隨機分佈之步驟包含以下步驟： 在一區域內隨機分佈點； 對該等點進行三角剖分，使得每個點成為一三角形之一頂點，從而形成複數個三角形，且該等三角形中沒有一個重疊； 在該複數個三角形中之每個三角形內部繪製一橢圓；及 去除該等點及該等三角形，使得只有繪製於該等三角形中的該等橢圓保留在該區域上。
33. 如請求項32所述之方法，其中 在該區域內隨機分佈的該等點分開一最小距離。
34. 如請求項30-33中任一項所述之方法，進一步包含以下步驟： 將次表面特徵形成至該紋理化區域之一或多個區段中，從而將該一或多個區段之該表面粗糙度(R _a)增加至5 nm至100 nm之一範圍內。
35. 一種形成一顯示器製品之一基板之一紋理化區域之方法，該方法包含以下步驟： 在一第一區域內產生第一橢圓之一隨機分佈； 在一第二區域內產生第二橢圓之一隨機分佈，其中該等第一橢圓包含平均長於該等第二橢圓之平均最長尺寸的最長尺寸； 形成疊加該第一區域之該等第一橢圓及該第二區域之該等第二橢圓的一新區域，該新區域包含：(a)該等第一橢圓及該等第二橢圓之不重疊的自由部分；(b)該等第一橢圓及該等第二橢圓之重疊部分；及(c)該等第一橢圓及該等第二橢圓都不存在的空部分； 製備一微影遮罩，該微影遮罩包含：(a)一區域；(b)該區域內由(i)該等自由部分或(ii)該等重疊部分及該等空部分之組合界定的材料；及(c)穿過由(i)該等自由部分及(ii)該等重疊部分及該等空部分之組合中之不界定該區域內的該材料的任何一者界定的材料的空隙； 將包含一基板、安置於該基板上的一石印油墨及安置於該石印油墨上的該微影遮罩的一工件曝露於一固化劑，該固化劑透射穿過穿過該微影遮罩之該材料的該等空隙以固化該石印油墨之曝露部分，其中該石印油墨之被阻止曝露於該固化劑的未曝露部分未被固化且與該微影遮罩一起去除，而該石印油墨之該等曝露部分保留在該基板上作為一蝕刻遮罩；及 使用一蝕刻劑接觸該基板與該蝕刻遮罩。
36. 如請求項35所述之方法，進一步包含以下步驟： 在製備該微影遮罩之前，自該新區域去除該等第一橢圓部分而非完全重疊的該等第二橢圓中之任何一個。
37. 如請求項35所述之方法，其中 產生該等第一橢圓之該隨機分佈之步驟及產生該等第二橢圓之該隨機分佈之步驟二者分別包含以下步驟： 在一區域內隨機分佈點，該等點中之每一個分開一最小距離； 對該等點進行三角剖分，使得每個點成為一三角形之一頂點，從而形成複數個三角形，且該等三角形中沒有一個重疊； 在該複數個三角形中之每個三角形內部繪製一橢圓；及 去除該等點及該等三角形，使得只有繪製於該等三角形中的該等橢圓保留在該區域上。
38. 如請求項37所述之方法，其中 將該等第一橢圓之該隨機分佈的該區域之該等點中之每一個分開的該最小距離在80 μm至130 μm之一範圍內；且 將該等第二橢圓之該隨機分佈的該區域之該等點中之每一個分開的該最小距離在15 μm至40 μm之一範圍內。
39. 如請求項37所述之方法，其中 將該等第一橢圓之該隨機分佈的該區域之該等點中之每一個分開的該最小距離小於或等於20 μm； 將該等第二橢圓之該隨機分佈的該區域之該等點中之每一個分開的該最小距離小於或等於18 μm；且 將該等第一橢圓之該隨機分佈的該區域之該等點中之每一個分開的該最小距離與將該等第二橢圓之該隨機分佈的該區域之該等點中之每一個分開的該最小距離相差在1 µm至3 µm之一範圍內的一值。
40. 如請求項35-39中任一項所述之方法，進一步包含以下步驟： 將次表面特徵形成至該紋理化區域之一或多個區段中，從而將該一或多個區段之該表面粗糙度(R _a)增加至5 nm至100 nm之一範圍內。

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