TW202217422A

TW202217422A - 用以降低鏡面反射率之包含具有較高高架表面與較低高架表面以及安置在較低高架表面上之高折射率材料的低折射率基板之紋理化區域

Info

Publication number: TW202217422A
Application number: TW110125307A
Authority: TW
Inventors: 尚登笛哈特; 卡爾威廉科赫三世; 瓦吉夏瑟那拉特涅; 威廉艾倫伍德
Original assignee: 美商康寧公司
Priority date: 2020-07-09
Filing date: 2021-07-09
Publication date: 2022-05-01
Also published as: CN115843290A; WO2022011073A9; EP4178926B1; US20220009824A1; TW202216629A; KR20230038505A; US11940593B2; US20240192407A1; WO2022011072A1; EP4178925A1; US11977206B2; WO2022011070A1; KR20230038501A; TW202208882A; US20220011468A1; EP4178926A1; WO2022011069A1; US20220011466A1; EP4178924B1; WO2022011068A1

Abstract

一種用於一顯示器製品之基板包括(a)一主表面；及(b)位於該主表面之至少一部分上的一紋理化區域，該紋理化區域包含：(i)位於一較高平均標高處的一或多個較高表面，該較高平均標高平行於一基面，該基面安置於該紋理化區域下方且延伸穿過該基板；(ii)位於一較低平均標高處的一或多個較低表面，該較低平均標高平行於該基面，該較低平均標高小於該較高平均標高；及(iii)一高折射率材料，該高折射率材料安置於位於該較低平均標高處的該一或多個較低表面上，該高折射率材料形成位於一中間平均標高處的一或多個中間表面，該中間平均標高平行於該基面，該中間平均標高大於該較低平均標高但小於該較高平均標高，該高折射率材料包含一折射率，該折射率大於該基板之該折射率。

Description

用以降低鏡面反射率之包含具有較高高架表面與較低高架表面以及安置在較低高架表面上之高折射率材料的低折射率基板之紋理化區域

優先權主張

本申請案主張2020年7月9日提交的美國臨時申請案第63/049,843號之優先權權益，該臨時申請案以引用方式整體併入本文中。相關申請案之交叉引用

本申請案係關於以下所共同擁有並受讓的專利申請案，但並不主張該等專利申請案之優先權：美國專利申請案序列第__________ (D31038/32632)號，名稱為「ANTI-GLARE SUBSTRATE FOR A DISPLAY ARTICLE INCLUDING A TEXTURED REGION WITH PRIMARY SURFACE FEATURES AND SECONDARY SURFACE FEATURES IMPARTING A SURFACE ROUGHNESS THAT INCREASES SURFACE SCATTERING」且提交於______________；美國專利申請案序列第__________ (D32630/32632)號，名稱為「TEXTURED REGION OF A SUBSTRATE TO REDUCE SPECULAR REFLECTANCE INCORPORATING SURFACE FEATURES WITH AN ELLIPTICAL PERIMETER OR SEGMENTS THEREOF, AND METHOD OF MAKING THE SAME」且提交於______________；美國專利申請案序列第__________ (D32647)號，名稱為「DISPLAY ARTICLES WITH DIFFRACTIVE, ANTIGLARE SURFACES AND THIN, DURABLE ANTIREFLECTION COATINGS」且提交於______________；美國專利申請案序列第__________ (D32623)號，名稱為「DISPLAY ARTICLES WITH DIFFRACTIVE, ANTIGLARE SURFACES AND THIN, DURABLE ANTIREFLECTION COATINGS」且提交於______________。前述美國專利申請案、公開案及專利文件中之每一者之全部揭露內容以引用方式併入本文中。

本揭露係關於一種用於顯示器製品之基板，其中該基板包括用以降低鏡面反射率之包括具有較高高架表面與較低高架表面以及安置在較低高架表面上之高折射率材料的低折射率基板之紋理化區域。

對可見光透明的基板經利用以覆蓋顯示器製品之顯示器。此類顯示器製品包括智慧型手機、平板電腦、電視、電腦監視器及類似物。顯示器通常係液晶顯示器、有機發光二極體等其他顯示器。基板保護顯示器，同時基板之透明性允許裝置之使用者觀看顯示器。

反射周圍光、尤其是鏡面反射的基板降低使用者透過基板觀看顯示器之能力。鏡面反射在此上下文中係周圍光自基板像鏡面一樣反射。例如，基板可將自物件反射或由物件發出的可見光反射至裝置周圍的環境中。自基板反射的可見光降低自顯示器穿過基板透射至使用者之眼睛的光之對比度。在一些視角下，使用者看見的是鏡面反射影像，而非顯示器發出的可見光。因此，已嘗試減少可見周圍光自基板的鏡面反射。

已嘗試藉由將基板之反射表面紋理化來減少自基板的鏡面反射。所得表面有時稱為「防眩表面」。例如，對基板之表面進行噴砂及液體蝕刻可將表面紋理化，這通常致使表面漫反射而非鏡面反射周圍光。漫反射通常意指表面仍反射相同強度之周圍光，但反射表面之紋理在反射時散射光。漫反射愈多，對使用者看見顯示器發出的可見光之能力的干涉就愈小。

此類紋理化方法(即，噴砂及液體蝕刻)在表面上產生具有不精確及不可重複幾何形狀的特徵(該等特徵提供紋理)。經由噴砂及液體蝕刻形成的一個基板之紋理化表面之幾何形狀永遠不可能與經由噴砂及液體蝕刻形成的另一個基板之紋理化表面之幾何形狀完全相同。通常，只有對基板之紋理化表面之表面粗糙度(即，R _a)的量化係紋理化之可重複目標。

存在藉助來判斷「防眩」表面之品質的多個度量。彼等度量包括：(1)影像清晰度，(2)像素功率偏差，(3)表觀摩爾干涉條紋（Moiré interference fringes），(4)透射霧度，(5)鏡面反射減少及(6)反射色彩假影。影像清晰度，更恰當地稱為反射影像清晰度，係對自表面反射的影像呈現的清晰度程度的量度。影像清晰度愈低，紋理化表面漫反射而非鏡面反射就愈多。表面特徵可放大顯示器之各種像素，這使使用者觀看的影像失真。像素功率偏差，亦稱為「閃爍」，係對此種效應的量化。像素功率偏差愈低愈好。摩爾干涉條紋係大規模干涉圖案，該等干涉圖案若可見，則使使用者看見的影像失真。較佳地，紋理化表面不產生表觀摩爾干涉條紋。透射霧度係對紋理化表面漫射多少顯示器透射穿過基板時發出的可見光的量度。透射霧度愈大，顯示器呈現的銳度就愈小(即，降低的表觀解析度)。鏡面反射減少係對防眩表面與基線非防眩玻璃基板相比減少周圍光鏡面反射之效果的量度。與基線相比，鏡面反射減少愈大愈好。反射色彩假影係一種色像差，其中紋理化表面在反射時作為波長之函數繞射光——這意指反射光雖然相對漫射，但看起來係按色彩分割的。紋理化表面產生的反射色彩假影愈少愈好。在下面更詳細地討論此等屬性中之一些。

僅以特定表面粗糙度為目標不能同時優化彼等度量中之全部。噴砂及液體蝕刻產生的相對高的表面粗糙度可能足以將鏡面反射轉化成漫反射。然而，高表面粗糙度可另外產生高透射霧度及像素功率偏差。相對低的表面粗糙度雖然降低了透射霧度，但可能無法將鏡面反射充分轉化成漫反射——使紋理化之「防眩」目的不能達成。

因此，需要一種提供基板之紋理化區域之新方法——在基板之間可再現的方法且致使紋理化表面充分漫反射而非鏡面反射周圍光以便達成「防眩」(即，低影像清晰度、低鏡面反射)但同時亦給予低像素功率偏差、低透射霧度及低反射色彩假影的方法。

本揭露提供一種同時給予許多所要防眩效能度量的新方法。在基板之主表面處形成紋理化區域，這包括諸如當向基板中蝕刻或以其他方式形成表面特徵時，基板提供位於兩個不同平均標高處的表面。然後將高折射率材料沉積至基板之位於兩個不同平均標高中之較低者處的表面上，但不至於使高折射率材料達到基板之兩個不同平均標高中之較高者。可隨機但特定地放置表面特徵以允許自基板至基板的再現性。表面特徵可具有可調諧以提供所要光學結果的特性尺寸。高折射率材料之存在通常降低像素功率偏差，且表面特徵之存在在反射時有效地散射光，從而導致低鏡面反射。

根據本揭露之第一態樣，一種用於一顯示器製品之基板，該基板包含：(a)一主表面；及(b)位於該主表面之至少一部分上的一紋理化區域，該紋理化區域包含：(i)位於一較高平均標高處的一或多個較高表面，該較高平均標高平行於一基面，該基面安置於該紋理化區域下方且延伸穿過該基板；(ii)位於一較低平均標高處的一或多個較低表面，該較低平均標高平行於該基面，該較低平均標高小於該較高平均標高；及(iii)一高折射率材料，該高折射率材料安置於位於該較低平均標高處的該一或多個較低表面上，該高折射率材料形成位於一中間平均標高處的一或多個中間表面，該中間平均標高平行於該基面，該中間平均標高大於該較低平均標高但小於該較高平均標高，該高折射率材料包含一折射率，該折射率大於提供該一或多個較高表面的該基板或一低折射率材料之該折射率。

根據本揭露之第二態樣，如第一態樣所述之基板，其中(i)該高折射率材料之該中間平均標高比該一或多個較高表面之該較高平均標高小在100 nm至190 nm之一範圍內的一距離；(ii)該一或多個較低表面之該較低平均標高比該一或多個較高表面之該較高平均標高小在220 nm至370 nm之一範圍內的一距離；且(iii)該高折射率材料之該中間平均標高比該一或多個較低表面之該較低平均標高大在100 nm至200 nm之一範圍內的一距離。

根據本揭露之第三態樣，如第一至第二態樣中任一項所述之基板，其中(i)該基板或該低折射率材料之該折射率在1.4至1.6之一範圍內；且(ii)該高折射率材料之該折射率在1.6至2.3之一範圍內。

根據本揭露之第四態樣，如第一至第三態樣中任一項所述之基板，其中該高折射率材料佔據一平面之一區域之22%至49%，該平面(i)平行於該基面且(ii)延伸穿過該高折射率材料，該區域由該紋理化區域限定。

根據本揭露之第五態樣，如第一至第四態樣中任一項所述之基板，其中該基板包含一玻璃基板或一玻璃陶瓷基板。

根據本揭露之第六態樣，一種用於一顯示器製品之基板，該基板包含：(I)一主表面；及(II)位於該主表面之至少一部分上的一紋理化區域，該紋理化區域包含：(a)位於一較高平均標高處的一或多個較高表面，該較高平均標高平行於一基面，該基面安置於該紋理化區域下方且延伸穿過該基板；(b)位於一較低平均標高處的一或多個較低表面，該較低平均標高平行於該基面，該較低平均標高小於該較高平均標高；及(c)表面特徵，該等表面特徵自位於該主表面處的一環繞部分突起或安置於該環繞部分內，其中(i)該等表面特徵提供該一或多個較高表面或該一或多個較低表面，(ii)無論該等表面特徵未提供哪一者，該環繞部分提供該一或多個較高表面或該一或多個較低表面中之另一者；及(d)一高折射率材料，安置於位於該較低平均標高處的該一或多個較低表面上，該高折射率材料包含(i)一折射率，該折射率大於提供該一或多個較高表面的該基板或一低折射率材料之該折射率，及(ii)位於一中間平均標高處的一或多個中間表面，該中間平均標高平行於該基面，該中間平均標高介於該較高平均標高與該較低平均標高之間。

根據本揭露之第七態樣，如第六態樣所述之基板，其中(i)該等表面特徵係安置於該環繞部分內；且(ii)該高折射率材料係安置於由位於該較低平均標高處的該等表面特徵提供的該一或多個較低表面上的每個表面特徵內。

根據本揭露之第八態樣，如第六至第七態樣中任一項所述之基板，其中該高折射率材料之該中間平均標高比該一或多個較高表面之該較高平均標高小在120 nm至190 nm之一範圍內的一距離。

根據本揭露之第九態樣，如第六至第八態樣中任一項所述之基板，其中該較低平均標高比該較高平均標高小在220 nm至370 nm之一範圍內的一距離。

根據本揭露之第十態樣，如第六至第九態樣中任一項所述之基板，其中該高折射率材料之該中間平均標高比該一或多個較低表面之該較低平均標高大在100 nm至200 nm之一範圍內的一距離。

根據本揭露之第十一態樣，如第六至第十態樣中任一項所述之基板，其中該基板或該低折射率材料之該折射率在1.4至1.6之一範圍內。

根據本揭露之第十二態樣，如第六至第十一態樣中任一項所述之基板，其中該高折射率材料之該折射率在1.6至2.3之一範圍內。

根據本揭露之第十三態樣，如第六至第十二態樣中任一項所述之基板，其中(i)每個表面特徵具有平行於該基面的一周長；且(ii)每個表面特徵之該周長係圓形或橢圓的。

根據本揭露之第十四態樣，如第六至第十二態樣中任一項所述之基板，其中(i)每個表面特徵具有平行於該基面的一周長；且(ii)每個表面特徵之該周長具有在5 µm至200 µm之一範圍內的一最長尺寸。

根據本揭露之第十五態樣，如第六至第十四態樣中任一項所述之基板，其中該等表面特徵之一配置不重複而是反映一隨機分佈。

根據本揭露之第十六態樣，如第六至第十四態樣中任一項所述之基板，其中該等表面特徵係以一隨機分佈配置，一最小中心到中心距離將該等表面特徵中的每一個分隔。

根據本揭露之第十七態樣，如第六至第十六態樣中任一項所述之基板，其中該高折射率材料包含AlN _x、SiO _xN _y或SiN _x。

根據本揭露之第十八態樣，如第六至第十七態樣中任一項所述之基板，其中該高折射率材料佔據一平面之一區域之22%至49%，該平面(i)平行於該基面且(ii)延伸穿過該高折射率材料，該區域由該紋理化區域限定。

根據本揭露之第十九態樣，如第六至第十八態樣中任一項所述之基板，其中該基板包含一玻璃基板或一玻璃陶瓷基板。

根據本揭露之第二十態樣，如第六至第十九態樣中任一項所述之基板，其中(i)該紋理化區域展現出在1.2%至2.1%之一範圍內的一像素功率偏差；(ii)該紋理化區域展現出在1.5%至2.5%之一範圍內的一透射霧度；(iii)該紋理化區域展現出0.5%至1.75%的一鏡面反射率；且(iv)該紋理化區域展現出25%至85%的一影像清晰度。

根據本揭露之第二十一態樣，一種形成用於一顯示器製品之一基板之一紋理化區域之方法，該方法包含以下步驟：(a)根據每個表面特徵之一預定位置形成自位於一基板之一主表面處的一環繞部分突起或安置於該環繞部分內的表面特徵，從而形成一紋理化區域，其中(i)該紋理化區域之一或多個較高表面位於一較高平均標高處，該較高平均標高平行於一基面，該基面安置於該紋理化區域下方且延伸穿過該基板，(ii)該紋理化區域之一或多個較低表面位於一較低平均標高處，該較低平均標高平行於該基面，該較低平均標高小於該較高平均標高，(iii)該等表面特徵提供該一或多個較高表面或該一或多個較低表面，且(iv)無論該等表面特徵未提供哪一者，該環繞部分提供該一或多個較高表面或該一或多個較低表面中之另一者；及(b)將一高折射率材料沉積於提供位於該較低平均標高處的該一或多個較低表面的該等表面特徵或該環繞部分中之任意一者上，該高折射率材料包含(i)一折射率，該折射率大於該基板之該折射率，及(ii)位於一中間平均標高處的一或多個中間表面，該中間平均標高平行於該基面，該中間平均標高介於該較高平均標高與該較低平均標高之間。

根據本揭露之第二十二態樣，如第二十一態樣所述之方法，進一步包含以下步驟：利用一間距分佈演算法來判定每個表面特徵之該位置，從而決定每個表面特徵之該預定位置。

根據本揭露之第二十三態樣，如第二十二態樣所述之方法，進一步包含以下步驟：將一蝕刻遮罩安置於該主表面上，該蝕刻遮罩(i)防止蝕刻待根據該等表面特徵之該預定位置形成該等表面特徵的位置或(ii)僅允許蝕刻待根據該等表面特徵之該預定位置形成該等表面特徵的位置；其中，形成該等表面特徵包含在該蝕刻遮罩安置於該基板之該主表面上時用一蝕刻劑接觸至少該基板之該主表面之步驟。

根據本揭露之第二十四態樣，如第二十三態樣所述之方法，其中該高折射率材料係在該蝕刻遮罩安置於該主表面上時且在該等表面特徵已形成之後沉積。

根據本揭露之第二十五態樣，如第二十四態樣所述之方法，進一步包含以下步驟：在該高折射率材料已沉積之後去除該蝕刻遮罩。

現在參考第1圖，顯示器製品10包括基板12。在實施例中，顯示器製品10進一步包括基板12耦合至的外殼14及位於外殼14內的顯示器16。在此類實施例中，基板12至少部分地覆蓋顯示器16，使得顯示器16發出的光透射穿過基板12。

基板12包括主表面18、界定於主表面18上的紋理化區域20及主表面18部分接界的厚度22。主表面18總體面向環繞顯示器製品10的外部環境24且背向顯示器16。顯示器16發出可見光，該可見光透射穿過基板12之厚度22，離開主表面18並進入外部環境24中。

現在參考第2圖至第3B圖，在實施例中，紋理化區域20包括面向外部環境24且位於較高平均標高28處的一或多個較高表面26。基面30在紋理化區域20下方延伸穿過基板12。較高平均標高28平行於基面28。基面30提供概念參考點且不是結構特徵。在製造能力之內，一或多個較高表面26中之每一個位於近似較高平均標高28處。

紋理化區域進一步包括面向外部環境24且位於較低平均標高34處的一或多個較低表面32。較低平均標高34平行於基面28，且小於較高平均標高28。因此，「較高」及「較低」係指示相對於彼此距基面28的相對標高。在製造能力之內，一或多個較低表面32中之每一個位於近似較低平均標高34處。

基板12或安置於基板12上的低折射率材料提供紋理化區域20之一或多個較高表面26。在此類實施例中，提供一或多個較高表面26的基板12或低折射率材料中之任意一者都具有1.4、1.5、1.6或在1.4至1.6範圍內的折射率。在實施例中，基板12，不管基板12是否提供一或多個較高表面26，都具有1.4、1.5、1.6或在1.4至1.6範圍內的折射率。出於本揭露之目的，折射率之任何特定值係針對589 nm的波長及25℃的溫度。

紋理化區域20進一步包含高折射率材料36。在實施例中，高折射率材料36具有與基板12之組成物不同的組成物。高折射率材料36安置於紋理化區域20之位於較低平均標高34處的一或多個較低表面32中之每一個上。高折射率材料36形成一或多個中間表面38，該一或多個中間表面38面向外部環境24且位於平行於基面30的中間平均標高40處。在製造能力之內，一或多個中間表面38中之每一個位於近似中間平均標高40處。

高折射率材料36具有折射率。高折射率材料36之折射率大於基板12之折射率。在實施例中，高折射率材料36之折射率為1.6、1.7、1.8、1.9、2.0、2.01、2.02、2.03、2.04、2.05、2.06、2.07、2.08、2.09、2.1、2.2、2.3或在由彼等值中之任何兩個限定的任何範圍(例如，1.6至2.3、1.8至2.2、1.9至2.1等等)內。在實施例中，高折射率材料係或包含Si _uAl _vO _xN _y、Ta ₂O ₅、Nb ₂O ₅、AlN _x、Si ₃N ₄、AlO _xN _y、SiO _xN _y、SiN _x、SiN _x:H _y、HfO ₂、TiO ₂、ZrO ₂、Y ₂O ₃、Al ₂O ₃、MoO ₃及類鑽碳。在實施例中，高折射率材料係或包含AlN _x、SiO _xN _y或SiN _x。在實施例中，高折射率材料係或包含AlN _x。關於本揭露中的「AlN _x」、「AlO _xN _y」、「SiO _xN _y」及「SiN _x」材料，下標允許熟習此項技術者在不指定特定下標值之情況下將此等材料稱為一類材料。氧氮比率可經由常規實驗以調諧高折射率材料之折射率來調整。對於需要膜折射率高(例如，大於1.8或1.9)的實施例，具有接近Si ₃N ₄的組成物之SiN _x可以係較佳的。對於具有相似高折射率的膜，具有接近AlN的組成物之AlN _x亦可以係較佳的。少量分數的氧或氫(例如0原子%至20原子%)亦可併入此等材料中，同時達成相似的高折射率範圍。

高折射率材料36之一或多個中間表面38之中間平均標高40大於紋理化區域20之一或多個較低表面32之較低平均標高34，但小於紋理化區域20之一或多個較高表面26之較高平均標高28。簡言之，中間平均標高40位於較高平均標高28與較低平均標高34之間。

紋理化區域20之一或多個較高表面26之較高平均標高28比紋理化區域20之一或多個較低表面32之較低平均標高34大距離42。本揭露可將距離42稱為「溝槽深度」 (不要與稍後討論的「空氣溝槽深度」混淆)。在實施例中，距離42為220 nm、230 nm、240 nm、250 nm、260 nm、270 nm、280 nm、290 nm、300 nm、310 nm、320 nm、330 nm、340 nm、350 nm、360 nm、或370 nm或由彼等值中之任何兩個限定的任何範圍(例如，250 nm至350 nm、270 nm至330 nm、220 nm至370 nm等等)。

高折射率材料36之中間平均標高40比紋理化區域20之一或多個較低表面32之較低平均標高34大距離44。距離44可稱為高折射率材料36在一或多個較低表面32上沉積的「高度」或「厚度」。在實施例中，距離44為100 nm、110 nm、120 nm、130 nm、140 nm、150 nm、160 nm、170 nm、180 nm、190 nm或200 nm或在由彼等值中之任何兩個限定的任何範圍(例如，100 nm至200 nm、120 nm至180 nm等等)內。

高折射率材料36之中間平均標高40比紋理化區域20之一或多個較高表面26之較高平均標高28小距離46。此距離46可能在本文中稱為「空氣溝槽深度」。在實施例中，距離46為100 nm、110 nm、120 nm、125 nm、130 nm、140 nm、150 nm、160 nm、170 nm、180 nm、或190 nm或在由彼等值中之任何兩個限定的任何範圍(例如，120 nm至190 nm、125 nm至190 nm、130 nm至180 nm、100 nm至190 nm等等)內。注意，第3A圖及第3B圖並未按比例繪製。

高折射率材料36佔據平面50之區域48之一定百分比，該平面50(i)平行於基面30且(ii)延伸穿過高折射率材料36。區域48由紋理化區域20限定。換言之，區域48沒有側向延伸超過紋理化區域20。高折射率材料36所佔據的平面50之區域48之百分比在本文中可稱為高折射率材料36之「填充分數」。在實施例中，高折射率材料36之填充分數為22%、23%、24%、25%、26%、27%、28%、29%、30%、31%、32%、33%、34%、35%、36%、37%、38%、39%、40%、41%、42%、43%、44%、45%、46%、47%、48%、或49%或在由彼等值中之任何兩個限定的任何範圍(例如，44%至45%、22%至49%等等)內。百分之百(100%)減去高折射率材料36之填充分數係基板12或沉積於基板12上與高折射率材料36相比具有較低折射率的低折射率材料之填充分數。

據信，當高折射率材料之填充分數為22%至49%時，則鏡面反射率及第一階繞射尖峰之強度被最小化。折射率比基板12或低折射率材料之折射率高的高折射率材料36反射性更強。因此，為了使反射時的破壞性干涉最大化，高折射率材料36應佔反射周圍光的主表面18處的紋理化區域20之小於一半。反射周圍光的主表面18處的紋理化區域20之大於一半應係具有較低折射率以平衡反射性更強的高折射率材料36的基板12或低折射率材料。

在實施例中，紋理化區域20包括表面特徵52。在實施例中，表面特徵52自主表面18處的紋理化區域20之環繞部分54突起。此類表面特徵52採用柱、脊及類似物之形式。在實施例中，表面特徵52安置於環繞部分54內(即，設置於環繞部分54中)。此類表面特徵52採用自環繞部分54深入基板12或低折射率材料之厚度22的盲孔、通道或台面之形式。在實施例中，表面特徵52中之一些安置於環繞部分54內，而表面特徵52中之一些自環繞部分54突起。在實施例中，環繞部分54鄰接地環繞表面特徵52。

表面特徵52或環繞部分54提供位於較高平均標高28處的一或多個較高表面26，而表面特徵52及環繞部分54中之另一者提供位於較低平均標高34處的一或多個較低表面32。當表面特徵52係自環繞部分54突起(參見第3A圖)時，表面特徵52提供位於較高平均標高28處的一或多個較高表面26。在此類情況下，環繞部分54提供位於較低平均標高34處的一或多個較低表面32。當表面特徵52係安置於環繞部分54內(參見第3B圖)時，環繞部分54提供位於較高平均標高28處的一或多個較高表面26。在此類情況下，表面特徵52提供位於較低平均標高34處的一或多個較低表面32。

高折射率材料36安置於提供位於較低平均標高34處的一或多個較低表面32的表面特徵52或環繞部分64中之任意一者上。在表面特徵52係安置於環繞部分54內的實施例中，高折射率材料36在表面特徵52所提供的位於較低平均標高34處的一或多個較低表面32上安置於表面特徵52內。在表面特徵52係自環繞部分54突起的實施例中，高折射率材料36在環繞部分54所提供的位於較低平均標高34處的一或多個較低表面32上安置於表面特徵52之間。在高折射率材料36係安置於環繞部分54上且環繞部分54係鄰接的實施例中，高折射率材料36可形成一個表面中間體38，該表面中間體38環繞表面特徵52鄰接，穿過高折射率材料36朝向外部環境24突起。

在實施例中，位於較高平均標高28處的一或多個較高表面26係平面的。在實施例中，位於較低平均標高34處的一或多個較低表面32係平面的。在其他實施例中，一或多個較低表面32係凸面或凹面的。在實施例中，一或多個較低表面32中之一些係凹面的，而一或多個較低表面32中之另一些係凸面的。

提供位於較高平均標高28處的一或多個較高表面26及位於較低平均標高34處的一或多個較低表面32的紋理化區域20係引起反射周圍光之受控散射的繞射結構。反射周圍光之散射降低鏡面反射率及影像清晰度。如將進一步展示的，所具有的折射率大於基板12或基板12上的低折射率材料之折射率的高折射率材料36改良穿過紋理化區域20 (諸如自顯示器16)的光透射，與僅利用紋理化區域20而不利用高折射率材料36之情況相比，這降低透射霧度及像素功率偏差。

在實施例中，表面特徵52以隨機分佈配置。換言之，在彼等實施例中，表面特徵52不是以圖案配置的。然而，在其他實施例中，表面特徵52係以圖案配置的，諸如六角形配置。在表面特徵52係以圖案配置之情況下，紋理化區域20在反射周圍光時可產生摩爾條紋干涉圖案。另外，不是以圖案配置表面特徵52可降低散射周圍光之波長相依性。因此，對於一些應用避免以圖案配置表面特徵52可以係有益的。

參考第4圖，對隨機性的一個量度係表面特徵52之六角百分比程度。六角百分比係用於局部量化一個區域中物件之配置與形成六角點陣之接近程度的度量。區域中的每個物件具有中心點。對於區域中的每個中心點，該中心點處的六角百分比 H係根據下面的方程式使用其六個最近鄰相對於任意軸的角度計算的。

變數

表示六個最近鄰之角度。關於六角點陣，此等六個角度全部相差60度(π/3弧度)，因此六個被加數之折射率相差2π弧度，且求和中的六個複數全部相同。在該情況下， H=1，完美的六角點陣。該區域內的每個中心點具有其唯一 H值。該區域內的所有 H值之均值表示配置與六角點陣之偏差。所有H值之均值離1愈遠，配置就愈隨機。

每個表面特徵52具有平行於基面30的周長56。在實施例中，每個表面52之周長56具有相同形狀。例如，在諸如第2圖所例示的彼等實施例的實施例中，每個表面特徵52之周長56係圓形的。在實施例中，每個表面特徵52之周長56係橢圓的。在實施例中，每個表面特徵52之周長56係六角形或多邊形的。在實施例中，表面特徵52之周長56係二或更多個形狀中之一個(例如，一些係橢圓形的，而一些係圓形的)。

每個表面特徵52之周長56具有最長尺寸58。若周長52係圓形的，則最長尺寸58係周長56之直徑。若周長56係六角形的，則最長尺寸58係長軸(長對角線)。以此類推。在實施例中，每個表面特徵52之周長56之最長尺寸58為5 µm、10 µm、20 µm、30 µm、40 µm、50 µm、60 µm、70 µm、80 µm、90 µm、100 µm、110 µm、120 µm、130 µm、140 µm、150 µm、160 µm、170 µm、180 µm、190 µm、或200 µm或在由彼等值中之任何兩個限定的任何範圍(例如，5 µm至200 µm、20 µm至100 µm、80 µm至120 µm、30 µm至70 µm、25 µm至75 µm等等)內。

在實施例中，最小中心到中心距離60將表面特徵52分隔。例如，若最小中心到中心距離60為100 µm，則一個表面特徵52之中心可與另一個相鄰表面特徵52之中心分隔100 µm或多於100 µm，但不少於100 µm。在實施例中，最小中心到中心距離60為5 µm、10 µm、20 µm、30 µm、40 µm、50 µm、60 µm、70 µm、80 µm、90 µm、100 µm、110 µm、120 µm、或130 µm或在由彼等值中之任何兩個限定的任何範圍(例如，30 µm至70 µm、40 µm至80 µm、5 µm至100 µm、20 µm至90 µm、30 µm至80 µm等等)內。

所具有的折射率大於基板12或基板12上的低折射率材料之折射率的高折射率材料36降低紋理化區域20產生的像素功率偏差，這允許最小中心到中心間距60大於原本在沒有併入高折射率材料36之情況下可能的間距。另外，高折射率材料36之併入允許表面特徵52具有比原本在沒有高折射率材料36之情況下可行的更長的最長尺寸58。由於若干原因，這係有益的。第一，表面特徵52之最長尺寸58愈長，製造表面特徵52及因此紋理化區域20就愈容易。在併入有高折射率材料36之情況下，可利用諸如噴墨印刷、網版印刷或凹版平版印刷的低成本方法來製造紋理化區域20。第二，表面特徵52之周長56之最長尺寸58愈長，紋理化區域20產生的透射霧度愈小。然而，表面特徵52之最長尺寸58存在實際限制，因為若最長尺寸58足夠長，則表面特徵52變得對人眼可見，這可能係不合需的。

第三，當表面特徵52之周長56之最長尺寸58足夠長時，表面特徵52在包括離鏡面角度接近0.3度的窄角度範圍內散射更高強度之反射光。這導致紋理化區域20產生較高像素功率偏差。另外，這導致較少反射色彩假影，因為反射光不是跨足夠寬的角度範圍散射以允許人眼在色彩之間進行區分的。例如，光之450 nm波長部分及光之650 nm波長部分之尖峰散射角度之間的角分離可小於0.4度、小於0.3度或甚至小於0.2度。不同波長之間的較小角分離係較佳的，因為人眼難以分辨極小的角分離，使得在波長之間的小角散射分離之情況下觀察者可見的散射光中的色彩較少。

在實施例中，基板12包含玻璃或玻璃陶瓷。在實施例中，基板12係多組分玻璃組成物，該多組分玻璃組成物具有約40 mol ％至80 mol ％二氧化矽及平衡的一或多種其他成分，例如，氧化鋁、氧化鈣、氧化鈉、氧化硼等。在一些實施方案中，基板12之整體組成物係選自由以下組成之群：鋁矽酸鹽玻璃、硼矽酸鹽玻璃及磷矽酸鹽玻璃。在其他實施方案中，基板12之整體組成物係選自由以下組成之群：鋁矽酸鹽玻璃、硼矽酸鹽玻璃、磷矽酸鹽玻璃、鈉鈣玻璃、鹼性鋁矽酸鹽玻璃及鹼性鋁硼矽酸鹽玻璃。在另外的實施方案中，基板12係玻璃為基的基板，包括但不限於包含約90重量%或更大的玻璃組分以及陶瓷組分的玻璃陶瓷材料。在顯示器製品10之其他實施方案中，基板12可以係聚合物材料，具有適合於紋理化區域20之開發及保持的耐久性及機械特性。在其他實施例中，基板12係或包含單晶結構，諸如藍寶石。

在實施例中，基板12具有包含鹼性鋁矽酸鹽玻璃的整體組成物，該鹼性鋁矽酸鹽玻璃包含氧化鋁、至少一種鹼金屬及在一些實施例中大於50 mol %的SiO ₂、在其他實施例中至少58 mol %的SiO ₂、且在再一些實施例中至少60 mol %的SiO ₂，其中比率(Al ₂O ₃(mol%) + B ₂O ₃(mol%)) / ∑鹼金屬改質劑(mol%) ＞ 1，其中該等改質劑係鹼金屬氧化物。在特定實施例中，此玻璃包含以下、本質上由以下組成或由以下組成：約58 mol %至約72 mol %的SiO ₂；約9 mol %至約17 mol %的Al ₂O ₃；約2 mol %至約12 mol %的B ₂O ₃；約8 mol %至約16 mol %的Na ₂O；及0 mol %至約4 mol %的K ₂O，其中比率(Al ₂O ₃(mol%) + B ₂O ₃(mol%)) / ∑鹼金屬改質劑(mol%) ＞ 1，其中該等改質劑係鹼金屬氧化物。

在實施例中，基板12具有包含鹼性鋁矽酸鹽玻璃的整體組成物，該鹼性鋁矽酸鹽玻璃包含以下、本質上由以下組成或由以下組成：約61 mol %至約75 mol %的SiO ₂；約7 mol %至約15 mol %的Al ₂O ₃；0 mol %至約12 mol %的B ₂O ₃；約9 mol %至約21 mol %的Na ₂O；0 mol %至約4 mol %的K ₂O；0 mol %至約7 mol %的MgO；及0 mol %至約3 mol %的CaO。

在實施例中，基板12具有包含鹼性鋁矽酸鹽玻璃的整體組成物，該鹼性鋁矽酸鹽玻璃包含以下、本質上由以下組成或由以下組成：約60 mol %至約70 mol %的SiO ₂；約6 mol %至約14 mol %的Al ₂O ₃；0 mol %至約15 mol %的B ₂O ₃；0 mol %至約15 mol %的Li ₂O；0 mol %至約20 mol %的Na ₂O；0 mol %至約10 mol %的K ₂O；0 mol %至約8 mol %的MgO；0 mol %至約10 mol %的CaO；0 mol %至約5 mol %的ZrO ₂；0 mol %至約1 mol %的SnO ₂；0 mol %至約1 mol %的CeO ₂；小於約50 ppm As ₂O ₃；及小於約50 ppm Sb ₂O ₃；其中12 mol %≦Li ₂O+Na ₂O+K ₂O≦20 mol %且0 mol %≦MgO+Ca≦10 mol %。

在實施例中，基板12具有包含鹼性鋁矽酸鹽玻璃的整體組成物，該鹼性鋁矽酸鹽玻璃包含以下、本質上由以下組成或由以下組成：約64 mol %至約68 mol %的SiO ₂；約12 mol %至約16 mol %的Na ₂O；約8 mol %至約12 mol %的Al ₂O ₃；0 mol %至約3 mol %的B ₂O ₃；2 mol %至約5 mol %的K ₂O；4 mol %至約6 mol %的MgO；及0 mol %至約5 mol %的CaO，其中：66 mol %≦SiO ₂+B ₂O ₃+CaO≦69 mol %；Na ₂O+K ₂O+B ₂O ₃+MgO+CaO+SrO＞10 mol %；5 mol %≦MgO+CaO+SrO≦8 mol %；(Na ₂O+B ₂O ₃)—Al ₂O ₃≦2 mol %；2 mol %≦Na ₂O—Al ₂O ₃≦6 mol %；且4 mol %≦(Na ₂O+K ₂O)—Al ₂O ₃≦10 mol %。

在實施例中，基板12具有包含SiO ₂、Al ₂O ₃、P ₂O ₅及至少一種鹼金屬氧化物(R ₂O)的整體組成物，其中0.75＞[(P ₂O ₅(mol %)+R ₂O (mol %))/M ₂O ₃(mol %)]≦1.2，其中M ₂O ₃═Al ₂O ₃+B ₂O ₃。在實施例中，[(P ₂O ₅(mol %)+R ₂O (mol %))/M ₂O ₃(mol %)]=1，且在實施例中，玻璃不包含B ₂O ₃，且M ₂O ₃═Al ₂O ₃。在實施例中，基板12包含：約40 mol %至約70 mol %的SiO ₂；0 mol %至約28 mol %的B ₂O ₃ _；約0 mol %至約28 mol %的Al ₂O ₃；約1 mol %至約14 mol %的P ₂O ₅；及約12 mol %至約16 mol %的R ₂O。在一些實施例中，玻璃基板包含：約40 mol %至約64 mol %的SiO ₂；0 mol %至約8 mol %的B ₂O ₃；約16 mol %至約28 mol %的Al ₂O ₃；約2 mol %至約12 mol %的P ₂O ₅；及約12 mol %至約16 mol %的R ₂O。基板12可進一步包含至少一種鹼土金屬氧化物，諸如但不限於MgO或CaO。

在一些實施例中，基板12具有實質上不含鋰的整體組成物；即，玻璃包含小於1 mol %的Li ₂O、且在其他實施例中小於0.1 mol %的Li ₂O、且在其他實施例中0.01 mol % Li ₂O、且在再一些實施例中0 mol %的Li ₂O。在一些實施例中，此類玻璃不含砷、銻及鋇中之至少一者；即，玻璃包含小於1 mol %的As ₂O ₃、Sb ₂O ₃及/或BaO、且在其他實施例中小於0.1 mol %的As ₂O ₃、Sb ₂O ₃及/或BaO、且在再一些實施例中0 mol %的As ₂O ₃、Sb ₂O ₃及/或BaO。

在實施例中，基板12具有包含玻璃組成物、本質上由玻璃組成物組成或由玻璃組成物組成的整體組成物，該玻璃組成物諸如Corning ^®Eagle XG ^®glass、Corning ^®Gorilla ^®glass、Corning ^®Gorilla ^®Glass 2、Corning ^®Gorilla ^®Glass 3、Corning ^®Gorilla ^®Glass 4或Corning ^®Gorilla ^®Glass 5。

在實施例中，基板12具有藉由本領域已知的化學手段或熱手段增強的離子可交換玻璃組成物。在實施例中，基板12藉由離子交換化學增強。在該過程中，基板12之主表面18處或附近的金屬離子被交換成與基板12中的金屬離子具有相同價的較大金屬離子。交換通常藉由使基板12與離子交換介質諸如例如含有較大金屬離子的熔鹽浴接觸來進行。金屬離子通常係單價金屬離子，諸如例如鹼金屬離子。在一個非限制性實例中，藉由離子交換化學增強含有鈉離子的基板12係藉由將基板12浸入包含諸如硝酸鉀(KNO ₃)或類似物的熔鉀鹽的離子交換浴中來完成。在一個特定實施例中，基板12之與主表面18鄰接的表面層中的離子以及較大離子係單價鹼金屬陽離子，諸如Li ⁺(當存在於玻璃中時)、Na ⁺、K ⁺、Rb ⁺及Cs ⁺。替代地，基板12之表面層中的單價陽離子可用鹼金屬陽離子之外的單價陽離子諸如Ag ⁺或類似者替換。

在此類實施例中，在離子交換過程中用較大金屬離子替換小金屬離子在基板12中創建自主表面18延伸至一定深度(稱為「層深度」)的處於壓縮應力下的壓縮應力區域。基板12之此壓縮應力被基板12內部內的張拉應力(亦稱為「中心張力」)平衡。在一些實施例中，當藉由離子交換增強時，本文所描述之基板12之主表面18具有至少350 MPa的壓縮應力，且處於壓縮應力下的區域延伸至在主表面18下方深入厚度22至少15 μm的深度，即，層深度。

離子交換過程通常藉由將基板12浸入含有待與玻璃中的較小離子交換的較大離子的熔鹽浴中來進行。熟習此項技術者將瞭解，離子交換過程之參數通常由玻璃之組成物及所要層深度及作為增強操作之結果的玻璃之壓縮應力判定，該等參數包括但不限於浴組成物及溫度、浸入時間、玻璃在鹽浴(或多個浴)中的浸入次數、多種鹽浴之使用、諸如退火、洗滌的附加步驟及類似者。舉例而言，含鹼金屬玻璃之離子交換可藉由浸入至少一種含有鹽的熔浴中來達成，該鹽諸如但不限於硝酸鹽、硫酸鹽及較大鹼金屬離子之氯化物。熔鹽浴之溫度通常在自約380℃至多達約450℃之範圍內，而浸入時間之範圍為自約15分鐘至多達約16小時。然而，亦可使用不同於上述彼等溫度及浸入時間的溫度及浸入時間。此類離子交換處理與具有鹼性鋁矽酸鹽玻璃組成物的基板12一起採用時會產生壓縮應力區域，該壓縮應力區域具有範圍自約10 μm至多達至少50 μm的深度(層深度)與範圍自約200 MPa至多達約800 MPa的壓縮應力及小於約100 MPa的中心張力。

由於可採用來創建基板12之紋理化區域20的蝕刻製程可自基板12去除原本將在離子交換過程期間用較大鹼金屬離子替換的鹼金屬離子，因此優先在紋理化區域20之形成及開發之後在顯示器製品10中開發壓縮應力區域。

在實施例中，紋理化區域20展現出像素功率偏差(「pixel power deviation，PPD」)。用於獲得PPD值的測量系統及影像處理計算之細節描述於名稱為「Apparatus and Method for Determining Sparkle」的美國專利第9,411,180號中，且該專利之與PPD測量結果相關的突出部分以引用方式整體併入本文中。此外，除非另外指出，否則採用SMS-1000系統(Display-Messtechnik & Systeme GmbH & Co. KG)來產生及評估本揭露之PPD測量結果。PPD測量系統包括：包含複數個像素的像素化源(例如，Lenovo Z50 140 ppi膝上型電腦)，其中該複數個像素中之每一個具有參考索引 i及 j；及沿著源自像素化源的光程光學安置的成像系統。該成像系統包括：沿著光程安置且具有像素化敏感區的成像裝置，該像素化敏感區包含第二複數個像素，其中該第二複數個像素中之每一個用索引 m及 n參考；及安置於像素化源與成像裝置之間的光程上的膜片，其中該膜片針對源自像素化源的影像具有可調收集角。影像處理計算包括：獲取透明樣品之像素化影像，該像素化影像包含複數個像素；判定像素化影像中相鄰像素之間的邊界；在邊界內進行積分以獲得像素化影像中每個源像素之積分能量；及計算每個源像素之積分能量之標準偏差，其中該標準偏差係每像素色散之功率。如本文所用，所有PPD值、屬性及限制係利用測試裝置進行計算及評估，該測試裝置採用具有每吋140像素(pixels per inch，PPI)。在實施例中，顯示器製品10所展現的PPD為1.2%、1.3%、1.4%、1.5%、1.6%、1.7%、1.8%、1.9%、2.0%、2.1%或在由彼等值中之任何兩個限定的任何範圍(例如，1.2%至2.1%等等)內。在實施例中，紋理化區域20所展現的PPD小於4%、小於3%、小於2.5%、小於2.1%、小於2.0%、小於1.75%或甚至小於1.5%。

本揭露之紋理化區域20產生此種低像素功率偏差異意指顯示器製品10之顯示器16可具有高於正常的解析度。如前述一段所提及，像素功率偏差異係利用具有每吋140像素(「pixels per inch，ppi」)解析度的行業標準顯示器來判定。本揭露之紋理化區域20可傳輸具有低像素功率偏差的此種解析度。因此，顯示器16之解析度可增加。在實施例中，顯示器製品10之顯示器16具有大於140 ppi的解析度，諸如在140 ppi至300 ppi範圍內的解析度。

在實施例中，紋理化區域20展現出影像清晰度(「distinctness-of-image，DOI」)。如本文所用，「DOI」等於100*(R _S- R _0.3°)/R _S，其中R _S係自指向紋理化區域20上的入射光(在與法線成20°下)測量的鏡面反射率通量，且R _0.3係自0.3°下的相同入射光根據鏡面反射率通量R _S測量的反射率通量。除非另外指出，否則本揭露所報告的DOI值及測量結果係根據名稱為「Standard Test Method for Instrumental Measurement of Distinctness-of-Image (DOI) Gloss of Coated Surfaces using a Rhopoint IQ Gloss Haze & DOI Meter」 (Rhopoint Instruments Ltd.)的ASTM D5767-18來獲得。另外，DOI測量結果係在基板12之背表面(與主表面18相對的一側)耦合至吸收體以去除離開背表面的反射時進行的。因此，DOI值在這裡係「耦合」或「第一表面」值。在實施例中，紋理化區域20所展現的影像清晰度(「distinctness-of-image，DOI」)為25%、30%、35%、40%、45%、50%、55%、60%、65%、70%、75%、80%、或85%或在由彼等值中之任何兩個限定的任何範圍(例如，25%至85%等等)內。在實施例中，紋理化區域20所展現的影像清晰度小於90%、小於80%、小於70%、小於60%、小於50%、小於40%、小於35%或甚至小於30%。

在實施例中，紋理化區域20展現出透射霧度。如本文所用，術語「透射霧度」係指根據名稱為「Standard Test Method for Haze and Luminous Transmittance of Transparent Plastics」的ASTM D1003在約± 2.5°的角錐之外散射的透射光之百分比，ASTM D1003之內容以引用方式整體併入本文中。在實例中，透射霧度係使用BYK Gardner Haze-Gard Plus來測量，且入射光係在垂直入射(零度)下並使用積分球探測器系統來測量。注意，儘管ASTM D1003之標題係指塑膠，但該標準亦適用於包含玻璃材料的基板。對於光學平滑表面，透射霧度通常接近於零。在實施例中，紋理化區域20所展現的透射霧度為1.5%、1.6%、1.7%、1.8%、1.9%、2.0%、2.1%、2.2%、2.3%、2.4%、或2.5%或在由彼等值中之任何兩個限定的任何範圍(例如，1.5%至2.5%等等)內。在實施例中，紋理化區域20所展現的透射霧度小於20%、小於10%、小於5%、小於3%、小於2.5%或甚至小於2.0%。

在實施例中，紋理化區域20所展現的鏡面反射率為0.5%、0.6%、0.7%、0.8%、0.9%、1.0%、1.1%、1.2%、1.3%、1.4%、1.5%、1.6%、1.7%、1.75%或在由彼等值中之任何兩個限定的任何範圍(例如，0.5%至1.75%等等)內。鏡面反射率在本文中係使用「Rhopoint IQ Gloss Haze & DOI Meter」 (Rhopoint Instruments Ltd.)在20度反射入射角下且在基板12之背表面耦合至吸收體以去除背表面反射時判定的。此儀器報告的值係以光澤度單位(gloss unit，GU)為單位，針對在20度入射角下具有1.567折射率及4.91%已知主表面反射率值的黑色玻璃對照樣品正規化為100 GU的值。因此，這裡所提及的鏡面反射率值表示根據方程式藉由將儀器產生之值乘以0.0491來將儀器產生之值轉換為絕對第一表面鏡面反射率(百分比)。

在實施例中，紋理化區域20在自約400 nm至約800 nm範圍內的光波長區間內所展現的透射率為85%、86%、87%、88%、89%、90%、91%、92%、93%、94%、或95%或在由彼等值中之任何兩個限定的任何範圍(例如，85%至95%、90%至92%等等)內。如本文所用，術語「透射率」定義為在給定波長範圍內透射穿過基板12並離開紋理化區域20的入射光功率之百分比。在實例中，透射率係使用BYK Gardner Haze-Gard Plus，使用在垂直入射(0度)下的入射光及積分球探測器系統來測量。所報告的透射率係所有輸出角度之總透射率。

在實施例中，紋理化區域20同時展現出：(i)在1.2%至2.1%範圍內的像素功率偏差，(ii)在1.5%至2.5%範圍內的透射霧度，(iii)0.5%至1.75%的鏡面反射率，及(iv)25%至85%的影像清晰度。

現在參考第5圖，本文中描述了形成紋理化區域20之方法100。在步驟102處，方法100包括以下步驟：根據每個表面特徵52之預定位置在基板12之主表面18處形成自環繞部分突起或安置於環繞部分內的表面特徵52。在步驟104處，方法100進一步包括以下步驟：在提供位於較低平均標高34處的一或多個較低表面32的表面特徵52或環繞部分54上沉積高折射率材料36。將在下面進一步討論步驟102及104。

在實施例中，在步驟106處，方法100進一步包括以下步驟：利用間距分佈演算法來判定每個表面特徵52之位置。結果是以上所提及的每個表面特徵52之預定位置。此步驟106在將表面特徵52形成至基板12中之步驟102之前執行。示範性間距分佈演算法包括帕松(Poisson)圓盤取樣、最大-最小間距及硬球分佈。間距分佈演算法根據分隔每個物件108的最小中心到中心距離112將物件108 (表示表面特徵52，或者可自其推導出表面特徵52之放置)放置在可匹配表面特徵52所要的最小中心到中心距離60的區域110上。

帕松圓盤取樣將第一物件108 (圓形，具有匹配表面特徵52所要的最長尺寸58的直徑)插入區域48中。然後演算法將第二物件108插入區域48內，將中心放置在區域48內的隨機點處。若第二物件108之放置滿足距第一物件108的最小中心到中心距離112，則第二物件108保留在區域48中。演算法然後重複此過程，直至不再有此類物件180可放置在滿足最小中心到中心距離112的區域110內為止。結果是物件108之隨機分佈但特定的放置。

最大-最小間距演算法之所以如此命名是因為它試圖將點分佈之最小最近鄰中心到中心距離112 (即，在這裡區域之物件係點)最大化。因為最大-最小間距演算法迭代地進行，將每個物件108移動至離任何鄰居更遠的另一個地方，所以該演算法通常不能達成完美的六角點陣。該演算法產生具有相對高的平均六角百分比程度、通常超過90%的隨機分佈。

硬球分佈演算法係在有限溫度下執行的分子動力學模擬。特定而言，它係LAMMPS分子動力學模擬器(https://www.lammps.org/，上次訪問是在2021年6月26日)。結果是物件108在區域110中隨機但特定的放置，不同於六角點陣。然而，同樣地，與由帕松圓盤演算法產生的相比，六角百分比程度更高。

在任何情況下，物件108在區域110中的位置因此變成隨後形成至基板12中的每個表面特徵52之預定位置、或自物件108在區域110中的位置推導出的每個表面特徵52之預定位置。

在實施例中，在步驟114處，方法100進一步包括以下步驟：將蝕刻遮罩116安置於基板12之主表面18上。形成表面特徵52之後續步驟102包括在蝕刻遮罩116安置於基板12之主表面18上時用蝕刻劑118接觸基板12。

在實施例中，蝕刻遮罩116在基板12上形成為間距分佈演算法將物件108放置在上面的區域110之疊加正片或疊加負片。換言之，在實施例中，蝕刻遮罩116經形成為匹配物件108在基板12之主表面18上的放置，在此種情況下，蝕刻遮罩116防止後續蝕刻待根據表面特徵52之預定位置形成表面特徵52的位置。在此類情況下，由蝕刻步驟102產生的表面特徵52自環繞部分54突起。在其他實施例(諸如第4圖所例示)中，蝕刻遮罩116形成為物件108放置在區域110上的負片，從而防止蝕刻環繞部分54待存在的位置且僅允許蝕刻表面特徵52待存在的位置(即，物件放置在區域中的位置)。

在實施例中，蝕刻劑118包括氫氟酸及硝酸中之一或多者。在實施例中，蝕刻劑118包括氫氟酸及硝酸二者。可在蝕刻遮罩116位於基板12上時將蝕刻劑118噴塗至基板12上。具有蝕刻遮罩116的基板12可浸漬於含有蝕刻劑118的器皿120中。在實施例中，蝕刻劑118接觸基板12所持續的時間週期為10秒、20秒、30秒、40秒、50秒、或60秒、或在由彼等值中之任何兩個限定的任何範圍(例如，10秒至60秒等等)內。在該時間週期結束之後，在去離子水中沖洗基板12並進行乾燥。蝕刻劑118接觸基板12的時間週期愈長，蝕刻劑118蝕刻深入基板12就愈深，且因此基板12之位於較高平均標高28處的一或多個較高表面26以及基板12之位於較低平均標高34處的一或多個較低表面32之間的距離42就愈大。

如所提及，在步驟104處，方法100包括以下步驟：將高折射率材料36沉積於表面特徵52或環繞部分54上。在實施例中，在步驟102期間形成表面特徵52之後，在蝕刻遮罩116仍安置於基板12上時沉積高折射率材料36。在沉積高折射率材料36之同時將蝕刻遮罩116保持在基板12上有助於確保僅在需要的位置沉積高折射率材料36，諸如僅沉積於基板12之位於較低平均標高34處的一或多個較低表面32上，無論彼等較低表面32是由表面特徵52還是由環繞部分54提供，而不是沉積至位於較高平均標高28處的一或多個較高表面26上。可利用諸如真空沉積技術的各種沉積方法，例如化學氣相沉積(例如，電漿增強化學氣相沉積、低壓化學氣相沉積、常壓化學氣相沉積、電漿增強常壓化學氣相沉積)、物理氣相沉積(例如，反應性濺鍍或非反應性濺鍍、或雷射剝蝕)、熱蒸發或電子束蒸發及/或原子層沉積來沉積高折射率材料36。在實施例中，使用反應性濺鍍來沉積高折射率材料36。

在實施例中，在步驟122處，方法100進一步包括以下步驟：在步驟104處已沉積高折射率材料36之後去除蝕刻遮罩116。視蝕刻遮罩116之組成物而定，諸如丙酮或異丙醇的有機溶劑可自基板12去除蝕刻遮罩116。

在變型中，在步驟114之前，在基板12之主表面18上沉積低折射率材料之膜。然後在基板12上在低折射率材料之上安置蝕刻遮罩116。然後在步驟102處，藉由在蝕刻遮罩116安置於低折射率材料上時用蝕刻劑118接觸低折射率材料來形成表面特徵52。方法100之其餘部分然後如上所解釋地進行。

實例

比較例1A—對於實例1，利用商品軟體套件Gsolver (Grating Solver Development Company, Saratoga Springs, Utah, USA)將本揭露之紋理化區域之實施例建模為繞射光柵。將基板建模為具有提供位於較高平均標高處的表面的環繞部分，且然後將線性通道(作為表面特徵)安置於提供位於低於較高平均標高的較低平均標高處的表面的環繞部分內。線性通道具有20 µm的中心到中心間距(光柵週期)。模型假定周圍光具有550 nm的單波長。假定基板係具有1.518折射率的玻璃。將具有1.892較高折射率的高折射率材料，特別是SiO _xN _y添加於線性通道之位於較低平均標高處的表面上以獲得50%的填充分數。因此，高折射率材料提供全部位於介於基板之較高平均標高與較低平均標高之間的中間平均標高處的表面。將空氣溝槽深度(基板之較高平均標高、沉積於線性通道內的高折射率材料之中間平均標高之間的距離)設置為220 nm。然後將該溝槽深度(基板之較高平均標高與較低平均標高之間的距離)自約220 nm變化至超過700 nm，且相應地調整沉積於通道內的高折射率材料之高度以保持220 nm空氣溝槽深度。模型然後作為溝槽深度(及因此還有經添加以保持220 nm空氣溝槽深度的高折射率材料之高度)之函數計算第0至第5繞射階下透射穿過建模紋理化區域的光之繞射效率(第6A圖)及自建模紋理化區域反射的光之繞射效率(第6B圖)二者。在第6A圖及第6B圖處分別再現透射光及反射光之建模結果。

第6A圖處再現的建模結果表明，為了將穿過基板離開紋理化區域的透射率最大化，基板之溝槽深度應為520 nm (0.52 µm)。因此，向線性通道添加的SiO _xN _y高折射率材料之高度應為300 nm以保持220 nm空氣溝槽深度。不幸的是，如第6B圖處再現的建模結果所表明，基板之520 nm溝槽深度不能完全降低鏡面反射率(第0階係鏡面反射率)。

實例1B—實例1B係與比較例1A相似的建模實例。然而，實例1B沒有像比較例1A那樣固定空氣溝槽深度並改變基板之溝槽深度。而是，實例1B將基板之溝槽深度對SiO _xN _y高折射率材料之高度及對空氣溝槽深度之深度比率固定為3/1.6/1.4。模型作為基板之經改變之溝槽深度之函數判定透射光之繞射效率(第7A圖)及反射光之繞射效率(第7B圖)二者。實例1B之模型參數在其他方面與比較例1A相同，包括SiO _xN _y高折射率材料之50%填充分數。

第7A圖處的圖表顯示，不管基板之溝槽深度如何，穿過基板離開紋理化區域的第0階(鏡面，不是繞射)透射率都保持為高。繞射透射率(第1階及更高)極接近於零。這是因為上述比率3/1.6/1.4接近於透明漫射器之理想比率。第7B圖處的圖表顯示，隨著基板之溝槽深度變化，鏡面反射率(第0階)及散射反射率(第1階及更高)變化明顯。當基板之溝槽深度為約0.10 µm及0.50 µm時，鏡面反射率達到尖峰，從而使得基板之彼等溝槽深度不是較佳的。然而，當基板之溝槽深度介於0.22 µm與0.37 µm之間時，鏡面反射率最小化。第1階之繞射反射率另外在約0.30 µm處最小化。使用以上所提及的比率，當基板之溝槽深度介於0.22 µm與0.37 µm之間時，則SiO _xN _y高折射率材料之高度為0.12 µm至0.20 µm且空氣溝槽深度為0.10 µm至0.20 µm。使用該模型的一個示範性目標係0.32 µm的基板之溝槽深度、0.17 µm的安置於表面特徵內的SiO _xN _y高折射率材料之高度及0.15 µm的空氣溝槽深度。此模型進一步說明，藉由適當的設計，與非紋理化平板玻璃相比，本文所揭示之紋理化區域可以因子5或甚至10或更多抑制鏡面反射率。

現在參考第7C圖及第7D圖，模型然後作為SiO _xN _y高折射率材料之不同填充分數(100%減去低折射率基板之填充分數)之函數判定透射之繞射效率(第7C圖)及反射之繞射效率(第7D圖)二者。模型假定基板之溝槽深度為0.32 µm，安置於表面特徵內的SiO _xN _y高折射率材料之高度為0.17 µm及空氣溝槽深度為0.15 µm。20 µm中心到中心距離及550 nm波長保持為模型之假設。第7C圖之圖表表明，根據模型，對於所有考慮的填充分數，鏡面透射率較高且透射散射較低。這是因為基板之溝槽深度、安置於表面特徵內的SiO _xN _y高折射率材料之高度以及空氣溝槽深度已經按照透明漫射器標準優化。第7D圖之圖表表明，根據模型，52%至62%的基板(低折射率)之填充分數範圍將鏡面反射(第0階)最少化。這對應於38%至48%的SiO _xN _y高折射率材料之填充分數範圍。在一些應用中，優化設計可能不會僅以抑制鏡面反射(第0階)為目標，而是可能會尋求將鏡面反射率之強度最小化，同時亦將一或多個較高反射繞射階(第1階、第2階等)之強度最小化。在需要將所有反射繞射階之強度最小化的應用中，低折射率基板或低折射率材料之填充分數可高達75%或者可為自約55%至約78%。這對應於25%或自約22%至約45%的高折射率材料(例如SiO _xN _y)之填充分數。

現在參考第7E圖及第7F圖，模型作為入射光角度之函數判定反射率(第7E圖)及透射率(第7F圖)，以獲得以下建模最佳參數：45%的SiO _xN _y高折射率材料之填充分數，0.32 µm的基板之溝槽深度，0.17 µm的SiO _xN _y高折射率材料高度及0.15 µm的空氣溝槽深度。如第7E圖之圖表所表明，此種紋理化區域經建模以對自0度至約40度的所有光入射角產生小於1％的鏡面反射率(第一表面)。如第7F圖之圖表所表明，此種紋理化區域經建模以對自0度至約40度的所有光入射角透射超過90%的入射光。

實例2A至2G—對於實例2A至2G，利用硬球間距分佈演算法(hard sphere spacing distribution algorithm，LAMMPS)來判定待放置至基板之主表面18上的每個表面特徵之位置。硬球間距分佈演算法以填充分配區域使得所放置的物件(即，圓)佔據區域之50%為目標。這將轉化為沉積於基板上的高折射率材料具有目標為50%的填充分數。圓具有50 µm直徑及60 µm的最小中心到中心間距。更具體而言，使用軟體，最初將表示物件(及因此所要的表面特徵)的「分子」氣體放置於二維六角點陣上以將填充分數固定於50%。然後將氣體加熱並使其在二維中隨機化。向分子賦予了推斥硬球勢以保持60 µm的最小中心到中心間距。如第2圖之圖表所闡述的那樣放置區域內的所得物件。所得物件具有0.49平均六角百分比，這指示與六角點陣有較大偏差及因此高度隨機化但特定的放置。第8圖處再現的圖表係直方圖，展示出放置於區域內的全體物件之填充分數作為離最近鄰的實際中心到中心間距之函數。

然後在玻璃基板之七個樣品上形成蝕刻遮罩，根據硬球間距分佈演算法疊加物件之放置。每個樣品之蝕刻遮罩經組態以允許深入基板蝕刻至硬球間距分佈演算法將物件定位於區域內的位置，但拒絕深入基板蝕刻至物件所在位置之外。然後用蝕刻劑接觸具有蝕刻遮罩的所有七個樣品之基板。每個樣品與蝕刻劑接觸持續不同時間週期，從而允許產生具有不同溝槽深度的表面特徵。蝕刻劑形成安置於環繞部分內的表面特徵，其中該等表面特徵定位於演算法將物件放置於區域內所在的整個紋理化區域中。然後留出兩個樣品作為實例2F及2G以作為比較例。

在蝕刻之後，將蝕刻遮罩保持於實例2A至2E之剩餘樣品之基板上。將與基板(約1.51)相比具有更高折射率(約2.1)的高折射率材料，特別是AlN，沉積至表面特徵中之每一個之表面上。一些樣品之沉積時間有所不同，導致所沉積的高折射率材料之高度不同。然後自樣品中之每一個之基板去除蝕刻遮罩。由於製造製程步驟以及沉積期間的少量陰影，高折射率材料AlN之填充分數在40%至49%之範圍內。

然後對表示實例2A至2G的所有樣品進行各種光學測量。具體而言，測量像素功率偏差(「pixel power deviation，PPD」)、透射率(「Trans.」)、透射霧度(「haze」)、影像清晰度(「distinctness-of-image，DOI」)及鏡面反射率(「Spec. Ref.」)。每個樣品之結果以及沉積於每個表面特徵內的AlN高折射率材料之空氣溝槽深度及高度闡述於下表1中。實例2F及2G之「空氣溝槽深度」之數字意指位於表面特徵處的基板與位於環繞部分處的基板之間的標高差，因為實例2F及2G係比較例且沒有將AlN高折射率材料沉積至表面特徵中。第2圖處再現的光學輪廓儀掃描屬在將AlN高折射率材料沉積於表面特徵內之後的實例2C。

表1
實例	空氣溝槽深度(µm)	AlN高度(µm)	PPD (%)	Trans. (%)	Haze (%)	DOI (%)	Spec. Ref. (%)
2A	0.16	0.16	2.11	92.0	2.27	62	0.83
2B	0.17	0.15	1.32	92.3	1.66	30	0.74
2C	0.17	0.15	1.47	92.3	1.68	43	0.83
2D	0.2	0.11	2.05	92.1	2.14	71	1.23
2E	0.21	0.10	2.02	92.3	1.92	82	1.52
2F (比較)	0.31	無	6.12	93.2	2.38	99	3.58
2G (比較)	0.16	無	3.97	93.2	1.57	49	0.74

對表1所闡述的資料的分析顯示，與實例2F及2G二者相比，實例2A至2E之表面特徵中高折射率材料之併入導致像素功率偏差大大降低，而不會以主要方式負面地影響其他測量光學特性。實例2B及2C特別說明了測量光學特性之有益組合——具體而言，小於1.5的像素功率偏差、大於92%的透射率、低於2%的透射霧度、小於50%的影像清晰度及低於0.85%的鏡面反射率。使用其他方法很難或不可能達成此等值之組合，尤其是在表面特徵具有約50 µm最長尺寸之情況下，該等表面特徵比表面特徵具有較小最長尺寸之情況更容易製造。

實例3A至3D—對於實例3A至3D，利用實施帕松圓盤取樣的間距分佈演算法來判定待放置至基板之主表面上的每個表面特徵之位置。該演算法以填充分配區域使得所放置的物件(即，圓)佔據區域之36%為目標。這將轉化為沉積於表面特徵內的高折射率材料具有目標為36%的填充分數。圓具有50 µm直徑及60 µm的最小中心到中心間距。演算法放置在區域內的圓具有0.41的六角百分比

，該六角百分比較低且被認為是高度隨機化的。第9圖處再現的圖表係直方圖，展示出放置於區域內的全體物件之填充分數作為離最近鄰的實際中心到中心間距之函數。

然後在玻璃基板之四個樣品上形成蝕刻遮罩，根據硬球間距分佈演算法疊加物件之放置。每個樣品之蝕刻遮罩經組態以允許深入基板蝕刻至硬球間距分佈演算法將物件定位於區域內的位置，但拒絕深入基板蝕刻至物件所在位置之外。然後用蝕刻劑接觸具有蝕刻遮罩的所有四個樣品之基板。蝕刻劑形成安置於環繞部分內的表面特徵，其中該等表面特徵定位於演算法將物件放置於區域內所在的整個紋理化區域中。然後留出兩個樣品作為實例3C及3D以作為比較例。

在蝕刻之後，將蝕刻遮罩保持於實例3A至3B之剩餘樣品之基板上。藉由反應性濺鍍將與基板(約1.51)相比具有更高折射率(約2.1)的高折射率材料，特別是AlN，沉積於表面特徵中之每一個內。然後自樣品中之每一個之基板去除蝕刻遮罩。由於製造製程步驟以及沉積期間的少量陰影，AlN高折射率材料之填充分數在30%至35%之範圍內。

然後對表示實例3A至3D的所有樣品進行各種光學測量。具體而言，測量像素功率偏差(「pixel power deviation，PPD」)、透射率(「Trans.」)、透射霧度(「haze」)、影像清晰度(「distinctness-of-image，DOI」)及鏡面反射率(「Spec. Ref.」)。每個樣品之結果以及沉積於每個表面特徵內的AlN高折射率材料之空氣溝槽深度及高度闡述於下表2中。實例3C及3D之「空氣溝槽深度」之數字意指表面特徵相對於環繞部分的深度(因為沒有添加AlN)。

表2
實例	空氣溝槽深度(µm)	AlN高度(µm)	PPD (%)	Trans. (%)	Haze (%)	DOI (%)	Spec. Ref. (%)
3A	0.16	0.16	1.91	90.8	2.34	82	1.82
3B	0.16	0.16	1.44	91.1	2.15	80	1.67
3C (比較)	0.31	無	6.17	92.5	2.45	98	3.39
3D (比較)	0.16	無	4.95	93.4	1.09	60	0.93

對表2所闡述的資料的分析顯示，與實例3C及3D二者相比，實例3A至3B之表面特徵中高折射率材料之併入導致像素功率偏差大大降低，而不會以主要方式負面地影響其他測量光學特性。實例3A及3B之小於85%的影像清晰度值表明鏡面反射受到抑制。

10:顯示器製品 12:基板 14:外殼 16:顯示器 18:主表面 20:紋理化區域 22:厚度 24:外部環境 26:較高表面 28:較高平均標高 30:基面 32:較低表面 34:較低平均標高 36:高折射率材料 38:中間表面 40:中間平均標高 42,44,46:距離 48:區域 50:平面 52:表面特徵 54:環繞部分 56:周長 58:最長尺寸 60:最小中心到中心距離/最小中心到中心間距 100:方法 102,104,106,114,122:方法步驟 108:第一物件/第二物件 110:區域 112:最小中心到中心距離 116:蝕刻遮罩 118:蝕刻劑 120:器皿

在附圖中：

第1圖係本揭露之顯示器製品之透視圖，該透視圖例示出具有用以降低外部環境發出的光之鏡面反射率之紋理化區域之基板；

第2圖係光學輪廓儀掃描，其與實例2A至2G有關且亦總體例示包含位於距基面較高平均標高處的一或多個表面及安置於表面特徵內的高折射率材料之紋理化區域之實施例，該高折射率材料形成位於距基面中間平均標高處的表面；

第3A圖係穿過第2圖之線III-III截取的橫剖面之立視圖，該立視圖例示出提供位於較高平均標高處的表面、位於距基面較低平均標高處的表面及安置於該等表面上位於較低平均標高處的高折射率材料的基板，該高折射率材料提供位於介於較高平均標高與較低較高平均標高之間的中間平均標高處的表面；

第3B圖係與第3A圖相同的視圖，但例示出表面特徵不是安置於基板之環繞部分內(如第3A圖那樣)而是自環繞部分突起且高折射率材料安置於環繞部分上的情景；

第4圖係關於六角百分比之計算的圖解；

第5圖係形成第1圖之紋理化區域之實施例之方法的示意圖，該示意圖例示出以下步驟：判定表面特徵之位置，將蝕刻遮罩放置於基板上以實現在所判定位置處形成表面特徵，在蝕刻遮罩位於基板上時經由蝕刻形成表面特徵，在蝕刻遮罩仍位於基板上時將高折射率材料沉積至基板上，及然後去除蝕刻遮罩。

第6A圖係與比較例1A有關的圖表，該圖表例示出透射穿過基板之紋理化區域的光之繞射效率作為溝槽深度(即，較高平均標高與較低平均標高之間的距離)之函數；

第6B圖係與比較例1A有關的圖表，該圖表例示出自基板之紋理化區域反射的光之繞射效率作為溝槽深度之函數；

第7A圖係與實例1B有關的圖表，該圖表例示出透射穿過基板之紋理化區域的光之繞射效率作為溝槽深度之函數；

第7B圖係與實例1B有關的圖表，該圖表例示出自基板之紋理化區域反射的光之繞射效率作為溝槽深度之函數；

第7C圖係與實例1B有關的圖表，該圖表例示出透射穿過基板之紋理化區域的光之繞射效率作為基板之填充分數(即，平面穿過基板所佔據的紋理化區域之高折射率材料的百分比)之函數；

第7D圖係與實例1B有關的圖表，該圖表例示出自基板之紋理化區域反射的光之繞射效率作為基板之填充分數之函數(即，平面穿過基板所佔據的紋理化區域之高折射率材料的百分比)；

第7E圖係與實例1B有關的圖表，該圖表例示出透射穿過基板之紋理化區域的光之繞射效率作為入射光角度之函數；

第7F圖係與實例1B有關的圖表，該圖表例示出自基板之紋理化區域反射的光之繞射效率作為入射光角度之函數；

第8圖係與實例2A至2G有關的直方圖，該直方圖例示出經由間距分佈演算法隨機放置至一區域(以分配隨後形成之紋理化區域之表面特徵之放置)中的物件之中心到中心距離；且

第9圖係與實例3A至3D有關的直方圖，該直方圖例示出經由另一個間距分佈演算法隨機放置至一區域(以分配隨後形成之紋理化區域之表面特徵之放置)中的物件之中心到中心距離。

國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無

10:顯示器製品

12:基板

14:外殼

16:顯示器

18:主表面

20:紋理化區域

22:厚度

24:外部環境

Claims

一種用於一顯示器製品之基板，該基板包含：一主表面；及一紋理化區域，該紋理化區域位於該主表面之至少一部分上，該紋理化區域包含：一或多個較高表面，位於一較高平均標高處，該較高平均標高平行於一基面，該基面安置於該紋理化區域下方且延伸穿過該基板；一或多個較低表面，位於一較低平均標高處，該較低平均標高平行於該基面，該較低平均標高小於該較高平均標高；及一高折射率材料，該高折射率材料安置於位於該較低平均標高處的該一或多個較低表面上，該高折射率材料形成位於一中間平均標高處的一或多個中間表面，該中間平均標高平行於該基面，該中間平均標高大於該較低平均標高但小於該較高平均標高，該高折射率材料包含一折射率，該折射率大於提供該一或多個較高表面的該基板或一低折射率材料之該折射率。
如請求項1所述之基板，其中該高折射率材料之該中間平均標高比該一或多個較高表面之該較高平均標高小在100 nm至190 nm之一範圍內的一距離；該一或多個較低表面之該較低平均標高比該一或多個較高表面之該較高平均標高小在220 nm至370 nm之一範圍內的一距離；且該高折射率材料之該中間平均標高比該一或多個較低表面之該較低平均標高大在100 nm至200 nm之一範圍內的一距離。
如請求項1所述之基板，其中該基板或該低折射率材料之該折射率在1.4至1.6之一範圍內；且該高折射率材料之該折射率在1.6至2.3之一範圍內。
如請求項1所述之基板，其中該高折射率材料佔據一平面之一區域之22%至49%，該平面(i)平行於該基面且(ii)延伸穿過該高折射率材料，該區域由該紋理化區域限定。
如請求項1至4中任一項所述之基板，其中該基板包含一玻璃基板或一玻璃陶瓷基板。
一種用於一顯示器製品之基板，該基板包含：一主表面；及一紋理化區域，該紋理化區域位於該主表面之至少一部分上，該紋理化區域包含：一或多個較高表面，位於一較高平均標高處，該較高平均標高平行於一基面，該基面安置於該紋理化區域下方且延伸穿過該基板；一或多個較低表面，位於一較低平均標高處，該較低平均標高平行於該基面，該較低平均標高小於該較高平均標高；表面特徵，該等表面特徵自位於該主表面處的一環繞部分突起或安置於該環繞部分內，其中(i)該等表面特徵提供該一或多個較高表面或該一或多個較低表面，(ii)無論該等表面特徵未提供哪一者，該環繞部分提供該一或多個較高表面或該一或多個較低表面中之另一者；及一高折射率材料，安置於位於該較低平均標高處的該一或多個較低表面上，該高折射率材料包含(i)一折射率，該折射率大於提供該一或多個較高表面的該基板或一低折射率材料之該折射率，及(ii)位於一中間平均標高處的一或多個中間表面，該中間平均標高平行於該基面，該中間平均標高介於該較高平均標高與該較低平均標高之間。
如請求項6所述之基板，其中該等表面特徵係安置於該環繞部分內；且該高折射率材料係安置於由位於該較低平均標高處的該等表面特徵提供的該一或多個較低表面上的每個表面特徵內。
如請求項6所述之基板，其中該高折射率材料之該中間平均標高比該一或多個較高表面之該較高平均標高小在120 nm至190 nm之一範圍內的一距離。
如請求項6所述之基板，其中該較低平均標高比該較高平均標高小在220 nm至370 nm之一範圍內的一距離。
如請求項6所述之基板，其中該高折射率材料之該中間平均標高比該一或多個較低表面之該較低平均標高大在100 nm至200 nm之一範圍內的一距離。
如請求項6所述之基板，其中該基板或該低折射率材料之該折射率在1.4至1.6之一範圍內。
如請求項6所述之基板，其中該高折射率材料之該折射率在1.6至2.3之一範圍內。
如請求項6所述之基板，其中每個表面特徵具有平行於該基面的一周長；且每個表面特徵之該周長係圓形或橢圓的。
如請求項6所述之基板，其中每個表面特徵具有平行於該基面的一周長；且每個表面特徵之該周長具有在5 µm至200 µm之一範圍內的一最長尺寸。
如請求項6所述之基板，其中該等表面特徵之一配置不重複而是反映一隨機分佈。
如請求項6所述之基板，其中該等表面特徵係以一隨機分佈配置，一最小中心到中心距離將該等表面特徵中的每一個分隔。
如請求項6所述之基板，其中該高折射率材料包含AlN _x、SiO _xN _y或SiN _x。
如請求項6所述之基板，其中該高折射率材料佔據一平面之一區域之22%至49%，該平面(i)平行於該基面且(ii)延伸穿過該高折射率材料，該區域由該紋理化區域限定。
如請求項6至18中任一項所述之基板，其中該基板包含一玻璃基板或一玻璃陶瓷基板。
如請求項19所述之基板，其中該紋理化區域展現出在1.2%至2.1%之一範圍內的一像素功率偏差；該紋理化區域展現出在1.5%至2.5%之一範圍內的一透射霧度；該紋理化區域展現出0.5%至1.75%的一鏡面反射率；且該紋理化區域展現出25%至85%的一影像清晰度。
一種形成用於一顯示器製品之一基板之一紋理化區域之方法，該方法包含以下步驟：根據每個表面特徵之一預定位置形成自位於一基板之一主表面處的一環繞部分突起或安置於該環繞部分內的表面特徵，從而形成一紋理化區域，其中(i)該紋理化區域之一或多個較高表面位於一較高平均標高處，該較高平均標高平行於一基面，該基面安置於該紋理化區域下方且延伸穿過該基板，(ii)該紋理化區域之一或多個較低表面位於一較低平均標高處，該較低平均標高平行於該基面，該較低平均標高小於該較高平均標高，(iii)該等表面特徵提供該一或多個較高表面或該一或多個較低表面，且(iv)無論該等表面特徵未提供哪一者，該環繞部分提供該一或多個較高表面或該一或多個較低表面中之另一者；及將一高折射率材料沉積於提供位於該較低平均標高處的該一或多個較低表面的該等表面特徵或該環繞部分中之任意一者上，該高折射率材料包含(i)一折射率，該折射率大於該基板之該折射率，及(ii)位於一中間平均標高處的一或多個中間表面，該中間平均標高平行於該基面，該中間平均標高介於該較高平均標高與該較低平均標高之間。
如請求項21所述之方法，進一步包含以下步驟：利用一間距分佈演算法來判定每個表面特徵之該位置，從而決定每個表面特徵之該預定位置。
如請求項22所述之方法，進一步包含以下步驟：將一蝕刻遮罩安置於該主表面上，該蝕刻遮罩(i)防止蝕刻待根據該等表面特徵之該預定位置形成該等表面特徵的位置或(ii)僅允許蝕刻待根據該等表面特徵之該預定位置形成該等表面特徵的位置；其中，形成該等表面特徵包含在該蝕刻遮罩安置於該基板之該主表面上時用一蝕刻劑接觸至少該基板之該主表面之步驟。
如請求項23所述之方法，其中該高折射率材料係在該蝕刻遮罩安置於該主表面上時且在該等表面特徵已形成之後沉積。
如請求項24所述之方法，進一步包含以下步驟：在該高折射率材料已沉積之後去除該蝕刻遮罩。