TWI798892B - 具有防指紋表面的外殼 - Google Patents

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Abstract

本發明揭示一種包括具有防指紋表面之基板的外殼之實施例。防指紋表面可包括紋理化表面、塗覆表面或塗覆紋理化表面，在將指紋施加至防指紋表面時，此表面展示出低指紋可見性。在一或更多個實施例中，外殼展示出以下屬性之任一者：(1)由小於0.03之損耗正切值所界定且處於15 MHz至3.0 GHz之間頻率範圍之無線電及微波頻率透明度；(2)紅外透明度；(3)大於0.6 MPa•m½ 之斷裂韌度；(4)大於350 MPa之4點彎曲強度；(5)至少450 kgf/mm2 之維氏硬度及至少5 kgf之維氏中值/徑向裂紋形成閾值；(6)自約50 GPa至約100 GPa範圍內之楊氏模數；以及(7)小於2.0 W/m℃之導熱率。

Description

具有防指紋表面的外殼
本揭示內容係關於電子裝置的外殼，且更特定言之，係關於包括防指紋表面的外殼，容許穿過該防指紋表面的無線資料傳輸或無線充電能。
隨著諸如膝上型電腦、平板電腦、媒體播放器及行動電話之攜帶型電子裝置已變得更小、重量更輕及更強大，必須改良攜帶型計算裝置之一些組件及外殼的設計。此類外殼之此設計應在重量上更輕及更薄，但仍堅固及剛硬。通常使用薄塑膠結構及少量扣件的較輕重量外殼傾向於更加可撓，易於刮擦，且與較堅固且較剛硬外殼相比具有更大折皺及彎曲傾向，此等較堅固且較剛硬外殼通常使用更厚塑膠結構及更多較厚且具有更大重量的扣件。較堅固且較剛硬結構之增加的重量可導致使用者不滿，且較輕重量的結構之彎曲/折皺可損壞攜帶型電子裝置之內部零件。
從美學觀點來看，在外殼上需要抵抗指紋之轉印或沾污的表面。對於與電子裝置相關的應用，對此類表面的一般要求包括高透射度、受控混濁度、抵抗指紋轉印及握持穩固性。防指紋表面必須在使用者之手指或皮膚觸摸時抵抗水與油兩者轉印。
鑒於現有外殼存在的前述問題，需要用於攜帶型電子裝置的改良外殼。特定而言，需要與現有外殼設計相比更具有成本效益、更小、更輕、更堅固及更符合審美的外殼。
本揭示內容之第一態樣係關於一種包括具有防指紋表面之基板的電子裝置外殼。在一或更多個實施例中，當將指紋施加至防指紋表面時，防指紋表面展示出小於約0.95之可見性或小於約20之色移。在一些實施例中，當將指紋施加至防指紋表面時，防指紋表面展示出小於約0.95之可見性或小於約20之色移兩者。防指紋表面可包括紋理化表面、塗覆表面或塗覆紋理化表面。紋理化表面可包括自約0.05微米至約10微米範圍內之RMS粗糙度高度、自約0.1微米至約500微米範圍內之橫向空間週期，或自約0.05微米至約10微米範圍內之RMS粗糙度高度與自約0.1微米至約500微米範圍內之橫向空間週期之組合。
在一些實施例中，外殼展示出自約0.5%至約40%範圍內之混濁度（在透射率或反射率方面）。外殼可展示出在自約400 nm至約750 nm之波長範圍上約80%或更大之平均透射率。在其他實施例中，外殼可展示出在自約750 nm至約2000 nm之波長範圍上約80%或更大之平均透射率。
外殼可展示出使得外殼能夠與電子裝置一起使用的特性。此類特性可包括以下之任何一者或更多者：由小於0.03之損耗正切值所界定且處於15 MHz至3.0 GHz之間頻率範圍之無線電及微波頻率透明度；磁場透明度、電感場透明度及紅外透明度。在一些實施例中，外殼展示出由小於0.015之損耗正切值所界定、處於500 MHz至3.0 GHz之間頻率範圍之無線電及微波頻率透明度。
在一或更多個實施例中，外殼可展示出使得外殼能夠與攜帶型電子裝置一起使用之各種機械特性。機械特性包括以下之任何一者或更多者：大於0.60 MPa•m½ （或大於0.75 MPa•m½ ）之斷裂韌度，大於350 MPa或大於475 MPa之4點彎曲強度，至少450 kgf/mm2 或至少500 kgf/mm2 之維氏硬度，至少5 kgf或約10 kgf之維氏中值/徑向裂紋形成閾值，自約50 GPa至約100 GPa範圍內（或自約50 GPa至約75 GPa範圍內）之楊氏模數，及小於2.0 W/m℃或小於1.5 W/m℃之導熱率。
用於外殼中的基板可包括非晶基板或結晶基板。非晶基板之範例包括鹼石灰玻璃、鹼性鋁矽酸鹽玻璃、含鹼硼矽酸鹽玻璃及鹼性鋁硼矽酸鹽玻璃。在一些情形中，非晶基板可為強化基板。在一或更多個實施例中，強化非晶基板可展示出以下之任何一者或更多者：具有大於或等於20 μm之層深度(depth of layer; DOL)的壓縮表面層、大於400 MPa之壓縮應力及大於20 MPa之中心張力。結晶基板之範例包括強化玻璃陶瓷基板、非強化玻璃陶瓷基板或單晶基板。此強化結晶基板可展示出以下之任何一者或更多者：具有大於或等於20 μm之層深度(depth of layer; DOL)的壓縮表面層、大於400 MPa之壓縮應力及大於20 MPa之中心張力。
本揭示內容之第二態樣係關於一種包括外殼、至少部分地安置在外殼內的電氣組件及基於玻璃之基板。在一或更多個實施例中，電子組件可至少包括控制器、記憶體及顯示器，且其中在顯示器上方或顯示器後方安置基於玻璃之基板。在一或更多個實施例中，基於玻璃之基板為強化基板且包括表面及自表面延伸至約20微米或更大之層深度(depth of layer; DOL)的壓縮應力。在一或更多個實施例中，基於玻璃之基板展示出在可見光譜上小於約80%之透射率。
一或更多個實施例之基於玻璃之基板包含大於約20%之透射混濁度。在一些情形中，基於玻璃之基板包含與反射面成2度或與反射面成5度時大於20%之反射混濁度。可根據ASTM E430量測透射及反射混濁度。
在一些情形中，當抵靠碳化矽球體對立表面量測時，基於玻璃之基板展示出小於約0.3之摩擦係數。在一或更多個實施例中，基於玻璃之基板展示出在主表面處所量測之大於約200 nm或大於約500 nm之RMS表面粗糙度。
在一或更多個實施例中，基於玻璃之基板包括安置在基於玻璃之基板之主表面上的墨水層。在一些情形中，基於玻璃之基板包括疏水性或疏油性材料。基於玻璃之基板可包括有色玻璃或展示出色彩。
電子裝置外殼可包括選自行動電話、平板電腦、膝上型電腦或筆記型電腦及媒體播放器的電子裝置。
如本文在下文中所描述，需要更具有成本效益、更小、更輕、更堅固及更符合審美的外殼用於攜帶型電子裝置。此類裝置可包括行動電話、媒體（包括音樂）播放器、膝上型或筆記型電腦、平板電腦、遊戲裝置、電子書閱讀器及其他裝置。本揭示內容之實施例係關於用於此類外殼的適宜材料，此等材料展示出重量及/或抵抗衝擊損壞（例如，凹痕）且包括防指紋表面。與用於外殼的許多已知材料不同，在特定金屬外殼中，本文所描述之材料並未干擾無線通訊。舉例而言，外殼可容許無線電頻率、微波、磁場、電感場、無線資料傳輸、無線充電能或上述之組合的透射。本揭示內容之一些實施例係關於包括本文所描述之外殼的電子裝置。
本文實施例係關於包括具有防指紋表面之基板的外殼。本文所使用之術語「外殼」可與「外罩」及「蓋或保護蓋」互換使用。如第1圖所示，外殼100包括具有相對主表面110、120及相對次表面130、140的基板101，但下文關於基板將論述之其他配置為可能。在一些實施例中，外殼覆蓋電子裝置之非顯示區域或組件。此類外殼形成電子裝置之背表面及/或電子裝置之邊緣中的任一者。在一或更多個實施例中，基板之一個主表面120可形成電子裝置之外表面，而另一主表面110可形成外殼之內表面且接近於電子裝置之內部組件。形成內表面的主表面110可包括形成裝飾特徵的塗層，塗層可包括賦予色彩、圖形、金屬化表面及類似者的塗層。
本文所使用之術語「防指紋」大體上係關於表面上的指紋之可見性減小。可藉由對表面賦予疏水性（亦即，水的接觸角＞90°）、對表面賦予親油性（亦即，油的接觸角＜90°）及對指紋中所發現的微粒或液體物質對表面之黏著抵抗力或上述之組合實現此減小。在一些實施例中，可藉由各種表面改質、塗層或上述之組合對表面賦予此等特性。
基板
在一或更多個實施例中，基板可包括非晶基板、結晶基板或上述之組合。在一些實施例中，基板可經特徵化為無機或更特定而言為基於玻璃的。在一或更多個實施例中，非晶基板可包括玻璃基板，玻璃基板可為強化基板或非強化基板。適宜玻璃基板之範例包括鹼石灰玻璃基板、鹼性鋁矽酸鹽玻璃基板、含鹼硼矽酸鹽玻璃基板及鹼性鋁硼矽酸鹽玻璃基板。在一些變型中，玻璃基板可不含氧化鋰。在一或更多個替代實施例中，基板110可包括結晶基板，諸如玻璃陶瓷基板（可為強化基板或非強化基板）或可包括單晶結構，諸如藍寶石。在一或更多個特定實施例中，基板包括非晶基質（例如，玻璃）及結晶包層（例如，藍寶石層、多晶氧化鋁層及/或尖晶石(MgAl2 O4 )層）。
在一些實施例中，基板110可為有機基板且可特定而言為聚合基板。適宜聚合物之範例包括但不限於：熱塑性聚合物，包括聚苯乙烯(polystyrene; PS)（包括苯乙烯共聚物及摻合物）、聚碳酸酯(polycarbonate; PC)（包括共聚物及摻合物）、聚酯（包括共聚物及摻合物，包括聚對苯二甲酸乙二酯及聚對苯二甲酸乙二酯共聚物）、聚烯烴(polyolefins; PO)與環狀聚烯烴（環狀PO）、聚氯乙烯(polyvinylchloride; PVC)、包括聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate; PMMA)（包括共聚物及摻合物）的丙烯酸聚合物、熱塑性胺基甲酸酯(thermoplastic urethanes; TPU)、聚醚醯亞胺(polyetherimide; PEI)及此等聚合物與彼此的摻合物。其他示例性聚合物包括環氧、苯乙烯、酚醛、三聚氰胺及聚矽氧樹脂。
基板可為實質平面，但其他實施例可使用經彎曲或以其他方式成形或雕刻的基板（例如，具有2.5D或3D形狀）。基板可為實質光學清透、透明及無光散射。基板可具有自約1.45至約1.55範圍內之折射率。本文所使用之折射率值係相對於550 nm之波長。可將基板特徵化為具有高平均撓曲強度（當與本文所描述之未強化的基板相比時）或高表面應變致損性（當與本文所描述之未強化的基板相比時），以上兩者在基板之一或更多個主相對表面上所量測。
在一或更多個實施例中，基板可展示出色彩或可為有色基板（亦即，呈現具有色彩或色調的基板）。在使用基於玻璃之基板的情況下，基於玻璃之基板可包括具有著色劑的組成物，著色劑諸如鈷、釩、銅、鐵、錳及類似者之氧化物。
另外或替代地，基板之厚度可出於審美及/或功能因素沿尺寸中的一或更多者變化。舉例而言，與基板之中心區域相比，基板之邊緣可更厚。基板之長度、寬度及厚度尺寸亦可根據外殼應用或用途而變化。
可使用多種不同製程提供基板。舉例而言，在基板包括玻璃基板的情況下，示例性玻璃基板形成方法包括浮製玻璃製程及下拉製程（諸如熔合拉製及槽縫拉製）。
由浮製玻璃製程製備之玻璃基板可以光滑表面為特徵，且藉由在通常為錫之熔融金屬床上使熔融玻璃浮動來產生均勻厚度。在一示例性製程中，饋送至熔融錫床之表面上的熔融玻璃形成浮動玻璃帶。隨著玻璃帶沿錫浴流動，溫度逐漸下降，直至玻璃帶固化成固體玻璃基板，可將固體玻璃基板自錫提升至滾筒上。一旦脫離浴，可進一步冷卻及退火玻璃基板以減小內部應力。
下拉製程產生具有擁有相對原始表面之均勻厚度的玻璃基板。由於藉由表面瑕疵的量及大小控制玻璃基板之平均撓曲強度，已具有最小接觸的原始表面具有較高初始強度。當隨後進一步強化（例如，化學強化）此高強度玻璃基板時，所得強度可比表面已經拋光及研磨的玻璃基板之強度高。可將下拉玻璃基板拉製到小於約2 mm之厚度。另外，下拉玻璃基板具有非常平坦且光滑表面，此表面可用於最終應用中而無需成本高昂的磨削及研磨。
熔合拉製製程例如使用拉製槽，拉製槽具有用於接收熔融玻璃原料的通道。通道在通道之兩側上沿通道長度具有堰，堰在頂部處開口。當通道填滿熔融材料時，熔融玻璃溢出堰。由於重力，熔融玻璃順著拉製槽之外表面流下作為兩個流動玻璃膜。拉製槽之此等外表面向下及向內延伸使得在拉製槽下方的邊緣處會合。兩個流動玻璃膜在此邊緣處會合以熔合及形成單個流動玻璃基板。熔合拉製方法提供了以下優勢：由於兩個玻璃膜溢出通道並熔合在一起，所得玻璃基板之外表面兩者皆不與設備之任何部分接觸。因此，熔合拉製玻璃基板之表面特性不受此接觸影響。
槽縫拉製製程與熔合拉製方法不同。在槽縫拉製製程中，將熔融原料玻璃提供至拉製槽。拉製槽之底部具有開口槽縫，具有延伸槽縫長度的噴嘴。熔融玻璃流動穿過槽縫/噴嘴及向下拉製為連續基板及進入退火區域中。
在一些實施例中，用於玻璃基板的組成物可與0-2莫耳%之至少一種澄清劑一起作批處理，澄清劑選自包括Na2 SO4 、NaCl、NaF、NaBr、K2 SO4 、KCl、KF、KBr及SnO2 的群組。
一旦形成，玻璃基板可經強化以形成強化玻璃基板。應注意，亦可以與玻璃基板相同的方式強化玻璃陶瓷基板。本文所使用之術語「強化基板」可指已化學強化（例如，在玻璃或玻璃陶瓷基板之表面中經由較大離子對較小離子之離子交換）的玻璃基板或玻璃陶瓷基板。然而，可使用該項技術中已知的其他強化方法（諸如熱回火）形成強化玻璃基板。
可藉由離子交換製程化學強化本文所描述之強化基板。在離子交換製程中，通常藉由將玻璃或玻璃陶瓷基板浸沒在熔融鹽浴中長達一段預定時間，玻璃或玻璃陶瓷基板之表面（或多個表面）處或附近的離子交換鹽浴中的較大金屬離子。在一個實施例中，熔融鹽浴之溫度為約400℃-430℃且預定時間為約四至約八小時。將較大離子併入玻璃或玻璃陶瓷基板中因在近表面區域中或在位於基板之表面（或多個表面）處且鄰近於表面的區域中產生壓縮應力而強化了基板。在中心區域或與基板之表面（或多個表面）間隔一段距離的區域內誘發相應拉伸應力以平衡壓縮應力。可將使用此強化製程的玻璃或玻璃陶瓷基板更特定描述為化學強化或離子交換玻璃或玻璃陶瓷基板。
在一個範例中，由熔融浴（諸如硝酸鉀鹽浴）中的鉀離子置換強化玻璃或玻璃陶瓷基板中的鈉離子，但具有較大原子半徑的其他鹼金屬離子（諸如銣或銫）可置換玻璃中的較小鹼金屬離子。根據特定實施例，可由Ag+ 離子置換玻璃或玻璃陶瓷中的較小鹼金屬離子。類似地，可在離子交換製程中使用其他鹼金屬鹽，諸如但不限於硫酸鹽、磷酸鹽、鹵化物及類似者。
在低於玻璃網狀物可鬆弛的溫度之溫度下由較大離子對較小離子之置換產生跨強化基板之表面（或多個表面）的離子分佈，此分佈產生應力輪廓。輸入離子之較大體積在表面上產生壓縮應力(compressive stress; CS)及在強化基板之中心內產生張力（中心張力或CT (central tension)）。藉由以下關係使壓縮應力與中心張力相關：
Figure 02_image001
其中t為強化玻璃或玻璃陶瓷基板之總厚度及壓縮層深度(depth of layer; DOL)為交換深度。可將交換深度描述為強化玻璃或玻璃陶瓷基板內的深度（亦即，自玻璃基板之表面至玻璃或玻璃陶瓷基板之中心區域的距離），在此深度處發生離子交換製程所促進之離子交換。
在一個實施例中，強化玻璃或玻璃陶瓷基板可具有300 MPa或更大（例如，400 MPa或更大、450 MPa或更大、500 MPa或更大、550 MPa或更大、600 MPa或更大、650 MPa或更大、700 MPa或更大、750 MPa或更大或800 MPa或更大）之表面壓縮應力。強化玻璃或玻璃陶瓷基板可具有15 μm或更大、20 μm或更大（例如，25 μm、30 μm、35 μm、40 μm、45 μm、50 μm或更大）之壓縮層深度及/或10 MPa或更大、20 MPa或更大、30 MPa或更大、40 MPa或更大（例如，42 MPa、45 MPa或50 MPa或更大）但小於100 MPa（例如，95、90、85、80、75、70、65、60、55 MPa或更小）之中心張力。在一或更多個特定實施例中，強化玻璃或玻璃陶瓷基板具有以下之一或更多者：大於500 MPa之表面壓縮應力、大於15 μm之壓縮層深度及大於18 MPa之中心張力。
不受理論束縛，咸信具有大於500 MPa之表面壓縮應力及大於約15 μm之壓縮層深度的強化玻璃或玻璃陶瓷基板通常具有比非強化玻璃或玻璃陶瓷基板（或換言之，未經離子交換或以其他方式強化的玻璃基板）更大的應變致損性。
可用於基板中的示例性玻璃可包括鹼性鋁矽酸鹽玻璃組成物或鹼性鋁硼矽酸鹽玻璃組成物，但涵蓋其他玻璃組成物。可將此類玻璃組成物特徵化為可離子交換。本文所使用之「可離子交換」係指包含組成物的基板能夠使位於基板之表面處或附近的陽離子與尺寸上較大或較小的同價陽離子交換。一個示例性玻璃組成物包含SiO2 、B2 O3 及Na2 O，其中(SiO2 +B2 O3 )≧66莫耳%及Na2 O≧9莫耳%。在一實施例中，玻璃組成物包括至少6重量%之氧化鋁。在另一實施例中，基板包括具有一或更多種鹼土氧化物的玻璃組成物，以使得鹼土氧化物之含量為至少5重量%。在一些實施例中，適宜玻璃組成物進一步包含K2 O、MgO及CaO中的至少一者。在一特定實施例中，用於基板中的玻璃組成物可包含61-75莫耳%之SiO2 ；7-15莫耳%之Al2 O3 ；0-12莫耳%之B2 O3 ；9-21莫耳%之Na2 O；0-4莫耳%之K2 O；0-7莫耳% MgO；及0-3莫耳%之CaO。
適於基板的另一示例性玻璃組成物包含：60-70莫耳%之SiO2 ；6-14莫耳%之Al2 O3 ；0-15莫耳%之B2 O3 ；0-15莫耳%之Li2 O；0-20莫耳%之Na2 O；0-10莫耳%之K2 O；0-8莫耳%之MgO；0-10莫耳%之CaO；0-5莫耳%之ZrO2 ；0-1莫耳%之SnO2 ；0-1莫耳%之CeO2 ；小於50 ppm之As2 O3 ；及小於50 ppm之Sb2 O3 ；其中12莫耳%≦(Li2 O+Na2 O+K2 O)≦20莫耳%及0莫耳%≦(MgO+CaO)≦10莫耳%。
適於基板的進一步示例性玻璃組成物包含：63.5-66.5莫耳%之SiO2 ；8-12莫耳%之Al2 O3 ；0-3莫耳%之B2 O3 ；0-5莫耳%之Li2 O；8-18莫耳%之Na2 O；0-5莫耳%之K2 O；1-7莫耳%之MgO；0-2.5莫耳%之CaO；0-3莫耳%之ZrO2 ；0.05-0.25莫耳%之SnO2 ；0.05-0.5莫耳%之CeO2 ；小於50 ppm之As2 O3 ；及小於50 ppm之Sb2 O3 ；其中14莫耳%≦(Li2 O+Na2 O+K2 O)≦18莫耳%且2莫耳%≦(MgO+CaO)≦7莫耳%。
在一特定實施例中，適於基板的鹼性鋁矽酸鹽玻璃組成物包含氧化鋁、至少一種鹼金屬及在一些實施例中大於50莫耳%之SiO2 ，在其他實施例中至少58莫耳%之SiO2 ，且在其他實施例中至少60莫耳%之SiO2 ，其中比率((Al2 O3 +B2 O3 )/∑改質劑)＞1，其中在比率中用莫耳%表示組分且改質劑為鹼金屬氧化物。在特定實施例中，此玻璃組成物包含：58-72莫耳%之SiO2 ；9-17莫耳%之Al2 O3 ；2-12莫耳%之B2 O3 ；8-16莫耳%之Na2 O；及0-4莫耳%之K2 O，其中比率((Al2 O3 +B2 O3 )/∑改質劑)＞1。
在另一實施例中，基板可包括鹼性鋁矽酸鹽玻璃組成物，此組成物包含：64-68莫耳%之SiO2 ；12-16莫耳%之Na2 O；8-12莫耳%之Al2 O3 ；0-3莫耳%之B2 O3 ；2-5莫耳%之K2 O；4-6莫耳%之MgO；及0-5莫耳%之CaO，其中：66莫耳%≦SiO2 +B2 O3 +CaO≦69莫耳%；Na2 O+K2 O+B2 O3 +MgO+CaO+SrO＞10莫耳%；5莫耳%≦MgO+CaO+SrO≦8莫耳%；(Na2 O+B2 O3 )-Al2 O3 ≦2莫耳%；2莫耳%≦Na2 O-Al2 O3 ≦6莫耳%；及4莫耳%≦(Na2 O+K2 O)-Al2 O3 ≦10莫耳%。
在一替代實施例中，基板可包含鹼性鋁矽酸鹽玻璃組成物，組成物包含：2莫耳%或更多之Al2 O3 及/或ZrO2 ，或4莫耳%或更多之Al2 O3 及/或ZrO2 。
在基板包括結晶基板的情況下，基板可包括單晶體，單晶體可包括Al2 O3 。將此類單晶基板稱為藍寶石。用於結晶基板的其他適宜材料包括多晶氧化鋁層及/或尖晶石(MgAl2 O4 )。
視情況，結晶基板可包括玻璃陶瓷基板，玻璃陶瓷基板可為強化基板或非強化基板。適宜玻璃陶瓷之範例可包括Li2 O-Al2 O3 -SiO2 系統（亦即，LAS系統）玻璃陶瓷、MgO-Al2 O3 -SiO2 系統（亦即，MAS系統）玻璃陶瓷及/或包括主晶相的玻璃陶瓷，主晶相包括β-石英固溶體、β-鋰輝石固溶體、堇青石及二矽酸鋰。可使用本文所揭示之玻璃基板強化製程強化玻璃陶瓷基板。在一或更多個實施例中，可在Li2 SO4 熔融鹽中強化MAS系統玻璃陶瓷基板，藉由Li2 SO4 熔融鹽可發生2Li+ 對Mg2+ 的交換。
根據一或更多個實施例的基板可具有自約100 μm至約5 mm範圍內的厚度。示例性基板厚度範圍自約100 μm至約500 μm（例如，100、200、300、400或500 μm）。進一步示例性基板厚度範圍自約500 μm至約1000 μm（例如，500、600、700、800、900或1000 μm）。基板可具有大於約1 mm（例如，約2、3、4或5 mm）的厚度。在一或更多個特定實施例中，基板可具有2 mm或更小或小於1 mm之厚度。可酸性研磨或以其他方式處理基板以移除或減少表面瑕疵的影響。
防指紋表面
在一或更多個實施例中，可在基板101的一個或兩個主表面110、120或基板之一或更多個次表面130、140的至少一部分上形成防指紋表面。在一些實施例中，可在基板之一個、兩個、三個或所有表面的至少一部分上形成防指紋表面。在一些情形中，可在基板101之所有一或更多個表面上形成防指紋表面。在一些實施例中，可以預定設計形成防指紋表面。舉例而言，外殼可包括佔據表面的一部分之設計，且可在表面上形成防指紋表面以覆蓋設計或鄰近於設計加以安置。可藉由安置在基板之一個主表面上的膜提供外殼上的設計且可在具有與設計相同的形狀之相對主表面上形成防指紋表面。
防指紋表面可包括紋理化表面（或已經改質而包括紋理的表面）、塗層或上述之組合（亦即，塗覆紋理化表面）。防指紋表面或包括防指紋表面的製品可展示出以下範圍內之混濁度（在透射率方面、在反射率方面或在透射率與反射率兩個方面）：自約0.5%至約40%，自約0.5%至約35%，自約0.5%至約30%，自約0.5%至約25%，自約0.5%至約20%，自約0.5%至約15%，自約1%至約20%，自約5%至約35%，自約10%至約35%，自約15%至約35%，自約20%至約35%，或自約25%至約35%。防指紋表面或包括防指紋表面的製品可展示出約20%或更大、約30%或更大或約40%或更大之透射率混濁度。透射率混濁度可至多約50%。在一或更多個實施例中，防指紋表面或包括防指紋表面的製品可展示出約20%或更大、約30%或更大或約40%或更大之反射率混濁度。在一些情形中，反射率混濁度可至多約50%。可在與鏡面成2度或與鏡面成5度處量測反射率混濁度。在一些實施例中，可根據ASTM E430量測混濁度。
在使用紋理化表面形成防指紋表面的實施例中，紋理化表面可包括安置在表面上的特徵，該等特徵為光散射的，產生粗糙度或上述之組合。可以隨機或非隨機方式在表面上直接或在表面上間接安置特徵。當表面與手指或皮膚接觸或滑動時，隨機安置之特徵可提供光滑觸感。特定而言，賦予粗糙程度的特徵可產生光滑觸感，此觸感藉由限制手指或物件與紋理化表面之接觸面積來促進手指或其他物件在表面上之滑動。
在一或更多個實施例中，紋理化表面可展示出以下範圍內之RMS粗糙度高度（亦即，在z方向上）：自約0.02微米至約10微米，自約0.02微米至約8微米，自約0.02微米至約6微米，自約0.02微米至約4微米，自約0.05微米至約2微米，自約0.05微米至約1微米，或自約0.1微米至約0.8微米。使用該項技術中已知的方法量測RMS粗糙度高度，此等方法諸如原子力顯微術(atomic force microscopy; AFM)、筆尖接觸輪廓測定法及光學干涉輪廓測定法。在具有至少約0.5 mm乘0.5 mm之尺寸的樣本表面區段上優先量測本文所描述之RMS粗糙度以擷取代表性平均值，包括自約10至約1000範圍內的典型表面特徵數目。
在一些實施例中，紋理化表面可包括低頻率特徵、大尺寸特徵或上述之組合，從而引發在紋理化結構之特徵（亦即，特徵之間所產生的凹谷中）之間收集指紋油脂。特徵之間的油脂收集減小了覆蓋有油滴的表面部分，因此減少了自指紋油脂散射的光。在此類實施例中，紋理化表面可具有自約0.05微米至約1微米範圍內之RMS粗糙度高度。
在一些實施例中，紋理化表面可具有RMS粗糙度高度，此RMS粗糙度高度大到足以顯著減少指紋油脂轉印至結構凹谷中，因此亦經由限制覆蓋有油滴的表面部分來減少光散射。此類紋理化表面可具有自約1微米至約10微米範圍內之RMS粗糙度高度。
在一些實施例中，紋理化表面包含以下範圍內之橫向空間週期（亦即，在x-y平面內方向上）：自約0.1微米至約500微米，自約0.1微米至約400微米，自約0.1微米至約300微米，自約0.1微米至約200微米，自約0.1微米至約100微米，自約0.1微米至約50微米，自約0.1微米至約10微米，自約0.5微米至約500微米，自約1微米至約500微米，自約10微米至約500微米，自約50微米至約500微米，自約100微米至約500微米，自約1微米至約100微米，或自約10微米至約50微米。
可使用已知技術量測此等粗糙度參數及表面輪廓，此等技術諸如原子力顯微術(atomic force microscopy; AFM)、筆尖接觸表面輪廓測定法、光學干涉表面輪廓測定及類似者。
可藉由諸如濕式蝕刻、乾式蝕刻、遮罩及蝕刻、光微影及類似者之多種方法形成紋理化表面。在一些實施例中，可藉由化學蝕刻基板之至少一個表面形成紋理化表面。化學蝕刻可包括在表面之選定部分上應用遮罩及藉由蝕刻噴砂或磨削移除表面之曝露部分。在一些實施例中，可藉由在表面上形成沉澱物而形成遮罩。在其他實施例中，可藉由聚合物遮罩、聚合物粒子遮罩或噴墨遮罩實現遮罩，或遮罩可使用由光微影或奈米壓印微影形成的遮罩、相分離聚合物遮罩、嵌入不可溶解聚合物遮罩中的可溶解（有機或無機）相、包括嵌入的粒子之不可溶解聚合物遮罩或上述之組合。在使用蝕刻的情況下，蝕刻劑可包含氫氟酸或氫氧化物材料，諸如KOH或NaOH加螯合劑。氫氟酸可與諸如鹽酸、硫酸、醋酸或硝酸之其他酸組合，其中需要最小化沉澱物層之形成及/或其中需要在不改變所得表面組成物下蝕刻基板之表面。在一些實施例中，可經由研磨或熱成形將具有紋理化表面的外殼形成為不同形狀，可在紋理化製程之前或之後執行此研磨或熱成形。在其他實施例中，可在形成紋理化表面之後強化（如下文所描述）具有紋理化表面的外殼。
在一或更多個實施例中，可藉由添加特徵至基板之表面而形成紋理化表面（尤其是在有機基板的情況中如此）。特徵可包括附接或黏接至表面的粒子。在一些實施例中，可使用黏著劑將粒子黏接至表面。在其他實施例中，可將粒子直接黏接至表面。粒子可具有自100奈米至約2微米範圍內之平均主尺寸。粒子可由與基板相同的材料形成或由不同材料形成。
在一或更多個實施例中，紋理化表面可包括安置在紋理化表面上的一或更多個塗層，從而形成塗覆紋理化表面。可在紋理化表面之頂部上置放塗層以提供各種功能。塗層可包括墨水塗層、硬塗層、防刮塗層、低摩擦塗層、高摩擦塗層、疏油性塗層、親油性塗層、疏水性或親水性塗層、裝飾塗層、反射塗層或抗反射塗層或展示出此等功能之組合的塗層。塗層之特具體選擇取決於電子裝置之所欲用途以及設計考慮。在一些情況中，塗層可相對較厚（例如，在防刮塗層的情況中處於自約1微米至約3微米範圍內），或可相對較薄（例如，在疏油性或親油性塗層的情況中處於自約0.5奈米至約50奈米範圍內）。
在一或更多個實施例中，紋理化表面對基板表面賦予親油性（無需在表面上安置塗層）且因此形成防指紋表面。在一或更多個實施例中，紋理化表面增強或促進某一基板之親油性，此基板諸如玻璃及一些玻璃陶瓷基板。不受理論束縛，咸信此增強親油性提供了防指紋功能，因為表面上的指紋之可見性大部分由光散射決定，而此光散射又大部分取決於指紋所留下的散射油滴的大小。諸如常用於非紋理化顯示器蓋基板中的疏油性表面傾向於產生大量指紋液滴，此等指紋液滴具有2微米或更小之平均主尺寸。如本文所使用且關於片語「平均主尺寸」，用語「平均」係指平均值及用語「主尺寸」為藉由用於量測此類液滴的光學或其他已知手段所量測之粒子的最大尺寸。此類液滴為高度光散射液滴且因此增加了指紋之可見性。相比之下，親油性表面傾向於產生尺寸大於5微米的油跡或非常寬的液滴，具有減少很多的光散射，特定而言是在與鏡面反射角相距大於約5度的散射角處的光散射。因此，咸信展示出親油性的紋理化表面提供了改良的防指紋效能。
在一些實施例中，紋理化表面包括低摩擦塗層，此塗層亦至少在一定程度上為親油性，從而形成親油塗覆紋理化表面。此類塗覆紋理化表面可提供對於手指的光滑滑動表面，而且提供油滴的一定展佈以進一步最小化光散射。在一些範例中，當抵靠碳化矽球體對立表面量測時，包括低摩擦塗層的塗覆紋理化表面展示出小於約0.3之摩擦係數。低摩擦親油塗層之範例可包括玻璃表面反應性多孔烷基矽氧烷（例如，甲基矽氧烷、乙基矽氧烷、丙基矽氧烷及類似者）、多孔苯基矽氧烷、多孔烷基矽烷、無機塗層（諸如氧化鋁、二氧化鈦、氧化鋯、氮化鈦鋁）或上述之組合。在一或更多個替代實施例中，紋理化表面可包括形成塗覆紋理化表面的高摩擦塗層。此類高摩擦塗層之範例包括烷基矽氧烷（例如，甲基矽氧烷、乙基矽氧烷、丙基矽氧烷及類似者）、苯基矽氧烷、烷基矽烷及其他類似材料。在一些範例中，當抵靠碳化矽球體對立表面量測時，具有高摩擦塗層的塗覆紋理化表面可展示出0.3或更大之摩擦係數。
在一些情形中，由於油脂、污垢及指紋聚積在紋理化表面上，裸紋理化表面（無任何塗層）展示出隨著不斷使用而減小的親油性。在一些實施例中，紋理化表面包括維持某種程度之親油性的塗層。此類塗層可包括TiO2 ，咸信TiO2 為曝露於紫外光中之後的「自清潔」材料。特定而言，在曝露於紫外光或甚至日光經由光催化後，TiO2 塗層可化學分解所吸收之油脂及污垢。
根據一或更多個實施例的外殼可不含紋理化表面，但包括形成防指紋表面的塗層。此類塗層對表面賦予親油性。
在一或更多個實施例中，防指紋表面展示出防指紋功能，以使得在手指或含有油或油酸的其他塗覆器擦拭後，表面包括具有大於約2微米、大於約5微米或大於約10微米之平均主尺寸的液滴。
亦可藉由光學方法及藉由評估包括指紋的區域及不包括指紋的區域之可見性或色移來評估紋理化表面之防指紋功能，如下文將描述。可使用已知方法且藉由以下步驟決定此可見性或色移：在黑色、白色或有色背景上（或疊層至有色材料）置放具有防指紋表面的外殼，其中使與防指紋表面相對的表面接觸背景；以及，自特定照射角度或角度範圍照射紋理化表面。可使用來自寬頻帶光源（諸如在包括一些影像投影儀的許多光學裝置中發現的寬頻帶光源）的準直或半準直光束照射紋理化表面。施照體可包括由CIE決定的標準施照體，包括A施照體（表示鎢燈絲發光）、B施照體（表示模擬日光施照體）、C施照體（表示模擬日光施照體）、D系列施照體（表示自然光）及F系列施照體（表示各種類型螢光發光）。隨後以隨機方式或受控方式向防指紋表面施加指紋。受控方式可包括使用合成指紋複製品，在浸油布上用受控力按壓合成指紋複製品，隨後用受控力將複製品按壓至玻璃測試樣本上。隨後使用攝影機系統及軟體評估所得指紋之光學可見性，此攝影機系統及軟體可比較樣本之指紋區域與非指紋區域之亮度及/或色彩位準。可需要在參照鏡面反射角度（亦即，入射光源之鏡面反射角）的不同角度處收集時比較此等影像。舉例而言，可在與光源之鏡面反射角相距5度、10度、20度、30度、40度、50度或60度處收集影像。可隨後處理此等影像以比較指紋區域與非指紋區域之亮度及色彩。可需要針對給定指紋區域（例如，指紋區域的10%、20%或50%）平均化至少10個亮度及色值以減小量測雜訊。
可藉由以下方程式計算基於亮度的可見性，其中下標1指示包括指紋的區域且下標2指示無指紋的區域：差(亮度1 -亮度2 )之絕對值除以和(亮度1 +亮度2 )。在一些實施例中，紋理化表面展示出在某些選定角度處小於約0.99、小於約0.95、小於約0.8、小於約0.7、小於約0.6、小於0.5、小於0.25、小於0.2、小於0.1、小於0.05之可見性。
如上文所描述，可藉由比較紋理化玻璃之指紋區域與非指紋區域之色彩點評估色移。本文所使用之片語「色移」係指在CIE L*、a*、b*色度測定系統下反射率或透射率方面的a*與b*值兩者的變化。特定而言，在某些選定角度處，將色移評估為b*值的變化或a*值的變化，或以下方程式：                                                           √((a1 *-a2 *)2 +(b1 *-b2 *)2 )，其中下標1指示包括指紋的區域且下標2指示無指紋的區域。在一或更多個實施例中，如上文所描述，在對紋理化表面施加指紋後，紋理化表面展示出小於約20、小於約10、小於約5、小於約2、小於約1或小於約0.2之色移。
外殼
在一或更多個實施例中，外殼可為透明、半透明或不透明。在透明外殼之實施例中，此類外殼可展示出在可見光譜上約80%或更大、85%或更大、90%或更大或95%或更大之平均總透射率（考慮外殼之內表面與外表面兩者）。在一些情形中，外殼可展示出在可見光譜上自約80%至約96%、自約80%至約94%或自約80%至約92%範圍內之平均總透射率。將本文所使用之術語「透射率」定義為在給定波長範圍內穿透材料（例如，外殼或外殼的多個部分）之入射光功率之百分比。使用特定線寬量測透射率。在一或更多個實施例中，透射率之特徵化之光譜解析度為小於5 nm或0.02 eV。本文所使用之「可見光譜」包括自約420 nm至約700 nm之波長範圍。
在一些實施例中，外殼可為半透明且可展示出自約20%至約80%、自約25%至約80%、自約30%至約80%、自約35%至約80%、自約40%至約80%、自約45%至約80%、自約30%至約75%、自約30%至約70%、自約30%至約65%或自約30%至約60%範圍內之平均總透射率。在替代實施例中，外殼可為不透明且具有小於約20%之平均總透射率。在一或更多個實施例中，外殼容許自電子裝置內的一些光透射（即使當外殼並未覆蓋顯示器時如此）。在此類實施例中，外殼可容許電子裝置之內部組件之檢視，或可合併光伏打組件，此光伏打組件可用於為電子裝置充電。
在一或更多個實施例中，外殼亦展示出4點彎曲強度、剛度或楊氏模數、硬度、裂紋壓痕閾值、導熱率及強度（就壓縮層深度(depth of compressive layer; DOL)、表面壓縮應力及中心張力而言）。
在一或更多個實施例中，外殼容許無線資料傳輸或無線充電能之透射。在一些實施例中，外殼展示出由小於0.03之損耗正切值所界定且處於15 MHz至3.0 GHz之間頻率範圍之無線電及微波兩者頻率透明度。在另一示例性實施例中，製品（特定而言為電子裝置外殼）展示出在500 MHz至3.0 GHz之間頻率範圍上由小於0.015之損耗正切值所界定之無線電及微波頻率透明度。此無線電及微波頻率透明度特徵對於在外殼內部包括天線的無線手持裝置尤其重要。此無線電及微波透明度允許無線訊號穿過外殼/外罩殼且在一些情況中增強此等透射。此外，亦可需要在紅外中為透明以允許電子裝置之間的無線光學通訊；特定而言，在自約750至約2000 nm範圍內之波長處具有大於80%之紅外透明度。在其他實施例中，外殼容許磁場及/或電感場之透射。
外殼亦可展示出與攜帶型電子裝置一起使用的各種機械屬性。舉例而言，外殼之一些實施例展示出以下之任何一者或更多者：大於0.6 MPa•m½ 之斷裂韌度，大於350 MPa之4點彎曲強度，至少600 kgf/mm2 之維氏硬度及至少5 kgf之維氏中值/徑向裂紋形成閾值，自約50 GPa至約100 GPa範圍內之楊氏模數，小於2.0 W/m℃之導熱率。在一些實施例中，外殼展示出超過0.6 MPa•m½ 之斷裂韌度、上述維氏硬度/壓痕閾值及4點彎曲強度之組合。在一或更多個實施例中，外殼展示出大於0.70 MPa•m½ 之斷裂韌度及大於475 MPa或大於525 MPa之4點彎曲強度及自約50 GPa至約75 GPa範圍內之楊氏模數。
本文所描述之外殼可在產生壓痕時主要因緻密化而非因剪切缺陷造成的變形。在一些實施例中，外殼在變形後不含表面下缺陷及徑向裂紋。在一些實施例中，諸如在所用基板為強化基板時，所得外殼更能抵抗因剪切缺陷造成的裂紋形成。在一個實施例中，外殼包含強化基板且展示出至少5公斤力(kilogram force; kgf)之維氏中值/徑向裂紋形成閾值。在第二實施例中，外殼具有至少約10 kgf或至少約30 kgf之維氏中值/徑向裂紋形成閾值。
在一或更多個實施例中，外殼展示出小於2 W/m℃之導熱率，且因此即使在高操作溫度（例如，接近100℃之溫度）下仍對觸摸保持冰冷。在一些實施例中，外殼展示出小於1.5 W/m℃之導熱率。為了比較，諸如氧化鋁之陶瓷可展示出高達29 W/m℃之導熱率。 範例
將藉由以下範例進一步闡明各種實施例。 範例1
由玻璃基板形成八個外殼，玻璃基板具有的組成物包括約68莫耳%之SiO2 、3.5莫耳%之B2 O3 、13莫耳%之Al2 O3 、13.5莫耳%之Na2 O及約2莫耳%之MgO。在一個主表面上噴砂七個基板繼之以化學蝕刻，以形成展示出各種混濁度位準（例如，7%、12%、18%、22%、27%、30%及40%）之紋理化表面。噴砂製程所用玻璃珠具有自約1微米至約100微米範圍內之主尺寸，在具有約30 psi之壓力的強制空氣中挾帶此等玻璃珠。對基板之主表面噴砂長達一段充足的持續時間（例如，自約1分鐘至約20分鐘）且隨後使用HF作為蝕刻劑蝕刻此主表面，以產生各種混濁度位準（其中使用較長噴砂時間實現較低混濁度位準）。七個基板之各者包括相對非紋理化主表面。一個基板不被蝕刻且將此基板用作對照。如第2圖所示，對比波長(nm)繪示各外殼之紋理化表面及非紋理化表面兩者之總反射率（包括鏡面反射率及漫反射率）。如第2圖所示，總反射率並未隨混濁度變化而顯著變化。第3圖圖示對比波長(nm)繪示之各外殼之紋理化表面及非紋理化表面兩者之漫反射率。如第3圖所示，漫反射率中的變化隨混濁度增加而增加，但不一定按比例增加。舉例而言，具有18%混濁度、22%混濁度及27%混濁度的外殼具有大致相同的漫反射率，且具有7%混濁度及12%混濁度的外殼具有大致相同的漫反射率。
在D65施照體下以相同角度（相對於彼此）量測八個外殼之紋理化表面及非紋理化表面兩者之由CIE L*、a*、b*色度測定系統（及標準文獻）描述的總反射率a*與b*色值及漫反射率（在靶色彩坐標之約0.25之半徑內，例如具有零透射混濁度的基板）a*與b*色值。第4圖圖示一系列透射混濁度位準的所繪示a*與b*值。
在D65施照體下以相同角度（相對於彼此）量測八個外殼之紋理化表面及非紋理化表面兩者之總透射a*與b*色值。第5圖圖示所繪示a*與b*值。
第6圖圖示在某些選定角度處的對照外殼對比具有紋理化表面的七個外殼之使用以下方程式所計算總反射率色移及漫反射率色移：√((a對照 *-a混濁度 *)2 +(b*對照 -b混濁度 *)2 )，其中下標「對照」指示對照外殼及下標「混濁度」指示具有一定混濁度的紋理化表面的外殼。如第6圖所示，在所有情形中，色移皆小於1，指示紋理化表面未對外殼賦予任何顯著色彩。
第7圖圖示在某些選定角度處的對照外殼對比具有紋理化表面的七個外殼之使用以下方程式的總透射率色移(「DC*」)：DC*=√((a對照 *-a混濁度 *)2 +(b*對照 -b混濁度 *)2 )，其中下標「對照」指示對照外殼及下標「混濁度」指示具有一定混濁度的紋理化表面的外殼。第7圖亦圖示在某些選定角度處的對照外殼對比具有紋理化表面的七個外殼之使用以下方程式的總透射率色移(「DE*」)（考慮到色彩坐標L*）：DE*=√((L對照 *-L混濁度 *)+(a對照 *-a混濁度 *)2 +(b*對照 -b混濁度 *)2 )，其中下標「對照」指示對照外殼及下標「混濁度」指示具有一定混濁度的紋理化表面的外殼。如第7圖所示，在所有情形中，色移皆小於1，指示紋理化表面未對外殼賦予任何顯著色彩。
可對本文所描述之材料、方法及製品實行各種修改及變化。本文所描述之材料、方法及製品之其他態樣將自本文所揭示之材料、方法及製品之技術規範及實務之考慮顯而易見。意欲將技術規範及範例視為示例性。
100:外殼 101:基板 110:主表面 120:主表面 130:次表面 140:次表面
第1圖係根據一或更多個實施例的外殼之側視圖；
第2圖係繪示對照外殼及展示出不同透射混濁度位準的多個外殼之總反射率對比波長之曲線圖；
第3圖係繪示第2圖所示外殼之漫反射率對比波長之曲線圖；
第4圖係繪示第2圖所示外殼之總反射率a*與b*色值及漫反射率a*與b*色值之圖表；
第5圖係繪示第2圖所示外殼之總透射率a*與b*色值之圖表；
第6圖係繪示第2圖所示外殼之總反射率色移對比透射率混濁度及漫反射率色移對比透射率混濁度之曲線圖；及
第7圖係繪示第2圖所示外殼之總透射色移對比透射率混濁度及總透射率色移（考慮色值L*）對比透射率混濁度之曲線圖。
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100:外殼
101:基板
110:主表面
120:主表面
130:次表面
140:次表面

Claims (9)

  1. 一種電子裝置外殼，包含： 一基板，包含一防指紋表面，其中該防指紋表面包含賦予親油性的一紋理化表面，且該紋理化表面進一步包含： 一RMS粗糙度高度，其處於自0.05微米至10微米範圍內， 其中，當將一指紋施加至該防指紋表面時，該防指紋表面展示出小於約0.95之一可見性及小於約20之一色移的任一者或兩者， 其中該可見性是由以下方程式來評估： (亮度1 -亮度2 )/(亮度1 +亮度2 )， 其中亮度1 為具有指紋的區域的亮度，而亮度2 為無指紋的區域的亮度， 其中該色移是由以下方程式來評估：
    Figure 03_image003
    ， 其中在CIE L*、a*、b*色度測定系統下，a1 *及a2 *分別為該具有指紋的區域與該無指紋的區域的a*值，且b1 *及b2 *分別為該具有指紋的區域與該無指紋的區域的b*值；及 其中該外殼展示出以下之任何一者或更多者： 由小於0.03之一損耗正切值(loss tangent)所界定且處於15 MHz至3.0 GHz之間一頻率範圍的無線電及微波頻率透明度， 磁場透明度， 電感場透明度，及 紅外透明度。
  2. 如請求項1所述之電子裝置外殼，其中該外殼展示出以下之任何一者或更多者： 大於0.60 MPa•m½ 之一斷裂韌度； 大於350 MPa之一4點彎曲強度； 至少450 kgf/mm2 之一維氏硬度； 至少5 kgf之一維氏中值/徑向裂紋形成閾值； 自約50 GPa至約100 GPa範圍內之一楊氏模數；及 小於2.0 W/m℃之一導熱率。
  3. 如請求項1或請求項2所述之電子裝置外殼，其中該防指紋表面進一步包含一塗覆表面。
  4. 如請求項3所述之電子裝置外殼，進一步展示出自約0.5%至約40%範圍內之一混濁度。
  5. 如請求項1或請求項2所述之電子裝置外殼，其中該外殼展示出在自約400 nm至約750 nm之一波長範圍上或自約750 nm至約2000 nm之一波長範圍上的約80%或更大之一平均透射率。
  6. 如請求項1或請求項2所述之電子裝置外殼，其中該基板包含一非晶基板或一結晶基板。
  7. 如請求項6所述之電子裝置外殼，其中該非晶基板包含一鹼石灰玻璃、一鹼性鋁矽酸鹽玻璃、一含鹼硼矽酸鹽玻璃及一鹼性鋁硼矽酸鹽玻璃之任一者，其中該非晶基板包含以下之任何一者或更多者： 一壓縮表面層，具有大於或等於20 μm之一層深度(DOL)， 大於400 MPa之一壓縮應力，以及 大於20 MPa之一中心張力。
  8. 如請求項6所述之電子裝置外殼，其中該結晶基板包含一強化玻璃陶瓷基板、一非強化玻璃陶瓷基板或一單晶基板。
  9. 一種電子裝置，該電子裝置包括如請求項1或請求項2所述之電子裝置外殼，該電子裝置係選自一行動電話、一平板電腦、一膝上型電腦及一媒體播放器。
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