TW202208882A - 用於顯示器製品的包含具有主表面特徵及賦予表面粗糙度而增加表面散射的次表面特徵的紋理化區域的防眩基板 - Google Patents

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Abstract

本文描述了一種用於一顯示器製品之基板，該基板包括(a)一主表面；及(b)位於該主表面之至少一部分上的一紋理化區域；該紋理化區域包含：(i)主表面特徵，每個主表面特徵包含一周長，該周長平行於一基面，該基面延伸穿過該基板安置於該紋理化區域下方，其中該等主表面特徵中之每一個之該周長包含至少5 µm的一最長尺寸；及(ii)一或多個區段，每個區段包含次表面特徵，該等次表面特徵具有在5 nm至100 nm之一範圍內的一表面粗糙度(Ra )。在一些情況下，該等表面特徵之一配置反映一隨機分佈。揭示了一種用於形成一基板之方法。

Description

用於顯示器製品的包含具有主表面特徵及賦予表面粗糙度而增加表面散射的次表面特徵的紋理化區域的防眩基板
優先權主張
本申請案主張2020年7月9日提交的美國臨時申請案第63/049,843號之優先權權益，該臨時申請案之內容以引用方式整體併入本文中。 相關申請案之交叉引用
本申請案係關於以下所共同擁有並受讓的專利申請案，但並不主張該等專利申請案之優先權：美國專利申請案序列第__________ (D31977)號，名稱為「TEXTURED REGION TO REDUCE SPECULAR REFLECTANCE INCLUDING A LOW REFRACTIVE INDEX SUBSTRATE WITH HIGHER ELEVATED SURFACES AND LOWER ELEVATED SURFACES AND A HIGH REFRACTIVE INDEX MATERIAL DISPOSED ON THE LOWER ELEVATED SURFACES」且提交於______________；美國專利申請案序列第__________ (D32630/32632)號，名稱為「TEXTURED REGION OF A SUBSTRATE TO REDUCE SPECULAR REFLECTANCE INCORPORATING SURFACE FEATURES WITH AN ELLIPTICAL PERIMETER OR SEGMENTS THEREOF, AND METHOD OF MAKING THE SAME」且提交於______________；美國專利申請案序列第__________ (D32647)號，名稱為「DISPLAY ARTICLES WITH DIFFRACTIVE, ANTIGLARE SURFACES AND THIN, DURABLE ANTIREFLECTION COATINGS」且提交於______________；及美國專利申請案序列第__________ (D32623)號，名稱為「DISPLAY ARTICLES WITH DIFFRACTIVE, ANTIGLARE SURFACES AND THIN, DURABLE ANTIREFLECTION COATINGS」且提交於______________。前述美國專利申請案、公開案及專利文件中之每一者之全部揭露內容以引用方式併入本文中。
本揭露係關於一種用於顯示器製品之防眩基板，其中該防眩基板包括具有主表面特徵及賦予表面粗糙度而增加表面散射的次表面特徵的紋理化區域。
對可見光透明的基板經利用以覆蓋顯示器製品之顯示器。此類顯示器製品包括智慧型手機、平板電腦、電視、電腦監視器及類似物。顯示器通常係液晶顯示器、有機發光二極體等其他顯示器。基板保護顯示器，同時基板之透明性允許裝置之使用者觀看顯示器。
反射周圍光、尤其是鏡面反射的基板降低使用者透過基板觀看顯示器之能力。鏡面反射在此上下文中係周圍光自基板像鏡面一樣反射。例如，基板可將自物件反射或由物件發出的可見光反射至裝置周圍的環境中。自基板反射的可見光降低自顯示器穿過基板透射至使用者之眼睛的光之對比度。在一些視角下，使用者看見的是鏡面反射影像，而非顯示器發出的可見光。因此，已嘗試減少可見周圍光自基板的鏡面反射。
已嘗試藉由將基板之反射表面紋理化來減少自基板的鏡面反射。所得表面有時稱為「防眩表面」。例如，對基板之表面進行噴砂及液體蝕刻可將表面紋理化，這通常致使表面漫反射而非鏡面反射周圍光。漫反射通常意指表面仍反射相同的周圍光，但反射表面之紋理在反射時散射光。漫反射愈多，對使用者看見顯示器發出的可見光之能力的干涉就愈小。
此類紋理化方法(即，噴砂及液體蝕刻)在表面上產生具有不精確及不可重複幾何形狀的特徵(該等特徵提供紋理)。經由噴砂及液體蝕刻形成的一個基板之紋理化表面之幾何形狀永遠不可能與經由噴砂及液體蝕刻形成的另一個基板之紋理化表面之幾何形狀相同。通常，只有對基板之紋理化表面之表面粗糙度(即，Ra )的統計量化係紋理化之可重複目標。
存在藉助來判斷「防眩」表面之品質的多個度量。彼等度量包括：(1)影像清晰度，(2)像素功率偏差，(3)表觀莫耳干涉條紋，(4)透射霧度，(5)鏡面反射及(6)反射色彩假影。影像清晰度，更恰當地稱為反射影像清晰度，係對自表面反射的影像呈現的清晰度程度的量度。影像清晰度愈低，紋理化表面漫反射而非鏡面反射就愈多。表面特徵可放大顯示器之各種像素，這使使用者觀看的影像失真。像素功率偏差，亦稱為「閃爍」，係對此種效應的量化。像素功率偏差愈低愈好。莫耳干涉條紋係大規模干涉圖案，該等干涉圖案若可見，則使使用者看見的影像失真。較佳地，紋理化表面不產生表觀莫耳干涉條紋。透射霧度係對紋理化表面漫射多少顯示器透射穿過基板時發出的可見光的量度。透射霧度愈大，顯示器呈現的銳度就愈小(即，降低的表觀解析度)。鏡面反射減少同樣係對自紋理化表面反射的周圍光有多少是鏡面反射的量度。鏡面反射愈少愈好。反射色彩假影係一種色像差，其中紋理化表面在反射時作為波長之函數繞射光——這意指反射光雖然相對漫射，但看起來係按色彩分割的。紋理化表面產生的反射色彩假影愈少愈好。在下面更詳細地討論此等屬性中之一些。
僅以特定表面粗糙度為目標不能同時優化彼等度量中之全部。噴砂及液體蝕刻產生的相對高的表面粗糙度可能足以將鏡面反射轉化成漫反射。然而，高表面粗糙度可另外產生高透射霧度及像素功率偏差。相對低的表面粗糙度雖然降低了透射霧度，但可能無法將鏡面反射充分轉化成漫反射——使紋理化之「防眩」目的不能達成。
因此，需要一種提供基板之紋理化區域之新方法——在基板之間可再現的方法且致使紋理化表面充分漫反射而非鏡面反射周圍光以便達成「防眩」 (即，低影像清晰度、低鏡面反射)但同時亦給予低像素功率偏差、低透射霧度及低反射色彩假影的方法。
本揭露提供一種新方法，該方法根據預定放置在紋理化區域中特定地放置具有特定幾何形狀之主表面特徵。該等主表面特徵導致基板反射而不是漫反射，且在基板之間可再現，因為每個主表面特徵之放置都是設計使然。另外，向紋理化區域中併入次表面特徵以將表面粗糙度增加至一定範圍內。增加之表面粗糙度向紋理化區域賦予表面散射，這通常降低像素功率偏差及鏡面反射以及有時還有影像清晰度。
根據本揭露之第一態樣，一種用於一顯示器製品之基板，該基板包含：(a)一主表面；及(b)位於該主表面之至少一部分上的一紋理化區域；該紋理化區域包含：(i)主表面特徵，每個主表面特徵包含一周長，該周長平行於一基面，該基面延伸穿過該基板安置於該紋理化區域下方，其中該等主表面特徵中之每一個之該周長包含至少5 µm的一最長尺寸；及(ii)一或多個區段，每個區段包含次表面特徵，該等次表面特徵具有在5 nm至100 nm之一範圍內的一表面粗糙度(Ra )。
根據本揭露之第二態樣，如第一態樣所述之基板，其中該等表面特徵形成一圖案。
根據本揭露之第三態樣，如第一至第二態樣中任一項所述之基板，其中該等主表面特徵中之每一個之該最長尺寸大致相同。
根據本揭露之第四態樣，如第一至第三態樣中任一項所述之基板，其中該等表面特徵之一配置反映一隨機分佈。
根據本揭露之第五態樣，如第一至第四態樣中任一項所述之基板，其中每個主表面特徵之該周長係橢圓的。
根據本揭露之第六態樣，如第一至第四態樣中任一項所述之基板，其中每個主表面特徵之該周長係圓形。
根據本揭露之第七態樣，如第一至第四態樣中任一項所述之基板，其中每個主表面特徵提供一表面，且該表面係凹面或凸面的。
根據本揭露之第八態樣，如第一至第七態樣中任一項所述之基板，其中該紋理化區域進一步包含：一環繞部分，該環繞部分中設置有該等主表面特徵或突出有該等主表面特徵。
根據本揭露之第九態樣，如第一至第八態樣中任一項所述之基板，其中(i)彼此相鄰的該等主表面特徵所具有的周長分開在1 µm至100 µm之一範圍內的一距離；且(ii)彼此相鄰的該等主表面特徵分開在5 µm至150 µm之一範圍內的一中心到中心距離。
根據本揭露之第十態樣，如第一至第九態樣中任一項所述之基板，其中該等主表面特徵中之每一個包含在0.05 μm至0.50 μm之一範圍內的垂直於該基面的一標高變化。
根據本揭露之第十一態樣，如第一至第六及第八至第十態樣中任一項所述之基板，其中(i)每個主表面特徵提供一表面，且(ii)該等次表面特徵係安置於該等主表面特徵之該等表面上。
根據本揭露之第十二態樣，如第一至第六、第九及第十態樣中任一項所述之基板，其中該紋理化區域進一步包含：一環繞部分，該環繞部分中設置有該等主表面特徵或突出有該等主表面特徵；其中每個主表面特徵提供一表面，其中該等次表面特徵係安置於該環繞部分以及該等主表面特徵之該等表面二者上，且其中該等主表面特徵之該等表面處的該表面粗糙度小於該環繞部分處的該表面粗糙度。
根據本揭露之第十三態樣，如第一至第六、第九及第十態樣中任一項所述之基板，進一步包含：一環繞部分，該環繞部分中設置有該等主表面特徵或突出有該等主表面特徵；其中該等次表面特徵係安置於該等主表面特徵之該等表面上而不是該環繞部分上。
根據本揭露之第十四態樣，如第一至第十三態樣中任一項所述之基板，其中該基板包含一玻璃或一玻璃陶瓷。
根據本揭露之第十五態樣，如第一至第十四態樣中任一項所述之基板，其中(i)該紋理化區域展現出在1.5%至3.5%之一範圍內的一透射霧度；(ii)該紋理化區域展現出在1.5%至3.5%之一範圍內的一像素功率偏差；(iii)該紋理化區域展現出在2.0%至5.0%之一範圍內的一影像清晰度；且(iv)該紋理化區域展現出在5 GU至20 GU之一範圍內的一鏡面反射率。
根據本揭露之第十六態樣，一種形成一基板之一紋理化區域之方法，該方法包含以下步驟：(i)根據每個主表面特徵之一預定位置將主表面特徵形成至一基板之一主表面中，從而形成一紋理化區域，每個主表面特徵包含一最大尺寸，該最大尺寸平行於一基面，該基面穿過該基板安置於該主表面下方至少5 µm；及(ii)將次表面特徵形成至該紋理化區域之一或多個區段中，從而將該一或多個區段之表面粗糙度(Ra )增加至在5 nm至100 nm之一範圍內。
根據本揭露之第十七態樣，如第十六態樣所述之方法，進一步包含以下步驟：利用一間距分佈演算法來判定每個主表面特徵之該位置。
根據本揭露之第十八態樣，如第十六至第十七態樣中任一項所述之方法，其中將該等主表面特徵形成至該主表面中包含以下步驟：在一蝕刻遮罩安置於該主表面上時用一蝕刻劑接觸該主表面以僅允許選擇性地蝕刻該基板來形成該等主表面特徵。
根據本揭露之第十九態樣，如第十八態樣所述之方法，其中(i)該蝕刻劑包含氫氟酸及硝酸；且(ii)該蝕刻劑接觸該基板持續在10秒至60秒之一範圍內的一時間週期。
根據本揭露之第二十態樣，如第十六至第十九態樣中任一項所述之方法，進一步包含：藉由將安置於該基板之該主表面上的一光阻劑材料曝露於一固化劑同時將一微影遮罩安置於該光阻劑材料上來形成該蝕刻遮罩，該微影遮罩包含材料及空隙，該等空隙穿過該材料用於選擇性地將該光阻劑材料之部分曝露於該固化劑，其中該微影遮罩之該等空隙係根據該等主表面特徵之該預定位置來定位。
根據本揭露之第二十一態樣，如第十六至第二十態樣中任一項所述之方法，其中將次表面特徵形成至該紋理化區域之一或多個區段中包含以下步驟：用不同於用來形成該等主表面特徵的該蝕刻劑的一第二蝕刻劑接觸該基板之該紋理化區域。
根據本揭露之第二十二態樣，如第十六至第二十一態樣中任一項所述之方法，其中該第二蝕刻劑包含乙酸及氟化銨。
根據本揭露之第二十三態樣，如第十六至第二十二態樣中任一項所述之方法，其中(i)將該等主表面特徵形成至該主表面中包含以下步驟：在一蝕刻遮罩安置於該主表面上時用一蝕刻劑接觸該主表面以僅允許選擇性地蝕刻該基板來形成該等主表面特徵，且(ii)將次表面特徵形成至該紋理化區域之一或多個區段中包含以下步驟：在用來形成該等主表面特徵的該蝕刻遮罩保留於該基板上時，用不同於用來形成該等主表面特徵的該蝕刻劑的一第二蝕刻劑接觸該基板之該紋理化區域之該一或多個區段。
現在參考第1圖，顯示器製品10包括基板12。在實施例中，顯示器製品10進一步包括基板12耦合至的外殼14及位於外殼14內的顯示器16。在此類實施例中，基板12至少部分地覆蓋顯示器16，使得顯示器16發出的光透射穿過基板12。
基板12包括主表面18、界定於主表面18上的紋理化區域20及主表面18部分接界的厚度22。主表面18總體面向環繞顯示器製品10的外部環境24且背向顯示器16。顯示器16發出可見光，該可見光透射穿過基板12之厚度22，離開主表面18並進入外部環境24中。
現在參考第2圖至第5圖，在實施例中，紋理化區域20包括主表面特徵26。基面28在紋理化區域20下方延伸穿過基板12。基面28提供概念參考點且不是結構特徵。每個主表面特徵26包括周長30。周長30平行於基面28。周長30具有最長尺寸32。例如，在第2圖所例示的實施例中，周長30係六角形的，且因此周長30之最長尺寸32係六角形周長30之長對角線。最長尺寸32亦平行於基面28。每個主表面特徵26之最長尺寸32為至少5 µm。周長30之形狀可設定成不是六角形。在實施例中，主表面特徵26中之每一個之周長30係多邊形。在實施例中，主表面特徵26中之每一個之周長30係橢圓的(參見例如第4圖)。在其他實施例中，主表面特徵26中之每一個之周長30係圓形。
另外，紋理化區域20進一步包括具有次表面特徵36的一或多個區段34。次表面特徵36小於主表面特徵26。次表面特徵36向紋理化區域20之一或多個區段34賦予表面粗糙度。所賦予的表面粗糙度為5 nm、10 nm、15 nm、20 nm、25 nm、30 nm、35 nm、40 nm、45 nm、50 nm、55 nm、60 nm、65 nm、70 nm、75 nm、80 nm、85 nm、90 nm、95 nm、或100 nm或在由彼等值中之任何兩個限定的任何範圍(例如，5 nm至100 nm等等)內。如本文所用，表面粗糙度(Ra )係用原子力顯微鏡以5 µm × 5 µm掃描大小測量的，該原子力顯微鏡諸如由Seiko Instruments Inc. (Chiba, Japan)所分佈的NanoNavi控制站控制的原子力顯微鏡。與其他類型的表面粗糙度值諸如Rq 相反，表面粗糙度(Ra )係與所測量粗糙度輪廓之平均線的偏差之絕對值之算術平均數。
主表面特徵26中之每一個之位置、周長30及最長尺寸32係設計使然，與經由噴砂或開放蝕刻(即，沒有遮罩的蝕刻，它將定義每個表面特徵之放置)的表面特徵之完全不受控制及巧合放置相反。在諸如第2圖所例示的彼等實施例之實施例中，主表面特徵26形成圖案。換言之，一群主表面特徵26之位置在紋理化區域20處重複。第2圖所例示的實施例係六角形圖案。在實施例中，主表面特徵26中之每一個之最長尺寸32在製造公差內大致相同或相同。
在諸如第4圖所例示的彼等實施例之其他實施例中，主表面特徵26不形成圖案——亦即，表面特徵之配置反映隨機分佈。為了不形成圖案，主表面特徵26可在某些約束內隨機分佈，該等約束諸如會變化但不大於最小值的中心到中心距離38。另外，為了不形成圖案，每個主表面特徵26之最長尺寸32可彼此不平行地對齊。避免將主表面特徵26配置成非圖案的原因是避免紋理化區域20以莫耳條紋干涉圖案反射周圍光。當主表面特徵26形成圖案時，可能的後果是在反射周圍光時產生莫耳條紋干涉圖案。
主表面特徵26中之每一個包括面向外部環境24的表面40。基板12之位於紋理化區域20處的主表面18包括主表面特徵26提供的所有表面40。在諸如第3圖及第4圖所例示的彼等實施例之實施例中，每個主表面特徵26之表面40係凹面的。在其他實施例中，每個主表面特徵26之表面40係凸面的。在實施例中，紋理化區域20之一些主表面特徵26之表面40係凹面的，而紋理化區域20之另一些主表面特徵26之表面40係凸面的。在實施例中，紋理化區域20之每個主表面特徵26之表面40係平面的且平行於基面28。
在實施例中，紋理化區域20進一步包括環繞部分42 (參見例如第4圖及第5圖)。在實施例中，主表面特徵26自環繞部分42遠離基面28並朝向外部環境24突出。在實施例中，主表面特徵26朝向基面28並遠離外部環境24設置至環繞部分42中。在製造能力內，環繞部分42離基面28之標高44 (參見第13A圖)可以係相對恆定的。在製造能力內，主表面特徵26之表面40之標高46 (參見第13A圖)可全部大致相同。紋理化區域20可因此具有雙模式表面結構——一或多個表面(例如，主表面特徵26之表面40)具有一個平均標高(例如，標高46)，且一或多個表面(例如，由環繞部分42提供的表面)具有第二平均標高(例如，標高44)。
在實施例中，相鄰的主表面特徵26之周長30分開距離48 (例如，壁到壁距離)。在實施例中，距離48為1 µm、2 µm、3 µm、4 µm、5 µm、6 µm、7 µm、8 µm、9 µm、10 µm、15 µm、20 µm、25 µm、30 µm、35 µm、40 µm、45 µm、50 µm、55 µm、60 µm、65 µm、70 µm、75 µm、80 µm、85 µm、90 µm、95 µm、或100 µm或在由彼等值中之任何兩個限定的任何範圍(例如，25 µm至75 µm、50 µm至60 µm、1 µm至100 µm等等)內。在實施例中，相鄰的主表面特徵26所分開的中心到中心距離38為5 µm、6 µm、7 µm、8 µm、9 µm、10 µm、15 µm、20 µm、25 µm、30 µm、35 µm、40 µm、45 µm、50 µm、55 µm、60 µm、65 µm、70 µm、75 µm、80 µm、85 µm、90 µm、95 µm、100 µm、110 µm、120 µm、130 µm、140 µm或150 µm或在由彼等值中之任何兩個限定的任何範圍(例如，100 µm至150 µm、5 µm至150 µm等等)內。
每個主表面特徵26具有垂直於基面28的標高50之變化。對於凸面的或自環繞部分42突起的主表面特徵26，標高50之變化是主表面特徵26之高度。對於凹面的或設置至環繞部分42中的主表面特徵26，標高50之變化是主表面特徵26之深度。在實施例中，每個主表面特徵26之標高50之變化相同或大致相同(變化25%或更小)。在實施例中，每個主表面特徵26之標高50之變化為0.05 µm、0.10 µm、0.15 µm、0.20 µm、0.25 µm、0.30 µm、0.35 µm、0.40 µm、0.45 µm或0.50 µm或在由彼等值中之任何兩個限定的任何範圍(例如，0.05 µm至0.50 µm等等)內。當紋理化區域20提供以標高之雙模式分佈構造的表面時，標高50之變化是兩個標高之間的距離。
在實施例中，包括次表面特徵36的一或多個區段34包括主表面特徵26之表面40。換言之，在彼等實施例中，次表面特徵36安置於主表面特徵26之表面40上。在實施例中，次表面特徵36安置於主表面特徵26之表面40上而不是環繞部分42上。
在實施例中，包括次表面特徵36的一或多個區段34包括環繞部分42及主表面特徵26之表面40。換言之，在彼等實施例中，次表面特徵36安置於環繞部分42以及主表面特徵26之表面40二者上。在實施例中，包括次表面特徵36的一個區段34與紋理化區域20同延，這意指次表面特徵36安置於整個紋理化區域20中。在實施例中，主表面特徵26之表面40處的表面粗糙度(Ra )小於環繞部分42處的表面粗糙度。
透過調整主表面特徵26之參數，諸如標高50之變化、最長尺寸32、周長30之形狀、及中心到中心距離38以及次表面特徵36之添加，可優化紋理化區域20產生的影像清晰度、像素功率偏差及透射霧度。一般而言，僅主表面特徵26之併入將致使紋理化區域20以較低影像清晰度反射周圍光，但以較高像素功率偏差及較高透射霧度透射來自顯示器16的光。主表面特徵26之標高50之變化愈大，此等主表面特徵對影像清晰度、像素功率偏差及透射霧度的影響就愈大。次表面特徵36之併入減輕主表面特徵26可能對像素功率偏差產生的負面影響。次表面特徵36賦予的表面粗糙度增加紋理化區域20之散射。此增加的散射增加紋理化區域20在反射周圍光時產生的漫反射之量，從而進一步降低鏡面反射並同時恢復(降低)像素功率偏差以及在一些情況下影像清晰度。因此，紋理化區域20可同時產生所有鏡面反射、影像清晰度、像素功率偏差及透射霧度之低值——這是創建紋理化區域20之先前方法無法達成的。另外，紋理化區域20之設計者具有比使用諸如噴砂或開放蝕刻的先前方法更多的變數，設計者可利用該等變數針對任何給定應用優化紋理化區域20。
在實施例中，基板12包括玻璃或玻璃陶瓷。在實施例中，基板12係多組分玻璃組成物，該多組分玻璃組成物具有約40 mol %至80 mol %二氧化矽及平衡的一或多種其他成分，例如，氧化鋁、氧化鈣、氧化鈉、氧化硼等。在一些實施方案中，基板12之整體組成物係選自由以下組成之群：鋁矽酸鹽玻璃、硼矽酸鹽玻璃及磷矽酸鹽玻璃。在其他實施方案中，基板12之整體組成物係選自由以下組成之群：鋁矽酸鹽玻璃、硼矽酸鹽玻璃、磷矽酸鹽玻璃、鈉鈣玻璃、鹼性鋁矽酸鹽玻璃及鹼性鋁硼矽酸鹽玻璃。在另外的實施方案中，基板12係玻璃為基的基板，包括但不限於包含約90重量%或更大的玻璃組分以及陶瓷組分的玻璃陶瓷材料。在顯示器製品10之其他實施方案中，基板12可以係聚合物材料，具有適合於紋理化區域20之開發及保持的耐久性及機械性質。
在實施例中，基板12具有包含鹼性鋁矽酸鹽玻璃的整體組成物，該鹼性鋁矽酸鹽玻璃包含氧化鋁、至少一種鹼金屬及在一些實施例中大於50 mol %的SiO2 、在其他實施例中至少58 mol %的SiO2 、且在再一些實施例中至少60 mol %的SiO2 ，其中比率(Al2 O3 (mol%) + B2 O3 (mol%)) / ∑鹼金屬改質劑(mol%) ＞ 1，其中該等改質劑係鹼金屬氧化物。在特定實施例中，此玻璃包含以下、本質上由以下組成或由以下組成：約58 mol %至約72 mol %的SiO2 ；約9 mol %至約17 mol %的Al2 O3 ；約2 mol %至約12 mol %的B2 O3 ；約8 mol %至約16 mol %的Na2 O；及0 mol %至約4 mol %的K2 O，其中比率(Al2 O3 (mol%) + B2 O3 (mol%)) / ∑鹼金屬改質劑(mol%) ＞ 1，其中該等改質劑係鹼金屬氧化物。
在實施例中，基板12具有包含鹼性鋁矽酸鹽玻璃的整體組成物，該鹼性鋁矽酸鹽玻璃包含以下、本質上由以下組成或由以下組成：約61 mol %至約75 mol %的SiO2 ；約7 mol %至約15 mol %的Al2 O3 ；0 mol %至約12 mol %的B2 O3 ；約9 mol %至約21 mol %的Na2 O；0 mol %至約4 mol %的K2 O；0 mol %至約7 mol %的MgO；及0 mol %至約3 mol %的CaO。
在實施例中，基板12具有包含鹼性鋁矽酸鹽玻璃的整體組成物，該鹼性鋁矽酸鹽玻璃包含以下、本質上由以下組成或由以下組成：約60 mol %至約70 mol %的SiO2 ；約6 mol %至約14 mol %的Al2 O3 ；0 mol %至約15 mol %的B2 O3 ；0 mol %至約15 mol %的Li2 O；0 mol %至約20 mol %的Na2 O；0 mol %至約10 mol %的K2 O；0 mol %至約8 mol %的MgO；0 mol %至約10 mol %的CaO；0 mol %至約5 mol %的ZrO2 ；0 mol %至約1 mol %的SnO2 ；0 mol %至約1 mol %的CeO2 ；小於約50 ppm As2 O3 ；及小於約50 ppm Sb2 O3 ；其中12 mol %≦Li2 O+Na2 O+K2 O≦20 mol %且0 mol %≦MgO+Ca≦10 mol %。
在實施例中，基板12具有包含鹼性鋁矽酸鹽玻璃的整體組成物，該鹼性鋁矽酸鹽玻璃包含以下、本質上由以下組成或由以下組成：約64 mol %至約68 mol %的SiO2 ；約12 mol %至約16 mol %的Na2 O；約8 mol %至約12 mol %的Al2 O3 ；0 mol %至約3 mol %的B2 O3 ；2 mol %至約5 mol %的K2 O；4 mol %至約6 mol %的MgO；及0 mol %至約5 mol %的CaO，其中：66 mol %≦SiO2 +B2 O3 +CaO≦69 mol %；Na2 O+K2 O+B2 O3 +MgO+CaO+SrO＞10 mol %；5 mol %≦MgO+CaO+SrO≦8 mol %；(Na2 O+B2 O3 )—Al2 O3 ≦2 mol %；2 mol %≦Na2 O—Al2 O3 ≦6 mol %；及4 mol %≦(Na2 O+K2 O)—Al2 O3 ≦10 mol %。
在實施例中，基板12具有包含SiO2 、Al2 O3 、P2 O5 及至少一種鹼金屬氧化物(R2 O)的整體組成物，其中0.75＞[(P2 O5 (mol %)+R2 O (mol %))/M2 O3 (mol %)]≦1.2，其中M2 O3 ═Al2 O3 +B2 O3 。在實施例中，[(P2 O5 (mol %)+R2 O (mol %))/M2 O3 (mol %)]=1，且在實施例中，玻璃不包含B2 O3 ，且M2 O3 ═Al2 O3 。在實施例中，基板12包含：約40 mol %至約70 mol %的SiO2 ；0 mol %至約28 mol %的B2 O3 ； 約0 mol %至約28 mol %的Al2 O3 ；約1 mol %至約14 mol %的P2 O5 ；及約12 mol %至約16 mol %的R2 O。在一些實施例中，玻璃基板包含：約40 mol %至約64 mol %的SiO2 ；0 mol %至約8 mol %的B2 O3 ；約16 mol %至約28 mol %的Al2 O3 ；約2 mol %至約12 mol %的P2 O5 ；及約12 mol %至約16 mol %的R2 O。基板12可進一步包含至少一種鹼土金屬氧化物，諸如但不限於MgO或CaO。
在一些實施例中，基板12具有實質上不含鋰的整體組成物；即，玻璃包含小於1 mol %的Li2 O、且在其他實施例中小於0.1 mol %的Li2 O、且在其他實施例中0.01 mol % Li2 O、且在再一些實施例中0 mol %的Li2 O。在一些實施例中，此類玻璃不含砷、銻及鋇中之至少一者；即，玻璃包含小於1 mol %的As2 O3 、Sb2 O3 及/或BaO、且在其他實施例中小於0.1 mol %的As2 O3 、Sb2 O3 及/或BaO、且在再一些實施例中0 mol %的As2 O3 、Sb2 O3 及/或BaO。
在實施例中，基板12具有包含玻璃組成物、本質上由玻璃組成物組成或由玻璃組成物組成的整體組成物，該玻璃組成物諸如Corning® Eagle XG® glass、Corning® Gorilla® glass、Corning® Gorilla® Glass 2、Corning® Gorilla® Glass 3、Corning® Gorilla® Glass 4或Corning® Gorilla® Glass 5。
在實施例中，基板12具有藉由本領域已知的化學手段或熱手段強化的離子可交換玻璃組成物。在實施例中，基板12藉由離子交換化學強化。在該過程中，基板12之主表面18處或附近的金屬離子被交換成具有與基板12中的金屬離子相同的價的較大金屬離子。交換通常藉由使基板12與離子交換介質諸如例如含有較大金屬離子的熔鹽浴接觸來進行。金屬離子通常係單價金屬離子，諸如例如鹼金屬離子。在一個非限制性實例中，藉由離子交換化學強化含有鈉離子的基板12係藉由將基板12浸入包含諸如硝酸鉀(KNO3 )或類似物的熔鉀鹽的離子交換浴中來完成。在一個特定實施例中，基板12之與主表面18鄰接的表面層中的離子以及較大離子係單價鹼金屬陽離子，諸如Li+ (當存在於玻璃中時)、Na+ 、K+ 、Rb+ 及Cs+ 。替代地，基板12之表面層中的單價陽離子可用鹼金屬陽離子之外的單價陽離子諸如Ag+ 或類似者替換。
在此類實施例中，在離子交換過程中用較大金屬離子替換小金屬離子在基板12中創建自主表面18延伸至一定深度(稱為「層深度」)的處於壓縮應力下的壓縮應力區域。基板12之此壓縮應力被基板12內部內的張拉應力(亦稱為「中心張力」)平衡。在一些實施例中，當藉由離子交換強化時，本文所描述之基板12之主表面18具有至少350 MPa的壓縮應力，且處於壓縮應力下的區域延伸至在主表面18下方深入厚度22至少15 μm的深度，即，層深度。
離子交換過程通常藉由將基板12浸入含有待與玻璃中的較小離子交換的較大離子的熔鹽浴中來進行。熟習此項技術者將瞭解，離子交換過程之參數通常由玻璃之組成物及所要層深度及作為增強操作之結果的玻璃之壓縮應力判定，該等參數包括但不限於浴組成物及溫度、浸入時間、玻璃在鹽浴(或多個浴)中的浸入次數、多種鹽浴之使用、諸如退火、洗滌的附加步驟及類似者。舉例而言，含鹼金屬玻璃之離子交換可藉由浸入至少一種含有鹽的熔浴中來達成，該鹽諸如但不限於硝酸鹽、硫酸鹽及較大鹼金屬離子之氯化物。熔鹽浴之溫度通常在自約380℃至多達約450℃之範圍內，而浸入時間之範圍為自約15分鐘至多達約16小時。然而，亦可使用不同於上述彼等溫度及浸入時間的溫度及浸入時間。此類離子交換處理與具有鹼性鋁矽酸鹽玻璃組成物的基板12一起採用時會產生壓縮應力區域，該壓縮應力區域具有範圍自約5 μm至多達至少50 μm的深度 (層深度)與範圍自約200 MPa至多達約800 MPa的壓縮應力及小於約100 MPa的中心張力。
由於可採用來創建基板12之紋理化區域20的蝕刻製程可自基板12去除原本將在離子交換過程期間用較大鹼金屬離子替換的鹼金屬離子，因此優先在紋理化區域20之形成及開發之後在顯示器製品10中開發壓縮應力區域。
在實施例中，顯示器製品10展現出像素功率偏差(「pixel power deviation，PPD」)。用於獲得PPD值的測量系統及影像處理計算之細節描述於名稱為「Apparatus and Method for Determining Sparkle」的美國專利第9,411,180號中，且該專利之與PPD測量結果相關的突出部分以引用方式整體併入本文中。此外，除非另外指出，否則採用SMS-1000系統(Display-Messtechnik & Systeme GmbH & Co. KG)來產生及評估本揭露之PPD測量結果。PPD測量系統包括：包含複數個像素的像素化源(例如，Lenovo Z50 140 ppi膝上型電腦)，其中該複數個像素中之每一個具有參考索引i 及j ；及沿著源自像素化源的光程光學安置的成像系統。該成像系統包括：沿著光程安置且具有像素化敏感區的成像裝置，該像素化敏感區包含第二複數個像素，其中該第二複數個像素中之每一個用索引m 及n 參考；及安置於像素化源與成像裝置之間的光程上的膜片，其中該膜片針對源自像素化源的影像具有可調收集角。影像處理計算包括：獲取透明樣品之像素化影像，該像素化影像包含複數個像素；判定像素化影像中相鄰像素之間的邊界；在邊界內進行積分以獲得像素化影像中每個源像素之積分能量；及計算每個源像素之積分能量之標準偏差，其中該標準偏差係每像素色散之功率。如本文所用，所有PPD值、屬性及限制係利用測試裝置進行計算及評估，該測試裝置採用具有每吋140像素(pixels per inch，PPI)。在實施例中，顯示器製品10所展現的PPD為1.0%、1.1%、1.2%、1.3%、1.4%、1.5%、1.6%、1.7%、1.8%、1.9%、2.0%、2.25%、2.5%、2.75%、3.0%、3.25%、3.5%、3.75%、4.0%、4.25%、4.5%、4.75%、5.0%、5.5%、6.0%、6.5%或在由彼等值中之任何兩個限定的任何範圍(例如，0.8%至2.0%、0.9%至2.25%、2.0%至5.0%、4.0%至6.0%等等)內。在實施例中，顯示器製品10所展現的PPD為小於4.0%、小於4.0%、小於3.0%或小於2.0%。
在實施例中，基板12展現出影像清晰度(「distinctness-of-image，DOI」)。如本文所用，「DOI」等於100*(RS - R0.3˚ )/RS ，其中RS 係自指向紋理化區域20上的入射光(在與法線成20°下)測量的鏡面反射率通量，且R0.3 係自0.3°下的相同入射光根據鏡面反射率通量RS 測量的反射率通量。除非另外指出，否則本揭露所報告的DOI值及測量結果係根據名稱為「Standard Test Method for Instrumental Measurement of Distinctness-of-Image (DOI) Gloss of Coated Surfaces using a Rhopoint IQ Gloss Haze & DOI Meter」 (Rhopoint Instruments Ltd.)的ASTM D5767-18來獲得。該等值在這裡報告為「耦合」，意指樣品與折射率匹配流體在測量期間耦合至基板之背側表面以減少背側反射。在實施例中，基板12所展現的影像清晰度(「distinctness-of-image，DOI」)為15%、20%、25%、30%、35%、40%、45%、50%、55%、60%、65%、70%、75%、80%、85%、90%、95%、96%、96%、97%、98%、99%、或99.9%或在由彼等值中之任何兩個限定的任何範圍(例如、20%至40%、10%至96%、35%至60%等等)內。
在實施例中，基板12展現出透射霧度。如本文所用，術語「透射霧度」係指根據名稱為「Standard Test Method for Haze and Luminous Transmittance of Transparent Plastics」的ASTM D1003在約± 2.5°的角錐之外散射的透射光之百分比，ASTM D1003之內容以引用方式整體併入本文中。注意，儘管ASTM D1003之標題係指塑膠，但該標準亦適用於包含玻璃材料的基板。對於光學平滑表面，透射霧度通常接近於零。在實施例中，基板12所展現的透射霧度為0.7%、0.8%、0.9%、1.0%、1.5%、2%、3%、4%、或5%或在由彼等值中之任何兩個限定的任何範圍(例如，0.7%至3%、2%至4%等等)內。
在實施例中，基板12所展現的鏡面反射率為1 GU、2 GU、3 GU、4 GU、5 GU、10 GU、15 GU、20 GU、25 GU、30 GU、40 GU、50 GU、60 GU、70 GU、80 GU或在由彼等值中之任何兩個限定的任何範圍(例如，1 GU至3 GU、5 GU至30 GU、50 GU至80 GU等等)內。在實施例中，基板12所展現的鏡面反射率為小於25 GU、小於20 GU、小於15 GU、小於10 GU、小於5 GU或小於2 GU。在隨後的實例中指出為「c-Rspec」或「耦合Rspec」鏡面反射率在這裡係指使用Rhopoint IQ Goniophotometer以光澤度單位(gloss unit，GU)為單位獲得的值。該等值指示當樣品光學耦合至完美吸收體時測量到多少鏡面反射。100 GU的值意指在20度入射角下來自折射率為1.567的經研磨之平板黑色玻璃表面的鏡面反射為4.91%。
現在參考第6圖至第10圖，本文中揭示了形成紋理化區域20之方法100。在步驟102處，方法100包括根據每個主表面特徵26之預定位置將主表面特徵26形成至基板12之主表面18中。步驟102至少目前形成紋理化區域20。
在實施例中，在步驟104處，方法100進一步包括以下步驟：利用間距分佈演算法來判定每個主表面特徵26之位置。示範性間距分佈演算法包括帕松(Poisson)圓盤取樣、最大-最小間距及硬球分佈。例如，帕松圓盤取樣將第一物件(例如，點或具有直徑的圓)插入平面之區域中。然後演算法將第二物件插入區域內，從而將中心放置在區域內的隨機點處。若第二物件之放置滿足距第一物件的最小中心到中心距離，則第二物件保留在區域中。演算法然後重複此過程，直至不再有此類物件可放置在滿足最小中心到中心距離的區域內為止。結果是物件之隨機分佈但特定的放置。根據物件之隨機分佈但特定的放置，主表面特徵26之位置得以判定。例如，若經由間距分佈演算法定位的物件係點，則該等點可以係具有一定直徑的圓之中心或具有一定幾何形狀的六角形之中心。在其他實施例中，對點進行三角剖分，在三角形中形成內切橢圓，且然後去除三角剖分及點，留下橢圓，該等橢圓可以係主表面特徵26之形狀。
在實施例中，將主表面特徵26形成至主表面18中之步驟102包括以下步驟：在蝕刻遮罩安置於主表面18上時使主表面18與蝕刻劑接觸以僅允許選擇性地蝕刻基板12來形成主表面特徵26。蝕刻遮罩包括允許蝕刻劑自基板12之主表面18去除材料的空隙，且在空隙之外，蝕刻遮罩防止蝕刻劑接觸基板12之主表面18。在實施例中，空隙允許蝕刻劑去除材料並由此創建設置至環繞部分42中的主表面特徵26，蝕刻遮罩保護該環繞部分42免受蝕刻劑影響。在實施例中，空隙允許蝕刻劑去除基板12之環繞部分42待存在位置而不是主表面特徵26待存在位置的材料，從而產生自環繞部分42突起的主表面特徵26。簡言之，蝕刻遮罩作為正片或負片併入每個主表面特徵26之預定位置。
在實施例中，蝕刻劑包括氫氟酸及硝酸中之一或多者。在實施例中，蝕刻劑包括氫氟酸及硝酸二者。可在蝕刻遮罩位於基板12上時將蝕刻劑噴塗至基板12上。具有蝕刻遮罩的基板12可浸漬於含有蝕刻劑的器皿中。在實施例中，蝕刻劑接觸基板12所持續的時間週期為10秒、20秒、30秒、40秒、50秒、或60秒、或在由彼等值中之任何兩個限定的任何範圍(例如，10秒至60秒等等)內。在該時間週期結束之後，在去離子水中沖洗基板12並進行乾燥。蝕刻劑接觸基板12的時間週期愈長，蝕刻劑蝕刻深入基板12就愈深且因此主表面特徵26之標高50之變化就愈大。
在實施例中，在步驟106處，方法100進一步包括以下步驟：藉由將安置於基板12之主表面特徵18上的光阻劑材料曝露於固化劑同時在光阻劑材料上安置微影遮罩來形成蝕刻遮罩。視如何將光阻劑材料添加至基板12之主表面18而定，光阻劑材料之厚度可自約3 µm變化至約20 µm。光阻劑材料可經由旋塗(＜ 3 µm厚度)、網板塗佈(＜ 15 µm厚度)或作為乾膜(＜ 20 µm厚度)添加。
微影遮罩包括材料及空隙，該等空隙穿過材料用於選擇性地將光阻劑材料之部分曝露於固化劑。微影遮罩之空隙根據主表面特徵26之預定位置來定位為正片或負片。諸如利用間距分佈演算法來判定每個主表面特徵26之放置，且微影遮罩併入所判定之放置。微影遮罩然後允許選擇性固化蝕刻遮罩，該蝕刻遮罩然後併入主表面特徵26之該預定放置。然後最後蝕刻遮罩允許選擇性地蝕刻基板12，這將主表面特徵26之所判定之放置轉換至基板12之主表面18上作為紋理化區域20。可在蝕刻遮罩接觸蝕刻劑之前烘烤具有蝕刻遮罩的基板12，以便確保與基板12的黏附。
在步驟108處，該步驟108在步驟102之後發生，方法100進一步包括以下步驟：將次表面特徵36形成至紋理化區域20之一或多個區段34中。此步驟108將一或多個區段34處的表面粗糙度(Ra )增加至在5 nm至100 nm之範圍內。在實施例中，將次表面特徵36形成至紋理化區域20之一或多個區段34中之步驟108包含以下步驟：用第二蝕刻劑接觸基板12之紋理化區域20之一或多個區段34。第二蝕刻劑不同於經利用以將主表面特徵26蝕刻至基板12之主表面18中的蝕刻劑。在實施例中，第二蝕刻劑包括乙酸及氟化銨。在實施例中，第二蝕刻劑包括(以重量%為單位)：85至98的乙酸、0.5至7.5的氟化銨及0至11的水。水可以係去離子水。在實施例中，第二蝕刻劑接觸一或多個區段34持續在15秒至5分鐘之範圍內的時間週期。在實施例中，在用來形成主表面特徵26的蝕刻遮罩保留於基板12上時，第二蝕刻劑接觸一或多個區段34。這將導致僅主表面特徵26而不是環繞部分42、或僅環繞部分42而不是主表面特徵26之表面粗糙度(Ra )增加。在該時間週期結束之後用去離子水沖洗基板12並進行乾燥。蝕刻步驟102、108都可在室溫下進行。
方法100係可擴展及低成本的。另外，方法100係可重複的，且能夠在基板12之間再現具有本質相同的幾何形狀的紋理化區域20。該方法不同於其中紋理化區域20之幾何形狀在基板12之間變化的先前方法，諸如噴砂或開放蝕刻。
實例
實例1——實例1係探索次表面特徵之影響的電腦建模。實例1假定紋理化區域係如第2圖及第3圖所例示的那樣，具有以六角形圖案配置的主表面特徵。每個主表面特徵具有六角形周長及面向外部環境的非球面表面。每個非球面表面由以下方程式控制：
Figure 02_image001
其中
Figure 02_image003
係垂度——表面在距
Figure 02_image005
軸的距離處自頂點位移的
Figure 02_image005
分量。
Figure 02_image005
軸垂直於基面。
Figure 02_image007
、
Figure 02_image009
、
Figure 02_image011
都是描述表面與由R及κ指定的軸對稱二次曲面之偏差的係數。若係數都為零(在這裡將它們假定為零)，則
Figure 02_image013
係曲率半徑且
Figure 02_image015
係圓錐常數，如在頂點處測量的。當表面沿著
Figure 02_image005
軸的標高變化為負值時，則主表面特徵之表面係凹面的。相比之下，當主表面特徵之表面沿著
Figure 02_image005
軸的標高變化為正時，則主表面特徵之表面係凸面的。
實例1進一步假定次表面特徵產生光散射分佈，該光散射分佈可由以下高斯散射函數描述：
Figure 02_image017
其中
Figure 02_image019
係與鏡面反射方向所成的角度(度)，
Figure 02_image021
係
Figure 02_image019
方向上的輻射輝度，
Figure 02_image023
係鏡面反射方向上的輻射輝度，且
Figure 02_image025
(Σ)係高斯分佈之標準偏差(或散射因子) (以度為單位)。隨著
Figure 02_image025
增加，散射角度增加。
利用Zemax光線追蹤軟體(Zemax, LLC of Kirkland, Washington, USA)來建模影像清晰度、像素功率偏差及透射霧度作為主表面特徵之標高(高度)及次表面特徵提供的
Figure 02_image025
之變化之函數。建模假定基板具有0.3 mm厚度，基板之折射率為1.49及基板不具有光吸收。
第7A圖再現與影像清晰度有關的模型之計算的圖表。如圖表所顯示，增加主表面特徵之標高(即，高度或深度)變化會降低影像清晰度。當主表面特徵上不存在次表面特徵(Σ = 0)時，則主表面特徵不會開始降低影像清晰度，直至標高(即，高度或深度)變化大於0.08 µm為止。然而，當主表面特徵上存在次表面特徵時，增加主表面特徵之高度會立即致使影像清晰度降低。
第7B圖再現例示出與不存在次表面特徵之情況相比主表面特徵上存在次表面特徵導致影像清晰度降低的圖表。當Σ = 0.20度時，對於自-0.24 µm至+ 0.24 µm的主表面特徵之所有高度，與不存在次表面特徵之情況相比次表面特徵之存在進一步降低影像清晰度。當主表面特徵之高度為約0.10 µm時，與不存在次表面特徵之情況相比次表面特徵之存在(提供
Figure 02_image025
= 0.20度)使影像清晰度降低約29%的最大值。當
Figure 02_image025
= 0.41度時，對於自-0.27 µm至+ 0.27 µm的主表面特徵之所有高度，與不存在次表面特徵之情況相比次表面特徵之存在進一步降低影像清晰度。當主表面特徵之高度為約0.18 µm時，與不存在次表面特徵之情況相比次表面特徵之存在(提供
Figure 02_image025
= 0.41度)使影像清晰度降低約25%的最大值。
簡言之，對於主表面特徵之任何給定高度/深度，存在一最佳
Figure 02_image025
值作為次表面特徵併入，以便將次表面特徵對降低影像清晰度的貢獻最大化。第7C圖所再現的圖表顯示了最佳
Figure 02_image025
值，以作為主表面特徵之標高(高度)變化之函數將影像清晰度最小化。對於0.00 (平的)、-0.10 µm及-0.14 µm的主表面特徵高度，分別達成了92%、66%、49%的最小影像清晰度值，其中
Figure 02_image025
為0.14、0.20及0.28度。
接下來，建模軟體作為主表面特徵之高度及
Figure 02_image025
值之函數計算像素功率偏差。第7D圖及第7E圖各自再現了計算之圖表。該等圖表顯示，像素功率偏差隨著主表面特徵之高度增加而增加。然而，隨著次表面特徵所提供的σ值增加，對於主表面特徵之任何給定高度，像素功率偏差降低。次表面特徵引起散射，從而使透射穿過主表面特徵的光之角度及空間分佈均勻並因此降低像素功率偏差。隨著主表面特徵之高度增加，次表面特徵對降低像素功率偏差的影響變得愈大。簡言之，主表面特徵上存在次表面特徵引入表面散射，從而可降低影像清晰度(對於主表面特徵之給定範圍的高度)並總體降低像素功率偏差。
最後，建模軟體作為主表面特徵之高度及
Figure 02_image025
值之函數計算透射霧度。第7F圖及第7G圖各自再現了計算之圖表。第7F圖之圖表顯示增加
Figure 02_image025
值通常增加像素功率偏差，且增加主表面特徵之高度放大增加
Figure 02_image025
值對增加像素功率偏差的影響(但只是輕微的)。然而，第7G圖之圖表顯示在
Figure 02_image025
導致像素功率偏差增加之前
Figure 02_image025
必須高於特定值。在第7G圖之情況下，假定主表面特徵具有-0.1 µm高度及100 µm寬度，當
Figure 02_image025
值為約0.35或更高時，
Figure 02_image025
才開始增加像素功率偏差。
Figure 02_image025
值可大於0.35，以便進一步降低像素功率偏差及影像清晰度，若彼等益處勝過透射霧度之增加的話。例如，甚至在將像素功率偏差及影像清晰度之降低最大化的0.7度的
Figure 02_image025
值處，透射霧度亦僅為20%，這對於給定應用而言係可接受的。
因此，只要將
Figure 02_image025
值組態為剛好低於0.35，次特徵對降低影像清晰度及像素功率偏差的影響就不會同時導致透射霧度增加。例如，當主表面特徵之高度為-0.1 µm且
Figure 02_image025
值為0.41度時，所計算之影像清晰度為約74%，像素功率偏差為約2.5%且透射霧度為約1%。當主表面特徵之高度為-0.1 µm且
Figure 02_image025
值為0.2度時，所計算之影像清晰度為約64%，像素功率偏差為約3.5%且透射霧度為約0%。當主表面特徵之高度為-0.08 µm且
Figure 02_image025
值為0.41度時，所計算之影像清晰度為約85%，像素功率偏差為約2%且透射霧度為約0%。當主表面特徵之高度為-0.08 µm且
Figure 02_image025
值為0.20度時，所計算之影像清晰度為約73%，像素功率偏差為約2.5%且透射霧度為約0%。
總而言之，建模說明了主表面特徵上併入賦予表面粗糙度而導致一定散射水準的次表面特徵可同時產生低影像清晰度、低像素功率偏差及低透射霧度——這是形成紋理化區域之先前方法無法達成的。
實例2A-2D——對於實施例2A-2D，製備了四(4)個玻璃樣品。用不同組成物的蝕刻劑蝕刻每個樣品，以建模蝕刻劑將對次表面特徵產生的影響以賦予在5 nm至100 nm之範圍內的表面粗糙度。蝕刻劑之所有組成物都包括不同重量百分比的乙酸及氟化銨(NH4 F)。緊接在下面的表1總結了所測試之四種蝕刻劑之組成物。
表1
實例 乙酸(重量%) NH4 F (重量%) 水(去離子) (重量%)
2A 92 2 6
2B 92 6 2
2C 90 1 9
2D 96 4 0
每種蝕刻劑組成物接觸玻璃基板之主表面持續2分鐘時間週期。
在每個實例之蝕刻劑對玻璃樣品進行蝕刻持續2分鐘時間週期之後，使用具有5 μm × 5 μm掃描大小的原子力顯微鏡來判定表面粗糙度。原子力顯微鏡為每個實例拍攝的影像在第8圖處再現。影像展示了次表面特徵賦予所要表面粗糙度。緊接在下面的表2報告了每個樣品之所測量之表面粗糙度。另外，為每個樣品測量σ值、表面散射因子。在這裡，表面散射因子之測量方法如下。首先，測量樣品之透射霧度。然後，使用具有描述表面散射的高斯散射函數的光線追蹤模型來找到合適的表面散射因子，從而產生與所測量透射霧度相同的透射霧度。彼等值亦報告於下面的表2中。
表2
實例 表面粗糙度(Ra ) (nm) σ (度)
2A 27.6 0.46
2B 19.3 0.42
2C 53.6 0.64
2D 11.2 0.34
一般而言，水之重量百分比愈高，在相同的兩分鐘時間週期期間產生的表面粗糙度就愈高。反過來，表面粗糙度愈高，表面散射
Figure 02_image025
值就愈高。因此，可經由操縱蝕刻劑之組成物之水含量及因此蝕刻劑之組成物之乙酸及氟化銨含量來控制表面粗糙度。
另外，為每個樣品測量透射霧度、耦合影像清晰度及像素功率偏差。緊接在下面的表3再現了結果。
表3
實例 透射霧度(%) 耦合DOI (%) 像素功率偏差(%)
2A 2.27 99.2 0.32
2B 1.16 99.58 1.07
2C 13.8 99.47 0.38
2D 0.12 99.48 0.31
結果分析顯示，表面粗糙度愈高，透射霧度就愈大。
第8B圖所再現的圖表再現了結果。另外，第8D圖所再現的圖闡述了作為每個樣品之所測量表面散射
Figure 02_image025
(Σ)值之函數的所測量透射霧度，且然後建模一條線以擬合資料。擬合所測量資料的所建模線與實例1之光線追蹤模型一致，這指示表面散射σ值在開始賦予增加之透射霧度之前必須達到特定值。
實例3A及3B——實例3A及3B說明了對於亦存在主表面特徵的樣品而言次表面特徵(賦予表面粗糙度)對像素功率偏差的影響。對於實例3A及3B之樣品，將主表面特徵蝕刻至玻璃基板中。蝕刻劑之組成物包括1重量%的氫氟酸(HF)及2重量%的硝酸(HNO3 )。蝕刻劑接觸玻璃基板之主表面特徵持續25秒，從而自環繞部分產生具有150 nm深度的主表面特徵。利用乾膜抗蝕劑蝕刻遮罩來將主表面特徵定位成設置至環繞部分中的六角形圖案(參見第5圖)。每個主表面特徵之周長亦係六角形。每個主表面特徵分開120 µm的中心到中心距離。相鄰主表面特徵分開55 µm的周長到周長距離。保留樣品中之一者作為實例3A，且隨後不向實例3A之樣品添加次表面特徵。
對於實例3B，對樣品進行第二蝕刻步驟以賦予次表面特徵。第二蝕刻步驟使用組成物具有92重量%的乙酸、2重量%的氟化銨及6重量%的水(去離子)的蝕刻劑。蝕刻劑接觸主表面與主表面特徵持續2分鐘的時間週期。蝕刻劑在紋理化區域內形成次表面特徵，該次表面特徵賦予約28 nm的表面粗糙度(Ra )。
測量實例3A及實例3B二者之樣品產生的像素功率偏差。所測量像素功率偏差對樣品相對於顯示像素陣列之定向敏感，因為主表面特徵具有六角形周長。第9A圖所再現的圖表再現了實例3A及3B二者之所測量像素功率偏差作為樣品之定向角52之函數。第9B圖處的示意圖解展示了定向角意味著什麼。簡言之，基板位於顯示器之上，主表面處的紋理化區域背向顯示器。顯示器具有像素54。基板相對於顯示器形成定向角。隨著基板相對於顯示器繞正交於主表面延伸穿過基板的軸線旋轉，定向角發生改變。
第9A圖之圖表之分析顯示，與僅包括主表面特徵的實例3A相比在主表面特徵之上添加有次表面特徵的實例3B降低了像素功率偏差。次表面特徵將像素功率偏差降低了約0.2%至2.5% (絕對值)，這視基板相對於顯示器的定向角而定。例如，在85%的定向角下，實例3A之像素功率偏差為6.5%，而實例3B之像素功率偏差為4.0%，減少了2.5% (絕對值) (或像素功率顯示相對減少41.7%，其中6.5%-4.0%=2.5%且2.5%/6.5%*100%=41.7%)。結果表明次表面特徵對樣品之像素功率偏差的影響係主表面特徵之幾何形狀之函數。
實例4A-4H——對於實例4A-4H中之每一者，獲得具有4 mm × 4 mm × 0.7 mm尺寸的玻璃基板。然後對玻璃基板進行第一蝕刻步驟以蝕刻出設置至環繞部分中的主表面特徵。每個主表面特徵具有圓形的周長。周長之直徑為40 µm。利用蝕刻遮罩來放置主表面特徵中之每一個。使用間距分佈演算法來產生主表面特徵中之每一個之放置。間距分佈演算法在圓之間需要50 µm的最小中心到中心距離。因此，根據間距分佈演算法的主表面特徵之放置係隨機的且不形成圖案。將根據間距分佈演算法進行的主表面特徵之放置轉移至微影遮罩，然後使用微影遮罩來固化安置於基板之主表面上的AZ 4210石印油墨。去除石印油墨之未固化部分，且保留固化部分作為蝕刻遮罩。主表面特徵佔據紋理化區域之面積之約50%，且主表面特徵之深度為0.18 µm。第一蝕刻步驟之蝕刻劑包含1重量%的氫氟酸(HF)及2重量%的硝酸(HNO3 )。基於蝕刻速率，蝕刻劑接觸基板持續一時間週期以達成目標150 nm深度。然後將樣品中之四者留作實例4A-4D，且不進行賦予次表面特徵的第二蝕刻步驟。
將剩餘四個樣品分配為實例4E-4H，且使用包括乙酸、氟化銨及水(去離子)對每一者進行第二蝕刻步驟。實例4E及4F之蝕刻劑所具有的組成物為92重量%的乙酸、2重量%的氟化銨及6重量%的水(去離子)。實例4E及4F之第二蝕刻步驟形成賦予約28 nm的表面粗糙度(Ra )的次表面特徵。實例4G及4H之蝕刻劑所具有的組成物為90重量%的乙酸、1重量%的氟化銨及9重量%的水(去離子)。在實例4E-4H中之每一者中，蝕刻劑接觸樣品持續2分鐘的時間週期。實例4G及4H之第二蝕刻步驟形成賦予約54 nm的表面粗糙度(Ra )的次表面特徵。
現在參考第10A圖至第10D圖，為每個樣品測量像素功率偏差(第10A圖)、鏡面反射率(第10B圖)、影像清晰度(第10C圖)及透射霧度(第10D圖)。在第10A圖至第10D圖處的上述圖表中闡述了測量結果。圖表分析表明，形成次表面特徵的第二蝕刻步驟將表面粗糙度添加到紋理區域，導致像素功率偏差及影像清晰度降低，但導致透射霧度增加。與實例4E及4F相比，次表面特徵向實例4G及4H賦予的較高表面粗糙度不會導致影像清晰度之不同程度的降低。然而，與實例4E及4F相比，次表面特徵向實例4G及4H賦予的較高表面粗糙度會導致像素功率偏差之較大降低但透射霧度之較大增加。次表面特徵之添加似乎不會影響鏡面反射率。
實例5A-5O——對於實例5A-5O，利用間距分佈演算法在區域內隨機但特定地放置點。將點中之每一個分開105 µm的最小距離。然後對點進行三角剖分，在每個三角形內繪製內切橢圓，且然後去除點及三角剖分。按比例縮小現在保留在該區域中的橢圓之最長尺寸，使得橢圓佔據該區域之50%。然後將橢圓之放置轉移至微影遮罩。使用微影遮罩來在玻璃基板之主表面上形成蝕刻遮罩。然後用基板上的蝕刻遮罩對每個基板進行蝕刻。所利用的蝕刻劑所具有的組成物為0.15重量%的氫氟酸及1重量%的硝酸。蝕刻劑接觸主表面與蝕刻遮罩持續緊接在下面的表4所闡述的時間週期，該時間週期在樣品之間有所不同。蝕刻劑形成設置至環繞部分中的具有橢圓周長的主表面特徵。主表面特徵之深度有所不同，且每個樣品之深度在下面闡述。
表4
實例 蝕刻時間週期(秒) 主表面特徵深度(µm)
5A 212 0.186
5B 200 0.179
5C 165 0.1451
5D 150 0.1353
5E 140 0.1311
5F 178 0.1639
5G 178 0.1619
5H 167 0.1557
5I 167 0.1526
5J 133 0.1261
5K 133 0.1261
5L 150 0.1364
5M 178 0.1531
5N 167 0.1436
5O 167 0.1429
在去除蝕刻遮罩之後，然後對5M-5O之樣品進行第二蝕刻步驟以在主表面處形成次表面特徵。第二蝕刻步驟使用組成物具有92重量%的乙酸、2重量%的氟化銨及6重量%的水(去離子)的蝕刻劑。蝕刻劑接觸基板持續120秒的時間週期。如此形成的次表面特徵向主表面處的紋理化區域賦予約28 nm的表面粗糙度(Ra )。
為實例5A-5O中之每一者之樣品測量像素功率偏差、影像清晰度、鏡面反射及透射霧度。在第11A圖至第11D圖之圖表中闡述了所測量結果，該等圖表繪出所測量值作為具有橢圓周長的主表面特徵之深度之函數。圖表分析顯示，與實例5A-5L中不包括此類次表面特徵之情況相比，向實例5M-5O賦予表面粗糙度的次表面特徵導致較低像素功率偏差及鏡面反射率。圖表分析顯示，與實例5A-5L中不包括此類次表面特徵之情況相比，向實例5M-5O賦予表面粗糙度的次表面特徵導致較高影像清晰度及透射霧度。一般而言，將次表面特徵引入主表面特徵可增加或降低影像清晰度，這視主表面特徵之設計而定。與實例1之模型不同，此實驗樣品之主表面特徵之設計導致影像清晰度增加。
實例6A-6C——實例6A-6B係兩組不同的樣品，每組所具有的主表面特徵都具有橢圓周長，就像實例5A-5O中那樣。差異在於，對於實例6A之樣品，在執行第二蝕刻步驟以產生次表面特徵時，形成主表面特徵時所使用的蝕刻遮罩保持於基板上。對於實例6B之樣品，在執行第二蝕刻步驟以產生次表面特徵之前，蝕刻遮罩被去除。因此，在實例6A之樣品中，僅在主表面特徵所提供的表面而非環繞部分上形成次表面特徵及所添加表面粗糙度。相比之下，對於實例6B之樣品，在包括環繞部分以及主表面特徵所提供的表面二者的整個紋理化區域上形成次表面特徵及所添加表面粗糙度。
掃描電子顯微鏡拍攝來自實例6A及實例6B的樣品之影像。第12A圖處再現了該等影像。左邊的影像展示了設置至環繞部分中的具有橢圓周長的主表面特徵。中間的影像展示了次表面特徵。右邊的影像展示了次表面特徵之蝕刻深度。
測量來自實例6A及6B二者的樣品之像素功率偏差、透明度霧度及鏡面反射率。利用Rhopoint儀器來判定鏡面反射率。第12B圖至第12D圖所再現的圖表闡述了所測量資料。圖表分析顯示，與其中在第二步驟期間蝕刻遮罩被保持且因此僅向主表面特徵所提供的表面賦予次表面特徵的實例6A之樣品相比，其中在於整個紋理化區域中賦予次表面特徵的第二蝕刻步驟之前蝕刻遮罩被去除的實例6B之樣品導致較低像素功率偏差但較高的透射霧度。
經利用以測量鏡面反射率的Rhopoint儀器不測量實例6A及6B之樣品之間的差異。然而，當待反射之光之入射角為6度且用於測量鏡面反射率之孔徑為2度時，裝置可測量鏡面反射率之差異。第12E圖所再現的圖表展示了實例6A及6B之樣品以及其中僅存在主表面特徵而不包括賦予表面粗糙度的次表面特徵的樣品(實例6C)之所測量資料。第12E圖之圖表分析顯示，與實例6C中不存在次表面特徵之情況相比，實例6A及6B中次表面特徵之存在降低了鏡面反射率。實例6A與6B之間的鏡面反射率差異係波長相依的。
實例7——對於實例7，製備了與實例5M-5O之樣品相似的一樣品，其中在第一蝕刻步驟中將具有橢圓周長的主表面特徵設置至環繞部分中，從而形成紋理化區域，且然後在整個紋理化區域中蝕刻出次表面特徵以增加表面粗糙度。然後用白光干涉儀分析如此製備的樣品以測量紋理化區域之三維輪廓。第13A圖例示出所測量的三維輪廓。上半部分例示出主表面特徵與環繞部分之間的相對標高差異。下半部分例示出次表面特徵之形貌，其中左邊例示出添加至主表面特徵所提供的表面的次表面特徵之形貌，且右邊例示出添加至環繞部分的次表面特徵之形貌。主表面特徵內的次特徵之三維輪廓可視地不同於環繞部分處的次特徵之三維輪廓——其中環繞部分展示出更深的次特徵。
利用原子力顯微鏡來成像及判定次表面特徵在(i)主表面特徵所提供的表面及(ii)環繞部分二者處所賦予的表面粗糙度(Ra )。第13B圖處再現了該等影像。左邊的影像係在主表面特徵所提供的表面處的次表面特徵，且展示出15.3 nm的表面粗糙度(Ra )。右邊的影像係在環繞部分處的次表面特徵，且展示出33.5 nm的表面粗糙度(Ra )。右邊的影像及環繞部分處的較高表面粗糙度(Ra )值與第13A圖所例示的形貌資料相匹配。環繞部分在主表面特徵之形成期間被蝕刻遮罩覆蓋且因此沒有與蝕刻劑接觸，這與藉由第一蝕刻步驟創建的主表面特徵不同。因此，據信，先前未被蝕刻劑接觸的環繞部分對賦予次表面特徵的第二蝕刻步驟更敏感。
10:顯示器製品 12:基板 14:外殼 16:顯示器 18:主表面 20:紋理化區域 22:厚度 24:外部環境 26:主表面特徵 28:基面 30:周長 32:最長尺寸 34:區段 36:次表面特徵 38:中心到中心距離 40:表面 42:環繞部分 44,46,50:標高 48:距離 52:定向角 54:像素 100:方法 102,104,106,108:方法步驟
在附圖中：
第1圖係顯示器製品之透視圖，該透視圖例示出安置於顯示器之上的具有紋理化區域的基板；
第2圖係第1圖之區域II之特寫透視圖，該特寫透視圖例示出第1圖之基板之紋理化區域，該紋理化區域包括以六角形圖案配置的主表面特徵；
第3圖係穿過第2圖之線III-III截取的第1圖之基板之橫剖面之立視圖，該立視圖例示出進一步包括次表面特徵的紋理化區域，該等次表面特徵小於主表面特徵，安置於包括主表面特徵的紋理化區域上；
第4圖係紋理化區域之實施例之俯視圖，該俯視圖例示出具有橢圓周長且自環繞部分突起的主表面特徵；
第5圖係紋理化區域之實施例之另一個俯視圖，該俯視圖例示出具有六角形周長的主表面特徵，該等主表面特徵六角形地配置但分開一距離(壁到壁)及一中心到中心距離；
第6圖係形成第1圖之紋理化區域之方法之示意流程圖，該流程圖例示出諸如使用間距分佈演算法判定每個主表面特徵之位置的步驟。
第7A圖與建模實例1有關，係例示出影像清晰度通常作為(i)主表面特徵之增加的標高(高度)變化及(ii)分配給次表面特徵的增加的Σ值之函數減小的圖表，Σ值係對次表面特徵賦予紋理化區域的表面散射的度量；
第7B圖與實例1有關，係例示出與沒有次表面特徵之情況相比次表面特徵之存在所賦予的影像清晰度作為所分配Σ值及主表面特徵之高度之函數的變化的圖表；
第7C圖與實例1有關，係例示出向紋理化區域賦予最小影像清晰度值的Σ值通常作為主表面特徵之減小的高度之函數減小的圖表；
第7D圖與實例1有關，係例示出像素功率偏差通常作為主表面特徵之高度之函數及作為分配給次表面特徵的增加的Σ值之函數增加的圖表；
第7E圖與實例1有關，係例示出像素功率偏差通常作為增加的Σ值之函數減小及作為主表面特徵之減小的高度之函數減小的圖表；
第7F圖與實例1有關，係例示出透射霧度通常作為分配給次表面特徵的增加的Σ值之函數增加的圖表；
第7G圖與實例1有關，係例示出透射霧度通常作為分配給次表面特徵的增加的Σ值之函數增加但僅在臨界最小Σ值之後如此的圖表；
第8A圖與實例2A-2D有關，再現具有各種形貌的次表面特徵之原子力顯微鏡影像，該等各種形貌係改變經利用以形成次表面特徵的蝕刻劑之組成物的結果；
第8B圖與實例2A-2D有關，係例示出透射霧度通常作為增加的Σ (表面散射)值之函數增加的圖表，該值可作為蝕刻劑組成物之函數變化；
第9A圖與實例3A-3B有關，係例示出像素功率偏差作為主表面特徵之紋理化區域之定向角(由於六角形周長所致)之函數變化、以及與不存在此類次表面特徵相比次表面特徵之存在降低像素功率偏差的圖表；
第9B圖與實例3A-3B有關，係例示出涉及基板之邊緣與基板下方的顯示器所形成的角度的定向角的示意圖；
第10A圖與實例4A-4H有關，係例示出次表面特徵之包括導致較低像素功率偏差以及進一步地所得像素功率偏差可視次表面特徵所賦予的表面粗糙度(Ra )及因此用來形成次表面特徵的蝕刻劑之組成物而定變化的圖表；
第10B圖與實例4A-4H有關，係例示出與不具有次表面特徵的基板相比次表面特徵之存在不改變所測量鏡面反射率的圖表；
第10C圖與實例4A-4H有關，係例示出與不具有次表面特徵的基板相比次表面特徵之存在產生較低影像清晰度的圖表；
第10D圖與實例4A-4H有關，係例示出與不具有次表面特徵的基板相比次表面特徵之存在導致較大透射霧度且隨著次表面特徵所賦予的表面粗糙度(Ra )增加而增加的圖表；
第11A圖與實例5A-5O有關，係例示出與不具有次表面特徵的基板相比次表面特徵之存在導致較低像素功率偏差的圖表；
第11B圖與實例5A-5O有關，係例示出與不具有次表面特徵的基板相比次表面特徵之存在導致較低鏡面反射率的圖表；
第11C圖與實例5A-5O有關，係例示出與不具有次表面特徵的基板相比次表面特徵之存在導致較高影像清晰度的圖表；
第11D圖與實例5A-5O有關，係例示出與不具有次表面特徵的基板相比次表面特徵之存在導致較高透射霧度的圖表；
第12A圖與實例6A-6B有關，係當次表面特徵僅安置於主表面特徵上(頂部)時及當次表面特徵安置於主表面特徵及環繞部分二者之上(底部)時兩種情況的主表面特徵與環繞部分(左邊)及次表面特徵(中間及右邊)之原子力顯微鏡影像；
第12B圖與實例6A-6B有關，係例示出與僅在主表面特徵上併入次表面特徵的基板相比在整個紋理化區域之上併入次表面特徵導致較低像素功率偏差的圖表；
第12C圖與實例6A-6B有關，係例示出與僅在主表面特徵上併入次表面特徵的基板相比在整個紋理化區域之上併入次表面特徵導致較高透射霧度的圖表；
第12D圖與實例6A-6B有關，係例示出與僅在主表面特徵上併入次表面特徵的基板相比在整個紋理化區域之上併入次表面特徵實質上不影響鏡面反射率的圖表；
第12E圖與實例6A-6B有關，係例示出與僅在主表面特徵上併入次表面特徵的基板相比在整個紋理化區域之上併入次表面特徵輕微影響鏡面反射率且隨著波長自約455 nm偏離而增加的圖表；
第13A圖與實例7有關，係例示出主表面特徵與環繞部分(頂部)及安置於主表面特徵(左邊)及環繞部分(右邊)處的次表面特徵(底部)之形貌的白光干涉儀圖表；且
第13B圖與實例7有關，係安置於主表面特徵(左邊)及環繞部分(右邊)處的次表面特徵之原子力顯微鏡影像，該等原子力顯微鏡影像例示出次表面特徵在環繞部分處相比在主表面特徵處賦予更高的表面粗糙度(Ra ) (因為環繞部分先前未被蝕刻且因此對賦予次表面特徵的蝕刻更加敏感)。
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10:顯示器製品
12:基板
14:外殼
16:顯示器
18:主表面
20:紋理化區域
22:厚度
24:外部環境

Claims (23)

  1. 一種用於一顯示器製品之基板，該基板包含： 一主表面；及 一紋理化區域，該紋理化區域位於該主表面之至少一部分上； 該紋理化區域包含： 主表面特徵，每個主表面特徵包含一周長，該周長平行於一基面，該基面延伸穿過該基板安置於該紋理化區域下方，其中該等主表面特徵中之每一個之該周長包含至少5 µm的一最長尺寸；及 一或多個區段，每個區段包含次表面特徵，該等次表面特徵具有在5 nm至100 nm之一範圍內的一表面粗糙度(Ra )。
  2. 如請求項1所述之基板，其中 該等主表面特徵形成一圖案。
  3. 如請求項1所述之基板，其中 該等主表面特徵中之每一個之該最長尺寸大致相同。
  4. 如請求項1所述之基板，其中 該等表面特徵之一配置反映一隨機分佈。
  5. 如請求項1所述之基板，其中 每個主表面特徵之該周長係橢圓的。
  6. 如請求項1所述之基板，其中 每個主表面特徵之該周長係圓形。
  7. 如請求項1所述之基板，其中 每個主表面特徵提供一表面，且該表面係凹面或凸面的。
  8. 如請求項1所述之基板，其中該紋理化區域進一步包含： 一環繞部分，該環繞部分中設置有該等主表面特徵或突出有該等主表面特徵。
  9. 如請求項1所述之基板，其中 彼此相鄰的該等主表面特徵所具有的周長分開在1 µm至100 µm之一範圍內的一距離；且 彼此相鄰的該等主表面特徵分開在5 µm至150 µm之一範圍內的一中心到中心距離。
  10. 如請求項1所述之基板，其中 該等主表面特徵中之每一個包含在0.05 μm至0.50 μm之一範圍內的垂直於該基面的一標高變化。
  11. 如請求項1所述之基板，其中 每個主表面特徵提供一表面，且 該等次表面特徵係安置於該等主表面特徵之該等表面上。
  12. 如請求項1所述之基板，其中該紋理化區域進一步包含： 一環繞部分，該環繞部分中設置有該等主表面特徵或突出有該等主表面特徵； 其中每個主表面特徵提供一表面， 其中該等次表面特徵係安置於該環繞部分以及該等主表面特徵之該等表面二者上，且 其中該等主表面特徵之該等表面處的該表面粗糙度小於該環繞部分處的該表面粗糙度。
  13. 如請求項1所述之基板，進一步包含： 一環繞部分，該環繞部分中設置有該等主表面特徵或突出有該等主表面特徵； 其中該等次表面特徵係安置於該等主表面特徵之該等表面上而不是該環繞部分上。
  14. 如請求項1-13中任一項所述之基板，其中 該基板包含一玻璃或一玻璃陶瓷。
  15. 如請求項1-13中任一項所述之基板，其中 該紋理化區域展現出在1.5%至3.5%之一範圍內的一透射霧度； 該紋理化區域展現出在1.5%至3.5%之一範圍內的一像素功率偏差； 該紋理化區域展現出在2.0%至5.0%之一範圍內的一影像清晰度；且 該紋理化區域展現出在5 GU至20 GU之一範圍內的一鏡面反射率。
  16. 一種形成一基板之一紋理化區域之方法，該方法包含以下步驟： 根據每個主表面特徵之一預定位置將主表面特徵形成至一基板之一主表面中，從而形成一紋理化區域，每個主表面特徵包含一最大尺寸，該最大尺寸平行於一基面，該基面穿過該基板安置於該主表面下方至少5 µm；及 將次表面特徵形成至該紋理化區域之一或多個區段中，從而將該一或多個區段之表面粗糙度(Ra )增加至在5 nm至100 nm之一範圍內。
  17. 如請求項16所述之方法，進一步包含以下步驟： 利用一間距分佈演算法來判定每個主表面特徵之該位置。
  18. 如請求項16所述之方法，其中 將該等主表面特徵形成至該主表面中之步驟包含以下步驟：在一蝕刻遮罩安置於該主表面上時用一蝕刻劑接觸該主表面以僅允許選擇性地蝕刻該基板來形成該等主表面特徵。
  19. 如請求項18所述之方法，其中 該蝕刻劑包含氫氟酸及硝酸；且 該蝕刻劑接觸該基板持續在10秒至60秒之一範圍內的一時間週期。
  20. 如請求項16所述之方法，進一步包含以下步驟： 藉由將安置於該基板之該主表面上的一光阻劑材料曝露於一固化劑同時將一微影遮罩安置於該光阻劑材料上來形成該蝕刻遮罩，該微影遮罩包含材料及空隙，該等空隙穿過該材料用於選擇性地將該光阻劑材料之部分曝露於該固化劑，其中該微影遮罩之該等空隙係根據該等主表面特徵之該預定位置來定位。
  21. 如請求項16所述之方法，其中 將次表面特徵形成至該紋理化區域之一或多個區段中之步驟包含以下步驟：用不同於用來形成該等主表面特徵的該蝕刻劑的一第二蝕刻劑接觸該基板之該紋理化區域。
  22. 如請求項16所述之方法，其中 該第二蝕刻劑包含乙酸及氟化銨。
  23. 如請求項16-22中任一項所述之方法，其中 將該等主表面特徵形成至該主表面中之步驟包含以下步驟：在一蝕刻遮罩安置於該主表面上時用一蝕刻劑接觸該主表面以僅允許選擇性地蝕刻該基板來形成該等主表面特徵，且 將次表面特徵形成至該紋理化區域之一或多個區段中之步驟包含以下步驟：在用來形成該等主表面特徵的該蝕刻遮罩保留於該基板上時，用不同於用來形成該等主表面特徵的該蝕刻劑的一第二蝕刻劑接觸該基板之該紋理化區域之該一或多個區段。
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